Methods for manufacturing semiconductor structures

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200194665A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Soi semiconductor structure and method for manufacturing an soi semiconductor structure

Номер патента: US20200161537A1. Автор: Martin Cornils,Christian SANDER. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12101924B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Memory structure, semiconductor structure and method for mamufacturing same

Номер патента: US20240040768A1. Автор: Qinghua Han,Jeonggi KIM,Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure with embedded memory device

Номер патента: US20230371281A1. Автор: Guan-Jie Shen,Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure with embedded memory device

Номер патента: EP3937266A1. Автор: Guan-Jie Shen,Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Semiconductor structure with embedded memory device

Номер патента: US11793003B2. Автор: Guan-Jie Shen,Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240064971A1. Автор: Zhicheng Shi,Ruiqi ZHANG,Xinran Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230121343A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230078585A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12132087B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230012447A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20010018245A1. Автор: Naohiko Kimizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230189506A1. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure, and manufacturing method for same

Номер патента: EP3958314A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230055202A1. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230225101A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure, method for manufacturing same and memory

Номер патента: US20230014198A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200144500A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200403155A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12133375B2. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070026680A1. Автор: Jae Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050003563A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device having island structure

Номер патента: US20230422490A1. Автор: Chen-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12108592B2. Автор: Jie Zhang,Jie Bai,Juanjuan Huang,Dahan QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: US20230157008A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11871560B2. Автор: Yang Chen,Mingxia Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing Semiconductor Structure

Номер патента: US20220310614A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4294145A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240047370A1. Автор: Hongwei Zhu,Honglei Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11955511B2. Автор: Shuangshuang WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220085151A1. Автор: Shuangshuang WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US11882682B2. Автор: Jiancheng Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230015580A1. Автор: Ning Xi,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220037333A1. Автор: Jiancheng Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230032102A1. Автор: Xiaobo Mei. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220254786A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220052052A1. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Longyang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240188286A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12004342B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4138132A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12113100B2. Автор: Hongmin WU,Yu-Sheng TING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12133376B2. Автор: Fan RAO,Seongjin KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor elements

Номер патента: US20170077433A1. Автор: Takeshi Gotanda,Akihiro Matsui,Shigehiko Mori,Haruhi Oooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Mask structure, semiconductor structure and methods for manufacturing same

Номер патента: US12027369B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US9087825B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20140035140A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181684A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor structure, method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230345706A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure, method for manufacturing same

Номер патента: US20230010014A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Method for patterning active areas in semiconductor structure

Номер патента: US20240243005A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for patterning active areas in semiconductor structure

Номер патента: US20240243003A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for processing capacitive structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220238638A1. Автор: Ang LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US12051608B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US09893189B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US12062573B2. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: US20190131127A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for forming connecting pad and semiconductor structure

Номер патента: US20230005757A1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Heat dissipation structure, forming method for heat dissipation structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4258344A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for forming connecting pad and semiconductor structure

Номер патента: US11784060B2. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Protection ring, method for forming protection ring, and semiconductor structure

Номер патента: US20230197529A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Method for forming isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240072079A1. Автор: Kuo-Yu Wu,Tse-Hua LU,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US20230025264A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20180019339A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20180166575A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20200052120A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for reducing crystallographic defects in semiconductor structures

Номер патента: US3737282A. Автор: E Hearn,G Schwuttke,E Tekaat. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-06-05.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US20220238372A1. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: WO2022160139A8. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for forming overlay marks and semiconductor structure

Номер патента: US12014994B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12074062B2. Автор: Taoyan YAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210343534A1. Автор: Taoyan YAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4148792A1. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230223367A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Methods and systems for semiconductor structure thickness measurement

Номер патента: US20210295496A1. Автор: Olmez Fatih. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US12040184B2. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt,Andrew Kretzschmar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230231039A1. Автор: Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: US09947584B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: US09929053B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory and operation method therefor

Номер патента: EP4318476A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20230009047A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Heat dissipation structure, forming method for heat dissipation structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4258344A4. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for preparing a p-type semiconductor layer, enhanced device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143264A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor structure and method for manufacture thereof

Номер патента: EP4199081A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Composite substrate, method for preparing the same, and semiconductor structure

Номер патента: US20240372036A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing semiconductor products, corresponding semiconductor product and device

Номер патента: US20180190572A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

SOI SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN SOI SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200161537A1. Автор: CORNILS Martin,SANDER Christian. Владелец: TDK-Micronas GmbH. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for forming multi-gate semiconductor structure

Номер патента: US20230420567A1. Автор: Yu-Wen Wang,chun-ming Yang,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure, memory and method for operating memory

Номер патента: US20230035348A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230118405A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for fusing and filling semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220254718A1. Автор: Guangcai GONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor structure, memory and operation method thereof

Номер патента: EP4326025A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor structures including conducting structure and methods for making the same

Номер патента: US20240145593A1. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

Hybrid semiconductor structure

Номер патента: US20090146133A1. Автор: Oliver Hayden,Heinz Schmid,Walter Heinrich Riess,Heike E. Riel,Mikael T. Bjoerk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

PHOTOMASK AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20210089701A1. Автор: Jou Jia-Guei,Huang Chin-Min,TSAI CHI-MING,Chen Yin-Chuan,LAI CHING-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Methods for manufacturing and manipulating semiconductor structure having active device

Номер патента: US20140232513A1. Автор: Wing-Chor CHAN,Li-Fan Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: FR2985601B1. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-06-03.

METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: FR2985601A1. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-07-12.

Method for manufacturing substrate and semiconductor structure

Номер патента: CN104025281B. Автор: O·科农丘克. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing a multilayer semiconductor structure that includes an irregular layer

Номер патента: US6982210B2. Автор: Bruno Ghyselen,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20220415784A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230020650A1. Автор: Heng-Chia Chang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US11721744B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US20220199805A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

GaN-containing semiconductor structure

Номер патента: US20150102357A1. Автор: YI Chang,Yuen Yee Wong,Chi Feng HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-04-16.

METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE STRUCTURE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20180033686A1. Автор: Cheng Chih-Ching,Chiu Yi-Wei,TAI Chia-Hsin,WU Fang-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

Methods for Introducing Carbon to a Semiconductor Structure and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20150325644A1. Автор: NIEH Chun-Feng,Chen Huang-Ming,Su Yu-Chen,Su Pei-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Structures and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: EP3365271A1. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,IRSIGLER Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for fabricating a mask for semiconductor structures

Номер патента: US6835666B2. Автор: Martin Popp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-28.

FORMATION METHOD FOR AIR SPACER LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Bai Jie,YOU Kang. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

METHOD FOR REDUCING CONTACT RESISTANCE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180019339A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD FOR REDUCING CONTACT RESISTANCE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20200052120A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-13.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20160086855A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD FOR INDUSTRIAL MANUFACTURING OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH REDUCED BOWING

Номер патента: US20190131127A1. Автор: MIGLIO Leonida. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20170154819A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180166337A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

METHOD FOR REDUCING CONTACT RESISTANCE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180166575A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-06-14.

Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: US20180204772A1. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

METHOD FOR POROSIFYING A MATERIAL AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200227255A1. Автор: OLIVER Rachel A.,ZHU Tongtong,LIU Yingjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

METHOD FOR FABRICATING A SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140374886A1. Автор: Kononchuk Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20150371874A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method for the production of a semiconductor structure

Номер патента: CN101933170A. Автор: M·黑贝伦,B·墨菲. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-12-29.

Method for forming a fin-based semiconductor structure

Номер патента: US10964585B2. Автор: ZHANG Tianhao,Wu Yichao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for the planarisation of a semiconductor structure

Номер патента: WO2002093633A1. Автор: Alexander Trueby,Mark Hollatz,Dirk Toebben,Klaus-Dieter Morhard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for forming interconnection line and semiconductor structure

Номер патента: US20110266676A1. Автор: Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: WO2017186810A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: Pilegrowth Tech S.R.L.. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for forming interconnection line and semiconductor structure

Номер патента: TW201203459A. Автор: Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-01-16.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4276894A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4084053A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210398943A9. Автор: Takashi Kubo,Masaru Haraguchi,Jun Gu,Wenliang Chen,Chun Yi LIN,Chien An Yu. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US09941186B2. Автор: Yu-Min LIANG,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240313053A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068247B2. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US10593550B2. Автор: Erhu ZHENG,Jinhe Qi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20180342393A1. Автор: Erhu ZHENG,Jinhe Qi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230189509A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12002864B2. Автор: Wei Wan,Pan Wang,Xuesheng Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220216312A1. Автор: Wei Wan,Pan Wang,Xuesheng Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11985807B2. Автор: Tao Liu,Sen Li,Qiang Wan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230010594A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12051615B2. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046478B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062702B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor structure and planarization process thereof

Номер патента: US20210354983A1. Автор: Xiang Li,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210366912A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11594540B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230064568A1. Автор: Biao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4199043A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12089392B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068160B2. Автор: Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US20230402501A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US12051719B2. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063187A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing semiconductor stack structure with ultra thin die

Номер патента: US20240249973A1. Автор: Tzu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for Manufacturing Semiconductor Structure

Номер патента: US20220319848A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046472B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: SG139533A1. Автор: Kazuma Sekiya,Kazuhisa Arai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2008-02-29.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240258412A1. Автор: Tatsuya Naito,Toshiki Suzuki,Toshiyuki Matsui,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234330A9. Автор: Hong-Ki Kim,Sangwoo PAK. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150031175A1. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Hideaki Teranishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor structure, packaging device and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240006281A1. Автор: Zongzheng LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor manufacturing parts by using jig

Номер патента: US20200111661A1. Автор: Ki Won Kim. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246474A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for manufacturing semiconductor package structure and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12100686B2. Автор: Yun Di HONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090146302A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6890866B2. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185659A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US20230262957A1. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US12048142B2. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20210066482A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160049522A1. Автор: Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230207618A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8466069B2. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244672A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device capable of improving manufacturing yield

Номер патента: US20010049151A1. Автор: Yuji Kayashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213356A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12040227B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220406611A1. Автор: WU LI,Atsushi Takahashi,Tsubasa IMAMURA,Yuto Itagaki,Minki Chou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US8389309B2. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing semiconductor die

Номер патента: US20240355631A1. Автор: Kang Sup Shin,Yang Beom KANG,Dal Jin LEE. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099009A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Mariko SUMIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20190006179A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107888B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7622362B2. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing semiconductor components with short switching time

Номер патента: US5371040A. Автор: Werner Zurek,Klaus Graff. Владелец: Temic Telefunken Microelectronic GmbH. Дата публикации: 1994-12-06.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120171833A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070116863A1. Автор: Kazunari Kimino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080113490A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972705B2. Автор: Masashi Iwatsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20100159701A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Kyoung SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420299A1. Автор: Tomoyuki Kamakura,Koichi Mizugaki,Yasuke Matsuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US20220262634A1. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium oxide-based semiconductor layer

Номер патента: US11862477B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US11791156B2. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080064146A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339330A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966329B2. Автор: Fukumi Shimizu,Haruhiko Harada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09887101B2. Автор: So Tanaka,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing semiconductor and semiconductor

Номер патента: US20240194737A1. Автор: Jianfeng Gao,Junfeng Li,Jun Luo,Junjie Li,Na Zhou,Wenwu Wang,Enxu LIU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US20220406641A1. Автор: Keiichiro Watanabe. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230352317A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing semiconductor structure having bonding element

Номер патента: US20240203916A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120190146A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20090286380A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12094784B2. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Sung-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09953964B2. Автор: Soonbum Kim,JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905529B2. Автор: Yoshihiro Ono,Kenji Sakata,Tsuyoshi Kida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Method and Apparatus for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20130220224A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090189221A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7732879B2. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7875512B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090186472A1. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130134516A1. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100151611A1. Автор: Nozomi Ohashi,Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor module and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20230178443A1. Автор: Hayato Nakano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20130005062A1. Автор: Masaki Yanagisawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8932927B2. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11735411B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui,Tsubasa Bando. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Junichi Hashimoto,Katsunori Yahashi,Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Laser annealing method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090246950A1. Автор: Jae Soo Kim,Ho Jin Cho,Cheol Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20090001520A1. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080293225A1. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US7800201B2. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-21.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US12114483B2. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881836B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881818B2. Автор: Nobuaki Yamanaka,Daisuke CHIKAMORI,Shinichirou KATSUKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290858A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Partial implantation method for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060211226A1. Автор: Min Lee,Kyoung Rouh,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150037969A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US7846792B2. Автор: Masanori Terahara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Method for manufacturing a semiconductor product wafer

Номер патента: US20180108580A1. Автор: Sheng-Che Lin,Yih-Yuh Kelvin DOONG. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for manufacturing a semiconductor product wafer

Номер патента: US9847264B1. Автор: Sheng-Che Lin,Yih-Yuh (Kelvin) Doong. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200259044A1. Автор: Kai Cheng,Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Jui-Feng Ko,Fang-Ying Lin,Hui-Chieh Wang,Tung-Kai Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178036A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for manufacturing semiconductor mark, and semiconductor mark

Номер патента: US20220216163A1. Автор: Chuang Shan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220028760A1. Автор: Chiang-Lin Shih,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for manufacturing semiconductor device with vertical gate transistor

Номер патента: US20130109165A1. Автор: Heung-Jae Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178032A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110136337A1. Автор: Shuichi Tanaka,Nobuaki Hashimoto,Yasuo Yamasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20080050850A1. Автор: Chikara Watatani,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Methods for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246790A1. Автор: Kai Cheng,Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Jui-Feng Ko,Fang-Ying Lin,Hui-Chieh Wang,Tung-Kai Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230063204A1. Автор: Eiji Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8114788B2. Автор: Shuichi Tanaka,Nobuaki Hashimoto,Yasuo Yamasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12087622B1. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09847280B2. Автор: Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor product wafer

Номер патента: US09847264B1. Автор: Sheng-Che Lin,Yih-Yuh (Kelvin) Doong. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20060105540A1. Автор: Kousuke Hara,Toyokazu Sakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150348859A1. Автор: Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070231957A1. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070059909A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for manufacturing semiconductor elemental device

Номер патента: US20060177984A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313156A1. Автор: Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170170069A1. Автор: Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki,Hiroshi Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8101462B2. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Method for manufacturing semiconductor device having fin structures

Номер патента: US20240347637A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240321819A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Atsushi Oga,Miki TOSHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852256B2. Автор: Jae-Hwan Kim,Myung-Soo JANG,Jong-Wha Chong,Cheol-Jon JANG,Ji-Ho Song,Kyung-In Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090142920A1. Автор: Eun-Jong Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160268138A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140370445A1. Автор: Hideaki Yuki,Sunao Aya,Shozo Shikama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240250025A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device including ferreoelectric capacitor

Номер патента: US20090117671A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282572A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing semiconductor device including ferroelectric capacitor

Номер патента: US7906349B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-03-15.

Methods for manufacturing semiconductor device and wiring structure

Номер патента: US11367627B2. Автор: Tadashi Takano,Michihiro Sato. Владелец: Nagase and Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258466A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20080284013A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for manufacturing semiconductor device, particle, and semiconductor device

Номер патента: US20110201193A1. Автор: Fumihiro Bekku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: US20070264593A1. Автор: Cheol Kyu Bok,Tae Seung Eom,Hyun Sook Jun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Apparatus and methods for processing bonding semiconductor wafers

Номер патента: US20240194478A1. Автор: Scott LEFEVRE,Satohiko Hoshino,Yuji MIMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240186207A1. Автор: Yoshihiro Kimura,Tadaaki Miyata,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09957411B2. Автор: Takayuki Saito,Taichi Koyama,Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09842943B2. Автор: Daisuke Umeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods and systems for forming semiconductor structures

Номер патента: US7787977B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chien-Hsun Lin,Yao-Wen Guo,An-Kuo Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-31.

Methods and systems for forming semiconductor structures

Номер патента: US20080125902A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chien-Hsun Lin,Yao-Wen Guo,An-Kuo Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130095626A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Ashing apparatus, ashing methods, and methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20030073322A1. Автор: Takumi Shibata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060046421A1. Автор: Yoshitake Kato,Tomoe Yamamoto,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US20240274472A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US12068203B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070173065A1. Автор: Kuo-Wei Yang,Hui-Shen Shih,Chih-Jen Mao,Chun-Han Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100006939A1. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8115255B2. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232503A1. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170213724A1. Автор: Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8293563B2. Автор: Susumu Hiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6825128B2. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7348249B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060148230A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070059649A1. Автор: Jae Kang. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100240223A1. Автор: Hideki Ito,Naohisa Ikeya. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140106521A1. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Wire bonding apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12107070B2. Автор: Hiroaki Yoshino,Shinsuke Tei. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359362A1. Автор: wei-wei Liu,Huei-Siang WONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4451333A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240355812A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11723198B2. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055254A1. Автор: Zhen Song,Libin Zhang,Yayi Wei,Le Ma,Jianfang He,Yajuan SU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240038584A1. Автор: Zhen Song,Libin Zhang,Yayi Wei. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411322A1. Автор: Tomoyuki Takeishi,Hiroaki ASHIDATE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140206187A1. Автор: Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Mariko Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220085049A1. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210375617A1. Автор: Hongbo Zhu,Yongbo FENG,Houyou WANG,Mingyang TSAI. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210351147A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11594507B2. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US20230207637A1. Автор: Chun-Shun Huang,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240120199A1. Автор: So Young Lee,Yun Hee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230307520A1. Автор: Masaya Toda,Yuya Nagata,Tsubasa IMAMURA,Takuya KIKUCHI,Kappei IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411344A1. Автор: Tomoyuki Takeishi,Hiroaki ASHIDATE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20210408268A1. Автор: Xiantao Li,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for manufacturing terahertz device

Номер патента: US20230420606A1. Автор: Tsung-Han Wu,Shang-hua YANG,Wang-Chien Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240030289A1. Автор: Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210050706A1. Автор: Kyosuke Kuramoto,Masatsugu Kusunoki,Takehiro Nishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220069103A1. Автор: Wei Huang,Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for manufacturing semiconductor device or photomask

Номер патента: US20090206282A1. Автор: Takashi Maruyama,Kozo Ogino. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11581225B2. Автор: Ting Ye,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20210375689A1. Автор: Ting Ye,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180286692A1. Автор: Chien-Hao Chen,Sho-Shen Lee,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190027358A1. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160017191A1. Автор: Taichi Koyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130149850A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297051A1. Автор: SEUNGHEE HAN,Chanmi LEE,Seulgi Lee,Sanggyo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130017671A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8951908B2. Автор: Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Mariko Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7524738B2. Автор: Hong Goo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060145284A1. Автор: Woong Sung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060234475A1. Автор: Hong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for manufacturing semiconductor device having via holes

Номер патента: US20070128852A1. Автор: Toshihiko Shiga,Takeo Shirahama,Kouichirou Hori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080003732A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160247894A1. Автор: Kenji Hamada,Masayuki Imaizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10475640B2. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09876022B1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhisa Matsuda,Tomo Hasegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859158B2. Автор: Youngmok KIM,Kyoung-Eun Uhm,Kyunglyong KANG,Hodae OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09840645B2. Автор: Taichi Koyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09831086B2. Автор: Yoshihiro Sawada,Yu Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220293611A1. Автор: Er-Xuan Ping,Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: US20240222118A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: WO2024144886A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093478A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Apparatus and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20070148928A1. Автор: In Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for manufacturing a semiconductor structure and a semiconductor structure

Номер патента: US20220223419A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230013284A1. Автор: Jifeng TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240049457A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing semiconductor device having island structure

Номер патента: US20230420264A1. Автор: Chen-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12114485B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230005931A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Junyi Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230013786A1. Автор: Junbo PAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11658227B2. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220140102A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12112973B2. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130716A1. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4243074A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336658A1. Автор: Jun Hee Cho. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230343600A1. Автор: Xiao Zhu,Xiaohong Zhang,Cheng-Yeh Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210351280A1. Автор: LI ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing light emitting unit

Номер патента: US09859459B2. Автор: Yi-Ru Huang,Kuan-Chieh Huang,Jing-En Huang,Shao-Ying Ting,Sie-Jhan WU,Long-Lin Ke. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230080330A1. Автор: MENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220165738A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for manufacturing de-powder device for piping, and method for installing same

Номер патента: US12024771B2. Автор: Gi Nam KIM. Владелец: Baron Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074110B2. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Chu LIN,Hung-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11942522B2. Автор: Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4287243A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230413508A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing semiconductor package with air gap

Номер патента: US11817306B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4322203A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230024779A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4181187A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230223371A1. Автор: Luguang WANG,Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and capacitor structure

Номер патента: US20230034079A1. Автор: Ting-Chung Chiu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230223264A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and method for processing etching-target film

Номер патента: US8124322B2. Автор: Eiichi Soda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Method for manufacturing of pole tip of automatic circuit breaker

Номер патента: RU2572811C2. Автор: Венкай ШАНГ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11825646B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11961798B2. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303324A1. Автор: Victor Y. Lu,Pu-Fang Chen,Shi-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240304498A1. Автор: Rui Ju,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Hongxu Shao. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for generating masks for manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20190250503A1. Автор: Yung-Feng Cheng,Chia-Wei Huang,Tsung-Yeh Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for generating masks for manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20190250503A1. Автор: Yung-Feng Cheng,Chia-Wei Huang,Tsung-Yeh Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090130603A1. Автор: Tomohiko Yamamoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030176006A1. Автор: Hiroshi Muto,Kazuhiko Kano,Junji Oohara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09864267B2. Автор: Takahiro Onoue,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080057441A1. Автор: Sung-ho Jun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11429019B2. Автор: Chi-Ming Tsai,Chi-Ta Lu,Wei-Chung HU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-30.

Method for manufacturing photomask and method for manufacturing semiconductor device using photomask

Номер патента: US20060222964A1. Автор: Kazumasa Morishita,Hiroki Futatsuya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090305169A1. Автор: Katsutoshi Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120141944A1. Автор: Katsutoshi Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for manufacture of parts for means of travel

Номер патента: RU2351699C2. Автор: Хендрикус Антониус ХОГЛАНД. Владелец: Эсим Текнолоджиз Б.В.. Дата публикации: 2009-04-10.

Device and method for manufacturing pressed brick workpieces

Номер патента: RU2761452C2. Автор: Лотар БАУЭРЗАХС. Владелец: Лангенштайн И Шеманн Гмбх. Дата публикации: 2021-12-08.

Sound absorbing material and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2667584C2. Автор: Кеун Йоунг КИМ,Вон Дзин СЕО. Владелец: Хендэ Мотор Компани. Дата публикации: 2018-09-21.

Insulated structure for tank and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2676630C2. Автор: Марк ЭЛЬБИНГ,Нильс МОМАЙЕР,Бернд ФРИККЕ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-01-09.

Method for manufacturing a handle

Номер патента: RU2676112C2. Автор: Карл-Олоф ХОЛМ,Йоуни РИИКОНЕН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-12-26.

Method for manufacturing absorbent product

Номер патента: RU2757840C2. Автор: Казуо ЙОКОБОРИ,Хидео АОКИ. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230382718A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacture of extruded leguminous micropellets

Номер патента: RU2576448C2. Автор: Номан ХАН,Сара ВЕРТМАН. Владелец: Дзе Квейкер Оутс Компани. Дата публикации: 2016-03-10.

Method and device for manufacturing corrugated material sheet

Номер патента: RU2765704C2. Автор: Шарлотт КОЛЛУ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2022-02-02.

Conveyor for canvas and method for absorbing product manufacturing

Номер патента: RU2524598C2. Автор: Хироки ЯМАМОТО. Владелец: Юни-Чарм Корпорейшн. Дата публикации: 2014-07-27.

Apparatus and method for making a dielectrically isolated semiconductor structure

Номер патента: CA948791A. Автор: Albert P. Youmans,Lionel A. Kirton. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Apparatus and method for making a dielectrically isolated semiconductor structure

Номер патента: CA948792A. Автор: Albert P. Youmans,Lionel A. Kirton. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

System for manufacturing and measuring semiconductor structures

Номер патента: TWI799202B. Автор: 鄭正達,黃祖文. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2023-04-11.

METHOD FOR FABRICATING QUANTUM DOT AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTAINING QUANTUM DOT

Номер патента: US20120267603A1. Автор: . Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Device for Manufacturing a Three-Layer Cord of the Type Rubberized in Situ

Номер патента: US20120000174A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD, SYSTEM AND MOLDING TOOL FOR MANUFACTURING COMPONENTS FROM COMPOSITE FIBER MATERIALS

Номер патента: US20120003480A1. Автор: BECHTOLD Michael,JUNG Manuel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

CASTING METHOD FOR MANUFACTURING A WORK PIECE

Номер патента: US20120003101A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE FOR A VEHICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002442A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR MANUFACTURING 5-(2--1-HYDROXYETHYL)-8-HYDROXYQUINOLIN-2(1H)-ONE

Номер патента: US20120004414A1. Автор: Marchueta Hereu Iolanda,Moyes Valls Enrique. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANT PROCESSING METHODS FOR THERMALLY LABILE AND OTHER BIOACTIVE AGENTS AND IMPLANTS PREPARED FROM SAME

Номер патента: US20120004323A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing alcohol-containing drink

Номер патента: RU2248391C2. Автор: Е.Ю. Попов. Владелец: Попов Евгений Юрьевич. Дата публикации: 2005-03-20.

Method for manufacturing removable combined gnathic maxillary prosthesis

Номер патента: RU2268681C2. Автор: . Владелец: Суворов Сергей Олегович. Дата публикации: 2006-01-27.