Method for processing an electroplated copper film in copper interconnect process
Номер патента: US20160247717A1
Опубликовано: 25-08-2016
Автор(ы): Hong Lin
Принадлежит: Shanghai IC R&D Center Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-08-2016
Автор(ы): Hong Lin
Принадлежит: Shanghai IC R&D Center Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming a capping layer on a copper interconnect
Номер патента: US20020197865A1. Автор: Koichi Ohto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.