Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1
Опубликовано: 25-08-2016
Автор(ы): Kyo-Min Sohn, Nak-Won Heo, Sang-Bo Lee, Sang-joon Hwang, Sung-Min Seo, Yun-Young Lee
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170117057A1. Автор: Ga-Ram Park,Jun-Cheol Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150098286A1. Автор: Doo-Chan LEE,Byeong-Chan Choi,One-Gyun Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory device to precharge bitlines prior to sensing memory cells

Номер патента: WO2024137685A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device to precharge bitlines prior to sensing memory cells

Номер патента: US20240212744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory including an arrangement to permit external monitoring of an internal control signal

Номер патента: US5151881A. Автор: Jiro Sawada,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-09-29.

Flash memory devices including dram

Номер патента: US20230377626A1. Автор: Walter Di Francesco,Chang SIAU,Luca Nubile,Yankang He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US6366525B2. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070002656A1. Автор: Yong-Bok An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20020060931A1. Автор: Takeshi Nagai,Masaru Koyanagi,Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Measuring method for a semiconductor memory, and semiconductor memory

Номер патента: US7542327B2. Автор: Ulrich Zimmermann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-06-02.

Measuring method for a semiconductor memory, and semiconductor memory

Номер патента: US20070153598A1. Автор: Ulrich Zimmermann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor memory with alternately multiplexed row and column addressing

Номер патента: US5083296A. Автор: Kouji Hara,Ryoichi Kurihara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-01-21.

Memory devices including floating body transistor capacitorless memory cells and related methods

Номер патента: TW200729211A. Автор: Jin-Young Kim,Yeong-Taek Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220277786A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Memory device and operating method for target refresh operation based on number of accesses

Номер патента: US20240274182A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Memory devices including floating body transistor capacitorless memory cells and related methods

Номер патента: TWI309418B. Автор: Yeong-Taek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-01.

Memory devices including floating body transistor capacitorless memory cells and related methods

Номер патента: CN1983445B. Автор: 李永宅. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

Semiconductor memory device having the operating voltage of the memory cell controlled

Номер патента: US20060034143A1. Автор: Kenichi Osada,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110216616A1. Автор: Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US20230326516A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US12094526B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US20200168267A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Memory device comprising electrically floating body transistor

Номер патента: US20210183432A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Neal Berger. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device with low power consumption

Номер патента: US20020118590A1. Автор: Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor memory system including semiconductor memory device for performing refresh operation

Номер патента: US09830984B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020110018A1. Автор: Takashi Ohsawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US12100443B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device

Номер патента: US12082391B2. Автор: Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device having common driver circuits for plural memory cell arrays

Номер патента: KR910000877B1. Автор: 마사오 나까노,기미아끼 사또,요시히로 다께마에,노부미 고다마. Владелец: 야마모도 다꾸마. Дата публикации: 1991-02-11.

Memory device

Номер патента: US12131773B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device including memory cell having capacitor

Номер патента: US20100214823A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Takita,Hiroyoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device including memory cell having capacitor

Номер патента: US20120225531A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Takita,Hiroyoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230397397A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: US20140071776A1. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US8009496B2. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-30.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US20100074041A1. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Memory device for avoiding multi-turn on of memory cell, and operating method thereof

Номер патента: US20210020226A1. Автор: Jongryul Kim,Ji-Hoon Lim,Venkataramana Gangasani,Taehui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory device and method for writing data in memory cell with boosted bitline voltage

Номер патента: TWI256637B. Автор: In-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-11.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020057616A1. Автор: Tomonori Fujimoto,Yuji Yamasaki,Hidefumi Ohtsuka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Dynamic semiconductor memory device

Номер патента: IE55282B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-08-01.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Clock-synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20020021617A1. Автор: Haruki Toda,Hitoshi Kuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312513A1. Автор: Hiroshi Yoshihara,Tomohiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory devices having adjustable i/o signal line loading that supports reduced power consumption during read and write operations

Номер патента: US20240105255A1. Автор: Seung-Jun Lee,Sang-Yun Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7826272B2. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080037335A1. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including multilayer wiring layer

Номер патента: US09786668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230352099A1. Автор: Koji KATO,Yuki Shimizu,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170271522A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150364607A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150097183A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110096596A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Naoki Ookuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor memory device allowing reduction of an area loss

Номер патента: US20040022114A1. Автор: Hiroshi Kato,Fukashi Morishita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020113253A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140063962A1. Автор: Katsuaki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180082733A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978441B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220310153A1. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070297208A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20140204692A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation

Номер патента: US11335388B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20100039871A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation

Номер патента: US12051483B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transitstors and method including a write operation

Номер патента: US20240339139A1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09812456B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11810624B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory devices providing in situ computing using sequential transfer of row buffered data and related methods and circuits

Номер патента: US20210142846A1. Автор: Patricia Gonzalez,Kevin Skadron,Mircea R. Stan,Marzieh Lenjani. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220246197A1. Автор: Mario Sako. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Memory devices and its programmed method including OTP memory cell

Номер патента: CN109036490A. Автор: 李相锡. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8611174B2. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120155209A1. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180068709A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Guseul BAEK. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device having a semiconductor chip including a memory cell and a resistance element

Номер патента: US10283201B2. Автор: Satoshi Inoue,Daisuke Arizono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory device including a plurality of stacked memory cells

Номер патента: US12080345B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices with series-interconnected magnetic random access memory cells

Номер патента: WO2012109093A3. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Memory device with simultaneous write and read addressed memory cells

Номер патента: DE2965203D1. Автор: John Edwin Gersbach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-05-19.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070047348A1. Автор: Katsuji Satomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2016024632A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-02-18.

Reference column of semiconductor memory, and electronic device including the same

Номер патента: US20140241041A1. Автор: Ji-Wang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device performing multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240177772A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: WO2009142884A3. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

MEMORY DEVICE INCLUDING VIRTUAL FAIL GENERATOR AND MEMORY CELL REPAIR METHOD THEREOF

Номер патента: US20180166150A1. Автор: LEE Kwang-won,Nam In Cheol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160071575A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020015333A1. Автор: Kazuto Furumochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100014375A1. Автор: Tomoaki Yabe,Akihito Tohata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040105339A1. Автор: Keiichi Higeta,Satoshi Iwahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device having shorted variable resistor element of memory cell

Номер патента: KR102358564B1. Автор: 김대식,이용규,고관협,표석수,서보영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-04.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor memory device with information loss self-detect capability

Номер патента: US7414902B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-08-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240096413A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory devices

Номер патента: US11765913B2. Автор: Minchul Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device having a semiconductor chip including a memory cell and a resistance element

Номер патента: US20190221265A1. Автор: Satoshi Inoue,Daisuke Arizono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor memory device having multiple selector unit simultaneously selecting memory cells from memory cell blocks in diagnostic mode of operation

Номер патента: EP0568016A2. Автор: Junji c/o NEC Corporation Ueoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-03.

Memory cell programming method and semiconductor memory device capable of programming data in the memory cell without initial read operation

Номер патента: KR100855971B1. Автор: 강동구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-09-02.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING A MEMORY CELL AND A RESISTANCE ELEMENT

Номер патента: US20190221265A1. Автор: INOUE Satoshi,ARIZONO Daisuke. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory device decreasing the coupling noise by adjacent memory cell

Номер патента: KR100763353B1. Автор: 임영호,강상구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20130044544A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Partial block erase operations in memory devices

Номер патента: US12087372B2. Автор: Violante Moschiano,Walter Di Francesco,Shyam Sunder Raghunathan,Haiou Che. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20210280244A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20220068385A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: EP4115420A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: WO2021178109A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: AU2021216710B2. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: US11809982B2. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: GB2608299A. Автор: Yasuda Takeo,Okazawa Junka,Hosokawa Kohji,Iwashina Akiyo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: WO2021156755A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-08-12.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: US20240020522A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Performance and area efficient synapse memory cell structure

Номер патента: AU2021216710A1. Автор: Takeo Yasuda,Kohji Hosokawa,Akiyo Iwashina,Junka Okazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US20190013072A1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US20170365337A1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US20150213888A1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US9025392B1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-05.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US9767898B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20020080642A1. Автор: Eiichi Sadayuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Memory Devices and Related Methods

Номер патента: US20140321198A1. Автор: Peter K. Naji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Non-volatile memory devices including stacked nand-type resistive memory cell strings and methods of fabricating the same

Номер патента: CN101354917B. Автор: 高宽协,河大元. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-07.

Nonvolatile memory device including stacked NAND-type resistive memory cell string and method of manufacturing the same

Номер патента: JP5661992B2. Автор: ▲寛▼協 高,大元 河. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-28.

Memory device including a plurality of stacked memory cells

Номер патента: US20210375359A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

MRAM device including spin dependent tunneling junction memory cells

Номер патента: US20020047145A1. Автор: Janice Nickel. Владелец: Janice Nickel. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor random-access memory device e.g. for notebook computer, has memory cell arrays capable of performing random access function

Номер патента: FR2825829A1. Автор: Seung Jae Lee,Young Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-13.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor memory device with improved cell arrangement

Номер патента: US4855956A. Автор: Takahiko Urai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4424582A. Автор: Kouji Ueno,Tamio Miyamura,Kazumi Koyama,Toshitaka Fukushima,Yuichi Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-03.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Page buffer block and memory device including the same

Номер патента: US20240249794A1. Автор: Makoto Hirano,Sangsoo Park,Jaeduk Yu,Jaeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE THAT DETERMINES A DETERIORATION LEVEL OF MEMORY CELLS AND AN OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170169895A1. Автор: TERABAYASHI Yoshiki. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device having time reduced in testing of memory cell data reading or writing, or testing of sense amplifier performance

Номер патента: US20040030972A1. Автор: Takashi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Memory device with data validity check

Номер патента: EP3043350A3. Автор: Jeffrey Todd BORING. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-11.

Nonvolatile memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09852804B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Soo Park,Hyun-Young Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

On-chip circuit and method for testing memory devices

Номер патента: EP1084497A1. Автор: Charles L. Ingalls,Kim M. Pierce. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-21.

Memory device, memory device test method, and test system

Номер патента: US20240220117A1. Автор: Wonyoung Choi,Youngseok Lee,Chungman Kim,Hong-jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US10726888B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US09812183B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory with burst mode feature for the redundant memory area

Номер патента: KR0184917B1. Автор: 마모루 후지타. Владелец: 닛폰 덴키가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-04-15.

Dedicated redundancy circuits for different operations in a flash memory device

Номер патента: US7286399B2. Автор: Young-Ho Lim,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-23.

Memory device and method for operating said memory device

Номер патента: US20230267999A1. Автор: Thomas Kern,Sebastian Kiesel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device including virtual fail generator and memory cell repair method thereof

Номер патента: TWI736714B. Автор: 李光元,南仁哲. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-21.

Memory device including virtual fail generator and memory cell repair method thereof

Номер патента: TW201822220A. Автор: 李光元,南仁哲. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-06-16.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220084612A1. Автор: Hyung Jin Choi,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US10290334B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US20190237118A1. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US20170256297A1. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: WO2017151665A1. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-08.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US20180025761A1. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972405B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09812223B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160155504A1. Автор: Jung Hyuk YOON,In Soo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040078515A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150078063A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa,Hidenori Miyagawa,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

File storage type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030185054A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09824764B2. Автор: Yuji Nagai,Jun Nakai,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09865656B2. Автор: Takashi Izumida,Takahisa Kanemura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160322423A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09780147B2. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140003128A1. Автор: Kei Sakamoto,Masaki Kondo,Takayuki Okamura,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US9601210B2. Автор: Yusuke Ochi,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240062822A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11894066B2. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device with program/erase verification

Номер патента: US5761122A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshihisa Iwata,Junichi Miyamoto,Keniti Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200176510A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240021248A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory and nonvolatile memory

Номер патента: US20240339160A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4630238A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-12-16.

Non-volatile semiconductor memory device with improved layout

Номер патента: US5166900A. Автор: Ichirou Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200202934A1. Автор: Akihiro IMAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190295640A1. Автор: Yoshinori Suzuki,Yuki Inuzuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and search circuit for and method of searching for erasure count in semiconductor memory

Номер патента: US20160180955A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Takuya Matsumoto,Tomoyuki Maeda. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240057339A1. Автор: Jumpei Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10720208B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Non-volatile, electrically alterable semiconductor memory

Номер патента: US6618315B2. Автор: Federico Pio,Enrico Gomiero. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-09-09.

Non-volatile, electrically alterable semiconductor memory

Номер патента: US20020154546A1. Автор: Federico Pio,Enrico Gomiero. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200090741A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170207386A1. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230422640A1. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11800825B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of rewriting data thereof

Номер патента: US20070183217A1. Автор: Yuji Uji,Katsutoshi Urabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US6091639A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20220406803A1. Автор: Ayumu OZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170271017A1. Автор: Yuji Nagai,Jun Nakai,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8902675B2. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130235676A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9773555B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150117089A1. Автор: Hiroshi Kanno,Hideyuki Tabata,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150070986A1. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170236872A1. Автор: Takashi Izumida,Takahisa Kanemura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160268298A1. Автор: Toru Matsuda,Hisashi Kato,Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20190074294A1. Автор: Toru Matsuda,Hisashi Kato,Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5784315A. Автор: Yasuo Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Memory device and method of operating the memory device including detrapping operations during programming

Номер патента: US12068033B2. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140063906A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A2. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Intermediate re-verify for achieving tighter threshold voltage distributions in a memory device

Номер патента: US20240290402A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A3. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US09805810B1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory Device with Progressive Row Reading and Related Reading Method

Номер патента: US20180047455A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-15.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US10002672B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-19.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257843A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device including sensing verification unit

Номер патента: US20130242635A1. Автор: Ho-young Song,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Je-Min Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

In-memory computing (imc) memory device and in-memory computing method

Номер патента: US20240355387A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device for in-memory computing

Номер патента: US20240021244A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09851915B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: US12033703B2. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: WO2023059772A1. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-13.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: US5291045A. Автор: Shigeru Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: EP0506989B1. Автор: Shigeru C/O Intellectual Property Div. Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: EP0506989A1. Автор: Shigeru C/O Intellectual Property Div. Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-10-07.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

A nonvolatile semiconductor memory device having a function of causing a memory cell transistor to be in an excessive erase state and a data writing method in the device

Номер патента: KR940022566A. Автор: 다카미 마키노. Владелец: 후지쓰 가부시키가이샤. Дата публикации: 1994-10-21.

Multi-step pre-read for write operations in memory devices

Номер патента: US12106803B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Non-volatile semiconductor memory device controlling the range of distribution of memory cell threshold voltages

Номер патента: US6434054B1. Автор: Toru Tanzawa,Masanobu Saito,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for erasing charges in memory cells

Номер патента: DE4122021C2. Автор: Kazuo Kobayashi,Makoto Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-09.

Method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09934864B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2023064548A1. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: US11978528B2. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2023064548A9. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-10.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Memory device

Номер патента: US09859005B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Corrective read with partial block offset in a memory device

Номер патента: US20240312529A1. Автор: Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee,Waing Pyie Soe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20160035425A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ping-Hung Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20220319602A1. Автор: Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Minhyun LEE,Taein KIM,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20140043920A1. Автор: Young Man Ahn,Jun Hee SHIN,Seung Mo JUNG,You Keun HAN,Sang Jhun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136457B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Non-volatile memory device having multiple string select lines

Номер патента: US09859007B2. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device containing a carbon- or nitrogen-doped diode and methods of making andoperating the same

Номер патента: WO2009002476A3. Автор: Tanmay Kumar,S Brad Herner,Mark H Clark. Владелец: Mark H Clark. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile memory device containing a carbon- or nitrogen-doped diode and methods of making andoperating the same

Номер патента: WO2009002476A2. Автор: Tanmay Kumar,S. Brad Herner,Mark H. Clark. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US20220122932A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Ki Soo Kim,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Storing highly read data at low impact read disturb pages of a memory device

Номер патента: US11762767B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Giuseppina Puzzilli,Tecla Ghilardi,Vamsi Pavan Rayaprolu,James Fitzpatrick,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US11790990B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device for summation of outputs of signed multiplications

Номер патента: US20240304253A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Partial block erase operations in memory devices

Номер патента: US20240379176A1. Автор: Violante Moschiano,Walter Di Francesco,Shyam Sunder Raghunathan,Haiou Che. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device related to performing a program operation on memory cells

Номер патента: US11942156B2. Автор: Hyeok Jun CHOI,Seung Geun JEONG,Hee Sik Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Out-of-order programming of first wordline in a physical unit of a memory device

Номер патента: US20230418742A1. Автор: Deping He,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Encoding method and system for memory device including qlc cells

Номер патента: US20190213074A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Aman BHATIA. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11961574B2. Автор: Un Sang Lee,June Young Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Flash memory devices that support incremental step-pulse programming using nonuniform verify time intervals

Номер патента: US20080137435A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Soo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240212769A1. Автор: Un Sang Lee,June Young Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device related to performing a program operation on memory cells

Номер патента: US20240194267A1. Автор: Hyeok Jun CHOI,Seung Geun JEONG,Hee Sik Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20100214818A1. Автор: Makoto Kitagawa,Tsunenori Shiimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Phase change memory device with selector mos transistors and source line clustering

Номер патента: US20190051348A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-14.

Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors

Номер патента: US20160056172A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Vertically-Integrated Nonvolatile Memory Devices Having Laterally-Integrated Ground Select Transistors

Номер патента: US20140241065A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Devices and methods to program a memory cell

Номер патента: US09887005B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Carlo Lisi. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

DNA-based memory device and method of reading and writing same

Номер патента: US20040217345A1. Автор: Thomas Wagner,Thomas Boland. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2004-11-04.

Non-volatile memory device and corresponding operating method with stress reduction

Номер патента: US20160351264A1. Автор: Maria GIAQUINTA,Alfredo Signorello,Francesca Grande,SantiNunzioAntonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory device

Номер патента: US20160254320A1. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Memory device

Номер патента: US20190067376A1. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device

Номер патента: US20170317144A1. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Memory device

Номер патента: US20200176514A1. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Selective management of erase operations in memory devices that enable suspend commands

Номер патента: US20240203508A1. Автор: Kitae Park,Taehyun Kim,Brian KWON,Chulbum Kim,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20160372201A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20170365343A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Boosting channels of memory cells

Номер патента: US20180336951A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element and associated operating method

Номер патента: US20090003048A1. Автор: Byung-Gil Choi,Yu-Hwan Ro,In-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

REFERENCE COLUMN OF SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140241041A1. Автор: LEE Ji-Wang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240069746A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

A non-volatile memory device including a row decoder with an improved pull-up stage

Номер патента: EP3839956A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-23.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240028217A1. Автор: Tae Hun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device

Номер патента: US20220093179A1. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Yohan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Selective management of erase operations in memory devices that enable suspend commands

Номер патента: US11942159B2. Автор: Kitae Park,Taehyun Kim,Brian KWON,Chulbum Kim,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Selective management of erase operations in memory devices that enable suspend commands

Номер патента: US20230063656A1. Автор: Kitae Park,Taehyun Kim,Brian KWON,Chulbum Kim,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Neural network circuit comprising nonvolatile memory cells and reference-current cells

Номер патента: US11942163B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

A hybrid memory device

Номер патента: EP3507833A1. Автор: Kirk D. Prall,Robert Quinn,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kevin J. Ryan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-10.

Hybrid memory device

Номер патента: US20190212919A1. Автор: Kirk D. Prall,Robert Quinn,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kevin J. Ryan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Hybrid memory device

Номер патента: US20210405884A1. Автор: Kirk D. Prall,Robert Quinn,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kevin J. Ryan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device and method thereof

Номер патента: US20200135272A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jin Cai,Jau-Yi Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device, memory system, and program method thereof

Номер патента: US20240185925A1. Автор: Hongtao Liu,Chenhui Li,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Hybrid memory device using different types of capacitors

Номер патента: US11853552B2. Автор: Kirk D. Prall,Robert Quinn,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kevin J. Ryan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device determining precharge time based on a number of times that a program voltage is applied to word line and operating method of memory device

Номер патента: US11848054B2. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory device and method thereof

Номер патента: US20210065792A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jin Cai,Jau-Yi Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device and method thereof

Номер патента: US11443803B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Jin Cai,Jau-Yi Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US20170075613A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Coding for quad-level memory cells having a replacement gate configuration

Номер патента: US20240045611A1. Автор: Curtis Egan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device

Номер патента: US11875050B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device

Номер патента: US11967379B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Reducing effects of program disturb in a memory device

Номер патента: US20100188898A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US20100091552A1. Автор: Sang-beom Kang,Ho-Jung Kim,Young-Sun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US11749341B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360698A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Channel pre-charge process in a memory device

Номер патента: US20240203511A1. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device and method of programming a nonvolatile memory cell

Номер патента: TW201237876A. Автор: Wein-Town Sun,Cheng-Jye Liu,Shang-Wei Fang,Ying-Je Chen,Hong-Yi Liao,Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-16.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220208260A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Simulating a floating wordline condition in a memory device, and related techniques

Номер патента: US20060209617A1. Автор: Robert Perry,Norbert Rehm,Jan Zieleman. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-21.

The non-volatile memory device with NAND cell structure includes plural memory cell serials, BLs & selective transistors at 1st & 2nd memory cell serials are separately serial with BL contact & 2 ends of memory cell.

Номер патента: TW333695B. Автор: Jung-Dal Choi,Dong-Jun Kim,Jong-Han Kim,Wang-Chul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-11.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US20220059173A1. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US11823743B2. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory device processing

Номер патента: WO2020081193A1. Автор: Troy D. Larsen,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-23.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US20220277796A1. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Integrated Circuitry, Switches, and Methods of Selecting Memory Cells of a Memory Device

Номер патента: US20130240827A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Devices and methods to program a memory cell

Номер патента: EP3561813A1. Автор: Umberto Di Vincenzo,Carlo Lisi. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-10-30.

Memory device processing

Номер патента: US20240113714A1. Автор: Troy D. Larsen,Timothy P Finkbeiner. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory Devices, Memory Device Constructions, Constructions, Memory Device Forming Methods, Current Conducting Devices, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20190280046A1. Автор: Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: KR101196052B1. Автор: 찬드라 물리. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-11-01.

Non-volatile memory device and method for writing data to memory cells of a non-volatile memory device

Номер патента: TWI379301B. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-12-11.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: TW202201394A. Автор: 野口紘希,奕 王,林谷峰. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-01.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operating method thereof

Номер патента: KR20230059673A. Автор: 이종호,유호남. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7864618B2. Автор: Yoshinori Matsui,Yoshinori Haraguchi,Yoshiro Riho,Hayato Oishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257869A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4404199A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor memory device including a nand string

Номер патента: US20160078941A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09899082B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728239B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device which stores multilevel data

Номер патента: US20130286730A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150109855A1. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818467B2. Автор: Kosuke Hatsuda,Katsuhiko Hoya,Nao Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170263297A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Katsuhiko Hoya,Nao Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09881684B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200251153A1. Автор: Katsuyuki Fujita,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277171A1. Автор: Katsuyuki Fujita,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100073986A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180075893A1. Автор: Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277201A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Megumu HORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device with write driver

Номер патента: US09966123B2. Автор: Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and control method for the semiconductor memory device

Номер патента: US20070011512A1. Автор: Makoto Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210090642A1. Автор: Osamu Nagao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US5901077A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Memory and electronic device including the same

Номер патента: US09824751B2. Автор: Seok-Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170011795A1. Автор: Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki,Naoko KIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080175076A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya,Masakazu Kurata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20150098273A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6285606B1. Автор: Seiji Ozeki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-04.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769535B2. Автор: Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device with test mode to monitor internal timing control signals at i/o terminals

Номер патента: EP1509924A1. Автор: Thomas Roehr,Tadashi Toshiba Corporation MIYAKAWA,Daisaburo Toshiba Corporation TAKASHIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-02.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5978290A. Автор: Mamoru Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory

Номер патента: US20110019490A1. Автор: Satofumi Honda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor memory

Номер патента: US8243537B2. Автор: Satofumi Honda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09997256B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Memory device with different parity regions

Номер патента: US09977712B2. Автор: Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262615A1. Автор: Yasuo Gotoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Apparatus for testing semiconductor memory device

Номер патента: US6034905A. Автор: Kunihiko Suzuki,Kazuhiro Shibano. Владелец: Asia Electronics Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device having redundancy means

Номер патента: WO2004090910A1. Автор: Nikolaas K. J. Van Winkelhoff. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09953994B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110241225A1. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8085585B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8027188B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100254184A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09837159B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160267992A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306402A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09984761B2. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono,Noboru Shibata,Tadashi Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220068850A1. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11762736B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12066893B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240370335A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12033702B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180301190A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130529A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10217514B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10020055B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10658038B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120236664A1. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8644069B2. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11744067B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device and system

Номер патента: US20230109388A1. Автор: Mitsuhiro Abe,Mitsuaki Honma,Akio SUGAHARA,Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210043234A1. Автор: Takashi Terada,Takeo Mori,Takuto Tanaka,Takamichi Tsuchiya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130229852A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Tomonori KUROSAWA,Yoichi MINEMURA,Takafumi SHIMOTORI,Mizuki Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125528B2. Автор: Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09859002B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09786380B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020031043A1. Автор: Takayuki Harima,Takahiro Tsuruto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290382A1. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2012170409A2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324239A1. Автор: Kyunghwan Lee,Myunghun Woo,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240371417A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Page buffer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09792966B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device which reads by decreasing effective threshold voltage of selector gate transistor

Номер патента: US20070014182A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321359A1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180090220A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Hiroe MINAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device having configuration suited for high integration

Номер патента: US20020034116A1. Автор: Michio Nakajima,Takekazu Yamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070236985A1. Автор: Haruki Toda,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240170074A1. Автор: Tadahiko Horiuchi,Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100277968A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device including chalcogenide

Номер патента: US20230402095A1. Автор: Jong Ho Lee,Jun Ku AHN,Gwang Sun JUNG,Uk HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US20030174571A1. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160247573A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170117047A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321367A1. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device, method of adjusting the same and information processing system including the same

Номер патента: US20140056086A1. Автор: Hideyuki Yoko,Ryuji Takishita,Naohisa Nishioka,Chikara Kondo. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US10923186B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200176033A1. Автор: Fumitaka Arai,Keiji Hosotani,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200241796A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080025101A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11189348B2. Автор: Takeshi Hioka,Masaki UNNO,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US12027203B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20210134360A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210082476A1. Автор: Hiroyuki Hara,Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20230290407A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8284612B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20130237019A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20110228582A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010028594A1. Автор: Makoto Segawa,Takao Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240282391A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818461B1. Автор: Yun-gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device including pass transistors with variable sizes

Номер патента: US12133389B2. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Radiation detection device, semiconductor memory device and radiation detection method

Номер патента: US20230060583A1. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor memory comprising means for switching between normal and high speed reading mode

Номер патента: WO2008048504A3. Автор: Akira Ogawa,Masao Taguchi,Naoharu Shinozaki,Takuo Ito. Владелец: Takuo Ito. Дата публикации: 2008-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory comprising means for switching between normal and high speed reading mode

Номер патента: WO2008048504A2. Автор: Akira Ogawa,Masao Taguchi,Naoharu Shinozaki,Takuo Ito. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Smeiconductor memory device

Номер патента: US20230171958A1. Автор: Chih-jung Chen,Yu-Jen Yeh,Hung-Hsun Shuai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Voltage control in semiconductor memory device

Номер патента: US12027208B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242769A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298679A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device with a plurality of sense ampilifers overlapping a plurality of metal joints

Номер патента: US20230165010A1. Автор: Hiroshi Maejima,Naohito Morozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160064093A1. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062412B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Masaru Koyanagi,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11756632B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240347087A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Masaru Koyanagi,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200006379A1. Автор: Hiroshi TSUBOUCHI,Kenri Nakai,Kota NISHIKAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307434A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Maejima,Katsuaki Isobe,Nobuaki OKADA,Takahiro Tsurudo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190287618A1. Автор: Yuichiro Suzuki,Masahiko Iga,Keita Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090121281A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110090736A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09941332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US20040017699A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor memory device, image processing system, and image processing method

Номер патента: US20090244077A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200202954A1. Автор: Takahiro Sugimoto,Yusuke Ochi,Hiromi Noro,Naoaki Kanagawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11164639B2. Автор: Takahiro Sugimoto,Yusuke Ochi,Hiromi Noro,Naoaki Kanagawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US5841729A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US5517459A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and data storage method

Номер патента: US20090027993A1. Автор: Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Tatsuya Ishizaki,Kenichi Ushikoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method and apparatus for adaptive memory cell overerase compensation

Номер патента: US20100020607A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110103152A1. Автор: Koji Hosono,Masahiro Yoshihara,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240315036A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Electronic device including a semiconductor memory having memory arrays with variable resistance storage elements and a bias voltage generator arranged between the arrays

Номер патента: US09865345B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060023512A1. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080291742A1. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761318B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242744A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasufumi Kajiyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100027366A1. Автор: Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Hoshihide Haruyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

semiconductor memory device

Номер патента: US20030001233A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device including complementary data bus pair

Номер патента: US6414891B2. Автор: Takeshi Hamamoto,Shigehiro Kuge. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8797777B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor memory

Номер патента: US20020041534A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Paolo Cappelletti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130234222A1. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321326A1. Автор: Koji Tabata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09941015B2. Автор: Kenichi Abe,Mizuho Yoshida,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device resilient to cyber-attacks and malfunction

Номер патента: US20210223995A1. Автор: Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Sergey Ostrikov,Avi Avanindra. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory device resilient to cyber-attacks and malfunction

Номер патента: US11249689B2. Автор: Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Sergey Ostrikov,Avi Avanindra. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

Memory devices and systems configured to adjust a size of an ecc coverage area

Номер патента: US20140189468A1. Автор: William H. Radke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Devices including a passive material between memory cells and conductive access lines, and related electronic devices

Номер патента: US20230029529A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4394605A1. Автор: Taeyoung Oh,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory device

Номер патента: US20110296235A1. Автор: Masaru Ogawa,Tarou Iwashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor memory device that switches between states and moves data in accordance with a current state

Номер патента: US09940029B2. Автор: Tatsunori Kanai,Tetsuro Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769808B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062704B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324189A1. Автор: Sena CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240224502A1. Автор: Jungpyo Hong,Sangwuk PARK,Yangdoo KIM,Minkyu Suh,Geonyeop LEE,Dokeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240349484A1. Автор: Hyungmin Ko,Taeyoung EOM,Boryeon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276362A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160268266A1. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09997531B2. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11049870B2. Автор: Tsuyoshi Sugisaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220189968A1. Автор: Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210091196A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230395671A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240138143A1. Автор: Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11942421B2. Автор: Hanae ISHIHARA,Kaito SHIRAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11889682B2. Автор: Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming a semiconductor memory device having silicon nitride overlying only in peripheral circuit area

Номер патента: US5518947A. Автор: Masanori Noda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11462556B2. Автор: Shinichi Watanabe,Hiroyasu Tanaka,Tetsuya Furukawa,Mitsuhiro Noguchi,Tomoaki Shino,Yukio Nishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10840257B2. Автор: Shinichi Watanabe,Hiroyasu Tanaka,Tetsuya Furukawa,Mitsuhiro Noguchi,Tomoaki Shino,Yukio Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200066743A1. Автор: Shinichi Watanabe,Hiroyasu Tanaka,Tetsuya Furukawa,Mitsuhiro Noguchi,Tomoaki Shino,Yukio Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210028185A1. Автор: Shinichi Watanabe,Hiroyasu Tanaka,Tetsuya Furukawa,Mitsuhiro Noguchi,Tomoaki Shino,Yukio Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240074205A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140084353A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170278860A1. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US11968823B2. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Nonvolatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324206A1. Автор: Seungmin Lee,Chadong Yeo,Taemok Gwon,Seulji Lee,Seungbeom KO,Byungik Yoo,Changjin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160358935A1. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20170077120A1. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324218A1. Автор: Seulye KIM,Sunggil Kim,Jehong OH,Moohyun Kim,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6078522A. Автор: Jong-Min Park,Dong-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for manufacturing memory device having a protruding channel structure

Номер патента: US20230371232A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240244820A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee`. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024151406A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory devices with shorten ferroelectric segments and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11765906B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile Memory Devices Having Memory Cell Transistors Therein with Lower Bandgap Source/Drain Regions

Номер патента: US20110233610A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Antiferroelectric memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20210066348A1. Автор: Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CHARGE STORAGE LAYER IN MEMORY CELL

Номер патента: US20140239379A1. Автор: TANAKA Masayuki,Matsuo Kazuhiro,NAKAHARA Koji,Furuhata Takeo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-08-28.

Non-volatile semiconductor memory device in which selection gate transistors and memory cells have different structures

Номер патента: US6835987B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-28.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CHARGE STORAGE LAYER IN MEMORY CELL

Номер патента: US20150228662A1. Автор: TANAKA Masayuki,Matsuo Kazuhiro,NAKAHARA Koji,Furuhata Takeo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-08-13.

Fluid ejection devices comprising memory cells

Номер патента: US20170092653A1. Автор: Chaw Sing Ho,Reynaldo V. VILLAVELEZ,Xin Ping Cao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-03-30.

Stackable non-volatile resistive switching memory device and method

Номер патента: US20140217353A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

There is nonvolatile semiconductor memory member and the manufacture method thereof of vertical memory cell

Номер патента: CN102956644B. Автор: 安正烈. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230389325A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nonvolatile memory device controlling for misalignment

Номер патента: US11594529B2. Автор: Min Chul Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-28.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230225218A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324176A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210126194A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320112A1. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11335692B2. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

UV-blocking layer for reducing UV-induced charging of sonos dual-bit flash memory devices in beol processing

Номер патента: GB2413438A. Автор: Minh Van Ngo,Ning Cheng,Arvind Halliyal,Jaeyong Park,Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Tyagamohan Gottipati,Jeff P Erhardt,Jeffrey A Shields,Clarence Ferguson,Angela T Hui,Robert A Huertas. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-10-26.

Semiconductor integrated circuit devices including sram cells and flash memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20060075530A. Автор: 김경희,송준의. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-04.

Structure and method to expose memory cells with different sizes

Номер патента: US20210050220A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Cheng-Tai Hsiao,Sheng-Chau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A PASSIVE MATERIAL BETWEEN MEMORY CELLS AND CONDUCTIVE ACCESS LINES, AND RELATED ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20190035851A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Pellizzer Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A PASSIVE MATERIAL BETWEEN MEMORY CELLS AND CONDUCTIVE ACCESS LINES, AND RELATED DEVICES AND ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20200258943A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Pellizzer Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

MEMORY DEVICE HAVING STITCHED ARRAYS OF 4 F² MEMORY CELLS

Номер патента: US20140138600A1. Автор: Huai Yiming,Satoh Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

The memory device with three-dimensional selection structure for memory cell array

Номер патента: CN103094302B. Автор: 黄荣南. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor

Номер патента: US20030185086A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20240324237A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100230742A1. Автор: Yukihiro Yamashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304602A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomoya Sanuki,Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276713A1. Автор: Kyunghwan Lee,Juho Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230187396A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200006270A1. Автор: Chang-Man SON,Go-Hyun LEE,Jae-Taek KIM,Jun-Youp KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09929212B2. Автор: Takeshi Sugimoto,Yoshihisa Iwata,Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240196600A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307047A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Yasuhito Yoshimizu,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090101960A1. Автор: Masaki Kondo,Fumitaka Arai,Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292626A1. Автор: Tadashi Iguchi,Kazuki Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor Memory Device Having Auxiliary Conduction Region Of Deduced Area

Номер патента: US20020175349A1. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100078685A1. Автор: Satoshi Miyazaki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Memory cell array in a semiconductor memory device

Номер патента: US20080251847A1. Автор: Keun Woo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082418B2. Автор: Keisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile semiconductor storage device including contact plug

Номер патента: US8363472B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09812507B2. Автор: Takeshi Takagi,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324213A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312911A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device having memory cells arranged three-dimensionally and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806088B2. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100006905A1. Автор: Seiji Hirabayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8035135B2. Автор: Seiji Hirabayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: EP4195899A1. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Keunnam Kim,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Soobin Yim,Gijae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20230178505A1. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Keunnam Kim,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Soobin Yim,Gijae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136594B2. Автор: Shota NIIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory cell array with improved substrate current pathway

Номер патента: US09842853B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Tsutomu Murase,Mitsuru Sato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240023332A1. Автор: Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090090963A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240357824A1. Автор: Won Jun Park,Dong Hwa Lee,Jae Min Jung,Dong Sung CHOI,Byong Ju KIM,Chang Heon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20130256626A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Yoshihisa Kagawa,Satoshi Sasaki,Ichiro Fujiwara,Naomi Yamada,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324174A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Three dimensional vertical channel semiconductor memory device

Номер патента: US09935121B2. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro AKUTSU,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20190103407A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20210057416A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240237563A9. Автор: Hiroyuki Ode,Kotaro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240138274A1. Автор: Hiroyuki Ode,Kotaro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09991272B2. Автор: Hiroshi Kanno,Shinya Naito,Yoshiaki Fukuzumi,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Go/no go margin test circuit for semiconductor memory

Номер патента: CA1198774A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1985-12-31.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: TW200632906A. Автор: Neng-Tai Shih,Chien-Chang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Memory Devices, Memory Device Constructions, Constructions, Memory Device Forming Methods, Current Conducting Devices, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20120056151A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

Memory Devices with Series-Interconnected Magnetic Random Access Memory Cells

Номер патента: US20120201073A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

Memory Devices With Three-Dimensional Selection Structures for Memory Cell Arrays

Номер патента: US20130105876A1. Автор: HWANG Youngnam. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MEASURING RESISTANCE OF MEMORY CELL

Номер патента: US20140015553A1. Автор: JEONG Jeongsu,YOON Hyunsu,SEO Yongho. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.