• Главная
  • High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Silicon carbide ceramic composition and method of making

Номер патента: US6680267B2. Автор: Vimal K. Pujari,William T. Collins. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Self-lubricating ceramic composites

Номер патента: US20030050178A1. Автор: Vinod Agarwala,Alfeo Conte. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2003-03-13.

Composite material with carbon reinforced fibers and its production

Номер патента: US5284685A. Автор: Gerard Rousseau. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1994-02-08.

Method for producing silicon carbide sintered body

Номер патента: US20180282227A1. Автор: Hiroki Ishida,Hironori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Ceramic composites and methods of making and using the same

Номер патента: US12006267B2. Автор: Chengying Xu. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2024-06-11.

Silicon carbide ceramic matrix composites

Номер патента: US09650303B2. Автор: Kang N. Lee,Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Graphite blending method for ceramic shrinkage control

Номер патента: US09751811B1. Автор: Patrick David Tepesch,Daniel Edward Mccauley,Anthony Nicholas Rodbourn. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Exfoliated boron nitride for interface coating for ceramic matrix composites

Номер патента: EP4321495A1. Автор: Andrew Joseph LAZUR,Mary Colby,Kenneth PETROSKI. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-14.

Exfoliated boron nitride for interface coating for ceramic matrix composites

Номер патента: US20240051879A1. Автор: Andrew Joseph LAZUR,Mary Colby,Kenneth PETROSKI. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Discontinuous silicon carbide fiber reinforced ceramic composites

Номер патента: GB2114620A. Автор: Karl Michael Prewo,John Joseph Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-08-24.

A Method for Silicon Carbide Slip Casting and Sintering

Номер патента: LU102184B1. Автор: Changqing Li,Yansong Li,Baoliang Liu. Владелец: Univ Guangdong Petrochem Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Processing method for ceramic-based composite material

Номер патента: US20220411338A1. Автор: Yasuhiko Tsuru,Hiromichi AKIYAMA. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method For Combined Desizing And Interface Coating Of Fibers For Ceramic Matrix Composites

Номер патента: US20160264475A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of producing silicon carbide sintered body for heater

Номер патента: US20070117722A1. Автор: Toshikazu Shinogaya,Fumio Odaka,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: EP3231782A1. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-18.

Alumina-titanium carbide-silicon carbide composition

Номер патента: US5059564A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Elizabeth R. Billman. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1991-10-22.

Ceramic composites reinforced with modified silicon carbide whiskers

Номер патента: US4916092A. Автор: Terry N. Tiegs,Terrence B. Lindemer. Владелец: Martin Marietta Energy Systems Inc. Дата публикации: 1990-04-10.

Method for producing a silicon carbide coated clay

Номер патента: US4987011A. Автор: Camilla A. Rice. Владелец: ECC America Inc. Дата публикации: 1991-01-22.

Manufacturing Method for Ceramic Composite Material

Номер патента: US20180327318A1. Автор: Mathias Buttet. Владелец: Hublot SA. Дата публикации: 2018-11-15.

Carbon fiber composite materials

Номер патента: US6413640B1. Автор: Shigeru Hanzawa,Kenji Nakano. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-07-02.

Ceramic substrate with reaction-bonded silicon carbide having diamond particles

Номер патента: US12054439B2. Автор: Samuel M. Salamone,Glen Evans, JR.. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Ceramic substate with reaction-bonded silicon carbide having diamond particles

Номер патента: US20240360049A1. Автор: Samuel M SALAMONE,Glenn EVANS, JR.. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Fuel high temperature antioxidant additive

Номер патента: WO2020117520A1. Автор: David J. Abdallah. Владелец: EXXONMOBIL RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY. Дата публикации: 2020-06-11.

Fuel high temperature antioxidant additive

Номер патента: US20200181514A1. Автор: David J. Abdallah. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2020-06-11.

Composite type material for ceramic electric heating body

Номер патента: EP4036072A1. Автор: Peter Leigh. Владелец: Chongqing Le Mark Ceramic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: US12054433B2. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same

Номер патента: WO1994018141A1. Автор: Xin E. Chen,Mark E. Pfaff. Владелец: THE MORGAN CRUCIBLE COMPANY PLC. Дата публикации: 1994-08-18.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: EP4211093A1. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Composite material for ceramic electric heating element

Номер патента: US20230354480A1. Автор: Peter Leigh. Владелец: Chongqing Le Mark Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Composite material for ceramic electric heating element

Номер патента: CA3154927A1. Автор: Peter Leigh. Владелец: Chongqing Le Mark Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Process for forming carbon fibre reinforced ceramic composite

Номер патента: GB2475233A. Автор: Julio Joseph Faria. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-18.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: CA2974485C. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Nanocrystalline composite material based on al2o3 - zro2 - sio2 and its production method

Номер патента: WO2009033435A1. Автор: Karel Neufuss,Tomas Chraska. Владелец: Eutit, Ltd.. Дата публикации: 2009-03-19.

Microstructured fiber interface coatings for composites

Номер патента: US12060304B2. Автор: Ying She,Richard Wesley Jackson,Gajawalli V. Srinivasan. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Extrudable ceramic composition and method of producing

Номер патента: RU2706077C2. Автор: Таб Хантер КРУКС,Сангваванн ХЕНГ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-11-14.

Silicon carbide articles reinforced with short graphite fibers

Номер патента: US6030913A. Автор: Udo Gruber,Michael Heine. Владелец: SGL Technik GmbH. Дата публикации: 2000-02-29.

Carbon-silicon carbide composite material and method for the preparation thereof

Номер патента: US5326732A. Автор: Ichitaro Ogawa. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1994-07-05.

Silicon carbide production method and silicon carbide composite material

Номер патента: EP3470385A1. Автор: Yoshinori Ikeda,Masanori Maeda,Azusa Kohno. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2019-04-17.

Method for forming fibrous silicon carbide insulating material

Номер патента: US4481179A. Автор: George C. Wei. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1984-11-06.

Removing colorization on silicon carbide ceramic matrix composites

Номер патента: US11760695B2. Автор: Weiming Lu,Jun NABLE. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

High temperature interfaces for ceramic composites

Номер патента: US11866377B2. Автор: Bahram Jadidian,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Ceramic Composite Materials, Articles, and Methods

Номер патента: US20210317046A1. Автор: Cheryl Xu. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Silicon carbide sintered body and sliding component using the same, and protective body

Номер патента: US09388083B2. Автор: Kazuhiro Ishikawa,Mieko Yashima,Mami IIDA,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Composite material with carbon reinforcing fibres and its production process

Номер патента: CA1329070C. Автор: Gerard Rousseau. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1994-05-03.

Method for manufacturing a part made of a composite material

Номер патента: US11802089B2. Автор: Eric Philippe,Aurelia Clerambourg,Emilie Mendez,Denis Vicien. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-10-31.

Multi-phasic ceramic composite

Номер патента: US20200354278A1. Автор: Diana R. TIERNEY,Matthew CREEDON,Tom J. TRUNZO,Kenneth R. DELAHUNTY. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Multi-phasic ceramic composite

Номер патента: EP3452430A1. Автор: Diana R. TIERNEY,Matthew CREEDON,Tom J. TRUNZO,Kenneth R. DELAHUNTY. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Multi-phasic ceramic composite

Номер патента: US20170320782A1. Автор: Diana R. TIERNEY,Matthew CREEDON,Tom J. TRUNZO,Kenneth R. DELAHUNTY. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Multi-phasic ceramic composite

Номер патента: US20200024195A1. Автор: Diana R. TIERNEY,Matthew CREEDON,Tom J. TRUNZO,Kenneth R. DELAHUNTY. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Pressed silicon carbide ceramic (sic) fluidic modules with integrated heat exchange

Номер патента: US20230219053A1. Автор: James Scott Sutherland,Alexander Lee CUNO,Howen LIM. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Process for sintering silicon carbide

Номер патента: US09556073B2. Автор: Dale Adams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

Process for dispersing silicon carbide whiskers

Номер патента: US4956316A. Автор: Linda C. Sawyer. Владелец: Hoechst Celanese Corp. Дата публикации: 1990-09-11.

Composite ceramic material reinforced with silicon carbide whiskers

Номер патента: US4946807A. Автор: Akiyasu Okuno,Masakazu Watanabe. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1990-08-07.

Sintered polycrystalline composite materials based on boron nitride

Номер патента: CA1240711A. Автор: Klaus Hunold,Alfred Lipp,Peter Sindlhauser. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1988-08-16.

Silicon carbide monofilaments for improved composite properties and method

Номер патента: CA2001984A1. Автор: Raymond Loszewski. Владелец: Avco Corp. Дата публикации: 1990-05-28.

Method of making a water resistant silicate based ceramic composite material

Номер патента: WO2006124057A2. Автор: Richard L. Weir. Владелец: Hottec, Inc.. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of making a water resistant silicate based ceramic composite material

Номер патента: WO2006124057A3. Автор: Richard L Weir. Владелец: Hottec Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Silicon carbide powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534316B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Bum Sup Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

Zirconium oxide-based composite material

Номер патента: US09783459B2. Автор: Meinhard Kuntz,Kilian Friederich,Lukas Gottwik,Andreas Morhardt,Juliane Ehrlich,Alessandro Alan Porporati. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for making airgels and composite material based on airgel

Номер патента: RU2721110C2. Автор: Лукас ХУБЕР,Иво КИМ-МИЮШКОВИЧ. Владелец: Флумрок Аг. Дата публикации: 2020-05-15.

Composite material

Номер патента: EP2914554A1. Автор: Alasdair BREMNER,David Stuart BINNS. Владелец: University of Central Lancashire. Дата публикации: 2015-09-09.

Composite material

Номер патента: US09452949B2. Автор: Alasdair BREMNER,David Stuart BINNS. Владелец: University of Central Lancashire. Дата публикации: 2016-09-27.

Impregnation of ceramic composite material

Номер патента: EP4396154A1. Автор: Yang Bai,Heli Jantunen,Jari JUUTI,Mikko NELO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Impregnation of ceramic composite material

Номер патента: US20240351953A1. Автор: Yang Bai,Heli Jantunen,Jari JUUTI,Mikko NELO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Impregnation of ceramic composite material

Номер патента: WO2023031515A1. Автор: Yang Bai,Heli Jantunen,Jari JUUTI,Mikko NELO. Владелец: OULUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2023-03-09.

Composite material and production method for composite material

Номер патента: US7223464B2. Автор: Shigeru Hanzawa,Naoki Hashimoto. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-05-29.

Protective overlayer for ceramics

Номер патента: EP1394139A3. Автор: Christian X. Campbell,E. Lane Jay. Владелец: Siemens Westinghouse Power Corp. Дата публикации: 2004-06-30.

Continuous length silicon carbide fiber reinforced ceramic composites

Номер патента: US4324843A. Автор: Karl M. Prewo,John J. Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1982-04-13.

Silicon carbide fiber reinforced ceramic composites

Номер патента: CA1156044A. Автор: Karl M. Prewo,John J. Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Protective overlayer for ceramics

Номер патента: US7001679B2. Автор: Christian X. Campbell,Jay E. Lane. Владелец: Siemens Westinghouse Power Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

Composite material with coating layer

Номер патента: EP4303256A1. Автор: Reinhard Kräuter,MARCO SÜß,Kay Uwe Rehberg,Mathias Frank Kuhnt. Владелец: Acs International Products LP. Дата публикации: 2024-01-10.

Composite material with coating layer

Номер патента: CA3205505A1. Автор: Reinhard Kräuter,MARCO SÜß,Kay Uwe Rehberg,Mathias Frank Kuhnt. Владелец: Acs International Products LP. Дата публикации: 2024-01-07.

Silicon carbide-tantalum carbide composite and susceptor

Номер патента: US09764992B2. Автор: Masato Shinohara. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: EP4365153A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: US20150018448A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-15.

Silicon carbide seed crystal

Номер патента: US20240262084A1. Автор: Ray-Hua Horng,Ying-Ru Shih,Tsung-Po Chuang,Chai-Wei Ku. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: EP3019318A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-05-18.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: WO2015006025A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for the treatment of silicon carbide fibres

Номер патента: US09574299B2. Автор: Sylvie Loison,Jean Luc Laquet,Jean Philippe Rocher. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Double-sealed fuel rod end plug for ceramic-containing cladding

Номер патента: US20200118696A1. Автор: Edward J. Lahoda,Radu O. Pomirleanu. Владелец: Westinghouse Electric Co LLC. Дата публикации: 2020-04-16.

Branched polysilahydrocarbon precursors for silicon carbide

Номер патента: CA1225511A. Автор: Thomas C. Williams,Curtis L. Schilling, Jr.. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1987-08-18.

Silicon carbide sintered article and method

Номер патента: US5338576A. Автор: Shigeru Hanzawa,Tsuneo Komiyama. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1994-08-16.

Composite powder comprising silicon nitride and silicon carbide

Номер патента: US5767025A. Автор: Hitoshi Toyoda,Yoshikatsu Higuchi,Kazumi Miyake,Kagehisa Hamazaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method of making a water resistant silicate-based ceramic composite material

Номер патента: US20090165677A1. Автор: Richard L. Weir. Владелец: Hottec Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Coatings for electronic devices, solar cells, composite materials, and methods

Номер патента: US12040140B2. Автор: Biwu Ma,Qingquan He. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Coatings for Electronic Devices, Solar Cells, Composite Materials, and Methods

Номер патента: US20230027415A1. Автор: Biwu Ma,Qingquan He. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for producing low-loss tunable ceramic composites with improved breakdown strengths

Номер патента: EP1422209A3. Автор: Xubai Zhang,Louise Sengupta,Luna H. Chiu. Владелец: Paratek Microwave Inc. Дата публикации: 2006-05-03.

High temperature antioxidants and lubricants containing same

Номер патента: GB1215433A. Автор: . Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1970-12-09.

High Temperature Antioxidants and Lubricants containing them

Номер патента: GB1180385A. Автор: Anthony Arnold John Mundye,Stanley George Rudston. Владелец: BP PLC. Дата публикации: 1970-02-04.

Fuel High Temperature Antioxidant Additive

Номер патента: US20200080015A1. Автор: Abdallah David J.,Lengyel Zsolt,Noorman Mike T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Fuel high temperature antioxidant additive

Номер патента: US20200181514A1. Автор: David J. Abdallah. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2020-06-11.

FUEL HIGH TEMPERATURE ANTIOXIDANT ADDITIVE

Номер патента: US20200181515A1. Автор: Abdallah David J.,Lengyel Zsolt. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Alkylated tertiary amines as high-temperature antioxidants for ester base lubricants

Номер патента: US3849322A. Автор: D Daniels,K Wendler. Владелец: WR Grace and Co. Дата публикации: 1974-11-19.

Composite material made of aluminum alloy reinforced with silicon carbide.

Номер патента: DE68924703D1. Автор: Hiroyuki Morimoto,Kenichiro Ouchi,Hiroshi Iwamura. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1995-12-07.

Composite material of zn-a1 alloy reinforced with silicon carbide powder

Номер патента: EP0256600A3. Автор: Renato Guerriero,Ilario Tangerini. Владелец: Nuova Samim SpA. Дата публикации: 1989-07-19.

Conductive composite material for extrusion based on carbon nanotubes

Номер патента: KR20220074256A. Автор: 정우석,신동혁. Владелец: 주식회사 우성케미칼. Дата публикации: 2022-06-03.

A kind of mixing photon crystal composite material and application based on modified with folic acid

Номер патента: CN108546682A. Автор: 陈宝安. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-phase PDMS composite material preparation method based on seepage theory and intelligent foot pad

Номер патента: CN114381032A. Автор: 林红,陈宇岳,张德锁,任孟. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-22.

Method of producing composite material with metal matrix

Номер патента: RU2536847C2. Автор: Изабелль БУРЕШ,Вернер КРЕММЕР. Владелец: Виланд-Верке Аг. Дата публикации: 2014-12-27.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods of producing photosensitive ceramic composition and multi-layer substrate using it

Номер патента: EP1447712A4. Автор: Takenori Ueoka,Tomoya Yamashiki,Mitsuyo Shimba. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2008-04-02.

Methods of producing photosensitive ceramic composition and multi-layer substrate using it

Номер патента: EP1447712B1. Автор: Takenori Ueoka,Tomoya Yamashiki,Mitsuyo Shimba. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2009-04-15.

Methods of producing photosensitive ceramic composition and multi-layer substrate using it

Номер патента: EP1447712A8. Автор: Takenori Ueoka,Tomoya Yamashiki,Mitsuyo Shimba. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2004-10-06.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: WO2015035465A1. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Composite material

Номер патента: EP3950991A1. Автор: Isao Iwayama,Ryota MATSUGI,Takahiro NISHIMIZU. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Silicon carbide wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12037704B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4411788A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Glass-ceramic composite material

Номер патента: US20240025800A1. Автор: Po-Liang Lai,Chi-yun WANG,Pin-Yi Chen,Kuei-Chih FENG,Chi-Shun Tu,Yu-Jie WU,Shyang-Yih Kung,Guan-Yi Hung. Владелец: Chang Gung Memorial Hospital. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20240254656A1. Автор: Hiroki Takaoka,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09903046B2. Автор: Michael John O'Loughlin,Joseph John Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for repairing gas turbine components made of ceramic composite materials

Номер патента: US09527170B2. Автор: Stefan Czerner. Владелец: Lufthansa Technik AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12125881B2. Автор: Hiromu Shiomi,Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Charge for production of silicon carbide

Номер патента: RU2673821C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2018-11-30.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384385A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Apparatus for producing bulk silicon carbide

Номер патента: US20210087706A1. Автор: Santhanaraghavan Parthasarathy,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

High-entropy metal/ceramic composite materials for harsh environments

Номер патента: US20240011132A1. Автор: Fei Wang,Bai Cui. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US09512542B2. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Composite material based on alloys, manufactured in situ, reinforced with tungsten carbide and methods of its production

Номер патента: ZA202108634B. Автор: Ewa Olejnik. Владелец: Innerco Sp Z O O. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: US20240240357A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4095291A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Method for manufacturing honeycomb structure containing silicon carbide

Номер патента: US12103856B2. Автор: Keisuke Kimura,Suguru KODAMA,Taku Nishigaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon carbide EPI wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09991344B2. Автор: Seok Min Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09631296B2. Автор: Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Naoki Ooi,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal-ceramic composites for tribological uses and defined sliding/friction pairs based on said materials

Номер патента: AU2003212253A1. Автор: Gerd Meier,Ilka Lenke. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2003-09-16.

Composition for ceramic substrate and ceramic circuit component

Номер патента: US20020019304A1. Автор: Kazuo Kishida,Hiroshi Takagi,Akira Shiratori,Osamu Yokokura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234515A9. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Ingot, silicon carbide substrate, and method for producing ingot

Номер патента: US9546437B2. Автор: Makoto Sasaki,Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Coloured silicon carbide

Номер патента: WO2001074951A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: ALTRO LIMITED. Дата публикации: 2001-10-11.

Coloured silicon carbide

Номер патента: EP1268676A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: Altro Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: EP2563950A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: WO2011137202A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-11-03.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicone carbide crystals and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200190693A1. Автор: Ching-Shan Lin,I-Ching Li,Chien-Cheng Liou,Jian-Hsin Lu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Device and method for the production of silicon carbide

Номер патента: AU2023214706A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US20240332002A1. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12091772B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

EPOXY resin composition, prepreg and fiber-reinforced composite materials

Номер патента: US09738782B2. Автор: Takayuki Fujiwara,Kenichi Yoshioka,Jun Misumi,Mami Hayashi. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Shear thickening formulation and composite material employing the same

Номер патента: US09670334B2. Автор: Cheng-Yi Lin,Shih-Ming Chen,Wei-Hao LAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-06-06.

Determining mechanical properties of composite materials

Номер патента: US20190370424A1. Автор: Younane N. ABOUSLEIMAN,Yanhui HAN. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-12-05.

Determining mechanical properties of composite materials

Номер патента: CA3100967A1. Автор: Younane N. ABOUSLEIMAN,Yanhui HAN. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-12-05.

Methods for determining mechanical properties of composite materials

Номер патента: EP3803642A1. Автор: Younane N. ABOUSLEIMAN,Yanhui HAN. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20120241764A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Shaping method of composite material honeycomb prepared based on stretching process

Номер патента: CN114851617A. Автор: 陈晓健,吴林志,于国财,初子祺. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2022-08-05.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5629531A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5776837A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A2. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A4. Автор: Richard L Woodin,William F Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: US20080227275A1. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng,Carl Anthony Witt. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Terahertz modulator based on silicon micro-nano structure and its preparation method

Номер патента: LU500934B1. Автор: Jingbo Liu,Dongxiong LING,Qinnan Zhang. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2022-06-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Measurement of moisture in composite materials with near-ir and mid-ir spectroscopy

Номер патента: WO2010059480A1. Автор: Gregory J Werner,William B Grace,Paul H Shelley. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2010-05-27.

Measurement of Moisture in Composite Materials with Near-IR and MID-IR Spectroscopy

Номер патента: US20100123079A1. Автор: Paul H. Shelley,William B. Grace,Gregory J. Werner. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-05-20.

Light engine based on silicon photonics tsv interposer

Номер патента: US20230299008A1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Light engine based on silicon photonics TSV interposer

Номер патента: US12057403B2. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Die division method and inspection apparatus for avoiding defects locations on silicon carbide wafers

Номер патента: US20220199470A1. Автор: Min Park,Jongho YOON. Владелец: Etamax Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Process of modifying surface of a composite material base unit

Номер патента: US20240217165A1. Автор: Kipp Grumm,Elias Ruda Shakour,Ankur M Bhosale. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-04.

Composite materials enabling non-destructive testing

Номер патента: US20190266719A1. Автор: Markus ZELLHUBER,Christian KOMMER,Philipp MEIERLING. Владелец: AIRBUS HELICOPTERS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2019-08-29.

Laser device integrated with semiconductor optical amplifier on silicon substrate

Номер патента: US09960567B2. Автор: Taek Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Polymeric composite material based on bentonite

Номер патента: RU2634549C1. Автор: Олег Андреевич Баев. Владелец: Олег Андреевич Баев. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming a sealed outer ring for ceramic regenerator

Номер патента: US4200604A. Автор: Chester J. Dziedzic,Richard N. Kleiner,Joseph J. Cleveland. Владелец: GTE Sylvania Inc. Дата публикации: 1980-04-29.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729A2. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-08-11.

Silicon carbide substrate, silicon carbide wafer, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250128A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371945A1. Автор: Ching-Shan Lin,Ying-Ru Shih,Chung Chi Yang,Chih Shan Tan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Silicon carbide vertical field effect transistor

Номер патента: US20140008666A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Gap fillers for composite materials

Номер патента: US20180071962A1. Автор: Andrew Klimovski,Karlgren Ka-Tsun Lai. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-03-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11715768B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US09704718B2. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide switching devices including P-type channels

Номер патента: US09552997B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of producing laminated composite materials

Номер патента: RU2721115C1. Автор: Бернхард ЭККЕРТ. Владелец: Джонс Мэнвилл Юроп Гмбх. Дата публикации: 2020-05-15.

Cap for ceramic blade tip shroud

Номер патента: CA2783436C. Автор: John Peter Heyward,Joshua Tyler Mook,Chad Daniel Kleinow,Michael Joseph Danowski,Michael George Abbott. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-08-20.

Composite materials

Номер патента: GB1333711A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-10-17.

Laser Assisted SiC Growth On Silicon

Номер патента: US20180226247A1. Автор: Tim Hogan,Amanpreet Kaur,Premjeet Chahal. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160225855A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160056257A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150295048A1. Автор: Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Silicon carbide transistor device

Номер патента: US12062698B2. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Sulfide Coatings For Ultra-Stable Cathodes Of Lithium Batteries

Номер патента: US20240282913A1. Автор: XIN Wang,Xiangbo Meng. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Integrated silicon carbide ultraviolet sensors and methods

Номер патента: US11031513B1. Автор: Matthew Francis,James A. Holmes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-08.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

A method for reducing warpage of silicon carbide substrate

Номер патента: ZA202308586B. Автор: Shen Xiaoyu,Shen Mengfei,Chen Wenjin. Владелец: Huzhou Tony Semiconductor Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon carbide substrate and method for producing silicon carbide substrate

Номер патента: US09882010B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment

Номер патента: US09837270B1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691859B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09520285B2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240213332A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230335632A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide power device equipped with termination structure

Номер патента: US20150102362A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210265469A1. Автор: Toru Hiyoshi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy

Номер патента: NZ572662A. Автор: Michael S Mazzola. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-02-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332414A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices

Номер патента: US09960247B2. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Bochao Huang,Da Teng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Composition for pigment dying based on specific acrylic polymer and on silicone copolymer and dying method

Номер патента: RU2643298C2. Автор: Карен ТЕБУЛЬ. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2018-01-31.

Preparation method of high-temperature antioxidant coating

Номер патента: CN104744058A. Автор: 王建国,李国安,李寿全. Владелец: MA'ANSHAN XINGDA METALLURGICAL NEW MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-01.

High temperature antioxidants and lubricants containing them

Номер патента: AU2440967A. Автор: ARNOLD JOHN MUNDIE and STANLEY GEORGE ROBSTON ANTHONY. Владелец: BP PLC. Дата публикации: 1969-01-16.

High temperature antioxidants and lubricants containing them

Номер патента: AU416579B2. Автор: ARNOLD JOHN MUNDIE and STANLEY GEORGE ROBSTON ANTHONY. Владелец: BP PLC. Дата публикации: 1969-01-16.

High temperature antioxidants and lubricants containing them

Номер патента: CA883208A. Автор: G. Rudston Stanley,A. J. Mundye Anthony. Владелец: BP PLC. Дата публикации: 1971-10-12.

High temperature antioxidants and lubricants containing same

Номер патента: AU5060269A. Автор: John Romano Joseph. Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1970-08-20.

Composite material preparation method based on hot die pressing cracking

Номер патента: CN114315400A. Автор: 胡海峰. Владелец: Hunan Yuanhui Composite Material Co ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

DRYING METHOD FOR CERAMIC GREENWARE

Номер патента: US20120001358A1. Автор: "OBrien James J.",Clark Terence J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Crosslinkable Materials Based On Organosilicon Compounds

Номер патента: US20120004364A1. Автор: . Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Recovery of surface-ready silicon carbide substrates

Номер патента: MY116049A. Автор: H Negley Gerald. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-10-31.

TRANSPARENT CERAMIC COMPOSITE

Номер патента: US20120001027A1. Автор: . Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS. Дата публикации: 2012-01-05.

INDUSTRIAL OVEN FOR CURING COMPOSITE MATERIAL STRUCTURES

Номер патента: US20120003597A1. Автор: . Владелец: ASC PROCESS SYSTEMS. Дата публикации: 2012-01-05.

AIRCRAFT FUSELAGE MADE OUT WITH COMPOSITE MATERIAL AND MANUFACTURING PROCESSES

Номер патента: US20120001023A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTERNAL STRUCTURE OF AIRCRAFT MADE OF COMPOSITE MATERIAL

Номер патента: US20120001024A1. Автор: . Владелец: AIRBUS OPERATIONS S.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon carbide based powder material

Номер патента: RU2117066C1. Автор: Николай Филиппович Гадзыра. Владелец: Николай Филиппович Гадзыра. Дата публикации: 1998-08-10.