Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20170084692A1
Опубликовано: 23-03-2017
Автор(ы): Christian Philipp Sandow, Franz Josef Niedernostheide, Vera Van Treek
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20190333991A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-31.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20200350402A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-11-05.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20180269285A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device having lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20130168730A1. Автор: Shigeki Takahashi,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Insulated gate bipolar transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391451A1. Автор: Chun-Sheng Chen,Yen-Cheng Fang,Zih-Han Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor Device Having an Insulated Gate Bipolar Transistor Arrangement and a Method for Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20150303190A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-22.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20200091327A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Shinya Iwasaki,Yuma Kagata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Insulated gate type switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170092742A1. Автор: Toru Onishi,Yuichi Takeuchi,Atsushi Onogi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US20210202726A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US20200243673A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: EP4312275A1. Автор: Ke Jiang,Ken Zhang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Bipolar Transistoren mit isoliertem Gate (insulated-gate bipolar transistors (IGBTS)) mit Graben-Gate

Номер патента: DE202018003504U1. Автор: . Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-25.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: US20240038835A1. Автор: Ke Jiang,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with 3d isolation

Номер патента: US20230369475A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US20220384626A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US10170606B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US10658499B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384329A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Insulated Gate Bipolar Transistor Having First and Second Field Stop Zone Portions and Manufacturing Method

Номер патента: US20190165151A1. Автор: Wolfgang Roesner,Christoph Weiss,Christian Philipp Sandow,Oana Julia Spulber,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and related methods

Номер патента: US20170221881A1. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160079402A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing a reverse blocking insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8501549B2. Автор: Masaaki Ogino. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Edge Termination Structure Having a Termination Charge Region Below a Recessed Field Oxide Region

Номер патента: US20160020308A1. Автор: Luther-King Ngwendson,Rajeev Krishna Vytla,Russell Turner,Nicholas Limburn. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2016-01-21.

Insulated gate turn-off device having low capacitance and low saturation current

Номер патента: US10256331B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Lateral insulated gate turn-off device with induced emitter

Номер патента: US20200312987A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US20130161689A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo,Leaf YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3075011A1. Автор: Chiara Corvasce. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-10-05.

Reverse conducting lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20240222478A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Siyu Chen. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: EP2684216A2. Автор: Jun Saito,Satoru Machida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-01-15.

High-speed superjunction lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US10658496B2. Автор: Qi Yuan,Zhi Lin,Shu Han,Jianlin Zhou,Shengdong HU,Fang Tang,Xichuan ZHOU. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2020-05-19.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2342753A1. Автор: Vladimir Tsukanov,Kyoung-Wook Seok. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2011-07-13.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3881360A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS,Florin Udrea,Umamaheswara VEMULAPATI,Marina Antoniou,Neophytos LOPHITIS,Uwe BADSTUEBNER. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-09-22.

Insulated gate bipolar transistor and preparation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20230015515A1. Автор: Hui Zhu,Baowei Huang,Xiuguang XIAO. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of making an insulated gate bipolar transistor structure

Номер патента: US9257533B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Method of making an insulated gate bipolar transistor structure

Номер патента: US20150072496A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Mis device having a trench gate electrode and method of making the same

Номер патента: EP1417717A2. Автор: Mohamed N. Darwish,Kyle Terrill,Kam Hong Lui,Kuo-In Chen,Frederick P. Giles. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2004-05-12.

Lateral insulated-gate bipolar transistor (ligbt) device in silicon-on-insulator (soi) technology

Номер патента: KR20010104342A. Автор: 레타빅데오도르,페트루젤로존,반즈볼요하네스. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2001-11-24.

Insulated gate switching element

Номер патента: US20160315190A1. Автор: Takashi Ishida,Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Power semiconductor devices having arcuate-shaped source regions for inhibiting parasitic thyristor latch-up

Номер патента: US5753942A. Автор: Kyung-Wook Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor power device with insulated gate, trenchgate structure and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP1536480A1. Автор: Leonardo Fragapane,Angelo Magri,Antonino Sebastiano Alessandria. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2005-06-01.

Hybrid complementary field effect transistor device

Номер патента: US11777034B2. Автор: Chen Zhang,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Deep trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2482325A3. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160380072A1. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method of its manufacturing

Номер патента: RU2571175C2. Автор: Масару СЕНОО,Кёсуке МИЯГИ,Цуйоси НИСИВАКИ,Дзюн САЙТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-12-20.

Semiconductor device with insulated gate bipolar transistor region and diode region provided on semiconductor substrate and adjacent to each other

Номер патента: US11908954B2. Автор: Tetsuya Nitta,Takahiro Nakatani,Kakeru Otsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230290828A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Daniel Schlögl,Alim Karmous. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Insulated gate bipolar conduction transistors (ibcts) and related methods of fabrication

Номер патента: EP2198460A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-06-23.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device

Номер патента: EP3659180A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-06-03.

Insulated Gate Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing Such Device

Номер патента: US20210320170A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190181261A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Insulated gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6118150A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such a device

Номер патента: WO2016120053A1. Автор: Chiara Corvasce,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Insulated gate semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6331466B1. Автор: Hideki Takahashi,Hidenori Nishihara,Tadaharu Minato,Masana Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Group III-Nitride-Based Enhancement Mode Transistor Having a Multi-Heterojunction Fin Structure

Номер патента: US20160247905A1. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150084060A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20150263144A1. Автор: Tsuneo Ogura,Shinichiro Misu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Power devices having tunable saturation current clamps therein that support improved short-circuit capability

Номер патента: US12094932B2. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12051733B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

A method for forming a stacked transistor device

Номер патента: EP4300560A1. Автор: Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-03.

Methods for forming stacked transistor devices

Номер патента: US20240128124A1. Автор: Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for Forming a Stacked Transistor Device

Номер патента: US20230386928A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of fabricating semiconductor devices having gate-all-around structure with inner spacer last process

Номер патента: US20200273964A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Ching,Jui-Chien Huang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240282816A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12009391B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168728A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

VTS insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2482322A3. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230207672A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100032713A1. Автор: Hideaki Kawahara,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20120061726A1. Автор: Shigeki Takahashi,Akio Nakagawa,Norihito Tokura,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9536961B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20160172453A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device comprising insulated gate bipolar transistor (IGBT), diode, and well region

Номер патента: US11973132B2. Автор: Kota Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Reverse-Blocking IGBT Having a Reverse-Blocking Edge Termination Structure

Номер патента: US20180033627A1. Автор: Matteo Dainese,Fabio Brucchi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-01.

A transistor device

Номер патента: EP4070384A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Bipolar soi device having a tilted pn-junction, and a method for producing such a device

Номер патента: WO1997033319A1. Автор: Andrej Litwin,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 1997-09-12.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.

Bipolar transistor

Номер патента: US8330223B2. Автор: Wolfgang Ploss,Manfred Schiekofer,Klaus Schimpf,Carl David WILLIS,Michael WAITSCHULL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Bipolar transistor and semiconductor device having this bipolar transistor

Номер патента: KR970060535A. Автор: 히로키 혼다. Владелец: 미쓰비시 덴키 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-08-12.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407683A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258300A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407681A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258299A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2012075905A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-14.

Insulated Gate Bipolar Transistor Including Emitter Short Regions

Номер патента: US20140291724A1. Автор: Stephan Voss,Alexander Breymesser,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-02.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with improved thermal conductivity

Номер патента: US20230369476A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160111498A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160308036A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Insulated gate semiconductor device having shield electrode structure

Номер патента: US20140284710A1. Автор: Zia Hossain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-09-25.

Lateral trench-gate bipolar transistors

Номер патента: US5227653A. Автор: Johnny K. O. Sin. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Insulated gate type switching device

Номер патента: US20160064550A1. Автор: Yasuhiro Ebihara,Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Silicon carbide insulated gate semiconductor element and method for producing same

Номер патента: EP2538444A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

High-Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20120007176A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-12.

High Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20130009252A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-10.

High voltage bipolar transistor with trench field plate

Номер патента: US9112021B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-18.

Lateral insulated gate turn-off devices

Номер патента: US20140240025A1. Автор: Richard A. Blanchard,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240063293A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Transistor arrangement and method for producing a transistor with a fin structure

Номер патента: US20240128358A1. Автор: Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020115257A1. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US12027622B2. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Insulated gate type semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526B1. Автор: Hidefumi TAKAYA,Kimimori HAMADA,Kyosuke MIYAGI,Yasushi OKURA,Akira KUROYANAGI,Norihito TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Insulated gate semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526A1. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Kyosuke TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA MIYAGI,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-08-08.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20220085213A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20200365730A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of forming a gate shield in an ED-CMOS transistor and a base of a bipolar transistor using BICMOS technologies

Номер патента: US9633995B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Vertical-type metal insulator semiconductor field effect transistor device, and production method for manufacturing such transistor device

Номер патента: US20050133856A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Lateral insulated gate transistors with coupled anode and gate regions

Номер патента: CA1252225A. Автор: Sel Colak,Vladimir Rumennik. Владелец: Vladimir Rumennik. Дата публикации: 1989-04-04.

Npnp layered mos-gated trench device having lowered operating voltage

Номер патента: US20220376095A1. Автор: Vladimir Rodov,Richard A Blanchard,Paul M Moore. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device having high breakdown voltage

Номер патента: US20010015458A1. Автор: Takao Arai,Yukio Itoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Bipolar transistor and manufacturing method

Номер патента: US11798937B2. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Logic SOI structure, process and application for vertical bipolar transistor

Номер патента: US6790722B1. Автор: Russell J. Houghton,Wilbur D. Pricer,Jack A. Mandelman,Ramachandra Divakaruni,William R. Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-14.

Multiple collector lateral transistor device

Номер патента: US3579059A. Автор: Robert J Widlar. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1971-05-18.

Bipolar Semiconductor Device Having a Deep Charge-Balanced Structure

Номер патента: US20160260823A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Insulated gate bipolar transistor, power module, and household electric appliance

Номер патента: EP4024473A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US4985743A. Автор: Hiroyasu Ito,Norihito Tokura,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-15.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US6072199A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-06.

Insulated Gate Bipolar Transistor, Power Module, and Living Appliance

Номер патента: US20220238705A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9520487B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Trench gate super junction IGBT (insulated Gate Bipolar transistor) with high-resistance p-top region

Номер патента: CN112951900B. Автор: 马瑶,黄铭敏,李芸. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-04-12.

High voltage silicon carbide mos-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same

Номер патента: EP1882273A2. Автор: John W. Palmour,Mrinal K. Das,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Jason R. Jenny,Hudson McDonald Hobgood. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-30.

High voltage silicon carbide mos-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006124174A2. Автор: John W. Palmour,Mrinal K. Das,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Jason R. Jenny,Hudson McDonald Hobgood. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of making an insulated gate bipolar transistor with high-energy P+ im

Номер патента: US5843796A. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1998-12-01.

High-performance reverse-conduction field-stop (RCFS) insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9240470B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Chung-Chen Chang,Yi-Lun HSIA. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

High-performance reverse-conduction field-stop (rcfs) insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150279980A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Chung-Chen Chang,Yi-Lun HSIA. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Reverse-conducting super-junction IGBT (insulated Gate Bipolar translator) with isolated p-top region

Номер патента: CN113035939A. Автор: 胡敏,马瑶,黄铭敏. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2021-06-25.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: EP3759739A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos,Chiara CORREVASCE. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: US12068312B2. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Trench bipolar transistor

Номер патента: EP1417716A1. Автор: Petrus H. C. Magnee,Raymond J. E. Hueting,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Semiconductor device having plural insulated gate switching cells and method for designing the same

Номер патента: US20120091502A1. Автор: Masatoshi Goto,Shinichi Yataka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device having plural insulated gate switching cells and method for designing the same

Номер патента: US8530930B2. Автор: Masatoshi Goto,Shinichi Yataka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Vertical insulated gate semiconductor device with less influence from the parasitic bipolar effect

Номер патента: US5285094A. Автор: Tomoyuki Tanaka,Yasumichi Yasuda,Mutsuhiro Mori,Yasunori Nakano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-08.

Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7972928B2. Автор: Yukihiro Hisanaga. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Insulated gate transistor operable at a low-drain-source voltage

Номер патента: US5060032A. Автор: Kenji Ogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Bi-mode insulated gate transistor

Номер патента: US20170148878A1. Автор: Wenliang Zhang,Junyu Gao,Yangjun ZHU. Владелец: Jiangsu CAS IGBT Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US10312324B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Raised Extrinsic Base

Номер патента: US20140264457A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,George Talor,Gerson R. Ortuno. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Heterojuction bipolar transistor

Номер патента: US20220130960A1. Автор: Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-28.

Heterojunction semiconductor device having an intermediate layer for providing an improved junction

Номер патента: EP1443565A3. Автор: Nicolas J. Moll,Hans G. Rohdin,Dave Bour,Sung Soo Yi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-07-13.

Heterojunction semiconductor device having an intermediate layer for providing an improved junction

Номер патента: US20040149994A1. Автор: Sung Yi,Nicolas Moll,Hans G. Rohdin,Dave Bour. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Power transistor device

Номер патента: EP1048077A1. Автор: Richard J. Barker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-11-02.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040046187A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-11.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417714A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Jan W. Slotboom,Eyup Aksen,Hendrik G. A. Huizing,Doede Terpstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

FinFET device having oxide region between vertical fin structures

Номер патента: US11894275B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor And Method Of Eliminating The Transistor Tail Current

Номер патента: US20180308962A1. Автор: Junhong Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor devices having multi-channel active regions and methods of forming same

Номер патента: US11798949B2. Автор: Daewon HA,Munhyeon Kim,Soonmoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11916110B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220352319A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Isolated fin structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220285531A1. Автор: Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20210202756A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device having isolation structure to reduce current leakage

Номер патента: US20230387312A1. Автор: Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Ko-Feng Chen,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11798993B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device having nanostructure transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230361201A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin,Yoh-Rong Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014270A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices having merged source/drain features and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11705371B2. Автор: Shahaji B. More,Chih-Yu MA,Chung-Hsien Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US11961919B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: EP3084811A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20200185526A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20180358467A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US11791421B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Device isolation for field effect devices sharing a fin or a nanowire

Номер патента: EP3262682A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap,Valdimir Machkaoutsan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US20150236141A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of making a bipolar transistor with high-low emitter impurity concentration

Номер патента: US4178190A. Автор: Murray A. Polinsky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070290237A1. Автор: Akio Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Insulated gate bipolar transistor having high breakdown voltage

Номер патента: US5331184A. Автор: Masashi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Insulated gate bipolar transistor with reverse conducting current

Номер патента: US5519245A. Автор: Norihito Tokura,Naoto Okabe,Naohito Kato. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-21.

Reverse-conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20190355718A1. Автор: Keiichi Higuchi,Akihiro Osawa,Hayato Nakano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Lateral isolated gate bipolar transistor device

Номер патента: EP1442482A1. Автор: Rene P. Zingg,Johannes Van Zwol,Arnoldus J. M. Emmerik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-08-04.

Lateral islolated gate bipolar transistor device

Номер патента: US20040251498A1. Автор: Rene Zingg,Johannes Van Zwol,Arnoldus Johannes Emmerik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Methods for forming high gain tunable bipolar transistors

Номер патента: US20120264270A1. Автор: XIN Lin,Daniel J. Blomberg,Jiang-Kai Zou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-10-18.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080093623A1. Автор: Yoshinobu Kono. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor transistor device having a titled body contact area and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230246071A1. Автор: Michael Hutzler,Oliver Blank,Heimo Hofer,Li Juin Yip,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Bipolar transistor

Номер патента: US20160240634A1. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20020179933A1. Автор: Majid Hashemi,El-Badawy El-Sharawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Sige heterojunction bipolar transistor (hbt) and method of fabrication

Номер патента: US20080124882A1. Автор: Xuefeng Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Peter J. Geiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2001037349A1. Автор: El-Badawy Amien El-Sharawy,Majid M. Hashemi. Владелец: National Scientific Corporation. Дата публикации: 2001-05-25.

Bipolar transistor with graded base layer

Номер патента: WO2003088363A1. Автор: Roger E. Welser,Paul M. Deluca,Charles R. Lutz,Kevin S. Stevens. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 2003-10-23.

Bipolar transistor for use in linear amplifiers

Номер патента: WO1996010844A1. Автор: Pablo E. D'Anna,William H. Mccalpin,Rickey C. Wong. Владелец: Spectrian, Inc.. Дата публикации: 1996-04-11.

Bipolar transistor having sinker diffusion under a trench

Номер патента: EP3017477A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Semiconductor device having a heterojunction and a two dimensional gas as an active layer

Номер патента: US5381027A. Автор: Susumu Takahashi,Masao Yamane,Toshiyuki Usagawa,Katsuhiko Mitani,Yoshinori Imamura,Shigeo Goto,Tomonori Tanoue,Kenji Hiruma,Masahiko Kawata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-01-10.

Bipolar transistor for avoiding thermal runaway

Номер патента: EP1527482A1. Автор: Kazuo Uchida,Shuichi Kato,Kazuhiko Honjo,Shinji Nozaki,Hiroshi Morisaki,Takahisa 402 ICHINOHE. Владелец: Nanoteco Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

Bipolar transistor having recessed and rounded surface and its manufacturing method

Номер патента: US20010022386A1. Автор: Akira Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Self-aligned lateral heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050101096A1. Автор: JIA Zheng,JIAN Li,Purakh Verma,Lap Chan,Shao-Fu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Transistor device and method of manufacturing such a transistor device

Номер патента: EP2122687A1. Автор: Gilberto Curatola,Sebastien Nuttinck. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-25.

Bipolar transistor with lattice matched base layer

Номер патента: WO2002043155A9. Автор: Noren Pan,Roger E Welser,Paul M Deluca. Владелец: Paul M Deluca. Дата публикации: 2003-08-14.

Transistor having a narrow in-substrate collector region for reduced base-collector junction capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130214275A1. Автор: James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Methods of manufacturing a transistor device

Номер патента: WO2020074930A1. Автор: David Summerland. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Bipolar transistor

Номер патента: US20040075108A1. Автор: Kazuhiro Arai,Yasuyuki Toyoda,Yorito Ota,Shinichi Sonetaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Finfet devices with a fin top hardmask

Номер патента: US20190355827A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor switch devices having a region with three distinct zones and their manufacture

Номер патента: US20010054747A1. Автор: Holger Schligtenhorst,Godefridus A.M. Hurkx,Andrew M. Warwick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Active and dummy fin structures

Номер патента: US20210234034A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Yanping SHEN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having a vertical insulated gate field effect device and a breakdown region remote from the gate

Номер патента: US5656843A. Автор: Andrew L. Goodyear,Keith M. Hutchings. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20180166436A1. Автор: Shigeki Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device having a fin structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022262A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Thin-film dual gate, common channel semiconductor device having a single first gate and a multi-gate second gate structure

Номер патента: US5955765A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Vertical-conduction silicon carbide mosfet device having improved gate biasing structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20220262913A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-08-18.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Insulated gate transistor having reduced channel length

Номер патента: US4660062A. Автор: Tadahiro Ohmi,Junichi Nishizawa. Владелец: HANDOTAI KENKYU SHINKOKAI KAWAUCHI SENDAI-SHI. Дата публикации: 1987-04-21.

Insulated gate type semiconductor device

Номер патента: US9627248B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Insulated gate type semiconductor device

Номер патента: WO2015145939A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-10-01.

Insulated gate semiconductor device and method of fabricating

Номер патента: US5510648A. Автор: Juan Buxo,Robert B. Davies,Peter J. Zdebel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-04-23.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor structure having a fin structure

Номер патента: US20230197809A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Insulated-gate field-effect transistor (IGFET) with injector zone

Номер патента: US4543596A. Автор: Helmut Strack,Jeno Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-09-24.

Semiconductor device with an insulated gate, method for manufacturing the same and power module comprising the same

Номер патента: WO2022200060A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Lateral thin-film soi device having a lateral drift region and method of making such a device

Номер патента: EP1147561A1. Автор: Mark Simpson,Theodore Letavic,Richard Egloff,Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-24.

Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor DMOS

Номер патента: US4920064A. Автор: Kenneth R. Whight. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1745517A2. Автор: Hidefumi; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKAYA,Yasushi; c/o DENSO CORPORATION OKURA,Akira; c/o DENSO CORPORATION KUROYANAGI,Norihito; c/o DENSO CORPORATION TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Bipolar transistor compatible with vertical fet fabrication

Номер патента: US20180090485A1. Автор: Kangguo Cheng,Brent A. Anderson,Tak H. Ning,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Bipolar transistor compatible with vertical FET fabrication

Номер патента: US9929145B1. Автор: Kangguo Cheng,Brent A. Anderson,Tak H. Ning,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Insulated-gate field-effect transistor structure and method

Номер патента: US5716861A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Semiconductor device having gate-all-around transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160013309A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for forming a semiconductor device having a fin and structure thereof

Номер патента: WO2007127533A2. Автор: Marius K. Orlowski. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US20190097035A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US10727343B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Method for fabricating finfet devices having gate spacers on field insulating layers

Номер патента: US20200243398A1. Автор: Jae Mun Kim,Tae Ho Cha,Gun Ho JO,Dae Joung Kim,Moon Han PARK,Jae Jong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271330A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203340A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220045059A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Manufucturing method of packaging structure for bipolar transistor with constricted bumps

Номер патента: US20230307400A1. Автор: Ryoichi Kato,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of fabricating a semiconductor device having a toroidal-like junction

Номер патента: US7338875B2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Trench insulated gate bipolar transistor packaging structure and method for manufacturing the trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US11688698B2. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device having diode-built-in IGBT and semiconductor device having diode-built-in DMOS

Номер патента: US9184158B2. Автор: Kenji Kouno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Trench Insulated Gate Bipolar Transistor Packaging Structure and Method for Manufacturing the Trench Insulated Gate Bipolar Transistor

Номер патента: US20210249362A1. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2021-08-12.

High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter

Номер патента: EP2438611A2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-04-11.

High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter

Номер патента: WO2010141237A2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2010-12-09.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2020230456A1. Автор: Masanori Miyata,Masaru Senoo,Shuji Yoneda,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Shorted anode lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US5773852A. Автор: Byeong-Hoon Lee,Min-Koo Han,Moo-Sup Lim,Yearn-Ik Choi,Jung-Eon Park,Won-Oh Lee. Владелец: Korea Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-30.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Insulated gate bipolar transistor for zero-voltage switching

Номер патента: WO2000035022A1. Автор: Michael Joseph Schutten,Ahmed Elasser. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2000-06-15.

Fin structures

Номер патента: US20230411168A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Huicheng Chang,Tz-Shian Chen,Chun-Yang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical conduction electronic power device having a reduced on resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US12046655B2. Автор: Marco Morelli,Davide Giuseppe Patti,Mario Giovanni Scurati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of reducing the current gain of an inherent bipolar transistor in an insulated-gate semiconductor device and resulting devices

Номер патента: US4620211A. Автор: Victor A. K. Temple,Bantval J. Baliga,Tat-Sing P. Chow. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-10-28.

Fin structure for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US11749744B2. Автор: LAN Yu,Dechao Guo,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20230352569A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Insulated gate turn-off device with turn-off schottky-barrier mosfet

Номер патента: US20180026121A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Insulated gate type semiconductor device having built-in protection circuit

Номер патента: US5719420A. Автор: Yoshitaka Sugawara,Yasuhiko Kohno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Heterojunction bipolar transistor and method of making the same

Номер патента: US20220093774A1. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Insulated gate semiconductor device having trench gate and inverter provided with the same

Номер патента: US5828100A. Автор: Yutaka Kobayashi,Akihiko Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor memory devices having an undercut source/drain region

Номер патента: US20180197867A1. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Insulated gate semiconductor device having an elevated plateau like portion

Номер патента: US5319231A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Norihiko Seo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-07.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Multi-Layer Fin Structure

Номер патента: US20210066457A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161453A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Power device having monolithic cascode structure and integrated zener diode

Номер патента: WO2007006502A1. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2007-01-18.

Damage-resistant fin structures and finfet cmos

Номер патента: US20160293736A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161454A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US11380778B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Insulated gate type transistors

Номер патента: US4458261A. Автор: Yasuhisa Omura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1984-07-03.

Insulated gate type transistors

Номер патента: CA1158365A. Автор: Yasuhisa Omura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1983-12-06.

Insulated gate turn-off device with designated breakdown areas between gate trenches

Номер патента: US20200312988A1. Автор: Richard A. Blanchard,Paul M. Moore,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of doping fin structures of non-planar transistor devices

Номер патента: US20180254320A1. Автор: Szuya S. LIAO,Aaron D. Lilak,Cory E. Weber,Aaron A. Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Vertical conduction electronic power device having a reduced on resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20210242323A1. Автор: Marco Morelli,Davide Giuseppe Patti,Mario Giovanni Scurati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-05.

Methods of doping fin structures of non-planar transistor devices

Номер патента: US20190267448A1. Автор: Szuya S. LIAO,Aaron D. Lilak,Cory E. Weber,Aaron A. Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4316203A. Автор: Ryoiku Tohgei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Methods of protecting semiconductor materials in the active region of a transistor device and the resulting transistor device

Номер патента: US20210399126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Judson R. Holt,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: US20210083066A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

FinFET device having flat-top epitaxial features and method of making the same

Номер патента: US11769771B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US20230006055A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20160308055A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Complementary silicon-on-insulator lateral insulated gate rectifiers

Номер патента: AU8283287A. Автор: Not Given Name. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-06-23.

Heterojunction bipolar transistor having wide bandgap material in collector

Номер патента: US20040065898A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Bidirectional insulated-gate rectifier structures and method of operation

Номер патента: CA1200322A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-02-04.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: US20040065897A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Nanlei Wang,Barry Lin,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Hybrid insulated gate multi-structure and multi-material transistor

Номер патента: GB2583197A. Автор: Daddi Valentina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-21.

Hybrid insulated gate multi-structure and multi-material transistor

Номер патента: WO2019082220A1. Автор: Valentina Daddi. Владелец: Daddi Valentina. Дата публикации: 2019-05-02.

Hybrid insulated gate multi-structure and multi-material transistor

Номер патента: GB2583197A8. Автор: Daddi Valentina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-18.

Methods for forming FinFETS having a capping layer for reducing punch through leakage

Номер патента: US9312183B1. Автор: Hoon Kim,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Vertical field-effect transistor including a fin having sidewalls with a tapered bottom profile

Номер патента: US20190326435A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Heng Wu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200058767A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Shielded field-effect transistor devices

Номер патента: US5187552A. Автор: Thomas E. Hendrickson,Ronald G. Koelsch. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-02-16.

High breakdown voltage wide band-gap mos-gated bipolar junction transistors with avalanche capability

Номер патента: EP2454756A2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-05-23.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Epitaxial block layer for a fin field effect transistor device

Номер патента: US9508850B2. Автор: Qi Zhang,Richard J. Carter,Zhenyu Hu,Andy Wei,Sruthi Muralidharan,Amy L. Child. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4411830A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Process for manufacturing a power electronic device having a current spreading layer

Номер патента: US20240297043A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA,Massimo Boscaglia,Alfio Guarnera,Mario Pietro BERTOLINI,Massimiliano CANTIANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Process for manufacturing a power electronic device having a current spreading layer

Номер патента: EP4425562A2. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA,Massimo Boscaglia,Alfio Guarnera,Mario Pietro BERTOLINI,Massimiliano CANTIANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Heterostructure bipolar transistor

Номер патента: CA1318418C. Автор: Young-Kai Chen,Morton Panish,Richard Norman Nottenburg,Anthony Frederic John Levi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: EP4160655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-05.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: US20230094592A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for manufacturing a transistor device having an improved breakdown voltage and a method for manufacturing an integrated circuit using the same

Номер патента: US20080057654A1. Автор: Jihong Chen,Amitabh Jain,Srinivasan Chakravarthi,Eddie H. Breashears. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Power device having lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11646364B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-05-09.

Power device including lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11876093B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-16.

FINFET transistor having a doped sub fin structure to reduce channel to substrate leakage

Номер патента: US11670682B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Method of manufacturing an insulated gate type semiconductor device having a U-shaped groove

Номер патента: US6194273B1. Автор: Naoki Matsuura,Hiroyasu Enjo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

IGBT Power Semiconductor Package Having a Conductive Clip

Номер патента: US20120223415A1. Автор: Hsueh-Rong Chang. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-09-06.

Insulated gate bipolar transistor fault protection system

Номер патента: US7817392B2. Автор: Bum-Seok Suh,Dae-woong Chung,Jun-bae Lee. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Insulated gate field effect semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20010050401A1. Автор: Yukio Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

FINFET Device Having A Channel Defined In A Diamond-Like Shape Semiconductor Structure

Номер патента: US20150011068A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

FINFET Device Having A Channel Defined In A Diamond-Like Shape Semiconductor Structure

Номер патента: US20190115453A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

FINFET Device Having a Channel Defined in a Diamond-Like Shape Semiconductor Structure

Номер патента: US20210036131A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

FINFET Device Having a Channel Defined in a Diamond-Like Shape Semiconductor Structure

Номер патента: US20170069736A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

FINFET device having a channel defined in a diamond-like shape semiconductor structure

Номер патента: US9502539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Finfet Device Having A Channel Defined In A Diamond-Like Shape Semiconductor Structure

Номер патента: US20230060423A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

FinFET device having a channel defined in a diamond-like shape semiconductor structure

Номер патента: US10164062B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor device having a corner spacer

Номер патента: US11769821B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20010013635A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Transistor device

Номер патента: US20130009212A1. Автор: Takeshi Meguro,Yoshihiko Moriya,Jiro Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Methods for forming fin structures with desired profile for 3d structure semiconductor applications

Номер патента: US20170352726A1. Автор: Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Jie Zhou,Ellie Y. Yieh,Zhong Qiang Hua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Insulated gate field effect semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US6259141B1. Автор: Yukio Yamauchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Fin Structure of Semiconductor Device

Номер патента: US20150311111A1. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee,Chung-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Bipolar transistor, semiconductor device having bipolar transistors

Номер патента: US5847440A. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device including fin structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11195913B2. Автор: Chung-Te Lin,Mark Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Techniques for forming gate structures for transistors arranged in a stacked configuration on a single fin structure

Номер патента: US20200006331A1. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Stephanie A. BOJARSKI,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Insulated gate semiconductor device having field shaping regions

Номер патента: EP1208602A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-29.

A transistor device with metallic electrodes and a method for use in forming such a device

Номер патента: EP1647047A2. Автор: John Christopher Rudin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-19.

Semiconductor device having MOS transistors and bipolar transistors on a single semiconductor substrate

Номер патента: US6924534B2. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Insulated-gate field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: CA1150853A. Автор: Royce Lowis,Peter M. Tunbridge. Владелец: Peter M. Tunbridge. Дата публикации: 1983-07-26.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20200295189A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Inp heterojunction bipolar transistor with intentionally compressivley missmatched base layer

Номер патента: WO2002103803A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Epiworks, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20020048892A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Epitaxial fin structures of finfet having an epitaxial buffer region and an epitaxial capping region

Номер патента: US20240088266A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Epitaxial fin structures of finFET having an epitaxial buffer region and an epitaxial capping region

Номер патента: US11888046B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device comprising an insulated gate field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: USRE30251E. Автор: Else Kooi. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1980-04-08.

Gated Bipolar Junction Transistors, Memory Arrays, and Methods of Forming Gated Bipolar Junction Transistors

Номер патента: US20190296016A1. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta,Scott T. Robins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for controlling transistor delay of nanowire or nanosheet transistor devices

Номер патента: WO2019112954A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Anton J. DeVillers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1187218A3. Автор: Takeshi Takagi,Kenji Toyoda,Minoru Kubo,Koichiro Yuki,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-12.

Semiconductor device having the effect that the drop in the current gain is kept to the minimum, when the substrate density is amplified and that the variation in the collector current is improved

Номер патента: US20010052634A1. Автор: Takasuke Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having controlled final metal critical dimension

Номер патента: US20140273389A1. Автор: Nam Sung Kim,Baofu ZHU,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US11935937B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Dual Channel Gate All Around Transistor Device and Fabrication Methods Thereof

Номер патента: US20230386936A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Wei-Sheng Yun,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Dual channel gate all around transistor device and fabrication methods thereof

Номер патента: US11721594B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Wei-Sheng Yun,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240213347A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240297237A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US11942531B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Insulated gate static induction transistor and integrated circuit including same

Номер патента: US4994872A. Автор: Tadahiro Ohmi,Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1991-02-19.

Fast switching power insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1586120A2. Автор: Ocker Cornelis De Jager,Barend Visser. Владелец: NORTH WEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2005-10-19.

Fast switching power insulated gate semiconductor device

Номер патента: WO2004066395A3. Автор: Barend Visser,Jager Ocker Cornelis De. Владелец: Jager Ocker Cornelis De. Дата публикации: 2004-09-02.

Insulated-gate field-effect devices

Номер патента: GB2156580A. Автор: Dr David James Coe. Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-09.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Fabrication methods of insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20200083348A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180233576A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230395706A1. Автор: Takuya Yamada,Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10505012B2. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: WO2019217022A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-11-14.

Finfet devices having a material formed on reduced source/drain region

Номер патента: US20170229559A1. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

FinFET device having a material formed on reduced source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US9673325B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabricating fin structure for fin field effect transistor

Номер патента: US20230135072A1. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20210313443A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Structure and method for SRAM FinFET device having an oxide feature

Номер патента: US11889674B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US20240292590A1. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US11791215B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20220375794A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20230369121A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US20160300923A1. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Fin field effect transistors having a nitride containing spacer to reduce lateral growth of epitaxially deposited semiconductor materials

Номер патента: US20140264387A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for manufacturing a high-voltage FinFET device having LDMOS structure

Номер патента: US10103248B2. Автор: Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Method for manufacturing a high-voltage finfet device having ldmos structure

Номер патента: US20170207322A1. Автор: Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US9614061B2. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US9385220B2. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for fabricating fin structure for fin field effect transistor

Номер патента: US11862727B2. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200161468A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Fin structure and method of forming the same

Номер патента: US9530868B2. Автор: An-Chi Liu,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US20190288064A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method for Forming Fin Structure in Fin Field Effect Transistor Process and Fin Structure

Номер патента: US20230170225A1. Автор: Xiaobo Guo. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method

Номер патента: US5313077A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-17.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200286857A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Process for fabricating a self-aligned deposited source/drain insulated gate field-effect transistor

Номер патента: EP1787320A2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp,Paul A. Clifton,Carl A. Faulkner. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor memory devices having an undercut source/drain region

Номер патента: US20190198503A1. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor memory devices having an undercut source/drain region

Номер патента: US10157927B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210126129A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

High-voltage lateral mosfet soi device having a semiconductor linkup region

Номер патента: WO1997038447A2. Автор: Steven L. Merchant. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-10-16.

Method of manufacturing semiconductor structure having a fin feature

Номер патента: US20230197832A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing semiconductor structure having a fin feature

Номер патента: US11978785B2. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

Method for fabricating semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US20160276458A1. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US11968817B2. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Finfet device having a high germanium content fin structure and method of making same

Номер патента: US20160293638A1. Автор: Qing Liu,Bruce Doris,Gauri Karve. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor die with a vertical power transistor device

Номер патента: EP4341990A1. Автор: Thomas Feil,Till Schloesser,Timothy Henson,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor Die with a Vertical Power Transistor Device

Номер патента: US20240243130A1. Автор: Till Schlosser,Timothy Henson,Andreas Peter Meiser,Thomas Martin Feil. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Insulated-gate semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010053561A1. Автор: Takeshi Uenoyama,Kunimasa Takahashi,Masao Uchida,Makoto Kitabatake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Insulated gate thyristor

Номер патента: US5684306A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-04.

Gate device over strained fin structure

Номер патента: US10381270B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of forming a fin under a gate structure

Номер патента: US10937699B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Method of forming a fin under a gate structure

Номер патента: US20190267290A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Ferroelectric field-effect transistor devices having a top gate and a bottom gate

Номер патента: US20210175238A1. Автор: Kaan OGUZ,Kevin P. O'brien,Ricky J. TSENG,Brain S. DOYLE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-03.

Fin structures of finfet devices

Номер патента: US20210091222A1. Автор: Wei Ma,Bingwu Liu,George Robert MULFINGER,Tao Chu,Anton Vadimovich Tokranov,Edmund Kenneth Banghart,Tyler James Sherwood. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Vertical junctionless transistor devices

Номер патента: US20170236945A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Planar metrology pad adjacent a set of fins of a fin field effect transistor device

Номер патента: US20150123212A1. Автор: Xiang Hu,Sipeng Gu,Alok Vaid,Akshey Sehgal,Lokesh Subramany. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device with improved insulated gate

Номер патента: WO2016108998A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079398A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Wide band gap transistor with nanolaminated insulating gate strutcture and process for manufacturing a wide band gap transistor

Номер патента: EP4220734A1. Автор: Ferdinando Iucolano,Raffaella LO NIGRO,Fabrizio Roccaforte,Emanuela SCHILIRO'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device with improved insulated gate

Номер патента: EP3216047A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Method of fabricating a vertical quadruple conduction channel insulated gate transistor, and an integrated circuit including this kind of transistor

Номер патента: US20020163027A1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-11-07.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180342480A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device with fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US10998427B2. Автор: Chia-Wei Chang,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Fin structure for increasing performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US20230345733A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Fin structure for fin field effect transistor and method for fabrication the same

Номер патента: US20220052199A1. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device having fin-type channel and method for forming the same

Номер патента: US9147766B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Insulated-gate FET on an SOI-structure

Номер патента: US5264721A. Автор: Hiroshi Gotou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-11-23.

Manufacturing method of a resistance device having a fin

Номер патента: US10522613B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device having an offset source/drain feature and method of fabricating thereof

Номер патента: US20220115387A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US10672869B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Methods of forming semiconductor devices including fin structures and related devices

Номер патента: US7205609B2. Автор: Yong-Hoon Son,Deok-Hyung Lee,Si-Young Choi,Byeong-Chan Lee,In-Soo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-17.

Method of producing insulated gate MOSFET employing polysilicon mask

Номер патента: US4914047A. Автор: Yasukazu Seki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-03.

Fin Structures with Damage-Free Sidewalls for Multi-Gate Mosfets

Номер патента: US20130196488A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

A semiconductor device comprising a low voltage insulated gate field effect transistor connected in series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: SE1850300A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: Klas Haakan Eklund Med Firma K Eklund Innovation. Дата публикации: 2019-09-17.

Vertical fin field effect transistor devices with reduced top source/drain variability and lower resistance

Номер патента: US20200091317A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12040233B2. Автор: Meng-Chun Chang,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Hao Chiang,Hong-Jie Yang,Meng Jhe Tsai,Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240258428A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210119034A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240282641A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical fin field effect transistor devices with reduced top source/drain variability and lower resistance

Номер патента: US11978783B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Fin field-effect transistor device with composite liner for the Fin

Номер патента: US11894464B2. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148216A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for enlarging tip portion of a fin-shaped structure

Номер патента: US11876095B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Fin Field-Effect Transistor Device with Composite Liner for the Fin

Номер патента: US20240178321A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device having epitaxy source/drain regions

Номер патента: US20240203987A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Vertical fin field effect transistor device with reduced gate variation and reduced capacitance

Номер патента: US20200013879A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of manufacturing an integrated circuit device including a fin-type active region

Номер патента: US12015063B2. Автор: Kye-Hyun Baek,Jin-Wook Lee,Hong-bae Park,Chang-yeon LEE,Min-Chan GWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for making high voltage integrated circuit devices in a fin-type process and resulting devices

Номер патента: US20160111422A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160013186A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device including superlattice sige/si fin structure

Номер патента: WO2015114482A1. Автор: Yeh Chun-chen,Basker Veeraraghavan,Tenko Yamashita. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2015-08-06.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US11908920B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device having a conductive contact in direct contact with an upper surface and a sidewall of a gate metal layer

Номер патента: US11855217B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Switching device having gate stack with low oxide growth

Номер патента: EP3732726A2. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Fin Field-Effect Transistor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210159122A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Hung Chen,Chien-Wei Lee,Wen-Chu Hsiao,Che-Yu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210125833A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210134982A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240154025A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20200176319A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Hung Chen,Chien-Wei Lee,Wen-Chu Hsiao,Che-Yu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device having a double deep well and method of manufacturing same

Номер патента: US20150162198A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Hemt device having improved on-state performance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240304710A1. Автор: Aurore Constant,Ferdinando Iucolano,Cristina Tringali,Maria Eloisa CASTAGNA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Hemt device having improved on-state performance and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4428930A1. Автор: Aurore Constant,Ferdinando Iucolano,Cristina Tringali,Maria Eloisa CASTAGNA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-11.

Silicon controlled rectifier having a longitudinal fin and method of using the same

Номер патента: WO2013131908A1. Автор: Harald Gossner,Christian Russ,Mayank SHRINAVISTA. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin field effect transistor (FinFET) device having position-dependent heat generation

Номер патента: US12046638B2. Автор: Sheng-Feng Liu,Jiaw-Ren Shih,Chun-Wei Chang,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure

Номер патента: US20090085108A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Lateral thin-film silicon-on-insulator (soi) device having multiple doping profile slopes in the drift region

Номер патента: WO2000031776A3. Автор: Mark Simpson,Theodore Letavic. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2000-09-08.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200235097A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device having an inverse-T bipolar transistor

Номер патента: US5194926A. Автор: James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Insulating gate separation structure for transistor devices

Номер патента: US20200135473A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Chanro Park,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit devices having buried word lines therein

Номер патента: US11889681B2. Автор: Yoosang Hwang,Taehoon Kim,Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit devices having buried word lines therein and methods of forming the same

Номер патента: US20240114676A1. Автор: Yoosang Hwang,Taehoon Kim,Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device having fin structure

Номер патента: US11908851B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Shun-Li Chen,Pin-Dai Sue,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device having fin structure

Номер патента: US20240153940A1. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Shun-Li Chen,Pin-Dai Sue,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Insulated gate field effect device with a smoothly curved depletion boundary in the vicinity of the channel-free zone

Номер патента: US5248893A. Автор: Shinichi Sakamoto. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US20230317804A1. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US12068379B2. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Group iii nitride-based transistor device having a conductive redistribution structure

Номер патента: US20240258382A1. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Transistor devices and methods of forming a transistor device

Номер патента: US20210335778A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Group III-Nitride-Based Enhancement Mode Transistor Having a Multi-Heterojunction Fin Structure

Номер патента: US20160247905A1. Автор: Prechtl Gerhard,Häberlen Oliver,Ostermaier Clemens. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Electric Assembly Including an Insulated Gate Bipolar Transistor Device and a Wide-Bandgap Transistor Device

Номер патента: US20170366180A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1189637A. Автор: Yoshio Sakai,Tsuneo Funabashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-06-25.

Insulated gate field effect transistor with source field shield extending over multiple region channel

Номер патента: US4172260A. Автор: Isao Yoshida,Mineo Katsueda,Takeaki Okabe,Shikayuki Ochi,Yukio Shirota,Hidefumi Itoh,Masatomo Furumi,Toru Toyabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-23.

Method of forming a fin-like bjt

Номер патента: US20150236116A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Chih-Sheng Chang,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

A fin structure employing self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: GB2496964B. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-20.

Field-effect transistor structure with an insulated gate

Номер патента: US20010041399A1. Автор: Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-15.

A fin structure employing self-aligned carbon nanotubes

Номер патента: GB201220281D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US10957783B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Hybrid Nanostructure and Fin Structure Device

Номер патента: US20210074841A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Hybrid Nanostructure and Fin Structure Device

Номер патента: US20230145984A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of making bipolar transistor

Номер патента: US20200312957A1. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1181532A. Автор: Hideo Sunami,Hiroo Masuda,Yoshiaki Kamigaki,Eiji Takeda,Katsuhiro Shimohigashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-01-22.

A novel transistor device

Номер патента: US20240021712A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Local interconnects for field effect transistor devices

Номер патента: US20140117453A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Contact resistance reduction in transistor devices with metallization on both sides

Номер патента: EP3930003A1. Автор: Gilbert Dewey,Mauro Kobrinsky,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ehren Mannebach,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Top-Down Fabrication Method for Forming a Nanowire Transistor Device

Номер патента: US20150053925A1. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of fabricating fin-type field-effect transistor device having substrate with heavy doped and light doped regions

Номер патента: US20230326803A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Fin-type field-effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043792A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin-type field-effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219773A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160218217A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Insulating gate field effect semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6018182A. Автор: Narihiro Morosawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Integrated circuit devices including insulated-gate transistor device having two separately biasable gates

Номер патента: US5677550A. Автор: Michael John Lee. Владелец: British Technology Group Ltd. Дата публикации: 1997-10-14.

Semiconductor device for recessed fin structure having rounded corners

Номер патента: US11855222B2. Автор: Po-Chi WU,Yueh-Chun Lai,Cheng-Yen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

A semiconductor device for recessed fin structure having rounded corners

Номер патента: US20240088297A1. Автор: Po-Chi WU,Yueh-Chun Lai,Cheng-Yen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing semiconductor devices having different gate dielectric thickness within one transistor

Номер патента: US11424165B2. Автор: Tung-Wen CHENG,Jen-Chun CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170162696A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Bipolar transistor that can be fabricated in cmos

Номер патента: WO2001050537A1. Автор: Robert Patti. Владелец: Robert Patti. Дата публикации: 2001-07-12.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210226057A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Sung-Li Wang,Fang-Wei Lee,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Jung-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device having fin-type pattern with varying widths along a center vertical line thereof

Номер патента: US11956937B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory type insulating gate field effect semiconductor device

Номер патента: CA1094221A. Автор: Kenichi Inoue,Takashi Shimada,Jiro Yamaguchi,Takaji Ohtsu,Hidenobu Mochizuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1981-01-20.

Electronic circuit with a transistor device and a protection circuit

Номер патента: US20240250678A1. Автор: Gerhard Thomas Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4287526A. Автор: Hiraku Sakuma. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-09-01.

Ultra-thin fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11862683B2. Автор: Sherry Li,Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device having an upper epitaxial layer contacting two lower epitaxial layers

Номер патента: US11798941B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Ultra-Thin Fin Structure

Номер патента: US20210313428A1. Автор: Sherry Li,Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Ultra-thin fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20230378271A1. Автор: Sherry Li,Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Insulated gate thyristor

Номер патента: US5637888A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-10.

Fin structure for vertical field effect transistor having two-dimensional shape in plan view

Номер патента: US20200403086A1. Автор: Ki Il Kim,Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor memory device having a field effect transistor with a channel formed from a polycrystalline silicon film

Номер патента: US5298764A. Автор: Takashi Hashimoto,Naotaka Hashimoto,Toshiaki Yamanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-03-29.

Insulated gate turn-off device with short channel pmos transistor

Номер патента: US20240088226A1. Автор: Hidenori Akiyama,Paul M Moore. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180254347A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Fin Field-Effect Transistor Device Having Contact Plugs with Re-Entrant Profile

Номер патента: US20240145597A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Guan-Ren Wang,Yun-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Fin field-effect transistor device having contact plugs with re-entrant profile

Номер патента: US11916147B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Guan-Ren Wang,Yun-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of forming an integrated circuit device having a contact capping layer

Номер патента: US11955531B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Jin-Wook Lee,Dong-hyun Roh,Dae-Young Kwak,Min-Chan GWAK,Ji-ye Kim,Jung-Hwan Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Electronic circuit with a transistor device and a protection circuit

Номер патента: EP4407871A1. Автор: Gerhard Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Insulated gate field effect semiconductor device

Номер патента: US5744818A. Автор: Shunpei Yamazaki,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 1998-04-28.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor having increased manufacturabily and related structure

Номер патента: WO2004107409B1. Автор: Amol Kalburge,Kenneth Ring,Kevin Q Yin. Владелец: Newport Fab Dba Jazz Semicond. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor having increased manufacturabily and related structure

Номер патента: WO2004107409A3. Автор: Amol Kalburge,Kenneth Ring,Kevin Q Yin. Владелец: Newport Fab Dba Jazz Semicond. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

Номер патента: EP1535322A1. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

Номер патента: EP1535322A4. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2008-07-23.

Devices having transition metal dichalcogenide layers with different thicknesses and methods of manufacture

Номер патента: US20170098717A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh,Chao Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Insulated gate bipolar field-effect transistor, group, and power converter

Номер патента: US20220254907A1. Автор: Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Huiling ZUO,Loucheng DAI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device

Номер патента: US20230275576A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180069107A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

MAGNETOELECTRIC BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: RU210255U1. Автор: Сергей Николаевич Иванов,Геннадий Алексеевич Семенов,Виктор Сергеевич Леонтьев,Дмитрий Александрович Петров,Мирза Имамович Бичурин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2022-04-04.

Semiconductor device having planar transistor and finfet

Номер патента: US20210043517A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Kuang-Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Insulating gate separation structure

Номер патента: US20190244865A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu,Yue Zhong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device having planar transistor and finfet

Номер патента: US20200091004A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Kuang-Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate charge neutralization for insulated gate field- effect transistors

Номер патента: CA1111572A. Автор: Tak H. Ning,Carlton M. Osburn,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Method for manufacturing ion implanted insulated gate field effect semiconductor transistor devices

Номер патента: US3852120A. Автор: W Johnson,S Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-12-03.

Method of making a high conductivity p-plus region for self-aligned, shallow diffused, bipolar transistors

Номер патента: US5416032A. Автор: William P. Imhauser. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Structure and method of forming fin device having improved fin liner

Номер патента: US20190304841A1. Автор: Sony Varghese,Jae Young Lee,Min Gyu Sung,Johannes Van Meer,Naushad K. Variam. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device having fin-shaped structure and bump

Номер патента: US20180211960A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Structure and method of forming fin device having improved fin liner

Номер патента: US20200135573A1. Автор: Sony Varghese,Jae Young Lee,Min Gyu Sung,Johannes Van Meer,Naushad K. Variam. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of forming transistor device having fin cut regions

Номер патента: US20190273011A1. Автор: Sony Varghese,Jun Lee,Jae Young Lee,Min Gyu Sung,Johannes Van Meer,Naushad K. Variam. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Germanium-Silicon-Tin (GeSiSn) Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20230031642A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device having dislocation loop located within boundary created by source/drain regions and method of manufacture

Номер патента: WO2006081287A3. Автор: Jihong Chen,Kaiping Liu,Amitabh Jain,Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Владелец: Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor device having a planarized structure and the method for producing the same

Номер патента: US20040048464A1. Автор: Yoo-Jeong Park. Владелец: Auk Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit including an insulating gate type semiconductor transistor

Номер патента: US4011653A. Автор: Norio Kobayashi,Taketoshi Kato. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-03-15.

Method of manufacturing an insulated gate type field effect semiconductor device

Номер патента: US4039358A. Автор: Motohiro Kitajima,Yoshihiko Nakagawa. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 1977-08-02.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Direct growth of lateral iii-v bipolar transistor on silicon substrate

Номер патента: US20210249521A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Fin structure formation including partial spacer removal

Номер патента: US8741701B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20150024570A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: WO2011008359A2. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-01-20.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20110278570A1. Автор: Ramana Murty Malladi,James Albert Slinkman,Alvin Jose Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Bipolar junction transistor device having base epitaxy region on etched opening in darc layer

Номер патента: US20170309618A9. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Device having hybrid cell regions and method of manufacturing same

Номер патента: US20240274592A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Kuang-Ching CHANG,Jia-Hong Gao,Han-Chung Chang,Po-Chih Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Self-aligned process for providing an improved high performance bipolar transistor

Номер патента: US4318751A. Автор: Cheng T. Horng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-09.

Vertical bipolar transistor device

Номер патента: US20220037537A1. Автор: Che-Hao Chuang,Chih-Ting Yeh,Sung-Chih Huang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Substrates of semiconductor devices having varying thicknesses of semiconductor layers

Номер патента: US20240063225A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Shafiullah Syed,Jianwei PENG,Man Gu,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Insulated gate field effect transistor having vertically layered elevated source/drain structure

Номер патента: US5235203A. Автор: Carlos Mazure,Marius Orlowski,Matthew S. Noell. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-08-10.

Fabrication of an insulated gate field effect transistor device

Номер патента: US3724065A. Автор: L Hall,B Carbajal,W Gosney. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1973-04-03.

Method of producing low threshold complementary insulated gate field effect devices

Номер патента: US3759763A. Автор: R Wang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-09-18.

Insulated gate thin film transistor with amorphous or microcrystalline semiconductor film

Номер патента: US5340999A. Автор: Makoto Takeda,Tadanori Hishida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

Semiconductor device having high dielectric constant gate insulating layer and its manufacture method

Номер патента: US20060172498A1. Автор: Kazuto Ikeda,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata,Tsunehisa Sakoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Insulating gate algan/gan hemt

Номер патента: CA2454269C. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-07-07.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory array

Номер патента: CA1067208A. Автор: Antony G. Bell. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US20160293603A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US20160293611A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US9859280B2. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US12080331B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Duane R. Mills,Alessandro Calderoni,Richard E Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Integrated circuit including transistors having a common base

Номер патента: US11882707B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: Stmicroelectro Rousset Sas. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated circuit including transistors having a common base

Номер патента: US20190312087A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit including transistors having a common base

Номер патента: US20220115441A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit including transistors having a common base

Номер патента: US11211428B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-12-28.

Integrated logic circuit having insulated gate field effect transistors

Номер патента: US4695865A. Автор: Kornelis J. Wagenaar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-09-22.

Microelectronic devices having features with a fin portion of different sidewall slope than a lower portion, and related methods and electronic systems

Номер патента: US11877434B2. Автор: Yan Li,Song Guo,Mohd Kamran Akhtar,Alex J. Schrinsky. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory devices having a carbon nanotube

Номер патента: US20090289322A1. Автор: Xiaofeng Wang,Dong-Woo Kim,Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Seong-ho Moon,Subramanya Mayya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Magnetic devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150061059A1. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Whankyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US20140368232A1. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865A. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-15.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US20230245946A1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-08-03.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865B1. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-23.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US11699633B1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-11.

Bi-MOS type semiconductor integrated circuit device having high-frequency characteristics and method of making the same

Номер патента: US5238850A. Автор: Taira Matsunaga,Bunshiro Yamaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Current sensing of emitter sense insulated-gate bipolar transistor (igbt)

Номер патента: US20150340355A1. Автор: Bin Zhang,Hock Tiong Kwa. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Merged bipolar and insulated gate transistors

Номер патента: US5028977A. Автор: Hae-Seung Lee,K. O. Kenneth,L. Rafael Reif. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1991-07-02.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US12020988B2. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20230163031A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin structure and fin structure cutting process

Номер патента: US20160293491A1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Tong-Jyun Huang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor structure having fin structures

Номер патента: US11963345B2. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure having fin structures

Номер патента: US20230232610A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US20230317771A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Insulated-gate type device driving circuit

Номер патента: US20150263719A1. Автор: Morio Iwamizu,Shinji YAMASHINA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20210020517A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20200144126A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

A bicmos device having a cmos gate electrode and a bipolar emitter each containing two imurities of the same conductivity type

Номер патента: US20020145167A1. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

BicMOS device having a bipolar transistor and a MOS triggering transistor

Номер патента: US5578856A. Автор: Howard C. Kirsch,Ravi Subrahmanyan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistor

Номер патента: US4365263A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-21.

Semiconductor integrated circuit device having high matching degree and high integration density

Номер патента: US5216276A. Автор: Hideki Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-06-01.

Insulated gate field-effect transistor input protection circuit

Номер патента: US3746946A. Автор: L Clark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-07-17.

Drive circuit for an insulated gate transistor having overcurrent detecting and adjusting circuits

Номер патента: US5210479A. Автор: Yasuo Matsuda,Yutaka Suzuki,Satoshi Ibori,Nobuyoshi Mutoh,Norikazu Tokunaga,Shin Kimura,Shuuji Musha. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-11.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US20180130799A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20230387116A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US20210013201A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US11764217B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Capacitor on fin structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162220A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh,Yuan-Ting Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Insulated gate type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5016077A. Автор: Shigeru Atsumi,Masaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-14.

BiCMOS device having an SOI substrate and process for making the same

Номер патента: US5212397A. Автор: Thomas C. Mele,Yee-Chaung See,John R. Alvis. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-05-18.

Method for producing improved transistor devices

Номер патента: US3873372A. Автор: William S Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-03-25.

Integrally formed bias and signal lead for a packaged transistor device

Номер патента: US20190123002A1. Автор: Terry L. Thomas,Arturo Roiz,Justin Nelson Annes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

BIMOS transistor devices having bipolar and MOS transistors formed in substrate thereof and process for the fabrication of the same

Номер патента: US5166082A. Автор: Takaharu Nakamura,Tatsuya Kimura,Toshikazu Kuroda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-11-24.

Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain

Номер патента: US4103415A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-08-01.

Method for forming a complementary bipolar transistor structure including a self-aligned vertical PNP transistor

Номер патента: US4997775A. Автор: Chang-Ming Hsieh,Mario M. Pelella,Robert K. Cook,Kiyosi Isihara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US6144077A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor device having a safety device

Номер патента: CA1180468A. Автор: Hendrik C. De Graaff,Wilhelmus G. Voncken. Владелец: Wilhelmus G. Voncken. Дата публикации: 1985-01-02.

Higher density insulated gate field effect circuit

Номер патента: US4118642A. Автор: William Stanley Richardson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1978-10-03.

Sensing circuit with a four terminal insulated gate semi-conductor device

Номер патента: CA1048125A. Автор: Sadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-02-06.

Semiconductor memory device having stacked polycrystalline silicon layers

Номер патента: US4481524A. Автор: Tohru Tsujide. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-06.

Semiconductor device having transistor with high electro-static discharge capability and high noise capability

Номер патента: US20040238893A1. Автор: Shin Kiuchi,Yuichi Harada,Tatsuhiko Fujihira,Takeshi Ichimura,Hiroshi Tobisaka,Yoshiaki Minoya,Naoki Yaezawa,Ryu Saitou,Shouichi Furuhata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device having a safety circuit

Номер патента: CA1078072A. Автор: Dirk Daub,Olof E.H. Klaver. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-05-20.

Integrated circuit having wiring structure, solid image pickup element having the wiring structure, and imaging device having the solid image pickup element

Номер патента: US20100244176A1. Автор: Takeharu Eto. Владелец: KINKI UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-09-30.

Heterojunction bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20200066886A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A3. Автор: Jerry M Woodall,Eric S Harmon,David B Salzman. Владелец: David B Salzman. Дата публикации: 2003-12-04.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A2. Автор: Jerry M. Woodall,Eric S. Harmon,David B. Salzman. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device having electrostatic breakdown protection circuit

Номер патента: US5710452A. Автор: Kaoru Narita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-20.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Method for manufacturing complementary insulated gate field effect transistors

Номер патента: USRE31079E. Автор: Satoshi Meguro,Kouichi Nagasawa,Yasunobu Kosa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-11-16.

Semiconductor device having line-and-space pattern group

Номер патента: US6670684B2. Автор: Osamu Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-30.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Electronic Devices Having Displays With Expanded Edges

Номер патента: US20210325932A1. Автор: Tyler S. Bushnell. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Electronic Devices Having Displays With Expanded Edges

Номер патента: US20220404875A1. Автор: Tyler S. Bushnell. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US20240203839A1. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof

Номер патента: WO2007011154A1. Автор: Min-ho Choi,Jae-Seung Lee,Bu-Gon Shin,Jong-Hoon Kang,Hyun-Woo Shin,Duk-Sik Ha,Min-A Yu. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor integrated circuit device having a conductive plane and a diffused network of conductive tracks

Номер патента: US3945032A. Автор: David Latham Grundy,Kenneth Lawson Hughes. Владелец: Ferranti PLC. Дата публикации: 1976-03-16.

Method of making a saturation-limited bipolar transistor device

Номер патента: US4446611A. Автор: David L. Bergeron,Parsotam T. Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

Method of manufacturing vertical complementary bipolar transistors each with epitaxial base zones

Номер патента: US3959039A. Автор: Bernard Roger,Maurice Bonis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-05-25.

Semiconductor device having a memory cell

Номер патента: US5329481A. Автор: Evert Seevinck,Maarten Vertregt,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Transistor devices with extended drain

Номер патента: US20240088136A1. Автор: Ayan KAR,Benjamin Orr,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20100035386A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20120009767A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Halide material and optical unit and optoelectronic device having the same

Номер патента: US20220302393A1. Автор: Lin Yang,Ho-Hsiu Chou,Chien-Yu Chen,Chih-Li Chang,Hao-Wu Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Photonics device and cmos device having a common gate

Номер патента: US20140191326A1. Автор: Solomon Assefa,Steven M. Shank,Yurii A. Vlasov,William M. J. Green. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Underfill compounds including electrically charged filler elements, microelectronic devices having underfill compounds including electrically charged filler elements, and methods of underfilling microelectronic devices

Номер патента: US7094628B2. Автор: Tongbi Jiang,Warren M. Farnworth,Curtis Hollingshead. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device having conductive patterns with mesh pattern and differential signal wirings

Номер патента: US20230187330A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Radio-frequency switching devices having improved voltage handling capability

Номер патента: US12040238B2. Автор: Christophe Masse,Aniruddha B. Joshi,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic devices having thermodynamic encapsulant portions predominating over thermostatic encapsulant portions

Номер патента: EP1084029A4. Автор: Richard L Jacobs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-14.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Photonics device and cmos device having a common gate

Номер патента: US20140191302A1. Автор: Solomon Assefa,Steven M. Shank,Yurii A. Vlasov,William M.J. Green. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US20220122932A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Ki Soo Kim,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Memory device having in-situ in-memory stateful vector logic operation

Номер патента: US20190258482A1. Автор: Kaushik Roy,Amogh Agrawal,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20200295007A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20190181142A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20210343719A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Devices having a transistor and a capacitor along a common horizontal level, and methods of forming devices

Номер патента: EP3682477A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Radio-frequency switching devices having improved voltage handling capability

Номер патента: US20240249982A1. Автор: Christophe Masse,Aniruddha B. Joshi,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor Device having dual damascene structure

Номер патента: US20110169172A1. Автор: Toshiyuki Takewaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device having double-layered metal patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20130164871A1. Автор: Oh-Nam Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Device having cfet with power grid rails in second metallization layer and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304521A1. Автор: Kuan Yu Chen,Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair

Номер патента: US5187110A. Автор: Eric A. Martin,Olaleye A. Aina. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Underfill compounds including electrically charged filler elements, microelectronic devices having underfill compounds including electrically charged filler elements, and methods of underfilling micoelectronic devices

Номер патента: US7442578B2. Автор: Tongbi Jiang,Warren M. Farnworth,Curtis Hollingshead. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Device having physically unclonable function, method for manufacturing same, and chip using same

Номер патента: US10847477B2. Автор: Dong Wang,Xiao Yan BAO,Tian Hua Dong,Guang Ning Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Device having physically unclonable function, method for manufacturing same, and chip using same

Номер патента: US20210035925A1. Автор: Dong Wang,Xiao Yan BAO,Tian Hua Dong,Guang Ning Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Superconducting device having a plurality of thermal sink layers and a plurality of ground planes

Номер патента: US12027437B2. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US11930640B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor element encapsulation resin composition and semiconductor device having cured product thereof

Номер патента: US20240239988A1. Автор: Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

White light emitting devices having high luminous efficiency and improved color rendering that include pass-through violet emissions

Номер патента: US20210159220A1. Автор: David Power,Nishant Tiwari,Al Safarikas. Владелец: IDEAL Industries Lighting LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a stacked capacitor

Номер патента: US7811895B2. Автор: Shinpei Iijima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Power device having reduced thickness

Номер патента: US20160079092A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device having a decoupling capacitor

Номер патента: US20060113633A1. Автор: Je-min Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Top finger having a groove and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098945A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of fabricating semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20100270647A1. Автор: Chang-jin Kang,Sung-il Cho,Ji-Chul Shin,Seung-Young Son,Keong-Koo Chi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device having switching elements to prevent overcurrent damage

Номер патента: US10366964B2. Автор: Masayuki Ando,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device having a capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6713798B2. Автор: Yoichi Okita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor device having reliable electrical connection

Номер патента: US20010026015A1. Автор: Gorou Ikegami,Hirofumi Horita,Eita Iizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Solid state lighting devices having side reflectivity and associated methods of manufacture

Номер патента: US20130240939A1. Автор: Tongbi Jiang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Solid state lighting devices having side reflectivity and associated methods of manufacture

Номер патента: WO2012166809A3. Автор: Tongbi Jiang,Jaspreet Gandhi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

Solid state lighting devices having side reflectivity and associated methods of manufacture

Номер патента: WO2012166809A2. Автор: Tongbi Jiang,Jaspreet Gandhi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

Solid state lighting devices having side reflectivity and associated methods of manufacture

Номер патента: US20120305957A1. Автор: Tongbi Jiang,Jaspreet Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device having a stacked capacitor

Номер патента: US20060102983A1. Автор: Shinpei Iijima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having a stacked capacitor

Номер патента: US20090221127A1. Автор: Shinpei Iijima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Light emitting device and display device having same

Номер патента: EP3823028A1. Автор: Jae Ik Lim,Hae Yun CHOI,Eun A YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Display panel including static electricity preventing pattern and display device having the same

Номер патента: US9589992B2. Автор: HwaDong Han,Soonjae Hwang,Duhwan Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

High frequency power transistor device

Номер патента: EP1145314A1. Автор: James Curtis,Timothy Ballard,Cynthia Blair. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Method of forming DRAM device having capacitor and DRAM device so formed

Номер патента: US20060138516A1. Автор: Hee-Il Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Coaxial-flow heat transfer system employing a coaxial-flow heat transfer structure having a helically-arranged fin structure disposed along an outer flow channel for constantly rotating an aqueous-based heat transfer fluid flowing therewithin so as to improve heat transfer with geological environments

Номер патента: US7343753B2. Автор: John E. Kidwell,Michael L. Fraime. Владелец: Kelix Heat Transfer Systems LLC. Дата публикации: 2008-03-18.

Humidifier and motor vehicle with a fuel cell device having a humidifier

Номер патента: US20210273245A1. Автор: Rune Staeck. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Field emission devices having carbon containing tips

Номер патента: US20020024279A1. Автор: Michael Simpson,Michael Guillorn,Charles Britton,Douglas Lowndes,Vladimir Merkulov. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2002-02-28.

Humidifier, fuel cell device having a humidifier, and motor vehicle

Номер патента: US11757112B2. Автор: Oliver Berger,Rune Staeck,Christian Lucas. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Electro-magnetic devices having multi-thickness elements, and methods of manufacturing electro-magnetic devices having multi-thickness elements

Номер патента: EP4341969A1. Автор: Rodney Brune,Benjamin HANSON,Matt Huber. Владелец: Vishay Dale Electronics LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

Electrical device having a lubricated joint and a method for lubricating such a joint

Номер патента: US20090142942A1. Автор: Patrick Wellner,Ronny Ludwig,Florian Grabmaier,Stephan Henzler,Eric Ochs,Rainer Straub,Christian Voehringer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Circuit Board Having Power Supply, Electrical Device Having Circuit Board, and Method for Producing a Circuit Board

Номер патента: US20200083570A1. Автор: Franz Rinner,Masahiro Oishi,Stefan Koestner. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2020-03-12.

Magnetic sensor device having an improved measurement range

Номер патента: US20240192291A1. Автор: Claire Baraduc,Salim Dounia. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Light emitting device having an electrical contact through a layer containing oxidized material

Номер патента: WO1997047061A1. Автор: Jack L. Jewell. Владелец: Picolight Incorporated. Дата публикации: 1997-12-11.

Electronic Devices Having Multilayer Millimeter Wave Antennas

Номер патента: US20220094048A1. Автор: Jiangfeng Wu,Lijun Zhang,Mattia Pascolini,Yi Jiang,Siwen Yong. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Surge suppression device having one or more rings

Номер патента: US20120008247A1. Автор: Chris Penwell,Jonathan L. Jones,Bogdan B. Klobassa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Device having non-linear filter

Номер патента: US20220149594A1. Автор: Gurpreet S. BHULLAR. Владелец: Semtech Canada Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Composition for preparing separator, method for preparing separator, and electrochemical device having separator prepared therefrom

Номер патента: US20140011093A1. Автор: Heon-Sik Song,Cheon-Il Park,Bong-Tae Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Composition for preparing separator, method for preparing separator, and electrochemical device having separator prepared therefrom

Номер патента: US8765023B2. Автор: Heon-Sik Song,Cheon-Il Park,Bong-Tae Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-07-01.

Flux-focused shaped permanent magnet, magnetic unit having the magnets, device having the magnetic units and method for asymmetrically focusing flux fields of permanent magnets

Номер патента: EP2235725A2. Автор: Thomas W. Mcclellan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-06.

Electronic Devices Having Antennas that Radiate Through Three-Dimensionally Curved Cover Layers

Номер патента: US20220384941A1. Автор: Jiangfeng Wu,Lijun Zhang,Mattia Pascolini,Anthony S. Montevirgen,Yi Jiang,Siwen Yong,Samuel A. Resnick. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Electronic device having antennas

Номер патента: US11201631B1. Автор: Yunmo Kang,Youngbae Kwon,Byungwoon Jung,Seokjun LEE,Yunhoon CHO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-12-14.

Flux-focused shaped permanent magnet, magnetic unit having the magnets, device having the magnetic units and method for asymmetrically focusing flux fields of permanent magnets

Номер патента: US8299672B2. Автор: W. Thomas Mcclellan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-30.

Electronic device having antenna

Номер патента: US20240266756A1. Автор: Kangjae Jung,Kukheon CHOI,Ilnam CHO,Byeongyong PARK,Woocheol CHOI,Uisheon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus and method for integrated photonic devices having gain and wavelength-selectivity

Номер патента: US20020097948A1. Автор: Mark Bendett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Surge protection device having a plurality of surge arresters and, in particular thermal, isolating apparatus which is respectively associated with them

Номер патента: US20210366677A1. Автор: Stephan Hierl,Michael Waffler. Владелец: Dehn and Soehne GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-11-25.

Plasma display device having walls that provide an exhaust path

Номер патента: US7501760B2. Автор: Tae-Ho Lee,Eui-Jeong Hwang,Min-sun Yoo,Yon-Goo Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Wireless communication device having a two-part rotatable housing with multiple antenna conductors

Номер патента: WO2020183333A1. Автор: Eric Krenz,Juan Martinez,Binbin Yang,Hariharan Muthukrishnan. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Implantable medical device having specialized anode sheets

Номер патента: EP1307893A2. Автор: Darrel F. Untereker,Jenn-Feng Yan. Владелец: Metronic Inc. Дата публикации: 2003-05-07.

Antenna device having contact structure based on conductive gasket

Номер патента: US20220399633A1. Автор: Seung Hwan Lee,Yong Sung Yim. Владелец: LS MTRON LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

Safety vent part and electric energy storage device having the same

Номер патента: US7235327B2. Автор: Sung-min Kim,Sung-Chul Park,Yong-Ho Jung,Eun-Sil Kim. Владелец: Ness Capacitor Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Magnetoresistive element and magnetic sensor device having a high sensitivity and low zero-field offset-shift

Номер патента: US20240168108A1. Автор: Jeffrey Childress,Andrey Timopheev. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Electrical Device Having Compact Connector Assembly Suited For High Power Applications

Номер патента: US20200028403A1. Автор: Philip J. Francis,Branden L. Reeves,Keith D. Vanmaanen. Владелец: BorgWarner Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Electronic devices having wideband antennas

Номер патента: WO2021211266A1. Автор: Jiangfeng Wu,Lijun Zhang,Mattia Pascolini,Yi Jiang,Siwen Yong. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2021-10-21.

Antenna device having rotatable structure

Номер патента: US20070285333A1. Автор: Chien Te Chen,Yat To Chan. Владелец: Joymax Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Fuel cell having a projecting bipolar plate

Номер патента: US20180019481A1. Автор: Brian Dickson. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2018-01-18.

Safety vent part and electric energy storage device having the same

Номер патента: US20050282064A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Chul Park,Yong-Ho Jung,Eun-Sil Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Protective film for a display device, method of manufacturing the display device having the same, and manufacturing apparatus for the protective film

Номер патента: US20240217163A1. Автор: Wonju Kim,Wu Hyeon JUNG,Daehyun Hwang,Dohyung RYU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of fabricating a miniature device having an acoustic diaphragm

Номер патента: US20200021933A1. Автор: Shawn J. Prevoir,Prateek Nath. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of fabricating a miniature device having an acoustic diaphragm

Номер патента: EP3659350A1. Автор: Prateek Nath,Shawn Prevoir. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2020-06-03.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor memory using IGBT, insulated gate bipolar transistor, as selective element

Номер патента: US8389969B2. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: US20090067109A1. Автор: Richard J. Hampo,Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S. Vadula. Владелец: Siemens VDO Automotive Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: WO2008067433A9. Автор: Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S Vadula,Richard J Hampo. Владелец: Richard J Hampo. Дата публикации: 2008-08-28.

Operation control of electronic valves with insulated gates

Номер патента: RU2406221C2. Автор: Вальдемар БЕЛЬВОН,Пер ВЕННЕРЛУНД. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2010-12-10.

Switching method for current phase rectifier with insulated gate bipolar transistor (igbt) of reverse conductance

Номер патента: RU2559760C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-08-10.

Insulated gate bipolar transistor heat dissipation structure of motor controller

Номер патента: CA2843751A1. Автор: Yong Zhao,Yonghua WU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Protection apparatus and method for insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230344218A1. Автор: Jie Liu. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: US11811331B2. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: WO2022094402A8. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics, Inc.. Дата публикации: 2022-08-04.

Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) Rectifier for Charging Ultra-Capacitors

Номер патента: US20240072681A1. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for switching insulated gate field effect transistors

Номер патента: US6822503B2. Автор: Bum-Seok Suh,Ki-Young Jang. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Method and apparatus for switching insulated gate field effect transistors

Номер патента: US20040051578A1. Автор: Bum-Seok Suh,Ki-Young Jang. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-03-18.

Insulated gate device discharging

Номер патента: WO2016209656A1. Автор: Jonathan Alan Dutra,David C. Wyland. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor integrated circuit device having a hierarchical power source configuration

Номер патента: US6574161B2. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-03.

Insulated gate device discharging

Номер патента: US20160380627A1. Автор: Jonathan Alan Dutra,David C. Wyland. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Insulated gate device discharging

Номер патента: US20170366181A1. Автор: Jonathan Alan Dutra,David C. Wyland. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-21.

Insulated gate driver circuit and method for operating the insulated gate driver circuit

Номер патента: US20240186996A1. Автор: Muh-Dey Wei,Renato Negra,Lukas HÜSSEN. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2024-06-06.

Bipolar transistor anti-saturation clamp using auxiliary bipolar stage, and method

Номер патента: US20120025891A1. Автор: Jerry L. Doorenbos,Sudarshan Udayashankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Thermal module with heat pipe having a sharp angled bend for increased cooling

Номер патента: US20220346275A1. Автор: Qinghong He,Travis North. Владелец: Credit Suisse AG Cayman Islands Branch. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device having temperature sensor circuit that detects a temperature range upper limit value and a temperature range lower limit value

Номер патента: US20180231421A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Darryl G. Walker. Дата публикации: 2018-08-16.

Heatsink and communication device having the heatsink

Номер патента: EP4223089A1. Автор: Haijiang Wang,Shuaijun Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-08-09.

Heatsink and Communication Device having the Heatsink

Номер патента: US20240008214A1. Автор: Haijiang Wang,Shuaijun Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing semiconductor memory device having a capacitor

Номер патента: US6333226B1. Автор: Masahiro Yoshida,Hideyuki Ando. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Loudspeaker with a fin-reinforced voice coil structure

Номер патента: US20230019916A1. Автор: Wei Zhang. Владелец: Haining Ximini Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit device having a power converter and a capacitor discharge device

Номер патента: US20200259408A1. Автор: Jochen Kraus,Roland Bittner,Robin Koschinski,Sebastian Hettrich. Владелец: Semikron Elektronlk & CoKg GmbH. Дата публикации: 2020-08-13.

Drive device having a tubular linear motor and a stainless steel casing

Номер патента: US20210067025A1. Автор: Ronald Rohner. Владелец: NTI AG. Дата публикации: 2021-03-04.

Duplexer and electronic device having the same

Номер патента: SG181224A1. Автор: Hara Motoaki,Iwaki Masafumi,NISHIHARA Tokihiro. Владелец: Taiyo Yuden Kk. Дата публикации: 2012-06-28.

Supply circuit device for a user's telephone circuit, having a low voltage loss

Номер патента: US5337355A. Автор: Rinaldo Castello,Luciano Tomasini. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1994-08-09.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: CA1154089A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-09-20.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: US4280069A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1981-07-21.

Transmitting and receiving device having a wide-band hf power amplifier, in particular an n-way doherty amplifier having active load modulation

Номер патента: US20220247360A1. Автор: Hermann Hampel,Georg Fischer,Daniel Popp,Johannes Hampel,Maxym Yakymchuk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for controlling block error rate (bler) testing of a cellular communication device for a system having a fixed number of bler data packets

Номер патента: WO2020076971A1. Автор: Cao Chen,Christian Volf Olgaard,Ruizu Wang,Yachao DING. Владелец: LITEPOINT CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-16.

Maximum power point tracker, power conversion controller, power conversion device having insulating structure, and method for tracking maximum power point thereof

Номер патента: US20130201740A1. Автор: Young Ho Kim,Jin Wook Kim,Jae Hyung Kim,Byoung Kuk Lee,Dong Seong Oh,Tae Won Lee,Yong Hyok JI,Chung Yuen WON. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for manufacturing film bulk acoustic resonance device having specific resonant frequency

Номер патента: US20220131513A1. Автор: Ting-Chuan Lee,Kuang-Jui Chang,Chiun-Shian Tsai,Chiun-Rung Tsai,Tsung Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Iridium complex-containing composition, organic light emitting device having the same, display apparatus, imaging apparatus, electronic equipment, lighting apparatus, and moving body

Номер патента: EP3910045A1. Автор: Yutaka Tani,Kentaro Ito,Katsuyuki Hotta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Iridium complex-containing composition, organic light emitting device having the same, display apparatus, imaging apparatus, electronic equipment, lighting apparatus, and moving body

Номер патента: US12075692B2. Автор: Yutaka Tani,Kentaro Ito,Katsuyuki Hotta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Wearable personal acoustic device having outloud and private operational modes

Номер патента: WO2019045857A1. Автор: Naganagouda B. Patil. Владелец: Bose Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

Display substrate having auxiliary electrodes, display panel having auxiliary electrodes, and manufacturing method of said display panel and display device having auxiliary electrodes

Номер патента: US12082436B2. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Wei Quan,Zhan Gao,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic devices having vertical image transport layers

Номер патента: US12101426B1. Автор: Hao Dong,Michael J. Brown,Yi Qiao,Jean-Pierre S. Guillou,Ying-Chih Wang,Warren S. Rieutort-Louis,Tyler R. Kakuda,Paul C. KELLEY,Shaorui Yang,Ian T. Clark. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Differential amplifier with bipolar transistors which is compatible with standard complimentary MOS (CMOS) technology

Номер патента: US4580106A. Автор: Eric A. Vittoz. Владелец: Centre Electronique Horloger SA. Дата публикации: 1986-04-01.

Differential amplifier circuit using lateral-type bipolar transistors with back gates

Номер патента: US5682120A. Автор: TAKAO Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Integrated circuit having a voltage hysteresis for use as a schmitt trigger

Номер патента: US3873856A. Автор: Albrecht Gerlach,Wolfgang Gollinger,Gunter Lindstedt. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1975-03-25.

Compensation units for reducing the effects of self-heating and increasing linear performance in bipolar transistors

Номер патента: US20050225395A1. Автор: Haitao Zhang,Huai Gao,Guann-Pyng Li,Huinan Guan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-10-13.

Filter devices having reduced spurious emissions from lamb waves

Номер патента: US20190149132A1. Автор: Tomoya KOMATSU,Joji Fujiwara. Владелец: Skyworks Filter Solutions Japan Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Method and apparatus for selecting an application of a device having an nfc interface

Номер патента: US20170170877A1. Автор: Pierre Sarda,Frederic Thomas. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2017-06-15.

Method and apparatus for selecting an application of a device having an NFC interface

Номер патента: US9806766B2. Автор: Pierre Sarda,Frederic Thomas. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2017-10-31.

Handheld device having location-based features for plant workers

Номер патента: EP2817982A1. Автор: J. LOKANATHA REDDY,Mahesh Kumar Gellaboina,Mohammed Ibrahim Mohideen,Niranjan Rao,Gurumurthy Swaminathan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Image forming device having UWB communication function and method for providing data thereof, and system for providing data using UWB communication function

Номер патента: US20070109579A1. Автор: Ju-ho Eum. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Hands-free holding device for electronic device having video-conferencing display

Номер патента: US20230015061A1. Автор: Darin LITTLE. Владелец: WaceTalk LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Hands-free holding device for electronic device having video-conferencing display

Номер патента: US11973891B2. Автор: Darin LITTLE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-30.

Transmission mechanism and energy conversion device having the same

Номер патента: US20240200640A1. Автор: Yun-Sheng Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Hands-free holding device for electronic device having video-conferencing display

Номер патента: WO2021252133A1. Автор: Darin LITTLE. Владелец: WaceTalk LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Deployment of a driver or an application on a client device having a write-filter

Номер патента: EP2786279A2. Автор: Muralidhara Mallur,Jyothi BANDAKKA,Sanmati Tukol. Владелец: Wyse Technology LLC. Дата публикации: 2014-10-08.

Mobile information communicating terminal device having video camera

Номер патента: WO2001063926A1. Автор: Fujio Arai,Yutaka Masutani. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2001-08-30.

Temperature sensor and memory device having same

Номер патента: US12061125B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chung-Kuang Chen,Chia-Ching Li,Chia-Ming Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Mlu-based magnetic device having an authentication and physical unclonable function and authentication method using said mlu device

Номер патента: US20210110023A1. Автор: Yann Conraux,Quentin Stainer,Myckael Mouchel. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2021-04-15.

MLU-based magnetic device having an authentication and physical unclonable function and authentication method using said MLU device

Номер патента: US11921835B2. Автор: Yann Conraux,Quentin Stainer,Myckael Mouchel. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Liquid crystal display device having a rearward bottom surface for improved heat dissipation

Номер патента: US9826669B2. Автор: Hiroshi Tokuyama. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US20160025802A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-28.

Insulating carabiner hook and insulating gate for carabiner hook and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210123471A1. Автор: Wei-Chieh HUNG,Chia-Hsien Wang,Ya-Chun CHENG. Владелец: Yoke Industrial Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Injection molding system with flanged insulation gate seal

Номер патента: CA1318998C. Автор: Harald Hans Schmidt. Владелец: Mold Masters 2007 Ltd. Дата публикации: 1993-06-15.

Method of manufacturing an absorbent article having a fin seam

Номер патента: EP3073973A1. Автор: Joseph Daniel Coenen,Marcille Faye Ruman,Joseph J. SINA,Lori ROOCKS,Adam Schoultz,Kathy Irene Bennett,Daniel Marvin Nussbaum. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Surfboard fin having a rearwardly offset bearing surface

Номер патента: US20170283016A1. Автор: Philippe Lopez,Xabi LAFITTE. Владелец: Maya. Дата публикации: 2017-10-05.

Water sport device having a fin

Номер патента: US9845138B2. Автор: Benjamin Köhnsen. Владелец: Sophia Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 2017-12-19.

Improved foil for a fin or sail or keel or windmill blade

Номер патента: EP4420973A1. Автор: Philippe Duperray. Владелец: Forspective. Дата публикации: 2024-08-28.

Fin bearing assembly for a fin stabilizer

Номер патента: EP4182222A1. Автор: Dirk Bargende. Владелец: SKF Marine GmbH. Дата публикации: 2023-05-24.

Device for marking fin material as it is being formed on a fin machine

Номер патента: US20090266127A1. Автор: Jack E. Carle,Nathaniel A. Lowe. Владелец: Robinson Fin Machines Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Apparatus and method for shaping plastic preforms into plastic containers, having a clean room with a removable cover apparatus

Номер патента: US20240066784A1. Автор: Florian Geltinger,Andreas Roth,Christian Wittmann,Mathias Burgmeier,Christian HUETTNER. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Mobile device having an integrated disinfecting device for aircraft cabins

Номер патента: US20210369901A1. Автор: Andrew Muin,Stephan Sontag. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2021-12-02.

Fin bearing assembly for a fin stabilizer

Номер патента: US20230286620A1. Автор: Dirk Bargende. Владелец: SKF Marine GmbH. Дата публикации: 2023-09-14.

Fin device, heat exchanger having the same and method for manufacturing a fin device

Номер патента: US20240060727A1. Автор: Tomasz Stelmasinski,Jaroslaw Rozanski,Scott Edward Kent,Thomas Allan BOWLER. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Oral device having wedges and method of manufacture

Номер патента: US20210275894A1. Автор: Craig Weiss,Blair Feldman. Владелец: Custom Club Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Interlocking closure device having controlled separation and improved ease of occlusion

Номер патента: AU3101484A. Автор: Gerald Harry Scheibner. Владелец: First Brands Corp. Дата публикации: 1985-02-07.

Interlocking closure device having controlled separation and improved ease of occlusion

Номер патента: IE55422B1. Автор: . Владелец: First Brands Corp. Дата публикации: 1990-09-12.

Applicator end piece having a frustoconical profile

Номер патента: US20230218063A1. Автор: HUI Zhang,Patrick Charnay,Laurent Aubry. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for closing off a micromechanical device by laser melting, and micromechanical device having a laser melt closure

Номер патента: US20190071307A1. Автор: Jochen Reinmuth,Martin Rambach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-03-07.

Multicomponent optical device having a space

Номер патента: EP2855132A1. Автор: William E. Meyers. Владелец: CRT Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-08.

Printing apparatus and electronic device having line contact structure

Номер патента: US20040155945A1. Автор: Dong-Sun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-12.

Applicator end piece having a frustoconical profile

Номер патента: US12089717B2. Автор: HUI Zhang,Patrick Charnay,Laurent Aubry. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-09-17.

Gas-liquid separator and liner processing device having such gas-liquid separator

Номер патента: RU2700601C1. Автор: Седзин КУ,Йеонгдзу КИМ,Таекиоунг АХН. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2019-09-18.

Fin bearing assembly for a fin stabilizer

Номер патента: WO2022013016A1. Автор: Dirk Bargende. Владелец: SKF Marine GmbH. Дата публикации: 2022-01-20.

Exhaust system having a hanger assembly

Номер патента: US20240018892A1. Автор: Joseph R. Kramer. Владелец: Tenneco Automotive Operating Co Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of skiving metal and forming a fin in a heat exchanger

Номер патента: US20130167704A1. Автор: Michael Ralph Storage,Mark Douglas Swinford. Владелец: Unison Industries LLC. Дата публикации: 2013-07-04.

Fluidic dispensing device having a guide portion

Номер патента: US20170361617A1. Автор: Jason T. Vanderpool,Steven R. Komplin. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Biomedical devices having a surface coating

Номер патента: WO2024146878A1. Автор: Mark R. Mis,Alok Kumar Awasthi,Mohammad Vatankhah Varnosfaderani,Feng-Yang Shih,Jade J. Russell. Владелец: Bausch + Lomb Ireland Limited. Дата публикации: 2024-07-11.

Handheld and/or mountable fluid-ejection device having tip-extension assembly and/or tubings

Номер патента: EP2139695A1. Автор: Jeffrey A. Nielsen,Paul Watts,Paul Bruinsma,Blair Kent,George Melchiorsen. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-01-06.

Handheld and/or mountable fluid-ejection device having tip-extension assembly and/or tubings

Номер патента: WO2008130935A1. Автор: Jeffrey A. Nielsen,Paul Watts,Paul Bruinsma,Blair Kent,George Melchiorsen. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2008-10-30.

Transfer system for a sealed enclosure having a sealed connection device for connecting to an enclosed volume

Номер патента: CA3212057A1. Автор: Emmanuel MOTTIER,Florentin CORDIER. Владелец: Getinge Life Science France SAS. Дата публикации: 2022-09-22.

Electrochromic device having a self-cleaning hydrophilic coating with a controlled surface morphology

Номер патента: EP1880237A1. Автор: William L. Tonar,George A. Neuman,John S. Anderson,Jeffrey A. Forgette,Kevin B. Kar,Gary J. Dozenman,Brett R. Frostenson. Владелец: Gentex Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Biomedical devices having a surface coating

Номер патента: US20240240047A1. Автор: Mark R. Mis,Alok Kumar Awasthi,Mohammad Vatankhah Varnosfaderani,Feng-Yang Shih,Jade J. Russell. Владелец: Bausch and Lomb Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Device for receiving a suction hose and vacuuming device having a receiving device

Номер патента: US20230023865A1. Автор: Paul Fally,Matthias Mazur,Lionel Barbier,Holger Krogsgaard. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Transfer system for a sealed enclosure having a sealed connection device for connecting to an enclosed volume

Номер патента: AU2022236702A1. Автор: Emmanuel MOTTIER,Florentin CORDIER. Владелец: Getinge Life Science France SAS. Дата публикации: 2023-08-31.

A filter system for a wind turbine, a wind turbine having a filter system and method for changing an oil filter of a filter system.

Номер патента: CA3114999A1. Автор: Manuel DIRKES. Владелец: General Electric Renovables Espana SL. Дата публикации: 2021-10-24.

Movable Lift Device Having Rotatable Bed

Номер патента: US20120297542A1. Автор: Kyeoung Jin Chun,Soo Taek Kim,Cheol Woong Ko,Deok Yeon Cho. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2012-11-29.

Adaptive Dust Shield Device Having Zero Standoff Capability

Номер патента: US20170165808A1. Автор: John P. Buser. Владелец: SHAVE AWAY EUROPE Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Detection device having a piezoresistive element having increased capacitance

Номер патента: US12055450B2. Автор: Antoine Nowodzinski. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-08-06.

Filter system for a wind turbine, a wind turbine having a filter system and method for changing an oil filter of a filter system

Номер патента: US11761531B2. Автор: Manuel DIRKES. Владелец: General Electric Renovables Espana SL. Дата публикации: 2023-09-19.

Procedure and device for measuring silicon temperature and over-temperature protection of a power insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2013045960A2. Автор: Ivan BAHUN. Владелец: Končar - Elecktrična Vozila D.D.. Дата публикации: 2013-04-04.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP4024064A1. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12019115B2. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method and system for predicting insulated gate bipolar transistor lifetime based on compound failure mode coupling

Номер патента: US11953538B2. Автор: Xiao Wang,Yigang HE,Lie LI,Liulu HE. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-04-09.

Method and apparatus for measuring the barrier height distribution in an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US5612628A. Автор: Davorin Babic,Edward H. Nicollian,John C. Lofgren. Владелец: University of North Carolina System. Дата публикации: 1997-03-18.

Systems, circuits, and methods to detect gate-open failures in mos based insulated gate transistors

Номер патента: US20230076735A1. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Bilal Akin,Bhanu Teja Vankayalapati,Masoud Farhadi. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-03-09.

Fin structure

Номер патента: US20240125563A1. Автор: Xiong Zhang,Xue Mei WANG,Xiao Min ZHANG. Владелец: Vast Glory Electronics and Hardware and Plastic Huizhou Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Stator part of a turbomachine comprising a blade and a fin defining between them a decreasing surface from upstream to downstream in the gas flow direction

Номер патента: US20240218802A1. Автор: William Henri Joseph RIERA,Gabriel Jacques Victor Mondin. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-07-04.

Cooling system having a condenser with a micro-channel cooling coil and sub-cooler having a fin-and-tube heat cooling coil

Номер патента: EP3198203A1. Автор: Zhiyong Lin,Benedict J. Dolcich,Daniel J. Schutte,Matthew RAVEN. Владелец: Liebert Corp. Дата публикации: 2017-08-02.

Cooling system having a condenser with a micro-channel cooling coil and sub-cooler having a fin-and-tube heat cooling coil

Номер патента: WO2016048865A1. Автор: Zhiyong Lin,Benedict J. Dolcich,Daniel J. Schutte,Matthew RAVEN. Владелец: Liebert Corporation. Дата публикации: 2016-03-31.

Scanning signal line control circuit and display device having said circuit

Номер патента: RU2491651C1. Автор: Ясуаки ИВАСЕ,Маюко САКАМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-08-27.

Fin for a plate heat exchanger, methods for the manufacture of such a fin, and a heat exchanger comprising such a fin

Номер патента: US7219719B2. Автор: Claude Gerard. Владелец: Nordon Cryogenie SNC. Дата публикации: 2007-05-22.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Semiconductor memory device having bit cells

Номер патента: US20180068715A1. Автор: Yongho Kim,Jonghoon Jung,Hoonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Non-volatile semiconductor memory device having a stable read margin

Номер патента: US20020018369A1. Автор: Taku Ogura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Static semiconductor memory device using bipolar transistor

Номер патента: US5216630A. Автор: Yasunobu Nakase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-01.

Fiber preform, optical fiber, methods for forming the same, and optical devices having the optical fiber

Номер патента: US20210080644A1. Автор: Xiaosheng Huang,Seongwoo YOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-18.

Steerable Medical Device Having Means For Imparting Multiple Curves in the Device

Номер патента: US20110270171A1. Автор: Kenneth C. Gardeski,Ronald A. Drake. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2011-11-03.

Stool flushing device having control switch and locking assembly

Номер патента: US20090056005A1. Автор: Yu-Chang Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Fiber preform, optical fiber, methods for forming the same, and optical devices having the optical fiber

Номер патента: EP3652571A1. Автор: Xiaosheng Huang,Seongwoo YOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-20.

Liquid crystal display substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US7298436B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Katsunori Misaki,Seiji Doi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Liquid crystal aligning agent, film, device having the same, and method for producing the same

Номер патента: US10676672B2. Автор: Jieliang LI,Chikaaki MIZIKUCHI. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Liquid crystal aligning agent, film, device having the same, and method for producing the same

Номер патента: US20170327745A1. Автор: Jieliang LI,Chikaaki MIZIKUCHI. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Sealant, display device having the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100328598A1. Автор: Jung-Hun Lee,Jun-Hyup Lee,Jae-Jin Lyu,Jeong-Uk Heo,Ji-Yoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-30.

Mounted earth removal device having a split side plate

Номер патента: US20230250597A1. Автор: Stefan Abresch,Marcel Joisten. Владелец: WIRTGEN GMBH. Дата публикации: 2023-08-10.

Fin deployment system for a projectile, projectile, and method of deploying a fin on a projectile

Номер патента: US12078458B1. Автор: Keith G. Rackers,David T. Fischer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Fluid medium flow rate control device having seat ring fastener

Номер патента: RU2482364C2. Автор: Майкл МАККАРТИ,Мишель К. ЛОВЕЛЛЬ. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2013-05-20.

Method of determining current localization voltage in powerful hf and uhf bipolar transistors

Номер патента: RU2616871C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Александр Александрович Куликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-18.

Microwave radiation detector and heat treatment device having same

Номер патента: RU2532892C2. Автор: ВАН-РЕНС Йосеф-Йохан-Мария. Владелец: Си-Эф-Эс Бакел Б.В.. Дата публикации: 2014-11-10.

Negative pressure wound therapy device having helical elements

Номер патента: AU2022269383A1. Автор: Tushar Sharma,Frank Cichocki,William Cohn,Jared MORTUS,Scott Sloss,John Killion,Gabriel Jacinto. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Light diffusing fiber lighting device having a single lens

Номер патента: WO2015200185A1. Автор: Stephan Lvovich Logunov,Vikram Bhatia,Anthony Sebastian Bauco. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-30.

Valve device having a hold-down element

Номер патента: US20240183456A1. Автор: Steffen Bachofer. Владелец: Mack & Schneider GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Pad rod for defecation pad and defecation processing device having same for companion animal

Номер патента: US20240057551A1. Автор: Jang Woon KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Optical disk drive unit having a cooling device

Номер патента: EP1853986A2. Автор: Joo P. Toh,Chin B. Goh,Boon H. Guah. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Optical disk drive unit having a cooling device

Номер патента: WO2006087647A2. Автор: Joo P. Toh,Chin B. Goh,Boon H. Guah. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-08-24.

System for a head-mounted device and head-mounted device having an adjustable tint layer

Номер патента: WO2024081002A3. Автор: Michael J Oudenhoven,Austin S YOUNG. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Device for accessing an underground infrastructure, having a leg for holding it in a partially open position

Номер патента: AU2022394780A1. Автор: Sylvain Debuchy. Владелец: EJ Emea SAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Head-mounted display and amusement device having a head-mounted display of this type

Номер патента: CA3105150C. Автор: Thomas Faul. Владелец: VR Coaster GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-09-12.

Safety system having a safety switch

Номер патента: US20210108760A1. Автор: Victor Kok Heng Phay. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2021-04-15.

Arrangement Having a Measuring Apparatus for a Scanning Probe Microscope, Scanning Probe Microscope, and Method for Operating

Номер патента: US20220244287A1. Автор: Torsten Jähnke,Frederik BÜCHAU-VENDER,Marian SCHÜCKER. Владелец: BRUKER NANO GMBH. Дата публикации: 2022-08-04.

Delivery device having a deflectable and peelable mapping guide sheath for his bundle pacing

Номер патента: US20220347463A1. Автор: Xiaoping Guo,Erich W. Stoermer. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Vascular obstruction retrieval device having sliding cages pinch mechanism

Номер патента: US12064130B2. Автор: Thomas O'Malley,Stephen WHELAN. Владелец: Neuravi Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Catheter device having a coupling device for a drive device

Номер патента: US12042647B2. Автор: Reiner Liebing,Cornelia Simon,Julia Honselmann,Jens Baumgaertel. Владелец: ECP Entwicklungs GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Ladder safety device having a building clamp assembly and a ladder hook assembly

Номер патента: US20160281428A1. Автор: David Michael Rudd. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-29.

Optical Projection System and Projection Device Having the Same

Номер патента: US20080123059A1. Автор: TETSUYA Abe,Ken Agatsuma. Владелец: Pentax Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Press device having an extended nip for pressing a running paper or paperboard web

Номер патента: US20010015269A1. Автор: Erik Brox. Владелец: Valmet Karlstad AB. Дата публикации: 2001-08-23.

Driver assistance device having a plurality of ultrasound sensors and vehicle having such a driver assistance device and method for operating a driver assistance device

Номер патента: US20140247161A1. Автор: Michael Hallek. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2014-09-04.

Deposition device having contact structure and deposition system having same

Номер патента: US20230340659A1. Автор: Sang Bin Lee,Min Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Delivery device having a deflectable and peelable mapping guide sheath for his bundle pacing

Номер патента: US20200406025A1. Автор: Xiaoping Guo,Erich W. Stoermer. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Turbocharger, having a steel material for high-temperature applications

Номер патента: US20210388738A1. Автор: Martin Thomas,Achim Koch,Marc Hiller. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2021-12-16.

Pixel circuit and display device having the same

Номер патента: US20240282262A1. Автор: Kyung Hoon Chung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Endoscopy device having an electrical control system

Номер патента: US20240268631A1. Автор: Alejandro Espinosa. Владелец: Evoendo Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Stimulating device for human and electric thermal therapy device having function for thermal therapy to temporomandibular joint

Номер патента: US20240245550A1. Автор: Young Woo CHUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-25.

Release device for disengaging a medical implant from a catheter and catheter having a release device

Номер патента: US20130079757A1. Автор: Amir Fargahi. Владелец: BIOTRONIK AG. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for user-computer interaction for use by a set of flexibly connected computer systems, device, having block for connection to flexibly connected computer systems, a set of devices, having a block for connection to flexibly connected computer system, universal serial bus key, method for interaction with main computer via usb and data storage method (variants)

Номер патента: RU2267155C2. Автор: Янки МАРГАЛИТ,Дэни МАРГАЛИТ,Рами КАСТЕРШТИН. Владелец: Аладдин Нолидж Системз Лтд.. Дата публикации: 2005-12-27.

Gasifier device having the shape of flattened spheroid

Номер патента: RU2178540C2. Автор: Уисли П. Хиллиард. Владелец: Емери Ресайклинг Корпорейшн. Дата публикации: 2002-01-20.

Method of synchronizing fin fold-out on a fin-stabilized artillery shell, and an artillery shell designed in accordance therewith

Номер патента: CA2441277C. Автор: Stig Johnsson. Владелец: Bofors Defence AB. Дата публикации: 2009-06-09.

Wind turbine having a circular or conical tower structure with passive flow control means and use of such circular tower structure

Номер патента: WO2020057706A1. Автор: Peter Grabau,Ib Frydendal. Владелец: ENVISION ENERGY (DENMARK) APS. Дата публикации: 2020-03-26.

Turbine engine with a rotating blade having a fin

Номер патента: US20240011407A1. Автор: Valeria Andreoli,Shashwat Swami Jaiswal,Thomas William Vandeputte. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-01-11.

Translational mouse key structure and mouse device having the same

Номер патента: WO2023220705A3. Автор: Ying Chieh Hung,Shu I. Chen. Владелец: Voyetra Turtle Beach, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Optimizing input streams for a stream join model having a threshold function

Номер патента: EP4091070A1. Автор: Wentao Wu,Philip Alan Bernstein,Walter Zhen CAI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-23.

Fixing device having separation claw and image forming apparatus

Номер патента: US11947288B2. Автор: Toshimitsu Takeuchi. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Recording and/or reproducing device having a pull-out element and having means for moving the pull-out element into its nominal position

Номер патента: MY133683A. Автор: Nemeth Robert. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-11-30.

Countertop device having retention feature

Номер патента: US20160029851A1. Автор: Michael R. Berge. Владелец: National Presto Industries Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Case for electronic device having magnetic elements for connection with external magnetic elements

Номер патента: US20170235339A1. Автор: Yoonhoo Jo,James A. Stryker,Edward W. Wong,Zhiqiang Jin,Timothy W. Scales,William M. Peters,David F. MALLARD,Colin M. Wang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Driving device having low charging/discharging power consumption

Номер патента: US9799284B1. Автор: Chieh-An Lin,Pang-Chen Hung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-24.

Handheld diabetes management device having a database management system

Номер патента: WO2012048828A1. Автор: Mark Nierzwick,Robert P. Sabo,Robert E. Reinke,Robert Timmerman. Владелец: Roche Diagnostics GmbH. Дата публикации: 2012-04-19.

Sterilization module and water purifying device having the same

Номер патента: US11939239B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Jae Young Choi,Kyu Won HAN,Woong Ki Jeong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Body support device having locking leg

Номер патента: US20240230026A9. Автор: Beau Sitzmann. Владелец: Evolutionary Tools Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Arrangement of a sensor in a holding device having a double ring seal, sensor, and method for mounting a sensor

Номер патента: US20230258490A1. Автор: Fritz Lenk. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2023-08-17.

Hydrokinetic torque coupling device having turbine-piston lockup clutch, and related methods

Номер патента: EP3596359A1. Автор: Subramanian Jeyabalan. Владелец: Valeo Kapec Co ltd. Дата публикации: 2020-01-22.

Fire Extinguishing Device Having Fire Extinguishing Agent And Fire Extinguishing Capsule

Номер патента: US20240216735A1. Автор: Byung Yul Kim. Владелец: Firekim Energy Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Damping Valve Device Having a Progressive Damping Force Characteristic Curve

Номер патента: US20220403910A1. Автор: Aleksandar Knezevic,Jörg Rösseler. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2022-12-22.

Golf club head or other ball striking device having removable or interchangeable body member

Номер патента: EP2575976A1. Автор: Robert Boyd,Gary G. Tavares,John T. Stites,J. David Robbins,Mark J. Perry,Timothy J. Lastrapes,Robert E. Mora,David Anthony Chargin,Aaron Barrett Size. Владелец: Nike International Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

A device having a support for placing the device on a surface

Номер патента: WO2023247364A1. Автор: Mark Johannes Antonius VERHOEVEN,Kenneth Gilian VAN KOGELENBERG. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2023-12-28.

Evaporation source and evaporation-deposition device having the same

Номер патента: US10829850B2. Автор: Xiaochen JIA. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

Evaporation source and evaporation-deposition device having the same

Номер патента: US20190062899A1. Автор: Xiaochen JIA. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Liquid crystal display device having esd protection circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1704443A1. Автор: Hideo c/o Philips Japan Ltd. TANAKA. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-09-27.

Intelligent terminal device having capability of displaying transmitted data

Номер патента: EP1777617A3. Автор: Michitaka Toshimoto,Takefumi Sato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Sound wave detection device and artificial intelligent electronic device having the same

Номер патента: US20210333392A1. Автор: Donghoon Yi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-10-28.

Liquid crystal display device having inversion flicker compensation

Номер патента: WO2003021558A2. Автор: Sandeep M. Dalal. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-03-13.

Heating device having a radiant tube

Номер патента: WO1997009569A1. Автор: Rudolf Johannes Hubert Gerardus Van Heur,Okko Dirk Van Yren,Albert Menko Stavenga,Klaas Sjoerd Dijkstra. Владелец: Mark B.V.. Дата публикации: 1997-03-13.

Gate driver having normal stages and dummy stages and display device having the same

Номер патента: US10347189B2. Автор: So-Young Lee,Won-Se Lee,Jung-Bae Bae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Energy-saving carry-on chronometric device having cholesteric color liquid crystal display

Номер патента: US20040041803A1. Автор: Yuan Weng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Virtual reality head-mounted devices having reduced numbers of cameras, and methods of operating the same

Номер патента: EP3403163A1. Автор: Chung Chun Wan,Choon Ping CHNG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-11-21.

Virtual reality head-mounted devices having reduced numbers of cameras, and methods of operating the same

Номер патента: WO2017123395A1. Автор: Chung Chun Wan,Choon Ping CHNG. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

Multi-bank content addressable memory (CAM) devices having segment-based priority resolution circuits therein and methods of operating same

Номер патента: US20040012989A1. Автор: Scott Chu,Kee Park. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Intravascular imaging devices having a low reverberation housing and associated systems and methods

Номер патента: WO2016030812A2. Автор: Paul Douglas Corl. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2016-03-03.

Display device having fingerprint sensing function, electronic device including the same, and operation method thereof

Номер патента: US20220392248A1. Автор: Chul Kim,Sunhwa Lee,Keumdong JUNG,Mukyung JEON,Kyungtea PARK,Sanghyun HEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Display device having fingerprint sensing function and operation method thereof

Номер патента: EP3719700A1. Автор: Chul Kim,Sunhwa Lee,Keumdong JUNG,Mukyung JEON,Kyungtea PARK,Sanghyun HEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Delivery device having a capsule for delivering a prosthesis and a pull wire for steering the capsule

Номер патента: US20210022859A1. Автор: Constantin Ciobanu,Niall Crosbie,Nicholas FOX,Tomas GILSON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2021-01-28.

Delivery device having a capsule for delivering a prosthesis and a pull wire for steering the capsule

Номер патента: EP4003243A1. Автор: Constantin Ciobanu,Niall Crosbie,Nicholas FOX,Tomas GILSON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2022-06-01.

Developing device having developing gap detecting function

Номер патента: US20040071477A1. Автор: Ki-Jae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Liquid crystal display device having a color filter and manufacturing method for the same

Номер патента: US20040125321A1. Автор: Su-Hyun Park,Sunghoe Yoon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Composite structure and valve timing adjustment device having the same

Номер патента: US20180106168A1. Автор: Yuuki Matsunaga. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Slide magazine for a slide projector having a picture changing device with a horizontally activated slide pusher

Номер патента: US4671633A. Автор: Ernst Pobenberger. Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 1987-06-09.

Devices having matter differentiation detectors

Номер патента: US12042255B2. Автор: Xiyu Duan,Ueyn L. Block,Albert E. Cerussi,Nicholas P. Allec,Maximillian C. Bruggeman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Information Terminal Device Having Drawing Printing Function, Drawing Printing Method, and Printed Matter

Номер патента: US20080130019A1. Автор: Hiroshi Sakamoto. Владелец: Navitime Japan Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Developing method in a developer device having a mechanism to reduce scattering of toner

Номер патента: US10248051B2. Автор: Nobuaki Takahashi. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Recording and/or reproducing device having a take-up reel with length-adjustment means for the length of a pull-out tape

Номер патента: EP1118079A1. Автор: Franz Kletzl,Hubert Schonhart. Владелец: Jabil Circuit Cayman LP. Дата публикации: 2001-07-25.

Optically compensated birefringence mode liquid crystal display device having specific retardations in splay and bend states and method of fabricating the same

Номер патента: US7079218B2. Автор: Sang-Ho Choi,Ku-Hyun Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-18.

Mosfet-gated bipolar transistors and thyristors with both turn-on and turn-off capability having single- polarity gate input signal

Номер патента: CA1206274A. Автор: Michael S. Adler. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-06-17.

Номер патента: RU2351036C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-03-27.

Method for detecting potentially unreliable bipolar transistors

Номер патента: RU2309417C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких,Игорь Алексеевич Шишкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2007-10-27.

Procedure for rejection of bipolar transistors

Номер патента: RU2204143C2. Автор: М.И. Горлов,н А.Г. Адам,А.Г. Адамян,Л.П. Ануфриев. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-05-10.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты