SOI substrate and method of manufacturing the same
Номер патента: US20070108522A1
Опубликовано: 17-05-2007
Автор(ы): Noriyuki Takao
Принадлежит: NEC Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-05-2007
Автор(ы): Noriyuki Takao
Принадлежит: NEC Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Soi substrate, method of manufacturing the soi substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device
Номер патента: US20120193714A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.