• Главная
  • Method of forming mask pattern and method of fabricating semiconductor device using the same

Method of forming mask pattern and method of fabricating semiconductor device using the same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of forming holes using mask pattern structures

Номер патента: US09627201B2. Автор: Jae-woo Nam,Eun-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020105085A1. Автор: Noriyuki Sakuma,Kenji Hinode,Takeshi Furusawa,Daisuke Ryuzaki,Shuntaro Machida,Ryou Yoneyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157198A1. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Joon-Nyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US8896129B2. Автор: Kazuki Fukuoka,Naozumi Morino,Yoshinori Deguchi,Ryo Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7736990B2. Автор: Hiroshi Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of Transferring Tin Sulfide Film and Photoelectric Device Using the method

Номер патента: US20190341511A1. Автор: Joon Dong Kim,Malkeshkumar PATEL. Владелец: INU Research & Business Foundation. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of designing mask layout based on error pattern and method of manufacturing mask

Номер патента: US20220043359A1. Автор: Seunghune YANG,Sangoh PARK,Hungbae AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130062695A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of heating soc film on wafer and heating apparatus using the same

Номер патента: US20200203151A1. Автор: Sungkun Jang,Jong-Kill Lim,Jiyong YOO. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of fabricating crystalline silicon and switching device using crystalline silicon

Номер патента: US20050064675A1. Автор: Young-joo Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

A semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230120791A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09496365B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: EP2015363A4. Автор: Takeyoshi Masuda,Shinji Matsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-05-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230230937A1. Автор: Dong Young Kim,Young-Min Ko,Hyunuk Jeon,Yuseon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US12009250B2. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5897345A. Автор: Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Modular semiconductor devices and electronic devices incorporating the same

Номер патента: US20230411263A1. Автор: Soohan Park,KyungEun Kim,Hyesun Kim,Youjin Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of forming contact and semiconductor device manufactured by using the method

Номер патента: US20130277848A1. Автор: Ki Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and process for making the same

Номер патента: US4270262A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Ryoichi Hori,Kiyoo Itoh,Norikazu Hashimoto,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-06-02.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP3955297A2. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor device and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US11744073B2. Автор: Keun Lee,Kyungwook Park,Hauk Han,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12125791B2. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US12119299B2. Автор: Sho Nakagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US09929132B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09780039B2. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US11916120B2. Автор: Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU,Seung Man LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US20170133360A1. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US20150349048A1. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US9577027B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230009932A1. Автор: Sunyoung Lee,Seokcheon Baek,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20170345760A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP3955297A3. Автор: Junghwan Lee,Jeeyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-13.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20160163649A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230371254A1. Автор: Hyo-Jung Kim,Boun Yoon,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US7235830B2. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040259319A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20060054944A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20240096689A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09941285B2. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US9780095B2. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20170352667A1. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20170243871A1. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20180323299A1. Автор: Shiro Hino,Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of detecting defects in a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US8952716B2. Автор: Yong Min Cho,Dong-ryul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing semiconductor wafer and semiconductor device

Номер патента: US20240363363A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040124479A1. Автор: TAKAGI Takeshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of producing epitaxial substrate for solid-state imaging device, and method of producing solid-state imaging device

Номер патента: US20100311199A1. Автор: Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP3819932A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-12.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210143102A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230326863A1. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US11996367B2. Автор: Jaeeun Lee,Yeongkwon Ko,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of processing light-emitting elements, system and device using the same

Номер патента: US20240258455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chang-Lin LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of fabricating small-area semiconductor devices

Номер патента: US3575732A. Автор: Arthur Uhlir Jr. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1971-04-20.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of fabricating an rf semiconductor device with an enclosed cavity

Номер патента: EP4290562A1. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Reticle chuck in exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20020013069A1. Автор: Yukihiro Yokota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of processing light-emitting elements, system and device using the same

Номер патента: US11961938B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chang-Lin LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240071791A1. Автор: Jin Hee Lee,Tae Soon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: US5326717A. Автор: Osamu Oda,Toyoaki Imaizumi,Hironobu Sawatari. Владелец: Nikko Kyodo Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor devices and chuck assembly comprising the same

Номер патента: US20020066727A1. Автор: Min-O Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A3. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and fabricating method for the same

Номер патента: US20060138554A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240055486A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12082404B2. Автор: Seongjun Seo,Kang-Sup Roh,Wookhyoung LEE,Youngmo Ku,Yongin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

A Semiconductor Device and a Method Making the Same

Номер патента: US20220262750A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220336586A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110248346A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12089407B2. Автор: Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09673159B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09397171B2. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Tray handling apparatus and semiconductor device inspecting method using the same

Номер патента: US20100032262A1. Автор: Sang-Yun Lee,Youn-Soo Kim,Ssang-geun Im,Seung-gyu Ko. Владелец: Intekplus Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same

Номер патента: US20020081754A1. Автор: Tomohiro Hosokawa,Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220375959A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Sukkang SUNG,Sangdon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240196622A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A2. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20230268248A1. Автор: Seonho Lee,Jinsu Kim,Yongjin PARK,Junwoo Myung,Jaekul LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20100001348A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US11670568B2. Автор: Seonho Lee,Jinsu Kim,Yongjin PARK,Junwoo Myung,Jaekul LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150287726A1. Автор: Hideyuki Akanuma,Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Dispenser and method of fabricating organic light emitting display device using the same

Номер патента: US09751096B2. Автор: Seung-Hyun Lee,Sang-Hyun Bae,Min-Ju Kim,Yong-Woo Yoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating a vertical semiconductor device

Номер патента: US11778825B2. Автор: Taehun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09536895B2. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Chanjin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing a semiconductor package and wire bonding apparatus for performing the same

Номер патента: US09484323B2. Автор: Seok-Won JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Method of manufacturing a solar cell and the solar cell manufactured by the same (as amended)

Номер патента: US20110214737A1. Автор: Yoshinori Suga,Shintaro Inoue,Noriyuki KITAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224532A1. Автор: Sunggil Kim,Jumi Bak,Eun- Young LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240347455A1. Автор: Hyunho Kim,Jang-Gn Yun,Jeehoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: WO2019091493A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device, electric circuit using the same and method of controlling electric circuit

Номер патента: US9293570B2. Автор: Akio Iwabuchi,Hironori Aoki. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020158246A1. Автор: Shoji Kitamura,Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing light emitting device including metal patterns and cut-out section

Номер патента: US09847463B2. Автор: Kazuhiro Kamada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20120108000A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230284450A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240357806A1. Автор: Youngho KWON,Jea-Yeon Lee,Seonkyung Kim,Hyunkook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230317607A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Semiconductor device and fabrication method for the same, and light modulation device and fabrication method for the same

Номер патента: US20090294906A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

High efficiency MOS semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030075739A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US09887450B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20080315369A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315021A1. Автор: Jonghyun Park,Bongtae Park,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim,Juwon IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312937A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US20170110159A1. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of manufacturing channel all-around semiconductor device

Номер патента: US11715765B2. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Stacked semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US10153006B2. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Capacitor of semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020125519A1. Автор: Hyuk Kim,Seung Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7071500B2. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230061462A1. Автор: Shibing QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Compound semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20060131607A1. Автор: Hisashi Yamada,Takenori Osada,Noboru Kukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US9530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240298441A1. Автор: Hyo-Jung Kim,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20110133290A1. Автор: Satoru Muramatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240284678A1. Автор: Kijoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315057A1. Автор: Dahhye Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Stacked layer type semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20130294134A1. Автор: Ho Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240341094A1. Автор: Sangho Rha,Daeho Kim,Jiyoun Seo,Byung-Sun Park,Su Jong Kim,Mingyu JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US09887147B2. Автор: Masamichi Ishihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US09847321B2. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US09728243B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716089B2. Автор: Hao ZHONG,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and driving method for the same

Номер патента: US09595958B1. Автор: Hayato Nakano,Ryohei Takayanagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09502384B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09461122B2. Автор: Hisashi Saito,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220344368A1. Автор: Sangmin Kang,Sunggil Kim,Jeeseung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20170069836A1. Автор: Kazuhiro Tomioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US4860087A. Автор: Toshimasa Kihara,Kiyoshi Matsubara,Tadashi Yamaura,Norishige Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US6853019B2. Автор: Masaharu Mizuno,Shigeo Noda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-08.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20230402097A1. Автор: Yongjin Cho,Sooyong Lee,Kyung Jae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of obtaining wide dynamic range image and image pickup device performing the same

Номер патента: US20180167544A1. Автор: Jin-Ho Seo,Young-Kyun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098990A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US11967623B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Gukhyon Yon,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20220181458A1. Автор: Jung-Hwan Kim,Gukhyon Yon,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344378A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20190206899A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US11842780B2. Автор: Kenji Noguchi,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11803683B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20100018760A1. Автор: Jung-Bae Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20180205002A1. Автор: Jung-Hoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230376666A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of removing particles from a display panel and apparatus for performing the same

Номер патента: US9263708B2. Автор: Joo-Nyung Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: EP4310917A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US20240021676A1. Автор: Changhyun KIM,Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrally bonded semiconductor device and power converter including the same

Номер патента: US11887904B2. Автор: Daisuke Oya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230354604A1. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim,Joonsung Lim,Youngbum Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US20200135821A1. Автор: Hae Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP3971978A3. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Youngmok KIM,Yongsang JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor device and semiconductor package containing the same

Номер патента: US20080122082A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Eiji Takeichi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A3. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A2. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12009325B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5569935A. Автор: Yasuhiko Takemura,Hiroki Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240071907A1. Автор: Woo Sung Yang,Ah Reum Lee,Suk Kang SUNG,Ji Mo GU,Jao Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20160013187A1. Автор: Hao ZHONG,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US20160329336A1. Автор: Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4262335A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US20170077066A1. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240040792A1. Автор: Bongtae Park,Youngshik Yun,Dongsik LEE,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240038660A1. Автор: Jaeho Kim,Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing light emitting device including metal patterns and cut-out section

Номер патента: US20170084794A1. Автор: Kazuhiro Kamada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230328987A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and driving method for the same

Номер патента: US20170077924A1. Автор: Hayato Nakano,Ryohei Takayanagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11817475B2. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Yong-hee Cho,Seungwoo JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096840A1. Автор: JongBo Shim,Eunsu LEE,Sungeun PYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230329012A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device and production method for the same

Номер патента: US6803628B1. Автор: Kimimori Hamada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US8450734B2. Автор: Masao Takahashi,Noriyuki Nagai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20100148173A1. Автор: Masao Takahashi,Noriyuki Nagai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230170295A1. Автор: Jaeduk LEE,Sejun Park,Joonam KIM,Gaeun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240103070A1. Автор: Jongmin Lee,Yeonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US20240065002A1. Автор: Dongkyu Kim,Joonsung Kim,Yeonho JANG,Inhyung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12002511B2. Автор: Jinwoo Park,Geunwon LIM,Ilgyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for fabricating semiconductor device and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20070295918A1. Автор: Takeshi Shibata,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for fabricating semiconductor device and equipment for fabricating the same

Номер патента: US7521697B2. Автор: Takeshi Shibata,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US6707839B1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Optical semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: EP1104060A3. Автор: Yasutaka NEC Corporation Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Operating method of image-sensing unit and image-sensing device using the same

Номер патента: US20050274875A1. Автор: Cheng-Hsiao Lai,Yueh-Ping Yu,Ya-Chin King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Method of estimating the position of a device and an apparatus implementing the same

Номер патента: US09560619B2. Автор: Marten Jeroen Pijl. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of providing a dynamic node service and device using the same

Номер патента: US09509562B2. Автор: Gyu Il Cha. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of transceiving driver software over the air and apparatus using the same

Номер патента: EP1879355A3. Автор: Eun Hyung Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-03-17.

Method of recognizing proximity using proximity sensor and mobile terminal using the same

Номер патента: US8395105B2. Автор: Min Ho Song,Won Woo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-12.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of setting scanner-controlling input signal and display apparatus applied with the same

Номер патента: US20090073506A1. Автор: Kyu-Bum Han. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of using use log of portable terminal and apparatus using the same

Номер патента: US09582317B2. Автор: Muwoong Lee,Seokjin Chang,Sangho Yi,Sumin LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of controlling personal video recorder and personal video recorder using the same

Номер патента: EP1761050A3. Автор: Yong Chul Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-09-01.

Method of executing fast association function of camera and portable device including the same

Номер патента: US09819871B2. Автор: Jung Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Sound field security system and method of determining starting point for analysis of received waveform using the same

Номер патента: US09679452B2. Автор: Hun Kang,Sung Il Joo. Владелец: Eyeclon Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of executing fast association function of camera and portable device including the same

Номер патента: US09503630B2. Автор: Jung Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Displaying Method of Digital Light Processing (DLP) Projector and DLP Projector using the same

Номер патента: US20090161080A1. Автор: Chin-Ku Liu. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of splitting a signal and signal processing circuitry and apparatus utilizing the same

Номер патента: US7200163B2. Автор: Christopher J. Goodings. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-04-03.

Method of managing power of RF circuits and wireless communication device utilizing the same

Номер патента: US09560580B2. Автор: Chun-Nan Chen. Владелец: Athentek Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of controlling group chatting in portable device and portable device performing the same

Номер патента: US09866506B2. Автор: Eunyeung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of assessing a biometric during a video call, and system implementing the same

Номер патента: US20240073363A1. Автор: David Tyler,Scott Lien. Владелец: Grandpad Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4447632A1. Автор: Sujin PARK,HongSoo KIM,Hee-Sung KAM,Byungjoo Go,Janghee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of link adaptation in wireless local area network and apparatus for the same

Номер патента: US09674890B2. Автор: Dae Won Lee,Yong Ho Seok,Kyoung Young Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of monitoring a control channel, and wireless device using same

Номер патента: US09402252B2. Автор: Hak Seong Kim,Han Byul SEO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of fabricating cover window, cover window and display device including the same

Номер патента: EP3919455A1. Автор: Min Ki Kim,Yu Ri Kim,Hoi Kwan Lee,Byeong Beom Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Methods of processing images using future frames and image processing devices performing the same

Номер патента: US20240257314A1. Автор: Dongbum CHOI,Jinwoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method of locating a radio frequency (RF) tracking device using a calibration routine

Номер патента: US09482741B1. Автор: Edward L. Hill,Guohua Min. Владелец: Position Imaging Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240260280A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Joo-Heon Kang,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method for separating sound and condition monitoring system and mobile phone using the same

Номер патента: EP3033890A1. Автор: Maciej Orman,Detlef Pape. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-06-22.

Method of determining a filter of a relay and relay for performing the same

Номер патента: US9712264B2. Автор: Inkyu Lee,Han Bae Kong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of user interface for time shift function and PVR using the same

Номер патента: US20070143814A1. Автор: Sang-Jun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of recognizing proximity using proimity sensor and mobile terminal using the same

Номер патента: US20110059776A1. Автор: Min Ho Song,Won Woo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-10.

Method of calculating cell loss ratio and call accept controller using the same method

Номер патента: US5677907A. Автор: Takafumi Chujo,Takeo Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-10-14.

Method of responding to a call and mobile communication terminal for implementing the same

Номер патента: US20080132253A1. Автор: Sang Hyun Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20140348281A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and communication system including the same

Номер патента: US09847870B2. Автор: Do-Hyung Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of authentication user using server and image forming apparatus using the method

Номер патента: US8918852B2. Автор: Woo-Yeon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-23.

Method of authentication user using server and image forming apparatus using the method

Номер патента: US20130314737A1. Автор: Woo-Yeon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-28.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor Device and IC Card Having The Same

Номер патента: US20090147862A1. Автор: Shigeo Ohyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor devices and manufacturing methods for the same

Номер патента: US20240260256A1. Автор: Taeyoung EOM,Sunghoon Bae,Halim Noh,Heecheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US20230057178A1. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US12066849B2. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09450574B2. Автор: Sang Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20090050871A1. Автор: Yuichi Matsui. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150042385A1. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240268113A1. Автор: Jaehoon Lee,Jeehoon HAN,Sanghun Chun,Donghyuck Jang,Kyung Taek CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315034A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432806A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12120882B2. Автор: Jihwan Kim,Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US12126352B2. Автор: Fukashi Morishita,Wataru Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240365567A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Jin Myung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and test system including the same

Номер патента: US09874604B2. Автор: Min-Su Kim,Jin-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09489992B2. Автор: Kie-Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of controlling battery using latching relay and battery system using the same

Номер патента: US20200353842A1. Автор: Jong Hu Yoon. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device and system using the same

Номер патента: US20190132162A1. Автор: Masahiko Nagata,Chizuru Matsunaga,Tsukasa YOBO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of navigating a vehicle with an electronic device using bilateration

Номер патента: US20210329418A1. Автор: Neal C. Fairbanks,Frederick R. Nader,Collin M. Rusk. Владелец: Kenmar Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of link adaptation in wireless local area network and apparatus for the same

Номер патента: WO2012047067A2. Автор: Dae Won Lee,Yong Ho Seok,Kyoung Young Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of assembling an optical device and optical device assembled according to the same

Номер патента: EP4290850A1. Автор: Arkadiusz Rafalowski,Pawel Hebda. Владелец: Aptivtechnologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Systems and methods for connecting a public device to a private device using mirroring applications

Номер патента: US20200304509A1. Автор: William L. Thomas. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of assembling an optical device and optical device assembled according to the same

Номер патента: US20230396866A1. Автор: Arkadiusz Rafalowski,Pawel Hebda. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230422509A1. Автор: Seongjun Seo,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160254802A1. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320097A1. Автор: Soo Yong Lee,Jung Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor Device and Semiconductor System Having The Same

Номер патента: US20230396241A1. Автор: Jae-Woo Seo,Garoom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240099012A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190138389A1. Автор: Masaaki Hirano,Toru Kawanishi,Tadashi Teranuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344382A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240170067A1. Автор: Changyeon Yu,Jeunghwan Park,Hanmin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of correcting overlay and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20110207247A1. Автор: Chan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of providing game application and image display device using the same

Номер патента: EP2609562A2. Автор: Rosa Andre,Myongwon Suh,Haengjoon Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-07-03.

Method of processing data for personal information protection and apparatus using the same

Номер патента: US20240160777A1. Автор: Wonseok Ahn,BoGun PARK. Владелец: Xperix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of diagnosing the lifetime of a structure and system for diagnosing the same

Номер патента: EP3945316A2. Автор: Sung Soo Kim,Young Suk Kim. Владелец: Mactec Corp. Дата публикации: 2022-02-02.

Method of diagnosing the lifetime of a structure and system for diagnosing the same

Номер патента: EP3945316A3. Автор: Sung Soo Kim,Young Suk Kim. Владелец: Mactec Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of detecting missing nozzle and ink jet print head using the same

Номер патента: US20090002427A1. Автор: O hyun Beak,Jae Sik MIN,Jae Young Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of diagnosing the chances of pregnancy and the diagnostic kit for the same

Номер патента: EP1738167A1. Автор: Jeong-Heon Ko,Cheorl-Ho Kim,Dong-Mok Lee,Tae-Wook Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-03.

Method of preparing reclaimed land within seawall and facility structure using the same

Номер патента: MY159037A. Автор: Kwang Joon Lee,Kwang Sik O. Владелец: Kwang Sik O. Дата публикации: 2016-12-15.

Steel pipe socket and method of connecting steel pipe pile and steel pipe column using the same

Номер патента: US09863113B2. Автор: Dae Yong Lee. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of diagnosing the lifetime of a structure and system for diagnosing the same

Номер патента: CA3186233A1. Автор: Sung Soo Kim,Young Suk Kim. Владелец: Mactec Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of fabricating color filter substrate and infrared heating apparatus for the same

Номер патента: US8669024B2. Автор: Taeyoung Oh,Chulho Kim,Jonggo Lim,Samyeoul Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Method of fabricating color filter substrate and infrared heating apparatus for the same

Номер патента: US20080226993A1. Автор: Taeyoung Oh,Chulho Kim,Jonggo Lim,Samyeoul Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of sensing sliding by hall sensor and sensing system using the same

Номер патента: US20170167892A1. Автор: Hyung-nam JIN,Seung-Hwan Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of sensing sliding by hall sensor and sensing system using the same

Номер патента: US09612134B2. Автор: Hyung-nam JIN,Seung-Hwan Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of setting print port and user terminal device using the same

Номер патента: US20070124512A1. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of opening fluid control valve and fluid control valve used for the same

Номер патента: US11994226B2. Автор: Kensuke Nakazato. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of opening fluid control valve and fluid control valve used for the same

Номер патента: US20240288077A1. Автор: Kensuke Nakazato. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of computer vision based localisation and navigation and system for performing the same

Номер патента: EP4318397A3. Автор: Andrew Maloney. Владелец: Idv Robotics Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of controlling erase operation of a memory and memory system implementing the same

Номер патента: US09443599B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn,Hyun-Ju Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of formatting values in a fixed number of spaces using the java programming language

Номер патента: US20020198879A1. Автор: Lawrence Schwarcz. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of preparing sample for amino acid analysis and kit for analyzing the same

Номер патента: EP1033576A3. Автор: Petr Husek. Владелец: Phenomenex Inc. Дата публикации: 2002-04-10.

Method of displaying rear-view image and mobile device using the same

Номер патента: US20230341681A1. Автор: Hsien Chung Chen,Yu Chi Chen,Sheng-Chang Wu. Владелец: Kinpo Electronics Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of displaying rear-view image and mobile device using the same

Номер патента: US11988831B2. Автор: Hsien Chung Chen,Yu Chi Chen,Sheng-Chang Wu. Владелец: Kinpo Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of generating a restricted inline resistive fault pattern and a test pattern generator

Номер патента: US20100153056A1. Автор: Jeff S. Brown,Marek Marasch,John Gatt. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Methods of preparing and using novel stem cell compositions and kits comprising the same

Номер патента: US09453202B2. Автор: Theodore T Sand,Robert J Harman, Jr.. Владелец: Vet-Stem Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of Manufacturing Objects Made Of Plastics Material And Installation For Performing The Same

Номер патента: GB1151651A. Автор: . Владелец: N G T. Дата публикации: 1969-05-14.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Light polarizing film, a method of continuously fabricating same, and reflective optical devices using same

Номер патента: US7528905B2. Автор: Seizo Miyata. Владелец: Koei Shoji Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-05.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: US09496010B2. Автор: Jae Woong Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of processing data for personal information protection and apparatus using the same

Номер патента: EP4369309A1. Автор: Won Seok Ahn,BoGun PARK. Владелец: Xperix Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of measuring ATP by radiating ultraviolet light and apparatus using the same

Номер патента: US20050124018A1. Автор: Hyo-bong Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-09.

Method of generating image recognition model and electronic device using the method

Номер патента: US20220171994A1. Автор: Yen-Chun Huang,Ching-Wen Cheng,Kui-Ting Chen,Yi-Fan Liou. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk and method of manufacturing a magnetic disk

Номер патента: SG188778A1. Автор: Yamaguchi Tomoyuki,IIIZUMI Kyosuke. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated optical semiconductor device and optical gyroscope usinng the same

Номер патента: US5724462A. Автор: Ryoji Suzuki,Toshiya Yuhara,Shigehisa Tanaka,Tatemi Ido. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1998-03-03.

Method of tracking input sign for extended reality and system using the same

Номер патента: US20230177862A1. Автор: Chienliang Lin,Ya-Bo Huang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and systems using the same

Номер патента: US20200133721A1. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of producing a gypsum slurry for forming gypsum products and method of manufacturing a gypsum product

Номер патента: US12036561B2. Автор: Tong Liu,Martin HALBACH. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-07-16.

Tray for transporting semiconductor device and tray system comprising the same

Номер патента: US20240286788A1. Автор: Jae Hong Park,Tae-Geon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and integrated circuits including the same

Номер патента: US20150179249A1. Автор: Sang Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and integrated circuits including the same

Номер патента: US09536587B2. Автор: Sang Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09466396B2. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

A method of capturing image data of a luminescent sample and apparatus for the same

Номер патента: GB2571743A. Автор: atkins Philip. Владелец: Pop Bio Ltd. Дата публикации: 2019-09-11.

Method of providing graphical user interface (gui), and multimedia apparatus to apply the same

Номер патента: WO2009131285A1. Автор: Tae-jun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of producing a porous metal and a metal product using the same

Номер патента: CA2032932A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Tokuhiko Ikki. Владелец: Asahi Tec Corp. Дата публикации: 1992-05-06.

Method of producing a gypsum slurry for forming gypsum products and method of manufacturing a gypsum product

Номер патента: CA3064306C. Автор: Tong Liu,Martin HALBACH. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160098280A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Memory self-test circuit, semiconductor device and ic card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20090316488A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US20230376334A1. Автор: Masahiro Hasegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory self-test circuit, semiconductor device and IC card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20070279997A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09997257B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09870813B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09747113B2. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09741407B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09696750B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09672884B1. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09542983B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09471430B2. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing photo masks and semiconductor devices

Номер патента: US20230418151A1. Автор: Wen-hao Cheng,Chun Wei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and system using the same

Номер патента: US20220027225A1. Автор: Shinichi Shibahara,Kiyoshi Hayase,Yuki Hayakawa,Yoichi Yuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and memory card having the same

Номер патента: WO2006038470A1. Автор: Nobuyoshi Nara. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-04-13.

Phase correcting apparatus and method of transmission signal of vehicle radar, and vehicle radar apparatus with the same

Номер патента: US11802960B2. Автор: Kyung Jin You. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of detecting sleep disorder based on eeg signal and device of the same

Номер патента: US20240081732A1. Автор: Phone Lin,Xin-Xue Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-03-14.

Method and apparatus for correcting exposure patterns, and exposure mask, method of exposing, and semiconductor device

Номер патента: CA2219630A1. Автор: Keisuke Tsudaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-04-29.

Apparatus and method for production of fabrics

Номер патента: US6640591B1. Автор: Eugene Haban. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-04.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US10942674B2. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190187933A1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Methods of treating a subject for fibromyalgia and compositions for use in the same

Номер патента: WO2023192361A1. Автор: Bruce K. Patterson. Владелец: IncellDx, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of computer vision based localisation and navigation and system for performing the same

Номер патента: EP4318397A2. Автор: Andrew Maloney. Владелец: Idv Robotics Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods of preparing and using novel stem cell compositions and kits comprising the same

Номер патента: US20170196912A1. Автор: Theodore T. Sand,Robert J. Harman, JR.. Владелец: Vetstem Biopharma Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of preparing and using novel stem cell compositions and kits comprising the same

Номер патента: US20190255120A1. Автор: Theodore T. Sand,Robert J. HARMAN. Владелец: Vetstem Biopharma Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Methods of preparing and using novel stem cell compositions and kits comprising the same

Номер патента: US20200306317A1. Автор: Theodore T. Sand,Robert J. Harman, JR.. Владелец: Vetstem Biopharma Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of Removing Perchlorate from Water and Vessels and Systems for Practicing the Same

Номер патента: US20200317539A1. Автор: Scott Oliver,Ian COLINAS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of opening fluid control valve and fluid control valve used for the same

Номер патента: US20230304589A1. Автор: Kensuke Nakazato. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods of Removing Perchlorate from Water and Vessels and Systems for Practicing the Same

Номер патента: US20180050932A1. Автор: Scott Oliver,Ian COLINAS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-02-22.

Method of conducting thermal energy, thermal conductor, and electrical appliance using the thermal conductor

Номер патента: CA2367328C. Автор: Chin-Kuang Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-17.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10083760B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US11455703B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

System and method for data structuring for artificial intelligence and a user interface for presenting the same

Номер патента: US11853911B1. Автор: Noam Brezis,Zohar Z. Bronfman. Владелец: Pecan Ai Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170038428A1. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Systems and methods for completing payment transactions initiated through a first device using a second device

Номер патента: US20240020677A1. Автор: Reda Harb,Gyanveer SINGH. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

A method of operating a coordinator system, coordinator system, and a vehicle with the same

Номер патента: WO2024083321A1. Автор: John Newman. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20210183006A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170084318A1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Apparatus and method to monitor thermal runaway in a semiconductor device

Номер патента: US09618560B2. Автор: Sam Ziqun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10360105B2. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Method of reducing critical dimension bias of dense pattern and isolation pattern

Номер патента: US7097945B2. Автор: Ching-Yu Chang,Hsin-Huei Chen,Meng-Wei Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160179377A1. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160372178A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150332744A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160334827A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20200357445A1. Автор: Yoo Jong Lee,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160064049A1. Автор: Byung Deuk Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141691A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor Device and Processor System including the Same

Номер патента: EP2793137A3. Автор: Toshikazu Hori,Daisuke Kawakita. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor device and memory system having the same

Номер патента: US20150026364A1. Автор: Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150221395A1. Автор: Tae Kyun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and processor system including the same

Номер патента: US20140310452A1. Автор: Toshikazu Hori,Daisuke Kawakita. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020101483A1. Автор: Ryoichi Yamamoto,Masao Mitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141687A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

METHOD OF DETECTING DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120268159A1. Автор: Cho Yong Min,Lee Dong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.