Method for modeling excess current in irradiated bipolar junction transistors
Номер патента: US11017143B2
Опубликовано: 25-05-2021
Автор(ы): Blayne Tolleson, Hugh James Barnaby, Philippe Adell
Принадлежит: Arizona State University ASU, California Institute of Technology CalTech
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-05-2021
Автор(ы): Blayne Tolleson, Hugh James Barnaby, Philippe Adell
Принадлежит: Arizona State University ASU, California Institute of Technology CalTech
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for modeling excess current in irradiated bipolar junction transistors
Номер патента: US20180341733A1. Автор: Hugh James Barnaby,Philippe Adell,Blayne Tolleson. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-11-29.