Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11837294B2
Опубликовано: 05-12-2023
Автор(ы): Hironori Uchikawa, Noboru Shibata
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20240185930A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11355202B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US10607707B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20200227122A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20220262443A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761318B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US09520183B2. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US20150243351A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: EP2748821A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: WO2013032928A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09792991B1. Автор: Tomoya Kawai,Hideto Horii,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4202937A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11967371B2. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230197148A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140063962A1. Автор: Katsuaki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09799403B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Shinohara,Kenichi Abe,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Keisuke Yonehama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09478301B1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Yoshimura,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kiichi Tachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180090220A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Hiroe MINAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240046984A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240105272A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Block health monitoring using threshold voltage of dummy memory cells

Номер патента: WO2018048490A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Block health monitoring using threshold voltage of dummy memory cells

Номер патента: EP3455857A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-03-20.

Programming of dummy memory cell to reduce charge loss in select gate transistor

Номер патента: EP3635727A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-15.

Method and apparatus for measuring the threshold voltage of flash EEPROM memory cells being applied a variable control gate bias

Номер патента: US5966330A. Автор: Yuan Tang,Chien-Sheng Su. Владелец: Eon Silicon Devices Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Data storage having recovery function for threshold voltage distribution change of memory cells due to applying surface mounting technology and operating method

Номер патента: US09671969B2. Автор: Jae-sang YUN,In Bo Shim,Young Joon Jang,Doo-jin Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Data storage having recovery function for threshold voltage distribution change of memory cells due to applying surface mounting technology and operating method

Номер патента: US20170060463A1. Автор: Jae-sang YUN,In Bo Shim,Young Joon Jang,Doo-jin Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200294600A1. Автор: Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory in which source line voltage is applied during a read operation

Номер патента: US09672929B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190198126A1. Автор: Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Block Health Monitoring Using Threshold Voltage Of Dummy Memory Cells

Номер патента: US20180075919A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor memory device and method

Номер патента: US20230253029A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Noboru Shibata,Akiyuki Murayama,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI,Motohiko FUJIMATSU,Kyosuke Sano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Programming process which compensates for data state of adjacent memory cell in a memory device

Номер патента: US20200312415A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125528B2. Автор: Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof

Номер патента: US09552887B2. Автор: Jun Jin Kong,Changkyu Seol,Hong Rak Son,Kwanghoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09659663B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220189569A1. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11894074B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6154391A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20210233590A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294728A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190139610A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160203869A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20180204622A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170076804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230360707A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of programming a select transistor of a semiconductor memory device

Номер патента: US12057165B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device and method

Номер патента: US11978501B2. Автор: Katsuya Nishiyama,Noboru Shibata,Akiyuki Murayama,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI,Motohiko FUJIMATSU,Kyosuke Sano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12033702B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070236985A1. Автор: Haruki Toda,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09984761B2. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono,Noboru Shibata,Tadashi Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160071603A1. Автор: Yasushi Nakajima,Yuki Yamamura,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11342026B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640274B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory including a read operation

Номер патента: US20240212757A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory and verify read operation

Номер патента: US09514836B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140036600A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8885417B2. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US11238925B2. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8750039B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Nonvolatile semiconductor memory including a read operation

Номер патента: US11948640B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-equal threshold voltage ranges in MLC NAND

Номер патента: US7639532B2. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

DATA STORAGE HAVING RECOVERY FUNCTION FOR THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION CHANGE OF MEMORY CELLS DUE TO APPLYING SURFACE MOUNTING TECHNOLOGY AND OPERATING METHOD

Номер патента: US20170060463A1. Автор: Yun Jae-Sang,Shim In Bo,Yi Doo-Jin,Jang Young Joon. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09786380B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200090756A1. Автор: Yasuhiro Shimura,Yoshikazu Harada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210082530A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210020249A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200013466A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286100A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180308550A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20220262439A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180005695A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240153560A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11915756B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240282391A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633741B1. Автор: Kenji Sawamura,Michiaki Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633720B2. Автор: Masashi Yoshida,Tomoaki Nakano,Shigefumi Irieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US09536613B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09412441B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818489B2. Автор: Yuka Suzuki,Masami Hanyu,Yoshihiro Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09543022B2. Автор: Yusuke Umezawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device with improved threshold voltage distribution of transistor

Номер патента: US20210027851A1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11810624B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09666296B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory apparatus and data erasing method

Номер патента: US8498163B2. Автор: Chul Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Non-volatile semiconductor memory device with improved erase algorithm

Номер патента: US6442071B2. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-27.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device capable of setting a negative threshold voltage

Номер патента: KR100674546B1. Автор: 노보루 시바따. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-01-29.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US20210104281A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607698B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298679A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: US20240282383A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device which stores plural data in a cell

Номер патента: US09858992B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device which stores plural data in a cell

Номер патента: US09627048B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: EP4421808A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of data write therein

Номер патента: US20130088924A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640269B2. Автор: Yasushi Nakajima,Hideaki Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613713B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device capable of lowering a write voltage

Номер патента: US20110261619A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor memory device capable of lowering a write voltage

Номер патента: US20090316479A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257869A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4404199A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761307B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090121281A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09824764B2. Автор: Yuji Nagai,Jun Nakai,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US09627075B1. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US5627782A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210090642A1. Автор: Osamu Nagao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160247573A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170117047A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290382A1. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and method of operating the same

Номер патента: US09679657B2. Автор: Kyoung Jin PARK,Byeong Il HAN,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09570180B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device performing program and program verify operation on the memory cell array including pass/fail check on the program operation

Номер патента: US09455044B2. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11791002B2. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Analog sensing of memory cells with a source follower driver in a semiconductor memory device

Номер патента: US20130272070A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Rooparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US12027203B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20210134360A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US10923186B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20230290407A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11189348B2. Автор: Takeshi Hioka,Masaki UNNO,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-30.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640265B1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device which reads by decreasing effective threshold voltage of selector gate transistor

Номер патента: US20070014182A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Nonvolatile semiconductor memory device in which write and erase threshold voltages are set at levels symmetrical about neutral threshold voltage of cell transistor

Номер патента: US20070014183A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Nonvolatile semiconductor memory device, electronic card and electronic apparatus

Номер патента: US20050105334A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Non-volatile semiconductor memory device in which one page is set for a plurality of memory cell arrays

Номер патента: US20040170065A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321367A1. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240096413A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11894066B2. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150070986A1. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100080069A1. Автор: Osamu Nagao,Akihiro IMAMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and method for operation thereof

Номер патента: US20210090633A1. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100329033A1. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory and semiconductor memory control method

Номер патента: US09390800B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09711226B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200090772A1. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device and system

Номер патента: US20230109388A1. Автор: Mitsuhiro Abe,Mitsuaki Honma,Akio SUGAHARA,Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306402A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080025101A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and method of programming the same

Номер патента: US20110158000A1. Автор: Young Soo Park,Ka Young CHO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US6091639A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200303017A1. Автор: Masashi Yamaoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Non-volatile semiconductor memory device having a function for controlling the range of distribution of memory cell threshold voltages

Номер патента: US20020080654A1. Автор: Toru Tanzawa,Masanobu Saito,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200303400A1. Автор: Masaki Kondo,Masakazu Goto,Fumitaka Arai,Keiji Hosotani,Nobuyuki Momo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor memory device and method of controlling a threshold voltage of the same

Номер патента: US6157571A. Автор: Koji Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-05.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

High-speed verifiable semiconductor memory device

Номер патента: US20090016117A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Noboru Shibata. Дата публикации: 2009-01-15.

High-speed verifiable semiconductor memory device

Номер патента: US20070147125A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Noboru Shibata. Дата публикации: 2007-06-28.

High-speed verifiable semiconductor memory device

Номер патента: US20110164458A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Noboru Shibata. Дата публикации: 2011-07-07.

High-speed verifiable semiconductor memory device

Номер патента: US20080080253A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Noboru Shibata. Дата публикации: 2008-04-03.

High-speed verifiable semiconductor memory device

Номер патента: US20120230115A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Noboru Shibata. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor memory device with a plurality of sense ampilifers overlapping a plurality of metal joints

Номер патента: US20230165010A1. Автор: Hiroshi Maejima,Naohito Morozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190304544A1. Автор: Naoki Takizawa,Tomoya Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09508438B2. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09418732B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09741439B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12148482B2. Автор: Takeshi Hioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09437301B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Method and apparatus for adaptive memory cell overerase compensation

Номер патента: US20100020607A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100124117A1. Автор: Koji KATO,Masato Endo,Mitsuhiro Noguchi,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama,Kenji Gomikawa,Hiroyuki Kutsukake,Kanae Uchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09805797B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor memory device and method of defining data in semiconductor memory device

Номер патента: US20190139601A1. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor memory device having memory cell pairs defining data based on threshold voltages

Номер патента: US10658031B2. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Programming intermediate state to store data in self-selecting memory cells

Номер патента: EP4348649A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Francesco Douglas Verna-Ketel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Electronic device, over-erase detection and elimination methods for memory cells

Номер патента: US11862259B2. Автор: Ying Sun,Hong Nie. Владелец: China Flash Co Ltd Shanghai. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and apparatus for performing memory cell verification on a nonvolatile memory circuit

Номер патента: US5677879A. Автор: Michael S. Briner,Fariborz F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-14.

High performance semiconductor memory device that has different page addresses allotted to multiple bits of memory cells

Номер патента: US9129683B2. Автор: Naoya Tokiwa,Masanobu Shirakawa,Masaki UNNO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Threshold voltage adjust circuit of flash memory cell

Номер патента: KR100217917B1. Автор: 홍순원,손재현. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-09-01.

Threshold Voltage Control Circuit of Flash Memory Cell

Номер патента: KR970051385A. Автор: 홍순원,손재현. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349481B2. Автор: Seiichi Aritome,Angelo Visconti,Mattia Robustelli,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229873A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor memory

Номер патента: US20020041534A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Paolo Cappelletti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device which stores multilevel data

Номер патента: US20130286730A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory with charge transfer reduction transistor

Номер патента: US12094539B2. Автор: Toru Mori,Taku Shibaguchi,Kenji Oonuki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09953994B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8295091B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Kiyotaro Itagaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09524789B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769535B2. Автор: Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307434A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Maejima,Katsuaki Isobe,Nobuaki OKADA,Takahiro Tsurudo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321359A1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09780170B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Daisuke Matsushita,Tomoya Kawai,Kensuke Ota,Toshifumi Irisawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110103152A1. Автор: Koji Hosono,Masahiro Yoshihara,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100027366A1. Автор: Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Hoshihide Haruyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240170074A1. Автор: Tadahiko Horiuchi,Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device storing management data redundantly in different pages

Номер патента: US09627077B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory

Номер патента: US20230253054A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa,Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240296895A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa,Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory

Номер патента: US12020756B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa,Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230297245A1. Автор: Takashi Maeda,Kazutaka IKEGAMI,Rieko FUNATSUKI,Sumiko Domae. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Electrically programmable and erasable nonvolatile semiconductor memory device and operating method therefor

Номер патента: US5898606A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Natsuo Ajika,Hiroshi Onoda,Atsushi Fukumoto,Makoto Ohi,Yuichi Kunori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor memory device having improved data output circuit

Номер патента: US4761765A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-08-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190088331A1. Автор: Takashi Kobayashi,Masaki Kondo,Daisuke Hagishima,Eietsu Takahashi,Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor memory device applying different voltages to respective select gate lines

Номер патента: US20200090751A1. Автор: Takashi Kobayashi,Masaki Kondo,Daisuke Hagishima,Eietsu Takahashi,Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING A CHANNEL STRUCTURE VERTICALLY PASSING THROUGH A PLURALITY OF MEMORY LAYERS AND HAVING MEMORY CELL BLOCKS AND DUMMY MEMORY CELL BLOCKS

Номер патента: US20200135761A1. Автор: KIM Jong Won,JUNG Kwang Young,EUN Dong Seog. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-30.

Device for sensing data in a multi-bit memory cell using a multistep current source

Номер патента: US6069821A. Автор: Woong Lim Choi,Dae Mann Kim,Si Bum Jun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Method of trimming reference voltage of a flash memory cell and apparatus of trimming reference voltage of a flash memory cell

Номер патента: KR100685642B1. Автор: 김용환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor memory device and control method for the semiconductor memory device

Номер патента: US20070011512A1. Автор: Makoto Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20120020160A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor memory device comprising memory cell having charge accumulation layer and control gate and method of erasing data thereof

Номер патента: US20120243312A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Hiroshi Maejima. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20120008402A1. Автор: Seong Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor memory and system

Номер патента: US20110205808A1. Автор: Yasuharu Sato,Motoi Takahashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device having memory cells with floating gates and memory cell threshold voltage control method

Номер патента: US20050174843A1. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiaki Hashiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160042800A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device including a nand string

Номер патента: US20160078941A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device including a NAND string

Номер патента: US09558828B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160267992A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09704584B2. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7881106B2. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060023512A1. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Maximum likelihood statistical method of operations for multi-bit semiconductor memory

Номер патента: US20080165595A1. Автор: Chung H. Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080291742A1. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Page buffer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09792966B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device using grounded dummy bit lines

Номер патента: US09653167B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

Dynamic type semiconductor memory device having function of compensating for threshold value

Номер патента: US6130845A. Автор: Isao Naritake,Tetsuya Ootsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

TEMPERATURE COMPENSATION IN AN ANALOG MEMORY ARRAY BY CHANGING A THRESHOLD VOLTAGE OF A SELECTED MEMORY CELL IN THE ARRAY

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Reiten Mark,Tiwari Vipin,Lemke Steven. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US6366525B2. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-02.

Semiconductor memory device having a decoding circuit for reducing electric field stress applied to memory cells

Номер патента: US5301144A. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

Memory system including a semiconductor memory having a memory cell and a write circuit configured to write data to the memory cell

Номер патента: US11869596B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10720208B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200090741A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09646693B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure

Номер патента: US09633731B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Yun Kyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Radiation detection device, semiconductor memory device and radiation detection method

Номер патента: US20230060583A1. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09837159B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09564232B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09576664B2. Автор: Sung Lae OH,Chang Man SON,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure

Номер патента: US09576968B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09466378B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230352099A1. Автор: Koji KATO,Yuki Shimizu,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11744067B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210043234A1. Автор: Takashi Terada,Takeo Mori,Takuto Tanaka,Takamichi Tsuchiya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making

Номер патента: US09601493B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09502116B2. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20070070710A1. Автор: Tetsuro Takenaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2012170409A2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20140098609A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130028028A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7903460B2. Автор: Takeshi Kajimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6233189B1. Автор: Shigeru Atsumi,Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6049482A. Автор: Kazuhiro Shimizu,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device with memory transistor

Номер патента: US20050083737A1. Автор: Yoshikazu Miyawaki,Satoru Kishida,Hiromi Okimoto,Daisuke Agawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230297255A1. Автор: Keita Kimura,Kenri Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Resistive semiconductor memory capable of performing incremental step pulse programming (ISPP) based on digital code values of memory cells

Номер патента: US09548114B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor memory comprising means for switching between normal and high speed reading mode

Номер патента: WO2008048504A3. Автор: Akira Ogawa,Masao Taguchi,Naoharu Shinozaki,Takuo Ito. Владелец: Takuo Ito. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory comprising means for switching between normal and high speed reading mode

Номер патента: WO2008048504A2. Автор: Akira Ogawa,Masao Taguchi,Naoharu Shinozaki,Takuo Ito. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Multilevel semiconductor memory device

Номер патента: EP1615227A3. Автор: Ken Kabushiki Kaisha Toshiba Takeuchi,Tomoharu Kabushiki Kaisha Toshiba Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120236664A1. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8644069B2. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

File storage type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030185054A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor memory apparatus and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09293227B1. Автор: Atsushi Takasugi. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Sense amplifier with reduced area occupation for semiconductor memories

Номер патента: US7843738B2. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa,Antonio Giambartino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor memory for capacitively biasing multiple source lines

Номер патента: US09417818B2. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Operation method of memory system, memory system and electronic device

Номер патента: US20240176500A1. Автор: Jie Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20150098273A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888751B2. Автор: Hideo Kasai,Akihiro Fujita,Kiichi Makuta,Masashii Wada,Atsushi Toukairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20110128781A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Electrically alterable n-bit per cell non-volatile memory with reference cells

Номер патента: US5596527A. Автор: Yasuo Sato,Shoichi Iwasa,Toshio Wada,Kenji Anzai,Yugo Tomioka. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09490004B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170271522A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150364607A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150097183A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

semiconductor memory device

Номер патента: US20030001233A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09680029B2. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: CA1214553A. Автор: Masanobu Yoshida,Kiyoshi Itano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-11-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4604730A. Автор: Masanobu Yoshida,Kiyoshi Itano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-05.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US20240023323A1. Автор: Chun Shiah,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and apparatus for stress testing a semiconductor memory

Номер патента: US5999467A. Автор: Lucien J. Bissey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Dual port type semiconductor memory device realizing a high speed read operation

Номер патента: US4823321A. Автор: Keizo Aoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-04-18.

One selector one resistor RAM threshold voltage drift and offset voltage compensation methods

Номер патента: US11004508B2. Автор: Daniel Bedau,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-11.

Non-contact measurement of memory cell threshold voltage

Номер патента: US20190189237A1. Автор: Zengtao T. Liu,Hongmei Wang,Amitava Majumdar,Shawn D. Lyonsmith,Ervin T. Hill,Rajesh Kamana,Marlon W. Hug. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Electronic device including switching element and semiconductor memory

Номер патента: US20170154844A1. Автор: Dong-Joon Kim,Jae-Yun YI,Joon-Seop Sim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20220328560A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20210233958A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20230363181A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US11792999B2. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Enhanced temperature compensation for resistive memory cell circuits

Номер патента: US09520189B1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US09666273B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20220343958A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20120269005A1. Автор: Young-jun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20190096458A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and apparatus for determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US10395734B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US20160372187A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US20170330616A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312513A1. Автор: Hiroshi Yoshihara,Tomohiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor memory apparatus and testing method thereof

Номер патента: US20240282397A1. Автор: Shao-Ching Liao,Chien-Min Wu,Kuang-Chih Hsieh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory device comprising controllable threshold voltage dummy memory cells

Номер патента: US20080055983A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hideaki Kurata,Satoshi Noda,Masahiro Shimizu,Kenji Kozakai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor memory and method for operating a semiconductor memory

Номер патента: US7936628B2. Автор: Helmut Schneider,Roland Thewes. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor Memory and Method for Operating a Semiconductor Memory

Номер патента: US20090040803A1. Автор: Helmut Schneider,Roland Thewes. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US11810623B2. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconducotr memory device including non-volatile memory cell array

Номер патента: US09436545B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Sang-Bo Lee,Chul-Sung Park,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220277786A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7649799B2. Автор: Tomoaki Yabe,Nobuaki Otsuka,Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US8699279B2. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US20130114347A1. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory apparatus capable of detecting error in data input and output

Номер патента: US20080082900A1. Автор: Sang Sic Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor memory device consistently operating a plurality of memory cell arrays distributed in arrangement

Номер патента: US5986964A. Автор: Takeshi Hamamoto,Kiyohiro Furutani,Takuya Ariki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Apparatuses and methods of reading memory cells

Номер патента: US09570167B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137393A1. Автор: Tomoaki Yabe,Nobuaki Otsuka,Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Sensing scheme for flash memory with multilevel cells

Номер патента: US5828616A. Автор: Albert Fazio,Mark E. Bauer,Sanjay Talreja,Gregory Atwood,Johnny Javanifard,Kevin W. Frary. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4379720A1. Автор: Duk Sung Kim,Jangseok Choi,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Method and apparatus for faster determination of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09953706B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and apparatus for faster determination of a cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09496031B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for writing data to a semiconductor memory comprising a peripheral circuit section and a memory core section including a memory cell

Номер патента: US20050024932A1. Автор: Katsumi Abe,Shigeo Ohshima,Hiroyuki Ohtake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor memory device capable of suppressing degradation in operation speed after replacement with redundant memory cell

Номер патента: US6304498B1. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US20150287456A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory sensing architecture

Номер патента: US9633703B2. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor Memory Sensing Architecture

Номер патента: US20170011781A1. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor memory sensing architecture

Номер патента: US09633703B2. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20130155784A1. Автор: Kyu Nam LIM,Woong Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory

Номер патента: US20120092938A1. Автор: Akira Akahori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180082733A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978441B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110216616A1. Автор: Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09520188B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated semiconductor memory with sense amplifier

Номер патента: US20050207251A1. Автор: Helmut Schneider,Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6876573B2. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Nakahara,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-05.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090091970A1. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09548085B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US20020097622A1. Автор: Kuninori Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor memory device, manufacturing method thereof and electronic device

Номер патента: US11985811B2. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210082476A1. Автор: Hiroyuki Hara,Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor Memory Device, Manufacturing Method Thereof And Electronic Device

Номер патента: US20230320071A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110241225A1. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8085585B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8027188B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Non-volatile semiconductor memory and data processing method in non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20130182488A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09812456B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device including flag cells

Номер патента: US09496055B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Dynamic semiconductor memory cell and method for its manufacture

Номер патента: CA1149512A. Автор: Jeno Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-07-05.

Semiconductor memory

Номер патента: US20110019490A1. Автор: Satofumi Honda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor memory

Номер патента: US8243537B2. Автор: Satofumi Honda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Including Resistance Change Material and Method of Operating

Номер патента: US20210110872A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of fabricating a semiconductor memory having an address decoder

Номер патента: US5733807A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: US5661676A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory with respective power voltages for plurality of memory cells

Номер патента: US09997235B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09941332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality including resistance change material and method of operating

Номер патента: US09812203B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09653684B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09589963B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Asymmetric semiconductor memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09524970B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality including resistance change material and method of operating

Номер патента: US09490012B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620565B2. Автор: Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150078063A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa,Hidenori Miyagawa,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory circuit with transistors having different threshold voltages and method of operating the memory circuit

Номер патента: US09812181B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Chou-Ying Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor

Номер патента: US09754960B2. Автор: Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728239B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09679628B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: US09524971B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502103B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device having an electrically floating body transistor

Номер патента: US09450090B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Irreversible semiconductor switching element and semiconductor memory device utilizing the same

Номер патента: CA1082809A. Автор: Takashi Watanabe,Nobuaki Ieda,Junichi Murota,Masafumi Tanimoto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-07-29.

Semiconductor memory device, method of driving the same and method of fabricating the same

Номер патента: US11289486B2. Автор: Jin Hong Ahn. Владелец: Duality Inc Korea. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160071575A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220068850A1. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Analog nonvolatile memory cells using dopant activation

Номер патента: US20210343358A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device having an electrically floating body transistor

Номер патента: US09704869B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09607686B2. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US09455049B2. Автор: Sung-Yub LEE,Na-Yeon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120170360A1. Автор: Tae Hun YOON. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020113253A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making

Номер патента: US09922981B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Resistance-change semiconductor memory

Номер патента: US20160099292A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100073986A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Resistance-change semiconductor memory

Номер патента: US8395933B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Resistance-change semiconductor memory

Номер патента: US09583537B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242744A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasufumi Kajiyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324239A1. Автор: Kyunghwan Lee,Myunghun Woo,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09865656B2. Автор: Takashi Izumida,Takahisa Kanemura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance

Номер патента: US09747966B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory

Номер патента: US20030161174A1. Автор: Noro Kouichi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030198088A1. Автор: Duane Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-10-23.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: EP1355315A3. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-12-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180301190A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130529A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10217514B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10020055B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10658038B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09859002B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09779812B1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory with current distributor

Номер патента: US20020036929A1. Автор: Masayuki Koizumi,Hiroyuki Shibayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory with similar ram and rom cells

Номер патента: US20130286719A1. Автор: Dan C.R. Jensen. Владелец: GN Resound AS. Дата публикации: 2013-10-31.

Non-volatile semiconductor memory device having disturb verify function

Номер патента: US5490110A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Electronic device and method of operating memory cell in the electronic device

Номер патента: US20210110871A1. Автор: Tae Hoon Kim,Hye Jung Choi,Beom Seok Lee,Woo Tae Lee,Sang Hyun Ban,Hwan Jun Zang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Electronic device and method of operating memory cell in the electronic device

Номер патента: US10825519B1. Автор: Tae Hoon Kim,Hye Jung Choi,Beom Seok Lee,Woo Tae Lee,Sang Hyun Ban,Hwan Jun Zang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory and its test method

Номер патента: US20020054526A1. Автор: Kiyoshi Adachi,Takashi Utsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device allowing reduction of an area loss

Номер патента: US20040022114A1. Автор: Hiroshi Kato,Fukashi Morishita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory apparatus, and impedance calibration circuit and method thereof

Номер патента: US09478267B1. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory

Номер патента: US20100080073A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory

Номер патента: US7978550B2. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7864618B2. Автор: Yoshinori Matsui,Yoshinori Haraguchi,Yoshiro Riho,Hayato Oishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8611174B2. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120155209A1. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US20050232040A1. Автор: Jun AN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of checking the state of a capacitor fuse in which the voltage applied to the capacitor fuse is the same level as voltage applied to memory cells

Номер патента: US20030198107A1. Автор: Yasuhiro Nanba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of checking the state of a capacitor fuse in which the voltage applied to the capacitor fuse is the same level as voltage applied to memory cells

Номер патента: US6714474B2. Автор: Yasuhiro Nanba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5978290A. Автор: Mamoru Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US7120071B2. Автор: Jun Kwon An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130229852A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Tomonori KUROSAWA,Yoichi MINEMURA,Takafumi SHIMOTORI,Mizuki Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device for stably reading and writing data

Номер патента: US09672900B2. Автор: Shigeki Ohbayashi,Yasumasa Tsukamoto,Koji Nii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Dynamic type semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20050213395A1. Автор: Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020031043A1. Автор: Takayuki Harima,Takahiro Tsuruto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US7206980B2. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-17.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100254184A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US20050249002A1. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170117057A1. Автор: Ga-Ram Park,Jun-Cheol Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010028594A1. Автор: Makoto Segawa,Takao Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Three-dimensional (3D) non-volatile semiconductor memory device for loading improvement

Номер патента: US09805768B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09424915B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory

Номер патента: RU2643629C2. Автор: Наоки СИМИДЗУ. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Method for testing an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20060044900A1. Автор: Martin Versen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Dynamic semiconductor memory device

Номер патента: IE55282B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-08-01.

Semiconductor memory and system

Номер патента: US20120257464A1. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory

Номер патента: US20050195639A1. Автор: Shoichiro Kawashima,Isao Fukushi,Keizo Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor memory and memorizing method to read only semiconductor memory

Номер патента: US5313418A. Автор: Yuichi Egawa,Toshio Wada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09899082B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory and memory system including the semiconductor memory

Номер патента: US09659621B2. Автор: Chul Woo Park,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Reference voltage generator using flash memory cells

Номер патента: US5953256A. Автор: Michael S. Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20200381038A1. Автор: Chang Ki Baek,Joon Woo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070002656A1. Автор: Yong-Bok An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20060146620A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US7038969B2. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20050088874A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09747058B2. Автор: Hyun-Joong Kim,Ju-Yun JUNG,Soo-Hyeong KIM,Gi-Won Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory capable of reading data without accessing memory cell

Номер патента: US09672887B2. Автор: Masahiko Nakayama,Katsuhiko Hoya,Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device having the operating voltage of the memory cell controlled

Номер патента: US20060034143A1. Автор: Kenichi Osada,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150109855A1. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Integrated semiconductor memory with distributor line for redundant data lines

Номер патента: US7929362B2. Автор: Peter Beer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-04-19.

Ferroelectric semiconductor memory

Номер патента: EP1308959A3. Автор: Tetsuya Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-19.

Semiconductor memory apparatus and test circuit therefor

Номер патента: US20130114326A1. Автор: Jae Ung LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11762736B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150098286A1. Автор: Doo-Chan LEE,Byeong-Chan Choi,One-Gyun Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040078515A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor memory device with test mode to monitor internal timing control signals at i/o terminals

Номер патента: EP1509924A1. Автор: Thomas Roehr,Tadashi Toshiba Corporation MIYAKAWA,Daisaburo Toshiba Corporation TAKASHIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-02.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell

Номер патента: US09984748B1. Автор: Tae-hoon Kim,Seung-Hwan Lee,Hyun-Jeong Kim,Woo-Tae LEE,Myoung-Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09607694B1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09542988B1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Reference column of semiconductor memory, and electronic device including the same

Номер патента: US20140241041A1. Автор: Ji-Wang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device, image processing system, and image processing method

Номер патента: US20090244077A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7826272B2. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080037335A1. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12066893B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040105339A1. Автор: Keiichi Higeta,Satoshi Iwahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor memory device and data storage method

Номер патента: US20090027993A1. Автор: Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Tatsuya Ishizaki,Kenichi Ushikoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Non-volatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100091579A1. Автор: Tae Su Jang,Sung Joo Hong,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240371417A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240370335A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device that can stably perform writing and reading without increasing current consumption even with a low power supply voltage

Номер патента: US09767893B2. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Stressing and testing semiconductor memory cells

Номер патента: US09704567B1. Автор: Juergen Pille,Stefan Payer,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US09653127B1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device that can stably perform writing and reading without increasing current consumption even with a low power supply voltage

Номер патента: US09496028B2. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Resistive switching memory with cell access by analog signal controlled transmission gate

Номер патента: US09472272B2. Автор: Daniel Wang,Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory cell with high threshold writing transistor

Номер патента: US3868654A. Автор: Katsuhiro Shimohigashi,Kiyoo Itoh,Keisuke Hashizume. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1975-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262615A1. Автор: Yasuo Gotoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US5901077A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070047348A1. Автор: Katsuji Satomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080084730A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160155504A1. Автор: Jung Hyuk YOON,In Soo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory with an improved dummy cell arrangement and with a built-in error correcting code circuit

Номер патента: US4817052A. Автор: Takashi Shinoda,Osamu Sakai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-03-28.

Semiconductor memory with embedded dram

Номер патента: EP1422719A2. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-05-26.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory and a column redundancy discrimination circuit applied therein

Номер патента: US5896326A. Автор: Shunichi Akashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory

Номер патента: US20160163357A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200241796A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor memory device having configuration suited for high integration

Номер патента: US20020034116A1. Автор: Michio Nakajima,Takekazu Yamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device having redundancy means

Номер патента: WO2004090910A1. Автор: Nikolaas K. J. Van Winkelhoff. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110096596A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Naoki Ookuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor memory device with low power consumption

Номер патента: US20020118590A1. Автор: Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device with different parity regions

Номер патента: US09977712B2. Автор: Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device including refresh operations having first and second cycles

Номер патента: US09786352B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Word line driver, semiconductor memory apparatus and test method using the same

Номер патента: US09620198B1. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory

Номер патента: US09620175B2. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150206580A1. Автор: Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and apparatus for accessing paged memory with indirect addressing

Номер патента: US20040098557A1. Автор: Alvin Storvik,Brent Wilson,Kenneth Fernald,Paul Highley. Владелец: Silicon Labs CP Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory with adapting erase process

Номер патента: US20240319905A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4394605A1. Автор: Taeyoung Oh,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09691786B1. Автор: Masaki Tsuji,Hideaki Aochi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09929212B2. Автор: Takeshi Sugimoto,Yoshihisa Iwata,Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09553132B1. Автор: Takeshi Sugimoto,Yoshihisa Iwata,Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240196600A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory having a memory cell array

Номер патента: US20010032991A1. Автор: Franz Hofmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040232518A1. Автор: Kang Lee,Ji Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor memory device including ferroelectric capacitor

Номер патента: US20110062504A1. Автор: Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor integrated circuit having oxide regions with different thickness

Номер патента: US5061654A. Автор: Katsuhiro Tsukamoto,Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US5312769A. Автор: Naoto Matsuo,Shouzou Okada. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-05-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240130118A1. Автор: Jongmin Kim,Chansic Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES HAVING SELECTION TRANSISTORS WITH NONUNIFORM THRESHOLD VOLTAGE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20130075807A1. Автор: SHIM Sunil,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,JEONG Jaehun,Hur Sunghoi,Yi Su-Youn. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES HAVING SELECTION TRANSISTORS WITH NONUNIFORM THRESHOLD VOLTAGE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20140124846A1. Автор: SHIM Sunil,JANG Jaehoon,KIM Hansoo,JEONG Jaehun,Hur Sunghoi,Yi Su-Youn. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

TRANSISTORS WITH DIFFERENT LEVELS OF THRESHOLD VOLTAGES AND ABSENCE OF DISTORTIONS BETWEEN NMOS AND PMOS

Номер патента: FR3007577A1. Автор: Olivier Weber,Rossella Ranica,Nicolas Planes. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-12-26.

Threshold voltage setting circuit for mnos memory cell

Номер патента: JPS5886778A. Автор: Toshiaki Tanaka,利明 田中,Kazunari Hayafuchi,早「淵」　一成. Владелец: Citizen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-24.

On line automatic detection of the time phase of the threshold voltage of a lighting load and its application in lighting management

Номер патента: US09655219B2. Автор: Chia-Teh Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09748332B1. Автор: Chen Yu Cheng,Tzung-Ting Han,Shih Chin Lee,Chih Kai Yang,Ching Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Resistive memory with varying dopant concentration in select transistor channel

Номер патента: US09997570B2. Автор: Tomonori KUROSAWA,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory and method of manufacturing same

Номер патента: US6326659B1. Автор: Takashi Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Integrated semiconductor memory and fabrication method

Номер патента: US20030011010A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Three-dimensional stackable multi-layer cross-point memory with single-crystalline bipolar junction transistor selectors

Номер патента: US20200381481A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240251561A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Masao Iwase,Ryota Katsumata,Tomoo Hishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory

Номер патента: US09768188B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Masao Iwase,Ryota Katsumata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US9859283B1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US09859283B1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100006905A1. Автор: Seiji Hirabayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8035135B2. Автор: Seiji Hirabayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor

Номер патента: US20030185086A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090090963A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324189A1. Автор: Sena CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory cell array with improved substrate current pathway

Номер патента: US09842853B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Tsutomu Murase,Mitsuru Sato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09812507B2. Автор: Takeshi Takagi,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728585B1. Автор: Takeshi Takagi,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304602A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomoya Sanuki,Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US09985035B1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory

Номер патента: US09646992B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620521B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276362A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor memory devices

Номер патента: EP4195899A1. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Keunnam Kim,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Soobin Yim,Gijae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20230178505A1. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Keunnam Kim,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Soobin Yim,Gijae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769808B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062704B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US9985035B1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of fabricating dual threshold voltage n-channel and p-channel mosfets with a single extra masked implant operation

Номер патента: US20030094659A1. Автор: Kaizad R. Mistry,Ian R. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Integrated semiconductor memory and fabrication method

Номер патента: US20030232470A1. Автор: Martin Popp,Till Schlosser,Michael Sesterhenn,Dirk Manger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09905476B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09553092B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same

Номер патента: US09548315B2. Автор: Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Yoshihiro Yanai,Yoichi MINEMURA,Takuya INATSUKA,Murato Kawai,Takuya MIZUTANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09455269B1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory with insulation film embedded in groove formed on substrate

Номер патента: US5561311A. Автор: Katsuhiko Hieda,Fumio Horiguchi,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-01.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160268266A1. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240324237A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09997531B2. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307047A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Yasuhito Yoshimizu,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for producing dynamic semiconductor memory cells with random access (RAM) by double polysilicon gate technology

Номер патента: US4414058A. Автор: Wolfgang Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-11-08.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090101960A1. Автор: Masaki Kondo,Fumitaka Arai,Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240349484A1. Автор: Hyungmin Ko,Taeyoung EOM,Boryeon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory with U-shaped channel

Номер патента: US09741727B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Self-tuning voltage generator for non-volatile semiconductor memory unit, non-volatile semiconductor memory unit, and method for self- tuning generation of voltage in said memory unit

Номер патента: RU2146398C1. Автор: Ким Джин-ки,Лим Хьюнг-Кью,Ли Сунг-Соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-03-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.