• Главная
  • Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor doping method and an intermediate semiconductor device

Номер патента: WO2022090629A1. Автор: Katja Väyrynen,Emma SALMI,Erik ÖSTRENG. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor doping method and an intermediate semiconductor device

Номер патента: EP4237594A1. Автор: Katja Väyrynen,Emma SALMI,Erik ÖSTRENG. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-09-06.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09418840B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor doping method and an intermediate semiconductor device

Номер патента: US20230411153A1. Автор: Katja Väyrynen,Emma SALMI,Erik ÖSTRENG. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor doping method and an intermediate semiconductor device

Номер патента: EP4237594A4. Автор: Katja Väyrynen,Emma SALMI,Erik ÖSTRENG. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-05-01.

Display device manufacturing apparatus and method

Номер патента: US20190341277A1. Автор: Juhee Lee,Myungsoo Huh,TaeJong Kim,Haeyoung YOO,Jaekyu Park,Hyunwoo Joo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method and Apparatus for Semiconductor Device Fabrication Using a Reconstituted Wafer

Номер патента: US20140335654A1. Автор: Hans-Joachim Barth,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-13.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425354B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20210320079A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Method And System For Transferring Alignment Marks Between Substrate Systems

Номер патента: US20230134997A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Yoshinori Ogawa,David Trung Doan. Владелец: SemiLEDs Corp Taiwan. Дата публикации: 2023-05-04.

Method and system for transferring alignment marks between substrate systems

Номер патента: WO2021231113A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Yoshinori Ogawa,David Trung Doan. Владелец: Semileds Corporation. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus for flipping semiconductor device for transferring the semiconductor device between substrates

Номер патента: US09754808B2. Автор: Chia-Liang Hsu,Chih-Wei WEI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and system for transferring alignment marks between substrate systems

Номер патента: US12002792B2. Автор: Nobuaki Matsumoto,Yoshinori Ogawa,David Trung Doan. Владелец: SemiLEDs Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09396971B2. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633944B2. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09972505B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Kazuyoshi Maekawa,Yuichi Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371630A1. Автор: Wei-Ting YEH,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20170179142A1. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09978760B2. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09842878B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09685474B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US09601470B2. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213319A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090072286A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20150187606A1. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US20150279987A1. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20120061758A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-03-15.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20140077279A1. Автор: Ajin TU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10204986B1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200411550A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230157025A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6933575B2. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20060194398A1. Автор: Amane Oishi,Taiki Komoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Fabrication method and structure of semiconductor device

Номер патента: US20230369051A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230008401A1. Автор: Takuya Hara,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20060220221A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device, equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4117031A3. Автор: Takuya Hara,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20170125599A1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6806539B2. Автор: Hitoshi Aoki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308954A1. Автор: Chia-Wei Huang,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322297A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210143270A1. Автор: Kai Jen,Hao-Chuan Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US20150003029A1. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Manufacturing method of integrated structure of semiconductor devices having split gate

Номер патента: US20230402327A1. Автор: Chin-Chin Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device with polycrystalline silicon active region and ic including semiconductor device

Номер патента: CA1218470A. Автор: Hisao Hayashi,Chiaki Sakai,Hisayoshi Yamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-02-24.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170345925A1. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Method and forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: EP1766670A2. Автор: Anthony K. Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11948884B2. Автор: Chen Ying Chieh,Lin TZU HSIANG,Chen CHIH HAO,Wu WEI CHE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US5926694A. Автор: Kenji Matsuda,Ippei Fujiyama,Yasuhide Chigawa. Владелец: PFU Ltd. Дата публикации: 1999-07-20.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160013051A1. Автор: Yizhi Zeng,Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050012172A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: Kohji Kanamori. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160329427A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246662A1. Автор: Takuya Kurotori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210384107A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020610A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Manufacturing method of connection structure of semiconductor device

Номер патента: US11916018B2. Автор: Ching-Li Yang,Chih-Sheng Chang,Shih-Che Huang,Chen-Yi Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20180005890A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US9793173B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213368A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11935858B2. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240194627A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341322A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148255A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240250046A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Hao Tsai,Po-Yao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12119292B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Wafer manufacturing method and multilayer device chip manufacturing method

Номер патента: US11164802B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Wafer manufacturing method and multilayer device chip manufacturing method

Номер патента: US20200381315A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Stacked wafer manufacturing method

Номер патента: US20110256667A1. Автор: Koichi Kondo,Akihito Kawai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Method and Layout of Semiconductor Device with Reduced Parasitics

Номер патента: US20110294273A1. Автор: Qiang Chen,Albert Birner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160172419A1. Автор: Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363688A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09825133B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543439B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09496232B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20130168746A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297197A1. Автор: Takahiro Kamei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device, electric power conversion device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240274655A1. Автор: Kohei Ebihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170033074A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Thyristor semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12034046B2. Автор: Nicolas Guitard. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09929120B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device, electronic module, electronic apparatus, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220262737A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US8298921B2. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210399097A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220367645A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352544A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749723B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294881A1. Автор: Ying-Ru Shih,Hsien-Chin Chiu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12034052B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160336500A1. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030218230A1. Автор: Hideki Takahashi,Shinji Aono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20070075414A1. Автор: Takashi Miwa,Yasumi Tsutsumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US11915989B2. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9755086B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20220238405A1. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Resin-sealed semiconductor device and lead frame used in a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US5648682A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-07-15.

Semiconductor device and manufacturing mehtod thereof

Номер патента: US20190206854A1. Автор: Yu-Lin Chu,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Field effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US5034791A. Автор: Shuichi Kameyama,Atsushi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Temperature control device, semiconductor device including the same, and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US10032687B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device for a volatile memory and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11244947B1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Devendra K Sadana,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090321896A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7919843B2. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20230402445A1. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Dual Gate Power Semiconductor Device and Method of Controlling a Dual Gate Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230290869A1. Автор: Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US20110006834A1. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443813B1. Автор: Chiu-Wen Lee,Yu-Hsiang Hsiao,Kwang-Lung Lin,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Defect review method and device for semiconductor device

Номер патента: US20080290274A1. Автор: Toshifumi Honda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09715987B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09991082B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030203561A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020027252A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837701B2. Автор: Han-Chee Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640484B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466678B2. Автор: Che-Wei Chang,Shih-Hsien Huang,Chih-Chieh Yeh,Tzu-I Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180151696A1. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US12119237B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20200235155A1. Автор: Tomohiro Sugiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09553060B2. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor manufacturing method including forming additional active layer

Номер патента: US20040185609A1. Автор: Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Yoshinori Okumura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US20240371859A1. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US12080706B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09735271B2. Автор: Ying-Lang Wang,Lai Wan CHONG,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Chun-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device manufacturing method including doping from a diffused layer

Номер патента: US10573752B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4404258A1. Автор: Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20230305226A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US11703639B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US12092862B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20240369761A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including empty spaces

Номер патента: US09953928B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881836B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device comprising a slit insulating layer configured to pass through a stacked structure

Номер патента: US09502432B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240213253A1. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Power semiconductor devices with high temperature electrical insulation

Номер патента: US20210407878A1. Автор: David Richard Esler,Emad A. Andarawis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175231A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor devices with recessed interconnects

Номер патента: US09711457B2. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for packaging a semiconductor device

Номер патента: US20040157371A1. Автор: Byoung Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor devices including gate contacts

Номер патента: US09768250B2. Автор: Changseop YOON,Min Choul Kim,Hyokki Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Three-dimensional electrostatic discharge semiconductor device

Номер патента: US09620587B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and methods of forming patterns

Номер патента: US20240162225A1. Автор: Seungwook Choi,Jeehoon HAN,Jae-Bok Baek,Juseong MIN,Taeyoon HONG,Taekkyu Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device including gate separation region

Номер патента: US20240203988A1. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220115509A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296460A1. Автор: Sung Kil SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151627A1. Автор: Young Ok Hong,Kyoung A Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200294802A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: WO2020185391A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US11217448B2. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220223620A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09721797B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming a wrap-around contact on a semiconductor device

Номер патента: US09704744B2. Автор: Daniel Bergstrom,Ralph T Troeger,Jeffrey S Leib. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09536776B2. Автор: Takahiro Maruyama,Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490258B2. Автор: Soo-Yeon Jeong,Tae-Jong Lee,Dong-gu Yi,Jae-Po Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466600B2. Автор: Chang-Hwan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449915B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: JP4994757B2. Автор: 幸隆 保利. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887935B2. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4102557A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: CN101145521B. Автор: 保利幸隆. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-04-20.

Molded chip fabrication method and apparatus

Номер патента: US10164158B2. Автор: James Ibbetson,Michael S. Leung,Eric J. Tarsa. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Molded chip fabrication method and apparatus

Номер патента: US9105817B2. Автор: James Ibbetson,Michael S Leung,Eric J Tarsa. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180277544A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200395360A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US10763258B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220376053A1. Автор: King Yuen Wong,Kye Jin Lee. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method and forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: EP1766670A4. Автор: Anthony K Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, STORAGE MEDIUM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140361436A1. Автор: Matsumoto Kenji,HAMADA Tatsufumi. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090227079A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for forming semiconductor devices

Номер патента: US4046595A. Автор: Yoshichika Kobayashi,Yoshio Ohkubo. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1977-09-06.

Semiconductor-device manufacturing method, storage medium, and semiconductor device

Номер патента: WO2013125449A1. Автор: 龍文 濱田,松本 賢治. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor-device manufacturing method, storage medium, and semiconductor device

Номер патента: TW201347089A. Автор: Kenji Matsumoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-11-16.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945598A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US11791422B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230103393A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3958329A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09912291B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09482625B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US09945902B2. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Resistance correction circuit, resistance correction method, and semiconductor device

Номер патента: US09829911B2. Автор: Takashi Nakamura,Kosuke YAYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355936A1. Автор: Boon Keat Toh,Chi REN,Chih-Hsin Chang,Szu Han Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Stacked semiconductor device assembly

Номер патента: US09880959B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09812585B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with stepped source structure

Номер патента: US11765896B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US12107137B2. Автор: Yasushi Higuchi,Yuji Kato,Hidetaka Shibata,Mitsuru Okigawa,Atsushi Terai,Fujio Okui,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US20170133567A1. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US09882106B2. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US09742362B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US09698259B2. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Multistage coupling semiconductor carrier, semiconductor device using the semiconductor carrier

Номер патента: US6194787B1. Автор: Naoji Senba,Kazuyuki Mikubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Semiconductor device and its manufacturing method, a circuit board and an electronic device

Номер патента: US20030218260A1. Автор: Jun Taniguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20170263775A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including pellet-like particle or flat-plate-like particle

Номер патента: US09666721B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09490441B2. Автор: Kaori Takimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US20170069574A1. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Spherical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020011665A1. Автор: Kenji Shimokawa,Kohei Tatsumi,Nobuo Takeda,Eiji Hashino,Atsuyuki Fukano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Placement base for semiconductor device and vehicle equipment

Номер патента: US20180012821A1. Автор: Toyohide TAKAHASHI,Takuji YAMASHIRO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Packaging structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: EP3883131A1. Автор: Chen Sun,Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09824971B2. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09785566B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09536833B2. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230013070A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Stacked layer type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20040130017A1. Автор: Takakazu Fukumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Power Semiconductor Devices Including Beryllium Metallization

Номер патента: US20240355738A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Driver circuit comprising semiconductor device

Номер патента: US09947695B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09881900B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09559028B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069594A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160133549A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20120012978A1. Автор: Katsuo Ishizaka,Tetsuo Iijima,Akira Mishima,Takuro Kanazawa,Norio Kido,Kentaro Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US12126344B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yusuke Negoro,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor package and semiconductor package mounting structure

Номер патента: US09577310B2. Автор: Toshihide Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: US20240363748A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: WO2024228783A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09599655B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524975B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing it

Номер патента: US20110294236A1. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Yoshinori Yamauchi,Rintaro Koda,Kayoko Kikuchi,Norihiko Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US20170263205A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device including two-dimensional material

Номер патента: US20240162337A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yunseong LEE,Van Luan NGUYEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20170018577A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200235060A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi,Takuya KITABAYASHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240297104A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Daisuke Oya,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09917110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09466615B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09935143B2. Автор: Yukio Maehashi,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20180183411A1. Автор: Ryuichi Oikawa,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device for image sensor

Номер патента: US20080211046A1. Автор: Dong-bin Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Wire pad of semiconductor device

Номер патента: US20080073791A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Wire pad of semiconductor device

Номер патента: US7642659B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device with sense terminal

Номер патента: US12113041B2. Автор: Toshiyuki Hata,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12131781B2. Автор: Sujin Ahn,Kinam Kim,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device layout structure

Номер патента: US09997510B2. Автор: Ching-Wen Wang,Karuna NIDHI,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having repairable penetration electrode

Номер патента: US09941192B2. Автор: SangHyeon Baeg,Sungsoo CHUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929235B1. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection

Номер патента: US09917080B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09640502B2. Автор: Po-Chen Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin film semiconductor device manufacturing method and thin film semiconductor device

Номер патента: JPWO2013118233A1. Автор: 西田 健一郎,健一郎 西田,有宣 鐘ヶ江. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-05-11.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070284691A1. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US8022409B2. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Multilayer wiring board manufacturing method and resin-encapsulated semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4043872B2. Автор: 悟 倉持. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10103082B2. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024113076A1. Автор: Sichao LI,Jianfa Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180005915A1. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method therof

Номер патента: US20200075593A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Communication monitoring method and apparatus of semiconductor devices

Номер патента: US20050265242A1. Автор: Hsuan-Hsuan Wu,Tsang-Nan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Photo-detecting semiconductor device and an apparatus having such a photo-detecting semiconductor device

Номер патента: US20020166947A1. Автор: Hiroshi Suzunaga,Shigeyuki Sakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Photo-detecting semiconductor device and an apparatus having such a photo-detecting semiconductor device

Номер патента: US6737623B2. Автор: Hiroshi Suzunaga,Shigeyuki Sakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-18.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20230106646A1. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US11942928B2. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device for protecting secondary battery, battery pack, and electronic device using same

Номер патента: US20090197156A1. Автор: Tomoyuki Goto. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180265352A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10351421B2. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Temperature control method and apparatus and test method and apparatus of semiconductor devices

Номер патента: US20070296434A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takashi Morimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor

Номер патента: US20050055651A1. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device, battery monitoring system, and address setting method of semiconductor device

Номер патента: US20160055890A1. Автор: Yoshikatsu Matsuo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Manufacturing method for hollow rack bar and hollow rack bar manufacturing apparatus

Номер патента: US11980929B2. Автор: Takashi Yamawaki,Nobumoto ISHIKI,Toshifumi UEMOTO. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method and apparatus for fluid flow for additive manufacturing apparatus

Номер патента: US11872627B2. Автор: Peter PONTILLER-SCHYMURA,Benedikt Roidl,Thomas Fauner. Владелец: Ge Additive Germany GmbH. Дата публикации: 2024-01-16.

Method and apparatus for fluid flow for additive manufacturing apparatus

Номер патента: US20240131596A1. Автор: Peter PONTILLER-SCHYMURA,Benedikt Roidl,Thomas Fauner. Владелец: Ge Additive Germany GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Manufacturing method of pattern formed body and pattern formed body manufacturing apparatus

Номер патента: US20090168033A1. Автор: Takashi Sawada,Hironori Kobayashi,Kaori Yamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Manufacturing method for hollow rack bar and hollow rack bar manufacturing apparatus

Номер патента: EP3713690A1. Автор: Takashi Yamawaki,Nobumoto ISHIKI,Toshifumi UEMOTO. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Manufacturing method for hollow rack bar and hollow rack bar manufacturing apparatus

Номер патента: WO2019102927A1. Автор: Takashi Yamawaki,Nobumoto ISHIKI,Toshifumi UEMOTO. Владелец: NETUREN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20190207426A1. Автор: Koji Morita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and communication system including the same

Номер патента: US09847870B2. Автор: Do-Hyung Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324185A1. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4436330A2. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4436330A3. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-13.

Semiconductor device, memory system and electronic apparatus

Номер патента: US20020135021A1. Автор: Kunio Watanabe,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device, memory system and electronic apparatus

Номер патента: US20020135003A1. Автор: Kunio Watanabe,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230018223A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuto Yakubo,Shoki Miyata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Synchronized semiconductor device with phase adjustment circuit

Номер патента: US09768760B2. Автор: Hiroki Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and system for synchronizing all clock sources of semiconductor devices

Номер патента: US7210052B2. Автор: De-Wei Lee,Wu-Han Yang. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device testing method and testing equipment

Номер патента: US20060061379A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Measuring apparatus, measuring method, and ion-sensitive semiconductor device

Номер патента: US20230097075A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device, correlation value operation method, and recording medium

Номер патента: US20240303077A1. Автор: Atsushi Yamazaki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device development information integrating system

Номер патента: US5933350A. Автор: Mitsuhiro Matsuura,Shinichi Fujimoto,Masaaki Kakihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Heating and cooling unit with semiconductor device and heat pipe

Номер патента: US09416995B2. Автор: Ping Wu,Francis Thomas Brija. Владелец: Spring (U S A) Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Test mode circuit with serialized I/O and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09761328B2. Автор: Yong Suk Joo,Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792970B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09583165B1. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device to be embedded within a contact lens

Номер патента: US20160073872A1. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device to be embedded within a contact lens

Номер патента: US09687181B2. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and processor control method

Номер патента: US11086690B2. Автор: Masayuki Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Exposure mask manufacturing method, drawing device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: DE102005035144B4. Автор: Masamitsu Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Method and device for monitoring ophthalmic lens manufacturing conditions

Номер патента: US09897824B2. Автор: Randall B. Pugh. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power semiconductor devices including beryllium metallization

Номер патента: WO2024220798A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.