Method for manufacturing semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for fabricating air gap for semiconductor device

Номер патента: US7803713B2. Автор: Hsueh-Chung Chen,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6287774B2. Автор: 光彦 酒井,弘之 北林. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-07.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150372094A1. Автор: Horii Taku,Kijima Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Methods for Manufacturing a MOSFET

Номер патента: US20190081158A1. Автор: Maik Stegemann,Manfred Pippan,Andreas Riegler,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100400290B1. Автор: 유용식,홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-24.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100400289B1. Автор: 홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-24.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100189979B1. Автор: 김의송. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for manufacturing contacts of semiconductor device

Номер патента: CN1356719A. Автор: 郑丞弼,秋昌雄,池京求,金智秀,徐相勋. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Method for manufacturing sti of semiconductor device

Номер патента: KR100559675B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for manufacturing STI of semiconductor device

Номер патента: KR100967666B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-07.

Method for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR102293862B1. Автор: 박재영,심현준,이선영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-08-25.

method for manufacturing in a semiconductor device

Номер патента: KR100379516B1. Автор: 정종완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for manufacturing mosfet on semiconductor device

Номер патента: US20070161212A1. Автор: Young Seong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for fabricating conductive feature and semiconductor device

Номер патента: US11842925B2. Автор: Yu-Chang Chang,Che-Hsien LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for forming metal wiring in semiconductor device

Номер патента: US20080150166A1. Автор: Seung-Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for manufacturing a reliable semiconductor device using ECR-CVD and implanting hydrogen ions into an active region

Номер патента: US6071832A. Автор: Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Method for manufacturing of power semiconductor device

Номер патента: KR101916936B1. Автор: 이주환,우혁. Владелец: 현대오트론 주식회사. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for manufacturing a recessed semiconductor device

Номер патента: US4642880A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Syunzi Yokogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor capacitive element, method for manufacturing same and semiconductor device provided with same

Номер патента: US20030201484A1. Автор: Ken Ozawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

And a method for manufacturing a laminated semiconductor device and a multilayer semiconductor device

Номер патента: TWI416689B. Автор: Kenichi Takeda,Kazuyuki Hozawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for manufacturing inductor of semiconductor device

Номер патента: KR100800920B1. Автор: 문상태. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP3298472B2. Автор: 和夫 山岸,英子郎 坂井,晴城 坂口,秀幸 徳野. Владелец: 関西日本電気株式会社. Дата публикации: 2002-07-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150200152A1. Автор: Sung-Dong Cho,Sin-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Capacitor and method for fabricating the same and semiconductor device

Номер патента: US20030184950A1. Автор: Shunji Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for fabricating contact plug in semiconductor device

Номер патента: US20080003798A1. Автор: Chang-Youn Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW302512B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-11.

Method for fabricating metal plug of semiconductor device

Номер патента: TWI281725B. Автор: Jung-Geun Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-21.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226495A1. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160372370A1. Автор: YAMADA Shunsuke,HATTORI Tetsuya. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for manufacturing contact of semiconductor device

Номер патента: KR100275341B1. Автор: 김진웅,김정호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100594270B1. Автор: 김윤기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for manufacturing lines of semiconductor device

Номер патента: KR100688760B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-28.

Wafer and method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: WO2020258865A1. Автор: 吴秉桓. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2020-12-30.

Wafer and method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: EP3916767A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for manufacturing the mml semiconductor device

Номер патента: KR100316059B1. Автор: 조정호,문원. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Wafer and method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: EP3916767A4. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method for Manufacturing Pad of Semiconductor Device

Номер патента: KR100292820B1. Автор: 이재구,정태영,고관협. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100556535B1. Автор: 최치홍. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-06.

Method for fabricating an Al-Ge alloy wiring of semiconductor device

Номер патента: US5846877A. Автор: Jun-Ki Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for fabricating side contact in semiconductor device using double trench process

Номер патента: US20110129975A1. Автор: Sang-Oh Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8846488B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-30.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093041A1. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-18.

A method for fabricating isolation regions in semiconductor devices

Номер патента: DE3379700D1. Автор: Hiroshi C O Fujitsu Limit Goto,Akira C O Fujitsu Limit Tabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-05-24.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TW200411810A. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TWI287269B. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-21.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TW200423237A. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TWI254982B. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,IRSIGLER Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: CN103518252A. Автор: C.冯阿尔斯. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2014-01-15.

Method for manufacturing STI of semiconductor device

Номер патента: KR100480897B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-04-07.

Method for manufacturing isolation in semiconductor device

Номер патента: KR101004805B1. Автор: 문원. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-01-04.

Method for manufacturing isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100382556B1. Автор: 정이선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-09.

Method for manufacturing isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100752219B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-08-28.

Method for manufacturing dielectric-isolated semiconductor device

Номер патента: JPH0719836B2. Автор: 弘通 大橋,純一 大浦,優 新保,恒男 塚越. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-06.

Method for manufacturing insulation film semiconductor device

Номер патента: KR100248352B1. Автор: 김형수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for manufacturing an integrated semiconductor device

Номер патента: DE2238450C3. Автор: David F. Los Altos Calif. Allison (V.St.A.). Владелец: Scientific Micro Systems Inc. Дата публикации: 1980-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method for preparing the same

Номер патента: US20200161191A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Chun-Shun Huang,Wei-Li LAI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for isolating elements of semiconductor device

Номер патента: US5719086A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Young Bog Kim,Sung Ku Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20230132513A1. Автор: Ryuichi Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09954073B2. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170012109A1. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220102502A1. Автор: Shingo Ota. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for fabricating storage electrode of semiconductor device

Номер патента: US7220641B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240153873A1. Автор: Yu-Hsin Wu,Hui Tzu CHAN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Power semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240266169A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140065800A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09966437B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11935744B2. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for forming junction region in semiconductor device

Номер патента: KR100376888B1. Автор: Bong Soo Kim,Seong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TW200406030A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-16.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TWI281209B. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

Method for manufacturing a nitride semiconductor device and device manufactured by the method

Номер патента: EP2051308A3. Автор: Toshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ota,Atsushi Watanebe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-04-14.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271144A1. Автор: Li Liu,Takashi Okawa,Hidemoto Tomita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064490A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180108730A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170121850A1. Автор: Miyazaki Masayuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170170281A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Field effect semiconductor device and method for manufacturing field effect semiconductor device

Номер патента: JP4907929B2. Автор: 景一 松下. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11862686B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120009801A1. Автор: Masayuki Imaizumi,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130252400A1. Автор: Horii Taku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Tamaso Hideto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140057424A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140065800A1. Автор: KAWADA Yasuyuki,YONEZAWA Yoshiyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140073116A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190013198A1. Автор: NISHIGUCHI Taro,HIRATSUKA Kenji,Itoh Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160049485A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056260A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,MAEYAMA Yusuke,NAKAMURA Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

RECYCLE WAFER OF SILICON CARBIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160071949A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacturing electrode of semiconductor device

Номер патента: US20180102413A1. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Dengping Yin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Tamaso Hideto. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160133705A1. Автор: Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160204220A1. Автор: Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

METHOD FOR MANUFACTURING PILLAR-SHAPED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242028A1. Автор: MASUOKA Fujio,HARADA Nozomu. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240655A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210327702A1. Автор: KOJIMA Jun,HARA Kazukuni,NAGAYA Masatake,Kawaguchi Daisuke,SASAOKA Chiaki,ONDA Shoichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170275779A1. Автор: NISHIGUCHI Taro,HIRATSUKA Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100670747B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-17.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100268782B1. Автор: 임찬. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3491903B2. Автор: 光敏 宮坂. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100380269B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-16.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3343492B2. Автор: 昌浩 足立. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-11-11.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100309136B1. Автор: 안성현,이덕형,임승무,조현룡,김송강. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-12.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100244924B1. Автор: 박흥수,송재인,정승필,장규환. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012500A. Автор: 박인성,김경훈,박영욱,남갑진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100961195B1. Автор: 김태균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-09.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device including Ta2O5 dielectric film

Номер патента: JP3628278B2. Автор: 泳 旭 朴,興 秀 朴,起 演 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8765557B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-07-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8877656B2. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8999854B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Tomoaki Hatayama. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2015-04-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2010101016A1. Автор: 健一 大塚,健一 浜野,信之 冨田,政良 多留谷. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2010-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device having trench

Номер патента: US9793365B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6178106B2. Автор: 富仁 宮崎,宮崎 富仁,誓行 岡本. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5900243B2. Автор: 増田 健良,健良 増田,健二 平塚,雄 斎藤. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4911263B2. Автор: 寿一 谷岡,壮之 古橋,昌之 今泉. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN102341893B. Автор: 富田信之,浜野健一,多留谷政良,大塚健一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-03-25.

Method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: KR102238755B1. Автор: 유성욱,노태문,김상기,구진근,박종문,박건식,임병원. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2021-04-12.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: KR100402548B1. Автор: 야스히로 가나야,마사후미 구니이. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2004-04-29.

method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100404221B1. Автор: 김광진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140073101A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160133705A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20210242028A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130252400A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3010034A4. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US20140167073A1. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER DEVICE CO. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for forming patterns in a semiconductor device and method for a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100489657B1. Автор: 이수웅,안주진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-17.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20100248462A1. Автор: Munaf Rahimo,Jan Vobecky. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20240188272A1. Автор: Kenichi Kanazawa. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Process and system for manufacturing an encapsulated semiconductor device

Номер патента: US20090011549A1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for fabricating side contact in semiconductor device

Номер патента: US20120149205A1. Автор: Sung-Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for fabricating a thin film semiconductor device

Номер патента: US5637512A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka,Thomas W. Little. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

DOPING SYSTEM, DOPING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190228971A1. Автор: NAKAZAWA Haruo,IGUCHI Kenichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-07-25.

Doping system, doping method and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190228971A1. Автор: Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160020156A1. Автор: Tsuno Takashi,YAMADA Satomi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190035684A1. Автор: Kawai Jun,Tomita Yosuke,NAGAYA Masatake. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Method for manufacturing flip-chip semiconductor device

Номер патента: TW201340195A. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: TWI545723B. Автор: Takao Sato,Masatoshi Fukuda. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2016-08-11.

Process for manufacturing a surface-mount semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20160351476A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor element substrate, method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: CN102362345A. Автор: 塚本健人,户田顺子,马庭进. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for manufacturing SIC semiconductor device

Номер патента: US20080318400A1. Автор: Hiroki Nakamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2023052355A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-04-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107039268B. Автор: 胁本节子,岩谷将伸. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP7001364B2. Автор: 節子 脇本,将伸 岩谷. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6472776B2. Автор: 節子 脇本,将伸 岩谷. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN110176497B. Автор: R.鲁普,A.迈泽. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-06.

Methods for manufacturing silicon carbide semiconductor device and power conversion device

Номер патента: WO2021161436A1. Автор: 史郎 日野,康史 貞松. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120184092A1. Автор: Hiromu Shiomi,Naoki Ooi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130183820A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hiyoshi Toru,Hatayama Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140051241A1. Автор: Takashi Tsuji,Fumikazu Imai,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170012109A1. Автор: AKAGI Nozomu,TAKEUCHI Yuichi,SAKAKIBARA Jun,MIZUNO Shoji. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160056040A1. Автор: Shunsuke Yamada,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150072486A1. Автор: TAKEUCHI Yuichi,SUGIYAMA Naohiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160163817A1. Автор: Kubota Ryosuke,Masuda Takeyoshi,Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150287597A1. Автор: Kitabayashi Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293423A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Horii Taku,YAMADA Shunsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180363166A1. Автор: Hori Tsutomu,Wada Keiji,NISHIGUCHI Taro. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4535151B2. Автор: 剛 遠藤,英一 奥野,武雄 山本,正樹 小西. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN113161232A. Автор: 小岛贵仁,大瀬直之. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5014749B2. Автор: 成久 三浦,直毅 油谷. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-08-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP3721588B2. Автор: 孝一 橋本. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN104871288A. Автор: 北林弘之. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2792551A1. Автор: Hiromu Shiomi,Naoki Ooi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7135531B2. Автор: 一平 高橋,周平 箕谷,真也 武井,治人 市川,幸宏 若杉. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN103988310A. Автор: 增田健良,日吉透,畑山智亮. Владелец: NAT UNIVERSITY CORP NARA I OF. Дата публикации: 2014-08-13.

Method for manufacturing pressure sensitive semiconductor device

Номер патента: ES374318A1. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1972-03-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2096669A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-09-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2010205824A. Автор: Kazuhiro Tsuruta,和弘 鶴田,Jun Kawai,潤 河合. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A4. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5369762B2. Автор: 和弘 鶴田,潤 河合. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2006332357A. Автор: Takeshi Yamamoto,Jun Kawai,潤 河合,剛 山本. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-12-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP3525149B2. Автор: 勝典 上野. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2790225B1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-01-23.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Roesner,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11309461B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-19.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220199868A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11804579B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210091187A1. Автор: Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20240055495A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Andrei Amadeus MIHAILA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for fabricating recess pattern in semiconductor device

Номер патента: US7862991B2. Автор: Yong-Soon Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Method for fabricating fine pattern in semiconductor device

Номер патента: US20110076851A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for manufacturing resin-molded semiconductor device

Номер патента: JP2778608B2. Автор: 育男 小松. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-23.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A4. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US5013677A. Автор: Hiroki Hozumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Systems and methods for forming semiconductor cutting/trimming blades

Номер патента: US20200206869A1. Автор: Jonathan S. Hacker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for capturing gaseous impurities and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: GB9711576D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: TW200913148A. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

THROUGH-ELECTRODE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH THROUGH-ELECTRODE SUBSTRATE IS USED

Номер патента: US20170148719A1. Автор: ASANO Masaaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Method for manufacturing and packaging semiconductor devices

Номер патента: FR1531911A. Автор: . Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1968-07-05.

Wiring board, method for manufacturing same and semiconductor device

Номер патента: WO2006054637A1. Автор: Hideki Higashitani. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2006-05-26.

Leadframe and method for manufacturing resin-molded semiconductor device

Номер патента: US20030178708A1. Автор: Osamu Adachi,Masanori Minamio. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100351241B1. Автор: Nam Sik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-05.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for manufacturing a CMOS device having twin wells and an alignment key region

Номер патента: US5252510A. Автор: Dai H. Lee,Hyung L. Ji. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-12.

Strained semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: GB2418533A. Автор: Zoran Krivokapic,Daniel R Collopy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-03-29.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11038019B2. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237544A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200144366A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for fabricating nanometer gate in semiconductor device using thermally reflowed resist technology

Номер патента: TW200424759A. Автор: Edward Y Chang,Huang-Ming Lee. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for fabricating fine pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100363703B1. Автор: Min Kyung Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: TW200411738A. Автор: Seok-Kiu Lee,Sung-Jae Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TW200522272A. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TWI239074B. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Multiple-Gate Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20150079753A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin,Li-Wen Weng,Hsien-Chin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210066288A1. Автор: Rahimo Munaf. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Method for Manufacturing a Vertical Semiconductor Device and Vertical Semiconductor Device

Номер патента: US20150115356A1. Автор: Brandl Peter,Peri Matthias Hermann. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350602A1. Автор: Rahimo Munaf,Knoll Lars,Minamisawa Renato,Mihaila Andrei,Bartolf Holger. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130244428A1. Автор: Ohno Jun-ichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140057461A1. Автор: Shiomi Hiromu. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160181160A1. Автор: KOBAYASHI Kazuo,Tarui Yoichiro,YUKI Hideaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD FOR MANUFACTURING A VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190214470A1. Автор: HARADA Hirofumi,OSUGA Yuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Silicon Carbide Epitaxial Substrate and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190242014A1. Автор: HONKE Tsubasa,MIYASE Takaya,Kanbara Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150279967A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Method for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP1089328A1. Автор: Manfred Kraxenberger,Ines Kneupel,Bruno Spuler,Thorsten Schedel,Karl Mautz. Владелец: Semiconductor 300 GmbH and Co KG. Дата публикации: 2001-04-04.

A method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100855263B1. Автор: 송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-09-01.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100507865B1. Автор: 진승우,오훈정,이태혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-18.

Method for manufacturing surface mount semiconductor device

Номер патента: JP3432982B2. Автор: 忠士 山口. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-04.

Method for manufacturing a flash semiconductor device

Номер патента: KR100992783B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-11-05.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: KR100690996B1. Автор: 이승철,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for manufacturing gate of semiconductor device

Номер патента: KR100446431B1. Автор: 신중욱. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-08-30.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100869343B1. Автор: 김영대,이기정,김진혁,노재성,길덕신,박경웅,도관우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-19.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100348297B1. Автор: 박승현,고상기,심필보,권우현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-29.

Method for manufacturing CMOS analog semiconductor device

Номер патента: JP2990497B2. Автор: チャン キム ヨン. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1999-12-13.

Method for manufacturing gate of semiconductor device

Номер патента: KR100396689B1. Автор: 김상균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-17.

Plasma etching method for manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: KR100230981B1. Автор: 김경훈,곽규환,이휘건,김성경,문대식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-11-15.

A method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100447976B1. Автор: 김의식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-10.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100328451B1. Автор: 박일규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100955679B1. Автор: 지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for manufacturing vertically integrated semiconductor device

Номер патента: US9911822B2. Автор: Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100675896B1. Автор: 김현정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-02.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100400763B1. Автор: 정혁채. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-31.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100762224B1. Автор: 김호웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-01.

Method for manufacturing a compound semiconductor device

Номер патента: US6531383B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: KR100361521B1. Автор: 김태균,장세억. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-23.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101231229B1. Автор: 김경철. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2013-02-08.

Method for manufacturing resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPH10178030A. Автор: 亮 新帯,Akira Niiobi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP6268948B2. Автор: 光泰 掛布. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-31.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100388683B1. Автор: 황재성,권성운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-06-25.

Method for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR102237433B1. Автор: 김동원,박재영,조근휘,강명길,하라다요시나오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-04-07.

Method for manufacturing of the semiconductor device

Номер патента: KR100613097B1. Автор: 정세광. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-16.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: KR100422342B1. Автор: 김태균,여인석,장세억,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-10.

Method for manufacturing high voltage semiconductor device

Номер патента: KR100710188B1. Автор: 김정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-20.

Method for manufacturing an ldd semiconductor device

Номер патента: EP0197738B1. Автор: Riichirou C/O Patent Division Aoki,Katsuya C/O Patent Division Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-08-08.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US9224834B1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Production Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20090283773A1. Автор: Takuto Yasumatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for separating selected articles from an array

Номер патента: US3627124A. Автор: Peter R Hance,Ronald I Strohl,William R Wanesky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170053921A1. Автор: Soo-Yeon Jeong,Tae-Jong Lee,Dong-gu Yi,Jae-Po Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20240206146A1. Автор: Kenichi Kanazawa,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method For Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20210358754A1. Автор: MASUOKA Fujio,HARADA Nozomu,Li Yisuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Method for forming micro lenses and semiconductor device including the micro lenses

Номер патента: TW200810099A. Автор: Hiroki Amemiya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106536793A. Автор: 宫崎正行. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2016125404A1. Автор: 正行 宮崎. Владелец: 富士電機株式会社. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3182302B2. Автор: 篤雄 小西. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

Formation of stacked nanosheet semiconductor devices

Номер патента: US20200144122A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing semiconductor products, corresponding semiconductor product and device

Номер патента: US20180190572A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: TW200606999A. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: DE102016112779B4. Автор: Patrick Graschl. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-02-24.

WIRING BOARD PROVIDED WITH THROUGH ELECTRODE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160079149A1. Автор: YOSHIDA Tomohiro. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-17.

Glass wiring substrate, method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: WO2019117073A1. Автор: 藤田 貴志. Владелец: 凸版印刷株式会社. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100418856B1. Автор: 김성욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for manufacturing mold type semiconductor device

Номер патента: US20070158850A1. Автор: Nobuyuki Kato,Naohiko Hirano,Shoji Miura,Yoshitsugu Sakamoto,Takanori Teshima,Akihiro Niimi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224500A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim,Hye Won YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200402874A1. Автор: Campardo Giovanni,Ghidoni Marco Omar. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

System and method for production line monitoring

Номер патента: US09983148B2. Автор: Martin Plihal,Saravanan Paramasivam. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating capacitor in a semiconductor device

Номер патента: TWI274381B. Автор: Wu-An Weng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20180012896A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for Forming a Ruthenium Film

Номер патента: US20120161282A1. Автор: Vishwanath Bhat,Dan Gealy,Vassil Antonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Image sensor devices, methods for forming the same and semiconductor devices

Номер патента: TW200837940A. Автор: Dun-Nian Yaung,Jyh-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-09-16.

Organosilane-containing material for insulation film, method for producing the same, and semiconductor device

Номер патента: TWI252232B. Автор: Daiji Hara,Keisuke Yoshida. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2006-04-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8749063B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-10.

Flexible semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2312620A1. Автор: Seiichi Nakatani,Takashi Ichiryu,Koichi Hirano,Tatsuo Ogawa,Takeshi SAZUKI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US11588049B2. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3832733A1. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor Device and Method For Manufacturing Same

Номер патента: US20210234041A1. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2010046794A1. Автор: Anco Heringa,Jan Sonsky. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210036181A1. Автор: Toshiyuki Nitta. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for fabricating crown-type of semiconductor device

Номер патента: TW437012B. Автор: Yong-Sun Sohn,Seung-Woo Shin. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-05-28.

Method for forming redistribution layer on semiconductor device

Номер патента: TW594895B. Автор: Tai-Yuan Huang,Chih-Hsiang Hsu,Hsin-Lun Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-06-21.

A method for analyzing defects in a semiconductor device

Номер патента: GB9606291D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: TW200814140A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Seung-Chan Moon,Hee Youl Lim,Keun-Do Ban,Myoung-Ja Min. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210091187A1. Автор: ARAOKA Tsuyoshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160225854A1. Автор: Wada Keiji,Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190355880A1. Автор: Von Malm Norwin,Göötz Britta. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4169072B2. Автор: 暁夫 町田,敏夫 藤野,正洋 河野. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP7259215B2. Автор: 舜基 成田. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Power semiconductor device and method for manufacturing the power semiconductor device

Номер патента: US8629498B2. Автор: Shuhei Nakata,Naruhisa Miura,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-14.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US20080054266A1. Автор: Akio Machida,Tadahiro Kono,Toshio Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130137198A1. Автор: HARADA Shin,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130171778A1. Автор: Wada Keiji,Masuda Takeyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130210208A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-15.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140073101A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki,Saitoh Yu. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTIRES, LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICALLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170047423A1. Автор: Sojka Damian,Schmenn Andre. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150262892A1. Автор: Sugimoto Hiroshi,Nakamura Takuyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Huesken Holger,Roesner Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100252852B1. Автор: 연충규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP5564763B2. Автор: 智幸 山崎. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100244288B1. Автор: 박현. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20010058980A. Автор: 이정석,박상수,김상익. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-06.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980006351A. Автор: 박정수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012486A. Автор: 조창현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100192927B1. Автор: 최양규. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100230363B1. Автор: 강만석,안승준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100373344B1. Автор: 이승욱,김일욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2504194B2. Автор: 俊秀 安井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-05.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP3125187B2. Автор: オン・チョル・ゾ. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2001-01-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881828B1. Автор: 김유성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980006344A. Автор: 김명선,백선행. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980006372A. Автор: 강만석,안승준. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012514A. Автор: 이기홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing field effect semiconductor device

Номер патента: JP2745640B2. Автор: 順一 石川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-04-28.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100680444B1. Автор: 이상완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5562211B2. Автор: 政良 多留谷,博明 岡部. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-07-30.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3449796B2. Автор: 明 小島,博之 深澤,徹 紀平. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-22.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012493A. Автор: 조창현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100587609B1. Автор: 채은철. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device with heat sink

Номер патента: JP2969591B2. Автор: 典永 渡辺,慎一 西. Владелец: Goto Seisakusho KK. Дата публикации: 1999-11-02.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: JP2939220B2. Автор: 貞 圭 李,馨 勳 姜,永 洛 高. Владелец: SANSEI DENSHI KK. Дата публикации: 1999-08-25.

Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP3843654B2. Автор: 匡紀 南尾,修 安達,哲正 丸尾. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Method for manufacturing a power semiconductor device having a latch-up control structure

Номер патента: KR970072465A. Автор: 김태훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR0155903B1. Автор: 박영욱. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-10-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012526A. Автор: 이권재. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

The method for manufacturing light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104518062B. Автор: 崔承奎,金材宪,郑廷桓,郭雨澈,张三硕. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2927066B2. Автор: 茂 横須加. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2800137A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012521A. Автор: 박종호,이상문,안창문. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100624946B1. Автор: 천영일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR0169597B1. Автор: 한진수,김현곤. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-01-15.

Method for Manufacturing Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR101067859B1. Автор: 정용순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-27.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3436159B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW350118B. Автор: Jung-kyu Lee,Seong-Hun Kang,Young-Lark Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-11.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor devices

Номер патента: KR20000003644A. Автор: 이정호,홍기로. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-01-25.

Lateral short-channel dmos, method for manufacturing same and semiconductor device

Номер патента: WO2005029590A1. Автор: Makoto Kitaguchi. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for manufacturing the embeded semiconductor device with pip capacitor and logic transistor

Номер патента: KR100517152B1. Автор: 정진효. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-26.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP2591930B2. Автор: 錫銖 金. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-19.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100474593B1. Автор: 신동석,박동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100305017B1. Автор: 박주온. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100369484B1. Автор: 최양규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-29.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3278533B2. Автор: 伸治 馬場,光恭 松尾. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5207939B2. Автор: 健一 大塚,寛 渡邊,直毅 油谷,吉徳 松野,研一 黒田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-12.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH07101698B2. Автор: 聡 五味. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-01.

The method for manufacturing light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105489715B. Автор: 韩尚宪,李尚准,李东律,金承贤,尹晳胡,金长美. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Transistor, method for manufacturing same, and semiconductor device comprising such transistor

Номер патента: WO2007026781A1. Автор: Shinichi Yamate. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4296633B2. Автор: 剛 遠藤,英一 奥野,邦彦 原,伸治 天野. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP3915337B2. Автор: 匡紀 南尾,修 安達. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012532A. Автор: 홍원철,신중현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100967204B1. Автор: 윤창준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-05.

Method for manufacturing charge-coupled semiconductor device

Номер патента: JP2724702B2. Автор: 一郎 藤井. Владелец: NIPPON TEKISASU INSUTSURUMENTSU KK. Дата публикации: 1998-03-09.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: WO2022113187A1. Автор: 望 原田,賢一 金澤. Владелец: 賢一 金澤. Дата публикации: 2022-06-02.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100382537B1. Автор: 오승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-26.

Method for producing sealed optical semiconductor device

Номер патента: US11139419B2. Автор: Steven Swier,Eiji Kitaura,Masaaki Amako. Владелец: DuPont Toray Specialty Materials KK. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20010001073A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A2. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O. Sungki. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH RESISTANCE SEMICONDUCTOR DEVICES FOR CURRENT STOP LAYERS

Номер патента: FR2736211A1. Автор: Manabu Kato,Seiji Ochi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-03.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for forming organic semiconductor thin film and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4552160B2. Автор: 章裕 野元. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200947779A. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-11-16.

INTERPOSER, METHOD FOR MANUFACTURING INTERPOSER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140376189A1. Автор: SAKAGUCHI Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100414730B1. Автор: 김대영,박재범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100192365B1. Автор: 라관구. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP3604525B2. Автор: 允承 辛,源徹 洪. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-22.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for generating command pulses and semiconductor device configured to perform the method

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Jae Il Kim,Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100548525B1. Автор: 류두열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI263126B. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-01.

METHOD FOR MANUFACTURING WAVEGUIDE-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140342491A1. Автор: YONEDA Yoshihiro,YAGI Hideki,MASUYAMA Ryuji,Konishi Naoko. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for manufacturing contact in semiconductor device

Номер патента: KR100733428B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-29.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3272188B2. Автор: 康樹 原田,典裕 寺田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-08.

Method for manufacturing and testing semiconductor devices on a resin-coated wafer

Номер патента: US7262610B2. Автор: Mikio Ohtaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-28.

Systems, Methods and Computer Program Products for Analyzing Performance of Semiconductor Devices

Номер патента: US20160267205A1. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures

Номер патента: US5952838A. Автор: Victor Tikhonov. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Apparatuses and methods for redundance match control at refresh to disable wordline activation

Номер патента: US20220199141A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US20140253533A1. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

High-frequency tester for semiconductor devices

Номер патента: US20020125878A1. Автор: Mitchell Alsup,Joe Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: WO2001050475A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for producing non-monocrystalline semiconductor device

Номер патента: US5420044A. Автор: Hiraku Kozuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FILM FOR USE IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR PRODUCING THE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052269A1. Автор: . Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods for reducing cell pitch in semiconductor devices

Номер патента: TW200503099A. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for stripping and picking of semiconductor device

Номер патента: TW200426927A. Автор: Wen-Kuo Chiou. Владелец: MOTECH TAIWAN AUTOMATIC CORP. Дата публикации: 2004-12-01.

Manufacturing method for self-aligned insulated gate semiconductor device

Номер патента: TW454351B. Автор: Ke-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-11.

Manufacturing method for shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: TWI246151B. Автор: Wen-Shiang Liao,Wei-Fan Chen,Ming-Luen Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120068312A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Method for manufacturing barrier layer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI543262B. Автор: 董寰乾,黃宏勝. Владелец: 中國鋼鐵股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-21.

Method and apparatus for manufacturing alloyed junction semiconductor devices

Номер патента: CA625724A. Автор: C. Ingraham Robert. Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1961-08-15.

BIPOLAR PUNCH-THROUGH SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120319227A1. Автор: Matthias Sven. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-12-20.

MOS-DRIVEN SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MOS-DRIVEN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130001681A1. Автор: . Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5187118B2. Автор: 一洋 藤川. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: JP4649098B2. Автор: 正徳 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-09.

Etching method and method for manufacturing substrate for semiconductor device

Номер патента: JP4978548B2. Автор: 誠 石川,範之 斉藤,隆伸 香月. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2012-07-18.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP4400035B2. Автор: 克行 鳥居,良治 高橋. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120028452A1. Автор: SUZUKI Kenji. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A STRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120034749A1. Автор: LEE Hyun-Jung,Lim Kwan-Yong,Koh Chung-Geun,Kwon Tae-Ouk,Kim Seok-Hoon,Cha Tae-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120058617A1. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAID CONTACT

Номер патента: US20120223398A1. Автор: Zhong Huicai,Liang Qingqing. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120309148A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: FORCE MOS TECHNOLOGY CO. LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR MANUFACTURING WAFER-BONDED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130029438A1. Автор: Takai Toshiaki,Sakigawa Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

METHOD FOR MANUFACTURING TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130040435A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130045593A1. Автор: OOI Naoki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-21.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130065384A1. Автор: Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Hiyoshi Toru. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130078771A1. Автор: Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Hiyoshi Toru. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130130482A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hatayama Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4719991B2. Автор: 信之 加藤,有一 竹内. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100311034B1. Автор: 박순오. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-05-09.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP2781918B2. Автор: 克吉 光井,昌秀 犬石,隆 黒井. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-07-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980008911A. Автор: 방석철,안승준. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100227621B1. Автор: 방철원. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-01.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3486421B2. Автор: 光敏 宮坂,リトル タマス. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR970077641A. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100306902B1. Автор: 최홍민. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-12-15.

Method for manufacturing BiCMOS type semiconductor device

Номер патента: JP3240823B2. Автор: 郁夫 吉原,真 元吉,康義 猪田,浩一 田平. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-25.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3317346B2. Автор: 克司 寺島. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-26.

Film forming apparatus and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4888219B2. Автор: 陽一郎 樽井,淳 綾. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP2841467B2. Автор: 恭三 関家. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP3531291B2. Автор: 有一 竹内,規仁 戸倉,健 宮嶋,一都 原. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-05-24.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2532490B2. Автор: 裕 居相,年国 宮本,重樹 犬丸. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1996-09-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4267810B2. Автор: 秀明 田中. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-27.

Method for manufacturing electrode of semiconductor device

Номер патента: JPS5567134A. Автор: Nobuo Maeda. Владелец: Akai Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-21.

Method for manufacturing field-effect semiconductor device

Номер патента: JP2913180B2. Автор: 舜平 山崎,久人 篠原. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-28.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP2786199B2. Автор: 服部  正,村本  英俊,誠二 藤野,正美 山岡,伸義 ▲榊▼原. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1998-08-13.

Apparatus and method for manufacturing resin-packaged semiconductor device

Номер патента: JP2000299329A. Автор: Moriji Miyamoto,守二 宮本. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Method for manufacturing reverse blocking semiconductor device

Номер патента: JP5201303B2. Автор: 道生 根本. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5092868B2. Автор: 健一 浜野,隆夫 沢田,博明 岡部. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP3136692B2. Автор: 隆 野口,弘範 塚本. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-02-19.

Method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP3071940B2. Автор: 舜平 山崎,保彦 竹村. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-31.

Method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP2652368B2. Автор: 舜平 山崎. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-10.

Method for manufacturing high-power semiconductor device die

Номер патента: CN102637598A. Автор: 徐爱民,潘洁,高占成. Владелец: RUNAO ELECTRONICS (YANGZHOU) CO Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3937956B2. Автор: 敏 竹中. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3516710B2. Автор: 裕 奥秋,正剛 南部. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4016928B2. Автор: 健一 大塚,陽一郎 樽井,哲也 高見,昌之 今泉,景子 藤平. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-12-05.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3486420B2. Автор: 光敏 宮坂. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5687078B2. Автор: 善夫 藤井,寛 渡邊,義幸 中木,剛史 川上,川上 剛史. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6086360B2. Автор: 憲司 福田,直之 大瀬,民雅 呂,福田 憲司,將昭 宮島. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-01.

Method for manufacturing field-effect semiconductor device

Номер патента: JP2005101424A. Автор: Masafumi Ata,誠文 阿多,Seiji Shiraishi,誠司 白石. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5990444B2. Автор: 鈴木 賢二,賢二 鈴木. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2016-09-14.

Method for manufacturing pad in semiconductor device

Номер патента: KR100572493B1. Автор: 조경수. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6091242B2. Автор: 幸史 大久野. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-08.

Method for manufacturing MIS type semiconductor device

Номер патента: JP3424326B2. Автор: 博之 海本,清之 森田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-07-07.

Method for manufacturing field-effect semiconductor device

Номер патента: JP2782027B2. Автор: 舜平 山崎,宏勇 張. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-30.

Method for manufacturing glass-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2613882B2. Автор: 康彦 落合. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-05-28.

Method for manufacturing ultra-thin semiconductor device

Номер патента: JP2654878B2. Автор: 圭一 辻本,真也 三村. Владелец: MITSUI HAITETSUKU KK. Дата публикации: 1997-09-17.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2616685B2. Автор: 定幸 諸井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-06-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5360011B2. Автор: 谷本  智. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Method for manufacturing field effect semiconductor device

Номер патента: CN1853277A. Автор: 阿多诚文,白石诚司. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP3997886B2. Автор: 佐一郎 金子,星  正勝. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-24.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2672871B2. Автор: 直樹 茂木,慎一 岩崎,滋 成瀬. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-05.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3307021B2. Автор: 敏 竹中. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP2623276B2. Автор: 義彦 小池,青山  隆,義昭 岡島. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-06-25.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3413704B2. Автор: 正文 国井. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-06-09.

Method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: JP2003249505A. Автор: Takuto Yasumatsu,拓人 安松. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-05.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4181743B2. Автор: 光敏 宮坂,秀忠 時岡,哲也 小川,寛明 次六. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-11-19.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP2845955B2. Автор: 浩之 福永. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-13.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2714002B2. Автор: 賢治 宮島. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-16.

Method for manufacturing 3C-SiC semiconductor device

Номер патента: JPH0815143B2. Автор: 昭一郎 松本. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-14.