SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160163545A1
Опубликовано: 09-06-2016
Автор(ы): Horii Taku, Masuda Takeyoshi
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US8216366B2. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Silicon carbide epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190273136A1. Автор: Tomohisa Kato,Satoshi Segawa,Toshiyuki Ohno,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-09-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20130306985A1. Автор: Yoshio Fujii. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Composite substrate, composite substrate preparation method, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20230009774A1. Автор: Bo Gao,Yuxi Wan,Boning Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12071708B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for Manufacturing a Composite Wafer Having a Graphite Core, and Composite Wafer Having a Graphite Core

Номер патента: US20140070232A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hermann Gruber,Wolfgang Lehnert,Guenther Ruhl,Raimund Foerg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-03-13.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20150228482A1. Автор: Naohiko Hirano,Shouichi Yamauchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods for Processing a Silicon Carbide Wafer, and a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190362972A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120126250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140170841A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR BASE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180019307A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,FUKADA Yusuke. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor substrate

Номер патента: US12112985B2. Автор: Chih-Yuan Chuang,Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Wide Band Gap Semiconductor Process, Device, and Method

Номер патента: US20240006242A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Jinho Seo,Tirunelveli Subramaniam Ravi,Hoeseok Lee. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US11887893B2. Автор: Chih-Yuan Chuang,Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor substrate

Номер патента: US20240105512A1. Автор: Chih-Yuan Chuang,Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

High voltage silicon carbide schottky diode flip chip array

Номер патента: WO2019184005A1. Автор: Shu Kin Yau,Sui Wai WONG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027591B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20200219981A1. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for reducing stacking faults in silicon carbide, and structure created by means of said method

Номер патента: EP4415024A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Jun Sasaki,Tadaaki Kaneko,Kohei Toda,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Self Aligned Silicon Carbide Contact Formation Using Protective Layer

Номер патента: US20180076036A1. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Kurt Pekoll,Juergen Steinbrenner,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-15.

Single crystal silicon carbide substrate, method for manufacturing single crystal silicon carbide substrate, and semiconductor laser

Номер патента: JP6491784B1. Автор: 久青木,英昭竹盛,青木　久,徹板垣. Владелец: Hitachi Power Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-27.

Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing n2o

Номер патента: AU2001296952A1. Автор: Mrinal Kanti Das,John W Palmour,Lori Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2002-04-15.

Method of increasing resistivity of silicon carbide wafer and high-frequency device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207386A1. Автор: Mao-Nan Chang,Ta-Ching HSIAO,Kuo-Lun Huang,Pei-Ying Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide (SiC) MOSFET with a silicon oxide layer capable of suppressing deterioration of carrier mobility and variation in threshold voltage

Номер патента: US10186596B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Nobuo Tajima,Tomoaki Kaneko,Takahiro Yamasaki,Takahisa Ohno,Jun Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Manufacture the method, Semiconductor substrate, method, combined semiconductor substrate and the semiconductor combination substrate for manufacturing combined semiconductor substrate of Semiconductor substrate

Номер патента: CN107112205A. Автор: 西林良树,仲前一男,仲前男. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for p-type doping of silicon carbide by al/be co-implantation

Номер патента: EP3602609A1. Автор: Giovanni ALFIERI,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-02-05.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components

Номер патента: US20230334337A1. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for recovering carbon-face-polarized silicon carbide substrate

Номер патента: US20190393090A1. Автор: Wei He,Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, laminated structure, method for manufacturing nitride semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor laminate

Номер патента: US20190198312A1. Автор: Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Hajime Fujikura,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US5498567A. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Hans-Willi Meul,Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-03-12.

Method for fabricating p-type semiconductor substrate, solar cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20130125972A1. Автор: Chia-Gee Wang. Владелец: Gamc Biotech Dev Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Silicon carbide substrate

Номер патента: EP2518757A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Method for creating cavities in silicon carbide and other semiconductor substrates

Номер патента: US11756783B1. Автор: Joel WONG,Florian G. Herrault,Eric Prophet. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Silicon carbide substrate manufacturing method, silicon carbide substrate, and method of removing strain layer introduced into silicon carbide substrate by laser processing

Номер патента: EP4137619A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240302302A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, program for selecting substrate, program for outputting substrate data, nitride semiconductor substrate with program for outputting substrate data, off-angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off-angle coordinate map, program for selecting semiconductor device, method for producing nitride semiconductor substrate, method for producing semiconductor laminate, method for producing semiconductor device, and method for...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for growing a liquid phase epitaxial layer on a semiconductor substrate

Номер патента: US4298410A. Автор: Masaharu Watanabe,Koichiro Nakajima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-11-03.

Method for etching damaged zones on an edge of a semiconductor substrate, and etching system

Номер патента: US5945351A. Автор: Josef Mathuni. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-31.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Substrates and methods of forming film structures to facilitate silicon carbide epitaxy

Номер патента: US20110272707A1. Автор: LI Wang,Sima Dimitrijev,Jisheng Han,Alan Iacopi,Herbert Barry Harrison. Владелец: Qs Semiconductor Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2011-11-10.

Methods for selectively forming a passivation layer on a dielectric surface relative to a metallic surface, methods for utilizing a passivation layer, and related structures including a passivation layer

Номер патента: US20240222135A1. Автор: Charles DEZELAH,Shaoren Deng,Eva E. Tois,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Vincent Vandalon,Anirudhan Chandrasekaran,Viraj Madhiwala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Multilayer substrate, manufacturing method for multilayer substrate, and quality control method for multilayer substrate

Номер патента: US20140011123A1. Автор: Yoshiaki Ikuta,Yuzo OKAMURA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Manufacture of silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: US5272107A. Автор: Akira Suzuki,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

METHOD FOR MANUFACTURING A POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUPPORT SUBSTRATE

Номер патента: FR3127330A1. Автор: Hugo BIARD,Mélanie LAGRANGE. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-03-24.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210111251A1. Автор: Yukihiko Watanabe,Hajime Tsukahara,Kentarou OKUMURA,Hidekazu Odake. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130341646A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425566A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297258A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Silicon carbide semiconductor devices having buried silicon carbide conduction barrier layers therein

Номер патента: US5543637A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1996-08-06.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150318357A1. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9324806B2. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200295140A1. Автор: Hiroshi Kono,Masaru Furukawa,Takuma Suzuki,Shigeto Fukatsu,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: EP4113581A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-04.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220085169A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon Carbide Trench Gate MOSFET and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20230130726A1. Автор: Hongyi Xu,Kuang Sheng,Na Ren,Chongyu JIANG. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-04-27.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150064898A1. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077238A1. Автор: Hiroshi Kono,Yoichi Hori,Atsuko Yamashita,Tomohiro Nitta,Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20180083095A1. Автор: Hiroshi Kono,Teruyuki Ohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299192A1. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device fabricated using channeling implant

Номер патента: US12057316B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Axel Koenig,Caspar Leendertz,Paul Ellinghaus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide trench semiconductor device

Номер патента: US11245016B2. Автор: David Sheridan,Madhur Bobde,Vipindas Pala. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Layered structures comprising silicon carbide layers, a process for their manufacture and their use

Номер патента: EP2277194A1. Автор: Norbert Wagner,Chien Hsueh Steve Shih,Alexander Traut. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-01-26.

Systems and methods for ohmic contacts in silicon carbide devices

Номер патента: CA2829245C. Автор: Reza Ghandi,Zachary Matthew Stum. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor device having regions of different concentraton of lifetime killer impurity provided in a silicon carbide layer

Номер патента: US10680058B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Mitsuhiro Kushibe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Silicon carbide device with trench gate structure

Номер патента: US20220085186A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20180374918A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Mitsuhiro Kushibe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20200258978A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Mitsuhiro Kushibe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for reducing growth defects of silicon carbide epitaxial wafer and silicon carbide substrate

Номер патента: CN112701030B. Автор: 刘杰,赵建辉,梁瑞,黄海林,钱卫宁,冯淦. Владелец: Epiworld International Co ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Soi substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170256616A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Sic structure, semiconductor device having sic structure, and process of forming the same

Номер патента: US20180069081A1. Автор: Masaya Okada,Hiroyuki Nagasawa,Masaki Ueno,Maki Suemitsu,Yasunori Tateno,Fuminori Mitsuhashi,Hirokazu FUKlDOME. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150262887A1. Автор: Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-09-17.

Integrated circuit die having reduced defect group III-nitride layer and methods associated therewith

Номер патента: US09922826B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing electronic device

Номер патента: WO2010103792A1. Автор: 朋幸高田,雅彦秦,貞則山中. Владелец: 住友化学株式会社. Дата публикации: 2010-09-16.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US10403553B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US20180211886A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATE, LAMINATED STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAMINATE

Номер патента: US20190198312A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,FUJIKURA Hajime,Yoshida Takehiro,SHIBATA Masatomo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Method for reducing defect density of silicon carbide epitaxial material

Номер патента: CN112366130B. Автор: 周平,李赟,王翼,赵志飞. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2022-07-29.

Methods for Forming Stacked Layers and Devices Formed Thereof

Номер патента: US20240243011A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for manufacturing a composite structure comprising a thin layer made of monocrystalline sic on a carrier substrate made of sic

Номер патента: US20230197435A1. Автор: Hugo BIARD. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-06-22.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4411788A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09903046B2. Автор: Michael John O'Loughlin,Joseph John Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for obtaining large homogeneous crystals of silicon carbide using distillation and condensation processes

Номер патента: RU2495163C2. Автор: Марк ЛОБОДА,Сеунг-хо ПАРК,Виктор ТОРРЕС. Владелец: Доу Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Composite body comprising silicon carbide and method for producing same

Номер патента: US20240149565A1. Автор: Hideki Takagi,Hitoshi Umezawa,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-05-09.

Process for growing silicon carbide single crystal and device for the same

Номер патента: US20130305982A1. Автор: Young Shol Kim,Sung Wan Hong. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Silicon carbide substrate manufacturing method, silicon carbide substrate, and method of removing strain layer introduced into silicon carbide substrate by laser processing

Номер патента: EP4137619A4. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: EP4214741A2. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: AU2021201807A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-12-02.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: US20210358747A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-11-18.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: CA3113032A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-11-14.

Part including silicon carbide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230068125A1. Автор: Ji-Hoon Lee,Nam-Ju Kim,In-Su Hwang,Bun-Hei Koo,Jong-hwa WEON,Myung-jin KO,Hyeon-jun CHO. Владелец: Knj Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US11984480B2. Автор: Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Taro Enokizono. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Epitaxial silicon carbide single crystal wafer and process for producing the same

Номер патента: US20170365463A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Epitaxial silicon carbide single crystal wafer and process for producing the same

Номер патента: US20200312656A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-10-01.

Silicon carbide structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168697A1. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Silicon-Carbide-on-Insulator via photoelectrochemical etching

Номер патента: US20210398804A1. Автор: Jelena Vuckovic,Daniil M. Lukin. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2021-12-23.

Silicon-carbide-on-insulator via photoelectrochemical etching

Номер патента: US11996285B2. Автор: Jelena Vuckovic,Daniil M. Lukin. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor film and method for manufacturing same

Номер патента: US20230162978A1. Автор: Kohei Sasaki,Quang Tu THIEU. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Etching apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20080248650A1. Автор: Tae-yong Kwon,Kyung Hyun Han,Kyung Chun Lim,Sang Min Jeong,Dong Yong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Method of manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US11948794B2. Автор: Masashi Sakai,Takuma Mizobe,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: US20230326735A1. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20230343588A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Po Jung Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for coating cavities of semiconductor substrates

Номер патента: US20160365241A1. Автор: Andreas Fehkührer. Владелец: EV Group E Thallner GmbH. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a cleaning composition for an adhesive layer

Номер патента: US20180211830A1. Автор: Hyo-Sun Lee,Jung Hun Lim,Hoyoung Kim,Soojin Kim,Tae Soo Kwon,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jinhye Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387219A1. Автор: Hiroshi Inagawa,Tomoo Nakayama,Katsuhiro Uchimura,Futoshi Komatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190148217A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andreas Moser,Matteo Dainese,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for forming interlayer insulating film in semiconductor device

Номер патента: US8048802B2. Автор: Ho-Yeong Choe. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Method for producing and cleaning a silicon carbide product

Номер патента: EP1666645B1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto,Sumio Sano. Владелец: Admap Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

Method for forming a nitridized interface on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010044222A1. Автор: Jonathan Taylor,David Jendresky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

METHOD FOR MANUFACTURING AMORPHOUS HYDROGENIC SILICON CARBIDE FILMS WITH THROUGH PORES AND FILMS THUS OBTAINED

Номер патента: FR2926396B1. Автор: Aziz Zenasni. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-03-19.

METHOD FOR MANUFACTURING AMORPHOUS HYDROGENIC SILICON CARBIDE FILMS WITH THROUGH PORES AND FILMS THUS OBTAINED

Номер патента: FR2926396A1. Автор: Aziz Zenasni. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-07-17.

Array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210343759A1. Автор: Chao Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Silicon carbide components of semiconductor substrate processing apparatuses treated to remove free-carbon

Номер патента: US20080023029A1. Автор: Daxing Ren. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Silicon carbide components of semiconductor substrate processing apparatuses treated to remove free-carbon

Номер патента: WO2005050705A2. Автор: Daxing Ren. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-02.

Silicon carbide components of semiconductor substrate processing apparatuses treated to remove free-carbon

Номер патента: WO2005050705A3. Автор: Daxing Ren. Владелец: Daxing Ren. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282576A1. Автор: Sangjin Kim,Jongsu Kim,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATE, PROGRAM FOR SELECTING SUBSTRATE, PROGRAM FOR OUTPUTTING SUBSTRATE DATA, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PROGRAM FOR OUTPUTTING SUBSTRATE DATA, OFF-ANGLE COORDINATE MAP, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH OFF-ANGLE COORDINATE MAP, PROGRAM FOR SELECTING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,Yoshida Takehiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076948A1. Автор: Masatoshi Sunamoto,Kazunari Nakata,Yoshiaki Terasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Template substrate, method and apparatus for manufacturing template substrate, semiconductor substrate, method and apparatus for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20240145622A1. Автор: Takeshi Kamikawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Photodiode array, method for manufacturing photodiode array, epitaxial wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20120196398A1. Автор: Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for forming a dielectric on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010046787A1. Автор: Helmut Wurzer,Martin Kerber,Thomas Pompl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate

Номер патента: EP3633711A1. Автор: Kenji Shimada,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF SILICON CARBIDE OR ELEMENT III NITRIDE ON A SUITABLE SUBSTRATE

Номер патента: FR2836159A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2003-08-22.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF SILICON CARBIDE OR ELEMENT III NITRIDE ON A SUITABLE SUBSTRATE

Номер патента: FR2836159B1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2004-05-07.

Method for improving semiconductor surfaces

Номер патента: US20100009524A1. Автор: Amlan Majumdar,Dinkar Singh,Judson Robert Holt,Zhibin Ren,Renee Tong Mo,Ashima B. Chakravarti,Woo-Hyeong Lee,Suk Hoon Ku,Jeremy John Kempisty,Ryan Matthew Mitchell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09947715B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for planarizing surface of single crystal silicon carbide substrate, method for manufacturing single crystal silicon carbide substrate, and single crystal silicon carbide substrate

Номер патента: JP5213095B2. Автор: 忠昭金子,滋人西谷. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2013-06-19.

Silicon carbide power mos field effect transistors and manufacturing methods

Номер патента: EP1576672A2. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US20140284615A1. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210043723A1. Автор: Toshiyuki Oshima,Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20170345657A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Nobuo Tajima,Tomoaki Kaneko,Takahiro Yamasaki,Takahisa Ohno,Jun Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of manufacturing semiconductor device with silicon carbide body

Номер патента: US11881512B2. Автор: Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Thomas Aichinger,Ravi Keshav Joshi,Shiqin Niu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for etching deep, high-aspect ratio features into silicon carbide and gallium nitride

Номер патента: US11984321B1. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff,Mehmet Ozgur. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-05-14.

LIFT-OFF OF EPITAXIAL LAYERS FROM SILICON CARBIDE OR COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: US20150021624A1. Автор: MEYER David J.,Downey Brian P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor devices including an etch stop pattern and a sacrificial pattern with coplanar upper surfaces and a gate and a gap fill pattern with coplanar upper surfaces

Номер патента: US09966432B2. Автор: Boun Yoon,Sangjine Park,Jeongnam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing electronic memory devices integrated in a semiconductor substrate including non-volatile memory matrix and associated circuitry

Номер патента: US20060148173A1. Автор: Luca Pividori. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for Simultaneously Forming Features of Different Depths in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20130295773A1. Автор: Habib Hichri,Xi Li,Richard Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for simultaneously forming features of different depths in a semiconductor substrate

Номер патента: US8901005B2. Автор: Habib Hichri,Xi Li,Richard Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film

Номер патента: US11898242B2. Автор: Eric Shero,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Roghayyeh LOTFI,Mustafa Muhammad. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140077226A1. Автор: Yoichiro Tarui,Takeshi Kitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088231A1. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Super-junction silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing super-junction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN112655096A. Автор: 小林勇介,武井学,京极真也,原田信介. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US10763354B2. Автор: Katsuhisa Tanaka,Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11749722B2. Автор: Takuma Suzuki,Kazuhisa Goto,Susumu Obata,Sozo Kanie,Chiharu Ota. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US11424326B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210367040A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US11955543B2. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Bidirectional silicon carbide transient voltage suppression devices

Номер патента: EP2409329A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarah Kay Haney. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20180350975A1. Автор: Shinsuke Harada,Takahito Kojima,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for Producing or Modifying Silicon Carbide-Containing Articles

Номер патента: US20220097256A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber,Rüdiger SCHLEICHER-TAPPESER. Владелец: PSC Technologies GmbH. Дата публикации: 2022-03-31.

Silicon Carbide Power Device with MOS Structure and Stressor

Номер патента: US20220045213A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Lukas Kranz. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-02-10.

METHODS FOR FABRICATING AND ETCHING POROUS SILICON CARBIDE STRUCTURES

Номер патента: US20200006074A1. Автор: Sharifi Fred,Cannara Rachel,Mullen Emma Rae. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Forming method for back ohmic contact of silicon carbide device

Номер патента: CN105448673A. Автор: 刘可安,杨程,周正东,李诚瞻,刘国友,吴佳,史晶晶. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-30.

Semiconductor device including groove in termination region

Номер патента: US12087706B2. Автор: Takaki Ito,Tsuyoshi OSAGA,Kota Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Methods for mechanical self-alignment and slip-resistance in bonding semiconductor substrates, and semiconductor devices comprising mechanical self-alignment structures

Номер патента: US20240258244A1. Автор: Joanna NASSAR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for selection of parameters for implant anneal of patterned semiconductor substrates and specification of a laser system

Номер патента: WO2003014979A9. Автор: Mark Yam,Abhilash J Mayur,William Schaffer,Paul G Carey. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for selection of parameters for implant anneal of patterned semiconductor substrates and specification of a laser system

Номер патента: WO2003014979A3. Автор: Mark Yam,Abhilash J Mayur,William Schaffer,Paul G Carey. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures

Номер патента: WO2018112297A1. Автор: Fred Sharifi,Emma Rae Mullen,Rachel Cannara. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures

Номер патента: US11732377B2. Автор: Fred Sharifi,Emma Rae Mullen,Rachel Cannara. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures

Номер патента: US11124889B2. Автор: Fred Sharifi,Emma Rae Mullen,Rachel Cannara. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2021-09-21.

Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures

Номер патента: EP3555908A1. Автор: Fred Sharifi,Emma Rae Mullen,Rachel Cannara. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2019-10-23.

Method for forming a trench element separation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US7273795B2. Автор: Kazuo Ogawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-09-25.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US20110189893A1. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor substrate cutting method and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: IL216690A. Автор: Naoki Uchiyama,Fumitsugu Fukuyo,Kenshi Fukumitsu,Kazuhiro Atsumi,Ryuji Sugiura. Владелец: Ryuji Sugiura. Дата публикации: 2014-01-30.

A semiconductor substrate processing apparatus and method thereof

Номер патента: EP1787315A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Brian J. Brown. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor substrate bonding tool and methods of operation

Номер патента: US20220293436A1. Автор: Sheng-Yuan Lin,Chun-Yi Chen,I-Shi WANG,Yen-Hao Huang,Yuan-Hsin CHI,Yin-Tun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Metal chalcogenide film and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US20230313365A1. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Taejin Park,Hyoungsub Kim,Hoijoon KIM,Wonsik AHN,Mirine LEEM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US8458901B2. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor substrate bonding tool and methods of operation

Номер патента: US11862482B2. Автор: Sheng-Yuan Lin,Chun-Yi Chen,I-Shi WANG,Yen-Hao Huang,Yuan-Hsin CHI,Yin-Tun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor substrate bonding tool and methods of operation

Номер патента: US20240087915A1. Автор: Sheng-Yuan Lin,Chun-Yi Chen,I-Shi WANG,Yen-Hao Huang,Yuan-Hsin CHI,Yin-Tun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for using composition comprising carboxylic acid ester, lithography composition comprising carboxylic acid ester, and method for manufacturing resist pattern

Номер патента: US20230314937A1. Автор: Masahiko Kubo. Владелец: Merck Electronics Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for using composition comprising carboxylic acid ester, lithography composition comprising carboxylic acid ester, and method for manufacturing resist pattern

Номер патента: EP4189486A1. Автор: Masahiko Kubo. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-06-07.

A method for the heat treatment of a ZnSe crystal substrate, heat treated substrate and light emission device

Номер патента: EP1156140B1. Автор: Yasuo c/oOsaka Works of Sumitomo Namikawa,Shinsuke c/o Itami Works of Sumitomo Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-02-26.

Method for the heat treatment of a ZnSe crystal substrate, heat treated substrate and light emission device

Номер патента: US6340535B2. Автор: Yasuo Namikawa,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-22.

Method for the heat treatment of a ZnSe crystal substrate, heat treated substrate and light emission device

Номер патента: US20010046609A1. Автор: Yasuo Namikawa,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Mould half and mould method for encapsulating electronic components mounted on a carrier including a dual support surface and a method for using such

Номер патента: NL2021845B1. Автор: Gerardus Jozef Gal Wilhelmus,Franciscus Gerardus Van Driel Albertus. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2020-05-13.

A method for generating electrical conducting or semiconducting structures in two or three dimensions, a method for erasing the same structures and an electric field generator/modulator for use with the method for generating

Номер патента: CA2319430C. Автор: Per-Erik Nordal,Geirr I. Leistad,Hans Gude Gudesen. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-05-11.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923090B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230335632A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing an integrated power device on a semiconductor substrate and corresponding device

Номер патента: US20120220090A1. Автор: Leonardo Fragapane,Angelo Magri,Stefania Fortuna,Antonino Sebastiano Alessandria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-08-30.

Silicon carbide semiconductor device and process for manufacturing same

Номер патента: US6133587A. Автор: Toshio Murata,Takeshi Miyajima,Norihito Tokura,Yuichi Takeuchi,Takamasa Suzuki,Shoichi Onda,Hiroo Fuma. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9397155B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Masaki Furumai,Mitsuhiko Sakai,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240072119A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12091774B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10658466B2. Автор: Masao Uchida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125575A1. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190245043A1. Автор: Masao Uchida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Silicon carbide power device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240079454A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon carbide semiconductor power transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230326972A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11764276B2. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060124971A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20040164298A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240072120A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device, inverter circuit, drive, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220045175A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190214462A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Akio Yamano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072143A1. Автор: Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Strain enhanced SiC power semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US12113131B2. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for preparing an aluminum doped silicon carbide crystal by providing a compound including aluminum and oxygen in a capsule comprised of a first and second material

Номер патента: US12006591B2. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Gary E. Ruland,Varatharajan Rengarajan. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for manufacturing highly pure silicon, highly pure silicon obtained by this method, and silicon raw material for manufacturing highly pure silicon

Номер патента: US10167199B2. Автор: Jiro Kondo,Shinji Tokumaru,Yutaka Kishida,Masataka Hiyoshi,Shigeru Nakazawa,Hitoshi Dohnomae,Kozo Onoue. Владелец: Silicio Ferrosolar SL. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor substrate, semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966333B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Li-Chuan Tsai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Optical element wafer and method for manufacturing the same, burn-in apparatus for optical element wafer, and burn-in method for optical element wafer

Номер патента: US20050201763A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Light emitting device, display device, electronic instrument, and method and apparatus for manufacturing light emitting device

Номер патента: EP4376105A1. Автор: Yuichiro Hayashi,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: WO2009060425A3. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: ON TRACK INNOVATIONS LTD.. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for forming a passivating electrical contact on a crystalline semiconductor substrate and device comprising such contact

Номер патента: US11164981B2. Автор: Jef Poortmans,Jinyoun Cho,Maria Jesus Recaman Payo,Maarten Debucquoy. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2021-11-02.

Method for manufacturing highly pure silicon, highly pure silicon obtained by this method, and silicon raw material for manufacturing highly pure silicon

Номер патента: US20150028268A1. Автор: Jiro Kondo,Shinji Tokumaru,Yutaka Kishida,Shigeru Nakazawa,Hitoshi Dohnomae,Kozo Onoue,Masataka HIiyoshi. Владелец: Silicio Ferrosolar SL. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for manufacturing working electrode for biosensor including metal nanoparticles, electrode manufactured thereby, and method for measuring concentration of biomarkers in sample using manufactured electrode

Номер патента: US20230296552A1. Автор: Seong Eun Kim. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for encapsulating a microelectronic device, comprising a step of thinning the substrate and/or the encapsulation cover

Номер патента: US20210047177A1. Автор: Raphael Salot,Messaoud Bedjaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-02-18.

Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP2257999A2. Автор: Hideo Tamura,Reiji Ono,Kuniaki Konno,Tetsuro Komatsu,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: WO2009118985A4. Автор: Hideo Tamura,Reiji Ono,Kuniaki Konno,Tetsuro Komatsu,Hiroaki Oshio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2010-07-01.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US20100200661A1. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2010-08-12.

Inductors Embedded in Package Substrate and Board and Method and System for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230395305A1. Автор: Michael Su,Bryan Black,Michael Alfano,Siddharth Ravichandran. Владелец: Chipletz Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for determining the position of the completely isolated regime of a spin qubit and method for manipulating at least one spin qubit

Номер патента: US20220199889A1. Автор: Benoit Bertrand,Tristan Meunier,Pierre-André MORTEMOUSQUE,Baptiste JADOT,Matias URDAMPILLETA. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-06-23.

Photosensitive assembly, imaging module, smart terminal, and method and mould for manufacturing photosensitive assembly

Номер патента: US11843009B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Zhewen Mei. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for forming a pre-connection layer on a surface of a connection partner and method for monitoring a connection process

Номер патента: US11749568B2. Автор: Sebastian Nordhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming nano size turf on transparent polymer films used in solar cells, and method for enhancing transmittance of transparent polymer films of solar cells

Номер патента: US20110061734A1. Автор: Wan Doo Kim,Yong Soo Jeong,Jong Joo Rha,Koo Hyun Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2011-03-17.

Method for the electrical passivaton of electrode arrays and/or conductive paths in general, and a method for producing stretchable electrode arrays and/or stretchable conductive paths in general

Номер патента: EP3142550A1. Автор: Stephanie P. Lacour,Iva Rusev MINEV. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2017-03-22.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7622362B2. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080113490A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Method and Apparatus for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20130220224A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7875512B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090186472A1. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor Device and Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080087957A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4456130A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110248346A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120423A1. Автор: Tetsuya Okada,Kikuo Okada,Remi Hagiwara. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Contact formation in semiconductor devices

Номер патента: US20180277483A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi,Jiseok Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device having trench filled with polysilicon

Номер патента: US20010046762A1. Автор: Hiroyasu Ito,Masatoshi Kato,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09905555B2. Автор: Tatsuya Naito,Masahito Otsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20210159115A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Marko David Swoboda,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12051591B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Toru AJIKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240371642A1. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Toru AJIKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for forming semiconductor substrate with convex shaped active region

Номер патента: US20030157759A1. Автор: Yin-Pin Wang,Hsin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US20150372015A1. Автор: Pan Li,Yong Qiao,Wenbo Li,Hongfei Cheng,Jianbo Xian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20100087044A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma,Junichi Koezuka,Takeshi Shichi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Method for manufacturing a semiconductor component that inhibits formation of wormholes

Номер патента: US7217660B1. Автор: Minh Van Ngo,Paul R. Besser,Connie Pin-Chin Wang,Jinsong Yin,Hieu T. Pham. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014793A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107691B2. Автор: Hideya Yamadera,Toru Ikeda,Tomohiko Mori,Narumasa Soejima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Comprising Etching a Semiconductor Material

Номер патента: US20180277391A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230127197A1. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Method and system for etch depth control in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20240242969A1. Автор: Wayne Chen,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Device Including an LDMOS Transistor and a Resurf Structure

Номер патента: US20180269279A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Matthias Zigldrum,Christian Eckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076650A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130320438A1. Автор: Shin Gyu Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US10008584B2. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

METHOD FOR RECOVERING CARBON-FACE-POLARIZED SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20190393090A1. Автор: HE Wei,Ni Xianfeng,Fan Qian. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductor Co.,Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor Device with a Guard Structure and Corresponding Methods of Manufacture

Номер патента: US20180197982A1. Автор: Adrian Finney,Dietmar Kotz,Thomas Ostermann,Radu Eugen Cazimirovici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Method of surface modification of silicon carbide crystals

Номер патента: RU2745736C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-03-31.

Method of making a hybride substrate having a thin silicon carbide membrane layer

Номер патента: US6699770B2. Автор: John Tarje Torvik. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130056810A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device and surface protective tape

Номер патента: US8444799B2. Автор: Kazuo Teshirogi,Kazuhiro Yoshimoto,Yuzo Shimobeppu,Masaya Tazawa,Mika Sakamoto,Hironori Fukaya,Kazuyuki Uragou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing an integrated memory circuit and an integrated memory circuit

Номер патента: US20030072196A1. Автор: Stefan Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Apparatus and method for modulating azimuthal uniformity in electroplating

Номер патента: US09988733B2. Автор: Steven T. Mayer,Robert Rash,Lee Peng Chua,Aaron Berke,Gabriel Hay Graham. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234490A1. Автор: Shaofeng Ding,Yun Ki CHOI,Jeong Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device formed in semiconductor layer arranged on substrate with one of insulating film and cavity interposed between the substrate and the semiconductor layer

Номер патента: US20030122191A1. Автор: Takashi Yamada,Shinichi Nitta,Ichiro Mizushima,Hajime Nagano,Yuso Udo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Etching composition for semiconductor substrate for memory element and method for manufacturing semiconductor substrate for memory element using same

Номер патента: US20240287385A1. Автор: Toshiyuki Oie,Po-Hung Wang,Tomoyuki Adaniya,Chih-Liang Yang. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing metal structure having different heights

Номер патента: US20050136636A1. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Hoon Song,Chan-bong Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor substrate, manufacturing method for semiconductor substrate, and electronic device having semiconductor substrate

Номер патента: US20240120259A1. Автор: Koichi Takeuchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425538A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929069B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Tien-Chung Yang,Lin-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatuses and methods for implementing a sliding thermal interface between substrates with varying coefficients of thermal expansion

Номер патента: US20210134700A1. Автор: Jean-Philippe Fricker. Владелец: Cerebras Systems Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor die including fuse structure and methods for forming the same

Номер патента: US12107078B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244657A1. Автор: Tadashi Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for manufacturing semiconductor device and surface protective tape

Номер патента: US20110048615A1. Автор: Kazuo Teshirogi,Kazuhiro Yoshimoto,Yuzo Shimobeppu,Masaya Tazawa,Mika Sakamoto,Hironori Fukaya,Kazuyuki Uragou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Methods and systems for manufacturing thin-film solar cells

Номер патента: WO2010057060A3. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20190109125A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20200350302A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20220278090A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for forming n and p wells in a semiconductor substrate using a single masking step

Номер патента: US6207538B1. Автор: Chin-Hsiung Ho,Chu-Wei Hu,Chung-Te Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device having carbon nanotube interconnects contact deposited with different orientation and method for manufacturing the same

Номер патента: US8410609B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-02.

Method for manufacturing sigma-shaped groove

Номер патента: US20240055263A1. Автор: LIAN Lu,Kai QIAN,Yizheng Zhu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for temporarily bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: WO2021055032A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120193798A1. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: US20210090891A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for temporarily bonding a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: EP4032121A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Self aligned method for differential oxidation rate at shallow trench isolation edge

Номер патента: US6225188B1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-05-01.

Method for patterning aluminum nitride and silicon carbide composite structure and composite structure

Номер патента: CN111029256A. Автор: 阮勇,尤政,张高飞,周元楷. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-17.

Semiconductor device including buried conductive fingers and method of making the same

Номер патента: US12027461B2. Автор: Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20200294925A1. Автор: Takafumi Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INSULATED INSULATED LAYER IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, BY ION IMPLANTATION

Номер патента: FR2563377A1. Автор: Michel Bruel,Jean Du Port De Poncharra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-10-25.

Method for producing a vanadium-doped silicon carbide volume monocrystal, and vanadium-doped silicon carbide substrate

Номер патента: US9732438B2. Автор: Ralf Mueller,Michael Vogel,Matthias Stockmeier. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing of conducting circuit on substrate, conducting circuit on substrate and device for manufacturing of flexible conducting circuit

Номер патента: RU2138930C1. Автор: А.Робертс Джозеф. Владелец: Рисерч Организейшн Фор Серкьют Ноледж Лимитед Партнершип. Дата публикации: 1999-09-27.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240204317A1. Автор: Xing Li,HU XU,Haizu Jin,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Zinc oxide based sputtering target, method for manufacturing zinc oxide based sputtering target, zinc oxide based transparent electrically conductive film, method for manufacturing zinc oxide based transparent electrically conductive film, and electronic apparatus

Номер патента: US20100123103A1. Автор: Takahiro Nagata,Toshitaka Kawashima,Shina Kirita,Yuichi Kamori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Case of battery, battery, power consumption device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: CA3227987A1. Автор: Yao Li,Xiaobo Chen,Jinru YUE,Piaopiao YANG,Mingguang GU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for manufacturing solid polymer electrolyte/electrode composites, battery produced using the method and method for producing the same

Номер патента: US20010010252A1. Автор: Motoyuki Hirata,Junji Yotsuyanagi,Toshikazu Moriguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Battery protective structure, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240339709A1. Автор: Qingpeng Ke. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Powdered starting material for a nickel-based alloy for manufacturing a porous anode of a fuel cell, method producing such a material, method for manufacturing an anode for fuel cells, the anode obtained and also a fuel cell which contains such an anode

Номер патента: CA2036549C. Автор: Christianus Antonius Maria Van Beijnen,Sytze Bernhard Van Der Molen. Владелец: Energieonderzoek Centrum Nederland ECN. Дата публикации: 1998-09-29.

Method and device for manufacturing of sealed panel and method and device for manufacturing of plasma display panel

Номер патента: RU2435246C2. Автор: Эйити ИИДЗИМА,Мунето ХАКОМОРИ,Тосихару КУРАУТИ,Таканобу ЯНО,Юити ОРИИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2011-11-27.

Stepped battery and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US09882233B2. Автор: Young Hoon Kim,Ki Woong Kim,Dong Myung Kim,Sung Jin Kwon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing base material powder having carbon nano-coating layer, method for manufacturing MgB2 superconductor using the method, MgB2 superconductor, method for manufacturing positive electrode material for lithium ion battery, lithium ion battery, and method for manufacturing photocatalyst

Номер патента: US10431823B2. Автор: Akira Hasegawa,Yoshimi Kubo,Akihiro Nomura,Hiroaki Kumakura,Eiki Yasukawa,Shujun YE. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2019-10-01.

METHOD FOR MANUFACTURING BASE MATERIAL POWDER HAVING CARBON NANO-COATING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING MgB2 SUPERCONDUCTOR USING THE METHOD, MgB2 SUPERCONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, LITHIUM ION BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOCATALYST

Номер патента: US20170263932A1. Автор: Akira Hasegawa,Yoshimi Kubo,Akihiro Nomura,Hiroaki Kumakura,Eiki Yasukawa,Shujun YE. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-09-14.

Battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230387559A1. Автор: Aifang Huang,Qifeng Chen. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4407758A1. Автор: Xing Li,HU XU,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4418445A1. Автор: PENG Wang,Long Chen,Haizu Jin,Yulian ZHENG,Shoujun HUANG,Xinxiang CHEN,Denghua LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Precursor structure of perpendicular magnetization film, perpendicular magnetization film structure and method for manufacturing same, perpendicular magnetization-type tunnel magnetoresistance junction film using those and method for manufacturing same, and perpendicular magnetization-type tunnel magnetoresistance junction element using those

Номер патента: EP3683851A1. Автор: Seiji Mitani,Hiroaki Sukegawa,Thomas SCHEIKE. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2020-07-22.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230411761A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Energy storage container and method and device for manufacturing energy storage container

Номер патента: US20240204330A1. Автор: Hao Luo,Zengzhong Wang,Haoran PENG,Haibin SU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: EP4372864A1. Автор: PENG Wang,Xiaoteng Huang,Zhanyu SUN,Haiqi Yang,Langchao Hu,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Case body assembly, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing case body assembly

Номер патента: EP4239772A1. Автор: Yangzhi HUANG,Qifeng Chen,Xiping LIAO. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

System and method of measuring for manufacture and deployment of distribution cable assemblies

Номер патента: EP4252057A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Battery cell, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4398406A1. Автор: ZHEN Li,MENG Li,Zhixin LUO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240304965A1. Автор: PENG Wang,Long Chen,Haizu Jin,Yulian ZHENG,Shoujun HUANG,Xinxiang CHEN,Denghua LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Battery protection structure, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: EP4435944A1. Автор: Qingpeng Ke. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Battery cell, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240322407A1. Автор: Jun Xiao,Caiying SUN,Song DUAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Negative electrode pole piece, electrode assembly, battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing negative electrode pole piece

Номер патента: EP4447169A1. Автор: Yujie Chen,Xiaoming Ge,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Enclosure frame, battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing enclosure frame

Номер патента: EP4447208A1. Автор: Pengfei Lv,Guangyue Zhong,Ruilian NIE,Zhaoyu SHANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery

Номер патента: US20240363960A1. Автор: Yao Li,Mingguang GU,Pengcheng YAO,Bingfeng LI,Zequan LU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Battery module, battery pack, apparatus, and method and device for manufacturing battery module

Номер патента: US12132217B2. Автор: Wei Li,Chengdu Liang,Qian Liu,Haizu Jin,Yonghuang YE,Quanguo LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Enclosure frame, battery, electric device, and method and device for manufacturing enclosure frame

Номер патента: US20240372205A1. Автор: Pengfei Lv,Guangyue Zhong,Ruilian NIE,Zhaoyu SHANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Battery module and method and equipment for manufacturing the same, battery pack, and apparatus

Номер патента: US12062812B2. Автор: Wei Li,Chengdu Liang,Xia Hu,Qian Liu,Yonghuang YE,Quanguo LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Perovskite compound, method for producing the perovskite compound, catalyst for fuel cell including the perovskite compound and method for producing the catalyst

Номер патента: US20200283307A1. Автор: Jin Young Kim,So Young Lee,Hee-Young Park,Jae Young Jung,Hyun Seo Park,Hyoung-Juhn Kim,Sehyun Lee,Pil Kim,Jong Hyun Jang,Sung Jong Yoo,Yeonsun Sohn. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2020-09-10.

Electromagnetic insulation wire, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20050006131A1. Автор: Takanori Yamazaki,Matahiro Komuro,Naofumi Chiwata,Masato Miyataki. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Aqueous composition, method for roughening stainless steel surface in which same is used, roughened stainless steel, and method for manufacturing same

Номер патента: US11926904B2. Автор: Hiroshi Matsunaga,Satoshi Tamai,Kazuhiko Ikeda,Tomoko Fujii. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Unit Cell and Method and Apparatus for Manufacturing A Unit Cell

Номер патента: US20230402640A1. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Unit cell, and method and device for manufacturing same

Номер патента: EP4270568A2. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Battery cell and method and equipment for manufacturing same, battery, and electrical device

Номер патента: US20230361439A1. Автор: Chao Liu,Ying Li,Qingkui Chi. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Base station antenna, sealing member, and method and device for manufacturing the sealing member

Номер патента: US11557832B2. Автор: Peng Xiao,Hong Ye,JIN Xu,Lei Ju,Qingyun Chen,Junfeng Yu,Yingin Shao. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-17.

Base station antenna, sealing member, and method and device for manufacturing the sealing member

Номер патента: US20200313290A1. Автор: Peng Xiao,Hong Ye,JIN Xu,Lei Ju,Qingyun Chen,Junfeng Yu,Yingin Shao. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Discharge lamp with a base and method and fixture for manufacturing the same

Номер патента: EP1439569A3. Автор: István Mudra,Pal Garamvolgyi,Szabolcs Bella. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-08-29.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4152491A1. Автор: Huasheng Su,Quankun Li,Chengyou Xing,Kun FANG,Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Battery cell, battery, electrical apparatus, and method and system for manufacturing battery cell

Номер патента: US20230327243A1. Автор: Xiaomei Liu,Yichen Wu,Limei YANG,Qineng Zhong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4300702A1. Автор: Rui Yang,Kun FANG,Yuqian WEN,Wenqi ZHU. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4300673A1. Автор: Guodong DU,Yiming Li,Yanpeng LI,Yizhen Wu,Jianxiong YANG,Yongtao ZUO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230420798A1. Автор: PENG Wang,Xiaoteng Huang,Zhanyu SUN,Xiaozhi Wu,Haiqi Yang,Langchao Hu,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230411756A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20220376360A1. Автор: Tingting ZHU,Liwen Jiang,Rulai Cai,Fuping Luo,Wumei FANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Battery cell, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240055705A1. Автор: PENG Wang,Lulu BAI,Quankun Li,Wenlin Zhou,Shengwang CHEN,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230369698A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

System and method of measuring for manufacture and deployment of distribution cable assemblies

Номер патента: US20230282391A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Battery box, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230361408A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Battery cell, and method and device for manufacturing battery cell, battery, and power consuming device

Номер патента: EP4354642A1. Автор: HU XU,Haizu Jin,Siying HUANG,Wenqi ZHU,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230335845A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Battery cell, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240055693A1. Автор: Xing Li,Quankun Li,Wenlin Zhou,Liangfan XU,Wenwei Chen. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230344059A1. Автор: Yongguang Wang,Yangzhi HUANG,Jinfeng Li,Cunrui Liu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240154281A1. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery cell and method and system for manufacturing same, and battery and electric device

Номер патента: EP4358277A1. Автор: Yuqian WEN,Wenqi ZHU,Zhenfei Yang. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Battery cell, battery, power consumption apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4354649A1. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4369510A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Battery casing, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4266462A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Battery cell and method and apparatus for manufacturing same, battery, and electrical device

Номер патента: EP4333193A1. Автор: HU XU,Haizu Jin,Fenggang Zhao,Siying HUANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Adapter component, battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4181307A1. Автор: WEI ZHONG,Qiang Liu,Xiaowen Zhang,Xigen Zhou,Haihe XIAO,Mingxiang LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Battery, power consuming device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230344033A1. Автор: Yao Li,Xiaobo Chen,Xianda Li,Piaopiao YANG,Mingguang GU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Electrode assembly, battery cell, battery, and method and device for manufacturing electrode assembly

Номер патента: EP4053960A1. Автор: Xing Li,HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Yuqun Zeng,Xinxin DU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Case of battery, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230369714A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240178531A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US12002992B2. Автор: Tingting ZHU,Liwen Jiang,Rulai Cai,Fuping Luo,Wumei FANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4096009A1. Автор: HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Yuqun Zeng. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4258457A1. Автор: Junrong Li. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4391166A1. Автор: Lulu BAI,Quankun Li,Ting Zheng,Wenlin Zhou,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4354601A1. Автор: Yang Zou,Qingkui Chi,Zhisheng CHAI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for the Electrochemical Deposition of Catalyst Particles Onto Carbon Fibre-Containing Substrates and Apparatus Therefor

Номер патента: US20100273085A1. Автор: Rolf Hempelmann,Marco Lopez,Harald Natter,Vivien Keller. Владелец: SolviCore GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-10-28.

Wound Electrode Assembly for an Electrochemical Cell, and Methods and Devices for Manufacture of same

Номер патента: US20170279156A1. Автор: Mark KOTIK,Eugene Levin,Paul Frick,Mehul BOTADRA. Владелец: Robert Bosch Battery Systems LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Wound Electrode Assembly for an Electrochemical Cell, and Methods and Devices for Manufacture of Same

Номер патента: US20190131661A1. Автор: Mark KOTIK,Eugene Levin,Paul Frick,Mehul BOTADRA. Владелец: Robert Bosch Battery Systems LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210036149A1. Автор: Katsuhisa Tanaka,Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Silicon carbide substrate, its manufacture method and the method for manufacturing manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107002280A. Автор: 冲田恭子,本家翼. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160056273A1. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991349B2. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837525B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20180269294A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230207635A1. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tatsuji Nagaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190348545A1. Автор: Po-An Chen,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332173A1. Автор: Tomoyuki Obata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US9496290B2. Автор: Pan Li,Yong Qiao,Wenbo Li,Hongfei Cheng,Jianbo Xian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020119630A1. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046671B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US9978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated schottky diode in high voltage semiconductor device

Номер патента: US20180212022A1. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Lingpeng Guan,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-07-26.

Integrated schottky diode in high voltage semiconductor device

Номер патента: US20170213887A1. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Lingpeng Guan,TingGang Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240006519A1. Автор: Takuya Yamada,Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Yoshihiro Ikura,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20180301550A1. Автор: Yosuke Sakurai,Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Process for forming differential spaces in electronics device integrated on a semiconductor substrate

Номер патента: US20100047980A1. Автор: Giulio Albini,Giorgio Servalli,Carlo Cremonesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-02-25.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US6387738B2. Автор: Hye-dong Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343861A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108362A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Schottky structure in GaAs semiconductor device

Номер патента: US20040016984A1. Автор: YI Chang,Cheng-Shih Lee. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125907B2. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh,Tae Moon Roh,Seong Hyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-10-22.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US11710801B2. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-25.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Wafer base for silicon carbide semiconductor devices, incorporating alloy substrates

Номер патента: US5043773A. Автор: Walter Precht,Richard Koba,Donald Kupp,Delwyn Cummings. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-08-27.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US20220052218A1. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729A2. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-08-11.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: CA2962602C. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Molded article and method for producing same

Номер патента: US20230303461A1. Автор: Hiroaki Ota,Daisuke Goto. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Molded article and method for producing same

Номер патента: US12084390B2. Автор: Hiroaki Ota,Daisuke Goto. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160155877A1. Автор: Kwangsun Ji,Yujin Lee,Jin-Won Chung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-06-02.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Black silicon carbide ceramic based thermoelectric photodetector, optical power meter and optical energy meter

Номер патента: US20220412806A1. Автор: Delong LI. Владелец: Shandong Xinyuan Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for evaluating internal stress of silicon carbide monocrystalline wafer and method for predicting warpage in silicon carbide monocrystalline wafer

Номер патента: EP3048641A4. Автор: Kiyoshi Kojima,Masashi Nakabayashi,Kota Shimomura,Yukio Nagahata. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729B1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-23.

Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures

Номер патента: US5631190A. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures

Номер патента: AU3761295A. Автор: Gerald H Negley. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1996-05-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8293563B2. Автор: Susumu Hiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140027874A1. Автор: Toshihiko Hayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Silicon carbide structure and method of producing the same

Номер патента: US20130292704A1. Автор: Norihide Imagawa. Владелец: Tis and Partners Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Method and device for preferential etching of dislocation of silicon carbide wafer

Номер патента: US11784038B2. Автор: Jiajun Li,Rong Wang,Deren Yang,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Blue light emitting diode formed in silicon carbide

Номер патента: US5027168A. Автор: John A. Edmond. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1991-06-25.

Blue light emitting diode formed in silicon carbide

Номер патента: US4918497A. Автор: John A. Edmond. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1990-04-17.

Solid-state imaging device, method for manufacturing cover glass, and electronic apparatus

Номер патента: US20240230958A9. Автор: Katsunori Takahashi,Shoichi Hirooka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Emitter and method for manufacturing the same

Номер патента: US9887355B2. Автор: Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide electrical insulator material of low dielectric constant

Номер патента: US4544642A. Автор: Kunihiro Maeda,Tadahiko Miyoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-10-01.

Molded article and method for producing same

Номер патента: EP4299208A1. Автор: Hiroaki Ota,Daisuke Goto. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20190165673A1. Автор: Masayuki Otsuka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Multilayer wiring structure for semiconductor device

Номер патента: US20010045656A1. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140205803A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

Image sensor and method for fabricating same

Номер патента: US20240038812A1. Автор: CHENG Hu,Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing a semiconductor structure using isolation layers for etching the trenches in a substrate

Номер патента: US12063769B2. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230055202A1. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090166778A1. Автор: Sung-ho Jun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for preparing an aluminum doped silicon carbide crystal by providing a compound including aluminum and oxygen in a capsule comprised of a first and second material

Номер патента: US20240287705A1. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Gary E. Ruland,Varatharajan Rengarajan. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Array substrate, display device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20200335575A1. Автор: Xue Dong,Ke Wang,Fei Wang,Guangcai Yuan,Huijuan Wang,Zhijun LV,Zhiwei Liang,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Array substrate, display panel, display device and method for manufacturing array substrate

Номер патента: US20230359082A1. Автор: Haoxuan ZHENG,Wenliang Song. Владелец: Changsha HKC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

In situ film grouwth sensor assembly, apparatus, and methods

Номер патента: EP4341641A1. Автор: TAO Sheng,Ala Moradian,Xinning Luan,Zhepeng Cong,Enle CHOO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

In situ film growth sensor assembly, apparatus, and methods

Номер патента: WO2022245716A8. Автор: TAO Sheng,Ala Moradian,Xinning Luan,Zhepeng Cong,Enle CHOO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, a semiconductor module, and methods of forming the semiconductor die and the semiconductor die stack

Номер патента: US20240332241A1. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for evaluating defect region of semiconductor substrate

Номер патента: US09958493B2. Автор: Takashi Aratani. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Solid image-pickup device and method for manufacturing the solid image pickup device

Номер патента: US20060091486A1. Автор: Yukinobu Wataya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for manufacturing light-emission type organic nanoparticles, light-emission type organic nanoparticles manufactured thereby, composition for color conversion film, color conversion film, display device, and light-emitting diode device

Номер патента: US20240191131A1. Автор: Jang Hyuk Kwon,Young Hun Jung,Soon Jae Hwang,Bright James WALKER. Владелец: Nd Materials Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming semiconductor device having carbon nanotube

Номер патента: US20220190252A1. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for manufacturing solar cell, and solar cell manufactured thereby

Номер патента: US20240324252A1. Автор: Kwang Ho Jung. Владелец: Hanwha Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Solid-state imaging device, method for manufacturing cover glass, and electronic apparatus

Номер патента: US20240134089A1. Автор: Katsunori Takahashi,Shoichi Hirooka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Emitter and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160308084A1. Автор: Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-20.

Electrically conducting track and method of manufacture thereof

Номер патента: US20070241429A1. Автор: Matthew Francis O'Keefe,Ron Arnold,John Stephen Atherton,Nigel Cameron. Владелец: Filtronic Compound Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170294400A1. Автор: Kaoru Yasuda,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150270305A1. Автор: Toshihiko Hayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20230343750A1. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Tohoku Microtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing device comprising charge transport layer

Номер патента: US20230354685A1. Автор: Min Hee Kim,Hyun Suk Jung,Gill Sang HAN. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2023-11-02.

Image sensor and method of operating the same

Номер патента: US20220360731A1. Автор: Hana Choi,Youngsun OH,Munhwan KIM,Jongyoon Shin,Honghyun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108388A1. Автор: Mari Otsuka,Hideaki Harakawa,Hiroyuki Kamijiyo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Composition and method of producing material which absorbs electromagnetic radiation

Номер патента: RU2707656C1. Автор: Ольга Викторовна Казьмина,Валерия Игоревна Семенова,Валентин Иванович Сусляев,Кирилл Валерьевич Дорожкин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-11-28.

Homogeneous silicon carbide material, electrode plate, and battery

Номер патента: US20240145678A1. Автор: HUI Wang,Chunyang Liu,Suli LI,Jiachen Xue. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase-shifted distributed feedback type semiconductor laser diode capable of improving wavelength chirping and external reflection return light characteristics and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030132451A1. Автор: Yidong Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Silicon carbide electrolyte retaining matrix for fuel cells

Номер патента: CA1058697A. Автор: Richard D. Breault. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

METHOD FOR PRODUCING A VANADIUM-DOPED SILICON CARBIDE VOLUME MONOCRYSTAL, AND VANADIUM-DOPED SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20160068994A1. Автор: Mueller Ralf,Vogel Michael,STOCKMEIER MATTHIAS. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor Structures Having A Micro-Battery and Methods for Making the Same

Номер патента: US20210384544A1. Автор: Yi Hsun CHIU,Ching-Hou SU,Chyi-Tsong Ni,I-Shi WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Image display apparatus and a method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060226762A1. Автор: Yoshie Kodera,Toshio Sasamoto,Noriyuki Oroku. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Sheet of anisotropic electrotechnical steel and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2766228C1. Автор: Суити НАКАМУРА,Такаси КАТАОКА,Йосиюки УСИГАМИ,Сунсуке ОКУМУРА,Хироясу ФУДЗИИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for manufacture of composite high-voltage insulator, high-voltage insulator, as well as plastic for use in such insulator and method for manufacture of non-cylindrical structural member

Номер патента: RU2256252C2. Автор: Антон ВЕРМЕЛИНГЕР. Владелец: Вермелингер Аг. Дата публикации: 2005-07-10.

Process for manufacturing fine particle silicon carbide

Номер патента: CH444832A. Автор: Wallace Evans Arthur,George Wynne Reginald,Waldemar Maryowski Chester. Владелец: British Titan Products. Дата публикации: 1967-10-15.

Method for Manfuacturing Electrode Plate for Secondary Battery, and Electrode Plate for Secondary Battery

Номер патента: US20230378418A1. Автор: Sun Kyu KIM,Sang Hoon Choy. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing electrode plate for secondary battery, and electrode plate for secondary battery

Номер патента: EP4099423A1. Автор: Sun Kyu KIM,Sang Hoon Choy. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Dopant solution for conductive polymer, monomer liquid for producing conductive polymer, conductive composition and method for producing same, and electrolytic capacitor and method for producing same

Номер патента: US20240254317A1. Автор: Megumi Seki,Yuhei Tsurumoto. Владелец: Tayca Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

A method for treating a sintered, refractory, silicon carbide body such as an electrical and thermal conductor and a sintered body according to the method or the like

Номер патента: FR1404984A. Автор: . Владелец: Siemens Plania Werke AG. Дата публикации: 1965-07-02.

Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material

Номер патента: US8568650B2. Автор: Tsuneji Kameda,Yoshiyasu Itoh,Shoko Suyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Method for manufacturing non-volatile memory cells on a semiconductor substrate

Номер патента: US20040203250A1. Автор: Livio Baldi,Cesare Clementi,Alessia Pavan. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming a recess array device structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US8178440B1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chang Ming Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-15.

Composition for manufacturing light-emitting device, light-emitting device manufactured by the same, and method of manufacturing the light-emitting device

Номер патента: US12069877B2. Автор: Jaekook HA,SeHun KIM,Heunggyu KIM,Taeheon Kang,Hyeran MUN,Juyon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for encoding sequence of integers, storage device and signal carrying encoded integer sequence and method for decoding sequence of integers

Номер патента: RU2510573C2. Автор: Цюй Цин ЧЭНЬ,Чжи Бо ЧЭНЬ,Цзюнь ТЕН. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for determining displacement of power hs-pdsch in asynchronous cdma movile communications system and appropriate method for transferring required information

Номер патента: RU2253947C2. Автор: Дзу-Хо ЛИ,Йонг-Дзун КВАК,Сунг-Хо ЧОЙ. Владелец: Самсунг Электроникс Ко.,Лтд. Дата публикации: 2005-06-10.

Device and method for sending information on channel quality in return communication line, and planning device and method of wireless communication system, which use them

Номер патента: RU2372719C1. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Киеонг-Ин ДЗЕОНГ,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хее КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-11-10.

Method for the compressed transmission of data packet header fields in a packet-oriented data stream, method for compressing data packet header fields in a packet-oriented data stream, method for decompressing data packet header fields in a packet-oriented data stream, compression/decompression system, compression apparatus and decompression apparatus

Номер патента: US20090086762A1. Автор: Martin Kugler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

MoSi2 ARC-SHAPED HEATER, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE HEATER

Номер патента: EP1383355B1. Автор: Hiroshi TAKAMURA,Daisuke TAKAGAKI. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Method for determining a deviation on a displacement path of an optical zoom lens and method for correction and image recording device

Номер патента: US20220350107A1. Автор: Thomas Milde,Peter Schacht,Daniel Harangozo,Daniel Stegmann. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for determining a deviation on a displacement path of an optical zoom lens and method for correction and image recording device

Номер патента: US11774706B2. Автор: Thomas Milde,Peter Schacht,Daniel Harangozo,Daniel Stegmann. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for determining a deviation on a displacement path of an optical zoom lens and method for correction and image recording device

Номер патента: US20190346659A1. Автор: Thomas Milde,Peter Schacht,Daniel Harangozo,Daniel Stegmann. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2019-11-14.

Apparatus and method for determining adaptive filter tap to encode wavelet transform coefficient, wavelet transform apparatus and method using the same, and recording medium for the same

Номер патента: US20110182355A1. Автор: Hayoon Kim,Yungho Choi,Yoonsik Choe,Yonggoo Kim,Sungjei Kim. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Apparatus and method for determining adaptive filter tap to encode wavelet transform coefficient, wavelet transform apparatus and method using the same, and recording medium for the same

Номер патента: US8654836B2. Автор: Hayoon Kim,Yungho Choi,Yoonsik Choe,Yonggoo Kim,Sungjei Kim. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Method for a relaying system for improving an awareness of the relaying system by user equipment, method for user equipment, apparatus, vehicle and computer program

Номер патента: US20230217348A1. Автор: Andreas Pfadler,Luca MONTERO BAYO. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for creating a communication channel between a location application and an saas application, and method and system for communicating between the applications

Номер патента: US20230216841A1. Автор: Christophe Guionneau. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2023-07-06.

Circuit Substrate, and Noise Reduction Method for Circuit Substrate

Номер патента: US20170127510A1. Автор: Akihiro Kawata. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for controlling system fault in register of source positions of code-division multiple-access system, method for compensation of mismatch between current states of faults of system, which has register of source positions of code-division multiple- access systems and states of fault charts, and method for detection of faults

Номер патента: RU2156994C2. Автор: Ким Джонг-Хоон,Хванг Йеонг-Гил. Владелец: Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Дата публикации: 2000-09-27.

Apparatus and method for equalizing illumination of light sources for digital image test member, and apparatus and method for testing color of digital image using the same

Номер патента: US20080137945A1. Автор: Sung Kwan Kang,Pil Sang Yoon,Yoon Mo CHOWNG. Владелец: Emerging Memory and Logic Solution Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for securely manipulating a password hash, a client-server system involving the same, and methods for securing a user-provided password in a client for recovery only by an authentication server

Номер патента: WO2024079340A1. Автор: Francisco Blas IZQUIERDO RIERA,Jose Ernesto SUAREZ FONT,Pierre-Louis François Christian RAUST. Владелец: Garmer Technologies OÜ. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus and method for equalizing illumination of light sources for digital image test member, and apparatus and method for testing color of digital image using the same

Номер патента: US7522280B2. Автор: Sung Kwan Kang,Pil Sang Yoon,Yoon Mo CHOWNG. Владелец: Emerging Memory and Logic Solution Inc. Дата публикации: 2009-04-21.

Black silicon carbide ceramic based thermoelectric photodetector, optical power meter and optical energy meter

Номер патента: EP4113079A1. Автор: Delong LI. Владелец: Shandong Xinyuan Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Silicon carbide shapes resistance heater elements

Номер патента: CA1058673A. Автор: Frank J. Hierholzer (Jr.),John A. Ancona,Gerald L. Shelton. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1979-07-17.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Method for manufacturing an electric power device, electric power device and use of an electric power device

Номер патента: RU2760843C1. Автор: Франческо АГОСТИНИ,Пьер ЭЛЬСЕР,Лукаш МАТЫСЯК,Роберт СЕКУЛЯ. Владелец: Абб Пауэр Гридс Свитцерланд Аг. Дата публикации: 2021-11-30.

Method for manufacturing graphene thermoelectric device and graphene thermoelectric device manufactured thereby

Номер патента: US20240099136A1. Автор: Byoung Hun Lee,Hyeon Jun HWANG. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing multilayer thin-film fpcb and heater

Номер патента: EP4425250A1. Автор: Hyun Seok Kim,Seung Hwan KO,Joon Hwa CHOI,Kwon Kyu KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-04.

Fiber-reinforced silicon carbide composite materials, method for producing the fiber-reinforced silicon carbide composite materials, and uses of the fiber-reinforced silicon carbide composite materials

Номер патента: US09975814B2. Автор: Andreas Kienzle,Tanja Damjanovic,Ingrid Kraetschmer. Владелец: SGL CARBON SE. Дата публикации: 2018-05-22.

Apparatus for manufacturing reaction bonded silicon carbide

Номер патента: US6126749A. Автор: Sang-Whan Park,Huesup Song,Sang-Dong Kim,Jo-Woong Ha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for producing high-density sintered silicon carbide articles

Номер патента: US4788018A. Автор: Koichi Yamada,Masahide Mouri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-29.

Method for producing non-core beta silicon carbide fibers

Номер патента: US11959192B2. Автор: Alexey Vladimirovich Glebov,Vladislav Konstantinovich Orlov,Leonid Aleksandrovich KARPYUK,Sergey Igorevich IVANOV,Fyodor Viktorovich MAKAROV,Roman Gennadyevich ZAKHAROV,Ivan Alexandrovich DZYUBINSKY,Alexander Pavlovich PONOMARENKO,Dmitry Vladimirovich ZHIGALOV,Alexander Pavlovich KOROLEV,Artem Andreevich VOROBYOV. Владелец: Bochvar High Tech Res Inst For Inorg Materials. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for producing non-core beta silicon carbide fibers

Номер патента: US20230026460A1. Автор: Alexey Vladimirovich Glebov,Vladislav Konstantinovich Orlov,Leonid Aleksandrovich KARPYUK,Sergey Igorevich IVANOV,Fyodor Viktorovich MAKAROV,Roman Gennadyevich ZAKHAROV,Ivan Alexandrovich DZYUBINSKY,Alexander Pavlovich PONOMARENKO,Dmitry Vladimirovich ZHIGALOV,Alexander Pavlovich KOROLEV,Artem Andreevich VOROBYOV. Владелец: Bochvar High Technology Research Institute For Inorganic Materials. Дата публикации: 2023-01-26.

Silicon carbide-silicon composite having improved oxidation resistance and method of making

Номер патента: US5962103A. Автор: Hongyu Wang,Krishan Lal Luthra. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-10-05.

A method for the removal of an imaging layer from a semiconductor substrate stack

Номер патента: WO2004027518A3. Автор: John Biafore,Tim S Andreyka,Karin Schlicht,Mario Reybrouck. Владелец: Arch Spec Chem Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for manufacturing glass block or glass blanks for hdd glass substrate, and method for manufacturing hdd glass substrate

Номер патента: MY167258A. Автор: Hiroshi Kajita. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Alumina - zirconia ceramics reinforced with silicon carbide whiskers having a protective coating thereon and methods of making the same

Номер патента: CA1331879C. Автор: Thomas E. Hale,Choll K. Jun,Edward L. Exner. Владелец: Carboloy Inc. Дата публикации: 1994-09-06.

Sleeper pad and method for its manufacture, construction of railway sleeper with sleeper pad fixed in it and method for connecting sleeper pad with railway sleeper

Номер патента: RU2756929C1. Автор: Андрей Александрович Смирнов,Александр Владимирович Замуховский,Александр Владимирович Шутько,Никита Александрович Терентьев,Марина Дмитриевна Лимонова. Владелец: Камарян Хачатур Оганесович. Дата публикации: 2021-10-07.

Plant for manufacturing articles made of stone, stone-like or ceramic agglomerate material and method for adjusting and controlling the process for manufacturing such articles

Номер патента: WO2024161243A1. Автор: Dario Toncelli. Владелец: Dario Toncelli. Дата публикации: 2024-08-08.

Laminated plastic substrate, and a production method for the same

Номер патента: US09884469B2. Автор: Dong-Ryul Kim,Gi-Cheul Kim,Ho-Jun Lee,Sang-uk Ryu,Jang-Yeon Hwang,Seung-Lac Ma. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Curing mold for manufacturing a turbomachine component made of composite material from a preform and method for manufacturing a component by means of such a mold

Номер патента: US12030267B2. Автор: Jérôme Olhagaray,Thierry Patrick Chauvin,Kris Hoes,Michel WLASOW WLASOWSKI. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-07-09.

Nanocellulose composite sheet for use as dermatological treatment or medical device and methods and devices for manufacture thereof

Номер патента: WO2021096742A1. Автор: Raghuram Dhumpa,Ali DARKAZALLI. Владелец: Innovatech Engineering, LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Transparent composite material and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20150190992A1. Автор: JongWon Lee,Kyungho JUNG,Eunseck Kang,Deokhai Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-07-09.

Edge bending jig for mesh-type electrode substrate, edge bending method for mesh-type electrode substrate, hanging jig for mesh-type electrode substrate and hanging method for mesh-type electrode substrate

Номер патента: WO2012144651A2. Автор: Akira Kunimatsu,Hideto Shimizu,Akio Tamai,Katsumi Hamaguchi. Владелец: PERMELEC ELECTRODE LTD.. Дата публикации: 2012-10-26.

Method and apparatus for electrolytic surface roughening treatment of aluminium and method and apparatus for manufacturing planographic printing plate precursor

Номер патента: EP2551385A3. Автор: Hiroshi Komatsu,Hisashi Hotta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Curing mold for manufacturing a turbomachine component made of composite material from a preform and method for producing a component by means of such a mold

Номер патента: US12109740B2. Автор: Jérôme Olhagaray,Thierry Patrick Chauvin,Kris Hoes,Michel WLASOW WLASOWSKI. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-10-08.

Carbon nanostructure, and method and apparatus for manufacturing carbon nanostructure

Номер патента: US20160002041A1. Автор: Takeshi Hikata,Soichiro Okubo,Jun-Ichi Fujita,Risa Utsunomiya,Yugo Higashi,Katsuhisa Murakami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Spray diffusers and method and mold for manufacture of same

Номер патента: US20020180100A1. Автор: Juergen Speier,Rudolf Notz. Владелец: Lechler GmbH. Дата публикации: 2002-12-05.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: US09943995B1. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Unit for manufacturing of compressed iron from recycled materials, containing fine-grained directly reduced iron, and facility for manufacturing of molten cast iron, in which this facility is used

Номер патента: RU2354721C2. Автор: До-Сеунг КИМ,Иль-Хьюн ЧО,Мьюнг-Чан СИН,Джунг-Лэй ПАРК,Мьюнг-Хо ЧО. Владелец: Поско. Дата публикации: 2009-05-10.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Valvular closure element, closure cap comprising valvular closure element and method and apparatus for manufacturing valvular closure element

Номер патента: RU2660059C2. Автор: Михай РИДЕГ. Владелец: ФАЗЕКАШ, Габор. Дата публикации: 2018-07-04.

Individual dental implant and method and system for manufacturing individual dental implant

Номер патента: RU2768469C1. Автор: Джереми Э. ДЖО. Владелец: Дентсплай Сирона Инк.. Дата публикации: 2022-03-24.

Apparatus for manufacturing molten pig iron and reduced iron by utilizing fluidized bed, and method therefor

Номер патента: CA2281595A1. Автор: Hang Goo Kim,Jun Hyuk Lee,Myoung Kyun Shin,Sang Deuk Lee,Sang Hoon Joo,Heung Won Kang,Min Young Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-07-01.

Method for manufacturing composite for continuous sheet used in absorbent articles, manufacturing apparatus, and method for manufacturing absorbent article

Номер патента: EP2612632A1. Автор: Osamu Ishikawa,Miwa IIDA. Владелец: Unicharm Corp. Дата публикации: 2013-07-10.

Method for manufacturing a bagged preform of a component made of composite material and method for manufacturing said component

Номер патента: US20210308963A1. Автор: Bertrand DUTHILLE,Maxime Percevault. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2021-10-07.

Laminated glass, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: SG167651A1. Автор: Hyung Gyu Jang,Hwang Doo Ha. Владелец: P & H Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-28.

Plastic and Wood Fiber Based Composite Product and Method and Apparatus for Manufacturing Said Plastic and Wood Fiber Based Composite Product

Номер патента: US20230241828A1. Автор: Dirk Van Dijk,Wilhelmus Johannes Maria DERKSEN,Albert TEN BUSSCHEN. Владелец: Aviplast Wfc BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Formwork for manufacturing a concrete structure, formwork system for forming such a formwork and method for manufacturing a concrete structure

Номер патента: EP3368724A1. Автор: Johan Fierlafijn,Georges LIEBEN. Владелец: DESIGN BY REDUCTION BVBA. Дата публикации: 2018-09-05.

Formwork for manufacturing a concrete structure, formwork system for forming such a formwork and method for manufacturing a concrete structure

Номер патента: WO2017072703A1. Автор: Johan Fierlafijn,Georges LIEBEN. Владелец: DESIGN BY REDUCTION BVBA. Дата публикации: 2017-05-04.

Rolling-element bearing, and method and apparatus for manufacturing rolling-element bearing

Номер патента: US20120275740A1. Автор: Kazuyuki Hirata. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Packing and/or transport unit for insulation slabs of mineral wool and method and device for manufacturing such

Номер патента: EP2289807A3. Автор: Erik ÅSTRAND,Bjarne Walli. Владелец: Paroc Oy Ab. Дата публикации: 2013-10-09.

A cover and method and device for manufacturing the same

Номер патента: WO1995006566A1. Автор: Urpo Latvakangas,Jan Sabelstrom. Владелец: BINDOMATIC AB. Дата публикации: 1995-03-09.

Rfid tag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20090066517A1. Автор: Kenneth R. Erikson. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976A1. Автор: Waltherus Joseph Maria Van Erven. Владелец: Zodiac Europe S.A.. Дата публикации: 1995-08-17.

Decorative food and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA2274347C. Автор: Tokuji Akutagawa. Владелец: Akutagawa Confectionery Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Base material for manufacturing sensor for analyzing detection object, sensor for analyzing detection object, and method for analyzing detection object

Номер патента: US20230375537A1. Автор: Toshifumi Takeuchi,Hirobumi SUNAYAMA,Eri Takano. Владелец: Kobe University NUC. Дата публикации: 2023-11-23.

Capture method for candidate substances that can bind with conjugate of mr1 protein and ?2-microglobulin protein, method for manufacturing candidate substance that can bind with conjugate of mr1 protein and ?2-microglobulin protein, and method for manufacturing mait cell ligand candidate substance

Номер патента: EP4056704A1. Автор: Sho Yamasaki,Chihiro Motozono. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2022-09-14.

Method for determining setting conditions for production facility, method for determining setting value for rolling mill, device for determining setting value for rolling mill, method for production of products and method for producing roll material

Номер патента: RU2768986C1. Автор: Тацуя Ямадзаки. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-03-28.

Method for making a paper stencil for obtaining relief images on concrete products (options) and a method for obtaining relief images on concrete products

Номер патента: RU2747135C1. Автор: Петр Владимирович Соболь. Владелец: Петр Владимирович Соболь. Дата публикации: 2021-04-28.

Container provided with metallic cover and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5584634A. Автор: Hideto Akiba,Sadao Kuramochi,Mitsuo Okabe,Junichi Hashikawa,Kimiaki Hyakutome. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1996-12-17.

Rod for a smoking article and method and apparatus for manufacture

Номер патента: US9380809B2. Автор: Edward Awty,William David Lewis,Paulo Oliveira,Andy Davis. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Magnetic tape cassette accommodating case and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US5323904A. Автор: Kiyoo Morita,Teruo Ashikawa,Shingo Katagiri. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-28.

Tobacco smoke filter contoured to provide undiluted air flow and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA1190114A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1985-07-09.

Medical grade nanofibrillar cellulose hydrogel, a method for treating a subject in need of treatment of body with implantable material and a method for manufacturing the medical grade nanofibrillar cellulose hydrogel

Номер патента: US20240091399A1. Автор: Lauri Paasonen,Kari Luukko,Tony KIURU,Johana Kuncova-Kallio,Henri Siltanen,Mika V. Kosonen. Владелец: UPM Kymmene Oy. Дата публикации: 2024-03-21.

Abradable material feedstock and methods and apparatus for manufacture

Номер патента: EP3685938A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190143404A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20180029120A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Extruded and Co-extruded High-Altitude Balloons and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190039709A1. Автор: Austyn Daniel Crites. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Porous flexible sheet and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20140308481A1. Автор: Satoshi Mitsui. Владелец: Casio Electronics Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Method and apparatus for electrolytic surface roughening treatment and method and apparatus for manufacturing planographic printing plate precursor

Номер патента: US20130026047A1. Автор: Hiroshi Komatsu,Hisashi Hotta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Compound - diagnostic marker for ovarian cancer, method for detecting enzymatic activity, method for diagnosis of ovarian cancer, kit comprising the compound, uses of the compound and method for the treatment of ovarian cancer

Номер патента: WO2024072241A4. Автор: Adam LESNER,Natalia Gruba. Владелец: Urteste S.A.. Дата публикации: 2024-06-06.

Compound - diagnostic marker for intestinal cancer, method for detecting enzymatic activity, method for diagnosis of intestinal cancer, kit comprising the compound, uses of the compound and method for the treatment of intestinal cancer

Номер патента: AU2023241522A1. Автор: Adam LESNER,Natalia Gruba. Владелец: Urteste S A. Дата публикации: 2024-08-15.

Coat made from synthetic film and method and device for manufacture of such coat

Номер патента: RU2244599C2. Автор: Клаус ВИЛЬБУЕР,Хельмут ХОРСТЕМКЕ,Манфред ГУГАУ,Торстен ТРОССМАНН. Владелец: Металлферэдлунг Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2005-01-20.

Methods for preparing erythromycin fumarate derivative crystalline forms a, c and d, crystalline forms and methods for preparing intermediate compounds

Номер патента: RU2266295C2. Автор: Ютака МИУРА,Ясусиге КАВАСАКИ,Казухиро ОИСИ,Ютака МИУРА (JP),Ясусиге КАВАСАКИ (JP),Казухиро ОИСИ (JP). Владелец: Чугаи Сейяку Кабусики Кайся. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for assay of microorganism with reduced adaptation to specific environment, dna (variants), virulence gene, polypeptide, method for assay of compound, antisense nucleic acid, method for host treatment and pharmaceutical composition

Номер патента: RU2241758C2. Автор: Дэвид Уильям ХОЛДЕН,Жаклин Элизабет ШИА,Михаэль ХЕНЗЕЛЬ,Дэвид Уиль м ХОЛДЕН. Владелец: Империал Колледж Инновейшенс Лимитед, Майкросайенс Лимитед. Дата публикации: 2004-12-10.

Pre-assembled, two-part merchandise display hook and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA1303006C. Автор: Thomas O. Nagel. Владелец: Trion Industries Inc. Дата публикации: 1992-06-09.

Methods for modulation of function of serine/threonine-protein kinase with 5-azaquinoxaline-base compounds, method for identification of compounds modulating function of serine/threonine-protein kinase, method for prophylaxis or treatment of body pathological state, 5-azaquinoxaline-base pharmaceutical composition and method for its synthesis

Номер патента: RU2223753C2. Автор: Экхард ГЮНТЕР,Бернгард Кучер,Джеральд МАКМЭЙХОН,Гаральд ЭПП. Владелец: Центарис АГ. Дата публикации: 2004-02-20.

Method for production of 4-benzyl-1-phenethyl-piperazin-2,6-dione, intermediate compound and method for its production

Номер патента: RU2631323C2. Автор: Фули ЧЖАН,Чжэчжоу ЯН,Жушэн БАО,Вэйвэй СЮЙ,Пэнчэн ЦЮ,Линьюн ЦЗИНЬ,Ху ПАН,Линьюй ПАН,Дунмин ЦЗЯН. Владелец: Чжэцзян Хисунь Фармасьютикал Ко., Лтд. Дата публикации: 2017-09-21.

METHODS FOR IDENTIFICATION, SELECTION, ENRICHMENT AND DEPLETION OF Tr1 CELLS POPULATIONS, Tr1 CELLS POPULATIONS, PHARMACEUTICAL COMPOSITIONS, METHODS FOR THERAPY EFFECT MONITORING

Номер патента: RU2627445C2. Автор: Фусса Арно,Брюн Валери,Белмонт Натали,Бастиан Эрве,Каттаннен Брижит. Владелец: ТИкс-СЕЛЛ. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and device for manufacturing a mould, and method and device for manufacturing a product using the mould

Номер патента: EP1871581A1. Автор: Bernardus L.L. Hijlkema. Владелец: Hijlkema Bernardus LL. Дата публикации: 2008-01-02.

Method for creating cell mathematical model, cell mathematical model creation program, cell mathematical model creation apparatus, method for determining cell mathematical model, cell mathematical model determination program, and cell mathematical model determination apparatus

Номер патента: US20240233859A9. Автор: Masaya Nagase,Takahiro Terao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

A computer-implemented method for determining printing parameter values of an inkjet printing device, a data processing system, a method for inkjet printing and an inkjet printing device and data sets

Номер патента: EP4334123A1. Автор: Christian Wolff,Florian LAUNAY,Harshvardhan YADWAD. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-03-13.

Computer-implemented method for determining printing parameter values of an inkjet printing device, a data processing system, a method for inkjet printing and an inkjet printing device

Номер патента: US20240208206A1. Автор: Christian Wolff,Florian LAUNAY,Harshvardhan YADWAD. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-06-27.

Computer-implemented method for providing a standardized position for anatomic structural data of a patient scan, computer-implemented method for performing standardized measurement on anatomic structural data of a patient scan, data processing system and computer-readable medium

Номер патента: EP4028997A1. Автор: Max Thalmeier,Khoi Lam. Владелец: Mecuris GmbH. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for managing windows and display window manager for a virtual workstation in an immersive environment, method for managing an immersive environment and immersive reality system

Номер патента: US20240201836A1. Автор: Delphine Guegan,Sébastien CHEVALLIER,Christine Kuster,Maxime JOUIN. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for determining a data filter for detecting particles of a sample and systems and methods for using same

Номер патента: WO2024173053A1. Автор: Keegan Owsley,Wenyu BAI. Владелец: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Дата публикации: 2024-08-22.

Production method for water-soluble extract of spent mushroom bed used for mushroom cultivation , biofilm inhibitor, production method for biofilm inhibitor, and biofilm inhibition method

Номер патента: EP4420669A1. Автор: Koji Kashimura,Shuji Noda;. Владелец: ENVIRONMENT ENERGY CO Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Anionic substance-adsorbing agent, method for producing anionic substance-adsorbing agent, apparatus for producing anionic substance-adsorbing agent, and method for recovering anionic substances

Номер патента: US20200086295A1. Автор: HIROSHI Miyazaki,Akira Fujino. Владелец: Jfr Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Bill collection system, method for collecting bills and recording medium wherein a program for making a computer execute the method for collecting bills is recorded

Номер патента: US20030212633A1. Автор: Tohru Senda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Method for evaluating cystine uptake ability of cell, kit for evaluating cystine uptake ability of cell, method for determining selenocysteine, and kit for determining selenocysteine

Номер патента: US20230407098A1. Автор: Takashi Shimomura,Norio Hirakawa,Munetaka Ishiyama,Yuya OHUCHI. Владелец: Dojindo Laboratory and Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Computer-implemented method for determining printing parameter values of an inkjet printing device, a data processing system, a method for inkjet printing and an inkjet printing device

Номер патента: US20240336063A1. Автор: Christian Wolff,Florian LAUNAY,Harshvardhan YADWAD. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for obtaining established embryonic germ cell line in poultry, line of chicken embryonic germ cells, method for obtaining somatic or sexual chimeras, method for transfection of foreign gene in embryonic germ cells

Номер патента: RU2215029C2. Автор: Дзае Йонг ХАН,Тае Суб ПАРК. Владелец: Дзае Йонг ХАН. Дата публикации: 2003-10-27.

Gasket for heat exchanger and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP1110016B1. Автор: Steven M. Suggs,Reid M. Meyer. Владелец: Acadia Elastomers Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: CA3001220C. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Method for using composition comprising organic acid compound, lithography composition comprising organic acid compound, and method for manufacturing resist pattern

Номер патента: EP4348352A1. Автор: Tomohide Katayama,Tomotsugu YANO. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for producing composition for forming non-photosensitive upper layer film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230221644A1. Автор: Kei Yamamoto,Naohiro Tango. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for producing actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230213861A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Takumi Tanaka,Fumihiro Yoshino,Yuma Kurumisawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for producing actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern formation method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230028463A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Takumi Tanaka,Kohei Higashi,Fumihiro Yoshino,Yuma Kurumisawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Paper cigarette filter and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: EP4327670A1. Автор: Sung Hyun Cho,Sung Jae Cho,Ki Sik Lee,Jong Guk Yoon,In Kyu Jung,Hyun Chan Jeong. Владелец: Taeyoung Industry Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Method for producing active light sensitive or radiation sensitive resin composition, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: EP3992179A1. Автор: Kei Yamamoto,Kazuhiro Marumo,Naohiro Tango,Keiyu OU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Method for processing fracture surface of ductile metal component, device for processing fracture surface, and method for manufacturing ductile metal component

Номер патента: US20200262020A1. Автор: Hiroichi Hase,Jungo MATSUI,Shimpei KIKUYAMA. Владелец: Yasunaga Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for filling liquid-discharge-head cartridge with liquid, and method and apparatus for manufacturing liquid-discharge-head cartridge

Номер патента: US8485650B2. Автор: Yoshinori Misumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

Method for filling liquid-discharge-head cartridge with liquid, and method and apparatus for manufacturing liquid-discharge-head cartridge

Номер патента: US20100149290A1. Автор: Yoshinori Misumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Elastic steel band for sun cap or hat and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060143786A1. Автор: Soon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for determining the polyester fraction of a multi-component powder during a thermal spraying process, method for coating or touching up an object by means of a thermal spraying process and thermal spraying device

Номер патента: US20100166944A1. Автор: Andreas Jakimov,Manuel Hertter,Andreas Kaehny. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for preventing or treating obesity by using a composition including hoga1-inhibiting substance and method of screening a preventive or therapeutic agent for obesity by using the composition

Номер патента: US20190136243A1. Автор: Chu Won Nho,Myung Suk Kim,Chang Ho JHIN,Yoon Shin CHO,Yeongseon AHN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hallym University. Дата публикации: 2019-05-09.

Coated paper product and method and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: EP1831463A1. Автор: Markku Leskelä,Stina Nygard,Juha Koponen. Владелец: M Real Oyj. Дата публикации: 2007-09-12.

Method for preparing nano-titanate, nano-titanic acid and nano-tio2 containing embedded nanoparticles and method for preparing metal nanoparticles

Номер патента: US20240228315A9. Автор: Yanjun Li,Yuanyun ZHAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for controlling rate of lowering molecular weight of polysaccharides contained in cellulosic biomass, and method for producing sugar, alcohol, or organic acid

Номер патента: US20110053230A1. Автор: Haruo Takahashi,Hisashi Miyafuji,Kazuhide Tabata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for preparing organic/inorganic hybrid high thermally conductive and insulating two-component adhesive and method for using the same

Номер патента: US20240352290A1. Автор: Xiaohui Li,Tianyu Zhang,Ge Gao,Jiaqi ZHU,Yingqi LIU,Wenxin Cao,Yuwei Zhao,Zhuochao Wang,Kunlong Zhao. Владелец: Hit Zhengzhou Research Institute. Дата публикации: 2024-10-24.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US09896206B2. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1327483C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1994-03-08.

Reinforcing woven fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5783278A. Автор: Akira Nishimura,Kiyoshi Homma,Ikuo Horibe. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1998-07-21.

Wet waste compostable bag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA2408989C. Автор: George P. Colgan. Владелец: Bag to Earth Inc. Дата публикации: 2009-11-17.

Hermetically sealed package, and method and machine for manufacturing it

Номер патента: CA2259904A1. Автор: Luca Cerani. Владелец: Luca Cerani. Дата публикации: 1998-01-15.

A composite brake disc and method and apparatus for manufacture of the same

Номер патента: CA2926866C. Автор: Daniel Dériaz. Владелец: Ernst Grob AG. Дата публикации: 2021-10-19.

Cigarette package, wrapping paper for cigarette package, and method and machine for manufacturing wrapping paper

Номер патента: CA2586653C. Автор: Hitoshi Tanbo,Kanji Yukifune,Kinya Onimaru. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Cushioning material for packaging and method and device for manufacturing the cushioning material

Номер патента: CA2377847C. Автор: Yoshihito Miyazaki,Toshiyuki Hashiuchi. Владелец: PTM Packaging Tools Machinery Pte Ltd. Дата публикации: 2008-06-10.

Light guide plate, and method and mold for manufacturing the same

Номер патента: US20140104884A1. Автор: Kun Lu,Kai Yan,Zhanchang Bu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Gait-related devices and methods including articles for manufacture of sensors

Номер патента: WO2021035113A1. Автор: Timothy Hess,Stacy J. Morris Bamberg,Joseph A. Juratovac,David E. Huizenga,James Wesley CAPPER. Владелец: Moterum Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

Elastic and non-elastic narrow fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US3685549A. Автор: Antonio Schiappa,Richard E Goff. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-08-22.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: WO2021149076A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Limited. Дата публикации: 2021-07-29.

Floor board, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20200392742A1. Автор: Xiao FANG,Fuyou WANG. Владелец: Nantong Cimc Eco New Material Development Co ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: ZA202209336B. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: AU2021210697A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: GB2607775A. Автор: Jami Tarun. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

A method for mounting a roll of protective mesh material to an underground rock drilling machine, a method for attaching protective mesh material to a rock surface and a mounting device

Номер патента: EP3924593A1. Автор: Shane Brown,Roland Bucher. Владелец: GEOBRUGG AG. Дата публикации: 2021-12-22.

A method for mounting a roll of protective mesh material to an underground rock drilling machine, a method for attaching protective mesh material to a rock surface and a mounting device

Номер патента: CA3128440A1. Автор: Shane Brown,Roland Bucher. Владелец: Bucher Roland. Дата публикации: 2020-08-20.

Apparatus and method for analyzing correlation between geophysical data and seismic data, geophysical data monitoring apparatus and method, and earthquake monitoring method

Номер патента: US20040093161A1. Автор: Hiroyuki Inubushi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Compositions and Methods for the Efficient and Reproducible Generation of Clone Animals of All Developmental Stages and Methods of Use Thereof

Номер патента: US20100212032A1. Автор: Hans R. Scholer,Kenneth John McLaughlin,Michele Boiani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-19.

Compositions and methods for the efficient and reproducible generation of clone animals of all developmental stages and methods of use thereof

Номер патента: US20050005318A1. Автор: Hans Scholer,Michele Boiani,Kenneth McLaughlin. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2005-01-06.

Solution for metal article treatment, method for production of corrosion-resistant chromium(iii)-based coating on metal substrate and article containing coated metal substrate (variants)

Номер патента: RU2248409C1. Автор: Промила БХАТИА. Владелец: Юнайтид Текнолоджиз Копэрейшн. Дата публикации: 2005-03-20.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2809033C. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2867122C. Автор: Jeffrey J. Potter,Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20180178913A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Supply Packs and Methods and Systems for Manufacturing Supply Packs

Номер патента: US20160257402A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20140319280A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SkyLife Tech Holdings LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20190047708A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for defect review measurement on a substrate, apparatus for imaging a substrate, and method of operating thereof

Номер патента: WO2024036552A1. Автор: Yong Gao,Bernhard G. Mueller,Peter Nunan,Nikolai KNAUB,Lingjia LI. Владелец: Lingjia LI. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for making a black self-healing part having a precious metal substrate, and part thus obtained

Номер патента: US20240018677A1. Автор: Stephane Marcotte,Michel STUCKY,Miguel AGUADO. Владелец: Hermes Sellier SAS. Дата публикации: 2024-01-18.

METHOD FOR CULTIVATING BETA-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL, AND BETA-Ga2O3-SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20160115621A1. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for reducing structural damage to the surface of monocrystalline aluminium-nitride substrates, and monocrystalline aluminium-nitride substrates that can be produced by a method of this type

Номер патента: US20220372653A1. Автор: Stephan Müller,Elke Meissner,Boris Epelbaum. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for evaluating interaction between immobilized substance immobilized directly or indirectly on substrate and proximity-dependent modifying enzymelabeled substance to be analyzed

Номер патента: US20230251254A1. Автор: Ryo Morishita,Shusei SUGIYAMA,Miwako DENDA. Владелец: CellFree Sciences Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for decontamination of large-sized capacitive equipment from radioactive contamination without preliminary fragmentation by the method for contact ultrasonic exposure

Номер патента: RU2753419C1. Автор: Николай Михайлович Лебедев,Альберт Петрович Васильев,Валерий Афанасьевич Доильницын,Василий Владимирович Тинин,Александр Николаевич Грот,Андрей Андреевич Акатов,Виктор Григорьевич Кочкарев,Василий Николаевич Лазарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Александра-Плюс". Дата публикации: 2021-08-16.

Method for sealing of power electric cable in packer, packer design, which realizes it, and method of packer assembly with cable, this design is determined

Номер патента: RU2686780C1. Автор: Игорь Михайлович Левинский. Владелец: Игорь Михайлович Левинский. Дата публикации: 2019-04-30.

Method for biofidobacterium metabolism products obtaining for treatment of combined radiation-thermal body damage and method for treatment of combined radiation-thermal body damage

Номер патента: RU2627669C1. Автор: Тимур Рафкатович Гайнутдинов,Рамзи Низамович Низамов,Андрей Иванович Никитин,Геннадий Владимирович Конюхов,Ильнар Расимович Юнусов,Николай Михайлович Василевский,Дина Талгатовна Шарифуллина,Марсель Завдатович Тухфатуллов. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный центр токсикологической, радиационной и биологической безопасности" (ФГБНУ "ФЦТРБ-ВНИВИ"). Дата публикации: 2017-08-09.

Method for combined surgical treatment of chronic anal fissure with spasm of the sphincter using the method for excision of the fissure in combination with injection of botulinum toxin type a at a dosage of 40 units into the internal anal sphincter under ultrasound navigation

Номер патента: RU2768606C1. Автор: Юлия Леонидовна Трубачева,Дмитрий Олегович Киселев,Сергей Иванович Ачкасов,Алексей Алексеевич Пономаренко,Евгений Евгеньевич Жарков,Роман Юрьевич Хрюкин,Ольга Владимировна Ткалич,Николай Александрович Голоктионов,Карина Ибаковна Сагидова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр колопроктологии имени А.Н. Рыжих" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for forming cube or section of sites, method of automatic horizons/hodographs tracking and method for automatic detection of tectonic deformation zones and fracture zones

Номер патента: RU2664503C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Степанов. Владелец: Дмитрий Юрьевич Степанов. Дата публикации: 2018-08-17.

Method for dealing with data recording media and device for carrying out said method, and method for disposing of electronic devices and device for carrying out said method

Номер патента: US20070076326A1. Автор: Tomoaki Ito. Владелец: Orient Instrument Computer Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for Producing a Covering Device for a Bone Defect; Covering Device for a Bone Defect; Method for at Least Partially Covering a Bone Defect by Means of a Bone Defect Covering Device Brought for this Purpose to an Insertion Position

Номер патента: US20240033088A1. Автор: Marcus Seiler. Владелец: ReOss GmbH. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for assisting determination on suitability of esophageal cancer for endoscopic therapy, method for determining suitability of esophageal cancer for endoscopic therapy, method for collecting data for use in determination on suitability of esophageal cancer for endoscopic therapy, method for diagnosing suitability of esophageal cancer for endoscopic therapy, in vitro method for assisting determination on suitability of esophageal cancer for endoscopic therapy, ...

Номер патента: US20230407403A1. Автор: Hiromi Kataoka,Yusuke Okuda,Takaya SHIMURA. Владелец: NAGOYA CITY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for quantifying amine compound constituting separator active layer prior to preparation of separator active layer, method for quantifying polyamide or unreacted amine compound in separator active layer, and method for setting preparation conditions of separator active layer or establishment standards for preparation conditions of separator active layer

Номер патента: EP4257230A3. Автор: Keun Won Song,Bo Ri Lee,Kyeonghee JANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for assisting determination on adaptability of esophageal cancer to endoscopic therapy, method for determining adaptability of esophageal cancer to endoscopic therapy, method for collecting data for use in determination on adaptability of esophageal cancer to endoscopic therapy, method for diagnosing adaptability of esophageal cancer to endoscopic therapy, in vitro method for assisting determination on adaptability of esophageal cancer to endoscopic therapy, method for testing on adaptability of esophageal cancer to endoscopic therapy, method for diagnosing adaptability of esophageal cancer to endoscopic therapy, diagnosis kit, and method for treating esophageal cancer

Номер патента: EP4249601A1. Автор: Hiromi Kataoka,Yusuke Okuda,Takaya SHIMURA. Владелец: NAGOYA CITY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-27.

Method for determining a torque for an operation of a robot using a model and method for teaching the model

Номер патента: US20240066692A1. Автор: Robert Krug,Niels Van Duijkeren,Moritz Reuss. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-29.

Compound - diagnostic marker for ovarian cancer, method for detecting enzymatic activity, method for diagnosis of ovarian cancer, kit comprising the compound, uses of the compound and method for the treatment of ovarian cancer

Номер патента: WO2024072241A1. Автор: Adam LESNER,Natalia Gruba. Владелец: Urteste S.A.. Дата публикации: 2024-04-04.

Compound - diagnostic marker for intestinal cancer, method for detecting enzymatic activity, method for diagnosis of intestinal cancer, kit comprising the compound, uses of the compound and method for the treatment of intestinal cancer

Номер патента: WO2023191647A1. Автор: Adam LESNER,Natalia Gruba. Владелец: Urteste S.A.. Дата публикации: 2023-10-05.

Compound - diagnostic marker for kidney cancer, method lor detecting enzymaticactivity, method for diagnosis of kidney cancer, kit comprising the compound, uses of the compound and method for the treatment of kidney cancer

Номер патента: WO2023204721A1. Автор: Adam LESNER,Natalia Gruba. Владелец: Urteste S.A.. Дата публикации: 2023-10-26.

An apparatus for providing a processed audio signal, a method for providing a processed audio signal, an apparatus for providing neural network parameters and a method for providing neural network parameters

Номер патента: EP4233051A1. Автор: Bernd Edler,Martin Strauss. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-08-30.

An apparatus for providing a processed audio signal, a method for providing a processed audio signal, an apparatus for providing neural network parameters and a method for providing neural network parameters

Номер патента: WO2022083900A1. Автор: Bernd Edler,Martin Strauss. Владелец: Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for quantifying amine compound constituting separator active layer prior to preparation of separator active layer, method for quantifying polyamide or unreacted amine compound in separator active layer, and method for setting preparation conditions of separator active layer or establishment standards for preparation conditions of separator active layer

Номер патента: EP3709009A1. Автор: Keun Won Song,Bo Ri Lee,Kyeonghee JANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-16.

Method for quantifying amine compound constituting separator active layer prior to preparation of separator active layer, method for quantifying polyamide or unreacted amine compound in separator active layer, and method for setting preparation conditions of separator active layer or establishment standards for preparation conditions of separator active layer

Номер патента: EP4257230A2. Автор: Keun Won Song,Bo Ri Lee,Kyeonghee JANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for producing hollow activated carbon nanofiber for activating peroxymonosulfate, catalyst for purifying water, and method for purifying water

Номер патента: US11980873B2. Автор: Jung Ho Hwang,Hyeong Rae Kim,Sang Mo Kang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-14.

Recombinant somatostatin-containing protein, method for production, injecting drug to increase meat and dairy efficiency of agricultural animals, and method for drug application

Номер патента: RU2614115C1. Автор: Сергей Михайлович Юдин,Владимир Глебович Лунин. Владелец: Владимир Глебович Лунин. Дата публикации: 2017-03-22.

Method for writing and reading data on a multi-layer recordable interferometric optical disc and method for fabricating such

Номер патента: US5669995A. Автор: Gilbert H. Hong. Владелец: Hong; Gilbert H.. Дата публикации: 1997-09-23.

Method for producing population of pancreatic endocrine cells co-expressing nkx6.1 and insulin, and method of treating diabetes

Номер патента: RU2701335C2. Автор: Джин СЮЙ. Владелец: Янссен Байотек, Инк.. Дата публикации: 2019-09-25.

Means and methods for the specific modulation of target genes in the CNS and the eye and methods for their identification

Номер патента: US8946180B2. Автор: Karina Drumm,Stefan Hubert Schlör,Frank Göhring. Владелец: OPKO Pharmaceuticals LLC. Дата публикации: 2015-02-03.

Supporting profiled element, method for producing a supporting profiled element, and use of said supporting profiled element in a method for producing a reinforced vehicle fuselage component

Номер патента: CA2802877C. Автор: Erik Hansen,Steffen Buerkner,Jochen Scholler. Владелец: PREMIUM AEROTEC GMBH. Дата публикации: 2018-05-01.

Device and method for removing at least one cooling element from an at least partially demoulded cast part, method for introducing at least one cooling element into a mould core of a cast part mould, cooling element and cast part

Номер патента: CA3137784A1. Автор: Thomas Weiser,Gerald KLAUS,Matthias Baranzke,Jochen Wilhelm,Dirk Schnubel. Владелец: Nemak SAB de CV. Дата публикации: 2020-10-29.

Polyepoxy compound, method for producing same, thermosetting resin composition containing same, cured product of such composition, and method for removing such cured product

Номер патента: EP1803758A4. Автор: Genji Imai,Masami Kobata,Chiaki Iwashima. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Method for the separation of acid from sugars using size or ion exchange chromatography and a method for producing ethanol from the by-products

Номер патента: NZ502461A. Автор: Jr Lawrence J Russo. Владелец: Controlled Environment Syst. Дата публикации: 2002-03-01.

Method for producing ear hook member for mask, apparatus for producing ear hook member for mask, method for producing mask, and mask

Номер патента: EP4295922A1. Автор: Kodai Ujiie. Владелец: Daio Paper Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Computer-implemented method for providing a standardized position for anatomic structural data of a patient scan, computer-implemented method for performing standardized measurement on anatomic structural data of a patient scan, data processing system and computer-readable medium

Номер патента: WO2021047766A1. Автор: Max Thalmeier,Khoi Lam. Владелец: Mecuris GmbH. Дата публикации: 2021-03-18.

Device and method for sensing movement of sphere moving on plane surface using camera, and device and method for sensing golfball moving on putting mat

Номер патента: US20230405432A1. Автор: Jae Hong Kim,Soo Ho Chang,Tae Suk KO,Yeong Kwang PARK. Владелец: Golfzon Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for isolating umbilical cord blood plasma products, tissue and cellular exosomes, and compositions and methods of use thereof

Номер патента: EP4292585A2. Автор: Wise Young,Dongming Sun. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2023-12-20.

Methods for isolating umbilical cord blood plasma products, tissue and cellular exosomes, and compositions and methods of use thereof

Номер патента: EP4292585A3. Автор: Wise Young,Dongming Sun. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2024-03-06.

Mixed refrigerant production device, method for producing mixed refrigerant, mixed refrigerant container, method for using mixed refrigerant container, gas-liquid mixing function-equipped mixed refrigerant container, and method for using gas-liquid mixing function-equipped mixed refrigerant container

Номер патента: EP4067779A1. Автор: Hajime Odani. Владелец: Cpm Holding Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Feature-based segmentation method, for segmenting a plurality of loosely-arranged duplicate articles and a group for actuating the method for supplying a packaging machine

Номер патента: US20100284608A1. Автор: Giuseppe Monti,Andrea Prati,Paolo Piccinini,Rita CUCCHIARA. Владелец: Marchesini Group SpA. Дата публикации: 2010-11-11.

Electronic device and method for simulating an ultrasonic response of a metal part, associated testing electronic system and method and computer program

Номер патента: US20210072198A1. Автор: Didier Cassereau,Florian Lyonnet,Marie-Françoise CUGNET. Владелец: Framatome SA. Дата публикации: 2021-03-11.

Computer-implemented method for providing a standardized position for anatomic structural data of a patient scan, computer-implemented method for performing standardized measurement on anatomic structural data of a patient scan, data processing system and computer-readable medium

Номер патента: US20220292793A1. Автор: Max Thalmeier,Khoi Lam. Владелец: Mecuris GmbH. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for fluorescence labeling of biological materials, thermally removable fluorescent labels for this method, and methods of their preparation and use

Номер патента: WO2020117079A1. Автор: Jolanta BRZEZINSKA,Marcin Chmielewski,Agnieszka WITKOWSKA,Piotr PUTAJ. Владелец: Futuresynthesis Spólka Z O.O.. Дата публикации: 2020-06-11.

Extractant and extraction method for removing color-expressing foreign substances from colored polymer containing ester functional group, and method for chemically selecting polymer containing ester functional group from colored polymer mixture

Номер патента: EP4317280A1. Автор: Joungmo CHO,Thi Hong Ngan LE,Ye Rim Jo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2024-02-07.

Stirring device for aerosol container, discharge apparatus and discharge method for moving vehicle, temperature adjusting device, temperature holding device, temperature adjusting method and temperature holding method for aerosol container

Номер патента: US11958678B2. Автор: Atsushi Kominami,Souji Araki. Владелец: Toyo Seikan Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for preparing fructose or xylulose from biomass containing glucose or xylose using butanol, and method for separating the same

Номер патента: US20180002769A1. Автор: Jong San Chang,Young Kyu HWANG,Dong Won Hwang,In Taek Hwang,Do Young HONG,U Hwang Lee,Pravin Pandharinath UPARE. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD FOR PREPARING NANO-TITANATE, NANO-TITANIC ACID AND NANO-TiO2 COMPRISING EMBEDDED NANOPARTICLES AND METHOD FOR PREPARING METAL NANOPARTICLES

Номер патента: EP4328185A1. Автор: Yanjun Li,Yuanyun ZHAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-28.

Method for preparing nano-titanate, nano-titanic acid and nano-tio2 containing embedded nanoparticles and method for preparing metal nanoparticles

Номер патента: US20240132367A1. Автор: Yanjun Li,Yuanyun ZHAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Apparatus for providing a processed audio signal, a method for providing a processed audio signal, an apparatus for providing neural network parameters and a method for providing neural network parameters

Номер патента: US20230260530A1. Автор: Bernd Edler,Martin Strauss. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for modulating the expression and aggregation of cag-expanded gene product in cells and methods for identifying agents useful for doing the same

Номер патента: US20130331437A1. Автор: Stanley N. Cohen,Tzu-Hao Cheng,Chia-Rung Liu,Tzu-Han WANG. Владелец: National Yang Ming University NYMU. Дата публикации: 2013-12-12.

Method for calculating the surface area of optical lenses and projection lenses manufactured according to the method for use in a light module in a motor vehicle headlamp

Номер патента: US20150043240A1. Автор: Hermann Kellermann,Steffen Wiersdorff. Владелец: AUTOMOTIVE LIGHTING REUTLINGEN GMBH. Дата публикации: 2015-02-12.

Device and method for removing at least one cooling element from an at least partially demoulded cast part, method for introducing at least one cooling element into a mould core of a cast part mould, cooling element and cast part

Номер патента: CA3137784C. Автор: Thomas Weiser,Gerald KLAUS,Matthias Baranzke,Jochen Wilhelm,Dirk Schnubel. Владелец: Nemak SAB de CV. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for producing a firefighting medium from water and liquid gas, a fire extinguisher and a method for extinguishing a fire with the firefighting medium

Номер патента: WO2023180284A1. Автор: Svante Syk. Владелец: Svante Syk. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for forming a silicon substrate with reduced grown-in nuclei for epitaxial defects and methods for forming an epitaxial wafer

Номер патента: US11987901B2. Автор: Maria Porrini,Pietro Valcozzena,Januscia Duchini. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods for forming a silicon substrate with reduced grown-in nuclei for epitaxial defects and methods for forming an epitaxial wafer

Номер патента: US11987900B2. Автор: Maria Porrini,Pietro Valcozzena,Januscia Duchini. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

A method for mounting a roll of protective mesh material to an underground rock drilling machine, a method for attaching protective mesh material to a rock surface and a mounting device

Номер патента: CA3128440C. Автор: Shane Brown,Roland Bucher. Владелец: Bucher Roland. Дата публикации: 2022-07-12.

Method for creating cell mathematical model, cell mathematical model creation program, cell mathematical model creation apparatus, method for determining cell mathematical model, cell mathematical model determination program, and cell mathematical model determination apparatus

Номер патента: US20240136010A1. Автор: Masaya Nagase,Takahiro Terao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods for modulating the expression and aggregation of cag-expanded gene product in cells and methods for identifying agents useful for doing the same

Номер патента: US20120149754A1. Автор: Tzu-Hao Cheng,Chia-Rung Liu,Tzu-Han WANG. Владелец: National Yang Ming University NYMU. Дата публикации: 2012-06-14.

A computer-implemented method for determining printing parameter values of an inkjet printing device, a data processing system, a method for inkjet printing and an inkjet printing device

Номер патента: EP4338970A1. Автор: Christian Wolff,Florian LAUNAY,Harshvardhan YADWAD. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-03-20.

Methods for forming a silicon substrate with reduced grown-in nuclei for epitaxial defects and methods for forming an epitaxial wafer

Номер патента: WO2022100875A1. Автор: Maria Porrini,Pietro Valcozzena,Januscia Duchini. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods for forming a silicon substrate with reduced grown-in nuclei for epitaxial defects and methods for forming an epitaxial wafer

Номер патента: EP4244413A1. Автор: Maria Porrini,Pietro Valcozzena,Januscia Duchini. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Cubic silicon carbide film manufacturing method, cubic silicon carbide film-attached substrate manufacturing method, and power device by use of the cubic silicon carbide film

Номер патента: US20150275394A1. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Article with silicon carbide coating and method for manufacturing of article with silicon carbide coating

Номер патента: RU2684128C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко,Генадий Викторович Святец,Сергей Дмитриевич Федотов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-04.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

A Method for Silicon Carbide Slip Casting and Sintering

Номер патента: LU102184B1. Автор: Changqing Li,Yansong Li,Baoliang Liu. Владелец: Univ Guangdong Petrochem Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Porous silicon dioxide-carbon composite and method for preparing high-purity granular beta-phase silicon carbide powder with using the same

Номер патента: US09994454B2. Автор: Sang Whan Park,Mi Rae YOUM,Sung Il YOUN,Gyoung Sun CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon carbide single crystal growth apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210262119A1. Автор: Toru Takahashi,Hitoshi Ikeda,Yuichi Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20240254656A1. Автор: Hiroki Takaoka,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method for manufacturing silicone carbide bodies

Номер патента: CA1092793A. Автор: Wendel G. Brown. Владелец: Coors Porcelain Co. Дата публикации: 1981-01-06.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Method of forming a laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers, and method of forming a substrate-attached laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers

Номер патента: US9732439B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: EP4424868A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Universita degli Studi di Catania. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: US20240293850A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Catania, University of. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Apparatus for producing bulk silicon carbide

Номер патента: US20210087706A1. Автор: Santhanaraghavan Parthasarathy,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Fuel element for pressurised water reactors and method of making said fuel element

Номер патента: RU2481654C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Людмила Михайловна Иванова,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-05-10.

Polymer composition for producing silicon carbide

Номер патента: RU2605257C1. Автор: Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Нелли Леонидовна Шембель,Игорь Дмитриевич Симонов-Емельянов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2016-12-20.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: EP4365153A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: US20150018448A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-15.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: WO2015006025A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-01-15.

Leak-tight product of high-temperature composite material, reinforced with long-length fibers, and method of its manufacture

Номер патента: RU2641748C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Федор Викторович Трубин. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2018-01-22.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: EP3019318A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-05-18.

Method for manufacturing a micro electro-mechanical system

Номер патента: US20180282154A1. Автор: Martin Heller,Sangtae Park,Jonah DEWALL,Andrew Hocking,Kristin Lynch. Владелец: Kionix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Sublimation method for growing silicon carbide monocrystals and silicon carbide source involved

Номер патента: RU2094547C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм,Леонид Иосифович Темкин. Владелец: Леонид Иосифович Темкин. Дата публикации: 1997-10-27.

Complex steel oxidazer based on lumpy silicon carbide

Номер патента: RU2631570C2. Автор: Виктор Владимирович Алексенко. Владелец: ООО "НПК "КарбонГрупп". Дата публикации: 2017-09-25.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20230374699A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Readily sinterable silicon carbide powder and silicon carbide ceramic sintered body

Номер патента: CA2829057A1. Автор: Yoshitaka Aoki,Kazuhide YANAIZUMI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements

Номер патента: US20020104984A1. Автор: Gady Golan. Владелец: Silbid Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of manufacturing a diamond-silicon carbide-silicon composite and a composite produced by this method

Номер патента: CA2301775C. Автор: Thommy EKSTRÖM,Sergey Konstantinovitch Gordeev,Sergey Germanovitch Zhukov,Lija Vladimirovna Danchukova. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2009-08-25.

Method of manufacturing a diamond-silicon carbide-silicon composite and a composite produced by this method

Номер патента: EP1253123A1. Автор: Sergey Konstantinovitch Gordeev,Sergey Germanovitch Zhukov,Lija Vladimirovna Danchukova,Thommy Elkström. Владелец: Frenton Ltd. Дата публикации: 2002-10-30.

High temperature sensors utilizing doping controlled, dielectrically isolated beta silicon carbide (SiC) sensing elements on a specifically selected high temperature force collecting membrane

Номер патента: US20030087481A1. Автор: Anthony Kurtz,Alexander Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for manufacturing a micro electro-mechanical system

Номер патента: WO2018187486A1. Автор: Martin Heller,Sangtae Park,Jonah DEWALL,Andrew Hocking,Kristin Lynch. Владелец: Kionix, Inc.. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for treating a silicon carbide fibre

Номер патента: US20240279124A1. Автор: Cyril Aymonier,Marie Lefebvre,Adrien Delcamp,Nicolas BISCAY. Владелец: Institut Polytechnique de Bordeaux. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for applying heat-protective wear-resistant coating on cast iron and steel parts

Номер патента: RU2766627C1. Автор: Владимир Петрович Панков,Денис Владимирович Панков,Сергей Васильевич Румянцев,Анатолий Вячеславович Баженов,Таисия Витальевна Головасичева,Виктория Владимировна Степанова,Софья Евгеньевна Обухова,Марина Валерьевна Степанова,Даниил Олегович Пустовит. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное авиационное училище летчиков имени Героя Советского Союза А.К. Серова". Дата публикации: 2022-03-15.

Method and device for producing a silicon carbide-containing workpiece

Номер патента: AU2023214705A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and method for silicon carbide ingot peeling

Номер патента: US20240149494A1. Автор: Yi-Wei Lin,Weng-Jung Lu,Ying-Fang Chang,Pin-Yao Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-09.

Production method of polyimide composite film coating reinforced by nanostructured silicon carbide (versions)

Номер патента: RU2620122C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ". Дата публикации: 2017-05-23.

Silicon carbide element reinforced with continuous fibers, method of its production and structural element of nuclear reactor

Номер патента: RU2692765C1. Автор: Сёко СУЯМА,Масару УКАИ,Масаюки УТИХАСИ,Кадзуо КАКИУТИ,Хидеаки ХЕКИ. Владелец: Тосиба Энерджи Системс Энд Солюшнс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of producing polyimide composite fibre based on carbon reinforced by nanostructured silicon carbide

Номер патента: RU2644906C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ИРЕА). Дата публикации: 2018-02-14.

Automatic method for separating and cleaning silicon carbide furnace materials

Номер патента: CA1265473A. Автор: Robert J. Seider,Philip J. Guichelaar,Robert O. Anderson. Владелец: Washington Mills Electro Minerals Corp. Дата публикации: 1990-02-06.

Silicon carbide magnetometer and associated material formation methods

Номер патента: US11993864B2. Автор: Robert Osiander,John B. Abraham,Brian D. Clader,Cameron A. Gutgsell,Dalibor J. Todorovski,Scott A. Sperling,Jacob E. Epstein,Timothy M. Sweeney,Elizabeth A. Pogue,Tyrel M. McQueen. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Sintered silicon carbide-based refractory material with silicon nitride as binder

Номер патента: RU2496745C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье МАРГЮИН,Лионель МУАТРИЕ,Оливье Ситти. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2013-10-27.

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2601676C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-11-10.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: CA2974485C. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon carbide powder and method for producing the same

Номер патента: US6733736B2. Автор: Shigeki Endo,Masashi Otsuki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Silicon carbide powder and method for producing the same

Номер патента: US20020165078A1. Автор: Shigeki Endo,Masashi Otsuki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A3. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Carbon-silicon carbide composite material and method for the preparation thereof

Номер патента: US5326732A. Автор: Ichitaro Ogawa. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1994-07-05.

Silicon carbide material, honeycomb structure and electric-heating type catalyst carrier

Номер патента: EP2671857A1. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Miyuki Yabuki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Dispersion for silicon carbide sintered body, green sheet for silicon carbide sintered body and prepreg material for silicon carbide sintered body using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11760697B2. Автор: Keiji Ashitaka,Naoya Miwa,Souma TAGUCHI,Keigo KAMOSHIDA. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US20150072101A1. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Silicon carbide crystal manufacturing apparatus, control device of silicon carbide crystal manufacturing apparatus, and method of generating learning model and controlling silicon carbide crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US12043918B2. Автор: daisuke Uematsu. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US20240262755A1. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A2. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: US20240343589A1. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for fabricating silicon carbide material

Номер патента: EP2374755A1. Автор: Wen-Kuei Tsai. Владелец: Ge Investment Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Method of manufacturing a silicon carbide ingot comprising moving a heater surrounding a reactor to induce silicon carbide raw materials to sublimate and growing the silicon carbide ingot on a seed crystal

Номер патента: US11795572B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of growing silicon carbide crystals

Номер патента: US20240011188A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of producing high temperature powder composite material based on silicon carbides and titanium

Номер патента: RU2638866C1. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-18.

Charge for manufacture of foam glass

Номер патента: RU2051869C1. Автор: Лидия Константиновна Казанцева,Александр Владимирович Горбунов,Борис Александрович Фурсенко,Игорь Абрамович Белицкий,Наталия Геннадиевна Васильева. Владелец: Наталия Геннадиевна Васильева. Дата публикации: 1996-01-10.

Silicon carbide shapes resistance heater elements

Номер патента: CA1062891A. Автор: Frank J. Hierholzer (Jr.),John A. Ancona,Gerald L. Shelton. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1979-09-25.

Structure to effect adhesion between substrate and ink barrier in ink jet printhead

Номер патента: US6155674A. Автор: Terri I. Chapman,Brian J Keefe,Ali Emamjomeh,Roger J Kolodziej,Grant Allen Webster,Domingo A Figueredo,Gregory T Hindman. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-12-05.

SUBMICRON .beta. SILICON CARBIDE POWDER AND SINTERED ARTICLES OF HIGH DENSITY PREPARED THEREFROM

Номер патента: CA1236853A. Автор: Frederick G. Stroke. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Manufacturing method of silicon carbide ingot

Номер патента: US11859306B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Polyurethane/urea silicon carbide nanocomposite

Номер патента: EP3334778A1. Автор: Ryan E. Marx,Wendy L. Thompson,Gezahegn D. Damte,Kent S. Tarbutton,Armin Kayser,Jay R. Lomeda. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-06-20.

Solder for connection and preparation method therefor and method for connecting silicon carbide cladding

Номер патента: EP4230598A1. Автор: Yang Liu,Tong Liu,Rui Li,Yongdong Zhang,Xiansheng ZHANG,Haibin Ma,Qisen REN,Yehong LIAO,Jiaxiang XUE,Jianhan ZHAI. Владелец: Lingdong Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of manufacturing polycrystalline silicon carbide filaments

Номер патента: GB1210870A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1970-11-04.

Hermetically sealed ultra high temperature silicon carbide pressure transducers and method for fabricating same

Номер патента: US6058782A. Автор: Anthony D. Kurtz,Alexander A. Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Nanograined smooth silicon carbide interface coating for improved durability

Номер патента: US20240043345A1. Автор: Evan B. CALLAWAY,Jun NABLE,Zachary Paul Konopaske. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon carbide-based ceramic honeycomb structure and production method therefor

Номер патента: EP4230279A1. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Tantalum carbide-covered carbon material and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2576406C2. Автор: Мика КОНДО. Владелец: Тойо Тансо Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-03-10.

Sintered silicon carbide product and process for producing the same

Номер патента: GB2031027A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-04-16.

Method of production of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20060292057A1. Автор: Masateru Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Composite powder comprising silicon nitride and silicon carbide

Номер патента: US5767025A. Автор: Hitoshi Toyoda,Yoshikatsu Higuchi,Kazumi Miyake,Kagehisa Hamazaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Silicon carbide-based filter and method for manufacturing monolith type silicon carbide-based filter

Номер патента: KR101829758B1. Автор: 이성영,배일준. Владелец: 재단법인 포항산업과학연구원. Дата публикации: 2018-02-20.

Nanograined smooth silicon carbide interface coating for improved durability

Номер патента: EP4317105A1. Автор: Evan B. CALLAWAY,Jun NABLE,Zachary Paul Konopaske. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Method of purifying silicon carbide powder

Номер патента: US20210139330A1. Автор: Chu-Pi Jeng,Ta-Ching HSIAO,Mu-Hsi Sung,Kuo-Lun Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US11858857B2. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US20230322630A1. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Article containing silicon carbide as main component, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240158305A1. Автор: Motoki Okinaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal ingot and apparatus for growing silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20230193506A1. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Improved metal-based powder compositions containing silicon carbide as an alloying powder

Номер патента: CA2383670C. Автор: Kalathur Narasimhan,Nikhilesh Chawla. Владелец: Hoeganaes Corp. Дата публикации: 2005-11-08.

Silicon carbide containing boron and nitrogen in solid solution

Номер патента: US3554717A. Автор: Peter T B Shaffer,Ellsworth D Whitney. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1971-01-12.

Methods for extracellular vesicle isolation and selective removal

Номер патента: CA2929268C. Автор: Yousef Haj-Ahmad. Владелец: Norgen Biotek Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

FIBER-REINFORCED SILICON CARBIDE COMPOSITE MATERIALS, METHOD FOR PRODUCING THE FIBER-REINFORCED SILICON CARBIDE COMPOSITE MATERIALS, AND USES OF THE FIBER-REINFORCED SILICON CARBIDE COMPOSITE MATERIALS

Номер патента: US20140339718A1. Автор: KIENZLE ANDREAS,KRAETSCHMER INGRID,DAMJANOVIC Tanja. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

High yield silicon carbide pre-ceramic polymers

Номер патента: CA1152724A. Автор: Ronald H. Baney,John H. Gaul, Jr.. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1983-08-30.

Improved metal-based powder compositions containing silicon carbide as an alloying powder

Номер патента: CA2383670A1. Автор: Kalathur Narasimhan,Nikhilesh Chawla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-15.

High yield silicon carbide pre-ceramic polymers

Номер патента: US4314956A. Автор: Ronald H. Baney,John H. Gaul, Jr.. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1982-02-09.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal using dopant coated with a carbon-based material

Номер патента: US11846038B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Sialon-bonded silicon carbide refractory

Номер патента: US5521129A. Автор: Peter Schmitz,Diego Campos-Loriz,Martina Dierkes,Gary Dukes,James E. Funk, Jr.,Michael A. Lamkin. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1996-05-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7914958B2. Автор: Hirofumi Inoue,Ryoichi Inanami,Shinji Mikami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Silicon carbide-reinforced refractory ceramic composite manufacture involves chemical vapor impregnation of carbon or silicon carbide preforms with silicon carbide gaseous precursor

Номер патента: FR2819506A1. Автор: August Muhlratzer,Kilian Peetz,Angelika Frohlich. Владелец: MAN Technologie AG. Дата публикации: 2002-07-19.

Doped SiC and SiOC compositions and Methods

Номер патента: US12030819B2. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS ,LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

Producing a silicon carbide volume single crystal, comprises producing silicon carbide growth gas phase in crystal growing area of culture crucible and growing-off the silicon carbide volume single crystal from the gas phase by deposition

Номер патента: DE102009009614A1. Автор: Thomas Dr. Straubinger. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-07-01.

Material structure and method for deep silicon carbide etching

Номер патента: WO2018049081A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Eugene A. Imhoff. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-03-15.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US20240034685A1. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Rice-husk derived silicon carbide membrane sorbent for oil removal

Номер патента: US20210237003A1. Автор: CHANBASHA Basheer,Rashed Saed BAKDASH,Isam H. Aljundi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2021-08-05.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US11993545B2. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Silicon carbide crystal manufacturing apparatus, control device of silicon carbide crystal manufacturing apparatus, and method of generating learning model and controlling silicon carbide crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20230044970A1. Автор: daisuke Uematsu. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120325150A1. Автор: Daisuke Kondo,Wataru Seki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for manufacturing material for silicon carbide fired body and method for manufacturing honeycomb structured body

Номер патента: EP1992600A1. Автор: Kazuya Naruse,Kosei Tajima. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

Method of strengthening silicon carbide coated boron filaments

Номер патента: US3698970A. Автор: Francis S Galasso,Bernarr A Jacob,Jane P Pinto. Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

FEED MATERIAL FOR EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE

Номер патента: US20130269596A1. Автор: Matsumoto Tsuyoshi,Torimi Satoshi,Nogami Satoru. Владелец: TOYO TANSO CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD FOR EVALUATING INTERNAL STRESS OF SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER AND METHOD FOR PREDICTING WARPAGE IN SILICONE CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER

Номер патента: US20160231256A1. Автор: NAKABAYASHI Masashi,KOJIMA Kiyoshi,SHIMOMURA Kota,NAGAHATA Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

COATING MATERIAL, OUTER PERIPHERY-COATED SILICON CARBIDE-BASED HONEYCOMB STRUCTURE, AND METHOD FOR COATING OUTER PERIPHERY OF SILICON CARBIDE-BASED HONEYCOMB STRUCTURE

Номер патента: US20190300440A1. Автор: KODAMA Suguru. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for preparing gradient variable modulus silicon carbide fiber reinforced silicon carbide-based composite material

Номер патента: CN114835510A. Автор: 焦春荣,焦健,杨瑞,杨金华,孙世杰,姜卓钰. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2022-08-02.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: US11820666B2. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Vapor Deposition Apparatus and Techniques Using High Purity Polymer Derived Silicon Carbide

Номер патента: US20240190710A1. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing member

Номер патента: US20190276922A1. Автор: Satoru Kukino,Kazushi TAKAHAMA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-09-12.

ECO-FRIENDLY METHOD FOR MANUFACTURING OF POROUS SILICON CARBIDE STRUCTURE

Номер патента: US20190144287A1. Автор: PARK Sang Whan,YOUM Mi Rae,YUN Sung Il. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-05-16.

Process for the production of a sealed object made of silicon carbide ceramic as well as preformed, pressure-free sintered ceramic object made of silicon carbide

Номер патента: DE2449662C2. Автор: Svante Ballston Lake N.Y. Prochazka. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-04-11.

Silicon Carbide-Sintering Paste Composition Containing Mulite-based Hollow Sphere and Process for Preparation of Porous Silicon Carbide Filter Using the Same

Номер патента: KR100891956B1. Автор: 안훈,한대곤,정연호,공영민. Владелец: 주식회사 칸세라. Дата публикации: 2009-04-07.

Method for manufacturing metal-plastic tooling and a device for its implementation

Номер патента: RU2759368C1. Автор: Сергей Витальевич Мартыненко,Хакимжан Хамазанович Байков,Виталий Валерьевич Пузанков,Юрий Александрович Гурин,Ольга Владимировна Райкова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-11-12.

Fabric for airbag and method for manufacturing the same

Номер патента: US12060028B2. Автор: Gi-Woong Kim,Sang-Mok Lee,Ki Jeong Kim,Jin Wook Heo. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing fraud-proof paper (versions) and fraud-proof paper (versions)

Номер патента: RU2344219C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Александр Георгиевич Писарев,Елена Самуиловна Туркина,тников Андрей Борисович Кур,Борис Петрович Борисов,Игорь Михайлович Петров,пушкин Петр Александрович Стр,Петр Александрович Стряпушкин,Сергей Иванович Чернышов,Валерий Анатольевич Витвинин,Станислав Глебович Ермаков,Михаил Анатольевич Остреров,Олег Станиславович Бусырев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2009-01-20.

Method for manufacturing a handle

Номер патента: RU2676112C2. Автор: Карл-Олоф ХОЛМ,Йоуни РИИКОНЕН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-12-26.

Methods for introducing flavoring substances into collagen shells

Номер патента: RU2769984C2. Автор: Юджин ГОЛДФЭРБ,Дэвид Мэтьюз,Стивен ХЭТЧ,Масанори КИСИМОТО. Владелец: ВИСКОФЭН КОЛЛАГЕН ЮЭсЭЭй ИНК.. Дата публикации: 2022-04-12.

PROCESS FOR MANUFACTURING A CARBON / SILICON CARBIDE COMPOSITE

Номер патента: FR2820737A1. Автор: Yun Chul Kim,Yong Gu Won,Hyung Sik Lee,Kwang Hyeon Lim,Dong Hyuk Sin. Владелец: Agency for Defence Development. Дата публикации: 2002-08-16.

Sound absorption sheet with improved sound absorption function and method for manufacturing same

Номер патента: US20150176269A1. Автор: Gil-Ho Kang,Seong-Moon Jung,Bong-Gyu Kang. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2015-06-25.

Apparatus and methods for superimposing two-dimensional prints onto three-dimensional models of a part for manufacture

Номер патента: US20230288908A1. Автор: Shuji Usui. Владелец: Proto Labs Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for producing coking product

Номер патента: RU2762192C1. Автор: Клаус КРЮГЕР,Андре ВАН БЕННЕКОМ,Макс АЙХЕР. Владелец: Макс Айхер Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2021-12-16.

System and method for synchronised cutting and filling

Номер патента: RU2561743C2. Автор: Еудженио БОРТОНЕ. Владелец: Фрито-Лэй Норт Америка, Инк.. Дата публикации: 2015-09-10.

Blood purification apparatus such as highly porous hollow-fibre membranes and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2389513C2. Автор: Кимихиро МАБУТИ,Хидеюки ЙОКОТА,Норико МОНДЕН,Синия КОЯМА,Нориаки КАТО,Юуки ХАТАКЕЯМА,Такаси СУНОХАРА,Тосиаки МАСУДА. Владелец: Нипро Корпорейшн. Дата публикации: 2010-05-20.

Mask for structuring surface areas, and method of making it

Номер патента: US4342817A. Автор: Johann Greschner,Harald Bohlen,Helmut Engelke,Peter Nehmiz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-08-03.

Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates

Номер патента: EP1348047A2. Автор: Hilton F. Glavish,Kentaro Fujita,Keiji Maishigi,Hideyuki Isozaki. Владелец: Ebara Solar Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Method of using a magnetic field furnace to manufacture semiconductor substrates

Номер патента: US20030097978A1. Автор: Kentaro Fujita,Hilton Glavish,Keiji Maishigi,Hideyuki Isozaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates

Номер патента: WO2002059399A3. Автор: Kentaro Fujita,Hilton F Glavish,Keiji Maishigi,Hideyuki Isozaki. Владелец: Ebara Solar Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates

Номер патента: WO2002059399A2. Автор: Hilton F. Glavish,Kentaro Fujita,Hideyuki Isozaki,Keiji Maishigi.. Владелец: Ebara Solar, Inc.. Дата публикации: 2002-08-01.

Methods for producing precursor solutions and sol-gels for nano-engineered carbon materials and nano-engineered carbon materials created therefrom

Номер патента: US09968900B2. Автор: Robert W. Fleming,Christopher M. Lee,Sudhir M. Mulik,Joseph F. Ludvik. Владелец: Georgia Pacific Chemicals LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Installation and method for manufacturing cross-linkable polyethylene compounds

Номер патента: CA3010917C. Автор: Denis LABBÉ. Владелец: Buss AG. Дата публикации: 2024-06-11.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM HYDROXIDE-COATED SILICON CARBIDE PARTICLE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING DISPERSION CONTAINING THE SAME POWDER AND DISPERSING MEDIUM

Номер патента: US20200216677A1. Автор: Miwa Naoya,Ashitaka Keiji,TSUBOTA Shogo,TAGUCHI Souma. Владелец: FUJIMI INCORPORATED. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for producing aluminum hydroxide-coated silicon carbide particle powder and method for producing dispersion containing said powder and dispersion medium

Номер патента: EP3543210B1. Автор: Keiji Ashitaka,Naoya Miwa,Shogo Tsubota,Souma TAGUCHI. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Method for producing aluminum hydroxide-coated silicon carbide particle powder and method for producing dispersion containing the same powder and dispersing medium

Номер патента: US10913857B2. Автор: Keiji Ashitaka,Naoya Miwa,Shogo Tsubota,Souma TAGUCHI. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Crucible for crystal growth as well as method for releasing thermal stress in silicon carbide crystal

Номер патента: WO2019144804A1. Автор: 高攀,刘学超,施尔畏,郑燕青,孔海宽,忻隽. Владелец: 中国科学院上海硅酸盐研究所. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for producing aluminum hydroxide-coated silicon carbide particle powder, and method for producing dispersion containing the powder and dispersion medium

Номер патента: JP6577160B2. Автор: 直也三輪,創万田口,圭史芦▲高▼,翔吾坪田. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2019-09-18.

Light guide plate, and apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140092605A1. Автор: Youngbae Han,SunHye KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Flexible tooling system and method for manufacturing of composite structures

Номер патента: US20190337245A1. Автор: Jon Paul Gunner,Antonio Bernerd MARTINEZ,Ian Hawthorn ASHDOWN,Thomas Samuel Bowden, JR.. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Systems and methods of automatic generation of integrated circuit IP blocks

Номер патента: US11741284B2. Автор: Danny Rittman,Mo Jacob. Владелец: GBT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Installation and method for manufacturing cross-linkable polyethylene compounds

Номер патента: US20190070752A1. Автор: Denis LABBÉ. Владелец: P&M CABLE CONSULTING SÀRL(P&M CABLE CONSULTING LLC). Дата публикации: 2019-03-07.

Installation and method for manufacturing cross-linkable polyethylene compounds

Номер патента: WO2017122122A1. Автор: Denis LABBÉ. Владелец: P&M Cable Consulting Sàrl (P&M Cable Consulting Llc). Дата публикации: 2017-07-20.

METHODS FOR FABRICATING AND ETCHING POROUS SILICON CARBIDE STRUCTURES

Номер патента: US20220178043A1. Автор: Sharifi Fred,Cannara Rachel,Mullen Emma Rae. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

CRUCIBLE FOR CRYSTAL GROWTH AS WELL AS METHOD FOR RELEASING THERMAL STRESS IN SILICON CARBIDE CRYSTAL

Номер патента: US20200354856A1. Автор: Xin Jun,Liu XueChao,GAO Pan,Shi Erwei,KONG Haikuan,ZHENG Yanqing. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

In-situ bridging method for microcracks after grinding of silicon carbide ceramics

Номер патента: CN109627045B. Автор: 林超,邬国平,戚明杰,谢方民,吴晃菊. Владелец: Ningbo Vulcan Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Method for efficiently growing low-stress silicon carbide single crystals

Номер патента: CN112877772A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Method for preparation of ultra-dispersed silicon carbide powder

Номер патента: SU1636334A1. Автор: Александр Петрович Петров,Сергей Сергеевич Кипарисов,Людмила Петровна Костюкова,Андрей Федорович Кравченко,Григорий Маркович Вольдман. Владелец: Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1991-03-23.

Method for measuring oxygen content in silicon carbide ceramic material

Номер патента: CN111257267B. Автор: 胡静,黄庆,黄政仁,何流,皇静,莫高明,甄霞丽. Владелец: Hangzhou Bay Research Institute Of Ningbo Institute Of Materials. Дата публикации: 2023-03-17.

Method for processing nuclear fuels containing silicon carbide and for unsheathing nuclear fuel particles

Номер патента: EP2074631B1. Автор: Stéphane BOURG,Frédéric PERON. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-05-02.

Direct-writing forming method for short carbon fiber reinforced silicon carbide ceramic composite material ink

Номер патента: CN113666764A. Автор: 张路,王文清,张学勤,何汝杰,张可强,周妮平. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2021-11-19.

Method for growing single crystal of silicon carbide

Номер патента: EP1803840B1. Автор: Kotaro Yano,Isamu Yamamoto,Nobuyuki Nagato,Masashi Shigeto. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-02-04.

Method for preparing thin-wall structure silicon carbide ceramics through slip casting and solid phase sintering

Номер патента: CN105601279A. Автор: 张启富,王晓波,贺智勇,千粉玲. Владелец: China Iron and Steel Research Institute Group. Дата публикации: 2016-05-25.

Method for enhancing catalytic performance of silicon carbide film material by acid etching

Номер патента: CN115448726A. Автор: 邢卫红,仲兆祥,陈嘉豪,曾毅清. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-09.

Method for curing unsintered polysilazane-based silicon carbide precursor fiber

Номер патента: JP6626451B2. Автор: ミルズ，ライアン・クリストファー,デイヴィス，ピーター・ケネディ,リトルジョン，マシュー・ハル,ルビンシュタイン，スロウォミール. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-12-25.

Preparation method for elastic high-temperature-resistant silicon carbide aerogel based on melamine foam template structure

Номер патента: CN114715895A. Автор: 张和平,程旭东,潘月磊. Владелец: Institute of Advanced Technology University of Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-07-08.

Liquid phase sintered silicon carbide porous body having dual pore structure and method for producing same

Номер патента: KR102124783B1. Автор: 박상환,염미래,윤성일. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2020-06-22.

Method for testing residual stress of silicon carbide ceramic matrix composite micro-area in high-temperature environment

Номер патента: CN115773835A. Автор: 张翔宇,秦浩,陈小武,杨金山,董绍明,胡建宝,薛玉冬,廖春景. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-03-10.

Crucible for crystal growth and method for releasing thermal stress of silicon carbide crystal

Номер патента: CN108149315B. Автор: 高攀,刘学超,王乐星,施尔畏,郑燕青,忻隽. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2020-10-23.

Free-standing silicon carbide articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture

Номер патента: US20100297350A1. Автор: David Thomas Forrest,Mark Wallace Schauer. Владелец: Morgan Advanced Ceramics Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

METHOD FOR PROCESSING NUCLEAR FUEL CONTAINING SILICON CARBIDE AND UNLOCKING NUCLEAR FUEL PARTICLES

Номер патента: RU2009119482A. Автор: Стефан БУРГ,Фредерик ПЕРОН,Стефан БУРГ (FR),Фредерик ПЕРОН (FR). Владелец: Коммиссариат А Л`Энержи Атомик (Fr). Дата публикации: 2010-12-10.

Free-standing silicon carbide articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture

Номер патента: KR101273209B1. Автор: 데이비드 토마스 포레스트,마크 월러스 샤우어. Владелец: 모간 어드밴스드 세라믹스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-06-12.

Method for preparing carbon fiber with silicon carbide coating on surface

Номер патента: CN110158309B. Автор: 赵晓峰,郭芳威,张醒,余亚丽,宋林郁,胡励. Владелец: Shanghai Aerospace System Engineering Institute. Дата публикации: 2021-07-02.

Method for growing single crystals of silicon carbide with n-type conductivity

Номер патента: RU2770838C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Александр Сергеевич Усиков,Олег Валерьевич Авдеев,Иосиф Соломонович Бараш. Владелец: Александр Сергеевич Усиков. Дата публикации: 2022-04-22.

Method for joining shaped parts having silicon carbide surfaces

Номер патента: DE3464481D1. Автор: Ashok Kumar Gupta,Rudolf Munzer,Aristides Dr Naoumidis,Erno Dr Gyarmati. Владелец: Kernforschungsanlage Juelich GmbH. Дата публикации: 1987-08-06.

Polyacetal Resin Composition and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20240182689A1. Автор: Sara Kusumoto. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for determining amount of hardener addition of water-containing fluid soil containing hardener, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: JP3815949B2. Автор: 修村田,政幸神田,史郎棚村,聡滝沢,道三市原. Владелец: RAILWAY TECHNICAL RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2006-08-30.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of heat exchanging device, method of device heat exchanging unit manufacture (versions), method for manufacture of intermediate and/or upper heat exchanging unit of device, method for manufacture of lower heat exchanging unit of device, method for manufacture of device heat exchanging unit air supply or exhaust headers, technological complex of equipment for manufacture of device heat exchanging units, berth for assembly of device heat exchanging unit (versions) and device for vertical storage of mostly four-leg bend pipes of device (versions)

Номер патента: RU2344916C2. Автор: Николай Павлович Селиванов,Николай Павлович Селиванов (RU). Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-01-27.

Composition for manufacturing light concrete, method of preparing composition for light concrete manufacturing and method of light concrete manufacturing (versions)

Номер патента: RU2553685C2. Автор: Игорь Валентинович Пикулин,Валерий Станиславович Дрожжин,Александр Николаевич Ховрин,Сергей Анатольевич Куликов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2015-06-20.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-08-31.

Method for production of heat-insulating material based on sintact froth, heat-insulated pipe and method for application of heat-insulating coating on pipe outer surface

Номер патента: RU2187433C2. Автор: Н.В. Михайлов,В.В. Ремизов,В.А. Телегин,Е.Б. Телегина,В.А. Горев,С.П. Шестаков,В.И. Тимонин,А.П. Газиянц. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Аквасинт" им. академика В.А.Телегина. Дата публикации: 2002-08-20.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1336828C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1995-08-29.

Method for iron content definition in car gasoline, indicator on carrier for method implementation, and method of obtaining carrier indicator for iron content definition in gasoline

Номер патента: RU2339942C1. Автор: Алексей Георгиевич Дедов,Борис Федорович Мясоедов,Натали Николаевна Котова,Наталия Николаевна Котова,Наталь Геннадьевна Перевертайло,Наталья Геннадьевна Перевертайло,соедов Борис Федорович М,Валери Вадимовна Некрасова,Валерия Вадимовна Некрасова,Наталь Михайловна Филиппенкова,Наталья Михайловна Филиппенкова. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Российский государственный университет нефти и газа им. И.М. Губкина. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for production of milky product with reduced content of spores and bacteria, and device therefor, method for production of milky whey with reduced content of spores and bacteria and device therefor

Номер патента: RU2264717C2. Автор: Йохн ЕНСЕН. Владелец: Ниро А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

METHOD FOR PRODUCTION OF OILY EXTRACT FROM SHIITAKE FUNGUS (Lentinula edoides), ENRICHED VEGETABLE OIL AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF (VARIANTS), FOODSTUFF AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2289624C2. Автор: Светлана Анатольевна Богдаева,Анатолий Георгиевич Богдаев. Владелец: Анатолий Георгиевич Богдаев. Дата публикации: 2006-12-20.

Method for matching a camera-photographed image with map data in a portable terminal and method for travel route guidance

Номер патента: RU2324236C2. Автор: Мун Хо ДЗУНГ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2008-05-10.

Method for controlling the pulverization and dryness of flammable materials passing through a pulverizer, and method of controlling the pulverizing rate of the pulverizer

Номер патента: CA1214444A. Автор: Kazuo Tanaka,Kozo Tanaka,Tsunenori Hayashi,Kenjiro Motonaga. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1986-11-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Carbon-silicon carbide composite material and method for manufacturing products from thereof

Номер патента: RU2573141C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Елена Юрьевна Турбина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286617C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of primary annealing for processing silicon-carbide tubes

Номер патента: RU2376675C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-20.

Nanostructured ceramic matrix composite material and method of producing said material

Номер патента: RU2415109C1. Автор: Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2011-03-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2446511C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ). Дата публикации: 2012-03-27.

Process for production of silicon carbide from rice husk

Номер патента: RU2296102C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Татьяна Васильевна Гурина,Тать на Васильевна Гурина,Мухаммад-Султан Саидивалиханович Пайзулаханов,Шавкат Адилович Файзиев,Гайрат Тышабаевич Адылов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-03-27.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured functional-gradient composite material and method of producing said material

Номер патента: RU2428395C2. Автор: Станислав Алексеевич Суворов,Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2011-09-10.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Abrasive-polymeric composition used for manufacture of the porous grinding tools

Номер патента: RU2293747C1. Автор: Аркадий Авраамович Агич,Наталья Яковлевна Окладская,Галина Николаевна Рипко,Наталь Яковлевна Окладска. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Технолог". Дата публикации: 2007-02-20.

Process for cementing diamond to silicon-silicon carbide composite and article produced thereby

Номер патента: CA1171666A. Автор: Minyoung Lee,Lawrence E. Szala. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-07-31.

METHOD FOR PREPARING EPITAXIAL LAYERS OF SiC-AlN SOLID SOLUTIONS

Номер патента: RU2260636C1. Автор: М.К. Курбанов,Б.А. Билалов,Г.К. Сафаралиев,М.К. Гусейнов. Владелец: Дагестанский государственный университет. Дата публикации: 2005-09-20.

Method for producing polished rice groats

Номер патента: RU2166365C2. Автор: А.Ю. Шаззо,О.Г. Гриценко. Владелец: Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2001-05-10.

SOLUTION METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE AND SILICON WITH OXIDE SINTER ACTIVATOR AND METHOD FOR PRODUCING CERAMICS ON ITS BASIS

Номер патента: RU2010124772A. Автор: Владимир Дмитриевич Чупов,Олег Александрович Кожевников,Сукяс Семенович Орданьян,Сергей Валерьевич Вихман,Владимир Дмитриевич Чупов (RU),Сергей Валерьевич Вихман (RU),Сукяс Семенович Орданьян (RU),Олег Александрович Кожевников (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологичес. Дата публикации: 2012-03-20.

Fire-proof mass and method of obtaining fire-proof mass

Номер патента: RU2365562C2. Автор: Александр Алексеевич Афанасьев,Борис Александрович Чаплыгин,Владимир Владимирович Дятлов,Татьяна Мопровна Лонзингер,Вадим Анатольевич Скотников,Надежда Петровна Нецветаева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Торговый дом "Абразивные заводы Урала". Дата публикации: 2009-08-27.

Thermoelectric unit and method for its manufacturing

Номер патента: RU2075138C1. Автор: Н.А. Василенко,А.С. Мельниченко,Г.И. Антоновская,Т.Л. Лушкина,А.М. Благородов,Л.Ф. Шаров. Владелец: Шаров Леонид Федорович. Дата публикации: 1997-03-10.

Group iii nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlayer structure

Номер патента: CA2493503C. Автор: John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike,Michelle Turner Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

DEVICE AND METHOD TO CONDUCT AN ELECTROCHEMICAL REACTION ON A SURFACE OF A SEMI-CONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120000785A1. Автор: Zahraoui Said,Descours Francis,Raynal Frederic. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for preparing nanometer silicon carbide by using silicon-containing biomass as raw material at low temperature and prepared nanometer silicon carbide

Номер патента: CN104692387A. Автор: 张旭明,霍开富,高标,付继江,苏建君. Владелец: Wuhan University of Science and Engineering WUSE. Дата публикации: 2015-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Seed crystal processing method for improving growth quality of silicon carbide crystals, and method for growing silicon carbide crystals

Номер патента: CN105780107A. Автор: 王波,陈小龙,刘春俊,彭同华,赵宁,娄艳芳. Владелец: Beijing Tankeblue Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for removing surface contaminant of silicon carbide wafer and silicon carbide wafer

Номер патента: JPH10199848A. Автор: Makoto Saito,誠斉藤,Fusao Fujita,房雄藤田. Владелец: ADOMATSUPU KK. Дата публикации: 1998-07-31.

METHOD FOR PRODUCING TITANIUM DIOXIDE AND SILICON CARBIDE FROM ABRASIVE TREATMENT WASTE

Номер патента: RU2004114688A. Автор: Адольф Николаевич Трубин,Галина Ивановна Гиль,Адольф Николаевич Трубин (RU),Галина Ивановна Гиль (RU). Владелец: Галина Ивановна Гиль (RU). Дата публикации: 2005-10-27.

Multi-channel pure silicon carbide film with asymmetric structure and preparation method for multi-channel pure silicon carbide film

Номер патента: CN103721578A. Автор: 张云飞. Владелец: HANGZHOU CHUANGXIANG ENVIRONMENT TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2014-04-16.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon carbide Schottky junction type nuclear cell with vanadium-doped I layer and production method of silicon carbide Schottky junction type nuclear cell

Номер патента: CN102509569B. Автор: 张玉明,韩超,郭辉,张克基,张玉娟,石彦强. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-04-16.

Silicon carbide ceramic cylinder sleeve for well-drilling slurry pump and preparation method of silicon carbide ceramic cylinder sleeve

Номер патента: CN104761262A. Автор: 李虎,姜伟,梁红军,赵文林,保玉芝. Владелец: NINGXIA MACHINERY RESEARCH INSTITUTE CO LTD. Дата публикации: 2015-07-08.

Granulated composite filler for silicate wall products based on quartz sand, composition of raw mix for manufacture of silicate wall products, method for manufacturing of silicate wall products and silicate wall product

Номер патента: RU2361838C1. Автор: Валерия Валерьевна Строкова,Александр Викторович Мосьпан,Виктор Михайлович Воронцов,Валерий Станиславович Лесовик. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова). Дата публикации: 2009-07-20.

Method for manufacturing spacecraft

Номер патента: RU2636244C2. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько,Сергей Григорьевич Кочура,Андрей Владимирович Андреев,Андрей Гавриилович Лесковский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС". Дата публикации: 2017-11-21.

Method for recovering polyethylene glycol and silicon carbide from silicon crystal cutting waste liquid

Номер патента: CN101817526B. Автор: 罗其洋,陈云根. Владелец: ZHEJIANG YUANSHENG SILICON MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Finishing oil for manufacturing of continuous silicone carbide fiber and application process thereof

Номер патента: CN101613952B. Автор: 王军,王应德,李义和,宋永才,王得印. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-06-15.

Method for manufacture of products from sheet thermoplastics and device for method realisation

Номер патента: RU2361736C1. Автор: Юрий Алексеевич Афиногенов,Евгений Валерьевич Гальцов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Сибирский научно-исследовательский институт геологии, геофизики и минерального сырья. Дата публикации: 2009-07-20.

Method for producing silicon nitride-bonded silicon carbide refractory

Номер патента: JP2781440B2. Автор: 茂半澤,敏之伊藤. Владелец: NGK Adrec Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-30.

Fabric and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2249065C2. Автор: Е.П. Лаврентьева,Н.П. Орлова,Л.С. Ковальчук,Л.К. Акулова,Н.С. Афтаева,Е.В. Дымникова,Л.А. Перкова,Л.М. Легчилина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Центральный научно-исследовательский институт хлопчатобумажной промышленности. Дата публикации: 2005-03-27.

Method for forming of configured chocolate articles (versions), method for manufacture of mold, and mold

Номер патента: RU2246223C2. Автор: И.Б. Эльдарханова,А.И. Коваленский. Владелец: ООО "Кондитерская фабрика "Конфаэль". Дата публикации: 2005-02-20.

METHODS FOR THE EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE

Номер патента: US20130062628A1. Автор: DAS Hrishikesh,SUNKARI Swapna,OLDHAM Timothy,CASADY Janna B.. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for preparing fine powder of silicon carbide

Номер патента: CN1951574A. Автор: 夏玉策. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for synthesizing p type doped silicon carbide by microwave in situ reaction

Номер патента: CN105271234A. Автор: 张�浩,王继刚,周清. Владелец: ZHANGJIAGANG DONGDA INDUSTRY TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2016-01-27.

METHOD FOR PRODUCING ANTIFRICTION PRODUCTS FROM SILICON CARBIDE

Номер патента: RU2005125692A. Автор: Юрий Иванович Белоусов,Михаил Петрович Ланде,Андрей Федорович Коренякин,Евгений Николаевич Кондратьев,Павел Павлович Боронин,Валерий Иванович Колесников,Александр Алексеевич Заруденский,Юрий Иванович Белоусов (RU),Михаил Петрович Ланде (RU),Павел Павлович Боронин (RU),Валерий Иванович Колесников (RU),Александр Алексеевич Заруденский (RU),кин Андрей Федорович Корен (RU),Евгений Николаевич Кондратьев (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Астраханьгазпром" (RU). Дата публикации: 2007-02-20.

Method for producing long fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: JP3140701B2. Автор: 梅澤正信,薫田幸一郎. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-05.

Method for preparation of graphite surface silicon carbide coating

Номер патента: CN102850085A. Автор: 孙鹏飞,孙丰武,单连文. Владелец: World Qingdao Carbon Element Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-02.

Flotation device and method for removing free carbon in silicon carbide powder

Номер патента: CN105127009A. Автор: 郭世杰. Владелец: LIANYUNGANG ROTA ABRASIVES Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

Method for roasting ceramic products from silicon carbide

Номер патента: SU1039925A1. Автор: Павел Степанович Кислый,Валентин Константинович Казаков,Майя Александровна Кузенкова. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Сверхтвердых Материалов Ан Усср. Дата публикации: 1983-09-07.

Номер патента: RU2006143026A. Автор: Владимир Михайлович Каневский,Александр Николаевич Дерябин,Евгений Олегович Тихонов,Владимир Михайлович Каневский (RU),Евгений Олегович Тихонов (RU),Александр Николаевич Дерябин (RU). Владелец: Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU). Дата публикации: 2008-06-20.

Номер патента: RU2307369C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-09-27.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты