Patterned structure of a semiconductor device and a manufacturing method thereof
Номер патента: US09755048B2
Опубликовано: 05-09-2017
Автор(ы): I-Ming Tseng, Kuan-Hsien Li, Rai-Min Huang, Tong-Jyun Huang
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-09-2017
Автор(ы): I-Ming Tseng, Kuan-Hsien Li, Rai-Min Huang, Tong-Jyun Huang
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including a multigate transistor formed with fin structure
Номер патента: US10923472B2. Автор: Sung Min Kim,Dong Won Kim,Geum Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.