Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1
Опубликовано: 18-03-2004
Автор(ы): Hideaki Kurata, Katsutaka Kimura, Naoki Kobayashi, Shunichi Saeki, Takashi Kobayashi
Принадлежит: Renesas Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of fabricating the nonvolatile semiconductor memory device and process of writing data on the nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120077328A1. Автор: Hiroaki Hazama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: CN1881473B. Автор: 成镇溶,元参规. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-17.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: US20080068884A1. Автор: Jin Yong,Sam Kyu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: CN101373638B. Автор: 成镇溶,元参规. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US20120120727A1. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US8441856B2. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Multi-bit memory device and on-chip buffered program method thereof

Номер патента: US09847122B2. Автор: Jae-hwa Lee,Wan-soo Choi,Sang-Wook Nam,Taec-Jun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device and method of programming the same

Номер патента: US20120134214A1. Автор: Seok Jin Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: EP4394773A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240221835A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Operating method of nonvolatile memory device and operating method of memory controller controlling the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150036431A1. Автор: Hyung Suk Kim,Kiwhan Song,Boh-Chang KIM,Hai-Seok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US20120120727A1. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods of biasing a multi-level-cell memory

Номер патента: US20080266979A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Maximum likelihood statistical method of operations for multi-bit semiconductor memory

Номер патента: US20080165595A1. Автор: Chung H. Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of writing to non-volatile semiconductor memory device storing information depending on variation in level of threshold voltage

Номер патента: US7376016B2. Автор: Shinichi Kobayashi,Takashi Kono,Takeshi Nakayama,Takeshi Kajimoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Maximum likelihood statistical method of operations for multi-bit semiconductor memory

Номер патента: US7480184B2. Автор: Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-20.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20090296467A1. Автор: Sung-Soo Lee,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Nonvolatile memory device and related programming method

Номер патента: US20120170374A1. Автор: Jae-Woo Park,Jung-no Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Memory cell programming method and semiconductor memory device

Номер патента: US20080175048A1. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Memory cell programming method and semiconductor memory device

Номер патента: US7864571B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-04.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

METHODS OF ERROR-BASED READ DISTURB MITIGATION AND MEMORY DEVICES UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20190272881A1. Автор: Hoei Jung Sheng,Ratnam Sampath K.,Malshe Ashutosh,Miller Michael G.,Besinga Gary F.,Padilla Renato C.,Muchherla Kishore Kumar,Singidi Harish R.,Awusie Roland J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

METHODS OF ERROR-BASED READ DISTURB MITIGATION AND MEMORY DEVICES UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20180374549A1. Автор: Hoei Jung Sheng,Ratnam Sampath K.,Malshe Ashutosh,Miller Michael G.,Besinga Gary F.,Padilla Renato C.,Muchherla Kishore Kumar,Singidi Harish R.,Awusie Roland J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Methods of Performing Error Detection/Correction in Nonvolatile Memory Devices

Номер патента: US20110209031A1. Автор: Yong June Kim,Junjin Kong,KyoungLae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-25.

Methods of performing error detection/correction in nonvolatile memory devices

Номер патента: US8839080B2. Автор: Yong June Kim,Junjin Kong,KyoungLae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20160078921A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Operation method of memory controller configured to control memory device

Номер патента: EP4152333A2. Автор: Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song,Yeongcheol JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Method of counting number of cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Minseok Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09778980B2. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240062814A1. Автор: Jeremy Guy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US11763904B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory and method of writing data into the semiconductor memory

Номер патента: US20080144359A1. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US20230069683A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US20220059175A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A3. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A2. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP3915115A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180350440A1. Автор: Sang Hyun Jang,Kyoung Jin PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor memory device detecting program failure, and method of operating the same

Номер патента: US11961571B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09793277B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230116292A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230377619A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200393992A1. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US11314452B2. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190019562A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180137919A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

A method of programming a nonvolatile semiconductor memory device and methods of reading programmed memory cells

Номер патента: DE102006028967B4. Автор: Jin-Yub Lee,Min-Gun Suwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180090224A1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF CONTROLLING THE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20170069387A1. Автор: TAKEKIDA Hideto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-09.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US09929172B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of writing / erasing nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: DE10233194A1. Автор: Kiyoteru Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Charge trap memory devices

Номер патента: US20210242230A1. Автор: Robert Katz,Darren L. Anand,Toshiaki Kirihata,Dan Moy,Norman W. Robson,Faraz Khan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

PROGRAMMING METHOD FOR A NON-VOLATILE ELECTRICALLY MODIFIABLE SEMICONDUCTOR MEMORY OF THE CELL GROUP ERASABLE TYPE

Номер патента: FR2467463A1. Автор: Guido Torelli,Vincenzo Daniele,Giuseppe Corda,Aldo Magrucci. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1981-04-17.

PROGRAMMING METHOD FOR AN ELECTRICALLY ALTERABLE NON-FLYING SEMICONDUCTOR MEMORY.

Номер патента: IT7926071D0. Автор: CORDA Giuseppe,TORELLI Guido,Daniele Vincenzo,Magrucci Aldo. Владелец: Ates Componenti Elettron. Дата публикации: 1979-09-28.

Method of writing data to a semiconductor memory device

Номер патента: US7257032B2. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa,Masaki Fujiu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Nonvolatile memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: US8004906B2. Автор: Sung-Il Park,Young-Gu Jin,Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-woong Hyun,Ki-ha Hong,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-23.

Memory system including a nonvolatile memory device, and an erasing method thereof

Номер патента: US11894092B2. Автор: Wontaeck Jung,Buil Nam,Myoungho Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US20170243882A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101933A1. Автор: Hyung Jin Choi,Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device, a method of using a semiconductor device, a programmable memory device, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US7961514B2. Автор: Michael Bernhard Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-06-14.

Semiconductor Device, a Method of Using a Semiconductor Device, a Programmable Memory Device, and Method of Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20100172176A1. Автор: Michael Bernhard Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-07-08.

METHODS OF ENHANCING SPEED OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Liang Ke,Xiang Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

METHODS OF ENHANCING SPEED OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Liang Ke,Xiang Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150325304A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Wook Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method of programming a multi-bit non-volatile memory device and multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: EP1892721A3. Автор: Hyun-Sun Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-30.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170125109A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170133095A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180197615A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: CN101266838B. Автор: 朴成济. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Method of forming and operating an assisted charge memory device

Номер патента: US7474562B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo,Ming-Hsin Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-06.

Method of operating non-volatile memory cell and memory device utilizing the method

Номер патента: CN101814322B. Автор: 吴昭谊. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-19.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US9312003B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7408483B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-05.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A2. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-19.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: US20210151084A1. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A3. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US9305609B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US11990189B2. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US20230207026A1. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240013821A1. Автор: Moon Soo Sung,Jeong Hwan Kim,Won Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060120156A1. Автор: Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200294595A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140085976A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9019763B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US09928885B2. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09812214B2. Автор: Dongkyo Shim,Sang-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240282377A1. Автор: Woojae Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,YuJeong Seo,Chaehyeon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US10784275B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics

Номер патента: US5592427A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hirokazu Yamazaki,Yasushi Kasa,Sinsuke Kumakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Vertical Nonvolatile Memory Devices and Methods of Operating Same

Номер патента: US20120170375A1. Автор: Jungdal CHOI,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Programming method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20140063966A1. Автор: Tae-gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

A memory device and method of controlling leakage current within such a memory device

Номер патента: GB2513701A. Автор: Bo Zheng,Gus Yeung,Fakhruddin Ali Bohra. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5617353A. Автор: Kang-Deog Suh,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device and method of controlling leakage current within such a memory device

Номер патента: US20140286096A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2014-09-25.

Non-volatile memory device and method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100315881A1. Автор: Jae-ho Kim,Hyun-Sil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of inputting address in a non volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: KR100953062B1. Автор: 박영수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-13.

A memory device and method of controling leakage current within such a memory device

Номер патента: GB201403904D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Memory system and method of accessing a semiconductor memory device

Номер патента: US8027194B2. Автор: Wonmoon Cheon,Jong Tae Park,Wonhee CHO,Seung-Duk Cho,Jaehoon Heo,Yang-Sup Lee,Hojun Shim,Jaesoo Lee,Kangho Roh,Youngjoon Choi,Je-Hyuck SONG,Seontaek Kim,Moonwook Oh,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220130467A1. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Wan Nam,Jae-Duk Yu,Jonghoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and programming method

Номер патента: US20230253051A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of writing data in a non-volatile memory device to place data in an in-place arrangement

Номер патента: US20080195828A1. Автор: Jin-Hyuk Kim,Young-Gon Kim,Jae-wook Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US10658051B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US10541036B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile memory device having multiple string select lines

Номер патента: US09859007B2. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and programming method thereof

Номер патента: US20180068733A1. Автор: Un Sang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12112803B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatle memory device and memory system having the same, and related memory management, erase and programming methods

Номер патента: US09818485B2. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: EP1010182A4. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2000-09-27.

Nonvolatile memory device performing a multiplicaiton and accumulation operation

Номер патента: US20210072956A1. Автор: Hyuk-Jin Lee,Seonghwan Cho,Jin-O SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-03-11.

Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors

Номер патента: US20160056172A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Vertically-Integrated Nonvolatile Memory Devices Having Laterally-Integrated Ground Select Transistors

Номер патента: US20140241065A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device and operating method of biasing memory blocks

Номер патента: US09842653B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11646087B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210343352A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230253057A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11942166B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: USRE50034E1. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298679A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Spiking neural network device, nonvolatile memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20230215498A1. Автор: Byung-gook Park,Seunghwan Song,Bosung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306402A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device, erasing method and programing method thereof

Номер патента: US20170229184A1. Автор: Kazuki Yamauchi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory and system

Номер патента: US20110205808A1. Автор: Yasuharu Sato,Motoi Takahashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Memory device having only the top poly cut

Номер патента: US20160372198A1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor memory device storing refresh period information and operating method thereof

Номер патента: US9082504B2. Автор: Jung-Bae Lee,Jung-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor memory device capable of adaptively controlling bias and method of operating the same

Номер патента: US20240096401A1. Автор: Sun Young Kim,Sang-Yun Kim,Younghun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Data alignment circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of aligning data in a semiconductor memory device

Номер патента: US20180174636A1. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jin-Seok Heo,Kyung-Soo Ha,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of controlling of repair of semiconductor memory devices

Номер патента: US20210064462A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of controlling of repair of semiconductor memory devices

Номер патента: US11163640B2. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-02.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US20160027492A1. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

A random access memory device, a semiconductor memory device, and a method of reducing power consumption in a dynamic memory device

Номер патента: DE102004044984B4. Автор: Joo-Sang Lee. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-08-19.

Device and method of controlling refresh operation for dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US09672894B2. Автор: Young-hun Kim,In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of reading memory cell of semiconductor memory and semiconductor memory

Номер патента: JP2004528664A. Автор: フィッシャー，ヘルムート,シチイピンスキ，カジミェシュ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-16.

A memory device and method of performing access operations within such a memory device

Номер патента: GB201412312D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of prefetch and restore in semiconductor memory device and circuit thereof

Номер патента: KR100349371B1. Автор: 김태윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of reading stored data and semiconductor memory device

Номер патента: US20020159312A1. Автор: Koji Furumi,Gen Kasai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20180012893A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200013781A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20170053919A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20190096889A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200168609A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20150221650A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20170221900A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20140340972A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20190259763A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD OF CERTIFYING SAFETY LEVELS OF SEMICONDUCTOR MEMORIES IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20210383052A1. Автор: WU Ching-Wei,FUJIWARA Hidehiro,WAN He-Zhou,YANG Xiu-Li,BU MING-EN. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20180308848A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200335503A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US8514623B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US10748904B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US11915733B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US20240177757A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

METHOD OF COUNTING NUMBER OF CELLS IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Kim Minseok,KIM Hyunggon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device and method of controlling an auto-refresh in the memory device

Номер патента: KR102443275B1. Автор: 김진욱,진영재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods of reading and/or writing data to memory devices including virtual ground lines and/or multiple write circuits and related devices

Номер патента: US20040076065A1. Автор: Seong-ho Jeung. Владелец: Jeung Seong-Ho. Дата публикации: 2004-04-22.

Methods of reading and/or writing data to memory devices including virtual ground lines and/ or multiple write circuits and related devices

Номер патента: US6674670B2. Автор: Seong-ho Jeung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-06.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US20230028413A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

A memory device and method of performing access operations within such a memory device

Номер патента: TWI620197B. Автор: 鍾怡康,麥提百卡斯,金凱德馬丁傑. Владелец: Ａｒｍ股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-01.

Methods of writing junction-isolated depletion mode ferroelectric memory devices

Номер патента: US20040257853A1. Автор: Craig Salling,Brian Huber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

FLIP-FLOP CIRCUIT, METHOD OF CONTROLLING A FLIP-FLOP CIRCUIT AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170243624A1. Автор: FOONG Huey Chian. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: WO2009032928A2. Автор: Ming Li,Gary B. Bronner,Kevin S. Donnelly,Frederick Ware,Donald R. Mullen. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile memory device, erasing method of nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, operating method of memory system, memory card including nonvolatile memory device, and solid state drive

Номер патента: JP6083969B2. Автор: ▲尚▼完 南. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of programming in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7116581B2. Автор: Kohji Kanamori,Junichi Suzuki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US7593266B2. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Programming method and device of nonvolatile memory

Номер патента: CN111863101A. Автор: 刘言言,许梦,付永庆. Владелец: Hefei Geyi Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Abiko Naofumi,HARADA Yoshikazu,YOSHIHARA Masahiro,KAGA Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF ADJUSTING OPERATING CONDITIONS FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220059175A1. Автор: Suzuki Shinji. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of manufacturing semiconductor nanocrystals and semiconductor memory element using the semiconductor nanocrystals

Номер патента: KR100276774B1. Автор: 야스모리 후쿠시마,토루 우에다,켄타 나카무라. Владелец: 마찌다 가쯔히꼬. Дата публикации: 2001-01-15.

ONON sidewall structure for memory device and methods of making the same

Номер патента: US11854621B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20230335196A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

ONON sidewall structure for memory device and method for making the same

Номер патента: US12009033B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210193225A1. Автор: Jong-Chul Park,Youn-yeol Lee,Seul-bee LEE,Kyung-sub LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method of controlling command execution of the nonvolatile memory device

Номер патента: KR102083490B1. Автор: 곽동훈. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-03.

Method of reducing trapped holes induced by erase operations in the tunnel oxide of flash memory cells

Номер патента: US6493280B2. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Jeffrey Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-10.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250691A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Wook Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING LEAKAGE CURRENT WITHIN SUCH A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269091A1. Автор: Zheng Bo,Yeung Gus,Bohra Fakhruddin Ali. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140347935A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Woo Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

MEMORY SYSTEM INCLUDING A MEMORY DEVICE, AND METHODS OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM AND THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170301404A1. Автор: YOON SANG-YONG,YIM HYE-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

The method of sensing circuit, storage device and operating memory device

Номер патента: CN105741877B. Автор: 伍冬,吴华强,朱一明,钱鹤,曹堪宇,肖化鹏. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-11-08.

Operation method of memory controller for controlling non-volatile memory device with refresh read

Номер патента: KR20170130788A. Автор: 이준호,최현진,장실완,함동훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-11-29.

Method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: US8760951B2. Автор: Jin Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

method of controlling data writing in non volatile memory device and memory controller having wearleveling control function

Номер патента: KR102003930B1. Автор: 이원석,김택성,문영국. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-07-25.

method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: KR101588293B1. Автор: 이진욱,황상원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-26.

A memory controller and a method of operating an electrically alterable non-volatile memory device

Номер патента: TW201027333A. Автор: Fong Long Lin,Je-Hurn Shieh. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2010-07-16.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090296479A1. Автор: Kunisato Yamaoka,Kazuyo Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240071523A1. Автор: Shih-Chang Huang,Han-Sung Chen,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5615148A. Автор: Hiroto Nakai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Code address memory (cam) cell read control circuit of semiconductor memory device and method of reading data of cam cell

Номер патента: US20100302827A1. Автор: Kyoung Nam Kim,Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of certifying safety levels of semiconductor memories in integrated circuits

Номер патента: US11042688B1. Автор: Ching-Wei Wu,Hidehiro Fujiwara,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Ming-En Bu. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, METHOD OF INITIAL BREAKDOWN OF NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130128654A1. Автор: Hayakawa Yukio,TSUJI Kiyotaka,Yoneda Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

Device and method to reduce wordline RC time constant in semiconductor memory devices

Номер патента: US7570504B2. Автор: Huy Thanh Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of testing repair circuits of memory devices

Номер патента: US20240290414A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Sanghee KANG,Kiho Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device of adaptively calibrating timing margin and integrated circuit including the same

Номер патента: US09870043B2. Автор: Jong-Pil Lee,Jae-Seung Choi,Jung-Hun Heo,Su-Hyun YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

Номер патента: US20210304837A1. Автор: KIM Jin Sub. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US20150078064A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Defective detection method of semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device including memory test circuit and memory test circuit

Номер патента: KR100371047B1. Автор: 야수오 고바야시. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-04-21.

Semiconductor memory device and method of reading data from the semiconductor memory device

Номер патента: US20040257896A1. Автор: Seong-ho Jeung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Repair circuit and method of repairing defects in a semiconductor memory device

Номер патента: US20070133323A1. Автор: Byung-Hoon Jeong,Hyung-Jik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Delay-locked loop circuit with variable bias voltages and method of clock synchronization for a semiconductor memory device

Номер патента: US20070018702A1. Автор: Chan-Yong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

Clock generation circuit, control method of clock generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20020008558A1. Автор: Hideo Chigasaki,Yuichi Okuda,Hiroki Miyashita. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor memory module and method of arranging terminals in the semiconductor memory module

Номер патента: KR100791003B1. Автор: 백승덕,강선원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of driving and testing a semiconductor memory device

Номер патента: US6940769B2. Автор: Shun-Ker Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor memory, method of reading data from the semiconductor memory and writing it therein

Номер патента: JPH1166839A. Автор: Masahiro Tanaka,正浩 田中,久忠 宮武,Hisatada Miyatake,Yotaro Mori,陽太郎 森,記稔 山崎,Noritoshi Yamazaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Zero margin enable controlling apparatus and method of sense amplifier adapted to semiconductor memory device

Номер патента: US20020110031A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Jong-Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of Reading Serial Data from Semiconductor Memory and Semiconductor Memory

Номер патента: KR960015575A. Автор: 요시유끼 이시다. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-05-22.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20140160868A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

Apparatus and method of generating clock signal of semiconductor memory

Номер патента: US20070297547A1. Автор: Young Do Hur. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20230051018A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory device and memory controller and storage device including the memory device and memory controller

Номер патента: US11908535B2. Автор: Jonghwa Kim,Jinmin SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Nanowire memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120178233A1. Автор: Jung-Hoon Lee,Jin-Gyoo Yoo,Cheol-soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20210233929A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210066583A1. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11825755B2. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US12008249B2. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of performing access to a single-port memory device, memory access device, integrated circuit device and method of use of an integrated circuit device

Номер патента: WO2003090231A2. Автор: Corneliu Tobescu,Antonius Petrus Gerardus Welbers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-10-30.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US11895849B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210399052A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of performing access to a single-port memory device, memory access device, integrated circuit device and method of use of an integrated circuit device

Номер патента: US20050180254A1. Автор: Corneliu Tobescu,Antonius Petrus Welbers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of performing access to a single-port memory device, memory access device, integrated circuit device and method of use of an integrated circuit device

Номер патента: TW200402067A. Автор: Corneliu Tobescu,Antonius Petrus Gerardus Welbers. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-02-01.

Method of performing access to a single-port memory device, memory access device, integrated circuit device and method of use of an integrated circuit device

Номер патента: TWI301275B. Автор: Tobescu Corneliu,Petrus Gerardus Welbers Antonius. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-09-21.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: EP3968327A1. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: US11782618B2. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: US20230418488A1. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Charge trapping non-volatile memory device and method of fabricating the same and method of operating the charge trapping non-volatile memory device

Номер патента: CN105895636A. Автор: 权永俊. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Charge trapping non-volatile memory device and method of fabricating the same, and method of operating the charge trapping non-volatile memory device

Номер патента: KR102300122B1. Автор: 권영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-09-09.

Phase change layer and method of manufacturing the same and phase change memory device comprising phase change layer and methods of manufacturing and operating phase change memory device

Номер патента: US7993963B2. Автор: Youn-Seon Kang,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Integrated circuit, method of reading data from an integrated circuit memory device, method of writing data to an integrated circuit memory device, memory module, and computer program

Номер патента: DE102007019825A1. Автор: Jan Keller. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2008-08-28.

Charge trapping non-volatile memory device and method of fabricating the same, and method of operating the charge trapping non-volatile memory device

Номер патента: KR20160101587A. Автор: 권영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2016-08-25.

MEMORY SYSTEM INCLUDING A MEMORY DEVICE, AND METHODS OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM AND THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150049554A1. Автор: YOON SANG-YONG,YIM HYE-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING ACCESS OPERATIONS WITHIN SUCH A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150049563A1. Автор: Chong Yew Keong,Maiti Bikas,Kinkade Martin Jay. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2015-02-19.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING A WRITE OPERATION IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160118091A1. Автор: Hoxey Paul Darren,ASENOV Plamen Asenov,NEW David Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Method of operating a memory system including a memory device capable of performing a rewrite operation

Номер патента: CN105843553B. Автор: 吴银珠,徐圣镕,禹泳再,申韩臣,方卿镒,权们相. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-09.

Method of reading page data of nand flash memory device

Номер патента: KR101348354B1. Автор: 황선모. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2014-01-08.

Method of managing fails in a non-volatile memory device and relative memory device

Номер патента: US7571362B2. Автор: Demetrio Pellicone,Gianfranco Ferrante,Procolo Carannante,Adamo Corsi,Marco Roveda,Concetta Di Tuoro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-04.

Method of selecting operating characteristics of a resistive memory device

Номер патента: US20080112206A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Tzu-Ning Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-15.

Method of reading page data of nand flash memory device

Номер патента: KR20130133935A. Автор: 황선모. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of providing variable retention time to a memory device and a memory device that uses the method

Номер патента: TWI368911B. Автор: Aaron Mandell,Stuart Spitzer,Juri H Krieger,Michael A Vanbuskirk. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-07-21.

DRIVING METHOD OF VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140050014A1. Автор: Mitani Satoru,Muraoka Shunsaku,TAKAGI Takeshi,Katayama Koji. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

METHODS OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20190027196A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD OF DRIVING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140126268A1. Автор: Mitani Satoru,Muraoka Shunsaku,TAKAGI Takeshi,Katayama Koji,WEI Zhiqiang. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-08.

METHOD OF PERFORMING WEAR MANAGEMENT IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160078966A1. Автор: Li Tseng-Ho,Chen Yung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

METHOD OF OPERATING ARTIFICIAL NEURAL NETWORK WITH NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190087715A1. Автор: JENG SYANG-YWAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

SYSTEM AND METHOD OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20160180892A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SYSTEM AND METHOD OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20170221532A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

METHODS OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20200294555A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Method of processing incomplete memory operations in a memory device during a power up sequence and a power down sequence using a dynamic redundancy register

Номер патента: US10437491B2. Автор: Neal Berger,Benjamin Louie,Mourad El-Baraji,Lester CRUDELE,Daniel HILLMAN. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Method of forming a nanocrystalline silicon quantum dot memory device

Номер патента: JP4681530B2. Автор: シェン・テン・スー,ティンカイ・リー,リサ・エイチ・ステッカー. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-05-11.

METHOD OF CONVERSION CONVERSION FOR A DOUBLE CONNECTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: SE9002149L. Автор: J-K Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-11-05.

Methods of forming phase change storage cells for memory devices

Номер патента: US20070018157A1. Автор: Horii Hideki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

Methods of forming phase change storage cells for memory devices

Номер патента: US7387938B2. Автор: Horii Hideki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-17.

Method of writing, erasing, and controlling memory for memory device

Номер патента: US7188210B2. Автор: Shinpei Komatsu,Yumi Ishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-06.

Driving method of variable resistance element and non-volatile memory device

Номер патента: US9390797B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koji Katayama,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Buffered multi-rank memory modules configured to selectively link rank control signals and methods of operating the same

Номер патента: US09812220B2. Автор: Tae-hyung Kim,Young Yun,Huichong Shin,Seokil Kim,Jonghyoung Lim,Youkeun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US20230301065A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and redundancy circuit, and method of increasing redundancy efficiency

Номер патента: US20010022747A1. Автор: Hyun Jung,Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory devices providing in situ computing using sequential transfer of row buffered data and related methods and circuits

Номер патента: US20210142846A1. Автор: Patricia Gonzalez,Kevin Skadron,Mircea R. Stan,Marzieh Lenjani. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09812456B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Method of checking the state of a capacitor fuse in which the voltage applied to the capacitor fuse is the same level as voltage applied to memory cells

Номер патента: US20030198107A1. Автор: Yasuhiro Nanba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Method of checking the state of a capacitor fuse in which the voltage applied to the capacitor fuse is the same level as voltage applied to memory cells

Номер патента: US6714474B2. Автор: Yasuhiro Nanba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making

Номер патента: US09922981B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12020761B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4831592A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Storage and programming method thereof

Номер патента: US09875793B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12009046B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of testing for a leakage current between bit lines of nonvolatile memory device

Номер патента: US20100302866A1. Автор: Jae Won Cha,Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220223223A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200395094A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210118520A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230245710A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US11804279B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US20230186954A1. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Номер патента: US11983439B2. Автор: Xiang Ming ZHI,Augustus TSAI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Memory device and enhance programming method thereof

Номер патента: US20240347118A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Ngatik Cheung,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo,Shan-Hsuan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US20170294447A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin,II Young Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10847533B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10096617B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US9691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US20090161419A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US7936619B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Storage device including nonvolatile memory device and controller, controller and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230350609A1. Автор: Young-Ho Park,Yonghwa LEE,Seontaek Kim,Eun Ju Choi,Jesuk YEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Composite semiconductor memory device with error correction

Номер патента: EP2550661A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Three-dimensional hexagonal matrix memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2238622A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-10-13.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A3. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: WO2012081732A1. Автор: Takashi Oshima,Kouji Watanabe,Toshikatsu Hida. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Storage device and operation method of storage device

Номер патента: EP4174861A1. Автор: Hyungkyun BYUN,SeongCheol HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230168819A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20210255941A1. Автор: Sung Kwan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Storage device, operating method of storage device, and electronic device including storage device

Номер патента: US12066905B2. Автор: Sangwon Jung,Mincheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955123A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US20220051733A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20130237019A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20110228582A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09966126B2. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Stack type semiconductor memory device

Номер патента: US09960082B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module and operation methods thereof

Номер патента: US20150124542A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080008011A1. Автор: Jong-Hyoung Lim,Jang-Won Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US12074616B2. Автор: Hironori Uchikawa,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180341543A1. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and operation method

Номер патента: US20220413748A1. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US4830977A. Автор: Yoshiharu Takeuchi,Akira Endo,Hisao Katto,Yuji Arakawa,Nozomi Horino,June Sugiura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile memory module, memory system including nonvolatile memory module, and controlling method of nonvolatile memory module

Номер патента: US20150279475A1. Автор: Wonseok Lee,Youngkug Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Magnetoresistive structures, memory devices including the same, and methods of manufacturing the magnetoresistive structures and the memory devices

Номер патента: US20140231941A1. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-21.

Recording material comprising ferroelectric layer, nonvolatile memory device comprising the same, and methods of writing and reading data for the memory device

Номер патента: KR100561858B1. Автор: 홍승범,김윤석,노광수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-16.

Recording material comprising ferroelectric layer, nonvolatile memory device comprising the same, and methods of writing and reading data for the memory device

Номер патента: KR20050022243A. Автор: 홍승범,김윤석,노광수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-07.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of operating image processor generating top- down heat map and electronic device having the image processor

Номер патента: US20240185427A1. Автор: Yongjin Lee,Sung Yup LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Reference cells for spin torque based memory device

Номер патента: WO2011084905A2. Автор: John K. DeBrosse,Daniel C. Worledge. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-07-14.

MEMORY CONTROLLER, METHOD OF CONTROLLING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING BOTH

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Kim Jungug. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Method of smart saving high-density data and memory device

Номер патента: US20170060467A1. Автор: Marco Castellano,Marco Leo,Paolo Rosingana,Alessandro Giuliano Locardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of merging blocks for a semiconductor memory device

Номер патента: KR101635446B1. Автор: 박기태,김민석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-07-04.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US10552566B2. Автор: Jin Young Park,Myung Jin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: EP3985516A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US11868645B2. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US20220113896A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device

Номер патента: US20240160794A1. Автор: Jimin Ryu,Jisoo Kim,Younsung CHU,Yonghwan Song,Jaegyu LEE,Daejin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device

Номер патента: EP4369225A1. Автор: Jimin Ryu,Jisoo Kim,Younsung CHU,Yonghwan Song,Jaegyu LEE,Daejin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Metadata registers for a memory device

Номер патента: US20240126438A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Olivier Alavoine,Michael Hawjing Lo,Pankaj Sharadchandra Deshmukh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Metadata registers for a memory device

Номер патента: WO2024086414A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Olivier Alavoine,Pankaj Deshmukh,Michael Hawjing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and apparatus for transferring binary image into memory device

Номер патента: US20170031629A1. Автор: Shinichi Iwamoto,Takayoshi Nakamoto,Taku Yokawa,Mutsuo Tanabe,Takafumi NARITA,Takeshi IGASAKI. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods of Performing Error Detection/Correction in Nonvolatile Memory Devices

Номер патента: US20140082458A1. Автор: KIM Yong June,KONG JUNJIN,CHO Kyounglae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-20.

METHOD OF SMART SAVING HIGH-DENSITY DATA AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170060467A1. Автор: Leo Marco,Castellano Marco,Rosingana Paolo,Locardi Alessandro Giuliano. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

METHOD OF PROCESSING INCOMPLETED MEMORY OPERATIONS IN A MEMORY DEVICE DURING A POWER UP SEQUENCE AND A POWER DOWN SEQUENCE USING A DYNAMIC REDUNDANCY REGISTER

Номер патента: US20180121117A1. Автор: Louie Benjamin,BERGER Neal,EL-BARAJI Mourad,CRUDELE Lester,HILLMAN Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Management method of metadata for preventing data loss and memory device using the same

Номер патента: US10782895B2. Автор: Chia-Hao Hsu,Cheng-Kuang Hsieh. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050186734A1. Автор: Nae-in Lee,Sung-Ho Kim,Jin-Hee Kim,Ki-chul Kim,Kwang-Wook Koh,Sang-Su Kim,In-Wook Cho,Geun-Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing a three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09799657B2. Автор: Kihyun Hwang,Bio Kim,Jintae Noh,Hanvit Yang,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of forming metal line of semiconductor memory device

Номер патента: US20080003814A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Hee Hong,Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Methods of forming an apparatus, and related apparatuses, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20200194438A1. Автор: Yu Jen Lin,Oscar O. Enomoto,Chia Wei Tsai,Chin Chuan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods of decoding error correction code of a memory device with dynamic bit error estimation

Номер патента: US12009840B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Ofir Kanter. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacture of vertical split gate flash memory device

Номер патента: US6087222A. Автор: Shui-Hung Chen,Di-Son Kuo,Chrong Jung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Method of fabricating a charge trap NAND flash memory device

Номер патента: US9224873B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Methods of fabricating a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20150079742A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20240061771A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US12135641B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20210026765A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Storage device and a method of operating the same

Номер патента: US20240220103A1. Автор: JinHyuk Lee,Dongeun Shin,Dohyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Operating method of nonvolatile memory device and nonvolatile memory system

Номер патента: US09785379B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Storage device including controller and method of operating controller

Номер патента: US20240272805A1. Автор: Won Kyoo Lee,Ji Wook KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240320109A1. Автор: Yoshihiko Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Driving IC for display apparatus, display apparatus and setting data programming method thereof

Номер патента: US20090073147A1. Автор: Jong-Kon Bae,Sang-hun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4451156A1. Автор: Jisoo Kim,Hyungsup KIM,Myeongjong Lee,Seongchan Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140376169A1. Автор: Toshiro Yokoyama,Misa Sugimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory, control method of memory controller, and memory controller

Номер патента: US20150339198A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Jun Shinohara,Tomonori Masuo,Tatsuya Sumiyoshi,Yuuichirou Gunji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040214394A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050164442A1. Автор: Takashi Moriyama,Tetsuo Adachi,Keiichi Haraguchi,Naohiro Hosoda,Kenji Kanamitsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8445349B2. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130023099A1. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory device having grooves isolating the floating electrodes of memory cells and method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7026683B2. Автор: Seiichi Mori,Hiroaki Tsunoda,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-11.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device, and a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080203466A1. Автор: Takeshi Sakai,Tsutomu Okazaki,Yasushi Ishii,Yuichi Tsukada,Toshikazu Matsui,Satoru Machida,Kyoya Nitta,Masaru Nakamichi,Munekatsu Nakagawa. Владелец: Munekatsu Nakagawa. Дата публикации: 2008-08-28.

Gate Patterns of Nonvolatile Memory Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100308396A1. Автор: Wan Sup SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11882704B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US8298900B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same, volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same, and semiconductor memory device incorporating the non-volatile semiconductor memory device with the volatile semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100391559B1. Автор: 요시카와구니요시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-07-12.

Semiconductor memory device for eliminating floating body effect and method of fabricating the same

Номер патента: US6806140B1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim,Won-suk Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-19.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180277546A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240074189A1. Автор: Hyun Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049469A1. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device including select transistor with low dielectric core insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11812613B2. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778807B2. Автор: Jungwoo Song,Jun Ho Lee,Yong Kwan Kim,Kwangmin Kim,Sangyeon HAN,Hyuckjin Kang,Seguen Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210104527A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220285356A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11950405B2. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR940007654B1. Автор: 구니요시 요시카와. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1994-08-22.

Method of making contactless nonvolatile semiconductor memory device having buried bit lines surrounded by grooved insulators

Номер патента: US6274432B1. Автор: Yosiaki Hisamune. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-14.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device having a gate stack

Номер патента: US20090068808A1. Автор: Jung-hyun Lee,Hyun-Sang Hwang,Chung-woo Kim,Soo-doo Chae,Moon-kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7972927B2. Автор: Yoshio Ozawa,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: DE3468768D1. Автор: John Janning. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1988-02-18.

Semiconductor memory devices including an air gap and methods of fabricating the same

Номер патента: US9166012B2. Автор: Jong-Min Lee,Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389315A1. Автор: Jae Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090214A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11980027B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Memory devices including dielectric thin film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070126045A1. Автор: Ansoon Kim,Han Young Yu,Sung-Yool Choi,Chil Seong Ah,Min Ki Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-06-07.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230052035A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US11716914B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US09831289B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device based on igo channel layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20240224527A1. Автор: Xuan Wang,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL,Hoon Hee HAN,Soon Oh Jeong. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing a three dimensional semiconductor memory device and the three dimensional semiconductor memory device fabricated by the method

Номер патента: KR102091729B1. Автор: 이준석,황기현,임헌형,이웅. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-20.

Sputtering target and method of manufacturing the same, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20220162742A1. Автор: Kazuhiro Ohba,Katsuhisa Aratani,Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: EP4447644A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-10-16.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: US20240349623A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory element, method of manufacturing the same, and semiconductor memory device

Номер патента: JP5446393B2. Автор: 潤 角野. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-03-19.

Nano semiconductor switch device using electromechanism of cabon nano tube and method of fabricating the same and semiconductor memory device using electromechanism of cabon nano tube and method for driving the same

Номер патента: KR100652410B1. Автор: 이선우,최영문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-01.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230225121A1. Автор: Tomoya INDEN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20090159558A1. Автор: Stéphane CHOLET. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US20120058618A1. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of forming isolation film of semiconductor memory device

Номер патента: KR100822606B1. Автор: 이상수,신승우,동차덕,정우리,손현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of forming isolation film of semiconductor memory device

Номер патента: KR101002474B1. Автор: 김은수,조휘원,조종혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-17.

Manufacturing method of multi-layer capacitor of semiconductor memory device

Номер патента: KR940009633B1. Автор: 김재갑. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1994-10-15.

Method of manufacturing a floating gate and method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device comprising the same

Номер патента: US20040171217A1. Автор: Chang-Rok Moon,Jin-Kuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Method of Forming Isolation Layer of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20080206957A1. Автор: Min Sik Jang,Kwang Hyun Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of Forming Isolation Layer of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20090170321A1. Автор: Whee Won Cho,Jong Hye Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of manufacturing a floating gate and method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device comprising the same

Номер патента: US7118969B2. Автор: Chang-Rok Moon,Jin-Kuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-10.

Method of forming isolation structure of semiconductor memory device

Номер патента: US20080242047A1. Автор: Doo Ho Choi,Kwang Hyun Yun,Wan Sup SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Metal thin film and method of manufacturing the same, dielectric capacitor and method of manufacturing the same, and semiconductor memory device

Номер патента: EP1587146A3. Автор: Tatsuo Sawasaki,Kenichi Tsuchiya,Kenichi Kurokawa,Teruo Tagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Manufacturing method of capacitor of highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: KR940009612B1. Автор: 조현진,오경석,안지홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-15.

Method of forming capacitor of a semiconductor memory device

Номер патента: US6673668B2. Автор: Ki-Seon Park,Kyong-Min Kim,Han-Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

METHOD OF FABRICATING A THREE-DIMENTIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130164894A1. Автор: KIM Hansoo,SON Byoungkeun,Kim Jinho,Lee Wonjun,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD OF FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150318302A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of fabricating a capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR940006677B1. Автор: 양수길,최원택. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-07-25.

Method of forming pad layer in semiconductor memory device

Номер патента: KR970054130A. Автор: 이주영,장순규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Method of fabricating capacitor in ferroelectric semiconductor memory device

Номер патента: KR100717767B1. Автор: 최은석,염승진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-11.

Method of fabricating storage capacitor in semiconductor memory device, and storage capacitor structure

Номер патента: US6911372B2. Автор: Wook-sung Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-28.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69511320T2. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jeong-Hyong Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-13.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP0827197A3. Автор: Akihiro Nakamura,Masanori Noda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE19813457C2. Автор: Woong-Lim Choi,Kyeong-Man Ra. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of manufacturing a capacitor for semiconductor memory devices

Номер патента: TW471097B. Автор: Dong-Su Park,Se-Min Lee. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2002-01-01.

Method of fabricating a buried bit line and memory device including the same

Номер патента: TWI220315B. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Method of forming a contact in a flash memory device

Номер патента: GB2427755B. Автор: Dominik Olligs,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of making a capacitor to semiconductor memory cell

Номер патента: KR960003004B1. Автор: 전영권. Владелец: 금성일렉트론주식회사. Дата публикации: 1996-03-02.

Method of making a capacitor and semiconductor memory cell

Номер патента: KR950010876B1. Автор: 김재갑. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-09-25.

Method of producing metal-oxide film- semiconductor memory

Номер патента: JPS5827360A. Автор: ジヨン・エル・マツコラム. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1983-02-18.

Method of fabrication thereof a multi-level vertical memory device including inter-level channel connector

Номер патента: US11805643B2. Автор: Qian Tao,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

METHOD OF OBTAINING A MAIN KEY FROM A MEMORY DEVICE, METHOD OF GENERATING AUTHENTICATION INFORMATION FOR A MEMORY DEVICE, AN EXTERNAL DEVICE AND SYSTEM ICLUDING THE EXTERNAL DEVICE

Номер патента: US20130156195A1. Автор: KIM MIN-KWON,LEE JAE-BUM,JANG Hyoung-Suk,KIM Seok-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

Wiring structure of a semiconductor device, method of forming the wiring structure, non-volatile memory device including the wiring structure, and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20080017889A1. Автор: Hyun Park,Byung-hong Chung,Won-Jin Kim,Ji-Young Min,Young-Ho Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230354722A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory cell, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371400A1. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240015973A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan,Fazhan WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Structure of 3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11856776B2. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US20140319450A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US20080003754A1. Автор: Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim,Whee Won Cho,Seong Hwan Myung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Structure of 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220013541A1. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240138148A1. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11744165B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210249597A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of fabricating trap type nonvolatile memory device

Номер патента: US20070134868A1. Автор: Chang-Hyun Lee,Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Sung-Jung Kim,Han-mei Choi,Young-Geun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Switching device, driving method and manufacturing method of switching device, integrated circuit device, and memory device

Номер патента: WO2006070698A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Hisao Kawaura. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2006-07-06.

Flash memory structure and method of forming the same

Номер патента: US11856775B2. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Flash Memory Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210233931A1. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Flash memory structure and method of forming the same

Номер патента: US10978473B2. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240136305A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Flash Memory Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200258899A1. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Flash memory structure and method of forming the same

Номер патента: US20240099005A1. Автор: Chung-Te Lin,Yung-Yu Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230200091A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

METHODS OF FORMING A DEVICE, AND RELATED DEVICES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200111800A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

METHODS OF FORMING A DEVICE, AND RELATED DEVICES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200111920A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Gandhi Ramanathan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Electrode structure, method of manufacturing the electrode structure, phase changeable memory device having the electrode structure and method of manufacturing the phase changeable memory device

Номер патента: KR100625170B1. Автор: 김경현,고용선,민충기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-15.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7256447B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-14.

Method of fabricating flat-cell mask read-only memory devices

Номер патента: US20030153153A1. Автор: Hee-Jueng Lee,Myung-Ho Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-14.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING THRESHOLD SWITCHING AND MEMORY SWITCHING CHARACTERISTICS, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130270509A1. Автор: Liu Xinjun,KIM Seonghyun,HWANG Hyunsang. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-10-17.

SWITCHING DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20190221739A1. Автор: Kim Young Seok,PARK Ji Woon,Kim Hyeong Joon. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Switching device, method of fabricating the same, and non-volatile memory device having the same

Номер патента: KR102465179B1. Автор: 김형준,김영석,박지운. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-11-08.

Switching device, method of fabricating the same, and non-volatile memory device having the same

Номер патента: KR20190088196A. Автор: 김형준,김영석,박지운. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-07-26.

Method of making a capacitor electrode of a memory device having alternately stacked oxides and nitrides over a sacrificial layer

Номер патента: US10861857B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Switching device, method of fabricating the same, and non-volatile memory device having the same

Номер патента: US10892409B2. Автор: Hyeong Joon Kim,Young Seok Kim,Ji Woon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Resistance change memory device having threshold switching and memory switching characteristics, method of fabricating the same, and resistance change memory device including the same

Номер патента: US9269901B2. Автор: Xinjun Liu,Seonghyun Kim,Hyunsang Hwang. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-02-23.

Method of fabricating the floating gate of flash memory device

Номер патента: CN1988111A. Автор: 金成均. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Electrically programmable and erasable memory cell having an improved floating gate and a method of manufacturing said floating gate and a memory device having an array of such cells made thereby

Номер патента: US20040238877A1. Автор: Pavel Klinger,Sreeni Maheshwarla. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US7413953B2. Автор: Jong Woon Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

METHOD OF FABRICATING A CHARGE TRAP NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Mariani Marcello,Albini Giulio,Meotto Umberto M.,Tessariol Paolo,Bacciaglia Paola. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Methods of fabricating a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20150079742A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

METHODS OF FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150079743A1. Автор: Alsmeier Johann,Lee Yao-Sheng,Makala Raghuveer S.,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD OF FORMING METAL OXIDE LAYER AND MAGNETIC MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160133831A1. Автор: KIM Ki Woong,Lim Woo Chang,LEE YunJae,Lee Joonmyoung,PARK Yongsung. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

METHODS OF FORMING AN APPARATUS, AND RELATED APPARATUSES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200194438A1. Автор: Lin Yu Jen,TSAI Chia Wei,Enomoto Oscar O.,Liu Chin Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD OF MANUFACTURING A THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200194441A1. Автор: LEE Da Som,KWON Eun Mee. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD OF MANUFACTURING AN EMBEDDED SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150295056A1. Автор: Zhang Jing,ZHANG Liqun,MA Huilin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Method of forming gate spacer in non-volatile memory device

Номер патента: KR100611079B1. Автор: 임헌영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-09.

Method of forming a gate pattern in flash memory device

Номер патента: KR100673195B1. Автор: 양인권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of Forming Gate electrode in non-volatile memory device

Номер патента: KR100840791B1. Автор: 박희정,김진성,이영철,인찬국,양재현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-23.

Method of forming a floating gate in flash memory device

Номер патента: KR100426487B1. Автор: 박성기,김기석,이근우,심근수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-14.

Method of forming a isolation film in flash memory device

Номер патента: KR100418304B1. Автор: 이성은. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method of forming an isolation layer in flash memory device

Номер патента: KR100972681B1. Автор: 이상수,동차덕,정우리,손현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-27.

Methods of operating and fabricating nanoparticle-based nonvolatile memory devices

Номер патента: KR101105645B1. Автор: 이장식. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-01-18.

Method of forming a gate in a flash memory device

Номер патента: KR100671626B1. Автор: 이정웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Manufacturing method of a charge trap type non-volatile memory device

Номер патента: KR101566921B1. Автор: 이학선,신경섭,최정동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-09.

Method of forming concave type capacitor for ferroelectric memory device

Номер патента: KR100418589B1. Автор: 권순용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method of forming staircase structures for three-dimensional memory device double-sided routing

Номер патента: WO2020000296A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of forming a resistor in a flash memory device

Номер патента: KR100672160B1. Автор: 박병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method of manufacturing a dielectric layer in a memory device that includes nitriding step

Номер патента: US7361560B2. Автор: Ki-chul Kim,Jai-Dong Lee,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of fabricating the floating gate in flash memory device

Номер патента: KR100661236B1. Автор: 김성균. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-22.

Fabricating method of electrically erasable and programmable read only memory device

Номер патента: KR100512464B1. Автор: 김동욱,한창훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-07.

Method of forming contact plug in a flash memory device

Номер патента: KR20080030309A. Автор: 김완수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-04.

Floating gate having multiple charge storing layers, method of fabricating the floating gate, non-volatile memory device using the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20090085094A1. Автор: Jaegab LEE,Jang-Sik Lee,Jinhan Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2009-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09905574B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09793292B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905571B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9601503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9312134B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US10418378B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8653582B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US20040021167A1. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Nonvolatile integrated semiconductor memory

Номер патента: US20050067634A1. Автор: Thomas Happ,Harald Seidl,Martin Gutsche,Cay-Uwe Pinnow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-31.

System for releasing programs, method of releasing ip television programs and ip television client

Номер патента: RU2398363C2. Автор: Лу ХАНЬ. Владелец: Тенсент Текнолоджи (Шэньчжэнь) Компани Лимитед. Дата публикации: 2010-08-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203481A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110020995A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US7829950B2. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile semiconductor storage device, and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170069641A1. Автор: Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device having memory cells arranged three-dimensionally and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806088B2. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120153375A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5766996A. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030040A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139782A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203180A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210296275A1. Автор: Masaki Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422508A1. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160268300A1. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20130256626A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Yoshihisa Kagawa,Satoshi Sasaki,Ichiro Fujiwara,Naomi Yamada,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136594B2. Автор: Shota NIIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099000A1. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile Memory Devices Having Memory Cell Transistors Therein with Lower Bandgap Source/Drain Regions

Номер патента: US20110233610A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20200203376A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20170263641A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20150357345A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory device and method of manufacture

Номер патента: US20230389310A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Byeongjoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical internally-connected trench cell (V-ICTC) and formation method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030098483A1. Автор: John Walsh,Brian Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292626A1. Автор: Tadashi Iguchi,Kazuki Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabrication of the same

Номер патента: US5726470A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264718A1. Автор: Makoto Wada,Kazuyuki Higashi,Naofumi Nakamura,Tsuneo Uenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8546872B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Bidirectional gate electrode of nonvolatile three-dimensional semiconductor memory and preparation method thereof

Номер патента: CN109887916B. Автор: 杨哲,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-08.

MEMORY SYSTEM AND METHOD OF WRITING INTO NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120144100A1. Автор: SUDA Takaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

Recording method of multi-valued memory and semiconductor memory device

Номер патента: JP2923643B2. Автор: 仁 三輪,博昭 小谷. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-07-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING EMBEDDED NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH SIDEWALL GATE

Номер патента: US20130065368A1. Автор: Yasui Kan,HISAMOTO Digh,ISHIMARU Tetsuya,KIMURA Shin-ichiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of Forming Conductive Lines of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20120009770A1. Автор: Woo Won Sic. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

Power supply method of Vpp active detector of semiconductor memory device

Номер патента: KR980011468A. Автор: 김병철,서동일. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of fabricating capacitor in the semiconductor memory device

Номер патента: KR100250683B1. Автор: 임찬. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-04-01.

Method of fabricating a capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR940007389B1. Автор: 김경훈,박문규,강성훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-08-16.

A new method of increasing access cycle time in a memory device is achieved

Номер патента: TW200613972A. Автор: Chiun-chi Shen,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

A new method of increasing access cycle time in a memory device is achieved

Номер патента: TWI259953B. Автор: Chiun-chi Shen,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-11.

METHOD OF MAINTAINING THE STATE OF SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING ELECTRICALLY FLOATING BODY TRANSISTOR

Номер патента: US20120014188A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20120230123A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

Method of manufacturing stack capacitors of semiconductor memory

Номер патента: TW200943534A. Автор: Chih-Shan Chen,Wen-Fu Yu,Chien-Hua Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-10-16.

Method of manufacturing capacitor electrode for semiconductor memory

Номер патента: JP3093225B2. Автор: 尚克 池上. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

MEMORY DEVICE, SYSTEMS AND DEVICES INCLUDING A MEMORY DEVICE, METHODS OF OPERATING A MEMORY DEVICE, AND/OR METHODS OF OPERATING SYSTEMS AND DEVICES INCLUDING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120039132A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

METHOD OF FORMING TITANIUM NITRADE (TiN) FILM, NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE TiN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120149166A1. Автор: Park Young-Lim,Lee Jin-Il,Kim Chang-Su,Chung Kyung-Min,Jung Sug-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

Memory device and method of controlling a write operation within a memory device

Номер патента: US20120230122A1. Автор: Kim Daeyeon,Chandra Vikas. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2012-09-13.

DATA READ CIRCUIT, A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING THE SAME, AND A METHOD OF READING DATA FROM THE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130051114A1. Автор: PARK Chul-woo,HWANG Hong-sun,Kim Chan-kyung,Kang Sang-beom,Oh Hyung-rok. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Memory device and method of performing a read operation within a memory device

Номер патента: US20130077416A1. Автор: Hold Betina. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

Method of Executing Wear Leveling in a Flash Memory Device According to Ambient Temperature Information and Related Flash Memory Device

Номер патента: US20140050026A1. Автор: Li Tseng-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

A method of writing and reading binary numbers in memory devices and a memory device for implementing this method.

Номер патента: SU124705A1. Автор: Л.И. Гутенмахер. Владелец: Л.И. Гутенмахер. Дата публикации: 1958-11-30.

Photosensitive compositions useful for forming active patterns, methods of forming such active patterns and organic memory devices incorporating such active patterns

Номер патента: US20120034735A1. Автор: LEE Sang Kyun,Lee Kwang Hee,JUNG Myung Sup,Joo Won Jae,Choi Tae Lim. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD OF READING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120099391A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

PHASE CHANGE MEMORY CELLS INCLUDING NITROGENATED CARBON MATERIALS, METHODS OF FORMING THE SAME, AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICES INCLUDING NITROGENATED CARBON MATERIALS

Номер патента: US20130048935A1. Автор: Fumagalli Luca,GOTTI ANDREA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of and device for moment protection of telescopic boom crane

Номер патента: RU2245293C2. Автор: К.М. Мамаев,К.Д. Курбанмагомедов,Ш.О. Лачуев. Владелец: Мамаев Камиль Мамаевич. Дата публикации: 2005-01-27.

Wireless communication device, wireless communication control device, method of wireless communications, computer medium with wireless communication program, method for wireless communication control and computer medium with wireless communication control program

Номер патента: RU2455771C2. Автор: Казухиса ОБУТИ,Тиаки СИНОХАРА,Хиротоси СИМИЗУ,Акихиде ОТОНАРИ,Йосинори СОЕДЗИМА,Мики ЯМАСАКИ,Синя ОКАМОТО. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2012-07-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtainment of nonvolatile storage element

Номер патента: RU2468471C1. Автор: Вадим Вячеславович Путролайнен,Андрей Александрович Величко,Генрих Болеславович Стефанович,Александр Лионович Пергамент,Николай Александрович Кулдин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2012-11-27.

Method of checking correctness of data entry in dual-controller data storage system based on array of nonvolatile media and apparatus therefor

Номер патента: RU2552151C2. Автор: Николай Павлович КОПАНЫГИН. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РЭЙДИКС". Дата публикации: 2015-06-10.

Cell of nonvolatile electrically programmable memory

Номер патента: RU2436190C1. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (ФТИАН). Дата публикации: 2011-12-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.