Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US20160204075A1
Опубликовано: 14-07-2016
Автор(ы): Bernhard Weidgans, Dietrich Bonart, Ludger Borucki, Martina DEBIE
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Structure and method of batch-packaging low pin count embedded semiconductor chips

Номер патента: EP3164887A1. Автор: Mutsumi Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-10.

Semiconductor chip pad structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8169086B2. Автор: Hui-Heng Wang. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Semiconductor chip pad structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100264453A1. Автор: Hui-Heng Wang. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Common drain dual semiconductor chip scale package and method of fabricating same

Номер патента: TW200746327A. Автор: Ming Sun,Yueh-Se Ho,De-Mei Gong. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2007-12-16.

Common drain dual semiconductor chip scale package and method of fabricating same

Номер патента: TWI367534B. Автор: Sun Ming,Gong Demei,Se Ho Yueh. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2012-07-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972591B2. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170287859A1. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of Forming Bump, Method of Forming Image Sensor Using the Method, Semiconductor Chip and the Sensor so Formed

Номер патента: US20070105360A1. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Structure and method of batch-packaging low pin count embedded semiconductor chips

Номер патента: EP3164887A4. Автор: Mutsumi Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-07.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Semiconductor chip

Номер патента: US20110298096A1. Автор: Keiji Miki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device with a thin semiconductor chip and a rigid wiring substrate and method for the production and further processing of thin semiconductor chips

Номер патента: DE102004010956B9. Автор: Edward Fürgut,Holger Wörner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of bonding column type deposits

Номер патента: US20240332233A1. Автор: Geunsik Ahn,Youn Sung Ko. Владелец: Protec Co Ltd Korea. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming bump, method of forming image sensor using the method, semiconductor chip and the sensor so formed

Номер патента: TW200746326A. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-16.

Method for mounting a semiconductor chip on a carrier

Номер патента: US9034751B2. Автор: Alexander Heinrich,Konrad Roesl,Oliver EICHINGER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-19.

Method of forming a bump of a semiconductor element

Номер патента: TW328146B. Автор: Yoshihiro Ishida,Tetsuo Sato. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor chip with reinforcement layer

Номер патента: WO2010096473A2. Автор: Michael Su,Frank Kuechenmeister,Jaime Bravo. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of making an electromagnetic interference shield for semiconductor chip packages

Номер патента: US09691711B2. Автор: John S. Guzek,Ravindranath V. Mahajan,Adel A. Elsherbini,Nitin Ashok Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of making an electromagnetic interference shield for semiconductor chip packages

Номер патента: US20160181207A1. Автор: John S. Guzek,Ravindranath V. Mahajan,Adel A. Elsherbini,Nitin Ashok Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601466B2. Автор: Hyunsuk CHUN,Boin Noh,Jeongwon Yoon,Baikwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120295A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Jhao-Yi Wang,Fu Wei Liu,Yun-Chung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160071824A1. Автор: Hyunsuk CHUN,Boin Noh,Jeongwon Yoon,Baikwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20100013076A1. Автор: Pyoung-Wan Kim,Teak-Hoon LEE,Chul-Yong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190333889A1. Автор: Kohei Kurogi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030074A1. Автор: Minki Kim,Seungduk Baek,Hyuekjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor package including redistributed layer and method for fabrication therefor

Номер патента: US20210013139A1. Автор: Dongho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Structure and Method of Batch-Packaging Low Pin Count Embedded Semiconductor Chips

Номер патента: US20160005705A1. Автор: Mutsumi Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US20120025377A1. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US8269346B2. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Method of manufacturing through holes in a semiconductor device

Номер патента: US6022797A. Автор: Shigeru Takahashi,Shigeo Ogasawara,Noriaki Oka,Tadayasu Miki,Masahito Hiroshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-02-08.

Metallic Interconnect, a Method of Manufacturing a Metallic Interconnect, a Semiconductor Arrangement and a Method of Manufacturing a Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20190103378A1. Автор: Mahler Joachim,Nikitin Ivan,Hosseini Khalil,Meyer-Berg Georg,Meyer Thorsten,Pufall Reinhard,RIEDL Edmund,ESCHER-POEPPEL Irmgard,Schmidt Klaus,LODERMEYER Johannes,Schneegans Manfred,Schwarz Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Method for Temporarily Fastening a Semiconductor Chip to a Surface, Method for Producing a Semiconductor Component and Semiconductor Component

Номер патента: US20210183800A1. Автор: Matthias Hofmann,Klaus Müller,Holger KLASSEN. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

Article and panel comprising semiconductor chips, casting mold and methods of producing the same

Номер патента: US09362144B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor chip bonding apparatus and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: US20150024551A1. Автор: YOSHIAKI Yukimori,MASATO Kajinami,SHINJI Ueyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor chip package assembly method and apparatus for countering leadfinger deformation

Номер патента: WO2009120857A2. Автор: Chien-Te Feng,Kevin Jin. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor chip package assembly method and apparatus for countering leadfinger deformation

Номер патента: WO2009120857A3. Автор: Chien-Te Feng,Kevin Jin. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230307334A1. Автор: Ji-Hyun Park,Minjung Kim,Jongbeom Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor Arrangement and Method for Producing a Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20200266141A1. Автор: Michael Stadler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: EP3942604A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: WO2020190587A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of Forming an Interconnect in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210082752A1. Автор: Lee Pei-Hsuan,CHI Chih-Chien,Liu Yu-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor chip alignment apparatus and method for packaging

Номер патента: US20240079258A1. Автор: Su Jin Kim,Jeong Min Park,Chang Goo Kang. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Device including semiconductor chips and method for producing such device

Номер патента: US12027481B2. Автор: Thorsten Scharf,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09780019B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180005927A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof

Номер патента: US09331060B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler,Josef Hoeglauer,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for producing a material-bonding connection between a semiconductor chip and a metal layer

Номер патента: US09659793B2. Автор: Frederik Otto,Christian Steininger,Nicolas Heuck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20110008932A1. Автор: Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Device including semiconductor chips and method for producing such device

Номер патента: US9941229B2. Автор: Thorsten Scharf,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor package with curing layer between semiconductor chips

Номер патента: US11842982B2. Автор: Seon Ho Lee,Hwail Jin,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Ceramic package used for semiconductor chips different in layout of bonding pads

Номер патента: US5801927A. Автор: Kazutoshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Semiconductor package with semiconductor chips stacked therein and method of making the package

Номер патента: US20020197769A1. Автор: Ill Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Metal-ceramic plate for welding chip and the thereon method of welding chip

Номер патента: CN106486426A. Автор: 徐强,宫清,林信平,张伟锋,邵长健,温怀通. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-08.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US20230197656A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US11942444B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US20240222300A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170317136A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190355779A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: DE102007046337A1. Автор: Walter Wegleiter,Elmar Baur. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-04-02.

Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic component, and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: WO2009039841A1. Автор: Walter Wegleiter,Elmar Baur. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-04-02.

METHOD OF MAKING AN ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELD FOR SEMICONDUCTOR CHIP PACKAGES

Номер патента: US20160181207A1. Автор: Guzek John S.,Elsherbini Adel A.,Mahajan Ravindranath V.,Deshpande Nitin Ashok. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor package with adhesive material pre-printed on the lead frame and chip, and its manufacturing method

Номер патента: US09653424B2. Автор: Jun Lu,Kai Lu,Xiaotian Zhang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2678509C1. Автор: Акинори САКАКИБАРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-01-29.

Semiconductor interconnect structures with conductive elements, and associated systems and methods

Номер патента: US20230335522A1. Автор: Quang Nguyen,Chan H. Yoo,Shams U. Arifeen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020140110A1. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Takuya Takahashi,Tadaharu Hashiguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor chip attaching apparatus and method

Номер патента: US20110035936A1. Автор: Su-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-17.

Tape carrier package (TCP) on which semiconductor chips are mounted and method of manufacuturing the same

Номер патента: US20020171140A1. Автор: Bum-Yeul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor chip with identification codes, manufacturing method of the chip and semiconductor chip management system

Номер патента: WO2006064921A3. Автор: Hiroaki Hayashi,Katsumi Kishimoto,Ryoichi Inanami. Владелец: Beam Corp E. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor chip with identification codes, manufacturing method of the chip and semiconductor chip management system

Номер патента: EP1836729A2. Автор: Hiroaki Hayashi,Katsumi Kishimoto,Ryoichi Inanami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-09-26.

Semiconductor chip molding apparatus and method of detecting when a lead frame has been improperly positioned in the same

Номер патента: US20030030187A1. Автор: Sung-Soo Lee,Kyung-Soo Park,Hee-Mo Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020146864A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Yoshinori Miyaki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of manufacturing multi-chip package

Номер патента: US20190103381A1. Автор: Won-Gil HAN,Yong-Je Lee,Jae-Heung Lee,Seung-Weon HA,Byong-Joo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162195A1. Автор: Yongjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: EP3278363A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-02-07.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: WO2016161223A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: US09870927B2. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Fan-out wafer-level packaging structure and method packaging the same

Номер патента: US20220293559A1. Автор: Hailin Zhao. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Fan-out wafer-level packaging structure and method packaging the same

Номер патента: US20220077107A1. Автор: Hailin Zhao. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Bonding method of semiconductor chip and bonding apparatus of semiconductor chip

Номер патента: US9728519B2. Автор: Yoichiro Kurita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Fan-out wafer-level packaging structure and method packaging the same

Номер патента: US11652085B2. Автор: Hailin Zhao. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230154882A1. Автор: Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Electronic component with at least two stacked semiconductor chips and method for fabricating the electronic component

Номер патента: US6710455B2. Автор: Bernd Goller,Holger Wörner,Robert-Christian Hagen,Gerald Ofner,Christian Stümpfl,Stefan Wein,Josef Thumbs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Method of making a multiplicity of multiple device semiconductor chips and article so produced

Номер патента: AU6819674A. Автор: HERBERT TEEVAN and BRIAN ANTHONY HEGARTY LEWIS. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-10-23.

Chip packaging structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230335507A1. Автор: Jin Yang,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Free-Edge Semiconductor Chip Bending

Номер патента: US20160293429A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of bonding semiconductor chips to a substrate

Номер патента: US5249732A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210098344A1. Автор: Daisuke Murata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device comprising sealing members with different elastic modulus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11362019B2. Автор: Daisuke Murata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor chip bonding apparatus and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: US20150024551A1. Автор: YOSHIAKI Yukimori,MASATO Kajinami,SHINJI Ueyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-22.

SEMICONDUCTOR CHIP MOUNTING TAPE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE TAPE

Номер патента: US20210358882A1. Автор: Lee Soo Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-18.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US20240274583A1. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US09985000B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US09418974B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US09406660B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

METHOD OF BONDING A BUMP OF A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20170025378A1. Автор: YU Bong-Ken. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US11101262B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US11824044B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US11855065B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US20240128254A1. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Multi-height interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20230170331A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Multi-height interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20210242174A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Multi-height interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: WO2021158340A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-12.

Filament with light-emitting semiconductor chips, lighting means and method of producing a filament

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190229091A1. Автор: Taehyeong Kim,Young Lyong Kim,Geol Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Workpiece with semiconductor chips, semiconductor device and method for producing a workpiece with semiconductor chips

Номер патента: US09601475B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer,Jens Pohl,Stephan Bradl,Recai Sezi,Klaus Pressel,Ralf Plieninger. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor chip stack module and method of fabricating the same

Номер патента: US11984432B2. Автор: Kuk Fong YIP. Владелец: Unity Power Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304599A1. Автор: Gunho CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US09966364B2. Автор: Jong Bo Shim,Cha Je Jo,Gun Ho CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit and method for manufacturing an integrated circuit on a semiconductor chip

Номер патента: US20060105535A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-18.

Bonding method, bonding apparatus, and method for manufacturing substrate

Номер патента: US09640507B2. Автор: Youngjoo Lee,Ilyoung Han,Byunggon Kim,Kyoungran KIM,Donggil Shim,Byeongkap Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11942471B2. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor chip, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor chip for reducing open failures

Номер патента: US8823161B2. Автор: Seong Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Method of Manufacturing a Package Having a Power Semiconductor Chip

Номер патента: US20190198355A1. Автор: Ralf Otremba,Thomas Basler,Edward Fuergut,Christian Kasztelan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor chip, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor chip for reducing open failures

Номер патента: US20120139118A1. Автор: Seong Cheol Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240194665A1. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor chip including chip pads of different surface areas, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US12021515B2. Автор: Woo Jin Lee,Hyung Ho CHO,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor chip scale package and method

Номер патента: US20200194377A1. Автор: Jan Fischer,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor chip scale package and method

Номер патента: US11355446B2. Автор: Jan Fischer,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-06-07.

Multirow semiconductor chip connections

Номер патента: US20220189879A1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Wafer level semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090140424A1. Автор: Kwon Whan Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Apparatus for bonding semiconductor chips

Номер патента: US09431365B2. Автор: Sang-Yoon Kim,Hui-Jae KIM,Seung-dae SEOK,Jae-Bong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12080692B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Keisuke EGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US09406551B2. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor devices in a semiconductor wafer

Номер патента: US09653540B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for Manufacturing a Semiconductor Substrate, and Method for Manufacturing Semiconductor Devices Integrated in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20140087541A1. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Structure and method for determining edges of regions in a semiconductor wafer

Номер патента: EP1374299A2. Автор: Tobias Mono,Thomas Schafbauer,Andreas Von Ehrenwall. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Apparatus and method for removing an organic material from a semiconductor device

Номер патента: US20020058345A1. Автор: Eckhard Marx,Bernd Stottko,Torsten Schneider,Anne Kurtenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Device and method for real-time offset adjustment of a semiconductor die placement

Номер патента: US20240312819A1. Автор: Yi Li,Gang Duan,Yosuke Kanaoka,Robin MCREE,Minglu LIU,Hong Seung Yeon,Mariano Phielipp. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Chip package structure with integrated device integrated beneath the semiconductor chip

Номер патента: US11948914B2. Автор: Shin-puu Jeng,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Circuit and Method for Internally Assessing Dielectric Reliability of a Semiconductor Technology

Номер патента: US20150194358A1. Автор: Marco Faricelli,Stefano Aresu,Michael Rohner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor chip package

Номер патента: EP3474327A1. Автор: Hiroyuki Shigeta,Yuuji Nishitani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-24.

Semiconductor chip package

Номер патента: US20190139843A1. Автор: Hiroyuki Shigeta,Yuuji Nishitani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body

Номер патента: US3968565A. Автор: Jan T. Gerkema,Theodorus Cornelius Johannes Maria Bertens,Hendrikus Josephus Antonius Van Dijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-07-13.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020001858A1. Автор: Han Song,Dong Kim,Kyong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: WO2019050630A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US11908864B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240153953A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240186185A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Housing unit and method for manufacturing a housing unit for a semiconductor power module and semiconductor power module

Номер патента: WO2024002466A1. Автор: David GUILLON,Roman EHRBAR. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

System and methods for a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: WO2022147235A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu,Lunghsing Hsu. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-07-07.

System and methods for a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: EP4271865A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu,Lunghsing Hsu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor chip package structure and method

Номер патента: TW200425442A. Автор: Yu-Nung Shen. Владелец: Yu-Nung Shen. Дата публикации: 2004-11-16.

Stacked semiconductor die assemblies with thermal spacers and associated systems and methods

Номер патента: US09818625B2. Автор: JIAN Li,Steven K. Groothuis,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for fabricating multiplexed hollow waveguides of variable type on a semiconductor package

Номер патента: US11721650B2. Автор: Aleksandar Aleksov,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Georgios Dogiamis,Mohammad Mamunur RAHMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods of optimizing clamping of a semiconductor element against a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: US11935864B2. Автор: Wei Qin,HUI XU,JeongHo Yang,Ziauddin Ahmad. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory devices with controllers under memory packages and associated systems and methods

Номер патента: US20200321318A1. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory devices with controllers under memory packages and associated systems and methods

Номер патента: US20170170149A1. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor chip stack device

Номер патента: US8957457B2. Автор: Richard Fournel,Pierre Dautriche. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-02-17.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A FIN

Номер патента: US20180174953A1. Автор: Kim Dong-hyun,PARK Chul-hong,LEE Hae-wang,NAM SEON-AH,NAKAMATSU IKUO,OH YUN-SE,CHOI HO-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor package having supporting plate and method of forming the same

Номер патента: US09412720B2. Автор: Tae-Young Lee,Jin-Ho Kim,Hyoung-Suk Kim,Hyuk-Su Kim,Tae-Duk Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321826A1. Автор: Inwon O,Dongchul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020137254A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Toru Nomura,Masanori Minamio,Ryuichi Sahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Mass-transfer method and mass-transfer device for micro semiconductor chips

Номер патента: EP4336555A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Mass-transfer method and mass-transfer device for micro semiconductor chips

Номер патента: US20240079395A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Joonyong Park,Hyungwook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230071140A1. Автор: Katsuya Sato,Keiichiro Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Method of forming heat sink and semiconductor chip assemblies

Номер патента: US20020090760A1. Автор: Joseph Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method to test the measurement accuracy of at least one magnetic field sensor using a semiconductor chip having a measurement coil

Номер патента: US8558537B2. Автор: Martin Bayer,Hans-Jörg Fink. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2013-10-15.

Radiation-Emitting Thin-Film Semiconductor Chip and Method of Producing a Radiation-Emitting Thin Film Semiconductor Chip

Номер патента: US20110121322A1. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-05-26.

Tape carrier package (TCP) on which semiconductor chips are mounted and method of manufacuturing the same

Номер патента: TW543162B. Автор: Bum-Yeul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-21.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: KR20070028471A. Автор: 에크하드 란거,엘렌프리드 쩨크. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-03-12.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: US7311008B2. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of assembling a package of a semiconductor component

Номер патента: FR2556132A1. Автор: Alain Wicker,Yvon Lazennec,Philippe Darbon,Fernand Grivon,Elisabeth Martinez,Jean-Jacques Banquet. Владелец: Ceraver SA. Дата публикации: 1985-06-07.

Method of forming the wiring of a semiconductor circuit

Номер патента: EP0459772B1. Автор: Shigeyuki Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu Canon Kabushiki Kaisha Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-11-20.

Method of forming conductive lines on a semiconductor wafer

Номер патента: US5994241A. Автор: Maria Ronay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

A method of forming conductive lines on a semiconductor wafer

Номер патента: EP0822592A2. Автор: Maria Ronay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Semiconductor chip manufacturing device and method of manufacturing semiconductor chips

Номер патента: US11973309B2. Автор: Masato Suzuki,Ayumi FUCHIDA,Tetsuya Uetsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus and method for examining and/or processing a sample

Номер патента: US20210109126A1. Автор: Christof Baur,Michael Budach. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-04-15.

Apparatus and method for examining and/or processing a sample

Номер патента: WO2019243437A2. Автор: Christof Baur,Michael Budach. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Apparatus and method for adjusting the optical axis of a semiconductor laser apparatus

Номер патента: US5408493A. Автор: Naofumi Aoki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-04-18.

Semiconductor power device having single in-line lead module and method of making the same

Номер патента: US09966328B2. Автор: Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor power device having single in-line lead module and method of making the same

Номер патента: US09754864B1. Автор: Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929022B2. Автор: Jin-woo Park,Yun-seok Choi,Tae-Je Cho,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Component having a reflector and method of producing components

Номер патента: US20190165225A1. Автор: Alexander Linkov,Michael Kühnelt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12002786B2. Автор: Young Lyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240290756A1. Автор: Young Lyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220068887A1. Автор: Hyunsoo Chung,YoungLyong KIM,Myungkee CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589947B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Tae Hong Min,Kwang-chul Choi,Jihwan HWANG,Young Kun JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US09515057B2. Автор: Keum-Hee Ma,Tae-Je Cho,Ji-Hwang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230154819A1. Автор: YoungLyong KIM,Myungkee CHUNG,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200388549A1. Автор: YoungLyong KIM,Myungkee CHUNG,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US20240234302A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Jung Wei Cheng,Li-Wei Chou,Hao-Cheng Hou,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US12142560B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Jung Wei Cheng,Li-Wei Chou,Hao-Cheng Hou,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US20240379535A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Jung Wei Cheng,Li-Wei Chou,Hao-Cheng Hou,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

External storage device and method of manufacturing external storage device

Номер патента: US09666659B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Kenta Ogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4435855A1. Автор: Inwon O,Dongchul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640414B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Michiaki Sugiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20140131855A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US6191024B1. Автор: Hiroshi Nomura,Takahito Nakazawa,Yumiko Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20010000754A1. Автор: Hiroshi Nomura,Takahito Nakazawa,Yumiko Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-03.

Semiconductor chip package and method for fabricating the same

Номер патента: US20050253279A1. Автор: Qwan Ho Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230111343A1. Автор: Jin-woo Park,Ji Hwang Kim,Jong Bo Shim,Choong Bin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202303A1. Автор: Dowan KIM,Doohwan Lee,Seunghwan Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125775B2. Автор: Yong Tae Kwon,Jae Cheon Lee,Dong Hoon Oh,Hyung Jin Shin,Byung Cheol KIM,Hyo Gi JO,Mary Maye Melgo Galimba. Владелец: Nepes Laweh Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor chips with seal rings and electronic test structures, semiconductor wafers including the semiconductor chips, and methods for fabricating the same

Номер патента: US09728474B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Mahesh BHATKAR,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US09748450B2. Автор: Martin Brandl,Markus Burger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09613930B2. Автор: Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Capacitance device in a stacked scheme and methods of forming the same

Номер патента: US09613994B2. Автор: Yuichiro Yamashita. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US20230170341A1. Автор: Daniel Richter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09721913B2. Автор: Tung Bao Lu,Tzu-Han Hsu,Heng-Sheng Wang. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor packages and method for fabricating the same

Номер патента: US20240128145A1. Автор: Dongkyu Kim,Hyeonjeong Hwang,Hyeonseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298984A1. Автор: Atsushi Maeda,Tatsuya Kawase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US09748217B2. Автор: Takayuki Ohba. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589814B2. Автор: Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: WO2014078138A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US12057441B2. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Surface roughening method for embedded semiconductor chip structure

Номер патента: US20060263936A1. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US09728459B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-08.

Radiation-hard electronic device and method for protecting an electronic device from ionizing radiation

Номер патента: US20170141048A1. Автор: Ignazio Bruno Mirabella. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor chip with thermal interface tape

Номер патента: US09627281B2. Автор: Bryan Black,Joseph Siegel,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed,Dales Kent,Seth Prejean,Ronnie Brandon,Michael Bienek. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09859186B2. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09680049B2. Автор: Andreas Plöβl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-13.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09543226B1. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Coriant Advanced Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor power device having single in-line lead module and method of making the same

Номер патента: US20170372987A1. Автор: Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271249A1. Автор: Yasumasa Kasuya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230260966A1. Автор: Masayuki Miura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Method of manufacturing a semiconductor package including a dam

Номер патента: US20240304467A1. Автор: Kyung Beom Seo,Jong Kyu MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128225A1. Автор: Hajung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US20070090540A1. Автор: Hiroshi Kawano,Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240047425A1. Автор: Yeong Beom Ko,Jun Yun KWEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor package and method of producing semiconductor package

Номер патента: WO2013036057A1. Автор: Byoung Kyu Park. Владелец: Byoung Kyu Park. Дата публикации: 2013-03-14.

Device and method for semiconductor chip assistance design and method for constructing chip characteristics model

Номер патента: US20240213103A1. Автор: Shih-Hao Chen,Chen-Hsiang Kao. Владелец: Digwise Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080111249A1. Автор: Takashi Miyazaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096851A1. Автор: Jeonggi Jin,Unbyoung Kang,Juil Choi,Gilman Kang,DongChul Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140321223A1. Автор: Yoshiro Riho. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-10-30.

Carrying member for semiconductor chip designed for building into integrated-circuit card

Номер патента: RU2216042C2. Автор: Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2003-11-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US9640513B2. Автор: JONGHO LEE,Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated fan-out packages and methods of forming the same

Номер патента: US20200013707A1. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu,Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin,Po-Yao Chuang,Dai-Jang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240040805A1. Автор: Young Lyong Kim,Inhyo HWANG,Hyunsoo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220165638A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yusuke TANUMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4002444A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yusuke TANUMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-25.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361046A1. Автор: HyungJun Park,Hyunju Lee,Juil Choi,Jusuk Kang,Sanghyuck Oh,Sangyeol Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240145360A1. Автор: Taehwan Kim,Sunggu Kang,Jonggyu Lee,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Fan-out semiconductor package and method of manufacturing same

Номер патента: US20180197827A1. Автор: Ji Hoon Kim,Ji Hyun Lee,Young Gwan Ko,Seung Yeop KOOK,Kyoung Moo Harr. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162193A1. Автор: Un-Byoung Kang,Sang-sick Park,Hanmin Lee,Seongyo KIM,Seungyoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same, and management system of semiconductor device

Номер патента: US20130234339A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Interposer, circuit device, method of manufacturing interposer, and method of manufacturing circuit device

Номер патента: US20230260883A1. Автор: Masahiko Aiba. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240145366A1. Автор: Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Solji Song,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Multi-chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140110831A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Jong-Joo Lee,Tae-Hong Min,Un-Byoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

External storage device and method of manufacturing external storage device

Номер патента: US20140191363A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Kenta Ogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025339A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240136341A1. Автор: Seokhyun Lee,Daewoo Kim,Seokgeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of fabrication of a semiconductor chip package

Номер патента: US20080014680A1. Автор: Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210225740A1. Автор: Tatsuya Kawase,Yuji Imoto,Yosuke Nakata,Kei Hayashi,Hiroya Sannai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor chips having heat conductive layer with vias

Номер патента: GB2523870A. Автор: Kenneth Joseph Goodnow,Clarence Rosser Ogilvie,Sebastian Theodore Ventrone,Charles Woodruff,Richard Stephen Graf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-09.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20200203325A1. Автор: Tae-Young Lee,Sang Sub Song,Boseong Kim,Dongok KWAK,Joonyoung OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor chip stack with locking through vias

Номер патента: US11837527B2. Автор: Travis Boraten. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US11791321B2. Автор: Tae-Young Lee,Sang Sub Song,Boseong Kim,Dongok KWAK,Joonyoung OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US20180254385A1. Автор: Thomas Kippes,Claus Jaeger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US11996392B2. Автор: Jong Hoon Kim,Eun Hye DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor chip stack with locking through vias

Номер патента: US20220028757A1. Автор: Travis Boraten. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Номер патента: US20210083156A1. Автор: Gwo-Jiun Sheu,Tzu-Yang Lin,Yi-Min Su,Sheng-Chieh Liang,Chih-Ling Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US20210273144A1. Автор: Daniel Richter,Michael Forster,Konrad Wagner,Gunnar Petersen,Nicole Berner. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-02.

Optoelectronic component with a magnetic structure and method for producing same

Номер патента: US11888097B2. Автор: Daniel Richter,Michael Forster,Konrad Wagner,Gunnar Petersen,Nicole Berner. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-30.

Thermal interfacial material film, semiconductor package, method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240063085A1. Автор: Chiwoo LEE,Mihyae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor chip carrier having partially buried conductive pattern and semiconductor device using the same

Номер патента: US6191482B1. Автор: Nobuaki Takahashi,Naoji Senba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20150303112A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US20220352128A1. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Protection structures in semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US11791229B2. Автор: Jialan He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for producing a plurality of semiconductor chips and semiconductor chip

Номер патента: US20180069147A1. Автор: Stefan Illek,Dominik Scholz,Norwin von Malm,Lutz Hoeppel,Alexander F. Pfeuffer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-08.

Tape circuit board and semiconductor chip package including the same

Номер патента: US20040175915A1. Автор: Dae-Woo Son,Hyoung-Chan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Component with corrosion protection and method for manufacturing a component with corrosion protection

Номер патента: US20220262990A1. Автор: Thomas Reeswinkel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20160204032A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US9873166B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US20070018314A1. Автор: Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: EP3953964A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277466A1. Автор: Toyokazu Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Radiation-emitting semiconductor chip with reflective inner surface and anti-reflective coating and method for producing thereof

Номер патента: US11942756B2. Автор: Alexander Tonkikh,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor package having logic semiconductor chip and memory packages on interposer

Номер патента: US11217503B2. Автор: Chul Woo Kim,Yun Seok Choi,Hyo-Chang Ryu,Seung-Kwan Ryu,Yang Gyoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: US11742289B2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: US20200328155A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor memory and method of setting type

Номер патента: US5539692A. Автор: Yoshinobu Nakagome,Ryoichi Hori,Masashi Horiguchi,Tetsuro Matsumoto,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-07-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006206A1. Автор: Toyokazu Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Optoelectronic device and method for producing an optoelectronic device

Номер патента: WO2023227324A1. Автор: Alexander Wilm,Thomas Schlereth,Kean Khuan KOO,Tsu Pin CHNG,Ee Lian LEE,Hui Yuen PENG,Wee Kie TANG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor chip with fracture detection

Номер патента: US20190195937A1. Автор: Thomas Zettler,Dirk Hammerschmidt,Friedrich Rasbornig,Hans-Joerg Wagner,Wolfgang Scheibenzuber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US20190355882A1. Автор: Martin Brandl,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS

Номер патента: US20160163939A1. Автор: Wagner Ralph,Veit Thomas,Hoxhold Björn,SCHLOSSER Philipp. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor chip, semiconductor package, and method of fabricating the semiconductor chip

Номер патента: KR101458958B1. Автор: 이강욱,이호진,최주일,황선관,박명순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-11-13.

A method for fabricating a semiconductor package, and the use of a non-contact upward jetting system in the fabrication of a semiconductor package

Номер патента: WO2015103757A1. Автор: Jinsheng Jiang,Jobs JIANG. Владелец: Henkel (China) Investment Co. Ltd.. Дата публикации: 2015-07-16.

Radiation-emitting component and method for producing a radiation-emitting component

Номер патента: US20240047625A1. Автор: Luca Haiberger,Sam Chou. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Номер патента: US10998475B2. Автор: Gwo-Jiun Sheu,Tzu-Yang Lin,Yi-Min Su,Sheng-Chieh Liang,Chih-Ling Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor module and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20230378031A1. Автор: Katsuya Kumagai,Hiroshi Ishino,Masaru NARIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIPS

Номер патента: US20160172546A1. Автор: Höppel Lutz,Moosburger Jürgen. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor chip mounting apparatus and method of mounting semiconductor chips using the same

Номер патента: US20040172815A1. Автор: Noriyuki Murata,Seiichi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor package including redistribution structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230025903A1. Автор: Minjung Kim,Jongyoun KIM,Gwangjae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Workpiece with Semiconductor Chips, Semiconductor Device and Method for Producing a Workpiece with Semiconductor Chips

Номер патента: US20130228904A1. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer,Jens Pohl,Recai Sezi,Klaus Pressel,Ralf Plieninger,Stephan Brandl. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2013-09-05.

WORKPIECE WITH SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A WORKPIECE WITH SEMICONDUCTOR CHIPS

Номер патента: US20160163682A1. Автор: Meyer Thorsten,Brunnbauer Markus,POHL Jens,Bradl Stephan,Plieninger Ralf,Pressel Klaus,Sezi Recai. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

WORKPIECE WITH SEMICONDUCTOR CHIPS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A WORKPIECE WITH SEMICONDUCTOR CHIPS

Номер патента: US20140332937A1. Автор: Meyer Thorsten,Brunnbauer Markus,POHL Jens,Bradl Stephan,Plieninger Ralf,Pressel Klaus,Sezi Recai. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Workpiece with semiconductor chips, semiconductor device and method for producing a workpiece with semiconductor chips

Номер патента: US9293423B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer,Jens Pohl,Stephan Bradl,Recai Sezi,Klaus Pressel,Ralf Plieninger. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of forming two-dimensional and three-dimensional semiconductor chip arrays

Номер патента: US20180337208A1. Автор: Gary D. Redding,Michael B. Monahan,Joseph F. Casey,Craig Alan Zufelt. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

The manufacturing method of a semiconductor, semiconductor chip, semiconductor film chip, electronic tube, and photo detecting element

Номер патента: TW200520076A. Автор: Shoichi Uchiyama,Ryuji Sugiura,Ryo Kawashima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-06-16.

SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING CHIP PADS OF DIFFERENT SURFACE AREAS, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20220173735A1. Автор: Lee Woo Jin,EOM Ju Il,CHO Hyung Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Method for providing semiconductor chip identification code and method for managing semiconductor chip

Номер патента: JPH118327A. Автор: 俊子 佐上,Toshiko Sagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

SEMICONDUCTOR CHIP, PROCESSED WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20220285219A1. Автор: NAGAYA Masatake,Kawaguchi Daisuke. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR SINGULATING SEMICONDUCTOR CHIPS

Номер патента: US20160254415A1. Автор: Jerebic Simon,HUBER Michael,Neudecker Ingo,Spath Guenter,KAEMPF Mathias. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic module, and method for producing optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: JP2013009013A. Автор: Avramescu Adrian,Volker Haerle,Matthias Sabathil,Lutz Hoeppel,Uwe Straus,ヘルレ フォルカー,ヘッペル ルッツ,ザバティール マティアス,シュトラウス ウーヴェ,アヴラメスク アドリアン,Peter Matias,ペーター マティアス. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor chip, memory module and method for testing the semiconductor chip

Номер патента: US6744127B2. Автор: Harry Hedler,Barbara Vasquez,Jochen Müller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-01.

SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING SEMICONDUCTOR CHIPS HAVING PROTRUSIONS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140175638A1. Автор: Kim Ji Eun,LEE Kyu Won,JOH Cheol Ho,SHIN Hee Min,CHO Chong Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor wafer, semiconductor chip, semiconductor device and producing method of semiconductor device

Номер патента: JP2002163900A. Автор: Kazuki Honma,和樹 本間,Katsuhiro Haruyama,Terutaka Okada,輝孝 岡田,Fumiaki Kitajima,文明 北嶋,Takahiro Hatasawa,孝宏 畠澤,Hiroyuki Motomatsu,博之 元松,勝広 春山. Владелец: Akita Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-07.

Semiconductor chip, semiconductor device, and method of measuring the same

Номер патента: EP2575140B1. Автор: Toru Ishikawa,Machio Segawa. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Method for measuring number of yield loss chips and number of poor chips by type due to defect of semiconductor chips

Номер патента: TW418478B. Автор: Jae-keun Lee. Владелец: Major R & D Inc. Дата публикации: 2001-01-11.

SEMICONDUCTOR CHIP, SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20180182663A1. Автор: PAN Pan,ZHANG Naiqian. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

A molding die used for sealing a semiconductor chip having good productivity and a lead frame used for mounting a semiconductor chip

Номер патента: KR960030388A. Автор: 요오이찌 쓰노다. Владелец: 닛뽕덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-08-17.

SEMICONDUCTOR CHIP MOUNTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210257329A1. Автор: Maeda Toru,Nakamura Tomonori. Владелец: SHINKAWA LTD.. Дата публикации: 2021-08-19.

Connecting apparatus, semiconductor chip inspecting apparatus, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: TW200610021A. Автор: Yasunori Narizuka. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Connecting apparatus, semiconductor chip inspecting apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TWI257123B. Автор: Akio Hasebe,Terutaka Mori,Akira Yabushita,Yasunori Narizuka,Etsuko Takane. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

FILAMENT WITH LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, LIGHTING MEANS AND METHOD OF PRODUCING A FILAMENT

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Schlereth Thomas,Tangring Ivar,Rachkova Elena,Bestele Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20210313500A1. Автор: Herrmann Siegfried,Leber Andreas,Rafael Christine. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor chip mounting board and method of inspecting the same mounting board

Номер патента: US6259038B1. Автор: Hideaki Sakaguchi,Naoyuki Koizumi,Kenkichi Arai. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Micro semiconductor chip transferring structure and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: KR20230057200A. Автор: 김현준,김동호,박준용,황준식,김동균,황경욱,홍석우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-28.

The semiconductor chip and current expansion method of light emitting diode

Номер патента: CN109473527A. Автор: 李俊贤,吕奇孟,刘英策,魏振东. Владелец: Xiamen Changelight Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-15.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

SEMICONDUCTOR CHIP SCALE PACKAGE AND METHOD

Номер патента: US20200194377A1. Автор: Fischer Jan,Sprogies Tobias. Владелец: NEXPERIA B.V.. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor chip for optoelectronics and method for production thereof

Номер патента: WO2002013281A1. Автор: Andreas Plossl,Stefan Illek,Klaus Streubel,Walter Wegleiter,Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor chip for optoelectronics and method for its production

Номер патента: DE102004021175A1. Автор: Walter Wegleiter,Reiner Dr. Windisch,Ralph Dr. Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor chip packaging structure and method thereof

Номер патента: CN108133924B. Автор: 王忠辉,黄玲玲,肖森. Владелец: Jiangsu Datong Electronic Technology Co Ltd Crown. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor chip for optoelectronics and method for production thereof

Номер патента: CN1592974A. Автор: S·伊莱克,A·普勒斯尔,K·施特罗伊贝尔,W·维格莱特,R·维尔斯. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-03-09.

Semiconductor chip for optoelectronics and method for producing same

Номер патента: EP3240048B1. Автор: Andreas Plossl,Stefan Illek,Klaus Streubel,Walter Wegleiter,Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-02-17.

Semiconductor chip for optoelectronics and method for production thereof

Номер патента: US20040084682A1. Автор: Andreas Plossl,Stefan Illek,Klaus Streubel,Walter Wegleiter,Ralph Wirth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor chip for optoelectronics and method for production thereof

Номер патента: US7109527B2. Автор: Andreas Plossl,Stefan Illek,Klaus Streubel,Walter Wegleiter,Ralph Wirth. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2006-09-19.

Thin semiconductor chip pickup apparatus and method

Номер патента: US20080092360A1. Автор: Teak-Hoon LEE,Myung-Kee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

An apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor substrates

Номер патента: WO2007024332A3. Автор: Pedro Vagos. Владелец: Accent Optical Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of Manufacturing a Package Having a Power Semiconductor Chip

Номер патента: US20190198355A1. Автор: Otremba Ralf,Fuergut Edward,KASZTELAN Christian,BASLER Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

METHOD OF FORMING TWO-DIMENSIONAL AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR CHIP ARRAYS

Номер патента: US20180337208A1. Автор: Redding Gary D.,MONAHAN Michael B.,Casey Joseph F.,Zufelt Craig Alan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Mask for photolithography, method for fabricating the same and method for manufacturing semiconductor device using the mask

Номер патента: US09470972B2. Автор: Suk-joo Lee,Se-Jin Park,Jong-Doo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thermal processing system and method of using

Номер патента: US20120266425A1. Автор: Andrew Wallmueller. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Crack detector units and the related semiconductor dies and methods

Номер патента: US12111346B2. Автор: Huan-Neng CHEN,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Crack detector units and the related semiconductor dies and methods

Номер патента: US20240369613A1. Автор: Huan-Neng CHEN,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Encapsulated semiconductor device package with heatsink opening, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09787254B2. Автор: David F. Abdo,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US12125879B2. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20120168940A1. Автор: Florian Bieck. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW201126585A. Автор: Florian Bieck. Владелец: Empire Technology Dev Llc. Дата публикации: 2011-08-01.

Method of transferring a substrate, and method and apparatus of processing a substrate

Номер патента: KR100765189B1. Автор: 김성수. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-15.

Structure and method to prevent charge damage from e-beam curing process

Номер патента: SG133471A1. Автор: Liu Huang,HSIA Liang Choo,Liu Wuping,ZHANG Bei Chao,John Leonard Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-07-30.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Systems and methods for manufacturing microelectronic devices

Номер патента: EP3874537A1. Автор: Carlos A. Fonseca,Nathan Ip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-08.

Systems and Methods For Manufacturing Microelectronic Devices

Номер патента: US20200135592A1. Автор: Carlos A. Fonseca,Nathan Ip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor wafer, wafer alignment patterns and method of forming wafer alignment patterns

Номер патента: US5700732A. Автор: Mark E. Jost,David J. Hansen,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09558931B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

MOLD RELEASE FILM AND METHOD OF PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140335634A1. Автор: HIGUCHI Yoshiaki,KASAI Wataru,Ataku Masakazu,TAGUCHI Daisuke,OTSUGU Satoshi. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2014-11-13.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of forming nanowire and method of manufacturing semiconductor device comprising the nanowire

Номер патента: US7928017B2. Автор: Jun-Youn Kim,Eun-ju Bae,Joong S. Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Carrier substrate, package, and method of manufacture

Номер патента: US20190103313A1. Автор: Ming-Wa TAM. Владелец: UBOTIC Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

An apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor substrates

Номер патента: WO2007024332A2. Автор: Pedro Vagos. Владелец: Accent Optical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Wafer bonding system and method for bonding and debonding thereof

Номер патента: WO2012118700A9. Автор: Sheng Wang,Eric S. Moyer,Michael Bourbina,Jeffrey N. BREMMER,Craig R. YEAKLE. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

Wafer bonding system and method for bonding and debonding thereof

Номер патента: EP2681762A1. Автор: Sheng Wang,Eric S. Moyer,Michael Bourbina,Jeffrey N. BREMMER,Craig R. YEAKLE. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2014-01-08.

Apparatus and methods for exhaust cleaning

Номер патента: US20240246124A1. Автор: Chi-Hung Liao,Wei Chang CHENG,Cheng-Kuang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Semiconductor assemblies with system and methods for aligning dies using registration marks

Номер патента: US20240234378A1. Автор: Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor systems with anti-warpage mechanisms and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230290738A1. Автор: Quang Nguyen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

System and method for equipment monitoring using a group candidate baseline and probabilistic model

Номер патента: US09915932B2. Автор: Roger Steele Cornell,Paul Alexander Llanos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Systems and methods for semiconductor structure sample preparation and analysis

Номер патента: US20210057247A1. Автор: Jang Jung Lee,Shih-Wei Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing an opening of a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device using the same method

Номер патента: KR100763514B1. Автор: 배근희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Apparatuses and methods of protecting nickel and nickel containing components with thin films

Номер патента: EP4133120A1. Автор: LEI Zhou,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Jennifer Y. Sun,Dien-Yeh Wu,Pingyan Lei,Xiao Ming He,Takashi KURATOMI,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Liquid chemical supply device system and method thereof capable of processing gases contained therein

Номер патента: TW202129802A. Автор: 金志勳,金容泰,任相宰,李鍾奎,鄭鐘浩,金峻浩,兪方淵. Владелец: 南韓商慧盛材料Ｈｙｔ股份公司. Дата публикации: 2021-08-01.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Structure and method for elimination of process-related defects in poly/metal plate capacitors

Номер патента: US20090250784A1. Автор: Henry Surtihadi,Walter B. Meinel,Philipp Steinmann,David J. Hannaman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Crack detector units and the related semiconductor dies and methods

Номер патента: US20230296659A1. Автор: Huan-Neng CHEN,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: EP4293087A1. Автор: Han Teo PARK,Yong Soo Choi,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Hyeong Ju Lee,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20050199980A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US7132729B2. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Liquid chemical supply device system and method thereof capable of processing gases contained therein

Номер патента: EP4052289A4. Автор: Jun Ho Kim,Ji Hoon Kim,Yong Tae Kim,Sang Jae Yim,Bang Yeon YU,Jong Kue Lee,Jong Ho JEUNG. Владелец: Versum Materials Hyt Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Structure and method for elimination of process-related defects in poly/metal plate capacitors

Номер патента: TW201001672A. Автор: Henry Surtihadi,Philipp Steinmann,Walter B Meinel,David J Hannaman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-01.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20200357682A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230407135A1. Автор: Han Teo PARK,Yong Soo Choi,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Hyeong Ju Lee,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8643088B2. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120001255A1. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

High Density Shield Gate Transistor Structure and Method of Making

Номер патента: US20230238440A1. Автор: Lei Zhang,Xiaobin Wang,Sik Lui,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20190067084A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20130230979A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20160005624A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20150017804A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170032074A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180157781A1. Автор: PARK Chul-hong,YANG Jae-Seok,KUCHANURI Subhash,RASTOGI Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180173836A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160293419A1. Автор: NAM Yun Suk. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Slurry composition, method of polishing an object and method of forming a contact in a semiconductor device using the slurry composition

Номер патента: US20060189152A1. Автор: Kyung-hyun Kim,Yong-Sun Ko,Ki-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20050117286A. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of manufacturing conductive pattern of a semiconductor device and method of manufacturing flash memory device using the same

Номер патента: KR100483843B1. Автор: 이창엽,권철순,이돈우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589062B1. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130270569A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US11784222B2. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056259A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US20230378270A1. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method

Номер патента: US20200075725A1. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method

Номер патента: US20220130961A1. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

A method of trimming the resistance of a semiconductor resistor device

Номер патента: DE3176458D1. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-22.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230121210A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen Hung Wang,Wei-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing a passivation layer on a semiconductor device

Номер патента: AU2565201A. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Erik Johansson,Johan Hammersberg,Mark Irwin. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing a passivation layer on a semiconductor device

Номер патента: WO2001048796A1. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Erik Johansson,Johan Hammersberg,Mark Irwin. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-07-05.

Apparatus and method of detecting a defect of a semiconductor device

Номер патента: US20140208850A1. Автор: Hyun Kim,Jae-Yong Park,Sang-Jun Kim,Yun-sik Yoo,Tae-Gyeong Chung,Geun-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

MANUFACTURING METHODS OF WAFER AND CHIPS AND POSITION ADJUSTMENT METHOD OF LASER BEAM

Номер патента: US20220288722A1. Автор: Hashimoto Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Device and method for receiving and for processing a thin wafer

Номер патента: EP1304726A3. Автор: Thomas Schmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-27.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: TW495957B. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-21.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

Method of forming alignment marks in a semiconductor body

Номер патента: DE3563148D1. Автор: Paul Edmand Cade. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-07-07.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: TW200727388A. Автор: Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Glenn C Abelin,Kyle T Gilliand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-16.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210050254A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,Chou You-Hua,Lin Yu-Hung,Lin Sheng-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US20170084520A1. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

APPARATUS AND METHOD OF GENERATING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210124863A1. Автор: CHANG FENG-MING,Chang Ruey-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: US20140225280A1. Автор: Shiqun Gu,Brian M. Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180182698A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180240742A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,Jantscher Wolfgang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20160329398A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,Jantscher Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20190378788A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

The Buddha's warrior attendant wire cutting polysilicon chip and its etching method of a kind of one texture-etching side

Номер патента: CN105576080B. Автор: 付红平,章金兵,彭也庆. Владелец: LDK Solar Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-04.

The manufacturing method of silicon carbide epitaxy chip and the manufacturing method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN110476223A. Автор: 大野彰仁. Владелец: Mitsubishi Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

RECOVERY METROLOGY MARK AND METHOD OF MEASURING RECOVERY ERROR IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2877767A1. Автор: Nigel Peter Smith,Yi Sha Ku,Hsiu Lan Pang. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-12.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: KR101615276B1. Автор: 시쿤 구,브라이언 엠. 헨더슨. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-25.

Semiconductor devices and methods of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US20040135199A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a substrate for a semiconductor device

Номер патента: DE102020131850B4. Автор: Thomas Schröder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of forming a stacked capacitor with striated electrode

Номер патента: US5238862A. Автор: Guy Blalock,Phillip G. Wald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-08-24.

Apparatus and method of forming a layer on a semiconductor substrate

Номер патента: US20060096541A1. Автор: Jin-gi Hong,Young-Wook Park,Jung-Hun Seo,Kyung-Bum Koo,Eun-Taeck Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of selectively etching silicon

Номер патента: US5129981A. Автор: Martin A. Schmidt,Su-Chee S. Wang,Vincent M. McNeil. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1992-07-14.

A kind of controlled silicon chip and its production method of punch-through

Номер патента: CN109103242A. Автор: 周明. Владелец: Jiangsu Ming Core Microelectronic Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

Methods of Thinning and Structuring Semiconductor Wafers by Electrical Discharge Machining

Номер патента: US20190295855A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Nirdesh Ojha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Comprising First and Second Field Stop Zone Portions

Номер патента: US20190165090A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor wafer, method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20030102530A1. Автор: Masahiro Inohara,Takeo Nakayama,Masahiko Matsumoto,Kunihiro Kasai,Hisato Oyamatsu,Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Molded SIP package with reinforced solder columns and method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: TW200812017A. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-03-01.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface

Номер патента: US6058945A. Автор: Hideya Kumomi,Yasutomo Fujiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Semiconductor structures and a method of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: CA1332341C. Автор: David Martin Cooper,Andrew William Nelson,Simon Cole,Ian Francis Lealman,William John Devlin. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1994-10-11.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5661068A. Автор: Mitsuru Sekiguchi,Masanori Fukumoto,Hisashi Ogawa,Yuka Terai,Isao Miyanaga,Shuji Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-26.

Method of manufacturing an integrated capacitor and device obtained by this method

Номер патента: US4481283A. Автор: George Kerr,Yves Meheust. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-11-06.

Solution and method for activating the oxidized surface of a semiconductor substrate

Номер патента: CA2774790C. Автор: Vincent Mevellec,Dominique SUHR. Владелец: Alchimer SA. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of reducing semiconductor substrate surface unevenness

Номер патента: US11901186B2. Автор: LI ZHANG,Kwang Hong LEE,Keith Cheng Yeow NG,Kenneth Eng Kian Lee,Eugene A. Fitzgerald,Soo Jin Chua,Chuan Seng Tan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of Forming a Trench Using Epitaxial Lateral Overgrowth

Номер патента: US20160308028A1. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of forming wells in semiconductor devices

Номер патента: US20050142728A1. Автор: Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US8962486B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11978640B2. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Auxiliary wafer, preparation method of auxiliary wafer, and semiconductor production process

Номер патента: US20210384090A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods of designing layouts of semiconductor devices

Номер патента: US20210064807A1. Автор: Jin Kim,Jaehwan Kim,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US10707213B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US20140106568A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20120064666A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20130309818A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for Manufacturing a Semiconductor Substrate, and Method for Manufacturing Semiconductor Devices Integrated in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20140087541A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Werner Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A METHOD OF IMPROVING BREAKDOWN VOLTAGE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150014791A1. Автор: Lane William Allan,Coyne Edward John,Ó hAnnaidh Breandán Pol Og,Whiston Seamus P.,McAuliffe Donal P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

A METHOD OF ANODISING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064592A1. Автор: Wang Xi,CUI Jie. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2016-03-03.

METHOD OF ANALYZING A MANUFACTURING OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Wang Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

METHODS OF FORMING LAYER PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140242800A1. Автор: KIM Tae-Sun,Yoon Kwang-sub,Oh Tae-Hwan,KIM Yu-Ra. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of Patterning a Feature of a Semiconductor Device

Номер патента: US20140273446A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

METHOD OF FORMING GATE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170186853A1. Автор: ZHU Ming,Young Bao-Ru,Chuang Harry Hak-Lay,Chen Chao-Cheng,LIN Hui-Wen,HUANG Yuan-Sheng,CHEN Ryan Chia-Jen,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,HSIEH Ting-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

METHODS OF FORMING SUBLITHOGRAPHIC FEATURES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176255A1. Автор: Gupta Rajesh N.,Nigam Akash. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150243520A1. Автор: Park Jin,KIM Hyun-woo,Koh Cha-won. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD OF IMPROVING THE YIELD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140357070A1. Автор: XU Ying,Zhou Fei,YU Hongjun. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD OF PATTERNING A FEATURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150287635A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140370713A1. Автор: HA Hyoun-jee. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD OF FABRICATING CONDUCTIVE LINE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150303104A1. Автор: Chen Mu-Chin,Chiang Yuan-Sheng,Hsiung Chi-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: WO2001084613A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: CA2407300A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of modifying a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1489652A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2004-12-22.

Method of planarizing a surface of a semiconductor device and a semiconductor device manufactured according to the same

Номер патента: US20040029375A1. Автор: Chang-ki Hong,Jae-dong Lee,Yong-Pil Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Method of preparing a surface of a semiconductor wafer to make it epiready

Номер патента: CN1826210A. Автор: 克莱尔·里什塔尔奇. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980005626A. Автор: 신동원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming metal wire of a semiconductor device

Номер патента: KR0172283B1. Автор: 곽노정,김정태,김춘환. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing a contact of a semiconductor device using cluster apparatus having at least one plasma pretreatment module

Номер патента: US20020064944A1. Автор: Chang-Woong Chu,Kyeong-koo Chi,Seung-pil Chung,Ji-soo Kim,Sang-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

A method of forming trench isolation of a semiconductor device

Номер патента: KR100245561B1. Автор: 윤보언,정인권. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of preparing a surface of a semiconductor wafer to make it epiready

Номер патента: US20050020084A1. Автор: Claire Richtarch. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2005-01-27.

a manufacturing method of a contact structure of a semiconductor device

Номер патента: KR100361572B1. Автор: 남창길. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of fabricating conductive line of a semiconductor device

Номер патента: US9318381B2. Автор: Mu-Chin Chen,Yuan-Sheng Chiang,Chi-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of Fabricating a Contact of a Semiconductor Device

Номер патента: KR101033986B1. Автор: 안광호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: TW200403740A. Автор: Baek-Jae Hak. Владелец: 1St Silicon Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-03-01.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094462A. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: KR101109795B1. Автор: 요이치로 하마다,시게루 호소모미. Владелец: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-02-24.

Method of formation of nanocrystals on a semiconductor structure

Номер патента: US6784103B1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-08-31.

Stacked semiconductor die assemblies with multiple thermal paths and associated systems and methods

Номер патента: US10741468B2. Автор: XIAO Li,JIAN Li,Brent Keeth,Steven K. Groothuis,Shijian Luo,Haojun Zhang,Jaspreet S. Gandhi,Luke G. England,Paul A. Silvestri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US20100068884A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of forming a gate of a semiconductor device

Номер патента: CN101211770B. Автор: 金守镇. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: HK1054465A1. Автор: J Gagliardi John. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-11-28.

System and method for wet cleaning a semiconductor wafer

Номер патента: US20040132318A1. Автор: Yong Kim,Yong Lee,In Jeong,Jungyup Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of etching a trench into a semiconductor substrate

Номер патента: US5883012A. Автор: Ping-Chang Lue,Herng-Der Chiou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Method of planarizing the surface of a semiconductor device

Номер патента: KR0125763B1. Автор: 데 브루인 렌데르트,마르티누스 프란시스쿠스 게라르두스 반 라아르 호펜 요세푸스. Владелец: 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄. Дата публикации: 1997-12-26.

Method of reducing leakage current of a semiconductor wafer

Номер патента: US6440818B1. Автор: Cheng-Hui Chung,Yuan-Li Tsai,Kuo-Hua Ho,Kai-Jen Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Method of modifying a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1489652A3. Автор: David A. Kaisaki,Heather K. Kranz,Thomas P. Klun,Wesley J. Bruxvoort,Scott R. Culler,Kwok-Lun Ho,Robert P. Messner,Richard J. Webb,Julia P. Williams,David A. Kessel. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2009-02-18.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US7189618B2. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-13.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US8153523B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6797561B2. Автор: Chang Hyun Ko,Ki Hyun Hwang,Young Sub You,Jai Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-28.

Method of fabricating contact pads of a semiconductor device

Номер патента: US6458680B2. Автор: Tae-Young Chung,Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-01.

Method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100988780B1. Автор: 최호영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of etching a surface of a semiconductor

Номер патента: GB9217349D0. Автор: . Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-09-30.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094461A. Автор: 김경민,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20090170031A1. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

A method of forming isolation regions of a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: DE102004032703B4. Автор: Jiang Yan,Danny Shum. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-08-22.

A method of fabricating gate electrodes of a semiconductor device fabricated by a hardmask and double exposure in conjunction with a size reduction spacer

Номер патента: DE102010040066B4. Автор: Klaus Gebauer,Sven Beyer,Andreas Hellmich,Steffen Laufer. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-05-24.

Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers and methods

Номер патента: US20030047755A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1281197A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-02-05.

Semiconductor assemblies with system and methods for aligning dies using registration marks

Номер патента: US11955461B2. Автор: Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatus and methods for exhaust cleaning

Номер патента: US20180345334A1. Автор: Chi-Hung Liao,Wei Chang CHENG,Cheng-Kuang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Apparatus and methods for exhaust cleaning

Номер патента: US10987706B2. Автор: Chi-Hung Liao,Wei Chang CHENG,Cheng-Kuang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor packages with pass-through clock traces and associated systems and methods

Номер патента: US20210217737A1. Автор: Thomas H. Kinsley,George E. Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378260A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor packages with pass-through clock traces and associated systems and methods

Номер патента: US11855048B2. Автор: Thomas H. Kinsley,George E. Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Systems and methods for increasing packing density in a semiconductor cell array

Номер патента: US20160358909A1. Автор: Sehat Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

A method of forming an electrode of a semiconductor device

Номер патента: DE3279012D1. Автор: Naoki Yamamoto,Shojiro Sugaki,Masahiko Ogirima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-10-13.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A1. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor assemblies with systems and methods for using an interchangeable interposer to connect die to common substrate

Номер патента: US20230282588A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor packages with pass-through clock traces and associated systems and methods

Номер патента: US20240178193A1. Автор: Thomas H. Kinsley,George E. Pax. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Image sensor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240030254A1. Автор: Youngmin Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Apparatus and methods for exhaust cleaning

Номер патента: US11980920B2. Автор: Chi-Hung Liao,Wei Chang CHENG,Cheng-Kuang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190081014A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2019-03-14.

Stacked semiconductor die assemblies with partitioned logic and associated systems and methods

Номер патента: EP3127149A1. Автор: JIAN Li,Steven K. Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Systems and methods for dopant activation using pre-amorphization implantation and microwave radiation

Номер патента: US20150053983A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chen-Feng Hsu,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A8. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of producing insulation trenches in a semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US20130189825A1. Автор: Laurent Grenouillet,Maud Vinet,Yannick Le Tiec. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130280851A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

SYSTEM AND METHOD FOR GAS-PHASE SULFUR PASSIVATION OF A SEMICONDUCTOR SURFACE

Номер патента: US20140027884A1. Автор: Tang Fu,Givens Michael Eugene,Xie Qi,Raisanen Petri. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

METHOD OF INTRODUCING LOCAL STRESS IN A SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20150044826A1. Автор: Rideau Denis,Morin Pierre,Nier Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059351A1. Автор: CHEN Chun-Hung,LIAW Jhon Jhy,Hsieh Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Method of Tuning Work Function for A Semiconductor Device

Номер патента: US20160049301A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

SYSTEM AND METHOD FOR CHARACTERIZING CRITICAL PARAMETERS RESULTING FROM A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION PROCESS

Номер патента: US20180053698A1. Автор: Liu Lianjun,Holm Paige M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

SPUTTERING SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A METAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Gossman Robert Dwayne,Kennerly Stacey Joy,Torres Victor,Lilienfeld David,Dudoff Gregory Keith. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140193931A1. Автор: Paul Scott Martin,Grigoriy Basin,John Edward Epler. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-07-10.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150130064A1. Автор: Cooney,III Edward C.,McDevitt Thomas L.,Murphy William J.,Anderson Felix P.,BARKYOUMB Steven P.,STRIPPE David C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Circuit and Method for Internally Assessing Dielectric Reliability of a Semiconductor Technology

Номер патента: US20150194358A1. Автор: Faricelli Marco,Aresu Stefano,Röhner Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

METHOD OF FORMING FINE INTERCONNECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200201954A1. Автор: Sengupta Rwik,Gerousis Vassilios. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method of Triggering Avalanche Breakdown in a Semiconductor Device

Номер патента: US20160225932A1. Автор: Stecher Matthias,Hell Magnus-Maria,Mayerhofer Michael,Willemen Joost,Meiser Andreas,Glaser Ulrich,Cao Yiqun,Lebon Julien. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD OF FORMING A TRENCH IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233105A1. Автор: Li Yuzhu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing a Mirror Region on a Semiconductor Body

Номер патента: US20150243850A1. Автор: Pfeuffer Alexander F.. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150255502A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLY

Номер патента: US20180247872A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

METHODS OF FORMING WIRING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160276267A1. Автор: Kim Byung-hee,Matsuda Tsukasa,Lee Nae-In,LEE Jong-Jin,Kim Rak-Hwan,Kim Jin-Nam,Cha Jeong-Ok,Hwang Jung-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD OF EPITAXIAL STRUCTURE FORMATION IN A SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20170271153A1. Автор: Tsai Tsung-Hsun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of Separating Semiconductor Dies from a Semiconductor Substrate, Semiconductor Substrate Assembly and Semiconductor Die Assembly

Номер патента: US20170345716A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

METHOD OF FORMING A STAIRCASE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A LINEAR ALIGNMNENT CONTROL FEATURE

Номер патента: US20170358594A1. Автор: Alsmeier Johann,YOSHIDA Makoto,Miyata Koji,Lu Zhenyu,YU Jixin,Kinoshita Hiro,Mao Daxin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393040A1. Автор: CHEN Chun-Hung,LIAW Jhon Jhy,Hsieh Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method of planarizing a surface on a semiconductor wafer

Номер патента: US6083838A. Автор: Yaw S. Obeng,Laurence D. Schultz,Randolph H. Burton. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor

Номер патента: US5529936A. Автор: Michael D. Rostoker. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate

Номер патента: US5612254A. Автор: Xiao-Chun Mu,Srinivasan Sivaram,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US20060094227A1. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7816259B2. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR100347544B1. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: KR100271426B1. Автор: 이희기. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100539153B1. Автор: 윤준호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-26.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100444605B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method of forming a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101017042B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of forming a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100568417B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373162B1. Автор: 신동우,전승준,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671605B1. Автор: 임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming conductive pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100672823B1. Автор: 백은경,나규태,서동철,김문준,차용원,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671663B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624926B1. Автор: 홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100859254B1. Автор: 백계현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101133523B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624903B1. Автор: 김민수,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100642420B1. Автор: 류혁현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351253B1. Автор: 이기정,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100338110B1. Автор: 이기정,주광철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358066B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100380154B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100332107B1. Автор: 이정호. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100501595B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358063B1. Автор: 이상협,박대규,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100824136B1. Автор: 이민용,손권,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-21.

Method of forming a Isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100672155B1. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436291B1. Автор: 조규석,박경욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Forming method of the polycide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100250744B1. Автор: 정성희,김정태. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100418092B1. Автор: 박동수,김정복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-11.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624904B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Device and method for tuning the wavelength of the light in an external cavity laser

Номер патента: EP1159775A1. Автор: Kennet Vilhelmsson,Thomas Lock. Владелец: Radians Innova AB. Дата публикации: 2001-12-05.

Sintered body, method of fabricating the same, semiconductor fabricating device, and method of fabricating semiconductor fabricating device

Номер патента: US20220162083A1. Автор: Takafumi Noguchi,Chang Hwan Kim,Kenichi Nagayama,Toshihiro Iizuka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Method for generating and processing a uniform high density plasma sheet

Номер патента: WO2020039189A1. Автор: Michael Thwaites,Peter HOCKLEY. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2020-02-27.

Apparatus and method for analyzing and/or processing a sample with a particle beam

Номер патента: KR20230058707A. Автор: 미하엘 부다흐,토르스텐 호프만,니콜 아우쓰,옌스 오스테르. Владелец: 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하. Дата публикации: 2023-05-03.

APPARATUS AND METHOD FOR EXAMINING AND/OR PROCESSING A SAMPLE

Номер патента: US20220178965A1. Автор: Budach Michael,Baur Christof. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Charging circuit, charging chip and charging control method of portable equipment

Номер патента: CN114448062B. Автор: 周欢欢,李经珊,钟俊达. Владелец: Shenzhen Siyuan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Systems and methods for synchronization of processing elements

Номер патента: US11838397B2. Автор: Brian R. Konigsburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Systems and methods for synchronization of processing elements

Номер патента: US20220407675A1. Автор: Brian R. Konigsburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Systems and methods for synchronization of processing elements

Номер патента: EP4106262A1. Автор: Brian Konigsburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Protection device for a semiconductor switch, and method for operating a protection device for a semiconductor switch

Номер патента: US09866211B2. Автор: Peter Sinn,Sebastian Laich. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US09531388B2. Автор: Tetsuya Suzuki,Takahiko GOMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of bonding column type deposits

Номер патента: US20240314939A1. Автор: Geunsik Ahn,Youn Sung Ko. Владелец: PROTEC CO Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Arrangement comprising a first semiconductor chip and a second semiconductor chip connected thereto

Номер патента: US20040225418A1. Автор: Herman Roozenbeek,Peter Rohm,Jens Barrenscheen,Axel Aue,Jens Graf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of processing non-real time service and broadcast receiver

Номер патента: US09621931B2. Автор: Gomer Thomas,Jin Pil Kim,Joon Hui Lee,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh,Jae Hyung Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of processing non-real time service and broadcast receiver

Номер патента: US20140173681A1. Автор: Gomer Thomas,Jin Pil Kim,Joon Hui Lee,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh,Jae Hyung Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of processing non-real time service and broadcast receiver

Номер патента: US09699498B2. Автор: Thomas Gomer,Jin Pil Kim,Joon Hui Lee,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh,Jae Hyung Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of processing non-real time service and broadcast receiver

Номер патента: US09854319B2. Автор: Gomer Thomas,Jin Pil Kim,Joon Hui Lee,Ho Taek Hong,Jae Hyung Song,Jong Yeul Shu. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of processing non-real time service and broadcast receiver

Номер патента: US09693113B2. Автор: Thomas Gomer,Joon Hui Lee,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh,Jae Hyung Song,Jin Phil Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Thin-film probe sheet and method of manufacturing the same, probe card, and semiconductor chip inspection apparatus

Номер патента: US20100301884A1. Автор: Akio Hasebe,Kenji Kawakami,Akira Yabushita,Yasunori Narizuka,Etsuko Takane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of generating and processing signal built in masking interference

Номер патента: RU2602598C1. Автор: Сергей Викторович Дворников,Сергей Сергеевич Манаенко,Валентин Эдуардович Гель,Михаил Алексеевич Вознюк,Дмитрий Александрович Таюрский,Юрий Игнатьевич Потылицин,Антон Романович Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ СВЯЗИ имени Маршала Советского Союза С.М. Буденного" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of processing non-real time service and broadcast receiver

Номер патента: US8874683B2. Автор: Gomer Thomas,Jin Pil Kim,Joon Hui Lee,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh,Jae Hyung Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Systems and methods for ue processing

Номер патента: EP4344484A1. Автор: Bo Gao,Zhaohua Lu,Ke YAO,Shujuan Zhang,Shijia SHAO. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Systems and methods for synchronization of processing elements

Номер патента: EP4106262B1. Автор: Brian Konigsburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

System and method for authentication of processed audio files

Номер патента: US20240105183A1. Автор: Venkata Satya Sivajee Pinnamaneni,Kaushal Shetty,Sachin Kumar Singh. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of audio signal processing, hearing system and hearing device

Номер патента: EP4325892A1. Автор: Arnaud Brielmann,Rafael Karrer,Jan Brunner,Stina Wargert. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-02-21.

Method of audio signal processing, hearing system and hearing device

Номер патента: US20240064475A1. Автор: Arnaud Brielmann,Rafael Karrer,Jan Brunner,Stina Wargert. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Systems and methods for ue processing

Номер патента: CA3221580A1. Автор: Bo Gao,Zhaohua Lu,Ke YAO,Shujuan Zhang,Shijia SHAO. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Systems and methods for ue processing

Номер патента: US20240237018A1. Автор: Bo Gao,Zhaohua Lu,Ke YAO,Shujuan Zhang,Shijia SHAO. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with phase-change material and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240357948A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR SYNCHRONIZATION OF PROCESSING ELEMENTS

Номер патента: US20220407675A1. Автор: Konigsburg Brian R.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Modem chip for performing hybrid automatic repeat request processing, application processor including the modem chip, and operating method of the modem chip

Номер патента: US10158456B2. Автор: Hyun-sang Cho,Yong-Chan Kim,In-Chul Song,Hyun-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-18.

Modem chip for performing hybrid automatic repeat request processing, application processor including the modem chip, and operating method of the modem chip

Номер патента: US10680762B2. Автор: Hyun-sang Cho,Yong-Chan Kim,In-Chul Song,Hyun-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-09.

A method of generating and processing a transport signal for carrying channels in a radio access network

Номер патента: WO2020144482A1. Автор: Philippos ASIMAKOPOULOS,Nathan GOMES. Владелец: University of Kent. Дата публикации: 2020-07-16.

A method of generating and processing a transport signal for carrying channels in a radio access network

Номер патента: EP3909192B1. Автор: Philippos ASIMAKOPOULOS,Nathan GOMES,Shabnam NOOR. Владелец: UNIVERSITY OF KENT AT CANTERBURY. Дата публикации: 2023-11-08.

Systems and methods for pulse width modulated control of a semiconductor switch

Номер патента: US09520870B2. Автор: Uli Joos,Norbert Stuhler,Robert H. Fugere,Andrew Talan,Daniel P. CONNOLLY. Владелец: Conti Temic Microelectronic GmbH. Дата публикации: 2016-12-13.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Sealing device, suction roll and method for producing and/or processing a paper, cardboard or tissue web

Номер патента: US9650743B2. Автор: Marc Erkelenz,Jochen Honold. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2017-05-16.

Sealing device, suction roll and method for producing and/or processing a paper, cardboard or tissue web

Номер патента: WO2014026914A1. Автор: Marc Erkelenz,Jochen Honold. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2014-02-20.

Apparatus and method for securely submitting and processing a request

Номер патента: US20090300359A1. Автор: Yu Zhang,Lin Luo,Bo Gao,Shun Xiang Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Network-on-chip for processing data, sensor device including processor based on network-on-chip and data processing method of sensor device

Номер патента: US20220109808A1. Автор: Hyuk Kim,Jae-Jin Lee,Sung Eun Kim,Sang Pil Kim,Kwang Il Oh,Hyung-Il Park,Kyuseung HAN,Tae Wook Kang,In Gi Lim,Kyung Hwan Park,Sukho Lee,Kyung Jin Byun,Young Hwan Bae. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-04-07.

METHODS OF IDENTIFYING AND PROCESSING A DOCUMENT

Номер патента: FR2910667B1. Автор: Zbigniew Sagan,Jean Pierre Massicot,Alain Foucou. Владелец: Advanced Track and Trace SA. Дата публикации: 2010-12-31.

Method of Apparatus for Processing a Signal

Номер патента: US20090290633A1. Автор: Yang Won Jung,Dong Soo Kim,Jae Hyun Lim,Hyen O. Oh,Hee Suk Pang,Hyo Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-11-26.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of manufacturing conductive lines of a semiconductor memory device

Номер патента: KR101056883B1. Автор: 우원식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-08-12.

A voltage booster circuit for a semiconductor memory device and a method of boosting a voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006059817A1. Автор: Young-Sun Min,Jong-Hyun Suwon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

PROTECTION DEVICE FOR A SEMICONDUCTOR SWITCH, AND METHOD FOR OPERATING A PROTECTION DEVICE FOR A SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20160006426A1. Автор: Sinn Peter,Laich Sebastian. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

SYSTEMS AND METHODS FOR PULSE WIDTH MODULATED CONTROL OF A SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20160285448A1. Автор: Fugere Robert H.,Joos Uli,Stuhler Norbert,Talan Andrew,Connolly Daniel P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Method and apparatus of training natural language processing model, and method and apparatus of processing natural language

Номер патента: US12131728B2. Автор: Hao Tian,Yu Sun,Chao Pang,Hua Wu,Haifeng Wang,Shuohuan WANG,Shikun FENG,Siyu DING,Yanbin Zhao,Junyuan Shang. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

User-customizable data capture terminal for and method of imaging and processing a plurality of target data on one or more targets

Номер патента: US09524411B2. Автор: Duanfeng He. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Compositions and methods for implantation of processed adipose tissue and processed adipose tissue products

Номер патента: CA2770490C. Автор: Jennifer H. Elisseeff,Zayna Nahas,Iwen Wu. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-16.

System and method for management of processing task

Номер патента: US20200310871A1. Автор: Prashant Patil,Vishal Tiwari,Pratima Sakpal. Владелец: Innoplexus AG. Дата публикации: 2020-10-01.

Process gas preparing apparatus, evaporative unit for tobacco drying apparatus, and method for preparing of process gas

Номер патента: RU2229252C2. Автор: Геральд ШМЕКЕЛЬ,Франк ПЛЮКХАН,Дитмар Франке,Арно ВАЙСС. Владелец: Бритиш Американ Тобакко (Джермани) Гмбх. Дата публикации: 2004-05-27.

Method and apparatus of training deep learning model, and method and apparatus of processing natural language

Номер патента: EP4195110A1. Автор: Jiaxiang Liu,Shiwei HUANG,Weixin LIU,Yuxiang LU,Xuji Chen. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

User-customizable data capture terminal for and method of imaging and processing a plurality of target data on one or more targets

Номер патента: EP2542998A1. Автор: Duanfeng He. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2013-01-09.

Method of forming and processing a radar signal at pulse-doppler radio stations

Номер патента: RU2747504C1. Автор: Александр Викторович Хомяков,Сергей Алексеевич Курбатский,Ярослав Юрьевич Карпов. Владелец: Акционерное общество Центральное конструкторское бюро аппаратостроения. Дата публикации: 2021-05-06.

System and method for autonomously scanning and processing a part

Номер патента: US20220388115A1. Автор: Satyandra K. GUPTA,Rishav Guha,Ariyan M. KABIR,Avadhoot L. AHIRE,Brual C Shah. Владелец: GrayMatter Robotics Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

System and method for autonomously scanning and processing a part

Номер патента: US12049009B2. Автор: Satyandra K. GUPTA,Rishav Guha,Ariyan M. KABIR,Avadhoot L. AHIRE,Brual C Shah. Владелец: GrayMatter Robotics Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

System and method for autonomously scanning and processing a part

Номер патента: US20230278207A1. Автор: Satyandra K. GUPTA,Rishav Guha,Ariyan M. KABIR,Avadhoot L. AHIRE,Brual C Shah. Владелец: GrayMatter Robotics Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

System and method for wirelessly receiving and processing a fixed sum

Номер патента: WO2020077467A1. Автор: Christopher Andrew GREENFIELD. Владелец: Tiptappay Micropayments Limited. Дата публикации: 2020-04-23.

System and method for wirelessly receiving and processing a fixed sum

Номер патента: AU2019360363A1. Автор: Christopher Andrew GREENFIELD. Владелец: Tiptappay Micropayments Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

System and method for wirelessly receiving and processing a fixed sum

Номер патента: EP3867847A1. Автор: Christopher Andrew GREENFIELD. Владелец: Tiptappay Micropayments Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

System and a method of recovering and processing a hydrocarbon mixture from a subterranean formation

Номер патента: US09988890B2. Автор: Karina Heitnes Hofstad,Harald Vindspoll,Knut Vebjorn Grande,Marianne HAUGAN. Владелец: Statoil Canada Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Apparatus and method for treatment of process vapours coming from a vacuum concentration section of a urea plant

Номер патента: EP3700647A1. Автор: Cristina Cerrone,Jacopo Cedrati. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2020-09-02.

Method of creating and processing a color image of an iridocorneal region of an eye and apparatus therefor

Номер патента: EP3448231A1. Автор: Andrea DE GIUSTI,Simone Pajaro. Владелец: Nidek Technologies SRL. Дата публикации: 2019-03-06.

Method of creating and processing a color image of an iridocorneal region of an eye and apparatus therefor

Номер патента: WO2017186863A1. Автор: Andrea DE GIUSTI,Simone Pajaro. Владелец: Nidek Technologies S.R.L.. Дата публикации: 2017-11-02.

Computer-readable medium storing markup documents, and method and apparatus of processing the markup documents

Номер патента: WO2008004766A1. Автор: Hwa-Kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2008-01-10.

System and method for autonomously scanning and processing a part

Номер патента: WO2023230346A1. Автор: Cheng Gong,Brual C. SHAH,Satyandra K. GUPTA,Rishav Guha,Ariyan M. KABIR,Avadhoot L. AHIRE,Marshall J. JACOBS,Ceasar G. NAVARRO. Владелец: GrayMatter Robotics Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for autonomously scanning and processing a part

Номер патента: US20220347843A1. Автор: Brual C. SHAH,Satyandra K. GUPTA,Rishav Guha,Ariyan M. KABIR,Avadhoot L. AHIRE. Владелец: GrayMatter Robotics Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

A system and a method of recovering and processing a hydrocarbon mixture from a subterranean formation

Номер патента: CA2878343A1. Автор: Karina Heitnes Hofstad,Harald Vindspoll,Knut Vebjorn Grande,Marianne HAUGAN. Владелец: Statoil Canada Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

A system and a method of recovering and processing a hydrocarbon mixture from a subterranean formation

Номер патента: CA2878343C. Автор: Karina Heitnes Hofstad,Harald Vindspoll,Knut Vebjorn Grande,Marianne HAUGAN. Владелец: Statoil Canada Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

Industrial device and method for building and/or processing a knowledge graph

Номер патента: EP4030351A1. Автор: Josep Soler Garrido,Dominik Dold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-07-20.

Industrial device and method for building and/or processing a knowledge graph

Номер патента: US20220229400A1. Автор: Josep Soler Garrido,Dominik Dold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Neuromorphic hardware and method for storing and/or processing a knowledge graph

Номер патента: US20220237441A1. Автор: Josep Soler Garrido,Dominik Dold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Apparatus and method for minimizing the delay times in a semiconductor device

Номер патента: US6148434A. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-14.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor memory device and method for selecting multiple word lines in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020145933A1. Автор: Yuji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor chip, device and system comprising the semiconductor chip, and method for manufacturing the semiconductor chip or the system

Номер патента: EP4290411A1. Автор: Heiko Zimmermann,Günter R. FUHR. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-12-13.

Circuit for controlling temperature and enabling testing of a semiconductor chip

Номер патента: WO2011140491A2. Автор: Sudheer Prasad,Ravindra Karnad,Ram A Jonnavithula. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-11-10.

Configuration for testing a multiplicity of semiconductor chips

Номер патента: US20010005144A1. Автор: Dominique Savignac,Robert Feurle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Electronic device using external memory device to store hardware setting of semiconductor chip for fast boot and power saving of semiconductor chip

Номер патента: US20230280913A1. Автор: Chung-hsin Huang,Yu-Hua Huang,Wei-Yu MA,Po-Chao Fang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated defect detection and location systems and methods in semiconductor chip devices

Номер патента: US20140013171A1. Автор: Cheow Guan Lim,Giovanni Ferrara. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor wafer device and method for testing the same

Номер патента: US20110109343A1. Автор: Shigeru Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Optically effective element, method of producing an optically effective element, and optoelectronic component

Номер патента: US11892651B2. Автор: Frank Singer,Matthias Sabathil,Hubert Halbritter,Andreas Ploessl,Bernd Boehm,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Roland Schulz,Georg Roßbach. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-02-06.

Optically effective element, method of producing an optically effective element, and optoelectronic component

Номер патента: US20210223559A1. Автор: Frank Singer,Matthias Sabathil,Hubert Halbritter,Andreas Ploessl,Bernd Boehm,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Roland Schulz,Georg Roßbach. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor chip, test system, and method of testing the semiconductor chip

Номер патента: US20170052225A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Tae-Sung Lee,Seon-Kyoo Lee,Dae-Woon Kang,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor Chip, Test System and Test Method of Semiconductor Chip

Номер патента: KR102342851B1. Автор: 이선규,임정돈,정병훈,이태성,김상록,강대운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-23.

Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology

Номер патента: US11796307B2. Автор: Yi Zhou,Sicong Wang,Xiaoye Ding. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Device and method for processing a multiplicity of semiconductor chips

Номер патента: US20210356496A1. Автор: Roland Zeisel,Michael Bergler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Device and method for processing a multiplicity of semiconductor chips

Номер патента: WO2020070148A1. Автор: Roland Zeisel,Michael Bergler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-04-09.

System and method for identification of process components

Номер патента: EP2005765A2. Автор: Nathan Steven Nelson,Ross Charles Lamothe. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Semiconductor chip test apparatus and method

Номер патента: US20140009184A1. Автор: Chen-Chung Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-09.

Apparatus and method for verifying a logic function of a semiconductor chip

Номер патента: EP1202193A2. Автор: Chong Min Kyung,An Do Ki,Seung Jong Lee,Young Wook Jeon. Владелец: Dynalith Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: US20220381816A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: WO2022251045A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Apparatuses and methods for refresh control

Номер патента: US09959921B2. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of thermo-mechanically processing tool steel and tools made from thermo-mechanically processed tool steels

Номер патента: US09481023B2. Автор: Christon L. Shepard,Ronald R. LaParre,Shrinidhi Chandrasekharan,Alan L. Shaffer,David L. Turpin. Владелец: Dayton Progress Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Microfluidic chip and fabrication method

Номер патента: US12134097B2. Автор: Wei Li,ZHENYU Jia,Yunfei Bai,Baiquan LIN,Ping Su,Kerui XI,Kaidi Zhang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Device and method for measurement of process parameters for controlling of metallurgical processes

Номер патента: AU1192000A. Автор: Jan Hellstenius,Svante ROSÉN. Владелец: Smte Sweden Ab. Дата публикации: 2000-04-17.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Systems and methods for multi-analysis

Номер патента: US09719990B2. Автор: Samartha Anekal,Ian Gibbons,Elizabeth A. Holmes,Paul Patel. Владелец: Theranos Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems and methods for multi-analysis

Номер патента: US12085583B2. Автор: Michael Chen,Elizabeth A. Holmes,Pey-Jiun Ko. Владелец: Labrador Diagnostics LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for multi-analysis

Номер патента: US09952240B2. Автор: Michael Chen,Elizabeth A. Holmes,Pey-Jiun Ko. Владелец: Theranos IP Co LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Systems and methods for multi-analysis

Номер патента: US09645143B2. Автор: Elizabeth A. Holmes,Pey-Jiun Ko,James Wasson. Владелец: Theranos Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Determining whether to process a host request using a machine learning module

Номер патента: US20200233716A1. Автор: Lokesh M. Gupta,Kevin J. Ash,Beth A. Peterson,Matthew R. Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of inkless wafer blind assembly

Номер патента: US20040215417A1. Автор: Sreenivasan Koduri,Balamurugan Subramanian. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Systems and methods for reinjection of processed vitreous humor

Номер патента: US09549849B2. Автор: Steven T. Charles. Владелец: Alcon Research LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Device and method for measurement of process parameters for controlling of metallurgical processes

Номер патента: WO2000019198A1. Автор: Jan Hellstenius,Svante ROSÉN. Владелец: Smte Sweden Ab. Дата публикации: 2000-04-06.

METHOD AND APPARATUS OF TRAINING NATURAL LANGUAGE PROCESSING MODEL, AND METHOD AND APPARATUS OF PROCESSING NATURAL LANGUAGE

Номер патента: US20220293092A1. Автор: Wang Haifeng,Sun Yu,PANG Chao,WU Hua,Tian Hao,Feng Shikun,WANG Shuohuan,Zhao Yanbin,DING Siyu,SHANG Junyuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR IMPLANTATION OF PROCESSED ADIPOSE TISSUE AND PROCESSED ADIPOSE TISSUE PRODUCTS

Номер патента: US20220073881A1. Автор: Elisseeff Jennifer H.,Nahas Zayna,Wu Iwen. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR IMPLANTATION OF PROCESSED ADIPOSE TISSUE AND PROCESSED ADIPOSE TISSUE PRODUCTS

Номер патента: US20180127719A1. Автор: Elisseeff Jennifer H.,Nahas Zayna,Wu Iwen. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Compositions and methods for implantation of processed adipose tissue and processed adipose tissue products

Номер патента: CA2770490A1. Автор: Jennifer H. Elisseeff,Zayna Nahas,Iwen Wu. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-02-17.

Apparatus and method for emulation of process variation induced in split process semiconductor wafers

Номер патента: US20100332208A1. Автор: James Victory,Juan D. Cordovez. Владелец: Cordovez Juan D. Дата публикации: 2010-12-30.

Apparatus and method for emulation of process variation induced in split process semiconductor wafers

Номер патента: US8204721B2. Автор: James Victory,Juan D. Cordovez. Владелец: Sentinel IC Tech Inc. Дата публикации: 2012-06-19.

Method of testing tears as a biomarker for cannabinoids

Номер патента: WO2021231318A1. Автор: Denise A. Valenti. Владелец: Valenti Denise A. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of testing tears as a biomarker for cannabinoids

Номер патента: CA3182512A1. Автор: Denise A. Valenti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of testing tears as a biomarker for cannabinoids

Номер патента: EP4150351A1. Автор: Denise A. Valenti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-22.

Method of testing tears as a biomarker for cannabinoids

Номер патента: US20210349074A1. Автор: Denise A. Valenti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-11.

Substrate drop off detecting device and substrate drop off detecting method, and method and device of processing substrate through the use of the same

Номер патента: KR101734617B1. Автор: 유타 하가,히로유키 사토,다케시 고바야시,미츠히로 요시다,나오히데 이토,히토시 기쿠치,유지 다카바타케,가츠아키 스가와라,마사아키 지바. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-05-11.

Rotation state detecting device and rotation state detecting method and method and device of processing substrate through the use of the same

Номер патента: KR101736538B1. Автор: 다케시 고바야시,기이치 다카하시,나오히데 이토,유지 다카바타케,가츠아키 스가와라. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-05-16.

System and method for autonomously scanning and processing a compliant workpiece

Номер патента: US11820016B2. Автор: Cheng Gong,Brual C. SHAH,Satyandra K. GUPTA,Avadhoot Ahire,Rishav Guha,Ariyan M. KABIR,Vihan Krishnan,Sagar Panchal. Владелец: GrayMatter Robotics Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

System and Method For Self-Service Returns

Номер патента: US20170293916A1. Автор: Tina M. KURTZ,Douglas Humphrys. Владелец: Wal Mart Stores Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

A method for selecting and processing a payroll deduction plan as a payment option during electronic commerce

Номер патента: WO2001032477A8. Автор: Kirk Watkins. Владелец: DUCTION Inc E. Дата публикации: 2001-11-29.

System and method for autonomously scanning and processing a compliant workpiece

Номер патента: US20230302640A1. Автор: Cheng Gong,Brual C. SHAH,Satyandra K. GUPTA,Avadhoot Ahire,Rishav Guha,Ariyan M. KABIR,Vihan Krishnan,Sagar Panchal. Владелец: GrayMatter Robotics Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

A system and method for vehicle dynamic control

Номер патента: EP1013527A2. Автор: Dinu Petre Madau,Behrouz Ashrafi,Hongtei Eric Tseng. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2000-06-28.

Systems and methods for processing a natural language query in data tables

Номер патента: US20230385321A1. Автор: Kedar Dhamdhere,Rohit Ananthakrishna,Kevin Snow Mccurley,Mukund Sundararajan,Nikunj Agrawal,Shrikant Ravindra Shanbhag,Garima,Daniel Adam Gundrum,Juyun June Song,Rifat Ralfi Nahmias. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Systems and methods for editing and replaying natural language queries

Номер патента: US11893061B2. Автор: Robert Brett Rose,Gregory Brandon Owen,Keith Charles Bottner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Systems and methods for editing and replaying natural language queries

Номер патента: US20220335089A1. Автор: Robert Brett Rose,Gregory Brandon Owen,Keith Charles Bottner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-10-20.

Impedance calibration circuit and method thereof

Номер патента: US20050264300A1. Автор: Chia-Jun Chang,Tzung-Ming Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

COMPUTER APPARATUS AND METHOD FOR INTEGRATION OF PROCESS PLANNING OPTIMIZATION AND CONTROL

Номер патента: US20130179235A1. Автор: TREIBER Salomon Steven,MCLEOD Ronald Stirling,BLACK Donald Bruce. Владелец: Manufacturing Technology Network Inc.. Дата публикации: 2013-07-11.

SYSTEM AND METHOD FOR GENERATION OF PROCESS GRAPHS FROM MULTI-MEDIA NARRATIVES

Номер патента: US20220036083A1. Автор: Chandrasekaran Swaminathan,Singh Shiwangi,Li Shan-Chuan,Sekhar Anand,Yu Qianhao,Venkateswaran Sathyanarayan,Baltay Oliver Michael. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

CHEMICAL COMPOSITIONS AND METHOD FOR DEGASSING OF PROCESSING EQUIPMENT

Номер патента: US20180100129A1. Автор: Mason Douglas J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

SYSTEM AND METHOD FOR MANAGEMENT OF PROCESSING WORKERS

Номер патента: US20140195312A1. Автор: Olszewski Marek,Sidiroglou Stylianos,Ansel Jason,Piette Marc,Reinsberg Rene,Marcus Adam,Haas Daniel,Greenstein Matthew,Kamalov Kainar. Владелец: LOCU, INC.. Дата публикации: 2014-07-10.

Apparatus and method for treatment of process vapours coming from a vacuum concentration section of a urea plant

Номер патента: US20200254377A1. Автор: Cristina Cerrone,Jacopo Cedrati. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2020-08-13.

CHEMICAL COMPOSITIONS AND METHOD FOR DEGASSING OF PROCESSING EQUIPMENT

Номер патента: US20190300826A1. Автор: Mason Douglas J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

SYSTEM AND METHOD FOR MANAGEMENT OF PROCESSING TASK

Номер патента: US20200310871A1. Автор: PATIL Prashant,Sakpal Pratima,Tiwari Vishal. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Apparatus and method for recycling of processed waste water

Номер патента: KR101129292B1. Автор: 이경호. Владелец: (주) 에덴. Дата публикации: 2012-03-27.

Systems and methods for fluid and component handling

Номер патента: US10012664B2. Автор: Timothy Smith,Michael Chen,Elizabeth A. Holmes,John Kent Frankovich,Daniel Young,James Wasson. Владелец: Theranos IP Co LLC. Дата публикации: 2018-07-03.

Fluidized incinerator and method for incineration of processed materials using the fluidized incinerator

Номер патента: JP5588045B1. Автор: 克己 佐々木,久志 宮地. Владелец: Tsukishima Kikai Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Computer apparatus and method for integration of process planning optimization and control

Номер патента: CA2807071A1. Автор: Salomon Steven Treiber,Ronald Stirling Mcleod,Donald Bruce Black. Владелец: Manufacturing Technology Network Inc. Дата публикации: 2014-08-22.

System and method for visualization of process errors

Номер патента: CN101510084A. Автор: ·兰德尼斯. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2009-08-19.

Chemical compositions and method for degassing of processing equipment

Номер патента: CA2944914A1. Автор: Douglas J. Mason. Владелец: Fqe Chemicals Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

System and method for management of processes in a hospital and/or in an operating room

Номер патента: EP2060986B1. Автор: Omid Prof. Dr. Abri. Владелец: Karl Storz SE and Co KG. Дата публикации: 2019-01-02.

System and method for management of processing livestock products and computer program for the same

Номер патента: KR102547735B1. Автор: 김익환. Владелец: (주)협신식품. Дата публикации: 2023-06-26.

System and method for analysis of process data and discovery of situational and complex applications

Номер патента: US9135324B1. Автор: Eitan Hadar,Irit Hadar. Владелец: CA Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Systems and methods for selection of processing parameter for additive manufacturing using simulation

Номер патента: WO2020247544A1. Автор: Yogesh SOVANI. Владелец: Materialise Usa, Llc. Дата публикации: 2020-12-10.

Apparatus and method for recirculating fluids

Номер патента: US11858091B2. Автор: Robert EISELER,Koh MURAI,II Michael PERKINS. Владелец: Mega Fluid Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of fabricating fluid ejection chip, printhead, fluid ejection chip and inkjet printer

Номер патента: EP3186084A1. Автор: John Glenn Edelen,Nicole SEMLER,Michael Marra. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-05.

Method of fabricating fluid ejection chip, printhead, fluid ejection chip and inkjet printer

Номер патента: WO2016031217A1. Автор: John Glenn Edelen,Nicole SEMLER,Michael Marra. Владелец: FUNAI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-03.

Systems and methods for multi-analysis

Номер патента: EP4220120A3. Автор: Anekal Samartha,Timothy Smith,Gangakhedkar Surekha,Michael Chen,Elizabeth A. Holmes,Gary Frenzel,Paul Patel,Joy Roy,Sunny Balwani,John K. Frankovich,Adrit Lath,Alexander Loo,Chinmay Pangarkar,Daniel Young. Владелец: Labrador Diagnostics LLC. Дата публикации: 2024-01-10.

System chip and related method of data access

Номер патента: US20040186966A1. Автор: Chih-Yung Chen,Kun-Long Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100578786B1. Автор: 이승환,김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-11.

A method of creating or processing a tooth on a work piece, a computer program that executes this method, and a tooth preparation machine.

Номер патента: JP7023226B2. Автор: キーンツレ フロリアン,メイヤー スヴェン. Владелец: グリーソン － プァウター マシネンファブリク ゲーエムベーハー. Дата публикации: 2022-02-21.

A system and a method of recovering and processing a hydrocarbon mixture from a subterranean formation

Номер патента: WO2014006169A1. Автор: Karina Heitnes Hofstad,Harald Vindspoll,Knut Vebjorn Grande,Marianne HAUGAN. Владелец: Lind, Robert. Дата публикации: 2014-01-09.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of creating and processing a color image of an iridocorneal region of an eye and apparatus therefor

Номер патента: US20190150726A1. Автор: Andrea DE GIUSTI,Simone Pajaro. Владелец: Nidek Technologies SRL. Дата публикации: 2019-05-23.

SYSTEM AND A METHOD OF RECOVERING AND PROCESSING A HYDROCARBON MIXTURE FROM A SUBTERRANEAN FORMATION

Номер патента: US20150192007A1. Автор: Vindspoll Harald,Grande Knut Vebjørn,Hofstad Karina Heitnes,Haugan Marianne. Владелец: STATOIL CANADA LIMITED. Дата публикации: 2015-07-09.

A method of generating and processing a probe laser signal

Номер патента: RU2015102424A. Автор: Анатолий Борисович Атнашев,Владимир Григорьевич Цыбрин,Александр Александрович Закутаев,Виталий Викторович Какаев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военно-космическая академия имени А.Ф. Можайского" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-08-10.

Defect examination on a semiconductor specimen

Номер патента: US11961221B2. Автор: Dror Shemesh,Miriam BROOK. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

SYSTEM AND METHOD FOR AUTONOMOUSLY SCANNING AND PROCESSING A PART

Номер патента: US20220288774A1. Автор: Gong Cheng,Guha Rishav,Gupta Satyandra K.,Jacobs Marshall J.,Kabir Ariyan M.,Navarro Ceasar G.,Shah Brual C.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

SEALING DEVICE, SUCTION ROLL AND METHOD FOR PRODUCING AND/OR PROCESSING A PAPER, CARDBOARD OR TISSUE WEB

Номер патента: US20150204014A1. Автор: ERKELENZ MARC,HONOLD JOCHEN. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

SYSTEM AND METHOD FOR AUTONOMOUSLY SCANNING AND PROCESSING A PART

Номер патента: US20220347843A1. Автор: Guha Rishav,Gupta Satyandra K.,Kabir Ariyan M.,Shah Brual C.,Ahire Avadhoot L.. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

SYSTEM AND METHOD FOR AUTONOMOUSLY SCANNING AND PROCESSING A PART

Номер патента: US20220371190A1. Автор: Gong Cheng,Guha Rishav,Gupta Satyandra K.,Jacobs Marshall J.,Kabir Ariyan M.,Navarro Ceasar G.,Shah Brual C.. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝 席恩,漢瑞克 皮杜斯 瑪利亞 皮勒曼,派翠克 華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

A kind of the drop micro-fluidic chip and its application method of the highly sensitive detection of nucleic acid

Номер патента: CN109536380A. Автор: 王影珍. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-29.

The insulation and vibration-absorption material made of polystyrene foam chips, and the manufacturing method of it

Номер патента: KR100523348B1. Автор: 손달호. Владелец: 주식회사 원진. Дата публикации: 2005-10-24.

System and method for wirelessly receiving and processing a fixed sum

Номер патента: EP3867847A4. Автор: Christopher Andrew GREENFIELD. Владелец: Tiptappay Micropayments Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Polymer for an anti-reflective coating composition for an anti-reflective coating and method of forming a pattern in a semiconductor device using the composition

Номер патента: KR101585992B1. Автор: 김영호,박지만,최재희,윤효진,김부득,류진아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-19.

The integrated chip and its manufacturing method of a kind of accelerometer, environmental sensor

Номер патента: CN110346602A. Автор: 付博,方华斌,李向光. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2019-10-18.

A semiconductor integrated circuit device having a synchronous DRAM core and a logic circuit mixed on a single chip and a test method of the synchronous DRAM core

Номер патента: KR19980079530A. Автор: 시게키 토미시마,아키라 야마자키,타다토 야마가타,마코토 하타케나카. Владелец: 미쓰비시 덴키 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-11-25.

A kind of micro-fluidic chip and the preparation method of alginate magnetic microsphere

Номер патента: CN106109440A. Автор: 叶嘉明,荣莉,穆莉莉,周小俊,沙梦梦. Владелец: ANHUI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-11-16.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

A system on chip and a operating method of the semiconductor package

Номер патента: KR20230013828A. Автор: 유재준,윤석주,조은옥. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-27.

Cell pre-processing separation chip and its separaion method of cell

Номер патента: KR101985441B1. Автор: 김세일. Владелец: 주식회사 페라메드. Дата публикации: 2019-06-03.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

An electronic detonator control chip and a detecting method of its connection correctness

Номер патента: AU2009254403B2. Автор: Xing Liu,Huaping Lai,Fengguo Li,Jinglong Yan,Xianyu Zhang. Владелец: Beijing Ebtech Tech Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

METHOD OF SIMULATION AND DESIGN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Li Zhanming. Владелец: Crosslight Software Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Photoresist composition, method for forming a photoresist pattern and method for forming a protection layer of a semiconductor device using the photoresist composition

Номер патента: KR100729256B1. Автор: 김재현,박석봉,김원미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: GB9515148D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-20.

Apparatus, system and method for identifying semiconductor memory access modes

Номер патента: US5812470A. Автор: Roland Ochoa,Kacey Cutler,Craig Schneider,Gary Gilliam,Steven Renfro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20110313748A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Layout design method for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7979830B2. Автор: Mitsuyuki Katsuzawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

System and method for performing hole profile modeling in a virtual fabrication environment

Номер патента: WO2023091321A1. Автор: Cheng Li,Benjamin Vincent,Joseph Ervin,Shi-Hao Huang,Qing Peng WANG,Yu De Chen. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD OF MONITORING ENVIRONMENTAL VARIATIONS IN A SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20150192924A1. Автор: LEE Soon-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR TRACKING PROGRESS OF DESIGN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190235713A1. Автор: Levy Amir,BORENSTEIN Yuval,BARKAI David. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2019-08-01.

Circuit and method for generating internal supply voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100695037B1. Автор: 강상석,임종형,변상만. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-14.

Method of repairing a mask in a semiconductor device

Номер патента: KR100361514B1. Автор: 임문기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor device structures based on blank substrate cloning (versions)

Номер патента: RU2546858C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-04-10.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid resin composition, semiconductor chip with an adhesive layer, method of producing such materials, and semiconductor devices

Номер патента: SG182978A1. Автор: Masuda Takeshi,Kagimoto Tomohiro,Shuey Seng LOW,Ohkubo Hikaru. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-08-30.

SEMICONDUCTOR CHIP, SEMICONDUCTOR PACKAGE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP FOR REDUCING OPEN FAILURES

Номер патента: US20120139118A1. Автор: KIM Seong Cheol. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TWI222702B. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TW200428571A. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

SEMICONDUCTOR CHIP, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MEASURING THE SAME

Номер патента: US20130076387A1. Автор: Ishikawa Toru,SEGAWA Machio. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Article and Panel Comprising Semiconductor Chips, Casting Mold and Methods of Producing the Same

Номер патента: US20120261841A1. Автор: Meyer Thorsten,Brunnbauer Markus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of making a multiplicity of multiple device semiconductor chips and article so produced

Номер патента: AU478439B2. Автор: HERBERT TEEVAN and BRIAN ANTHONY HEGARTY LEWIS. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-10-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTING DEVICE AND METHOD FOR CLEARING DATA STORED IN COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20120047307A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

SEMICONDUCTOR CHIP PACKAGE ASSEMBLY AND METHOD FOR MAKING SAME

Номер патента: US20120286416A1. Автор: Mohammed Ilyas,Masuda Norihito,Sato Hiroaki,Haba Belgacem,Damberg Philip,Hashimoto Yukio,Nakadaira Yoshikuni. Владелец: TESSERA RESEARCH LLC. Дата публикации: 2012-11-15.

SEMICONDUCTOR CHIP PACKAGE ASSEMBLY AND METHOD FOR MAKING SAME

Номер патента: US20120313238A1. Автор: Mohammed Ilyas,Masuda Norihito,Sato Hiroaki,Haba Belgacem,Damberg Philip,Hashimoto Yukio,Nakadaira Yoshikuni. Владелец: TESSERA RESEARCH LLC. Дата публикации: 2012-12-13.

A method of and machine for placing a semiconductor chip or an electronic component onto a bonding surface of a carrier

Номер патента: TW448515B. Автор: Eugen Mannhart,Thomas Gunther,Matthias Krieger,Alois Ulrich. Владелец: Esec Trading Sa. Дата публикации: 2001-08-01.

Method of detecting and processing time-modulated radiotelemetric signal

Номер патента: RU2444065C1. Автор: Алексей Николаевич Хорошко,Иван Иванович Кортюков,Юрий Алексеевич Кирдяшкин,Валерий Васильевич Страбыкин,Алексей Валерьевич Гришин,Ирина Владиславовна Богодяж,Антон Александрович Застылов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method of generating and processing a measuring signal of strain-gauge type electromechanical scales and electronic circuit arrangement therefor

Номер патента: PL283168A1. Автор: Krzysztof Tabędzki. Владелец: Krzysztof Tabędzki. Дата публикации: 1991-08-26.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Standoff for and method of supporting a coil in a semiconductor fabrication system, and standoff for coupling RF current

Номер патента: TW447016B. Автор: Sergio Edelstein,Howard Grunes,Bradley O Stimson,Anantha Subramani,John C Forster. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-21.

Compositions and Methods for Implantation of Processed Adipose Tissue and Processed Adipose Tissue Products

Номер патента: US20120189588A1. Автор: Elisseeff Jennifer H.,Nahas Zayna,Wu Iwen. Владелец: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-26.

PROCESSED AND ROASTED COFFEE BEAN AND METHOD FOR PRODUCTION OF PROCESSED AND ROASTED COFFEE BEAN

Номер патента: US20120328762A1. Автор: Hayakawa Yoshinobu,KUSAURA Tatsuya,Shioya Yasushi,Ogura Yoshikazu,SHIGENO Chitoshi. Владелец: KAO CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

SYSTEMS AND METHODS FOR REINJECTION OF PROCESSED VITREOUS HUMOR

Номер патента: US20140074011A1. Автор: Charles Steven T.. Владелец: Alcon Research, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

Testing platform and method for properties of process cooling machine

Номер патента: TW201115666A. Автор: Fu-Jen Wang,Yao-Jun Wang,Jian-Wei Kao. Владелец: Nat Univ Chin Yi Technology. Дата публикации: 2011-05-01.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Method of making a mount for a semiconductor

Номер патента: CA812503A. Автор: E. Dijkmeijer Henricus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-05-13.

Method of making a junction in a semiconductor body

Номер патента: CA852397A. Автор: R. Sivertsen David,B. Cecil Olin,R. Haberecht Rolf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-22.

Electronic detonator control chip and the processing method of correct reduction host communication signal

Номер патента: CN103869729B. Автор: 银庆宇. Владелец: Beijing Quanan Miling Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

METHOD OF FORMING A LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING A PLURALITY OF TRENCHES

Номер патента: US20120028468A1. Автор: Wu Shih-Hao,Chung Chia-Chi,Cheng Chung-Hsiu,Hsu Chih-Hsien,Tseng Wei-Yueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980011893A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING DISTURBED MEMORY CELLS OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120051130A1. Автор: . Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Apparatus and Methods for Adaptively Using Signals to Control a Semiconductor Optical Amplifier (SOA)

Номер патента: US20120057871A1. Автор: Dai Yuxin. Владелец: Futurewei Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-03-08.

System and Method for Preventing Bipolar Parasitic Activation in a Semiconductor Circuit

Номер патента: US20120176161A1. Автор: Petruzzi Luca. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

SOLUTION AND METHOD FOR ACTIVATING THE OXIDIZED SURFACE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120196441A1. Автор: . Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2012-08-02.

System and Method for Detecting Disturbed Memory Cells of a Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20120268987A1. Автор: . Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of Forming an Inductor on a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20130015555A1. Автор: Zhang Qing,Lin Yaojian,Cao Haijing. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130307032A1. Автор: Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR0166826B1. Автор: 김학남. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.