Nonvolatile semiconductor storage device including a discharge transistor for discharging a bit line to a source line.

Nonvolatile semiconductor storage device including a discharge transistor for discharging a bit line to a source line

Номер патента: US09830961B2
Опубликовано: 28-11-2017
Автор(ы): Hideto Takekida
Принадлежит: Toshiba Memory Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170092362A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Three dimensional non-volatile memory with separate source lines

Номер патента: US09947682B2. Автор: Nima Mokhlesi,Alexander Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor storage device and method of manufacturing semiconductor storage device

Номер патента: US20230062309A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20200302974A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory with a source plate discharge circuit

Номер патента: US20230046480A1. Автор: Michael A. Smith,Vladimir Mikhalev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Three dimensional non-volatile memory with separate source lines

Номер патента: EP3221893A1. Автор: Nima Mokhlesi,Alexander Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-27.

Three dimensional non-volatile memory with separate source lines

Номер патента: WO2016081172A1. Автор: Nima Mokhlesi,Alexander Chu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory device with bit lines disconnected from nand strings for fast programming

Номер патента: US20200243138A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory device with bit lines disconnected from nand strings for fast programming

Номер патента: US20190371394A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150070986A1. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20150262691A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Yuko Yokota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

NAND flash memory employing bit line charge/discharge circuit

Номер патента: US9190156B2. Автор: Mario Sako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200294595A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor storage device and data erasing method

Номер патента: US11923015B2. Автор: Tomoki Higashi,Sumito Ohtsuki,Shinichi Oosera,Yuki SOH. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Asymmetric pass field-effect transistor for nonvolatile memory

Номер патента: US10418110B2. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Asymmetric pass field-effect transistor for non-volatile memory

Номер патента: US09589652B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09548373B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Asymmetric pass field-effect transistor for nonvolatile memory

Номер патента: US20180358097A1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Asymmetric pass field-effect transistor for nonvolatile memory

Номер патента: US20200402588A1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Longitdue Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Asymmetric pass field-effect transistor for nonvolatile memory

Номер патента: US10020060B2. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Nonvolatile memory device including a logic circuit to control word and bitline voltages

Номер патента: US11869594B2. Автор: Sung-Min JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140231897A1. Автор: Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Masakazu YAMAGIWA,Takatoshi Watanabe,Wangying Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160087067A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Three dimensional memory device containing truncated channels and method of operating the same with different erase voltages for different bit lines

Номер патента: WO2023287474A1. Автор: Yu-Chung Lien,Keyur Payak,Huai-Yuan Tseng,Shinsuke YADA,Jiahui Yuan,Abhijith Prakash,Kazuki ISOZUMI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140085976A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9019763B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Nonvolatile memory devices and storage devices including nonvolatile memory devices

Номер патента: US09685211B2. Автор: Sunghoon Kim,Jeunghwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20230290417A1. Автор: Takeshi Hioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Read methods of memory devices using bit line sharing

Номер патента: US09633704B2. Автор: Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Toggling power supply for faster bit line settling during sensing

Номер патента: US20200265899A1. Автор: Anirudh Amarnath,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of operating nonvolatile memory device controlled by controlling coupling resistance value between bit line and page buffer

Номер патента: US8867274B2. Автор: Eun Jong Lee,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US10784275B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US09466373B2. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Nobuaki OKADA,Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-Volatile Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20150311219A1. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Memory Cell And Non-Volatile Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20170222036A1. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20140098609A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180315480A1. Автор: Seiichi Yamamoto,Tsuyoshi Okamoto,Kazuhisa Ukai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09502116B2. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110280072A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120195121A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Semiconductor storage device

Номер патента: US11756623B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20240296888A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8295091B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Kiyotaro Itagaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Storage device using wafer-to-wafer bonding and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125534B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190333580A1. Автор: Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device including select cutting structure, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20220392911A1. Автор: Youngsun CHO,Choasub KIM,Dongmin Kyeon,Hayan Park,Changhyun Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09672927B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060245263A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Koji Sakui. Дата публикации: 2006-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor storage device capable of selectively erasing data

Номер патента: US11715534B2. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Masumi SAITOH,Reika Tanaka,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20230317181A1. Автор: Masahiko Iga,Nobushi Matsuura,Kenro Kikuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070532A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070525A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09711235B2. Автор: Won-Tae Kim,Jin-Yub Lee,Yohan Lee,Venkataramana Gangasani,Sungwhan SEO,Dojeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile semiconductor storage device and method for performing a read operation on the same

Номер патента: US11232843B2. Автор: Takashi Maeda,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-25.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: USRE50034E1. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US11915786B2. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20230410915A1. Автор: Tomoya Sanuki,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228733B2. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240153544A1. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor storage device and method for performing a read operation on the same

Номер патента: US20210280257A1. Автор: Takashi Maeda,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Power supply circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20180102175A1. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor capacitance device, booster circuit and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20030031064A1. Автор: Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor storage device having bit line selection circuit formed in memory cell array

Номер патента: US12014799B2. Автор: Naohito Morozumi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100124117A1. Автор: Koji KATO,Masato Endo,Mitsuhiro Noguchi,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama,Kenji Gomikawa,Hiroyuki Kutsukake,Kanae Uchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor storage device having a plurality of blocks of memory cell transistors formed on respective wells isolated from each other

Номер патента: US6091632A. Автор: Shinichi Sato,Masanori Yoshimi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20240096417A1. Автор: Hiroshi Maejima,Keita Kimura,Katsuaki Isobe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor storage device

Номер патента: US11264102B2. Автор: Kiichi Tachi,Takashi Hirotani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-01.

Nonvolatile semiconductor memory including a read operation

Номер патента: US20240212757A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory and verify read operation

Номер патента: US09514836B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor storage device and program operation method for a select gate line of the semiconductor storage device

Номер патента: US20240029807A1. Автор: Katsuaki Isobe,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory including a read operation

Номер патента: US11948640B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20210125673A1. Автор: Kiichi Tachi,Takashi Hirotani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8750039B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09564240B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US8873298B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Memory device that performs sensing operation during a bit line pre-charge operation to determine adjustment to the bit line charging voltage

Номер патента: US09941013B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device including memory cell comprising first transistor, second transistor and capacitor

Номер патента: US09601429B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Three-dimensional memory device including three-dimensional bit line discharge transistors and method of making the same

Номер патента: WO2020068184A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Hardwell Chibvongodze. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Nonvolatile semiconductor storage device with cell transistors

Номер патента: US10700076B2. Автор: Kazuhisa Ukai,Koji Nigoriike. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-30.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20190131311A1. Автор: Kazuhisa Ukai,Koji Nigoriike. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262672A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Storage device and storage method

Номер патента: US09984731B2. Автор: Masahiro Kiyooka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US09583197B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Automated power noise susceptibility test system for storage device

Номер патента: US11880252B2. Автор: Wenwei Wang,XiaoFang Chen,Dean Hogle. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Automated power noise susceptibility test system for storage device

Номер патента: US20220357781A1. Автор: Wenwei Wang,XiaoFang Chen,Dean Hogle. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130058170A1. Автор: Yuji Takeuchi,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device, electronic card and electronic apparatus

Номер патента: US20050105334A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor storage device

Номер патента: US12106808B2. Автор: Koji KATO,Yoshihiko Kamata,Mario Sako,Mai SHIMIZU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor storage device and test method thereof using a common bit line

Номер патента: US09697911B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor storage device and test method thereof using a common bit line

Номер патента: US09508419B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149867A1. Автор: Hiroaki Tanaka,Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09704918B2. Автор: Takashi Nakazawa,Hiroyuki Takenaka,Mariko Iizuka,Tadashi Miyakawa,Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Controlled bit line discharge for channel erases in nonvolatile memory

Номер патента: US20090119447A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Jiani Zhang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-05-07.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory devices with common source line voltage compensation and methods of operating the same

Номер патента: US8446769B2. Автор: BoGeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Nonvolatile memory device having connection unit for allowing precharging of bit lines in single step

Номер патента: US09653155B1. Автор: Ki-Chang Gwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of data write therein

Номер патента: US20130088924A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US20160027513A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20230154505A1. Автор: Moosung Kim,Jin-Young Chun,Minjae Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120020154A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Utilizing NAND strings in dummy blocks for faster bit line precharge

Номер патента: US09595338B2. Автор: Hao Nguyen,Yuki Mizutani,Man Mui,Tien-Chien Kuo,Juan Carlos Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device, storage device including the same, and method of testing nonvolatile memory device

Номер патента: US20240331774A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Jaehue Shin,Gangmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including memory cell having capacitor

Номер патента: US20100214823A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Takita,Hiroyoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device including memory cell having capacitor

Номер патента: US20120225531A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Takita,Hiroyoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Circuits, systems and methods for driving high and low voltages on bit lines in non-volatile memory

Номер патента: US20120014185A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Nonvolatile memory device having a dummy bit line driver and operation method thereof

Номер патента: US11887672B2. Автор: Dongha Shin,SeungYeon Kim,Beakhyung Cho,Myeong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device including write access transistor having channel region including oxide semiconductor

Номер патента: US09589961B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09484105B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A2. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A3. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Bit line noise suppression and related apparatuses, methods, and computing systems

Номер патента: US20230377613A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Bit line noise suppression and related apparatuses, methods, and computing systems

Номер патента: US11961579B2. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130286748A1. Автор: Mario Sako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

A cell array with a manufacturable select gate for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2015051452A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Green Transistor for Resistive Random Access Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110063888A1. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7755941B2. Автор: Toshiaki Kawasaki,Masanori Shirahama,Yasue Yamamoto,Yasuhiro Agata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240282384A1. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09953713B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09852797B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09747988B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595337B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory device including a pass transistor circuit and a discharge transistor circuit

Номер патента: US20230071992A1. Автор: Jin HO KIM,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US7885106B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor storage device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11778820B2. Автор: Go Oike. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11908525B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11967833B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory with controlled bit line charging

Номер патента: US09887011B1. Автор: Ji-Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Bit line decoding scheme and circuit for dual bit memory with a dual bit selection

Номер патента: US20030031048A1. Автор: Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Bit line decoding scheme and circuit for dual bit memory with a dual bit selection

Номер патента: EP1274094A3. Автор: Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Switched Source Lines for Memory Applications

Номер патента: US20200066358A1. Автор: James Edward Myers,Supreet Jeloka,Pranay Prabhat. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Memory System Capable of Performing a Bit Partitioning Process and an Internal Computation Process

Номер патента: US20220262426A1. Автор: Yu-Wei Lin,Lih-Yih Chiou,Wei-Shuo Ling. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-08-18.

Flash array implementation with local and global bit lines

Номер патента: US6847552B2. Автор: Christophe Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-25.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20220310159A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20110205810A1. Автор: Akira Umezawa,Yoshiharu Hirata,Takamichi Kasai,Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor storage device including cell transistor performance measuring cells

Номер патента: US09747979B2. Автор: Keita Takahashi,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09653174B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile semiconductor storage device having improved reading and writing speed characteristics

Номер патента: US09478283B2. Автор: Kazuyuki Kouno,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Nonvolatile semiconductor storage device having memory strings and bit lines on opposite sides of the memory strings

Номер патента: US11955176B2. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device including common select line

Номер патента: US11437077B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Nonvolatile storage device and control method thereof

Номер патента: WO2009075832A1. Автор: Kenta Kato,Takaaki Furuyama,Masahiro Niimi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20100142257A1. Автор: Fujio Masuoka,Shintaro Arai. Владелец: Unisantis Electronics Japan Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20110298030A1. Автор: Fujio Masuoka,Shintaro Arai. Владелец: Unisantis Electronics Japan Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of writing multilevel data at high rate

Номер патента: US20030095432A1. Автор: Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US20150228574A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US09786558B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US09418998B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fuse cell circuit, fuse cell array and memory device including the same

Номер патента: US09595529B2. Автор: Kang-Seol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09613720B2. Автор: Noboru Shibata,Hitoshi Shiga,Kouichirou Yamaguchi,Makoto Miakashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device including ferroelectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11792995B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20240233838A1. Автор: Yousuke Hagiwara,Tomonori KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory

Номер патента: US09698202B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265426A1. Автор: Yuna NAKAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Page buffer, memory device including the page buffer and operating method thereof

Номер патента: US11776657B2. Автор: Tae Ho Kim,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Storage device, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US10860080B2. Автор: Kiyoshi Kato,Shuhei Maeda,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240268092A1. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device including pillar-shaped semiconductor element

Номер патента: US20230301057A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US20170358335A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Nonvolatile semiconductor memory device having a column decoder with multiple data bus portions connected via a switch

Номер патента: US9001582B2. Автор: Naofumi ABIKO,Tomofumi FUJIMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20040246759A1. Автор: Hirokazu Miyazaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device that achieves speedup in read operation

Номер патента: US7263002B2. Автор: Kayoko Omoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device that achieves speedup in read operation

Номер патента: US20050243622A1. Автор: Kayoko Omoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of rewriting data thereof

Номер патента: US20070183217A1. Автор: Yuji Uji,Katsutoshi Urabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Storage device using power state information and operating method thereof

Номер патента: US09672915B2. Автор: Se-wook Na,Hyunchul PARK,Young-Jae Jung,Durina Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Overvoltage detection in storage device and provision of status information

Номер патента: EP4075434A2. Автор: Jooyoung Kim,Minseok Kim,Jihong Kim,Heeyoub KANG,Kwangkyu BANG,Kiyhun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: US20240064973A1. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor storage device

Номер патента: RU2681344C1. Автор: Йосиаки ОСАДА,Косуке ХАЦУДА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2019-03-06.

Memory device with electrically parallel source lines

Номер патента: US11910723B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory Device With Source Lines in Parallel

Номер патента: US20240040936A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Storage device, method for manufacturing the same, and electronic device including storage device

Номер патента: US20240135986A1. Автор: Qi Wang,Huilong Zhu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-04-25.

Storage device, method for manufacturing the same, and electronic device including storage device

Номер патента: US20240233810A9. Автор: Qi Wang,Huilong Zhu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20220414414A1. Автор: Atsushi Kondo,Ryo YONEZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060114710A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20050207205A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060109703A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20050180192A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20040170045A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7227770B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US6934175B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Circuit configuration for discharging a capacitor which has been charged to a high voltage to a low voltage under the control of a control unit

Номер патента: US20030052541A1. Автор: Martin Bloch,Esther Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-20.

Crossbar array device applicable to graph data analysis, nueromorphic device including the same, operation method of crossbar array device and graph data analysis method using corssbar arrary device

Номер патента: US20240298453A1. Автор: Cheol Seong Hwang,Yoon Ho Jang,Jang Uk Han. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-05.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Sampling and storage device

Номер патента: RU2693291C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Александр Владимирович Филонович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-02.

Decoder circuit of semiconductor storage device

Номер патента: US20110205815A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor devices including resistive memory cells

Номер патента: US20170117042A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Sung-In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Page buffer circuit with bit line select transistor

Номер патента: US20230154545A1. Автор: Yang Zhang,JING Wei,KURIYAMA MASAO,Yan Wang,Teng CHEN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Flash memory device including circuitry for selecting a memory block

Номер патента: US6236594B1. Автор: Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-22.

Array-source line, bitline and wordline sequence in flash operations

Номер патента: US5657268A. Автор: Phat C. Truong,Sung-Wei Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20130148446A1. Автор: Toshiyuki Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor storage device

Номер патента: US8743631B2. Автор: Toshiyuki Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-06-03.

Memory device with source line control

Номер патента: US11776595B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230012303A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4270395A2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-01.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116976A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4270395A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20240212724A1. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device with source line control

Номер патента: US20230386536A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Bit line negative potential circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20120075936A1. Автор: Yuki Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Bit line precharge circuit having precharge elements outside sense amplifier

Номер патента: US20090238019A1. Автор: Seung Bong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Multi-level sensing circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20200234742A1. Автор: Tae Hun Kim,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Multi-level sensing circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20200234741A1. Автор: Tae Hun Kim,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Multi-level sensing circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20190237114A1. Автор: Tae Hun Kim,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Multi-level sensing circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10839869B2. Автор: Tae Hun Kim,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory circuit including a current switch and a sense amplifier

Номер патента: US09761283B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and a method of operating a bit line sense amplifier of the same

Номер патента: US9704545B2. Автор: Ki-Seok OH,Jonghyun Choi,Seong-Heon Yu,Dongwoo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Bit line control circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20070070706A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09552850B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor storage circuit, semiconductor storage apparatus, and data detection method

Номер патента: US20200051619A1. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor Memory Device Having Dummy Bit Line

Номер патента: US20140022831A1. Автор: Jin-Young Kim,Beak-Hyung Cho,Min-Gu Kang,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Sense amplifier local feedback to control bit line voltage

Номер патента: US09830987B2. Автор: Xiaowei Jiang,Yingchang Chen,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device which reads by decreasing effective threshold voltage of selector gate transistor

Номер патента: US20070014182A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4831592A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US09570173B2. Автор: Masahiro Yoshihara,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219024A1. Автор: Takeshi Kamigaichi,Jun Ogi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130077405A1. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Nonvolatile semiconductor storage device and control method thereof

Номер патента: US9076546B2. Автор: Hideki Arakawa,Akitomo Nakayama. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8817542B2. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nonvolatile semiconductor memory device in which write and erase threshold voltages are set at levels symmetrical about neutral threshold voltage of cell transistor

Номер патента: US20070014183A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor storage device and data read method

Номер патента: US20170040064A1. Автор: Satoshi Torii. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor storage device and data read method

Номер патента: US09704592B2. Автор: Satoshi Torii. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Sense amplifier local feedback to control bit line voltage

Номер патента: US20160254048A1. Автор: Xiaowei Jiang,Yingchang Chen,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US20070086246A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sakui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and read operation method including a source line check circuit

Номер патента: US09508445B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US20070242520A1. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US7502265B2. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-10.

Bit line stability detection

Номер патента: US20110188314A1. Автор: Man L. Mui,Tien-Chien Kuo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2011-08-04.

Bit line stability detection

Номер патента: USRE45567E1. Автор: Man L. Mui,Tien-Chien Kuo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09460794B2. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor storage apparatus

Номер патента: US20240071551A1. Автор: Yasushi Imai. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20160196872A1. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

System and Method for Bit-Line Control

Номер патента: US20110310674A1. Автор: Thomas Nirschl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09558815B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory access module for performing sensing operations on storage cells of a storage device to obtain soft information and executing a program mode to control access to the storage device

Номер патента: US09858996B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,wen-long Wang,Hsiao-Te Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Portable storage devices and methods of operating portable storage devices

Номер патента: US20210157762A1. Автор: Namhoon Kim,Jeayoung Kwon,Kyunghun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Method for recording unit management information, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US11803331B2. Автор: Hao Yang,Yang Zhang,Wan-Jun Hong,Wenbin Tao,Mengkai Wu,Yankai Dai. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device with source lines extending in a different direction

Номер патента: US20100246241A1. Автор: Shuichi Tsukada,Akiyoshi Seko. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: WO2012081732A1. Автор: Takashi Oshima,Kouji Watanabe,Toshikatsu Hida. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-21.

Memory device including multi-bit cell and operating method thereof

Номер патента: US20230352068A1. Автор: Chanho LEE,Duhwi Kim,Junghak SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240206150A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Temperature sensing circuit, voltage generation circuit, and semiconductor storage device

Номер патента: US20070121404A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20230036684A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-02-02.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US12106797B2. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-10-01.

Dynamic interface calibration for a data storage device

Номер патента: US20150160866A1. Автор: Ekram Hossain Bhuiyan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-11.

Memory device including a plurality of stacked memory cells

Номер патента: US12080345B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11837284B2. Автор: Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240046985A1. Автор: Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20020036913A1. Автор: Kazuyuki Yamazaki,Junnichi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240130105A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Data transmission circuit, method of making it, and storage device

Номер патента: US12106821B2. Автор: Kangling JI,Zengquan WU,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor storage device

Номер патента: US8681538B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20140153311A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor storage device

Номер патента: EP4113310A1. Автор: Atsushi Kondo,Ryo YONEZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-04.

Storage device and method of discharging an operating voltage

Номер патента: US12087349B2. Автор: Seunghan Lee,Hyunjoon Yoo,Kyoungeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic random access memory devices including shared heating straps

Номер патента: EP2758961A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US20160125940A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device including a memory array performing a multiplication and accumulation (MAC) operation using capacitors

Номер патента: US11881243B2. Автор: Hyukjin Lee,Kyunghyun Kim,Seonghwan Cho,Jino SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor channel based neuromorphic synapse device including trap-rich layer

Номер патента: US20190122098A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jae HUR. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-04-25.

Mass storage devices packages and software-defined arrays of such packages

Номер патента: WO2018029584A1. Автор: Zoltan Nagy,Nikola Knezevic,Soeren BLEIKERTZ. Владелец: Ibm Research Gmbh. Дата публикации: 2018-02-15.

Electronic device comprising storage devices transmitting reference clock via cascade coupling structure

Номер патента: US20200051601A1. Автор: JinHyeok Choi,Yongwoo JEONG,Hwaseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Data Transmission Circuit, Method Of Making It, And Storage Device

Номер патента: US20240029766A1. Автор: Kangling JI,Zengquan WU,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Electronic device comprising storage devices transmitting reference clock via cascade coupling structure

Номер патента: US20180090191A1. Автор: JinHyeok Choi,Yongwoo JEONG,Hwaseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-29.

Storage device frame assembly and server

Номер патента: US20230269898A1. Автор: Wei Chen Lin. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Selectively routing signals to data storage devices within a data storage system that includes a movable carriage

Номер патента: US20220122637A1. Автор: Krishnan Subramanian,Jon Trantham,Brett Herdendorf,Riyan Mendonsa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-04-21.

Data storage device mounting structure

Номер патента: US09658658B2. Автор: Hsuan-Chan Chiang,Hsiu-Ling YU. Владелец: Adlink Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Storage device carrier system

Номер патента: US20200100374A1. Автор: Wei Dong,Haifang Zhai,Xiaoping Wu,Yujie Zhou. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-03-26.

Storage device frame assembly and server

Номер патента: US11683906B2. Автор: Wei Chen Lin. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Server capable of accessing and rotating storage devices accommodated therein

Номер патента: US9955606B2. Автор: Richard S. Chen,Chaoching WU. Владелец: Super Micro Computer Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Server capable of accessing and rotating storage devices accommodated therein

Номер патента: US09795050B2. Автор: Richard S. Chen,Chaoching WU. Владелец: Super Micro Computer Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Storage device frame assembly and server

Номер патента: US20220377928A1. Автор: Wei Chen Lin. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Storage device frame assembly and server

Номер патента: US11930614B2. Автор: Wei Chen Lin. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Data storage device enclosure

Номер патента: US20180059742A1. Автор: Robert P. Ryan,Dean Mitcham Jenkins. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Data storage device enclosure

Номер патента: WO2018044384A1. Автор: Robert P. Ryan,Dean Mitcham Jenkins. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-03-08.

Data writing circuit for a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5910918A. Автор: Yasuaki Hirano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888751B2. Автор: Hideo Kasai,Akihiro Fujita,Kiichi Makuta,Masashii Wada,Atsushi Toukairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Storage device compatible with selected one of multiple interface standards

Номер патента: US10235306B2. Автор: Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09508413B2. Автор: Akira Katayama,Masahiro Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20230409241A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Nonvolatile memory devices having enhanced bit line and/or word line driving capability

Номер патента: US20060215440A1. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor storage device and control methods thereof

Номер патента: US20100246308A1. Автор: Masao Ide. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory device including three-dimensional racetrack and operating method thereof

Номер патента: US20240079040A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Data read-out circuit, data read-out method, and data storage device

Номер патента: US20020051376A1. Автор: Akira Yamamoto,Shoichiro Kawashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2016024632A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor storage device and control methods thereof

Номер патента: US8279701B2. Автор: Masao Ide. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-10-02.

Method and apparatus pertaining to a ferro-magnetic random access memory

Номер патента: US20120170351A1. Автор: Scott Summerfelt,Steven Craig Bartling,Michael Patrick Clinton,Hugh Mcadams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Memory systems including memory arrays employing column read circuits to control floating of column read bit lines, and related methods

Номер патента: WO2023278049A1. Автор: Amlan Ghosh,Sung Hao Lin. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory systems including memory arrays employing column read circuits to control floating of column read bit lines, and related methods

Номер патента: EP4364140A1. Автор: Amlan Ghosh,Sung Hao Lin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Sense amplifier, memory device including sense amplifier and operating method of memory device

Номер патента: US20240096402A1. Автор: Kyuchang KANG,Changyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Storage Device Test System

Номер патента: US20140021977A1. Автор: Kwang-Kyu Bang,Min-gwon Moon,Il-do Seo,Yu-hyun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory controller, a storage device, and an operating method of the storage device

Номер патента: US20240069790A1. Автор: Dongwoo Shin,Hyojin AHN,Seoyeong Lee,Changjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for inheriting defect block table and storage device thereof

Номер патента: US20230221868A1. Автор: HAO LI,Yinghui Fu,Yunlu Zhang. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for inheriting defect block table and storage device thereof

Номер патента: US12093534B2. Автор: HAO LI,Yinghui Fu,Yunlu Zhang. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Portable storage devices and methods of operating portable storage devices

Номер патента: US20210157385A1. Автор: Minseok Kim,Jeayoung Kwon,Kyunghun KIM,Youngkeun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Test mode circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09817065B2. Автор: Bo Kyeom Kim,Tae Seung SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Information processing device, external storage device, host device, relay device, control program, and control method of information processing device

Номер патента: US09785494B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Storage device reclassification based on reduced capability of the storage device

Номер патента: WO2023212429A1. Автор: Michael Rijo,Samuel Hudson,Robert Proulx,Erhan Aslan. Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device including sense amplifier having enhanced sensing margin and method of controlling the same

Номер патента: US11763878B2. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Byungjun Kang,Yunhee Lee,Daehyun KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

System and method for fine granular retention control in storage devices

Номер патента: EP4089542A1. Автор: Ramdas P. Kachare,Dongwan Zhao. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-16.

PSLC-scan-based storage device initialization system

Номер патента: US11983422B1. Автор: Samuel Hudson,Robert Proulx,Erhan Aslan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-14.

Information processing device, external storage device, host device, relay device, control program, and control method of information processing device

Номер патента: US11880267B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated circuit including a memory element programmed using a seed pulse

Номер патента: US20090310401A1. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp,Bernhard Ruf,Christian Ruster. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor storage device and driving method of the same

Номер патента: US09679644B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Takayuki Miyazaki,Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Low couple effect bit-line voltage generator

Номер патента: US20100157694A1. Автор: Yung Feng Lin,Jer-Hau Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09978445B2. Автор: Shinji Tanaka,Noriaki Maeda,Makoto Yabuuchi,Ken Shibata,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09548106B2. Автор: Shinji Tanaka,Noriaki Maeda,Makoto Yabuuchi,Ken Shibata,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US20230121199A1. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US12087351B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Variable resistive memory device including controller for driving bitline, word line, and method of operating the same

Номер патента: US09496032B2. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor storage device and control method of semiconductor storage device

Номер патента: US20230290391A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Pulsed sub-vdd precharging of a bit line

Номер патента: US20190272859A1. Автор: Greg M. Hess,Hemangi U. Gajjewar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Bit line clamp voltage generator for STT MRAM sensing

Номер патента: US09852784B2. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Bit line clamp voltage generator for STT MRAM sensing

Номер патента: US09666258B2. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20050003603A1. Автор: Takeo Takahashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20090027985A1. Автор: Yutaka Oka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

Variable voltage bit line precharge

Номер патента: US20240212745A1. Автор: Atul Katoch,Adrian Earle. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Bit line load circuit

Номер патента: US5508961A. Автор: Gwang M. Han. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Memory and interface circuit for bit line of memory

Номер патента: US09697890B1. Автор: Bing Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Pre-charging bit lines through charge-sharing

Номер патента: US11848047B2. Автор: Hung-jen Liao,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Pre-Charging Bit Lines Through Charge-Sharing

Номер патента: US20240079053A1. Автор: Hung-jen Liao,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Bit line equalizing control circuit of a semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20090303822A1. Автор: Woo Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Bit line equalizing control circuit of a semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7978551B2. Автор: Woo-Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Pre-charging bit lines through charge-sharing

Номер патента: US09922701B2. Автор: Hung-jen Liao,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Bit line accumulation readout scheme for an analog in-memory computation processing circuit

Номер патента: US20240177769A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-30.

Silicon-on-insulator (soi) circuitry for low-voltage memory bit-line and word-line decoders

Номер патента: US20230162789A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device with data sensing scheme regardless of bit line coupling

Номер патента: US5949727A. Автор: Young-Ho Lim,Byeng-Sun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-07.

Bit line sense amplifier, semiconductor memory device and multi bit data sensing method thereof

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kyungryun Kim,Younghun Seo,Soobong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US8467216B2. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US20110182099A1. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20080043539A1. Автор: Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240046974A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11430502B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11024360B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11842759B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210065770A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20090083202A1. Автор: Chika Tanaka,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor storage device

Номер патента: US8001065B2. Автор: Chika Tanaka,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Semiconductor storage device

Номер патента: US8830758B2. Автор: Kazuhiko Miki,Seiro Imai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Sense amplifier for nonvolatile semiconductor storage devices

Номер патента: US5243573A. Автор: Hiroyasu Makihara,Kenji Kohda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device, memory controller, and memory system

Номер патента: US20150049549A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120243338A1. Автор: Dai Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20120236644A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20160086646A1. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20050047203A1. Автор: Masaaki Hara,Tsunenori Shiimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Data storage device with only internal addressing

Номер патента: US6145060A. Автор: Yuichi Masuda,Akihide Takasu. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

Data storage device

Номер патента: WO1997045839A1. Автор: Yuichi Masuda,Akihide Takasu. Владелец: CASIO COMPUTER CO., LTD.. Дата публикации: 1997-12-04.

Semiconductor storage device

Номер патента: US8804409B2. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Read bus controlling apparatus for semiconductor storage device

Номер патента: US5901097A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Bit line charge accumulation sensing for resistive changing memory

Номер патента: US8638597B2. Автор: Young Pil Kim,Chulmin Jung,Yong Lu,Kang Yong Kim. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-01-28.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230410892A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-21.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307303A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US09703486B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Electronic device having semiconductor storage cells

Номер патента: US09543008B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor storage device with voltage generator

Номер патента: US20160365143A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor storage device with voltage generator which generates voltages and currents for read and write operations

Номер патента: US09928903B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor storage device with reduced current in standby mode

Номер патента: US09711208B2. Автор: Yuichiro Ishii,Yoshisato Yokoyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor storage device having TFET access transistors and method of driving the same

Номер патента: US09620199B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09824738B2. Автор: Tadashi Miyakawa,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20120069639A1. Автор: Kenji Tsuchida,Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor storage device

Номер патента: US8482969B2. Автор: Kenji Tsuchida,Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-09.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Storage device counting error correction

Номер патента: US20030206460A1. Автор: Yusuke Jono,Kunihiro Katayama,Takayuki Tamura,Motoki Kanamori,Atsushi Shikata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Timing generation circuit, semiconductor storage device and timing generation method

Номер патента: US20120127811A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor storage device and rewriting method thereof

Номер патента: US09679646B2. Автор: Hitoshi Suwa,Yuriko ISHITOBI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device having bit line disturbance preventing unit

Номер патента: US20100110772A1. Автор: Hyun-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US11960719B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20090141565A1. Автор: Tsuyoshi Koike. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Sense amplifier for sensing multi-level cell and memory device including the sense amplifer

Номер патента: US20200294574A1. Автор: Kyung-Ryun Kim,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor storage device having a divided word line structure

Номер патента: US6084821A. Автор: Tetsushi Hoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Asynchronous static random access memory device for propagating read-out data bit through single bit line

Номер патента: US5414657A. Автор: Yasunori Okimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Storage system having a host that manages physical data locations of a storage device

Номер патента: US12073093B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor storage device

Номер патента: US09460785B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor storage device and control method thereof

Номер патента: US20210294760A1. Автор: Takayuki Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor storage device and control method of semiconductor storage device with detecting levels of a multi-ary signal

Номер патента: US09858998B2. Автор: Takeshi Sugimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20170263298A1. Автор: Tadashi Miyakawa,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Storage device

Номер патента: US09990965B2. Автор: Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device including a transistor with an oxide semiconductor film channel coupled to a capacitor

Номер патента: US09666271B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for Discharging and Equalizing Sense Lines to Accelerate Correct MRAM Operation

Номер патента: US20070070748A1. Автор: James Lai,Kuang-Lun Chen. Владелец: Northern Lights Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20120063215A1. Автор: Masahiro Takahashi,Yoshihiro Ueda,Katsuyuki Fujita,Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20140321194A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor storage device

Номер патента: US20120236661A1. Автор: Toshikazu Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Bias-controlled bit-line sensing scheme for edram

Номер патента: US20190228812A1. Автор: Abraham Mathews,Donald W. Plass. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Memory device including phase change memory cell and operation method thereof

Номер патента: US11948632B2. Автор: Jungyu Lee,Jongryul Kim,Hyunkook Parak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device using nonvolatile storage elements to which data can be written only once

Номер патента: US7505300B2. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-17.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device including racetrack and operating method thereof

Номер патента: US20230335172A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Data storage device integrating wedge repeatable runout (wrro) learning into data recovery procedure (drp)

Номер патента: US20230282237A1. Автор: Jim French,Chuanwen Ji,Gary Herbst,Austin Striegel. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Latch mechanism for data storage device

Номер патента: US20060284524A1. Автор: Xin-Hu Gong,Jun-Xiong Zhang,Zhi-Xin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Mounting apparatus for storage devices

Номер патента: US20040238717A1. Автор: Yun Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Damping vibrations within storage device testing systems

Номер патента: US09779780B2. Автор: Peter Martino. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Securing mechanism for data storage device

Номер патента: US09898055B1. Автор: Chih-Hsiang Fan. Владелец: Nanning Fugui Precision Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for manufacturing information storage devices

Номер патента: AU5949396A. Автор: Robert G. Russell,Gary Anderson,Wilhelm Taylor,Douglas E. Hoover,Charles Depuy,Zdenek A. Hollen,Russell A. Meyer,Kent T. Murphy,Christopher J. Monsen,Herbert E. Heaton,Christopher A. Knorr,David L. Papiernik,James K. Louie,Leonardus J. Grassens,Hollis II O'Neal Hall. Владелец: Discovision Associates. Дата публикации: 1997-08-14.

Data storage device with mapping and mitigation of laser mode hop effects in heat-assisted magnetic recording (hamr)

Номер патента: WO2024118257A1. Автор: Naoto Ito,Bernhard E. Knigge,Phillip S. Haralson,Derrick Burton. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Data storage device with adjacent track interference-aware servo trajectories

Номер патента: US20240221785A1. Автор: Wayne H. Vinson. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Data storage device with rapid in-field repeatable runout noise removal calibration

Номер патента: US20240290348A1. Автор: Noureddine Kermiche,Xianghui Xiao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Data storage device with adjacent track interference-aware servo trajectories

Номер патента: US12112778B2. Автор: Wayne H. Vinson. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semi-permanent enclosure for optical data storage device

Номер патента: AU714235B2. Автор: Trevor Alan Burroughs. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-23.

Data storage device integrating wedge repeatable runout (WRRO) learning into data recovery procedure (DRP)

Номер патента: US11790949B2. Автор: Jim French,Chuanwen Ji,Gary Herbst,Austin Striegel. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Storage device fixing bracket

Номер патента: US20200301484A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Hua Zhang,Ling-Xin Zeng. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory storage device having a locking handle

Номер патента: US20050062378A1. Автор: Frank Wojcik. Владелец: Frank Wojcik. Дата публикации: 2005-03-24.

Damping vibrations within storage device testing systems

Номер патента: WO2011159698A2. Автор: Peter Martino. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2011-12-22.

Data storage device with mapping and mitigation of laser mode hop effects in heat-assisted magnetic recording (hamr)

Номер патента: US20240177735A1. Автор: Naoto Ito,Bernhard E. Knigge,Phillip S. Haralson,Derrick Burton. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Pixel and display device including the same

Номер патента: US20240233623A9. Автор: Won Jun Lee,Chol Ho Kim,Yong Bin KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display device including a plurality of color filters and a plurality of light emitting layers

Номер патента: US10916594B2. Автор: Tohru Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Pixel and display device including the same

Номер патента: US20240135868A1. Автор: Won Jun Lee,Chol Ho Kim,Yong Bin KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Antenna using multi feeding antenna and electronic device including same

Номер патента: EP3734374A1. Автор: Sanggon Shin,Suk Hyun,Jinwoo Jung,Inyoung LEE,Sewoong KIM,Woosuk KANG,Youngjae KO,Chaeup YOO,Sangbong SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-04.

Power storage device management system, storage device, server device, power storage device management method, program, and storage medium

Номер патента: US12001983B2. Автор: Kuniaki Ikui. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Performance deterioration detecting apparatus and performance deterioration detecting method for energy storage device, and energy storage system

Номер патента: US09864017B2. Автор: Shigeki Yamate,Yohei Tao. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Electric storage device management apparatus, electric storage apparatus, electric storage system, and a method of managing electric storage device

Номер патента: US09733311B2. Автор: Masashi Nakamura,Takeshi Itagaki. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing method of laminated power storage device and inspection method of laminated power storage device

Номер патента: US20220123355A1. Автор: Seigo FUJISHIMA. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Inspection method of laminated power storage device

Номер патента: US11894522B2. Автор: Seigo FUJISHIMA. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Self-diagnosis system for an energy storage device

Номер патента: CA2448277C. Автор: Yves Choquette,Michel Parent,Frédéric LAGÜE,Jean-Pierre Vaillancourt,Monique Richard,Sebastien Geoffroy,Estelle Potvin. Владелец: Bathium Canada Inc. Дата публикации: 2011-02-08.

Light source device having laser light emitting elements adhesively fixed to a light source element holder, projector, and light source device fabrication method

Номер патента: US09477145B2. Автор: Tomio Higo. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

CONTROL SYSTEM INCLUDING A BEAM STABILIZER AND A PHASE MODULATION CAPABLE ACOUSTO-OPTIC MODULATOR FOR DIVERTING LASER OUTPUT INTENSITY NOISE TO A FIRST ORDER LASER LIGHT BEAM AND RELATED METHODS

Номер патента: US20180173027A1. Автор: COREY CHRISTOPHER A.,Morse Randall K.,Wasilousky Peter A.,Logan Catheryn D.,Lange Michael R.,Burberry Lee M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Method for discharging a fuel-cell stack for supplying power to a traction electric machine of a motor vehicle

Номер патента: US20240092177A1. Автор: Serge Loudot,David Gerard. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Sound-enhancing storage device

Номер патента: US20160105049A1. Автор: Mark W. SCHELLER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-14.

System for cooling storage device and smart vehicle including the same

Номер патента: US11305614B2. Автор: Seung Yong Lee,Myoung Seo KIM,Young Pyo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Methods, Systems, and Apparatuses For a Wireless Storage Device

Номер патента: US20240351702A1. Автор: Charles E. Magee. Владелец: Federal Express Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods, Systems, and Apparatuses For a Wireless Storage Device

Номер патента: US20240351703A1. Автор: Charles E. Magee. Владелец: Federal Express Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods, systems, and apparatuses for a wireless storage device

Номер патента: US12037130B2. Автор: Charles E. Magee. Владелец: Federal Express Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Storage device security system

Номер патента: US09998464B2. Автор: Chitrak Gupta,Sushma Basavarajaiah. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-06-12.

Identification of storage device for trouble shooting

Номер патента: US09713215B2. Автор: Ching-Chih Shih. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Mounting assembly for storage device

Номер патента: US20090290311A1. Автор: Wen-Tang Peng,Jun-Xiong Zhang,Zhi-Xin Li. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-26.

Electronic device including camera module

Номер патента: US20240314947A1. Автор: Sanghun Park,Yonggil Han,Myunghyo BAE,Sohyeon PARK,Jongjoo Je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage device for managing data based on time information and operation method thereof

Номер патента: US20240241825A1. Автор: Seung-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Charging system including a battery pack that outputs a stop request signal and a charging apparatus that stops power conversion in receipt of the stop request signal

Номер патента: US09647479B2. Автор: Toru Yamada,Hitoshi Suzuki,Tatsuki Mori,Shinichi Hira. Владелец: Makita Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Lens assembly and electronic device including same

Номер патента: US20240126054A1. Автор: Hwanseon LEE,Min Heu,Jungpa SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Touch detection device including a set of capacitors and used to detect a touch event

Номер патента: US20170242528A1. Автор: Yi-Chung Chou,Tzu-An Lin,Yu-Chin Chen. Владелец: ITE Tech Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Display device including photo-sensing pixels

Номер патента: US20230329020A1. Автор: Gun Hee Kim,Sang Hwan CHO,Dae Young Lee,Kwang Soo BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

A method for operating an electrical energy storage device by an electronic computing device for emergency events, a corresponding computer program product, a corresponding computer-readable storage medium, as well as a corresponding electronic computing device

Номер патента: WO2024120693A1. Автор: Sorin Panainte. Владелец: MERCEDES-BENZ GROUP AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Storage device firmware bootloader recovery system and method therefor

Номер патента: US20210150032A1. Автор: Nicholas D. Grobelny,Simon Kan Lip Vui. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-05-20.

Screw, method of manufacturing the same and related storage devices

Номер патента: US10746219B2. Автор: Haifang Zhai,Ricky Liu,David Dong. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-08-18.

System for cooling storage device and smart vehicle including the same

Номер патента: US20200114730A1. Автор: Seung Yong Lee,Myoung Seo KIM,Young Pyo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

System and method for internal etching surfaces of transparent materials with information pertaining to a blockchain for authenticating a time keeping device

Номер патента: WO2024163967A1. Автор: Omar Besim Hakim,Andrew Block,JR. Billy R. LEWIS. Владелец: EllansaLabs Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Establish access to a service using machine-readable code

Номер патента: US20210312251A1. Автор: Tarek B. Kamel,James Shang Kai Chou,Rachel Anne BROWN TELLER,Kristina K. HOTZ,Neelam Anuradha REDDY,Peter M. Tsang. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Communication of cloud-based content to a driver

Номер патента: EP2991358A3. Автор: Emrah Akin Sisbot,Veeraganesh Yalla. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-08.

Image processing apparatus on which output candidate images less than or equal to a predetermined number are selectably displayed

Номер патента: US09456093B2. Автор: Koji Maeda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Magnification-purpose external optical module external to portable terminal with camera, and magnification imageing device including the same

Номер патента: US20180210323A1. Автор: Jong Woo Ahn,Young Hyun Baek,Yo Shik Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-26.

System and Method for Internal Etching of Transparent Materials with Information Pertaining to a Blockchain

Номер патента: US20230246831A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: Ellansalabs Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

System and Method for Internal Etching Surfaces of Transparent Materials with Information Pertaining to a Blockchain

Номер патента: US20230239147A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: Ellansalabs Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

System and Method for Internal Etching of Transparent Materials with Information Pertaining to a Blockchain

Номер патента: US20230239146A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: Ellansalabs Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Lamination device and method for discharging defective electrode cell assembly of lamination device

Номер патента: EP4113684A1. Автор: Ha Yong Jung,Jong Myung Lee,Kyu Sang Lee,Hyun Jae PARK,Gyu Hwan CHOE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Light source device including discharge lamp, irradiation device and distinguishing method for discharge lamp

Номер патента: US11913985B2. Автор: Tomihiko Ikeda. Владелец: Phoenix Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

A bus driver circuit configured to partially discharge a bus conductor to decrease line to line coupling capacitance

Номер патента: WO1997020390A1. Автор: Joseph P. Geisler. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-05.

Display device including display control circuit and method for controlling thereof

Номер патента: US11823611B2. Автор: Akira Shibazaki. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Host device, storage device, and method of operating the same

Номер патента: US11989446B2. Автор: Hyun Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrating host-side storage device management with host-side non-volatile memory

Номер патента: US20200019346A1. Автор: Yang Liu,QI Wu,Tong Zhang,Wentao Wu,Thad OMURA. Владелец: ScaleFlux Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Sub-block input/output (I/O) commands for storage device including byte stream buffer

Номер патента: US09891824B2. Автор: Hyojun Kim,David D. Chambliss,Lawrence Y. Chiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Long-term storage device including a ventilated storage case intended to house a containment case containing radioactive materials

Номер патента: US09595358B2. Автор: Justo Garcia,Dai Yokoe,Pascal Prud'homme. Владелец: TN International SA. Дата публикации: 2017-03-14.

Data storage device for forcibly discharging residual voltage, method operating the same, and data processing system including the same

Номер патента: US20150121093A1. Автор: In Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Systems and methods for managing replication of data to a remote storage device

Номер патента: US11403181B2. Автор: Subash RAJAA,Sunil Hasbe,Om Prakash AGARWAL,Anish Vaidya. Владелец: Veritas Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-02.

Systems and methods for managing replication of data to a remote storage device

Номер патента: US20200167239A1. Автор: Subash RAJAA,Sunil Hasbe,Om Prakash AGARWAL,Anish Vaidya. Владелец: Veritas Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Storage system and information processing method with storage devices assigning representative addresses to reduce cable requirements

Номер патента: US09746986B2. Автор: Tsuyoshi Uchida,Takashi Kuwayama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20230350803A1. Автор: Yong Jin,Young Kyun SHIN,Jung Ki Noh,Seung Won Jeon,Keun Hyung KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Persistent storage device with NVRAM for staging writes

Номер патента: US09501398B2. Автор: Patrick Chiu,Brian O'Krafka,Aaron Olbrich,Darpan Dinker,Johann George,Evgeny FIRSOV. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Data and metadata storage in storage devices

Номер патента: US20200133773A1. Автор: Chetan Bendakaluru Lingarajappa. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2020-04-30.

Degradation compensating pixel circuit and organic light emitting diode display device including the same

Номер патента: US09552796B2. Автор: Young-In Hwang,Yong-sung Park,Chul-Kyu Kang,Tak-Young Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Coded removable storage device allowing change detection

Номер патента: EP2176800A1. Автор: Tomi Lahcanski,Jay A. Endsley,Joseph Lentz. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-04-21.

Releasing space on secondary storage device for resynchronization

Номер патента: US20200081803A1. Автор: Matthew Sanchez,Gregory E. McBride,Theresa M. BROWN,Carol S. Mellgren,Nicolas M. Clayton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Automatic storage management in networked data storage systems using storage device monitoring

Номер патента: US20230259292A1. Автор: Matan Keret,Olga CHUKHRIAIEVA,Sergii LEBID. Владелец: Nice Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Computing device operational control using monitored energy storage device health parameters

Номер патента: WO2020242688A1. Автор: Neeraj Ladkani,Rameez Kazi,Tom Long Nguyen,Tracy Alan COREY,Jeffrey Matthew SHUEY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-03.

Method and system to locate a storage device

Номер патента: US20080133878A1. Автор: Louis Marcel Gino Monier,Jean-Michel Leon. Владелец: eBay Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Computer storage device retention mechanism

Номер патента: US20110032671A1. Автор: Tom J. Searby,Ronald P. Dean. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-02-10.

Proactive caching of data for accelerator cores in a storage device

Номер патента: US20240273027A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Storage device sharing system and storage device sharing method

Номер патента: US12045499B2. Автор: Chun-Chieh Chan,Wei-Lun Huang,Chia-Fen Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage device storage tray with leaf spring retainers

Номер патента: US09798362B2. Автор: Jason David Adrian. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Storage device and motherboard able to support the storage device

Номер патента: US09703745B2. Автор: Miao He,Guo-Yi Chen,Xiao-Gang Yin. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Storage device storage tray

Номер патента: US09690335B2. Автор: Jason David Adrian. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Energy storage system startup method and energy storage device

Номер патента: EP3719641A1. Автор: Rao HUANG. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Modification of when workloads access data units and/or on which storage devices data units are stored to conserve power

Номер патента: US20180046243A1. Автор: Nathan J. Peterson,John Scott Crowe,Amy Leigh Rose,Jason A. Matteson,Bryan L. Young,Gary David Cudak,Jennifer J. Lee-Baron. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Pixel and display device including the same

Номер патента: US20240212619A1. Автор: Dong Woo Kim,Yeon Kyung Kim,Kwi Hyun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Pixel circuit and display device including the same

Номер патента: US20240355279A1. Автор: Wonjun Lee,Sehyun Lee,Jinjoo Ha. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Display apparatus, electronic device including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09997096B2. Автор: Hyun-Chang Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Electronic device and voltage adjustment circuit for storage device thereof

Номер патента: US09804663B2. Автор: Meng-Liang Yang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Pixel and organic light emitting display device including current mirror

Номер патента: US09548022B2. Автор: Jeong-Hwan Kim,Sang-Ho Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Persistent storage device with nvram for staging writes

Номер патента: WO2014105448A1. Автор: Patrick Chiu,Brian O'Krafka,Aaron Olbrich,Darpan Dinker,Johann George,Evgeny FIRSOV. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2014-07-03.

Data storage device including temporary storage locations

Номер патента: US20180181303A1. Автор: David Robison Hall. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Storage device cache memory management

Номер патента: EP1454238A1. Автор: Claude Chapel,Jean-Charles Guillemot,Jean Le Roux. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2004-09-08.

Threat detection using a measured storage device

Номер патента: US20240176915A1. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Testing apparatus for data storage devices

Номер патента: WO2023027789A1. Автор: Ba Duong Phan,Alireza Daneshgar. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Storage device, storage system, and operating method thereof capable of dynamically allocating write blocks to a stream

Номер патента: US11899947B2. Автор: Su Hwan Kim,Min Ji Kim,Sang Won Jung,Hye Jeong Jang,Min Sik Son,Dong Hwan Jeong,Young Rae Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory system and storage device capable of permanently deleting data stored in a non-volatile memory

Номер патента: US20190130135A1. Автор: Kyung Ho Kim,Jin-Hwan Park,Min-Chul Kim,Sun-Mi Yoo,Ki Hyun Choi,Hyun Su Jang,Sagar Uttarwar,Yong Gil Song,Min Gon Shin,Seung Yeun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Cache over-provisioning in a data storage device

Номер патента: US09842060B1. Автор: Mark A. Gaertner,Sumanth Jannyavula Venkata,Jonathan G. Backman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Fuel storage device, an aircraft, and a method

Номер патента: US09623980B2. Автор: Stephane Mougin,Roland Meillat. Владелец: Airbus Helicopters SAS. Дата публикации: 2017-04-18.

Controller and persistent memory shared between multiple storage devices

Номер патента: US12118240B2. Автор: Steven C. Miller,Sanjeev Trika,James R. Harris,Kapil Karkra,Bishwajit Dutta,Benjamin Walker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method for transmitting information from a paging device to a receiver

Номер патента: USH1772H. Автор: Masaaki Akahane. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Portable storage devices for electronic devices

Номер патента: EP2780790A1. Автор: Qiang Zhao,Borgar Ljosland,Thomas Langas,Asbjorn Djupdal,Torstein Hernes Dybdahl. Владелец: FXI TECHNOLOGIES AS. Дата публикации: 2014-09-24.

Display device including a light-emitting mode and a neural network mode

Номер патента: US11842276B2. Автор: Hyun Jun Lim,Byung Ki Chun,Jun Gyu Lee,Hyeon Min KIM,Young Wook Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Computing system including memory device and storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4276639A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Methods for controlling data transfer speed of a data storage device and a host device utilizing the same

Номер патента: US20180157417A1. Автор: Yen-Hung Chen,Fu-Jen Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Storage device sharing system and storage device sharing method

Номер патента: US20230133879A1. Автор: Chun-Chieh Chan,Wei-Lun Huang,Chia-Fen Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Storage device control system and storage device control apparatus

Номер патента: US20160041765A1. Автор: Kensaku Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Storage device testing module

Номер патента: US20230087045A1. Автор: Yun Chang,Kwangkyu BANG,Sanggeun Yoo,Kiljoong Yun,Songrye Choi,Jaegyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Computing system including memory device and storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230359566A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Automatic storage management in networked data storage systems using storage device monitoring

Номер патента: US11875049B2. Автор: Matan Keret,Olga CHUKHRIAIEVA,Sergii LEBID. Владелец: Nice Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Data storage device mounting apparatus

Номер патента: US20130050925A1. Автор: Chun Tang,Quan-Guang Du,Wei-Kuang Liang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Data storage device mounting apparatus

Номер патента: US9063706B2. Автор: Chun Tang,Quan-Guang Du,Wei-Kuang Liang. Владелец: Zhongshan Innocloud Intellectual Property Services Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Storage device testing module

Номер патента: US12019485B2. Автор: Yun Chang,Kwangkyu BANG,Sanggeun Yoo,Kiljoong Yun,Songrye Choi,Jaegyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of arranging data on persistent storage device

Номер патента: EP4202630A1. Автор: Stuart John Inglis,Dmitry Lapik,Sheridan John LAMBERT,Herbert Dennis Hunt,Adam Gworn Kit Fleming,Matthew Sylvain Lazaro,Rafael John Patrick SHUKER,Pradeep Balakrishnan. Владелец: Nyriad Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Data storage device and operating method thereof, and storage system including the same

Номер патента: US20200310986A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Secure Storage Device

Номер патента: US20180127180A1. Автор: Graeme Gordon. Владелец: Sneakguard LLC. Дата публикации: 2018-05-10.

Logical address range mapping for storage devices

Номер патента: US20190004941A1. Автор: Igor Genshaft,Marina Frid. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Techniques for a write transaction at a storage device

Номер патента: WO2017112164A1. Автор: Sanjeev N. Trika,Kshitij A. Doshi,Sridharan Sakthivelu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Storage device, computer-readable recording medium, and storage control method

Номер патента: US9208114B2. Автор: Jun Kato,Yasuo Noguchi,Masahisa Tamura,Toshihiro Ozawa,Tatsuo Kumano,Munenori Maeda,Ken Ilzawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Storage device, computer-readable recording medium, and storage control method

Номер патента: US20130138893A1. Автор: Jun Kato,Yasuo Noguchi,Masahisa Tamura,Toshihiro Ozawa,Tatsuo Kumano,Munenori Maeda,Ken Ilzawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Techniques for a write transaction at a storage device

Номер патента: EP3394762A1. Автор: Sanjeev N. Trika,Kshitij A. Doshi,Sridharan Sakthivelu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Devices, systems, and methods for reconfiguring storage devices with applications

Номер патента: US20190146696A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Ashutosh Kumar Das. Владелец: Smart IOPS Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Storage device and method of operating storage device

Номер патента: EP3633517A1. Автор: Yeon Woo Kim,Walter JUN,Jea Young Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-08.

Efficient Deallocation and Reset of Zones in Storage Device

Номер патента: US20240168684A1. Автор: Xiaoying Li,Hyuk-Il Kwon. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Storage device and method of operating storage device

Номер патента: US20200110677A1. Автор: Yeon Woo Kim,Walter JUN,Jea Young Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Modification of when workloads access data units and/or on which storage devices data units are stored to conserve power

Номер патента: US20190094947A1. Автор: Nathan J. Peterson,John Scott Crowe,Amy Leigh Rose,Jason A. Matteson,Bryan L. Young,Gary David Cudak,Jennifer J. Lee-Baron. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Storage device mounting apparatus

Номер патента: US20050280983A1. Автор: Li-Ping Chen,Li-Yuan Wang,Yuan-Lin Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Failure Recovery Using Command History Buffer in Storage Device

Номер патента: US20240168682A1. Автор: Nataniel PEISAKHOV,Natan TABACHNIK,Roman LIVSHITS,Moshe KARNI,Maor KATZ,Paz BEN AHARON. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Determining a radiation treatment plan for delivering radiation to a patient using an external-beam radiation treatment system

Номер патента: EP3744395A1. Автор: Esa KUUSELA,Marco Lessard,Lauri Halko,Edit SIKET-SZASZ. Владелец: VARIAN MEDICAL SYSTEMS INTERNATIONAL AG. Дата публикации: 2020-12-02.

Memory polling method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US12135900B2. Автор: XIN Wang,Jing Zhang,Qi-Ao Zhu,Kuai Cao,Xu Hui Cheng,Wan-Jun Hong. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Column data driving circuit including a precharge unit, display device with the same, and driving method thereof

Номер патента: US09653034B2. Автор: HEE-JUNG KIM,Ki-Seok Cho,Dae-Ho Lim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Instrument plectrum and system for providing technique feedback and statistical information to a user

Номер патента: US09640151B2. Автор: Michael G. Murawski. Владелец: Pickatto LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and system for identifying drawing primitives for selective transmission to a remote display

Номер патента: US09448760B2. Автор: Dustin BYFORD,Anthony Cannon,Ramesh DHARAN. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for programming data, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09430325B2. Автор: Ming-Jen Liang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Computer product, method, and system to dynamically manage storage devices accessed remotely over a network

Номер патента: US20200241749A1. Автор: Dave B. Minturn,Phil C. Cayton,Jay E. Sternberg,James P. Freyensee,Anthony J. KNAPP. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

System for reducing hypersensitivity and method of controlling a device that outputs a stimulus to a subject

Номер патента: WO2024079246A1. Автор: Elena BOERLIN. Владелец: Its-Easy Boerlin. Дата публикации: 2024-04-18.

Household refrigerator including a vacation switch

Номер патента: CA1124815A. Автор: Frank A. Schumacher. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1982-06-01.

Radiographic system including a transport system having two independent portions for serial continuous transporting of image plates

Номер патента: US4659929A. Автор: Hiroshi Kageyama,Shigemi Fujiwara,Katsuhide Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-04-21.

Fixation system of a strap to a camera including a buckle and a button

Номер патента: AU2021204527A1. Автор: Anton Ruckman,Josefina Piccardo,Christian Gibson. Владелец: Gobe Corp Uk Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Sound absorbing structure having one or more acoustic scatterers attached to a transparent panel

Номер патента: US11854522B2. Автор: Debasish Banerjee,Yasushi Hirata,Xiaoshi Su,Tomohiro Miwa,Reimi EMOTO. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Garbage collection method and storage device

Номер патента: US20210141556A1. Автор: Jinyi Wang,Xiangfeng LU. Владелец: Beijing Memblaze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Control system including a beam stabilizer and a phase modulation capable acousto-optic modulator for diverting laser output intensity noise to a first order laser light beam and related methods

Номер патента: EP3531197B1. Автор: Michael R. Lange,Christopher A. Corey,Randall K. Morse,Lee M. Burberry,Peter Alan Wasilousky,Catheryn D. Logan. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2021-01-13.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230371278A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Finfet devices including high mobility channel materials with materials of graded composition in recessed source/drain regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150035008A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Finfet devices including high mobility channel materials with materials of graded composition in recessed source/drain regions

Номер патента: US09685509B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Process for fabricating nonvolatile semiconductor memory with a selection transistor

Номер патента: US6492230B2. Автор: Ken-ichiro Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140084353A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device including 3d memory structure

Номер патента: US20240121939A1. Автор: Yu-Ting Lin,Jiann-Jong Wang,Chung-Hsin Lin,Shih-Fan Kuan,Hsu-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Circuit and an electronic device including a transistor and a component and a process of forming the same

Номер патента: US20190333992A1. Автор: Agajan Suwhanov,Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-10-31.

Brush assembly and wafer cleaning device including the same

Номер патента: US20240290637A1. Автор: Donghoon Kwon,Minseon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Light emitting device including flexible substrate

Номер патента: US12095017B2. Автор: Yukitoshi Marutani. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device including an insulative layer having a gap

Номер патента: US5917231A. Автор: Nobuyuki Kasai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Semiconductor device with buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US20130292792A1. Автор: Ki-Ro Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Substrate, integrated circuit device including the substrate, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20200043728A1. Автор: Yeon-Sook Kim,Doek-gil Ko,In-ji LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of placing a micro device to a receiver substrate

Номер патента: US12080685B2. Автор: Gholamreza Chaji,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for transferring a useful layer to a front face of carrier substrate

Номер патента: US20240357937A1. Автор: Nadia Ben Mohamed,Cedric Charles-Alfred. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit including a capacitive element and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12057513B2. Автор: Christian Rivero,Brice Arrazat,Julien Delalleau,Joel Metz. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-08-06.

Apparatus and Semiconductor Structure including a Multilayer Package Substrate

Номер патента: US20160225689A1. Автор: Nathan Perkins. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Integrated circuit including a capacitive element and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20230327028A1. Автор: Christian Rivero,Brice Arrazat,Julien Delalleau,Joel Metz. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Energy storage device and a method of preparing the same

Номер патента: US20200312579A1. Автор: Chunyi Zhi,Yukun Wang,Hongfei Li,Zijie Tang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2020-10-01.

Power storage device

Номер патента: EP4369511A1. Автор: Naoyuki Kitamura. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Power storage device

Номер патента: US20240274942A1. Автор: Kazuki Oshima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Energy storage device and method of assembly of an energy storage device

Номер патента: US20240266612A1. Автор: Madhavi Srinivasan,Yi Cai,Jun Jie Ernest TANG,Yong Sheng Rodney CHUA. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Power storage device manufacturing method and power storage device

Номер патента: US20240250356A1. Автор: Yuki Hara,Kazuki Tamura. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for cooling of an electric energy storage device

Номер патента: US20240237314A1. Автор: Jeffery Lee,Keith Weston,Jim Stevens. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Power storage device manufacturing method and power storage device

Номер патента: EP4406689A1. Автор: Yuki Hara,Kazuki Tamura. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Energy storage device assembly

Номер патента: US09899643B2. Автор: Jake Pyzza,Daniel Matthew Halbig,Bryce Gregory,Tomas Sadilek,Robert Houston Lawler, Jr.,Daniel Alexander Patsos,Steve Andrew Correll. Владелец: Ioxus Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Power storage device and method for manufacturing electrode

Номер патента: US09799461B2. Автор: Nobuhiro Inoue,Kosei Noda,Kazutaka Kuriki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Energy storage device assembly

Номер патента: US09738976B2. Автор: Jake Pyzza,Daniel Matthew Halbig,Bryce Gregory,Tomas Sadilek,Robert Houston Lawler, Jr.,Daniel Alexander Patsos,Steve Andrew Correll. Владелец: Ioxus Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Power storage device, electrode thereof, and method for manufacturing power storage device

Номер патента: US09620769B2. Автор: Takeshi Osada,Toshihiko Takeuchi,Teppei Oguni. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Electrical energy storage device and a method of preparing the same

Номер патента: US20200328477A1. Автор: Chunyi Zhi,Hongfei Li,Zijie Tang,Zhuoxin Liu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2020-10-15.

Energy storage device and a method of preparing the same

Номер патента: US11322312B2. Автор: Chunyi Zhi,Yukun Wang,Hongfei Li,Zijie Tang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2022-05-03.

Power storage device

Номер патента: US20240266650A1. Автор: Kazuki Oshima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Power storage device

Номер патента: EP4415127A1. Автор: Kazuki Oshima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Power storage device

Номер патента: US20240297382A1. Автор: Kazuki Oshima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing storage device

Номер патента: US20240297331A1. Автор: Akira Nishida,Taisuke Iseda. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Power storage device and power storage module including the same

Номер патента: US20240283065A1. Автор: Ryoichi Wakimoto,Yukinobu MIYAMURA. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Power storage device packaging material, method for producing same, and power storage device

Номер патента: US20240332680A1. Автор: Makoto Amano,Takanori Yamashita,Masahiro Tatsuzawa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Power supply device, electric vehicle using same, and power storage device

Номер патента: EP4050713A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Go YAMASHIRO. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-31.

Method for laminating a polymer electrolyte film onto a porous support layer for energy storage devices

Номер патента: WO2022128858A1. Автор: Lorenz Gubler,Aaron Schneider,Jamie DUBURG,Elena ZANZOLA. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2022-06-23.

Carrier element on which an Hg containing material for application in a discharge lamp is formed, and discharge lamp with such a carrier element

Номер патента: US20090021173A1. Автор: Christian Harzig,Erolf Weinhardt. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2009-01-22.

Energy storage devices having enhanced specific energy and associated methods

Номер патента: US09685278B2. Автор: Michael C. Graf,Charles W. Holzwarth,Bum Ki Moon,Cary L. Pint. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Electronic device including support member

Номер патента: US20240073308A1. Автор: Byounguk Yoon,Kwangha SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Frame for an energy storage device, battery cell with the frame and the energy storage device, battery with two of these battery cells and also method for producing the frame

Номер патента: US20140113168A1. Автор: Tim Schaefer. Владелец: Li Tec Battery GmbH. Дата публикации: 2014-04-24.

Application of pressure to electrochemical devices including deformable solids, and related systems

Номер патента: US11923495B2. Автор: Glenn Alan Hamblin,Michael G. Laramie,Shane Harrel. Владелец: Sion Power Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Binder for electrical storage device electrode

Номер патента: US20190013522A1. Автор: Hiroyuki Morita,Yasuharu Nagai. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Energy storage device

Номер патента: EP3347930A1. Автор: Kenji Kawate,Masumi Ogawa. Владелец: Lithium Energy and Power GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-07-18.

Power storage device packaging material, method for producing same, and power storage device

Номер патента: US20230344041A1. Автор: Kazuhiko Yokota,Jun Kageyama,Makoto Amano,Takanori Yamashita,Masahiro Tatsuzawa,Yasuaki Mutou,Daisuke Yasuda,Hironori KAMIJO. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Power storage device packaging material, method for producing same, and power storage device

Номер патента: US20230361393A1. Автор: Chihiro Nakamura,Atsuko Takahagi,Miho Sasaki,Kenta Hiraki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Power storage device

Номер патента: EP4216325A1. Автор: Shinichi Sakamoto,Shinya Geshi,Kiyomi Kozuki,Kazumichi Shimizu,Kazutoshi Kohira. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

Particle, electrode, power storage device, electronic device, and method for manufacturing electrode

Номер патента: US20230361290A1. Автор: Junya Goto,Takahiro Kawakami,Takuya Hirohashi,Teruaki Ochiai,Shuhei Yoshitomi,Mako Motoyoshi,Yohei MOMMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Electrical storage device

Номер патента: EP4050630A1. Автор: Tsuyoshi Hidaka,Toshiki Kusunoki,Tomohiro Kawauchi,Yasutaka Miyawaki,Atsushi Tokii. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2022-08-31.

Energy storage device and method of assembly of an energy storage device

Номер патента: WO2022245296A1. Автор: Madhavi Srinivasan,Yi Cai,Jun Jie Ernest TANG,Yong Sheng Rodney CHUA. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for discharging a fuel-cell stack for supplying power to a traction electric machine of a motor vehicle

Номер патента: WO2022122757A1. Автор: Serge Loudot,David Gerard. Владелец: RENAULT s.a.s. Дата публикации: 2022-06-16.

Solid-state polymer electrolyte for an energy storage device

Номер патента: US20230378529A1. Автор: Konstantinos Gerasopoulos,Bing Tan. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-23.

Wearable electronic device including an overlapping communications antenna

Номер патента: EP4052332A1. Автор: Stephen O'driscoll,Louis Jung,Anil Kumar Ram RAKHYANI. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2022-09-07.

Wearable electronic device including an overlapping communications antenna

Номер патента: WO2021086716A1. Автор: Stephen O'driscoll,Louis Jung,Anil Kumar Ram RAKHYANI. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Cord reel including a conductive polymeric sheath with a conductive EMI drain

Номер патента: US09960587B2. Автор: John Alford,Chris Hinojosa,John S. Runzel,Christopher GAZDIC. Владелец: Konnectronix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Operating mechanism with energy storage device for switch

Номер патента: RU2716832C2. Автор: Биньхуа ПАНЬ,Цзишэн СУНЬ. Владелец: Сеари Электрик Текнолэджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-17.

Heat storage device for low-temperature operation of storage batteries

Номер патента: RU2762041C1. Автор: Сергей Васильевич Щитов,Евгений Евгеньевич Кузнецов,Семен Сергеевич Ус,Александр Викторович Кучер,Андрей Владимирович Канунников,Константин Евгеньевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Дальневосточный ГАУ). Дата публикации: 2021-12-15.

Wearable electronic device including an overlapping communications antenna

Номер патента: EP4254655A3. Автор: Stephen O'driscoll,Louis Jung,Anil Kumar Ram RAKHYANI. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2023-11-15.

Wearable electronic device including an overlapping communications antenna

Номер патента: EP4254655A2. Автор: Stephen O'driscoll,Louis Jung,Anil Kumar Ram RAKHYANI. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2023-10-04.

Design method for connection sheet, connection sheet, energy storage device and electric device

Номер патента: AU2022459564A1. Автор: Hanchuan HUANG. Владелец: Xiamen Hithium Energy Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Design method for connection sheet, connection sheet, energy storage device and electric device

Номер патента: CA3220822A1. Автор: Hanchuan HUANG. Владелец: Xiamen Hithium Energy Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Connecting piece design method, connecting piece, energy storage device, and electric device

Номер патента: EP4395049A1. Автор: Hanchuan HUANG. Владелец: Xiamen Hithium Energy Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Feed unit, feed system, and electronic device for increasing power supplied to a battery based on a device state and/or a control of a charging current

Номер патента: US20240063446A1. Автор: Koichi Akiyoshi,Yoichi Uramoto. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Cord Reel Including A Conductive Polymeric Sheath With A Conductive EMI Drain

Номер патента: US20160229663A1. Автор: John Alford,Chris Hinojosa,John S. Runzel,Christopher GAZDIC. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Cord reel including a polymeric sheath with a conductive emi drain

Номер патента: US20240106219A1. Автор: John Alford,Chris Hinojosa,John S. Runzel,Christopher GAZDIC. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Cord reel including a polymeric sheath with a conductive EMI drain

Номер патента: US11777297B2. Автор: John Alford,Chris Hinojosa,John S. Runzel,Christopher GAZDIC. Владелец: Konnectronix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Power tool including a printed circuit board with a high impedance trace

Номер патента: US20230378853A1. Автор: Daniel J. Tomcheck,Jack J. Glennon,Lokeshwaran Rajendran,Mitchell A. Ellena,Ryan A. Khatib,Noah P. Seiler. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor storage system

Номер патента: US09335929B2. Автор: Go UEHARA,Atsushi Ishikawa,Junji Ogawa,Koji Sonoda,Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Storage apparatus provided with a plurality of nonvolatile semiconductor storage media and storage control method

Номер патента: US09405478B2. Автор: Junji Ogawa,Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Liquid material discharge device for discharging a fixed amount of liquid material

Номер патента: US12036574B2. Автор: Kazumasa Ikushima. Владелец: Musashi Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

System for discharging dry solids and an associated method thereof

Номер патента: US09902561B2. Автор: Tiffany Elizabeth Pinard Westendorf,Yashwanth Tummala. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Analysis device including solid-phase extraction material filling and discharging mechanisms

Номер патента: US09597612B2. Автор: Tadao Yabuhara,Izumi Waki. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Storage device that secures a block for a stream or namespace and system having the storage device

Номер патента: US20240134552A1. Автор: Daisuke Hashimoto,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Storage device that secures a block for a stream or namespace and system having the storage device

Номер патента: US09696935B2. Автор: Daisuke Hashimoto,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Secure data storage device and data writing and read methods thereof

Номер патента: US09626529B2. Автор: Uri Kaluzhny,Nir Tasher,Mark Luko. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor storage device with interface functions

Номер патента: US20030084231A1. Автор: Yoshimasa Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Storage medium using nonvolatile semiconductor storage device, data terminal having the storage medium mounted thereon, and file erasing method usable for the same

Номер патента: US20140040536A1. Автор: Moriyoshi Nakashima. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Developer discharge auxiliary tool and method for discharging developer

Номер патента: US20140356023A1. Автор: Takumi SAKURADA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2014-12-04.

Storage device

Номер патента: US09665286B2. Автор: Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Developer discharge auxiliary tool and method for discharging developer

Номер патента: US9201348B2. Автор: Takumi SAKURADA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2015-12-01.

Data reading and writing processing from and to a semiconductor memory and a memory of a host device by using first and second interface circuits

Номер патента: US11868618B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nonvolatile semiconductor storage device with ferroelectric capacitors

Номер патента: US5300799A. Автор: Takashi Nakamura,Hironobu Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-04-05.

A novel bit line preparation method in mram fabrication

Номер патента: EP2491575A1. Автор: Guomin Mao. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-08-29.

Storage device and method for controlling storage device

Номер патента: US20120198293A1. Автор: Minoru Mukai,Tomoko Monda,Kenji Hirohata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for manufacturing semiconductor device including 3d memory structure

Номер патента: US20240121940A1. Автор: Yu-Ting Lin,Jiann-Jong Wang,Chung-Hsin Lin,Shih-Fan Kuan,Hsu-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor devices having bit lines

Номер патента: US20240188284A1. Автор: Jongmin Kim,Chansic Yoon,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Electrically erasable and reprogrammable, nonvolatile integrated storage device with in-system programming and verification (ispav) capabilities for supporting in-system reconfiguring of pld's

Номер патента: WO1999034515A1. Автор: Om P. Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-07-08.

Electrical storage device control system and backup power supply system

Номер патента: US20240079886A1. Автор: Kinya Kato,Masafumi Nakamura,Hiroki Akashi,Masatoshi Nakase,Yuta NAGATOMI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Charger integrated circuit including switching converter and electronic device including the charger integrated circuit

Номер патента: US20240235368A1. Автор: Sungwoo Moon,Sungwoo Lee,Daewoong CHO,Jungwook HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Electricity supply system having double power-storage devices of a hybrid or electric motor vehicle

Номер патента: US09718376B2. Автор: Michaël Chemin,Philippe Baudesson. Владелец: Valeo Equipements Electriques Moteur SAS. Дата публикации: 2017-08-01.

Energy storage device and method for controlling the same

Номер патента: US09413185B2. Автор: Sanghun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-09.

Circuit including dual power converters and an inductor and a method of using an electronic device including a circuit including dual power converters and an inductor

Номер патента: US09966846B2. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Driver and image sensing device including the same

Номер патента: US09781372B2. Автор: Young-chul Sohn,Min-Seok SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Energy storage device, and server and method for controlling the same

Номер патента: US09478990B2. Автор: Seungyong Lee,Sanghun Kim,Jaehyuk Park,Heesoo Moon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240235829A1. Автор: Yongmin Kim,Seungho Lee,Yunho Youm,Jiman JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Sensor device including high-resolution analog to digital converter

Номер патента: US20160112057A1. Автор: Ji Man PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-04-21.

Electronic device including shield member for shielding at least part of magnetic force generated by magnetic substance and connection portion including property of nonmagnetic substance connected to shield member

Номер патента: US11877383B2. Автор: Gihoon Lee,Seunggoo KANG,Yonghwa Kim,Hongjun Kim,Wangik SON,Jaehwan LEE,Seungbum CHOI,Jaedeok LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Energy storage device, server, and method for controlling the same

Номер патента: EP2680389A1. Автор: Seungyong Lee,Sanghun Kim,Jaehyuk Park,Heesoo Moon,Changuk Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-01.

System and method for distribution of network file accesses over network storage devices

Номер патента: US6654795B1. Автор: Brantley W. Coile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-25.

Electricity storage device control circuit and backup power supply system including same

Номер патента: US20240030722A1. Автор: Yasuhiro Iijima,Yohsuke Mitani,Shohei Yamanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Location access units (laus) in a wireless communications system (wcs) for transmitting information to a wireless client device in the wcs for determining location of the client device, and related systems and methods

Номер патента: US20200053639A1. Автор: Aravind Chamarti,Liav Bachbut. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for generating a signal representative of the current delivered to a load by a power device and relative power device

Номер патента: US20070194828A1. Автор: Vincenzo Sciacca,Davide Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for generating a signal representative of the current delivered to a load by a power device and relative power device

Номер патента: US20110181323A1. Автор: Vincenzo Sciacca,Davide Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-07-28.

Method and apparatus for data message delivery to a recipient migrated across technology networks

Номер патента: US09980079B2. Автор: Yigang Cai,Alok Sharma. Владелец: WSOU Investments LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Oscillator applied to a control circuit of a power converter and control method thereof

Номер патента: US09641086B2. Автор: Chih-Chi Chang,Ming-Chang Tsou,Meng-Jen TSAI. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

System, method and apparatus for communication that is insensitive to a sampling clock error

Номер патента: US09450683B2. Автор: Thomas M. Parks. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

System, circuit and method for converting a differential voltage signal including a high common mode voltage component to a ground referenced signal for battery voltage managment

Номер патента: US09419644B2. Автор: Anthony John Allen. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

System and Method for Etching Internal Surfaces of Transparent Gemstones with Information Pertaining to a Blockchain

Номер патента: US20230344660A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: Ellansalabs Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7995376B2. Автор: Daisuke Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8598644B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US8298900B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US7999306B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US09691779B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180175048A1. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100291745A1. Автор: Masataka Kusumi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US09917095B2. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonvolatile semiconductor storage device, and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170069641A1. Автор: Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor storage device, manufacturing method of semiconductor storage device, and electronic device

Номер патента: US11737282B2. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Memory cell array structure having bit line for reducing signal resistance, memory device including the same, and method of forming the same

Номер патента: US20240196629A1. Автор: Bipul C. Paul,Sandeep Puri,Venkatesh Periyapatna Gopinath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090146188A1. Автор: Daisuke Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Non-volatile memory device including selection gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220406802A1. Автор: Su Jin Kim,Won Kyu Lim,Jin Shik CHOI. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20160079271A1. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140131789A1. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20150137213A1. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170053924A1. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US9224875B2. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US8963232B2. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Nonvolatile semiconductor storage device having silicide in control gate electrode

Номер патента: US7705393B2. Автор: Shoichi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09437610B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US20120058618A1. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20100308392A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Cmos image sensor with divided bit lines

Номер патента: US20190268556A1. Автор: ZHENG Yang,Rui Wang,Eiichi Funatsu,Hiroaki Ebihara. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20150255486A1. Автор: Daigo Ichinose,Hisashi Kameoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264536A1. Автор: Hideto Takekida,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semicondutor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070114580A1. Автор: Noriaki Kodama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US09786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09450065B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130207175A1. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US20090224305A1. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Storage device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus including storage device

Номер патента: US20240120382A1. Автор: Qi Wang,Huilong Zhu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US09450108B2. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device having bit line with stepped profile

Номер патента: US20230345707A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device having bit line with stepped profile

Номер патента: US12022649B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same

Номер патента: US09412756B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100109069A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-06.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US8569828B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US8878282B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8498155B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120273868A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140015033A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09425200B2. Автор: Do-Hyung Kim,Seung-Bum Kim,Noh-Jung Kwak,Dae-Sik Park,Chang-Youn Hwang,Se-Han Kwon,Yun-Je CHOI,Doo-Sung JUNG,Hong-Gu Yi,Ki-Soo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device including vertical channel transistor, bit line and peripheral gate

Номер патента: EP4376568A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Buried bit line structure, method for fabricating buried bit line structure, and memory

Номер патента: US20230040873A1. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device including transistor

Номер патента: US20240276709A1. Автор: Sei Yon KIM,Min Chul SUNG,Miri Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having bit line structures disposed in trenches

Номер патента: US09666585B2. Автор: Myoung Soo Kim,Jin Ki Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Ultraviolet-erasable nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US09589972B2. Автор: Tetsuo SOMEYA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Ferroelectric memory devices including patterned conductive layers

Номер патента: US6359295B2. Автор: Mi-Hyang Lee,Dong-Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025292A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8471327B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device including ferroelectric layer

Номер патента: US20240008284A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7875925B2. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025291A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8349688B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20130252389A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20150364608A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Three-dimensional memory device including a string selection line gate electrode having a silicide layer

Номер патента: US20210091093A1. Автор: Kohji Kanamori,Jeehoon HAN,Seogoo KANG,Jongseon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Vertical bit line non-volatile memory with recessed word lines

Номер патента: US09450023B1. Автор: Michael Konevecki,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130075687A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140377932A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method

Номер патента: EP1536483A4. Автор: Mitsumasa Koyanagi,Shinji Kondoh,Masaaki Takata. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307047A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Yasuhito Yoshimizu,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor structure having a landing area extends from first portion to second portion of an active area across a bit-line

Номер патента: US20230114564A1. Автор: Chih-Wei Huang,Chih-hao Kuo,Hsu-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory device including a protection insulating pattern

Номер патента: US09698198B2. Автор: Jongchul Park,Young-Seok Choi,Jaehun SEO,Hyun-woo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230077151A1. Автор: Ryota Suzuki,Ryota Fujitsuka,Kenta Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device including vertical active pillar

Номер патента: US20240276712A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Hongjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor storage device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090085124A1. Автор: Hitoshi Abiko. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09536898B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8361862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080073703A1. Автор: Kiyoshi Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method of nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20110049611A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Ichiro Mizushima,Koichi Muraoka,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor devices including bit line contact plug and buried channel array transistor, methods of fabricating the same, and semiconductor modules, electronic circuit boards and electronic systems including the same

Номер патента: US20110241102A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20150048444A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150060984A1. Автор: Hiroki Yamashita,Shun Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Battery control device, power storage device, power storage method, and program

Номер патента: US09735596B2. Автор: YUAN Luo,Shingo Takahashi,Nobuhide Yoshida,Noriyuki Itabashi,Junji Kogure,Shinya Ohhata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Discharge device for discharging electrical currents and machine comprising such a discharge device

Номер патента: US20240339896A1. Автор: Steffen Triebe,Ludwig KAIN. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-10-10.

Electric energy storage device having a radio-controlled switch for discharging energy using an integrated deep discharge device

Номер патента: US09825340B2. Автор: Peter Birke,Hans-Georg Schweiger,Lutz Elsholz,Michael Schiemann. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Discharge circuit for discharging a battery

Номер патента: US10432005B2. Автор: Andrew J. Namou,Todd F. Mackintosh. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-10-01.

Apparatus and method for discharging battery

Номер патента: US09956889B2. Автор: Jae-seong Park. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Discharge device for discharging electric currents

Номер патента: US11545877B2. Автор: Markus Weber,Ludwig KAIN,Marcus Hemetsberger. Владелец: Schunk Carbon Technology Gmbh. Дата публикации: 2023-01-03.

Electric circuit for discharge of accumulator battery for surgical instrument

Номер патента: RU2714684C1. Автор: Ричард Л. ЛЕЙМБАХ,Шейн АДАМС. Владелец: ЭТИКОН ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-02-19.

Discharger for discharging bulk material through an opening

Номер патента: US20120067928A1. Автор: Andy Nix. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Expandable storage device

Номер патента: US20210402823A1. Автор: Edward P. Busam,Gary W. Chalmers. Владелец: Acco Brands Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Medium feeding device and medium processing device including the same

Номер патента: US20230312278A1. Автор: Tatsuya Yamashita,Megumi Murakami,Masahito Niwa,Yuya Chonabayashi,Junki KAZAMA. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-10-05.

Oil strainer and oil storage device for vehicle

Номер патента: US09784149B2. Автор: Yasushi Ishibashi,Yoshiharu Matsuda,Kazuki Arima,Shingo TANIMOTO. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods and systems for managing an electrical connection between a power regulating device and an energy storage device included in a vehicle

Номер патента: US09969343B2. Автор: Gunther Lang,Spencer Trapp,Krishnadev Kumar. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-05-15.

Atomization device, liquid storage device, and atomization assembly

Номер патента: EP4430970A1. Автор: Zhongli XU,Yonghai LI,Linhai LU,Zhijie Huang. Владелец: Shenzhen FirstUnion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Storage device with movable element

Номер патента: EP4144254A1. Автор: Sean Mckenna,Vanessa R. Raponi. Владелец: Spin Master Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Endoscope system with a shaft including a sensor

Номер патента: EP4420604A2. Автор: Peter J. Pereira,Eric Wong,Kimberly DEGRAAF,Timothy Paul HARRAH,William STANHOPE,Adam Perry Nodiff,Thomas Michael ZAPPIA Jr.. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Endoscope system with a shaft including a sensor

Номер патента: EP4420604A3. Автор: Peter J. Pereira,Eric Wong,Kimberly DEGRAAF,Timothy Paul HARRAH,William STANHOPE,Adam Perry Nodiff,Thomas Michael ZAPPIA Jr.. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Electronic atomization device, electronic atomization device body, and atomization material storage device

Номер патента: EP4268636A1. Автор: CHEN CHEN,Shengyang Xu. Владелец: Shenzhen Relx Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Storage device for vehicle

Номер патента: US12083996B2. Автор: SONG Hong,Masatoshi Takano. Владелец: Moriroku Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Sheet transportation device including electromagnetic component and control method thereof

Номер патента: EP2354059A3. Автор: Takeshi Ishida,Junichi Masuda,Masayuki Watanabe,Takahiro Tsujimoto,Takahiro Yokoya. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-05-22.

Apparatus for securing a bulk bag to a discharge spout

Номер патента: NZ523009A. Автор: David R Gill,Dennis E Graham,John F Simonof. Владелец: Flexicon Corp. Дата публикации: 2004-05-28.

Lock chamber for discharging dust

Номер патента: US4076044A. Автор: Josef Franz Schindling. Владелец: Metallgesellschaft AG. Дата публикации: 1978-02-28.

Methods and systems for managing an electrical connection between a power regulating device and an energy storage device included in a vehicle

Номер патента: WO2017016793A1. Автор: Kumar Krishnadev,Gunther Lang,Spencer Trapp. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods and systems for managing an electrical connection between a power regulating device and an energy storage device included in a vehicle

Номер патента: US20170021789A1. Автор: Gunther Lang,Spencer Trapp,Krishnadev Kumar. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-01-26.

Methods and systems for managing an electrical connection between a power regulating device and an energy storage device included in a vehicle

Номер патента: EP3325308A1. Автор: Kumar Krishnadev,Gunther Lang,Spencer Trapp. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-05-30.

Ice protection system and method including a plurality of segmented sub-areas and a cyclic diverter valve

Номер патента: CA2615193A1. Автор: Gregory J. Chapman,Robert J. Greco,Philip S. Chow. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Power take off including a torsional vibration damping assembly

Номер патента: US11976694B2. Автор: Gregory FRIEND,Jonathan S. HEDGE. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Front part assembly for mobility device, front-part-integrated mobility device including the same and method of assembling the front-part-integrated mobility device

Номер патента: US20230052158A1. Автор: Dong Eun Cha,Jin Young Yoon,Seong Kwon Kim,Hong Heui LEE. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Micromechanical device including a covering bond frame

Номер патента: US20200223685A1. Автор: Jochen Reinmuth,Martin Rambach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-07-16.

Storage device

Номер патента: CA2375642C. Автор: Ross O. Youngs,James L. Weatherford,Roger J. Gerdeman. Владелец: Univenture Inc. Дата публикации: 2008-04-29.

Processing Storage Devices

Номер патента: US20090297328A1. Автор: Richard W. Slocum, III. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Processing Storage Devices

Номер патента: US20100174404A1. Автор: Richard W. Slocum, III. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Portable storage device

Номер патента: US20100039008A1. Автор: John Slayton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Vertical energy storage device enclosure and systems thereof for a robot

Номер патента: WO2024072966A1. Автор: Rebecca Faith SILBERMAN,Doug Riley NORDMAN. Владелец: Tesla, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

On-vehicle storage device

Номер патента: US11766962B2. Автор: Yasuhiro Sakakibara,Kohei Yoshida,Yu Hishida. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Socket storage device

Номер патента: US20220097223A1. Автор: Chi-Tsai Chang. Владелец: Chun Nien Plastic Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Splayed bedclothing including a form-fitting convertible foot pouch

Номер патента: US20130180049A1. Автор: Charles M. Hengel,Bryan Stave,Art Brown. Владелец: Mart 5 LLC. Дата публикации: 2013-07-18.

Additively manufacturing a 3d object including a second material

Номер патента: EP3551424A1. Автор: Howard S. Tom,Sterling Chaffins,Kristopher J. ERICKSON. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2019-10-16.

Subassembly including a wheel hub and a constant velocity joint

Номер патента: US20230042260A1. Автор: Volker Wendt,Tom Schmitz,Klaus Dietmar RIPPSTEIN,Lisa Baierl. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2023-02-09.

Method and apparatus for adding a secondary fluid flow to a gas turbine engine fuel line

Номер патента: EP1749994A3. Автор: Jeffery Dugan Shelby,Paul W. Futa Jr. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-05-21.

Systems for installing an elongated stake to a support post to provide sturdiness to the support post, and methods of use thereof

Номер патента: US20240240487A1. Автор: Chase McKean Tangney,Wayne Hogan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Transmission of endless rotation to a shaft on an endlessly rotating carrier independently of the rotation of the carrier

Номер патента: US12092077B2. Автор: Panagiotis Zaraphonitis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-17.

Cleat arrangement for accessory installation to a heating or cooling system component

Номер патента: US09995538B2. Автор: Dwight H. Heberer,Kent Kuffner. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Bush bearing and a scroll compressor including a bush bearing

Номер патента: US09897143B2. Автор: Byeongchul Lee,Eunji Hwang,Sungyong Ahn,Seheon Choi,Junchul Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Connector assembly for connecting a hose to a tubular

Номер патента: US09719310B2. Автор: Alexander John Macgregor,Ted Jee VOON. Владелец: Managed Pressure Operations PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Shelf for roll container, a roll container containing such a shelf and a method of retrofitting such a shelf to a roll container

Номер патента: US09655448B2. Автор: Jussi Raninen,Markku Tiilikainen. Владелец: K Hartwall Oy AB. Дата публикации: 2017-05-23.

Table apparatus for administering to a recalcitrant person

Номер патента: US8079102B1. Автор: Wendell Neil Harris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-20.

Method for applying a reinforcement of metal material to a component of metal material, particularly in the construction of a motor-vehicle body or a sub-assembly thereof

Номер патента: US11911836B2. Автор: Daniele Pullini,Massimo CUCCO,Gabriele CIACCIO,Fabio D'AIUTO,Michele Maria TEDESCO. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2024-02-27.

Systems for installing an elongated stake to a support post to provide sturdiness to the support post, and methods of use thereof

Номер патента: US11846111B2. Автор: Chase McKean Tangney,Wayne Hogan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-19.

Connector assembly for connecting a hose to a tubular

Номер патента: US20160348449A1. Автор: Alexander John Macgregor,Ted Jee VOON. Владелец: Managed Pressure Operations PTE LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Conjugated composition and method for delivering a therapeutic nucleic acid sequence to a living cell

Номер патента: WO2023220454A1. Автор: Christopher Coker,Yuming Xie,Michael Pavia,James Daniel CATANESE. Владелец: Twister Biotech, Inc.. Дата публикации: 2023-11-16.

Window fastener includes a sash window which automatically locks when moved to closed position and has biased latching means coupled to a handle

Номер патента: NZ299260A. Автор: Howard John Fountaine. Владелец: Interlock Group Ltd Substitute. Дата публикации: 1999-01-28.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method

Номер патента: US20240099027A1. Автор: Kensuke Takahashi,Daisaburo Takashima,Naoki Kai,Yasumi ISHIMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nonvolatile semiconductor storage apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US6989564B2. Автор: Eiji Sakagami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Three-dimensional semiconductor device including ferroelectric transistor

Номер патента: US20240032303A1. Автор: Minjun LEE,Youngji Noh,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Circuit and system for actively discharging a power stage input node during power supply turn-on

Номер патента: WO2024137325A1. Автор: Ferdinand Stettner,Manuel WIERSCH. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Switching power supply including a logic circuit to control a discharge circuit

Номер патента: US11942863B2. Автор: Shidong Guan. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Switching Arrangement for Discharging an Energy Storage Device of a Motor Vehicle

Номер патента: US20170015261A1. Автор: Dennis John,Anton Müller. Владелец: MAN Truck and Bus SE. Дата публикации: 2017-01-19.

Driving device and driving method for discharge lamp, light source device, and projector

Номер патента: US09491839B2. Автор: Junichi Suzuki,Norio Imaoka,Satoshi Kito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device including carbon-containing contact fence

Номер патента: US11980025B2. Автор: Kiseok LEE,Huijung Kim,Junhyeok Ahn,Myeongdong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatus for discharging a high-voltage bus

Номер патента: US09985452B2. Автор: Mohammad N. Anwar,Andrew J. Namou,Ahmad Albanna,Syed M. Kadry. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Bit line structure, manufacturing method thereof and semiconductor memory

Номер патента: US12150293B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for discharging capacitor of resonant power conversion apparatus at initiating operation and resonant power conversion apparatus thereof

Номер патента: US20210313871A1. Автор: Seongho SON,Jongseong JI,Younghwan KWACK,Seonho JEON,Chuhyoung CHO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Apparatus for discharging a high-voltage bus

Номер патента: US09985453B2. Автор: Mohammad N. Anwar,Andrew J. Namou,Ahmad Albanna,Syed M. Kadry. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Dram having isolation layer located between capacitor contact and the bit line structure for preventing short circuit

Номер патента: US20230225103A1. Автор: Shu-Mei Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Synchronous operating system for discharge tube lighting apparatuses, discharge tube lighting apparatus, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090184653A1. Автор: Kengo Kimura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Discharge device for discharging an electrical charge from a rotor of an electric motor

Номер патента: US20230013562A1. Автор: Alexander Schamin,Sebastian Giehl. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2023-01-19.

Energy Monitoring System for Discharging Energy in an Energy Transfer Device of a Vehicle

Номер патента: US20230009256A1. Автор: Fatih AL,David Martin GONZALEZ,Ignacio GARCIA BAJO,Tobias CAESAR. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Energy monitoring system for discharging energy in an energy transfer device of a vehicle

Номер патента: US12024032B2. Автор: Fatih AL,David Martin GONZALEZ,Ignacio GARCIA BAJO,Tobias CAESAR. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for discharging an AC input capacitor with automatic detection

Номер патента: US09899849B2. Автор: Miao Li,Lieyi Fang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing memory device including pillar-shaped semiconductor element

Номер патента: US20230269925A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Liquid pump including a gas accumulation area and rankine cycle device including a liquid pump

Номер патента: US09850783B2. Автор: Osao Kido,Atsuo Okaichi,Yoshio Tomigashi,Takumi Hikichi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Opening/closing apparatus for discharge line of fuel cell electric vehicle

Номер патента: US20240270064A1. Автор: Jong Wook Back. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Device for discharge and regulation of water withdrawal depth from sump

Номер патента: RU2640279C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2017-12-27.

Device for discharging fixed quantity of content, storage container having same and content management system

Номер патента: EP4371902A1. Автор: Kyungdo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-22.

Storage device for stackable containers

Номер патента: US09751701B2. Автор: Roland Fritzsche,Maik Wesemeier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Device for discharging fixed quantity of content, storage container having same and content management system

Номер патента: US20240286820A1. Автор: Kyungdo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for discharging a heavier liquid phase by adjusting a discharge radius based on a viscosity of the heavier liquid phase

Номер патента: US09561513B2. Автор: Wilfried Mackel,Klaus-Peter Eickhoff. Владелец: GEA MECHANICAL EQUIPMENT GMBH. Дата публикации: 2017-02-07.

PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION DETECTOR HAVING A PLURALITY OF UNIT COMPONENTS WITH SENSITIVITY TO A PHYSICAL QUANTITY CHANGE OF LIGHT

Номер патента: US20120002088A1. Автор: FUKUSHIMA Noriyuki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile semiconductor storage device including a discharge transistor for discharging a bit line to a source line

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты