Semiconductor structure and manufacturing method thereof
Номер патента: US20240222266A1
Опубликовано: 04-07-2024
Автор(ы): Luguang WANG, Xiaoling Wang
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-07-2024
Автор(ы): Luguang WANG, Xiaoling Wang
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor interconnect structure and manufacturing method thereof
Номер патента: US20170025360A1. Автор: Po-Wen Chiu,Chao-Hui Yeh,Zheng-Yong Liang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-01-26.