• Главная
  • Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Device for interfacing between memory device and memory controller, package and system including the device

Номер патента: US20210397569A1. Автор: Sangsub SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Display device and personal immersive system and mobile terminal system using the same

Номер патента: US20220383824A1. Автор: SUN Kyung shin,Bong Choon KWAK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor system and method of operating the same

Номер патента: US20210201965A1. Автор: Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor system and method of operating the same

Номер патента: US20200143852A1. Автор: Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor system and method of operating the same

Номер патента: US20230046234A1. Автор: Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Display Device and Luminance Control Method Thereof and Mobile Terminal Using the Same

Номер патента: US20230273667A1. Автор: Jong Hee Hwang,Su Jin KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Electronic device and method for controlling connection of external device using the same

Номер патента: US20200089920A1. Автор: Heedong GANG,Jinhui PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Electronic device and method for controlling connection of external device using the same

Номер патента: EP3837624A1. Автор: Heedong GANG,Jinhui PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-23.

Computer system data restoring device and the method for restoring computer system data using the same

Номер патента: US20050022055A1. Автор: Ming-Chiao Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-27.

Haptic Steering Wheel Switch Device and Haptic Steering Wheel Switch System Including the Same

Номер патента: US20100200375A1. Автор: Chang Kyu Han,Hyun Yong Lee. Владелец: Daesung Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device simulation system and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20230130199A1. Автор: Sung Min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Device and method of digital image content recognition, training of the same

Номер патента: US20200380293A1. Автор: Benedikt Sebastian Staffler,Nicole Ying Finnie. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-12-03.

Device and method of digital image content recognition, training of the same

Номер патента: US11263495B2. Автор: Benedikt Sebastian Staffler,Nicole Ying Finnie. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-03-01.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US20160226503A1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US9419633B1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US20160224506A1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DLL AND SEMICONDUCTOR SYSTEM

Номер патента: US20180159543A1. Автор: SEO Young-Suk,IM Da-In. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE TEST SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE TEST METHOD

Номер патента: US20190162779A1. Автор: LEE Sung-gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20220223782A1. Автор: Toshihiko Itoga,Takuo Kaitoh. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Electronic device and method for processing voice input and recording in the same

Номер патента: US11991421B2. Автор: Hoseon SHIN,Chulmin LEE,Youngwoo Lee,Kyounggu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor-device order-entry/placement management support system, and server used for the same

Номер патента: US20060010045A1. Автор: Kazuya Saito,Kunihiro Kawahara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for controlling the same

Номер патента: US9829940B2. Автор: Jinpyo PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Inverse mixcolumn block device and method of performing multiplication calculation using the same

Номер патента: WO2008069388A3. Автор: Young-Il Kim,Jung-Hoon Oh,Yong-Su Lee. Владелец: Yong-Su Lee. Дата публикации: 2009-07-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM, AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20160062448A1. Автор: PARK Jinpyo. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of the same

Номер патента: EP3502892A1. Автор: Takahiko GOMI,Ryu Nagasawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-26.

Semiconductor device and IC label, IC tag, and IC card having the same

Номер патента: US8400278B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Device and method for mediating heavy equipment and system using the same

Номер патента: US20210334869A1. Автор: Seok-Ho BAE,Han-Jun BAE,Hyun-Woong BAE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

Management system, processing chip, apparatus, device, and method

Номер патента: EP4318250A1. Автор: Hong Li,Kun Zhang,Changzhi JI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Device and method of digital image content recognition, training of the same

Номер патента: US11507784B2. Автор: Benedikt Sebastian Staffler,Nicole Ying Finnie. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-11-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A PLURALITY OF PROCESSORS AND A METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150324243A1. Автор: SHIN Dong Jae,LEE Joung Young,LEE Duk Rae. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device including a plurality of processors and a method of operating the same

Номер патента: US9582341B2. Автор: Joung Young LEE,Duk Rae LEE,Dong Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US8374044B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20130058180A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20130294135A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11715542B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11417408B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220036958A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: EP3945330A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220328117A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device including write transistor and read transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20230197142A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP3521845B1. Автор: Tomonori Nakamura,Akihiro Otaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: EP3998476A4. Автор: Hirotoshi Terada,Yoshitaka IWAKI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-08-09.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP3521845A4. Автор: Tomonori Nakamura,Akihiro Otaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-06-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE HOUSING PACKAGE, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Tsujino Mahiro,Miyahara Manabu. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Phase error compensation device and method of radar, and radar device including the same

Номер патента: US20240319334A1. Автор: Jung Hwan Choi,Jingu LEE. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, and image forming apparatus and image reading apparatus using the same

Номер патента: US20150346021A1. Автор: Takahito Suzuki,Eisuke Kuroki. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20050196706A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2275781C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Manufacturing method of semiconductor device, supporting substrate, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20140073070A1. Автор: Hiroshi Tsujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US11971364B2. Автор: Shinsuke Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-30.

Heating apparatus for a semiconductor device, heating system, and semiconductor device

Номер патента: US20230223283A1. Автор: Chengchun Tang. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

CFM measuring device and display for bedding surfaces and methods of using the same

Номер патента: US11846572B2. Автор: Eugene Alletto, Jr.,Lorenzo Turicchia. Владелец: BEDGEAR LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Ultraviolet irradiating device and method of manufacturing liquid crystal display device using the same

Номер патента: US20030147032A1. Автор: Sung Jung,Moo Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Eyeglass suspension device and method of moving eyeglasses off the nose utilizing the same

Номер патента: US20210191147A1. Автор: Devaraj Thiruppathi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-24.

Display device and driving method thereof, and mobile terminal including the display device

Номер патента: US20240194137A1. Автор: Yong Chul Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20120300529A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20130301370A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US8773884B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20140104919A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIERARCHICALLY STRUCTURED BIT LINES AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130294135A1. Автор: NARUI Seiji. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIERARCHICALLY STRUCTURED BIT LINES AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130301370A1. Автор: NARUI Seiji. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIERARCHICALLY STRUCTURED BIT LINES AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140104919A1. Автор: NARUI Seiji. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device having ODT function and data processing system including the same

Номер патента: US20110058442A1. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140160863A1. Автор: CHO Young-hoon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160086653A1. Автор: CHO Young-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device having transistor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: KR20140073920A. Автор: 조영훈. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-06-17.

Semiconductor device for programming or erasing select transistors and method of operating the same

Номер патента: US20240177783A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US9214223B2. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DEFECT DETECTION CIRCUIT AND METHOD OF DETECTING DEFECTS IN THE SAME

Номер патента: US20220036958A1. Автор: SON JONGPIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device with bit lines at different levels and method for fabricating the same

Номер патента: US10978459B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Bonded semiconductor device with processor and NAND flash memory and method of forming the same

Номер патента: CN110720143B. Автор: 刘峻,程卫华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-29.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: EP3945330B1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

METHOD OF OPERATING MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160196863A1. Автор: SHIN Seung-Jun,YIM Sung-Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Method of operating memory device and method of operating memory system including the same

Номер патента: US9472258B2. Автор: Seung-jun Shin,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220301642A1. Автор: MAEDA Shinji,IWAI Katsuhiko. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for testing a connection between an audio receiving device and a motherboard

Номер патента: US20060269260A1. Автор: De-Hua Dang,Hoi Chan,Hong-Bo Zhao,Li-Chuan Qiu,Qing-Long Chai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20190206899A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Current sensing device and organic light emitting display device including the same

Номер патента: US20200105195A1. Автор: Kimin SON,Eunji SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Pattern formation method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: TW201005794A. Автор: Satoru Shimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device having a test pad

Номер патента: US6008061A. Автор: Kunihiro Kasai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM, AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20190195924A1. Автор: GOMI Takahiko,Nagasawa Ryu. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Substrate attachment device of display device and method for manufacturing display device using the same

Номер патента: US8992278B2. Автор: Youngjo Ko. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-31.

Calibration method and apparatus for electrochromic device, and electrochromic device

Номер патента: US20240272508A1. Автор: Zhixiang XU. Владелец: Guangyi Intelligent Tech Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device and display panel

Номер патента: US20240153970A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Chen-Yu Lin,Yi-Cheng Yuan. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device including a plurality of semiconductor substrates and method of manufacturing the same

Номер патента: US8269290B2. Автор: Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

A device and method for reparing a microelectromechanical system

Номер патента: WO2009011696A8. Автор: Raffi Garabedian,Lakshmikanth Namburi. Владелец: Touchdown Technologies, Inc. Дата публикации: 2010-03-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND INCLUDING AN OPTICAL WAVEGUIDE AND METHOD OF MANAFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210165160A1. Автор: NAKASHIBA Yasutaka,IIDA Tetsuya,NAKAYAMA Tomoo,NAMIOKA Seigo. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device, and image forming apparatus and image reading apparatus using the same

Номер патента: US20150346021A1. Автор: Takahito Suzuki,Eisuke Kuroki. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Organic light emitting display device, and method of generating a gamma reference voltage for the same

Номер патента: US20140111402A1. Автор: Min-Weun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Electrochromic device, and lens unit, imaging apparatus and window including the electrochromic device

Номер патента: US20190242183A1. Автор: Kazuya Miyazaki,Kentaro Ito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION DEVICE

Номер патента: US20190265297A1. Автор: IWAKI Yoshitaka. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2019-08-29.

address type fire alarm device and address type fire alarm system including the same

Номер патента: KR102189395B1. Автор: 구성모. Владелец: 구성모. Дата публикации: 2020-12-11.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: WO2020066177A1. Автор: 信介 鈴木. Владелец: 浜松ホトニクス株式会社. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: EP3859360A4. Автор: Shinsuke Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US10983162B2. Автор: Yoshitaka IWAKI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-04-20.

Fine dust measuring device and fine dust information utilization system including the same

Номер патента: KR102493147B1. Автор: 이규동,박치완,강광희. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2023-01-27.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: TW201816408A. Автор: 岩城吉剛. Владелец: 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: TW202029369A. Автор: 鈴木信介. Владелец: 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司. Дата публикации: 2020-08-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: EP4148437A4. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation method

Номер патента: US20120187975A1. Автор: Risho Koh,Takahiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150022794A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140252643A1. Автор: Chuichi Miyazaki,Yoshiyuki Abe,Tomoko Higashino,Hideo Mutou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD

Номер патента: US20170205442A1. Автор: Okada Akira,AKIYAMA Hajime. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2017-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20150227047A1. Автор: YAEGASHI Hidetami. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION APPARATUS

Номер патента: US20190212252A1. Автор: Nakamura Tomonori,OTAKA Akihiro. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2019-07-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150235973A1. Автор: Abe Yoshiyuki,HIGASHINO Tomoko,MIYAZAKI Chuichi,MUTOU Hideo. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD

Номер патента: US20190271734A1. Автор: MATSUMOTO Toru,SHIMASE Akira. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2019-09-05.

ABNORMALITY DETECTION SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180292806A1. Автор: KAWATAKE Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: CN101297394A. Автор: 宫崎忠一,阿部由之,武藤英生,东野朋子. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7772645B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283106A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device including through vias with different widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230298937A1. Автор: Jin Woong Kim,Ju Heon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US20100096721A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20050014377A1. Автор: Hiroyuki Kamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device having buried-type element isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028097A1. Автор: Fumitomo Matsuoka,Kunihiro Kasai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Household domestic water monitoring device and household domestic water monitoring system including same

Номер патента: US20240228326A1. Автор: Dong Uook LEE. Владелец: SMT CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with c-shaped active area and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210175333A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device with improved short circuit withstand time and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20210111279A1. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271330A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203340A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220045059A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor devices including contact plugs having silicide layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240145386A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160013186A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device with through vias of various shapes and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258201A1. Автор: Jong Hoon Kim,Eun Hye DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor devices having a non-volatile memory transistor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020146883A1. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device assemblies including tsvs of different lengths and methods of making the same

Номер патента: US20230139278A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Devices and systems having led circuits and methods of driving the same

Номер патента: US20240255110A1. Автор: Michael Miskin. Владелец: Lynk Labs Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US10566222B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US20190103297A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Nitride semiconductor device comprising layered structure of active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230290836A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120199946A1. Автор: Satoshi Kageyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20120031331A1. Автор: Takashi Nakao,Ichiro Mizushima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020024095A1. Автор: Katsuomi Shiozawa,Yasuyoshi Itoh,Syuichi Ueno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device comprising capacitor in logic circuit area and method of fabricating the same

Номер патента: US6104053A. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Semiconductor device having multiple dimensions of gate structures and method for fabricating the same

Номер патента: US20210265475A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device having a saddle fin shaped gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110306178A1. Автор: Seung Joo Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US11894304B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11862510B2. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20240047400A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200303241A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210343584A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device having grooves on a side surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US8957492B2. Автор: Akihiro Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Resin sealing type semiconductor device that includes a plurality of leads and method of making the same

Номер патента: US6133623A. Автор: Kenzo Yoshimori,Tetsuya Otsuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US20240006321A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US8080850B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor device including connection portion between stacked structures and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105602A1. Автор: Won Tae KOO,Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with landing pad of conductive polymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220051992A1. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device having a landing pad with spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220068711A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor device assemblies having face-to-face subassemblies, and methods for making the same

Номер патента: US20240071891A1. Автор: Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device including gate layer and vertical structure and method of forming the same

Номер патента: US20210005620A1. Автор: Junhyoung Kim,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device having fluorine-added carbon dielectric film and method of fabricating the same

Номер патента: EP1947685A2. Автор: Takashi Akahori,Akira Suzuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-23.

Semiconductor device having storage nodes on active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US20090073736A1. Автор: Min-Hee Cho,Seung-Bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20090184367A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US8404559B2. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Semiconductor device forming method and semiconductor device

Номер патента: EP4325576A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20160079186A1. Автор: Hiroaki Narita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device having asymmetric bulb-type recess gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080079068A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device having asymmetric bulb-type recess gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US7825463B2. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor device including transistors of different junction depth, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8507373B2. Автор: Hiroki Shirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4312250A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device including a through silicon via structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11769711B2. Автор: JUNG Yong Chae,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device including a through silicon via structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20230411249A1. Автор: JUNG Yong Chae,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having plural insulated gate switching cells and method for designing the same

Номер патента: US20120091502A1. Автор: Masatoshi Goto,Shinichi Yataka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device having plural insulated gate switching cells and method for designing the same

Номер патента: US8530930B2. Автор: Masatoshi Goto,Shinichi Yataka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180158819A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device with improved short circuit withstand time and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP4042485A1. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor device including a through silicon via structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20230411248A1. Автор: JUNG Yong Chae,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240038636A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20180130724A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190295901A1. Автор: Ikuo Motonaga. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US8497170B2. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20190172925A1. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20230081981A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210287968A1. Автор: Masanori Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9954094B2. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20160240654A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US20130285148A1. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20160268217A1. Автор: Kenji Konomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070272984A1. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180204943A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7713819B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device assembly method and semiconductor device produced by the method

Номер патента: US6046077A. Автор: Mikio Baba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US9159563B2. Автор: Tomohide Terashima,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20190385859A1. Автор: Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11018013B2. Автор: Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200091098A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020033541A1. Автор: Shotaro Uchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device, chip module, and semiconductor module

Номер патента: US10707159B2. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240008273A1. Автор: Takuya Konno,Shinya Okuda,Rikyu Ikariyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120104614A1. Автор: Motofumi Saitoh,Nobuyuki Ikarashi,Kouji Masuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8841210B1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20230326739A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120273887A1. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8860149B2. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020102430A1. Автор: Masayoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150123187A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20130264624A1. Автор: Hirokazu Ishida,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140287576A1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US20150216040A1. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US9048332B2. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20200251551A1. Автор: Wensheng Wang,Kazuaki Takai,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for manufacturing PTC device and system for preventing overheating of planar heaters using the same

Номер патента: US8716633B2. Автор: Suk-Hwan Kang,Mun-Han Kim. Владелец: UNIPLATEK CO Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Electrically operated control device and system for an appliance and method of operating the same

Номер патента: US5652691A. Автор: Daniel L. Fowler. Владелец: Robertshaw Controls Co. Дата публикации: 1997-07-29.

Fixing device and passenger device as well as carrying device using the same

Номер патента: US20220234640A1. Автор: Xiaohong Xiao,Xiuping Fu. Владелец: Wonderland Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device including the same

Номер патента: US20200251557A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor device including an ultraviolet light receiving element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277690A1. Автор: Takeshi Koyama. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Switch control device, battery pack and vehicle including the same

Номер патента: EP4425524A1. Автор: Hyuncheol JEON. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282627A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304717A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098832A1. Автор: Kazuhiro Yoshida. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8643088B2. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120001255A1. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224495A1. Автор: Seung Hwan Kim,Gil Seop KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Gas mixing device and method, and cvd apparatus including the same

Номер патента: US20190169746A1. Автор: Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5897345A. Автор: Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Aligning device and assembling system for battery module assembly including the same

Номер патента: US20240274857A1. Автор: Geon-Tae Park,Choon-Kwon Kang,Hyeong-Min PARK. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11830737B2. Автор: Jung-Hoon Lee,Sanghyeon Kim,Ji Young Choi,Insung Kim,Woojeong SHIN,Hanhum Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for fabricating a semiconductor device having a multi-bridge-channel

Номер патента: US20070161168A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160276270A1. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224500A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim,Hye Won YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW201135880A. Автор: Makoto Murakami. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-10-16.

Semiconductor device including insulated-gate field-effect transistor, and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200416960A. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-09-01.

MOS semiconductor device having gate insulating film containing nitrogen and manufacturing method of the same

Номер патента: TW535191B. Автор: Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-01.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240194570A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device without use of chip carrier and method for making the same

Номер патента: US20030020183A1. Автор: Jin Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device and it's manufacturing method

Номер патента: US7087956B2. Автор: Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170062447A1. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170317094A1. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9735166B2. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10056396B2. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Wireless sound output device and wireless sound output system comprising same

Номер патента: US20230379667A1. Автор: Munyong HAN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: NL2022578A. Автор: Nishimura Hideki,SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: TW201030842A. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-08-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI587394B. Автор: Yasuhiro Fujii,Kazumasa Yonekura,Tatsunori Kaneoka. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-06-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI532107B. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi,Hideki Akiba. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-05-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20100003831A1. Автор: Satoshi Yasuda,Shin-Ichi Imai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020004269A1. Автор: Yoshikazu Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor device including square type storage node and method of manufacturing the same

Номер патента: US7183603B2. Автор: Je-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170287783A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Three-dimensional electrostatic discharge semiconductor device

Номер патента: US20160020204A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Three-dimensional electrostatic discharge semiconductor device

Номер патента: US9455316B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI597780B. Автор: Yasuhiro Fujii,Kazumasa Yonekura,Tatsunori Kaneoka. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-09-01.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI646608B. Автор: 石井斉. Владелец: 東芝記憶體股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device forming method and semiconductor device

Номер патента: EP4325576A4. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device with trench isolation structure

Номер патента: US7902628B2. Автор: Sun-Hwan Hwang,Jae-Eun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Semiconductor device having insulated gate field effect transistors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120142151A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTICHIP PACKAGE AND SEMICONDUCTOR SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20140380136A1. Автор: OK Sung-Hwa. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20020025651A1. Автор: Yushin Takasawa,Hajime Karasawa. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device and semiconductor wafer and a method for manufacturing the same

Номер патента: CN100463172C. Автор: 栗田洋一郎. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-02-18.

Semiconductor device having structure for improving voltage drop and device including the same

Номер патента: US20170018504A1. Автор: Sung Su Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STRUCTURE FOR IMPROVING VOLTAGE DROP AND DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180025984A1. Автор: BYUN SUNG SU. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210175344A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210175356A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device resin composition and semiconductor device using the same

Номер патента: JP7225723B2. Автор: 英一 佐藤,大地 竹森,泉樹 佐藤. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11984356B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Gate oxide structures in semiconductor devices

Номер патента: US11961766B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor Devices with Uniform Gate Regions

Номер патента: US20230027676A1. Автор: Li-Te Lin,Wei-Lun Chen,Tze-Chung Lin,Chia-Chien Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Gate Oxide Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220102218A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Gate Oxide Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240213098A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Gate Oxide Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230015886A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Auxiliary display system, device and method

Номер патента: US8640223B2. Автор: Chentao Yu. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

Auxiliary display system, device and method

Номер патента: US20090055647A1. Автор: Chentao Yu. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Communication method, terminal device and network device

Номер патента: US12096219B2. Автор: Qianxi Lu,Jianhua Liu,Haorui YANG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

BONDED SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE AND DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210175211A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

BONDED SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE AND DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200328190A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH C-SHAPED ACTIVE AREA AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210175333A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH C-SHAPED CHANNEL PORTION AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210226069A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device with field shield isolation structure and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5557135A. Автор: Masayuki Hashimoto. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor device coating glass and semiconductor coating material using the same

Номер патента: JP7218531B2. Автор: 将行 廣瀬. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device coating glass and semiconductor coating material using the same

Номер патента: JP7185181B2. Автор: 将行 廣瀬. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device employing group III-V nitride semiconductors and method for manufacturing the same

Номер патента: US8044434B2. Автор: Hiroaki Ohta,Hidemi Takasu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Power receiving device and wireless power transfer system

Номер патента: US20240055898A1. Автор: Tomokazu Sakashita,Hidehito YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND IC LABEL, IC TAG, AND IC CARD HAVING THE SAME

Номер патента: US20130193916A1. Автор: KOYAMA Jun. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor devices, and manufacturing methods, circuit substrates and electronic equipments for the same

Номер патента: US20040155326A1. Автор: Hatsuki Kanbayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Production method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140203411A1. Автор: Toru Onishi,Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140299986A1. Автор: Daisuke Sakurai,Kazuya Usirokawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Data processing method, network element device, and readable storage medium

Номер патента: EP4247049A1. Автор: Zhuoyun ZHANG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method for dry etching of silicon oxide using the same

Номер патента: KR101007534B1. Автор: 김종학. Владелец: 주식회사 테스. Дата публикации: 2011-01-14.

A semiconductor device and A method for forming a borderless contact of the same

Номер патента: KR20030002595A. Автор: 심현숙. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-09.

Image acquisition device and method for adjusting focus position thereof

Номер патента: US12101538B2. Автор: Chang Woo Kang. Владелец: Vieworks Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device having plural insulated gate switching cells and method for designing the same

Номер патента: US20120091502A1. Автор: Masatoshi Goto,Shinichi Yataka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device having insulated gate field effect transistors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120142151A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130270648A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: Renesas Eletronics Corporation. Дата публикации: 2013-10-17.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130307082A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SPACERS FOR CAPPING AIR GAPS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130328199A1. Автор: KIM Sei-Jin,YUN Hyo-Jun,SONG Hae-Il. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A HIGH BREAKDOWN VOLTAGE DMOS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140048876A1. Автор: SEKIGUCHI Yushi. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FLUORINE-FREE TUNGSTEN BARRIER LAYER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140061931A1. Автор: KANG Dong-Kyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING STRUCTURE

Номер патента: US20170005031A1. Автор: KIMURA Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GATE LAYER AND VERTICAL STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210005620A1. Автор: KIM Junhyoung,CHEON Jisung. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160013186A1. Автор: BAE DONG-IL,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220045059A1. Автор: BAE DONG-IL,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A DUAL MATERIAL REDISTRIBUTION LINE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180033745A1. Автор: Liu Chun-Chang,CHENG Anhao. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LANDING PAD OF CONDUCTIVE POLYMER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220051992A1. Автор: HSU CHIA-HSIANG. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A LANDING PAD WITH SPACERS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220068711A1. Автор: WU Chih-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A STRESSOR IN A RECESS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160064565A1. Автор: Shin Dong-Suk,Chung Hoi-Sung,Lee Nae-In,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A STRESSOR IN A RECESS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140141589A1. Автор: Shin Dong-Suk,Chung Hoi-Sung,Lee Nae-In,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BIT LINES AT DIFFERENT LEVELS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210074707A1. Автор: Su Kuo-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A STRESSOR IN A RECESS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160079424A1. Автор: Shin Dong-Suk,Chung Hoi-Sung,Lee Nae-In,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CONDUCTIVE CONTACT HAVING TAPERING PROFILE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20220093510A1. Автор: Huang Tse-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A STRESSOR IN A RECESS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160087101A1. Автор: Shin Dong-Suk,Chung Hoi-Sung,Lee Nae-In,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor Device with Air Gaps Between Metal Gates and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210098309A1. Автор: Wu Xusheng,Min Wei-Lun,Liu Chang-Miao. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH MANGANESE-CONTAINING LINING LAYER AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20220148970A1. Автор: Su Kuo-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HORIZONTAL GATE ALL AROUND STRUCTURE AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160104765A1. Автор: Ching Kuo-Cheng,CHEN GUAN-LIN. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A STRESSOR IN A RECESS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170110581A1. Автор: Shin Dong-Suk,Chung Hoi-Sung,Lee Nae-In,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH MANGANESE-CONTAINING CONDUCTIVE PLUG AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220181260A1. Автор: Huang Teng-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL WORK FUNCTION GATE STACKS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150137257A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Kim Hyung-Chul,LEE Seung-Mi,Jang Se-Aug. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150137263A1. Автор: Lee Jae-hwan,Kim Sangsu,Yang Changjae. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING STRUCTURE

Номер патента: US20180130724A1. Автор: KIMURA Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160163834A1. Автор: Lee Jae-hwan,Kim Sangsu,Yang Changjae. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180158819A1. Автор: BAE DONG-IL,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING FINFETS AND LOCAL INTERCONNECT LAYERS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150194427A1. Автор: Sengupta Rwik,AZMAT Raheel. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor Devices Including Active Patterns Having Different Pitches and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20160211168A1. Автор: KIM Sung Min,Paak Sunhom Steve. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

BONDED SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING PROCESSOR AND NAND FLASH MEMORY AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210233916A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200203340A1. Автор: BAE DONG-IL,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTIPLE DIMENSIONS OF GATE STRUCTURES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210265475A1. Автор: YANG Cheng-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A DATA STORAGE PATTERN AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200243605A1. Автор: SONG Seul Ji,PARK Il Mok,PARK Kyu Sul. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NON-MAGNETIC SINGLE CORE INDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160268195A1. Автор: Lee Ki Young,CHAE Moosung M.,Kim Woo Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160268394A1. Автор: CHOI Jungdal,Hur Sung Gi,Kim Sangsu,KWON TaeYong. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SUPERCONDUCTING METAL THROUGH-SILICON-VIAS AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200251419A1. Автор: Cotte John M.,Abraham David W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170271330A1. Автор: BAE DONG-IL,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AN ULTRAVIOLET LIGHT RECEIVING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180277690A1. Автор: KOYAMA Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150311341A1. Автор: CHOI Jungdal,Hur Sung Gi,Kim Sangsu,KWON TaeYong. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SUPERCONDUCTING METAL THROUGH-SILICON-VIAS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180350749A1. Автор: Cotte John M.,Abraham David W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device structure with manganese-containing lining layer and method for preparing the same

Номер патента: US11469182B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE HAVING METAL THERMAL INTERFACE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220359228A1. Автор: Kao Chin-Fu,Kuo Chien-Li,Chen Chen-Shien. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having a multiple gate insulating layer and method of fabricating the same

Номер патента: KR20050111049A. Автор: 이창현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor device preventing crack occurrence in pad region and method for fabricating the same

Номер патента: KR101184375B1. Автор: 정종열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device with bulb recess and saddle fin and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100744684B1. Автор: 김광옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor devices having a metal-insulator-metal capacitor and methods of forming the same

Номер патента: KR100645041B1. Автор: 김현호,김기남,주흥진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-10.

A semiconductor device comprsing a connecting metal layer and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR101148494B1. Автор: 이동준,이영관,김치성. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2012-05-21.

Semiconductor device having a body contact through gate and method of fabricating the same

Номер патента: KR100629264B1. Автор: 정재훈,조후성,임훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-29.

Semiconductor device having a nitride-based hetero-structure and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2441877A1. Автор: Ke Xu,Akihiko Yoshikawa. Владелец: Chiba University. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device having insulated gate field effect transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US8476128B2. Автор: Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor device having x-shaped die support member and method for making the same

Номер патента: SG75769A1. Автор: Frank Djennas. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Semiconductor device for reducing interference between adjoining gates and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200929445A. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-01.

Semiconductor device with bulb recess and saddle fin and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200802622A. Автор: Kwang-Ok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device inspection method

Номер патента: JP3970849B2. Автор: 清 長谷川. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Semiconductor device having an insulating film with voides and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1026726A2. Автор: Shirou c/o NEC Corporation Morinaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Semiconductor device having a plasma-processed layer and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP0744773A2. Автор: Takashi Marukawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-27.

Semiconductor device provided with tin diffusion inhibiting layer, and manufacturing method of the same

Номер патента: US8237277B2. Автор: Hiroyasu Jobetto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

Semiconductor device having fluorine-added carbon dielectric film and method of fabricating the same

Номер патента: US6337290B1. Автор: Akira Suzuki,Takashi Akahori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-01-08.

Semiconductor device with carbon liner over gate structure and method for forming the same

Номер патента: US11456298B2. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device having a nitride-based hetero-structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040108500A1. Автор: Ke Xu,Akihiko Yoshikawa. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor device having storage nodes on active regions and method of fabricating the same

Номер патента: CN101442053B. Автор: 赵珉熙,朴承培. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-14.

Semiconductor device with a self-aligned contact and a method of manufacturing the same

Номер патента: US6573602B2. Автор: Myeong-Cheol Kim,Tae-Hyuk Ahn,Jun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-06-03.

Semiconductor device mounted on board by flip-chip and method for mounting the same

Номер патента: US6214156B1. Автор: Eiji Takano,Shinya Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-04-10.

Semiconductor device having a self-aligned contact structure and methods of forming the same

Номер патента: EP1169731A1. Автор: Byung-Jun Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-01-09.

Semiconductor device with T-shaped buried gate electrode and method for forming the same

Номер патента: US11437481B2. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor devices integrating high-voltage and low-voltage field effect transistors on the same wafer

Номер патента: US20060202299A1. Автор: Mourad Chertouk. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device having storage nodes on active regions and method of fabricating the same

Номер патента: TW200926396A. Автор: Min-Hee Cho,Seung-Bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-16.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device test method

Номер патента: US20060267010A1. Автор: Yoshinori Matsubara. Владелец: Yoshinori Matsubara. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device with carbon liner over gate structure and method for forming the same

Номер патента: TW202230737A. Автор: 吳俊亨. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-01.

Semiconductor device having upper channels and lower channels and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20220009156A. Автор: 김성민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-01-24.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US7683432B2. Автор: Hiroshi Oji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor devices having a non-volatile memory transistor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020115254A1. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device having silicide layer with siliconrich region and method for making the same

Номер патента: US6288430B1. Автор: Noriaki Oda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Semiconductor device including insulated gate field effect transistors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020137287A1. Автор: Masataka Takebuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device having non-magnetic single core inductor and method of producing the same

Номер патента: US9484297B2. Автор: Ki Young Lee,Woo Sik Kim,Moosung M. CHAE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices having upper and lower solder portions and methods of fabricating the same

Номер патента: US10950586B2. Автор: Yun-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor device structure with manganese-containing conductive plug and method for forming the same

Номер патента: US11488905B2. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Semiconductor device for reducing interference between adjoining gates and method for manufacturing the same

Номер патента: US7737492B2. Автор: Tae Kyung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device having low melting point metal bump and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2001501366A. Автор: 宏平 巽,健二 下川,英児 橋野. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor device including fluorine-free tungsten barrier layer and method for fabricating the same

Номер патента: TWI587513B. Автор: 姜東均. Владелец: 愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2017-06-11.

Semiconductor device, semiconductor device mounting body, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4812525B2. Автор: 昌行 湯川. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-09.

Semiconductor device having fluorine-added carbon dielectric film and method of fabricating the same

Номер патента: US20020047203A1. Автор: Akira Suzuki,Takashi Akahori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device with reduced parasitic drain-gate capacitance and method of manufacturing the same

Номер патента: US9882011B2. Автор: Koichi Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

A semiconductor device with an embedded gate electrode and a method for fabricating the same

Номер патента: CN103227151A. Автор: 金宰永,金洗镇. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Semiconductor device having insulated gate field effect transistors and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200919719A. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-05-01.

Semiconductor device with a gray tin layer and a method of making the same

Номер патента: US4445129A. Автор: Colin H. L. Goodman. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Semiconductor device having vertical and horizontal type gates and method for fabricating the same

Номер патента: TW200921803A. Автор: Sung-Man Pang. Владелец: Dongbu Hitek Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160079370A1. Автор: Sugiyama Naoharu,Tsuda Kunio. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Production method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140203411A1. Автор: Toru Onishi,Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170154818A9. Автор: Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160268217A1. Автор: KONOMI Kenji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Yanagida Masamichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150371902A1. Автор: Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device, semiconductor module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4148932B2. Автор: 弘昌 塚本,和弥 藤田,高志 安留. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20030109079A1. Автор: Yoshihide Yamaguchi,Naoya Kanda,Hiroshi Hozoji,Hiroyuki Tenmei. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-12.

Sample processing device and method, and digital PCR system including the same

Номер патента: CN111057638A. Автор: 李昂. Владелец: Beijing Zhiyu Bio Tech Co ltd. Дата публикации: 2020-04-24.

Semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5563777B2. Автор: 健 松本. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20110042730A1. Автор: Takayoshi Hashimoto,Hisashi Yonemoto,Masayuki Tajiri,Toyohiro Harazono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Illumination device and method of controlling illumination system including the same

Номер патента: KR102083502B1. Автор: 안근택. Владелец: 안근택. Дата публикации: 2020-03-02.

A bluetooth device, and method of operating bluetooth system including the same

Номер патента: KR101668394B1. Автор: 박상기,권철구. Владелец: 주식회사 큐레몬. Дата публикации: 2016-10-21.

Permanent magnet-type molten metal stirring device and melting furnace and continuous casting apparatus including the same

Номер патента: CA2935648C. Автор: Kenzo Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-20.

Shield device and induction heating type cooktop system including the same

Номер патента: KR20230012921A. Автор: 이성훈,김성규,김홍권,곽봉식. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2023-01-26.

Wire bonding device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: TWI721404B. Автор: 吉野浩章,手井森介. Владелец: 日商新川股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-11.

Photoelectric conversion device and sensor and electronic device

Номер патента: US11737360B2. Автор: Sung Jun Park,Kyung Bae Park,Sung Young Yun,Chul Joon HEO,Daiki MINAMI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120139052A1. Автор: Takayoshi Hashimoto,Hisashi Yonemoto,Masayuki Tajiri,Toyohiro Harazono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120273887A1. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130154059A1. Автор: Ohmi Tadahiro,Teramoto Akinobu,Goto Tetsuya,Matsuoka Takaaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130181040A1. Автор: Harada Muneo,WATANABE Shinjiro,IIDA Itaru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-07-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130264624A1. Автор: Toratani Kenichiro,ISHIDA Hirokazu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130285148A1. Автор: IIZUKA Kenzo,KURATA Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130299956A1. Автор: NARITA Hiroaki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130320543A1. Автор: TSUCHIAKI Masakatsu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140001487A1. Автор: OGINO Masaaki,NAKAJIMA Tsunehiro,NAKAZAWA Haruo. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-02.

SUBMOUNT, SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING SUBMOUNT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE

Номер патента: US20190006818A1. Автор: OHKI Yutaka,Minato Ryuichiro. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170033195A1. Автор: Onishi Toru,OKI Shuhei,IKEDA Tomoharu,TASBIR Rahman MD.. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREOF

Номер патента: US20160035624A1. Автор: YAMASHITA Soichi,Murakami Kazuhiro,OGISO Koji. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059407A1. Автор: ONO Takanobu,TOMONO Akira,Tokubuchi Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064447A1. Автор: KIMURA Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160079186A1. Автор: NARITA Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200083321A1. Автор: Ogasawara Atsushi,HOMMA Fumihiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190088548A1. Автор: SHIOMI Masahiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170092554A1. Автор: Abe Yoshiyuki,HIGASHINO Tomoko,MIYAZAKI Chuichi,MUTOU Hideo. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170092588A1. Автор: KAWAMURA Kohei,MIYATANI Kotaro,KUROTORI Takuya. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140175620A1. Автор: YOSHINARI MASATAKA. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200091098A1. Автор: Matsuda Keita. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-03-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180097083A1. Автор: YOSHINARI MASATAKA. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM

Номер патента: US20220148921A1. Автор: Ogihara Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Makihira Naohiro,Iwasaki Hidekazu,ISHII Toshitsugu,MATSUHASHI Jun. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200098634A1. Автор: Tsunami Daisuke. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-03-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150123187A1. Автор: OGAWA Hiroyuki,Ariyoshi Junichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, CORRESPONDING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210167022A1. Автор: CREMA Paolo. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20170140934A1. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220293581A1. Автор: NUMATA Hideo. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-09-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170154777A1. Автор: Nishizawa Koichiro,KIYOI Akira. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20210202298A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Syuji Nozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20190172925A1. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160197024A1. Автор: Sakamoto Yo. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREOF

Номер патента: US20140284772A1. Автор: YAMASHITA Soichi,Murakami Kazuhiro,OGISO Koji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140287576A1. Автор: KURAGUCHI Tomomi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200185291A1. Автор: Yuji Ichimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180204943A1. Автор: NISHIMURA Yasuhiro,OHTANI Kinya. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140299986A1. Автор: Sakurai Daisuke,Usirokawa Kazuya. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150221741A1. Автор: YOSHINARI MASATAKA. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140306321A1. Автор: KANEKO Yuichi. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20160225874A1. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170221985A1. Автор: NARUSAWA TAKUO. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160240654A1. Автор: NISHIMURA Yasuhiro,OHTANI Kinya. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200227261A1. Автор: Miyazaki Masayuki,KITAMURA Shoji,NISHIYAMA Katsushi. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140339713A1. Автор: KAINUMA Norio. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-11-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150262878A1. Автор: SATO Takao. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200251551A1. Автор: Wang Wensheng,Takai Kazuaki,Okita Youichi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor Device Manufacturing Method and Semiconductor Device Manufacturing System

Номер патента: US20170278698A1. Автор: Ogawa Jun,IKEGAWA Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180277456A1. Автор: Abe Yoshiyuki,HIGASHINO Tomoko,MIYAZAKI Chuichi,MUTOU Hideo. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150311210A1. Автор: SUGIOKA Shigeru. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200286800A1. Автор: MARUYAMA Rikihiro,MIYAKOSHI Masaoki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180301337A1. Автор: Shoji Kitamura,Masayuki Miyazaki,Katsushi NISHIYAMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190295901A1. Автор: Motonaga Ikuo. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200303241A1. Автор: MATSUO Mie. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-09-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160329684A1. Автор: SAKUMA Hitoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150380479A1. Автор: NARUSAWA TAKUO. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180366449A1. Автор: IKENOUCHI Shun. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190385859A1. Автор: Nose Yukinori. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP3030201B2. Автор: 秀彦 吉良,昌直 藤井,直樹 石川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-04-10.

Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4534165B2. Автор: 康司 鳥井. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP5100137B2. Автор: 尚 山内,敦寛 木下,義規 土屋,淳二 古賀. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Semiconductor device packaging structure and semiconductor device packaging method

Номер патента: JP4460015B2. Автор: 智 久戸瀬,健司 豊沢. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-05-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3911174B2. Автор: 翊 劉. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3810204B2. Автор: 克也 小崎,政博 玉置,敬 松岡. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP5179391B2. Автор: 晶紀 白石. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3332456B2. Автор: 純一 和田,伸夫 早坂,尚史 金子,晴雄 岡野,恭一 須黒. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-07.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: CN1503337A. Автор: ,,谷田一真,根本义彦,梅本光雄. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3854957B2. Автор: 建一 林,寿 川藤,竜征 竹下,信仁 船越,弘幸 尾崎. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-12-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: CN101120438B. Автор: 中岛裕明. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-05-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3769208B2. Автор: 正勝 土明. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-19.

Semiconductor device packaging method and semiconductor device package

Номер патента: EP2453476A1. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Sven Walczyk,Paul Dijkstra,Emiel de Bruin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: CN103314443A. Автор: 舛冈富士雄,中村广记. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP6665932B2. Автор: 祥司 北村,雄士 西山,正行 宮崎. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-13.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2380707C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIERARCHICALLY STRUCTURED BIT LINES AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120300529A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIERARCHICALLY STRUCTURED BIT LINES AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130058180A1. Автор: NARUI Seiji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120068312A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device using the same

Номер патента: JP3617283B2. Автор: 利昭 長谷川. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-02.

Vehicle power supply control system and method, device, and storage medium

Номер патента: AU2023270253A1. Автор: JI Pingyuan,He Xiaokang. Владелец: Beijing Tusimple Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CHARGE PUMP CIRCUIT AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130070553A1. Автор: TANAKA Hitoshi,NARUI Seiji. Владелец: Elpida Menory, Inc.. Дата публикации: 2013-03-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING UNDER-BUMP METALLIZATION (UBM) STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120098124A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PLURAL INTERNAL VOLTAGE GENERATING CIRCUITS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120140578A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

INTER-LEVEL DIELECTRIC LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAID INTER-LEVEL DIELECTRIC LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120217623A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITORS FIXED TO SUPPORT PATTERNS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120282750A1. Автор: PARK Sung Min. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING AN ELECTRICALLY PERCOLATING SOURCE LAYER AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120319096A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROOVES ON A SIDE SURFACE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130056859A1. Автор: TAKAHASHI Akihiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor device the use for tab lead and method of mount of the same

Номер патента: KR100219473B1. Автор: 김재준,권희준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-01.

Method of manufacturing a semiconductor device having an insulated gate bipolar transistor and a diode in the same substrate

Номер патента: KR970018770A. Автор: 조성민. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Display device and lamp clamping components thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: TW201116765A. Автор: Yu-Chun Shiao,Pei-Ying Huang. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2011-05-16.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor substrate

Номер патента: JP3607194B2. Автор: 信一 高木,宏治 臼田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

RADIATION IMAGE PICKUP DEVICE AND RADIATION IMAGE PICKUP DISPLAY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120305777A1. Автор: YAMADA Yasuhiro,Tanaka Tsutomu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANGANESE OXIDE FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025380A1. Автор: Matsumoto Kenji,KOIKE Junichi,Neishi Koji. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20120031650A1. Автор: Ishikawa Michio,Hatanaka Masanobu,Tsumagari Kanako. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120032281A1. Автор: Haneda Masaki. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120043662A1. Автор: Ohno Hirotaka. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-02-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120077332A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120094398A1. Автор: Wang Wensheng. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120104614A1. Автор: Saitoh Motofumi,Ikarashi Nobuyuki,MASUZAKI Kouji. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120115323A1. Автор: Yamamoto Daisuke,Muragishi Isao,Kai Takayuki,Saito Daishiro,Koiwasaki Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120119267A1. Автор: Yoshida Eiji. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120119299A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126423A1. Автор: Ozawa Takashi,Hatori Yukinori. Владелец: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING METHOD

Номер патента: US20120133056A1. Автор: . Владелец: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120199946A1. Автор: KAGEYAMA Satoshi. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120235282A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120235302A1. Автор: FURUYA Akira. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, CAMERA MODULE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120286385A1. Автор: YAMADA Shigeru. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120286410A1. Автор: GROENHUIS Roelf Anco Jacob,WALCZYK Sven,DIJKSTRA Paul,BRUIN Emiel de. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Saito Hirokazu. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120319182A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP4856107B2. Автор: 哲也 上田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Semiconductor device manufacturing system and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3047881B2. Автор: 仁志 窪田,俊二 前田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-06-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3015765B2. Автор: 秀樹 水原,裕之 渡辺,則章 児島. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-06.

Semiconductor device test apparatus and semiconductor device test method

Номер патента: JP5018474B2. Автор: 秀之 古川. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP5041834B2. Автор: 英次 内田. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device cleaning solution

Номер патента: JP4583678B2. Автор: 幸雄 瀧川,賢子 水島. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-17.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP4507091B2. Автор: 洋子 林田. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-21.