Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Insulating gate separation structure for transistor devices

Insulating gate separation structure for transistor devices

Номер патента: US20200135473A1
Опубликовано: 30-04-2020
Автор(ы): Andre Labonte, Chanro Park, Hui Zang, Laertis Economikos, Ruilong Xie
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US12113112B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20200381526A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20220102516A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20230395674A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US11769811B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Contact resistance reduction in transistor devices with metallization on both sides

Номер патента: EP3930003A1. Автор: Gilbert Dewey,Mauro Kobrinsky,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ehren Mannebach,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Contact resistance reduction in transistor devices with metallization on both sides

Номер патента: US20240347610A1. Автор: Gilbert Dewey,Mauro Kobrinsky,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ehren Mannebach,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device including an element separation structure

Номер патента: US12046631B2. Автор: Sang Jin Kim,Sung Jin Jang,Sung Sik PARK,Hyun Jeong Lee,Tae Hwan Oh,Gyu Min Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor die with a vertical power transistor device

Номер патента: EP4341990A1. Автор: Thomas Feil,Till Schloesser,Timothy Henson,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor Die with a Vertical Power Transistor Device

Номер патента: US20240243130A1. Автор: Till Schlosser,Timothy Henson,Andreas Peter Meiser,Thomas Martin Feil. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20210118878A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

High performance 3D vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US12087817B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Buried power rail for transistor devices

Номер патента: US20200411436A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Transistor device

Номер патента: US20240097037A1. Автор: Jurgen Faul,Henning Feick,Ewa Kowalska,Andreas Urban Bertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including gate separation region

Номер патента: US20240203988A1. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including gate separation region

Номер патента: US11942477B2. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of fabricating fin-type field-effect transistor device having substrate with heavy doped and light doped regions

Номер патента: US20230326803A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Fin-type field-effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219773A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Fin-type field-effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043792A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Transistor devices and methods of forming a transistor device

Номер патента: US20210335778A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Low leakage gate stack for a transistor device and methods of making an ic product that includes such a transistor device

Номер патента: US20210305251A1. Автор: Dali Shao,Liqiao QIN,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Insulating gate separation structure

Номер патента: US20190244865A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu,Yue Zhong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Self-aligned interconnect features for transistor contacts

Номер патента: EP4239663A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Manish Chandhok,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Self-aligned interconnect features for transistor contacts

Номер патента: US20230282575A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Manish Chandhok,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466694B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Formation of multi-segment channel transistor devices

Номер патента: US20200343146A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Insulated gate type semiconductor device

Номер патента: US9627248B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Insulated gate type semiconductor device

Номер патента: WO2015145939A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-10-01.

Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780205B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US09793385B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for producing improved transistor devices

Номер патента: US3873372A. Автор: William S Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-03-25.

Replacement gate structures for transistor devices

Номер патента: US09953978B2. Автор: Shom Ponoth,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160111498A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160308036A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Power device including lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11876093B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-16.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20240079467A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Transistor devices with termination regions

Номер патента: US12057499B2. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Transistor devices with termination regions

Номер патента: US20210126125A1. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Group iii nitride-based transistor device having a conductive redistribution structure

Номер патента: US20240258382A1. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Process for fabricating a self-aligned deposited source/drain insulated gate field-effect transistor

Номер патента: EP1787320A2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp,Paul A. Clifton,Carl A. Faulkner. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Power device having lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11646364B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-05-09.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with 3d isolation

Номер патента: US20230369475A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Monolithic igbt and diode structure for quasi-resonant converters

Номер патента: US20150035005A1. Автор: Anup Bhalla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-05.

Methods of forming short-channel and long-channel transistor devices with different heights of work function metal and the resulting ic products

Номер патента: US20200273953A1. Автор: Hong Yu,Wei Ma,Zhenyu Hu,Jae Gon Lee,Srikanth Balaji Samavedam,Tao Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuits with guard ring structures for nonplanar transistor devices

Номер патента: US09530835B1. Автор: Chin Hieang Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of protecting semiconductor materials in the active region of a transistor device and the resulting transistor device

Номер патента: US20210399126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Judson R. Holt,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180069107A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Methods for fabricating anode shorted field stop insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09478646B2. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,Xiaotian Zhang,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device comprising an insulated gate field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: USRE30251E. Автор: Else Kooi. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1980-04-08.

Method of manufacturing a reverse blocking insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8501549B2. Автор: Masaaki Ogino. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

High-performance reverse-conduction field-stop (RCFS) insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9240470B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Chung-Chen Chang,Yi-Lun HSIA. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

High-performance reverse-conduction field-stop (rcfs) insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150279980A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Chung-Chen Chang,Yi-Lun HSIA. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Methodology and structure for field plate design

Номер патента: US09954097B2. Автор: Pei-Lun Wang,Hui-Ting Lu,Yu-Chang Jong,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Dah-Chuen Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Methodology and structure for field plate design

Номер патента: US09590053B2. Автор: Pei-Lun Wang,Hui-Ting Lu,Yu-Chang Jong,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Dah-Chuen Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Bipolar junction transistor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US6028329A. Автор: Chungpin Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-02-22.

Semiconductor devices including insulating gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09755079B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Ha-Young Jeon,Do-hyoung Kim,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Seung-Seok HA,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with front and rear surface electrodes on a substrate having element and circumferential regions, an insulating gate type switching element in the element region being configured to switch between the front and rear surface electrodes

Номер патента: US09853141B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Insulated-gate field-effect transistor structure and method

Номер патента: US5716861A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Semiconductor power device with insulated gate, trenchgate structure and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP1536480A1. Автор: Leonardo Fragapane,Angelo Magri,Antonino Sebastiano Alessandria. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2005-06-01.

Insulated gate static induction transistor and integrated circuit including same

Номер патента: US4994872A. Автор: Tadahiro Ohmi,Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1991-02-19.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09935119B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having a separation structure

Номер патента: US20240339516A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated electrostatic discharge (ESD) clamping for an LDMOS transistor device having a bipolar transistor

Номер патента: US09673188B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299169A1. Автор: Chih-Hung Lu,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method for reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09673193B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09881994B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor device having an insulated gate bipolar transistor arrangement and a method for forming such a semiconductor device

Номер патента: US09515066B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-06.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

A semiconductor device comprising a low voltage insulated gate field effect transistor connected in series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: SE1850300A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: Klas Haakan Eklund Med Firma K Eklund Innovation. Дата публикации: 2019-09-17.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230290828A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Daniel Schlögl,Alim Karmous. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor Device Having an Insulated Gate Bipolar Transistor Arrangement and a Method for Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20150303190A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-22.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US20230317804A1. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US12068379B2. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing transistor device, and transistor device

Номер патента: US20240266173A1. Автор: HAO Yan,YU PU,Yanfeng Wang,Heng Wu,Xuejie Shi,Guanxian Lin. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Stacked field effect transistor devices with replacement gate

Номер патента: US12094937B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical power transistor device, semiconductor die and method of manufacturing a vertical power transistor device

Номер патента: US09825162B2. Автор: Philippe Renaud,Bruce Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US11776960B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230062940A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Insulated gate type switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09679989B2. Автор: Toru Onishi,Yuichi Takeuchi,Atsushi Onogi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: EP4312275A1. Автор: Ke Jiang,Ken Zhang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: US20240038835A1. Автор: Ke Jiang,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1189637A. Автор: Yoshio Sakai,Tsuneo Funabashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-06-25.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: US20210083066A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit including an insulating gate type semiconductor transistor

Номер патента: US4011653A. Автор: Norio Kobayashi,Taketoshi Kato. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-03-15.

Insulated gate type switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170092742A1. Автор: Toru Onishi,Yuichi Takeuchi,Atsushi Onogi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

A transistor device and a method of operating thereof

Номер патента: EP4430672A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Insulated gate field effect semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20010050401A1. Автор: Yukio Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Insulating gate field effect semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6018182A. Автор: Narihiro Morosawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Insulated gate field effect semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US6259141B1. Автор: Yukio Yamauchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Method for controlling transistor delay of nanowire or nanosheet transistor devices

Номер патента: WO2019112954A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Anton J. DeVillers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Nanowire transistor devices and forming techniques

Номер патента: US20150228772A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Seiyon Kim,Daniel B. Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nanowire transistor devices and forming techniques

Номер патента: US09812524B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Seiyon Kim,Daniel B. Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Cascode transistor device

Номер патента: US20200144402A1. Автор: BIN Li,Jian Yang,Chih-Hung Yen. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Insulated-gate type device driving circuit

Номер патента: US09490793B2. Автор: Morio Iwamizu,Shinji YAMASHINA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods

Номер патента: US09953971B2. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods

Номер патента: US09634129B2. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Insulated-gate type device driving circuit

Номер патента: US20150263719A1. Автор: Morio Iwamizu,Shinji YAMASHINA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and related methods

Номер патента: US20170221881A1. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12074200B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with insulated gate bipolar transistor region and diode region provided on semiconductor substrate and adjacent to each other

Номер патента: US11908954B2. Автор: Tetsuya Nitta,Takahiro Nakatani,Kakeru Otsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Selective gate oxide formation on 2d material based transistor devices

Номер патента: US20240222441A1. Автор: Kevin O'Brien,Chia-Ching Lin,Matthew Metz,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Scott Clendenning,Mahmut Sami KAVRIK,Dominique Adams. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11798993B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014270A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Nanowire MOSFET with support structures for source and drain

Номер патента: US09773868B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertically stacked transistor devices with isolation wall structures containing an electrical conductor

Номер патента: US11699637B2. Автор: Patrick Morrow,Aaron D. Lilak,Anh Phan,Stephanie A. BOJARSKI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266401A1. Автор: Yaohui Zhang,Jinwei QI. Владелец: Suzhou Loongspeed Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistor device

Номер патента: US09825129B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices including separation structure

Номер патента: US20220223711A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Silicon carbide transistor device

Номер патента: US12062698B2. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Electrostatic discharge handling for lateral transistor devices

Номер патента: US20200091137A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Electric Assembly Including an Insulated Gate Bipolar Transistor Device and a Wide-Bandgap Transistor Device

Номер патента: US20170366180A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit devices including insulated-gate transistor device having two separately biasable gates

Номер патента: US5677550A. Автор: Michael John Lee. Владелец: British Technology Group Ltd. Дата публикации: 1997-10-14.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US20190288064A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method for manufacturing ion implanted insulated gate field effect semiconductor transistor devices

Номер патента: US3852120A. Автор: W Johnson,S Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-12-03.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160380072A1. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4287526A. Автор: Hiraku Sakuma. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-09-01.

Wide band gap transistor with nanolaminated insulating gate strutcture and process for manufacturing a wide band gap transistor

Номер патента: EP4220734A1. Автор: Ferdinando Iucolano,Raffaella LO NIGRO,Fabrizio Roccaforte,Emanuela SCHILIRO'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Stress memorization techniques for transistor devices

Номер патента: US09741853B2. Автор: Tao Wang,Prasanna Kannan,Mantavya SINHA,Cuiqin XU,Suresh Kumar REGONDA. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having a vertical insulated gate field effect device and a breakdown region remote from the gate

Номер патента: US5656843A. Автор: Andrew L. Goodyear,Keith M. Hutchings. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US10672869B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Insulated Gate Bipolar Transistor Having First and Second Field Stop Zone Portions and Manufacturing Method

Номер патента: US20190165151A1. Автор: Wolfgang Roesner,Christoph Weiss,Christian Philipp Sandow,Oana Julia Spulber,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230395706A1. Автор: Takuya Yamada,Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Implantation for shallow trench isolation (sti) formation and for stress for transistor performance enhancement

Номер патента: SG158008A1. Автор: Zhang Fan,TEH Young Way,Liu Jinping,TAN Juan Boon,HSIA Liang Choo,Sheng Haifeng,SIEW YONG KONG,LIN WENHE,Vincent Ho,Johnny Widodo,Zhang Beichao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Silicon-on-insulator substrate processing for transistor enhancement

Номер патента: US20230238385A1. Автор: David Scott Whitefield,Guillaume Alexandre Blin,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for forming a germanium channel layer for an NMOS transistor device, NMOS transistor device and CMOS device

Номер патента: US09478544B2. Автор: Liesbeth Witters,Roger Loo,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-10-25.

Tunneling field effect transistor device and related manufacturing method

Номер патента: US20150084133A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Tunneling field effect transistor device and related manufacturing method

Номер патента: US9153585B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Tunneling field effect transistor device and related manufacturing method

Номер патента: US09508606B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for operating a superjunction transistor device

Номер патента: EP3706314A1. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Matteo-Alessandro Kutschak,Andreas Riegler,Christian Fachmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-09-09.

Method for operating a superjunction transistor device and superjunction transistor device

Номер патента: EP3935735A1. Автор: Björn Fischer,Hans Weber,Franz Hirler,Matteo-Alessandro Kutschak,Andreas Riegler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-01-12.

Electrostatic discharge (ESD) protection transistor devices and integrated circuits with electrostatic discharge protection transistor devices

Номер патента: US09831236B2. Автор: Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN,Xiangxiang LU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain

Номер патента: US4103415A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-08-01.

Switching circuit, gate driver for a group iii nitride-based enhancement mode transistor device and method of operating the group iii nitride-based enhancement mode transistor device

Номер патента: US20230139374A1. Автор: QIN LEI,Alain Charles,Mohamed Imam,Hyeongnam Kim,Chunhui Liu. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor Transistor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20200335621A1. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Insulated gate bipolar transistor device, semiconductor device and method for forming said devices

Номер патента: US09525029B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Power MOSFET device structure for high frequency applications

Номер патента: US09806175B2. Автор: Anup Bhalla,Tiesheng Li,Sik K. Lui,Daniel Ng.. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-31.

Insulated gate bipolar transistor device having a fin structure

Номер патента: US09978837B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods and structures for contacting shield conductor in a semiconductor device

Номер патента: US20240266434A1. Автор: Peter A. Burke. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device

Номер патента: EP3659180A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-06-03.

Insulated Gate Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing Such Device

Номер патента: US20210320170A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for manufacturing injection-enhanced insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09583587B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Xuan Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09793342B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: WO2006122130A2. Автор: Anup Bhalla. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2006-11-16.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: WO2006122130A3. Автор: Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2009-04-16.

High power insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09548374B2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Charlotte Jonas. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Gate charge neutralization for insulated gate field- effect transistors

Номер патента: CA1111572A. Автор: Tak H. Ning,Carlton M. Osburn,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20170084692A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-23.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168728A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US20130161689A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo,Leaf YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09530883B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Insulated gate transistor having reduced channel length

Номер патента: US4660062A. Автор: Tadahiro Ohmi,Junichi Nishizawa. Владелец: HANDOTAI KENKYU SHINKOKAI KAWAUCHI SENDAI-SHI. Дата публикации: 1987-04-21.

Semiconductor device with an insulated gate, method for manufacturing the same and power module comprising the same

Номер патента: WO2022200060A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Methods and structures for contacting shield conductor in a semiconductor device

Номер патента: US11996476B2. Автор: Peter A. Burke. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for manufacturing insulated gate type switching device having low-density body region and high-density body region

Номер патента: US09773883B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Akitaka SOENO,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020115257A1. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Insulated gate turn-off device with designated breakdown areas between gate trenches

Номер патента: US20200312988A1. Автор: Richard A. Blanchard,Paul M. Moore,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical insulated gate semiconductor device with less influence from the parasitic bipolar effect

Номер патента: US5285094A. Автор: Tomoyuki Tanaka,Yasumichi Yasuda,Mutsuhiro Mori,Yasunori Nakano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-08.

Insulated gate field-effect transistor input protection circuit

Номер патента: US3746946A. Автор: L Clark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-07-17.

Insulated gate semiconductor device and method of fabricating

Номер патента: US5510648A. Автор: Juan Buxo,Robert B. Davies,Peter J. Zdebel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-04-23.

Insulated gate type semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526B1. Автор: Hidefumi TAKAYA,Kimimori HAMADA,Kyosuke MIYAGI,Yasushi OKURA,Akira KUROYANAGI,Norihito TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Silicon carbide insulated gate semiconductor element and method for producing same

Номер патента: EP2538444A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Insulated gate bipolar transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391451A1. Автор: Chun-Sheng Chen,Yen-Cheng Fang,Zih-Han Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Insulated gate semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526A1. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Kyosuke TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA MIYAGI,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-08-08.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US12027622B2. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Insulated gate type semiconductor device having built-in protection circuit

Номер патента: US5719420A. Автор: Yoshitaka Sugawara,Yasuhiko Kohno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09704980B2. Автор: Kenta GOUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Reverse conduction insulated gate bipolar transistor (IGBT) manufacturing method

Номер патента: US09666682B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Low-temperature epitaxial method for manufacturing backside field stop layer of insulated gate bipolar transistor (IGBT)

Номер патента: US09520479B1. Автор: Mei-Ling Chen,Kuan-Yu Chen. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Lateral insulated gate turn-off device with induced emitter

Номер патента: US20200312987A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Insulated gate field effect device with a smoothly curved depletion boundary in the vicinity of the channel-free zone

Номер патента: US5248893A. Автор: Shinichi Sakamoto. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Bipolar Transistoren mit isoliertem Gate (insulated-gate bipolar transistors (IGBTS)) mit Graben-Gate

Номер патента: DE202018003504U1. Автор: . Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-25.

Insulated gate bipolar transistor and preparation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20230015515A1. Автор: Hui Zhu,Baowei Huang,Xiuguang XIAO. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150084060A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-03-26.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such a device

Номер патента: WO2016120053A1. Автор: Chiara Corvasce,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Higher density insulated gate field effect circuit

Номер патента: US4118642A. Автор: William Stanley Richardson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1978-10-03.

Method of producing insulated gate MOSFET employing polysilicon mask

Номер патента: US4914047A. Автор: Yasukazu Seki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-03.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20200091327A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Shinya Iwasaki,Yuma Kagata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for manufacturing complementary insulated gate field effect transistors

Номер патента: USRE31079E. Автор: Satoshi Meguro,Kouichi Nagasawa,Yasunobu Kosa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-11-16.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20220085213A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with improved thermal conductivity

Номер патента: US20230369476A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20200365730A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device having lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20130168730A1. Автор: Shigeki Takahashi,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter

Номер патента: EP2438611A2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-04-11.

High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter

Номер патента: WO2010141237A2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2010-12-09.

Insulated gate type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5016077A. Автор: Shigeru Atsumi,Masaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-14.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20190333991A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-31.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20200350402A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-11-05.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20180269285A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-20.

Contact structure for transistor devices

Номер патента: US11862692B2. Автор: Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-02.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Thinning in package using separation structure as stop

Номер патента: US09627287B2. Автор: Manfred Engelhardt,Edward Fuergut,Hannes Eder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09472645B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor substrate structure for use in power ic device

Номер патента: US5159427A. Автор: Akio Nakagawa,Tsuneo Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Transistor device and method for producing thereof

Номер патента: EP4391072A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for manufacturing a transistor device having an improved breakdown voltage and a method for manufacturing an integrated circuit using the same

Номер патента: US20080057654A1. Автор: Jihong Chen,Amitabh Jain,Srinivasan Chakravarthi,Eddie H. Breashears. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Trench-gate-type field effect transistor device and method of manufacturing

Номер патента: EP4447121A1. Автор: Luther-King Ngwendson,Vinay Suresh,Hongyao LONG. Владелец: NIO Technology Anhui Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Superjunction transistor device and method for forming a superjunction transistor device

Номер патента: US12034040B2. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Superjunction transistor device and method for forming a superjunction transistor device

Номер патента: EP3916762A1. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for fabricating semiconductor transistor device

Номер патента: US20030119269A1. Автор: Tae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for Fabricating a Transistor Device With a Tuned Dopant Profile

Номер патента: US20160172444A1. Автор: Thomas Hoffmann,Teymur Bakhishev,Sachin R. Sonkusale,Sameer Pradhan. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Vertical-type metal insulator semiconductor field effect transistor device, and production method for manufacturing such transistor device

Номер патента: US20050133856A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Transistor devices and methods of forming transistor devices

Номер патента: US20220140096A1. Автор: Khee Yong Lim,Jiacheng LEI,James JERRY JOSEPH,Lulu Peng,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Electronic circuit with a transistor device, a level shifter and a drive circuit

Номер патента: US20220037536A1. Автор: Franz Stueckler,Rolf Weis,Stefan Tegen,Richard Hensch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-02-03.

Electronic Circuit with a Transistor Device and a Level Shifter

Номер патента: US20200044096A1. Автор: Franz Stueckler,Rolf Weis,Stefan Tegen,Richard Hensch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor transistor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119400B2. Автор: Ling Ma,Martin Henning Vielemeyer,Martin Poelzl,Heimo Hofer,Harsh Naik,Robert Paul Haase,Jyotshna Bhandari,Britta Wutte,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Stress memorization and defect suppression techniques for NMOS transistor devices

Номер патента: US09905673B2. Автор: Min-Hwa Chi,Wen-Pin Peng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for fabricating a transistor device with a tuned dopant profile

Номер патента: US09893148B2. Автор: Thomas Hoffmann,Teymur Bakhishev,Sachin R. Sonkusale,Sameer Pradhan. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Stress memorization and defect suppression techniques for NMOS transistor devices

Номер патента: US09711619B1. Автор: Min-Hwa Chi,Wen-Pin Peng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Transistor device with field-electrode

Номер патента: US09698228B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating a transistor device with a tuned dopant profile

Номер патента: US09577041B2. Автор: Thomas Hoffmann,Teymur Bakhishev,Sachin R. Sonkusale,Sameer Pradhan. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Process for producing a receiver substrate for a semiconductor-on-insulator structure for radiofrequency applications and process for producing such a structure

Номер патента: US20210407849A1. Автор: Marcel Broekaart,Damien Parissi. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-12-30.

Transistor device

Номер патента: US20210118992A1. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Hanno Melzner,Markus Dankerl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-22.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Transistor device

Номер патента: EP1949446A2. Автор: Dennis J. Schloeman,Hang Liao,Chin Huang,Jeffrey A. Hintzman. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-07-30.

Trench type power transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20130069143A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chia-Hui Chen,Sung-Shan Tai,Shian-Hau Liao. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Transistor device

Номер патента: US20130009212A1. Автор: Takeshi Meguro,Yoshihiko Moriya,Jiro Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Transistor device having a field plate

Номер патента: US12094969B2. Автор: Matthias Kroenke,Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Ldmos transistor device and method for forming the same

Номер патента: US20240347626A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Wen Tseng,Cheng-Bo Shu,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Po-Wei Liu,Ping-Cheng Li,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Superjunction transistor device

Номер патента: US20240321953A1. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Lateral insulated-gate bipolar transistor (ligbt) device in silicon-on-insulator (soi) technology

Номер патента: KR20010104342A. Автор: 레타빅데오도르,페트루젤로존,반즈볼요하네스. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2001-11-24.

Source/drain conductors for transistor devices

Номер патента: US09911854B2. Автор: Brian ASPLIN,Jon JONGMAN. Владелец: FlexEnable Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Indium-containing fin of a transistor device with an indium-rich core

Номер патента: US11764275B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Harold W. KENNEL,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of cutting gate structures on transistor devices

Номер патента: US09812365B1. Автор: Stan Tsai,John H. Zhang,Ruilong Xie,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel

Номер патента: US09583614B2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for manufacturing laterally insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09865702B2. Автор: FENG Lin,Feng Huang,Guipeng Sun,Bing Zhao,Lixiang LIU,Guangtao Han,Longjie ZHAO,Huatang LIN,Liangliang PING,Fengying CHEN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Insulated-gate semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010053561A1. Автор: Takeshi Uenoyama,Kunimasa Takahashi,Masao Uchida,Makoto Kitabatake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Insulated gate bipolar field-effect transistor, group, and power converter

Номер патента: US20220254907A1. Автор: Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Huiling ZUO,Loucheng DAI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of manufacturing an insulated gate type field effect semiconductor device

Номер патента: US4039358A. Автор: Motohiro Kitajima,Yoshihiko Nakagawa. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 1977-08-02.

Three part source/drain region structure for transistor

Номер патента: US20210320207A1. Автор: Haiting Wang,Judson R. Holt,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Die stack assembly using an edge separation structure for connectivity through a die of the stack

Номер патента: US09704832B1. Автор: Elmar Wisotzki,Frank Ettingshausen. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Novel source/drain regions for transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US20210234045A1. Автор: Judson R. Holt,Baofu ZHU,Arkadiusz Malinowski,Shiv Kumar Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Floating gate test structure for embedded memory device

Номер патента: US12096629B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for Manufacturing a Transistor Device Comprising a Germanium Channel Material on a Silicon Based Substrate, and Associated Transistor Device

Номер патента: US20160126109A1. Автор: Roger Loo,Jianwu Sun. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for manufacturing a transistor device comprising a germanium channel material on a silicon based substrate, and associated transistor device

Номер патента: US09640411B2. Автор: Roger Loo,Jianwu Sun. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical transistor devices for embedded memory and logic technologies

Номер патента: US09871117B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Floating gate test structure for embedded memory device

Номер патента: US20230345717A1. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Scaled equivalent oxide thickness for field effect transistor devices

Номер патента: US20140199828A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20210313443A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Contact structures for thin film transistor devices

Номер патента: US20200006570A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Benjamin Chu-Kung,Jack Kavalieros,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Miriam Reshotko,Rajat PAUL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407683A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258300A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407681A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258299A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

VTS insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2482322A3. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09941395B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882035B2. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20180166436A1. Автор: Shigeki Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384334A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230207672A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Insulated gate turn-off device having low capacitance and low saturation current

Номер патента: US10256331B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160079402A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Insulated gate semiconductor device having an elevated plateau like portion

Номер патента: US5319231A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Norihiko Seo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-07.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384329A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Fabrication methods of insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20200083348A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180233576A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10505012B2. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Electronic circuit with a transistor device and a protection circuit

Номер патента: US20240250678A1. Автор: Gerhard Thomas Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Electronic circuit with a transistor device and a protection circuit

Номер патента: EP4407871A1. Автор: Gerhard Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Power transistor device

Номер патента: EP1048077A1. Автор: Richard J. Barker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-11-02.

Integrated linear current sense circuitry for semiconductor transistor devices

Номер патента: US09983239B2. Автор: Robert Mayell. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Lateral transistor device

Номер патента: EP3696863A1. Автор: Armin Willmeroth,Ahmed Mahmoud. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-08-19.

A transistor device with metallic electrodes and a method for use in forming such a device

Номер патента: EP1647047A2. Автор: John Christopher Rudin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-19.

Semiconductor transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170154887A1. Автор: Su Xing,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,Tien-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor transistor device having a titled body contact area and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230246071A1. Автор: Michael Hutzler,Oliver Blank,Heimo Hofer,Li Juin Yip,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Thin-film transistor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120032180A1. Автор: Hisao Nagai,Genshiro Kawachi,Sadayoshi Hotta. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09825158B2. Автор: Chiara Corvasce. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3075011A1. Автор: Chiara Corvasce. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-10-05.

Insulated gate switching element

Номер патента: US20160315190A1. Автор: Takashi Ishida,Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Insulated gate switching element

Номер патента: US09525062B2. Автор: Takashi Ishida,Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Insulated gate type switching device

Номер патента: US20160064550A1. Автор: Yasuhiro Ebihara,Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

An insulated gate semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: WO2009024931A1. Автор: Chris Rogers,Ed Huang. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-02-26.

Reverse conducting lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20240222478A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Siyu Chen. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory type insulating gate field effect semiconductor device

Номер патента: CA1094221A. Автор: Kenichi Inoue,Takashi Shimada,Jiro Yamaguchi,Takaji Ohtsu,Hidenobu Mochizuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1981-01-20.

Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor DMOS

Номер патента: US4920064A. Автор: Kenneth R. Whight. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1745517A2. Автор: Hidefumi; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKAYA,Yasushi; c/o DENSO CORPORATION OKURA,Akira; c/o DENSO CORPORATION KUROYANAGI,Norihito; c/o DENSO CORPORATION TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2342753A1. Автор: Vladimir Tsukanov,Kyoung-Wook Seok. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2011-07-13.

Fast switching power insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1586120A2. Автор: Ocker Cornelis De Jager,Barend Visser. Владелец: NORTH WEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2005-10-19.

Insulated-gate field-effect devices

Номер патента: GB2156580A. Автор: Dr David James Coe. Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-09.

Fast switching power insulated gate semiconductor device

Номер патента: WO2004066395A3. Автор: Barend Visser,Jager Ocker Cornelis De. Владелец: Jager Ocker Cornelis De. Дата публикации: 2004-09-02.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3881360A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS,Florin Udrea,Umamaheswara VEMULAPATI,Marina Antoniou,Neophytos LOPHITIS,Uwe BADSTUEBNER. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-09-22.

Method of reducing the current gain of an inherent bipolar transistor in an insulated-gate semiconductor device and resulting devices

Номер патента: US4620211A. Автор: Victor A. K. Temple,Bantval J. Baliga,Tat-Sing P. Chow. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-10-28.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor using a replacement metal gate process

Номер патента: US20200083120A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor using a replacement metal gate process

Номер патента: US20200083121A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Transistor device with segmented contact layer

Номер патента: US09997608B2. Автор: Herbert Gietler,Karoline Koepp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Lateral field effect transistor device

Номер патента: US09502501B2. Автор: Priyanka DE SOUZA. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US09899507B2. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-20.

Double gate transistor device and method of operating

Номер патента: US20240275379A1. Автор: Anton Mauder,Jens Barrenscheen,Markus Bina. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US20210226019A1. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for manufacturing contact structures for dram semiconductor memories

Номер патента: US20060270143A1. Автор: Audrey Dupont,Matthias Goldbach,Clemens Fritz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-30.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Deep trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2482325A3. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

Insulated gate power device using a MOSFET for turning off

Номер патента: US09806181B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2012075905A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-14.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09443926B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method of its manufacturing

Номер патента: RU2571175C2. Автор: Масару СЕНОО,Кёсуке МИЯГИ,Цуйоси НИСИВАКИ,Дзюн САЙТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-12-20.

Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7972928B2. Автор: Yukihiro Hisanaga. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

High-speed superjunction lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US10658496B2. Автор: Qi Yuan,Zhi Lin,Shu Han,Jianlin Zhou,Shengdong HU,Fang Tang,Xichuan ZHOU. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for manufacturing an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09722040B2. Автор: Munaf Rahimo,Maxi ANDENNA. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with improved insulated gate

Номер патента: WO2016108998A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device with improved insulated gate

Номер патента: EP3216047A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Method of fabricating a vertical quadruple conduction channel insulated gate transistor, and an integrated circuit including this kind of transistor

Номер патента: US20020163027A1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-11-07.

Drive circuit for an insulated gate transistor having overcurrent detecting and adjusting circuits

Номер патента: US5210479A. Автор: Yasuo Matsuda,Yutaka Suzuki,Satoshi Ibori,Nobuyoshi Mutoh,Norikazu Tokunaga,Shin Kimura,Shuuji Musha. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-11.

Insulated-gate semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190181261A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for Manufacturing Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT

Номер патента: US20150031174A1. Автор: Guangran PAN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4316203A. Автор: Ryoiku Tohgei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US6072199A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-06.

Lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100032713A1. Автор: Hideaki Kawahara,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Integrated logic circuit having insulated gate field effect transistors

Номер патента: US4695865A. Автор: Kornelis J. Wagenaar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-09-22.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Insulated gate semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6331466B1. Автор: Hideki Takahashi,Hidenori Nishihara,Tadaharu Minato,Masana Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Methods, structures, and circuits for transistors with gate-to-body capacitive coupling

Номер патента: US20030001208A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Novel epitaxial semiconductor material regions for transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US20210118993A1. Автор: Frank W. Mont,Julien Frougier,Ali Razavieh,Baofu ZHU,Arkadiusz Malinowski. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Insulated-gate FET on an SOI-structure

Номер патента: US5264721A. Автор: Hiroshi Gotou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-11-23.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Insulated gate bipolar conduction transistors (ibcts) and related methods of fabrication

Номер патента: EP2198460A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-06-23.

Method of making an insulated gate bipolar transistor with high-energy P+ im

Номер патента: US5843796A. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1998-12-01.

Electromagnetic field preventing and protecting circuit of organic electroluminescent display device having a separated structure

Номер патента: US20050135027A1. Автор: Mi-Sook Suh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Electromagnetic field preventing and protecting circuit of organic electroluminescent display device having a separated structure

Номер патента: US7372680B2. Автор: Mi-Sook Suh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Top-Down Fabrication Method for Forming a Nanowire Transistor Device

Номер патента: US20150053925A1. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

High voltage transistor device with reduced characteristic on resistance

Номер патента: US20160027914A1. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-01-28.

High frequency power transistor device

Номер патента: EP1145314A1. Автор: James Curtis,Timothy Ballard,Cynthia Blair. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Oxide thin-film transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210359133A1. Автор: Ming-Jiue Yu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09793403B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Transistor devices having an anti-fuse configuration and methods of forming the same

Номер патента: US09431497B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Tunnel field effect transistor device and method for making the device

Номер патента: US9070720B2. Автор: Marc Heyns,Anne S. Verhulst,Rita Rooyackers,Quentin Smets. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-06-30.

High voltage semiconductor transistor device

Номер патента: US20070155143A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Phase-controlled field effect transistor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20100084631A1. Автор: Stefano Sanvito,John Boland,Borislav Naydenov. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2010-04-08.

Thin film transistor device, method for manufacturing same and display device

Номер патента: US09893088B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Nanowire field effect transistor device

Номер патента: WO2013070394A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Guy M. Cohen,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161453A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161454A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Multi-state transistor devices with multiple threshold voltage channels

Номер патента: US20200287055A1. Автор: Seyoung Kim,Cheng-Wei Cheng,Ko-Tao Lee,Pierce I-Jen CHUANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

High frequency transistor device with antimony implantation and fabrication method thereof

Номер патента: WO2002001623A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2002-01-03.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US11380778B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor layout structure for ESD protection circuits

Номер патента: US20060278928A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Yi-Hsun Wu,Kuan-Lun Chang,Chuan-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

High frequency transistor device with antimony implantation and fabrication method thereof

Номер патента: EP1303872A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-04-23.

Transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20010055893A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Input protection structure for integrated circuits

Номер патента: US5170240A. Автор: Burkhard Becker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-12-08.

Swapped drain structures for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20020055219A1. Автор: Todd Randazzo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Trench insulated gate bipolar transistor packaging structure and method for manufacturing the trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US11688698B2. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-06-27.

Trench Insulated Gate Bipolar Transistor Packaging Structure and Method for Manufacturing the Trench Insulated Gate Bipolar Transistor

Номер патента: US20210249362A1. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of producing low threshold complementary insulated gate field effect devices

Номер патента: US3759763A. Автор: R Wang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-09-18.

Self-aligned 3-d epitaxial structures for mos device fabrication

Номер патента: EP2878007A1. Автор: Tahir Ghani,Gaurav Thareja,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Daniel B. Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Self-aligned 3-D epitaxial structures for MOS device fabrication

Номер патента: US12046517B2. Автор: Tahir Ghani,Gaurav Thareja,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Daniel B. Aubertine. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Self-aligned 3-D epitaxial structures for MOS device fabrication

Номер патента: US09728464B2. Автор: Tahir Ghani,Gaurav Thareja,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Daniel B. Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Insulated gate field effect transistor with source field shield extending over multiple region channel

Номер патента: US4172260A. Автор: Isao Yoshida,Mineo Katsueda,Takeaki Okabe,Shikayuki Ochi,Yukio Shirota,Hidefumi Itoh,Masatomo Furumi,Toru Toyabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-23.

Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor And Method Of Eliminating The Transistor Tail Current

Номер патента: US20180308962A1. Автор: Junhong Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-10-25.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12119395B2. Автор: Yan Gu,Jing Zhu,Long Zhang,Sen Zhang,Jie Ma,Longxing Shi,Weifeng Sun,Jinli GONG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Insulated-gate field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: CA1150853A. Автор: Royce Lowis,Peter M. Tunbridge. Владелец: Peter M. Tunbridge. Дата публикации: 1983-07-26.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US4985743A. Автор: Hiroyasu Ito,Norihito Tokura,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-15.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20120061726A1. Автор: Shigeki Takahashi,Akio Nakagawa,Norihito Tokura,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Insulated gate thin film transistor with amorphous or microcrystalline semiconductor film

Номер патента: US5340999A. Автор: Makoto Takeda,Tadanori Hishida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9536961B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20160172453A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Complementary silicon-on-insulator lateral insulated gate rectifiers

Номер патента: AU8283287A. Автор: Not Given Name. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-06-23.

Lateral insulated gate transistors with coupled anode and gate regions

Номер патента: CA1252225A. Автор: Sel Colak,Vladimir Rumennik. Владелец: Vladimir Rumennik. Дата публикации: 1989-04-04.

Field-effect transistor structure with an insulated gate

Номер патента: US20010041399A1. Автор: Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-15.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20200295189A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Insulated gate semiconductor device having field shaping regions

Номер патента: EP1208602A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-29.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20150263144A1. Автор: Tsuneo Ogura,Shinichiro Misu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Thin film transistor device, backlight module, and display panel

Номер патента: US12038646B2. Автор: Daobing HU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fast-dump structure for full-frame image sensors with lateral overflow drain antiblooming structures

Номер патента: EP1137071A3. Автор: Eric Gordon c/o Eastman Kodak Company Stevens,William F. c/o Eastman Kodak company Desjardin. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-09-14.

Thin film transistor device

Номер патента: US9331078B2. Автор: Takanori Tsunashima. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Field effect transistor device

Номер патента: US20180097057A1. Автор: Pramod Kumar,Nir Tessler,Yoav Eichen,Yulia GERCHIKOV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-05.

Field effect transistor device

Номер патента: WO2016157186A1. Автор: Pramod Kumar,Nir Tessler,Yoav Eichen,Yulia GERCHIKOV. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2016-10-06.

Field effect transistor device

Номер патента: EP3278369A1. Автор: Pramod Kumar,Nir Tessler,Yoav Eichen,Yulia GERCHIKOV. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-02-07.

Transistor device

Номер патента: US20040041172A1. Автор: Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistor

Номер патента: US4365263A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-21.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: US20200402933A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: EP3891791A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: WO2020117652A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: US20200176402A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of forming a temporary test structure for device fabrication

Номер патента: US09735071B2. Автор: Charles L. Arvin,Gary W. Maier,Brian Michael Erwin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Grid structure for fixing specimen

Номер патента: US20240242989A1. Автор: Unki Kim,Yeoseon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Inversion-type package structure for flip chip and flip chip having the same

Номер патента: US20180350711A1. Автор: Yuepeng YAN,Xuan TANG,Zhen Meng,Xingcheng Zhang,Mou LIU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-12-06.

Methods for running a high density plasma etcher to achieve reduced transistor device damage

Номер патента: WO2000036638A1. Автор: Eric A. Hudson,Jaroslaw W. Winniczek,Joel M. Cook,Helen L. Maynard. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2000-06-22.

Contact structure for an electrically operated II/VI semiconductor element and process for the production thereof

Номер патента: US20040219697A1. Автор: Oliver Schulz,Dieter Bimberg,Matthias Strassburg,Udo Pohl. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2004-11-04.

Contact structure for an electric II/VI semiconductor component and a method for the production of the same

Номер патента: US6673641B1. Автор: Oliver Schulz,Dieter Bimberg,Matthias Strassburg,Udo W. Pohl. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2004-01-06.

Contact structure for an electrically operated II/VI semiconductor element and process for the production thereof

Номер патента: US6893950B2. Автор: Oliver Schulz,Dieter Bimberg,Matthias Strassburg,Udo W. Pohl. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2005-05-17.

Apparatus for controlling insulating gate-type semiconductor element, and power conversion apparatus using apparatus for controlling insulating gate-type semiconductor element

Номер патента: US09780660B2. Автор: Takayuki Hashimoto,Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: EP3759739A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos,Chiara CORREVASCE. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: US12068312B2. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Gate driving circuit for insulated gate-type power semiconductor element

Номер патента: US09966947B2. Автор: Kazuhiro Otsu,Junichiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device

Номер патента: US20230275576A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Insulated gate turn-off device with turn-off Schottky-Barrier MOSFET

Номер патента: US09935188B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070290237A1. Автор: Akio Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Insulated gate turn-off device with turn-off schottky-barrier mosfet

Номер патента: US20180026121A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

Semiconductor device having plural insulated gate switching cells and method for designing the same

Номер патента: US20120091502A1. Автор: Masatoshi Goto,Shinichi Yataka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device having plural insulated gate switching cells and method for designing the same

Номер патента: US8530930B2. Автор: Masatoshi Goto,Shinichi Yataka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Fabrication of an insulated gate field effect transistor device

Номер патента: US3724065A. Автор: L Hall,B Carbajal,W Gosney. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1973-04-03.

Lateral insulated gate turn-off devices

Номер патента: US20140240025A1. Автор: Richard A. Blanchard,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Insulated gate field effect transistor having vertically layered elevated source/drain structure

Номер патента: US5235203A. Автор: Carlos Mazure,Marius Orlowski,Matthew S. Noell. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-08-10.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2020230456A1. Автор: Masanori Miyata,Masaru Senoo,Shuji Yoneda,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09905680B2. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Insulated gate type transistors

Номер патента: US4458261A. Автор: Yasuhisa Omura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1984-07-03.

Insulated gate type transistors

Номер патента: CA1158365A. Автор: Yasuhisa Omura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1983-12-06.

Bi-mode insulated gate transistor

Номер патента: US20170148878A1. Автор: Wenliang Zhang,Junyu Gao,Yangjun ZHU. Владелец: Jiangsu CAS IGBT Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Insulated gate semiconductor device having trench gate and inverter provided with the same

Номер патента: US5828100A. Автор: Yutaka Kobayashi,Akihiko Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-27.

Insulated Gate Bipolar Transistor, Power Module, and Living Appliance

Номер патента: US20220238705A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Insulated gate bipolar transistor, power module, and household electric appliance

Номер патента: EP4024473A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080093623A1. Автор: Yoshinobu Kono. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Insulated gate thyristor

Номер патента: US5637888A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-10.

Shorted anode lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US5773852A. Автор: Byeong-Hoon Lee,Min-Koo Han,Moo-Sup Lim,Yearn-Ik Choi,Jung-Eon Park,Won-Oh Lee. Владелец: Korea Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-30.

Insulated gate turn-off device with short channel pmos transistor

Номер патента: US20240088226A1. Автор: Hidenori Akiyama,Paul M Moore. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Insulated gate bipolar transistor fault protection system

Номер патента: US7817392B2. Автор: Bum-Seok Suh,Dae-woong Chung,Jun-bae Lee. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Insulated gate thyristor

Номер патента: US5684306A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-04.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9520487B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Trench gate super junction IGBT (insulated Gate Bipolar transistor) with high-resistance p-top region

Номер патента: CN112951900B. Автор: 马瑶,黄铭敏,李芸. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-04-12.

Bidirectional insulated-gate rectifier structures and method of operation

Номер патента: CA1200322A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-02-04.

Hybrid insulated gate multi-structure and multi-material transistor

Номер патента: GB2583197A. Автор: Daddi Valentina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-21.

Hybrid insulated gate multi-structure and multi-material transistor

Номер патента: WO2019082220A1. Автор: Valentina Daddi. Владелец: Daddi Valentina. Дата публикации: 2019-05-02.

Hybrid insulated gate multi-structure and multi-material transistor

Номер патента: GB2583197A8. Автор: Daddi Valentina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-18.

Insulated gate bipolar transistor with reverse conducting current

Номер патента: US5519245A. Автор: Norihito Tokura,Naoto Okabe,Naohito Kato. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-21.

Reverse-conducting super-junction IGBT (insulated Gate Bipolar translator) with isolated p-top region

Номер патента: CN113035939A. Автор: 胡敏,马瑶,黄铭敏. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2021-06-25.

Insulated gate bipolar transistor having high breakdown voltage

Номер патента: US5331184A. Автор: Masashi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1181532A. Автор: Hideo Sunami,Hiroo Masuda,Yoshiaki Kamigaki,Eiji Takeda,Katsuhiro Shimohigashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-01-22.

Method and apparatus for validating experimental data provided for transistor modeling

Номер патента: WO2016012904A1. Автор: Muhamad Amri ISMAIL,Nurafizah SAIDIN. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2016-01-28.

Method of fabricating optical sensor device and thin film transistor device

Номер патента: US09698180B2. Автор: Pei-Ming Chen,Shin-Shueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-07-04.

Device having membrane structure for detecting thermal radiation, method for production and use thereof

Номер патента: RU2468346C2. Автор: Карстен ГИБЕЛЕР,Матиас ШРАЙТЕР,Кристиан ПАУЛУС. Владелец: Пайриос Лтд.. Дата публикации: 2012-11-27.

Field effect transistor device and method of production thereof

Номер патента: CA1155969A. Автор: Satwinder D.S. Malhi,Clement A.T. Salama. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-10-25.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Layer structure for magnetic memory element, magnetic memory element, magnetic memory device, and method for storing data in magnetic memory element

Номер патента: US20230282262A1. Автор: Teruo Ono. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-07.

Separation type unit pixel having 3d structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006109937A9. Автор: Do Young Lee. Владелец: Do Young Lee. Дата публикации: 2007-11-15.

Separation type unit pixel having 3d structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1869706A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Transistor devices and methods

Номер патента: EP3195362A1. Автор: Antonino Scuderi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Transistor Device with High Avalanche Robustness

Номер патента: US20180061938A1. Автор: Armin Willmeroth,Bjoern Fischer,Giulio Fragiacomo,Rene MENTE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Multi-Level Gate Control for Transistor Devices

Номер патента: US20190273487A1. Автор: Frank Kronmueller,Ambreesh Bhattad,Horst Knoedgen,Nebojsa Jelaca,Christoph N. Nagl. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US20140368232A1. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US09726712B2. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865B1. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-23.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865A. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-15.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US11699633B1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-11.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US20230245946A1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-08-03.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US09588170B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory array

Номер патента: CA1067208A. Автор: Antony G. Bell. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

Current sensing of emitter sense insulated-gate bipolar transistor (igbt)

Номер патента: US20150340355A1. Автор: Bin Zhang,Hock Tiong Kwa. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

System and method for transistor pathogen detector

Номер патента: US12031987B2. Автор: Adam Khan,Ernest Schirmann,Kiran Kumar KOVI. Владелец: AKHAN SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of producing structure containing phase-separated structure, block copolymer composition, and organic solvent used for block copolymer composition

Номер патента: US20160333217A1. Автор: Tasuku Matsumiya,Ken Miyagi,Tsuyoshi Kurosawa,Taku Hirayama,Katsumi Ohmori,Hitoshi Yamano. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

System and method for transistor pathogen detector

Номер патента: US20210349091A1. Автор: Adam Khan,Ernest Schirmann,Kiran Kumar KOVI. Владелец: AKHAN SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2021-11-11.

Conversion element including a separating structure

Номер патента: US20160146434A1. Автор: Frank Singer,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-26.

Photoelectrode with independent separate structures of electrochromic layer and sensitized light-absorbing layer, and photoelectrochromic device

Номер патента: US20220148817A1. Автор: Chao-Yuan Cheng,Min-Hsin Yeh,Yu-Jou Chiang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2022-05-12.

Three-dimensional semiconductor device having a first main separation structure and a second main separation structure on a lower structure

Номер патента: US11812609B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional semiconductor device having a memory block and separation structures

Номер патента: US10978465B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-13.

Resin composition for forming phase-separated structure, method for producing structure including phase-separated structure, and block copolymer

Номер патента: US11780948B2. Автор: Takahiro Dazai,Ken Miyagi,Takuya ISONO,Toshifumi Satoh,Shunma TANAKA. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Clamp for power transistor device

Номер патента: EP3918684A1. Автор: Sualp Aras,Md Abidur Rahman,Xiaochun Zhao,Eung Jung Kim,Kyle Clifton SCHULMEYER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Method of producing structure containing phase-separation structure, method of forming pattern, and method of forming fine pattern

Номер патента: US20150034595A1. Автор: Takahiro Dazai,Takehiro Seshimo,Ken Miyagi,Yoshiyuki Utsumi,Takaya Maehashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Packaged RF power transistor device having next to each other a ground and a video lead for connecting a decoupling capacitor, RF power amplifier

Номер патента: US09820401B2. Автор: Yi Zhu,Josephus Van Der Zanden. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2017-11-14.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Semiconductor structure for photo-conducting antennas

Номер патента: RU2671286C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Петр Павлович Мальцев,Сергей Сергеевич Пушкарев,Иван Сергеевич Васильевский,Александр Николаевич Виниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2018-10-30.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for forming a case for an electronic device and manufactured case structure for electronic device

Номер патента: US09799585B2. Автор: Yi-Lun Cheng,Chun-Lung Lin,Chih-Ming WENG. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Test structure for electron beam inspection and method for defect determination using electron beam inspection

Номер патента: US09711326B1. Автор: Shih-Cheng Chen,Chung-Chih Hung,Yung-Teng Tsai,Kuan-Chun Lin,Chih-Chieh Chou,Chi-Hung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Cooling structure for an electrical power conversion apparatus

Номер патента: RU2748855C1. Автор: Томохиро УМИНО,Кимихиро ОНО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-01.

Lighting system with photoluminescent structure for vehicles

Номер патента: RU2660108C2. Автор: Стюарт К. САЛЬТЕР,Махендра Сомасара ДАССАНАЙАКЕ,Джеффри ЗИНГЕР,Мэттью МАЖКОВСКИ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2018-07-04.

Integrally formed bias and signal lead for a packaged transistor device

Номер патента: US20190123002A1. Автор: Terry L. Thomas,Arturo Roiz,Justin Nelson Annes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Contact interconnect structures for light-emitting diode chips and related methods

Номер патента: US20240372039A1. Автор: Michael Check,Steven Wuester. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatus and method for monitoring operation of an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09664729B2. Автор: Randall C. Gray,Ibrahim S. Kandah,Thierry Sicard,John M. Pigott,Philipe J. Perruchoud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Separator structure for secondary battery, method of preparing the same, anode-separator assembly for secondary battery including the same, and secondary battery comprising the same

Номер патента: US20230044385A1. Автор: Hwiyeol PARK,Huisu Jeong,Kyounghwan Kim,Joungwon Park,Jeongkuk Shon,Jirae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Separator structure, manufacturing method therefor, and secondary battery using same

Номер патента: EP4152506A1. Автор: Hongcheol Lee,Misun LEE,Juchul LEE,Koun PARK,Eunseck Kang,Eunja LIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-03-22.

Separator structure for secondary battery, method for making the separator, and the secondary battery using the same

Номер патента: US11978922B2. Автор: Hongcheol Lee,Misun LEE,Juchul LEE,Koun PARK,Eunseck Kang,Eunja LIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-07.

Separator structure for secondary battery, method for making the separator, and the secondary battery using the same

Номер патента: US20210359375A1. Автор: Hongcheol Lee,Misun LEE,Juchul LEE,Koun PARK,Eunseck Kang,Eunja LIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-11-18.

Phase separator jig for superconductive cables and phase separator structure for superconductive cables

Номер патента: EP1411609B1. Автор: Masayuki c/o SUMITOMO ELEC. IND. LTD. HIROSE,Hiroyasu c/o SUMITOMO ELEC. IND. LTD. YUMURA,Takeshi c/o SUMITOMO ELEC. IND. LTD. KATO,Yoshihisa TOKYO ELEC. POWER CO. INC. TAKAHASHI,Kimiyoshi TOKYO ELEC. POWER CO. INC. MATSUO,Shoichi TOKYO ELEC. POWER CO. INC. HONJO,Tomoo TOKYO ELEC. POWER CO. INC. MIMURA. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Vehicle mounting structure for device for noncontact power reception

Номер патента: RU2717610C1. Автор: Акихиро АСАИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-24.

Load-carrying structure for telecommunication slots

Номер патента: RU2539361C2. Автор: Матье НЕСМЕ,Ги МЕТРАЛЬ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2015-01-20.

Structure for storage battery cooling

Номер патента: RU2642840C2. Автор: Такэнори ЦУТИЯ,Сёго ЁНЭДА,Рюити ОМУТА,Тэцуо ВАТАНАБЭ,Ёсукэ МАРУТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-01-29.

Structure for mounting battery on vehicle

Номер патента: RU2641020C2. Автор: Хироаки САЙТОУ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-15.

Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators

Номер патента: RU2755344C1. Автор: Максим Сергеевич Васютин,Виктор Григорьевич Косушкин,Сергей Александрович Адарчин,Дмитрий Петрович Островский,Юлий Николаевич Бендрышев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН". Дата публикации: 2021-09-15.

Positioning structure for charging window hatch

Номер патента: RU2525505C1. Автор: Дзунити ЯМАМАРУ,Дайсуке ТАКАСИМА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-08-20.

Structure for vehicle accumulator battery unit accommodation

Номер патента: RU2520621C1. Автор: Дайсуке АКАДЗАВА,Ясуцуне ТЕРАСИМА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-06-27.

Fuel cell metal separator structure, fuel cell using the separator structure and fuel cell stack

Номер патента: US20180159147A1. Автор: Shigemasa KUWATA,Takanori Oku. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Porous structures for energy storage devices

Номер патента: WO2012116156A2. Автор: Christopher T.S. Campbell,John D. Affinito,Tracy Earl Kelley. Владелец: Sion Power Corporation. Дата публикации: 2012-08-30.

Inspection apparatus and method for electrode plate-connected structure for secondary cell

Номер патента: US20020076094A1. Автор: Toshiaki Nakanishi,Yugo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

A holding member for holding an electrochemical cell, a holding structure for the same, an electrochemical system and a connecting member for electrochemical cells

Номер патента: EP1294035B1. Автор: Shigenori Intellectual Property Dept. NGK Insulators Ltd. Ito,Takashi Intellectual Property Dept. NGK Insulators Ltd. Ryu,Sota Intellectual Property Dept. NGK Insulators Ltd. Shimizu,Kiyoshi Intellectual Property Dept. NGK Insulators Ltd. Okumura,Mitsuru Intellectual Property Dept. NGK Insulators Ltd. Hattori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Connector structure for computer flat-cable

Номер патента: US20030203662A1. Автор: Hu-Min Liu. Владелец: Mitac International Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for manufacturing porous structure for lithium batteries and porous structure for lithium batteries manufactured thereby

Номер патента: US20230061580A1. Автор: Jae Wook Shin,Won Keun Kim,Seong Min Ha,Ha Yong Song,Kyoung Han Ryu,Seung Jong Lee,Jong Chang Song,Kwang Sup Eom,Da In Seok,Jin Hyeon Jo. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Structure for attaching band clip to corrugated tube

Номер патента: US09539959B2. Автор: Yutaka Matsumura. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Layout structure for casing of charging port

Номер патента: RU2527882C1. Автор: Дзунити ЯМАМАРУ,Масато ИНОУЕ,Дайсуке ТАКАСИМА,Масааки ТАКАГИ,Тоору ЯМАСИТА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-09-10.

Battery attaching/detaching structure for saddle-type vehicle

Номер патента: EP3858720A1. Автор: Akira Sato,Shunichi Nakabayashi,Sadataka Okabe. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-04.

Draining structure for a keyboard

Номер патента: US20030198498A1. Автор: Yong Tsau. Владелец: Behavior Technical Computer Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Structure for the connection between a hub and its transceivers

Номер патента: US20030176091A1. Автор: Lung-Hua Huang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Multilayer transformer pcb structure for electric car and method for manufacturing multilayer transformer pcb for the same

Номер патента: US20160284460A1. Автор: Chanboung JEONG. Владелец: Dodo Tech Co ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Structure for pressurization analysis, x-ray diffraction apparatus and pressurization analysis system

Номер патента: EP3974820A1. Автор: Koichiro Ito. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Battery arrangement and battery mounting structure for a vehicle

Номер патента: US20050092535A1. Автор: Yoshiaki Tsukada,Seiji Onozawa,Mitsuo Nakagawa,Yoshiyuki Horii,Kyoichi Ariga. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Contact structure for a switch

Номер патента: EP1728258A2. Автор: Gerd Rudolph,George Albert Drew,Thomas J. Schoepf,Neil R. Aukland. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-06.

Contact structure for a switch

Номер патента: WO2005089435A2. Автор: Gerd Rudolph,George Albert Drew,Thomas J. Schoepf,Neil R. Aukland. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2005-09-29.

Structure for engaging connector housing and rear holder in same metal mold

Номер патента: US20010053638A1. Автор: Motohisa Kashiyama. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

MOUNTING STRUCTURE FOR LITIUM-ION BATTERY CASE OF ELECTRIC VEHICLE

Номер патента: DK3187354T3. Автор: WEI Tian,Jing Wang,Shiyong WANG,Yinghua Hu,Hua DUAN,Zongyou LI. Владелец: Aima Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-26.

Terminal retaining structure for connector

Номер патента: US5752859A. Автор: Kimihiro Abe,Toshiaki Okabe. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Suspension attachment structure for a motor vehicle and frame assembly for a motor vehicle

Номер патента: US20240351399A1. Автор: Fabrizio Favaretto. Владелец: Ferrari SpA. Дата публикации: 2024-10-24.

Battery management unit provided with structure for preventing separation of card edge connector and the structure for preventing separation of card edge connector

Номер патента: US20240322466A1. Автор: Woonghee Lee,Byunghyun Lee,Jaepil Ahn. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Power conversion device including bidirectional switch having reverse-blocking insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09496801B2. Автор: Shuangching Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Insulated gate device discharging

Номер патента: US09973189B2. Автор: Jonathan Alan Dutra,David C. Wyland. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Insulated gate device discharging

Номер патента: US09755636B2. Автор: Jonathan Alan Dutra,David C. Wyland. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Operation control of electronic valves with insulated gates

Номер патента: RU2406221C2. Автор: Вальдемар БЕЛЬВОН,Пер ВЕННЕРЛУНД. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2010-12-10.

Systems and methods for testing a clamp function for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09720030B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and circuit for reducing collector-emitter voltage overshoot in an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09819339B2. Автор: Sui Pung Cheung,Kwok Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Insulated gate driver circuit and method for operating the insulated gate driver circuit

Номер патента: US20240186996A1. Автор: Muh-Dey Wei,Renato Negra,Lukas HÜSSEN. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2024-06-06.

Switching method for current phase rectifier with insulated gate bipolar transistor (igbt) of reverse conductance

Номер патента: RU2559760C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-08-10.

Insulated gate device discharging

Номер патента: US20160380627A1. Автор: Jonathan Alan Dutra,David C. Wyland. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Insulated gate device discharging

Номер патента: US20170366181A1. Автор: Jonathan Alan Dutra,David C. Wyland. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-21.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: US20090067109A1. Автор: Richard J. Hampo,Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S. Vadula. Владелец: Siemens VDO Automotive Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: WO2008067433A9. Автор: Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S Vadula,Richard J Hampo. Владелец: Richard J Hampo. Дата публикации: 2008-08-28.

Insulated gate bipolar transistor heat dissipation structure of motor controller

Номер патента: CA2843751A1. Автор: Yong Zhao,Yonghua WU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Protection apparatus and method for insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230344218A1. Автор: Jie Liu. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: US11811331B2. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Method and apparatus for switching insulated gate field effect transistors

Номер патента: US6822503B2. Автор: Bum-Seok Suh,Ki-Young Jang. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: WO2022094402A8. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics, Inc.. Дата публикации: 2022-08-04.

Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) Rectifier for Charging Ultra-Capacitors

Номер патента: US20240072681A1. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for switching insulated gate field effect transistors

Номер патента: US20040051578A1. Автор: Bum-Seok Suh,Ki-Young Jang. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-03-18.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: CA1154089A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-09-20.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: US4280069A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1981-07-21.

Insertable single-cell structure for use in an energy conversion system

Номер патента: RU2676752C2. Автор: Ричард С. ЧЗАН,Фань ЧЗАН,Куньлунь ЧЭНЬ,Стефан ШРЕДЕР,Чжихуэй ЮАНЬ,Цзе Шен. Владелец: ДжиИ Энерджи Пауэр Конвёшэн Текнолоджи Лтд. Дата публикации: 2019-01-11.

Method for designing input circuitry for transistor power amplifier

Номер патента: WO2009032415A1. Автор: Colin S. Whelan,Raghu Mallavarpu,Matthew Tyhach. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2009-03-12.

Methods and apparatus for transistor health monitoring

Номер патента: US11070197B1. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Gangyao Wang,Miguel Aguirre. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-07-20.

Anti-separating structure of sensing magnet for EPS motor

Номер патента: US09843242B2. Автор: Taehwan Kim,Byungyong Kim,Shunghun Woo,Donggeun Chang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Anti-separating structure of sensing magnet for EPS motor

Номер патента: US09800121B2. Автор: Taehwan Kim,Byungyong Kim,Shunghun Woo,Donggeun Chang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Transistor device and method of operating a transistor device

Номер патента: US20230275577A1. Автор: Massimo Grasso,Daniele MIATTON. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Switch circuit with a first transistor device and a second transistor device connected in series

Номер патента: US09455697B2. Автор: Gerald Deboy,Karl Norling. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Overcurrent protection circuit for composite transistor devices

Номер патента: US20230268917A1. Автор: Chao Yang,Haibin Liu,Sen Liu,Jianping Li,Yao Liu,Jie Yin,Xiaowei Liu,Xinglong Liu,Alper Akdikmen,Linsen SHI,Guichun Ban,Huahua Duan,Franco Maloberty. Владелец: Microtera Semiconductor Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Record carrier with data structure for managing reproduction of video data recorded on it

Номер патента: RU2316831C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Сын Ван ПАК,Ён Силь ХЁН,Дже Ён Ю. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-02-10.

Recording medium with data structure for controlling resumption of playback of video data recorded on said medium and methods and devices for recording and playback

Номер патента: RU2387028C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Чеа Ён ЁО,Ми Хюн КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2010-04-20.

Fluid-permeable heater assembly for aerosol-generating systems and a flat electrically conductive ordered filamentary structure for fluid-permeable heaters assembly

Номер патента: RU2730709C2. Автор: Олег МИРОНОВ,Ихар Николаевич ЗИНОВИК. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-08-25.

Information storage carrier with data structure for a set of views and recording and reproducing device for said carrier

Номер патента: RU2298235C2. Автор: Кил-Соо ДЗУНГ,Сеонг-дзин МООН,Дзунг-ван КО,Дзунг-Квон ХЕО,Сунг-Воок ПАРК,Хиун-квон ЧУНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-04-27.

Frame structures for wireless communication system with multiple radio communication methods

Номер патента: RU2386217C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Дурга П. МАЛЛАДИ,Рамасвами МУРАЛИ,Анастасиос СТАМОУЛИС,Ашок МАНТРАВАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-04-10.

Recording medium, equipped with data structure for managing display of still images recorded thereon, as well as methods and devices for recording and displaying

Номер патента: RU2363995C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Кан Соо СО. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-08-10.

Methods and structures for controlling retransmission of device over random access channel in wireless communication network

Номер патента: RU2699394C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Бьёрн ХОФСТРЁМ,Джон Уолтер ДИАЧАЙНА,Клаэс-Йёран ПЕРССОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-09-05.

Method for measuring the temperature of a current collector of a structure for induction heating, structure for induction heating, and aerosol-generating apparatus and system

Номер патента: RU2761243C1. Автор: Олег МИРОНОВ,Жером Кристиан КУРБА,Энрико СТУРА. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2021-12-06.

Carrier for storing information with data structure for multi-angle display and device for this carrier

Номер патента: RU2296379C2. Автор: Кил-Соо ДЗУНГ,Сеонг-дзин МООН,Дзунг-ван КО,Дзунг-Квон ХЕО,Сунг-Воок ПАРК,Хиун-квон ЧУНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-03-27.

Step change structures for broadband pilot signals

Номер патента: RU2427076C2. Автор: Дурга Прасад МАЛЛАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Piezoresistive transistor device and power electronic module including a piezoresistive transistor device

Номер патента: US20240090355A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Saurabh Roy,Josef Anton Moser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for driving a transistor device and electronic circuit

Номер патента: US09712147B2. Автор: Stephan Donath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Supporting structure for apparatuses, including electrical devices, and casing incorporating such supporting structure

Номер патента: RU2226322C2. Автор: Патрис ЖАРРИ,Рафаэль ДЕКОР. Владелец: Легран. Дата публикации: 2004-03-27.

Record medium having data structure for marks of reproduction lists intended for control of reproduction of static images recorded on it and methods and devices for recording and reproduction

Номер патента: RU2359345C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Сын Ван ПАК. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-06-20.

Writing medium with data structure for control over playing back of recorded static images and methods and devices for writing and playing back

Номер патента: RU2330332C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Чхан Пум КИМ,Тхэ Хо КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-07-27.

Multiple access diagram and signal structure for d2d communications

Номер патента: RU2643702C1. Автор: Юдзянь ЧЖАН,Хуцзюнь ИНЬ,Сяоган ЧЭНЬ,Цзун-Каэ ФУ,Цинхуа ЛИ,Хуанинг НЮ,И Хсуань,Юань ЧЖУ,Алексей Давыдов,Хунган ЛИ,Синьтянь Э. ЛИНЬ,Вэнди К. ВОНГ,Апостолос ПАПАТАНАССИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-06.

Recording medium with data structure for managing playback of graphic data and methods and devices for recording and playback

Номер патента: RU2388073C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Кан Су СО,Хюн Сун КИМ,Чон Хйе ЯН. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2010-04-27.

Record medium with data structure for control of duration of stored still images reproduction and record and reproduction methods and devices

Номер патента: RU2340959C2. Автор: Кхан Су СО,Пюн Чин КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-12-10.

Recording medium with data structure for recorded slides reproduction control as well as methods and recorders and reproducers

Номер патента: RU2335810C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Сын Ван ПАК. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-10-10.

Electrode structure for formation of dielectric barrier plasma discharge

Номер патента: RU2737280C2. Автор: Леонхард ТРУТВИГ,Мирко ХАНЛЬ,Карл-Отто ШТОРК,Дирк ВАНДКЕ. Владелец: Сайноджи Гмбх. Дата публикации: 2020-11-26.

Systems and methods of adaptive frame structure for time division duplex

Номер патента: RU2672671C1. Автор: Цзянлэй МА,Келвин Кар Кин АУ,Цзин ЦЮ,Лицин ЧЖАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-11-19.

Recording medium with data structure for managing playback of subtitle data and methods and devices for recording and playback

Номер патента: RU2387029C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Хюн Сун КИМ,Чон Хйе ЯН,Пюн Чин КИМ (KR),Хюн Сун КИМ (KR),Чон Хйе ЯН (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2010-04-20.

Methods and structures for transmitting reports with csi

Номер патента: RU2629944C2. Автор: Давид ХАММАРВАЛЛЬ,Сванте БЕРГМАН. Владелец: ТЕЛЕФОНАКТИЕБОЛАГЕТ Л М ЭРИКССОН (ПАБЛ). Дата публикации: 2017-09-05.

Record medium with data structure for control of graphic data reproduction and methods and devices of recording and reproduction

Номер патента: RU2344495C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Сын Ван ПАК. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-01-20.

Recording medium with data structure for managing playback of data recorded on it and methods and devices for recording and playback

Номер патента: RU2334285C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Чхан Пум КИМ,Тхэ Хо КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-09-20.

Sounding reference signals (srs) structure for a time division duplex (tdd) cellular system of millimeter waves

Номер патента: RU2712127C1. Автор: Натан Эдвард ТЕННИ,Бинь Лю,Ричард СТИРЛИНГ-ГАЛЛАХЕР. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-01-24.

Data carrier with data structure for managing display of text subtitles and method and device for recording and displaying

Номер патента: RU2375767C2. Автор: Канг Соо СЕО,Дзеа Йонг ЙОО,Биунг Дзин КИМ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for making a multilayer textile structure for protecting acoustic devices, method for making a component for protecting acoustic devices by the multilayer textile structure and the obtained acoustic device protecting component

Номер патента: WO2017060765A2. Автор: Paolo Canonico,Carmine LUCIGNANO. Владелец: SAATI S.P.A.. Дата публикации: 2017-04-13.

Method for making a multilayer textile structure for protecting acoustic devices, method for making a component for protecting acoustic devices by the multilayer textile structure and the obtained acoustic device protecting component

Номер патента: EP3359376A2. Автор: Paolo Canonico,Carmine LUCIGNANO. Владелец: SAATI SpA. Дата публикации: 2018-08-15.

Electric junction box comprising wire guiding out portion structure for winding tape

Номер патента: EP2695260A1. Автор: Takeshi Onoda,Kunihiko Takeuchi. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2014-02-12.

Support frame structure for supporting dispersion plate in fluid layer reduction furnace for reduction of iron ore

Номер патента: WO2005108628A1. Автор: Do Mun Choi. Владелец: Chosun Refractories Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-11-17.

Heat dissipation structure for optoelectronic module and electronic device

Номер патента: US20240319456A1. Автор: WEI Liu,Xiaolong Lv,Guohong LAI. Владелец: Ruijie Networks Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Recording medium having a data structure for managing font information for text substitles and recording and reproducing methods and apparatuses

Номер патента: MY154785A. Автор: Kang Soo Seo,Jea Yong Yoo,Byung Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-07-31.

Circuit structure for realizing real-time predistortion calibration of broadband IQ modulation and method thereof

Номер патента: US12119965B2. Автор: Shuang Chen,Xiaolei Wang. Владелец: Transcom Shanghai Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Access management system, authentication device for access management system, management device for access management system, portable terminal for access management system, mobile body for access management system, data structure for access management data, access management program, and construction method for access management system

Номер патента: US12118070B2. Автор: Manato Takai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Circuit structure for compensating for hall deviation of brushless direct current motor, and angle controller operation method

Номер патента: EP4231520A1. Автор: JING HUA,Xudong Zhao,Yafei LI,Xinjie LIU,Sang Wang,Chun HUA. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Channel state information (CSI) report structure for dynamic antenna port adaptation

Номер патента: US12074673B2. Автор: Yu Zhang,Hwan Joon Kwon,Hung Dinh LY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for generating a dataset structure for location-based services and method and system for providing location-based services to a mobile device

Номер патента: US09996552B2. Автор: Dan Dobre,Nuno Filipe Vieira Dos Santos. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Entities, methods and data structure for identifying a personal iot network in a communication network

Номер патента: WO2024188452A1. Автор: Xun XIAO. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-19.

Mapping structure for maintaining metadata for snapshots in a virtualized storage environment

Номер патента: US09720921B1. Автор: Manosiz Bhattacharyya,Tabrez Parvez Memon,Kannan Muthukkaruppan,Vinayak Hindurao Khot. Владелец: Nutanix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems and methods for determining frame structures for frequency bands

Номер патента: US09531500B1. Автор: Muhammad Ahsan Naim. Владелец: Sprint Spectrum LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Mounting structure for an electric motor

Номер патента: RU2664035C2. Автор: Либор ВАВРА,Владимир БАЙЕР,Радомир РАСКА,Александр ВЕЛИЦКА. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-08-14.

Microcrystalline structure for thermoelectric generator based on seebeck effect, and method for manufacturing of such microcrystalline structure

Номер патента: RU2521147C2. Автор: БИСКЕР Наталио МЕНГО,Тристан КАРОФФ,Венсан РЕМОНДЬЕР,Шидун ВАН,Марк ПЛИССОННЬЕР. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2014-06-27.

Structure for fixation of resolver position indicator

Номер патента: RU2354031C1. Автор: Хироюки ЦУКАСИМА,Хироми МАКИУТИ. Владелец: Тамагава Сейки Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-04-27.

Pucch channel structure for mixed numerology

Номер патента: RU2724632C1. Автор: Стефан ПАРКВАЛЛЬ,Карола ФАРОНИУС,Эрик ДАЛЬМАН,Роберт БАЛЬДЕМАЙР. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2020-06-25.

Insulating structure for power conversion device

Номер патента: RU2653354C2. Автор: Кацунори МОРИТА. Владелец: Мейденша Корпорейшн. Дата публикации: 2018-05-08.

Channel structure for non-contention based windows and contention based random access requests

Номер патента: RU2542738C2. Автор: Дэвид Г. ВИАТРОВСКИ,Дипендра М. ЧАУДХЭРИ,Томас Б. БОН,Пунеет К. ПУРИ,Рупак М. ИНГОУЛ,Дэлиа М. МАРЧОСКИ,Абхишек КУМАР. Владелец: Моторола Солюшнз, Инк.. Дата публикации: 2015-02-27.

Structure for suppressing inter-cell interference

Номер патента: RU2483447C2. Автор: Рави ПАЛАНКИ,Петру К. БУДЬЯНУ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-05-27.

Channel interleaving structure for wireless communication system

Номер патента: RU2446589C2. Автор: Дурга Прасад МАЛЛАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-03-27.

Transformed structure for based on cyclic delay diversity precoding

Номер патента: RU2446576C2. Автор: Биоунг-Хоон КИМ,Сяося ЧЖАН,Таесанг ЙОО. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-03-27.

Record medium with data structure for handle of data streams playback written on it, ways, writing and playback devices

Номер патента: RU2364959C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Кан Су СО. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-08-20.

Codebook design and structure for multi-granular feedback

Номер патента: RU2537273C2. Автор: Томми КОЙВИСТО,Тимо РОМАН,Шуан ТАНЬ,Хелька-Лиина МААТТАНЕН,Михай ЕНЕСКУ,Тимо ЛУНТТИЛА,Кари ПИЕТИКАЙНЕН. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2014-12-27.

New frame and training structure for multi-carrier systems

Номер патента: RU2498516C2. Автор: Лотар Штадельмайер,Дитмар ШИЛЬ,Сэмюэль Асанбенг АТУНГСИРИ,ГОНЗАЛЕС Антонио АЛАРКОН. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-11-10.

Internal structure for an electrical heating device with heating element freely coiled at least in sections and electrical heating device

Номер патента: US20180352610A1. Автор: Andreas SCHLIPF. Владелец: Tuerk and Hillinger GmbH. Дата публикации: 2018-12-06.

Techniques for configuring an adaptive frame structure for wireless communications using unlicensed radio frequency spectrum

Номер патента: US20180167942A1. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Naga Bhushan,Tingfang JI,Durga Prasad Malladi,Yongbin Wei,Aleksandar Damnjanovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Techniques for configuring an adaptive frame structure for wireless communications using unlicensed radio frequency spectrum

Номер патента: EP3050355A1. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Naga Bhushan,Tingfang JI,Durga Prasad Malladi,Yongbin Wei,Aleksandar Damnjanovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Multiplex Method and Associated Functional Data Structure for Combining Digital Video Signals

Номер патента: US20180020235A1. Автор: Peter Amon,Norbert Oertel. Владелец: Unify GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-18.

Conical magnets and rotor-stator structures for electrodynamic machines

Номер патента: US20120104890A1. Автор: John Patrick Petro,Jeremy Franz Mayer,Donald Burch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Cooling structure for disc-type motor

Номер патента: EP4239854A1. Автор: Li Xia,Jinhua Chen,Lei Tang,Guangquan Zhang,Wenxiong YANG,Yixiong LI. Владелец: Shanghai Pangood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Information storage medium with data structure for multi-angle and apparatus therefor

Номер патента: MY149822A. Автор: Jung-Wan Ko,Sung-Wook Park,Kil-Soo Jung,Hyun-Kwon Chung,Seong-Jin Moon,Jung-kwon Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-14.

Cooling structure for disk-type electric motor, and disk-type electric motor

Номер патента: EP4274060A1. Автор: Li Xia,Jinhua Chen,Lei Tang,Guangquan Zhang,Wenxiong YANG,Yixiong LI. Владелец: Shanghai Pangood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Supporting and heat dissipating structure for motor having integrated driver

Номер патента: US20140062268A1. Автор: Chiu-Yao Lin,Chih-Yung Li,Hua-Yi Hung. Владелец: Headline Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Multiplex Method and Associated Functional Data Structure for Combining Digital Video Signals

Номер патента: US20150237371A1. Автор: Peter Amon,Norbert Oertel. Владелец: Unify GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-08-20.

Optical circuit structure for realizing a higher-order node in an optical transmission network

Номер патента: US7835645B2. Автор: Michael Eiselt. Владелец: ADVA Optical Networking SE. Дата публикации: 2010-11-16.

Mirror attachment structure for image-reading apparatus

Номер патента: US20030184825A1. Автор: Eiichi Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Multilayer structure for capacitive pressure sensing

Номер патента: US20160290878A1. Автор: Mikko Heikkinen,Jarmo Sääski,Kari Severinkangas. Владелец: Tacto Tek Oy. Дата публикации: 2016-10-06.

Multiplex Method and Associated Functional Data Structure for Combining Digital Video Signals

Номер патента: US20120069904A1. Автор: Peter Amon,Norbert Oertel. Владелец: Siemens Enterprise Communications GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-03-22.

Relational structure for wireless nodes and optimizing method for the relational structure

Номер патента: US20160191321A1. Автор: Meng-Seng Chen,Tien-Szu Lo. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Relational structure for wireless nodes and optimizing method for the relational structure

Номер патента: US10075341B2. Автор: Meng-Seng Chen,Tien-Szu Lo. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2018-09-11.

Carrier structure for solar panels and method of producing such a carrier structure

Номер патента: EP3066399A1. Автор: Jeroen De Vogel,Vincent DE VOGEL. Владелец: ESDEC BV. Дата публикации: 2016-09-14.

Self test structure for interconnect and logic element testing in programmable devices

Номер патента: US20070011539A1. Автор: Danish Syed,Vishal Srivastava. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2007-01-11.

Structure for protecting and guiding flat cable of traveling module

Номер патента: USRE41322E1. Автор: Yin-Chun Huang,Chih-Wen Huang,Jen-Shou Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-11.

Cooling structure for dynamo-electric machine

Номер патента: CA2993512C. Автор: Takenari Okuyama,Tomoyuki Manabe. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Carrier structure for solar panels and method of producing such a carrier structure

Номер патента: WO2015069113A1. Автор: Jeroen De Vogel,Vincent DE VOGEL. Владелец: ESDEC B.V.. Дата публикации: 2015-05-14.

Holding and heat dissipation structure for heat generation part

Номер патента: US20020163783A1. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ashiya,Yayoi Maki. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

Asymmetric transistor devices

Номер патента: US20240284663A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Expansion card securement structure for industrial computer and securement latch thereof

Номер патента: US20160295735A1. Автор: Yu-Feng Lin. Владелец: AIC Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

LARGE SCALE IoT PILOT STRUCTURE FOR SMART CITY PLAN AND DEVELOPMENT

Номер патента: AU2020101211A4. Автор: Suresh Kallam,Rizwan Patan,Ramesh Sekaran,Sivaram Rajeyyagari,Ashok Kumar Munnangi. Владелец: Rajeyyagari Sivaram Dr. Дата публикации: 2020-08-06.

Method and apparatus for measuring the barrier height distribution in an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US5612628A. Автор: Davorin Babic,Edward H. Nicollian,John C. Lofgren. Владелец: University of North Carolina System. Дата публикации: 1997-03-18.

Systems, circuits, and methods to detect gate-open failures in mos based insulated gate transistors

Номер патента: US20230076735A1. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Bilal Akin,Bhanu Teja Vankayalapati,Masoud Farhadi. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-03-09.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP4024064A1. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Procedure and device for measuring silicon temperature and over-temperature protection of a power insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2013045960A2. Автор: Ivan BAHUN. Владелец: Končar - Elecktrična Vozila D.D.. Дата публикации: 2013-04-04.

Insulating carabiner hook and insulating gate for carabiner hook and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210123471A1. Автор: Wei-Chieh HUNG,Chia-Hsien Wang,Ya-Chun CHENG. Владелец: Yoke Industrial Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12019115B2. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Injection molding system with flanged insulation gate seal

Номер патента: CA1318998C. Автор: Harald Hans Schmidt. Владелец: Mold Masters 2007 Ltd. Дата публикации: 1993-06-15.

Insulated-gate bipolar transistor collector-emitter saturation voltage measurement

Номер патента: US09575113B2. Автор: Michael Mankel,Carlos Castro-Serrato. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Method and system for predicting insulated gate bipolar transistor lifetime based on compound failure mode coupling

Номер патента: US11953538B2. Автор: Xiao Wang,Yigang HE,Lie LI,Liulu HE. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-04-09.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US20160025802A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-28.

Fluidic structures for membraneless particle separation

Номер патента: US09486812B2. Автор: Armin R. Völkel,Meng H. Lean,Ashutosh Kole,Jeonggi Seo. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Separation structure for dust cup of vacuum cleaner

Номер патента: US20220400919A1. Автор: Pengfei LU. Владелец: Shenzhen Shermon Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Separation structure for dust cup of vacuum cleaner

Номер патента: EP4356803A1. Автор: Pengfei LU. Владелец: Shenzhen Shermon Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Voltage reference for transistor constant-current source

Номер патента: CA1251523A. Автор: Einar O. Traa. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1989-03-21.

Microfluidic device having separable structure using thin film

Номер патента: US12059678B2. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-ho Han. Владелец: INJE University Industry—Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-08-13.

Building system with separate structural units

Номер патента: RU2175702C2. Автор: ДЕР ХЕЙДЕН Франсискус Антониус Мария ВАН. Владелец: ДЕР ХЕЙДЕН Франсискус Антониус Мария ВАН. Дата публикации: 2001-11-10.

Electrically powered construction equipment comprising a housing structure with an inertial dust separating structure

Номер патента: SE2251448A1. Автор: Peter Karlsson,Jonas Eriksson. Владелец: HUSQVARNA AB. Дата публикации: 2024-06-14.

Defect injection for transistor-level fault simulation

Номер патента: US09372946B2. Автор: Stephen Kenneth Sunter. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Optical encoder having a positioning device with light penetrating areas disposed between a light emitting module and a light separating structure

Номер патента: US09488502B2. Автор: Ming-Chieh Chou,Yi-Cheng Chen,Ching-Chang Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of producing structure containing phase-separated structure, phase separated structure, and block copolymer composition

Номер патента: US09475088B2. Автор: Daiju Shiono,Tasuku Matsumiya,Ken Miyagi,Tsuyoshi Kurosawa,Kenichiro Miyashita,Katsumi Ohmori. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Oil Separation Structure and Compressor

Номер патента: US20200158113A1. Автор: Tianyi Zhang,Hua Liu,Helong ZHANG,Qiangjun Meng,Cong Cao,Ziyuan Huang,Yushi Bl. Владелец: Gree Wuhan Electric Appliances Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of producing structure containing phase-separated structure and method of forming top coat film

Номер патента: US09644110B2. Автор: Takahiro Dazai,Takehiro Seshimo,Yoshiyuki Utsumi,Takaya Maehashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of producing structure containing phase-separated structure, method of forming pattern and method of forming fine pattern

Номер патента: US09442371B2. Автор: Daiju Shiono,Takahiro Dazai,Tasuku Matsumiya,Takehiro Seshimo,Ken Miyagi,Yoshiyuki Utsumi,Tsuyoshi Kurosawa,Takaya Maehashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Oil separation structure and compressor

Номер патента: EP3633200A1. Автор: Tianyi Zhang,Hua Liu,Helong ZHANG,Qiangjun Meng,Yushi BI,Cong Cao,Ziyuan Huang. Владелец: Gree Wuhan Electric Appliances Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Resin composition for forming a phase-separated structure, and method of producing structure containing phase-separated structure

Номер патента: US09914847B2. Автор: Tasuku Matsumiya,Takehiro Seshimo,Ken Miyagi,Akiya Kawaue,Takaya Maehashi,Hitoshi Yamano,Paul Franklin Nealey,Xuanxuan CHEN. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Resin composition for forming a phase-separated structure, and method of producing structure containing phase-separated structure

Номер патента: US09828519B2. Автор: Tasuku Matsumiya,Takehiro Seshimo,Ken Miyagi,Akiya Kawaue,Takaya Maehashi,Hitoshi Yamano,Paul Franklin Nealey,Xuanxuan CHEN. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Sinker equipped with lubrication oil channeling and separating structure

Номер патента: US09617667B1. Автор: Shih-Chi Chen,Tao Chiang. Владелец: Pai Lung Machinery Mill Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Heat radiating structure for use in image projecting apparatus

Номер патента: US7625106B2. Автор: Hiroaki Fujii,Yoshiro Asano,Kazuhiko Takatsuka,Akihito Yajima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Paper separation structure

Номер патента: US20200262665A1. Автор: Wei Xiang Tsai,Hsing Hung Lee. Владелец: Foxlink Image Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Internal combustion engine: five-stroke rotary engine with rotary gates, separate working medium compression and expansion sections, and isolated invariable-volume combustion chambers

Номер патента: RU2477376C2. Автор: Игорь Юрьевич Исаев. Владелец: Игорь Юрьевич Исаев. Дата публикации: 2013-03-10.

Device for separating structural elements under water

Номер патента: RU2768686C1. Автор: Сергей Николаевич Мышкин,Артур Леонидович Гаврилов,Владимир Аркадьевич Демаков,Владимир Петрович Тумаков,Юрий Серафимович Мещанкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-03-24.

Tissue pneumatic separator structure

Номер патента: US4357940A. Автор: George H. Muller. Владелец: Detroit Neurosurgical Foundation. Дата публикации: 1982-11-09.

Internal combustion engine: six-stroke rotary engine with spinning gates, separate rotor different-purpose sections, invariable volume combustion chambers arranged in working rotors

Номер патента: RU2528796C2. Автор: Игорь Юрьевич Исаев. Владелец: Игорь Юрьевич Исаев. Дата публикации: 2014-09-20.

Oil-water separation structure, method of preparing the same, oil-water separator, and oil-water separation method using oil-water separator

Номер патента: US20150259221A1. Автор: Heon Ju Lee,Tae Jun Ko,Myoung Woon Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-09-17.

Scintillator having a phase separation structure and radiation detector using the same

Номер патента: US20140110587A1. Автор: Toru Den,Yoshihiro Ohashi,Nobuhiro Yasui. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Lock packing box and separation structure of lock packing box

Номер патента: US20220161977A1. Автор: Wan-Lin Hsieh. Владелец: Taiwan Fu Hsing Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Growing four-plate structure for treatment of curvature, injuries and diseases of the spine in children

Номер патента: RU2645960C2. Автор: Андрей Александрович Карпушин,Андрей Андреевич Карпушин. Владелец: Андрей Андреевич Карпушин. Дата публикации: 2018-02-28.

Method of producing structure containing phase-separated structure, phase separated structure, and block copolymer composition

Номер патента: US20150044371A1. Автор: Daiju Shiono,Tasuku Matsumiya,Ken Miyagi,Tsuyoshi Kurosawa,Kenichiro Miyashita,Katsumi Ohmori. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Resin composition for forming phase-separated structure, method of producing structure containing phase-separated structure, and block copolymer

Номер патента: US20240182701A1. Автор: Takahiro Dazai,Ken Miyagi,Takuya ISONO,Toshifumi Satoh,Kazushige Suzuki,Toi Iizuka. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for making a virgin joint between two separate structural hollow sections, and such a virgin joint

Номер патента: EP3788209A1. Автор: Marko Pavlovic,Peter BOGERS,Milan VELJKOVIC. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2021-03-10.

Transistor devices configured to operate above a first cutoff frequency

Номер патента: US20070252643A1. Автор: Yun-Ho Chung,Jeffrey Ming-Jer Yang,Matt Yuji Nishimoto,Gregory Hoke Rowan. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for producing of structure for providing prolonged release of aromatizer in chewing gum, composition (versions) and method for producing of chewing gum containing such a structure

Номер патента: RU2266012C2. Автор: Джо Х. СОНГ,Дональд Дж. ТАУНСЕНД,Джеймс Р. МАКСВЕЛЛ. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2005-12-20.

Landing gear compartment with separate structure

Номер патента: RU2415779C2. Автор: РЮФФРЕ Поль ДЕ,Родольф МОРЕЛЬ. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2011-04-10.

Sound absorption structure for industrial building wall covering

Номер патента: RU2646072C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-03-01.

Genetic engineering structure for angiogenesis stimulation

Номер патента: RU2737487C1. Автор: Всеволод Арсеньевич Ткачук,Жанна Алексеевна Акопян,Вадим Юрьевич Балабаньян,Павел Игоревич Макаревич,Елена Викторовна Парфенова,Максим Николаевич Карагяур,Екатерина Александровна Слободкина. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Генная И Клеточная Терапия" (Ооо "Генная И Клеточная Терапия"). Дата публикации: 2020-12-01.

Device for discharge of spent steam, internal structure for steam turbine module and steam turbine module

Номер патента: RU2556728C2. Автор: Жюльен РОЖЕ,Ксавье ЛОРАН. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-07-20.

Insulated structure for tank and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2676630C2. Автор: Марк ЭЛЬБИНГ,Нильс МОМАЙЕР,Бернд ФРИККЕ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-01-09.

Catalytic element of a regular cellular structure for heterogeneous reactions

Номер патента: RU2756660C1. Автор: Артем Леонидович Мызь,Анатолий Кузьмич Абрамов. Владелец: Акционерное общество "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Катализатор". Дата публикации: 2021-10-04.

Method for manufacturing self-supporting metal mesh structures for selection of electromagnetic emission

Номер патента: RU2764017C1. Автор: Александр Николаевич Генцелев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2022-01-12.

Tower type structure for installation of wind electric generators

Номер патента: RU2712861C1. Автор: Анатолий Георгиевич Перехоженцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2020-01-31.

Nozzle structure for electric toothbrush, electric toothbrush and handle for it, method of fixing nozzle structure to handle of electric toothbrush

Номер патента: RU2718317C2. Автор: Стивен Чарльз ДИН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-04-01.

Support structure for supporting of closed carpules, transportation or packing container and process of its processing

Номер патента: RU2692707C2. Автор: Нарайан Нарвекар Анил,Пракаш Потдар Пратул,Каирус Дадачанйи Ришад. Владелец: Счотт Каиша Пвт., Лтд. Дата публикации: 2019-06-26.

Grating structure for the reactor with the fluidized layer and the method of removal of the large material from the reactor with the fluidized layer

Номер патента: RU2288031C2. Автор: Харри ВИЛОККИ,Кари МЮЕХЯНЕН,Франк ТАЙБИ. Владелец: Фостер Вилер Энергия Ой. Дата публикации: 2006-11-27.

Integration structure for well sensor

Номер патента: RU2601347C2. Автор: Иван Алексеевич Лысков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная фирма Завод "Измерон". Дата публикации: 2016-11-10.

Method and equipment for defining supporting structure for three-dimensional object to be made through stereolithography

Номер патента: RU2666444C2. Автор: Алессандро МАРОЦИН. Владелец: Двс С.Р.Л.. Дата публикации: 2018-09-07.

Guide structure for laying along j-shaped curve

Номер патента: RU2707691C1. Автор: Кимон Туллио АРДАВАНИС. Владелец: Шанхай Чжэньхуа Хэви Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-28.

Carrying structure for suspended toilet bowl device

Номер патента: RU2710143C2. Автор: Оливье Пла,Бруно НАБЕТ,Рене ВИВОДО. Владелец: Сиамп Седап. Дата публикации: 2019-12-24.

Double-sided reinforcing structure for earthwork structures (versions) and method for creation of reinforced earthwork structure

Номер патента: RU2361980C2. Автор: Франческо Феррайоло. Владелец: ОФФИЧИНЕ МАККАФЕРРИ С.П.А.. Дата публикации: 2009-07-20.

Wall structure for catalyst beds in synthesis reactors and method of its fabrication

Номер патента: RU2462299C2. Автор: Эрманно Филиппи,Энрико РИЦЦИ,Мирко ТАРОЦЦО. Владелец: Аммония Касале С.А.. Дата публикации: 2012-09-27.

Support metal structure for false ceiling

Номер патента: RU2597345C2. Автор: Джузеппе ЧИПРИАНИ. Владелец: Джузеппе ЧИПРИАНИ. Дата публикации: 2016-09-10.

Support stand for turbine diaphragm, support stand structure for turbine diaphragm and steam turbine

Номер патента: RU2552628C2. Автор: Джеймс Питер АНДЕРСОН,Стивен Себастьян БАРДГИК,Кристофер Дональд ПОРТЕР. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2015-06-10.

Oil separating structure of automatic transmission

Номер патента: US4739678A. Автор: Tatsuya Iwatsuki,Takeshi Inuzuka,Masakatsu Miura,Seitoku Kubo,Koujiro Kuramochi. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-26.

Modular system for dry creation of structures for buildings

Номер патента: RU2724720C2. Автор: Кристиан ФРАКАССИ. Владелец: Изиннова С.Р.Л.. Дата публикации: 2020-06-25.

Resin composition for forming phase-separated structure, method for producing structure including phase-separated structure, and block copolymer

Номер патента: US11472956B2. Автор: LEI Dong,Takahiro Dazai,Takayoshi Mori,Daisuke Kawana,Ken Miyagi,Teruaki Hayakawa. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2022-10-18.

Epoxy resin system having phase separation structure, preparation method therefor and application thereof

Номер патента: US20230024059A1. Автор: Li Yuan,Guozheng LIANG,Aijuan GU. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-26.

Oil-water separating structure and oil-water separating system using the same

Номер патента: US20160194220A1. Автор: Wen-Pin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-07.

Resin composition for forming a phase-separated structure, and method of producing structure containing phase-separated structure

Номер патента: US20170362460A1. Автор: Tasuku Matsumiya,Takehiro Seshimo,Ken Miyagi,Akiya Kawaue,Takaya Maehashi,Hitoshi Yamano,Paul Franklin Nealey,Xuanxuan CHEN. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Maintaining stress in a layout design of an integrated circuit having fin-type field-effect transistor devices

Номер патента: US09483592B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Ophthalmic lens structure for myopia control

Номер патента: RU2580210C2. Автор: Сюй ЧЭН,Кхалед А. ЧЕХАБ,Майкл Дж. КОЛЛИНЗ,Бретт А. ДЭВИС,Д. Роберт ИСКАНДЕР. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-04-10.

System and method of evaluating a cleaning process in relation to a pipeline structure for transporting milk

Номер патента: RU2732339C2. Автор: Андерс ВЕСТМАН,Йорген ЭНИККЛЬ,Ким ЛАНДХОЛМ. Владелец: ДЕЛАВАЛЬ ХОЛДИНГ АБ. Дата публикации: 2020-09-15.

Tower fabricated structure for wind turbine installation

Номер патента: RU2673364C2. Автор: Рольф РОДЕН. Владелец: Ювинэнерджи Гмбх. Дата публикации: 2018-11-26.

Flexible support structure for geared architecture of gas turbine engine

Номер патента: RU2593060C2. Автор: Майкл Е. МАККУН,Джейсон ХАЗБЭНД. Владелец: Юнайтед Текнолоджиз Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-27.

Multilayer structure for biocompatible barrier packaging

Номер патента: RU2770123C2. Автор: Якоб Роберт БЛОК,Ханс Пауль Хеннинг ФОН КИРХБАХ,Петрус Йоханнес Антониус КАРСТЕН. Владелец: Ренолит Се. Дата публикации: 2022-04-14.

Installation regulating structure for cover

Номер патента: RU2558158C2. Автор: Наоки БАБА,Дзунити ЯМАМАРУ. Владелец: Джонан Мэньюфэкчуринг Инк.. Дата публикации: 2015-07-27.

Personal care device such as shaving device, head structure and base structure for such device, as well as coupling structure

Номер патента: RU2674051C2. Автор: Лисбет Хиллечина ВИНД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-12-04.

Structure for dry mounting of facing decorative panels with loose installation and dismantling capabilities and flexible combination of their dimensions

Номер патента: RU2653181C1. Автор: Син Тхань Энди ЛУК. Владелец: Син Тхань Энди ЛУК. Дата публикации: 2018-05-07.

Waterproof structure for panels of solar batteries arranged on roof, and panels of solar batteries arranged on walls of buildings

Номер патента: RU2723428C1. Автор: Сюэ Лиен-Фэн. Владелец: Сянчжэн Энерджи Текнолоджи Ранч Ко, Лтд. Дата публикации: 2020-06-11.

Support structure for hybrid lawn containing layer of rock wool, method for installing such structure and biodegradable box containing such structure

Номер патента: RU2759933C1. Автор: Роб ВЕННЕКЕР,Герд-Ян ДЕ КОНИНГ. Владелец: Хайдрофилдс Бв. Дата публикации: 2021-11-18.

Assembly and centering structure for processing tool

Номер патента: RU2749504C1. Автор: Ли-Чэн ЧЭНЬ. Владелец: Йих Троун Энтерпрайз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-11.

Adjusted structure for rotary-folding or folding window or door leaf for manual and/or mechanical folding

Номер патента: RU2571360C2. Автор: Юрген САССМАННШАУСЕН,Мартин ЗОЛЛЕР. Владелец: Сиегениа-ауби КГ. Дата публикации: 2015-12-20.

Method of producing cathode material with olivine structure for lithium self-contained power generation

Номер патента: RU2482572C2. Автор: Алексей Владимирович Чуриков,Вероника Олеговна Романова,Нелли Александровна Гридина,Арсений Владимирович Ушаков. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2013-05-20.

Clamp for optical fiber connector having flexible structure for fixing in series located terminals

Номер патента: RU2629912C2. Автор: Шух ЛИ,Роберт Риэн ВАЛЛАНС,Майкл К. БАРНОСКИ,Грегори Л. КЛОТЦ. Владелец: Нанопресижен Продактс, Инк.. Дата публикации: 2017-09-04.

Method and apparatus for forming cryptocode structures for imitation-resistant data transmission over communication channels

Номер патента: RU2764960C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Игорь Олегович Шарапов,Евгений Сергеевич Начинов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-01-24.

Light sensor mounting structure for display device for displaying images

Номер патента: RU2592742C1. Автор: Масару КУБОТА,Кентаро КОДЗИМА,Кацухико МАЦУНАМИ,Наоси ИСОБЭ,Сосаку ИКЭДА,Кадзуя МУРАТА. Владелец: ЭЙДЗО Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-27.

Pipeline clamping device with fixing structure for pipe fitting

Номер патента: RU2555924C2. Автор: Питер К. УИЛЛЬЯМС,Кэл Р. БРАУН,Дуглас С. УЭЛЧ,Эндрю П. МАРШАЛЛ,Грегори С. КАЛАТА,Дэйл К. АРСТЕЙН,Марк А. БЕННЕТТ,Марк Д. БИРЕР,Тобин П. БЕРРИ,Марк А. КЛЕЙСОН,Росс А. КЛАРК,Роберт А. ФОТТА,Джастин ХЭМИЛТОН,Джон Д. КАРКОСИАК,Кеннан Джозеф МАЛЕК,Майкл Дж. МОХЛЕНКАМП,Джеффри С. РЕЙЛ,Герхард Х. ШИРОКИ,Гарри СЛЕЙВЕН. Владелец: Своджлок Компани. Дата публикации: 2015-07-10.

Multi-dimensional addressing structure for electronic devices

Номер патента: RU2248626C2. Автор: Гейрр И. Лейстад,Магнус БЕРГГРЕН,Пер-Эрик НОРДАЛ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2005-03-20.

Aerodynamic structure for temperature and pressure control in medium flow transfer line

Номер патента: RU2524499C2. Автор: Ив БРО,Людовик ФЕРРАН,Арно СЕКОТТИ. Владелец: Коккерилл Мейнтенанс Э Энженьери Са. Дата публикации: 2014-07-27.

Structure for airflow control in vehicle boundary layer

Номер патента: RU2484997C1. Автор: Юдзи ИСИХАРА,Масато ИНОУЕ,Сатоси КОМИЯ,Казухито СУГИМОТО,Хирофуми КОНДОУ,Юити МОРИНАКА,Томохиро КОЯХАТА,Кенитиро КОИЗУМИ,Хитоси ТАКАГИ,Казуаки НАКАДЗИМА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of vibration processing of structure for change of stress-strain and structural state of material

Номер патента: RU2695912C1. Автор: Сергей Александрович Бокарев,Андрей Михайлович Усольцев,Екатерина Германовна Попова,Михаил Юрьевич Маликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2019-07-29.

Energy release and spillway structure for concrete dam

Номер патента: RU2255171C1. Автор: Ю.И. Евстратов,О.И. Евстратов,В.Г. Михалев,Г.К. Евстратова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Западный государственный заочный технический университет". Дата публикации: 2005-06-27.

Processing of workpieces made of bi-phase titanium alloys with alpha-beta-structure for increased suitability for ultrasonic inspection

Номер патента: RU2325463C2. Автор: Эндрю Филлип ВУДФИЛД,Эндрю Филлип ВУДФИЛД (US). Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2008-05-27.

Adapter used with breast pump, connecting structure for breast pump and breast pump assembly

Номер патента: RU2754296C2. Автор: Ли Цзяо ЧЭНЬ,Юкифуми ОТИАЙ. Владелец: Пиджен Корпорейшн. Дата публикации: 2021-08-31.

Open cell or reticulated foam functionalized open-network structure for selective separation of mineral particles in aqueous system

Номер патента: RU2719861C2. Автор: Пол Дж. РОТМАН,Марк Р. ФЕРНАЛЬД,Пол ДОЛАН,Тимоти Дж. БЭЙЛИ,Майкл РАЙАН,Майкл Д. КОППОЛА,Аллисон К. ГРИН,Кевин Родни ЛЭССИЛА. Владелец: Сидра Корпорейт Сервисез Ллс. Дата публикации: 2020-04-23.

Structure for presses, in particular for forming ceramic products

Номер патента: RU2580864C2. Автор: Франко СТЕФАНИ,Франко ГОЦЦИ. Владелец: Систем С.п.А.. Дата публикации: 2016-04-10.

Protective structure for collection of fluid flowing into ambient water

Номер патента: RU2555178C2. Автор: Вульф ШПЛИТТСТЁССЕР. Владелец: Вульф ШПЛИТТСТЁССЕР. Дата публикации: 2015-07-10.

Device for lifting and driving of freight railway car slewing structure for combination rail-and-motor carriages

Номер патента: RU2273577C2. Автор: Жан-Люк АНДРЕ,Робер ЛОР,Себасть н ЛАНЖ,Себастьян ЛАНЖ,Жак ОБЕР. Владелец: Лор Эндюстри. Дата публикации: 2006-04-10.

Structure for storage of liquefied natural gas (lng)

Номер патента: RU2592962C2. Автор: Андреас НОРБЕРГ,СТРАНН Кьетиль ШЕЛЬЕ,Йерн Магнус ЙОНАС. Владелец: ЭлЭнДжи НЬЮ ТЕКНОЛОДЖИЗ ПТИ., ЛТД. Дата публикации: 2016-07-27.

Roof structure for supporting roof panel of vehicle (embodiments)

Номер патента: RU2710466C2. Автор: Эдгар Эдвард ДОНАБЕДИАН,Даррин Нил ВАГНЕР,Виктор КОСТРОМИНОВ,Марван Ахмад ЭЛЬБКАЙЛИ,Мухсин М. ХАМДУН. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-12-26.

Heat exchanger structure for reducing accumulation of liquid and freezing

Номер патента: RU2673375C2. Автор: Вейкко МЯЙРЯ. Владелец: Экокойл Ой. Дата публикации: 2018-11-26.

Removable devices (structures) for shovels and scrapers-movers, making easier the work of janitors at cleaning of snow, sand, mud, waste and other pollution on the cleared sites

Номер патента: RU2665077C1. Автор: Леонид Николаевич Михайлов. Владелец: Леонид Николаевич Михайлов. Дата публикации: 2018-08-28.

Optical system having focusing structure for infrared thermometer

Номер патента: RU2540439C2. Автор: Гобин ЮАНЬ. Владелец: Гобин ЮАНЬ. Дата публикации: 2015-02-10.

Screen structure for freight compartment, preferably in airplane, and adapter for it

Номер патента: RU2452664C2. Автор: Андерс ХЕЛЬМНЕР,Ёрьян КРИСТОФЕРСОН,Майид АЛАВИ,Андерс ХЕЛЬМНЕР (SE),Ёрьян КРИСТОФЕРСОН (SE),Майид АЛАВИ (SE). Владелец: Тэлэйр Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2012-06-10.

Support structure for crank shaft

Номер патента: RU2426904C2. Автор: Кендзи НАКАМУРЕ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-08-20.

Recording medium with data structure for controlling display of still images recorded on it and method and device for recording and displaying

Номер патента: RU2360302C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Сын Ван ПАК. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Wall structures for storage

Номер патента: RU2579735C2. Автор: Ларс АЛЬМБЛАД,Бенни АНДЕРССОН,Матс ЛУНДКВИСТ,София ВИКТОРССОН. Владелец: Интер Икеа Системз Б.В.. Дата публикации: 2016-04-10.

System of prefabricated wall structures for aircraft cabin

Номер патента: RU2381961C2. Автор: Герольд ХУППЕРИХ,Клаус КРУБЕР,Оливер ДЁБЕРТИН,Герман ШОТТЕ. Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2010-02-20.

Woven fibrous structure for molding case billet

Номер патента: RU2769388C2. Автор: Эрве ГРЕЛЕН,Доминик Мари Кристиан КУП,Сон ЛЕ ХОН,Мартен ГАБИЙОН,Жан-Ноэль МАЙО,Сильвен МУСИЙА,Ролан Жозе Ян МОРТЬЕ,Фредерик РЕЙМОН. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2022-03-31.

Recording medium with data structure for controlling main data and supplementary content data thereof and methods and devices for recording and playing back

Номер патента: RU2360301C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Чеа Ён ЁО,Ми Хюн КИМ,Пюн Чин КИМ (KR),Чеа Ен ЕО (KR),Ми Хюн КИМ (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Anode structure for mercury-cathode electrolyzers

Номер патента: RU2280105C2. Автор: Джованни Менегини. Владелец: Де Нора Элеттроди С.П.А.. Дата публикации: 2006-07-20.

Innovative seamless geogrid mesh structure for soil reinforcement, method and storage for its reception

Номер патента: RU2579090C2. Автор: Михаил Михайлович Азарх,Александр Владимирович Одиноков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мики". Дата публикации: 2016-03-27.

Heat-resistant glass-ceramic cover with devitrified glass structure for nichrome steel and alloy

Номер патента: RU2275341C1. Автор: Елена Александровна Лазарева,Юли Сергеевна Мамаева,Юлия Сергеевна Мамаева,Андрей Алексеевич Бахчин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)", ГОУ ВПО ЮРГТУ (НПИ). Дата публикации: 2006-04-27.

Demonstration structure, for example, for demonstration benches with supported thermal conditions

Номер патента: RU2558424C2. Автор: Джанпьеро СПАЛЛАЦЦО. Владелец: СОРЕМАРТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-08-10.

Rotary cutting tool comprising structure for adjusting axial position

Номер патента: RU2707843C1. Автор: Свитослав СЕРБУТОВСКИЙ. Владелец: Искар Лтд.. Дата публикации: 2019-11-29.

Water receiving structure for water intake from surface sources

Номер патента: RU2364680C2. Автор: Ростислав Адамович Кузьминский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный открытый технический университет путей сообщения" (РГОТУПС). Дата публикации: 2009-08-20.

Mounting structure for firearms on vehicle

Номер патента: RU2592192C2. Автор: Карло Альберто ЯРДЕЛЛА,Паоло АРРИГИ. Владелец: ОТО МЕЛАРА С.п.А.. Дата публикации: 2016-07-20.

Recirculation structure for turbine compressor

Номер патента: RU2293221C2. Автор: Петер ЗАЙТЦ. Владелец: Мту Аэро Энджинз Гмбх. Дата публикации: 2007-02-10.

Recording medium having data structure for controlling subtitle text data playback, and methods and devices relating to said recording medium

Номер патента: RU2384898C2. Автор: Канг Соо СЕО,Дзеа Йонг ЙОО,Биунг Дзин КИМ,Канг Соо СЕО (KR),Дзеа Йонг ЙОО (KR),Биунг Дзин КИМ (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2010-03-20.

Kit including mounting members to opening perimeter edge finishing, mounting structure for opening perimeter edge finishing and mounting member assemblage method

Номер патента: RU2323316C2. Автор: Такаши ХОНДА. Владелец: НИТИХА КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-04-27.

Structure for capturing and damping waves

Номер патента: RU2752053C1. Автор: Пичит БООНЛИКИТЧЕВА. Владелец: Пичит БООНЛИКИТЧЕВА. Дата публикации: 2021-07-22.

Tread block structure for pneumatic tire or tread layer

Номер патента: RU2748677C2. Автор: Томи КОРКАМА,Йорма ТИККА. Владелец: Нокиан Ренкаат Ойй. Дата публикации: 2021-05-28.

Microcapsule toner having a microphase separation structure

Номер патента: US6033819A. Автор: Kazufumi Tomita,Izuru Matsui. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-07.

Method for measuring the probability of absorption of neutrons upon their sub-barrier reflection from the surface and the structure for its implementation

Номер патента: RU2761053C1. Автор: Юрий Васильевич Никитенко. Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований (Оияи). Дата публикации: 2021-12-02.

System of structures for cleaning of drainage flow

Номер патента: RU2728365C1. Автор: Владимир Константинович Губин,Лидия Владимировна Кудрявцева,Евгений Эдуардович Головинов,Елена Брониславовна Стрельбицкая,Антонина Петровна Соломина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники и мелиорации имени А.Н. Костякова" (ФГБНУ "ВНИИГиМ им. А.Н. Костякова"). Дата публикации: 2020-07-29.

Multiplex Assays Using Separation Structure and Well Structure

Номер патента: US20230338954A1. Автор: WEI Ding,Stephen Y. Chou. Владелец: Essenlix Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

A Protein Separation Structure

Номер патента: US20190002307A1. Автор: Xiaojun Zhang. Владелец: Shenzhen Honya Aquarium Equipments Manufacturer Co ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Protective structure for an apparatus for the handling of containers

Номер патента: EP1636098A1. Автор: Andrea Zuccheri,Paolo Madoi,Massimo Gorbi. Владелец: SIG TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2006-03-22.

Protective structure for an apparatus for the handling of containers

Номер патента: AU2003304225A1. Автор: Andrea Zuccheri,Paolo Madoi,Massimo Gorbi. Владелец: SIG TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2005-01-04.

Protective structure for an apparatus for the handling of containers

Номер патента: EP1636098B1. Автор: Andrea Zuccheri,Paolo Madoi,Massimo Gorbi. Владелец: Sidel Holdings and Technology SA. Дата публикации: 2006-12-27.

Structure for anatomical support with frame and convex cushioned plate for back, headrest and seat, for seating in general, especially seats in motor vehicles, with manual and motor-driven adaption of cushioned plate convexity and position

Номер патента: EP1631167A1. Автор: Attilio Luigi Moriggi. Владелец: Resal Srl. Дата публикации: 2006-03-08.

Auxiliary or integrated inner sole structure for footwear

Номер патента: CA3210210C. Автор: Marc CORMIER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-14.

Structure for molecular separations

Номер патента: US20110287215A1. Автор: Susan G. MACKAY,Karl D. Bishop,Tyler J. Kirkmann. Владелец: Cerahelix Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

An improved structure for steam physiotherapy apparatus

Номер патента: CA3119364A1. Автор: Wen-Chun Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-21.

Support section structure for a swing arm

Номер патента: US20070176393A1. Автор: Yutaka Nakanishi,Hidetoshi Toyoda. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Integrated circuit (IC) integrated structure for optical mouse comprisinga light shield with a through hole for transmitting light arranged between an optical lens and a main control IC wafer

Номер патента: US11092481B2. Автор: Jinfang Ou. Владелец: Dongguan Ouyue Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

A structure for realizing production lines for sanitary towels

Номер патента: EP1188426B1. Автор: Luigi Ghidelli. Владелец: DELTA Srl. Дата публикации: 2008-10-29.

Auxiliary cross-member structure for supporting elements of a motor-vehicle front suspension

Номер патента: US20180072346A1. Автор: Silvano Sandri,Michele Maria TEDESCO,Carlo Pavesio,Roberto TOFFETTI. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2018-03-15.

Structure for modular prefabricated poured concrete forms for making vertical walls, horizontal walls such as cellings, slabs or the like and columns or pillars

Номер патента: WO2005064099A1. Автор: Rubens Pasotti. Владелец: I.L.P.A. Industria Legno Pasotti Srl. Дата публикации: 2005-07-14.

Structure for modular prefabricated poured concrete forms

Номер патента: EP1718820A1. Автор: Rubens Pasotti. Владелец: ILPA INDUSTRIA LEGNO PASOTTI Srl. Дата публикации: 2006-11-08.

Method and system for creating structure for internal controls

Номер патента: US20090150195A1. Автор: Kevin McCreary. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Mechanized structures for the launch of cars in installations for amusement parks such as, for instance, roller coasters or similar attractions

Номер патента: US20030203759A1. Автор: Marco Begotti. Владелец: Ride Tek Engr Srl. Дата публикации: 2003-10-30.

Biodegradable Structures for Parties, Hunting and Other Events

Номер патента: US20230303844A1. Автор: Jason King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-28.

Cable-stayed blade structure for variable speed wind turbines

Номер патента: US20240159213A1. Автор: Ba At Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-16.

Cable-stayed blade structure for variable speed wind turbines

Номер патента: WO2023077175A8. Автор: Ba At Lai. Владелец: LAI BA AT. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure for controlling the aero-acoustic environment in an aircraft weapons bay

Номер патента: US09975635B2. Автор: Nigel John Taylor,Benjamin James Newby. Владелец: MBDA UK Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Supporting structure for concurrently supporting a plurality of containers for substances for medical, pharmaceutical or cosmetic applications

Номер патента: US09862519B2. Автор: Edgar Pawlowski,Gregor Fritz DEUTSCHLE,Joern Wassenberg,Andreas Reisse. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Structure for receiving an inflatable airbag and vehicle seat with such a structure

Номер патента: US09566931B2. Автор: Andreas KEER,Uwe PIEPENBRINK. Владелец: Isringhausen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-02-14.

Portable, collapsible, lightweight housing structure for outdoors, and a method of assembling, and using the same

Номер патента: US09416527B2. Автор: Michael John McInerney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-16.

Multi-layered non-woven structure for use as component of disposable absorbent products

Номер патента: RU2757191C1. Автор: Дани МИХИЛС,Вероник ДЕКАМБРЕЙ. Владелец: Тве Мёлебеке. Дата публикации: 2021-10-11.

Connection structure for assembling members of scaffolding and coupling unit and frame thereof

Номер патента: RU2256044C2. Автор: Хельмут КРЕЛЛЕР. Владелец: Вильхельм Лайер Фермегенсфервальтунгс-Гмбх. Дата публикации: 2005-07-10.

Liquid transfer system between a vessel and a floating structure, for example, client's vessel

Номер патента: RU2657146C2. Автор: Гийом ЖЕЛИН,Патрик ЭНГЛЕБЕРТ. Владелец: Газтранспорт Эт Технигаз. Дата публикации: 2018-06-08.

Device, system, storage device, method and data structure for evaluation of waste composition

Номер патента: RU2733556C1. Автор: Кей МАЦУОКА,Такахиро КАВАТИ,Дзунити ИТИКАВА,Акико ЙОКОЯМА,Тосиюки УМЕДЗАВА. Владелец: Ибара Энвайронментал Плант Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-10-05.

Method of separate long-term storage, loading, transportation and unloading of rectangular section wooden structures for railway facilities

Номер патента: RU2741971C1. Автор: Денис Владимирович Шувалов. Владелец: Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия материально-технического обеспечения им. генерала армии А.В. Хрулёва" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-01.

Vehicle with elongated longitudinal structure for loading and unloading device with engine drive

Номер патента: RU2688084C2. Автор: Даниель ШЕЕР. Владелец: Лор Электромеканик. Дата публикации: 2019-05-17.

Laminated structure for ballistic protection

Номер патента: RU2180954C2. Автор: Читрангад. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2002-03-27.

Kochetov(sacoustic structure for shop

Номер патента: RU2579825C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-04-10.

Motored aircraft with combined hydrodynamic and aerodynamic structure for take-off and landing on water, soil or snow

Номер патента: RU2431584C2. Автор: Эрик ЭРЗБЕРЖЕ,Жан-Франсуа КЛАВРЕЛЬ,Эрик ЭРЗБЕРЖЕ (FR),Жан-Франсуа КЛАВРЕЛЬ (FR). Владелец: Лиза Эрпленс. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of making tire carcass structure and tire carcass structure for two-wheel vehicles

Номер патента: RU2221695C2. Автор: Ренато КАРЕТТА. Владелец: Пирелли Пнеуматичи С.П.А.. Дата публикации: 2004-01-20.

Genetic structure for use in the treatment of neurodegenerative disorder or stroke

Номер патента: RU2757932C2. Автор: Кит МАРТИН,Питер УИДДОУСОН. Владелец: Куэтера Лимитед. Дата публикации: 2021-10-25.

Flexible multilayer structure for tubes

Номер патента: RU2449932C2. Автор: Жак ТОМАССЕ,Стефан МАТЬЕ. Владелец: Айзапак Холдинг С.А.. Дата публикации: 2012-05-10.

Fence structure for wheelchair place in vehicle

Номер патента: RU2662585C2. Автор: Ральф КИТТЕЛЬ,Франц ШМЕРБЕК. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2018-07-26.

Hybrid propulsive structure for an aircraft comprising an engine with a reversible electric machine mounted on two shafts

Номер патента: RU2767577C2. Автор: Наваль ЖАЛЬЖАЛЬ,Фабьен ДЕЗАРНО. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2022-03-17.

Sealing member for gas tanks and sealing structure for gas tanks

Номер патента: RU2581297C1. Автор: Сатоси СИБАЯМА. Владелец: Дзе Йокогама Раббер Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-04-20.

Shaving unit and shaving device with support structure for external cutting element

Номер патента: RU2739743C1. Автор: Рейндер Нилс ЛАП,Алвин Уильям ДЕ ВРИС,Маркус Корнелис ПЕТРЕЛЛИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-12-28.

Water intake structure for irrigation network with flat girderless gate and automatic water supply to channels of low order

Номер патента: RU2728676C1. Автор: Александр Иванович Тищенко,Сергей Михайлович Васильев,Андрей Сергеевич Штанько,Максим Анатольевич Ляшков,Вячеслав Дмитриевич Гостищев,Светлана Александровна Манжина,Таисия Сергеевна Пономаренко,Анна Викторовна Бреева,Герман Александрович Сенчуков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Российский научно-исследовательский институт проблем мелиорации" (ФГБНУ "РосНИИПМ"). Дата публикации: 2020-07-30.

Application of aminosilicones of particular structure for preliminary treatment at either direct or oxidative dyeing technique of keratin fibers

Номер патента: RU2251406C2. Автор: Присцилла ДЕВЭН-БОДУЭН,Анн САББАГ. Владелец: Л`Ореаль. Дата публикации: 2005-05-10.

Structure for secured and/or valuable documents, document, packing facility, sheet material, method of structure making (its versions) and method to authenticate and/or identify such structure

Номер патента: RU2421561C2. Автор: Пьер ДУБЛЕ. Владелец: Аржовигжен Сикьюрити. Дата публикации: 2011-06-20.

Lid structure for container

Номер патента: RU2673619C2. Автор: Франк ПЕРЕК. Владелец: Н. В. Нютрисиа. Дата публикации: 2018-11-28.

Novel protein structures for diagnosing and therapy of gd2-positive diseases

Номер патента: RU2708136C1. Автор: Роман Васильевич Холоденко,Игорь Игоревич Доронин,Федор Николаевич Розов,Ирина Викторовна Холоденко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Реал Таргет". Дата публикации: 2019-12-04.

Monolithic composite structures for vehicles

Номер патента: RU2651527C2. Автор: Роберт ПАКИ,Дэниел ФЛОРЕС,Фаустино А. АЙСОН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-04-19.

Snap-fit connecting structure for articulation linkage of wiper brush drive and wiper

Номер патента: RU2637141C2. Автор: Йоахим ЦИММЕР,Кумар СУРЕШ. Владелец: Бош Отомоутив Продактс (Чанша) Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-11-30.

Multi-purpose lumen structure for optical perception of geometrical shape

Номер патента: RU2689023C2. Автор: Молли Лара ФЛЕКСМАН,Дэвид Пол НУНАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-05-23.

Frame structure for vehicle

Номер патента: RU2481991C2. Автор: Ханс-Йоахим ПАЧИККЕ,Йенс ХАРТМАНН,Ральф ШТЕНГЕР,Штефан ГЛОГЕР,Ронни БУФЕ,Маттиас ШЛЕЛЯЙН,Маттиас ЗЕЙФРИД,Дирк ШТРЕЛЬ,Йоахим КЕР,Хайнц-Гюнтер ЛАНГ. Владелец: Джи Эм Глоубал Текнолоджи Оперейшнз, Инк.. Дата публикации: 2013-05-20.

Connection structure for the syringe needle base and syringe body in a safe syringe

Номер патента: RU2648036C1. Автор: Сюэхуа СЮЙ. Владелец: Ханчжоу Ланьбиши Трейд Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-03-21.

Fibrous structure for part made of composite material, comprising one or more of arcuate sections

Номер патента: RU2578996C2. Автор: Брюно Жак Жерар ДАМБРИН,Тьерри ГОДОН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2016-03-27.

Fibrous reinforcing structure for fabrication of part of composite material

Номер патента: RU2427675C2. Автор: Доминик КУП,Эрик БУЙОН,Каролин ЛУШЕ-ПУИЛЛЬЕРИ,Реми БУВЬЕ,Франсуа ШАРЛЕ. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2011-08-27.

Composite panel with a cellular thermosetting matrix, a method of making and a structure for coating a wall, formed by joining panels

Номер патента: RU2689880C2. Автор: Фабьен ЛЕРУА,Жером МОЖЕ,Жерар БУ. Владелец: Хатчинсон. Дата публикации: 2019-05-29.

Isolation structure for aircraft heat and sound isolation

Номер патента: RU2435704C1. Автор: Райнер МЮЛЛЕР,Кристиан Томас,Беньямин ГРЕНЦИНГ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Light effect structure for electronic photo frame

Номер патента: US20240225317A1. Автор: Juanzhi Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

A structure for placement of payment stations or control points

Номер патента: EP4353903A1. Автор: Rafko Žnidarič. Владелец: Rafko Znidaric SP. Дата публикации: 2024-04-17.

Structure for mounting spare tire for antitheft

Номер патента: US10077086B2. Автор: Chul-Woo Lee,Sung-Dae Kim,Hyo-Sik Kim,Ki-Ho YUM. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-09-18.

Holder structure for sensor and sensor for detecting change of magnetic field

Номер патента: US12031998B2. Автор: Sung Oh BAEK,Jong Sik SONG. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Drive shaft support structure for marine propulsion machine

Номер патента: US20040229525A1. Автор: Masahiro Akiyama,Shinichi Ide,Yoshiyuki Matsuda. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Pull-up fitness exercise machine with a grip bar hanging frame structure for a hang-up training

Номер патента: US20210283463A1. Автор: Leao Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-16.

Operation control structure for a continuity test device

Номер патента: US20120019276A1. Автор: Kozo Kogasumi. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Systems and Methods for Creating and Using a Data Structure for Parallel Programming

Номер патента: US20170124020A1. Автор: Chen Tian,Ziang Hu,Liya Chen. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Systems and methods for creating and using a data structure for parallel programming

Номер патента: EP3360054A1. Автор: Chen Tian,Ziang Hu,Liya Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-15.

Method for providing a substrate structure for oriented neurite outgrowth, substrate structure, and device for monitoring neurons

Номер патента: EP1098958A1. Автор: Akio Yasuda,Gabriele Nelles. Владелец: Sony International Europe GmbH. Дата публикации: 2001-05-16.

Method for providing a substrate structure for oriented neurite outgrowth, substrate structure, and device for monitoring neurons

Номер патента: EP1098958B1. Автор: Akio Yasuda,Gabriele Nelles. Владелец: Sony International Europe GmbH. Дата публикации: 2003-08-27.

Fuel gas filler structure for gas-fueled vehicle

Номер патента: US20030188798A1. Автор: Yoshihiro Shimizu,Tohru Ono,Masahiro Kawazu,Seiji Ohgami. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Side cover structure for motorcycle

Номер патента: EP3277566A1. Автор: Natee Aromsuk,Nattapat Janyapanich,Kunakorn SRIWIRAT,Navapon PLODPRONG,Chatriya KWAMCHOB. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-07.

Anti-deflection structure for a chassis of a remote-controlled car

Номер патента: US20080011533A1. Автор: Daimler Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-17.

Anti-deflection structure for a chassis of a remote-controlled car

Номер патента: US7597174B2. Автор: Daimler Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-06.

A structure for housing mammals and fish

Номер патента: GB2491597B. Автор: Erik Gakono Kariuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-30.

Luminous circuit for luminous footwear, respective containing casing and method of making a footwear structure for said luminous footwear

Номер патента: WO2020003078A1. Автор: Mario Moretti Polegato,Giuliano Gallo. Владелец: Geox S.P. A.. Дата публикации: 2020-01-02.

Structures for electrostatic v-bank air filters

Номер патента: WO2001045851A1. Автор: George Robert Summers,Forwood Cloud Wiser, III. Владелец: Engineering Dynamics Ltd.. Дата публикации: 2001-06-28.

Structures for electrostatic v-bank air filters

Номер патента: AU2138901A. Автор: George Robert Summers,Forwood Cloud Wiser Iii. Владелец: Engineering Dynamics Ltd. Дата публикации: 2001-07-03.

Structure for automatically identifying predetermined length of tourniquets and method for identifying predetermined length

Номер патента: US10543055B2. Автор: Xijie Shan. Владелец: Wuxi Kaishun Medical Equipment Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-28.

Support structure for staging.

Номер патента: GB2255115A. Автор: Terence Tempest,Anthony Johnston Fooks. Владелец: TEMPEST Ltd H. Дата публикации: 1992-10-28.

Methods for generating support structures for additively manufactured objects

Номер патента: US20240227300A1. Автор: Chang Xu,Yuxiang Wang,Viswanath Meenakshisundaram,Kangning Su,Shipin Qin,Siyi Liu,Sudharshan ANANDAN,Xirui Peng. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Mirror supporting structure for monochromator

Номер патента: US20020180971A1. Автор: Hiroshi Ando,Eiji Ishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Mirror supporting structure for monochromator

Номер патента: US6750965B2. Автор: Hiroshi Ando,Eiji Ishikawa. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-15.

Structure for the production of oil and/or gas at sea

Номер патента: WO1998039550A1. Автор: Stein Olav Drange,Audun Otteren,Per Erik Nilsen,Kjell Herfjord. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 1998-09-11.

Structure for mattresses and the like, undulated felt sheet for mattresses and the like, apparatus and method for the production of an undulated felt sheet

Номер патента: WO2008087531A1. Автор: Vittorio Casini. Владелец: Manifattura Maiano S.P.A.. Дата публикации: 2008-07-24.

Support structure for in-vehicle component

Номер патента: EP3981678A2. Автор: Tatsuki Ishii. Владелец: Suzuki Motor Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Stent structure for the guided surgery on zygomatic implants for dental prosthesis

Номер патента: WO2024141387A1. Автор: Francesco Gallo,Giulio NEGRI,Francesco ZINGARI. Владелец: Medical Technology Innovations S.R.L. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit (ic) integrated structure for optical mouse

Номер патента: US20210033454A1. Автор: Jinfang Ou. Владелец: Dongguan Ouyue Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Box folding structure for scara robot

Номер патента: US20230226702A1. Автор: Leo Wright. Владелец: Ime Automation LLC. Дата публикации: 2023-07-20.

Bellows structure for a cotton module builder or packager

Номер патента: US20070169641A1. Автор: Timothy Meeks,Michael Covington,George Hale,Gary Gallens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

A device with modular structures for the relief impression onto food pastes and similar

Номер патента: WO1997024932A1. Автор: Fabio Carassale. Владелец: Fabio Carassale. Дата публикации: 1997-07-17.

Techniques for creating, organizing, integrating, and using georeferenced data structures for civil infrastructure asset management

Номер патента: US20210375033A1. Автор: Ali Khaloo,David Lattanzi. Владелец: Joan and Irwin Jacobs Technion Cornell Institute. Дата публикации: 2021-12-02.

Hinge structure for flat visual display device

Номер патента: WO2003067406A1. Автор: Gang-Hoon Lee,Jai-Hyun Jo. Владелец: LG Electronics, Inc.. Дата публикации: 2003-08-14.

Methods and structure for storing errors for error recovery in a hardware controller

Номер патента: US20120290875A1. Автор: Jeffrey K. Whitt,Joshua P. Sinykin,Sreedeepti Reddy. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Electrode structure for touch panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20170147099A1. Автор: Woo Hyun BAE,Myunsoo KIM,Changjun MAENG,In Ho RHA. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Sealing structure for fishing reel

Номер патента: US20040099756A1. Автор: Takeshi Ikuta. Владелец: Shimano Inc. Дата публикации: 2004-05-27.

Attachment structure for securing a robot arm to a support structure

Номер патента: EP3538005A1. Автор: Keith Marshall,Thomas Bates Jackson. Владелец: CMR Surgical Ltd. Дата публикации: 2019-09-18.

Attachment structure for securing a robot arm to a support structure

Номер патента: WO2018087531A1. Автор: Keith Marshall,Thomas Bates Jackson. Владелец: Cambridge Medical Robotics Limited. Дата публикации: 2018-05-17.

Attachment structure for securing a robot arm to a support structure

Номер патента: US20190308312A1. Автор: Keith Marshall,Thomas Bates Jackson. Владелец: CMR Surgical Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Water Bag-Based Cooling and Noise Reduction Structure for Multi-Head Large-Scale Ventilation Unit of Double-Track Tunnel

Номер патента: AU2021103065A4. Автор: Xin Zhang,Xiangping Zhang,Jufa Xi. Владелец: International Co China Railway 18th Bureau Group Co. Дата публикации: 2021-09-30.

Structure for integrating microfluidic devices and optical biosensors

Номер патента: US20170282186A1. Автор: Hsi-Ying Yuan,Chao-Ching Yu,Lin-Ta Chung,Ke-Pan Liao. Владелец: Chip Win Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

A support structure for fire rated wall panelling

Номер патента: WO2022129211A1. Автор: Derek Ward. Владелец: Intumescent Systems Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and structure for automated crediting to customers for waiting

Номер патента: US20080046385A1. Автор: Parijat Dube,Laura Wynter,Giuseppe A. Paleologo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Composite structure for a pressure sensor and pressure sensor

Номер патента: WO2020251473A1. Автор: WEN Cheng,Chee Keong Tee,Haicheng YAO,Pengju LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2020-12-17.

Supporting a lookup structure for a file system implementing hierarchical reference counting

Номер патента: US12050553B2. Автор: Matthew Fontaine Curtis-Maury,Vinay DEVADAS,Yash Hetal Trivedi. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Support structure for elevated railed-vehicle guideway

Номер патента: EP1430181A4. Автор: Einar Svensson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-28.

Support structure for elevated railed-vehicle guideway

Номер патента: EP1430181A2. Автор: Einar Svensson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-23.

Y-shaped support structure for eleveted railed-vehicle guideway

Номер патента: EP1430181B1. Автор: Einar Svensson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-08.

A structure for realizing production lines for sanitary towels

Номер патента: EP1188426A3. Автор: Luigi Ghidelli. Владелец: DELTA SYSTEMS Srl. Дата публикации: 2002-05-08.

Mounting structure for mounting pivot arm to implement

Номер патента: US20170156254A1. Автор: Philip C. Kester. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-08.

Control and timing structure for a memory

Номер патента: US6549485B2. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-15.

Methods, systems, and computer readable media for selecting a proposed utility rate structure for a residential electric system

Номер патента: US20170091842A1. Автор: David Emerson DePuy. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Structure for preventing a liquid from permeating into a cell

Номер патента: US6833902B2. Автор: Gou-Tsau Liang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Nanofiber structure for cell culture, method for manufacturing the nanofiber structure, and cell analysis device including the nanofiber structure

Номер патента: US20180362913A1. Автор: Young Hun Jeong,Tae Eon Kim,Jeong Hwa Kim,Jong Young Kwak. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2018-12-20.

Structure for awnings, arbours and the like

Номер патента: US20120096776A1. Автор: Michele Tugnoli. Владелец: Corradi SpA. Дата публикации: 2012-04-26.

Rotated heat sink structure for light emitting diode luminaire apparatus

Номер патента: WO2012028410A1. Автор: HAO LI,You Chen,Shang Ping Xiao,Yan Gang Cheng. Владелец: OSRAM AG. Дата публикации: 2012-03-08.

Bellows structure for a cotton module builder or packager

Номер патента: US7296512B2. Автор: George H. Hale,Michael J. Covington,Timothy A. Meeks,Gary R. Gallens. Владелец: CNH Amercia LLC. Дата публикации: 2007-11-20.

Auxiliary or integrated inner sole structure for footwear

Номер патента: US20240260714A1. Автор: Marc CORMIER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Bonding structures for containers and method of bonding same

Номер патента: EP1900468A3. Автор: Akihiko c/o Nissan Technical Center Sano,Yoshitaka c/o Nissan Technical Center Miura. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Surface with a Surface Structure for Contacting Printing Material, Machine for Processing Material and Method for Producing Areas with a Surface Structure

Номер патента: US20080282916A1. Автор: Frank Schaum,Wolfram Kolbe,Harrie G. Knol. Владелец: Stork Veco Bv. Дата публикации: 2008-11-20.

Support structure for a shield and weapons system

Номер патента: US10077869B2. Автор: Jason John Semple,Andrew Erle Butler,Timothy Michael Russell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-09-18.

Front structure for a utility vehicle, preferably for a lorry

Номер патента: US20230286587A1. Автор: Alexander Kopp,Thomas KNYRIM,Alexander Stockmaier. Владелец: MAN Truck and Bus SE. Дата публикации: 2023-09-14.

Control and timing structure for a memory

Номер патента: US20020067655A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-06-06.

Heat dissipation structure for light bulb assembly

Номер патента: GB201207399D0. Автор: . Владелец: Everspring Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Support structure for two or more flat panel devices

Номер патента: US20100039758A1. Автор: Masamichi Udagawa,Helmars E. Ozolins,Eric Nelson,Peter D. Scott. Владелец: Bloomberg Finance LP. Дата публикации: 2010-02-18.

Structure for buildings using prefabricated reinforced concrete elements

Номер патента: WO2003060248A1. Автор: Constantin Ciolacu. Владелец: Constantin Ciolacu. Дата публикации: 2003-07-24.

Designing lattice structures for heat dissipation devices

Номер патента: US11661986B2. Автор: Gonzalo Martinez,Abhishek Trivedi,Bhupendra Lodhia. Владелец: Autodesk Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Structures for electrostatic v-bank air filters

Номер патента: EP1239967A1. Автор: George Robert Summers,Forwood Cloud Wiser, III. Владелец: Engineering Dynamics Ltd. Дата публикации: 2002-09-18.

Sealing structure for fishing reel

Номер патента: SG96677A1. Автор: IKUTA Takeshi. Владелец: Shimano Kk. Дата публикации: 2003-06-16.

Packaging structure for containers for pharmaceutical use

Номер патента: EP2429608A1. Автор: Fabiano Nicoletti. Владелец: Stevanato Group International AS. Дата публикации: 2012-03-21.

Linking structure for stud for unit house

Номер патента: SG11201808873VA. Автор: Hisafumi Anraku,Tadamasa Kamiya,Naoto Nakatsuka. Владелец: Sankyo Frontier Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Device with modular structures for applying relief impressions onto food pastes and similar products

Номер патента: US5989005A. Автор: Fabio Carassale. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-23.

Reel Structure for Marine Fabric Tape

Номер патента: US20110084159A1. Автор: I-Sin Peng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-14.

Inverted t main runner for forming support structures for false ceilings

Номер патента: EP2795011A1. Автор: Sergio Dallan. Владелец: Dallan SpA. Дата публикации: 2014-10-29.

Traffic distribution structure for facilitating the prevention of traffic congestion on roads joining highway junctions

Номер патента: WO2008102190A1. Автор: Jozsef Somfai,Koppány BERKES. Владелец: Berkes Koppany. Дата публикации: 2008-08-28.

Indication structure for paper reserves adapted for auto document feed apparatus

Номер патента: US20050017436A1. Автор: Ming-Te Hung. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

Preparation method of silver nano-structure for surface enhanced, raman scattering substrate and silver nano-structure thereby

Номер патента: US20140099513A1. Автор: Chan Ho KWON,So Young EOM,Hong Lae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Kangwon National University. Дата публикации: 2014-04-10.

Indication structure for paper reserves adapted for auto document feed apparatus

Номер патента: US20050017435A1. Автор: Ming-Te Hung. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

Method and Arrangement for Automatic Detection and Interpretation of the Iris Structure for Determining Conditions of a Person

Номер патента: US20090027618A1. Автор: Petra Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Structure for combining materials of furniture

Номер патента: US20090148231A1. Автор: Chien-Kuo Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Hub lock releasing structure for a tape recorder and related method of fabrication

Номер патента: US20020020774A1. Автор: Sung-Hee Hong,Jae-kab Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Systems, methods, and devices for additive manufactured ultra-fine lattice structures for propulsion catalysts

Номер патента: US20230077922A1. Автор: Zachary Jones,Ankit Saharan,Omar Mireles,Maryna Ienina. Владелец: NASA Nasa And Eos North America. Дата публикации: 2023-03-16.

Atlas construction of branched structure for identification of shape differences among different cohorts

Номер патента: US20230146428A1. Автор: Anant Madabhushi,John Barnard,Amogh HIREMATH,Mina K. Chung,Golnoush Asaeikheybari. Владелец: CLEVELAND CLINIC FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-11.

Structure for Sealing and Dispensing Cleaning Articles

Номер патента: US20240262579A1. Автор: Ning Yang,Thomas H. Schulz,Ming-Huang Lin,JongSoo Jacob LEE,Traneil C. MORGAN. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Structure for relieving cracking of steel bridge deck, method for making same, and method for using same

Номер патента: US20230100480A1. Автор: Peng Liu,Jian Zhao,Yixuan Chen,Yintao Liu,Pengzhi ZHANG,Hongping Lu,Luming An,Yuanqing Wang,Lilong Fan,Guannan Zhou,Xianyu JI. Владелец: China Railway Construction Bridge Engineering Bureau Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Storage unit structure for saddle riding vehicle

Номер патента: EP3674187A1. Автор: Takehiko Kikuchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-01.

Hook structure for electronic shelf label

Номер патента: AU2020480538A1. Автор: Lei Zhang,Shiguo HOU,Zhenjie Yang,Yunliang FENG,Linjiang WANG,Peixuan LIU. Владелец: Hanshow Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Water tank mounting structure for ventilation treatment apparatus and ventilation treatment apparatus

Номер патента: EP4434566A2. Автор: FANG Zheng,Jian Xu,Zhi ZHUANG,Qingsong Wang,Yunjing CHEN. Владелец: Bmc Tianjin medical Co ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Traffic distribution structure for facilitating the prevention of traffic congestion on roads joining highway junctions

Номер патента: WO2008102190A8. Автор: Jozsef Somfai,Koppány BERKES. Владелец: Koppány BERKES. Дата публикации: 2009-07-09.

Preparation method of silver nano-structure for surface enhanced, raman scattering substrate and silver nano-structure thereby

Номер патента: US9249481B2. Автор: Chan Ho KWON,So Young EOM,Hong Lae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Kangwon National University. Дата публикации: 2016-02-02.

Data structure for efficient training of semantic segmentation models

Номер патента: EP4411670A1. Автор: Moritz LUSZEK,Frederik Lenard Hasecke. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-08-07.

Structure for sealing and dispensing cleaning articles

Номер патента: EP4433379A1. Автор: Ning Yang,Thomas Schulz,JongSoo Jacob LEE,Minghuang Lin,Traneil MORGAN. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Automotive window laminate structure, thermoplastic laminated sheet structure for use therein, and method for producing said automotive window laminate structure via heat pressure laminating process

Номер патента: EP4433304A1. Автор: Bartholomeus Leonardus Marinus Borcherd Driehuis. Владелец: Autoglas D&k BV. Дата публикации: 2024-09-25.

Structure for a substructure

Номер патента: AU2023229001A1. Автор: Roger Remmel,Markus Leukers. Владелец: EUROPEAN TRAILER SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Vibration suppression split handle structures for high-vibration handheld

Номер патента: US20240316741A1. Автор: Xingjian JING. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-26.

Probalistic data structure for key management

Номер патента: US12093236B2. Автор: John Hayes,John Colgrove,Ethan MILLER. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Hybrid fixation features for three-dimensional porous structures for bone ingrowth and methods for producing

Номер патента: AU2024216374A1. Автор: Abraham P. Wright,Bryan J. Smith,Weidong Tong,Nicholas A. MILTNER,Tyler S. BOGGS. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Supporting structure for concurrently supporting a plurality of containers for substances for pharmaceutical, medical or cosmetic applications, and transport structure comprising the same

Номер патента: US20240350362A1. Автор: David HILBER,Markus Renz,Christian Komann. Владелец: Schott Pharma Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-24.

Structure for locking and releasing sheet-like object and packaging storage container

Номер патента: US20240317460A1. Автор: Kwok Din Lau,Kwan Ming Jimmy Lau. Владелец: Finest Products Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Press-fitting connection structure for pipeline and refrigeration device

Номер патента: US20240337336A1. Автор: Jihong Zhang,Qihao Zhang. Владелец: Ningbo Purey Flow Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Seal structure for in-wheel electric motor drive system, and in-wheel electric motor drive system

Номер патента: US20240353008A1. Автор: Ding Li,JIN Wang,Xin Liu,Bin Zhang. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-10-24.

Light effect structure for electronic photo frame

Номер патента: US12121165B2. Автор: Juanzhi Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-22.

Catalyst structure for oxidizing hydrogen in the air and device for oxidizing hydrogen

Номер патента: AU2024201995A1. Автор: Ming-Yu Yen,Fu-Yang Shih,Hsu-Lin Chang,Ya-Ting Tsai. Владелец: Toplus Energy Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems, methods, and devices for additive manufactured ultra-fine lattice structures for propulsion catalysts

Номер патента: US12053767B2. Автор: Zachary Jones,Ankit Saharan,Omar Mireles,Maryna Ienina. Владелец: EOS of North America Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Structure for reducing sloshing noises, device and method for producing a structure

Номер патента: US12030376B2. Автор: Volker Treudt. Владелец: Kautex Textron GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Rubber tube for stethoscope and structure for fitting the rubber tube with ear-hung pieces

Номер патента: US20240293098A1. Автор: Xijie Shan. Владелец: Wuxi Kaishun Medical Equipment Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION DEVICES

Номер патента: US20120001225A1. Автор: Tu Shang-Hui,CHANG Jui-Chun,Wu Chen-Wei,JOU Yeh-Ning. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079865A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-17.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079409A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-10.

Lnversion-mode insulated-gate gallium arsenide field effect transistors

Номер патента: CA1223672A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-06-30.

Passenger's weight measurement device for vehicle seat and attachment structure for load sensor

Номер патента: US20120000716A1. Автор: Sato Kenji,ENDO Shigeru,Takayasu Wataru,Ishima Shinya. Владелец: TS TECH CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GEARSHIFT KNOB ATTACHING STRUCTURE FOR VEHICLE GEARSHIFT LEVER UNIT

Номер патента: US20120000311A1. Автор: SHIOJI Norihito,HAGINO Naoki. Владелец: FUJI KIKO CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BEARING STRUCTURE FOR DRUM PEDAL

Номер патента: US20120000344A1. Автор: SATO NAOKI,NOGUCHI Shinji. Владелец: HOSHINO GAKKI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEALING STRUCTURE FOR CYLINDRICAL BODY

Номер патента: US20120001420A1. Автор: Hirayama Haruaki,SHOJI Ken,Ogino Shinji,NISHIDA Shigeru,Sato Taiji,Tsubone Hiroshi. Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUSTPROOF STRUCTURE FOR SLIDE TYPE ELECTRONIC DEVICE AND SLIDE TYPE ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002390A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Switching structure for control channels

Номер патента: RU2437235C2. Автор: Дурга Прасад МАЛЛАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-12-20.

Structure for astronomical observations, tool for observing celestial bodies, method for assembling the structure and method for its operation

Номер патента: RU2307899C1. Автор: Владимир Михайлович Мурашев,Константин Николаевич Свиридов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО Астрофизика". Дата публикации: 2007-10-10.

Method for arrangement of pile foundations for structures, pile foundations and shell structure for creation of widened foot

Номер патента: RU2346112C2. Автор: Хенинг Балцер РАСМУССЕН. Владелец: ФУТ ФАУНДЭШН А/Эс. Дата публикации: 2009-02-10.

Preamble structure for wireless signal

Номер патента: RU2454038C2. Автор: Аамод КХАНДЕКАР,Алексей ГОРОХОВ,Нага БХУШАН,Рави ПАЛАНКИ,Авниш АГРАВАЛ,Ашвин САМПАТХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-06-20.

Set of metal frame structures for creation of transport furniture

Номер патента: RU2502456C1. Автор: Александр Евгеньевич Горбачев,Владимир Вячеславович Громов,Сергей Михайлович Мосалёв,Игорь Семенович Рыбкин,Денис Игоревич Синицын,Владимир Анатольевич Хитров,Дмитрий Альбертович Фуфаев. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2013-12-27.

Hinged structure for self-closing doors or similar, in particular, glass doors or similar, and unit comprising such structure

Номер патента: RU2417298C2. Автор: Лучиано БАККЕТТИ. Владелец: ГОСИО Дьянора. Дата публикации: 2011-04-27.

INTEGRATIVE pQ-SRUS GENETIC STRUCTURE FOR OBTAINING Yarrowia lipolytica YEAST STRAINS HAVING ABILITY FOR HOMOLOGICAL RECOMBINATION OF GENOME OF MITOCHONDRIA DUE TO EXPRESSION OF RecA PROTEIN GENE OF BACTERIAL ORIGIN

Номер патента: RU2562869C1. Автор: Елена Владимировна Трубникова,Екатерина Юрьевна Эпова,Юлия Ивановна Дерябина,Елена Павловна Исакова,Марина Валерьевна Зылькова,Юлия Константиновна Кудыкина,Варвара Юрьевна Секова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биохимии им. А.Н. Баха Российской академии наук (ИНБИ РАН). Дата публикации: 2015-09-10.

Multistory parking structure for passenger cars

Номер патента: RU2304207C1. Автор: Сергей Евгеньевич Варламов,Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2007-08-10.

Self-acting structure for flood protection

Номер патента: RU2261951C2. Автор: Б.В. Берков. Владелец: Берков Борис Викторович. Дата публикации: 2005-10-10.

Structure for generating sub-terahertz and terahertz range electromagnetic radiation

Номер патента: RU2503091C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Эдуард Анатольевич Ильичев,Виктор Александрович Гергель,Владимир Алексеевич Черепенин. Владелец: Открытое акционерное общество "Зеленоградский инновационно-технологический центр" (ОАО "ЗИТЦ"). Дата публикации: 2013-12-27.

Method to create anti-filtration screen of hydraulic structure for storage of industrial wastes

Номер патента: RU2544376C1. Автор: Эдвард Петрович Ржечицкий,Сергей Алексеевич Овчинников,Константин Сергеевич Ёлкин,Вячеслав Георгиевич Григорьев,Дмитрий Константинович Ёлкин,Михаил Анатольевич Глушкевич,Владимир Кузьмич Крючков,Татьяна Михайловна Павлова,Олег Ильич Ясевич,Борис Ильич Зельберг. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2015-03-20.

Information storage carrier having a data structure for adaptive reproduction of reproduction means according to launch information, method and device for reproduction of carrier

Номер патента: RU2313138C2. Автор: Кил-Соо ДЗУНГ,Сеонг-дзин МООН,Сунг-Воок ПАРК. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-12-20.

Record medium with data structure for managing display of still images stored on medium, methods and devices for recording and displaying

Номер патента: RU2361291C2. Автор: Кхан Су СО,Пюн Чин КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of heating of long sheet aluminium structures for forming or straightening

Номер патента: RU2598428C2. Автор: Анатолий Гаврилович Астафьев,Сергей Николаевич Пидгурский. Владелец: Публичное акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Иркут" (ПАО "Корпорация "Иркут"). Дата публикации: 2016-09-27.

Erosion preventive structure for slopes

Номер патента: RU2325482C1. Автор: Татьяна Юрьевна Хаширова,Тать на Юрьевна Хаширова. Владелец: Татьяна Юрьевна Хаширова. Дата публикации: 2008-05-27.

Recording medium with data structure for managing text subtitles, and recording and displaying methods and devices

Номер патента: RU2367036C2. Автор: Канг Соо СЕО,Дзеа Йонг ЙОО,Биунг Дзин КИМ,Канг Соо СЕО (KR),Дзеа Йонг ЙОО (KR),Биунг Дзин КИМ (KR). Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2009-09-10.

Method to create elements of structures for construction of marine city

Номер патента: RU2509840C1. Автор: Салават Адегамович Латыпов. Владелец: Салават Адегамович Латыпов. Дата публикации: 2014-03-20.

Information carrier with availability of data structure for control of different data traffics and method for recording and reproduction

Номер патента: RU2351997C2. Автор: Канг Соо СЕО,Дзеа Йонг ЙОО,Биунг Дзин КИМ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2009-04-10.

Three-dimensional frame having cellular structure for ground consolidation (variants) and band for frame production (variants)

Номер патента: RU2323301C2. Автор: Павел Борисович Котов,Рефик Мамедович Баясан,Леонид Семенович Чугунов,Михаил Исаакович Альтмарк,Николай Иванович Россеев,Александр Лукич Охрименко,Максим Викторович Стасенко,Виктор Викторович Козич,Леонид Семенович Чугунов (RU),Павел Борисович Котов (RU),Михаил Исаакович Альтмарк (RU),Николай Иванович Россеев (RU),Александр Лукич Охрименко (RU),Максим Викторович Стасенко (RU),сан Рефик Мамедович Ба (RU),Виктор Викторович Козич (BY). Владелец: ЗАО "Ямалгазинвест". Дата публикации: 2008-04-27.

Hydraulic structure for intake of subsurface spring water

Номер патента: RU2407862C1. Автор: Анатолий Валентинович Вяткин,Олег Николаевич Дрозд. Владелец: Олег Николаевич Дрозд. Дата публикации: 2010-12-27.

Roof structure for building

Номер патента: RU2283930C1. Автор: Владимир Борисович Лапшин,Александр Степанович Бугаев,Владимир Владимирович Жмур,Алексей Алексеевич Палей,Владимир Александрович Фомин. Владелец: Владимир Борисович Лапшин. Дата публикации: 2006-09-20.

Advertising structure for displaying four information fields

Номер патента: RU2704465C1. Автор: Павел Дмитриевич Гиндин. Владелец: Павел Дмитриевич Гиндин. Дата публикации: 2019-10-28.

High-frequency structure for accelerating cluster ions

Номер патента: RU2560108C1. Автор: Владимир Иванович Турчин,Сергей Валентинович Плотников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" "Государственный научный центр Российской Федерации-Институт Теоретической и Экспериментальной Физики". Дата публикации: 2015-08-20.

High-duty cast iron for hull structures for modern container machinery for transportation and storage of spent fuel

Номер патента: RU2371506C2. Автор: Георгий Павлович Карзов,Игорь Анатольевич Повышев,Михаил Иванович Оленин,Николай Георгиевич Быковский. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Конструкционных Материалов "Прометей" (Фгуп "Цнии Км "Прометей"). Дата публикации: 2009-10-27.

Method to test composite-coupling repair structure for pipes of manifold pipelines

Номер патента: RU2531126C2. Автор: Андрей Николаевич Кулешов,Владислав Александрович Соловьев,Евгений Степанович Васин. Владелец: Открытое акционерное общество "Центр технической диагностики" (ОАО ЦТД "ДИАСКАН"). Дата публикации: 2014-10-20.

Pushing structure for leg warming during walking

Номер патента: RU2357628C2. Автор: Эрнст Михайлович Симкин. Владелец: Эрнст Михайлович Симкин. Дата публикации: 2009-06-10.

Working equipment of trench-pit machine and support structure for working equipment

Номер патента: RU2371551C1. Автор: Андрей Владимирович Котенко,Иван Михайлович Вандяев,Владимир Владимирович Беляев,Виктор Владимирович Шаповалов,Игорь Константинович Шумаков,Юрий Васильевич Панов,Владимир Федорович Беляков,Евгений Матвеевич Назаров,Дмитрий Михайлович Сергамасов,Дмитрий Владимирович Тараканов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Конструкторское бюро транспортного машиностроения (ФГУП КБТМ). Дата публикации: 2009-10-27.

Photoelectric structure for measuring quantum output of internal photoelectric effect and method of making said structure

Номер патента: RU2463617C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Ольга Вячеславовна Шеповалова,Юрий Дмитриевич Арбузов,Владимир Михайлович Евдокимов. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2012-10-10.

Structure for stabilisation of road bed and active layer of operated motor road

Номер патента: RU2575952C1. Автор: Алексей Николаевич Краев,Александр Евгеньевич Ушаков,Вячеслав Викторович Воронцов,Татьяна Владимировна Пермитина,Павел Игоревич Васенин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный архитектурно-строительный университет". Дата публикации: 2016-02-27.

Drift tube structure for ion mobility spectrometre

Номер патента: RU2398309C1. Автор: Владимир Васильевич Беляков,Анатолий Владимирович Головин,Вячеслав Сергеевич Першенков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СМЭЛ". Дата публикации: 2010-08-27.

Preparation of steel structure for further thermal treatment

Номер патента: RU2526341C1. Автор: Александр Григорьевич Мельников,Ильгиз Фаязович Якупов. Владелец: Ильгиз Фаязович Якупов. Дата публикации: 2014-08-20.

METHOD OF GENERATING TRANSFORMED ARGUMENTS OF ANALOGUE SIGNALS (0j)i AND (0j+1)i; END-TO-END PARALLEL SHIFT f(←←) FOR TRANSFORMING POSITION-SIGN ARGUMENTS OF ANALOGUE SIGNALS ±[nj]f(+/-) IN CONDITIONAL "i" MINIMISATION ZONE AND FUNCTIONAL STRUCTURE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD (VERSIONS)

Номер патента: RU2420868C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2011-06-10.

Method of measuring diffusion length of minority charge carriers in semiconductors and test structure for implementation thereof

Номер патента: RU2501116C1. Автор: Владимир Васильевич Васильев,Александр Владиленович Предеин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2013-12-10.

METHOD OF CONVERTING STRUCTURE OF ARGUMENTS OF ANALOGUE LOGIC VOLTAGES «-/+»[mj]f(+/-) - "COMPLEMENTARY CODE" TO POSITION-SIGN STRUCTURE OF MINIMISED ARGUMENTS OF LOGIC VOLTAGES ±[mj]f(+/-)min AND FUNCTIONAL STRUCTURE FOR REALISATION THEREOF (VERSIONS OF RUSSIAN LOGIC)

Номер патента: RU2502184C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-12-20.

Multilevel m-dimensional matrix adding structure for vertical arithmetic

Номер патента: RU2246128C2. Автор: В.М. Тарануха. Владелец: Таганрогский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2005-02-10.

Electrode structure for electrocardiogram

Номер патента: RU2523356C2. Автор: Рушан Абдулхакович Сулиманов,Мирза Имамович Бичурин,Даниил Владимирович Лосев,Роман Валерьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2014-07-20.

Homogeneous computing structure for performing operations with given modulus

Номер патента: RU2310223C2. Автор: Владимир Сергеевич Князьков,зьков Владимир Сергеевич Кн,Роман Николаевич Федюнин. Владелец: Пензенский государственный университет (ПГУ). Дата публикации: 2007-11-10.

Test structure for estimation of curvature radius of scanning probe microscopy cantilever needle-point

Номер патента: RU2335735C1. Автор: Алексей Николаевич Белов,Сергей Александрович Гаврилов,Игорь Юрьевич Орлов,Алексей Александрович Тихомиров,ков Василий Иванович Шев,Василий Иванович Шевяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-10-10.

Method and structure for cleaning of domestic wastewater with application of ecological system elements

Номер патента: RU2397149C1. Автор: Владимир Иванович Суворов,Юрий Николаевич Женихов,Константин Иванович Лопатин,Валерий Иванович Толстограй,Владимир Владимирович Панов. Владелец: Владимир Владимирович Панов. Дата публикации: 2010-08-20.

High-frequency accelerating structure for ion beams extracted from laser plasma

Номер патента: RU2533194C2. Автор: Владимир Иванович Турчин,Сергей Валентинович Плотников,Александр Николаевич Балабаев,Юрий Алексеевич Сатов,Александр Викторович Шумшуров,Сергей Михайлович Савин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики". Дата публикации: 2014-11-20.

Rotary structure for open channels

Номер патента: RU2485247C1. Автор: Вадим Михайлович Голубенко. Владелец: Вадим Михайлович Голубенко. Дата публикации: 2013-06-20.

FUNCTIONAL STRUCTURE FOR DIGITAL-TO-ANALOGUE CONVERSION OF POSITION-SIGN STRUCTURES OF ARGUMENTS OF ANALOGUE SIGNALS ±m&[1,2mi]f(2n) OF "COMPLEMENTARY CODE RU" FORMAT TO ANALOGUE CONTROL SIGNAL ±Ukf([1,2mi]) (VERSION OF RUSSIAN LOGIC)

Номер патента: RU2480903C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-04-27.

Heteroepitaxial semiconductor structure for photodetector cell

Номер патента: RU2034369C1. Автор: Александр Андреевич Величко. Владелец: Александр Андреевич Величко. Дата публикации: 1995-04-30.

Procedure for protection of marine structures for extraction of oil and gas from erosion-corrosion attacks under ice conditions

Номер патента: RU2430998C1. Автор: Павел Григорьевич Бродский,Владимир Васильевич Чернявец,Валерий Павлович Леньков,Владимир Иванович Димитров,Сергей Борисович Курсин,Владимир Иванович Димитров (RU),Владимир Васильевич Чернявец (RU),Сергей Борисович Курсин (RU),Павел Григорьевич Бродский (RU),Валерий Павлович Леньков (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2011-10-10.

Improvements in the Manufacture of Non-conducting Coverings for Steam Pipes and other Surfaces and Packings for Walls, Partitions, and other Structures, for Preventing the Transmission of Heat or Sound.

Номер патента: GB190116588A. Автор: George Albert Herdman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-10-26.

Supporting structure for solar panels

Номер патента: NZ725871A. Автор: Ornella Claudio,ORNELLA Angelo. Владелец: ORNELLA Angelo. Дата публикации: 2012-07-19.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.