Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor structure with fusible link and method

Номер патента: USRE28481E
Опубликовано: 15-07-1975
Автор(ы):
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: WO2006071617A3. Автор: Ralph B Danzl. Владелец: Ralph B Danzl. Дата публикации: 2006-09-08.

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: CA2592826A1. Автор: Ralph B. Danzl. Владелец: Ralph B. Danzl. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: EP1834357A2. Автор: Ralph B. Danzl. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2007-09-19.

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: WO2006071617A2. Автор: Ralph B. Danzl. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339325A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131908B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US11967550B2. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240055261A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352307A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure with inductor embedded in bonded semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20240145382A1. Автор: Jagar Singh,Ravi P. Srivastava. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Package structure with through via extending through redistribution layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068212B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Hua Chen,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Wiring structure with conductive features having different critical dimensions, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047354A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Wiring structure with conductive features having different critical dimensions, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047355A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

SEMICONDUCTOR COMPONENT STRUCTURE WITH A MULTI-LAYER CONDUCTIVE STRUCTURAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING IT

Номер патента: DE102020113919A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Package structure with solder resist underlayer for warpage control and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862594B2. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Ting-Chen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

SUPERCONDUCTOR STRUCTURE WITH NORMAL METAL CONNECTION TO A RESISTOR AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210217949A1. Автор: Rennie Michael,Pesetski Aaron A.,KIRBY CHRISTOPHER F.,"ODonnell Daniel J.",GRANINGER AURELIUS L.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2021-07-15.

Superconductor structure with normal metal connection to a resistor and method of making the same

Номер патента: EP4088321B1. Автор: Aaron A. Pesetski,Aurelius L. GRANINGER,Daniel J. O'donnell,Christopher F. Kirby,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09768195B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09698159B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Metal-insulator-metal structure and method for forming the same

Номер патента: US09728597B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Wen-Chuan Chiang,Huey-Chi Chu,Wei-Min Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing semiconductor structure with resistive elements

Номер патента: US12040178B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11114378B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210118795A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US20170148667A1. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US09735049B2. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure including a die seal leakage detection material, method for the formation thereof and method including a test of a semiconductor structure

Номер патента: US20160111381A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Oliver Aubel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371746A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240282700A1. Автор: Li Han Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Structure with Staggered Selective Growth

Номер патента: US20240332073A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

CMOS-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same

Номер патента: US09881927B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication

Номер патента: US20030151116A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Keith Wong,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for sealing a seam, semiconductor structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094768B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US9659961B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Bonded semiconductor structures having bonding contacts made of indiffusible conductive materials and methods for forming the same

Номер патента: US20200381384A1. Автор: Jun Liu,Jun Chen,Zongliang Huo,Jifeng Zhu,Li Hong XIAO,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Interconnect structure with redundant electrical connectors and associated systems and methods

Номер патента: US09818728B2. Автор: Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structures, devices and method of fabrication

Номер патента: WO2003010823A2. Автор: Steven F. Gillig,Barry W. Herold,Keith Warble. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor structures, devices and method of fabrication

Номер патента: WO2003010823A3. Автор: Steven F Gillig,Keith Warble,Barry W Herold. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09824987B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with anti-efuse device

Номер патента: US09754903B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey Poovannummoottil Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure, method for fabricating thereof, and method for fabricating semiconductor layout

Номер патента: US20230049202A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Gang-Yi Lin,Yifei Yan,Yi-Wang JHAN,Xiaopei FANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US20240371692A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with two-dimensional conductive structures

Номер патента: US12068253B2. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240379623A1. Автор: Wenliang Chen,Chin-Hung Liu,Kee-Wei Chung,Ru-Yi CAI. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure with backside through silicon vias and method of obtaining die ids thereof

Номер патента: US20230230930A1. Автор: Kuang-Hui Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09748175B1. Автор: Joung-Wei Liou,Yi-Jung Liu,Huan-Wei Wu,Chester Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09704803B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20220216196A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4084053A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363538A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332258A1. Автор: Da Il RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer

Номер патента: US09620371B2. Автор: Eric J. White,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Thomas J. Hartswick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047270A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: GB2625965A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: US12046643B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: WO2023041994A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure having raised via contacts and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220367368A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068247B2. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method of making

Номер патента: US09704830B1. Автор: Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153915A1. Автор: Hee Sun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices including conductive structure and shielding layer and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240266299A1. Автор: Takahiro YADA,Tsukasa TAKAIWA. Владелец: Amkor Technology Japan Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for preparing seminconductor structure

Номер патента: US20220068928A1. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and method for preparing seminconductor structure

Номер патента: US12082392B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210043510A1. Автор: LI Jiang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230013284A1. Автор: Jifeng TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Interconnect structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230260900A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Hsien Huang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Sheng-Hsiung Wang,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US20210320032A1. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US09824969B1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294933A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure having self-aligned conductive structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240379435A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378053A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170403A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230231039A1. Автор: Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220216141A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure having deep metal line and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US12094816B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Wei-Chen CHU,Hsin-Ping Chen,Chia-Chen Lee,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240363528A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having through via and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363492A1. Автор: Chih-Hsin Yang,Mao-Nan Wang,Yang-Hsin Shih,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09905465B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure having vertical conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20240203789A1. Автор: Ming-Han Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US12094815B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure with a laminated layer

Номер патента: US20240321637A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347461A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Storage device, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12100654B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Juanjuan HE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Graphene-assisted low-resistance interconnect structures and methods of formation thereof

Номер патента: US12113021B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structures having an insulative island structure

Номер патента: US09754817B2. Автор: Se-Woong Park,Ki-Joon Kim,Kil-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming an air gap semiconductor structure with selective cap bilayer

Номер патента: US09711455B2. Автор: Elbert E. Huang,Stephen M. Gates,Christopher J. Penny,Deepika Priyadarshini,Dimitri R. Kioussis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Graphene-assisted low-resistance interconnect structures and methods of formation thereof

Номер патента: US20240379559A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240055347A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming interconnect structure with low dielectric constant

Номер патента: US20030119306A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230387189A1. Автор: Szu-Yu Wang,Ching I Li,Jui-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756920B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Zheng-Xun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional memory device containing a pillar contact between channel and source and methods of making the same

Номер патента: US20230284443A1. Автор: Ryo Yoshimoto,Shinsuke YADA,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure having buried track conductors, and method for generating an electrical contact with buried track conductors

Номер патента: US20030006506A1. Автор: Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Klaus-Dieter Morhard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US12087685B2. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Three-dimensional memory device containing a pillar contact between channel and source and methods of making the same

Номер патента: US12108597B2. Автор: Ryo Yoshimoto,Shinsuke YADA,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US09837350B2. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09640479B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Xianyong Pu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structures with metal lines

Номер патента: US20140291802A1. Автор: Eric J. White,Timothy D. Sullivan,Zhong-Xiang He,David C. Thomas,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza,Daniel A. Delibac,Shawn A. Adderly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258257A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: WO2021115793A1. Автор: Ralf Klukas,Corrado CARTA,Goran PANIC. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor devices with electrical fuses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297115A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237339A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312874A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230055202A1. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20230317665A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

3d bonded semiconductor structure with an embedded capacitor

Номер патента: US20180006022A1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

3D bonded semiconductor structure with an embedded capacitor

Номер патента: US09947655B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

3D bonded semiconductor structure with an embedded capacitor

Номер патента: US09716088B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230189509A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240268120A1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: WO2006078740A3. Автор: Xiangdong Chen,Haining S Yang. Владелец: Haining S Yang. Дата публикации: 2007-11-01.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: EP1842239A2. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-10.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: WO2006078740A2. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-07-27.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: EP1842239A4. Автор: Xiangdong Chen,Haining S Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11770934B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12114506B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290669A1. Автор: Dohyun Kim,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Yeongseon Kim,Juhyeon KIM,JeongOh Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11756988B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure, method for fabricating thereof, and method for fabricating semiconductor layout

Номер патента: US20240274531A1. Автор: Yifei Yan,Daochu Wu,Xinyan Hong,Chao-Lun Fu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240334686A1. Автор: Cheng-Chiang LI,Wei-Kuan Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure having film including germanium oxide on germanium layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09691620B2. Автор: Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure including interconnection to probe pad with probe mark and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210151355A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Interconnect structure with improved conductive properties and associated systems and methods

Номер патента: US09837383B2. Автор: Wayne H. Huang,James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Interconnect structure with improved conductive properties and associated systems and methods

Номер патента: US9412675B2. Автор: Wayne H. Huang,James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Bulk semiconductor structure with a multi-level polycrystalline semiconductor region and method

Номер патента: US20220051929A1. Автор: Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure with air gaps for buried semiconductor gate and method for forming the same

Номер патента: US11812605B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor structure having a compensated resistance in the LDD area and method for producing the same

Номер патента: US20040262691A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor structure having a compensated resistance in the LDD area and method for producing the same

Номер патента: US7148539B2. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-12.

Semiconductor structure with source/drain structure having modified shape and method for forming the same

Номер патента: US20190148527A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Mos structures with contact projections for lower contact resistance and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080308879A1. Автор: Jianhong Zhu,Fred Hause,David Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20180269114A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20190139839A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Advanced BEOL interconnect structures with low-k PE CVD cap layer and method thereof

Номер патента: US6939797B2. Автор: JIA LEE,John A. Fitzsimmons,Vincent McGahay,Stephen M. Gates,Thomas H. Ivers,Edward Barth,Darryl D. Restaino,Sarah L. Lane,Ann McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

ENGINEERED SUBSTRATES HAVING EPITAXIAL FORMATION STRUCTURES WITH ENHANCED SHEAR STRENGTH AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20140183443A1. Автор: Gealy F. Daniel,Coursey Belford T.,Beck George E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

Flip-chip bumping structure with dedicated test pads on semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US6359342B1. Автор: Lien-Chi Chan,Ting-Ke Chai,Pao-Ho Yuan,Jen-Yi Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-19.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: EP4367723A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: US20240313101A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structures employing strained material layers with defined impurity gradients and methods for fabricating same

Номер патента: US09923057B2. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Richard Hammond,Anthony J. Lochtefeld,Matthew T. Currie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure for preventing row hammering issue in dram cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180337187A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Shih-Fang Tzou,Hsin-Fu Huang,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor structures including an integrated finFET with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US9576096B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Interconnect structures with intermetallic palladium joints and associated systems and methods

Номер патента: US09905539B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuits having copper bonding structures with silicon carbon nitride passivation layers thereon and methods for fabricating same

Номер патента: US09859236B2. Автор: Xuesong Rao,Chim Seng Seet,Xiaohua ZHAN,Meng Meng Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuits having copper bonding structures with silicon carbon nitride passivation layers thereon and methods for fabricating same

Номер патента: US20170040272A1. Автор: Xuesong Rao,Chim Seng Seet,Xiaohua ZHAN,Meng Meng Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING BONDING CONTACTS MADE OF INDIFFUSIBLE CONDUCTIVE MATERIALS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200258857A1. Автор: Huo Zongliang,Liu Jun,CHEN Jun,Zhu Jifeng,Xiao Li Hong,Hua Zi Qun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING BONDING CONTACTS MADE OF INDIFFUSIBLE CONDUCTIVE MATERIALS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200381384A1. Автор: Huo Zongliang,Liu Jun,CHEN Jun,Zhu Jifeng,Xiao Li Hong,Hua Zi Qun. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

IC STRUCTURE WITH AIR GAP ADJACENT TO GATE STRUCTURE AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200127109A1. Автор: Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Interconnect structure with redundant electrical connectors and associated systems and methods

Номер патента: TWI570866B. Автор: 安尼庫瑪 查杜魯. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2017-02-11.

Advanced BEOL interconnect structures with low-k PE CVD cap layer and method thereof

Номер патента: US20030132510A1. Автор: Sarah Lane,JIA LEE,John Fitzsimmons,Vincent McGahay,Thomas Ivers,Stephen Gates,Edward Barth,Darryl Restaino,Ann McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-17.

Redistribution structure with copper bumps on planar metal interconnects and methods of forming the same

Номер патента: US20230386984A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Ic structure with air gap adjacent to gate structure and methods of forming same

Номер патента: US20200127109A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH REDUNDANT ELECTRICAL CONNECTORS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20220149011A1. Автор: Chandolu Anilkumar. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Lead frame with fusible links

Номер патента: CA1199424A. Автор: Dimitry G. Grabbe,Richard C. Downs. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1986-01-14.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190214467A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure with crack-blocking three-dimensional structure

Номер патента: WO2021165801A1. Автор: Frederic Voiron,Larry BUFFLE. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-26.

Interposer with built-in wiring for testing an embedded integrated passive device and methods for forming the same

Номер патента: US20240266266A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuan-Lung Wu,Kuo-Ching Hsu,Ya Huei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386892A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure having deep trench capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240047383A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210134737A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang,Hsin-Chiao Fang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

A method of forming a bonded semiconductor structure

Номер патента: US20230238353A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Stackable fully molded semiconductor structure with through silicon via (TSV) vertical interconnects and method of making the same

Номер патента: US12057373B2. Автор: Craig Bishop,Clifford Sandstrom,Timothy L. Olson,Robin Davis. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH REDUNDANT ELECTRICAL CONNECTORS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20180026015A1. Автор: Chandolu Anilkumar. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH REDUNDANT ELECTRICAL CONNECTORS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20190157246A1. Автор: Chandolu Anilkumar. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH REDUNDANT ELECTRICAL CONNECTORS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20210202446A1. Автор: Chandolu Anilkumar. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Electronic structure with components connected via solderable connecting elements and method for its production

Номер патента: DE102005055487B3. Автор: Markus Brunnbauer,Jens Pohl,Michael Bauer,Irmgard Escher-Poeppel,Christian Stuempfl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-16.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via and method for prepriang the same

Номер патента: US20230352433A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure with aligning mark and method of forming the same

Номер патента: US09659873B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure with resist protective oxide on isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9633860B2. Автор: Chen-Liang Liao,Sheng-Yuan Lin,Chia-Yao LIANG,Yi-Lii Huang,Po-An Chen,Jui-Long Chen,Kuo-Hsi LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor Structures Which Include Laminates of First and Second Regions, and Methods of Forming Semiconductor Structures

Номер патента: US20200066516A1. Автор: Fan Darwin Franseda,Nahar Manuj. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING LATERALLY DISPOSED LAYERS HAVING DIFFERENT CRYSTAL ORIENTATIONS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150102469A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor structure having film including germanium oxide on germanium layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20150228492A1. Автор: Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor structure comprising aluminum nitride oxide film on germanium layer and method for manufacturing the same

Номер патента: JP5499225B1. Автор: 明 鳥海,俊行 田畑. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2014-05-21.

Dual in-laid integrated circuit structure with selectively positioned low-k dielectric isolation and method of formation

Номер патента: TW386292B. Автор: Thomas Wezel Jeffrey. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-04-01.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with hard mask layer over gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20200105931A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Cheng-Han Wu,Jyh-Huei Chen,Yu-Ho Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Transistor structure with dual trench for optimized stress effect and method therefor

Номер патента: US20060091461A1. Автор: Michael Turner,Jian Chen,James Vasek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-04.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH IMPROVED CONDUCTIVE PROPERTIES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20180040592A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.,Derderian James M.,Huang Wayne H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FinFET) DEVICE STRUCTURE WITH DOPED REGION IN SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190097051A1. Автор: Yu Kuo-Feng,Fang Ziwei,Lin Yu-Ming,PENG Cheng-Yi,MORE Shahaji B.,Tsai Chun-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-28.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH HARD MASK LAYER OVER GATE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200105931A1. Автор: Chiang Yu-Ho,Wu Cheng-Han,Liaw Jhon-Jhy,CHEN Jyh-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH IMPROVED CONDUCTIVE PROPERTIES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20150333026A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.,Derderian James M.,Huang Wayne H.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH REDUNDANT ELECTRICAL CONNECTORS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20150348954A1. Автор: Chandolu Anilkumar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-12-03.

Transistor structure with dual trench for optimized stress effect and method thereof

Номер патента: KR20070069184A. Автор: 마이클 디. 터너,지안 첸,제임스 이. 바세크. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2007-07-02.

Structures with improved interfacial strength of SiCOH dielectrics and method for preparing the same

Номер патента: CN1595634A. Автор: D·C·埃德尔斯坦,A·格里尔,V·V·帕特尔,D·D·雷斯塔伊诺. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359362A1. Автор: wei-wei Liu,Huei-Siang WONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor structure and method manufacturing the same

Номер патента: US20200402960A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Chuan-An Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094758B2. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11373902B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096806A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Wei Chen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Bond pad structure with reduced step height and increased electrical isolation

Номер патента: US20210066225A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312891A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12125749B2. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051620B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947610B2. Автор: HUNG-WEN Chen,Jer-Shien Yang,Chien-Chih Wu,Shiang-Chin LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor package and method

Номер патента: US12051650B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Package and Method

Номер патента: US20240339408A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method for preparing same, memory, and electronic device

Номер патента: US20240290678A1. Автор: Ming Zeng. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-29.

Fan-out package structure and method

Номер патента: US09953911B2. Автор: Sao-Ling Chiu,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Photodetector-arrays and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20170162613A1. Автор: Yoram Karni,Inna Lukomsky,Eran Avnon. Владелец: Semi Conductor Devices - An Elbit Systems-Rafael Partnership. Дата публикации: 2017-06-08.

Multi-die semiconductor structure with intermediate vertical side chip and semiconductor package for same

Номер патента: US09812425B2. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Shanggar Periaman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20210036105A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-02-04.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20230207621A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor structure with through-silicon via

Номер патента: US09859192B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Three-dimensional memory devices having channel cap structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240349500A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240047370A1. Автор: Hongwei Zhu,Honglei Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure with multiple transistors having various threshold voltages and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2014004606A1. Автор: Thomas Hoffmann,Lance Scudder,Pushkar Ranade,Dalong Zhao,Teymur Bakhishev,Lucian Shifren,Michael Duane,Paul E. Gregory,U.C. Sridharan. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2014-01-03.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH RESIST PROTECTIVE OXIDE ON ISOLATION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170011925A1. Автор: Chen Jui-Long,CHEN Po-An,LIAO Chen-Liang,LIANG Chia-Yao,LIN Sheng-Yuan,HUANG Yi-Lii,LEE Kuo-Hsi. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

BULK SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH A MULTI-LEVEL POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD

Номер патента: US20220051929A1. Автор: ADUSUMILLI Siva P.,Levy Mark D.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SOURCE/DRAIN STRUCTURE HAVING MODIFIED SHAPE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190148527A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,YANG Huai-Tei,MORE Shahaji B.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH RESIST PROTECTIVE OXIDE ON ISOLATION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170229343A1. Автор: Chen Jui-Long,CHEN Po-An,LIAO Chen-Liang,LIANG Chia-Yao,LIN Sheng-Yuan,HUANG Yi-Lii,LEE Kuo-Hsi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor structure including field effect transistor with scaled gate length and method

Номер патента: US20240047555A1. Автор: Hong Yu,Jagar Singh,Anton V. Tokranov,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor Structure With Multiple Transistors Having Various Threshold Voltages and Method of Fabrication Thereto

Номер патента: US20180261683A1. Автор: Shifren Lucian,Hoffmann Thomas,Gregory Paul E.,Ranade Pushkar,Scudder Lance,Zhao Dalong,Bakhishev Teymur,Duane Michael,Sridharan U.C.. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Limited. Дата публикации: 2018-09-13.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE THAT REDUCES THE EFFECTS OF GATE CROSS DIFFUSION AND METHOD OF FORMING THE STRUCTURE

Номер патента: US20140087536A1. Автор: Mehrotra Manoj. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor structure having reduced silicide resistance between closely spaced gates and method of fabrication

Номер патента: US6235597B1. Автор: Glen L. Miles. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

Semiconductor structures providing both unipolar transistor and bipolar transistor functions and method of making same

Номер патента: US3299329A. Автор: Larry J Pollock. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1967-01-17.

ENGINEERED SUBSTRATES HAVING EPITAXIAL FORMATION STRUCTURES WITH ENHANCED SHEAR STRENGTH AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20160013360A1. Автор: Gealy F. Daniel,Coursey Belford T.,Beck George E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH HARD MASK LAYER OVER FIN STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210057535A1. Автор: Wang Chih-hao,Chiang Kuo-Cheng,PAN Kuan-Ting,JU Shi-Ning,Su Huan-Chieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-25.

Gate-All-Around Structure with Dummy Pattern Top in Channel Region and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210057544A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH INSULATING STRUCTURE OVER FIN ISOLATION STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200058508A1. Автор: Wu Wei-Hao,Wang Chih-hao,Hsu Chung-Wei,Yu Jia-Ni,LIN Zhi-Chang,Su Huan-Chieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20170069548A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE SPACER HAVING PROTRUDING BOTTOM PORTION AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160086945A1. Автор: LIU Yung-Tsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE SPACER HAVING PROTRUDING BOTTOM PORTION AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190139839A1. Автор: LIU Yung-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE SPACER HAVING PROTRUDING BOTTOM PORTION AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20180269114A1. Автор: LIU Yung-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Finfet structures with stress-inducing source/drain-forming spacers and methods for fabricating same

Номер патента: KR101294794B1. Автор: 스코트 루닝,프랭크 스코트 존슨,마이클 제이. 하그로브. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2013-08-08.

Finfet structures with stress-inducing source/drain-forming spacers and methods for fabricating the same

Номер патента: TWI557847B. Автор: 史考特 盧林,法蘭喝克Ｓ 強森,麥克Ｊ 哈洛夫. Владелец: 格羅方德半導體公司. Дата публикации: 2016-11-11.

Contact structure with reduced dopant loss and increased dimensions and method for forming the same

Номер патента: TW202306035A. Автор: 張惠政,育佳 楊,劉書豪,周孟翰,蕭宜瑄. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-01.

Engineered substrates having epitaxial formation structures with enhanced shear strength and associated systems and methods

Номер патента: US9331236B2. Автор: F. Daniel Gealy,Belford T. Coursey,George E. Beck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor structure with high breakdown voltage and resistance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080278279A1. Автор: Chih-Feng Huang,Chiu-Chih Chiang. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2008-11-13.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH TWO OPTICALLY COUPLED OPTICAL RESONANT CAVITIES AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A STRUCTURE

Номер патента: US20160225923A1. Автор: BADANO Giacomo,KRISO Christian. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor structure with two optically coupled optical resonant cavities and method of manufacturing such a structure

Номер патента: US9853173B2. Автор: Giacomo Badano,Christian KRISO. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor structure with two optically coupled resonant optical cavities and method of manufacturing such a structure

Номер патента: IL243853A0. Автор: Giacomo Badano,Christian KRISO. Владелец: Christian KRISO. Дата публикации: 2016-07-31.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH MULTIPLE TRANSISTORS HAVING VARIOUS THRESHOLD VOLTAGES AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20140001571A1. Автор: Shifren Lucian,Hoffmann Thomas,Gregory Paul E.,Ranade Pushkar,Scudder Lance,Zhao Dalong,Bakhishev Teymur,Duane Michael,Sridharan U.C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: EP4117041A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2023-01-11.

Semiconductor structure for preventing row hammering issue in dram cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200266199A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Shih-Fang Tzou,Hsin-Fu Huang,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND CIRCUIT INCLUDING ORDERED ARRANGEMENT OF GRAPHENE NANORIBBONS, AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20130119350A1. Автор: Grill Alfred,Dimitrakopoulos Christos D.,McArdle Timothy J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor Structures Employing Strained Material Layers with Defined Impurity Gradients and Methods for Fabricating Same

Номер патента: US20140220755A1. Автор: Currie Matthew T.,Lochtefeld Anthony J.,Hammond Richard,Fitzgerald Eugene A.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor Structures Employing Strained Material Layers with Defined Impurity Gradients and Methods for Fabricating Same

Номер патента: US20160190254A1. Автор: Currie Matthew T.,Lochtefeld Anthony J.,Hammond Richard,Fitzgerald Eugene A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor Structures Employing Strained Material Layers with Defined Impurity Gradients and Methods for Fabricating Same

Номер патента: US20180197954A1. Автор: Currie Matthew T.,Lochtefeld Anthony J.,Hammond Richard,Fitzgerald Eugene A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PREVENTING ROW HAMMERING ISSUE IN DRAM CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200266199A1. Автор: Chen Yi-Wei,Tzou Shih-Fang,Huang Hsin-Fu,Hsu Chi-Mao,Cheng Tsun-Min,Chen Pin-Hong,Tsai Chih-Chieh,Chen Tzu-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PREVENTING ROW HAMMERING ISSUE IN DRAM CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180337187A1. Автор: Chen Yi-Wei,Tzou Shih-Fang,Huang Hsin-Fu,Hsu Chi-Mao,Cheng Tsun-Min,Chen Pin-Hong,Tsai Chih-Chieh,Chen Tzu-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor Structures Employing Strained Material Layers with Defined Impurity Gradients and Methods for Fabricating Same

Номер патента: US20110095363A1. Автор: Eugene Fitzgerald,Richard Hammond,Anthony Lochtefeld,Matthew Currie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Light-emitting diode structure with electrode pads of similar surface roughness and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312113A1. Автор: Chao-Hsing Chen,Tsun-Kai Ko,Kuo-Hui Yu,Chien-Kai Chung,Cheng-Ta Kuo,Chi-Ming Huang,Shih-Wei Yen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor Interconnect Structure with Stacked Vias Separated by Signal Line and Method Therefor

Номер патента: US20090212441A1. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Lateral bipolar transistor structure with base layer of varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11908898B2. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Light-emitting diode structure with electrode pads of similar surface roughness and method for manufacturing the same

Номер патента: US9231158B2. Автор: Chao-Hsing Chen,Tsun-Kai Ko,Kuo-Hui Yu,Chien-Kai Chung,Cheng-Ta Kuo,Chi-Ming Huang,Shih-Wei Yen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Interconnect structures with intermetallic palladium joints and associated systems and methods

Номер патента: US20190013296A1. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING COPPER BONDING STRUCTURES WITH SILICON CARBON NITRIDE PASSIVATION LAYERS THEREON AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20170040272A1. Автор: SEET CHIM SENG,Rao Xuesong,Chong Meng Meng,Zhan Xiaohua. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH HARD MASK LAYER OVER GATE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200044072A1. Автор: Chiang Yu-Ho,Wu Cheng-Han,Liaw Jhon-Jhy,CHEN Jyh-Huei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-06.

INTERCONNECT STRUCTURES WITH INTERMETALLIC PALLADIUM JOINTS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20160104693A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

INTERCONNECT STRUCTURES WITH INTERMETALLIC PALLADIUM JOINTS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20170148769A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

INTERCONNECT STRUCTURES WITH INTERMETALLIC PALLADIUM JOINTS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20180190620A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

INTERCONNECT STRUCTURES WITH INTERMETALLIC PALLADIUM JOINTS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20190237434A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH REDUNDANT ELECTRICAL CONNECTORS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20160268235A1. Автор: Chandolu Anilkumar. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH IMPROVED CONDUCTIVE PROPERTIES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20160343689A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.,Derderian James M.,Huang Wayne H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Interconnect structures with intermetallic palladium joints and associated systems and methods

Номер патента: US9564418B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-02-07.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with hard mask layer over gate structure and method for forming the same

Номер патента: US10868184B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Cheng-Han Wu,Jyh-Huei Chen,Yu-Ho Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240120282A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035933A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11031361B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Chip packaging structure and method for preparing the same, and method for packaging semiconductor structure

Номер патента: US20230197666A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741694B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355794A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240128178A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Su-Chun YANG,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor Assembly and Method of Fabricating a Semiconductor Structure

Номер патента: US20170330842A1. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure having buried conductive elements

Номер патента: US20150236024A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni,Emre Alptekin,Johnathan E. Faltermeier,Reinaldo A. Vega,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140145343A1. Автор: Jong Hoon Kim,Pil Soon BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20190371751A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tsao-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor structure having passive component and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371797A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuan-Lung Wu,Wen-Chien Chang,Yu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09754899B2. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4325551A1. Автор: Lingyi CHUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12136568B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203858A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure, packaging device and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240006281A1. Автор: Zongzheng LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure including one or more antenna structures

Номер патента: US11749625B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Multi-chip package system and methods of forming the same

Номер патента: US09911724B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Chih-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US12119404B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Silicon-germanium thin layer semiconductor structure with variable silicon-germanium composition and method of fabrication

Номер патента: WO2005096352A3. Автор: Pradip K Roy,Anthony Dip,Seungho Oh,Allen J Leith. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US09679917B2. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09871165B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09691938B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US20230125584A1. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US12131904B2. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure with feature spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716096B1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12112973B2. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130716A1. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor structure with nitrided inner spacers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136427A1. Автор: Man-Nung SU,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor structure with heating element

Номер патента: US11908765B2. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor resistor structure and method for making

Номер патента: US20180190753A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor resistor structure and method for making

Номер патента: WO2018126093A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instrumentsk Japan Limited. Дата публикации: 2018-07-05.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Fully molded semiconductor structure with face mounted passives and method of making the same

Номер патента: US20220352106A1. Автор: Craig Bishop,Clifford Sandstrom,Timothy L. Olson,Benedict San Jose. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Material selective regrowth structure and method

Номер патента: EP3134913A1. Автор: Edwin L. Piner. Владелец: Texas State University San Marcos. Дата публикации: 2017-03-01.

Semiconductor Resistor Structure And Method For Making

Номер патента: US20190172901A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Nanostructures and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094950B2. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190157394A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the III-V type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US9991346B2. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure with beryllium oxide

Номер патента: US20140145314A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor structure having reliable line pattern designs and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014037A1. Автор: Chih-Hung Lu,Liang-Shiuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Nanowire field effect transistor (FET) and method for fabricating the same

Номер патента: US09887264B2. Автор: Isaac Lauer,Szu Lin Cheng,Kuen-Ting Shiu,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure including a transistor having stress creating regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09812573B1. Автор: Maciej Wiatr,Chung Foong Tan,Arkadiusz Malinowski,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US20170256390A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US12074126B2. Автор: QIAN Xu,Liang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US12029123B2. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210005466A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with patterned fin structure

Номер патента: US12131901B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor nanostructures, semiconductor devices, and methods of making same

Номер патента: WO2008088669A1. Автор: Supratik Guha,Joerg Appenzeller,Emanuel Tutuc. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-07-24.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor structure having sets of III-V compound layers and method of forming the same

Номер патента: US09660063B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20160111335A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US9793168B2. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20180012805A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Fill Structures With Air Gaps

Номер патента: US20240250121A1. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347503A1. Автор: Kuo-Ming Chen,Yu-Jie Lin,Shing-Ren Sheu,Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608077B1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semipolar nitride semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583340B2. Автор: Young-soo Park,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak,Jae-Kyun Kim,Joo-sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for forming a semiconductor structure using dehydrating chemical, and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210265221A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chung-Chieh Lee,Chyi Shyuan Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor-on-insulator wafer, semiconductor structure including a transistor, and methods for the formation and operation thereof

Номер патента: US20180040731A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor processing tool and method for passivation layer formation and removal

Номер патента: US20230042277A1. Автор: Chih-Chien Chi,Chia-Pang Kuo,Yao-Min Liu,Shu-Cheng Chin,Cheng-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US12125879B2. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor-on-insulator wafer, semiconductor structure including a transistor, and methods for the formation and operation thereof

Номер патента: US09966466B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Structure and method for defect passivation to reduce junction leakage for finfet device

Номер патента: US09806176B2. Автор: Mark Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135733A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230290782A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063187A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure and method for wafer scale chip package

Номер патента: US12125811B2. Автор: Manoj Kumar Jain,Indumini W. Ranmuthu,Tracy Scott PAULSEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210167197A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130161708A1. Автор: Edward Yi Chang,Chia-Hua Chang,Ming-Tsan Peng,Tsung-Lin Chen,Shyr-Long Jeng,Shih-Tung Cheng,Po-Chien Chou,Jian-Feng Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230010594A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Packaging substrate and semiconductor structure having same

Номер патента: EP4060728A1. Автор: Hailin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor structure with different crystalline orientations

Номер патента: US20230090017A1. Автор: Effendi Leobandung,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180148317A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Albert Wan,Yu-Sheng Hsieh,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046478B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US9087825B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20140035140A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181684A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Structure and method for advanced bulk fin isolation

Номер патента: US20160197078A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200111912A1. Автор: Chih-Hung Lin,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12119345B2. Автор: Chih-tang Peng,Yung-Chung Chen,Chia-Ho CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with airgap

Номер патента: US09917005B2. Автор: Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for forming semiconductor structure with nanowire structures

Номер патента: US09875937B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

III-nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayers

Номер патента: US09837495B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US09812562B1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure with airgap

Номер патента: US09666475B2. Автор: Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of fabricating semiconductor structure with improved critical dimension control

Номер патента: US09653345B1. Автор: En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Che-Yi Lin,Chia-Hsun Tseng,Shin-Feng Su,Shang-Nan Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20180053839A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US12040191B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure with increased space and volume between shaped epitaxial structures

Номер патента: US20160005657A1. Автор: Bharat Krishnan,Jinping Liu,Jody A. FRONHEISER,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US20240355625A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method

Номер патента: US09945048B2. Автор: Sen-Hong Syue,Shiang-Bau Wang,Pu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773910B2. Автор: Chung-Yi Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335469A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US12027625B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of passivating cleaved semiconductor structure

Номер патента: US20240194477A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jaakko Makela,Jouko LÅNG. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Package substrate and semiconductor structure with package substrate

Номер патента: US20220254709A1. Автор: Hailin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor structure employing conductive paste on lead frame

Номер патента: US20210305143A1. Автор: Chih-Yen Chen,Francois Hebert,Hsin-Chang Tsai,Chun-Yi Wu,Chia-Ching HUANG,Chih-Jen Hsiao,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure bonding method, bonding equipment, memory, memory system

Номер патента: US20240170295A1. Автор: Yang Liu,Guoliang Chen,Mengyong Liu,Junqing HE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: WO2021198559A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: CA3178846A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: AU2021245385A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200350162A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313116A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for transferring semiconductor structure

Номер патента: US09997399B2. Автор: Li-Yi Chen,Shih-Chyn Lin. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09865596B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US09793175B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09768182B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chien-Hsuan Liu,Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Chiang-Ming Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure in which film including germanium oxide is provided on germanium layer, and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US09722026B2. Автор: Toshiyuki Tabata,Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong Hyun LEE,Cimang Lu. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230015991A1. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Mask structure, semiconductor structure and methods for manufacturing same

Номер патента: US12027369B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Staircase structure with multiple divisions for three-dimensional memory

Номер патента: US12052870B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Bo Huang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876023B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and method for forming

Номер патента: US20210020442A1. Автор: BO Su,WEI Shi,YOUCUN Hu,Tao DOU,Xiamei TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653302B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09799652B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09768028B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure with enhanced contact and method of manufacture the same

Номер патента: US09647115B1. Автор: Sung-Li Wang,Meng-Chun Chang,Yasutoshi Okuno,Yi-Fang Pai,Cheng-Long Chen,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US11171143B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960246B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US12048136B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods for annealing semiconductor structures

Номер патента: US09698026B2. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with devices having different effective channels and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274469A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated structure with trap rich regions and low resistivity regions

Номер патента: EP4447124A2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Crystal R. Kenney. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon-germanium region

Номер патента: US09620507B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure with isolated well

Номер патента: US20240258320A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Siva Kumar Chinthu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for preparing same, and storage apparatus

Номер патента: US20220076994A1. Автор: FANG Rong,Xifei BAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of continuous hills and method of fabricating the same

Номер патента: US20160141359A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Systems and methods for microwave-radiation annealing

Номер патента: US20150206808A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor structure and preparation method therefor, and radio frequency circuit and communication device

Номер патента: EP4425536A1. Автор: Xiaohong Wang,Xiangming Xu,Zhongxiang JIAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US09984943B2. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384374A1. Автор: Ju Eun Kim,Youn Joon Sung,Dong Woo Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09515078B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Structure and method to prevent charge damage from e-beam curing process

Номер патента: SG133471A1. Автор: Liu Huang,HSIA Liang Choo,Liu Wuping,ZHANG Bei Chao,John Leonard Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-07-30.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor structure with dispersedly arranged active region trenches

Номер патента: US20130270669A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Chao-Hsin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

ESD protection structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09960251B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US09831306B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12040227B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200243565A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954098B1. Автор: Yu-Jui Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09761724B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-planar semiconductor structure with preserved isolation region

Номер патента: US09666709B2. Автор: Yanxiang Liu,Jerome Ciavatti,Xiaoli He,Myung Hee NAM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040406B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046597B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Patterning method and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230230842A1. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor Structures With Densly Spaced Contact Features

Номер патента: US20220344214A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor structure with device including at least one in-well porous region

Номер патента: EP4421872A1. Автор: Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy,Kaustubh Shanbhag. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure with device including at least one in-well porous region

Номер патента: US20240282852A1. Автор: Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy,Kaustubh Shanbhag. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell having a charge trapping layer and method for the formation thereof

Номер патента: US09673210B1. Автор: Peter Baars,Joerg Schmid,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09502567B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US11289477B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US20180026034A1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structure having self-aligned insulating feature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240234545A1. Автор: Yi-Hsien Chen,Yi-Ren CHEN,Chun-Ting Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US12107087B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09837510B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US09716161B2. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor Structure with Metal Ion Capture Layer

Номер патента: US20230335603A1. Автор: Chao-Chi Chen,Bo-Wei Chen,yi ting Liao,Shi Sheng Hu,Shun Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220336662A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230119370A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240030289A1. Автор: Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11658227B2. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240014035A1. Автор: Chih-I Wu,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI,Yun-Hsuan HSU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structures with coplanar recessed gate layers and fabrication methods

Номер патента: US20160049495A1. Автор: Yuan-Hung Liu,Xing Zhang,Ganesh Upadhyaya,Taejoon Han,Chang Ho Maeng,Gowri Kamarthy,Hoong Shing Wong,Gabriel Padron Wells,Kristina Trevino,Isabelle Orain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076510A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240332422A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with multi spacer

Номер патента: US09911824B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device structure with non planar slide wall

Номер патента: US09786770B1. Автор: Jay Paul John,James Albert Kirchgessner,Vishal Trivedi. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773784B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chieh-Chih Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Circuit structure with gate configuration

Номер патента: US12021130B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure with wraparound backside amorphous layer

Номер патента: US20230387225A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US12046673B2. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure, storage structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230029936A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021738A1. Автор: Chien-Wei Lee,Ching-Hung Kao,Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Meng-I Kang,Kai-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230027276A1. Автор: Xiaoling Wang,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Structure and Method for Topography Free SOI Integration

Номер патента: US20120139085A1. Автор: Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220140102A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240047581A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Cheng Lai,Shao-Hua Hsu,Wei-Yeh TANG,Chun-Chan HSIAO,Chih-Long Chiang,Po-Hsiang Chuang,Mao-Lin Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Optical Annealing Apparatus And Method For Forming Semiconductor Structure

Номер патента: US20240105473A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Structure and method for topography free soi integration

Номер патента: US20130193562A1. Автор: Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094947B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ko-Feng Chen,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Circuit Structure with Gate Configuration

Номер патента: US20240347614A1. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09929245B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure with shallow trench isolation and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646871B2. Автор: Che-Cheng Chang,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG,Jui Fu Hseih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09634017B1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240234501A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134980A1. Автор: Yung-Han Chiu,Chia-Hung Liu,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008076651A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Multi-gate devices with improved performance and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339362A1. Автор: Chang-Miao Liu,Huiling Shang,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Non-planar structure with extended exposed raised structures and same-level gate and spacers

Номер патента: US09735152B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222525A1. Автор: Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20210098272A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: Globawafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: EP4035202A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20230031395A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure etching solution and method for fabricating a semiconductor structure using the same etching solution

Номер патента: US20200135479A1. Автор: Chung-Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076509A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Michael Albert Tischler. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels, and method of forming the same

Номер патента: US12058869B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20200152792A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10084056B1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor structure and method of forming the structure

Номер патента: US20100112766A1. Автор: Kern Rim,Katsunori Onishi,Shreesh Narasimha,Yaocheng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor structure for providing strained crystalline layer on insulator and method for fabricating same

Номер патента: US20060088979A1. Автор: Frederic Dupont,Cecile Aulnette,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20240332042A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371873A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Laser dicing system and method for dicing semiconductor structure including cutting street

Номер патента: US12106985B2. Автор: Peng Chen,Houde Zhou,Liquan Cai. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure with high-voltage and low-voltage CMOS devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US09985019B2. Автор: Manoj Kumar,Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627249B2. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09608062B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure including backgate regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09583616B2. Автор: John Morgan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US8933504B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20190245074A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398813A1. Автор: Chun-Sheng Lu,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180331177A1. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Structures and methods for improved capacitor cells

Номер патента: WO2001059850A2. Автор: Vishnu K. Agarwal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device including a resistor and method for the formation thereof

Номер патента: US20140264342A1. Автор: Alexandru Romanescu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US12107156B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Structure and method for a field effect transistor

Номер патента: US09985111B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Structure and method for 3D FinFET metal gate

Номер патента: US09876114B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09748372B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Metal gate structure with multi-layer composition

Номер патента: US09679984B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsien-Ming Lee,Hung-Chin Chung,Hsiao-Kuan Wei,Shiang-Rung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of measuring parameters of semiconductor structures

Номер патента: RU2622600C2. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев,Екатерина Викторовна Латышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-06-16.

Counteracting Semiconductor Material Loss During Semiconductor Structure Formation

Номер патента: US20210351275A1. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12051699B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240266391A1. Автор: Fu-Hsin Chen,Chung-Yeh Lee,Wen-Shan LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Counteracting semiconductor material loss during semiconductor structure formation

Номер патента: US11996459B2. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-28.

Cointegrated semiconductor structures for different voltage transistors

Номер патента: US20210202480A1. Автор: Alessio Spessot,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336658A1. Автор: Jun Hee Cho. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Structures and methods for improved capacitor cells

Номер патента: WO2001059850A3. Автор: Vishnu K Agarwal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels

Номер патента: US20240357829A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure having epitaxial structure

Номер патента: US12131943B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Deep trench isolation structure and method for improved product yield

Номер патента: US09997396B2. Автор: Dieter Dornisch,George E. Parker,Lawrence L. Au. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09966382B2. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Hsiang-Chen Lee,Chia-Wen Wang,Wen-Peng Hsu,Kuo-Lung Li,Zi-Jun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Shallow trench isolation structure with raised portion between active areas and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761658B2. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure with data storage structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160240775A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Huang-Kui CHEN,Woan-Yun HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor structure with data storage structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190035850A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Huang-Kui CHEN,Woan-Yun HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced cmos device technology

Номер патента: US20190287970A1. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20200003825A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230012447A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Optoelectronic component, semiconductor structure and method

Номер патента: US20220376134A1. Автор: Christian Berger,Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka,Felix FEIX,Ana Kanevce. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-11-24.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced CMOS device technology

Номер патента: US10636792B2. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US11756829B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US20240282633A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US12033894B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure having fins and method for manufacturing the same

Номер патента: US09941279B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit structure and method with solid phase diffusion

Номер патента: US09716146B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yee-Chia Yeo,Chih-Sheng Chang,Cheng-Yi Peng,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Forming a semiconductor structure for reduced negative bias temperature instability

Номер патента: US09704758B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Reactor for plasma processing of semiconductor structures

Номер патента: RU2670249C1. Автор: Владимир Борисович Павлов,Александр Кириллович Петров,Наталья Борисовна Гусева,Вадим Александрович Сологуб,Александр Арменакович Айрапетов,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Александр Михайлович Никонов,Михаил Георгиевич Бирюков,Константин Викторович Вавилин,Елена Александровна Кралькина,Полина Алексеевна Неклюдова,Елена Владимировна Карпенкова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2018-10-19.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: WO2021028214A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2021-02-18.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: EP4014247A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2022-06-22.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Vertical semiconductor structure with integrated sampling structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12046664B2. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051755B2. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347645A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure with dielectric spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240113214A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Network of semiconductor structures with fused insulator coating

Номер патента: US09722147B2. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao,Benjamin Daniel Mangum,Kari N. Haley. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US12057477B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US20240371934A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with a first lower electrode layer and a second lower electrode layer and method for manufacturing same

Номер патента: US12137550B2. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313156A1. Автор: Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Image Sensor Structures And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240030262A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,Po Chun Chang,Kun-Hui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130214354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363684A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Chun-Yuan Chen,Szu-Chien WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory cell structure with resistance-change material and method for forming the same

Номер патента: US09865655B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09864134B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Mirja Richter,Bert Jan Offrein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Gate structure with multiple spacers

Номер патента: US20170243946A1. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Thermal Dissipation Structures and Methods for Forming Same

Номер патента: US20240266334A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Ke-Gang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12101924B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for semiconductor structure sample preparation and analysis

Номер патента: US20210057247A1. Автор: Jang Jung Lee,Shih-Wei Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210098514A1. Автор: Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng,Chiao-Chi Wang,Zong-Jie Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods and systems for semiconductor structure thickness measurement

Номер патента: US20210295496A1. Автор: Olmez Fatih. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same, memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301070A1. Автор: Yong Yu,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12113100B2. Автор: Hongmin WU,Yu-Sheng TING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347591A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230089142A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure including optical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240230996A1. Автор: Stefan Rusu,Tai-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240049457A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220139851A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12069854B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716222B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130249007A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20230301120A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20230389293A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20200168825A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor structure with chirp layer

Номер патента: US20210036183A1. Автор: Norbert Krause,Guilherme Tosi. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4148792A1. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor Structure and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120292689A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for forming semiconductor structure and method for forming memory using the same

Номер патента: US8383480B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Light emitting device using micrometer-sized semiconductor light emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220310879A1. Автор: Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-29.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US12089423B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20220085149A1. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20240365569A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure

Номер патента: US09876140B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Ohmic contacts for semiconductor structures

Номер патента: US09608185B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,Everett Allen McTeer,John Mark Meldrim,Shanming Mou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601664B2. Автор: Tatsuma Saito,Takanobu Akagi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230189506A1. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230064914A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230223480A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure with a spacer layer

Номер патента: US20160351564A1. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20150021610A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258466A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200194665A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177855A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177856A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130320413A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US8546857B1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240113237A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh,Ping Kuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113135B2. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Ultraviolet sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966490B1. Автор: Chia-Hao Chang,Jinn Chu,Bohr-Ran Huang,You-Syuan Chen. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2018-05-08.

Light-emitting semiconductor structure and optoelectronic component therefrom

Номер патента: US20130223464A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Manfred Reiche,Martin Kittler. Владелец: IHP-GmbH- Innovations for High Performance Microelectronics. Дата публикации: 2013-08-29.

Ultrahigh-voltage semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076565A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240074143A1. Автор: Wenjie Liu,Yu-Cheng Liao,Joonsuk Moon. Владелец: Cxmt Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110037122A1. Автор: Kao-Way Tu,Cheng-Hui Tung. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors preliminary class

Номер патента: US12040371B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230128761A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US7960784B2. Автор: Kao-Way Tu,Cheng-Hui Tung. Владелец: Nicko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US12114478B2. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Longyang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240332391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit structure with substrate isolation and un-doped channel

Номер патента: US09960273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Chung-Cheng Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170222063A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device including bonding pads and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243081A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240244819A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20210151571A1. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou,Chang-Xiang HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Gan lasers on aln substrates and methods of fabrication

Номер патента: EP2153499A1. Автор: Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah,Dmitry Sizov. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-02-17.

Gan lasers on aln substrates and methods of fabrication

Номер патента: WO2008150401A1. Автор: Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah,Dmitry Sizov. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor Structure with Active Device and Damaged Region

Номер патента: US20160118406A1. Автор: Michael A. Stuber,Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Switch Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12114485B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347594A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240304686A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers

Номер патента: US20140299892A1. Автор: Jani Oksanen,Jaakko Tulkki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865748B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure with active device and damaged region

Номер патента: US09780117B2. Автор: Michael A. Stuber,Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601506B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274726A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Yun-Kai LAI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure with stacked capacitors

Номер патента: US12068361B2. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Model based optical measurements of semiconductor structures with anisotropic dielectric permittivity

Номер патента: WO2018044572A1. Автор: Qiang Zhao,Zhengquan Tan,Andrei Shchegrov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Inductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243163A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Yang-Che CHEN,Chi-Hui Lai,Wei-Yu Chou,Yi-Lun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: US20240322079A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for extended infrared spectroscopic ellipsometry

Номер патента: US09921152B2. Автор: David Y. Wang,Shankar Krishnan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: EP4443673A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Optoelectronic device and method of fabricating the same

Номер патента: US8890275B2. Автор: Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Hsin-Jui Chen. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Optoelectronic device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120199935A1. Автор: Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Hsin-Jui Chen. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with polymer and insulator coatings

Номер патента: US20180215997A1. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-02.

Systems and methods for biasing high fill-factor sensor arrays and the like

Номер патента: US7863703B2. Автор: James B. Boyce,JengPing Lu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230078585A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240186396A1. Автор: Kai Jen,Shou-Chi Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor detector and method of fabricating same

Номер патента: US20240234620A9. Автор: Stoyan Nihtianov,Kenichi Kanai,Xinqing Liang,Gianpaolo LORITO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US12068380B2. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for biasing high fill-factor sensor arrays and the like

Номер патента: US20050133813A1. Автор: James Boyce,JengPing Lu,Kathleen Boyce. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Systems and methods for biasing high fill-factor sensor arrays and the like

Номер патента: US20060255422A1. Автор: James Boyce,JengPing Lu,Kathleen Boyce. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Systems and Methods for biasing high fill-factor sensor arrays and the like

Номер патента: US20090160007A1. Автор: James B. Boyce,JengPing Lu,Kathleen Dore Boyce. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Systems and methods for biasing high fill-factor sensor arrays and the like

Номер патента: US20090160006A1. Автор: James B. Boyce,JengPing Lu,Kathleen Dore Boyce. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Defect Inspection System and Method

Номер патента: US20240125713A1. Автор: Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Pei-Wei Lee,Hao Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Systems and methods for biasing high fill-factor sensor arrays and the like

Номер патента: US7863704B2. Автор: James B. Boyce,JengPing Lu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306367A1. Автор: Yi-Hao Chien,Tzu-Hsun HUANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20240312980A1. Автор: Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chen-Chien Chang,Kang-Tai PENG,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09842986B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Hsia-Wei CHEN,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837578B2. Автор: Sun Kyung Kim,Jun Ho Jang,Hyun Kyong Cho. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatus and circuits with dual polarization transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US11990541B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170288135A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20210367145A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: US20220293427A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2022-09-15.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929207B2. Автор: Chun-Yu Lin,Chih-Peng Ni,Rong-Ren LEE,Cheng-Hong Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure including a transistor including a gate electrode region provided in a substrate and method for the formation thereof

Номер патента: US09786657B1. Автор: Uwe Dersch,Ricardo Pablo. Mikalo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for transferring semiconductor structure

Номер патента: US09722134B1. Автор: Li-Yi Chen,Hsin-Wei Lee. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US09711713B1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture

Номер патента: US09614069B1. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure, device with such structure and method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2617281C2. Автор: Оливье ГРАВРАН,Александр ФЕРРОН. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2017-04-24.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: US11881408B2. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure formation

Номер патента: US20210183865A1. Автор: Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170207385A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Versatile system for limiting electric field degradation of semiconductor structures

Номер патента: US20050258494A1. Автор: Greg Baldwin,PR Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor structure with multi-layers film

Номер патента: US12124083B2. Автор: Chih-Tsung Shih,Jing-Hwang Yang,Wei-Kang Liu,Sui-Ying Hsu,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240379908A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Guo-Yi SHIU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure and method for CMP-free III-V isolation

Номер патента: US09711648B1. Автор: Effendi Leobandung,Chung-Hsun Lin,Amlan Majumdar,Yanning Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11776963B2. Автор: Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220045186A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240194755A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230230976A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Chia-Ling Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321988A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4451333A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240355812A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12051732B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Po-Yu Lin,Wei-Han Fan,Tzu-Hua Chiu,Kuan-Hao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Resistance variable memory structure and method of forming the same

Номер патента: US09847480B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Gallium arsenide heterojunction semiconductor structure

Номер патента: US09761678B2. Автор: Brian G. Moser,Michael T. Fresina. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Three-dimensional nor array and method of making the same

Номер патента: WO2024129195A1. Автор: Yanli Zhang,Satoshi Shimizu,Hiroyuki Kinoshita,Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US20240120374A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Structures comprising molecular structures with high aspect ratio, and methods of their manufacturing

Номер патента: RU2526969C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Альберт Г. НАСИБУЛИН,Брэдли Дж. ЭЙТЧИСОН,Эско И. КАУППИНЕН. Владелец: Канату Ой. Дата публикации: 2014-08-27.

Ion exchange system structure with a microtextured surface, method of manufacture, and method of use thereof

Номер патента: AU2003213764A1. Автор: Laurie S Mittelstadt,Joshua W Smith. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-09-22.

Helical Slow-Wave Structures with Integrated Couplers of THz Radiation: Devices and Methods of Fabrication

Номер патента: US20240162620A1. Автор: Daniel W. van der Weide,Max G. Lagally,Francesca Cavallo,Divya PRAKASH,Shiva Hajitabarmarznaki,Shelley S. Scott. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2024-05-16.

Ion exchange system structure with a microtextured surface, method of manufacture, and method of use thereof

Номер патента: EP1479114A2. Автор: Laurie S. Mittelstadt,Joshua W. Smith. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-11-24.

CABLE STRUCTURES WITH LOCALIZED FOAM STRAIN RELIEFS AND SYSTEMS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20150083490A1. Автор: Briskey Joseph I.,Krass Derek C.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2015-03-26.

Composite structure with exposed conductive fiber for static dissipation, and method for making same

Номер патента: US09775223B2. Автор: Dan Steinberg,Robert Franklin Morris, III,Benjamin Allen Hearst. Владелец: Petro Guardian LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Devices and methods involving semiconducting material(s) for photocathodes

Номер патента: US20240282542A1. Автор: Bruce Dunham,Piero Pianetta,Evan J. Reed,Evan R. ANTONIUK,Theodore VECCHIONE. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-08-22.

Power controller with fusible link

Номер патента: EP2523529A8. Автор: Farshid Tofigh,Otmar Kruppa,Jesse Thomas Chen. Владелец: Leach International Corp. Дата публикации: 2013-03-20.

Automotive Battery Conductor Plates with Fusible Links

Номер патента: US20200067056A1. Автор: Nathaniel Christopher Wynn,Kyle William Butterfield,Tyler David Collins. Владелец: Rivian IP Holdings LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US20160141837A1. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-19.

Tunable semiconductor laser device and method for operating a tunable semiconductor laser device

Номер патента: EP2647092A1. Автор: Michael Engelmann,Bob Van Someren. Владелец: Euphoenix Bv. Дата публикации: 2013-10-09.

Two-dimensional semiconductor structure with controllable magnetic state and ferromagnetic resonance

Номер патента: US20230247911A1. Автор: JIA Li,Andrew Mounce,Jiangxiazi LIN,Erin MORISSETTE. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US09812844B2. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-07.

Power controller with fusible ink

Номер патента: EP2080412A2. Автор: Farshid Tofigh,Otmar Kruppa,Jesse Thomas Chen. Владелец: Leach International Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

Power controller with fusible ink

Номер патента: WO2008055046A2. Автор: Farshid Tofigh,Otmar Kruppa,Jesse Thomas Chen. Владелец: Leach International Corporation. Дата публикации: 2008-05-08.

Microplasma generation devices and associated systems and methods

Номер патента: US09960005B2. Автор: Luis Fernando Velasquez-Garcia. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Composite Structure with Exposed Conductive Fiber for Static Dissipation, and Method for Making Same

Номер патента: US20150245454A1. Автор: Morris,Steinberg Dan,III Robert Franklin,Hearst Benjamin Allen. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Composite Structure with Exposed Conductive Fiber for Static Dissipation, and Method for Making Same

Номер патента: US20150359077A9. Автор: Morris,Steinberg Dan,III Robert Franklin,Hearst Benjamin Allen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Fusible link, gas tank, and method for assembling a fusible link and for installing same in a gas tank

Номер патента: US11940101B2. Автор: Max Seitter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-26.

Flood defence dam structure with a connection, dam comprising such structure, and method for providing a dam

Номер патента: WO2018021910A1. Автор: Petrus Johannes VAN DEN HADELKAMP. Владелец: Slamdam Holding B.V.. Дата публикации: 2018-02-01.

Flood defence dam structure with a connection, dam comprising such structure, and method for providing a dam

Номер патента: EP3488052A1. Автор: Petrus Johannes VAN DEN HADELKAMP. Владелец: Mwd BV. Дата публикации: 2019-05-29.

Knitted textile structure with double skin and adjustable binding threads and method of manufacture

Номер патента: AU3098197A. Автор: Patrick Chadeyron,Felix Schiano,Eric Schiano. Владелец: E T E C T. Дата публикации: 1998-01-05.

Antifouling coating film and method of manufacturing same, water contacting structure with antifouling coating film, and antifouling tape and method of manufacturing same

Номер патента: US11993727B2. Автор: Soichiro TANINO. Владелец: Chugoku Marine Paints Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12114486B2. Автор: Wei Wan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20240306366A1. Автор: Ya Wang,Xing Zhang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Kuan HU. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure with back-gate switching

Номер патента: US09762245B1. Автор: Michael Otto,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Device and method of measuring spectral characteristics of fiber-optic bragg gratings

Номер патента: RU2700736C1. Автор: Азат Маратович Низаметдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor structure with improved capacitance of bit line

Номер патента: US20140054535A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Three-dimensional memory devices having channel cap structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240349501A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device containing etch stop metal plates for backside via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240040786A1. Автор: Yusuke Yoshida,Shigeyuki Yoshida,Teruo OKINA,Takanori Hanada. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240164087A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Wei-Zhi FANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12108592B2. Автор: Jie Zhang,Jie Bai,Juanjuan Huang,Dahan QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20230200254A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268124A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240357798A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

High-power repeat-frequency solid-state switch controlled by combination of optical amplification and electrical amplification, and method

Номер патента: US20240235548A1. Автор: HONGWEI LIU,Ping Jiang,Lingyun Wang,Weiping Xie,Hongtao Li,Jianqiang YUAN,Chongbiao Luan. Владелец: Institute of Fluid Physics of CAEP. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240276708A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12133470B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Cpmpany Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Particulate structure with a high concentration of live bacteria and method of preparing the same

Номер патента: US20210198617A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,Cheng-Yu Ho,Jin-Jia WANG. Владелец: TCI Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

FUSIBLE LINK, GAS TANK, AND METHOD FOR ASSEMBLING A FUSIBLE LINK AND FOR INSTALLING SAME IN A GAS TANK

Номер патента: US20210190270A1. Автор: Seitter Max. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Concrete corner structure with diagonally oriented fiber resin polymer rebar

Номер патента: US20210340767A1. Автор: Josh HANJE. Владелец: Carroll Distributing & Construction Supply Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Flood defence dam structure with a connection, dam comprising such structure, and method for providing a dam

Номер патента: NL2019332A. Автор: Johannes Van Den Hadelkamp Petrus. Владелец: Slamdam Holding B V. Дата публикации: 2018-01-31.

Polypropylene fiber for cement reinforcement, fiber-reinforced molded cement made with the polypropylene fiber for cement reinforcement, method of constructing concrete structure with the polypropylene fiber for cement reinforcement, and method of concrete spraying with the polypropylene fiber for cement reinforcement

Номер патента: AU2003271077A1. Автор: Masuo Yabuki,Kazumasa Nakashima. Владелец: Hagiwara Industries Inc. Дата публикации: 2004-04-23.

ANTIFOULING COATING FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, WATER CONTACTING STRUCTURE WITH ANTIFOULING COATING FILM, AND ANTIFOULING TAPE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20210024757A1. Автор: TANINO Soichiro. Владелец: CHUGOKU MARINE PAINTS, LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

Antifouling coating film and method of manufacturing same, water contacting structure with antifouling coating film, and antifouling tape and method of manufacturing same

Номер патента: WO2019189412A1. Автор: 聡一郎 谷野. Владелец: 中国塗料株式会社. Дата публикации: 2019-10-03.

Nano composite structure with nano patterned structure on its surface and method of producing the same

Номер патента: US20200139415A1. Автор: Tae Jun Ko,Myoung Woon Moon,Kyu Hwan Oh. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-05-07.

SYSTEM FOR FAST COMPOSING, LAUNCH AND CONFIGURATION OF CUSTOMIZABLE SECOND-TIER TRANSFER STRUCTURES WITH BUILD-IN AUDITING AND MONITORING STRUCTURES AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20220270179A1. Автор: MANGOLD Chung-Shik. Владелец: SWISS REINSURANCE COMPANY LTD.. Дата публикации: 2022-08-25.

Sole structure with plates and intervening fluid-filled bladder and method of manufacturing

Номер патента: US20210161250A1. Автор: Troy C. Lindner,Bryan K. Youngs,Ross Klein,Bryan P. Conrad,Bryan R. PICCO,Jeffrey George RASMUSSEN. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

NANO COMPOSITE STRUCTURE WITH NANO PATTERNED STRUCTURE ON ITS SURFACE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200139415A1. Автор: Oh Kyu Hwan,Moon Myoung Woon,KO Tae Jun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Particulate structure with a high concentration of live bacteria and method of preparing the same

Номер патента: US20210198617A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,Cheng-Yu Ho,Jin-Jia WANG. Владелец: TCI Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

NANO COMPOSITE STRUCTURE WITH NANO PATTERNED STRUCTURE ON ITS SURFACE AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: US20150258588A1. Автор: Oh Kyu Hwan,Moon Myoung Woon,KO Tae Jun,Lee Heon Ju. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

SOLE STRUCTURE WITH PLATES AND INTERVENING FLUID-FILLED BLADDER AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20190320759A1. Автор: Klein Ross,Lindner Troy C.,Youngs Bryan K.,Conrad Bryan P.,Picco Bryan R.,Rasmussen Jeffrey George. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2019-10-24.

Composite structure with heat dissipation comprising carbon hybrid filler and method thereof

Номер патента: KR101413996B1. Автор: 신권우,한종훈,이철승,박지선,우란. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2014-07-04.

Steel plate for structure with a good seawater corrosion resistive property and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102321301B1. Автор: 이주연,박진호,박재연,엄경근. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2021-11-02.

High strength steel plate for structure with a good seawater corrosion resistive property and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR102142774B1. Автор: 이주연,유승호,박진호,김봉주. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2020-08-07.

INTERNAL VEHICLE STRUCTURE WITH PORTILLON-CLOSED RECEPTACLE, INTERNAL STRUCTURE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: FR2981896B1. Автор: Jacques Bergerioux,Charles Burry. Владелец: Faurecia Interieur Industrie SAS. Дата публикации: 2014-04-18.

Structure with multiple elements, such as a puzzle, and method for using it

Номер патента: FR2545370A1. Автор: . Владелец: PARANT FRANCOIS. Дата публикации: 1984-11-09.

Knitted textile structure with double skin and adjustable binding threads and method of manufacture

Номер патента: CA2270904C. Автор: Patrick Chadeyron,Felix Schiano,Eric Schiano. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2006-12-05.

Crack repairing material for concrete structure with improved water proof performance and durability and method of repairing concrete structure using the same

Номер патента: KR102195453B1. Автор: 함병일. Владелец: 주식회사 에코이앤씨. Дата публикации: 2020-12-29.

Column-stabilized floating structure with telescopic keel tank for offshore applications and method of installation

Номер патента: US6942427B1. Автор: Nagan Srinivasan. Владелец: Nagan Srinivasan. Дата публикации: 2005-09-13.

Flexible packaging structure with built-in opening and resealing features and method of manufacturing the same

Номер патента: JP4418495B2. Автор: エベール，ロベルト，チャールズ,ハファー，スコット，ウィリアム,リース，バリー，ローランド,プリツィー，ジョン，エイ. Владелец: ソノコ・デヴェロップメント，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2010-02-17.

Three-dimensional framework structures with selectively functionalised polymer systems, their use and method for the production thereof

Номер патента: EP3653662C0. Автор: Herbert Wolter,Somchith Nique,Doris Heinrich,Sebastian Hasselmann,Caroline Kopittke,Johannes Schwaiger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-07.

Sole structure with plates and intervening fluid-filled bladder and method of manufacturing

Номер патента: EP4226804A1. Автор: Troy C. Lindner,Bryan K. Youngs,Ross Klein,Bryan P. Conrad,Bryan R. PICCO,Jeffrey George RASMUSSEN. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2023-08-16.

System for fast composing, launch and configuration of customizable second-tier transfer structures with build-in auditing and monitoring structures and method thereof

Номер патента: US11875412B2. Автор: Chung-Shik MANGOLD. Владелец: Swiss Reinsurance Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Flood defence dam structure with a connection, dam comprising such structure, and method for providing a dam

Номер патента: NL2017234B1. Автор: Johannes Van Den Hadelkamp Petrus. Владелец: Mwd B V. Дата публикации: 2018-01-31.

Flood defence dam structure with a connection, dam comprising such structure, and method for providing a dam

Номер патента: NL2019332B1. Автор: Johannes Van Den Hadelkamp Petrus. Владелец: Mwd B V. Дата публикации: 2018-04-16.

System for fast composing, launch and configuration of customizable second-tier transfer structures with build-in auditing and monitoring structures and method thereof

Номер патента: EP4121935A1. Автор: Chung-Shik MANGOLD. Владелец: Swiss Reinsurance Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

System for fast composing, launch and configuration of customizable second-tier transfer structures with build-in auditing and monitoring structures and method thereof

Номер патента: WO2021185517A1. Автор: Chung-Shik MANGOLD. Владелец: SWISS REINSURANCE COMPANY LTD.. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Probe for scanning probe microscopy and method of its manufacturing (embodiments)

Номер патента: RU2660418C1. Автор: Сергей Владимирович Макаров,Иван Сергеевич Мухин,Иван Сергеевич Синев,Антон Кириллович Самусев,Филипп Эдуардович Комиссаренко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-07-06.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Trapped sacrificial structures and methods of manufacturing same using thin-film encapsulation

Номер патента: US09988265B2. Автор: Emmanuel P. Quevy,Louis Nervegna,Jeremy R. Hui. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods And Systems For Measurement Of Semiconductor Structures With Multi-Pass Statistical Optimization

Номер патента: US20240353760A1. Автор: John J. Hench,Daniel J. HAXTON. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and systems for measurement of semiconductor structures with multi-pass statistical optimization

Номер патента: WO2024220228A1. Автор: John J. Hench,Daniel J. HAXTON. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-10-24.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US12131111B2. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Light-induced capacitance spectroscopy and method for obtaining carrier lifetime with micron/nanometer scale

Номер патента: WO2004070775A3. Автор: Gyoung Ho Buh,Joseph J Kopanski,Jay F Marchiando. Владелец: Us Gov Sec Commerce. Дата публикации: 2005-05-12.

METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: RU2528277C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Николай Александрович Калюжный,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-10.

Semiconductor structure with micro-electro-mechanical system devices

Номер патента: US09624092B1. Автор: Kuan-Yu Wang,Wei-Hua Fang,Her-Yi Tang,Xuan-Rui Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure with lamella defined by singulation trench

Номер патента: US09527725B2. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structures providing both unipolar transistor and bipolar transistor functions and method of making same

Номер патента: CA819324A. Автор: J. Pollock Larry. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-07-29.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH A STRESSED LAYER IN THE CHANNEL AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120235213A1. Автор: . Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor Structures Employing Strained Material Layers with Defined Impurity Gradients and Methods for Fabricating Same

Номер патента: US20120086047A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-12.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND CIRCUIT INCLUDING ORDERED ARRANGMENT OF GRAPHENE NANORIBBONS, AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20120181507A1. Автор: Grill Alfred,Dimitrakopoulos Christos D.,McArdle Timothy J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor Structures Employing Strained Material Layers with Defined Impurity Gradients and Methods for Fabricating Same

Номер патента: US20130040433A1. Автор: Currie Matthew T.,Lochtefeld Anthony J.,Hammond Richard,Fitzgerald Eugene A.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-14.

MOS TRANSISTOR STRUCTURE WITH IN-SITU DOPED SOURCE AND DRAIN AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120032231A1. Автор: . Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

LED CHIP PACKAGE STRUCTURE WITH A HIGH-EFFICIENCY HEAT-DISSIPATING SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120049212A1. Автор: . Владелец: HARVATEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-01.

FLASH MEMORY STRUCTURE WITH ENHANCED CAPACITIVE COUPLING COEFFICIENT RATIO (CCCR) AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20120184076A1. Автор: Hsu Louis C.,Ouyang Xu,Wang Ping-Chuan,Yang Zhijian J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of measuring temperature, autoelectronic emission thermoelectronic-mechanical transducer and method of making said transducer

Номер патента: RU2447411C1. Автор: Виктор Акиндинович Солдатенков,Юрий Кириллович Грузевич,Владимир Михайлович Ачильдиев. Владелец: Владимир Михайлович Ачильдиев. Дата публикации: 2012-04-10.

Heteroepitaxial semiconductor structure for photodetector cell

Номер патента: RU2034369C1. Автор: Александр Андреевич Величко. Владелец: Александр Андреевич Величко. Дата публикации: 1995-04-30.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2445722C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2012-03-20.

Metal-dielectric-semiconductor structure based on a3b5 compounds and its formation method

Номер патента: RU2420828C1. Автор: Александр Александрович Гузев,Анатолий Петрович Ковчавцев,Валерий Геннадьевич Кеслер,Зоя Васильевна Панова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2011-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.