Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same
Номер патента: US20210384334A1
Опубликовано: 09-12-2021
Автор(ы): Young-Seok Kim
Принадлежит: DB HiTek Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-12-2021
Автор(ы): Young-Seok Kim
Принадлежит: DB HiTek Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same
Номер патента: US20210384329A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.