Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure
Номер патента: US20170084692A1
Опубликовано: 23-03-2017
Автор(ы): Christian Philipp Sandow, Franz Josef Niedernostheide, Vera Van Treek
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-03-2017
Автор(ы): Christian Philipp Sandow, Franz Josef Niedernostheide, Vera Van Treek
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure
Номер патента: US20190333991A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-31.