METHOD FOR REDUCING CONTACT RESISTANCE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES
Номер патента: US20200052120A1
Опубликовано: 13-02-2020
Автор(ы): Colinge Jean-Pierre, DIAZ Carlos H.
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-02-2020
Автор(ы): Colinge Jean-Pierre, DIAZ Carlos H.
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for reducing contact resistance in semiconductor structures
Номер патента: US09893189B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.