Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1
Опубликовано: 22-06-2006
Автор(ы): Atsushi Nakayama, Hiroaki Nakano, Hiroshi Ito, Osamu Wada, Toshimasa Namekawa
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: USRE50034E1. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20140098609A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09502116B2. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Test circuit, nonvolatile semiconductor memory appratus using the same, and test method

Номер патента: US20110128805A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Yoon Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Electrically alterable nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US6000843A. Автор: Kikuzo Sawada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Nonvolatile semiconductor memory and method for testing the same

Номер патента: US8174909B2. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics

Номер патента: US5592427A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hirokazu Yamazaki,Yasushi Kasa,Sinsuke Kumakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228733B2. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20150117102A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8982623B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Method and apparatus for optimizing erase and program times for a non-volatile memory device

Номер патента: US5801989A. Автор: Jin-Ki Kim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-01.

Nonvolatile semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20130294175A1. Автор: Yoon Jae Shin,Sang Kug LYM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640269B2. Автор: Yasushi Nakajima,Hideaki Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070002656A1. Автор: Yong-Bok An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Nonvolatile semiconductor memory device using nonvolatile storage elements to which data can be written only once

Номер патента: US7505300B2. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2016024632A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Non-volatile memory device adapted to reduce coupling effect between storage elements and related methods

Номер патента: US20080084746A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-nam Kim,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Testable nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US6452847B2. Автор: Myong-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-17.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5978290A. Автор: Mamoru Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020167850A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Non-volatile memory device adapted to reduce coupling effect between storage elements and related methods

Номер патента: CN101154445B. Автор: 朴起台,金奇南,李永宅. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888751B2. Автор: Hideo Kasai,Akihiro Fujita,Kiichi Makuta,Masashii Wada,Atsushi Toukairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4831592A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device, memory controller, and memory system

Номер патента: US20150049549A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device with a row redundancy circuit

Номер патента: US5548557A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Masaaki Mihara,Minoru Ohkawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7864618B2. Автор: Yoshinori Matsui,Yoshinori Haraguchi,Yoshiro Riho,Hayato Oishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262615A1. Автор: Yasuo Gotoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Apparatus for testing semiconductor memory device

Номер патента: US6034905A. Автор: Kunihiko Suzuki,Kazuhiro Shibano. Владелец: Asia Electronics Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and refresh operating method

Номер патента: US20160064062A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020003279A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080056036A1. Автор: Jong-Won Lee,Sung-Kwon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor memory device with low power consumption

Номер патента: US20020118590A1. Автор: Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5617353A. Автор: Kang-Deog Suh,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09548373B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Nonvolatile semiconductor storage device having improved reading and writing speed characteristics

Номер патента: US09478283B2. Автор: Kazuyuki Kouno,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240013821A1. Автор: Moon Soo Sung,Jeong Hwan Kim,Won Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210020249A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200013466A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286100A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180308550A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20220262439A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180005695A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240153560A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11915756B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: WO2009032928A2. Автор: Ming Li,Gary B. Bronner,Kevin S. Donnelly,Frederick Ware,Donald R. Mullen. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Secondary storage device using nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5963474A. Автор: Takashi Onodera,Hiroaki Uno,Hideaki Miyashita,Yasutsugu Nagusa,Kenichi Kuwako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20120037976A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20070109848A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040129986A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihiro Ikeda,Kenji Kanamitsu,Yoshitaka Sasago,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150049551A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20080043539A1. Автор: Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120239984A1. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device with readout test circuitry

Номер патента: US4819212A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060120156A1. Автор: Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Ferroelectric memory device having fatigue averaging

Номер патента: US5978252A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149867A1. Автор: Hiroaki Tanaka,Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130077405A1. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200294595A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of rewriting data thereof

Номер патента: US20070183217A1. Автор: Yuji Uji,Katsutoshi Urabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory and a fabrication method thereof

Номер патента: US20060131638A1. Автор: Atsuhiro Sato,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8300474B2. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7755941B2. Автор: Toshiaki Kawasaki,Masanori Shirahama,Yasue Yamamoto,Yasuhiro Agata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7881106B2. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Method for erasing and verifying nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5400287A. Автор: Keisuke Fuchigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20230281078A1. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120020154A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252291B2. Автор: Naoki Yasuda,Daisuke Matsushita,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11947422B2. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8817542B2. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11169875B2. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US20170294447A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin,II Young Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10847533B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10096617B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US9691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US09691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device with concurrent memory access and data locking

Номер патента: US6469928B2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20190206493A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20200160912A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Nonvolatile semiconductor memory device including at least one memory block and allowing the number of selection signals to be reduced

Номер патента: US9666284B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140085976A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20130135938A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229876A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140313829A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9019763B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09773538B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP1143455A3. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device, electronic card and electronic apparatus

Номер патента: US20050105334A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170229181A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with block decoder

Номер патента: US9368213B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160322369A1. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Nonvolatile semiconductor memory device having a column decoder with multiple data bus portions connected via a switch

Номер патента: US9001582B2. Автор: Naofumi ABIKO,Tomofumi FUJIMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100329033A1. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262672A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9311993B2. Автор: Yasuhiro Shimura,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system having termination circuit with variable resistor

Номер патента: USRE49783E1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20140321194A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20200273524A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and operation method of the same

Номер патента: US20140010016A1. Автор: Hiroaki Hazama,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20150213899A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8854896B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20170330629A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190333580A1. Автор: Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9165655B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150016190A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20160365153A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20190074064A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20230260577A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4435788A. Автор: Norihisa Kitagawa,Hiroji Asahi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1984-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6154391A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device with reduced variation in source potential of floating gate type memory transistors and operating method therefor

Номер патента: US5105386A. Автор: Shinichi Kobayashi,Kenji Noguchi,Kenji Kohda,Tsuyoshi Toyama,Nobuaki Andoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140231897A1. Автор: Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Masakazu YAMAGIWA,Takatoshi Watanabe,Wangying Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190287996A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Read disturb control in a nonvolatile semiconductor memory device having P-type memory cell transistor

Номер патента: US8964463B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150023109A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20170117039A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070242528A1. Автор: Koji Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120195121A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110103128A1. Автор: Hiroshi Kanno,Kenichi Murooka,Hirofumi Inoue,Takayuki Tsukamoto,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150070986A1. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110280072A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US8218358B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US7885106B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US10665605B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190287979A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki,Kana Hirayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160071603A1. Автор: Yasushi Nakajima,Yuki Yamamura,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160087067A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070532A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070525A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140063906A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130175490A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH,Haruka KUSAI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device Cross-Reference to Related Applications

Номер патента: US20130265823A1. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device programming second dynamic reference cell according to threshold value of first dynamic reference cell

Номер патента: US20030161188A1. Автор: Satoshi Takahashi,Minoru Yamashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5379262A. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Yutaka Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US20130341698A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US20140315378A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US8803219B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Nonvolatile semiconductor memory device with advanced multi-page program operation

Номер патента: US20130003455A1. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20120230133A1. Автор: Katsuaki Matsui,Junya Ogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Nonvolatile memory system, semiconductor memory, and writing method

Номер патента: US7283399B2. Автор: Shooji Kubono,Osamu Tsuchiya,Hitoshi Miwa,Tatsuya Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20050207205A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060109703A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20050180192A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20040170045A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7184294B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7227770B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100265770A1. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Nonvolatile semiconductor memory, and method for reading data

Номер патента: US20100118609A1. Автор: Masahiko Kashimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US10784275B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device having disturb verify function

Номер патента: US5490110A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5677874A. Автор: Kaname Yamano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Flash memory device used as a boot-up memory in a computer system

Номер патента: US6058048A. Автор: Suk-Chun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device performing data writing in a toggle manner

Номер патента: US7652912B2. Автор: Hideto Hidaka,Jun Otani,Tomoya Kawagoe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory and data reading method

Номер патента: US20110044106A1. Автор: Yoshihiko Shindo,Susumu Fujimura,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060114710A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US6934175B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Electronic device including a semiconductor memory having memory arrays with variable resistance storage elements and a bias voltage generator arranged between the arrays

Номер патента: US09865345B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5920507A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory system with a plurality of erase blocks

Номер патента: US5465236A. Автор: Kiyomi Naruke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11430502B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11024360B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11842759B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240005995A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus and method of producing the same

Номер патента: US7102931B2. Автор: Ichiro Fujiwara,Hiromi Nobukata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210065770A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus comprising charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100271882A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6108259A. Автор: Young-Ho Lim,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240046974A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11789656B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20030214850A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Tetsuya Tsujikawa. Дата публикации: 2003-11-20.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US20200401347A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11169742B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Non-volatile multi-level, semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20050013167A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8745313B2. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20080006869A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20230409241A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device capable of performing read operation and write operation simultaneously

Номер патента: US09633712B1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4845680A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070165442A1. Автор: Isao Inoue,Nobuyoshi Awaya,Yasunari Hosoi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Non-volatile memory device which supplies erasable voltage to a flash memory cell

Номер патента: US5787037A. Автор: Masakazu Amanai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Memory system including a semiconductor memory having a memory cell and a write circuit configured to write data to the memory cell

Номер патента: US11869596B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory and a fabrication method thereof

Номер патента: US20050067652A1. Автор: Atsuhiro Sato,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Nonvolatile semiconductor storage device including a discharge transistor for discharging a bit line to a source line

Номер патента: US09830961B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Storage device, semiconductor memory device, and method for controlling same

Номер патента: US10049042B2. Автор: Atsushi Kawamura,Akifumi Suzuki,Hideyuki Koseki,Masahiro TSURUYA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-14.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20220310159A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Address transition detection noise filter in pulse summation circuit for nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5306963A. Автор: Kerry Tedrow,Sachidanandan Sambandan,David A. Leak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: KR19980070869A. Автор: 스가와라히로시. Владелец: 닛뽕덴끼가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-10-26.

Nonvolatile semiconductor memory with a page mode

Номер патента: US20030136976A1. Автор: Shigeru Atsumi,Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100165735A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory device including circuitry for selecting a memory block

Номер патента: US6236594B1. Автор: Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-22.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Contactless array configuration for semiconductor memories

Номер патента: US6009013A. Автор: Guido Groeseneken,Herman Maes,Jan F. Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1999-12-28.

Nonvolatile semiconductor memory with a plurality of erase decoders connected to erase gates

Номер патента: US5761119A. Автор: Masamichi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US7183615B2. Автор: Hiroki Yamashita,Yoshio Ozawa,Atsuhiro Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20150103600A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2015051467A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130058170A1. Автор: Yuji Takeuchi,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Nonvolatile semiconductor storage device and method for performing a read operation on the same

Номер патента: US11232843B2. Автор: Takashi Maeda,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-25.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180315480A1. Автор: Seiichi Yamamoto,Tsuyoshi Okamoto,Kazuhisa Ukai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-11-01.

Nonvolatile semiconductor storage device including cell transistor performance measuring cells

Номер патента: US09747979B2. Автор: Keita Takahashi,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor storage device and rewriting method thereof

Номер патента: US09679646B2. Автор: Hitoshi Suwa,Yuriko ISHITOBI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US09466373B2. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Nobuaki OKADA,Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for reading nonvolatile semiconductor memory configurations

Номер патента: US20020018366A1. Автор: Oskar Kowarik,Franz Schuler,Andreas von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-14.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170092362A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor memory device using a protocol transmission method

Номер патента: US6721228B2. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor memory device using a protocol transmission method

Номер патента: US20030053364A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device using grounded dummy bit lines

Номер патента: US09653167B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Static semiconductor memory device using a single global data line

Номер патента: US09786360B2. Автор: Tsuyoshi Koike. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device using delays to control column signals for different memory regions

Номер патента: US09520167B2. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device using tapered arrangement of local input and output sense amplifiers

Номер патента: US20050169079A1. Автор: Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory device having a systematic arrangement of logical data locations and having plural data portals

Номер патента: US20020062420A1. Автор: James Bullen,Robert Mclaughlin,Lawrence Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292608A1. Автор: Jae Hong Park,Jung Ha Hwang,Jae-Wha Park,Moon Keun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device

Номер патента: WO1995032505A1. Автор: M. James Bullen,Robert B. Mclaughlin,Lawrence C. Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corporation. Дата публикации: 1995-11-30.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor storage device having memory strings and bit lines on opposite sides of the memory strings

Номер патента: US11955176B2. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Power management in semiconductor memory system

Номер патента: US20130028039A1. Автор: David T. Wang. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09928918B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09576675B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09490004B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A3. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device capable of reducing peak current with respect to external power in multi-memory die structures

Номер патента: US09990979B2. Автор: Minsang PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US09715929B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure

Номер патента: US09633731B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Yun Kyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device capable of performing read operation and write operation simultaneously

Номер патента: US20170263294A1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor device and method for driving same

Номер патента: US20140293675A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110241225A1. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8085585B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8027188B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-27.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210082476A1. Автор: Hiroyuki Hara,Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8611174B2. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory device including a nand string

Номер патента: US20160078941A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120155209A1. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312513A1. Автор: Hiroshi Yoshihara,Tomohiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device for improving signal integrity issue in center pad type of stacked chip structure

Номер патента: US09830973B2. Автор: Heeseok Lee,Seung-yong Cha,Keung Beum Kim,HyunJong MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device for improving signal integrity issue in center pad type of stacked chip structure

Номер патента: US09721644B2. Автор: Heeseok Lee,Seung-yong Cha,Keung Beum Kim,HyunJong MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09679612B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633720B2. Автор: Masashi Yoshida,Tomoaki Nakano,Shigefumi Irieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US09576640B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09575833B2. Автор: Myeong-Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device including a NAND string

Номер патента: US09558828B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09520188B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconducotr memory device including non-volatile memory cell array

Номер патента: US09436545B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Sang-Bo Lee,Chul-Sung Park,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240221833A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2012170409A2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US20030174571A1. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020031043A1. Автор: Takayuki Harima,Takahiro Tsuruto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140169071A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor memory devices having adjustable i/o signal line loading that supports reduced power consumption during read and write operations

Номер патента: US20240105255A1. Автор: Seung-Jun Lee,Sang-Yun Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220302016A1. Автор: Kouji Matsuo,Fumitaka Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Static type semiconductor memory device

Номер патента: IE54486B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-25.

Semiconductor memory device comprising a plurity of input/output ports and a plurity of memory blocks corresponding to the plurality of input/output ports

Номер патента: US9053757B2. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257869A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180069177A1. Автор: Yoshiaki Nakao,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10573810B2. Автор: Yoshiaki Nakao,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8797777B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US5901077A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160267992A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100254184A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262635A1. Автор: Hidenari Kanehara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230168819A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220344307A1. Автор: Akiyoshi Itou,Masahiro Yoshihara,Toshikazu Watanabe,Yasumitsu Nozawa,Tomohito Kawano,Toshimitsu Iwasawa,sachie Fukuda,Nobuharu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Semiconductor memory device which stores multilevel data

Номер патента: US20130286730A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4404199A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Integrated semiconductor memory device

Номер патента: US20070211552A1. Автор: Simon Muff. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory device having latch for charging or discharging data input/output line

Номер патента: US20070070774A1. Автор: Beom-Ju Shin,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device having a short reset time

Номер патента: US20080186792A1. Автор: Kwun-Soo Cheon,Byong-Wook Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8434689B2. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130020395A1. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Recordable memory device

Номер патента: US20100125698A1. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Data reading and writing processing from and to a semiconductor memory and a memory of a host device by using first and second interface circuits

Номер патента: US11868618B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device with password unlock function

Номер патента: US20030079099A1. Автор: Junya Kawamata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100241794A1. Автор: Osamu Nagao,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor storage system

Номер патента: US09335929B2. Автор: Go UEHARA,Atsushi Ishikawa,Junji Ogawa,Koji Sonoda,Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory, control method of memory controller, and memory controller

Номер патента: US20150339198A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Jun Shinohara,Tomonori Masuo,Tatsuya Sumiyoshi,Yuuichirou Gunji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Mass memory device and semiconductor memory card

Номер патента: US20080028130A1. Автор: Otto Winkler. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-01-31.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20180150238A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20200341654A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory device and host device

Номер патента: US10157149B2. Автор: Koichi Nagai,Yuji Kashiwagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Memory device and host device

Номер патента: US20190173875A1. Автор: Koichi Nagai,Yuji Kashiwagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Storage apparatus provided with a plurality of nonvolatile semiconductor storage media and storage control method

Номер патента: US09405478B2. Автор: Junji Ogawa,Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240126433A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US11893238B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device that switches between states and moves data in accordance with a current state

Номер патента: US09940029B2. Автор: Tatsunori Kanai,Tetsuro Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Nonvolatile semiconductor storage device with interface functions

Номер патента: US20030084231A1. Автор: Yoshimasa Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device

Номер патента: US20110296235A1. Автор: Masaru Ogawa,Tarou Iwashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US09450108B2. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09450065B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9601503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9312134B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8653582B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same

Номер патента: US09548315B2. Автор: Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Yoshihiro Yanai,Yoichi MINEMURA,Takuya INATSUKA,Murato Kawai,Takuya MIZUTANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US10418378B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US20040021167A1. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09536898B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same

Номер патента: US09412756B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120153375A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025292A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8471327B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor storage device, and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170069641A1. Автор: Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025291A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8349688B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20130252389A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20150364608A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030040A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139782A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203180A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09437610B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120132980A1. Автор: Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203481A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110020995A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US7829950B2. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030098485A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240114811A1. Автор: Tadaomi Daibou,Yosuke Matsushima,Katsuyoshi Komatsu,Jieqiong Zhang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Ultraviolet-erasable nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US09589972B2. Автор: Tetsuo SOMEYA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabrication of the same

Номер патента: US5726470A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Nonvolatile semiconductor memory transistor, nonvolatile semiconductor memory, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20140021525A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory transistor, nonvolatile semiconductor memory, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20140117431A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8361862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150060984A1. Автор: Hiroki Yamashita,Shun Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905571B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09564450B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040214394A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170033118A1. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110309318A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120241843A1. Автор: Ryota Katsumata,Hiromitsu IINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG182890A1. Автор: Noda Mitsuhiko,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080105916A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Nonvolatile multilayer gate semiconductor memory device

Номер патента: CA1188419A. Автор: Yung-Chau Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-06-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150262932A1. Автор: Osamu Yamane,Tadashi Iguchi,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8498155B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device having stacked-gate type transistor

Номер патента: US5780894A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264718A1. Автор: Makoto Wada,Kazuyuki Higashi,Naofumi Nakamura,Tsuneo Uenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043940A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230354596A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090072323A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140084353A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8378331B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Yasuhiro Satoh,Motoya Kishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100237319A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Yasuhiro Satoh,Motoya Kishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069497A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Ultraviolet erasable nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4847667A. Автор: Seiichi Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5530276A. Автор: Shoichi Iwasa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110115014A1. Автор: Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140117434A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140246717A1. Автор: Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US11792992B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240008276A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348437A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021678A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160190152A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364489A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220139955A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180197878A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200243560A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170148815A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA,Shigeta OOTA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020074583A1. Автор: Seiki Ogura,Shinji Odanaka,Hiromasa Fujimoto,Nobuyo Sugiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US5594688A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090152618A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8247860B2. Автор: Masao Iwase,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150035045A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140061763A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150295170A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Ga Young Ha,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120241872A1. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9831270B2. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7875925B2. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120319077A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Daisuke Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796755B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8445349B2. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130023099A1. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140284692A1. Автор: Hiroshi Shinohara,Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9076722B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130341699A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory and making method thereof

Номер патента: US7268042B2. Автор: Kan Yasui,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7414285B2. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120171856A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

High-density nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5401992A. Автор: Takashi Ono. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-28.

Method for fabricating nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6030869A. Автор: Takashi Maejima,Hidenori Tanaka,Yoshinori Odake,Mitsuyoshi Andou,Toshimoto Kubota. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-02-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080121979A1. Автор: Yukie Nishikawa,Akira Takashima,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory cell and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20070075354A1. Автор: Takashi Ono,Narihisa FUJII,Kenji OHNUKI. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120273743A1. Автор: Masayuki Takata,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kenichi Ootsuka,Shuichi Kuboi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8735859B2. Автор: Masayuki Takata,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kenichi Ootsuka,Shuichi Kuboi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120193698A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Mitsuhiro Noguchi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397289B2. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080073703A1. Автор: Kiyoshi Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Memory cell and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7514738B2. Автор: Takashi Ono,Narihisa FUJII,Kenji OHNUKI. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory with backing wirings and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070296021A1. Автор: Hideki Sugiyama,Hideki Hara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8558302B2. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8587051B2. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7560766B2. Автор: Hiroshi Maejima,Mitsuhiro Noguchi,Takahiko Hara,Minori Kajimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Process for fabricating nonvolatile semiconductor memory with a selection transistor

Номер патента: US6492230B2. Автор: Ken-ichiro Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8546872B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120181598A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Riichiro Shirota,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Yoshihiko Saito,Ichiro Mizushima,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020195647A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120061746A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8916923B2. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Method of manufacturing split gate type nonvolatile memory device

Номер патента: US20050095785A1. Автор: Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-05.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US09917095B2. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180175048A1. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for producing a floating gate memory device including implanting ions through an oxidized portion of the silicon film from which the floating gate is formed

Номер патента: US5599727A. Автор: Shin-Ichi Sato,Kenji Hakozaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-02-04.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US7999306B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170125435A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150048440A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US8298900B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US09691779B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20050003619A1. Автор: Hiroki Yamashita,Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Ichiro Mizushima,Atsuhiro Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09595561B2. Автор: Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8598644B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor memory device using a ferroelectric characteristic of charge storage layer and operating method thereof

Номер патента: US12120883B2. Автор: Jin-Hong Park,Sang-Yong Park,Sungjoo Lee. Владелец: Research And Business Foundation Sungky. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11700723B2. Автор: Jaehoon Kim,Seungjae Jung,Kwangho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276713A1. Автор: Kyunghwan Lee,Juho Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor storage device having silicide in control gate electrode

Номер патента: US7705393B2. Автор: Shoichi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor memory devices

Номер патента: WO1999021235A1. Автор: John Martin Shannon. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-04-29.

Semiconductor Memory Devices Having Strain Layers Therein That Increase Device Performance And Methods of Forming Same

Номер патента: US20110254103A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130075687A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140377932A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20100308392A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method

Номер патента: EP1536483A4. Автор: Mitsumasa Koyanagi,Shinji Kondoh,Masaaki Takata. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US12048141B2. Автор: Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315002A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20150255486A1. Автор: Daigo Ichinose,Hisashi Kameoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264536A1. Автор: Hideto Takekida,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US20090224305A1. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Memory Device Implementing Unified Memory Architecture Integrating Multiple Memory Types

Номер патента: US20240155850A1. Автор: ChungTing Yao. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US20120238089A1. Автор: Shigeru Shiratake,Akio Nishida,Hisakazu Otoi,Yasuaki Yonemochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Epitaxial wafer and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20230141135A1. Автор: Junga LEE,Yeonsook Kim,Wooseung JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US20120058618A1. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100109069A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-06.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US8569828B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US8878282B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120273868A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140015033A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device using silicon nitride film as charge storage layer of storage transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090184365A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaru Kito,Katsuyuki Sekine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170278862A1. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09876029B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory devices for use in electrically alterable read only memory (ROM) and semiconductor thin film devices (spintrons and spin-orbitrons)

Номер патента: US09865811B2. Автор: Eugeniy Troyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620521B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20190103407A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20210057416A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240023332A1. Автор: Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

CMOS device using additional implant regions to enhance ESD performance and device manufactured thereby

Номер патента: US6703663B1. Автор: Jian-Hsing Lee,Yi-Hsun Wu,Jian-Ren Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor

Номер патента: US20030185086A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory devices including spacers on sidewalls of memory storage elements and related methods

Номер патента: TWI301309B. Автор: Jae-Hyun Park,Kyung-Chang Ryoo,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-21.

Memory devices including spacers on sidewalls of memory storage elements and related methods

Номер патента: TW200737422A. Автор: Jae-Hyun Park,Kyung-Chang Ryoo,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-01.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.