Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2
Опубликовано: 03-10-2023
Автор(ы): Hong Yu, Judson R. Holt, Vibhor Jain
Принадлежит: GlobalFoundries US Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: EP4365956A1. Автор: Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert J. Gauthier Jr.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: US20240145585A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Heterojunction Bipolar Transistor Manufacturing Method and Integrated Circuit Comprising a Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: EP2458624A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-30.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007036861A2. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007036861A3. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A M Hurkx,Raymond J Duffy. Владелец: Raymond J Duffy. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1935023B1. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-02.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1935023A2. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-06-25.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040046187A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-11.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417714A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Jan W. Slotboom,Eyup Aksen,Hendrik G. A. Huizing,Doede Terpstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Microwave heterojunction bipolar transistors suitable for low-power, low-noise and high-power applications and method for fabricating same

Номер патента: EP0501279A1. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-09-02.

Bipolar transistor comprising a raised collector pedestal for reduced capacitance

Номер патента: GB2497177A. Автор: Qizhi Liu,John Joseph Pekarik,David L Harame,James William Adkisson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210091183A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US10312324B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010054718A1. Автор: Masahiro Tanomura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20180061948A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Heterojunction bipolar transistor, manufacturing method therefor, and communication device therewith

Номер патента: US20030038300A1. Автор: Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Vertical bipolar transistor with collector and base extensions

Номер патента: US4982257A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Algaas or ingap low turn-on voltage gaas-based heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2003009396A3. Автор: Noren Pan. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: US20240170561A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: EP4372823A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369474A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Raised Extrinsic Base

Номер патента: US20140264457A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,George Talor,Gerson R. Ortuno. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Dopant profile control in heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US12068402B2. Автор: HIROSHI Yasuda,Mattias Dahlstrom,Tatsuya Tominari,Jerald Rock,Wibo Van Noort. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150053982A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20240030288A1. Автор: Manabu Mitsuhara,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (rf) performance

Номер патента: US20150372098A1. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11869958B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Lateral bipolar transistor with emitter and collector regions including portions within in-insulator layer cavities and method

Номер патента: EP4184588A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Manufacturing method for Heterojunction bipolar transistor, HBT therefrom

Номер патента: KR20040057000A. Автор: 김성일,이희태,임종원,홍선의,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-07-01.

Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.

High performance integrated vertical transistors and method of making the same

Номер патента: US20070001264A1. Автор: Jeffrey Johnson,David Sheridan,Peter Gray,Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1771885B1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Prabhat Agarwal,Erwin Hijzen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1771885A1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Prabhat Agarwal,Erwin Hijzen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-11.

Bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1878045A2. Автор: Joost Melai,Vijayaraghavan Madakasira. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-16.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US20210210626A1. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US11791404B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US11164962B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882034B2. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Nitride Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150179780A1. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Bipolar transistor with improved gain

Номер патента: US20120187538A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-26.

Bipolar Transistor with Depleted Emitter

Номер патента: US20100283082A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Bipolar transistors with depleted emitter

Номер патента: US20070267656A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Bipolar transistor with a very narrow emitter feature

Номер патента: US20050082642A1. Автор: Francois Pagette,Andreas Stricker,Marwan Khater,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Lateral bipolar transistor structure with base layer of varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11908898B2. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US12074211B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240363741A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Collector layer structure for a double hetero-junction bipolar transistor for power amplification applications

Номер патента: US20070001195A1. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen,David Caruth. Владелец: Xindium Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with improved thermal conductivity

Номер патента: US20230369476A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20100237388A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20110147799A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Bipolar transistor structure

Номер патента: EP1238424A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-09-11.

Bipolar transistor structure

Номер патента: AU2034201A. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2001-06-12.

Bipolar transistor structure

Номер патента: US20010016421A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417715A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Joost Melai,Jan W. Slotboom,Hendrik G. A. Huizing,Freerk Van Rijs,Igor Lyuboshenko. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Heterojunction bipolar transistor having wide bandgap material in collector

Номер патента: US20040065898A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Heterojunction bipolar transistors with undercut extrinsic base regions

Номер патента: US20220190145A1. Автор: Mark Levy,Vibhor Jain,James R. Elliott,Qizhi Liu,Sarah McTaggart,Paula Fisher. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: US20040065897A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Nanlei Wang,Barry Lin,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Heterojunction bipolar transistor with counter-doped collector region and method of making same

Номер патента: US10998431B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-04.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: EP3586372A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: WO2018156242A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-30.

Emitter-base mesh structure in heterojunction bipolar transistors for rf applications

Номер патента: EP3721477A1. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Heterojunction bipolar transistor with collector buffer layer

Номер патента: CA1299771C. Автор: Tadao Ishibashi,Yoshiki Yamauchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

A sige hbt and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4428923A1. Автор: Patrick SEBEL,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-11.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210384297A1. Автор: Anthony K. Stamper,Jeonghyun Hwang,Johnatan A. Kantarovsky,Henry L. Aldridge, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US12107143B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: US20020117657A1. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas Moll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: EP1235278A3. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas J. Moll. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-01-02.

Heterojunction bipolar transistor capable of restraining the conductivity modulation of the ballast layer

Номер патента: US20020088993A1. Автор: John Twynam,Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Metallic bridge structure for hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20020060327A1. Автор: Henry Chen,Shi-Ming Chen,Juh-Yuh Su,Wen-Liang Li. Владелец: Epitech Corp Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device with monocrystalline extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4310914A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Bipolar transistor with base horizontally displaced from collector

Номер патента: US11728380B2. Автор: Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240030308A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Bipolar transistor with elevated extrinsic base and methods to form same

Номер патента: US20220336646A1. Автор: Judson R. Holt,Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US11749747B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US20230223463A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Bipolar transistor and method with recessed base electrode

Номер патента: US20120199881A1. Автор: Vishal P. Trivedi,Jay P. John,James A. Kirchgessner. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-08-09.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE-CUTOFF FREQUENCY PRODUCT

Номер патента: WO2013142860A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Japan Limiited. Дата публикации: 2013-09-26.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Heterojunction bipolar transistors with airgap isolation

Номер патента: US20210091213A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods for forming bipolar transistors

Номер патента: US20140187014A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-07-03.

Closed cell transistor with built-in voltage clamp

Номер патента: US5136349A. Автор: Hamza Yilmaz,Izak Bencuya. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150035011A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Tvs semiconductor device and method therefor

Номер патента: US20190067269A1. Автор: Yupeng Chen,Umesh Sharma,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Heterojunction Bipolar Transistor Fabrication Using Resist Mask Edge Effects

Номер патента: US20200006482A1. Автор: Santosh Sharma,Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: US20030155631A1. Автор: Matthias Stecher,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Devices and methods related to a gallium arsenide Schottky diode having low turn-on voltage

Номер патента: US09847407B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Cristian Cismaru. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Bipolar transistor circuit and usage method of bipolar transistor

Номер патента: US20030089965A1. Автор: Masaji Haneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

High-speed superjunction lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US10658496B2. Автор: Qi Yuan,Zhi Lin,Shu Han,Jianlin Zhou,Shengdong HU,Fang Tang,Xichuan ZHOU. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2020-05-19.

Heterojunction bipolar transistor with marker layer

Номер патента: US20210091214A1. Автор: Herbert Ho,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt,Viorel Ontalus,Claude Ortolland. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Electrostatic discharge (ESD) device with improved turn-on voltage

Номер патента: US11728381B2. Автор: RAUNAK Kumar,Robert J. Gauthier, Jr.,Kyongjin Hwang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US20240250158A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US09905636B2. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Bidirectional bipolar transistors with two-surface cellular geometries

Номер патента: US09679999B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Fabrication of bipolar transistors using selective doping to improve performance characteristics

Номер патента: US5698459A. Автор: Constantin Bulucea,Michael J. Grubisich. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Super junction power device and method of making the same

Номер патента: US12136647B2. Автор: Min-Hwa Chi,Huan WANG,Richard Ru-Gin Chang,Conghui LIU,Longkang YANG. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuits with lateral bipolar transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761664B1. Автор: Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar,Wei Gao,Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20180350901A1. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09768246B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384334A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of forming a biCMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09831135B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007015194A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-02-08.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Electrostatic discharge (esd) device with improved turn-on voltage

Номер патента: US20230335593A1. Автор: RAUNAK Kumar,Robert J. Gauthier, Jr.,Kyongjin Hwang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Electrostatic discharge (ESD) device with improved turn-on voltage

Номер патента: US12027587B2. Автор: RAUNAK Kumar,Robert J. Gauthier, Jr.,Kyongjin Hwang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20200119171A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Bipolar transistors

Номер патента: US12107124B2. Автор: John J. Pekarik,Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09704980B2. Автор: Kenta GOUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Bipolar transistor with trench-isolated emitter

Номер патента: US5144403A. Автор: Shang-Yi Chiang,Clifford I. Drowley,Wen-Ling M. Huang,Paul V. Voorde. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-09-01.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: US20240006491A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Insulated gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240250137A1. Автор: WEI Liu,Rui Wang,Yuanlin Yuan,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Current-confined heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US8735256B1. Автор: Alan Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US09768282B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US20230006055A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

HBT with nitrogen-containing current blocking base collector interface and method for current blocking

Номер патента: US20020079511A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Charles Tu,Peter Asbeck,Rebecca Welty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US12113125B2. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US20150236141A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Bipolar transistor having collector with doping concentration grading

Номер патента: US20230006056A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Heterojuction bipolar transistor

Номер патента: US20220130960A1. Автор: Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-28.

Heterostructure bipolar transistor

Номер патента: CA1318418C. Автор: Young-Kai Chen,Morton Panish,Richard Norman Nottenburg,Anthony Frederic John Levi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20230307527A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Heterojunction bipolar transistor geometry for improved power amplifier performance

Номер патента: US20150102389A1. Автор: Jing Zhang,Brian G. Moser,Robert Saxer. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Heterojunction bipolar transistor structure having current clamping layer

Номер патента: US20240079450A1. Автор: Zong-Lin LI,Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device with improved termination structure for high voltage applications and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2801114B1. Автор: Yih-Yin Lin,Chih-Wei Hsu,Pai-li LIN. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Self-aligned lateral heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050101096A1. Автор: JIA Zheng,JIAN Li,Purakh Verma,Lap Chan,Shao-Fu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Sige heterojunction bipolar transistor (hbt) and method of fabrication

Номер патента: US20080124882A1. Автор: Xuefeng Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Peter J. Geiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140175520A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Dual sidewall spacer for a self-aligned extrinsic base in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20020153535A1. Автор: David Greenberg,Shwu-Jen Jeng,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Microwave heterojunction bipolar transistors suitable for low-power, low-noise and high-power applications and method for fabricating same

Номер патента: EP0525762A2. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-02-03.

Method for reducing base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US6475849B2. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2002-11-05.

Fin-based lateral bipolar junction transistor and method

Номер патента: US11888031B2. Автор: Hong Yu,Zhenyu Hu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Reduced base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US20020117734A1. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-08-29.

Self-alignment scheme for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20090140297A1. Автор: Anna Topol,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Heterojunction Bipolar Transistor and Manufacturing Method

Номер патента: EP2418681A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers,Tony Vanhouck. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-02-15.

Insulated gate bipolar transistor having high breakdown voltage

Номер патента: US5331184A. Автор: Masashi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Biopolar transistor with a low saturation voltage

Номер патента: EP1654766A1. Автор: David Casey. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2006-05-10.

Bipolar transistor having raised extrinsic base with selectable self-alignment and methods of forming same

Номер патента: WO2005024900A3. Автор: Qizhi Liu,Francois Pagette,David L Harame,Andreas D Stricker,Marwan H Khater,James S Dunn,Onge Stephen A St,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-06-09.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070290237A1. Автор: Akio Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Lateral bipolar transistor with thermal conductor underneath the base

Номер патента: EP4243056A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Bipolar transistor on high-resistivity substrate

Номер патента: US09761700B2. Автор: Michael Joseph McPartlin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US11942534B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of making a bipolar transistor with high-low emitter impurity concentration

Номер патента: US4178190A. Автор: Murray A. Polinsky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US20070264768A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for Designing and Manufacturing a PMOS Device with Drain Junction Breakdown Point Located for Reduced Drain Breakdown Voltage Walk-in

Номер патента: US20090254872A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US8086979B2. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US7560348B2. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US20170250246A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US09978831B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical power transistor with thin bottom emitter layer and dopants implanted in trenches in shield area and termination rings

Номер патента: US09825128B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US09941351B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US09852910B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US09805933B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Power trench MOSFET with improved unclamped inductive switching (UIS) performance and preparation method thereof

Номер патента: US09997593B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Yongping Ding. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Power trench MOSFET with improved unclamped inductive switching (UIS) performance and preparation method thereof

Номер патента: US09704948B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Yongping Ding. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230299132A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240266436A1. Автор: Nam Kyu Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

INTEGRATING A GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTOR WITH A SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210398972A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Heterojunction bipolar transistor and method of making the same

Номер патента: US20220093774A1. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with improved breakdown properties and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014785A1. Автор: Peter Moens,Filip Bauwens,Joris Baele,Marnix Tack. Владелец: AMI Semiconductor Belgium BVBA. Дата публикации: 2009-01-15.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US20170250270A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US20170243746A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical power transistor die with etched beveled edges for increasing breakdown voltage

Номер патента: US20170250173A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US20170243745A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

Epi block structure in semiconductor product providing high breakdown voltage

Номер патента: US20170301785A1. Автор: Huan-Tsung Huang,Chia-Hsin Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method

Номер патента: WO2011126609A3. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Weixiao Huang,Tahir A. Khan. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and method

Номер патента: EP2553730A2. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Weixiao Huang,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-02-06.

Semiconductor device and method

Номер патента: WO2011126609A2. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Weixiao Huang,Tahir A. Khan. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device having high breakdown voltage

Номер патента: US20010015458A1. Автор: Takao Arai,Yukio Itoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Lateral pnp bipolar transistor formed with multiple epitaxial layers

Номер патента: US20150069464A1. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-12.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

High-Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20120007176A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-12.

High Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20130009252A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-10.

High voltage bipolar transistor with trench field plate

Номер патента: US9112021B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-18.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP1792335A2. Автор: Steven T. Philips IP & Standards GmbH PEAKE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-06.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190115467A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160322491A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200365723A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842942B2. Автор: Kengo Akimoto,Toshinari Sasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Trenched DMOS devices and methods and processes for making same

Номер патента: US20040232482A1. Автор: Tommy Lai,Johnny Sin. Владелец: Analog Power Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Integrated electrostatic discharge (ESD) clamping for an LDMOS transistor device having a bipolar transistor

Номер патента: US09673188B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Power Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20130299899A1. Автор: Mohamed N. Darwish,Amit Paul. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

High breakdown voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3545633B2. Автор: 慎吾 佐藤,政信 土谷. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-21.

High breakdown voltage PM junction and method for making it

Номер патента: EP0769816A1. Автор: Vesna Goebel,Herbert Dr.Rer.Nat. Goebel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1997-04-23.

GaN TRANSISTORS WITH POLYSILICIUM LAYERS FOR THE FORMATION OF ADDITIONAL COMPONENTS AND METHODS FOR THEIR PRODUCTION

Номер патента: DE112014003481B4. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata,Guangyuan Zhao,Yanping Ma,Robert Strittmatter,Chunhua ZHOU,Seshadri Kolluri,Ming-Kun Chiang,Jiali Cao,Agus Jauhar,Michael A. De Rooji,Fang Chang Liu. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Lateral bipolar junction transistor including a stress layer and method

Номер патента: US11837653B2. Автор: Andreas Knorr,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Jagar Singh,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Inpsb/inas bjt device and method of making

Номер патента: EP1226608A2. Автор: Chanh Nguyen,Daniel P. Doctor. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2002-07-31.

InPSb/InAs BJT DEVICE AND METHOD OF MAKING

Номер патента: WO2001031685A2. Автор: Chanh Nguyen,Daniel P. Doctor. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2001-05-03.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: WO2004077504A3. Автор: Kevin Choi,Peter J Zampardi,Lance G Rushing. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: WO2004077504A2. Автор: Peter J. Zampardi,Kevin Choi,Lance G. Rushing. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2004-09-10.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: EP1636855A2. Автор: Peter J. Zampardi,Kevin Choi,Lance G. Rushing. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2006-03-22.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: WO2004077504B1. Автор: Kevin Choi,Peter J Zampardi,Lance G Rushing. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2005-03-24.

Radio frequency silicon-on-insulator integrated heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190386121A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: EP1636855A4. Автор: Kevin Choi,Peter J Zampardi,Lance G Rushing. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2007-10-03.

Bipolar transistor with graded base layer

Номер патента: WO2003088363A1. Автор: Roger E. Welser,Paul M. Deluca,Charles R. Lutz,Kevin S. Stevens. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 2003-10-23.

Structure and method for an emitter ballast resistor in an hbt

Номер патента: EP1497868A4. Автор: Kyushik Hong,Richard S Burton,Noureddine Matine,Debora L Green,Charles F Krumm. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

Structure and method for an emitter ballast resistor in an hbt

Номер патента: WO2003085743B1. Автор: Kyushik Hong,Richard S Burton,Noureddine Matine,Debora L Green,Charles F Krumm. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2003-12-24.

Structure and method for an emitter ballast resistor in an hbt

Номер патента: EP1497868A1. Автор: Richard S. Burton,Kyushik Hong,Noureddine Matine,Debora L. Green,Charles F. Krumm. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2005-01-19.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Bipolar transistor with lattice matched base layer

Номер патента: WO2002043155A9. Автор: Noren Pan,Roger E Welser,Paul M Deluca. Владелец: Paul M Deluca. Дата публикации: 2003-08-14.

Heterojunction bipolar transistor containing at least one silicon carbide layer

Номер патента: US20040195597A1. Автор: John Torvik,Jacques Pankove. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-10-07.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9865715B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5247192A. Автор: Keita Nii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1993-09-21.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170200816A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20020179933A1. Автор: Majid Hashemi,El-Badawy El-Sharawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2001037349A1. Автор: El-Badawy Amien El-Sharawy,Majid M. Hashemi. Владелец: National Scientific Corporation. Дата публикации: 2001-05-25.

Indium phosphide-boron phosphide heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CA1213376A. Автор: Krishna P. Pande. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1986-10-28.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20100159664A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09704967B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Jean-Pierre Blanc,Didier Celi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Process of producing heterojunction bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US5494836A. Автор: Kiyotaka Imai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Bipolar transistors with multilayer collectors

Номер патента: US11990536B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-21.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method making the same

Номер патента: US20050085035A1. Автор: Norio Hayafuji,Rui-Huang Cheng,Chih-Chiang Shen,Chang-Jung Chu,Yong-Yin Chen,Chin-Kun Peng. Владелец: Procomp Informatics Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US20100133586A1. Автор: Jong-Min Lee,Kyung-Ho Lee,Byoung-Gue Min,Seong-II Kim,Hyung-Sup Yoon,Eun-Soo Nam. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-03.

Base silicide on monocrystalline base structures in bipolar transistors

Номер патента: EP4290581A1. Автор: Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US5098853A. Автор: William E. Stanchina,Marion D. Clark,K. Vaidyanathan. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1992-03-24.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369473A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11881523B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Heterojunction bipolar transistor and method of producing the same

Номер патента: US20020066909A1. Автор: Hidenori Shimawaki,Fumio Harima,Masahiro Tanomura,Yosuke Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Double-epitaxy heterojunction bipolar transistors for high speed performance

Номер патента: US5648666A. Автор: Aaron Kenji Oki,Dwight Christopher Streit,Liem Thanh Tran. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Epitaxial Base Layers For Heterojunction Bipolar Transistors

Номер патента: US20130320403A1. Автор: Paul Douglas Yoder,Munmun Islam,Mahbub D. Satter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Silicon-silicon-germanium heterojunction bipolar transistor fabrication method

Номер патента: US5668022A. Автор: Kwang-Eui Pyun,Byung-Ryul Ryum,Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Fully self-aligned submicron heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5729033A. Автор: Madjid Hafizi. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

Wide bandgap bipolar transistors

Номер патента: EP1468450A1. Автор: Timothy Jonathan Qinetiq Limited PHILLIPS. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-10-20.

Wide bandgap bipolar transistors

Номер патента: AU2002367213A1. Автор: Timothy Jonathan Phillips. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2003-07-15.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US12040388B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240297242A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Low-loss bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040026764A1. Автор: Koji Nakano,Fumihiko Hirose,Yutaka Souda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Lateral heterojunction bipolar transistor with emitter and/or collector regrown from substrate and method

Номер патента: US11990535B2. Автор: Haiting Wang,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,Richard F. Taylor, III. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

SiGe HBT with graphene extrinsic base and methods

Номер патента: US12094873B2. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device including heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210272877A1. Автор: Kuo-Chun Huang,Wen-Pin Lu,Chi-Chun Lin,Chao-Hung Chen,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2021-09-02.

Compound Semiconductor Lateral PNP Bipolar Transistors

Номер патента: US20140110825A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Alejandro Salcedo,Shuyun Zhang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Lateral rf mos device with improved breakdown voltage

Номер патента: WO2001026159A1. Автор: Pablo E. D'Anna. Владелец: Xemod, Inc.. Дата публикации: 2001-04-12.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of Manipulating Deposition Ratges of Poly-Silicon and Method of Manufacturing a SiGe HBT Device

Номер патента: US20220172950A1. Автор: Zhenqi Li,Gim Chye OWE,Ronghao FU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Heterojunction bipolar transistor power amplifier with backside thermal heatsink

Номер патента: EP3574527A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-04.

Sige hbt with grenphene extrinsic base and methods

Номер патента: US20220208756A1. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Heterojunction bipolar transistor with epitaxial emitter stack to improve vertical scaling

Номер патента: US20130126944A1. Автор: Alexander Reznicek,Thomas N. Adam,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5477066A. Автор: Masahiko Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-19.

Bipolar transistor with inclined epitaxial layer

Номер патента: US6730981B2. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Method of manipulating deposition rates of poly-silicon and method of manufacturing a SiGe HBT device

Номер патента: US11393684B2. Автор: Zhenqi Li,Gim Chye OWE,Ronghao FU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Lateral bipolar transistors having partially-depleted intrinsic base

Номер патента: US20140357043A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jin Cai,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Lateral bipolar transistors having partially-depleted intrinsic base

Номер патента: US20140353726A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jin Cai,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

High fT and fmax Bipolar Transistor and Method of Making Same

Номер патента: US20040262713A1. Автор: Qizhi Liu,Alvin Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A3. Автор: Qizhi Liu,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-05-12.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A2. Автор: Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-01-13.

Hetero-junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194561A1. Автор: Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2012075905A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-14.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

SOI lateral bipolar transistor with edge-strapped base contact and method of fabricating same

Номер патента: US5298786A. Автор: Yuan Taur,Denny D. Tang,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Methods for forming high gain tunable bipolar transistors

Номер патента: US20120264270A1. Автор: XIN Lin,Daniel J. Blomberg,Jiang-Kai Zou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of forming MOS and bipolar transistors

Номер патента: US09929146B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Richard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-27.

Lateral bipolar transistor and FET

Номер патента: US5574306A. Автор: Sheng-Hsing Yang,Ying-Tzung Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-11-12.

High voltage semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20080135971A1. Автор: Hiroyoshi Ogura,Hisaji Nishimura,Akira Ohdaira. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Transistor with embedded isolation layer in bulk substrate

Номер патента: US11749717B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Insulated gate field effect transistor - with high frequency response and breakdown voltage

Номер патента: CH582427A5. Автор: . Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1976-11-30.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20130105765A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

THIN FILM TRANSISTOR WITH PROTECTIVE FILM HAVING OXYGEN TRANSMISSION AND DISTURBANCE FILMS AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150108477A1. Автор: Tokunaga Kazuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

MULTI-GATE VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL STRIPS LATERALLY CONFINED BY GATE DIELECTRIC LAYERS, AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20180197988A1. Автор: Kumar Tanmay,Ratnam Perumal,Petti Christopher,Bandyopadhyay Abhijit,Zhou Guangle,Saenz Juan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20200335612A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20210104621A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US11848192B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09911837B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Jui-Pin Chiu,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Asymmetrical lateral heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20210091212A1. Автор: Alexander Martin,George R. Mulfinger,Jagar Singh,Ryan Sporer,Judson Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for forming lateral heterojunction bipolar devices and the resulting devices

Номер патента: US20200388696A1. Автор: Jagar Singh,Alexander Lee Martin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Horizontal current bipolar transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US09842834B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj. Владелец: ZAGREB UNIVERSITY OF. Дата публикации: 2017-12-12.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: EP4451340A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: US20240355876A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230402453A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US11791334B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: WO2020167363A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-20.

Heterojunction bipolar transistors with field plates

Номер патента: US20200259004A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: US20200328293A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20200295166A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Heterojunction bipolar transistor with a thickened extrinsic base

Номер патента: US20180240897A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for fabricating a rectifying semiconductor junction having improved breakdown voltage characteristics

Номер патента: US5010023A. Автор: Willem G. Einthoven,Muni M. Mitchell. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1991-04-23.

High Performance SiGe Heterojunction Bipolar Transistors Built On Thin Film Silicon-On-Insulator Substrates For Radio Frequency Applications

Номер патента: US20190109054A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20140151750A1. Автор: Renata A. Camillo-Castillo,Jeffrey B. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Horizontal Current Bipolar Transistor with Silicon-Germanium base

Номер патента: US12062699B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2024-08-13.

LOW PARASITIC Ccb HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210167187A1. Автор: Liesbeth Witters,Yves MOLS,Abhitosh Vais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-03.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2018063319A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20170117394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US09917181B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Heterojunction bipolar transistor and power amplifier

Номер патента: US11990537B2. Автор: Chih-Yang Kao,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Bipolar transistor

Номер патента: US20040075108A1. Автор: Kazuhiro Arai,Yasuyuki Toyoda,Yorito Ota,Shinichi Sonetaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

III-N transistors with enhanced breakdown voltage

Номер патента: US09666708B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Trench semiconductor device having shaped gate dielectric and gate electrode structures and method

Номер патента: US20190237588A1. Автор: Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS,Ikhoon SHIN,Scott M. DONALDSON. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20180158937A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Igbt with improved terminal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180240880A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

IGBT with improved terminal and manufacturing method thereof

Номер патента: US10741651B2. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Bipolar transistors

Номер патента: US20230178638A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US09905679B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Joost Melai,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Electrostatic discharge protection device structures and methods of manufacture

Номер патента: US09704849B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Horizontal current bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US20230395666A1. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2023-12-07.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Manufacturing method for reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09673193B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Transistors with field plates resistant to field plate material migration and methods of their fabrication

Номер патента: US20150144953A1. Автор: Darrell G. Hill,Stephen H. Kilgore,Craig A. Gaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-28.

Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof

Номер патента: KR101202497B1. Автор: 스캇 티. 쉐퍼드,리차드 피터 스미쓰,졸탄 링. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-11-16.

Transistors with field plates resistant to field plate material migration and methods of their fabrication

Номер патента: US9905658B2. Автор: Darrell G. Hill,Stephen H. Kilgore,Craig A. Gaw. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof

Номер патента: CN100468770C. Автор: Z·林,S·T·谢泼德,R·P·史密斯. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Method of making high voltage vertical field effect transistor with improved safe operating area

Номер патента: US4970173A. Автор: Stephen P. Robb. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-11-13.

Npn heterojunction bipolar transistor in cmos flow

Номер патента: US20150187755A1. Автор: Manoj Mehrotra,Deborah J. Riley,Terry J. BORDELON, JR.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Tunneling emitter bipolar transistor

Номер патента: WO1987007431A1. Автор: Jingming Xu,Michael Shur. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 1987-12-03.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

High voltage transistor and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060086992A1. Автор: Hwa-sook Shin,Mueng-Ryul Lee,Mi-Hyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240250168A1. Автор: Jong Min Kim,Geum Ho AHN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20100237434A1. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-23.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194782A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Yicheng DU. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Lateral thin-film soi device having a lateral drift region and method of making such a device

Номер патента: EP1147561A1. Автор: Mark Simpson,Theodore Letavic,Richard Egloff,Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-24.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150325570A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Trenched power mosfet with enhanced breakdown voltage and fabrication method thereof

Номер патента: US20140042534A1. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US9196695B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

E-D mode 2DEG FET with gate spacer to locally tune VT and improve breakdown

Номер патента: US11757027B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann C. Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Insulated-gate semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010053561A1. Автор: Takeshi Uenoyama,Kunimasa Takahashi,Masao Uchida,Makoto Kitabatake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Lateral drain mosfet with improved clamping voltage control

Номер патента: US20100176452A1. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-15.

Lateral drain mosfet with improved clamping voltage control

Номер патента: US20100317168A1. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Lateral drain MOSFET with improved clamping voltage control

Номер патента: US7998819B2. Автор: Dean Probst,Bruce D. Marchant. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions

Номер патента: US09787298B2. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Circuits and group iii-nitride transistors with buried p-layers and controlled gate voltages and methods thereof

Номер патента: EP4341989A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jr. Thomas J. Smith. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Circuits and group iii-nitride transistors with buried p-layers and controlled gate voltages and methods thereof

Номер патента: WO2022245417A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jr. Thomas J. Smith. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

CIRCUITS AND GROUP III-NITRIDE TRANSISTORS WITH BURIED P-LAYERS AND CONTROLLED GATE VOLTAGES AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20220367695A1. Автор: Smith,JR. Thomas J.,Sriram Saptharishi. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: LIU Zihong,Haensch Wilfried Ernst-August. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

PMOS transistor with increased effective channel length in the peripheral region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060186487A1. Автор: JIN LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Group iii-nitride transistors with back barrier structures and buried p-type layers and methods thereof

Номер патента: EP4342000A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile

Номер патента: US5656514A. Автор: Martin Revitz,Jack Chu,David Ahlgren,Paul Ronsheim,Mary Saccamango,David Sunderland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050051797A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Memory device and method for making same

Номер патента: US9041084B2. Автор: Armin Tilke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-26.

Fabrication method of self-aligned heterojunction bipolar transistor using temporary emitter electrode and polyimide sidewall film

Номер патента: KR960026917A. Автор: 박성호,최성우,박문평. Владелец: 조백제. Дата публикации: 1996-07-22.

Process for forming a silicon-germanium base of a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: KR20010070331A. Автор: 펭-위 후앙. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-07-25.

Semiconductor device having P channel high voltage transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US5448101A. Автор: Atsushi Ono,Nobuyuki Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: LIU Zihong,Haensch Wilfried Ernst-August. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Method for fabricating VDMOS transistor with improved breakdown characteristics

Номер патента: US5589405A. Автор: Claudio Contiero,Paola Galbiati,Lucia Zullino. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-12-31.

Ldmos device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2012065485A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

Power transistor with protected channel

Номер патента: WO2009091840A3. Автор: YANG LU,Marco A. Zuniga,Hamza Yilmaz,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-09-24.

An integrated circuit with improved reverse bias breakdown

Номер патента: WO1994025989A1. Автор: James D. Beasom. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 1994-11-10.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09972703B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

N-polar devices including a depleting layer with improved conductivity

Номер патента: WO2023147266A1. Автор: Umesh Mishra,Rakesh K. Lal,David Michael RHODES,Davide BISI,Geetak GUPTA. Владелец: Transphorm Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-08-03.

Electric Assembly Including an Insulated Gate Bipolar Transistor Device and a Wide-Bandgap Transistor Device

Номер патента: US20170366180A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Thin-film semiconductor device, lateral bipolar thin-film transistor, hybrid thin-film transistor, MOS thin-film transistor, and method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US8415746B2. Автор: Genshiro Kawachi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Method of Fabricating Power Transistor with Protected Channel

Номер патента: US20140134834A1. Автор: YANG LU,Marco A. Zuniga,Hamza Yilmaz,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-05-15.

Power transistor with protected channel

Номер патента: EP2232560A2. Автор: YANG LU,Marco A. Zuniga,Hamza Yilmaz,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Rugged heterojunction bipolar transistor power device and the method thereof

Номер патента: US20050149885A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Chi Tsai,Min-Chang Tu,Jen-Hao Huang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Inp heterojunction bipolar transistor with intentionally compressivley missmatched base layer

Номер патента: WO2002103803A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Epiworks, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Transistor with InGaAsP collector region and integrated opto-electronic devices employing same

Номер патента: US8692295B1. Автор: Rajesh D. Rajavel,Stephen Thomas, III. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2014-04-08.

Silicon carbide: germanium (sic:ge) heterojunction bipolar transistor; a new semiconductor transistor for high-speed, high-power applications

Номер патента: US20020076890A1. Автор: Michael Mazzola,Jeffrey Casady,Stephen Saddow. Владелец: Mississippi State University. Дата публикации: 2002-06-20.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20080157122A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-07-03.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20100240187A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a Schottky diode

Номер патента: US8043910B2. Автор: Berinder P. S. Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-10-25.

InP heterojunction bipolar transistor with intentionally compressively mismatched base layer

Номер патента: US20020190271A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20070051981A1. Автор: Berinder Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-03-08.

Heterojunction bipolar transistor and method for manufacturing the same, and power amplifier using the same

Номер патента: US20070164316A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Chushiro Kusano,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Npn-heterojunction bipolar transistor including an antimonide base formed on semi-insulating indium phosphide substrate

Номер патента: EP1209750A3. Автор: William E. Stanchina,Thomas Hasenberg. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

Directed epitaxial heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09853136B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1187218A3. Автор: Takeshi Takagi,Kenji Toyoda,Minoru Kubo,Koichiro Yuki,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-12.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5332912A. Автор: Junko Akagi,Norio Iizuka,Masao Obara,Tetsuro Nozu,Torakiti Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

III-V heterojunction bipolar transistor having a GaAs emitter ballast

Номер патента: US6043520A. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Heterojunction bipolar transistor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US5140399A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Modulation doped base heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5099299A. Автор: Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-03-24.

Heterojunction bipolar transistor including collector/base heterojunction achieving high operation efficiency

Номер патента: US6399969B1. Автор: John Kevin Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

Ballistic heterojunction bipolar transistors

Номер патента: CA1213378A. Автор: David G. Ankri,Lester F. Eastman,Walter H. Ku. Владелец: CNET. Дата публикации: 1986-10-28.

Integrated photodetector and heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2004079784A2. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen. Владелец: Xindium Technologies, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5986324A. Автор: Michael G. Adlerstein,Mark P. Zaitlin,Kamal Tabatabaie-Alavi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-11-16.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4794440A. Автор: Federico Capasso,Pierre M. Petroff,Roger J. Malik,Arthur C. Gossard,John R. Hayes. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1988-12-27.

Depleted extrinsic emitter of collector-up heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5485025A. Автор: Hin F. Chau,Hua Q. Tserng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-16.

Cadmium sulfide layers for indium phosphide-based heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US6049099A. Автор: Andrew Davis,Kenneth Vaccaro,Joseph P. Lorenzo,Helen M. Dauplaise. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2000-04-11.

Heterojunction bipolar transistor having low electron and hole concentrations in the emitter-base junction region

Номер патента: US5508536A. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Toshiaki Kinosada,John K. Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Heterojunction semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5721438A. Автор: John W. Steele,Zhirong Tang,Jenny M. Ford. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-02-24.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09806151B2. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors and methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11335794B2. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-17.

Bipolar transistor with improved reverse breakdown characteristics

Номер патента: US6383885B1. Автор: Patrice Parris,Vasudev Venkatesan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180006116A1. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device having an inverse-T bipolar transistor

Номер патента: US5194926A. Автор: James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Iii-nitride device passivation and method

Номер патента: EP1690295A2. Автор: Robert Beach. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-08-16.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20130285121A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9722058B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20170005184A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20150255550A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20190386123A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9385200B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

GaAs/GaAlAs Heterojunction bipolar integrated circuit devices

Номер патента: US4573064A. Автор: Han-Tzong Yuan,William V. McLevige,Walter M. Duncan,Friedrich H. Doerbeck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-02-25.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20170358667A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20240222477A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Low collector contact resistance heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20190305094A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4896203A. Автор: Yasutomo Kajikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-01-23.

Germanium-Silicon-Tin (GeSiSn) Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20230031642A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of Manufacture of Germanium-Silicon-Tin Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20190296131A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-26.

P-n diodes and p-n-p heterojunction bipolar transistors with diamond collectors and current tunneling layers

Номер патента: WO2020013924A1. Автор: Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for making integrated heterojunction bipolar/high electron mobility transistor

Номер патента: US5920773A. Автор: Julia J. Brown,Madjid Hafizi,William E. Stanchina. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of fabricating double photoresist layer self-aligned heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5736417A. Автор: Aaron K. Oki,Donald K. Umemoto,Liem T. Tran,Dwight C. Streit. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200227540A1. Автор: Kuo-Chun Huang,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2020-07-16.

Methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20220278228A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for fabricating base-emitter self-aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20040159911A1. Автор: Gilbert Essilfie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170243939A1. Автор: Shigeru Yoshida,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for forming a germanium layer and a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5089428A. Автор: Kenneth E. Bean,Douglas P. Verret. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-18.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US11929427B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: WO2019125688A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-06-27.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20190189787A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Self-aligned structures and methods for asymmetric GaN transistors and enhancement mode operation

Номер патента: US09923087B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Niloy Mukherjee,Niti Goel,Sanaz Kabehie GARDNER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Iii-nitride device passivation and method

Номер патента: WO2005057624A3. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2005-09-01.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20010013635A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Trench insulated gate bipolar transistor packaging structure and method for manufacturing the trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US11688698B2. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-06-27.

Lateral trench-gate bipolar transistors

Номер патента: US5227653A. Автор: Johnny K. O. Sin. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of manufacturing a hetero-junction bipolar transistor with epitaxially grown multi-layer films and annealing at or below 600° C.

Номер патента: US6818521B2. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including a bipolar transistor

Номер патента: US5973384A. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Integrated semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20190341381A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110221045A1. Автор: Takao Morimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Polysilicon bipolar transistor and method of manufacturing it

Номер патента: US20050106829A1. Автор: Uwe Rudolph,Armin Tilke,Martin Seck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-19.

Oblique implantation in forming base of bipolar transistor

Номер патента: US5899723A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20150024570A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: WO2011008359A2. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-01-20.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20110278570A1. Автор: Ramana Murty Malladi,James Albert Slinkman,Alvin Jose Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6008518A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-12-28.

Lateral bipolar transistor and method of making same.

Номер патента: WO2000016404A8. Автор: Armand Pruijmboom,Reinhard Brock,David M Szmyd. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2000-05-18.

Lateral bipolar transistor and method of making same.

Номер патента: EP1048078A1. Автор: Armand Pruijmboom,David M. Szmyd,Reinhard Brock. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-11-02.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20020048892A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Lateral PNP bipolar transistor with narrow trench emitter

Номер патента: US09698237B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of making a high conductivity p-plus region for self-aligned, shallow diffused, bipolar transistors

Номер патента: US5416032A. Автор: William P. Imhauser. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Semiconductor device having MOS transistors and bipolar transistors on a single semiconductor substrate

Номер патента: US6924534B2. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Bipolar transistor with base charge controlled by back gate bias

Номер патента: US5448104A. Автор: Kevin J. Yallup. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US5258644A. Автор: Yutaka Kobayashi,Tetsurou Matsumoto,Akihiro Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-11-02.

JFET Devices with PIN Gate Stacks and Methods of Making the Same

Номер патента: US20100019291A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor And Method Of Eliminating The Transistor Tail Current

Номер патента: US20180308962A1. Автор: Junhong Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-10-25.

Gain recovery in a bipolar transistor

Номер патента: WO2011064202A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Kai Di Feng,Zhijian Yang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-03.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Pixellated devices such as active matrix liquid crystal displays and methods of manufacturing such

Номер патента: US20040219787A1. Автор: Ian French,Pieter Van Der Zaag. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Pixellated devices such as active matrix liquid crystal displays and methods of manufacturing such

Номер патента: US20020102855A1. Автор: Ian French,Pieter Van Der Zaag. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-01.

Breakdown voltage measuring method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09799506B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with improved breakdown voltage characteristics

Номер патента: US5497026A. Автор: Dirk A. Vogelzang. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device

Номер патента: US20230275576A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

High power RF switches using multiple optimized transistors and methods for fabricating same

Номер патента: US10587233B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-03-10.

High current mos device with avalanche protection and method of operation

Номер патента: WO2005112134A3. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka. Владелец: Vishnu K Khemka. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117711A1. Автор: Tatsuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Protection transistor with improved edge structure

Номер патента: US20030006463A1. Автор: Kenji Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Structure and method for a switched circuit device

Номер патента: US20130320945A1. Автор: Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

DOPING AND TRAP PROFILE ENGINEERING IN GaN BUFFER TO MAXIMIZE AlGaN/GaN HEMT EPI STACK BREAKDOWN VOLTAGE

Номер патента: US20190371930A1. Автор: Mayank Shrivastava,Vipin Joshi. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2019-12-05.

MOS semiconductor device with breakdown voltage performance and method for manufacturing the same

Номер патента: US6507073B1. Автор: Kuniyuki Hishinuma. Владелец: Nippon Precision Circuits Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1192663A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2001059844A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-08-16.

Method of measuring breakdown voltage of semiconductor element and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20160064292A1. Автор: Mitsuhiko Sakai,Susumu Yoshimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

High voltage mos devices with high gated-diode breakdown voltage and punch-through voltage

Номер патента: US20020020891A1. Автор: Raminda U. Madurawe,David K. Y. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Device for measuring oxidation-reduction potential and method for measuring oxidation-reduction potential

Номер патента: US09689837B2. Автор: Kazuaki Sawada,Masato Futagawa,Sou Takahashi. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2017-06-27.

MAGNETOELECTRIC BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: RU210255U1. Автор: Сергей Николаевич Иванов,Геннадий Алексеевич Семенов,Виктор Сергеевич Леонтьев,Дмитрий Александрович Петров,Мирза Имамович Бичурин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2022-04-04.

Photovoltaic element with improved efficiency in the event of shade, and method for producing such a photovoltaic element

Номер патента: US20230005992A1. Автор: Jan Birnstock,Martin Hermenau,Mickael Lapeyrade. Владелец: HELIATEK GMBH. Дата публикации: 2023-01-05.

Textured photovoltaic cells and methods

Номер патента: WO2013049558A2. Автор: Kamel Ounadjela,Chia-Ming Chang,Paul Schroeder,Jean Patrice Rakotoniaina,Olivier Laparra,Omar Sidelkheir,Alain Paul Blosse. Владелец: Silicor Materials Inc.. Дата публикации: 2013-04-04.

BREAKDOWN VOLTAGE MEASURING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150348774A1. Автор: Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Adhesive composition with improved electrical reliability at high voltage and adhesive tape for semiconductor package using the same

Номер патента: JP5799056B2. Автор: ス キム，ヨン,ホン，スン　ウ,ウ ホン，スン,ホワン チョイ，スン,ジン キム，スン. Владелец: Toray Advanced Materials Korea Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Metal mask assembly for organic light emitting diode deposition with improved position accuracy and welding joint strength and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102242854B1. Автор: 최명환. Владелец: 풍원정밀(주). Дата публикации: 2021-04-21.

Display device including transistor with vias contacting active layer through etch stop layer, and method of manufacturing same

Номер патента: US11917878B2. Автор: Sangjin Park,Eui Kang HEO,Chongsup CHANG,YoungSeok BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

A transistor with minimal side injection in a monolithic semiconductor body and method of manufacturing this transistor

Номер патента: DE2039091A1. Автор: Ashar Kanu G. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-02-18.

High-frequency field transistor with the additional field electrode manufacturing method

Номер патента: RU2671312C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Сергей Владимирович Литвинов,Виктор Геннадьевич Сысуев,Ирина Дмитриевна Халтурина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor device having transistor with high electro-static discharge capability and high noise capability

Номер патента: US20040238893A1. Автор: Shin Kiuchi,Yuichi Harada,Tatsuhiko Fujihira,Takeshi Ichimura,Hiroshi Tobisaka,Yoshiaki Minoya,Naoki Yaezawa,Ryu Saitou,Shouichi Furuhata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Power amplifier modules with power amplifier and transmission line and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09887668B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Sandra Louise Petty-Weeks,Peter J. Zampardi, JR.,Guohao Zhang,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Power amplifier modules including tantalum nitride terminated through wafer via and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09755592B2. Автор: HONG Shen,Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun,Mehran JANANI,Jens Albrecht RIEGE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A3. Автор: Jerry M Woodall,Eric S Harmon,David B Salzman. Владелец: David B Salzman. Дата публикации: 2003-12-04.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A2. Автор: Jerry M. Woodall,Eric S. Harmon,David B. Salzman. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-09-18.

Apparatus and method for electronic circuit protection

Номер патента: EP2591504A1. Автор: Javier A. Salcedo. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-05-15.

Power amplifier modules with bifet and harmonic termination and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09692357B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Peter J. Zampardi, JR.,Guohao Zhang,Hsiang-Chih Sun,Dinhphuoc Vu Hoang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

ESD Protection System, Apparatus, and Method with Adjustable Trigger Voltage Decoupled from DC Breakdown Voltage

Номер патента: US20160268800A1. Автор: Vadim Kushner,Erica Poole. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Heterojunction bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20200066886A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

InP/InGaAs Monolithic Integrated Demultiplexer, Photodetector, and Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: CA2181846A1. Автор: S. Chandrasekhar. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 1997-02-15.

A semiconductor device in a thin active layer with high breakdown voltage

Номер патента: MY111643A. Автор: Litwin Andrej. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2000-10-31.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030209742A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor structure with high breakdown voltage and resistance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080278279A1. Автор: Chih-Feng Huang,Chiu-Chih Chiang. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of forming a tungsten silicide capacitor having a high breakdown voltage

Номер патента: US5804488A. Автор: Jyh-Kang Ting,Shun-Liang Hsu,Chun-Yi Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-09-08.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200373417A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190115457A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Apparatus and methods for radio frequency amplifiers

Номер патента: US09806680B2. Автор: David C. Dening,Alan William Ake. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Circuit integrating heterojunction bipolar transistors with pin diodes

Номер патента: US5401999A. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-03-28.

Apparatus and method for protecting a semiconductor junction

Номер патента: US20110291749A1. Автор: Kenneth Lawas. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Output buffer with improved ESD protection

Номер патента: US4855620A. Автор: Charvaka Duvvury,Robert N. Rountree. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-08-08.

Bipolar semiconductor transistor with thyristor effect

Номер патента: RU2701184C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-09-25.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20050230762A1. Автор: Hideki Mori,Shigeru Kanematsu,Kenichi Ookubo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20050202623A1. Автор: Hideki Mori,Shigeru Kanematsu,Kenichi Ookubo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7592684B2. Автор: Akihiko Ebina,Masahiro Hayashi,Takafumi Noda,Masahiko Tsuyuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Discharge abnormality detection device and method for use in wire bonding apparatus

Номер патента: US5988482A. Автор: Yoshimitsu Terakado,Kazumasa Sasakura. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 1999-11-23.

Integrated circuit and method for manufacturing an integrated circuit on a semiconductor chip

Номер патента: US20060105535A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-18.

Systems and methods for breakdown voltage correction in geiger-mode avalanche photodiode (apd) focal plane arrays (fpa)

Номер патента: US20240313029A1. Автор: Mark Itzler,Harold HWANG,Matthew T. O'Grady,Brian Edward PICCIONE. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic tunnel junction with improved tunnel barrier

Номер патента: RU2598863C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Soi bipolar transistors with reduced self heating

Номер патента: US20080102568A1. Автор: Kai Xiu,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US20140368232A1. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US09726712B2. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Thin-film hybrid photoelectric converter and method of its manufacturing

Номер патента: RU2694113C2. Автор: Олег Викторович Сергеев,Альберт Галийевич Насибулин,Прамод Малбагал Раджанна,Сергей Иванович Березнев. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-07-09.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

BiCMOS process for forming double-poly MOS and bipolar transistors with substantially identical device architectures

Номер патента: US5943564A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Grid array connection device and method

Номер патента: US09966351B2. Автор: Munehiro Toyama,Siew Fong Tai,Kian Sin Sim,Charan K. Gurumurthy,Tamil Selvy Selvamuniandy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Photodiode matrix, method for determining reference voltage and method for determining recommended operating voltage

Номер патента: RU2567089C2. Автор: Кенити САТО,Сого КАМАКУРА,Сигеюки НАКАМУРА,Цуйоси ОХТА,Митито ХИРАЯНАГИ,Хироки СУЗУКИ,Сунсуке АДАТИ. Владелец: Хамамацу Фотоникс К.К.. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US5811871A. Автор: Takashi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Method of manufacturing vertical complementary bipolar transistors each with epitaxial base zones

Номер патента: US3959039A. Автор: Bernard Roger,Maurice Bonis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-05-25.

Apparatus and methods for radio frequency amplifiers

Номер патента: US20170070198A1. Автор: David C. Dening,Alan William Ake. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Optical detector and method for controlling the same

Номер патента: US11802793B2. Автор: Yoshihide Tachino,Isamu Takai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of inspecting display device and method of manufacturing display device

Номер патента: US12087645B2. Автор: Seung Kyu Lee,Ki Pyo Hong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799704B2. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Combined method for fabricating oxide-isolated vertical bipolar transistors and complementary oxide-isolated lateral bipolar transistors and the resulting structures

Номер патента: US3993513A. Автор: David O'Brien. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020182801A1. Автор: Yuzo Shimizu,Toyoyuki Shimazaki,Tetsuo Chato,Katuichi Ohsawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method and design of high-performance interconnects with improved signal integrity

Номер патента: US11744006B2. Автор: Guoan Wang,Jinqun Ge. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and Design of High-Performance Interconnects with Improved Signal Integrity

Номер патента: US20210378089A1. Автор: Guoan Wang,Jinqun Ge. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2021-12-02.

Epitaxial wafer, light-emitting element, method of fabricating epitaxial wafer and method of fabricating light-emitting element

Номер патента: US20110057214A1. Автор: Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Vertical current controlled silicon on insulator (soi) device and method of forming same

Номер патента: EP2165364A2. Автор: Junjun Li,Souvick Mitra,Christopher Stephen Putnam,Mahmoud Mousa,Jr. Robert Gauthier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-24.

Separator for lithium ion secondary battery with improved charge-discharge performance and thermal stability and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240339725A1. Автор: Min Jeong Lee,Jae Won Park,Kie Yong CHO,Young Je KWON. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2024-10-10.

Electrical connector with improved pedestal for mounting a fusible element and method for making the same

Номер патента: US20120034823A1. Автор: David W. Clark,Terrence B. Zimmerman. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Sensor with improved photocathode having extended blue-green sensitivity, and method of making

Номер патента: AU6695194A. Автор: Hyo-Sup Kim. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 1995-06-19.

Recyclable thermoplastic insulation with improved breakdown strength

Номер патента: EP2622012A1. Автор: Theo Geussens,Simon Sutton,Gary Stevens,Alan S. Vaughan. Владелец: Gnosys Global Ltd. Дата публикации: 2013-08-07.

Method for producing low-loss tunable ceramic composites with improved breakdown strengths

Номер патента: EP1422209A3. Автор: Xubai Zhang,Louise Sengupta,Luna H. Chiu. Владелец: Paratek Microwave Inc. Дата публикации: 2006-05-03.

Biaxially oriented polypropylene film with improved breakdown strength

Номер патента: US11851552B2. Автор: Dietrich Gloger,Franciscus Jacobs,Davide Tranchida,Antonios GITSAS,Hermann Braun,Wolfram Stadlbauer. Владелец: Borealis AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Switch circuit and method of switching radio frequency signals

Номер патента: US09780778B2. Автор: Mark L. Burgener,James S. Cable. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

High voltage, cross-field, gas switch and method of operation

Номер патента: US20190244775A1. Автор: Timothy John Sommerer,Joseph Darryl Michael. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-08-08.

Mutilayer electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US12051543B2. Автор: Jong Ho Lee,Seon Jae Mun,Kyoung Jin CHA,Gi Long Kim,Tae Gyeom Lee,Byung Rok Ahn. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Polyamide composition to manufacture moulded products with improved surface quality and method of its production (its versions)

Номер патента: RU2632008C2. Автор: Роланд ВУРШЕ,Харальд ХЭГЕР,Зильвиа Анита ХЕРМАШ,Лотар ЯКИШ,Беате КРАУЗЕ,Петра ПЕЧКЕ,Роберт ЗОХЕР. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2017-10-02.

Filter with improved intermodulation distortion characteristics and methods of making the improved filter

Номер патента: EP1405364A1. Автор: Robert B. Hammond,Neal Fenzi,Markku I. Salkola. Владелец: Superconductor Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-07.

Filter with improved intermodulation distortion characteristics and methods of making the improved filter

Номер патента: WO2002103837A1. Автор: Robert B. Hammond,Neal Fenzi,Markku I. Salkola. Владелец: SUPERCONDUCTOR TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2002-12-27.

Optical element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060186396A1. Автор: Tetsuo Hiramatsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Apparatus and method for monitoring operation of an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09664729B2. Автор: Randall C. Gray,Ibrahim S. Kandah,Thierry Sicard,John M. Pigott,Philipe J. Perruchoud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Grain-oriented electrical steel with improved forsterite coating characteristics

Номер патента: RU2643755C2. Автор: Джерри Уилльям ШЕН,Кимани Тирава ПАРТИН,Кристофер Марк УИЛКИНС. Владелец: Ак Стил Пропертиз, Инк.. Дата публикации: 2018-02-05.

Voltage transformer circuit and method for ionic current measurement of a spark plug

Номер патента: US20170047713A1. Автор: Dirk Wüstenhagen. Владелец: BorgWarner Ludwigsburg GmbH. Дата публикации: 2017-02-16.

Voltage transformer circuit and method for ionic current measurement of a spark plug

Номер патента: US9985419B2. Автор: Dirk Wüstenhagen. Владелец: BorgWarner Ludwigsburg GmbH. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing electrode assembly for electrochemical device, electrode assembly obtained by same method, and method for manufacturing electrochemical device

Номер патента: EP4246699A1. Автор: Won-Sik Bae,So-Mi Jeong,So-Jung Park,Jong-Yoon Lee,So-Yeong LEE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Electrode assembly with improved connection between current collector and electrode tab and method of manufacturing the same

Номер патента: US12015177B2. Автор: Kyung Min Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Pouch-type secondary battery having protective film with improved adhesion and method for manufacturing same

Номер патента: EP4398407A1. Автор: Min Ki WOO,Jea Bong JUNG,Chang Bum ANH,Byung Man Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Solid-state electrolytic capacitor with improved metallic anode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160118195A1. Автор: Chi-Hao Chiu,Ming-Tsung Chen,Chai-Ching Sung. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Photovoltaic element with improved efficiency in the case of shading, and method for producing such a photovoltaic element

Номер патента: DE102019129349A1. Автор: Christian Uhrich,Martin PFEIFFER-JACOB,Mickael Lapeyrade. Владелец: HELIATEK GMBH. Дата публикации: 2021-05-06.

Pattern with improved dynamic optically variable anti-counterfeit effect and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2669739C1. Автор: Юн Чжан,Син ЧЖАН,Циньфэй МЭН,Сяоцюань ЧЖОУ,Голинь ЮАНЬ,Шифань ЧЖАН. Владелец: Чайна Бэнкноут Инк Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-15.

Composition for striker cap with improved noise and separation force, striker cap, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230242760A1. Автор: Min Gyun Chung,Seong Hyeon Myeong. Владелец: Kolon Plastics Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Polyester compositions with improved thermal-oxidative stability obtained in melt, and method of their obtaining and application

Номер патента: RU2516848C2. Автор: Джейсон Кристофер ДЖЕНКИНС,Деннис Эдвард БРИКИ,Эрл Эдмондсон мл. ХАУЭЛЛ,Кэрол Джуллиард ГРИН. Владелец: Групо Петротемекс, С.А. Де С.В.. Дата публикации: 2014-05-20.

7xxx wrought products with improved compromise of tensile and toughness properties and method for producing

Номер патента: WO2024126341A1. Автор: Timothy Warner,Jean-Christophe Ehrstrom,Ricky WHELCHEL,Armelle Danielou,Kenneth Paul Smith,Michael M Niedzinski. Владелец: Constellium Issoire. Дата публикации: 2024-06-20.

Inflation devices for intragastric devices with improved attachment and detachment and associated systems and methods

Номер патента: US09629740B2. Автор: Mark Ashby,Outhit Bouasaysy. Владелец: Reshape Medical Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Modified nanoporous polymer membrane with improved water-repellent properties for membrane contactors and method production thereof

Номер патента: RU2718928C1. Автор: Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Дмитрий Игоревич Петухов,Артем Анатольевич Елисеев,Виктор Андреевич Броцман,Андрей Александрович Поярков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-04-15.

Rocuronium preparation with improved vascular pain, method for producing same, and method for suppressing and/or relieving vascular pain which may be caused by use thereof

Номер патента: RU2680405C2. Автор: Ютака ИЦУДЗИ,Кейсуке ДЗИНБО. Владелец: Маруиси Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-02-21.

Wire rod for cold working with improved stress corrosion resistance characteristics, steel wire, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4253590A1. Автор: Yongho Kim,Sewon PARK,Junhak PARK,Seongung KOH. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Surface-modified non-magnetic mono-component color toner with improvements in background contamination and transfer efficiency and method of preparing the same

Номер патента: US20090311618A1. Автор: Chang-Soon Lee,Je-Sik Jung,Hyeung-Jin Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Adhesive material with improved bonding performance to a wet substrate and methods for preparing the same

Номер патента: US11753567B2. Автор: Lei Gao,Man Lung Sham,Su Ping Bao. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

7xxx wrought products with improved compromise of tensile and toughness properties and method for producing

Номер патента: EP4386097A1. Автор: Timothy Warner,Jean-Christophe Ehrstrom,Ricky WHELCHEL,Armelle Danielou,Kenneth Paul Smith,Michael M Niedzinski. Владелец: Constellium Rolled Products Ravenswood LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Bioprocessing with improved measurement of process parameters, related apparatus and methods

Номер патента: US20230227767A1. Автор: Bastien MAIRESSE,Jean-Christophe Drugmand. Владелец: Univercells Technologies SA. Дата публикации: 2023-07-20.

Formation of high voltage transistor with high breakdown voltage

Номер патента: US7897448B1. Автор: Sunil Mehta. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Apparatus and methods for power amplifiers with phase compensation

Номер патента: US09876471B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Guohao Zhang,Sabah Khesbak. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Exciter circuit for an externally excited synchronous machine, motor vehicle, and method for de-exciting an exciter winding

Номер патента: US20240088821A1. Автор: Daniel Ruppert. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Submodule, protective unit, transducer and method of controlling transducer

Номер патента: RU2674989C2. Автор: Юньлун Дун,Хайин Ли,Наньнань ВАН,Дунмин ЦАО,Цзе ТЯНЬ. Владелец: Нр Инжиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-12-14.

Bipolar transistor switch

Номер патента: CA1101942A. Автор: Herbert A. Schneider. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-05-26.

Smart transfer switch devices, systems, and methods using double-base bipolar transistors

Номер патента: US09899868B2. Автор: William C. Alexander,John W. Merritt,Paul A. Bundschuh. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

Inverse-mode bipolar transistor radio-frequency switches and methods of using same

Номер патента: US20110248771A1. Автор: John D. Cressler,Anuj Madan. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

System and method for auto-bias of an amplifier

Номер патента: EP1254508A1. Автор: Eero Koukkari. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2002-11-06.

System and method for auto-bias of an amplifier

Номер патента: EP1254508B1. Автор: Eero Koukkari. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-16.

Pre-amplifier employing transistors having a diminished breakdown voltage and a disk drive and a thevenin writer employing the same

Номер патента: US20030234689A1. Автор: Hao Fang,Michael O'Brien,John Leighton,Scott O'Brien,Cameron Rabe. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-12-25.

Pre-amplifier employing transistors having a diminished breakdown voltage and a disk drive and a Thevenin writer employing the same

Номер патента: US7019923B2. Автор: Hao Fang,Michael J. O'Brien,John D. Leighton,Scott O'Brien,Cameron C. Rabe. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-03-28.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Power control apparatus and method for electric cookers

Номер патента: US20070012684A1. Автор: Chun-Hsiung Chen,Yuan-Ho Liu,Chun-Ku Lin. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Led-based lighting fixture purposed for surface illumination with improved heat dissipation and fabricability

Номер патента: RU2490540C2. Автор: Колин ПИПГРАС,Дерек ЛОГАН. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс Нв. Дата публикации: 2013-08-20.

Systems and methods for increasing spatial diversity in wireless systems with distributed input-distributed output

Номер патента: RU2730467C2. Автор: Антонио ФОРЕНЦА,Стивен Дж. ПЕРЛМЭН,Тимоти А. ПИТМЭН,Бенявут ДЖИРАСУТАЯСУНТОРН,Роберт Дж. АНДЖЕЕВСКИ. Владелец: Риарден, Ллк. Дата публикации: 2020-08-24.

Differential amplifier circuit using lateral-type bipolar transistors with back gates

Номер патента: US5682120A. Автор: TAKAO Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: US20090067109A1. Автор: Richard J. Hampo,Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S. Vadula. Владелец: Siemens VDO Automotive Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: WO2008067433A9. Автор: Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S Vadula,Richard J Hampo. Владелец: Richard J Hampo. Дата публикации: 2008-08-28.

Narrowband amplifier with improved interference suppression

Номер патента: US20120293268A1. Автор: Hannu T. Laurila. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2012-11-22.

Apparatus and methods for biasing of power amplifiers

Номер патента: WO2020146534A1. Автор: Kunal DATTA,Jinghang FENG,Edward James ANTHONY,Khaled A. Fayed,Srivatsan JAYARAMAN. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2020-07-16.

Loading machine and method of its operation

Номер патента: RU2720393C2. Автор: Уилльям А. ДОРСЕТТ,Джеймс Б. ДИЛЛИНДЖЕР,Майкл Джон ЛАЙТЕН,Маркус Н. БАРР,Дон Ф. ОУИНГС,Брэдли Максвелл НИЛСОН. Владелец: ДЖОЙ ГЛОБАЛ ЛОНГВЬЮ ОПЕРЕЙШНЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-04-29.

Mining machine and method of its operation

Номер патента: RU2732674C2. Автор: Уилльям А. ДОРСЕТТ,Джеймс Б. ДИЛЛИНДЖЕР,Майкл Джон ЛАЙТЕН,Маркус Н. БАРР,Дон Ф. ОУИНГС,Брэдли Максвелл НИЛСОН. Владелец: ДЖОЙ ГЛОБАЛ ЛОНГВЬЮ ОПЕРЕЙШНЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-09-21.

System and method for parallel control of variable frequency drives

Номер патента: RU2377713C2. Автор: Мукул РАСТОГИ,Юсуке ФУКУТА,Ральф мл. ФЛОГЕР,Роналд ГЭЙЛЛОТ,Энтони К. ШНЕЙДЕР. Владелец: СИМЕНС ЭНЕРДЖИ ЭНД ОТОМЕЙШН, ИНК.. Дата публикации: 2009-12-27.

Systems and methods for driving bipolar transistors related to power converters by at least using three switches

Номер патента: US20240006999A1. Автор: Lieyi Fang,Xiuhong Zhang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Circuit and method for abnormal fault testing in an LED driver

Номер патента: US09820351B1. Автор: Wei Xiong,Candice Ungacta,Danny Pugh. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for testing a clamp function for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09720030B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Capacity transducer obtained by micromachining and method of its manufacture

Номер патента: RU2627062C2. Автор: Боут МАРСЕЛИС,Марсель МЮЛДЕР,Рюдигер МАУКЗОК,Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Корай КАРАКАЯ,Петер ДИРКСЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Driver device and method of exciting for excitation load, in particular, led unit

Номер патента: RU2587676C2. Автор: Рейнхольд ЭЛЬФЕРИХ,Тони ЛОПЕС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-06-20.

Circuit for providing a base operating voltage for a bipolar transistor and amplifier circuit

Номер патента: US7190220B2. Автор: Johann-Peter Forstner,Stephan Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-13.

Bipolar flip-flop circuit with improved noise immunity

Номер патента: US5541544A. Автор: Toshiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-07-30.

Systems and methods for driving bipolar transistors related to power converters

Номер патента: US20230369963A1. Автор: Lieyi Fang,Xiuhong Zhang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Level shifters, methods for making the level shifters and methods of using integrated circuits

Номер патента: US20140103967A1. Автор: Yuwen Swei,Chih-Chang Lin,Chiang Pu,Tien Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Hybrid Zoom Systems And Methods For Improved Electronic Image Stabilization Of Unmanned Aerial Vehicle Video Streams

Номер патента: US20240179413A1. Автор: Stepan Moskovchenko. Владелец: Skydio Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Driver for a power field-effect transistor with a programmable drive voltage, and related systems and methods

Номер патента: US20180212524A1. Автор: Alberto Iorio,Maurizio Foresta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-26.

Driver for a power field-effect transistor with a programmable drive voltage, and related systems and methods

Номер патента: US09960692B2. Автор: Alberto Iorio,Maurizio Foresta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Battery system and method for determining an open circuit fault condition in a battery module

Номер патента: US09876369B2. Автор: Richard McCormick,Christopher E. Curtis. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Device and method of voltage and power determination of every phase in medium voltage network

Номер патента: RU2635849C2. Автор: ТЕБОДО Летисия МЕССАЖ,Кристоф МОЛЬЕ,Стефан СИНИСТРО. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2017-11-16.

Low-vibration frequency-controlled electric drive and method of controlling said electric drive

Номер патента: RU2702761C2. Автор: Сергей Николаевич Сидоров,Ярослава Константиновна Старостина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-10-11.

Mobile communication terminal with improved user interface and method of controlling user interface

Номер патента: RU2363033C2. Автор: Мика РЁЙККЕ,Мерья ХЕЙНО,Ханну КОРХОНЕ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2009-07-27.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Converter device and method of controlling said converter device

Номер патента: RU2704247C1. Автор: Парт ДЖЕЙН,Александар ПРОДИК,Александер ГЕРФЕР. Владелец: Вюрт Электроник айСос ГмбХ унд Ко. КГ. Дата публикации: 2019-10-25.

Device and method of control and adjustment of electrically driven devices

Номер патента: RU2400919C2. Автор: МАЙЕР Лука ДОЛЬОНИ. Владелец: Рэ Вендорс С.П.А.. Дата публикации: 2010-09-27.

Systems and methods to track motor loads

Номер патента: RU2423767C2. Автор: Марк БИЛОДО. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2011-07-10.

Protection apparatus and method for insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230344218A1. Автор: Jie Liu. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Compensation units for reducing the effects of self-heating and increasing linear performance in bipolar transistors

Номер патента: US20050225395A1. Автор: Haitao Zhang,Huai Gao,Guann-Pyng Li,Huinan Guan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-10-13.

Byte erasable non-volatile memory architecture and method of erasing same

Номер патента: WO2015112278A1. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-07-30.

Direct-current off-grid photovoltaic hydrogen production system and method for controlling the same

Номер патента: EP4243232A1. Автор: Liang Wang,CAI Jiang,Longlin SUN,Xicheng WANG. Владелец: Sungrow Hydrogen Sci&tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Direct-current off-grid photovoltaic hydrogen production system and method for controlling the same

Номер патента: AU2023201005A1. Автор: Liang Wang,CAI Jiang,Longlin SUN,Xicheng WANG. Владелец: Sungrow Hydrogen Sci & Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Laser programming and writingwriting apparatus and method for magneto-resistive device

Номер патента: EP4303540A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Laser writing apparatus and method for programming magnetoresistive devices

Номер патента: US20240118317A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Systems and methods for phase-voltage based motor period measurement and controlled signal path fault detection

Номер патента: EP4089426A3. Автор: Mitchell Cohen,Kevin M. Gertiser,Ronald M. Shearer,Tushar NACHNANI,Raquib BUKSH,Ihab NAHLUS,Spandana V. BARRE. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Fractal power converter and method for constructing fractal power converter

Номер патента: US12027996B2. Автор: Xu Yang,Feng Gao,Jingyang Fang,Hongchang LI. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2024-07-02.

Coffee bean extract with improved flavor, food or beverage, packaged beverage and method for producing coffee bean extract

Номер патента: US20240284930A1. Автор: Kosuke Ito,Atsushi Mukai,Morio Mitsuhashi,Nao Kamezawa,Takaaki Yoshii,Kenta TOMINAGA. Владелец: Suntory Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nano-patterend conductive polymer substrate with improved cell alignment, maturity, adhesion, and connectivity and method for manufacturing same

Номер патента: US20230348683A1. Автор: Yuyan Liu,Dong Weon LEE. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-02.

Mutant gene associated with improvement in ethanol productivity via ethanol fermentation and method for producing ethanol using the same

Номер патента: CA3125212C. Автор: Junji Ito,Toru Onishi,Nobuki Tada,Rie Hirao. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Sweetener composition with improved taste quality comprising allulose and salt and method for improving taste quality of alulose using salt

Номер патента: EP3524064B1. Автор: In Lee,Jung Gyu Park,Seung Won Park,Su-Jeong Kim,Jong Min Choi,Youn-Kyung BAK,Sung Bae Byun,Dong Seok Shim,Dong Chul Jung. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-11-06.

Antibody-conjugates with improved therapeutic index for targeting her2 tumours and method for improving therapeutic index of antibody-conjugates

Номер патента: US20230127659A1. Автор: Jorge Merijn Mathieu Verkade,Remon VAN GEEL,Maria Antonia WIJDEVEN,Sander Sebastiaan Van Berkel,Floris Louis Van Delft,Ryan HEESBEEN,Petrus Josephus Jacobus Maria VAN DE SANDE,Brian Maria Gerardus JANSSEN,Inge Catharina Josephina HURKMANS. Владелец: Synaffix BV. Дата публикации: 2023-04-27.

PLASTIC GREASE WITH IMPROVED ANTI-DAMAGE AND ANTI-SEIZING PROPERTIES AND METHOD FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: RU2013133286A. Автор: Александр Васильевич Нестеров,Виктор Васильевич Кириллов,Наталья Владимировна Окнина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Электрогорский Институт Нефтепереработки" (Оао "Элинп"). Дата публикации: 2015-01-27.

Hard carbon coatings with improved adhesion strength by means of hipims and method thereof

Номер патента: US20240093344A1. Автор: Siegfried Krassnitzer,Julien Keraudy,Sebastien Guimond,Martin DRABIK. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2024-03-21.

Hard carbon coatings with improved adhesion strength by means of hipims and method thereof

Номер патента: EP4225963A1. Автор: Siegfried Krassnitzer,Julien Keraudy,Sebastien Guimond,Martin DRABIK. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-08-16.

Single-ended memory cell with improved read stability, memory using the cell, and methods of operating and designing same

Номер патента: US20080192525A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Keunwoo Kim,Vinod Ramadurai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Aqueous liquid automatic dishwashing detergent composition with improved anti-filming and anti-spotting properties

Номер патента: CA2015541A1. Автор: Nagaraj S. Dixit. Владелец: Colgate-Palmolive. Дата публикации: 1990-10-28.

Ferritic stainless steel for automotive exhaust system with improved heat resistance and condensate corrosion resistance, and method for manufacturing the same

Номер патента: CA3046945C. Автор: Hyung Joon Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Ferritic stainless steel for automotive exhaust system with improved heat resistance and condensate corrosion resistance, and method for manufacturing the same

Номер патента: CA3046945A1. Автор: Hyung Joon Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Coffee bean extract with improved flavor, food or beverage, packaged beverage and method for producing coffee bean extract

Номер патента: AU2022322292A1. Автор: Kosuke Ito,Atsushi Mukai,Morio Mitsuhashi,Nao Kamezawa,Takaaki Yoshii,Kenta TOMINAGA. Владелец: Suntory Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Coffee bean extract with improved flavor, food or beverage, packaged beverage and method for producing coffee bean extract

Номер патента: EP4381952A1. Автор: Kosuke Ito,Atsushi Mukai,Morio Mitsuhashi,Nao Kamezawa,Takaaki Yoshii,Kenta TOMINAGA. Владелец: Suntory Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

SWEETENER COMPOSITION WITH IMPROVED TASTE QUALITY COMPRISING ALLULOSE AND SALT AND METHOD FOR IMPROVING TASTE QUALITY OF ALULOSE USING SALT

Номер патента: US20190246673A1. Автор: Park Seung Won,Kim Su-Jeong,Byun Sung Bae,Choi Jong Min,LEE In,BAK Youn-Kyung,PARK Jung Gyu,SHIM Dong Seok,JUNG Dong Chul. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

ANTIBODY-CONJUGATES WITH IMPROVED THERAPEUTIC INDEX FOR TARGETING HER2 TUMOURS AND METHOD FOR IMPROVING THERAPEUTIC INDEX OF ANTIBODY-CONJUGATES

Номер патента: US20190262466A1. Автор: van Delft Floris Louis,Van Berkel Sander Sebastiaan,Van Geel Remon,Wijdeven Maria Antonia,VERKADE Jorge Merijn Mathieu,VAN DE SANDE Petrus Josephus Jacobus Maria,HEESBEEN Ryan,JANSSEN Brian Maria Gerardus,HURKMANS Inge Catharina Josephina. Владелец: SynAffix B.V.. Дата публикации: 2019-08-29.

ANTIBODY-CONJUGATES WITH IMPROVED THERAPEUTIC INDEX FOR TARGETING CD30 TUMOURS AND METHOD FOR IMPROVING THERAPEUTIC INDEX OF ANTIBODY-CONJUGATES

Номер патента: US20190262468A1. Автор: van Delft Floris Louis,Van Berkel Sander Sebastiaan,Wijdeven Maria Antonia,VERKADE Jorge Merijn Mathieu,VAN DE SANDE Petrus Josephus Jacobus Maria,HEESBEEN Ryan,GVAN EEL Remon,JANSSEN Brian Maria Gerardus,HURKMANS Inge Catharina Josephina. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Antibody-conjugates with improved therapeutic index for targeting HER2 tumors and methods for improving the therapeutic index of antibody-conjugates

Номер патента: CN109069658B. Автор: J·M·M·韦卡德,M·A·维基德文,P·J·J·M·范德桑德,S·S·范博凯尔,F·L·范代尔夫特,R·范吉尔,R·海斯本,B·M·G·詹森,I·C·J·赫克曼斯. Владелец: Synaffix BV. Дата публикации: 2022-10-14.

Antibody-conjugates with improved therapeutic index for targeting HER2 tumours and method for improving therapeutic index of antibody-conjugates

Номер патента: US11338043B2. Автор: Jorge Merijn Mathieu Verkade,Remon VAN GEEL,Maria Antonia WIJDEVEN,Sander Sebastiaan Van Berkel,Floris Louis Van Delft,Ryan HEESBEEN,Petrus Josephus Jacobus Maria VAN DE SANDE,Brian Maria Gerardus JANSSEN,Inge Catharina Josephina HURKMANS. Владелец: Synaffix BV. Дата публикации: 2022-05-24.

Antibody-conjugates with improved therapeutic index for targeting cd30 tumours and method for improving therapeutic index of antibody-conjugates

Номер патента: WO2017137457A1. Автор: Jorge Merijn Mathieu Verkade,Remon VAN GEEL,Maria Antonia WIJDEVEN,Sander Sebastiaan Van Berkel,Floris Louis Van Delft,Ryan HEESBEEN,Petrus Josephus Jacobus Maria VAN DE SANDE,Brian Maria Gerardus JANSSEN,Inge Catharina Josephina HURKMANS. Владелец: SynAffix B.V.. Дата публикации: 2017-08-17.

Superabsorbent polymer particles with improved surface cross-linking and improved hydrophilicity and method of making them using vacuum UV radiation

Номер патента: US8568883B2. Автор: Torsten Lindner,Andreas Flohr. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2013-10-29.

Antibody-conjugates with improved therapeutic index for targeting cd30 tumours and method for improving therapeutic index of antibody-conjugates

Номер патента: EP3413916A1. Автор: Jorge Merijn Mathieu Verkade,Remon VAN GEEL,Maria Antonia WIJDEVEN,Sander Sebastiaan Van Berkel,Floris Louis Van Delft,Ryan HEESBEEN,Petrus Josephus Jacobus Maria VAN DE SANDE,Brian Maria Gerardus JANSSEN,Inge Catharina Josephina HURKMANS. Владелец: Synaffix BV. Дата публикации: 2018-12-19.

Nanosecond LIV (laser-induced breakdown voltage) testing system and method of VCSEL (vertical cavity surface emitting laser) device

Номер патента: CN114089319B. Автор: 刘�文,葛斌,蒋威,田铮. Владелец: Ketai Optical Core Changzhou Testing Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Ready-to-drink milk beverages with improved texture/mouthfeel by controlled protein aggregation, and method of making thereof

Номер патента: CA2970068C. Автор: LU Wang,Alexander A. Sher,Virginie Kapchie,Philippe Rousset,Madansinh Nathusinh Vaghela,Jun-Tse Ray FU. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 2022-07-05.

Ready-to-drink milk beverages with improved texture/mouthfeel by controlled protein aggregation, and method of making thereof

Номер патента: WO2016102503A1. Автор: LU Wang,Alexander A. Sher,Virginie Kapchie,Philippe Rousset,Madansinh Nathusinh Vaghela,Jun-Tse Ray FU. Владелец: NESTEC S.A.. Дата публикации: 2016-06-30.

Rocuronium preparation with improved vascular pain, method for producing same, and method for suppressing and relieving vascular pain using same

Номер патента: KR20160027976A. Автор: 유타카 이쓰지,게이스케 진보. Владелец: 마루이시세이야쿠가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-03-10.

Low resistivity materials with improved wear performance for electrical current transfer and methods for preparing same

Номер патента: CA2355043C. Автор: Da Hai He,Rafael R. Manory,Norman J. Grady,Harry Sinkis,Clim Pacheco. Владелец: Victorian Rail Track. Дата публикации: 2007-10-02.

INFLATION DEVICES FOR INTRAGASTRIC DEVICES WITH IMPROVED ATTACHMENT AND DETACHMENT AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20140031850A1. Автор: Ashby Mark,Bouasaysy Outhit. Владелец: ReShape Medical, Inc.. Дата публикации: 2014-01-30.

Metallic Coatings with Improved Specular Response and Metameric Color Matching and Methods of Making the Same

Номер патента: US20180057693A1. Автор: Wilson James R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

FERRITIC STAINLESS STEEL FOR AUTOMOTIVE EXHAUST SYSTEM WITH IMPROVED HEAT RESISTANCE AND CONDENSATE CORROSION RESISTANCE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200080174A1. Автор: Kim Hyung Joon. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

CROP PLANTS WITH IMPROVED WATER USE EFFICIENCY AND GRAIN YIELD AND METHODS OF MAKING THEM

Номер патента: US20140223604A1. Автор: Pereira Andy,Ambavarm Madana M.R.,Batlang Utlwang. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

MUTANT GENE ASSOCIATED WITH IMPROVEMENT IN ETHANOL PRODUCTIVITY VIA ETHANOL FERMENTATION AND METHOD FOR PRODUCING ETHANOL USING THE SAME

Номер патента: US20210180092A1. Автор: Tada Nobuki,Onishi Toru,Ito Junji,Hirao Rie. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2021-06-17.

ADHESIVE MATERIAL WITH IMPROVED BONDING PERFORMANCE TO A WET SUBSTRATE AND METHODS FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20210207008A1. Автор: Gao Lei,BAO Su Ping,SHAM Man Lung. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

INFLATION DEVICES FOR INTRAGASTRIC DEVICES WITH IMPROVED ATTACHMENT AND DETACHMENT AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20170239072A1. Автор: Ashby Mark,Bouasaysy Outhit. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

FIBERGLASS COMPOSITES WITH IMPROVED FLAME RESISTANCE FROM PHOSPHOROUS-CONTAINING MATERIALS AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20160273156A1. Автор: Asrar Jawed,Leed Elam A.,Zheng Guodong. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

READY-TO-DRINK MILK BEVERAGES WITH IMPROVED TEXTURE/MOUTHFEEL BY CONTROLLED PROTEIN AGGREGATION, AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20170367361A1. Автор: Wang Lu,Vaghela Madansinh Nathusinh,Sher Alexander A.,Fu Jun-Tse Ray,Kapchie Virginie,Rousset Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

ANTI-EGFRvIII SCFVS WITH IMPROVED CYTOTOXICITY AND YIELD, IMMUNOTOXINS BASED THEREON, AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: WO2001062931A2. Автор: Ira Pastan,Richard Beers,Partha S. Chowdhury,Darell Bigner. Владелец: The Government Of The United States, As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services. Дата публикации: 2001-08-30.

Anti-EGFRvIII SCFVS with improved cytotoxicity and yield, immunotoxins based thereon, and methods of use thereof

Номер патента: AU2001239857B9. Автор: Ira Pastan,Richard Beers,Partha S. Chowdhury,Darell Bigner. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2006-07-27.

Anti-egfrvIII scfvs with improved cytotoxicity and yield, immunotoxins based thereon, and methods of use thereof

Номер патента: US20030211097A1. Автор: Ira Pastan,Richard Beers,Darell Bigner,Partha Chowdhury. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2003-11-13.

Anti-EGFRvIII scFvs with improved cytotoxicity and yield, immunotoxins based thereon, and methods of use thereof

Номер патента: US7129332B2. Автор: Ira Pastan,Richard Beers,Partha S. Chowdhury,Darell Bigner. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2006-10-31.

ANTI-EGFRvIII SCFVS WITH IMPROVED CYTOTOXICITY AND YIELD, IMMUNOTOXINS BASED THEREON, AND METHOD OF USE THEREOF

Номер патента: KR100812658B1. Автор: 아이라 파스탄,리차드 비어스,파싸 에스. 쵸우두리,다렐 비그너. Владелец: 듀크 유니버시티. Дата публикации: 2008-03-13.

Thermoplastic polycarbonate compositions with improved optical surface quality, articles made therefrom and method of manufacture

Номер патента: WO2006118815A3. Автор: Naveen Agarwal. Владелец: Naveen Agarwal. Дата публикации: 2007-01-04.

Monofilament, mesh for deentering surgery with improved flexibility and biocompatibility using the same, and method for producing the same

Номер патента: JP4827838B2. Автор: ヨ，グー−ドン,キム，ジュン−ベ,リー，ジェ−ホン. Владелец: サムヤン コーポレーション. Дата публикации: 2011-11-30.

DETERGENT COMPOSITIONS WITH IMPROVED PROPERTIES WITH RESPECT TO UNPLEASANT ODOR AND METHOD FOR PRODUCING THEM

Номер патента: RU2006122954A. Автор: Рене БУРЕФЕЙН,Жанетта КЮТРОНА,Марко КЛАВЕР,Жулиетт Луиз ОЛД,Рене БУРЕФЕЙН (NL),Жанетта КЮТРОНА (BR),Марко КЛАВЕР (NL),Жулиетт Луиз ОЛД (GB). Владелец: Унилевер Н.В. (NL). Дата публикации: 2008-01-10.

Non-aqueous coating or ink composition with improved optical properties containing modified carbon product and method of preparation of the composition

Номер патента: IL116378A. Автор: . Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Microspheres with improved bioavailability containing poorly water-soluble drugs, and method for preparing same

Номер патента: CN102458373A. Автор: 金京熙,李炫纪,黄俊硕,黄守钟,裵哲民. Владелец: Samyang Biopharmaceuticals Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Microorganisms in Corynebacterium with Improved Productivity of Nucleic Acid-Based Materials and Methods for Producing Nucleic Acid-Based Materials Using the Same

Номер патента: KR101056872B1. Автор: 김정환,백민지,권나라,김형석,김주정,황수연,윤난영,권중근,안태민. Владелец: 씨제이제일제당 (주). Дата публикации: 2011-08-12.

Microspheres with improved bioavailability containing poorly water-soluble drugs, and method for preparing same

Номер патента: EP2436377B1. Автор: Kyung-Hee Kim,Hyun-Ki Lee,Jun-Seok Hwang,Su-Jong Hwang,Chaul-Min Pai. Владелец: Samyang Biopharmaceuticals Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Thermoplastic polycarbonate compositions with improved optical surface quality, articles made therefrom and method of manufacture

Номер патента: KR101275357B1. Автор: 내빈 아가왈. Владелец: 사빅 이노베이티브 플라스틱스 아이피 비.브이.. Дата публикации: 2013-06-14.

Mutant gene associated with improvement in ethanol productivity via ethanol fermentation and method for producing ethanol using the same

Номер патента: CA3124377A1. Автор: Junji Ito,Toru Onishi,Nobuki Tada,Rie Hirao. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Thermoplastic polycarbonate compositions with improved optical surface quality, articles made therefrom and method of manufacture

Номер патента: KR20080003308A. Автор: 내빈 아가왈. Владелец: 제너럴 일렉트릭 캄파니. Дата публикации: 2008-01-07.

Bioprocessing with improved measurement of process parameters, related apparatus and methods

Номер патента: WO2021228892A1. Автор: Bastien MAIRESSE,Jean-Christophe Drugmand. Владелец: Univercells Technologies S.A.. Дата публикации: 2021-11-18.

Wire rod for cold working with improved stress corrosion resistance characteristics, steel wire, and method for manufacturing same

Номер патента: WO2022114595A1. Автор: 박준학,김용호,박세원,고성웅. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2022-06-02.

ANTI-EGFRvIII SCFVS WITH IMPROVED CYTOTOXICITY AND YIELD, IMMUNOTOXINS BASED THEREON, AND METHOD OF USE THEREOF

Номер патента: KR20020089364A. Автор: 아이라 파스탄,리차드 비어스,파싸 에스. 쵸우두리,다렐 비그너. Владелец: 듀크 유니버시티. Дата публикации: 2002-11-29.

Anti-egfrviii scfvs with improved cytotoxicity and yield, immunotoxins based thereon, and methods of use thereof

Номер патента: CA2400868A1. Автор: Ira Pastan,Richard Beers,Partha S. Chowdhury,Darell Bigner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Mutant gene associated with improvement in ethanol productivity via ethanol fermentation and method for producing ethanol using the same

Номер патента: CA3081833A1. Автор: Junji Ito,Toru Onishi,Nobuki Tada,Rie Hirao. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Steel sheet plated with a Zn-Ni alloy with improved adhesion in the event of impact and method for its production.

Номер патента: DE68919135T2. Автор: Nobukazu Suzuki,Kazuhide Ohshima. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1995-06-14.

Novel fluoropolymer with improved characteristics, multilayer article, electrostatically dissipative article and method

Номер патента: EP1299435B1. Автор: Klaus Hintzer,Harald Kaspar,Gernot Lohr,Denis Duchesne,Lisa P. Chen,Attila Molnar,Ludwig Mayer. Владелец: Dyneon Llc. Дата публикации: 2010-02-24.

Anti-EGFRvIII SCFVS with improved cytotoxicity and yield, immunotoxins based thereon, and methods of use thereof

Номер патента: AU2001239857C1. Автор: Ira Pastan,Richard Beers,Partha S. Chowdhury,Darell Bigner. Владелец: Government Of United States As Represented Secretary Of Department Of Health And. Дата публикации: 2001-09-03.

Picture image display device with improved switch feed through offset cancel circuit and method of driving the same

Номер патента: US6784865B2. Автор: Hajime Akimoto,Hideo Satou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-08-31.

Copolymer with improved scratch resistance and good impact resistance and method for preparing the same

Номер патента: KR102472429B1. Автор: 김미란,최진식,정승필,강기태,신경무,장윤주,허성현. Владелец: 주식회사 삼양사. Дата публикации: 2022-12-01.

Anti-egfrviii scfvs with improved cytotoxicity and yield, immunotoxins based thereon, and methods of use thereof

Номер патента: CA2400868C. Автор: Ira Pastan,Richard Beers,Partha S. Chowdhury,Darell Bigner. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2012-12-04.

Inflation devices for intragastric devices with improved attachment and detachment and associated systems and methods

Номер патента: EP2555705A4. Автор: Mark Ashby,Outhit Bouasaysy. Владелец: Reshape Medical Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Mutant gene associated with improvement in ethanol productivity via ethanol fermentation and method for producing ethanol using the same

Номер патента: CA3125212A1. Автор: Junji Ito,Toru Onishi,Nobuki Tada,Rie Hirao. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

ANTI-EGFRvIII SCFVS WITH IMPROVED CYTOTOXICITY AND YIELD, IMMUNOTOXINS BASED THEREON, AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: EP1266009A2. Автор: Ira Pastan,Richard Beers,Partha S. Chowdhury,Darell Bigner. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2002-12-18.

Spandex fiber with improved adhesive properties with hot melt adhesive and method for producing the same

Номер патента: JP6458074B2. Автор: キ チョン，ヒョン,ス カン，ヨン. Владелец: Hyosung Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

High manganese steel with improved yield strength and low temperature toughness, and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20220089580A. Автор: 조원태,강상덕,이운해. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2022-06-28.

Powder drying system with improved inlet arrangement to the filter unit and method of operating the filter unit of such a system

Номер патента: US20210131733A1. Автор: Thomas Filholm,Henrik KULLMANN,Tórstein Vincent JOENSEN. Владелец: GEA Process Engineering AS. Дата публикации: 2021-05-06.

Low resistivity materials with improved wear performance for electrical current transfer and methods for preparing same

Номер патента: CA2355043A1. Автор: Da Hai He,Rafael R. Manory,Norman J. Grady,Harry Sinkis,Clim Pacheco. Владелец: Victorian Rail Track. Дата публикации: 2000-06-22.

Crop plants with improved water use efficiency and grain yield and methods of marking them

Номер патента: WO2012158594A2. Автор: Madana M. R. AMBAVARAM,Andy Pereira,Utlwang BATLANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Thermoplastic polycarbonate compositions with improved optical surface quality, articles made therefrom and method of manufacture

Номер патента: CN101171303A. Автор: 内文·阿加沃尔. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-04-30.

Antibodies with improved stability to intestinal digestion, polynucleotides thereof and methods of use thereof to treat disease

Номер патента: US11891440B2. Автор: Randall Edward BURTON. Владелец: Circle33 LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Antibodies with improved stability to intestinal digestion, polynucleotides thereof and methods of use thereof to treat disease

Номер патента: US20240067715A1. Автор: Randall Edward BURTON. Владелец: Circle33 LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Endovascular prosthesis with improved sealing means for aneurysmal arterial disease and method of use

Номер патента: AU1023897A. Автор: Valentine J. Rhodes. Владелец: VALENTINE J RHODES. Дата публикации: 1997-06-19.

Powder drying system with improved inlet arrangement to the filter unit and method of operating the filter unit of such a system

Номер патента: US20240183613A1. Автор: Thomas Filholm,Henrik KULLMANN,Tórstein Vincent JOENSEN. Владелец: GEA Process Engineering AS. Дата публикации: 2024-06-06.

Systems and methods for low power common electrode voltage generation for displays

Номер патента: US12087248B2. Автор: Stewart S. Taylor. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Bandgap voltage generator and method

Номер патента: US09933797B1. Автор: Frederic Lebon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2018-04-03.

Charge carrier stream generating electronic device and method

Номер патента: EP2215635A1. Автор: Tony Vanhoucke,Jan W. Slotboom,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-08-11.

Igbt collector current online detection device and method based on gate current

Номер патента: US20240353469A1. Автор: Yi Liu,Meng HUANG,Zifan LI,Xiaoming ZHA. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus and method estimating breakdown voltage of silicon dioxide film using neural network model

Номер патента: US20220236313A1. Автор: Hakgyun KIM,Bumsuk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US8305069B2. Автор: Leon C. M. Van Den Oever,Jeroen Bouwman. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2012-11-06.

Device and method for measuring small voltages and potentials on a biological, chemical or other sample

Номер патента: US20160274055A1. Автор: Jing Li,Svetlana Vitusevich,Sergli PUD. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2016-09-22.

Cellulose fibres with improved surface, methods for production of cellulose fibres with improved surface, products containing cellulose fibres with improved surface, and methods for production of such products

Номер патента: RU2707797C2. Автор: Бруно МАРКОЧЧИЯ,Харшад ПАНДЕ. Владелец: ДОМТАР ПЭЙПЕР КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-11-29.

Systems and methods for low power common electrode voltage generation for displays

Номер патента: US11776501B2. Автор: Stewart S. Taylor. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Systems and methods for low power common electrode voltage generation for displays

Номер патента: US20230395037A1. Автор: Stewart S. Taylor. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Static semiconductor memory cell with improved data retention stability

Номер патента: US5963470A. Автор: Hirotoshi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

White chocolate with improved properties and methods for producing thereof

Номер патента: RU2709716C2. Автор: Нэнси Чиан,Джон П. МУНАФО,Марк С. МАККИ,Лаура Д. ЛЮКАСЕВЫЧ. Владелец: Марс, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2019-12-19.

System and method for production of construction materials in form of dry mixtures with improved technical properties

Номер патента: RU2730186C1. Автор: Бинод Кумар БАВРИ. Владелец: Сародж Ваниджья Прайвет Лимитед. Дата публикации: 2020-08-19.

Glazing element with improved properties of vibroacoustic damping, method for manufacturing such glazing element and method of acoustic protection in vehicle cabin

Номер патента: RU2522535C2. Автор: Давид Фурнье,Сильвен ПЕЙО. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2014-07-20.

Ground Isolation Systems and Methods

Номер патента: US20230087831A1. Автор: Baris CAGDASER,Yaser Azizi,Jaeyoung Kang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Ground isolation systems and methods

Номер патента: US12027120B2. Автор: Baris CAGDASER,Yaser Azizi,Jaeyoung Kang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Compositions and methods for improving rebaudioside m solubility

Номер патента: RU2656390C2. Автор: Индра ПРАКАШ,Аветик МАРКОСЯН,Гил Ма,Юлунь ЧЕН. Владелец: Пьюрсёркл Сдн Бхд. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and device for smoke aroma improvement and method and device for smoked food product production

Номер патента: RU2420079C2. Автор: Масааки ФУДЗИЕ,Хироказу КАВАГУТИ,Сундо ХАРАДА,Масааки ИЗУМИ,Кенити НАГАСИМА,Томохиро САКАМОТО. Владелец: Адзиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2011-06-10.

Alkali-earth metal silicate based luminophores and method of improving long-term stability thereof

Номер патента: RU2507233C2. Автор: Вольфганг КЕМПФЕРТ,Свен РЕЗЛЕР,Зильке Резлер,Ченг-Джун ДУАН,Рудольф ДЕННШТЕДТ. Владелец: Лейхтштоффверк Брайтунген Гмбх. Дата публикации: 2014-02-20.

Solid composition with improved solubility and stability and method of obtaining it

Номер патента: RU2375046C2. Автор: Масаки СУНАМИ,Сого ЯМАНЕ,Хирофуми ЯМАНЕ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2009-12-10.

Corynebacterium genus microorganism with improved ability to produce l-lysine and method for producing l-lysine using same

Номер патента: RU2651505C1. Автор: Джун Ок МУН,Кван Хо ЛИ,Сан Хи ПАРК,Лан ХУ. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корп.. Дата публикации: 2018-04-19.

System and method for breakdown protection in start-up sequence with multiple power domains

Номер патента: US20060087780A1. Автор: Chun-Ying Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

Polyamic acid composition and method for preparing same

Номер патента: EP4424762A1. Автор: Gyeong Min MOON,Ik Sang LEE,Gyeong Hyeon Ro. Владелец: PI Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Polyamic acid composition and method for preparing same

Номер патента: EP4424763A1. Автор: Gyeong Min MOON,Ik Sang LEE,Gyeong Hyeon Ro. Владелец: PI Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Electrosurgical systems and methods for monitoring power dosage

Номер патента: US09913679B2. Автор: Steven C. Rupp,James A. Gilbert,Patrick J. Digmann. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2018-03-13.

Ultra-fine grain two-phase alpha-beta titanium alloy with improved level of mechanical properties, and method for its obtainment

Номер патента: RU2490356C1. Автор: Руслан Зуфарович Валиев,Ирина Петровна Семенова,Георгий Иосифович Рааб,Вероника Васильевна Полякова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2013-08-20.

SCFV AGAINST EGFRvIII WITH IMPROVED CYTOTOXICITY AND YIELD, IMMUNOTOXINS BASED ON THEREOF AND METHODS FOR THEIR USING

Номер патента: RU2317999C2. Автор: Ричард БИРС,Айра ПАСТАН,Партха С. ЧОУДХУРИ,Дарелл БИДЖНЕР. Владелец: Те Гавернмент Оф Те Юнайтед Стейтс, Эз Репризентед Бай Те Секретари Оф Те Департмент Оф Хелт Энд Хьюман Сервисез. Дата публикации: 2008-02-27.

Paper of improved rigidity and bulk and method of its producing

Номер патента: RU2387752C2. Автор: Сен ЯНГ,Агне СВЕРИН,Джей К. СОНГ,Майкл ГЕРМАН,Питер Ф. ЛИ,Ладислав БЕДНАРИК. Владелец: Интернэшнл Пейпер Компани. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiaromatic copolyamide and method of its obtaining

Номер патента: RU2511733C2. Автор: Филипп БЛОНДЕЛЬ,Тьерри БРИФФО,Тьерри ЛЕФЕВР. Владелец: Аркема Франс. Дата публикации: 2014-04-10.

Device and method for post-processing of audio signal using forecast-based profiling

Номер патента: RU2732995C1. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Саша ДИШ,Кристиан УЛЕ,Петер ПРОКАЙН,Оливер ХЕЛЛЬМУТ,Патрик ГАМПП,Антониос КАРАМПОУРНИОТИС,Юлия ХАФЕНШТАЙН,Даниэль РИХТЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2020-09-28.

Tampon with improved integrity and method for production thereof

Номер патента: RU2586209C2. Автор: Мэри Лу МАКДАНИЭЛ,Джон Дэвид ЭМУНДСОН,Чарльз Роберт ТОМСОВИК,Ларс Нильсен НОРДАНГ,Мелисса Кэй БЁРНС. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-06-10.

Implantable urological device with improved retrieval feature

Номер патента: RU2651128C2. Автор: Хэцзинь Ли,ДУК Хон Линх ХО. Владелец: ТАРИС Биомедикал ЛЛК. Дата публикации: 2018-04-18.

Means and methods for providing ribulose bisphosphate-carboxylase-oxygenase with improved properties

Номер патента: WO2008135206A3. Автор: Ulrich Hartl,Manajit Hayer-Hartl,Andreas Bracher,Sandra Saschenbrecker. Владелец: Sandra Saschenbrecker. Дата публикации: 2009-01-22.

Drought-Resistant Cereal Grasses and Related Materials and Methods

Номер патента: US20160251675A1. Автор: Arvind Kumar,Ajay Kohli,Amelia Henry. Владелец: International Rice Research Institute. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a charge storage layer and a control gate and method of controlling the same

Номер патента: US20090268526A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Takeshi Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Bandgap reference circuit and method therefor

Номер патента: US09727074B1. Автор: Steven Terryn. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Connection of hydraulic hose without cleaning it with improved seal and hose retention

Номер патента: RU2554159C2. Автор: Эрик Д. МЕНОР. Владелец: КЕЙТЕРПИЛЛАР ИНК.. Дата публикации: 2015-06-27.

Composition and method of producing personal care compositions with improved deposition properties

Номер патента: RU2671577C2. Автор: Гейсберт КРОН,Стефен Хуго ХУРКЕНС,Тхи Хонг Лан ЛЕ-ПХАМ. Владелец: Геркулес Ллк. Дата публикации: 2018-11-02.

Method of determining current localization voltage in powerful hf and uhf bipolar transistors

Номер патента: RU2616871C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Александр Александрович Куликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-18.

Packing laminate and method of its fabrication

Номер патента: RU2445247C2. Автор: Катарина ЙОНАССОН,Эва ЭРЕНБЕРГ,Микаэль ВАМСЛЕР. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2012-03-20.

Glazing with improved vibroacoustic shock-absorbing properties, method to manufacture such glazing and method of acoustic protection of car cabin

Номер патента: RU2471055C2. Автор: Давид Фурнье,Сильвен ПЕЙО. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2012-12-27.

Static semiconductor memory device using bipolar transistor

Номер патента: US5216630A. Автор: Yasunobu Nakase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-01.

Current source, reference voltage generator, method of defining a PTAT current source, and method of providing a temperature compensated reference voltage

Номер патента: US5936392A. Автор: Clive Roland Taylor. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Steel sheet with coating by zinc alloy, applied by method of dip galvanising into melt and method of its receiving

Номер патента: RU2384648C2. Автор: Теодорус Францискус Йозеф МАЛМАН,Роберт БЛИКЕР,Маргот Джулия ВЛОТ. Владелец: Корус Стал Бв. Дата публикации: 2010-03-20.

Method of preparing catalyst and method of producing diesel fuel using said catalyst

Номер патента: RU2376062C1. Автор: Геннадий Викторович Ечевский,Олег Владимирович Кихтянин,Александр Викторович Токтарев,Антон Евгеньевич Рубанов. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2009-12-20.

Device and method for producing tobacco material in the form of sheets

Номер патента: RU2757892C2. Автор: Стефано ЦАППОЛИ,Иларио ЛОДИ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2021-10-22.

Main electric pump unit with attachments to frame with use of built supports, and method for improvement of unit characteristics

Номер патента: RU2484304C1. Автор: Олег Анатольевич Ряховский,Владимир Иванович Кушнарев,Юрий Сергеевич Обозный,Александр Михайлович Гуськов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нефтекамский машиностроительный завод" (ООО "НКМЗ"). Дата публикации: 2013-06-10.

Alkylation method with improved octane number

Номер патента: RU2762589C2. Автор: Эманюэль Херманус Ван Брукховен,Рюбен Теодор ПРОНК,Жаклин Медина. Владелец: Альбемарл Юроп Срл. Дата публикации: 2021-12-21.

Systems and methods for determining protocols for injecting a pharmaceutical liquid based on voltage on an x-ray tube

Номер патента: RU2722547C2. Автор: Джон Ф. КЭЛЭФАТ,Кори КЕМПЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2020-06-01.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Compositions and methods for production of frozen food product for infants and for young children

Номер патента: RU2454076C2. Автор: Лайэнн ХИГГИНС. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2012-06-27.

Agents, application ways and methods for treating synucleopathy

Номер патента: RU2765303C2. Автор: Ибрагим Джон МАЛИК,Пол ПАРРЕН,Эдвард Ван Ден Бринк,Пекка Каллунки,Карина Фог,Луиз Бур ВЕСТЕРЭЙГЕР,Энн-Луиз Бергстром,Флоренс Сотти,Дэвид Сэйтайджн,Рик Рэйдемэйкер,Том Винк,Лилиана Кристина Перейра МОНТЕЗИНХО. Владелец: Х. Лундбекк А/С. Дата публикации: 2022-01-28.

Polyethylene terephthalate thread and method of production thereof

Номер патента: RU2734673C1. Автор: Екатерина Сергеевна Цобкалло,Анна Викторовна Шибанова. Владелец: Анна Викторовна Шибанова. Дата публикации: 2020-10-21.

Device for material removal with improved capture efficiency and methods for using

Номер патента: RU2520801C2. Автор: Ричард КУСЛЕЙКА,Джон МОБЕРГ,Вильям ВИЛОН,Томас МАКПИК,Чжиюн ЧЖАН,Хуссейн РАНГВАЛА. Владелец: ТАЙКО ХЕЛСКЕА ГРУП эЛПи. Дата публикации: 2014-06-27.

Start-up circuit and method for a self-biased zero-temperature-coefficient current reference

Номер патента: WO2009039061A3. Автор: James R Hellums. Владелец: James R Hellums. Дата публикации: 2009-05-14.

Start-up circuit and method for a self-biased zero-temperature-coefficient current reference

Номер патента: WO2009039061A2. Автор: James R. Hellums. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-03-26.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US20160025802A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-28.

Composition of scalable thyrointegrin antagonists with improved blood brain barrier penetration and retention in brain tumors

Номер патента: CA3173654A1. Автор: Shaker A. Mousa,Bruce A. Hay. Владелец: NanoPharmaceuticals LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Procedure and device for measuring silicon temperature and over-temperature protection of a power insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2013045960A2. Автор: Ivan BAHUN. Владелец: Končar - Elecktrična Vozila D.D.. Дата публикации: 2013-04-04.

Viral vector-producing cells having improved ability to produce vector, method for producing same and method for selecting same

Номер патента: EP4269570A1. Автор: Susumu Kubota,Yasuhiro Kawano,Kana Tanabe,Chinatsu MORIYAMA,Megumi KISHIMOTO. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Viral vector-producing cells having improved ability to produce vector, method for producing same and method for selecting same

Номер патента: US20240002883A1. Автор: Susumu Kubota,Yasuhiro Kawano,Kana Tanabe,Chinatsu MORIYAMA,Megumi KISHIMOTO. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Brine and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20140199247A1. Автор: Carlos DÍAZ-CRESPO CARDONA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-17.

Compositions and methods for oral delivery of crystalline PRX-3140 potassium salt

Номер патента: US11725016B1. Автор: James David Talton,Otto Joseph Geoffroy,Lianhao ZHANG,Mianji Zhang,Daniel Gerard MORGAN. Владелец: Nanopharmaceutics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: EP1866721A2. Автор: Ankit SEEDHER,Preetam C. A. Jeevanadhi Satellite TADEPARTHY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-19.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: WO2006102324A3. Автор: Ankit SEEDHER,Preetam Charan Anan Tadeparthy. Владелец: Preetam Charan Anan Tadeparthy. Дата публикации: 2007-03-15.

Low-light image improvement apparatus and method

Номер патента: US20240161243A1. Автор: Tae Hyun Kim,Jong Ok Kim,Jeong Hyeok PARK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Bandgap reference circuit and method of testing and calibrating the same

Номер патента: US20240345614A1. Автор: Zhi-Xin Chen. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Bipolar transistor type MEMS pressure sensor and preparation method thereof

Номер патента: US11965797B1. Автор: Tongqing Liu. Владелец: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Apparatus and method for a voltage regulator with improved power supply reduction ratio (PSRR) with reduced parasitic capacitance on bias signal lines

Номер патента: US09671801B2. Автор: Ludmil Nikolov,Ambreesh Bhattad. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Flexible barrier membrane and method for producing flexible barrier membrane

Номер патента: RU2770539C2. Автор: Марк ГРИММЕ,Паскаль ДЮБЮИ,Мали-Клер КУН,Стефан МАРЕ,Арасели Мария МАРКАНО ЗЕРПА,Катерина ФАТЕЕВА,Фабьенн ПОНСЕН-ЭПАЙАР. Владелец: Карма. Дата публикации: 2022-04-18.

Plants with increased yield, and method of their obtaining

Номер патента: RU2463351C2. Автор: Валери ФРАНКАР. Владелец: КРОПДИЗАЙН Н.Фи.. Дата публикации: 2012-10-10.

Osb board (oriented strand board) based on a wood material with improved characteristics and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2766676C2. Автор: Норберт КАЛЬВА,Инго ЛЕНХОФФ. Владелец: СВИСС КРОНО Тек АГ. Дата публикации: 2022-03-15.

Microorganism with improved ability to produce l-lysine and method of obtaining l-lysine using this microorganism

Номер патента: RU2668176C1. Автор: Джун Ок МУН,Кван Хо ЛИ,Лан ХУ,Хён Джун КИМ,Сон-Ги РЮ. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2018-09-26.

Triple-glazed window with improved edge insulation

Номер патента: RU2597585C1. Автор: Майкл Дж. БЬЮКЕНЕН,Джордж Б. ГУДВИН. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2016-09-10.

Moulded containers with improved grip and method of the fabrication

Номер патента: RU2462406C2. Автор: Ю Ши. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2012-09-27.

Ion-generating apparatus and method for sterilization and for removing smog

Номер патента: RU2657754C1. Автор: Хуэй ВАН,Фан ЦЗЯН,Тимин ЯО,Цинцзе ЦЗЭН,Цзиньхуа ТАН,Иньхуа ТАН. Владелец: Люфтмед Гмбх. Дата публикации: 2018-06-15.

Foamed phenol resin composition, phenol resin-based foam plastic and method of producing phenol resin-based foam plastic

Номер патента: RU2488607C2. Автор: Такатоси КИТАГАВА,Хисаси МИХОРИ,Йосихито ФУКАСАВА. Владелец: Асахи Касеи Констракшн Матириалс Корпорейшн. Дата публикации: 2013-07-27.

Polyurea compositions and methods of use

Номер патента: RU2684410C2. Автор: Нагараджан СРИВАТСАН,Рене ЛИН,Цзюэсяо ЦАЙ,Марфи ИТО,Альфредо РЕЙЕС,Шон МАНИОН. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2019-04-09.

Molded light-weight steel with improved mechanical properties and method of producing semi-products from said steel

Номер патента: RU2691436C1. Автор: Петер ПАЛЬЦЕР,Цахариас ГЕОРГЕОУ. Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Mobile robotic complex and method of application thereof for application of liquid preparations on water reservoirs and streams

Номер патента: RU2729230C1. Автор: Юрий Семенович Ройтбург. Владелец: Юрий Семенович Ройтбург. Дата публикации: 2020-08-05.

Curable polymer composition and method of making a hardened product therefrom

Номер патента: RU2699556C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Марина Юрьевна Яблокова,Денис Иванович Калугин,Борис Анатольевич Булгаков,Сергей Сергеевич Нечаусов. Владелец: Акционерное общество "Институт новых углеродных материалов и технологий" (АО "ИНУМиТ"). Дата публикации: 2019-09-06.

System and method for determining hematocrit insensitive glucose concentrations

Номер патента: RU2684938C2. Автор: Майкл МАЛЕЧА. Владелец: Цилаг Гмбх Интернэшнл. Дата публикации: 2019-04-16.

Concentrated protein products and method of their production

Номер патента: RU2409971C1. Автор: Василий Васильевич Пономарев,Тахир Мухаммедович Бикбов. Владелец: Тахир Мухаммедович Бикбов. Дата публикации: 2011-01-27.

Exterior coating for element of underground pipeline manufactured from iron-based material, coated pipeline element and method of above-noted specific coating application

Номер патента: RU2637045C2. Автор: Оливье БОНДИЛЬ,Жерар НУАЙ,Жан-Марк ПЕДЕТУР. Владелец: Сэн-Гобэн Пам. Дата публикации: 2017-11-29.

Packaging element with improved method of sealing and method of such packaging element formation

Номер патента: RU2654427C1. Автор: Ульрика ПЕРССОН,Конни ДАЛЬКВИСТ,София ЭКСТЕДТ. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2018-05-17.

Electro-optical displays and methods of their actuation

Номер патента: RU2760510C1. Автор: Шан-Чиа ЧЭНЬ,Яцзюань ЧЭНЬ,Крэйг ЛИН. Владелец: Е Инк Калифорния, Ллс. Дата публикации: 2021-11-25.

High strength antifriction composite based on polyetheretherketone for medicine and method of its production

Номер патента: RU2729653C1. Автор: Сергей Викторович Панин,Людмила Александровна Корниенко,Владислав Олегович Алексенко,Дмитрий Геннадьевич Буслович,Дык Ань Нгуен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2020-08-11.

Graphite foil, sheet material based thereon, seal and method of producing

Номер патента: RU2706103C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Андрей Владимирович Иванов,Артем Петрович Малахо,Станислав Владимирович Филимонов,Наталья Владимировна Максимова,Ольга Николаевна Шорникова. Владелец: Акционерное общество Научно-производственное объединение "УНИХИМТЕК" (АО НПО "УНИХИМТЕК"). Дата публикации: 2019-11-13.

Polymers, polymer membranes and methods of their producing

Номер патента: RU2632205C2. Автор: Шиин ЧЖЭН,Джеффри Рэймонд КУЭЙ. Владелец: Эр Продактс Энд Кемикалз, Инк.. Дата публикации: 2017-10-03.

Phosphase-containing oligoester acrylate and method for its production

Номер патента: RU2743697C1. Автор: Денис Вячеславович Онучин,Игорь Сергеевич Сиротин,Вячеслав Васильевич Киреев,Екатерина Александровна Горбунова,Суан Ву. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2021-02-24.

Herbicidal composition and method for weed controlling

Номер патента: RU2261598C2. Автор: Херманн БИРИНГЕР,Йенс ХОЛЛАНДЕР,Клеменс МИНН,Лотар ВИЛЬМС,Томас АУЛЕР,Эрвин ХАКЕР,Вольфганг ГИНКЕ,Йюрген ЗИНДЕЛЬ. Владелец: Авентис Кропсайенс Гмбх. Дата публикации: 2005-10-10.

Washing machine and method of its control

Номер патента: RU2379397C1. Автор: Ин Геун АХН,Сеог Киу ПАРК. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2010-01-20.

Sheet foamed material based on polylactic acid with elongated chain and method for production thereof

Номер патента: RU2605573C2. Автор: Чэн Чже ХУАН,Чан Вон КАН,Цзи Хян СОН. Владелец: Эл Джи Хаусис, Лтд.. Дата публикации: 2016-12-20.

Mixing device and method and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2736040C2. Автор: Йохен ЮНГ,Бернд КАСТНЕР,Сэмми АЙХЕ,Флориан КИКИЛЛУС,Николь РОН. Владелец: Экато Рюр- Унд Миштехник Гмбх. Дата публикации: 2020-11-11.

Composition comprising probiotic bacteria or components thereof, and method for use thereof in treating immune skin diseases

Номер патента: RU2699540C2. Автор: Андрей Валерьевич Стрыгин,Павел Павлович Несмиянов. Владелец: Павел Павлович Несмиянов. Дата публикации: 2019-09-06.

Ultrasonic flaw detector, method of ultrasound flaw detection and method of production

Номер патента: RU2682983C1. Автор: Адзуса СУГАВАРА,Масару ОЦУКА,Сэцу ЯМАМОТО,Дзюн СЭМБОСИ,Кэнтаро ЦУТИХАСИ,Такэси ХОСИ. Владелец: Тосиба Энерджи Системз Энд Солюшнз Корпорейшн. Дата публикации: 2019-03-25.

Composition and method of increasing stability of additives to food products

Номер патента: RU2592572C2. Автор: Эмбер Линн ГАРО,Шэрон Энн Спёрви ПИТМАН,Лариза Беристейн ТАБОАДА. Владелец: ДСМ Ньютришнл Продактс АГ. Дата публикации: 2016-07-27.

Bipolar transistor memory with capacitive storage

Номер патента: US3876992A. Автор: Wilbur David Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-04-08.

Voltage regulator and method of construction for a CMOS process

Номер патента: US5831474A. Автор: Roy A. Hastings,V Frank L. Thiel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Dispersing agent for inorganic fillers and method of producing same

Номер патента: US20140080978A1. Автор: Makoto Hattori,Ippei Noda,Akira Miyano,Hironari Matsumoto,Yuji Ohi. Владелец: Takemoto Oil and Fat Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Productivity-enhanced antibody and method for producing same

Номер патента: EP3868784A1. Автор: Hye Yeon Kim,Joo Young Kim,Jinu Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2021-08-25.

Method and apparatus for delivering tumor treating fields to a torso, and method for determining locations for transducers to deliver tumor treating fields

Номер патента: WO2022070047A3. Автор: Yoram Wasserman,Ariel NAVEH,Ori FARBER. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2022-06-09.

Photocatalytic filter, method for manufacturing the same, and method for reactivating the same

Номер патента: US20190201883A1. Автор: Daewoong Suh,Jaeseon Yi,Geundo Cho,Doug Youn Lee,Hye Kyung Ku,Kyung Sik Yoon. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

System and method for destressing braces by incorporation of, or substitution by, improved filler material

Номер патента: AU2019286812B2. Автор: José Martínez Salcedo,Jose Manuel Illescas Villa,Juan Manuel LINERO MOYA. Владелец: Fcc Construction Sa. Дата публикации: 2024-07-04.

Muffler and/or exhaust apparatus and method of manufacture

Номер патента: US20170314435A1. Автор: Randy BLEVINS,Jason B. Panther,James B. Panther. Владелец: Torque Research and Development, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Flavored sheet with improved surface roughness, smoking article including the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240277027A1. Автор: Min Hee Hwang,Eun Mi Jeoung,Ick Joong KIM,Kyung Bin Jung,Geon Chang LEE. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Nano- or micro-emulsion compositions and methods of use thereof

Номер патента: US20240335382A1. Автор: Giorgio Dell'Acqua,Pamela SCOCA,Roland Peralta. Владелец: Nutraceutical Wellness Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Thermoplastic composition with improved wear properties and method for making thereof

Номер патента: EP1940954A1. Автор: Nicola Cont. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-07-09.

Organic waste treatment apparatus and method with improved energy consumption efficiency and increased temperature rise rates

Номер патента: EP4424433A1. Автор: Young Soo Choi,Jae Min Choi,Min Ki Jung,Guk JEONG. Владелец: BKT CO Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Sound absorbing and insulating material with improved heat resistance and moldability and method for manufacturing the same

Номер патента: US09881599B2. Автор: Keun Young Kim,Kie Youn Jeong,Bong Hyun Park. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-01-30.

Process, voltage, and temperature tracking SRAM retention voltage regulator

Номер патента: US09792979B1. Автор: Michael A. Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Rotationally stabilized contact lens with improved comfort and method of optimization

Номер патента: US09778487B2. Автор: Philippe F. Jubin,Jason M. Tokarski,Pierre-Yves Gerligand. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Composition and method for dehydrating gases using glycol, an imidazole compound and an optional additive

Номер патента: RU2747721C2. Автор: Кристоф Р. Ларош,Эрик Дж. КЛИНКЕР,Сара Б. КЛАМО,Анжела И. ПАДИЛЬА-АСЕВЕДО,Ашвин Р. БХАРАДВАДЖ,Стивен В. КИНГ,Эдвард Д. Даугз,Брайан А. ЯЗДЖЕВСКИ. Владелец: Дау Глоубл Текнолоджиз Ллк. Дата публикации: 2021-05-13.

Device and method for measurement of electric power

Номер патента: RU2407022C2. Автор: Хейкки СЕППЯ. Владелец: Эйдон Ой. Дата публикации: 2010-12-20.

Device for nitriding components made from aluminium alloy through ion-implantation doping and method where said device is used

Номер патента: RU2372418C2. Автор: Фредерик ГЕРНАЛЕК,Дени БЮЗАРДО. Владелец: Сосьете Кертек Энженьери (Кэ). Дата публикации: 2009-11-10.

Semiconductor photoelectric generator and method of making it

Номер патента: RU2357325C1. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Ольга Вячеславовна Шеповалова,Юрий Дмитриевич Арбузов,Владимир Михайлович Евдокимов. Владелец: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2009-05-27.

Device with passive matrix addressing and method for reading information from this device

Номер патента: RU2275698C2. Автор: Кристер КАРЛССОН,Пер БРЕМС. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-04-27.

Chocolate product and method of its obtaining

Номер патента: RU2638018C2. Автор: Мартин ТИЛЕ,Константинос ПАГГИОС,Хартмут БАЛЗЕР,Стивен ПЕАРСОН. Владелец: Крафт Фудс Р & Д, Инк.. Дата публикации: 2017-12-11.

System and method of managing biological tissue welding

Номер патента: RU2325132C2. Автор: Борис Е. ПАТОН,Владимир К. ЛЕБЕДЕВ,Алексей В. ЛЕБЕДЕВ,Ольга Н. ИВАНОВА,Мыхайло П. ЗАХАРАШ,Юрий А. ФУРМАНОВ,Юрий А. МАСАЛОВ. Владелец: Лив Тишью Коннект, Инк.,. Дата публикации: 2008-05-27.

Modifier and method for changing the electrophysical and magnetic properties of ceramics

Номер патента: RU2768221C1. Автор: Олег Ильич Эпштейн,Сергей Александрович Тарасов,Александр Андреевич Буш,Антон Александрович Харчевский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственная Фирма "Материа Медика Холдинг". Дата публикации: 2022-03-23.

Acidophilic strains fusarium oxysporum, methods for producing and methods for the use thereof

Номер патента: RU2742437C2. Автор: Марк КОЦУБАЛ,Ричард И. МАКУР,Уилльям П. ИНСКИП. Владелец: Де Файндер Груп, Инк.. Дата публикации: 2021-02-05.

N-7 substituted purines and pyrazolopyrimidines, compositions thereof and methods for use

Номер патента: RU2515541C2. Автор: Венди ЛИ,Джозеф П. ЛИССИКАТОС,Кирк Д. РОБАРДЖ,Чжунхуа ПЭЙ. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2014-05-10.

Paper or cardboard with coating, recyclable, and methods of their manufacture

Номер патента: RU2518968C2. Автор: Сиркку Иоханна РОНКА. Владелец: Премиум Борд Финланд Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Sorbent based on modified graphene oxide and method of its production

Номер патента: RU2659285C1. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Александр Васильевич Мележик,Александр Евгеньевич Бураков,Александр Викторович Бабкин,Дмитрий Александрович Курносов,Ирина Владимировна Буракова,Элина Сааковна Мкртчян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "ТГТУ"). Дата публикации: 2018-06-29.

Bandgap reference circuit, corresponding device and method

Номер патента: US20210349491A1. Автор: Germano Nicollini,Stefano Ramorini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-11.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US20110215789A1. Автор: Jeroen Bouwman,Léon C.M. van den Oever. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-09-08.

Bandgap reference circuit, corresponding device and method

Номер патента: US20210165438A1. Автор: Germano Nicollini,Stefano Ramorini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-03.

Automated Run Time Embedding of Software Snippets (ARTESS) system and method for improving the software and the software testing.

Номер патента: US20130174121A1. Автор: Michael Pindrik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Systems and methods for estimation of sensor resistance

Номер патента: GB2608485A. Автор: Kimball Eric,Singh Saurabh,Lobo Ryan,B Prakash Chandra,J Peterson Cory. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Food powder with improved stability and method for making the same

Номер патента: WO2024133708A1. Автор: Linda BRÜTSCH,Vincent Daniel Maurice MEUNIER,Reinhard Behringer. Владелец: Societe des Produits Nestle S.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Voltage generator and methods thereof

Номер патента: US20070189085A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Hyo-Sang Lee,Hoon-Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Compositions and methods for improving polymer flow rate

Номер патента: US20210253827A1. Автор: Yanjie Xu. Владелец: Inovia Materials LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Improved rotary piston engine and method of operation

Номер патента: WO2002027144A9. Автор: Eric Barrett. Владелец: Alternative Power. Дата публикации: 2003-05-01.

Flavor sheet having improved physical properties, smoking article including same, and methods of producing flavor sheet and smoking article

Номер патента: US20240225086A9. Автор: Min Hee Hwang,Eun Mi Jeoung,Ick Joong KIM,Kyung Bin Jung,Geon Chang LEE. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Compositions and methods for improved production of adeno-associated viral particles

Номер патента: WO2024129882A1. Автор: Takanori IEKI. Владелец: Astellas Gene Therapies, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Devices, systems and methods of making and using chlorine dioxide based formulation with improved stability

Номер патента: US11970675B2. Автор: Stephen Bradford Kong. Владелец: Spectrum Doxyicide. Дата публикации: 2024-04-30.

Object database for business modeling with improved data security

Номер патента: US20210240744A1. Автор: Gerhard Biermann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-05.

Jet dyeing apparatus and method

Номер патента: WO1991018141A1. Автор: Aristides Georgantas. Владелец: S. Sclavos S.A.. Дата публикации: 1991-11-28.

High voltage bipolar transistor using recessed isolation structure to increase breakdown voltage

Номер патента: TW477069B. Автор: Jr-Feng Huang,Jiun-Lin Tsai,Ruei-Shing Liou,Guo-Jou Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-02-21.

Low resistivity materials with improved wear performance for electrical current transfer and methods for preparing same

Номер патента: MY129209A. Автор: Da Hai He,Harry Sinkis,Clim Pacheco,Rafael R Manory,Norman J Grady. Владелец: Rafael R Manory. Дата публикации: 2007-03-30.

Low resistivity materials with improved wear performance for electrical current transfer and methods for preparing same

Номер патента: AU2086600A. Автор: Da Hai He,Norman J. Grady,Harry Sinkis,Clim Pacheco,Rafael R Manory. Владелец: Victorian Rail Track. Дата публикации: 2000-07-03.

Separator breakdown voltage testing device and method

Номер патента: CN104090217A. Автор: 杨佳富,秦银银. Владелец: Shenzhen Senior Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

FIBERGLASS COMPOSITES WITH IMPROVED FLAME RESISTANCE FROM PHOSPHOROUS-CONTAINING MATERIALS AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120315458A1. Автор: Asrar Jawed,Leed Elam A.,Zheng Guodong. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

INTEGRATED CIRCUITS WITH IMPROVED INTERCONNECT RELIABILITY USING AN INSULATING MONOLAYER AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20130221524A1. Автор: Ryan Errol T.,Augur Roderick A.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiang Puo-Yu,Liu Ruey-Hsin,Hsu Shun-Liang,Huang Chyi-Chyuan,Chen Fu-Hsin,Huang Eric. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INPUT PIN ESD PROTECTION WITH FLOATING AND/OR BIASED POLYSILICON REGIONS

Номер патента: US20120001261A1. Автор: Su Ting Chieh,Jeng Min Chie,Liao Chin Chang,Huang Jun Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR SWEEPING MIRROR ENHANCED IMAGING FLOW CYTOMETRY

Номер патента: US20120002029A1. Автор: Sieracki Christian K.,Ellis Scott N.,Peterson Kent A.. Владелец: FLUID IMAGING TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION DEVICES

Номер патента: US20120001225A1. Автор: Tu Shang-Hui,CHANG Jui-Chun,Wu Chen-Wei,JOU Yeh-Ning. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Light transistor with two emitting junctions

Номер патента: RU2593443C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Дмитрий Алексеевич Челушкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Procedure for rejection of bipolar transistors

Номер патента: RU2204143C2. Автор: М.И. Горлов,н А.Г. Адам,А.Г. Адамян,Л.П. Ануфриев. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-05-10.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Powerful microwave ldmos transistor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2473150C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Татьяна Николаевна Пекарчук,Александр Константинович Бельков,Сергей Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предриятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2013-01-20.

Structure of bipolar transistor with emitter of sub-micron dimensions, and method for manufacturing said structure

Номер патента: RU2279733C2. Автор: Алексей Николаевич Долгов,Александр Николаевич Еременко,Михаил Иванович Клычников,Дмитрий Григорьевич Кравченко,Михаил Иванович Лукасевич,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2006-07-10.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NEONATAL Fc RECEPTOR (FcRn)- BINDING POLYPEPTIDE VARIANTS, DIMERIC Fc BINDING PROTEINS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003210A1. Автор: FARRINGTON Graham K.,LUGOVSKOY Alexey Alexandrovich,MEIER Werner,ELDREDGE John K.,GARBER Ellen. Владелец: BIOGEN IDEC MA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Meter Devices and Methods

Номер патента: US20120000281A1. Автор: Vo Anh Nhat. Владелец: Dresser, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120000821A1. Автор: Yang Shuwu,Reynolds Bruce Edward,Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: CHEVRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTIMIZED APERTURE SELECTION IMAGING COMPUTED TOMOGRAPHY SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120002781A1. Автор: Jaffray David A.,Siewerdsen Jeffrey H.,Graham Sean A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004091A1. Автор: Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004097A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS, APPARATUS, AND METHODS FOR DIGITAL IMAGE CAPTURE WITH VARIABLE DENSITY DISPLAY AND HIGH RESOLUTION ELECTRONIC ZOOM

Номер патента: US20120002084A1. Автор: . Владелец: TRUE VISION SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POSITIVE ELECTRODE FOR RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY WITH HIGH VOLTAGE AND RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY INCLUDING SAME

Номер патента: US20120003534A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing complementary vertical bipolar transistors as parts of integrated circuits

Номер патента: RU2244985C1. Автор: Н.М. Манжа,М.И. Лукасевич,С.Л. Хмельницкий,А.Н. Еременко,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-01-20.

Method for manufacturing bsit-transistor with guard rings

Номер патента: RU2524145C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

Ball Grid Array with Improved Single-Ended and Differential Signal Performance

Номер патента: US20120001327A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for compensating for static and dynamic input currents of differential stages on bipolar transistors

Номер патента: RU2487467C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-07-10.

Bag paper and method for making bag paper

Номер патента: RU2345188C1. Автор: Виктор Васильевич Лапин,Елена Витальевна Гордеева,Алексей Викторович Горошников. Владелец: ООО "Оптимальные Химические Технологии+консалтинг". Дата публикации: 2009-01-27.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Physically Crosslinked Copolymer Compounds and Related Compositions and Methods for Electrophoretic Separation

Номер патента: US20120000780A1. Автор: Barron Annelise E.,Chiesl Thomas N.. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING AN ENERGY STORAGE PACK

Номер патента: US20120001483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING FAULT IN AN AC MACHINE

Номер патента: US20120001580A1. Автор: Lu Bin,Zhang Pinjia,Habetler Thomas G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER AMPLIFIER AMPLITUDE MODULATOR SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001693A1. Автор: Aoki Ichiro,Hajimiri Seyed-Ali,Kee Scott D.,Damgaard Morten,Magoon Rahul,Mohta Setu,Aparicio Joo Roberto,Hatcher Geoff. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PLASMA UNIFORMITY SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120000606A1. Автор: Hadidi Kamal,Dorai Rajesh,Jagtap Mayur. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Measurement Device and Method Utilizing the Same

Номер патента: US20120000796A1. Автор: . Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IGNITION CONTROL APPARATUS USED IN ELECTRONIC BALLAST AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001565A1. Автор: Hu Jin,Xu Qing,Wu Quansong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GAS SENSOR CONTROL APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120001641A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING VCO OUTPUT VOLTAGE SWING

Номер патента: US20120001699A1. Автор: . Владелец: QUINTIC HOLDINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERACTIVE SYSTEM AND METHOD FOR SENSING MOVEMENT

Номер патента: US20120001766A1. Автор: Van Den Broek Egidius Leon,WESTERINK Joanne Henriëtte Desirée Monique,Bialoskorski Leticia Sofia Susanna. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR SWITCHING TWO-DIMENSIONAL (2D) AND THREE-DIMENSIONAL (3D) DISPLAY MODES

Номер патента: US20120001899A1. Автор: HONG XU. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

AUDIO DRIVER SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120002819A1. Автор: Thormundsson Trausti,Jonsson Ragnar H.,Thorvaldsson Vilhjalmur S.,Wihardja James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE BATTERY TEMPERATURE CONTROL SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120003510A1. Автор: Eisenhour Ronald S.. Владелец: NISSAN TECHNICAL CENTER NORTH AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE BATTERY TEMPERATURE CONTROL SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120003515A1. Автор: Eisenhour Ronald S.. Владелец: NISSAN TECHNICAL CENTER NORTH AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVITY MONITORING SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004883A1. Автор: . Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for detecting potentially unreliable bipolar transistors

Номер патента: RU2309417C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких,Игорь Алексеевич Шишкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2007-10-27.

Complementary bipolar transistor structure of integrated circuit

Номер патента: RU2111578C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-05-20.

Non-epitaxial structure of bipolar transistor

Номер патента: RU2368036C1. Автор: Михаил Иванович Лукасевич,Юлия Владимировна Петрова. Владелец: Юлия Владимировна Петрова. Дата публикации: 2009-09-20.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE BATTERY TEMPERATURE CONTROL SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120003516A1. Автор: Eisenhour Ronald S.. Владелец: NISSAN TECHNICAL CENTER NORTH AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Rinsable dyes and methods for their preparation

Номер патента: US20120004400A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE CONTROL DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE

Номер патента: US20120004801A1. Автор: Watanabe Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and method for producing short-wave radiation from gas- discharge plasma

Номер патента: RU2252496C2. Автор: В.М. Борисов,О.Б. Христофоров,А.Ю. Виноходов,Ю.Б. Кирюхин,А.В. Прокофьев,Уве Бруно Штамм. Владелец: Христофоров Олег Борисович. Дата публикации: 2005-05-20.

Calcined ammonium nitrate for improvement of soil productivity and method for its preparing

Номер патента: RU2235084C1. Автор: Е.А. Ермаков,С.В. Вениаминов,Р.Г. Русакова,Б.В. Логинов,А.В. Клюев,В.И. Зацепина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Азотно-туковый завод". Дата публикации: 2004-08-27.

Method of bipolar transistor manufacturing

Номер патента: RU2351036C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-03-27.

YEAST EXTRACT CONTAINING GAMMA-Glu-X OR GAMMA-Glu-X-Gly, AND METHOD OF ITS PRODUCTION

Номер патента: RU2496864C2. Автор: Всеволод Александрович Серебряный,Хироаки НИСИУТИ,Ватару ХОСИНО,Тосими МИЗУКОСИ,Ольга Александровна Софьянович,Дмитрий Александрович Чешев. Владелец: Аджиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2013-10-27.

Bacterium strain lactococcus lactis subcpecies lactis b-8558 useful in dairy product preparation and method for production of starter culture of strain lactococcus lactis subcpecies lactis b-8558

Номер патента: RU2295563C1. Автор: Вера Ивановна Ганина,Тать на В чеславовна Рожкова,Татьяна Вячеславовна Рожкова. Владелец: Татьяна Вячеславовна Рожкова. Дата публикации: 2007-03-20.

Product for oral cavity care and methods of its application and manufacturing

Номер патента: RU2482835C2. Автор: Майкл ПРЕНСАЙП,Суман К. ЧОПРА,Линетт ЗАЙДЕЛ,Дунхой У,Рави СУБРАМАНИАМ,Райниш КОХЛИ,Ричард Дж. САЛЛИВАН,Сарита В. МЕЛЛО,Дайан КАММИНС,Ричард Скотт РОБИНСОН,Серджио ЛЕЙТЕ,Эрик А. САЙМОН,Андре М. МОРГАН,Гари Эдвард ТЭМБС,Вирджиния Монсул БАРНС,Цин ВАНГ,Ральф Питер САНТАРПИЯ III. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2013-05-27.

Enterosorbent and method of its obtaining

Номер патента: RU2514050C2. Автор: Александр Анатольевич Иванов,Наталья Васильевна Юдина,Валентина Николаевна Буркова,Дмитрий Иванович Лемешко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сфагнум Пит" (ООО "Сфагнум Пит"). Дата публикации: 2014-04-27.

Method of controlling state and recording running time of power production equipment and method to this effect

Номер патента: RU2534704C1. Автор: Владимир Григорьевич Бартенев. Владелец: Владимир Григорьевич Бартенев. Дата публикации: 2014-12-10.

TRACHEAL TUBES WITH IMPROVED SECRETION REMOVAL SYSTEMS

Номер патента: US20120000471A1. Автор: . Владелец: Nellcor Puritan Bennett LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic-field sensing bipolar transistor

Номер патента: RU2127007C1. Автор: А.И. Галушков,А.Н. Сауров,Ю.А. Чаплыгин. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1999-02-27.

Polymer composite material and method of obtaining thereof

Номер патента: RU2536969C2. Автор: Абдулах Касбулатович Микитаев,Эдуард Яковлевич Бейдер,Ауес Ахмедович Беев,Джульетта Анатольевна Беева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2014-12-27.

Preserved product of quail meat and method thereof

Номер патента: RU2367158C1. Автор: Вячеслав Иванович Котарев,Галина Григорьевна Соколенко,Ирина Николаевна Бухтоярова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный аграрный университет имени К.Д. Глинки" (ФГОУ ВПО ВГАУ им. К.Д. Глинки"). Дата публикации: 2009-09-20.

Ionisation gas detector and method for operation thereof

Номер патента: RU2471179C1. Автор: Борис Александрович Болодурин,Алексей Анатольевич Михайлов,Александр Владимирович Михайличенко,Владислав Александрович Михайличенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "ИНКРАМ". Дата публикации: 2012-12-27.

Water closet and method of its operation

Номер патента: RU2459047C2. Автор: Александр Тихонович Зиньковский. Владелец: Александр Тихонович Зиньковский. Дата публикации: 2012-08-20.

Device and method for producing high-temperature plasma and euv radiation

Номер патента: RU2593147C1. Автор: Владимир Михайлович Борисов,Олег Борисович Христофоров,Федор Юрьевич Хаджийский,Александр Васильевич Прокофьев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Эуф Лабс". Дата публикации: 2016-07-27.

Water-soluble medicinal composition and method of production thereof

Номер патента: RU2337710C2. Автор: Генрих Александрович Толстиков,Татьяна Генриховна Толстикова,Тать на Генриховна Толстикова,Александр Валерьевич Душкин,Елизавета Сергеевна Метелёва. Владелец: Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отделения Российской академии наук (НИОХ СО РАН). Дата публикации: 2008-11-10.

Polydicyclopentadiene microspheres and methods for production thereof

Номер патента: RU2528834C1. Автор: Владимир Владимирович Афанасьев,Наталья Борисовна БЕСПАЛОВА,Татьяна Модестовна Юмашева,Егор Владимирович Шутко,Сергей Анатольевич Алхимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2014-09-20.

Polydicyclopentadiene-based composite material, composition for producing matrix and method of producing composite material

Номер патента: RU2527278C1. Автор: Владимир Владимирович Афанасьев,Дмитрий Николаевич Чередилин,Наталья Борисовна БЕСПАЛОВА,Ольга Васильевна Маслобойщикова,Егор Владимирович Шутко,Сергей Анатольевич Алхимов,Денис Борисович Земцов. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2014-08-27.

Ceramic composite material and method for production thereof

Номер патента: RU2517146C2. Автор: Нелля Александровна Попова,Евгений Васильевич Жариков,Элеонора Моисеевна Кольцова,Павел Петрович Файков,Ксения Сергеевна Зараменских,Наталья Алексеевна Федосова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2014-05-27.

Broadband differential amplifier with correction device of electrothermal coupling in bipolar transistors

Номер патента: RU2462813C1. Автор: Александр Леонидович Стемпковский,Юрий Федорович Адамов,Наталья Михайловна Горшкова,Александр Леонидович Стемпковский (RU),Юрий Федорович Адамов (RU),Наталья Михайловна Горшкова (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН). Дата публикации: 2012-09-27.

Plugging material and method for production thereof

Номер патента: RU2486225C1. Автор: Фарит Акрамович Агзамов,Ильшат Назифович Каримов,Рафаэль Сяитович Мяжитов,Петр Федорович Цыцымушкин,Дмитрий Геннадиевич Бельский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Цементные технологии". Дата публикации: 2013-06-27.

Walking robot-nanopositioner and method of controlling movement thereof

Номер патента: RU2540283C2. Автор: Ростислав Владимирович Лапшин. Владелец: Ростислав Владимирович Лапшин. Дата публикации: 2015-02-10.

Meat preserved product and method of its manufacturing

Номер патента: RU2340196C2. Автор: Валентина Борисовна Крылова,Валентина Ивановна Малыгина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Милана-Фуд". Дата публикации: 2008-12-10.

Reinforced warp mesh endoprosthesis for inguinal hernia repair (versions) and method for using it

Номер патента: RU2524308C1. Автор: Дмитрий Всеволодович Чижов,Валерий Анатольевич Жуковский,Татьяна Сергеевна Филипенко,Ирина Ивановна Жуковская,Валерий Николаевич Егиев. Владелец: Валерий Николаевич Егиев. Дата публикации: 2014-07-27.

Selenium-enriched dietary supplement and method of manufacture thereof

Номер патента: NZ716046A. Автор: Zhu Duogong. Владелец: New Zealand Natural And Healthy Foodtech Limited. Дата публикации: 2020-06-05.

Integral cell for radiation detector based on bipolar transistor with cellular base

Номер патента: RU2427942C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Сергей Иванович Диденко,Светлана Петровна Кобелева,Алексей Сергеевич Корольченко,Олег Михайлович Орлов,Михаил Павлович Коновалов,Дмитрий Леонидович Волков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2011-08-27.

Plants having improved growth characteristics, and methods of their obtaining

Номер патента: RU2463352C2. Автор: Валери ФРАНКАР,МОЛИНЕРО Ана Исабель САНС,Кристоф РЕЗО,Кристиан ДАММАНН. Владелец: КРОПДИЗАЙН Н.Фи.. Дата публикации: 2012-10-10.

Superconducting josephson instrument and method of its manufacturing

Номер патента: RU2504049C2. Автор: Михаил Юрьевич Куприянов,Анатолий Иванович Козлов,Александр Львович Гудков,Анатолий Николаевич Самусь. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2014-01-10.

Transparent and colorable elastomer composition and method for production thereof

Номер патента: RU2285021C9. Автор: Уолтер Х. УЭДДЕЛЛ,Роберт Р. ПОУЛТЕР. Владелец: Эксонмобил Кемикэл Пейтентс Инк.. Дата публикации: 2007-04-20.

Biologically active food additive and method for production thereof

Номер патента: RU2253328C2. Автор: В.С. Китлицкий,Е.В. Энгельс. Владелец: Энгельс Евгений Владимирович. Дата публикации: 2005-06-10.

Method and device for short-time test of breakdown voltage of liquid dielectric

Номер патента: RU2220427C2. Автор: А.А. Шиляев,В.А. Бербер,Ф.А. Козлов,А.В. Салманов,ев А.А. Шил,Л.С. Якушин. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский технологический институт". Дата публикации: 2003-12-27.

Three-phase electric arc plasma generator and method for start-up thereof

Номер патента: RU2577332C1. Автор: Андрей Николаевич Голиков,Николай Сергеевич Зайкин,Юрий Семенович Свирчук. Владелец: Государственный научный центр Российской Федерации - федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша". Дата публикации: 2016-03-20.

Cmos/soi mram memory integrated with vlsi and method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2532589C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Андрей Александрович Фраерман,Александр Павлович Ятманов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-11-10.

Ferroprobe magnetometer and method to measure components of induction of magnetic field by means of vector compensation

Номер патента: RU2539726C1. Автор: Алексей Викторович Королев,Алексей Анатольевич Колбин,Алексей Викторович Донской. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-01-27.

Bipolar transistor

Номер патента: RU2166220C2. Автор: В.В. Ракитин. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.