Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor structure having a landing area extends from first portion to second portion of an active area across a bit-line

Semiconductor structure having a landing area extends from first portion to second portion of an active area across a bit-line

Номер патента: US20230114564A1
Опубликовано: 13-04-2023
Автор(ы): Chih-hao Kuo, Chih-Wei Huang, Hsu-Cheng Fan
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230380146A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure, array structure, multi-layer stack structure, and method for fabricating array structure

Номер патента: US20230292488A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093605A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of manufacturing semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US20230403846A1. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230403842A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397399A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory structure having a hexagonal shaped bit line contact disposed on a source/drain region

Номер патента: US20230124715A1. Автор: Yu-Ying Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230328965A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure, preparation method of semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230225107A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory structure and manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US20230413520A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensional dynamic random access memory with stacked semiconductor structures

Номер патента: US20240008259A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

A Semiconductor Structure and a Method of Making the Same

Номер патента: US20240215224A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of manufacturing devices including a buried gate cell and a bit line structure including a thermal oxide buffer pattern

Номер патента: US20210091086A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Young-Ju Lee,Sang-Jun Lee,Je-min Park,Hyeon-kyu Lee,Hyo-Dong Ban,Augustin Jinwoo Hong,Joon-Yong Choe,Yoon-chul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240063254A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing a bit line contact hole for a storage cell

Номер патента: EP0642159B1. Автор: Hanno Dipl.-Phys. Melzner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-02-03.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Cross point type DRAM cell composed of a pillar having an active region

Номер патента: US6563155B2. Автор: Hiroyuki Yoshida,Yoichi Miyai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-13.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230081676A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230056308A1. Автор: CHENG Chen,Chun-Chieh Huang,Xiaoling Wang,Hai-Han Hung. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for fabricating interconnection and capacitors of a DRAM using a simple geometry active area, self-aligned etching, and polysilicon plugs

Номер патента: US6080620A. Автор: Erik S. Jeng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of making dynamic random access memory having a vertical transistor

Номер патента: US5376575A. Автор: Jong S. Kim,Hee-Koo Yoon,Chung G. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Method for manufacturing a semiconductor device with a bit line contact hole

Номер патента: US8623723B2. Автор: Do Hyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

Method for treating the surface of a bit line conductive layer

Номер патента: US20020110978A1. Автор: King-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240023317A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure with capacitor landing pad and method of making the same

Номер патента: US11765881B2. Автор: Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Hui-Ling Chuang,Kuei-Hsuan YU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240334686A1. Автор: Cheng-Chiang LI,Wei-Kuan Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240008267A1. Автор: Youquan YU,Mingxiang SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing semiconductor structure having word line disposed over portion of an oxide-free dielectric material in the non-active region

Номер патента: US11488964B2. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Semiconductor structure having word line disposed over portion of an oxide-free dielectric material in the non-active region

Номер патента: US20210265361A1. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240063255A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure with stacked capacitors

Номер патента: US12068361B2. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit device having a bit line and a main insulating spacer with an extended portion

Номер патента: US11908797B2. Автор: Sunghwan Kim,Jiyoung Ahn,Kiseok LEE,Yoonyoung CHOI,Taehee Han,Seunguk Han,Jiseok Hong,Seoryong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220052049A1. Автор: Gongyi WU,Longyang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240172414A1. Автор: Jen-I Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230389297A1. Автор: Chieh-Chun YU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422480A1. Автор: Dong Yan,Wei Li,Jun Wei,Zijie Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200168614A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230389271A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method forming the same

Номер патента: US20240121946A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230275017A1. Автор: Hao-Chuan Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210366912A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11594540B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US12022644B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US20150228574A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Nanowire-based vertical memory cell array having a back plate and nanowire seeds contacting a bit line

Номер патента: US09966431B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Waikin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US20230403845A1. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure, forming method thereof and memory

Номер патента: US20230138466A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230389279A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing a semiconductor structure by forming a node contact between a bit line and an isolation line

Номер патента: US12010830B2. Автор: Wenli CHEN,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device having trench positioned in a substrate and aligned with a side wall of a bit line contact plug

Номер патента: US11882692B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20240213152A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Process for forming a vertical thin-film transistor that serves as a connector to a bit-line of a 3-dimensional memory array

Номер патента: US11910612B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240258232A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure, and manufacturing method for same

Номер патента: EP3958314A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor structure

Номер патента: US12133378B2. Автор: Wei Zhong Li,Hsih Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US11882690B2. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Buried bit line structure, manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US12114484B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Zhaopei CUI,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230328969A1. Автор: Xun Yan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US11963346B2. Автор: Junyi Zhang,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238433A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US20220310625A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230012447A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Forming method for semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139763A1. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20220085149A1. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230047893A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure and formation method therefor, memory and formation method therefor

Номер патента: EP4145511A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Writing scheme for multi-element gain ferroelectric memory bit-cell with plate-lines parallel to a bit-line and with individual switches and control on the plate-lines of the bit-cell

Номер патента: US11790972B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Writing scheme for 1TNC ferroelectric memory bit-cell with plate-lines parallel to a bit-line and with individual switches and control on the plate-lines of the bit-cell

Номер патента: US11769543B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for forming bonded semiconductor structure utilizing concave/convex profile design for bonding pads

Номер патента: US11935854B2. Автор: Chung-Sung Chiang,Chia-Wei Liu,Yu-Hsiang Lin,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12132087B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12101924B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory cell array structure having bit line for reducing signal resistance, memory device including the same, and method of forming the same

Номер патента: US20240196629A1. Автор: Bipul C. Paul,Sandeep Puri,Venkatesh Periyapatna Gopinath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220319915A1. Автор: Jingwen Lu,Zhaopei CUI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device having a stacked nanowire structure disposed over a buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210125995A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for forming a semiconductor device with a hard mask layer formed over a bit line to protect the bit line during subsequent etching steps

Номер патента: US6924229B2. Автор: Jung Taik Cheong,Sang Do Lee,Bong Ho Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A BIT LINE STRUCTURE AND A CONTACT PLUG

Номер патента: US20150228574A1. Автор: Kim Jae-Hyun,LEE Dong-Won,KIM Kyung-Eun,JEONG Hoon,Han Jung-Gu,Hwang Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

A method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100326811B1. Автор: 이정훈,황치선. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-04.

Semiconductor memory having memory cell regions and other regions alternately arranged along a bit line direction

Номер патента: US11974439B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Masao Iwase,Ryota Katsumata,Tomoo Hishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor memory having first and second memory cell regions separated by a third region along a bit line direction

Номер патента: US11552095B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Masao Iwase,Ryota Katsumata,Tomoo Hishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor structure with through-silicon via

Номер патента: US09859192B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Soi semiconductor structure and method for manufacturing an soi semiconductor structure

Номер патента: US20200161537A1. Автор: Martin Cornils,Christian SANDER. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240341085A1. Автор: Zhi Zhang,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

3d bonded semiconductor structure with an embedded capacitor

Номер патента: US20180006022A1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

3D bonded semiconductor structure with an embedded capacitor

Номер патента: US09947655B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12133375B2. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190006369A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12114486B2. Автор: Wei Wan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing semiconductor structure having conductive block connected to transistor on the substrate

Номер патента: US12114481B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12133376B2. Автор: Fan RAO,Seongjin KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096616B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4287256A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Method of manufacturing semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US11895829B2. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268100A1. Автор: Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240064971A1. Автор: Zhicheng Shi,Ruiqi ZHANG,Xinran Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4138132A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4163975A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor structure and fabrication method therefor

Номер патента: EP3971954A1. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11871564B2. Автор: Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing memory structure having a hexagonal shaped bit line contact disposed on a source/drain region

Номер патента: US11943914B2. Автор: Yu-Ying Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cylindrical capacitor

Номер патента: US5506164A. Автор: Mitsuya Kinoshita,Tatsuo Okamoto,Hideaki Arima,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-04-09.

Semiconductor structure and forming method and operating method therefor

Номер патента: US20240098975A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Takao Adachi,Deyuan Xiao,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing semiconductor memory device having a capacitor

Номер патента: US6333226B1. Автор: Masahiro Yoshida,Hideyuki Ando. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Nitride structures having low capacitance gate contacts integrated with copper damascene structures

Номер патента: AU2019336103A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-12-17.

Nitride structures having low capacitance gate contacts integrated with copper damascene structures

Номер патента: EP3847684A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-07-14.

Nitride Structures Having Low Capacitance Gate Contacts Integrated with Copper Damascene Structures

Номер патента: MY195186A. Автор: Jeffrey R Laroche,Thomas E Kazior,Eduardo M Chumbes,Kelly P Ip. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-01-11.

Semiconductor structure having raised via contacts and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220367368A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Forming gate line-end of semiconductor structures with improved metal gate height

Номер патента: US12068196B2. Автор: Kei-Wei Chen,Che-Hao Tu,Che-Liang Chung,Chih-Wen Liu,You-Shiang Lin,Yi-Ching Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Structure Having High Breakdown Voltage Etch-Stop Layer

Номер патента: US20240266292A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride structures having low capacitance gate contacts integrated with copper damascene structures

Номер патента: US20200083167A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor structure having contact plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230282515A1. Автор: Zih-Hong Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing an interconnection structure having a bottom via spacer

Номер патента: US11984355B2. Автор: Chia-Tien Wu,Po-Kuan HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240332069A1. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Da-Wei Lin,Shih-Yu Chang,Y.T. Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096754A1. Автор: Yuan Fang,Yanwu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure having vertical conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20240203789A1. Автор: Ming-Han Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093478A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230422477A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230389265A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064961A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4307341A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064963A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Unit cell layout and transfer gate design for high density DRAMs having a trench capacitor with signal electrode composed of three differently doped polysilicon layers

Номер патента: US5936271A. Автор: Martin Gall,Johann Alsmeier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor memory device having a bit line constituted by a semiconductor layer

Номер патента: EP0453998A1. Автор: Shizuo C/O Intellectual Property Div. Sawada,Jumpei C/O Intellectual Property Div. Kumagai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-30.

Method of forming contacts for a bit line and a storage node in a semiconductor device

Номер патента: US6777343B2. Автор: Young-woo Park,Won-Sung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure including a plurality of pairs of nonvolatile memory cells and an edge cell and method for the formation thereof

Номер патента: US9922986B2. Автор: Ralf Richter,Martin Gerhardt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: US20240172418A1. Автор: Boyong He,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230309297A1. Автор: Yung-Han Chiu,Shu-Ming Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor structure having contact structure

Номер патента: US20230335490A1. Автор: Yi-yi Chen,Chih-Ying Tsai,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing semiconductor structure having contact structure

Номер патента: US20230337411A1. Автор: Yi-yi Chen,Chih-Ying Tsai,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068247B2. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US11823951B2. Автор: Yao-Hsiung Kung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing bit line structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US11985814B2. Автор: Ning Xi,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US11871561B2. Автор: Chun-Sheng JUAN LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220059447A1. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11929282B2. Автор: Jingwen Lu,Zhaopei CUI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230402372A1. Автор: Tianlei Mu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220020600A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12009223B2. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A BIT LINE

Номер патента: US20180158773A1. Автор: Kim Dae-Ik,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Jang Sung-Ho,PARK Je-Min,YOON CHAN-SIC,Hong Augustin Jinwoo,LEE Kl-SEOK,HAN DONG-MIN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A BIT LINE STRUCTURE AND A CONTACT PLUG

Номер патента: US20160300763A1. Автор: Kim Jae-Hyun,LEE Dong-Won,KIM Kyung-Eun,JEONG Hoon,Han Jung-Gu,Hwang Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US12029123B2. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200168613A1. Автор: Hsu Chiang,Szu-Han Chen,Ching-Yuan Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220045186A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220302127A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230005931A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Junyi Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230057480A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU,Minmin WU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220320111A1. Автор: Fan RAO,Seongjin KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20230009047A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure with vertical gate transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130832A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230389263A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Preparation method for semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230028597A1. Автор: Xiaoling Wang,Hai-Han Hung,Min-Hui Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220165738A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for fabricating semiconductor structure and structure thereof

Номер патента: US20220393020A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230386845A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing semiconductor structure with vertical gate transistor

Номер патента: US20220293604A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device structure having a channel layer with different roughness

Номер патента: US20230284435A1. Автор: Chung-Lin Huang,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device having a plurality of blocks

Номер патента: US5594701A. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Hideo Asaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-14.

Semiconductor IC device having a memory and a logic circuit implemented with a single chip

Номер патента: US6097663A. Автор: Hitoshi Tanaka,Takao Watanabe,Kazumasa Yanagisawa,Ryo Fujita,Kazushige Ayukawa. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

A method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100569523B1. Автор: 김진웅,김한민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-07.

Semiconductor device having a butted contact, method of forming and method of using

Номер патента: US20210091091A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Hsun-Ying Huang,Chih-Ming Lee,You Che CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having a butted contact and method of forming

Номер патента: US20230225099A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Hsun-Ying Huang,Chih-Ming Lee,You Che CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device having a butted contact and method of forming

Номер патента: US12010826B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Hsun-Ying Huang,Chih-Ming Lee,You Che CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222261A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222262A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Multi-die semiconductor structure with intermediate vertical side chip and semiconductor package for same

Номер патента: US09812425B2. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Shanggar Periaman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312874A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20240321765A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Hsiu-Jen Lin,Hui-Jung TSAI,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Yen-Liang Lin,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Chung-Ming Weng,Chun-Ti LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method For Fabricating Semiconductor Structures

Номер патента: US20240172410A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275066A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11978638B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20240071981A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Chun-Cheng Lin,Tin-Hao Kuo,Kuo-Lung Pan,Yu-Chia Lai,Chih-Hsuan Tai,Mao-Yen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Hybrid bonding of semiconductor structures to advanced substrate panels

Номер патента: WO2024019974A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Vincent DiCaprio,Anup Pancholi,Marvin Louis Bernt,Avinash Shantaram. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268099A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312891A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and package structure having multi-dies thereof

Номер патента: US20210320040A1. Автор: Cheng-Jyi Chang,Chuan-Shian FU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor structure and package structure having multi-dies thereof

Номер патента: US12020998B2. Автор: Cheng-Jyi Chang,Chuan-Shian FU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240312791A1. Автор: Kai Jen,Hsiang-Po LIU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US09941186B2. Автор: Yu-Min LIANG,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for preparing semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230422468A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020581A1. Автор: Yu-Wei Lin,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Chun-Cheng Lin,Chun-Yen Lan,Hsaing-Pin Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240276708A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including gate structure having first portion and second portion and method for manufacturing the same

Номер патента: US12101923B2. Автор: JaeWha PARK,Moonkeun Kim,Sukhoon KIM,Dongchan Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240064969A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4318549A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230411412A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4307368A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor structure having source/drain contacts and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363709A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of fabricating the same die stack structure and semiconductor structure

Номер патента: US12119328B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230345695A1. Автор: Xun Yan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US20240371692A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210375826A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of fabricating the same die stack structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240021584A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Die stack structure, semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12015013B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structure having buried conductive elements

Номер патента: US20150236024A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni,Emre Alptekin,Johnathan E. Faltermeier,Reinaldo A. Vega,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor Structure with Contact Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240250134A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Kuo-Nan Yang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure with conductive plug and capacitor array

Номер патента: US12068239B2. Автор: Jie Liu,Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structures with backside gate contacts

Номер патента: US12087691B2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Veeraraghavan S. Basker,Kisik Choi,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure

Номер патента: US11967613B2. Автор: Jung-Tao CHUNG,Yao-Ting Shao,Shu-Hsiao TSAI,Hsi-Tsung Lin,Chen-An Hsieh,Ju-Hsien LIN,Yi-Han Chen. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094758B2. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09929085B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Electronic Component with Semiconductor Die Having a Low Ohmic Portion with an Active Area and a High Ohmic Portion on a Dielectric Layer

Номер патента: US20210335687A1. Автор: Thomas Fischer,Daniel Porwol,Anton Steltenpohl,Uwe Seidel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-28.

Method and apparatus for placing a gate contact inside an active region of a semiconductor

Номер патента: US09941278B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming a bit line on a capacitor array of a memory cell and a bit line array

Номер патента: KR960032748A. Автор: 에이치. 데니슨 찰스,조스트 마크,파레크 큐날. Владелец: 마이크론 테크놀로지 인코퍼레이티드. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor structure with through via structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021497A1. Автор: Li-Zhen YU,Yi-Bo Liao,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structures with stacked interconnects

Номер патента: US20240113013A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US12108591B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure, method for forming same, and memory

Номер патента: EP3933921A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413536A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for forming semiconductor structure by using sacrificial layer configured to be replaced subsequently to form bit line, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11895852B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240147684A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US20210391330A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory component having a novel arrangement of the bit lines

Номер патента: US7414906B2. Автор: Florian Schnabel,Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-19.

Memory component having a novel arrangement of the bit lines

Номер патента: US20060152988A1. Автор: Florian Schnabel,Helmut Schneider. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Memory with a bit line block and/or a word line block for preventing reverse engineering

Номер патента: US6459629B1. Автор: Lap-Wai Chow,James P. Baukus,William M. Clark, Jr.. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2002-10-01.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258257A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US20240321637A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having a source/drain contact plug with an upwardly protruding portion

Номер патента: US12014957B2. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and data storage system including a landing pad on an external side region of a bypass via

Номер патента: US12051664B2. Автор: Junyoung Choi,Moorym CHOI,Jungtae Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20150318206A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20160358816A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: WO2006071617A3. Автор: Ralph B Danzl. Владелец: Ralph B Danzl. Дата публикации: 2006-09-08.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11114378B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11770934B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12114506B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor structure with backside via contact and a protection liner layer

Номер патента: US11710664B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Wiring structure having double capping structure, manufacturing method thereof, and integrated circuit chip having the same

Номер патента: US11764145B2. Автор: Jaejin Lee,Hana Kim,JaeWha PARK,Dongchan Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure having vias with different dimensions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369264A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit die having a split solder pad

Номер патента: US20180053738A1. Автор: Christoph Kuratli,Yves Dupraz. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US12080646B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347448A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US20220181206A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US20210118731A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955444B2. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220293541A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US11978669B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of manufacturing semiconductor structure having vias with different dimensions

Номер патента: US20230369210A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US20210320032A1. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Multi-layer integrated semiconductor structure

Номер патента: WO2004061962A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan,Shamik Das. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US20150380307A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment

Номер патента: US20240347449A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory and operation method therefor

Номер патента: EP4318476A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Method of manufacturing semiconductor structure having contact structure

Номер патента: US11903179B2. Автор: Yi-yi Chen,Chih-Ying Tsai,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of Forming a Semiconductor Structure Having Integrated Snubber Resistance

Номер патента: US20170186861A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of forming a semiconductor structure having integrated snubber resistance

Номер патента: US9966464B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor Structure Having Integrated Snubber Resistance and Related Method

Номер патента: US20160104773A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, memory and operation method thereof

Номер патента: US20230422492A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Planarised semiconductor structure including a conductive fuse and process for fabrication thereof

Номер патента: EP1266405A1. Автор: Michael Wise,Jeremy K. Stephens,Louis L. Hsu,Chandrasekhar Narayan,Larry Clevenger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-12-18.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20190378846A1. Автор: Chih-Hung Wang,Hung-Wei Lin,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Kuo-Lung Li,Zi-Jun Liu,An-Hsiu Cheng,Cheng-Hua Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397400A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4243074A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12114485B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4203036A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor structure with waveguide

Номер патента: US20140092621A1. Автор: Joseph M. Freund. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor structure with chamfered capacitor connection line adjacent bit line and method for manufacturing semiconductor structure thereof

Номер патента: US11800699B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220416049A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory structure and manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US20230380140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US11862699B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11825646B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170069726A1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor structure and preheating method therefor

Номер патента: EP3955295A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10446463B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor structure for sram cell

Номер патента: US20210057421A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional memory device including a string selection line gate electrode having a silicide layer

Номер патента: US20210091093A1. Автор: Kohji Kanamori,Jeehoon HAN,Seogoo KANG,Jongseon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

EPROM having a reduced number of contacts

Номер патента: US5017978A. Автор: Jan Middelhoek,Gerrit-Jan Hemink,Rutger C. M. Wijburg. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1991-05-21.

Semiconductor structures having increased channel strain using fin release in gate regions

Номер патента: US10056474B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067155A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device having a local current sink

Номер патента: US20150287449A1. Автор: Jung Pill Kim,Hari Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Manufacturing method for semiconductor structure

Номер патента: US20240194794A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device including a string selection line gate electrode having a silicide layer

Номер патента: US11792994B2. Автор: Kohji Kanamori,Jeehoon HAN,Seogoo KANG,Jongseon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A BIT LINE AND THE WHOLE OF A BIT LINE CONTACT PLUG HAVING A VERTICALLY UNIFORM PROFILE

Номер патента: US20140008719A1. Автор: JEONG Mun Mo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Field effect transistor having a multilayer interconnection layer therein with tapered sidewall insulators

Номер патента: US5157469A. Автор: Yasushi Matsui,Hideaki Arima,Kaoru Motonami,Makoto Ohi,Tomonori Okudaira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Display module having a circuit insulating layer

Номер патента: US11205688B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Sangmin Kim,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Methods of fabricating defect-free semiconductor structures

Номер патента: US20150123250A1. Автор: Huang Liu,Zhiguo Sun,Jin Ping Liu,Hung-Wei Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Methods of fabricating defect-free semiconductor structures

Номер патента: US20150357292A1. Автор: Huang Liu,Zhiguo Sun,Jin Ping Liu,Hung-Wei Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods of electrically interconnecting different elevation conductive structures, methods of forming capacitors, methods of forming an interconnect between a substrate bit line contact and a bit line in DRAM, and methods of forming DRAM memory cell

Номер патента: US20060263974A1. Автор: Brett Busch,F. Gealy,David Hwang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-23.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20120322249A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Tzu-Kun Ku,John H. Lau,Jui-Chin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-12-20.

Nanosheet transistor having a strained channel with strain-preserving multi-segmented source/drain regions

Номер патента: US20210234020A1. Автор: Shogo Mochizuki,Richard A. Conti,Nicolas Loubet,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Integrated circuit structures having partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3647263A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha,Stephanie Bojarski,Babita DHAYAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Production of a contact hole comprises forming a conducting coating on the substrate between two gate conducting structures, forming an intermediate dielectric layer on the substrate to cover the coating, and forming a bit line contact hole

Номер патента: DE10258761A1. Автор: Yung-Ching Wang,Hsin-Tang Peng,Teng-Chun Yang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Insulating and dissipating heat structure of an electronic part

Номер патента: CA2682594C. Автор: Wen-Chiang Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-13.

Nucleotide sensing device having a nanopore formed in an inorganic material

Номер патента: US20180163266A1. Автор: Yong Ju Lee,Yaoling Pan,Tallis Young CHANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure having a thermal shunt below a metallization layer and integration schemes

Номер патента: US20220238409A1. Автор: Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph,MARK David LEVY. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor devices including capacitor structures having improved area efficiency

Номер патента: US20190280083A1. Автор: Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Epitaxial growth on semiconductor structures

Номер патента: US20200402798A1. Автор: Nicholas R. Tapias,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230389273A1. Автор: Yi Tang,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200373386A1. Автор: Ming-Chih Hsu,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230020805A1. Автор: Jung-Hua Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210398943A9. Автор: Takashi Kubo,Masaru Haraguchi,Jun Gu,Wenliang Chen,Chun Yi LIN,Chien An Yu. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09917167B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11991874B2. Автор: Gongyi WU,Longyang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413578A1. Автор: WEI CHANG,XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11856756B2. Автор: Mengdan ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Forming a bit line configuration for semiconductor memory

Номер патента: US5292678A. Автор: Wei Hwang,Sang H. Dhong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-08.

Method for forming a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR970077192A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Semiconductor Device Including a Bit Line Contact Plug and a Buried Channel Array Transistor

Номер патента: KR101624154B1. Автор: 조성일,김남건. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and method manufacturing the same

Номер патента: US20200402960A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Chuan-An Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure having multilayer of polysilicon and display panel applied with the same

Номер патента: US7476601B2. Автор: Chih-Wei Chao,Mao-Yi Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-01-13.

Semiconductor structure having multilayer of polysilicon and display panel applied with the same

Номер патента: US20060163733A1. Автор: Chih-Wei Chao,Mao-Yi Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20240306366A1. Автор: Ya Wang,Xing Zhang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Kuan HU. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit using finfets and having a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2007120292A2. Автор: Leo Mathew,James D. Burnett,Byoung W. Min. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240357798A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure having logic region and analog region

Номер патента: US20160322384A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230261071A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

PiN diode structure having surface charge suppression

Номер патента: US10971538B2. Автор: John J. Drab,Christian M. BOEMLER,Justin Gordon Adams Wehner. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220123118A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12048145B2. Автор: Er-Xuan Ping,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicide-layer-coupled doped portion of active region and method of fabricating same

Номер патента: US20240234526A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory structure, semiconductor structure and method for mamufacturing same

Номер патента: US20240040768A1. Автор: Qinghua Han,Jeonggi KIM,Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure including optical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240230996A1. Автор: Stefan Rusu,Tai-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor constructions having a buried bit line, and methods of forming same

Номер патента: EP1723674A2. Автор: H. Montgomery Manning,Todd R. Abbott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-22.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US20230403841A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Micro semiconductor structure

Номер патента: US20200176509A1. Автор: Yi-Ching Chen,Yu-Chu Li,Yi-Chun Shih,Pei-Hsin Chen,Tzu-Yang Lin,Yu-Hung Lai,Ying-Tsang Liu,Huan-Pu Chang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Optoelectronic device comprising two wire-shaped light-emitting diodes each having a layer that limits the leakage currents

Номер патента: US20220231076A1. Автор: Jérôme Napierala,Florian Dupont. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor structure

Номер патента: US20090001457A1. Автор: Tzung-Han Lee,Chung-Yuan Lee,Chih-Hao Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Light sensitive semiconductor structures

Номер патента: GB2628444A. Автор: GABLER Daniel,Siles Pablo,Ai Qiang,Abdulrahman Tamer,Hong Tan Tong. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-25.

Optoelectronic device comprising two wire-shaped light-emitting diodes each having a layer that limits the leakage currents

Номер патента: US12002841B2. Автор: Jérôme Napierala,Florian Dupont. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2024-06-04.

MRAM architecture with a bit line located underneath the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US6982445B2. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-03.

Mram architecture with a bit line located underneath the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP1623463A4. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Mram architecture with a bit line located underneath the magnetic tunneling junction device

Номер патента: WO2004100169A3. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Tech Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor memory device with a bit line structure with low noise.

Номер патента: DE69020237T2. Автор: Machio Segawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-07.

Process for forming a bit-line in a MONOS device

Номер патента: US6297143B1. Автор: Fei Wang,Bharath Rangarajan,David K. Foote,Steven K. Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-02.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347503A1. Автор: Kuo-Ming Chen,Yu-Jie Lin,Shing-Ren Sheu,Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: US20240243197A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: EP4411825A2. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12040283B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Hsiu-Jen Lin,Hui-Jung TSAI,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Yen-Liang Lin,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Chung-Ming Weng,Chun-Ti LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984987B2. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102290A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Stackable fully molded semiconductor structure with through silicon via (TSV) vertical interconnects and method of making the same

Номер патента: US12057373B2. Автор: Craig Bishop,Clifford Sandstrom,Timothy L. Olson,Robin Davis. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230154831A1. Автор: Yonghui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure having thermal backside core

Номер патента: US09881847B2. Автор: Nathan Perkins. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220392902A1. Автор: Zhongming Liu,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Fully molded semiconductor structure with face mounted passives and method of making the same

Номер патента: US20220352106A1. Автор: Craig Bishop,Clifford Sandstrom,Timothy L. Olson,Benedict San Jose. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20210036105A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure having a groove located in the semiconductor substrate and connected to the heat transfer layer

Номер патента: US12033911B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20230207621A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200251439A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US12100680B2. Автор: Luguang WANG,Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure

Номер патента: EP1719171A1. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-08.

Semiconductor structure

Номер патента: WO2005086231A1. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US20070007616A1. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Chip structure having redistribution layer and fabrication method thereof

Номер патента: US8097491B1. Автор: Hung-Yuan Hsu,Sui-An Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210335725A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Component semiconductor structure

Номер патента: US20200227627A1. Автор: Maria-Cristina Vecchi,Martin Cornils. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063187A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Methods of fabricating a semiconductor structure including capacitor structures

Номер патента: US20190074351A1. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Package structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: SG189617A1. Автор: Shih Cheng-Hung,LIN Shu-Chen,Hsieh Yung-Wei,Yeh Jun-Yu. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230011266A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210366833A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Hsiu-Jen Lin,Hui-Jung TSAI,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Yen-Liang Lin,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Chung-Ming Weng,Chun-Ti LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180040575A1. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor structure and formation method therefor

Номер патента: EP3933898A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243004A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu,Yueh-Chang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing semiconductor structure having bonding element

Номер патента: US20240203916A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure having an anti-arcing pattern disposed on a passivation layer and a post passivation layer disposed on the anti-arcing pattern

Номер патента: US11769704B2. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang,Sheng-An KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor Structure for Improved Radio Frequency Thermal Management

Номер патента: US20240266426A1. Автор: Christer Hallin,Scott Sheppard,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method for setting a wear allowance of an electrical contactor

Номер патента: US20230386773A1. Автор: Dean Morgan,Christopher Wyatt. Владелец: Safran Power USA LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Projection type cathode ray tube device employing a cathode ray tube having a neck composed of different-diameter portions

Номер патента: US20030030361A1. Автор: Kazumasa Hirai,Kotaro Aoki,Katsumi Hirota,Takashi Hoshimure. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Plasma generator with a plasma generation tip and with an activation switch

Номер патента: EP3533378A1. Автор: Ming J. Cheng. Владелец: Gyrus ACMI Inc. Дата публикации: 2019-09-04.

Relay having a plurality of sealed contact switches

Номер патента: US3840831A. Автор: R Guichard. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-10-08.

Gas-insulated measurement transformer having a separating device

Номер патента: CA2934387C. Автор: Wolfgang Knab. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-01-08.

Shielded power cable separable connector module having a conductively coated insulating rod follower

Номер патента: US3955874A. Автор: Vincent J. Boliver. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1976-05-11.

High purity refractory metal sputtering targets which have a uniform random texture manufactured by hot isostatic pressing high purity refractory metal powders

Номер патента: WO2015157421A9. Автор: Patrick Hogan,Helmut Haas,Marcel HAGYMASI,Paul Aimone,Joseph FLANIGAN. Владелец: H.C. Starck Inc.. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US09984943B2. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Structure with Active Device and Damaged Region

Номер патента: US20160118406A1. Автор: Michael A. Stuber,Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Switch Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008076651A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20240312980A1. Автор: Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chen-Chien Chang,Kang-Tai PENG,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor structure having field plates over resurf regions in semiconductor substrate

Номер патента: US20160148994A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Ying-Chieh Tsai,Jeng Gong,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US09899417B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240244819A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451320A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US20170330805A1. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US20220059548A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor structure having fin structures

Номер патента: US11963345B2. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure having fin structures

Номер патента: US20230232610A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131297A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131298A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor structure having a semiconductor substrate and an isolation component

Номер патента: US12119343B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Yicheng DU. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure cutting process and structures formed thereby

Номер патента: US12132050B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240371869A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09929245B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20210327875A1. Автор: Shin-Cheng Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor structure having both gate-all-around devices and planar devices

Номер патента: US12046684B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure having a fin structure

Номер патента: US20230197809A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor structure and its fabricating method

Номер патента: US12087829B2. Автор: Bing ZOU,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4451333A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240355812A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure including field effect transistor with scaled gate length and method

Номер патента: US20240047555A1. Автор: Hong Yu,Jagar Singh,Anton V. Tokranov,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure with wraparound backside amorphous layer

Номер патента: US20230387225A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US12048136B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240047558A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US11171143B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory and forming method therefor

Номер патента: US20210375939A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory and forming method therefor

Номер патента: US12082419B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structures in a wide gate pitch region of semiconductor devices

Номер патента: US20210111261A1. Автор: Haiting Wang,Judson Robert Holt,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor structure with embedded capacitor

Номер патента: US11800698B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor structure with embedded capacitor

Номер патента: WO2023020089A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor structure and forming method thereof, and photomask layout

Номер патента: US20240006515A1. Автор: JISONG Jin,Jun Wang,Kuchanari SUBHASH,Nalawar PRASANNA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US12040191B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure with different crystalline orientations

Номер патента: US20230090017A1. Автор: Effendi Leobandung,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure with a spacer layer

Номер патента: US20160351564A1. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor structure

Номер патента: US20160079346A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having bipolar junction transistor in which non-monocrystalline semiconductor spacing portion controls base-link length

Номер патента: US20100244143A1. Автор: Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of continuous hills and method of fabricating the same

Номер патента: US20160141359A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

System and method for optimization of an imaged pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20160283644A1. Автор: Shih-Ming Chang,Tzu-Chun Lo,Ying-Hao Su,Ming-Yo Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10084056B1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Threshold voltage adjustment for a gate-all-around semiconductor structure

Номер патента: US20180151438A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Threshold Voltage Adjustment for a Gate-All-Around Semiconductor Structure

Номер патента: US20200035562A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Threshold voltage adjustment for a gate-all-around semiconductor structure

Номер патента: US20180337094A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312842A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076510A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US20240355625A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels

Номер патента: US20240357829A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure for reducing stray capacitance and method of forming the same

Номер патента: US20240339461A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure

Номер патента: US09978751B2. Автор: Yu-Jen Wang,Kuo-En HUANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of making a semiconductor structure for high power semiconductor devices

Номер патента: US20060088978A1. Автор: Robert Howell,Rowland Clarke,Michael Aumer. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220320319A1. Автор: Jun He,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Ming-Te Chen,Hui-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11908865B2. Автор: Zhen Tian,Da Huang,Yao QI DONG,Xiaowan DAI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220223720A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ta-wei Chiu,Ruei-Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Photolithographic, thickness non-uniformity, compensation features for optical photolithographic semiconductor structure formation

Номер патента: WO2014175963A1. Автор: Christopher J. MacDonald,Paul J. Duval,Paul M. RYAN. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20170194439A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Photolithographic, thickness non-uniformity, compensation features for optical photolithographic semiconductor structure formation

Номер патента: US20150111379A1. Автор: Christopher J. MacDonald,Paul J. Duval,Paul M. RYAN. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200075807A1. Автор: Shih-Chang Lee,Yung-Fu Chang,Hsiang Chang,Wen-Luh Liao,Yao-Ru Chang,Yi Hsiao,Hung-Ta Cheng,Fan-Lei Wu,Chih-Chaing YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor structures having a gate field plate and methods for forming such structure

Номер патента: US20160149006A1. Автор: John P. Bettencourt,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor structure having self-aligned insulating feature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240234545A1. Автор: Yi-Hsien Chen,Yi-Ren CHEN,Chun-Ting Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with dispersedly arranged active region trenches

Номер патента: US20130270669A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Chao-Hsin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240355630A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Kai-Hung HSIAO,Yu-Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222425A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11777031B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20230387298A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20220181495A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor structure

Номер патента: US9412807B1. Автор: Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Jheng-Yi Jiang,Hua-Chih Hsu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US12087718B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure having fin with all around gate

Номер патента: US11916151B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US11848353B2. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor structure having fin with all around gate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220416090A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240313051A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device structure having a gate structure and overlying dielectric layer

Номер патента: US11855158B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor structure

Номер патента: US20170373169A1. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for processing capacitive structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220238638A1. Автор: Ang LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for fabricating a semiconductor structure having selective dopant regions

Номер патента: US7419883B2. Автор: Nicola Vannucci,Sven Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor structure having two-dimensional channel

Номер патента: EP4409640A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Christopher Waskiewicz,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371873A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US20210305387A1. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240234035A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240266184A1. Автор: Hsuan-Wu Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor trench structure having a silicon nitride layer overlaying an oxide layer

Номер патента: US9029978B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Method for forming a composite having semiconductor structures including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US12107197B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Group III-V device structure having a selectively reduced impurity concentration

Номер патента: US09831312B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Pulsed plasma system for etching semiconductor structures

Номер патента: WO2008103454A3. Автор: Alexander Paterson,Valentin N Todorow,Tae Won Kim,Kyeong-Tae Lee,Shashank C Deshmukh. Владелец: Shashank C Deshmukh. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130277742A1. Автор: Chih-Chung Wang,Kun-Huang Yu,Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee,Te-Yuan Wu,Shu-Wen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structures having nucleation layer to prevent interfacial charge for column iii-v materials on column iv or column iv-iv materials

Номер патента: US20130161699A1. Автор: William E. Hoke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure for providing strained crystalline layer on insulator and method for fabricating same

Номер патента: US20060088979A1. Автор: Frederic Dupont,Cecile Aulnette,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Self-organized quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US20220085194A1. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-03-17.

Self-organized quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US12107155B2. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210167197A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Optical computing device having tunable detector with non-planar semiconductor structure

Номер патента: US09983186B2. Автор: Li Gao,David L. Perkins,James M. Price. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure having a test structure formed in a group III nitride layer

Номер патента: US09947600B2. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Method of manufacturing semiconductor structure having a fin feature

Номер патента: US20230197832A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing semiconductor structure having a fin feature

Номер патента: US11978785B2. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Apparatuses including insulative structures of stack structures having different portions and related memory devices

Номер патента: US20240196614A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Srikant Jayanti,Pavan Kumar Reddy Aella. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the III-V type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US9991346B2. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Optoelectronic component, semiconductor structure and method

Номер патента: US20220376134A1. Автор: Christian Berger,Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka,Felix FEIX,Ana Kanevce. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180331177A1. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130134516A1. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8932927B2. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor structures comprising polymeric materials

Номер патента: US20170330784A1. Автор: Sony Varghese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor structure and related method

Номер патента: US20200035545A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor Structure and Related Method

Номер патента: US20180061698A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US9892976B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Self-organized quantum dot manufacturing method and quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US20220020588A1. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-01-20.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20180301465A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers

Номер патента: US20140299892A1. Автор: Jani Oksanen,Jaakko Tulkki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Bulk semiconductor structure with a multi-level polycrystalline semiconductor region and method

Номер патента: US20220051929A1. Автор: Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Pixel array structure having doped active layer with uneven thickness and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09985140B2. Автор: Tiansheng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

ZnO-containing semiconductor structure and manufacturing thereof

Номер патента: US09947826B2. Автор: Yuka Sato,Michihiro Sano. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Forming a hybrid channel nanosheet semiconductor structure

Номер патента: US09892976B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having a surface insulator layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US10312093B2. Автор: FENG CHEN,Xianming Zhang,Ling TANG,Leibin Yuan,Feng DOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of manufacturing a semiconductor structure comprising sic on an oxide layer

Номер патента: EP1417705A1. Автор: Shuwen Guo,Odd Harald Steen Eriksen. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2004-05-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230006062A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of passivating cleaved semiconductor structure

Номер патента: US20240194477A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jaakko Makela,Jouko LÅNG. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20190245074A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20180053839A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20200003825A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Counteracting Semiconductor Material Loss During Semiconductor Structure Formation

Номер патента: US20210351275A1. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-11-11.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US20190326240A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190027607A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Counteracting semiconductor material loss during semiconductor structure formation

Номер патента: US11996459B2. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor structures including dual fins and methods of fabrication

Номер патента: US20120175748A1. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor structures including dual fins

Номер патента: US8497530B2. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Inverted nitride-based semiconductor structure

Номер патента: US20050087752A1. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor structure having a plurality of strip doped regions

Номер патента: US20230024109A1. Автор: Chia-hao Lee,Shih-Chieh Chien,Chia-Shen LIU,Din-Ru YANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device having a container-shaped electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332349A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US12107156B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for transferring semiconductor structure

Номер патента: US09997399B2. Автор: Li-Yi Chen,Shih-Chyn Lin. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Reactor for plasma-chemical treatment of semiconductor structures

Номер патента: RU2753823C1. Автор: Илья Александрович Иванов,Павел Евгеньевич Афонин,Владимир Миронович Долгополов,Павел Александрович Иракин,Константин Владимирович Логунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2021-08-23.

Semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: CA1144659A. Автор: Wolfgang M. Feist. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1983-04-12.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20240096975A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20180337240A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Group iii-v semiconductor structures having crystalline regrowth layers and methods for forming such structures

Номер патента: EP4238137A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-09-06.

Group III-V semiconductor structures having crystalline regrowth layers and methods for forming such structures

Номер патента: US11784248B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20210217855A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor structures having t-shaped electrodes

Номер патента: EP3108498A1. Автор: Adrian D. Williams,Kiuchul Hwang,Dale M. Shaw. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-12-28.

Method of manufacturing a semiconductor structure having a buried raised portion

Номер патента: US10367059B2. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20160111335A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US9793168B2. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20180012805A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Metal terminal edge for semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210091177A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Da Teng. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Forming semiconductor structures with two-dimensional materials

Номер патента: US12046665B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Ming-Yang Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290886A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: FI20225935A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-15.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: FI130838B1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-16.

Forming semiconductor structures with two-dimensional materials

Номер патента: US20210249527A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Ming-Yang Li,Chao-Ching Cheng,Hung-Li Chiang,Tzu- Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240266229A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Po-Kang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Memory device having a container-shaped electrode

Номер патента: US20240332348A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having a separation structure

Номер патента: US20240339516A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor growth device

Номер патента: US20240327980A1. Автор: Xiao Xiao,Yang Cheng,Jun Wang,Yintao GUO. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Forming semiconductor structures with two-dimensional materials

Номер патента: US20240355914A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Ming-Yang Li,Chao-Ching Cheng,Hung-Li Chiang,Tzu- Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method of making

Номер патента: US20240339366A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having epitaxial structure

Номер патента: US12131943B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of measuring parameters of semiconductor structures

Номер патента: RU2622600C2. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев,Екатерина Викторовна Латышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-06-16.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

Semiconductor structure

Номер патента: EP4307383A1. Автор: Yi Tang,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230389252A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Field-effect transistors having a gate electrode positioned inside a substrate recess

Номер патента: US20230317776A1. Автор: Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy,Michel Abou-Khalil,Sarah McTaggart,Aaron Vallett. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure having sets of iii-v compound layers and method of forming

Номер патента: US20200402797A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor structure with treated gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204073A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Chi Huang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12027422B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,cheng-hong Wei,Tseng-Yao PAN,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150194481A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee,An-Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170222063A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20230301120A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Silicon-germanium thin layer semiconductor structure with variable silicon-germanium composition and method of fabrication

Номер патента: WO2005096352A3. Автор: Pradip K Roy,Anthony Dip,Seungho Oh,Allen J Leith. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20200168825A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US20230125584A1. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Package structure having a first connection circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051739B2. Автор: Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210057206A1. Автор: Yung-Yao Lee,Wei-Hsiang Tseng,Chen Yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor structure having a compensated resistance in the LDD area and method for producing the same

Номер патента: US20040262691A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor Structure Formed Using a Sacrificial Structure

Номер патента: US20080054481A1. Автор: Sean Lian,Bailey Jones,Simon Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: US20230223252A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure having reliable line pattern designs and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014037A1. Автор: Chih-Hung Lu,Liang-Shiuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

On-die formation of single-crystal semiconductor structures

Номер патента: US20230276635A1. Автор: Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Sameer Chhajed,Jeffery Brandt Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US12089423B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: WO2021198559A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure having a compensated resistance in the LDD area and method for producing the same

Номер патента: US7148539B2. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-12.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: CA3178846A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: AU2021245385A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-11-03.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: EP4128323A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-02-08.

Method of manufacturing semiconductor structure having fins

Номер патента: US20240347376A1. Автор: Chen-Tsung LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240304686A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240363805A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20240365569A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US12131904B2. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10741670B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067449A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US20170062371A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: US20190131127A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods of forming structures having nanotubes extending between opposing electrodes and structures including same

Номер патента: US20140084248A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240162336A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the semiconductor structure

Номер патента: EP4369410A1. Автор: Yonghong Tao,Zhigao Peng. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor structure with a silicon germanium alloy fin and silicon germanium alloy pad structure

Номер патента: US20170033182A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240162327A1. Автор: Yonghong Tao,Zhigao Peng. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US20170222007A1. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186411A1. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of forming structures having nanotubes extending between opposing electrodes and structures including same

Номер патента: US20120261647A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134980A1. Автор: Yung-Han Chiu,Chia-Hung Liu,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160365448A1. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20210172995A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20240192262A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US11959958B2. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240030289A1. Автор: Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Method for forming a semiconductor structure having a strained silicon layer

Номер патента: US20070277728A1. Автор: Mariam G. Sadaka,Bich-Yen Nguyen,Ted R. White,Voon-Yew Thean,Alexander L. Barr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Structure and process for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same and including surface treatment of an oxide layer

Номер патента: US20030015714A1. Автор: Albert Talin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Process for collectively fabricating a plurality of semiconductor structures

Номер патента: US11876073B2. Автор: David Sotta. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor structure etching solution and method for fabricating a semiconductor structure using the same etching solution

Номер патента: US20200135479A1. Автор: Chung-Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor structures with coplanar recessed gate layers and fabrication methods

Номер патента: US20160049495A1. Автор: Yuan-Hung Liu,Xing Zhang,Ganesh Upadhyaya,Taejoon Han,Chang Ho Maeng,Gowri Kamarthy,Hoong Shing Wong,Gabriel Padron Wells,Kristina Trevino,Isabelle Orain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Composite semiconductor structure for reducing scattering of carriers by optical phonons and a semiconductor device that uses such a composite semiconductor structure

Номер патента: US5336901A. Автор: Takuma Tsuchiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Capacitor/antifuse structure having a barrier-layer electrode and improved barrier layer

Номер патента: US20030036223A1. Автор: Michael Nuttall,Randhir Thakur,Garry Mercaldi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069214A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure comprising an electrically conductive bonding interface, and associated manufacturing method

Номер патента: US20240266172A1. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Landru,Gweltaz Gaudin,Franck Fournel,Eric Guiot,Frederic Allibert,Julie Widiez. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for selectively removing predetermined part of selected element in semiconductor structure

Номер патента: US20240021432A1. Автор: Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12087578B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Chun-Hung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240332400A1. Автор: BO Su,Hansu Oh. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for producing a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US20050191824A1. Автор: Bruno Ghyselen,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor structure having common gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20140197480A1. Автор: Qiuhua Han,Xiaoying Meng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140225192A1. Автор: Chih-Chung Wang,Kun-Huang Yu,Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee,Te-Yuan Wu,Shu-Wen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor Structure With Air Gap And Method Sealing The Air Gap

Номер патента: US20230335432A1. Автор: Ziwei Fang,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US20230253355A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20230232636A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of controlling bow in a semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240154059A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240170556A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: EP3178107A1. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2017-06-14.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: WO2016020196A1. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2016-02-11.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A Si SUBSTRATE HETEROINTEGRATED WITH GaN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200373153A1. Автор: Edward Yi Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20220344360A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US11980038B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A Si SUBSTRATE HETEROINTEGRATED WITH GaN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210118670A1. Автор: Edward Yi Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186389A1. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20160379839A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SiGeC LAYER AS ETCH STOP

Номер патента: EP3123496A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor Structure with Metal Ion Capture Layer

Номер патента: US20230335603A1. Автор: Chao-Chi Chen,Bo-Wei Chen,yi ting Liao,Shi Sheng Hu,Shun Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing semiconductor structure and planarization process thereof

Номер патента: US20210354983A1. Автор: Xiang Li,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130716A1. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230010594A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398813A1. Автор: Chun-Sheng Lu,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for forming a semiconductor structure using dehydrating chemical, and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210265221A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chung-Chieh Lee,Chyi Shyuan Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Support for a semiconductor structure

Номер патента: SG11201906017UA. Автор: Marcel Broekaart,Patrick Reynaud,Luciana Capello,Christelle Veytizou,Isabelle Bertrand,Frederic Allibert. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2019-08-27.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Embedded stressor for semiconductor structures

Номер патента: US20110121370A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Philip J. Oldiges,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam

Номер патента: US20240250201A1. Автор: Taeseok Kim,Pei Hsuan LU,Benjamin I. Hsia. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Display module having a circuit insulating layer

Номер патента: US12133422B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Sangmin Kim,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Display module having a circuit insulating layer

Номер патента: US11856819B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Sangmin Kim,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Display module having a circuit insulating layer

Номер патента: US20240107818A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Sangmin Kim,Byoung-Hun Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic random access memory with reduced currents in a bit line and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060097298A1. Автор: Ching-Yuan Ho. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-05-11.

Transducer device having a piezoelectric polymer element and a method of fabrication of said device

Номер патента: CA1162288A. Автор: François Micheron. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-02-14.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: EP3108512A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: WO2015126870A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor Structures Having A Micro-Battery and Methods for Making the Same

Номер патента: US20210384544A1. Автор: Yi Hsun CHIU,Ching-Hou SU,Chyi-Tsong Ni,I-Shi WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures

Номер патента: WO2005079395A3. Автор: YIN Tang. Владелец: YIN Tang. Дата публикации: 2006-12-07.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures and uses of same

Номер патента: MY144480A. Автор: Yin S Tang. Владелец: Yin S Tang. Дата публикации: 2011-09-30.

Connecting structure having a regulating portion to control deformation of an elastic portion of a terminal in an electrical connector

Номер патента: US09917403B2. Автор: Kentaro DOI. Владелец: Hirose Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetic block locking of an electronic device

Номер патента: US11062831B2. Автор: Esa Määttä,Ville Vehkaperä,Otto Huittinen,Juha Järvilinna. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor structure for photonic integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: US20230352907A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Alonso Jesús MILLÁN MEJÍA,Andrea VOLPINI. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

System and Method for Returning Material from the BR2 Side of an H2/BR2 Flow Battery Back after Crossover

Номер патента: US20160322653A1. Автор: Paul Albertus,Edward KNUDSEN,Michael C. Tucker,Adam Z. WEBER,Taek Kyu Cho. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-11-03.

System and method for returning material from the br2 , side of an h2/br2 flow battery back after crossover

Номер патента: EP3095152A1. Автор: Paul Albertus,Edward KNUDSEN,Michael C. Tucker,Kyu Taek CHO,Adam Z. WEBER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-11-23.

Combustion system having a fuel cell and a carbon capture system

Номер патента: US20240359134A1. Автор: Raub Warfield Smith,Thomas Raymond Farrell,Murali Krishna KALAGA,Dhinesh THANGANADAR. Владелец: GE Infrastructure Technology LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Alternator with removable brush block, method of changing brushes in an alternator, alternator with replaceable resistor, and method of changing the maximum output current of an alternator

Номер патента: US20050285472A1. Автор: Daniel Moore,George Panagotacos. Владелец: Lamar Tech LLC. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor structure for photonic integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: EP4272024A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Alonso Jesús MILLÁN MEJÍA,Andrea VOLPINI. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor structure for photonic integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: WO2022144217A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Alonso Jesús MILLÁN MEJÍA,Andrea VOLPINI. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Memory device that performs sensing operation during a bit line pre-charge operation to determine adjustment to the bit line charging voltage

Номер патента: US09941013B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Page buffer comprising a bit line controller and latch units

Номер патента: US12062403B2. Автор: Jong Woo Kim,Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (SRAM) bit cell circuit and a non-volatile memory (NVM) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: US11749327B2. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: US20220180910A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: WO2022125172A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: EP4260320A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Static memory with pull-up circuit for pulling-up a potential on a bit line

Номер патента: US4813022A. Автор: Mitsuo Isobe,Tetsuya Iizuka,Takayuki Ohtani,Masataka Matsui,Jun-ichi Tsujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-03-14.

Apparatus and method for controlling a bit line sense amplifier having offset compensation

Номер патента: US5754488A. Автор: Jeung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Memory device having sense amplifier including plural sense circuits for sensing a voltage of a bit line in a read operation

Номер патента: US11721371B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, and memory

Номер патента: US20240096410A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Stator coil ends of an A.C. generator for vehicle

Номер патента: EP1124305A3. Автор: Yoshihito Asao,Masahiko Fujita,Ryoichi Taji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method and device for operating a domestic appliance and system having a domestic appliance

Номер патента: US20220182255A1. Автор: Tobias Schmidt,Frank Schumacher,Thomas Eric Beliveau,Katja Schönfuss,Sabine Harrer. Владелец: BSH HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2022-06-09.

Selectively utilizing multiple imaging devices to maintain a view of an area of interest proximate a work vehicle

Номер патента: US20230339402A1. Автор: Giovanni A. Wuisan,Brett S. Graham,Rachel Bruflodt. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-10-26.

Machine-learning model to predict probability of success of an operator in a PaaS cloud environment

Номер патента: US12124924B2. Автор: Chen Lin,Muhammed Fatih Bulut,Shripad Nadgowda,Jinho Hwang,Ali Kanso. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

A Method and Apparatus for Controlling a Charging Process for Charging a Vehicle Battery of an Electric Vehicle

Номер патента: US20240356350A1. Автор: Florian Gerstlacher. Владелец: FRONIUS INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD FOR MANAGING A BIT LINE THAT IS DEFECTIVE OF THE MEMORY PLAN OF A NON-VOLATILE MEMORY AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3044817A1. Автор: Rosa Francesco La,Gineuve Alieri. Владелец: Stmicroelectronics Rousset. Дата публикации: 2017-06-09.

METHOD FOR MANAGING A BIT LINE THAT IS DEFECTIVE OF THE MEMORY PLAN OF A NON-VOLATILE MEMORY AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3044817B1. Автор: Rosa Francesco La,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-22.

Electronics device having a plastic cover with a sealed center boss

Номер патента: US11729926B2. Автор: Patrick Su,Kevin D Moore. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for encrypted transmission of data between two components of control unit, involves transferring encrypted data from first component of control unit to second component of control unit, where encrypted data is decrypted

Номер патента: DE102013202322A1. Автор: Thomas Braun,Holger Claus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-08-14.

A method and apparatus for controlling a charging process for charging a vehicle battery of an electric vehicle

Номер патента: AU2022434260B2. Автор: Florian Gerstlacher. Владелец: FRONIUS INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

A method and apparatus for controlling a charging process for charging a vehicle battery of an electric vehicle

Номер патента: AU2022434260A1. Автор: Florian Gerstlacher. Владелец: FRONIUS INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-02-08.

A method and apparatus for controlling a charging process for charging a vehicle battery of an electric vehicle

Номер патента: EP4352850A1. Автор: Florian Gerstlacher. Владелец: FRONIUS INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-04-17.

Aerosol-generating device having a first heater and a second heater and method of controlling the power of the first heater and the second heater of an aerosol-generating device

Номер патента: CN111629618A. Автор: 李载珉,郑炯真. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2020-09-04.

Semiconductor memory device and a method of operating a bit line sense amplifier of the same

Номер патента: US9704545B2. Автор: Ki-Seok OH,Jonghyun Choi,Seong-Heon Yu,Dongwoo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus and method for improving a transition from a concealed audio signal portion to a succeeding audio signal portion of an audio signal

Номер патента: CA3012547C. Автор: Jeremie Lecomte,Adrian TOMASEK. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-12-28.

Apparatus and method for improving a transition from a concealed audio signal portion to a succeeding audio signal portion of an audio signal

Номер патента: CA3012547A1. Автор: Jeremie Lecomte,Adrian TOMASEK. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-08-03.

Radar sensor having a two-dimensional beam scan and L-, U- or T- shaped structure for mounting in the region of the front radiator of an automobile

Номер патента: US11740349B2. Автор: Guenther Trummer,Richard Koerber. Владелец: Cruise Munich GmbH. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method, device, and system for transmitting short data during an active TDMA call

Номер патента: US09930702B2. Автор: Mariusz R. Wawrowski,Krzysztof MINIOR,Grzegorz Szyszka,Przemyslaw Bogucki,Bartlomiej Olejak,Grzegorz Marcin Pawlik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Cooling system for an electric machine having a wound field rotor

Номер патента: US12034336B2. Автор: Michael Duane Bradfield. Владелец: BorgWarner Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Selectively downloading portions of objects in a volumetric video based on internet bandwidth availability

Номер патента: US20240251067A1. Автор: Sarbajit K. Rakshit,Shailendra Moyal,Sooraj Sukumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for highly assured delivery of an important segment of an automated call

Номер патента: US20140301538A1. Автор: Shriwallabh Aghor. Владелец: Avaya Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: WO2023202993A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-26.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: EP4265333A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-25.

Multimedia service over an extended range wireless local area network (WLAN)using a modulation and coding scheme with symbol repetition for higher priority portions of media for data

Номер патента: US11729813B1. Автор: Wei Feng,Chunho Lee,Haopeng LI. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

A stator having a hairpin winding arrangement

Номер патента: EP4456382A1. Автор: Tony PERSSON,Joakim EHN. Владелец: POLESTAR PERFORMANCE AB. Дата публикации: 2024-10-30.

Display for wearable computing devices having a three-dimensional cover

Номер патента: EP4445239A1. Автор: Junyong PARK,James Edward STEWART,Jens Mitchell Nielsen,Choongho Lee,Triton Hurd,David Alexander KALINOWSKI. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Circuit configuration for reading a memory cell having a ferroelectric capacitor

Номер патента: US20020024836A1. Автор: Georg Braun,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

A cache static RAM having a test circuit therein

Номер патента: GB2305507B. Автор: Jin Kook Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-15.

Write driver circuit of an unmuxed bit line scheme

Номер патента: US20090034348A1. Автор: Chan-Ho Lee,Jong-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Memory device having a power supply-independent low power consumption bit line voltage clamp

Номер патента: MY116419A. Автор: Jagdish Pathak. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-01-31.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory having a plurality of ports

Номер патента: US5191553A. Автор: Yasuhiro Sugimoto,Satoshi Mizoguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-03-02.

A semiconductor device having a electric charge amplifier for amplifying bit line electric charge

Номер патента: GB2326496A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-23.

Semiconductor device having a non-voltaile memory with high speed-read operation

Номер патента: US20230117141A1. Автор: Yonghwan Kim,Sungbum Park,Keesik AHN,Weon-Hwa Jeong,Youngchul SEO,Chulgeun LIM. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Pulsed sub-vdd precharging of a bit line

Номер патента: US20190272859A1. Автор: Greg M. Hess,Hemangi U. Gajjewar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory cell having a reduced peak wake-up current

Номер патента: US09886988B1. Автор: Bing Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device having a hierarchical bit line structure with reduced interference noise

Номер патента: US5610871A. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-03-11.

Programming of an EPROM

Номер патента: US4720816A. Автор: Satoshi Kono,Shigeki Matsuoka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-19.

Memory device having a negative voltage circuit

Номер патента: US11929116B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device having a negative voltage circuit

Номер патента: US20240212749A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit and method of latching a bit line in a non-volatile memory

Номер патента: US5978262A. Автор: Jean-Claude Tarbouriech,Alexis Marquot,Paul Dechamps. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Door assembly having a soft bottomed door panel and system and method of driving the same

Номер патента: US20240133241A1. Автор: Brian Norbert Drifka,Gabriel John Biertzer. Владелец: Rytec Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Redundant multiplexer for semiconducting memory arrangement improved to minimise the transition time to a redundant bit line in the event of a bit line fault - shifts bit lines with control or switching signal by number of faulty bit lines so redundant bit lines take the place of bit lines nearest to central bus

Номер патента: DE10007604A1. Автор: Aaron Nygren,Konrad Schoenemann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-08-30.

A write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: EP4376007A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory device having a local current sink

Номер патента: EP2569773A1. Автор: Jung Pill Kim,Hari M. Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-03-20.

Memory device having a local current sink

Номер патента: WO2011143221A1. Автор: Jung Pill Kim,Hari M. Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-17.

A cutting device, a system including a cutting device and a method for cutting free a rectum end portion of an animal carcass

Номер патента: EP4408176A1. Автор: Arno Hermanus Maria Ueffing,Maarten Christiaan HUININK. Владелец: Marel Red Meat BV. Дата публикации: 2024-08-07.

Nonvolatile memory device having a timer circuit

Номер патента: US5483496A. Автор: Kazuhiko Murakawa. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

Manufacturing of an inflatable structure

Номер патента: US20200307154A1. Автор: Erik Hjerpe,Nathan NUZZO. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

MEMORY BIT CELL CIRCUIT INCLUDING A BIT LINE COUPLED TO A STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (SRAM) BIT CELL CIRCUIT AND A NON-VOLATILE MEMORY (NVM) BIT CELL CIRCUIT AND A MEMORY BIT CELL ARRAY CIRCUIT

Номер патента: US20220180910A1. Автор: Shaik Khaja Ahmad,Chava Bharani. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Circuit and method of sharing a latch between a bit line and an erase line in a non-volatile memory

Номер патента: GB9701855D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-19.

Bit line dummy core-cell and method for producing a bit line dummy core-cell

Номер патента: US7394682B2. Автор: Alexander Olbrich,Martin Ostermayr,Christophe Chanussot,Vincent Gouin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-01.

Removable shaft member engageable in a ball portion of articulated bearing assembly

Номер патента: US5271511A. Автор: Wajih Kanjo,David W. Daugherty, Jr.,Michael G. Hawryszkow. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 1993-12-21.

A removable shaft member engageable in a ball portion of an articulated bearing assembly

Номер патента: CA2082582C. Автор: Wajih Kanjo,David W. Daugherty, Jr.,Michael G. Hawryszkow. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 1999-02-16.

Circuit and method of isolating a latch from a bit line in a non-volatile memory

Номер патента: GB9701968D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-19.

Circuit and method of latching a bit line in a non-volatile memory

Номер патента: GB9701851D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-19.

Rolling bearing unit with rotational speed detection device having a tone wheel and a sensor

Номер патента: US5614822A. Автор: Junshi Sakamoto,Kouichi Morita,Takamichi Okada,Akihiro Mashio. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 1997-03-25.

Memory with a word line assertion delayed by a bit line discharge for write operations with improved write time and reduced write power

Номер патента: US9865316B2. Автор: Sharad Kumar Gupta,Mukund Narasimhan,Veerabhadra Rao Boda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Peelable foil container closure having a wavy edge

Номер патента: AU2018230598B2. Автор: Brian J. Chisholm. Владелец: Owens Brockway Glass Container Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Packaging for an active contact lens

Номер патента: WO2015094484A1. Автор: Daniel Patrick Barrows,Jeffrey George Linhardt. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Device for mixing fresh air and heating air and use of the device in a ventilation system of an aircraft

Номер патента: CA2646869C. Автор: Dariusz Krakowski,Uwe Buchholz,Nico Centofante. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2013-01-29.

Medical devices having a dynamic surface profile and methods for production and use thereof

Номер патента: US20240156371A1. Автор: Benjamin J. Feldman,Frank David Fujimoto,Jonathan McCanless,Hyun Brian Cho. Владелец: Abbott Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Floral sleeve having a decorative pattern

Номер патента: US20020032983A1. Автор: Donald Weder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for identification of the drive type of an actuating drive

Номер патента: US20090133573A1. Автор: Wolfgang Scholz,Detlef Pape,Urs E. Meier,Andreas Stelter,Thomas Kleegrewe,Stefan Engelke. Владелец: ABB AG Germany. Дата публикации: 2009-05-28.

Bi-optic barcode reader having a weigh platter and an imaging assembly at a distal edge of the weigh platter

Номер патента: US12131218B2. Автор: Edward Barkan,Mark Drzymala,Darran Michael Handshaw. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING A BIT LINE SENSE AMPLIFIER OF THE SAME

Номер патента: US20170032831A1. Автор: CHOI Jonghyun,Yu Seong-Heon,SOHN DONGWOO,OH Kl-SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Layout structure of a bit line sense amplifier in a semiconductor memory device

Номер патента: US20190189191A1. Автор: Bok-yeon Won,Hyuck-Joon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Testing signal development on a bit line in an sram

Номер патента: US20150213883A1. Автор: Srinivasa Raghavan Sridhara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

PULSED SUB-VDD PRECHARGING OF A BIT LINE

Номер патента: US20190272859A1. Автор: Hess Greg M.,Gajjewar Hemangi U.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

A power supplier for precharge on a bit line of a semiconductor

Номер патента: KR970003713B1. Автор: 이재진. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-03-21.

Method and circuit for detecting current leaks in a bit line.

Номер патента: FR2690751A1. Автор: ROUY Olivier. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1993-11-05.

METHOD AND CIRCUIT FOR DETECTING CURRENT LEAKS IN A BIT LINE.

Номер патента: FR2690751B1. Автор: ROUY Olivier. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1994-06-17.

A method for sensing a bit line providing a consistent sensing margin interval regardless of variations in an external power voltage and a memory device therefor

Номер патента: KR100550632B1. Автор: 윤준열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-10.

A method for sensing a bit line of a semiconductor device

Номер патента: KR100673110B1. Автор: 전배근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Semiconductor device and method for compensating voltage drop of a bit line

Номер патента: KR100736408B1. Автор: 이승원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-09.

Process and circuit for detecting current leaks in a bit line

Номер патента: EP0568439B1. Автор: Olivier Cabinet Ballot-Schmit Rouy. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1994-12-14.

Model eye producing a speckle pattern having a reduced bright-to-dark ratio

Номер патента: CA2825710C. Автор: Richard James Copeland. Владелец: AMO Wavefront Sciences LLC. Дата публикации: 2019-03-12.

Method and apparatus for boosting a bit line for low VCC reading

Номер патента: JP4128950B2. Автор: バンバスカーク，マイケル・エイ,チャン，ポー−リン. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Voltage regulator for a bit line of a semiconductor memory cell

Номер патента: DE102005052058B4. Автор: Markus Spitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-07-12.

Voltage regulator for a bit line of a semiconductor memory cell

Номер патента: US20070097754A1. Автор: Markus Spitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-03.

Nonvolatile semiconductor memory having plural data storage portions for a bit line connected to memory cells

Номер патента: US20080266965A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Nonvolatile semiconductor memory having plural data storage portions for a bit line connected to memory cells

Номер патента: US20110096598A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

A cutting device, a system including a cutting device and a method for cutting free a rectum end portion of an animal carcass

Номер патента: CA3232765A1. Автор: Arno Hermanus Maria Ueffing,Maarten Christiaan HUININK. Владелец: Marel Red Meat BV. Дата публикации: 2023-04-06.

Method and system for pet image reconstruction using portion of event data

Номер патента: EP1946271A1. Автор: Daniel Gagnon,Jeffrey A. Kolthammer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-23.

A cutting device, a system including a cutting device and a method for cutting free a rectum end portion of an animal carcass

Номер патента: AU2022354089A1. Автор: Arno Hermanus Maria Ueffing,Maarten Christiaan HUININK. Владелец: Marel Red Meat BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device with test mode for controlling of bitline sensing margin time and a method of amplifying a bit line of a semiconductor memory device

Номер патента: TWI299168B. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-21.

Cellophane having a substantially haze-free coating of the dried residue from an organic solution of a vinylidene chloride polymer of narrow compositional range

Номер патента: US3817780A. Автор: P Hinkamp,D Foye. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1974-06-18.

Devices having a textured surface

Номер патента: EP2250974B1. Автор: Donovan D. Prewett. Владелец: MENTOR WORLDWIDE LLC. Дата публикации: 2015-11-25.

Chock for restricting movement of an object

Номер патента: US20020076309A1. Автор: Clarence Duggins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods for perforating graphene using an activated gas stream and perforated graphene produced therefrom

Номер патента: CA2865634A1. Автор: Peter V. Bedworth. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for generating a 3d representation of an object

Номер патента: CA2821773A1. Автор: Gary Stephen Schajer. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2012-06-21.

Closure clip having a plurality of spikes

Номер патента: US20130081235A1. Автор: Uwe Melchert,Heiko Schleucher. Владелец: Poly Clip System GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-04-04.

Magnetic recording medium comprising ferromagnetic powder having a pH of at least 7 dispersed in a vinyl chloride copolymer using an aromatic phoshoric, phosphonic or sulfonic acid dispersant

Номер патента: US5176955A. Автор: Hiroshi Hashimoto,Kiyomi Ejiri,Hiroaki Araki. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1993-01-05.

Network for controlling wind power plants has communication devices for transmission of information from first arithmetic and logic unit to second arithmetic and logic unit

Номер патента: DE102005033229A1. Автор: Martin Dr. Greiner,Rudolf Dr. Sollacher. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Device for strengthening para-vertebral, e.g. cervical, zone of patient, has stress assembly having first portion fixed on base, and second portion fixed to head and pelvis support units and placed forward with respect to first portion

Номер патента: FR2858561A1. Автор: Patrice Blanc,Olivier Licot. Владелец: Olivier Licot. Дата публикации: 2005-02-11.

Spinal hook implant having a low blade and S swivel hook

Номер патента: US5810818A. Автор: Joseph P. Errico,Thomas J. Errico,James D. Ralph,Stephen Tatar,Julius R. Falcon. Владелец: Fastenetix LLC. Дата публикации: 1998-09-22.

Heater with beaker-shaped heat exchanger has tubular wall narrowing from burner towards floor at step from first essentially straight section(s) to second essentially straight section(s)

Номер патента: DE10262065B4. Автор: Rudiger Galtz. Владелец: Webasto SE. Дата публикации: 2006-03-09.

Method, apparatus and system for testing one or more waveguides of an optical device

Номер патента: US6690454B2. Автор: William P Kennedy,John Bernard Medberry,Amanda J Price,Max Seminario. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-02-10.

Automatic revolving door having a system for distributed unfoldment of rotary wings

Номер патента: WO2007013727A1. Автор: Bok Kwon Wang. Владелец: Woojong Entry Co. Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Floral sleeve having a decorative pattern

Номер патента: US20030131530A1. Автор: Donald Weder. Владелец: SOUTHPAC TRUST INTERNATIONAL Inc NOT INDIVIDUALLY BUT AS TRUSTEE OF FAMILY TRUST U/T/A. Дата публикации: 2003-07-17.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVING A TRANSITION FROM A CONCEALED AUDIO SIGNAL PORTION TO A SUCCEEDING AUDIO SIGNAL PORTION OF AN AUDIO SIGNAL

Номер патента: US20190122672A1. Автор: Lecomte Jeremie,TOMASEK Adrian. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Hydraulic valve of the axial type having a linear driving mechanism (options)

Номер патента: RU2643276C2. Автор: Росс А. ШЭЙД,Филлип ДЖЕКМЭН,Кристофер Е. БОУМЭН,Шон М. ГИБ-НЬЮТОН,Шейн М. ДЖОНСОН,Брайан Д. КОРИ,Джастин В. МИЛЛЕР. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2018-01-31.

Method for manufacturing security element of banknote, involves producing metallization coating between first portions with nano-structure and second portions which do not have nano-structure

Номер патента: DE102012025264A1. Автор: Michael Rahm,Hans Lochbihler,Andre Gregarek,Andreas Rauch,Simon Freutsmiedl,Annett Bähr,Erwin Bacher. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2014-07-10.

Apparatus and method for improving a transition from a concealed audio signal portion to a succeeding audio signal portion of an audio signal

Номер патента: WO2017129665A1. Автор: Jeremie Lecomte,Adrian TOMASEK. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2017-08-03.

apparatus, method and system for enhancing a transition from a hidden audio signal portion to a subsequent audio signal portion of an audio signal

Номер патента: BR112018015479A2. Автор: Lecomte Jeremie,TOMASEK Adrian. Владелец: Fraunhofer Ges Forschung. Дата публикации: 2018-12-18.

Apparatus and method for improving a transition from a concealed audio signal portion to a succeeding audio signal portion of an audio signal.

Номер патента: MX2018009145A. Автор: Lecomte Jeremie,TOMASEK Adrian. Владелец: Fraunhofer Ges Forschung. Дата публикации: 2018-12-06.

Methods of treating cancers having a biallelic loss of function or gene overexpression mutation

Номер патента: CA3218004A1. Автор: Victoria Rimkunas,Dominik GLODZIK,Jorge Sergio REIS,Maria Koehler,Michael ZINDA,Robert DABER,Ian SILVERMAN. Владелец: Repare Therapeutics Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Actuator bracket having a sensor

Номер патента: CA2991531C. Автор: Mark Allen Rachuy,Benjamin Uriah Good,Shannon E. Jelken. Владелец: FISHER CONTROLS INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of treating cancers having a biallelic loss of function or gene overexpression mutation

Номер патента: AU2022266856A1. Автор: Victoria Rimkunas,Dominik GLODZIK,Jorge Sergio REIS,Maria Koehler,Michael ZINDA,Robert DABER,Ian SILVERMAN. Владелец: Repare Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of treating cancers having a biallelic loss of function or gene overexpression mutation

Номер патента: EP4330426A1. Автор: Victoria Rimkunas,Dominik GLODZIK,Jorge Sergio REIS,Maria Koehler,Michael ZINDA,Robert DABER,Ian SILVERMAN. Владелец: Repare Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Total internal reflection lens having a straight sidewall entry and a concave spherical exit bounded by a compound parabolic concentrator outer surface to improve color mixing of an led light source

Номер патента: US20170205032A1. Автор: Fangxu Dong. Владелец: Ketra Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Cartridge having a skewed side wall for containing photosensitive material

Номер патента: US4212389A. Автор: Daniel H. Robbins. Владелец: Itek Corp. Дата публикации: 1980-07-15.

Medical devices having a dynamic surface profile and methods for production and use thereof

Номер патента: US11918348B2. Автор: Benjamin Feldman,Frank David Fujimoto,Jonathan McCanless,Hyun Brian Cho. Владелец: Abbott Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Device for dosing predetermined portions of a pasty product

Номер патента: EP2027018A2. Автор: Terenzio Vignoli. Владелец: SYMPAK CORAZZA SpA. Дата публикации: 2009-02-25.

Radar sensor having a two-dimensional beam scan and L-, U- or T-shaped structure for mounting in the region of the front radiator of an automobile

Номер патента: US20190377083A1. Автор: Trummer Guenther,Koerber Richard. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Electronic device having a curved surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20210341782A1. Автор: Tsu-Hsien Ku,Fang-Cheng JHOU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of partial validation of an organizational structure

Номер патента: US20240086810A1. Автор: Vladislav Bezrukov. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-03-14.

Assembly of an implanting accessory and a flexible implantable stimulation lead

Номер патента: US20230372706A1. Автор: Jean-Francois Ollivier,Diego Amaro. Владелец: SORIN CRM SAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for testing a semiconductor structure having top-side and bottom-side connections

Номер патента: US20070096760A1. Автор: David Patten,Addi Mistry,Edmond Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Laser system for dicing semiconductor structure and operation method thereof

Номер патента: US12121995B2. Автор: Peng Chen,Houde Zhou,Liquan Cai. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09975754B2. Автор: Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Li-Chen Yen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Device for taking the first portion of the biological fluid flow

Номер патента: RU2766726C1. Автор: Елена Борисовна Кутырина. Владелец: Елена Борисовна Кутырина. Дата публикации: 2022-03-15.

Injection moulded packaging with a container having a folded upper rim

Номер патента: EP3781492A1. Автор: Benny E. Nielsen. Владелец: Berry Superfos Randers AS. Дата публикации: 2021-02-24.

Method and apparatus for displaying content on a display of an electronic device during different device operating modes

Номер патента: WO2015054623A2. Автор: Sen Yang,Alexander Klement,Adrian G. MANEA,Paul N. Baciu. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2015-04-16.

Method and apparatus for displaying content on a display of an electronic device during different device operating modes

Номер патента: EP3055752A2. Автор: Sen Yang,Alexander Klement,Adrian G. MANEA,Paul N. Baciu. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2016-08-17.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Work vehicle having a work implement and sensors for maintaining a view of an area of interest throughout movement of the work implement

Номер патента: US20230279644A1. Автор: Giovanni A. Wuisan,Brett S. Graham,Rachel Bruflodt. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-09-07.

A wearable band structure having a band portion including embedded structural members with signal-processing components and another band portion not including any electrical components, and systems, devices, and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2024097364A2. Автор: Eric Chang,Marc-Aurelien Vivant,Shane Michael Ellis,Phelan Miller,Jess Brandon Pool,Yi Hsieh,Cameron O'Neill,Audrey Caroline Christine Louchart,Andrew Rosenkranz. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2024-05-10.

A wearable band structure having a band portion including embedded structural members with signal-processing components and another band portion not including any electrical components

Номер патента: WO2024097364A3. Автор: Eric Chang,Marc-Aurelien Vivant,Shane Michael Ellis,Phelan Miller,Jess Brandon Pool,Yi Hsieh,Cameron O'Neill,Audrey Caroline Christine Louchart,Andrew Rosenkranz. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US12131111B2. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Anterior cervical fixation plate for fixating portions of a cervical spine to facilitate bone fusion

Номер патента: US12064146B2. Автор: Wayne Gray,Justin C. Sluder. Владелец: MIRUS LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Device and method for adjusting and/or modifying a profile in the supply of dampening medium, extending in the direction of the printing width, and printing unit having a device for adjusting and/or modifying the profile

Номер патента: US09908322B2. Автор: Volkmar Schwitzky,Patrick KRESS,Martin Lanig. Владелец: Koenig and Bauer AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods and Systems For The Preparation Of Molded Plastic Articles Having A Structural Barrier Layer

Номер патента: US20140272222A1. Автор: Paul M. Swenson. Владелец: Kortec Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Inkjet printer nozzle arrangement having thermal actuator with inner and outer portion of inverse profile

Номер патента: US20090160909A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Snowboard binding highback having an upper portion of uniform material

Номер патента: US20210154564A1. Автор: Justin Frappier. Владелец: Low Pressure Studio BV. Дата публикации: 2021-05-27.

Optimization Of An Active Range Of mSets Stored In A Compressed Address Table

Номер патента: US20240272826A1. Автор: Jonathan Journo,Nava SINGER. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrical probe having a conductive whisker

Номер патента: US7924040B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-12.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20240272357A1. Автор: Alonso Jesús MILLÁN-MEJÍA,Paul TIEBOT. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for forming a mems device layer on an active device layer and devices formed thereby

Номер патента: US20210292161A1. Автор: Marco Francesco Aimi,Joleyn Eileen Brewer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-09-23.

Cutting head and cutting tool having a replaceable cutting head

Номер патента: US09999929B2. Автор: Lilian Rimet. Владелец: SECO TOOLS AB. Дата публикации: 2018-06-19.

Systems and methods for multiple-pass stripping of an optical fiber coating

Номер патента: US09891384B2. Автор: Klaus Hartkorn,Anthony Sebastian Bauco,Daniel Max Staloff. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Information processing apparatus, method, system, and storage medium to perform registration work of an area associated with an attribute

Номер патента: US20240159541A1. Автор: Hideyoshi SATO,Hidenori Satake,Hirofumi AMMA,Yukitaka OKAMOTO. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Structure

Номер патента: US20170254950A1. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Structure

Номер патента: US20160139335A1. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US9696488B2. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Recording of operating parameters of an intelligent electronic device

Номер патента: WO2014070712A3. Автор: David E. Whitehead,Edmund O. Schweitzer, Iii,Ron Schwartz. Владелец: SCHWEITZER ENGINEERING LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

Headwear insert, system, and methods to define and control the shape of an article of headwear

Номер патента: US20230389639A1. Автор: Philip G. Christiansen,Jacqueline M. Christiansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-07.

Aspiration catheter having a braided marker band and improved visibility under fluoroscopy

Номер патента: US20240277361A1. Автор: Pedro PEDROSO,Chadwin Hanna. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Aspiration catheter having a braided marker band and improved visibility under fluoroscopy

Номер патента: WO2024176161A1. Автор: Pedro PEDROSO,JR. Chadwin HANNA. Владелец: DePuy Synthes Products, Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Acoustically treated landing gear door and method for reducing noise from landing gear of an aircraft

Номер патента: EP4095034A1. Автор: Takao Suzuki,Eric H. Nesbitt,Justin H. LAN,Navid Daneshvaran,Deric A. Babcock,Jordan R. Kreitzman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-11-30.

Acoustically treated landing gear door and method for reducing noise from landing gear of an aircraft

Номер патента: US11964752B2. Автор: Takao Suzuki,Eric H. Nesbitt,Justin H. LAN,Navid Daneshvaran,Deric A. Babcock,Jordan R. Kreitzman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-04-23.

Reactor for the hydrothermal oxidation treatment of an organic material in a reaction medium

Номер патента: US11986870B2. Автор: Jean-Christophe Ruiz,Hubert-Alexandre Turc,Antoine Leybros. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatus for perfusion of an excised organ

Номер патента: AU2024204777A1. Автор: Darren FREED. Владелец: TransMedics Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Canister for containing an active agent

Номер патента: WO2015139954A1. Автор: Jacquy Lebon. Владелец: CLARIANT PRODUCTION (FRANCE) S.A.S.. Дата публикации: 2015-09-24.

Optical disk format having a continuous recording area formed of alternating land and groove revolutions, optical disk drive apparatus, and optical disk tracking method

Номер патента: US6337845B1. Автор: Kazuhiko Nakane,Yoshinobu Ishida,Masato Nagasawa,Hiroyuki Oohata,Kenji Gotoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-08.

Aircraft section and aircraft having a monument with two lavatories

Номер патента: EP4406829A1. Автор: Michael Meyer,Thomas CANTON. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-07-31.

System and method of increasing temporal resolution of an x-ray image

Номер патента: US20120314928A1. Автор: Jiang Hsieh,Bruno Kristiaan Bernard De Man,BaoJun Li,Peter Michael Edic,Roy-Arnulf Helge Nilsen,Jean-Baptiste Thibault,John Lawrence Seamans. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-12-13.

System for controlling a wheel brake of an aircraft

Номер патента: US20180215356A1. Автор: Michael Knight,Timothy Burns. Владелец: Gulfstream Aerospace Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method and apparatus for detecting imminent use of an electronic device

Номер патента: US20240201771A1. Автор: Jay Stone,Michael Archbold. Владелец: Ecolink Intelligent Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Optical frequency doubler using quantum well semiconductor structures

Номер патента: US5289309A. Автор: Michel Papuchon,Dominique Delacourt,Jean-Claude Pocholle. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-02-22.

Method of administering a financial instrument having a service voucher-based return component

Номер патента: EP1086436A1. Автор: Jacques-Henri Djian. Владелец: DJIAN JACQUES HENRI. Дата публикации: 2001-03-28.

Device for analyzing the material composition of an object via plasma spectrum analysis having a long pass filter

Номер патента: WO2020081320A1. Автор: Michael Anthony Damento,Stanislaw Piorek,Scott Charles Buchter. Владелец: Rigaku Analytical Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods and apparatus for activating and monitoring functions of an autonomous vehicle

Номер патента: WO2021091766A1. Автор: Paul Michael White,Grant Yuan Emmendorfer. Владелец: Nuro, Inc.. Дата публикации: 2021-05-14.

Adjustable roller unit for moving a slat of an aircraft wing

Номер патента: US20230339598A1. Автор: Angelo Trinchillo. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2023-10-26.

Method and apparatus for detecting imminent use of an electronic device

Номер патента: WO2024129462A1. Автор: Jay Stone,Michael Archbold. Владелец: Ecolink Intelligent Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

SWITCH SYSTEM HAVING A BUTTON TRAVEL LIMIT FEATURE

Номер патента: US20120000760A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130307031A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Plappert Mathias. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-11-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY FOR DISCONNECTING A BIT LINE FROM A SENSE AMPLIFIER IN A STANDBY PERIOD AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120195145A1. Автор: Kobayashi Hiroyuki. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-08-02.

TESTING SIGNAL DEVELOPMENT ON A BIT LINE IN AN SRAM

Номер патента: US20140071736A1. Автор: Sridhara Srinivasa Raghavan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-13.

METHOD FOR ENCRYPTING A MESSAGE REPRESENTED AS A BIT LINE

Номер патента: RU2013126860A. Автор: Андрей Николаевич Березин,Александр Андреевич Молдовян,Дмитрий Николаевич Молдовян,Алексей Викторович Рыжков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2014-12-20.

A bit line voltage compensation circuit using Vcc detection means

Номер патента: KR980005006A. Автор: 안상욱. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Fluid end of a high pressure pump having a groove adapted to receive a retainer of a suction valve

Номер патента: CA2841493C. Автор: Arun Nahendra Raj Chandrasekaran,Christopher Douglas Degginger,Gregory David Hash. Владелец: Gardner Denver Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

WIPES HAVING A NON-HOMOGENEOUS STRUCTURE

Номер патента: US20120003447A1. Автор: Mueller Joerg,"ODonnell Hugh Joseph",Gonzalez-Mendez Luis Omar,McAffry Karen Denise. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2012-01-05.

WIPES HAVING A NON-HOMOGENEOUS STRUCTURE

Номер патента: US20120003432A1. Автор: . Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjustable Reference Guide for an Input Tray of an Imaging Apparatus for Media Sheet Alignment

Номер патента: US20120002251A1. Автор: Horrall Paul Douglas,Jones Philip David,Palumbo Franklin Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Fluid-Permeable Body Having a Superhydrophobic Surface

Номер патента: US20120000848A1. Автор: MULLINS John,Lyons Alan M.,Schabel Michael J.. Владелец: LUCENT TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRANGEMENT FOR SENSING WEIGHT OF AN OCCUPYING ITEM IN A VEHICULAR SEAT

Номер патента: US20120001463A1. Автор: Breed David S.,Johnson Wendell C.,DuVall Wilbur E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION ASSEMBLY HAVING A MICROACTUATOR GROUNDED TO A FLEXURE

Номер патента: US20120002329A1. Автор: Liu Yanning,SHUM WING C.,Scura John E.. Владелец: Western Digital (Fremont), LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

RETRIEVAL SOCK ATTACHABLE TO AN ASSOCIATED RETAINING PLATE AND FLOOR PLATE OF AN AMMUNITION MAGAZINE

Номер патента: US20120000107A1. Автор: Philbin Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANODE-SUPPORTED SOLID OXIDE FUEL CELL COMPRISING A NANOPOROUS LAYER HAVING A PORE GRADIENT STRUCTURE, AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003565A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Jong Cheol,LEE Hae-Weon,SON Ji-Won,KIM Hae-Ryoung,Noh Ho-Sung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRESSURE-COOKING UTENSIL HAVING A DUAL-PURPOSE LOCKING/UNLOCKING CONTROL MEMBER

Номер патента: US20120000909A1. Автор: Chameroy Eric,Roussard Philippe. Владелец: SEB S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETORESTRICTIVE POSITION SENSOR ACCORDING TO THE PROPAGATION TIME PRINCIPLE HAVING A MAGNETORESTRICTIVE DETECTOR UNIT FOR MECHANICAL-ELASTIC DENSITY WAVES

Номер патента: US20120001622A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Microwave Antenna Having a Reactively-Loaded Loop Configuration

Номер патента: US20120004651A1. Автор: Brannan Joseph D.,Prakash Mani N.,SHIU BRIAN. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY SYSTEM HAVING A CHAMBER CONTAINING INERT GAS

Номер патента: US20120003513A1. Автор: Fuhr Jason. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

UNIT PIXEL ARRAY OF AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CONTROLLED RELEASE OF AN ACID-UNSTABLE PHYSIOLOGICALLY ACTIVE SUBSTANCE

Номер патента: US20120003311A9. Автор: Mizuno Mitsuru,Aoki Shigeru,Yoshitake Takashi,Moroshima Kenji. Владелец: Eisai R&D Management Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Heteroepitaxial semiconductor structure for photodetector cell

Номер патента: RU2034369C1. Автор: Александр Андреевич Величко. Владелец: Александр Андреевич Величко. Дата публикации: 1995-04-30.

PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION DETECTOR HAVING A PLURALITY OF UNIT COMPONENTS WITH SENSITIVITY TO A PHYSICAL QUANTITY CHANGE OF LIGHT

Номер патента: US20120002088A1. Автор: FUKUSHIMA Noriyuki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC BALLAST HAVING A PARTIALLY SELF-OSCILLATING INVERTER CIRCUIT

Номер патента: US20120001560A1. Автор: Taipale Mark S.,Jr. Robert C.,Newman. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2556765C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-07-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.