Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US11682464B2
Опубликовано: 20-06-2023
Автор(ы): Masanobu Shirakawa, Tsukasa TOKUTOMI
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nonvolatile memory device for supporting fast checking function and operating method of data storage device including the same

Номер патента: US09899094B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Writing method and erasing method of fusion memory

Номер патента: US12002500B2. Автор: Ming Liu,Qing LUO,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Tiancheng GONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220215887A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor memory device and method related to operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20190267098A1. Автор: Min Kyu Lee,Sung Won Bae,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US11908527B2. Автор: Sung Won Bae,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US11238925B2. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10262703B2. Автор: Yasuhiro Shimura,Keita Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180261267A1. Автор: Yasuhiro Shimura,Keita Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device with page buffers

Номер патента: US20210057019A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US11880582B2. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits

Номер патента: US09922707B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of reading data from a nonvolatile memory device, nonvolatile memory device, and method of operating a memory system

Номер патента: US09412471B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11875856B2. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220101924A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230186994A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200098432A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210249083A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200251168A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20210304810A1. Автор: Eun Hong KIM,Byung In Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US09627075B1. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20140208044A1. Автор: Eui Jin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20220068392A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10163487B2. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device outputting data from memory cell groups in parallel and system

Номер патента: US11915778B2. Автор: Mitsuhiro Abe,Mitsuaki Honma,Akio SUGAHARA,Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Precharge circuitry for semiconductor memory device

Номер патента: US09830959B2. Автор: Kang Woo Park,Eun Ji CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09659663B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10847192B2. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11626142B2. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11176971B2. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device switchable to twin memory cell configuration

Номер патента: US6775177B2. Автор: Tadaaki Yamauchi,Tetsuichiro Ichiguchi,Hideki Yonetani,Tsutomu Nagasawa,Junko Matsumoto,Makoto Suwa,Takeo Okamoto,Zengcheng Tian. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-10.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell array structure and operating method thereof

Номер патента: US09520198B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of programming an electrically programmable non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1426968A3. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-06-20.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633720B2. Автор: Masashi Yoshida,Tomoaki Nakano,Shigefumi Irieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory

Номер патента: US20230253054A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa,Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240296895A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa,Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640265B1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09799403B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Shinohara,Kenichi Abe,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Keisuke Yonehama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120020154A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240274205A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200161320A1. Автор: Koichiro Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180137919A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11342026B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09601211B1. Автор: Chang Won YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Operation method of memory device

Номер патента: US20240079069A1. Автор: Jun-Ho SEO,Hyeyoung Hong,Seongyong KIM,Miju YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory

Номер патента: US12020756B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa,Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240324250A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Yoshikazu HOSOMURA,Shouichi Ozaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230317173A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Shinohara,Kenichi Abe,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Keisuke Yonehama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device detecting program failure, and method of operating the same

Номер патента: US11961571B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11837294B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11355202B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US10607707B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20240185930A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20220262443A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20200227122A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1158532A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210074359A1. Автор: Yasuhiro Shimura,Kenrou KIKUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Memory device, memory system, method of operating memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09916900B2. Автор: Yoon Kim,Dong-Chan Kim,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: EP2469539A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US9159424B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240185922A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11749350B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11615851B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US20230145598A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US20210257027A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US20220130462A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190348120A1. Автор: Koji KATO,Yoshinao Suzuki,Yoshihiko Kamata,Takumi Fujimoto,Tsukasa Kobayashi,Hideyuki Kataoka,Yuki Shimizu,Yuui Shimizu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20200233608A1. Автор: Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210193232A1. Автор: Akihiro IMAMOTO,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of Reducing Program Disturbance in Memory Device and Memory Device Utilizing Same

Номер патента: US20210174852A1. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of sequentially biasing bias lines in memory device for program disturbance reduction and memory device utilizing same

Номер патента: US11222674B2. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220180945A1. Автор: Yuzuru SHIBAZAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230058168A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240274210A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device, storage device, operating method of storage controller, and operating method of the storage device

Номер патента: US20240126453A1. Автор: Hoon Jo,Hyojin AHN,Seoyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140036600A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8885417B2. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Memory device configured to apply first and second pass voltages to unselected word lines based on an operating voltage

Номер патента: US11875863B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device related to performance of a program operation and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240161832A1. Автор: Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210210146A1. Автор: Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Reducing neighbor word line interference in a two-tier memory device by modifying word line programming order

Номер патента: US20200202962A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Electronic device including a semiconductor memory having memory arrays with variable resistance storage elements and a bias voltage generator arranged between the arrays

Номер патента: US09865345B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220036941A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Nonvolatile semiconductor memory device with MONOS type memory cell

Номер патента: US20040062080A1. Автор: Hiroshi Kato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: US20030178668A1. Автор: Sohrab Kianian,Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device which applies multiple voltages to the word line

Номер патента: US9792996B1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US11917826B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US20200251493A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device including non-volatile memory cell array having MOS structure in well region formed on semiconductor substrate

Номер патента: US20020057623A1. Автор: Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US10332907B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US20240172442A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140063962A1. Автор: Katsuaki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11189348B2. Автор: Takeshi Hioka,Masaki UNNO,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-30.

Semiconductor memory device, erasing methods thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09646696B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: EP4202939A1. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-28.

Read disturb control in a nonvolatile semiconductor memory device having P-type memory cell transistor

Номер патента: US8964463B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: US09721653B2. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems and Methods for Memory Operation Using Local Word Lines

Номер патента: US20230307024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device with cache memory addressable by block within each column

Номер патента: US4926385A. Автор: Hideto Hidaka,Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190378561A1. Автор: Takashi Kubo,Kenichi Yasuda,Yasuhiko Tsukikawa,Takeshi Hamamoto,Masaru Haraguchi,Hironori Iga. Владелец: Zentel Japan Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor memory device for simple cache system

Номер патента: US5588130A. Автор: Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-12-24.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20220130465A1. Автор: Ji Hong Kim,Min Kyung Choi,Ji Yeun KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20080177928A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8082383B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20120246422A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20120063229A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Shinya Fujisawa. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of regulating the voltages on the drain and body terminals of a nonvolatile memory cell during programming and corresponding programming circuit

Номер патента: EP1331645A3. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta,Andrea Sacco,Sabina Mognoni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349465B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242769A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11978508B2. Автор: Takeshi Hioka,Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210335418A1. Автор: Takeshi Hioka,Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240096420A1. Автор: Sung-Min JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device in which data writing to cells is controlled using program pulses

Номер патента: US11699478B2. Автор: Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220208247A1. Автор: Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Word line dependent temperature compensation scheme during sensing to counteract cross-temperature effect

Номер патента: US09543028B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device and method of testing semiconductor device

Номер патента: US20080192554A1. Автор: Kiyokazu Hashimoto,Nobutoshi Tsunesada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11967380B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4181127A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor memories and methods for manufacturing same

Номер патента: US10381078B2. Автор: Chanho Kim,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Dong-Kil Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor memories and methods for manufacturing same

Номер патента: US20190130974A1. Автор: Chanho Kim,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Dong-Kil Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile memory devices with common source line voltage compensation and methods of operating the same

Номер патента: US8446769B2. Автор: BoGeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200090772A1. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system that differentiates voltages applied to word lines

Номер патента: US20180261275A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device with a plurality of sense ampilifers overlapping a plurality of metal joints

Номер патента: US20230165010A1. Автор: Hiroshi Maejima,Naohito Morozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10566049B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory device with a plurality of sense ampilifers overlapping a plurality of metal joints

Номер патента: US11889699B2. Автор: Hiroshi Maejima,Naohito Morozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Input circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7710791B2. Автор: Qi Wang,Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Won-seok Lee,Joon Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10685689B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device having clock generator for controlling memory and method of generating clock signal

Номер патента: US20030058731A1. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device having clock generator for controlling memory and method of generating clock signal

Номер патента: US6535457B1. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180018211A1. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor memory

Номер патента: US20190371407A1. Автор: Masashi Yamaoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including pass transistors with variable sizes

Номер патента: US12133389B2. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Page buffer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09792966B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

On chip testing of semiconductor memory devices

Номер патента: GB2222461B. Автор: Masaki Tsukude,Tsukasa Ooishi,Kazutami Arimoto,Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-05-19.

Memory device including charge pump, and operation method of the memory device

Номер патента: US20240312531A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor storage device having first and second memory strings formed on opposite sides of the same pillar and method of performing a read operation therein

Номер патента: US11715527B2. Автор: Takashi Maeda,Takayuki Miyazaki,Kazutaka IKEGAMI,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device including charge storage layer and control gate

Номер патента: US20100034020A1. Автор: Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory cell array and semiconductor memory

Номер патента: US20080291725A1. Автор: Nobukazu Murata,Tomonori Terasawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Nonvolatile semiconductor memory system with a plurality of erase blocks

Номер патента: US5465236A. Автор: Kiyomi Naruke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device with concurrent memory access and data locking

Номер патента: US6469928B2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP1143455A3. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor memory device, method of adjusting the same and information processing system including the same

Номер патента: US20140056086A1. Автор: Hideyuki Yoko,Ryuji Takishita,Naohisa Nishioka,Chikara Kondo. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory cell and storage device

Номер патента: US09740255B2. Автор: Tetsuo Endoh,Takashi Ohsawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-08-22.

Variable pulse widths for word line activation using power state information

Номер патента: US09606742B1. Автор: Hoyeol Cho,Jinho Kwack,Jilong Shan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Including Resistance Change Material and Method of Operating

Номер патента: US20210110872A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality including resistance change material and method of operating

Номер патента: US09812203B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality including resistance change material and method of operating

Номер патента: US09490012B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US20150028451A1. Автор: Kenji Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20240282375A1. Автор: Seung Han RYU,Sung Geun Kang,Hyeong Rak Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US09455258B2. Автор: Kenji Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor Apparatus and Identification Method of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20170221581A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Riichiro Shirota,Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor memory device and operating method for the same

Номер патента: US20140189283A1. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A2. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: US20240038319A1. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A3. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Including Resistance Change Material and Method of Operating

Номер патента: US20230343392A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Memory having a plurality of memory cells and a plurality of word lines

Номер патента: US09799412B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory configuration with a refresh logic circuit, and method of refreshing a memory content of the semiconductor memory configuration

Номер патента: US20010026491A1. Автор: Thomas Böhm,Thomas Rohr,Georg Braun,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-04.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device having redundancy circuit portion

Номер патента: US4803656A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-07.

Semiconductor memory device comprising different type memory cells

Номер патента: US4799196A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-01-17.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and methods of performing a stress test on the semiconductor memory device

Номер патента: WO2010068591A1. Автор: Nan Chen,ChangHo Jung,Zhiqin Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-06-17.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Semiconductor memory device having concurrently resettable memory cells

Номер патента: US5285420A. Автор: Yasuo Shibue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Semiconductor memory device comprising a plurity of input/output ports and a plurity of memory blocks corresponding to the plurality of input/output ports

Номер патента: US9053757B2. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Memory cell that can store data nonvolatily using a ferroelectric capacitor, and a semiconductor memory device including such a memory cell

Номер патента: US5751627A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor memory device capable of efficient memory cell select operation with reduced element count

Номер патента: US20010043502A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Semiconductor memory device having high speed parallel transmission line operation and a method for forming parallel transmission lines

Номер патента: US5663913A. Автор: Hyun-Soon Jang,Ho-Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-09-02.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile storage device and method of manufacturing the same, and storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7842557B2. Автор: Katsuyuki Naito,Yuichi Motoi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Nonvolatile storage device and method of manufacturing the same, and storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090042340A1. Автор: Katsuyuki Naito,Yuichi Motoi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307434A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Maejima,Katsuaki Isobe,Nobuaki OKADA,Takahiro Tsurudo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210043234A1. Автор: Takashi Terada,Takeo Mori,Takuto Tanaka,Takamichi Tsuchiya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Electrically programmable and erasable semiconductor memory and method of operating same

Номер патента: US5280187A. Автор: Heinz-Peter Frerichs. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Word line charge integration

Номер патента: WO2024137192A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4287185A1. Автор: Keisuke Nakatsuka,Hiroshi Nakaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230397446A1. Автор: Keisuke Nakatsuka,Hiroshi Nakaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230352099A1. Автор: Koji KATO,Yuki Shimizu,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with non-linear elongated floating gate, and a memory array made thereby

Номер патента: TW200401408A. Автор: Sohrab Kianian. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2004-01-16.

Memory device detecting defect by measuring line resistance of word line

Номер патента: US11835579B2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hwangju Song,Jaeeun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180068706A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240071478A1. Автор: Yoshinao Suzuki,Masami Masuda,Hideyuki Kataoka,Kazuyoshi Muraoka,Yoshikazu HOSOMURA,Mai SHIMIZU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8284612B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4294149A1. Автор: Masayuki Ako. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor memory and method for operating a semiconductor memory comprising a plurality of memory cells

Номер патента: TWI307891B. Автор: SEIDEL Konrad,Richter Detlev. Владелец: Qimonda Flash Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2009-03-21.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240221843A1. Автор: Jinyoung Kim,Sehwan Park,Joonsuc Jang,Jisang LEE,Minji CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240087656A1. Автор: Takeshi Hioka,Katsuaki Isobe,Mario Sako. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

10-transistor non-volatile static random-access memory using a single non-volatile memory element and method of operation thereof

Номер патента: US09997237B2. Автор: Jayant Ashokkumar,Joseph S Tandingan,David W. Still,Jesse J Siman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: TWI223407B. Автор: Chih-Hsin Wang,Sohrab Kianian. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Semiconductor memory and method for operating a semiconductor memory comprising a plurality of memory cells

Номер патента: TW200713282A. Автор: Konrad Seidel,Detlev Richter. Владелец: Qimonda Flash Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2007-04-01.

Non-volatile memory cell and non-volatile cell array

Номер патента: US20200160909A1. Автор: Ping-Yu KUO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Neuromorphic computing device and method of operating the same

Номер патента: US20230038384A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Nonvolatile memory apparatus and operating method of the nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20190325976A1. Автор: Keun Sik KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US09455049B2. Автор: Sung-Yub LEE,Na-Yeon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and method

Номер патента: US5877990A. Автор: Tae-Hyoung Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

Semiconductor memory capable of reading data without accessing memory cell

Номер патента: US09672887B2. Автор: Masahiko Nakayama,Katsuhiko Hoya,Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Layout method for semiconductor memory device obtaining high bandwidth and signal line

Номер патента: US5783480A. Автор: Dong-Il Seo,Se-Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device with write driver

Номер патента: US09966123B2. Автор: Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and memory module having reconfiguration rejecting function

Номер патента: US09412464B2. Автор: Young Duk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180075893A1. Автор: Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5555210A. Автор: Yoshiharu Kato. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor memory device with data path option function

Номер патента: US20140098599A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09384796B2. Автор: Yong-Ki Cho,Du-Yeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device, memory system, and method

Номер патента: US20230410857A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body

Номер патента: US3968565A. Автор: Jan T. Gerkema,Theodorus Cornelius Johannes Maria Bertens,Hendrikus Josephus Antonius Van Dijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-07-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230380173A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Byeongjoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory comprising means for switching between normal and high speed reading mode

Номер патента: WO2008048504A3. Автор: Akira Ogawa,Masao Taguchi,Naoharu Shinozaki,Takuo Ito. Владелец: Takuo Ito. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory comprising means for switching between normal and high speed reading mode

Номер патента: WO2008048504A2. Автор: Akira Ogawa,Masao Taguchi,Naoharu Shinozaki,Takuo Ito. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-24.

Sense amplifier having a high operation speed and a low power consumption

Номер патента: US5675535A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-07.

Semiconductor device and driving method of the same

Номер патента: US20070153565A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroko Abe,Ryoji Nomura,Yuji Iwaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4974207A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09530471B1. Автор: Sun Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A2. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A3. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: US20240064973A1. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Variable resistive memory device including controller for driving bitline, word line, and method of operating the same

Номер патента: US09496032B2. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US8467216B2. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US20110182099A1. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory

Номер патента: US5657264A. Автор: Kazutaka Mori,Masahiro Iwamura,Tatsumi Yamauchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230309289A1. Автор: Kiseok LEE,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Haejoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4255147A1. Автор: Kiseok LEE,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Haejoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Variable resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US20160260477A1. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory apparatus, and impedance calibration circuit and method thereof

Номер патента: US09478267B1. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device capable of performing read operation and write operation simultaneously

Номер патента: US09633712B1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device having bitline coupling scheme capable of preventing deterioration of sensing speed

Номер патента: US20040125662A1. Автор: Sung-Ho Choi,Tae-Seong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070279979A1. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Data read circuit for use in a semiconductor memory and a memory thereof

Номер патента: US6982913B2. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor memory device capable of performing read operation and write operation simultaneously

Номер патента: US20170263294A1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor devices with a double sided word line structure and methods of manufacture

Номер патента: US11856876B2. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20230389452A1. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Memory Device for Simultaneously Performing Read Access and Write Access

Номер патента: US20080259692A1. Автор: Sang Hoon Hong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2008-10-23.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Electronic device and method of operating memory cell in the electronic device

Номер патента: US10825519B1. Автор: Tae Hoon Kim,Hye Jung Choi,Beom Seok Lee,Woo Tae Lee,Sang Hyun Ban,Hwan Jun Zang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Stressing and testing semiconductor memory cells

Номер патента: US09704567B1. Автор: Juergen Pille,Stefan Payer,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory capable of high-speed data erasing

Номер патента: US4965769A. Автор: Masakazu Aoki,Ryoichi Hori,Kiyoo Itoh,Jun Etoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-10-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090122624A1. Автор: Yasushi Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor memory and its test method

Номер патента: US20020054526A1. Автор: Kiyoshi Adachi,Takashi Utsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor memory including address multiplexing circuitry for changing the order of supplying row and column addresses between read and write cycles

Номер патента: US5173878A. Автор: Fujio Masuoka,Koji Sakui,Kazunori Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110286262A1. Автор: Makoto Kitayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory in which access to broken word line is inhibited

Номер патента: US6111799A. Автор: Shouzou Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Semiconductor memory device, test control system, and method of operating test control system

Номер патента: US9336902B2. Автор: Seung-Geun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor memory device comprising controllable threshold voltage dummy memory cells

Номер патента: US20080055983A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hideaki Kurata,Satoshi Noda,Masahiro Shimizu,Kenji Kozakai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor storage device and control method of semiconductor storage device with detecting levels of a multi-ary signal

Номер патента: US09858998B2. Автор: Takeshi Sugimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09941332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device for stably reading and writing data

Номер патента: US09672900B2. Автор: Shigeki Ohbayashi,Yasumasa Tsukamoto,Koji Nii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Electronic device and method of operating memory cell in the electronic device

Номер патента: US20210110871A1. Автор: Tae Hoon Kim,Hye Jung Choi,Beom Seok Lee,Woo Tae Lee,Sang Hyun Ban,Hwan Jun Zang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225421A1. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US09761306B1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170263297A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Katsuhiko Hoya,Nao Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818467B2. Автор: Kosuke Hatsuda,Katsuhiko Hoya,Nao Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and refresh method for the same

Номер патента: US20050157576A1. Автор: Hajime Sato,Yuji Nakagawa,Satoru Kawamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor memory device having hierarchical row selecting lines

Номер патента: US5193074A. Автор: Kenji Anami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-03-09.

Semiconductor memory

Номер патента: US4513399A. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-04-23.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor memory and memorizing method to read only semiconductor memory

Номер патента: US5313418A. Автор: Yuichi Egawa,Toshio Wada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09496036B1. Автор: Frederick Chen,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Pei-Hsiang Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09460790B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09899082B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory unit

Номер патента: US4935898A. Автор: Masanori Odaka,Hiroshi Higuchi,Toshikazu Arai,Shuuichi Miyaoka. Владелец: Akita Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1990-06-19.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality

Номер патента: US09761311B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20230307074A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Single-ended memory cell with improved read stability, memory using the cell, and methods of operating and designing same

Номер патента: US20080192525A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Keunwoo Kim,Vinod Ramadurai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor memory and screening test method thereof

Номер патента: USRE37184E1. Автор: Kenji Numata,Natsuki Kushiyama,Tohru Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

Semiconductor memory devices with diode-connected MOS

Номер патента: US11955191B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US11804258B2. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20230040958A1. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080180984A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor memory device with dual selection circuitry including CMOS and bipolar transistors

Номер патента: US4961164A. Автор: Masanori Odaka,Hiroshi Higuchi,Toshikazu Arai,Shuuichi Miyaoka. Владелец: Akita Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11950427B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device, semiconductor device, and electronic device each including redundant memory cell

Номер патента: US11823733B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060028857A1. Автор: Atsushi Sueoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Method of fabricating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09887240B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of operating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09608043B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi-level memory cell utilizing measurement time delay as the characteristic parameter for level definition

Номер патента: US20090073790A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Potential difference transmission device and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5672987A. Автор: Tsuguyasu Hatsuda,Isao Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11887648B2. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Hyeoungwon Seo,Sungwon Yoo,Jaeho Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220108741A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Sungwon Yoo,Jaeho Hong,Iigweon Kim,Hyeongwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240119984A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Hyeoungwon Seo,Sungwon Yoo,Jaeho Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728239B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US4458336A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090279377A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Word line charge integration

Номер патента: US20240212736A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20090034313A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor memory device preventing a malfunction caused by a defective main word line

Номер патента: US6172934B1. Автор: Teruyuki Uchihira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device with hierarchical word line scheme

Номер патента: US09691438B2. Автор: Seol Hee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180268893A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240331738A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor storage device and control method of semiconductor storage device

Номер патента: US20170069373A1. Автор: Takeshi Sugimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor storage device having TFET access transistors and method of driving the same

Номер патента: US09620199B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Static semiconductor memory device using bipolar transistor

Номер патента: US5216630A. Автор: Yasunobu Nakase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-01.

Memory subword driver circuits with common transistors at word lines

Номер патента: US11942142B2. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Volatile memory devices and methods of operating same to improve reliability

Номер патента: US20240212775A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277201A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Megumu HORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Asymmetrical memory cell arrangement

Номер патента: US4035784A. Автор: George W. Brown. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1977-07-12.

Memory device and method of testing the memory device for failure

Номер патента: US20240120020A1. Автор: Jung Ryul Ahn,Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory with embedded dram

Номер патента: EP1422719A2. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-05-26.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US11862245B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: US11776907B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory with selectable single cell or twin cell configuration and method of operating a memory

Номер патента: WO2006069761A1. Автор: Harald Lorenz,Thomas Vogelsang,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8411477B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6151259A. Автор: Mineyuki Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4638461A. Автор: Kazuhiro Sakashita,Ryo Yonezu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-01-20.

Word line driver array and memory

Номер патента: US12014801B2. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11450683B2. Автор: Yoshitaka Kubota,Erika KODAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11925024B2. Автор: Yoshitaka Kubota,Erika KODAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Nonvolatile memory device with vertical string including semiconductor and resistance change layers, and method of operating the same

Номер патента: US20210350851A1. Автор: Youngjin Cho,Cheol Seong Hwang,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11832436B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Word-line deficiency detection method for semiconductor memory device

Номер патента: US20010009525A1. Автор: Yoshiharu Kato,Shinji Nagai,Satoru Kawamoto,Motoki Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

A modifiable circuit, methods of use and making thereof

Номер патента: EP1494283A1. Автор: Vafa J. Rakshani,Edmund H. Spittles,Tim Sippel,Richard Unda,Manolito Catalasan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210035635A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON,Cheolseong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor storing device for reading out or writing data from/in memory cells

Номер патента: US20030202416A1. Автор: Yoshinori Doi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory package structure and semiconductor memory system

Номер патента: US20220293137A1. Автор: Bing-Lian Lin,Chao-Wei Ko. Владелец: Transcend Information Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor memory circuit with sensing arrangement free from malfunction

Номер патента: US4926381A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040001377A1. Автор: Yoshiki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-01.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: US20150270480A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: WO2015142614A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09741426B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: US09344345B2. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357799A1. Автор: Byoung Wook Jang,Kang-Uk Kim,Jin A Kim,Young-Seung Cho,Choong Hyun LEE,Joon Cheol KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory cell array structures and methods of forming the same

Номер патента: US09773844B2. Автор: Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Gabriel L. Donadio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor storage apparatus and method of manufacturing of the same

Номер патента: US6097643A. Автор: Takehiro Hasegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230363148A1. Автор: Tsuyoshi Tomoyama,Yuki Munetaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240063205A1. Автор: Kunal R. Parekh,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A4. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of programming cross-point diode memory array

Номер патента: US7706177B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-04-27.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Single word line gain cell with complementary read write channel

Номер патента: US11727983B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor memory

Номер патента: US20030161202A1. Автор: Takashi Sugiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Single word line gain cell with complementary read write channel

Номер патента: US20210358538A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09401386B2. Автор: Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130163356A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida,Hitoshi Yamanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-18.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Semiconductor memory device and electronic instrument

Номер патента: US6765841B2. Автор: Koji Miyashita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-07-20.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09928925B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Floating staircase word lines and process in a 3D non-volatile memory having vertical bit lines

Номер патента: US09748172B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09613719B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of identifying at least one object in contact with a vehicle, as well as a control device and a vehicle

Номер патента: RU2738034C1. Автор: Др. Яссер АЛЬ НАХЛАУИ,Др. Симон ШЛИККЕР. Владелец: Фольксваген Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2020-12-07.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Motion vector detection device, method of controlling a motion vector detection device, and image capturing apparatus that change a size and a number of a template block based on a use of a detected motion vector

Номер патента: US10313591B2. Автор: Shunichiro Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Method for planning a semiconductor manufacturing process based on users' demands using a fuzzy system and a genetic algorithm model

Номер патента: US8170964B2. Автор: TSUNG-WEI Lin,Yi Feng Lee,Chun Chi Chen,Yun-Zong Tian,Wei Jun Chen. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Method and system for creating investment instrument in form of a set of provided assets, method and device (variants) for conduction of bank investments, method and device (variants) for stock exchange trading, method and device (variants) for controlling a set of provided assets, method for transferring signals, method for creating stocks and a set of stocks of provided asset

Номер патента: RU2312394C2. Автор: Аллан Н. Вейс,Роберт Дж. Шиллер. Владелец: МакроМакитс эЛэЛСи. Дата публикации: 2007-12-10.

Memory devices performing selective post package repair, electronic devices including the same, and operating methods of the same

Номер патента: US20240362109A1. Автор: Taekhoon KIM,June-Hyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

Method of fixing a cadaver intact eyeball and its sectional fragments during x-ray computer micro- and nanotomography and a device for its implementation

Номер патента: RU2715926C1. Автор: Александр Николаевич Епихин,Борис Игоревич Митрин,Евгений Валерьевич Садырин,Наталья Александровна Топоркова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-03-04.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

A method of real-time controlling a remote device, and training a learning algorithm

Номер патента: NL2032111B1. Автор: Roland Lukaart Martijn. Владелец: Look E B V. Дата публикации: 2023-12-18.

A method of real-time controlling a remote device, and training a learning algorithm

Номер патента: WO2023239237A1. Автор: Martijn Roland LUKAART. Владелец: Look-E B.V.. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of monitoring and controlling a condition of a wind turbine rotor blade, wind turbine and computer readable storage medium

Номер патента: EP3919740A1. Автор: Francesco Previtali. Владелец: Nordex Energy SE and Co KG. Дата публикации: 2021-12-08.

Method of determining coordinates of a ground target by a radar system consisting of two multibeam radio transmitters and a receiver

Номер патента: RU2722224C1. Автор: Владислав Викторович Кирюшкин,Виктор Григорьевич Маркин,Владимир Андреевич Шуваев,Евгений Михайлович Красов,Александр Викторович Журавлев. Владелец: Акционерное общество научно-внедренческое предприятие "ПРОТЕК". Дата публикации: 2020-05-28.

Method of producing a multilayer polymer protected article with an identifying optically variable image with instrument-determined features and a multilayer article with an identifying optically variable image

Номер патента: RU2725793C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Игорь Васильевич Павлов,Георгий Валентинович Корнилов,Елена Самуиловна Туркина,Елена Михайловна Федорова,Алексей Михайлович Гончаров,Валентин Анатольевич Ксенофонтов,Сергей Нестерович Лазарюк,Константин Владимирович Харламов. Владелец: Акционерное общество "Гознак" (АО "Гознак"). Дата публикации: 2020-07-06.

Method of determining speed of a multi-tooth wheel for use in controlling clutch actuation in a transmission and a computer program product for carrying out

Номер патента: GB201005117D0. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2010-05-12.

Method of making bicycles available in several storage places; as well as a storage place for storing bicycles, and a bicycle for use with the storage place

Номер патента: EP1008113A2. Автор: Laurens Maria Hendricus Schimmelpennink,Antoon Adrianus Prins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-14.

A control unit for controlling a sensing/localization transceiver for a wireless device, a wireless device, a method, and a computer program product

Номер патента: EP4381318A1. Автор: Bengt Lindoff. Владелец: Beammwave Ab. Дата публикации: 2024-06-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells and method of making

Номер патента: US20200050733A1. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09471257B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and apparatus for exact relative positioning of devices in a semiconductor circuit layout

Номер патента: US20030131333A1. Автор: Elias Fallon,Regis Colwell,Rob Rutenbar. Владелец: Neolinear Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of controlling stretchable display device

Номер патента: US20210233439A1. Автор: Yuan-Lin Wu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Mobile device and a method of controlling the mobile device

Номер патента: US09626307B2. Автор: Ho-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of power supply control, device for power splitter and power supply splitter

Номер патента: RU2688759C2. Автор: Янь СЕ. Владелец: Бейджин Сяоми Мобайл Софтвеа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-22.

Method of editing speech recognition result

Номер патента: US20240087576A1. Автор: Hwanseok Choi,Jinsuk Park,Yunseop KIM,Jihwa Lee,Woochan JEONG. Владелец: Actionpower Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Cipher-controlling method, network system and terminal for supporting the same, and method of operating terminal

Номер патента: US20130086412A1. Автор: Sanghyun Lee,Nohsun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US20210240227A1. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US11619974B2. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Back end floating gate structure in a semiconductor device

Номер патента: US20240086692A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO,Chia Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor laser element and method of obtaining information from the semiconductor laser element

Номер патента: US09870525B2. Автор: Atsushi Tanaka,Mitsuhiro Nonaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Quantum conveyor and methods of producing a quantum conveyor

Номер патента: US12029142B2. Автор: Wolfram Langheinrich,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of controlling autonomous vehicle, electronic device, vehicle, cloud server, storage medium, and program product

Номер патента: EP4113956A3. Автор: Liang Wang,Zhenyu Li,Yunpeng Wang,Shiqi Zhou,Jingkai Chen. Владелец: Apollo Intelligent Driving Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

System and methods of controlling reactivity in nuclear fission reactor

Номер патента: RU2555363C9. Автор: Родерик А. Хайд,Натан П. МИРВОЛЬД,Джордж Б. Циммерман,Джошуа К. Уолтер,Кеван Д. УИВЕР,Ихуд Гринспэн,Томас А. Уивер,мл. Вуд Лоуэлл Л.,Чарльз И. АХЛФЕЛЬД,Роберт Р. РИЧАРДСОН. Владелец: ТерраПауэр, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-10-20.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor inspection apparatus, method of inspecting semiconductor wafer, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240353351A1. Автор: Yasuhiro Kimura,Hirofumi OKI,Shinichiro Katsuki,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Battery pack and method of controlling the same

Номер патента: EP4401194A2. Автор: Soodeok Moon,Jihyeon LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Battery pack and method of controlling the same

Номер патента: EP4401194A3. Автор: Soodeok Moon,Jihyeon LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor testing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240295599A1. Автор: Takuya Yoshimura,Noritsugu NOMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111083A1. Автор: Lu-Ming Lai,wei-wei Liu,Huei-Siang WONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Charging door provided with projection lamp and method of controlling projection of same

Номер патента: US20230177896A1. Автор: Kui Chao LV. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor device with integrated soft-magnetic component, and method of producing same

Номер патента: US20240224815A1. Автор: Daniel Rosenfeld,Gael Close,Lionel Tombez,Appo Van Der Wiel,Guido DUPONT. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210356660A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory having an arrangement of memory cells

Номер патента: US20040135190A1. Автор: Dirk Fuhrmann,Reidar Lindstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor memory having first and second memory cell regions separated by a third region along a bit line direction

Номер патента: US11552095B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Masao Iwase,Ryota Katsumata,Tomoo Hishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-10.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Process for producing a semiconductor memory device comprising mass-storage memory cells and shielded memory cells for storing reserved information

Номер патента: US6548354B2. Автор: Federico Pio,Bruno Vajana,Giovanna Dalla Libera,Roberta Bottini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-15.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby

Номер патента: US20040197996A1. Автор: Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Self-Aligned Method Of Forming A Semiconductor Memory Array Of Floating Gate Memory Cells With Single Poly Layer

Номер патента: US20140094011A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: WO2014051856A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor memory device having bonding metal between an array chip and a circuit chip

Номер патента: US10403635B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor devices in a semiconductor wafer

Номер патента: US09653540B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of controlling bow in a semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240154059A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device having a peripheral wall at the boundary region of a memory cell array region and a peripheral circuit region

Номер патента: US5218219A. Автор: Hideaki Arima,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Tomonori Okudaira,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-08.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Capacitor, method of manufacturing capacitor, capacitor manufacturing apparatus, and semiconductor memory device

Номер патента: US20090045485A1. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of regulating or controlling a cyclically operating internal combustion engine

Номер патента: US20050027429A1. Автор: Christian Roduner,Ingmar Schoegl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor memory device having stack-type memory cells and a method for manufacturing the same

Номер патента: US6144074A. Автор: Hironobu Akita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a double layer-consisting of poly si and a silicide-present on a layer of silicon oxide is etched in a plasma

Номер патента: CA1243133A. Автор: Alfred J. Van Roosmalen,Anton P.M. Van Arendonk. Владелец: Anton P.M. Van Arendonk. Дата публикации: 1988-10-11.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of covering a window by means of a film, window-frame, and combination of a window-frame and a film

Номер патента: NL2033836B1. Автор: Leeuwenburgh Peter. Владелец: Oos Safety & Inspections B V. Дата публикации: 2024-07-05.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of mechanically processing bamboo splits obtained from bamboo culm; a bamboo product obtained using such a method; and a processing system for processing bamboo splits

Номер патента: WO2023163586A1. Автор: Ireneus Alexis Wilhelmus Zaal,Jacob Hendrik Van Der Vegte. Владелец: Moso International B.V.. Дата публикации: 2023-08-31.

A method of inserting a lubricant free stopper into a lubricant free barrel or a lubricant free cartridge tube and a system for assembling same

Номер патента: AU2021276514B2. Автор: Robert Basham,Nicole DUPUY,Erik LAROSE. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US8962486B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US20140106568A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020001858A1. Автор: Han Song,Dong Kim,Kyong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

A semiconductor package providing an even current distribution and stray inductance reduction and a semiconductor device module

Номер патента: EP4372810A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of analysing and controlling a fluid influx during the drilling of a borehole

Номер патента: CA2031357A1. Автор: Martin Thompson. Владелец: SOUTHEASTERN COMMONWEALTH DRILLING Ltd. Дата публикации: 1991-06-21.

Method of adjusting and controlling a device for cutting strip material in a machine for the manufacture of commodities

Номер патента: US5095920A. Автор: Riccardo Mattei. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 1992-03-17.

Method of monitoring and controlling a pumped well

Номер патента: US5064349A. Автор: John M. Turner,Jan L. Nethers,Robert M. Knight. Владелец: Barton Industries Inc. Дата публикации: 1991-11-12.

Method of manufacturing and controlling a butterfly valve for an internal combustion engine

Номер патента: US20090144979A1. Автор: Marcello Sciuto,Mario Marconi,Gabriele Giuliani,Alessandro Peciarolo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory cell, an array, and a method for manufacturing a memory cell

Номер патента: US8546862B2. Автор: Dusan Golubovic. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Method of supporting the viability, proliferation and/or differentiation of mammalian dendritic cells comprising culturing dendritic cells and/or precursors thereof in the presence of mononuclear immune cells

Номер патента: NZ533348A. Автор: Derek Nigel John Hart,Christopher Siaw Kang Ho,Jose Alejandro Lopez Ramirez. Владелец: Order Sisters Of Mercy Queensl. Дата публикации: 2008-04-30.

Support for polymer electrolyte fuel cell catalyst, method of producing support for polymer electrolyte fuel cell catalyst, catalyst layer for polymer electrolyte fuel cell, and fuel cell

Номер патента: CA3068601C. Автор: Kazuhiko Mizuuchi,Takashi Iijima,Shinya Furukawa,Kenichiro Tadokoro,Masataka Hiyoshi,Tomoko KOMURA. Владелец: Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

A method of incubating cells in a cell-growth unit clamped to a base plate of a shaker device, and a clamp

Номер патента: EP4186971A1. Автор: Servaes Joordens,Wouter Adriaan DUETZ. Владелец: Enzyscreen BV. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for Controlling a Brake System for Adjusting a Total Brake Torque Distribution Between a First and a Second Axle of a Motor Vehicle and a Brake System to Carry Out the Procedure

Номер патента: US20190193571A1. Автор: Michael Wein,Matthias Geuß. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2019-06-27.

A method of creating a protected environment around a work region, a protective chamber for carrying out the method and a method of packaging the protective chamber

Номер патента: WO1986003444A1. Автор: Ole Kja^er NIELSEN. Владелец: Aktieselskabet Nordiske Kabel- Og Traadfabriker. Дата публикации: 1986-06-19.

Method of downloading a predetermined list of items into a mobile terminal controlled by a subscriber identity module, and a command, a subscriber identity module, and a mobile terminal corresponding to the method

Номер патента: US6097967A. Автор: Pascal Hubbe,Anne-Gaelle Lelong-Gilbert. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2000-08-01.

A method of inserting a lubricant free stopper into a lubricant free barrel or a lubricant free cartridge tube and a system for assembling same

Номер патента: CA3119784C. Автор: Robert Basham,Nicole DUPUY,Erik LAROSE. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

A method of producing a linear nanofibrous structure in an alternating electric field, a device for performing this method and a device for producing a nanofibrous thread

Номер патента: WO2023237139A1. Автор: David Lukas,Jaroslav Beran,Jan Valtera,Petr Žabka,Eva Kuželová-Košťáková,Martin BILEK,Ondřej Friedrich. Владелец: Technicka Univerzita v Liberci. Дата публикации: 2023-12-14.

A method of inserting a lubricant free stopper into a lubricant free barrel or a lubricant free cartridge tube and a system for assembling same

Номер патента: AU2023200171B2. Автор: Robert Basham,Nicole DUPUY,Erik LAROSE. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

A method of manufacturing a hearing device housing, a preform of a hearing device housing, a hearing device housing and a hearing device

Номер патента: EP3586522A1. Автор: Matthias STADLER,Natasha THUMM. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2020-01-01.

Method of manufacturing a hearing device housing, a preform of a hearing device housing, a hearing device housing and a hearing device

Номер патента: US20200007969A1. Автор: Matthias STADLER,Natasha THUMM. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of sharing a key serving to derive session keys for encrypting and authenticating communications between an object and a server

Номер патента: US20190173669A1. Автор: Julien Bringer,Vincent Bouatou. Владелец: Idemia Identity and Security France SAS. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of mechanically processing bamboo splits obtained from bamboo culm; a bamboo product obtained using such a method; and a processing system for processing bamboo splits

Номер патента: NL2031094B1. Автор: Hendrik Van Der Vegte Jacob,Alexis Wilhelmus Zaal Ireneus. Владелец: Moso Int B V. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing method of light-emitting device having a recess defined by a base and lateral surfaces of a first and a second wall

Номер патента: US11056617B2. Автор: Akira Watanabe,Masahiro Sakamoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Method of making a foundation polydiorganosiloxane-silica mixture using a hydrolyzable polydiorganosiloxane surface modifying agent, the resulting mixture and a room temperature curing sealant made from the foundation mixture

Номер патента: US5679725A. Автор: Mark David Fisher. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of making a protective coating forming a thermal barrier with a bonding underlayer on a superalloy substrate, and a part obtained thereby

Номер патента: US6645351B2. Автор: Bertrand Saint Ramond,John Nicholls. Владелец: SNECMA Moteurs SA. Дата публикации: 2003-11-11.

A control unit and a method for controlling a hydraulic system on a construction machine as well as a hydraulic system and a construction machine

Номер патента: SE545880C2. Автор: Masoud VARSHOSAZ. Владелец: HUSQVARNA AB. Дата публикации: 2024-03-05.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150129872A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230189524A1. Автор: Junghwan Park,Joon Sung Kim,Sun Young Lee,Min Gu Kang,Seorim MOON,Seok Cheon Baek,Cheol RYOU,Sang Don ZOO,Cheol-Min LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20240074215A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated semiconductor memory and fabrication method

Номер патента: US20030232470A1. Автор: Martin Popp,Till Schlosser,Michael Sesterhenn,Dirk Manger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Memory cell array in a semiconductor memory device

Номер патента: US20080251847A1. Автор: Keun Woo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of manufacturing semiconductor memory device having charge accumulation layer positioned between control gate electrode and semiconductor layer

Номер патента: US09793290B2. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09735171B2. Автор: Junya Fujita,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365531A1. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12058850B2. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device for eliminating floating body effect and method of fabricating the same

Номер патента: US6806140B1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim,Won-suk Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-19.

Semiconductor memory array architecture, and method of controlling same

Номер патента: US20070241405A1. Автор: Gregory Allan Popoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136594B2. Автор: Shota NIIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210057419A1. Автор: Jiyoung Kim,Yoosang Hwang,DongSuk Shin,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Taehyun An,Hyungeun CHOI,Joongchan SHIN,Eunju CHO,Hokyun AN,Chan Min Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230200058A1. Автор: Naoyoshi Kobayashi,Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240284665A1. Автор: Hong-Soo Kim,Jong-Kook Park,Tae-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12114490B2. Автор: Naoyoshi Kobayashi,Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240147696A1. Автор: Ji Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with horizontally oriented edges, and a memory array made thereby

Номер патента: TW560012B. Автор: Chih-Hsin Wang,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2003-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5766996A. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09893079B2. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell having a charge trapping layer and method for the formation thereof

Номер патента: US09673210B1. Автор: Peter Baars,Joerg Schmid,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US09653471B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device for dynamically storing data with channel body of transistor used as storage node

Номер патента: US20050141262A1. Автор: Takashi Yamada,Fumio Horiguchi,Yoshihisa Iwata,Takashi Ohsawa,Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20050146015A1. Автор: Toshio Kobayashi,Akihiro Nakamura,Ichiro Fujiwara,Kazumasa Nomoto,Toshio Terano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315002A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US09640585B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method to control the common drain of a pair of control gates and to improve inter-layer dielectric (ILD) filling between the control gates

Номер патента: US09570457B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory structure having enhanced memory window and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240099016A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160225902A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160118394A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Method of separating bonded substrate, method of manufacturing semiconductor storage device, and substrate separation apparatus

Номер патента: US20200294963A1. Автор: Eiichi Soda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251548A1. Автор: Junsoo Kim,Taeyoon Lee,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4404708A1. Автор: Junsoo Kim,Taeyoon Lee,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570610B2. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of monitoring safety of a communication system

Номер патента: RU2702262C1. Автор: Михаил Валерьевич Митрофанов,Юрий Кахрамонович Худайназаров,Олег Александрович Остроумов,Олег Михайлович Лепешкин,Михаил Олегович Лепешкин,Павел Аркадьевич Новиков,Роман Константинович Шостак. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия связи имени Маршала Советского Союза С.М. Буденного" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-10-07.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264536A1. Автор: Hideto Takekida,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230411387A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230028009A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Nonvolatile semiconductor memory and a memory of manufacturing the same

Номер патента: US5194929A. Автор: Masaki Sato,Yoichi Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-03-16.

Word line structure and method for forming same and semiconductor structure

Номер патента: US20230134208A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20010009285A1. Автор: Ki-Soon Bae,Hoon-Chi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-26.

Method of fabricating memory

Номер патента: US7344938B2. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20060270142A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20070259493A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240334673A1. Автор: Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Keun Nam KIM,Hyun Geun Choi,In Cheol NAM,Bo Won YOO,Hong Jun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making a semiconductor memory circuit device

Номер патента: US5389558A. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Kozo Watanabe,Masaki Nagao,Hiroyuki Miyazawa,Kazuya Endo,Hiroyuki Uchiyama,Naokatsu Suwanai,Atushi Ogishima,Kyoichiro Asayama,Takashi Yoneoka,Hiroki Soeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor memory device with multiple device forming regions

Номер патента: US5364811A. Автор: Hideaki Arima,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Tomonori Okudaira,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-11-15.

Self-aligned non-volatile random access memory cell and process to make the same

Номер патента: US20020109179A1. Автор: Jed H. Rankin,Chung H. Lam,Dana Lee,Dale W. Martin,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8089120B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210134803A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Gihee CHO,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Startup method of semiconductor transformer, and converter using same

Номер патента: AU2021380487A1. Автор: Sung Joo Kim,Jae Hyuk Kim,Byeng Joo BYEN,Hae Won Seo. Владелец: Hyosung Heavy Industries Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Startup method of semiconductor transformer, and converter using same

Номер патента: AU2021380487B2. Автор: Sung Joo Kim,Jae Hyuk Kim,Byeng Joo BYEN,Hae Won Seo. Владелец: Hyosung Heavy Industries Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Startup method of semiconductor transformer, and converter using same

Номер патента: US20230353032A1. Автор: Sung Joo Kim,Jae Hyuk Kim,Byeng Joo BYEN,Hae Won Seo. Владелец: Hyosung Heavy Industries Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060134865A1. Автор: Tsukasa Doi,Hiroyuki Inuzuka,Kazumasa Mitsumune. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11715636B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315045A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Ji-Sung Kim,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431336B2. Автор: Yong Hyun Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170018569A1. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180006053A1. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240074205A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

MOS memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation

Номер патента: US4985717A. Автор: Sheldon Aronowitz,George P. Walker,Donald D. Forsythe,Bhaskar V. S. Gadepally. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230326741A1. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456692A1. Автор: Kyung Hee Cho,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Method of manufacturing semiconductor device and glass film forming apparatus

Номер патента: US09978882B2. Автор: Koji Ito,Shinichi Nagase,Atsushi Ogasawara. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of controlling a combustion engine equipped with double supercharging

Номер патента: US09879592B2. Автор: THOMAS Leroy,Jonathan Chauvin,Alexandre CHASSE. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2018-01-30.

System and method for controlling a DNS request

Номер патента: US09692761B2. Автор: Yann Mareschal,Pierre Francois Romeuf. Владелец: ARS NOVA SYSTEMS. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of solar occultation

Номер патента: US09676500B2. Автор: Steve Eckersley,Stephen Kemble. Владелец: Airbus Defence and Space Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Spray system with speed-based pressure controller and method of controlling same

Номер патента: US09635848B2. Автор: Duane Needham,Troy C. Kolb,Gordon Hooper. Владелец: Capstan AG Systems Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory

Номер патента: US5103275A. Автор: Atsushi Miura,Tatsushi Yusuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-04-07.

Method of manufacturing silicon on insulator substrate

Номер патента: US20170278741A1. Автор: Tetsuya Yamada,Shinjirou Uchida,Masamitsu Fukuda,Hiromichi Kinpara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor film, method of forming semiconductor film, complex compound for doping, and method of doping

Номер патента: US20210013035A1. Автор: Takayuki Uchida,Shizuo Fujita,Kentaro Kaneko,Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365527A1. Автор: Kyung Hee Cho,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929022B2. Автор: Jin-woo Park,Yun-seok Choi,Tae-Je Cho,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20170301684A1. Автор: Hong-Soo Kim,Jong-Kook Park,Tae-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Motor control apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US20190319565A1. Автор: Kunitoshi Aoki,Jumpei Ashida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Electronic apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US09407821B2. Автор: Kyoung-min PARK,Byoung-woo Kim,Yun-ki Jeong,Jae-heung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Highly effective double-stranded oligo-rna structure such nanoparticles and method of its manufacturing

Номер патента: RU2577227C1. Автор: Чейук ЧХЭ,Борам ХАН,Хан О. ПАК,Хан-на КИМ. Владелец: Байонир Корпорейшн. Дата публикации: 2016-03-10.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240047450A1. Автор: Kunal R. Parekh,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices and electronic systems

Номер патента: EP4364204A1. Автор: Kunal R. Parekh,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285271A1. Автор: Shota NIIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Battery pack and method of controlling the same

Номер патента: US20240234845A1. Автор: Soodeok Moon,Jihyeon LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203833A1. Автор: Taeyoon Kim,Jungil Son,Sungwook Moon,Kunwoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor packages with stacked dies and methods of forming the same

Номер патента: US20240282732A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Solid-state image sensor with pillar surface microstructure and method of fabricating the same

Номер патента: US11749699B2. Автор: Shih-Ping Lee,Yi-Ping Lin,Ya-Ting Chen,Hsin-Ying Tung,Yu-Ching Liao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method and apparatus for plating a semiconductor package

Номер патента: US20080299756A1. Автор: Somchai Nondhasitthichai,Chalermsak Sumithpibul,Apichart Phaowongsa. Владелец: UTAC Thai Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09905500B2. Автор: Prasad Venkatraman,Jason Mcdonald,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11956972B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US20160204075A1. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina DEBIE,Ludger Borucki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device

Номер патента: US8035212B2. Автор: Akira Tanaka,Mitsuyoshi Tanimoto,Minoru Takizawa,Akihiko Happoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US10134697B2. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina DEBIE,Ludger Borucki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-20.

Switch device, information processing apparatus, and method of controlling switching device

Номер патента: US9106558B2. Автор: Masanori TAKAOKA,Shuhei NISHI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and camera

Номер патента: US20140008753A1. Автор: Yasushi Kurihara,Koji Tsuduki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device

Номер патента: US20100244224A1. Автор: Akira Tanaka,Mitsuyoshi Tanimoto,Minoru Takizawa,Akihiko Happoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Method of fabricating capacitor over bit line and bottom electrode thereof

Номер патента: US20080124886A1. Автор: Cheng-Che Lee,Tsung-De Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20160351714A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20150194527A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972591B2. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of increasing the performance of aircraft, missiles, munitions and ground vehicles with plasma actuators

Номер патента: US09834301B1. Автор: Mehul Patel,Tom Corke. Владелец: Orbital Research Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US09825171B2. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685446B2. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583504B2. Автор: Masaru Kito,Masaaki Higuchi,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of forming leadframe with notched fingers for stacking semiconductor die

Номер патента: US09472427B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Henry D. Bathan,Jairus L. Pisigan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor package including an embedded surface mount device and method of forming the same

Номер патента: US09461020B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Ming-Yen Chiu,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US09437737B2. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Process for producing a semiconductor memory device

Номер патента: US5070034A. Автор: Takao Yonehara,Yoshio Nakamura,Tamotsu Satoh. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-12-03.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020011608A1. Автор: Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230422505A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Hiroki Kishi,Takanori Yamanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure, method for manufacturing same, and semiconductor memory

Номер патента: US20240081046A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11784184B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Crosslinking a back grinding tape for a semiconductor wafer

Номер патента: US20240222183A1. Автор: Ankur Harish Shah,Venkateswarlu Bhavanasi,Wen How Sim,Harjashan Veer Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200075626A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210118795A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190333888A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor assemblies with multi-level substrates and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20140141572A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of handling test pad and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395440A1. Автор: Jun Zhou,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080073715A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266310A1. Автор: Tsuyoshi Tanigaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of treating breast cancer in a subject by inhibiting nip7 and a pharmaceutical composition comprising a nip7 inhibitor

Номер патента: US20240218359A1. Автор: Ye Tian,Yuet Ming Rebecca Chin. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929176B2. Автор: Masaru Kito,Masaaki Higuchi,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09923056B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming a semiconductor device structure using differing spacer widths and the resulting semiconductor device structure

Номер патента: US09876111B2. Автор: Juergen Faul,Thorsten Kammler,Steffen Sichler,Peter Javorka,Sylvain Henri Baudot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Encapsulated semiconductor device package with heatsink opening, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09787254B2. Автор: David F. Abdo,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US09735129B2. Автор: Jie Chen,Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Crystallization method of thin film transistor, thin film transistor array panel and manufacturing method for thin film transistor array panel

Номер патента: US09406807B2. Автор: Jae-hak Lee,Joo-Han Kim,Joo Seok Yeom,Jeong-Ju Park,Hyoung Cheol Lee,Tae-Kyung Yim,Hyuk Soon Kwon,Hwa-Dong Jung,So-Young Koo,Jee-Hun Lim,Wan-Soon Lim,Se-Myung Kwon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with low resistance source regions and high source coupling, and a memory array made thereby

Номер патента: KR100855885B1. Автор: 왕치신,레비아미태이. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2008-09-03.

Versions of adenoassociated virus capsids and methods of use thereof

Номер патента: RU2725286C2. Автор: Мелисса КОТТЕРМАН,Дэвид Шаффер,Дэвид Х. КЕРН. Владелец: 4Д Молекьюлар Терапьютикс Инк.. Дата публикации: 2020-06-30.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby

Номер патента: US6958273B2. Автор: Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-25.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried source line and floating gate, and a memory array made thereby

Номер патента: KR100472163B1. Автор: 후여웬,키아니안소랩. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2005-03-10.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, and a memory array made thereby

Номер патента: US20050045940A1. Автор: Hieu Tran,Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gate spacers, and a memory array made thereby

Номер патента: TW514994B. Автор: Jr-Shing Wang. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2002-12-21.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778807B2. Автор: Jungwoo Song,Jun Ho Lee,Yong Kwan Kim,Kwangmin Kim,Sangyeon HAN,Hyuckjin Kang,Seguen Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021678A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20170243877A1. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901337B2. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor module and method of manufacturing same

Номер патента: US12062883B2. Автор: Yutaka Yoneda,Junji Fujino,Jin Sato,Tadayoshi Hata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220238490A1. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20130126963A1. Автор: Hiro Nishi,Elichirou Kakehashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US8487362B2. Автор: Hiro Nishi,Eiichirou Kakehashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371746A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09960102B2. Автор: Min Lung Huang,Chung-Hsi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09818754B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Word line connection for memory device and method of making thereof

Номер патента: US09583539B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09564510B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor chip having different conductive pad widths and method of making layout for same

Номер патента: US09406631B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of obtaining substance, possessing antimicrobial, antiviral and immunostimulating activity, in particular, with respect to dendrite cells, substance, thereof obtained, and based on it pharmaceutical composition

Номер патента: RU2563818C2. Автор: Равшан Иноятович Атауллаханов,Рахим Мусаевич Хаитов,Алексей Васильевич Пичугин,Татьяна Михайловна Мельникова. Владелец: Атауллаханов Рустам Равшанович. Дата публикации: 2015-09-20.

Semiconductor memory and semiconductor memory manufacturing method

Номер патента: US20190081056A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20080093652A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of manufacturing a semiconductor structure having a buried raised portion

Номер патента: US10367059B2. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device, amplifying device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230326832A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

3-d non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311209A1. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4398693A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240237334A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9112044B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor tiling structure and method of formation

Номер патента: WO2002058133A2. Автор: Edward O. Travis,Sejal N. Chheda. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor tiling structure and method of formation

Номер патента: EP1354345A2. Автор: Edward O. Travis,Sejal N. Chheda. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-10-22.

Method of treating breast cancer in a subject by inhibiting tubb2b

Номер патента: US20240218371A1. Автор: Jianyang Hu,Yuet Ming Rebecca Chin,Qingling He. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of treating breast cancer in a subject by inhibiting tubb2b

Номер патента: US20240216416A1. Автор: Jianyang Hu,Yuet Ming Rebecca Chin,Qingling He. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20170373143A1. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8536708B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8030207B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8338953B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

CMOS thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030111691A1. Автор: Woo-Young So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Resistor arrangement and method of use

Номер патента: US20130307663A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Alan Roth,Chien-Chung Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200258854A1. Автор: Masao Kikuchi,Kaori Sato,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US20080197383A1. Автор: Luis-Felipe Giles. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming package assembly

Номер патента: US09780064B2. Автор: Chung-Shi Liu,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Ding Wang,Chien-Hsiun Lee,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09711348B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09679815B2. Автор: Dong Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515074B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09449817B2. Автор: Young-soo Park,Jae-won Lee,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor memory device having a capacitor

Номер патента: US6333226B1. Автор: Masahiro Yoshida,Hideyuki Ando. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate and pointed channel region

Номер патента: US7208376B2. Автор: Bomy Chen,Wen-Juei Lu,Ying Kit Tsui. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070134914A1. Автор: Sang-Woo Lee,Kyung-In Choi,Jong-Won Hong,Seung-Gil Yang,Hyun-Bae Lee,Seong-hwee Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of operating a semiconductor memory array of floating gate memory cells with horizontally oriented edges

Номер патента: US20040212009A1. Автор: Chih Wang,Bing Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631A4. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220157819A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12010828B2. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11778822B2. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070259512A1. Автор: Kentaro Yamada,Masato Takahashi,Yasuhiro Obara,Takeshi Katoh,Yoshio Fukayama,Masaki Sakashita,Tatsuyuki Konagaya,Koichiro Takei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120132980A1. Автор: Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device with conductive liners over silicide structures and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230299168A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Yuting CHENG,Ken-Yu Chang,Wei-Yip Loh,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kuan-Kan HU,Chuan-Hui SHEN,Harry CHIEN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor nonvolatile storage and method of fabricating the same

Номер патента: US6165851A. Автор: Toshihiro Satoh. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240298440A1. Автор: Wen-Chieh Tsai,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12131974B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887157B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09852942B2. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, substrate processing system and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09831082B2. Автор: HIROSHI Ashihara,Yoshiro Hirose,Takaaki Noda,Satoshi Shimamoto,Tsukasa Kamakura,Takeo Hanashima,Shingo Nohara. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US09735015B1. Автор: Chun-Lin Chen,Chun-Tsen Lu,Wei-Chuan Tsai,Jui-Ming Yang,Min-Chuan Tsai,Kuo-Chin Hung,Kun Ju Li,Hsin Jung Liu,Yi Han Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09450059B2. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device, nonvolatile random access memory cell, semiconductor memory array of floating gate memory cell, and method of forming the array

Номер патента: JP5054865B2. Автор: リー ティナ,ビー． ジョンソン ジェフリー,エイチ． ラム チャン,ダブリュー． マーティン デイル,エイチ． ランキン ジェド. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-24.

Semiconductor device including memory cell having a capacitance element added to a node of the cell

Номер патента: US5714778A. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240015974A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11895837B2. Автор: Jaeduk LEE,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of Forming Non-Volatile Memory Devices Including Vertical NAND Strings

Номер патента: US20150140813A1. Автор: Sung-Dong Kim,Beom-jun Jin,Byung-Seo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Non-volatile memory devices including vertical nand strings and methods of forming the same

Номер патента: US20140141610A1. Автор: Sung-Dong Kim,Beom-jun Jin,Byung-Seo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-22.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240121963A1. Автор: Dong Jin Lee,Jun Hee Lim,So Hyun Lee,Kang-Oh Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240032292A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20110008932A1. Автор: Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Pattern layout to prevent split gate flash memory cell failure

Номер патента: US20160247812A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20050189570A1. Автор: Toshio Kobayashi,Akihiro Nakamura,Ichiro Fujiwara,Kazumasa Nomoto,Toshio Terano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor package assembly and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230066017A1. Автор: Jian-Ting CHEN,Cheng-Wei Lu,Kuang-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240196608A1. Автор: Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Kyung Jin Lee,Sul Gi JUNG,Kyung Sung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047324A1. Автор: Dongwook Kim,Hyeonjeong Hwang,Kyounglim SUK,Inhyung SONG,Sehoon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Hybrid Substrate with Uniform Thickness

Номер патента: US20240071885A1. Автор: Linda Pei Ee CHUA,Yaojian Lin,Jian Zuo,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11488829B1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and silicone-based resin composition contained therein

Номер патента: WO2024083341A1. Автор: Jungyu Lee,Taejoon KIM,Jonghak CHOI,YoungHyuk Joo. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2024-04-25.

A method of controlling the direction of propagation of injection fractures in permeable formations

Номер патента: EP1389263A1. Автор: Ole Jorgensen. Владелец: Maersk Olie og Gas AS. Дата публикации: 2004-02-18.

Brake apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US20240246518A1. Автор: Taeho Jo,Mijeong Jang,Dooyoung Yang,Kyoungjin JOO. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110076812A1. Автор: Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049601A1. Автор: Yasunobu Kai,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device that is advantageous in complex stress engineering and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070262391A1. Автор: Zhengwu Jin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230027022A1. Автор: Yasuhiro Okamoto,Senichirou NAGASE,Takehirou MARIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304699A1. Автор: JunYoung KWON,Gwanhyung LEE,Heeje RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Deep trench isolations and methods of forming the same

Номер патента: US12087801B2. Автор: Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Min-Ying Tsai,Shih Pei Chou,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US12119261B2. Автор: Chun-Hung Lin,Kao-Tsair Tsai,Yen-Jui Chu,Tz-Hau Guo,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Deep trench isolations and methods of forming the same

Номер патента: US20240363671A1. Автор: Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Min-Ying Tsai,Shih Pei Chou,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09997603B2. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Refrigerator and method of controlling the same

Номер патента: US09982927B2. Автор: Jangseok Lee,Hyoungkeun LIM,Sangbong Lee,Myungjin Chung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Imaging apparatus, imaging system and manufacturing method of imaging apparatus

Номер патента: US09793314B2. Автор: Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09768132B2. Автор: Yung-Fa LEE,Ling Mei LIN,Chun Li WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming finFET gate oxide

Номер патента: US09589804B2. Автор: Ting-Chun Wang,Cheng-ta Wu,Ming-Te Chen,Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Jun-Jie CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Laundry treating appliances and methods of controlling the same to determine an end of-cycle condition

Номер патента: US09499934B2. Автор: Ryan R. Bellinger,Farhad Ashrafzadeh,James P. Carow,Moeed MUKHTAR. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Construct and method of transgene expression using bidirectional constitutive brassica promoter

Номер патента: RU2619178C2. Автор: Манджу ГУПТА,Стефен НОВАК,Шон Майкл РАССЕЛЛ,Лю Инь ШЭНЬ,Сиварама Редди ЧЕННАРЕДДИ,Джиоти Р РОУТ. Владелец: ДАУ АГРОСАЙЕНСИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-05-12.

Light transmittance optimising coated glass component of solar cell and method of making said component

Номер патента: RU2404485C2. Автор: Срикант ВАРАНАСИ,Дуглас М. НЕЛСОН,Гэри НИКОЛ,Дуглас М. НЕЛСОН (US),Гэри НИКОЛ (GB),Срикант ВАРАНАСИ (US). Владелец: Пилкингтон Норт Америка, Инк. Э Делавер Корпорейшн. Дата публикации: 2010-11-20.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: US20230371246A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: WO2023224816A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Bit line structure, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20110198698A1. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Tso Chen,Shou-Wei Huang,Guan-De Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor device including bonding enhancement layer and method of forming the same

Номер патента: US20220406740A1. Автор: Taeseong Kim,Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Taeyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230378299A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200032413A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11978769B2. Автор: Jin Wook Lee,Kwang-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230335476A1. Автор: Sung Bum Kim,Yun Seok Choi,Dae Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105567A1. Автор: Ji Yong Park,Jong Bo Shim,Choong Bin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing soi substrate

Номер патента: US20120208348A1. Автор: Hideki Tsuya,Masaharu Nagai,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Pattern forming method, semiconductor memory device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266170A1. Автор: Donghwan Lee,Wonchul Lee,Kanguk KIM,Seokhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020064908A1. Автор: Nobuyoshi Awaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of manufacturing catalyst slurry for fuel cells and method of manufacturing electrode for fuel cells using the same

Номер патента: US12002968B2. Автор: Kook Il Han,Yoon Hwan Cho,Su Won SEOL. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of manufacturing catalyst slurry for fuel cells and method of manufacturing electrode for fuel cells using the same

Номер патента: US20210175516A1. Автор: Kook Il Han,Yoon Hwan Cho,Su Won SEOL. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266394A1. Автор: Jin Wook Lee,Kwang-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220367192A1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230230853A1. Автор: Masafumi Miyamoto,Takahiro Shimizu,Daisuke Tani. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180342420A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Multi-level ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954000B2. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device, display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09935165B2. Автор: Yuichi Kato,Kenta Masuda,Takashige Fujimori,Keiichi Akamatsu,Tomoatsu Kinoshita,Yuichiro Ishiyama. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device, power supply control method of semiconductor device, and sensor node

Номер патента: US09837816B2. Автор: Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi,Makoto Miyamura,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Pad structure of a semiconductor device, method of manufacturing the pad structure and semiconductor package including the pad structure

Номер патента: US09570411B2. Автор: Young-Min Lee,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Improvements in Method of and Apparatus for Forming a Gas from the Combination of the Products of Combustion, Exhaust Steam, and a Certain Amount of Atmospheric Air, and Returning the same to the Fire-box for the Further Support and the Increase of Combustion therein.

Номер патента: GB189813255A. Автор: David Clegg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-09-10.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROLLER APPARATUS FOR CONTROLLING A MULTIPHASE MULTILEVEL VOLTAGE SOURCE INVERTER AND A METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002453A1. Автор: HU JWU-SHENG,CHEN Keng-Yuan,TANG Chi-Him. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: TW502447B. Автор: Chih-Hsin Wang. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR RECORDING AND PLAYING A MEDIA FILE, AND A RECORDING MEDIUM THEREFOR

Номер патента: US20120002947A1. Автор: RHYU Sung-Ryeul,HWANG Seo-Young,SONG Jae-Yeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL SYSTEM AND DRIVING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120003553A1. Автор: Kim Dong-hyun,KIM Hyun,Hong Ming-Zi,Kim Dong-Rak,Cho Woong-Ho. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001994A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Self-Aligned Method Of Forming A Semiconductor Memory Array Of Floating Gate Memory Cells With Single Poly Layer

Номер патента: US20140094011A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Liu Xian,Tiwari Vipin. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Method of Controlling the Issue of Railway- and like Tickets.

Номер патента: GB190909135A. Автор: Jean Goebel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-11-25.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.