Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components
Номер патента: US20230334337A1
Опубликовано: 19-10-2023
Автор(ы): Roland Rupp, Ronny Kern
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-10-2023
Автор(ы): Roland Rupp, Ronny Kern
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device
Номер патента: US11984492B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-14.