Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US20210118731A1
Опубликовано: 22-04-2021
Автор(ы): Chia-Hao Chang, Chia-Lin Chuang, Chih-Hao Wang, Lin-Yu HUANG, Sheng-Tsung Wang, Tien-Lu Lin, Yu-Ming Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US20240321637A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US20220181206A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US11978669B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: GB2625965A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: US12046643B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: WO2023041994A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor structure with conductive structure

Номер патента: US20230049010A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure with conductive structure

Номер патента: US11961886B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096806A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Wei Chen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Forming gate line-end of semiconductor structures with improved metal gate height

Номер патента: US12068196B2. Автор: Kei-Wei Chen,Che-Hao Tu,Che-Liang Chung,Chih-Wen Liu,You-Shiang Lin,Yi-Ching Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US20240371692A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with multi spacer

Номер патента: US09911824B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor Structure with Staggered Selective Growth

Номер патента: US20240332073A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: EP4340041A2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor structures with backside gate contacts

Номер патента: US12087691B2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Veeraraghavan S. Basker,Kisik Choi,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: US20210242110A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: US20220068766A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: EP4340041A3. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure having buried conductive elements

Номер патента: US20150236024A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni,Emre Alptekin,Johnathan E. Faltermeier,Reinaldo A. Vega,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Backside via with a low-k spacer

Номер патента: US20240363428A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels

Номер патента: US20240357829A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor Structure Formed Using a Sacrificial Structure

Номер патента: US20080054481A1. Автор: Sean Lian,Bailey Jones,Simon Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor structure with enhanced contact and method of manufacture the same

Номер патента: US09647115B1. Автор: Sung-Li Wang,Meng-Chun Chang,Yasutoshi Okuno,Yi-Fang Pai,Cheng-Long Chen,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09608062B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels, and method of forming the same

Номер патента: US12058869B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559190B2. Автор: Chien-Hung Chen,Cherng-Chang TSUEI,Hobin Chen,Shen-Chieh Liu,Wen-Lang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Integrated circuit structure with substrate isolation and un-doped channel

Номер патента: US09484461B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure having epitaxial structure

Номер патента: US12131943B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411160A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Yu-Hsiang Liao,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure with in-device high resistivity polycrystalline semiconductor element and method

Номер патента: US20220181501A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Michael J. Zierak,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and process thereof

Номер патента: US09698229B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Xiao Zhong Zhu,Ching-Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor-on-insulator wafer, semiconductor structure including a transistor, and methods for the formation and operation thereof

Номер патента: US20180040731A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor structure

Номер патента: US20170373169A1. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor structure

Номер патента: US12087834B2. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094947B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ko-Feng Chen,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor-on-insulator wafer, semiconductor structure including a transistor, and methods for the formation and operation thereof

Номер патента: US09966466B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09735251B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure with data storage structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160240775A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Huang-Kui CHEN,Woan-Yun HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor structure with data storage structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190035850A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Huang-Kui CHEN,Woan-Yun HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240222457A1. Автор: Yu-Jen Liu,Wei-Cheng Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SiGeC LAYER AS ETCH STOP

Номер патента: EP3123496A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Fin-based semiconductor device including a metal gate diffusion break structure with a conformal dielectric layer

Номер патента: US09793273B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09502567B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222525A1. Автор: Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09837510B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220139801A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11769707B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp Please. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134980A1. Автор: Yung-Han Chiu,Chia-Hung Liu,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of continuous hills and method of fabricating the same

Номер патента: US20160141359A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of plural hills and method of fabricating the same

Номер патента: US09490316B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structure having insulator pillars and semiconductor material on substrate

Номер патента: US09793113B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method for forming semiconductor structure with sub-fin structures

Номер патента: US09455176B2. Автор: Chien-Ting Lin,Po-Chao Tsao,Shih-Fang Tzou,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Integrated Circuit with a Fin and Gate Structure and Method Making the Same

Номер патента: US20240274694A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09401425B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Forming semiconductor structure with device layers and TRL

Номер патента: US09783414B2. Автор: Michael A. Stuber. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Forming semiconductor structure with device layers and TRL

Номер патента: US09624096B2. Автор: Michael A. Stuber. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200243565A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210320131A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with wraparound backside amorphous layer

Номер патента: US20230387225A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated structure with trap rich regions and low resistivity regions

Номер патента: EP4447124A2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Crystal R. Kenney. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US09859170B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Yung-Feng Cheng,Chia-Lin Lu,Shu-Ru Wang,Chia-Wei Huang,Jia-Rong Wu,Ming-Jui Chen,Yi-Hui Lee,Wei-Cyuan Lo,Ying-Cheng Liu,Tan-Ya Yin,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure with shallow trench isolation and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646871B2. Автор: Che-Cheng Chang,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG,Jui Fu Hseih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335469A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor Structures With Densly Spaced Contact Features

Номер патента: US20220344214A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Fill Structures With Air Gaps

Номер патента: US20240250121A1. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20160111335A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US9793168B2. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20180012805A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240290780A1. Автор: Zheng Zeng,Chia-Hsin Hu,Chen-Ting Leng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication

Номер патента: US09859381B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld,Jizhong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09634017B1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Fill structures with air gaps

Номер патента: US11961884B2. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US09558996B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09768028B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09799652B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with a silicon germanium alloy fin and silicon germanium alloy pad structure

Номер патента: US09761667B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US12119404B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-planar semiconductor structure with preserved isolation region

Номер патента: US09666709B2. Автор: Yanxiang Liu,Jerome Ciavatti,Xiaoli He,Myung Hee NAM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US11289477B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US20180026034A1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US8933504B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor structure with nitrided inner spacers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136427A1. Автор: Man-Nung SU,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960246B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming semiconductor structure with nanowire structures

Номер патента: US09875937B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon-germanium region

Номер патента: US09620507B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Counteracting Semiconductor Material Loss During Semiconductor Structure Formation

Номер патента: US20210351275A1. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-11-11.

Counteracting semiconductor material loss during semiconductor structure formation

Номер патента: US11996459B2. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773910B2. Автор: Chung-Yi Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12021117B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040406B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230154985A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240347338A1. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12057313B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09698218B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of forming a semiconductor structure with a metal gate

Номер патента: US20210035865A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4284137A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Dry etching of semiconductor structures with fluorine-containing gases

Номер патента: US20230064393A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210135016A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure

Номер патента: EP3817065A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240170580A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09761724B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US09590041B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chien-Hung Chen,Yu-Ru Yang,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Shih-Hsien Huang,Cheng-Tzung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming a semiconductor structure including laterally etching semiconductor material in fin recess region and depositing metal gate therein

Номер патента: US11355396B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with nanofog oxide adhered to inert or weakly reactive surfaces

Номер патента: US12080549B2. Автор: Iljo KWAK,Andrew Kummel,Kasra Sardashti. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748264B1. Автор: Teng Hao Yeh,Yu Wei Jiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564513B2. Автор: Kei-Wei Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Chun-Ju Huang,Ying-Min Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240047581A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Cheng Lai,Shao-Hua Hsu,Wei-Yeh TANG,Chun-Chan HSIAO,Chih-Long Chiang,Po-Hsiang Chuang,Mao-Lin Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor structure with inversion layer between stress layer and protection layer and fabrication method thereof

Номер патента: US11710791B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure with device including at least one in-well porous region

Номер патента: EP4421872A1. Автор: Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy,Kaustubh Shanbhag. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor structure with device including at least one in-well porous region

Номер патента: US20240282852A1. Автор: Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy,Kaustubh Shanbhag. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure with feature spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716096B1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure with interfacial layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595593B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Yuh-Ta FAN,Wei-Fan Lee,Chin-Kun Wang,Tzu-Yao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US11171143B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653302B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US20170256390A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor structure having a source and a drain with reverse facets

Номер патента: US09673296B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Jinghong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09564431B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure with patterned fin structure

Номер патента: US12131901B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09929245B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US12048136B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures

Номер патента: US20170213829A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structures

Номер патента: US09911742B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09607902B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09543381B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Po-Chi WU,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure with concave blocking dielectric sidewall and method of making thereof by isotropically etching the blocking dielectric layer

Номер патента: US09478558B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Senaka Kanakamedala,Sateesh KOKA,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure with template for transition metal dichalcogenides channel material growth

Номер патента: US09349806B2. Автор: YI Chang,Yen-Teng Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Group III-V device with a selectively modified impurity concentration

Номер патента: US09564492B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Group III-V device with a selectively reduced impurity concentration

Номер патента: US09437685B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12034061B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structures

Номер патента: US09793124B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with different crystalline orientations

Номер патента: US20230090017A1. Автор: Effendi Leobandung,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of modifying capping layer in semiconductor structure

Номер патента: US09837504B2. Автор: Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Wayne Liu,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Metal gate structure with multi-layer composition

Номер патента: US09679984B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsien-Ming Lee,Hung-Chin Chung,Hsiao-Kuan Wei,Shiang-Rung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure with increased space and volume between shaped epitaxial structures

Номер патента: US20160005657A1. Автор: Bharat Krishnan,Jinping Liu,Jody A. FRONHEISER,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method of forming the structure

Номер патента: US20100112766A1. Автор: Kern Rim,Katsunori Onishi,Shreesh Narasimha,Yaocheng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell having a charge trapping layer and method for the formation thereof

Номер патента: US09673210B1. Автор: Peter Baars,Joerg Schmid,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure having a compensated resistance in the LDD area and method for producing the same

Номер патента: US20040262691A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor structure having a compensated resistance in the LDD area and method for producing the same

Номер патента: US7148539B2. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893183B2. Автор: Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Shin-Jiun Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837533B2. Автор: Chun-yi Lee,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Shin-Jiun Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure with composite oxide layer

Номер патента: US20240371872A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure, formation method, and operation method

Номер патента: US20240250087A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200043806A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954098B1. Автор: Yu-Jui Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240347612A1. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09812577B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure including a transistor having stress creating regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09812573B1. Автор: Maciej Wiatr,Chung Foong Tan,Arkadiusz Malinowski,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09728543B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating a semiconductor structure having selective dopant regions

Номер патента: US7419883B2. Автор: Nicola Vannucci,Sven Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure having self-aligned insulating feature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240234545A1. Автор: Yi-Hsien Chen,Yi-Ren CHEN,Chun-Ting Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10439066B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Miccroelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355849A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067480A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure and process thereof

Номер патента: US09478627B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chen-Kuo Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure having logic region and analog region

Номер патента: US20160322384A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor Structure

Номер патента: US20180277678A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20200152792A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12074163B2. Автор: Wu Feng DENG,De Biao HE,Chang Yong Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12101924B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure having two-dimensional channel

Номер патента: EP4409640A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Christopher Waskiewicz,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363684A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Chun-Yuan Chen,Szu-Chien WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US12057477B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US20240371934A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with dielectric spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240113214A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit structure with substrate isolation and un-doped channel

Номер патента: US09960273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Chung-Cheng Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure with multilayer III-V heterostructures

Номер патента: US09577042B1. Автор: Steven Bentley,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor Structure with Active Device and Damaged Region

Номер патента: US20160118406A1. Автор: Michael A. Stuber,Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Switch Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor structure with active device and damaged region

Номер патента: US09780117B2. Автор: Michael A. Stuber,Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11776963B2. Автор: Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240355911A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with an l-shaped bottom plate

Номер патента: US20160307892A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor structure with an l-shaped bottom plate

Номер патента: US20160300956A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor structure with an L-shaped bottom plate

Номер патента: US9871118B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756934B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure with an l-shaped bottom plate

Номер патента: US20160351689A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing semiconductor structure with isolation strips

Номер патента: US12051693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347591A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397400A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230128761A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09698249B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4243074A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor Structures With Reduced Parasitic Capacitance And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20230402528A1. Автор: Wei-De Ho,Cheng-Ming Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160365448A1. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same, memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301070A1. Автор: Yong Yu,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-09-21.

Dual channel structures with multiple threshold voltages

Номер патента: US09997519B1. Автор: Michael A. Guillorn,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09876116B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09711646B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US09614085B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US09450047B1. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor structure

Номер патента: US20140264439A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure

Номер патента: US20160322502A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structure with backside through silicon vias and method of obtaining die ids thereof

Номер патента: US20230230930A1. Автор: Kuang-Hui Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110037122A1. Автор: Kao-Way Tu,Cheng-Hui Tung. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US7960784B2. Автор: Kao-Way Tu,Cheng-Hui Tung. Владелец: Nicko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Gate structure with multiple spacers

Номер патента: US20170243946A1. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical semiconductor structure with integrated sampling structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12046664B2. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function and multi-valued channel doping of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09620591B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Laterally diffused metal-oxide- semiconductor structure

Номер патента: US20240072163A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure including high voltage device

Номер патента: SG151181A1. Автор: Zhu Chunlin,KOO Jeoung Mo,Li Yisuo,PURAKH Raj Verma,Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US20150348870A1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130214354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230230976A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Chia-Ling Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4451333A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240355812A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230020805A1. Автор: Jung-Hua Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US12080646B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure having buried gate, buried source and drain contacts, and strained silicon and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057578A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150194481A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee,An-Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor structure including high voltage device

Номер патента: SG170085A1. Автор: Zhu Chunlin,KOO Jeoung Mo,Li Yisuo,PURAKH Raj Verma,Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-29.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure

Номер патента: US09583640B1. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer,Tom Herrmann,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20100025762A1. Автор: Kao-Way Tu,Cheng-Hui Tung. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20170194439A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US8546857B1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773696B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of fabricating a semiconductor structure with a self-aligned contact

Номер патента: US09543203B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Wei-Hao Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure having PMOS transistor with a channel layer and forming method thereof

Номер патента: US12131953B2. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Circuit structure with gate configuration

Номер патента: US12021130B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Circuit Structure with Gate Configuration

Номер патента: US20240347614A1. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure including sectioned well region

Номер патента: US12046603B2. Автор: Mahbub Rashed,Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure including sectioned well region

Номер патента: US20240282776A1. Автор: Mahbub Rashed,Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor structure, semiconductor structure, and electronic device

Номер патента: US09768251B2. Автор: Heinz Schmid,Heike E. Riel,Mattias B. Borg,Kirsten E. Moselund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451320A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09761460B1. Автор: Chia-Ching Lin,En-Chiuan Liou,Yen-Pu Chen,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure with beryllium oxide

Номер патента: US20140145314A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US09837282B1. Автор: Chia-Ching Lin,En-Chiuan Liou,Yen-Pu Chen,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Threshold voltage adjustment for a gate-all-around semiconductor structure

Номер патента: US20180151438A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Threshold Voltage Adjustment for a Gate-All-Around Semiconductor Structure

Номер патента: US20200035562A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Threshold voltage adjustment for a gate-all-around semiconductor structure

Номер патента: US20180337094A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Structure with isolated well

Номер патента: US20240258320A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Siva Kumar Chinthu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of forming a semiconductor structure including a ferroelectric material and semiconductor structure including a ferroelectric transistor

Номер патента: US09412600B2. Автор: Gunter Grasshoff,Ralf van Bentum. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09515078B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240030289A1. Автор: Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure with a first lower electrode layer and a second lower electrode layer and method for manufacturing same

Номер патента: US12137550B2. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Dram structures with source/drain pedestals and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2005119741A3. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240234497A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4148792A1. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177855A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177856A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130320413A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11114378B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US20170148667A1. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US09735049B2. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09640479B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Xianyong Pu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09514881B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Xianyong Pu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structure and preparation method therefor, and radio frequency circuit and communication device

Номер патента: EP4425536A1. Автор: Xiaohong Wang,Xiangming Xu,Zhongxiang JIAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366828A1. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11670584B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12080596B2. Автор: JISONG Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20210036105A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-02-04.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20230207621A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US09601411B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Hsiao-Chin Tuan,Felix Ying-Kit Tsui,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure with two-dimensional conductive structures

Номер патента: US12068253B2. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210043510A1. Автор: LI Jiang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Dual device semiconductor structures with shared drain

Номер патента: US10917052B2. Автор: Christian Larsen,Shanjen Pan,Marc L. Tarabbia. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Dual device semiconductor structures with shared drain

Номер патента: US20170272042A1. Автор: Christian Larsen,Shanjen Pan,Marc L. Tarabbia. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Dual device semiconductor structures with shared drain

Номер патента: US20190238104A1. Автор: Christian Larsen,Shanjen Pan,Marc L. Tarabbia. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US12094815B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240363528A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and preparation method

Номер патента: EP4307356A1. Автор: Tzung-Han Lee,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352013A1. Автор: Tzung-Han Lee,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096691A1. Автор: Mingming Ma,Zhikai WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structure including a through electrode, and method for forming the same

Номер патента: US09466533B2. Автор: Kazushige Toriyama,Akihiro Horibe,Kuniaki Sueoka,Hiroyuki Mori,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor structure including a through electrode, and method for forming the same

Номер патента: US09373545B2. Автор: Kazushige Toriyama,Akihiro Horibe,Kuniaki Sueoka,Hiroyuki Mori,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220020600A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12009223B2. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structure having vertical conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20240203789A1. Автор: Ming-Han Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756920B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Zheng-Xun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Versatile system for limiting electric field degradation of semiconductor structures

Номер патента: US20050258494A1. Автор: Greg Baldwin,PR Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Method of forming an air gap semiconductor structure with selective cap bilayer

Номер патента: US09711455B2. Автор: Elbert E. Huang,Stephen M. Gates,Christopher J. Penny,Deepika Priyadarshini,Dimitri R. Kioussis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming interconnect structure with low dielectric constant

Номер патента: US20030119306A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US12087685B2. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US09837350B2. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of making a semiconductor structure

Номер патента: US20210210381A1. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Deep trench isolation structures with a substrate connection

Номер патента: US20230335583A1. Автор: Jianbo Zhou,Shiang Yang Ong,Namchil MUN,Hung Chang Liao,Zhongxiu Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure including photodiode-based fluid sensor and methods

Номер патента: US20230417695A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20220216196A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory and forming method therefor

Номер патента: US20210375939A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory and forming method therefor

Номер патента: US12082419B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363538A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US11967550B2. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222262A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20170271206A1. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4084053A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09887132B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09704803B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer

Номер патента: US09620371B2. Автор: Eric J. White,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Thomas J. Hartswick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer

Номер патента: US09478427B2. Автор: Eric J. White,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Thomas J. Hartswick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure with a buried power rail

Номер патента: WO2023151939A1. Автор: Theodorus Standaert,Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Fee Li LIE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190252317A1. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098606A1. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Method for forming a vertical electrical connection in a layered semiconductor structure

Номер патента: US20140084474A1. Автор: Vincent Mevellec,Dominique SUHR. Владелец: Alchimer SA. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047270A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240049457A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Improved semiconductor structure and method of fabrication

Номер патента: EP1317771A1. Автор: Stefan Weber. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347448A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068247B2. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09748175B1. Автор: Joung-Wei Liou,Yi-Jung Liu,Huan-Wei Wu,Chester Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130249007A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor Structure and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120292689A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor structure and method for preparing seminconductor structure

Номер патента: US20220068928A1. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and method for preparing seminconductor structure

Номер патента: US12082392B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786619B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Shih-Pei Chou,Sheng-Chau Chen,Ming-Jhe Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and method of making

Номер патента: US09704830B1. Автор: Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure having a capacitor and metal wiring integrated in a same dielectric layer

Номер патента: US09577030B2. Автор: Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378053A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A2. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Vtt. Дата публикации: 1999-12-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US20160079346A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure having gap within gate and cap and process thereof

Номер патента: US09666471B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Chun-Che Huang,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014276A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Bulk semiconductor structure with a multi-level polycrystalline semiconductor region and method

Номер патента: US20220051929A1. Автор: Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Shallow trench isolation structure with raised portion between active areas and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761658B2. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Gallium arsenide heterojunction semiconductor structure

Номер патента: US09761678B2. Автор: Brian G. Moser,Michael T. Fresina. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure with shared well

Номер патента: US11798948B2. Автор: George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device structure with compound semiconductor and method for producing the same

Номер патента: US20210035915A1. Автор: Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Method of forming a semiconductor structure including a vertical nanowire

Номер патента: US20140206157A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Metallization method for semiconductor structures

Номер патента: US09437488B2. Автор: Silvia Armini,Boon Teik CHAN,Frederic LAZZARINO. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-09-06.

Vertically conductive semiconductor structures and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120370A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240023317A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure, fabrication method for semiconductor structure and memory

Номер патента: US20240006319A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Bond pad structure with reduced step height and increased electrical isolation

Номер патента: US20210066225A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: US20230157008A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure with devices having different effective channels and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274469A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Bonded processed semiconductor structures and carriers

Номер патента: US09553014B2. Автор: Ionut Radu,Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and its formation method

Номер патента: US20220084818A1. Автор: JIANG Chu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor structure and method manufacturing the same

Номер патента: US20200402960A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Chuan-An Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor structure with through substrate via and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991215B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11373902B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240321814A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200168614A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4325551A1. Автор: Lingyi CHUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor structure, preparation method therefor and memory

Номер патента: US20240096700A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Polymer based-semiconductor structure with cavity

Номер патента: US09953892B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094758B2. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Fully molded semiconductor structure with through silicon via (tsv) vertical interconnects

Номер патента: US20230378029A1. Автор: Craig Bishop,Clifford Sandstrom,Timothy L. Olson,Robin Davis. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09953936B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Vincent Chen,Hung-Yi Kuo,Chuei-Tang Wang,Ming Hung TSENG,Wei-Ting Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09718682B2. Автор: Peng Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035933A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240120282A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131979B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: EP4367723A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: US20240313101A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-09-19.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of making a semiconductor structure with a plating enhancement layer

Номер патента: US20070166996A1. Автор: Shom Ponoth,Terry Spooner,John Fitzsimmons,Steven Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Electrical contact structure with a redistribution layer connected to a stud

Номер патента: US09640683B2. Автор: Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Wei-Luen Suen,Po-Han Lee,Wei-Ming Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of forming semiconductor structures including tight pitch contacts and lines

Номер патента: US09437480B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069214A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structures and methods for multi-level band gap energy of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09634132B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230164973A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11764062B2. Автор: Fu-Cheng Chang,Ping-Hao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of fabricating semiconductor structure with improved critical dimension control

Номер патента: US09653345B1. Автор: En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Che-Yi Lin,Chia-Hsun Tseng,Shin-Feng Su,Shang-Nan Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: US20240172418A1. Автор: Boyong He,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for transferring semiconductor structure

Номер патента: US09997399B2. Автор: Li-Yi Chen,Shih-Chyn Lin. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US09984943B2. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: US20220052191A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: EP3618123A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190157394A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated thinfilm resistor and MIM capacitor with a low serial resistance

Номер патента: US09865582B2. Автор: Christoph Dirnecker. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09570598B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543211B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure with lining layer partially etched on sidewall of the gate

Номер патента: US7034354B2. Автор: Ming-Sheng Tung,Yueh-Chuan Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230118405A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170126047A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Vincent Chen,Hung-Yi Kuo,Chuei-Tang Wang,Ming Hung TSENG,Wei-Ting Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Structures with buried fluidic channels

Номер патента: US20240162116A1. Автор: Steven M. Shank,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200176268A1. Автор: DUOHUI Bei. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for fabricating a semiconductor structure using a protective layer, and semiconductor structure

Номер патента: US20030073297A1. Автор: Juergen Holz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508769B1. Автор: Yeur-Luen Tu,Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09455270B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12040227B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230282511A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20210151571A1. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou,Chang-Xiang HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12074062B2. Автор: Taoyan YAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210343534A1. Автор: Taoyan YAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor devices including semiconductor structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09576791B2. Автор: Craig J. Atkinson,Alireza Amirrezvani,Nicole C. Skaggs. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for forming semiconductor structure and method for forming memory using the same

Номер патента: US8383480B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09502307B1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: WO2021198559A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: CA3178846A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: AU2021245385A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure with a multilayer gate oxide and method of fabricating the same

Номер патента: US09406772B1. Автор: Shao-Wei Wang,Yu-Tung Hsiao,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: US20230223252A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-07-13.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: EP4128323A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor structures with coplanar recessed gate layers and fabrication methods

Номер патента: US20160049495A1. Автор: Yuan-Hung Liu,Xing Zhang,Ganesh Upadhyaya,Taejoon Han,Chang Ho Maeng,Gowri Kamarthy,Hoong Shing Wong,Gabriel Padron Wells,Kristina Trevino,Isabelle Orain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of fabrication of semiconductor structures by ion implantation

Номер патента: US20020013039A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device structure with non planar slide wall

Номер патента: US09786770B1. Автор: Jay Paul John,James Albert Kirchgessner,Vishal Trivedi. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US09679917B2. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290886A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure for providing strained crystalline layer on insulator and method for fabricating same

Номер патента: US20060088979A1. Автор: Frederic Dupont,Cecile Aulnette,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US20230125584A1. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US12131904B2. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-planar structure with extended exposed raised structures and same-level gate and spacers

Номер патента: US09735152B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12112973B2. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130716A1. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268099A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240006219A1. Автор: Kai Cheng,Kai Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US09793175B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Formation of semiconductor structures with variable gate lengths

Номер патента: US8999791B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230015533A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US20100237475A1. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US8035200B2. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240313053A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure having sets of III-V compound layers and method of forming the same

Номер патента: US09660063B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for fabricating precision layer silicon-over-oxide semiconductor structure

Номер патента: US3869321A. Автор: Stanley R Davis. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the III-V type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US9991346B2. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Temperature-controlled implanting of a diffusion-suppressing dopant in a semiconductor structure

Номер патента: US09508602B2. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09391177B1. Автор: Hung-Chi Huang,Chun-Yi Lin,chu-ming Ma,Hsien-Ta Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US9412807B1. Автор: Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Jheng-Yi Jiang,Hua-Chih Hsu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-09.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and recess formation etch technique

Номер патента: US09570600B2. Автор: Bin Lu,Min Sun,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structure

Номер патента: US09412807B1. Автор: Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Jheng-Yi Jiang,Hua-Chih Hsu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-09.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method For Fabricating Semiconductor Structures

Номер патента: US20240172410A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210167197A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor structure containing semiconductor fins and insulating fence fins on a same substrate

Номер патента: US09564438B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure and preparation method of semiconductor structure

Номер патента: US20230238273A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220077009A1. Автор: CHEN Huang,Meng-Feng Tsai,Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

III-nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayers

Номер патента: US09837495B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: US20240243197A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: EP4411825A2. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20220278054A1. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of forming semiconductor structure with aligning mark in dicing region

Номер патента: US09960123B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure with a spacer layer

Номер патента: US20160351564A1. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor structure with a spacer layer

Номер патента: US09536984B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US20240120374A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20230301120A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20200168825A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US9305993B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US12089423B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20240365569A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240341085A1. Автор: Zhi Zhang,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210134737A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang,Hsin-Chiao Fang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190214467A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Manufacturing Method of Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20240298434A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240304686A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865748B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170222063A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274726A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Yun-Kai LAI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure including at least one electrically conductive pillar, semiconductor structure including a contact contacting an outer layer of an electrically conductive structure and method for the formation thereof

Номер патента: US09466685B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Thorsten Kammler. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Ultrahigh-voltage semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076565A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11978791B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210118795A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371746A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with fusible link and method

Номер патента: USRE28481E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1975-07-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180277354A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200251439A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Frequency multiplier based on a low dimensional semiconductor structure

Номер патента: US09530845B2. Автор: Kunyuan Xu. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294933A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Silicon-germanium thin layer semiconductor structure with variable silicon-germanium composition and method of fabrication

Номер патента: WO2005096352A3. Автор: Pradip K Roy,Anthony Dip,Seungho Oh,Allen J Leith. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor Structure with Metal Ion Capture Layer

Номер патента: US20230335603A1. Автор: Chao-Chi Chen,Bo-Wei Chen,yi ting Liao,Shi Sheng Hu,Shun Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure with dispersedly arranged active region trenches

Номер патента: US20130270669A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Chao-Hsin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Mixed N/P-type fin semiconductor structure with epitaxial materials having increased surface area through multiple epitaxial heads

Номер патента: US09508794B2. Автор: Xiang Hu,Xusheng Wu,Changyong Xiao,Wanxun He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Staircase structure with multiple divisions for three-dimensional memory

Номер патента: US12052870B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Bo Huang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4350737A1. Автор: Tonghui Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240072112A1. Автор: Tonghui Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US09496345B2. Автор: Koji Nakayama,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Kazutoshi Kojima,Tetsuya Miyazawa,Shiyang Ji,Tetsuro Hemmi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-15.

Compound semiconductor structure

Номер патента: US09337265B2. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Mario El Kazzi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Methods of forming semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150235841A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150349082A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Methods for fabrication of semiconductor structures using laser lift-off process, and related semiconductor structures

Номер патента: US09728458B2. Автор: Chrystelle Lagahe Blanchard,Mariam Sadaka,Bernard Aspar. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

ZnO-containing semiconductor structure and manufacturing thereof

Номер патента: US09947826B2. Автор: Yuka Sato,Michihiro Sano. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure with an epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200194252A1. Автор: Chin-Fu Lin,Yu-Cheng Tung,Hsiao-Pang Chou,Ming-Chang Lu,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210398943A9. Автор: Takashi Kubo,Masaru Haraguchi,Jun Gu,Wenliang Chen,Chun Yi LIN,Chien An Yu. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US20210005706A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258257A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543373B2. Автор: Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure with heating element

Номер патента: US11908765B2. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Chip-on-wafer structure with chiplet interposer

Номер патента: US20240312898A1. Автор: Shang-Yun Hou,Weiming Chris Chen,Kuo-Chiang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11770934B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12114506B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure formed with inductance elements

Номер патента: US11869854B2. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Zhi-Rui Sheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

3d bonded semiconductor structure with an embedded capacitor

Номер патента: US20180006022A1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

3D bonded semiconductor structure with an embedded capacitor

Номер патента: US09947655B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

3D bonded semiconductor structure with an embedded capacitor

Номер патента: US09716088B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09824987B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09418951B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Reui Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor structures with metal lines

Номер патента: US20140291802A1. Автор: Eric J. White,Timothy D. Sullivan,Zhong-Xiang He,David C. Thomas,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza,Daniel A. Delibac,Shawn A. Adderly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor structure with anti-efuse device

Номер патента: US09754903B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey Poovannummoottil Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and layout structure

Номер патента: US20240105618A1. Автор: Jing Xu,Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230343789A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230352351A1. Автор: Ling-Sung Wang,Kun-Ei Chen,Chen-Chieh Chiang,Hsueh-Han Lu,Pei-Lum MA,Kun Da Jhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Designed-based interconnect structure in semiconductor structure

Номер патента: US20160064322A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Tsong-Hua Ou,Chih-Liang Chen,Yung-Sung Yen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240355728A1. Автор: Chung-Long Chang,Tzu-Jin Yeh,Hsieh-Hung HSIEH,Hua-Chou Tseng,Ching-Chung Hsu,Kai-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237339A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222261A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: WO2021115793A1. Автор: Ralf Klukas,Corrado CARTA,Goran PANIC. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Measurement device and method for semiconductor structure

Номер патента: US20230024724A1. Автор: Xin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Measurement device and method for semiconductor structure

Номер патента: US11984366B2. Автор: Xin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US20230262957A1. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US12048142B2. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Designed-based interconnect structure in semiconductor structure

Номер патента: US09754881B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Tsong-Hua Ou,Chih-Liang Chen,Yung-Sung Yen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure having a plurality of conductive paths

Номер патента: US09698099B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Feng Wei KUO,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for making via structure with metallic spacer

Номер патента: US5712195A. Автор: Kuang-Yeh Chang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1998-01-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955444B2. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220293541A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US20230402501A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US12051719B2. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240268120A1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure with conductive plug and capacitor array

Номер патента: US12068239B2. Автор: Jie Liu,Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

Semiconductor structure with chirp layer

Номер патента: US20210036183A1. Автор: Norbert Krause,Guilherme Tosi. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US12114478B2. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Longyang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of making integrated semiconductor structure having an MOS and a capacitor device

Номер патента: US4290186A. Автор: Thomas Klein,Andrew G. Varadi,Charles E. Boettcher. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1981-09-22.

Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US20180347966A1. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US11963346B2. Автор: Junyi Zhang,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Electronic device including a metal substrate and a semiconductor module embedded in a laminate

Номер патента: US09935027B2. Автор: Markus Dinkel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure having nanocrystalline core and nanocrystalline shell pairing with compositional transition layer

Номер патента: US09428691B2. Автор: Juanita N. Kurtin. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12113100B2. Автор: Hongmin WU,Yu-Sheng TING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09406845B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966383B2. Автор: LIANG Yi,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120326261A1. Автор: Chung-Yu Hung,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor structures for galvanic isolation

Номер патента: US11764273B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US20190295964A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure, method for manufacturing same and memory

Номер патента: US20230014198A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure with crack-blocking three-dimensional structure

Номер патента: WO2021165801A1. Автор: Frederic Voiron,Larry BUFFLE. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240071939A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09589924B2. Автор: Jiun Yi Wu,Yu-Min LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure

Номер патента: US20140021616A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Sampath Purushothaman,Thomas M. Shaw,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Mark C. H. Lamorey,Kevin K. Dezfulian,Diego Anzola. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor structure

Номер патента: US20140024146A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Sampath Purushothaman,Thomas M. Shaw,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Mark C. H. Lamorey,Kevin K. Dezfulian,Diego Anzola. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor structure including one or more antenna structures

Номер патента: US11749625B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

A method of forming a bonded semiconductor structure

Номер патента: US20230238353A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor structure having a thermal shunt below a metallization layer and integration schemes

Номер патента: US20220238409A1. Автор: Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph,MARK David LEVY. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09871165B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09691938B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Antenna package having a laminate substrate

Номер патента: US20240332225A1. Автор: Islam A. ESHRAH,Santosh KUDTARKAR. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-10-03.

Antenna package having a laminate substrate

Номер патента: EP4439663A1. Автор: Islam A. ESHRAH,Santosh KUDTARKAR. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Reactor for plasma-chemical treatment of semiconductor structures

Номер патента: RU2753823C1. Автор: Илья Александрович Иванов,Павел Евгеньевич Афонин,Владимир Миронович Долгополов,Павел Александрович Иракин,Константин Владимирович Логунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2021-08-23.

Hybrid bonding of semiconductor structures to advanced substrate panels

Номер патента: WO2024019974A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Vincent DiCaprio,Anup Pancholi,Marvin Louis Bernt,Avinash Shantaram. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09576958B1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Reactor for plasma processing of semiconductor structures

Номер патента: RU2670249C1. Автор: Владимир Борисович Павлов,Александр Кириллович Петров,Наталья Борисовна Гусева,Вадим Александрович Сологуб,Александр Арменакович Айрапетов,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Александр Михайлович Никонов,Михаил Георгиевич Бирюков,Константин Викторович Вавилин,Елена Александровна Кралькина,Полина Алексеевна Неклюдова,Елена Владимировна Карпенкова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2018-10-19.

Multi-die semiconductor structure with intermediate vertical side chip and semiconductor package for same

Номер патента: US09812425B2. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Shanggar Periaman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379374A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Multi-die semiconductor structure with intermediate vertical side chip and semiconductor package for same

Номер патента: US09478524B2. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Shanggar Periaman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method for selectively removing predetermined part of selected element in semiconductor structure

Номер патента: US20240021432A1. Автор: Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Chemical mechanical polishing (cmp) slurry, semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230057872A1. Автор: Chang-Yi Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor structure including a substrate and a semiconductor chip with matching coefficients of thermal expansion

Номер патента: US09659881B2. Автор: Jiun Yi Wu,Yu-Min LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

On-die formation of single-crystal semiconductor structures

Номер патента: US20230276635A1. Автор: Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Sameer Chhajed,Jeffery Brandt Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of producing semiconductor structures by liquid phase epitaxy with high uniformity on thickness of epitaxial layers

Номер патента: RU2638575C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Никита Игоревич Шумакин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех". Дата публикации: 2017-12-14.

Stacked semiconductor structure

Номер патента: US20240363668A1. Автор: Kazuaki Hashimoto,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Chien-Hsien Tseng,Cheng Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure with through-silicon via

Номер патента: US09859192B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Optoelectronic component, semiconductor structure and method

Номер патента: US20220376134A1. Автор: Christian Berger,Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka,Felix FEIX,Ana Kanevce. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-11-24.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: FI20225935A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-15.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: FI130838B1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-16.

Mask structure, semiconductor structure and methods for manufacturing same

Номер патента: US12027369B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of measuring parameters of semiconductor structures

Номер патента: RU2622600C2. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев,Екатерина Викторовна Латышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-06-16.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Systems and methods for annealing semiconductor structures

Номер патента: US09698026B2. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230031509A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of passivating cleaved semiconductor structure

Номер патента: US20240194477A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jaakko Makela,Jouko LÅNG. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20200003825A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor structure bonding method, bonding equipment, memory, memory system

Номер патента: US20240170295A1. Автор: Yang Liu,Guoliang Chen,Mengyong Liu,Junqing HE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09704758B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Moisture barrier for semiconductor structures with stress relief

Номер патента: US09576920B2. Автор: Thomas Dungan,Rick Snyder,Jonathan Abrokwah,Forest Dixon,Greg Halac. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230420434A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of fabricating semiconductor device and patterning semiconductor structure

Номер патента: US12062547B2. Автор: Hsing Ou Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor component comprising such a semiconductor structure

Номер патента: US09559256B2. Автор: Bruno-Jules Daudin,Benoit Amstatt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200301280A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor structure inspection using a high atomic number material

Номер патента: US20240266232A1. Автор: Xiaomeng Chen,Pei-Hsuan Lee,Hung-Ming Chen,Kuang-Shing Chen,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure having reliable line pattern designs and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014037A1. Автор: Chih-Hung Lu,Liang-Shiuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Photo-mask and method of manufacturing semiconductor structures by using the same

Номер патента: US09448471B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Chun-Chi Yu,Teng-Chin Kuo,Yuan-Chi Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09419160B2. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11830832B2. Автор: Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Tung-Jiun Wu,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4276894A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240355630A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Kai-Hung HSIAO,Yu-Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12075610B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having bipolar junction transistor in which non-monocrystalline semiconductor spacing portion controls base-link length

Номер патента: US20100244143A1. Автор: Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210057206A1. Автор: Yung-Yao Lee,Wei-Hsiang Tseng,Chen Yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composite semiconductor structure and device for digital processing systems

Номер патента: US20030020063A1. Автор: Barry Herold,Steven Gillig. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor growth device

Номер патента: US20240327980A1. Автор: Xiao Xiao,Yang Cheng,Jun Wang,Yintao GUO. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Epitaxial semiconductor structure and epitaxial substrate

Номер патента: US11824016B2. Автор: Chi-Heng Chen,Yuan-Ting Fei. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for processing semiconductor structures and methods for forming semiconductor structures

Номер патента: US11978636B2. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structure with a porous structure

Номер патента: US20230369243A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Adhesive-layer structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220375778A1. Автор: Chih-Kai Huang,Yu-Yun Lo,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20210172995A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US11959958B2. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of heating semiconductor structure

Номер патента: EP4386821A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jaakko Makela,Jouko LÅNG. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2024-06-19.

Process for preparing a semiconductor structure for mounting

Номер патента: EP2074650A2. Автор: Decai Sun,Xiaolin Sun,Oleg Borisovich Shchekin. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-07-01.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230012587A1. Автор: Yi Tang,Xiaojie Li,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Packaging substrate and semiconductor structure having same

Номер патента: EP4060728A1. Автор: Hailin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Package substrate and semiconductor structure with package substrate

Номер патента: US20220254709A1. Автор: Hailin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor structure employing conductive paste on lead frame

Номер патента: US20210305143A1. Автор: Chih-Yen Chen,Francois Hebert,Hsin-Chang Tsai,Chun-Yi Wu,Chia-Ching HUANG,Chih-Jen Hsiao,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US12029123B2. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor substrate structure, semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12148726B2. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor structure including antenna

Номер патента: US11728558B2. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN,Chengtar WU,Jangshen LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

A Semiconductor Structure and a Method of Making the Same

Номер патента: US20240215224A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Composite substrate and semiconductor structure

Номер патента: US20240047284A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US12074126B2. Автор: QIAN Xu,Liang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063187A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method for wafer scale chip package

Номер патента: US12125811B2. Автор: Manoj Kumar Jain,Indumini W. Ranmuthu,Tracy Scott PAULSEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Light-emitting semiconductor structure and optoelectronic component therefrom

Номер патента: US20130223464A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Manfred Reiche,Martin Kittler. Владелец: IHP-GmbH- Innovations for High Performance Microelectronics. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor Device and Method of Laser-Marking Laminate Layer Formed Over EWLB With Tape Applied to Opposite Surface

Номер патента: US20130127039A9. Автор: Yaojian Lin,Glenn Omandam,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Back side illuminated semiconductor structure with semiconductor capacitor connected to floating diffusion node

Номер патента: US09490290B2. Автор: Wen-Cheng Yen,Ching-Wei Chen. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230089142A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Network of semiconductor structures with fused insulator coating

Номер патента: US09722147B2. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao,Benjamin Daniel Mangum,Kari N. Haley. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20210408006A1. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure

Номер патента: US09876140B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20230389293A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods and systems for semiconductor structure thickness measurement

Номер патента: US20210295496A1. Автор: Olmez Fatih. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240363805A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230231005A1. Автор: BO Yang,Xiaoyu Yang,Kai Cao,Juncai Li,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240164088A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Номер патента: US20210083156A1. Автор: Gwo-Jiun Sheu,Tzu-Yang Lin,Yi-Min Su,Sheng-Chieh Liang,Chih-Ling Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of making a photoconverter on a germanium substrate with a rear contact output on the front side of the semiconductor structure

Номер патента: RU2703820C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко,Сергей Георгиевич Ханов. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20240312980A1. Автор: Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chen-Chien Chang,Kang-Tai PENG,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with high breakdown voltage and resistance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080278279A1. Автор: Chih-Feng Huang,Chiu-Chih Chiang. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor structure with stacked capacitors

Номер патента: US12068361B2. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Model based optical measurements of semiconductor structures with anisotropic dielectric permittivity

Номер патента: WO2018044572A1. Автор: Qiang Zhao,Zhengquan Tan,Andrei Shchegrov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor structure with UBM layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09502366B2. Автор: Kai-Kuang Ho,Chen-Hsiao Wang,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure for photo-conducting antennas

Номер патента: RU2624612C1. Автор: Евгений Александрович Климов,Петр Павлович Мальцев,Сергей Сергеевич Пушкарев,Галиб Галиевич Галиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12120863B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Beijing Superstrng Academy Of Memory Technology. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US09711713B1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170288135A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20210367145A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170207385A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313156A1. Автор: Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for transferring semiconductor structure

Номер патента: US09722134B1. Автор: Li-Yi Chen,Hsin-Wei Lee. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor structure with multi-layers film

Номер патента: US12124083B2. Автор: Chih-Tsung Shih,Jing-Hwang Yang,Wei-Kang Liu,Sui-Ying Hsu,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230345712A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory cell structure with resistance-change material and method for forming the same

Номер патента: US09865655B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09864134B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Mirja Richter,Bert Jan Offrein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming semiconductor structures with contact holes

Номер патента: US09449822B2. Автор: Joy Cheng,Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Platinum-Based Solder Body Contacts for Integration of a First Substrate with a Second Substrate

Номер патента: US20240128213A1. Автор: Zhirong Tang,Edward Preisler. Владелец: Newport Fab dba Tower Semiconductor Newport Beach LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210135051A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang,Hsin-Chiao Fang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12089392B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for semiconductor structure sample preparation and analysis

Номер патента: US20210057247A1. Автор: Jang Jung Lee,Shih-Wei Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with multiple insulator coatings

Номер патента: US09567514B2. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220320127A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200343299A1. Автор: Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure with multi-layers film

Номер патента: US20240369764A1. Автор: Chih-Tsung Shih,Jing-Hwang Yang,Wei-Kang Liu,Sui-Ying Hsu,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Composite having semiconductor structure including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US09793446B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with flared mesa burying layers

Номер патента: US4935936A. Автор: Richard E. Hobbs,Andrew W. Nelson,W. John Devlin,Charles G. Lenton. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1990-06-19.

Optoelectronic Semiconductor Structure

Номер патента: US20240234618A1. Автор: Ching-Kuan CHIU. Владелец: Sensorteknik Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Interconnect structures for fine pitch assembly of semiconductor structures and related techniques

Номер патента: US09786633B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Noyan Kinayman,Timothy M. Hancock,Peter G. Murphy,Karen E. Magoon,Michael J. Barbieri. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230015991A1. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure including optical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240230996A1. Автор: Stefan Rusu,Tai-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240244819A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers

Номер патента: US20140299892A1. Автор: Jani Oksanen,Jaakko Tulkki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US09824992B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716222B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Ohmic contacts for semiconductor structures

Номер патента: US09608185B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,Everett Allen McTeer,John Mark Meldrim,Shanming Mou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601506B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure with bumps and method for making the same

Номер патента: US3874072A. Автор: Ralph E Rose. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-04-01.

Photonic modulator with a semiconductor contact

Номер патента: US20140030835A1. Автор: Solomon Assefa,Marwan H. Khater,Yurii A. Vlasov,William M. J. Green. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230377644A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093605A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09397138B2. Автор: Chien-Hung Liu. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230320227A1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Fu-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Shih-Fen Huang,Yan-Jie Liao,Chao-Hung Chu,Po-Chen Yeh,Wei Chun WANG,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with polymer and insulator coatings

Номер патента: US20180215997A1. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200194665A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Two-dimensional semiconductor structure with controllable magnetic state and ferromagnetic resonance

Номер патента: US20230247911A1. Автор: JIA Li,Andrew Mounce,Jiangxiazi LIN,Erin MORISSETTE. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Measuring method and semiconductor structure forming method

Номер патента: US11747131B2. Автор: Che-Hui Lee,Pradip Girdhar Chaudhari. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US11678493B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Biodegradable and compostable food packaging unit from a moulded pulp material with a cellulose-base laminate layer, and method for manufacturing such food packaging unit

Номер патента: AU2019243662B2. Автор: Harald John Kuiper,Jan Hendrik Timmerman. Владелец: Huhtamaki Molded Fiber Technology BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: WO2023202993A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-26.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: EP4265333A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268124A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12029047B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure with improved capacitance of bit line

Номер патента: US20140054535A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Manufacturing method of semiconductor structure using first mask layer and first photoresist layer to selectively etch stack on complete die region

Номер патента: US12048139B2. Автор: Jun Xia,Sen Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20230200254A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Axial flux electric machine including insulated hybrid stator core with soft magnetic composite portions and laminated layers

Номер патента: US20230291258A1. Автор: Jian Yao,Chengwu Duan,Zhen Gao. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070281417A1. Автор: Daniel Koehler,Peter Baars,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Joern Regul. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11871560B2. Автор: Yang Chen,Mingxia Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Induction Coil Embedded in Laminate Layer

Номер патента: US20230410578A1. Автор: Adam Kendall,Bruce Procton. Владелец: Endura Products LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Induction coil embedded in laminate layer

Номер патента: CA3204057A1. Автор: Adam Kendall,Bruce Procton. Владелец: Endura Products LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US12127395B2. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for spatially determining the series resistance of a semiconductor structure

Номер патента: US20120113415A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-05-10.

Cross-diffusion resistant dual-polycide semiconductor structure and method

Номер патента: US20030057453A1. Автор: Chih-Chen Cho,Jigish Trivedi,Zhongze Wang,Todd Abbott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12127389B2. Автор: Jinfeng GONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure with back-gate switching

Номер патента: US09762245B1. Автор: Michael Otto,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

A method for forming a laminate for a printed circuit board

Номер патента: WO2017082744A4. Автор: Wojciech STRUŚ,Artur SKORUT. Владелец: Skorut Systemy Solarne - Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for manufacturing semiconductor structure having conductive block connected to transistor on the substrate

Номер патента: US12114481B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Light emitting device including a lamination layer

Номер патента: US7675074B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-09.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20230225136A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046280B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096617B2. Автор: Er-Xuan Ping,Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096616B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11930645B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12048145B2. Автор: Er-Xuan Ping,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of cutting off laminate layers, eg a glass fibre or carbon-fibre laminate layer in the blade of a wind turbine

Номер патента: US09751277B2. Автор: Torben Krogsdal Jacobsen,Morten Dahl. Владелец: Lm Glasfiber As. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing a laminate product, laminate products obtained thereby and device for realizing the method

Номер патента: EP2318211A2. Автор: Laurent Meersseman,Bernard Thiers. Владелец: Flooring Industries Ltd SARL. Дата публикации: 2011-05-11.

Laminated layered body

Номер патента: EP4400308A1. Автор: Atsushi Yamazaki,Daisuke Iwata,Yuya YAMAGUCHI. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Microelectrochemical systems (MEMS) device having a seal layer arranged over or lining a hole in fluid communication with a cavity of the MEMS device

Номер патента: US09567204B2. Автор: Hsin-Ting HUANG,Shao-Chi Yu,Chia-Ming Hung,Hsiang-Fu Chen,Wen-Chuan Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods And Systems For Measurement Of Semiconductor Structures With Multi-Pass Statistical Optimization

Номер патента: US20240353760A1. Автор: John J. Hench,Daniel J. HAXTON. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and systems for measurement of semiconductor structures with multi-pass statistical optimization

Номер патента: WO2024220228A1. Автор: John J. Hench,Daniel J. HAXTON. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-10-24.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US12131111B2. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09567209B1. Автор: Chia-Hua Chu,Fei-Lung Lai,Shiang-Chi LIN,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: RU2528277C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Николай Александрович Калюжный,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-10.

Semiconductor structure with micro-electro-mechanical system devices

Номер патента: US09624092B1. Автор: Kuan-Yu Wang,Wei-Hua Fang,Her-Yi Tang,Xuan-Rui Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor-insulator-semiconductor structure for high speed applications

Номер патента: WO2006034181A1. Автор: Thomas Keyser,Cheisan J. Yue. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor-insulator-semiconductor structure for high speed applications

Номер патента: EP1792340A1. Автор: Thomas Keyser,Cheisan J. Yue. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Semiconductor structure with lamella defined by singulation trench

Номер патента: US09527725B2. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Structure

Номер патента: US20170254950A1. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Intensity of a light beam applied to a layered semiconductor structure controls the beam

Номер патента: WO1984002783A1. Автор: Daniel Simon Chemla. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1984-07-19.

Semiconductor Structure

Номер патента: US20160139335A1. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US9696488B2. Автор: Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Chiara Marchiori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

A lighter-than-air vehicle with a hull, a laminate for such hull and a method of production of such laminate

Номер патента: SG11201903319TA. Автор: Frandsen Mikkel Vestergaard,David Kim,Ang Li,Abdel-Fattah Mohamed SEYAM,Philip David Bradford,Rahul Vallabh. Владелец: Sceye SARL. Дата публикации: 2019-05-30.

Defect detection for semiconductor structures on a wafer

Номер патента: US20230260105A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Philipp Huethwohl. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-17.

Laser system for dicing semiconductor structure and operation method thereof

Номер патента: US12121995B2. Автор: Peng Chen,Houde Zhou,Liquan Cai. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Process for producing a laminated glass pane with sensor window

Номер патента: US09475268B2. Автор: Li-Ya Yeh,Bastien Royer. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2016-10-25.

Gypsum board including a laminate layer

Номер патента: CA3157012A1. Автор: Joseph J. Bailey,Bradley J. Busche,Michael Blades. Владелец: Gold Bond Building Products Llc. Дата публикации: 2022-10-30.

Method for producing separated strip-like laminate components comprising an electronic component embedded between two laminate layers of a tape like adhesive material, and device for producing such laminate components

Номер патента: US20240100818A1. Автор: Matthias Schneider,Stefan Lindner,Frank Schmidt. Владелец: Karl Eugen Fischer GmbH. Дата публикации: 2024-03-28.

Laminate article with a glass-ceramic core layer and glass clad layers exhibiting a target coefficient of thermal expansion, electronic device including the laminate article, and method of making the laminate article

Номер патента: WO2024086040A1. Автор: LU Zhang,Ilia Andreyevich Nikulin,Petr GORELCHENKO. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-25.

Lamination method to create a pre-press proof with a thermal mark

Номер патента: US20030107212A1. Автор: Roger Kerr,Larry Gartz. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor structures for enhanced transient response in low dropout (LDO) voltage regulators

Номер патента: US09383618B2. Автор: Gwilym Luff. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and apparatus for testing a semiconductor structure having top-side and bottom-side connections

Номер патента: US20070096760A1. Автор: David Patten,Addi Mistry,Edmond Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for winding and shaping of rough workpieces of paper multiwall sacks with a laminated layer

Номер патента: RU2233745C1. Автор: С.Н. Березуева. Владелец: Березуева Светлана Николаевна. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2445722C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2012-03-20.

Device for liquid phase epitaxy of multilayer semiconductor structures

Номер патента: RU2515316C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Евгений Витальевич Крюков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех". Дата публикации: 2014-05-10.

Heteroepitaxial semiconductor structure for photodetector cell

Номер патента: RU2034369C1. Автор: Александр Андреевич Величко. Владелец: Александр Андреевич Величко. Дата публикации: 1995-04-30.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

USER INTERFACE WITH A COMPOSITE IMAGE THAT FLOATS

Номер патента: US20120002292A1. Автор: Smithson Robert L.W.,Iwasawa Masaru,Mizuno Kazuhiko,Rylander Richard L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Metal-dielectric-semiconductor structure based on a3b5 compounds and its formation method

Номер патента: RU2420828C1. Автор: Александр Александрович Гузев,Анатолий Петрович Ковчавцев,Валерий Геннадьевич Кеслер,Зоя Васильевна Панова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2011-06-10.

Semiconductor structures annealing method

Номер патента: RU2567117C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

WIND TURBINE BLADE WITH A LIGHTNING PROTECTION SYSTEM

Номер патента: US20120003094A1. Автор: . Владелец: LM GLASFIBER A/S. Дата публикации: 2012-01-05.

Fabrication of semiconductor structure

Номер патента: RU2539789C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-01-27.

Substrate heating device for semiconductor structure manufacturing plant

Номер патента: RU2468468C2. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Сергей Александрович Денисов,Вадим Юрьевич Чалков,Сергей Петрович Светлов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2012-11-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.