Method of forming mask pattern and method of fabricating semiconductor device using the same
Номер патента: US11189491B2
Опубликовано: 30-11-2021
Автор(ы): Chul-Ho Kim, Jaesung KANG, Jinphil CHOI, Yool Kang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-11-2021
Автор(ы): Chul-Ho Kim, Jaesung KANG, Jinphil CHOI, Yool Kang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of forming holes using mask pattern structures
Номер патента: US09627201B2. Автор: Jae-woo Nam,Eun-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.