Soi substrate and manufacturing method thereof
Номер патента: US20170256616A1
Опубликовано: 07-09-2017
Автор(ы): Deyuan Xiao
Принадлежит: Zing Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-09-2017
Автор(ы): Deyuan Xiao
Принадлежит: Zing Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof
Номер патента: US11114378B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.