Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same
Номер патента: US20120069628A1
Опубликовано: 22-03-2012
Автор(ы): Hiroshi Ito
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-03-2012
Автор(ы): Hiroshi Ito
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Resistive memory device, resistive memory, and operating method of the resistive memory device
Номер патента: US09646685B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.