Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Power MOSFET device structure for high frequency applications

Power MOSFET device structure for high frequency applications

Номер патента: US09806175B2
Опубликовано: 31-10-2017
Автор(ы): Anup Bhalla, Daniel Ng., Sik K. Lui, Tiesheng Li
Принадлежит: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Super junction trench power MOSFET device fabrication

Номер патента: US09443974B2. Автор: Yang Gao,Deva Pattanayak,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Self-aligned contact for trench power MOSFET

Номер патента: US09691863B2. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Dual oxide trench gate power MOSFET using oxide filled trench

Номер патента: US09673289B2. Автор: Hong Chang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing a P-channel power MOSFET

Номер патента: US09825167B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Yoshito Nakazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Power MOSFET with seperate gate and field plate trenches

Номер патента: US09680004B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Self-aligned contact for trench power mosfet

Номер патента: US20160300917A1. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-13.

Trench power mosfet and fabrication method thereof

Номер патента: US20130292761A1. Автор: Chun Ying Yeh,Yuan Ming Lee. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Power MOSFET having lateral channel, vertical current path, and P-region under gate for increasing breakdown voltage

Номер патента: US09947779B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Power MOSFET

Номер патента: US09941357B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Power MOSFET having planar channel, vertical current path, and top drain electrode

Номер патента: US09761702B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical power MOSFET having planar channel and its method of fabrication

Номер патента: US09461127B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Power MOSFET with improved safe operating area

Номер патента: US11888060B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Power MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US10109731B2. Автор: Seung Hyun Kim,Ho Seok HWANG,Soo Chang Kang,Sang Hoon AHN,Yong Won Lee. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Power mosfet and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125576A1. Автор: Seung Hyun Kim,Ho Seok HWANG,Soo Chang Kang,Sang Hoon AHN,Yong Won Lee. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Vertical power MOSFET

Номер патента: US09536943B2. Автор: Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Bottom source substrateless power mosfet

Номер патента: US20140319601A1. Автор: Ping Huang,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-10-30.

Self-aligned power mosfet with integral source-base short and methods of making

Номер патента: CA1197023A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-19.

Power MOSFET structure and method

Номер патента: US8932928B2. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-01-13.

Fabrication method of trenched power MOSFET

Номер патента: US8426275B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Kou-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-23.

Power MOSFET structure and method

Номер патента: US8759909B2. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-06-24.

Power mosfet structure and method

Номер патента: US20140342518A1. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Power mosfet structure and method

Номер патента: US20130299898A1. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-11-14.

Power mosfet device with improved isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4307384A2. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-17.

Power mosfet device with improved isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4307384A3. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-07.

Power mosfet device with isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240014286A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-11.

Power mosfet device with protection against the contaminants and related manufacturing process

Номер патента: US20240258422A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

Power mosfet devices including embedded schottky diodes and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150091084A1. Автор: Jung-Ho Lee,Suk-Kyun Lee,Heon-Bok Lee,In-Ho YEO,Sae-Choon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Manufacturing method of trench power MOSFET

Номер патента: US09837508B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Trench power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536972B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Trench gate power mosfet

Номер патента: EP1947699A4. Автор: Yuji Watanabe,Kunihiko Oshima,Kazushige Matsuyama,Toshiyuki Takemori,Fuminori Sasaoka,Masato Itoi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: US20240063305A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: EP4325583A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Power mosfet and methods of making same

Номер патента: WO2005057664A2. Автор: Paul R. Davies,Kin On Johnny Sin,Mau Lai. Владелец: Chau, Duc Quang. Дата публикации: 2005-06-23.

Power mosfet and fabricating method thereof

Номер патента: US20100155840A1. Автор: Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Power MOSFET and fabricating method thereof

Номер патента: US8247868B2. Автор: Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Method of forming power mosfet

Номер патента: US20110171799A1. Автор: Yi-Chi Chang,Chia-Lien Wu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor high-power mosfet device

Номер патента: US4974059A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1990-11-27.

Structure and fabrication of power MOSFETs, including termination structures

Номер патента: US5404040A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Dorman C. Pitzer,Mike Chang,Jun W. Chen,Jan V. D. Linde. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1995-04-04.

Power MOSFETs and methods for forming the same

Номер патента: US09601616B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Electronic device comprising a field effect transistor for high-frequency aplications

Номер патента: US20060231905A1. Автор: Radjindrepersad Gajadharsing,Thomas Roedle,Hendrikus Jos,Stephan Theeuwen,Petra Hammes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Multiple gated power mosfet device

Номер патента: US20200091337A1. Автор: Ming Tang,Shih Ping Chiao. Владелец: PTEK Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Power superjunction MOSFET device with resurf regions

Номер патента: US09660070B2. Автор: Satoshi Eguchi,Yoshito Nakazawa,Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Power mosfet device

Номер патента: WO2024083312A1. Автор: Gilberto Curatola,Mo Huai Chang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-25.

Power MOSFET, an IGBT, and a power diode

Номер патента: US09825163B2. Автор: Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of making self-aligned power MOSFET with integral source-base short

Номер патента: US4598461A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-08.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

Power mosfet device having improved safe-operating area and on resistance, manufacturing process thereof and operating method thereof

Номер патента: US20230420557A1. Автор: Angelo Magri',Stefania Fortuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-28.

High density trench-gated power MOSFET

Номер патента: US6348712B1. Автор: Jacek Korec,Mohamed N. Darwish,Dorman C. Pitzer. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2002-02-19.

Power mosfet with metal filled deep source contact

Номер патента: EP3405978A1. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-28.

Power mosfet with metal filled deep source contact

Номер патента: US20180076320A1. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Power MOSFET with metal filled deep source contact

Номер патента: US09853144B2. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Termination ballast to suppress hotspot formation in trench field plate power mosfets

Номер патента: US20220393004A1. Автор: Vishnu Khemka,Christian Torrent,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Termination ballast resistor in power mosfets with trench field plate

Номер патента: EP4099392A1. Автор: Vishnu Khemka,Christian Torrent,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Up-diffusion suppression in a power mosfet

Номер патента: US20220020851A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-20.

Up-diffusion suppression in a power MOSFET

Номер патента: US11990515B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Corner layout for high voltage semiconductor devices

Номер патента: US09543413B2. Автор: Anup Bhalla,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power mosfet

Номер патента: WO2005024903A3. Автор: Ali Salih,John E Amato,Badredin Fatemizadeh,Shamsul A Khan. Владелец: Shamsul A Khan. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power mosfet

Номер патента: WO2005024903A2. Автор: John E. Amato,Ali Salih,Badredin Fatemizadeh,Shamsul A. Khan. Владелец: Power-One Limited. Дата публикации: 2005-03-17.

Trench-gate power mosfet with optimized layout

Номер патента: US20230078222A1. Автор: Hu Chen,Kuang Sheng,Na Ren,Zhengyun ZHU. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-03-16.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power MOSFET

Номер патента: US20050040459A1. Автор: Ali Salih,John Amato,Badredin Fatemizadeh,Shamsul Khan. Владелец: POWER-ONE Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5338961A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1994-08-16.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5598018A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-01-28.

Gate patterning for stacked device structure using self-assembled monolayer

Номер патента: US20240312846A1. Автор: Ku-Feng Yang,Che Chi Shih,Szuya Liao,TsungKai Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Trench type mosfet device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100155838A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Self-aligned shield structure for realizing high frequency power mosfet devices with improved reliability

Номер патента: WO2000049663A1. Автор: Francois Hebert,Szehim Daniel Ng. Владелец: Spectrian. Дата публикации: 2000-08-24.

Power mosfet and method for producing a power mosfet

Номер патента: US20180315847A1. Автор: Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-01.

In-situ support structure for line collapse robustness in memory arrays

Номер патента: US09543139B2. Автор: Donovan Lee,Akira MATSUDAIRA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20210135019A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20200006579A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20200127145A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Trench power MOSFET structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8872266B1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Trench power mosfet structure fabrication method

Номер патента: US20140349456A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Power MOSFET having improved manufacturability, low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US09837529B1. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Power silicon carbide mosfet devices and related methods

Номер патента: WO2019125600A1. Автор: Qingchun Zhang,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

RF power MOSFET device with extended linear region of transconductance characteristic at low drain current

Номер патента: US6064088A. Автор: Pablo Eugenio D'Anna. Владелец: Xemod Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Structure for silicon carbide integrated power MOSFETs on a single substrate

Номер патента: US11798938B2. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Power silicon carbide mosfet devices and related methods

Номер патента: EP3729513A1. Автор: Qingchun Zhang,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Metallic bridge structure for hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20020060327A1. Автор: Henry Chen,Shi-Ming Chen,Juh-Yuh Su,Wen-Liang Li. Владелец: Epitech Corp Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

High power MOSFET and integrated control circuit therefor for high-side switch application

Номер патента: US4866495A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1989-09-12.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4411830A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240258377A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

Process for making a power MOSFET device and structure

Номер патента: US5460986A. Автор: Gordon Tam,Pak M. Tam. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Self-aligned trench mos junctions field-effect transistor for high-frequency applications

Номер патента: WO2005074025A3. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: Hamza Yilmaz. Дата публикации: 2006-01-26.

Power mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322032A1. Автор: Yu-Hsiang Shu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing vertical planar power MOSFET and method of manufacturing trench-gate power MOSFET

Номер патента: US8647948B2. Автор: Satoshi Eguchi,Yuya ABIKO,Junichi KOGURE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Power MOSFET and Method of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20160020319A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-01-21.

Trench power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US9130035B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Trench power mosfet and manufacutring method thereof

Номер патента: US20150200294A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Fabrication of silicon carbide integrated power mosfets on a single substrate

Номер патента: US20220115502A1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Process for manufacture of radiation resistant power MOSFET and radiation resistant power MOSFET

Номер патента: US5475252A. Автор: Perry Merrill,Kyle A. Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1995-12-12.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Structure and method for manufacturing a trench power MOSFET

Номер патента: US12062717B2. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of power MOSFET using a hard mask as a CMP stop layer between sequential CMP steps

Номер патента: US09589810B2. Автор: Satoshi Eguchi,Daisuki Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

III-N tunnel device architectures and high frequency mixers employing a III-N tunnel device

Номер патента: US11387328B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: WO2003071585A3. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Trench power mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220302303A1. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Vertical silicon carbide power MOSFET and IGBT and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11967616B2. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

A Vertical Silicon Carbide Power MOSFET and IGBT and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220028976A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-01-27.

A vertical silicon carbide power mosfet and igbt and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP3756225A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-12-30.

Gate protection diode for high-frequency power amplifier

Номер патента: US20110169094A1. Автор: Hideyuki Ono,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Gate protection diode for high-frequency power amplifier

Номер патента: US8294204B2. Автор: Hideyuki Ono,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Gate protection diode for high-frequency power amplifier

Номер патента: US7932562B2. Автор: Hideyuki Ono,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Structure and method for fully depleted silicon on insulator structure for threshold voltage modification

Номер патента: US09941300B2. Автор: Terence B Hook,Kirk David Peterson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Iii-n tunnel device architectures & high frequency mixers employing a iii-n tunnel device

Номер патента: US20200105881A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Device structures with multiple nitrided layers

Номер патента: US09953831B1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven Shank,Jay Burnham,Randall Brault. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Trench-gated power MOSFET with protective diode having adjustable breakdown voltage

Номер патента: US5998837A. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Ohmic contact structure for semiconductor device and method

Номер патента: US09842923B2. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Bidirectional, high-speed power MOSFET devices with deep level recombination centers in base region

Номер патента: US4656493A. Автор: Michael S. Adler,Peter V. Gray. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-04-07.

Modulated super junction power MOSFET devices

Номер патента: US09887259B2. Автор: Deva Pattanayak,Olof Tornblad. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Power mosfet array

Номер патента: US20090096038A1. Автор: Ting-Shing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Ultra-low drain-source resistance power MOSFET

Номер патента: US09887266B2. Автор: Martin Hernandez,Deva Pattanayak,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Power mosfet having current detection means

Номер патента: US5767545A. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Power MOSFET with overcurrent and over-temperature protection and control circuit decoupled from body diode

Номер патента: US5550701A. Автор: Bruno C. Nadd,Talbott M. Houk. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1996-08-27.

Long channel trench-gated power mosfet having fully depleted body region

Номер патента: WO1997044828A1. Автор: Richard K. Williams,Mohamed Darwish,Mike F. Chang,Wayne Grabowski,Brian H. Floyd. Владелец: SILICONIX INCORPORATED. Дата публикации: 1997-11-27.

A semiconductor component incorporated a power-mosfet and a control circuit

Номер патента: MY102712A. Автор: Einzinger Josef,Leipold Ludwig,Tihanyi Jeno,Weber Roland. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-30.

System and method for fabricating high voltage power MOSFET

Номер патента: US09431532B1. Автор: Tao Wei. Владелец: Powerwyse Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Structure for reduced source and drain contact to gate stack capacitance

Номер патента: US09601570B1. Автор: Carl J Radens,Richard Q Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Fabrication method of trenched power MOSFET with low gate impedance

Номер патента: US7608511B1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Silicided base structure for high frequency transistors

Номер патента: US20090321879A1. Автор: Vishal P. Trivedi,Jay P. John,James A. Kirchgessner. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and preparation method for high electron mobility transistor

Номер патента: US20240322029A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Transmission line for high performance radio frequency applications

Номер патента: US09679869B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Sandra Louise Petty-Weeks,Guohao Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure for use with high-frequency signals

Номер патента: WO2002009150A3. Автор: Jamal Ramdani,Ravindranath Droopad,Kurt Eisenbeiser,Nada El-Zein. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor structure for use with high-frequency signals

Номер патента: WO2002009150A2. Автор: Jamal Ramdani,Ravindranath Droopad,Kurt Eisenbeiser,Nada El-Zein. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2002-01-31.

Lateral power MOSFET

Номер патента: US09583478B1. Автор: Marcelo A. Martinez. Владелец: Silego Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Asymmetric gates for high density DRAM

Номер патента: US20020192912A1. Автор: Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni,Mary Weybright,Wayne Ellis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Asymmetric gates for high density DRAM

Номер патента: US6670667B2. Автор: Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni,Mary Weybright,Wayne Ellis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-12-30.

Gated protection device structures for an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: EP4333059A1. Автор: Robert J. Gauthier,Souvick Mitra,Prantik Mahajan,. Ajay. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

High-frequency switching transistor

Номер патента: US20050167784A1. Автор: Reinhard Losehand. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-04.

High-frequency power diode and method of its manufacturing

Номер патента: RU2684921C2. Автор: Ярослав ГОМОЛА,Иржи ПОДЗЕМСКИ,Ладислав РАДВАН,Илья МУЛЛЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2019-04-16.

Transistor switch for high frequency and high power applications

Номер патента: US20050127396A1. Автор: Chayan Mitra,Ramakrishna Rao,Ahmed Elasser,Jeffrey Fedison. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor devices for high frequency applications

Номер патента: US20230352522A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Mattias Dahlstrom,Joseph De Santis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US12027449B2. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US20220139809A1. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Structure for a semiconductor resistive element, particularly for high voltage applications and respective manufacturing process

Номер патента: US20020063307A1. Автор: Davide Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-30.

Structure for a semiconductor resistive element, particularly for high voltage applications

Номер патента: US6590272B2. Автор: Davide Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-08.

Transmission line for high performance radio frequency applications

Номер патента: TW201318492A. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Sandra Louise Petty-Weeks,Guohao Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

Semiconductor structure for use with high-frequency signals

Номер патента: TW523790B. Автор: Jamal Ramdani,Ravindranath Droopad,Kurt Eisenbeiser,Nada El-Zein. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-03-11.

一种增强散热的Power MOSFET及其设计方法

Номер патента: CN108288607B. Автор: 于浩. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

一种增强散热的Power MOSFET及其设计方法

Номер патента: CN108288607A. Автор: 于浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Blanket well counter doping process for high speed/low power MOSFETs

Номер патента: US5963799A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Power MOSFET circuit including short circuiting means for detecting the potential of the source terminal

Номер патента: US5357157A. Автор: Kraisorn Throngnumchai. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-18.

Gate-source protective circuit for a power mosfet

Номер патента: US5172290A. Автор: Ludwig Leipold,Rainald Sander,Jenoe Tihanyi,Roland Weber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-12-15.

Circuit board for high frequency devices, and high frequency device

Номер патента: US20240098891A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takeyuki Kato,Yutaka Kuroiwa,Nobuo Inuzuka. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Grounding structure for high frequency circuit board

Номер патента: EP3863113A1. Автор: Haruo Kojima,Yasuaki Asahi. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

High-frequency component, electric circuit arrangement and radar system

Номер патента: US20230328875A1. Автор: Marcel Mueller,Klaus Baur,Juergen Seiz,Christian Hollaender,Kevin Stella,Soeren Mjoernell,Kai Schiemenz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-10-12.

Analysis of integrated circuits for high frequency performance

Номер патента: US20050114806A1. Автор: Frantisek Gasparik,Joseph Brehmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761464B2. Автор: Yi-Chi Chang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

High frequency piezoelectric crystal composites, devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09525124B2. Автор: Pengdi Han,Jian Tian,Brandon Stone,Kevin Meneou. Владелец: CTS Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

High frequency piezoelectric crystal composites, devices, and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09519269B2. Автор: Pengdi Han,Jian Tian,Brandon Stone,Kevin Meneou. Владелец: CTS Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Wiring board and high frequency module using same

Номер патента: US09431357B2. Автор: Suguru Fujita,Ryosuke Shiozaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Thin film resistor (tfr) device structure for high performance radio frequency (rf) filter design

Номер патента: WO2023235027A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-07.

Thin film resistor (TFR) device structure for high performance radio frequency (RF) filter design

Номер патента: US12040268B2. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Low-power clock repeaters and injection locking protection for high-frequency clock distributions

Номер патента: US09735793B2. Автор: Kevin Yi Cheng Chang,Muhammad Z. Islam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

ESL-less AC resistor for high frequency applications

Номер патента: US11862367B2. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Sang-June Park,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Esl-less ac resistor for high frequency applications

Номер патента: WO2023107767A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Sang-June Park,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-06-15.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Package for high frequency circuits

Номер патента: GB201116415D0. Автор: . Владелец: MMIC SOLUTIONS Ltd. Дата публикации: 2011-11-02.

Package for high frequency circuits

Номер патента: US20140231117A1. Автор: Paul Rice,Mark Black,Jim Yip. Владелец: RADIO PHYSICS SOLUTION Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Package for high frequency circuits

Номер патента: US09425113B2. Автор: Paul Rice,Mark Black,Jim Yip. Владелец: RADIO PHYSICS SOLUTIONS Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Capacitively coupled resonators for high frequency galvanic isolators

Номер патента: US20230247767A1. Автор: Baoxing Chen,Paul Lambkin,Jinglin Xu,Ramji Lakshmanan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-08-03.

Support structures for various electronic devices including opto-electronic devices and method of making the same

Номер патента: WO2011091385A1. Автор: Gang He,Thomas J. Gmitter,Melissa Jane Archer. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2011-07-28.

Electric power supply apparatus for external devices of overhead hoist transport system using high frequency track cable

Номер патента: US20240355658A1. Автор: Hak Seo Oh,Yong Ky MOON,Young Sun HONG. Владелец: Cantops Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

GaN-on-Si SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES FOR HIGH CURRENT/ HIGH VOLTAGE LATERAL GaN TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20180012770A1. Автор: Thomas MacElwee,Howard Tweddle,Greg P. KLOWAK. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Multilayer interconnection substrate for high frequency and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2017173350A1. Автор: Hisashi Kobuke,Naoki Sotoma,Yousuke Futamata,Emi Ninomiya,Atsushi ISHIMOTO. Владелец: SNAPTRACK, INC.. Дата публикации: 2017-10-05.

Thermal Management Method and Apparatus for High Frequency IC with Apertured Heat Sink

Номер патента: US20190109364A1. Автор: Christopher Jones,Robert J. McMorrow,Scott Mitchell,Andrew Street,Jonathan P. Comeau,Gaurav Menon. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Thermal management method and apparatus for high frequency ic with apertured heat sink

Номер патента: WO2019071210A1. Автор: Christopher Jones,Robert J. McMorrow,Scott Mitchell,Andrew Street,Jonathan P. Comeau,Gaurav Menon. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-04-11.

Cantilevered Power Planes to Provide a Return Current Path for High-Speed Signals

Номер патента: US20230369191A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and structure for double lining for shallow trench isolation

Номер патента: US20070087519A1. Автор: Liu Chi-Kang,XIN Wang,Ze Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Miniature passive structures, high frequency electrostatic discharge protection networks, and high frequency electrostatic discharge protection schemes

Номер патента: US09496253B2. Автор: Keping Wang,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-15.

Photoreceiver arrangement with a photoreceiver and a method for operating a photoreceiver that converts an optical data flow into a high-frequency output signal

Номер патента: US8466405B2. Автор: Heinz-Gunter Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2013-06-18.

Low-Power Clock Repeaters and Injection Locking Protection for High-Frequency Clock Distributions

Номер патента: US20170163274A1. Автор: Kevin Yi Cheng Chang,Muhammad Z. Islam. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-08.

Design techniques for high-frequency and high-speed signals in a package with thin build-up layers

Номер патента: WO2023208844A1. Автор: Martin Hansson,Peter Svensson,Agneta LJUNGBRO,Raihan RAFIQUE. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for etching a structure for MRAM Applications

Номер патента: US20210143323A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Srinivas D. Nemani,Chando Park,Minrui Yu,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Technologies for high aspect ratio carbon etching with inserted charge dissipation layer

Номер патента: US12040176B2. Автор: Yun Han,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Minjoon PARK,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for inductor trimming of the high frequency integrated passive devices

Номер патента: US20040063039A1. Автор: Chun-Hsien Lee,Chung-Hsien Lin,Shu-Hui Tsai,Shang-Yu Liang. Владелец: Asia Pacific Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Frontside deep trench isolation (fdti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20240266375A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Yen-Chen Lin,Chao-Te Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Enhanced high-frequency via interconnection for improved reliability

Номер патента: US20040100754A1. Автор: GREGORY Martin,Srinivasa Reddy,Janet Jozwiak,Linda Rapp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Electrostatic chuck design for high temperature RF applications

Номер патента: US09984911B2. Автор: Vijay D. Parkhe,Keith A. Miller,John C. Forster,Ryan Hanson,Manjunatha KOPPA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods for high-rate sputtering of a compound semiconductor on large area substrates

Номер патента: AU2011201682A1. Автор: Robert Dwayne Gossman,Russell Weldon Black,Sean Timothy Halloran. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Chip scale qfn plastic packaging system for high frequency integrated circuits

Номер патента: EP4287253A1. Автор: Ahmet Aktuğ,Ahmet Deği̇rmenci̇,Yigit AYDOGAN. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2023-12-06.

Chip scale qfn plastic packaging system for high frequency integrated circuits

Номер патента: US20230395478A1. Автор: Ahmet Aktuğ,Ahmet Deği̇rmenci̇,Yigit AYDOGAN. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2023-12-07.

Structures for testing nanoscale devices including ferroelectric capacitors and methods for forming the same

Номер патента: US11729994B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Self-aligned integrated line and via structure for a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09484296B2. Автор: Ryoichi Honma,Akihide Takahashi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrically Optimized and Structurally Protected Via Structure for High Speed Signals

Номер патента: US20080272862A1. Автор: Gen Yamada,Paul M. Harvey,Kazushige Kawasaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Bonding wire for high-speed signal line

Номер патента: US20140302317A1. Автор: Wei Chen,Jun Chiba,Junichi Okazaki,Yuki Antoku,Kazuhiko YASUHARA,Nanako MAEDA. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-09.

Structure for high-speed signal integrity in semiconductor package with single-metal-layer substrate

Номер патента: WO2013109308A3. Автор: Gregory E. Howard,Matthew D. Romig,Marie-Solange Anne Milleron,Souvik Mukherjee. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-11-07.

Structure for High-Speed Signal Integrity in Semiconductor Package with Single-Metal-Layer Substrate

Номер патента: US20130134579A1. Автор: Gregory E. Howard,Matthew D. Romig,Marie-Solange Anne Milleron,Souvik Mukherjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Structure for high-speed signal integrity in semiconductor package with single-metal-layer substrate

Номер патента: WO2013109308A2. Автор: Gregory E. Howard,Matthew D. Romig,Marie-Solange Anne Milleron,Souvik Mukherjee. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-07-25.

Test board for high-frequency system level test

Номер патента: US20050258846A1. Автор: Young-Man Ahn,Jong-Cheol Seo,Jung-Kuk Lee,Seung-Man Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Thin film resistor (tfr) device structure for high performance radio frequency (rf) filter design

Номер патента: US20230395491A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Power module for high-frequency use and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411334A1. Автор: Chien-Cheng Lee. Владелец: Boardtek Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

High frequency signal isolation in a semiconductor device

Номер патента: EP1497858B1. Автор: Alain Duvallet,Rainer Thoma,Yang Du,Suman Kumar Banerjee. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-09-28.

Plated antenna for high frequency devices

Номер патента: US20070262471A1. Автор: James Montague Cleeves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

High frequency signal isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2003041161A2. Автор: Alain Duvallet,Rainer Thoma,Yang Du,Suman Kumar Banerjee. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2003-05-15.

High frequency signal isolation in a semiconductor device

Номер патента: EP1497858A2. Автор: Alain Duvallet,Rainer Thoma,Yang Du,Suman Kumar Banerjee. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-01-19.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20060187977A1. Автор: Yoshihiro Notani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Metallization barrier structures for bonded integrated circuit interfaces

Номер патента: US20210098387A1. Автор: Ramanan Chebiam,Mauro Kobrinsky,Richard Vreeland,Jeffery Bielefeld,Carl Naylor,Brennen Mueller,William Brezinski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

High frequency equalizer using a demultiplexing technique and related semiconductor device

Номер патента: US6983010B1. Автор: Soo-In Cho,Jung-Bae Lee,Hong-Joon Park,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

High-frequency line structure, subassembly, line card, and method for manufacturing high-frequency line structure

Номер патента: CA3160512C. Автор: Hiromasa Tanobe,Josuke OZAKI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics

Номер патента: MY128406A. Автор: Koji Kamei,Shinya Watanabe,Yoshio Awakura. Владелец: NEC Tokin Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

High-frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US09985584B2. Автор: Kazutaka Takagi,Yukio Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

High-frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US09935581B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

High-frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US09929693B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

High-frequency component and high-frequency module including the same

Номер патента: US09743519B2. Автор: Shinya HITOMI,Hidenori OBIYA,Kiyofumi Takai. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

High-frequency circuit package and sensor module

Номер патента: US09648725B2. Автор: Takuya Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Isolation techniques for high-voltage device structures

Номер патента: US20200013679A1. Автор: Edward J. Nowak,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Packaging for high speed chip to chip communication

Номер патента: US20170162517A1. Автор: Shidong Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

High-frequency circuit board

Номер патента: EP2555236A4. Автор: Yoshiyuki Ishida,Sadao Matushima,Toshihide Fukuchi. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Encapsulated high-frequency electrical circuit

Номер патента: US20030141589A1. Автор: Guanghua Huang,Simon Leung. Владелец: HEI Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Packaging for high speed chip to chip communication

Номер патента: US09953935B2. Автор: Shidong Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

High-frequency package

Номер патента: US09693492B2. Автор: Takuya Suzuki,Tomoyuki Unno,Yusuke Kitsukawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Packaging for high speed chip to chip communication

Номер патента: US09666539B1. Автор: Shidong Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Electronic high frequency device and manufacturing method

Номер патента: US09620854B2. Автор: Ralf Reuter. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Miniature passive structures for ESD protection and input and output matching

Номер патента: US09337157B2. Автор: YANG LU,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma,Jiangmin Gu. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-05-10.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

High frequency reaction processing apparatus and high frequency reaction processing system

Номер патента: US20240212986A1. Автор: Toshiyuki Takamatsu. Владелец: SST Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High-frequency grounding device and vacuum valve having high-frequency grounding device

Номер патента: US20220375732A1. Автор: Arthur Büchel,Adrian WEITNAUER. Владелец: VAT HOLDING AG. Дата публикации: 2022-11-24.

High frequency circuit

Номер патента: US12063021B2. Автор: Takashi Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

High frequency magnetostrictive transducers for waveguide applications

Номер патента: US09960341B1. Автор: Steven Cheney Taylor,Joshua Earl Daw,Joy Lynn Rempe. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2018-05-01.

Line structure for transmission of high-frequency electromagnetic waves

Номер патента: WO1996007923A1. Автор: Dirk Peier,Lars Jendernalik. Владелец: Frankonia Handels- und Vertriebsgesellschaft fur Chemisch- und Elektrotechnische Produkte Mbh. Дата публикации: 1996-03-14.

Direct coupled biasing circuit for high frequency applications

Номер патента: US09793880B2. Автор: Zaw Soe,KhongMeng Tham. Владелец: Tensorcom Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for high frequency synchronization of an electric system and an electronic board used for that purpose

Номер патента: RU2309546C2. Автор: Ульрих ХЕТЦЕР,Петер БРЕШЕ. Владелец: Адц Гмбх. Дата публикации: 2007-10-27.

High-frequency substrate and manufacturing method for high-performance, high-frequency applications

Номер патента: US20200067161A1. Автор: Christian Pinta,Mathias Nagel,Bertrand Thomas. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-02-27.

Quick electrical-connecting structure for high-voltage high-frequency pulse environment

Номер патента: US20240055797A1. Автор: Zhao Yuan,RUI Jiang,Shaohua Li,Pei Cao,Xiangyu Xu. Владелец: Beijing RSlaser Opto Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for controlling high-frequency plasma display

Номер патента: RU2200984C2. Автор: С.В. Голубев,Н.А. Богатов,Ю.Я. Бродский,А.Г. Литвак. Владелец: Литвак Александр Григорьевич. Дата публикации: 2003-03-20.

High frequency dielectric device

Номер патента: EP1051769A1. Автор: Kenichi Horie. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-11-15.

Telecommunication antenna reflector for high-frequency applications in a geostationary space environment

Номер патента: US09673535B2. Автор: Patrick Martineau,Florent LEBRUN. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-06-06.

Mesogenic compounds, liquid crystal compositions containing these compounds and devices for high-frequency equipment

Номер патента: RU2633578C2. Автор: Александр Николаевич ХРИПКОВ,Геннадий Александрович Евтюшкин,Вонбин ХОНГ,Елена Александровна Шепелева,Тимофей Викторович Камышев,Геннадий Михайлович Сосновский,Валерий Иванович Лапаник. Владелец: Слс-Институт Прикладных Физических Проблем Им. А.Н. Севченко (Слс-И). Дата публикации: 2017-10-13.

Noise filter for high frequency generator

Номер патента: EP1408608A3. Автор: Sung-chol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-23.

High frequency triode-type field emission device and process for manufacturing the same

Номер патента: EP2223325A1. Автор: Francesca Brunetti,Aldo Di Carlo,Eleonora Petrolati,Claudio Paoloni,Riccardo Riccitelli. Владелец: Selex Sistemi Integrati SpA. Дата публикации: 2010-09-01.

Magnetically variable inductor for high power audio and radio frequency applications

Номер патента: US5450052A. Автор: Ira B. Goldberg,Charles S. Hollingsworth,Jane H. Hanamoto,Ted M. McKinney. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Direct coupled biasing circuit for high frequency applications

Номер патента: US10476486B2. Автор: Zaw Soe,KhongMeng Tham. Владелец: Nantworks LLC. Дата публикации: 2019-11-12.

Apparatus for high-frequency near-field communication and for inductively recharging a portable electronic device

Номер патента: US20230006476A1. Автор: Youri Vassilieff,Amaia Fortes Montilla. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2023-01-05.

Attenuation reduction structure for high frequency signal connection pads of circuit board with insertion component

Номер патента: US09577304B2. Автор: Chih-Heng Chuo,Gwun-Jin Lin,Kuo-Fu Su. Владелец: Advanced Flexible Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Dielectric ceramic composition for high-frequency applications

Номер патента: US5504044A. Автор: Yoshihiro Okawa,Nobuyoshi Fujikawa,Seiichiro Hirahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1996-04-02.

Fluororesin material, fluororesin material for high frequency transmission, and covered electric wire for high-frequency transmission

Номер патента: US11926753B2. Автор: Masahiro Kondo,Hitoshi Imamura. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Impedance matching transformer for high-frequency transmission line

Номер патента: US20170149407A1. Автор: Po-Wei Hsu,Kuo-Chen Tseng. Владелец: Prosperity Dielectrics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Power supply line for high-frequency current, manufacturing method for same, and power supply line holding structure

Номер патента: US09666926B2. Автор: Masato Toki,Yukihiro Matsunobu,Hiroshi Maeda,Shinji Hara,Yasushi Futabatake,Kouichi Teraura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Radio frequency signal boosters for providing indoor coverage of high frequency cellular networks

Номер патента: US11764860B2. Автор: SCOTT Terry,Hongtao Zhan. Владелец: Cellphone Mate Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Permalloy loaded transmission lines for high-speed interconnect applications

Номер патента: US20050212627A1. Автор: Pingshan Wang,Edwin Kan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Signal connector for high-speed transmission

Номер патента: US09431781B2. Автор: jia-mao Zheng,Hong-Guang Kuang. Владелец: Bizconn International Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Loop applicator for high frequency electrodeless lamps

Номер патента: CA2076815C. Автор: Walter P. Lapatovich,Scott J. Butler,Jason R. Bochinski. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Reflecting material for antennas usable for high frequencies

Номер патента: US6154185A. Автор: Akihito Watanabe. Владелец: Sakase Adtech Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Waffle Iron Filter Arrangement For High-Frequency Signals

Номер патента: US20230395961A1. Автор: Christian Arnold,Michael Höft,Chad Bartlett. Владелец: Tesat Spacecom GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

High-frequency circuit having crossed lines

Номер патента: US09519048B2. Автор: Oliver Brueggemann,Juan Pontes,Matthias Steinhauer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-12-13.

Linear magnetic antenna for high-frequency range

Номер патента: RU2693556C1. Автор: Арий Борисович Ляско. Владелец: Арий Борисович Ляско. Дата публикации: 2019-07-03.

Inductor for high frequency applications

Номер патента: US8665048B2. Автор: Timothy Richard Crocker,Jonathan Narramore. Владелец: 3DI Power Ltd. Дата публикации: 2014-03-04.

Telecommunication Antenna Reflector For High-Frequency Applications in a Geostationary Space Environment

Номер патента: US20140015735A1. Автор: Patrick Martineau,Florent LEBRUN. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2014-01-16.

Female connector for high-speed transmission with grounding

Номер патента: US09444199B2. Автор: Qiang Leng,jia-mao Zheng,Hong-Guang Kuang. Владелец: Bizconn International Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated high-frequency generator system utilizing the magnetic field of the target application

Номер патента: EP2663882A1. Автор: Thorsten Maly,Jagadishwar R. Sirigiri. Владелец: Bridge 12 Technologies Inc. Дата публикации: 2013-11-20.

High frequency power source allowing arbitrary setting of temporal change pattern for high frequency output power

Номер патента: US20220293393A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Toshihiro Takahara,Takamichi KISHIRA. Владелец: Adtec Plasma Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

High frequency power source allowing arbitrary setting of temporal change pattern for high frequency output power

Номер патента: US11875968B2. Автор: KATSUNORI Tanaka,Toshihiro Takahara,Takamichi KISHIRA. Владелец: Adtec Plasma Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Communication circuit with single element antenna for multi-frequency applications

Номер патента: US20190165819A1. Автор: Ryan C. KINCAID,Robert Prostko,Brian A. TELLJOHANN. Владелец: Schlage Lock Co LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Communication circuit with single element antenna for multi-frequency applications

Номер патента: WO2019108624A1. Автор: Ryan C. KINCAID,Robert Prostko,Brian A. TELLJOHANN,Bryan G. Baumgart. Владелец: SCHLAGE LOCK COMPANY LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Communication circuit with single element antenna for multi-frequency applications

Номер патента: US20190341944A1. Автор: Ryan C. KINCAID,Robert Prostko,Brian A. TELLJOHANN. Владелец: Schlage Lock Co LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

High frequency low loss magnetic core and method of manufacture

Номер патента: US20240079168A1. Автор: Haixong Tang,Andrew J. Sherman. Владелец: Powdermet Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

High frequency low loss magnetic core and method of manufacture

Номер патента: US20230317335A1. Автор: Haixong Tang,Andrew J. Sherman. Владелец: Powdermet Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of obtaining polymer composition for high-frequency energy absorbing

Номер патента: RU2633903C1. Автор: Иван Иванович Зайченко,Любовь Федоровна Чувилина,Галина Владимировна Брызгалина,Александр Сергеевич Сомкин,Анатолий Исакович Синани,Николай Борисович Медуницин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2017-10-19.

System and method for monitoring high-frequency circuits

Номер патента: US6859029B2. Автор: Kazunori Yamanaka,Isao Nakazawa,Masafumi Shigaki,Manabu Kai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Dielectric material having a low dielectric loss factor for high-frequency use

Номер патента: US5885916A. Автор: Koichi Tanaka,Hiroshi Maruyama,Kenichi Tajima,Hideki Uchimura,Shoji Kohsaka. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

System for amplitude modulation employing impedance inversion for high-frequency electric signalling

Номер патента: GB485959A. Автор: . Владелец: Philco Radio and Television Corp. Дата публикации: 1938-05-27.

Grounding unit for high-frequency connector and high-frequency connector module having the same

Номер патента: US20120295455A1. Автор: Yong Goo Lee,Kyoung Il Kang,Dong-Il Lim,Jang Mook Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

High frequency triode-type field emission device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20110031867A1. Автор: Francesca Brunetti,Aldo Di Carlo,Eleonora Petrolati,Claudio Paoloni,Riccardo Riccitelli. Владелец: Selex Sistemi Integrati SpA. Дата публикации: 2011-02-10.

Plug connection for high-frequency-based field devices

Номер патента: US20240195102A1. Автор: Thilo Ihringer,Frank Voigt,Markus Beissert. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Temperature compensation structure for radio frequency devices and temperature compensated radio frequency device

Номер патента: WO2023184019A1. Автор: Xun Liu. Владелец: Acentury Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Temperature self-compensating filter for high frequency transceivers

Номер патента: EP1133823A2. Автор: Mario Costa,Roberto Ravanelli. Владелец: Siemens Information and Communication Networks SpA. Дата публикации: 2001-09-19.

Improvements relating to artificial loads for high-frequency alternating currents

Номер патента: GB665634A. Автор: William Spencer Percival,Eric Mcphail Leyton. Владелец: Electrical and Musical Industries Ltd. Дата публикации: 1952-01-30.

Printed wiring board for high frequency transmission

Номер патента: US20200015351A1. Автор: Fumihiko Matsuda,Shoji Takano,Yoshihiko Narisawa. Владелец: Nippon Mektron KK. Дата публикации: 2020-01-09.

Device for high frequency current damping

Номер патента: US09667043B2. Автор: Lars-Erik Juhlin. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Liquid-crystalline medium and high-frequency components comprising same

Номер патента: US09593279B2. Автор: Volker REIFFENRATH,Michael Wittek,Atsutaka Manabe,Dagmar Klass,Christian Jasper,Constanze Brocke,Detlef Pauluth. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-03-14.

Devices for high-frequency technology, liquid-crystalline media and compounds

Номер патента: US09540566B2. Автор: Volker REIFFENRATH,Atsutaka Manabe,Christian Jasper,Detlef Pauluth,Elvira Montenegro. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-01-10.

Dummy load for high power and high bandwidth

Номер патента: US20190181527A1. Автор: Bernhard Kaehs. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-06-13.

High Frequency Medium Voltage Drive System For High Speed Machine Applications

Номер патента: US20200177092A1. Автор: Paulo Guedes-Pinto,Ryan Edwards,Alex Skorcz,Enrique Ledezma,Bhaskara Palle,Randall Pipho. Владелец: Teco Westinghouse Motor Co. Дата публикации: 2020-06-04.

Antenna pair, antenna element, and antenna structure for generation of millimeter-wave frequency radiation

Номер патента: WO2024132134A1. Автор: Resti Montoya Moreno,Janne ILVONEN,Tuomo Katajamäki. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Improvements in or relating to switching devices for use in high frequency circuits

Номер патента: GB284293A. Автор: . Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1928-07-19.

Circulating fluid cooled delay line for high frequency tubes, and high frequency tubes having such a delay line

Номер патента: US4243914A. Автор: Bernard Delory,Georges Fleury,Jean-Claude Kuntzmann. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1981-01-06.

Magnetic Thin Film For High Frequency, and Method of Manufacturing Same, and Magnetic Device

Номер патента: US20070202359A1. Автор: Taku Murase,Kyung-Ku Choi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Electronic device with coaxial connectors for high-frequency circuit board

Номер патента: US6373710B1. Автор: Akinobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-16.

Limiter for broadband high-frequency signals

Номер патента: US20140125545A1. Автор: Josef Forster,Roland Ahlers. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-05-08.

Electrical connector for high-definition (HD) digital images

Номер патента: US7922524B2. Автор: Chia-Nan Ho,Chu-Hsueh Lee,Chung-Pin Huang. Владелец: Wieson Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-12.

Device for high-frequency gas plasma excitation

Номер патента: WO2012099548A1. Автор: Alenka Vesel,Miran Mozetic,Rok ZAPLOTNIK. Владелец: Institut ''jožef Stefan''. Дата публикации: 2012-07-26.

System and apparatus for high data rate wireless communications

Номер патента: WO2006053215A9. Автор: Kenneth Wood,Dev V Gupta,Abbie Mathew. Владелец: Abbie Mathew. Дата публикации: 2006-07-06.

Laser grid structures for wireless high speed data transfers

Номер патента: US12119878B2. Автор: William K. Szaroletta,John Richard JOSEPH,Feng HOU. Владелец: Optipulse Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

High frequency signal feed through

Номер патента: US09853338B2. Автор: Roland Baur. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2017-12-26.

Wireless board-to-board connection for high speed data transfer

Номер патента: RU2744994C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Антон Сергеевич Лукьянов. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2021-03-18.

Coaxial split-bead glass-to-metal seal for high frequency transmission line

Номер патента: US6816039B1. Автор: Donald J. Taylor,Matthew R. Richter,Zahn Zhang,Glenn S. Takahashi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-11-09.

Improvements in and relating to ultra high frequency attenuator

Номер патента: GB666760A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1952-02-20.

Substrate for high-frequency device

Номер патента: EP4353475A1. Автор: Toshifumi KAKIUCHI,Ryota Okuda. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Self-assembled helical slow-wave structures for high-frequency signals

Номер патента: US20210099142A1. Автор: Max G. Lagally,Abhishek Bhat,Daniel Warren van der Weide,Matthew McLean Dwyer,Francesca Cavallo. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 2021-04-01.

Self-assembled helical slow-wave structures for high-frequency signals

Номер патента: US20220044904A1. Автор: Max G. Lagally,Abhishek Bhat,Daniel Warren van der Weide,Matthew McLean Dwyer,Francesca Cavallo. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 2022-02-10.

Ferromagnetic Metal-Ferrite Composites for High Frequency Inductor Applications

Номер патента: US20230207169A1. Автор: Vincent Harris,Parisa Andalib. Владелец: NORTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-29.

Nodes for high frequency fixed wireless access network

Номер патента: WO2021242981A2. Автор: Andrew BAISCH,Joseph Thaddeus Lipowski,Nicholas Kalita,Ryan LAGOY,Connor James ARNOLD. Владелец: Starry, Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Substrate for high-frequency device

Номер патента: AU2022287802A1. Автор: Toshifumi KAKIUCHI,Ryota Okuda. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Substrate for high frequency device

Номер патента: US20240088549A1. Автор: Toshifumi KAKIUCHI,Ryota Okuda. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Nodes for high frequency fixed wireless access network

Номер патента: WO2021242981A3. Автор: Andrew BAISCH,Joseph Thaddeus Lipowski,Nicholas Kalita,Ryan LAGOY,Connor James ARNOLD. Владелец: Starry, Inc.. Дата публикации: 2022-01-06.

Magnetic material for high frequency use, and method for producing same

Номер патента: US20240186037A1. Автор: Tatsuya Kon,Nobuyoshi Imaoka,Kimihiro Ozaki. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-06-06.

Nodes for high frequency fixed wireless access network

Номер патента: US20240007869A1. Автор: Andrew BAISCH,Joseph Thaddeus Lipowski,Nicholas Kalita,Ryan LAGOY,Connor James ARNOLD,Lisa Hachmann. Владелец: Starry Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Junction circulator for high power, high-frequency use

Номер патента: CA1277726C. Автор: Gunter Morz,Wolfgang Weiser. Владелец: ANT Nachrichtentechnik GmbH. Дата публикации: 1990-12-11.

Method for high-frequency tuning an electrical device, and a printed circuit board suitable therefor

Номер патента: NZ542327A. Автор: Ulrich Hetzer,Peter Bresche. Владелец: ADC GmbH. Дата публикации: 2007-12-21.

Copper oxide doped ni-co-zn ferrite for very high frequency and ultra high frequency applications and process methodology

Номер патента: US20240018051A1. Автор: Jing Wang,Poonam LATHIYA. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2024-01-18.

Inductor for high frequency and high power applications

Номер патента: EP3497706A1. Автор: Timo Frederik Sattel,Oliver Woywode,Jens RADVAN,Christian Willy VOLLERTSEN. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-06-19.

Conductive structure for high gain antenna and antenna

Номер патента: WO2010035934A2. Автор: Dongho Kim,Wangjoo Lee,Jae-Ick Choi,Jeongho JU. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-04-01.

Laser Grid Structures for Wireless High Speed Data Transfers

Номер патента: US20230327771A1. Автор: William K. Szaroletta,John Richard JOSEPH,Feng HOU. Владелец: Optipulse Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Laser grid structures for wireless high speed data transfers

Номер патента: AU2018316346B2. Автор: John Richard JOSEPH,Feng HOU,William K SZAROLETTA. Владелец: Optipulse Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Improvements in electric conductors for carrying high frequency currents

Номер патента: GB583582A. Автор: . Владелец: HANS REINHOLD FERDINAND CARSTE. Дата публикации: 1946-12-20.

Antenna array for high frequency device

Номер патента: US11967774B2. Автор: Masato KOHTANI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of high-frequency signal amplitude and phase modulation and device for implementation thereof

Номер патента: RU2665903C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Николаевич Дружинин,Наталия Александровна Дружинина. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-09-04.

Generator of high frequency pulses on the basis of discharge with full cathode

Номер патента: RU2657240C1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Александр Евгеньевич Дубинов,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-06-09.

Gas-discharge generator of high-frequency pulses

Номер патента: RU2751542C1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой,Евгений Александрович Садчиков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-07-14.

Planar high-frequency antenna

Номер патента: WO2002091517A8. Автор: Arie Shor,Jovan E Labaric. Владелец: Atheros Comm Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Rapid 3d prototyping and fabricating of slow-wave structures, including electromagnetic meta-material structures, for millimeter-wavelength and terahertz-frequency high-power vacuum electronic devices

Номер патента: EP3183081A1. Автор: Andrey D. Andreev,J. Gregory Moxness,Maysa-Maria K. Peterson Lach. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-28.

Device for measuring volumes of a liquid in a container by measuring an emitted high-frequency radiation

Номер патента: US20230024911A1. Автор: Robert Lindemann,David HANNES,Felix Wege. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2023-01-26.

High-frequency triggered tire pressure detection system and wake-up method

Номер патента: US20240198739A1. Автор: Shih-Yao Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Current lead for high-temperature superconducting (hts) cable and design method thereof

Номер патента: AU2021355610B2. Автор: Jian Zheng,Zhiyong Zhang,Jianping Yang,Honglei LI,Qiqi ZHANG,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Rapid 3d prototyping and fabricating of slow-wave structures, including electromagnetic meta-material structures, for millimeter-wavelength and terahertz-frequency high-power vacuum electronic devices

Номер патента: WO2016028344A1. Автор: Andrey D. Andreev,J. Gregory Moxness,Maysa-Maria K. Peterson Lach. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-02-25.

Voltage sensor for high and medium voltage use and a method of making the same

Номер патента: US12078655B2. Автор: Radek Javora. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Flux shaping inductor structures for reduced high-frequency losses

Номер патента: WO2024167847A1. Автор: Kartik Iyer,Jizheng Qiu. Владелец: Tesla, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for transmitting an analog high-frequency signal over a fiber-optic communication line

Номер патента: RU2760745C1. Автор: Владимир Владимирович Задорожный,Александр Юрьевич Ларин,Алексей Сергеевич Трекин,Алексей Сергеевич Абакумов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС"). Дата публикации: 2021-11-30.

High-frequency generator for ionic and electronic sources

Номер патента: RU2461908C2. Автор: Вернер КАДРНОШКА,Райнер КИЛЛИНГЕР,Йоханн МЮЛЛЕР,Антон ЛЕБЕДА,Штефан ВАЙС. Владелец: Астриум Гмбх. Дата публикации: 2012-09-20.

Rotary sparking devices for converting triphase supply currents into high frequency energy for induction furnaces

Номер патента: GB252138A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1927-01-06.

Systems and methods for high frequency parallel transmissions

Номер патента: CA2616349C. Автор: Robert Hardacker. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Dielectric ceramic composition for high frequencies

Номер патента: US4665041A. Автор: Yukio Higuchi,Masayoshi Katsube. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1987-05-12.

Improvements relating to high frequency inductance coils

Номер патента: GB477678A. Автор: . Владелец: Steatit Magnesia AG. Дата публикации: 1938-01-04.

Coaxial type connector-switch component for high frequencies

Номер патента: US5562464A. Автор: Eugene Lecourtois. Владелец: NICOMATIC. Дата публикации: 1996-10-08.

Voltage non-uniformity compensation method for high frequency plasma reactor for the treatment of rectangular large area substrates

Номер патента: WO2005024891A3. Автор: Jacques Schmitt,Michael Irzyk,Mustapha Elyaakoubi,Laurent Sansonnens. Владелец: Laurent Sansonnens. Дата публикации: 2005-06-09.

Adapter for high frequency signal transmission

Номер патента: US20060258225A1. Автор: Chin-Teng Hsu. Владелец: Lih Yeu Sheng Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Device for high frequency current damping

Номер патента: WO2015135564A1. Автор: Lars-Erik Juhlin. Владелец: ABB TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Conductor track arrangement for high-frequency signals, base and electronic component having a conductor track arrangement

Номер патента: US20230097003A1. Автор: Artit Aowudomsuk,Ong Wai Li,Amy Soon,Karsten Droegemüller,Yin Cheng Wong. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Device for high frequency current damping

Номер патента: US20170077686A1. Автор: Lars-Erik Juhlin. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-16.

Low-loss dielectric for high frequency cryogenic applications

Номер патента: WO2021150101A1. Автор: Akira Endo,Sten VOLLEBREGT,Jochem Jan Anton BASELMANS,Bruno BUIJTENDORP. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2021-07-29.

High-frequency power supply device and output control method therefor

Номер патента: US12040158B2. Автор: Hiroyuki Kojima,Takeshi Fujiwara,Satoshi Kawai. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

High frequency switch

Номер патента: US20140124908A1. Автор: Takuo Morimoto,Masahiko Kohama,Fuminori Sameshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

High-frequency power supply device

Номер патента: US20240222074A1. Автор: Yuichi Hasegawa,Yuya Ueno. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

High frequency oscillator and wireless power supply device

Номер патента: US10680462B2. Автор: Shinji Abe,Naoki Sakai,Takashi Ohira,Masayoshi Sugino,Satoshi Kitabayashi. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2020-06-09.

High-frequency power supply system

Номер патента: US11756768B2. Автор: Yuichi Hasegawa,Yuya Ueno. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

High-frequency filter device, filter device combined to a transmit-receive antenna, and wireless apparatus using the same

Номер патента: US20030184402A1. Автор: Toru Yamada,Toshio Ishizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Noise filter of high frequency generator

Номер патента: US20040070345A1. Автор: Sung-chol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

High-frequency circuit module

Номер патента: US20230135728A1. Автор: Mikoto Nakamura,Yusuke Yahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Absorber Structure for High-Voltage Stores, Energy Storage Arrangement, Energy Store Housing, and Process for Manufacturing an Absorber Structure

Номер патента: US20240274948A1. Автор: Sandro Cifaldi,Jan Paulus. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Current lead for high-temperature superconducting (hts) cable and design method thereof

Номер патента: AU2021355610A1. Автор: Jian Zheng,Zhiyong Zhang,Jianping Yang,Honglei LI,Qiqi ZHANG,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

High frequency inverter / distributed gap inductor – capacitor filter apparatus and method of use thereof

Номер патента: US20200343034A1. Автор: Grant A. MacLennan,Hans Wennerstrom,Edward Handy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

Printed circuit board having high-speed or high-frequency signal connector

Номер патента: US09806474B2. Автор: Yong-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

High-frequency radiation generator based on discharge with hollow cathode

Номер патента: RU2605202C1. Автор: Виктор Дмитриевич Селемир,Дмитрий Викторович Вялых,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2016-12-20.

High-frequency pulse gas-discharge generator

Номер патента: RU2717091C1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-03-18.

Broadband antenna of very high frequency band

Номер патента: RU2646534C1. Автор: Юрий Кахрамонович Худайназаров,Владимир Петрович Чернолес,Алексей Романович Авдеев,Александр Александрович Чернолес,Владислав Юрьевич Поздняк. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия связи имени Маршала Советского Союза С.М. Буденного" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-05.

Thin-film multilayer electrode coupled by high-frequency electromagnetic field, high-frequency transmission line, high-frequency resonator, high-frequency filter, high- frequency band-pass rejection filter and high-frequency device

Номер патента: RU2139613C1. Автор: Исикава Еухеи,Хидака Сеидзи. Владелец: Мурата Мануфакчуринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 1999-10-10.

High-frequency hailer reactor

Номер патента: RU2721375C1. Автор: Борис Александрович Волков,Илья Михайлович Бузунов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Уральский завод новых технологий". Дата публикации: 2020-05-19.

Co2 z-type ferrite composite material for use in ultra-high frequency antennas

Номер патента: EP3180294A2. Автор: Yajie Chen,Vincent Harris. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2017-06-21.

Heat insulation structure for high-temperature reaction room

Номер патента: US20230253582A1. Автор: Yoshiki Kato,Koji Miyamoto,Kenta Araki,Shigenori SUEMORI,Keijo Hara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

High frequency adapter

Номер патента: US20130130558A1. Автор: Ted Ju,Tien Chih Yu. Владелец: Lotes Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

High frequency power source, plasma processing apparatus, inspection method for plasma processing apparatus, and plasma processing method

Номер патента: US20020113738A1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

High frequency phase shifter unit

Номер патента: US20160276745A1. Автор: Dan Fleancu,Joerg Langenberg,Michael THUNN. Владелец: Kathrein Werke KG. Дата публикации: 2016-09-22.

High-frequency magnetic ceramic and high-frequency circuit component

Номер патента: US20030197571A1. Автор: Hiroaki Kikuta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Method for manufacturing magnetic powder, magnetic field-amplifying magnetic material, and ultra high frequency-absorbing magnetic material

Номер патента: EP4438201A1. Автор: Shuichi Tada,Masahiro Abe,Satoshi Abe,Satoshi Yamanaka,Jun Akamatsu,Kenta Iwai,Nobuyoshi Imaoka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

High frequency signal termination device

Номер патента: US09825605B2. Автор: Seunghwan Yoon. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

High-frequency neutron source such as neutralizer

Номер патента: RU2270491C2. Автор: Ханс-Петер ХАРМАНН,Карл-Хайнц ШАРТНЕР,Хорст ЛОЕБ,Ханс Юрген ЛЯЙТЕР,Карл-Хайнц ШАРТНЕР (DE),Хорст ЛОЕБ (DE),Ханс Юрген ЛЯЙТЕР (DE),Ханс-Петер ХАРМАНН (DE). Владелец: ЕАДС СПЕЙС Транспортейшн,ГмбХ,. Дата публикации: 2006-02-20.

Ellipsoidal resonator markers with high frequency stability and gain

Номер патента: RU2704624C1. Автор: Куртис Л. ШОЕМАКЕР,Зияд Х. ДОАНЫ,Динг ВАН. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2019-10-30.

High-frequency vector phase shifter

Номер патента: RU2647217C1. Автор: Александр Станиславович Коротков,Евгений Владимирович Балашов,Иван Александрович Румянцев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2018-03-14.

Improved interrupter for high-current or high-voltage applications at direct current, for example, for industrial and / or railway applications

Номер патента: RU2721374C1. Автор: Клаудио МОНДЕЛЛИНИ,Марко КОРНА,Лоренцо СТЕНДАРДИ. Владелец: Микроэлеттрика Шентифика С.П.А.. Дата публикации: 2020-05-19.

High-frequency rotation connection with quarter-wave circuit between stator and rotor

Номер патента: RU2396643C2. Автор: Франц ФИШЕР,Кристиан ШТАДЛЕР. Владелец: Шпиннер Гмбх. Дата публикации: 2010-08-10.

PORTABLE GAS-DISCHARGE HIGH-FREQUENCY PULSE GENERATOR

Номер патента: RU209937U1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой,Евгений Александрович Садчиков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2022-03-24.

A high frequency transformer with high current coils formed from sheet metal

Номер патента: GB2373640A. Автор: Kenji Morimoto,Hideo Ishii,Tetsuro Ikeda,Masao Katooka,Toshikazu Fujiyoshi. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-25.

A high frequency transformer with high current coils formed from sheet material

Номер патента: GB2407919A. Автор: Kenji Morimoto,Hideo Ishii,Tetsuro Ikeda,Masao Katooka,Toshikazu Fujiyoshi. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-11.

Bus for high definition multimedia interface

Номер патента: US20080115966A1. Автор: Din-Kow Sun,Chung-Ho Hsieh. Владелец: Lishen Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

System and apparatus for high data rate wireless communications

Номер патента: WO2006053215A2. Автор: Kenneth Wood,Dev V. Gupta,Abbie Mathew. Владелец: NEWLANS, INC.. Дата публикации: 2006-05-18.

Liquid cooled high-frequency filter

Номер патента: US20070022153A1. Автор: Ivan Milak. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-01-25.

High-Frequency Module

Номер патента: US20220029259A1. Автор: Hiroshi Hamada,Hideyuki Nosaka. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

High-frequency radiation unit and multi-frequency base station antenna

Номер патента: EP4407804A1. Автор: Zhixiang Li,Zhanjun LAI,Mingchao Li,Zhilun ZHENG,Jiaju LIANG,Weishao LI. Владелец: Comba RF Technology Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

High-frequency input coupler and waveguide

Номер патента: US20230420821A1. Автор: Hideharu Takahashi. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Modular high-frequency source

Номер патента: US20240282554A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Kallol Bera,Christian Amormino. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

High frequency antenna device

Номер патента: US10978814B2. Автор: Jui-Hung Chou. Владелец: Auden Techno Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Switch for switching between different high frequency signals

Номер патента: US20180144896A1. Автор: Thomas Will,Markus Leipold,Michael Sterns,Sebastian Sedlmeier,Markus FREUDENREICH,Matthias FREUDENREICH. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-24.

High-frequency power supply circuit

Номер патента: US20090201004A1. Автор: Tadashi Honda. Владелец: Advanced Design Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

High-frequency module including a laminated filter having alternating conductive and dielectric layers and a through hole extending through the filter for coupling to a transmission line

Номер патента: US12100880B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High-frequency magnetic ceramic and high-frequency circuit component

Номер патента: EP1269488A1. Автор: Hiroaki Intellectual Property Group KIKUTA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

High-frequency module and communication device

Номер патента: US09912370B2. Автор: Takanori Uejima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Screening solid state ionic conductors for high ionic conductivity

Номер патента: US09904772B2. Автор: William Richards,Gerbrand Ceder,Shyue Ping Ong,Yifei Mo,Lincoln J Miara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Electrode structure for reflector type high frequency narrow-band multiplex mode filter

Номер патента: JPS62142409A. Автор: Takao Morita,Masaki Tanaka,和男 小野,孝夫 森田,Kazuo Ono,Takefumi Kurosaki,Yuzo Nakazawa,田中　昌喜,黒崎　武文,中沢　祐三. Владелец: Toyo Communication Equipment Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-25.

High-frequency processing method of structurally complex articles from polymer materials

Номер патента: RU2717804C1. Автор: Александр Сергеевич Попов,Сергей Константинович Каргапольцев,Денис Витальевич Буторин,Николай Григорьевич Филиппенко,Александр Валерьевич Лившиц,Денис Викторович Баканин,Владимир Сергеевич Бычковский,Алексей Сергеевич Курайтис. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Иркутский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВО ИрГУПС). Дата публикации: 2020-03-25.

Dc current detection method and apparatus for high-frequency power source apparatus

Номер патента: MY143887A. Автор: Toshiyuki Kano,Iwao Kurata. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-15.

Transformer coupled gate drive circuit for power MOSFETS

Номер патента: US5019719A. Автор: Ray King. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1991-05-28.

Method and apparatus for high power pulse modulation

Номер патента: US5204551A. Автор: John E. Bjornholt. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-04-20.

Intrinsic element sensing integrated SOA protection for power MOSFET switches

Номер патента: US5737169A. Автор: Jeff C. Sellers. Владелец: ENI Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Signal synchronization method and apparatus for high frequency communication

Номер патента: US20170251444A1. Автор: Yi Wang,Lei Huang,Zhenyu Shi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

High-frequency power supply device and output control method for high-frequency power

Номер патента: EP4451541A1. Автор: Satoshi Kawai,Takuya Yoshida,Hiroshi Kunitama. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method and apparatus for high data rate high frequency data link (HDR-HFDL)

Номер патента: US09596685B1. Автор: Walter H. Hewett,Scott F. Bauler,Fred J. Studenberg, Jr.,Kenneth K. Hamby,David V. Kazanovicz,Bikram S. Aulakh. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Induction plant for surface hardening of gear-wheel members, method for high-frequency check of gear-wheel member temperature, induction hardening plant, method for high- frequency control of power supply to induction hardening plant

Номер патента: RU2113773C1. Автор: М.Сторм Джон,Л.Гиббс Спенсер. Владелец: Контоур Хаднинг, Инк.. Дата публикации: 1998-06-20.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: EP2013956A4. Автор: Boris S Jacobson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-10-13.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: WO2007127378A3. Автор: Boris S Jacobson. Владелец: Boris S Jacobson. Дата публикации: 2007-12-21.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: EP2013956A2. Автор: Boris S. Jacobson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2009-01-14.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: WO2007127378A2. Автор: Boris S. Jacobson. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2007-11-08.

High frequency acoustic spectrum imaging method and device

Номер патента: US20160018519A1. Автор: Bastiaan Brand. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-01-21.

Supply apparatus for high pressure lamps

Номер патента: EP1579739A1. Автор: Winston D. Couwenberg,Ronald H. Van Der Voort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-28.

Speaker system for high fidelity reproduction of audio signals

Номер патента: US09820032B1. Автор: WEI Liu,Rong Zhang,Charles Cyrus Vinai. Владелец: Unisinger Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Rectifying circuit for high-frequency power supply

Номер патента: US20160248339A1. Автор: Yuki Ito,Toshihiro Ezoe,Yoshiyuki Akuzawa,Kiyohide Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil

Номер патента: US20070042212A1. Автор: Yuuji Suzuki,Akira Matsuda,Takami Moteki,Kazuhiro Hoshino,Kensaku Shinozaki. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Delay line system, high frequency sampler, analog-to-digital converter and oscilloscope

Номер патента: US09800228B2. Автор: Ols Hidri. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-10-24.

Rectifying circuit for high-frequency power supply

Номер патента: US09742307B2. Автор: Yuki Ito,Toshihiro Ezoe,Yoshiyuki Akuzawa,Kiyohide Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: US09721577B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-08-01.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: US09716486B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-07-25.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: US09715881B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-07-25.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction

Номер патента: US09667229B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-05-30.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction

Номер патента: US09653090B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-05-16.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction

Номер патента: US09583118B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-02-28.

Power MOSFET

Номер патента: US5801572A. Автор: Hidetake Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Backward compatible integration methods for high-frequency recovery of audio signals

Номер патента: RU2757322C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Пер ЭКСТРАНД,Кристофер ЧЕРЛИНГ. Владелец: Долби Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2021-10-13.

Wireless Power Transmitter For High Fidelity Communications And High Power Transfer

Номер патента: US20240204580A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for improved frequency estimation for high-speed communication

Номер патента: EP2122955A2. Автор: Dagnachew Birru. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-11-25.

Glass substrate for high-frequency device and circuit board for high-frequency device

Номер патента: US12037283B2. Автор: Nobuhiko Takeshita,Kazutaka Ono,Shuhei Nomura,Nobutaka KIDERA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Power supply device for high frequency power amplification circuit and high frequency power amplification device

Номер патента: US20150002232A1. Автор: Hitoshi Tsuji. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Power dissipation limiter for high frequency switch

Номер патента: WO1998026486A1. Автор: Neils A. Kruse. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1998-06-18.

Wireless Power Transmitter For High Fidelity Communications With Amplitude Shift Keying

Номер патента: US20240259049A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Self-amplified resonators with embedded piezoresistive elements for high performance, ultra-low swap microwave and millimeter-wave applications

Номер патента: WO2023039307A3. Автор: Roozbeh Tabrizian,George T. Wang,Kevin S. JONES. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

High-frequency feed line and electronic component with high-frequency feed line

Номер патента: US20230179254A1. Автор: Andreas Krause,Karsten Droegemüller. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-06-08.

Peak current limit management for high frequency buck converter

Номер патента: WO2023129427A1. Автор: Juha Olavi Hauru,Janne Matias Pahkala,Jussi Matti Aleksi Särkkä. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-06.

Self-amplified resonators with embedded piezoresistive elements for high performance, ultra-low sw ap microwave and millimeter-wave applications

Номер патента: US20240162859A1. Автор: Roozbeh Tabrizian,George T. Wang,Kevin S. JONES. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Glass substrate for high-frequency device and circuit board for high-frequency device

Номер патента: US20240317631A1. Автор: Nobuhiko Takeshita,Kazutaka Ono,Shuhei Nomura,Nobutaka KIDERA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US12100973B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Metal-resin composite, surface treatment method, and substrate of circuit board for high-frequency and high-speed signal transmission

Номер патента: US20240342968A1. Автор: Wei Chen,Xiaoliang Wang,Qi Xue,Dongshan Zhou,Linling Li,Huijie ZHUANG,Jianglong HAN. Владелец: Jiangsu Hhck Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Circuit board for high frequency transmission and shielding method

Номер патента: US12127331B2. Автор: Zhi Su. Владелец: Guangzhou Fangbang Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Low power automatic calibration method for high frequency oscillators

Номер патента: US09939839B2. Автор: Stephen James Sheafor. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: US09918164B2. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-03-13.

Circuit and method for driving synchronous rectifiers for high-frequency flyback converters

Номер патента: US09812978B2. Автор: QIANG LI,Fred C. Lee,Xiucheng Huang. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: US09762210B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-09-12.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: US09760535B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-09-12.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: US09743183B1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-08-22.

Thyristor key driver for high-voltage converters

Номер патента: RU2748589C1. Автор: Дмитрий Иванович Панфилов,Михаил Георгиевич Асташев,Павел Ахматович Рашитов,Александр Владимирович Горчаков. Владелец: Акционерное общество высоковольтного оборудования "Электроаппарат" (АО ВО "Электроаппарат"). Дата публикации: 2021-05-27.

Apparatus for high frequency mixing

Номер патента: US3747096A. Автор: F Olesen,K Benz. Владелец: Zellweger Uster AG. Дата публикации: 1973-07-17.

Squelch circuitry for high speed high frequency operation

Номер патента: US20040120389A1. Автор: Ching-Lin Wu,Hung-Chih Liu,Hsien-Feng Liu. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-06-24.

Apparatus and method for encoding and decoding signal for high frequency bandwidth extension

Номер патента: US09837090B2. Автор: Eun Mi Oh,Ho Sang Sung,Ki Hyun Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for high-accuracy signal frequency estimation in broadband communication systems

Номер патента: RU2691972C1. Автор: Александр Сергеевич Ситников,Максим Анатольевич Тютюнников,Юрий Александрович Соловьев,Владимир Борисович Манелис,Александр Иванович Сергиенко. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2019-06-19.

Method for preparing superconductive Nb3 Sn layers on niobium surfaces for high-frequency applications

Номер патента: US4081573A. Автор: Hans Martens,Bernhard Hillenbrand. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-03-28.

Film bulk acoustic resonator (fbar) devices for high frequency rf filters

Номер патента: US20190190489A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Bruce A. Block. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Device and method for high-frequency heating of dielectric liquid

Номер патента: RU2497315C2. Автор: Ян С. ПРЖИБИЛА. Владелец: Е2В ТЕКНОЛОДЖИЗ (ЮКей) ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2013-10-27.

Adhesive for high-frequency dielectric heating, structure, and method for manufacturing structure

Номер патента: US20240052206A1. Автор: Naoki Taya,Koji TSUCHIBUCHI. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Adhesive for high-frequency dielectric heating, structure, and method for manufacturing structure

Номер патента: EP4257354A1. Автор: Naoki Taya,Koji TSUCHIBUCHI. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Power converting device containing high frequency inverter and low frequency inverter connecting in parallel and the method thereof

Номер патента: US20180138805A1. Автор: Tsai-Fu Wu,Yen-Hsiang Huang,Li-Chun Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-05-17.

Method and system for high frequency signal selection

Номер патента: US20180019738A1. Автор: Wenjian Chen,Vamsi Paidi,Sangeetha Gopalakrishnan. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Methods and apparatus for high-frequency electrical power collection and transfer

Номер патента: EP2761714A2. Автор: Michael Cyrus,Sergey V. Frolov,Allan J. Bruce. Владелец: Sunlight Photonics Inc. Дата публикации: 2014-08-06.

Methods and apparatus for high-frequency electrical power collection and transfer

Номер патента: WO2013049349A2. Автор: Michael Cyrus,Sergey V. Frolov,Allan J. Bruce. Владелец: SUNLIGHT PHOTONICS INC.. Дата публикации: 2013-04-04.

High-frequency dielectric heating device

Номер патента: US20180110098A1. Автор: Shinji Yamada,Tomoki Maruyama. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

System and method for high speed data transmission

Номер патента: WO2001008397A1. Автор: John P. Cairns. Владелец: Datameg Corp.. Дата публикации: 2001-02-01.

System and method for high speed data transmission

Номер патента: EP1116377A1. Автор: John P. Cairns. Владелец: DATAMEG CORP. Дата публикации: 2001-07-18.

Frequency modulation method and device for high intensity discharge lamp

Номер патента: CA2583809A1. Автор: Joachim Muehlschlegel,Warren P. Moskowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Electromagnetic interference suppressing apparatus for high-frequency signal generation device

Номер патента: US8134845B2. Автор: Ming Cheng. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-03-13.

Synchronous control device for a static relay by a high frequency signal

Номер патента: US3955104A. Автор: Guy H. Dumas. Владелец: Silec Semi Conducteurs SA. Дата публикации: 1976-05-04.

High-frequency heating apparatus having electromagnetic wave agitating device

Номер патента: US3692967A. Автор: Tetsuo Hashimura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1972-09-19.

High-frequency amplifier

Номер патента: CA1253586A. Автор: Stefan Barbu. Владелец: Stefan Barbu. Дата публикации: 1989-05-02.

Multi-slot monitoring capabilities for high-frequency communications

Номер патента: EP4094494A1. Автор: Wei Zheng,Wei Zhang,Hong He,Dawei Zhang,Haitong Sun,Huaning Niu,Chunxuan Ye,Weidong Yang,Sigen Ye,Yushu Zhang,Seyed Ali Akbar Fakoorian,Oghenekome Oteri,Wenshu ZHANG,Chunai YAO. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-11-30.

High frequency injection transition disturbance elimination for a salient pole electric machine

Номер патента: EP3972117A1. Автор: Zhendong Zhang,Jacob Lamb. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Fast clock domain crossing architecture for high frequency trading (hft)

Номер патента: US20240161188A1. Автор: Paolo Novellini. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

High frequency injection transition disturbance elimination for a salient pole electric machine

Номер патента: US20220094295A1. Автор: Zhendong Zhang,Jacob Lamb. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for high-frequency amplifier using power gain-boosting technique

Номер патента: US20150333707A1. Автор: Sang-Gug Lee,Suna Kim,Bao Lam Huu,Jeong Seon Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-11-19.

Digital step attenuator with a diversion circuit for high-frequency signal

Номер патента: US20240243736A1. Автор: Wei-Hsin Tseng,Jhen-Kai Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Noise reduction circuit for high definition video signal

Номер патента: US5210609A. Автор: Phil H. Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-11.

Membrane hydrophone for high frequency ultrasound and method of manufacture

Номер патента: EP4034307A1. Автор: Nicholas Christopher Chaggares,Oleg IVANYTSKYY,Guofeng Pang,Alexander Burhoe,Marius Moszczynski. Владелец: Fujifilm Sonosite Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Surface-treated copper foil for high-frequency circuit and method for producing the same

Номер патента: WO2023148384A1. Автор: Michel Streel,Roman Michez. Владелец: Circuit Foil Luxembourg. Дата публикации: 2023-08-10.

Termination for high-frequency transmission lines

Номер патента: EP4121863A1. Автор: Chulkyu Lee,Hyunjeong PARK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-25.

Method for high-frequency amplifier using power gain-boosting technique

Номер патента: US9461600B2. Автор: Sang-Gug Lee,Suna Kim,Bao Lam Huu,Jeong Seon Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-10-04.

Detection device for high-frequency pseudo-random (pn) spread spectrum (ss) coded sequence signal of shallow geologic body and method using the same

Номер патента: US20240103194A1. Автор: Hui Cheng,Diquan LI,Guohong Fu,Chenxing JIA,Xiuying LIAO. Владелец: Hunan University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-03-28.

Digital step attenuator with a diversion circuit for high-frequency signal

Номер патента: EP4407869A1. Автор: Wei-Hsin Tseng,Jhen-Kai Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and apparatus for high-frequency passive sonar performance prediction

Номер патента: WO2005015369A3. Автор: Juan I Arvelo,Patrick A Ferat,Leslie Mobley. Владелец: Leslie Mobley. Дата публикации: 2005-09-09.

Complex-valued filter bank with phase shift for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: US09779748B2. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-10-03.

Ballast circuit for high intensity discharge (hid) lamps

Номер патента: CA1097730A. Автор: William C. Knoll. Владелец: GTE Sylvania Inc. Дата публикации: 1981-03-17.

Generating spatial audio and cross-talk cancellation for high-frequency glasses playback and low-frequency external playback

Номер патента: US11770670B2. Автор: Pablo Francisco Faundez Hoffmann,Tetsuro Oishi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

High frequency network multiplexed communications over various lines using multiple modulated carrier frequencies

Номер патента: EP1470700A2. Автор: Charles Abraham. Владелец: Satius Inc. Дата публикации: 2004-10-27.

Apparatus and methods for high frequency clock generation

Номер патента: WO2021202451A1. Автор: Yuriy Greshishchev,Mahdi PARVIZI,Naim Ben-Hamida,Sadok Aouini,Douglas Stuart McPherson,Robert Gibbins,Anna Sakharova. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 2021-10-07.

Generating spatial audio and cross-talk cancellation for high-frequency glasses playback and low-frequency external playback

Номер патента: US20230224663A1. Автор: Pablo Francisco Faundez Hoffmann,Tetsuro Oishi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatus and methods for high frequency clock generation

Номер патента: US20210313992A1. Автор: Yuriy Greshishchev,Mahdi PARVIZI,Naim Ben-Hamida,Sadok Aouini,Douglas Stuart McPherson,Robert Gibbins,Anna Sakharova. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Acoustic devices structures, filters and systems

Номер патента: US12126320B2. Автор: Dariusz Burak,Kevin J. Grannen,Jack LENELL. Владелец: Qxonix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Sensor system for high-radiation environments

Номер патента: US09509888B2. Автор: Nicholas KALFAS. Владелец: Remote Ocean Systems Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Multi-layer circuit board that suppresses radio frequency interference from high frequency signals

Номер патента: US4954929A. Автор: Jozef B. Baran. Владелец: AST Research Inc. Дата публикации: 1990-09-04.

Improvements in or relating to an electrical circuit and means of energising a high frequency electrical load

Номер патента: GB675427A. Автор: John Thomas Vaughan. Владелец: Ohio Crankshaft Co. Дата публикации: 1952-07-09.

Fixed frequency, variable duty cycle, square wave dimmer for high intensity gaseous discharge lamp

Номер патента: CA1087242A. Автор: Kenneth P. Holmes. Владелец: Esquire Inc. Дата публикации: 1980-10-07.

Improvements in and relating to protective systems for high frequency generators

Номер патента: GB666671A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1952-02-13.

Switch matrix packaging for high availability

Номер патента: CA2425824C. Автор: Michael J. Simoes,John L. Moran, III,Stanley Ivas. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-07-24.

Frequency multiplier for high-frequency signals

Номер патента: CA1257340A. Автор: Johannes H. Buijs. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-07-11.

Improvements relating to circuit arrangements for high frequency telephony

Номер патента: GB157304A. Автор: . Владелец: DEUTSCHE TELEPHONWERKE GmbH. Дата публикации: 1922-01-19.

High frequency multi-link support systems operation

Номер патента: US20240008039A1. Автор: George Cherian,Sai Yiu Duncan Ho,Yanjun SUN,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI,Abdel Karim AJAMI,Gaurang NAIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

High frequency multi-link support systems operation

Номер патента: WO2024006593A1. Автор: George Cherian,Sai Yiu Duncan Ho,Yanjun SUN,Abhishek Pramod PATIL,Alfred ASTERJADHI,Abdel Karim AJAMI,Gaurang NAIK. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-04.

Wire protection apparatus for high frequency motor

Номер патента: WO2005034310A1. Автор: Young-Jin Hyun. Владелец: Yiwon Engineering Inc.. Дата публикации: 2005-04-14.

Automated System and Method for High-Frequency Signal Attenuation Compensation

Номер патента: US20120026401A1. Автор: David Hoerl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Printed circuit board via model design for high frequency performance

Номер патента: US20120215515A1. Автор: Andrew D. Norte. Владелец: Ricoh Production Print Solutions LLC. Дата публикации: 2012-08-23.

Suspension for high power micro speaker and high power micro speaker having the same

Номер патента: US09900703B2. Автор: Kyu Dong Choi,In Ho Jeong,Cheon Myeong Kim. Владелец: EM Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Attenuation reduction grounding pattern structure for connection pads of flexible circuit board

Номер патента: US09462679B2. Автор: Chih-Heng Chuo,Gwun-Jin Lin,Kuo-Fu Su,Ching-Cheng Tien. Владелец: Advanced Flexible Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

High-frequency CMOS dual/multi modulus prescaler

Номер патента: US6094466A. Автор: Shen-Iuan Liu,Liang-Gee Chen,Ching-Yuan Yang. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2000-07-25.

Trans-Inductor Voltage Regulator For High Bandwidth Power Delivery

Номер патента: US20240120847A1. Автор: Shuai Jiang,Qiong Wang,Xin Li,Nam Hoon Kim,Woon-Seong Kwon,Mikhail Popovich,Houle Gan,Cheng Chung Yang,Chenhao Nan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Fast feedback techniques for high frequency bands in wireless communications systems

Номер патента: US20220286340A1. Автор: Ran Berliner,Shay Landis,Yehonatan Dallal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Heating coil for high-frequency heater

Номер патента: EP4375388A1. Автор: HIDEAKI Ito,Kazuhiro Abe. Владелец: TKE Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Trans-inductor voltage regulator for high bandwidth power delivery

Номер патента: EP4350963A1. Автор: Shuai Jiang,Qiong Wang,Xin Li,Nam Hoon Kim,Woon-Seong Kwon,Mikhail Popovich,Houle Gan,Cheng Chung Yang,Chenhao Nan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Distributed-mode beam and frame resonators for high frequency timing circuits

Номер патента: US20190222196A1. Автор: Farrokh Ayazi,Anosh Daruwalla. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Power conditioning for high-speed machine generator

Номер патента: WO2023183647A9. Автор: Rajendra Prasad Kandula,Deepak Divan,Vikram Roy CHOWDHURY. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and structure for diagnosing problems on a DSL device

Номер патента: US20040258221A1. Автор: Thomas Fox. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Generator assembly for high axial vibration input

Номер патента: US09664232B2. Автор: William Scherzinger,Robert Cisneroz,Simon Waddell,Balwinder Singh Birdi,David Windish. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11476725B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

Power control device for high-frequency induced heating cooker

Номер патента: US4764652A. Автор: Min K. Lee. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-16.

Film attenuator with distributed capacitance high frequency compensation

Номер патента: US3676807A. Автор: Machiel Boer. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1972-07-11.

Synchronizing method for high frequency signal

Номер патента: US3564427A. Автор: Kozo Uchida. Владелец: Iwatsu Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-02-16.

Improvements in or relating to high frequency power supply for electric furnaces

Номер патента: GB252183A. Автор: . Владелец: C Lorenz AG. Дата публикации: 1927-06-23.

Apparatus and method for encoding/decoding for high-frequency bandwidth extension

Номер патента: CA2929800C. Автор: Ki-hyun Choo,Ho-Sang Sung,Eun Mi Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11489372B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-11-01.

Door seal construction for high frequency heating appliance

Номер патента: CA1174288A. Автор: Nobuo Ikeda,Hirofumi Yoshimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-09-11.

Peak current limit management for high frequency buck converter

Номер патента: US11949333B2. Автор: Juha Olavi Hauru,Janne Matias Pahkala,Jussi Matti Aleksi Särkkä. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Wireless power transmitter for high fidelity communications at high power transfer

Номер патента: US11870509B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Wireless Power Transmitter For High Fidelity Communications At High Power Transfer

Номер патента: US20220239342A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Substrate for high-frequency printed wiring board

Номер патента: USRE49929E1. Автор: Kazuo Murata,Masaaki Yamauchi,Kentaro Okamoto,Shingo Kaimori,Satoshi KIYA. Владелец: Sumitomo Electric Printed Circuits Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Oscillator for high-frequency signal generation

Номер патента: US9692355B2. Автор: Nam Hyung KIM,Jong Won Yun,Jae Sung Rieh. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-06-27.

Wireless Power Transmitter for High Fidelity Communications and High Power Transfer

Номер патента: US20230223795A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11770031B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Wireless Power Transmitter For High Fidelity Communications With Amplitude Shift Keying

Номер патента: US20220239337A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Peak current limit management for high frequency buck converter

Номер патента: US20240195300A1. Автор: Juha Olavi Hauru,Janne Matias Pahkala,Jussi Matti Aleksi Särkkä. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Attenuation reduction structure for flexible circuit board

Номер патента: US09942984B1. Автор: Chih-Heng Chuo,Gwun-Jin Lin,Kuo-Fu Su. Владелец: Advanced Flexible Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Single stage ac/dc converter for high frequency ac distribution systems

Номер патента: CA2292175C. Автор: Praveen Kumar Jain. Владелец: ChipPower com Inc. Дата публикации: 2004-02-24.

Apparatus and method for high efficiency variable power transmission

Номер патента: US9225176B2. Автор: Ki Young Kim,Dong Zo Kim,Sang Wook KWON,Nam Yun Kim,Yun Kwon Park,Eun Seok Park,Young Ho Ryu,Jin Sung Choi,Young Tack Hong,Young Goo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-29.

Apparatus and method for encoding/decoding for high-frequency bandwidth extension

Номер патента: EP2657933A1. Автор: Ki-hyun Choo,Eun-mi Oh,Ho-Sang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-30.

Wireless power transmitter for high fidelity communications with amplitude shift keying

Номер патента: US11870510B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for accelerating electrons in a linear accelerator and an accelerating structure for carrying out said method

Номер патента: US20100207553A1. Автор: Boris Sarkisovich Ishkhanov,Andrei Sergeevich Alimov,Nikolai Ivanovich Pakhomov,Viktor Petrovich Sakharov,Vasily Ivanovich Shvedunov. Владелец: OBSCHESTVO S ORGANICHENNOI OTVETSTVENNOSTYU 'NAUKA I TEKHNOLOGII. Дата публикации: 2010-08-19.

High frequency operating circuit with in-rush current protection for operation of discharge lamps

Номер патента: US5719473A. Автор: Andreas Huber,Josef Osterried. Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 1998-02-17.

Low-loss magnetic core for high frequency claw-pole-type alternator

Номер патента: CA2310081A1. Автор: Christopher N. Tupper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-07-08.

Oscillating circuit arrangements for high frequency industrial generators

Номер патента: US4211984A. Автор: Kurt Lamberts,Berndt Greten,Jurgen Leppin,Harry Neubauer. Владелец: Bison Werke Baehre and Greten GmbH and Co KG. Дата публикации: 1980-07-08.

Improvements in high frequency loudspeakers

Номер патента: GB939159A. Автор: . Владелец: A R Inc. Дата публикации: 1963-10-09.

Apparatus and method for high-frequency operation in a battery charger

Номер патента: CA2441920C. Автор: Kurt Raichle. Владелец: SPX Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Improvements relating to reactors for high-frequency current

Номер патента: GB829856A. Автор: . Владелец: Magnetic Heating Corp. Дата публикации: 1960-03-09.

Phase locked loop for high speed data

Номер патента: US4547747A. Автор: Dan H. Wolaver,Warren E. Little. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1985-10-15.

Acoustic device structures, devices and systems

Номер патента: US11870415B2. Автор: Dariusz Burak,Kevin J. Grannen,Jack LENELL. Владелец: Qxonix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Adhesive for high-frequency dielectric heating, structure, and method for manufacturing structure

Номер патента: EP4257353A1. Автор: Naoki Taya,Koji TSUCHIBUCHI. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Adhesive for high-frequency dielectric heating, structure, and method for manufacturing structure

Номер патента: US20240002711A1. Автор: Naoki Taya,Koji TSUCHIBUCHI. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Techniques for high frequency wireless communication

Номер патента: US11991728B2. Автор: Gang Xiong,Yingyang Li,Alexei Davydov,Bishwarup Mondal,Yongjun KWAK,Daewon Lee,Gregory Morozov,Lopamudra Kundu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Low peak-to-average power ratio (PAPR) reference signal (RS) design for high frequency bands

Номер патента: US11996967B2. Автор: Alexei Davydov,Avik SENGUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Acoustic devices, structures and systems

Номер патента: US20240106411A1. Автор: Dariusz Burak,Kevin J. Grannen,Jack LENELL. Владелец: Qxonix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Film bulk acoustic resonator (fbar) devices for high frequency rf filters

Номер патента: US20200382099A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Bruce A. Block. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for modulation of amplitude and phase of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2694784C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Николаевич Дружинин,Наталия Александровна Дружинина. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-16.

High-frequency heating apparatus for progressive die and high-frequency heating method using the same

Номер патента: US20180236524A1. Автор: Young Seck NA. Владелец: Korea Precision Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Dual-frequency power-supply apparatus, high-frequency heating apparatus, and high-frequency quenching apparatus

Номер патента: US20230318478A1. Автор: Hirotaka Tanaka,Masato Sugimoto,Yohei Masuda. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US20170316789A1. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US09728197B2. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Effective scanning of beam for high-frequency wireless networks

Номер патента: RU2662450C1. Автор: Роберт БАЛЬДЕМАИР,Деннис ХЬЮИ,Йохан АКСНЕС. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2018-07-26.

Method of operating a cellular network, including a high-frequency packet transmission

Номер патента: RU2713410C1. Автор: Лили ЧЖАН,Бин ЛЮ,Нейтан Эдвард ТЕННИ,Ричард СТЁРЛИНГ-ГАЛАХЕР. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-05.

Method and circuit intended for high-frequency communication between an interrogator and a smart tag

Номер патента: WO2013002736A1. Автор: Vinko Kunc,Maksimilijan ŠTIGLIC,Andrej Vodopivec. Владелец: Ids D.O.O.. Дата публикации: 2013-01-03.

Transmitting communication complex of high-frequency and extremely-frequency ranges with deep-sunk and remote objects

Номер патента: RU2653110C1. Автор: Андрей Андреевич Катанович,Виктор Леонидович Муравченко,Вячеслав Александрович Цыванюк,Рубен Александрович Маркосян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Проектно-конструкторское бюро "РИО". Дата публикации: 2018-05-07.

High-frequency data exchange system

Номер патента: RU2681692C1. Автор: Александр Владимирович Кейстович. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2019-03-12.

Method of providing maximum high-frequency electrical energy transmission ratio when changing distance between microstrip structures in certain limits

Номер патента: RU2740957C1. Автор: Игорь Борисович Широков,Игорь Владимирович Сердюк,Елена Игоревна Широкова,Андрей Андреевич Азаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Генезис-Таврида". Дата публикации: 2021-01-22.

Method for generation of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2698543C1. Автор: Владислав Викторович Кирюшкин,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Владимир Николаевич Гаврюшин,Александр Анатольевич Новиков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-08-28.

Engine fault detection system based on high-frequency signals supply by means of communication

Номер патента: RU2730902C1. Автор: Вэй Чен,Синьминь ЛИ,Тинна ШИ,Чанлян СЯ,Шухай ДУН. Владелец: Тяньгун Юниверсити. Дата публикации: 2020-08-26.

Method for modulation of amplitude and phase of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2694429C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Николаевич Дружинин,Наталия Александровна Дружинина. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-15.

Method and device for recovering audio-signal high-frequency component

Номер патента: RU2244386C2. Автор: Сеун-хан Жеон,А.С. Петухов,В.А. Свириденко,Т.М. Юдина. Владелец: СПИРИТ Корп.. Дата публикации: 2005-01-10.

Device and method for fixing electromechanical composite high-frequency vibration systems

Номер патента: RU2568141C2. Автор: Хольгер ХИЛШЕР,Харальд ХИЛШЕР,Томас ХИЛШЕР. Владелец: Др. Хилшер Гмбх. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for suspending high-frequency shield and high-frequency shield

Номер патента: RU2733647C1. Автор: Алексей Павлович Лебедев,Виталий Федотович Буткевич. Владелец: Акционерное Общество «Россети Тюмень». Дата публикации: 2020-10-06.

Multilayer printed circuit board, in particular, for high-frequency operation

Номер патента: US5336855A. Автор: Joachim Kahlert,Klaus P. May,Joachim Noll. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-08-09.

Method and apparatus for high efficiency wideband power amplification

Номер патента: US6084468A. Автор: Frederick H. Raab,Bernard Eugene Sigmon,II James Roger Clark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Inverter apparatus and method for high frequency fluorescent lamp operation

Номер патента: US3707648A. Автор: John Rosa. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1972-12-26.

Inductive body for high frequency induction heating

Номер патента: US3980853A. Автор: Nobukazu Morisaki. Владелец: Daido Metal Co Ltd. Дата публикации: 1976-09-14.

Variable-capacitance tuning circuit for high-frequency signals

Номер патента: US4675634A. Автор: Joji Nakamura,Seiji Matsushita,Akira Fujishima,Isao Arika. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-23.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: CA2981328A1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2010-08-26.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: CA2981323C. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-06-05.

Circuit for wire transmission of high frequency data communication pulse signals

Номер патента: US4086534A. Автор: Gerald R. Olson. Владелец: Network Systems Corp. Дата публикации: 1978-04-25.

Complex exponential modulated filter bank for high frequency reconstruction or parametric stereo

Номер патента: CA3074098C. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2022-07-19.

Filling material, method for preparing same and method for preparing electrolytic copper foil for high-frequency signal transmission

Номер патента: US20230330625A1. Автор: Zhidong Chen,Pengju Wang,Qianying CAO,Wenchang Wang,Minxian Wu,Xiaoqiang MING. Владелец: Jiangsu Mingfeng Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Variable inductance systems and methods for high frequency gain control

Номер патента: WO2023081124A1. Автор: Ariel Leonardo Vera Villarroel,Abdelrahman Hesham Elsayed AHMED. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of high-frequency signal transmission

Номер патента: US7224738B2. Автор: Florian Meinhard Konig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-29.

Wireless transmission controller device for high-speed, large-capacity transmission

Номер патента: US11968473B2. Автор: Ki Dong Song,Ki Chan Eun. Владелец: Gls Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Bandwidth enhanced amplifier for high frequency cml to cmos conversion

Номер патента: WO2021173855A3. Автор: Sajin Mohamad,Suresh Naidu Lekkala. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-07.

Comparator with smooth start-up for high frequencies

Номер патента: WO1997014215A3. Автор: Ali Fotowat-Ahmady,Farbod Behbahani,Nasrollah S Navid. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-05-15.

Angular Position Error Estimation At Standstill For High-Frequency Voltage Injection

Номер патента: US20210328532A1. Автор: Omer Ikram Ul Haq. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-10-21.

Power converter suitable for high frequencies

Номер патента: US11996845B2. Автор: Joseph B. Bernstein,Ilan Aharon. Владелец: ARIEL SCIENTIFIC INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Loudspeaker for an acoustic diffuser for high frequency signals, acoustic diffuser comprising said loudspeaker and method of production

Номер патента: WO2015186110A1. Автор: Giorgio TOMASINI. Владелец: Fonica International S.R.O.. Дата публикации: 2015-12-10.

Electronic component for high frequency power amplification

Номер патента: US20100102887A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Kyoichi Takahashi,Kazuhiro Koshio. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of high-frequency signal transmission

Номер патента: US20020003841A1. Автор: Florian König. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Bandwidth enhanced amplifier for high frequency cml to cmos conversion

Номер патента: WO2021173855A2. Автор: Sajin Mohamad,Suresh Naidu Lekkala. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Membrane hydrophone for high frequency ultrasound and method of manufacture

Номер патента: US20200033187A1. Автор: Nicholas Christopher Chaggares,Oleg IVANYTSKYY,Guofeng Pang,Alexander Burhoe,Marius Moszczynski. Владелец: Fujifilm Sonosite Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Comparator with smooth start-up for high frequencies

Номер патента: WO1997014215A2. Автор: Ali Fotowat-Ahmady,Nasrollah S. Navid,Farbod Behbahani. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-04-17.

Termination for high-frequency transmission lines

Номер патента: US20210297293A1. Автор: Chulkyu Lee,Hyunjeong PARK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

High frequency amplification circuit, high frequency front-end circuit, and communication device

Номер патента: US20190334486A1. Автор: Shigeru Tsuchida. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for emulating low frequency serial clock data recovery rf control bus operation using high frequency data

Номер патента: US20120287971A1. Автор: Boris Radovcic,James C. Gower. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Method and Device for Encoding a High Frequency Signal, and Method and Device for Decoding a High Frequency Signal

Номер патента: US20230298604A1. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Crystal Clear Codec LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: US11778577B2. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: US20210360559A1. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: EP2989730A1. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-02.

Multi-band high-frequency circuit, multi-band high frequency circuit component and multi-band communication apparatus using same

Номер патента: US7982554B2. Автор: Masayuki Uchida,Shigeru Kemmochi,Kazuhiro Hagiwara,Keisuke Fukamachi. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2011-07-19.

Method for coating and forming novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244763A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

High frequency heating apparatus

Номер патента: US20240196486A1. Автор: Takashi Uno,Mikio Fukui,Shinji Takano,Daisuke Hosokawa,Chikako HOSOKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

High-frequency power device and method for controlling high-frequency power

Номер патента: US20060220573A1. Автор: Hiroyuki Kotani,Ryohei Tanaka,Hiroshi Matoba,Hirotaka Takei. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

High frequency signal reradiating device, high frequency signal receiving device, and wireless system

Номер патента: US20230299799A1. Автор: Katsuyuki Tanaka,Tatsuhiro Kawaguchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US12087313B2. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Crystal Clear Codec LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and device for injecting high frequency current vector

Номер патента: US20240313680A1. Автор: Nicolas Voyer,Guilherme BUENO MARIANI,Gianmario PELLEGRINO,Anantaram Varatharajan. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

High-frequency electrosurgical device with automatic power cut-off function

Номер патента: US20240307104A1. Автор: Jongho Song,Sechan Park,Siwoo PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Generator system based on high-frequency isolated matrix converter and regulation method thereof

Номер патента: US20240356457A1. Автор: Yang Xu,Zheng Wang,Yinzhen SHEN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for compressing high frequency signals

Номер патента: DK179177B1. Автор: Brian F HOWARD. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2018-01-08.

Backward-compatible integration of high frequency reconstruction techniques for audio signals

Номер патента: AU2024200687B2. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-10-17.

High-frequency-pass sample adaptive offset in video coding

Номер патента: US09912942B2. Автор: Wei Pu,Jianle Chen,Marta Karczewicz,Krishnakanth RAPAKA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

High frequency power amplifier, high frequency front-end circuit, and radio communication device

Номер патента: US09787334B2. Автор: Shinya HITOMI,Takaya Wada,Hisao Hayafuji,Hidenori OBIYA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for simultaneous transmission of high-frequency transmission signals via a common high-frequency line

Номер патента: US09778330B2. Автор: Ralph Oppelt,Jian Min Wang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Earphone with stand-alone high-frequency driver

Номер патента: US09516403B2. Автор: To-Teng Huang. Владелец: Jetvox Acoustic Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Generator system based on high-frequency isolated matrix converter and regulation method thereof

Номер патента: US12149181B2. Автор: Yang Xu,Zheng Wang,Yinzhen SHEN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and apparatus for encoding and decoding high frequency signal

Номер патента: US09478227B2. Автор: LEI Miao,Ki-hyun Choo,Eun-mi Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Electromagnetic wave high frequency hybrid plasma torch

Номер патента: US09451685B2. Автор: Ji-Hun Kim,Jung-Sik Yoon,Yong-Cheol Hong. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2016-09-20.

Digital apparatus for determining the spectrum of received signals with high frequency resolution

Номер патента: RU2756024C1. Автор: Александр Александрович Кузнецов,Олег Евгеньевич Славянский,Кирилл Анатольевич Селеня,Светлана Валерьевна Малюкова. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-09-24.

Controlled very high frequency travelling-wave amplifier

Номер патента: RU2564632C2. Автор: Этьенн КЮИНЬЕ,Филипп ФЕ,Эмили ТОНЕЛЛО. Владелец: Таль. Дата публикации: 2015-10-10.

High-frequency current heating device

Номер патента: RU2521995C2. Автор: Коудзи КАНЗАКИ,Хисахиро НИСИТАНИ. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2014-07-10.

Wideband modification of high-frequency key power amplifier

Номер патента: RU2732966C1. Автор: Вячеслав Вячеславович Воронович,Артур Геннадьевич Гадзиковский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-09-25.

High-frequency heating device

Номер патента: RU2399169C2. Автор: Нобуо СИРОКАВА,Синити САКАИ,Хидеаки МОРИЯ,Харуо СУЕНАГА,Манабу КИНОСИТА. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2010-09-10.

Auto zero techniques for high voltage analog front-end with robust ac common-mode rejection

Номер патента: US20240146267A1. Автор: Kevin Scoones,Peng CAO,Chienyu Huang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Auto zero techniques for high voltage analog front-end with robust ac common-mode rejection

Номер патента: WO2024097273A1. Автор: Kevin Scoones,Peng CAO,Chienyu Huang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-10.

Handling High Data Rates in Protocol Stack when Using High Frequency Spectrum

Номер патента: US20240205723A1. Автор: Dawei Zhang,Haijing Hu,Yuqin Chen,Fangli XU,Sethuraman Gurumoorthy,Srinivasan NIMMALA,Srirang A. Lovlekar,Zhibin Wu,Sarma V. Vangala,Naveen Kumar R. Palle VENKATA,Ralf ROSSBACH. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Colored Ultrathin High Frequency Cover Film with High Haze and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20180343738A1. Автор: ChihMing Lin,Lichih YANG,Weichih LEE,Chienhui LEE. Владелец: Kunshan Aplus Tec Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

High-frequency amplifier

Номер патента: EP1592128A1. Автор: Keiichiro c/o ALPS ELECTRIC CO. LTD. Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Device and method for switching a frequency range of a high frequency amplifier

Номер патента: US20230103586A1. Автор: Sebastian Stempfl. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-04-06.

Colored ultrathin high frequency cover film with high haze and preparation method thereof

Номер патента: US10609815B2. Автор: ChihMing Lin,Lichih YANG,Weichih LEE,Chienhui LEE. Владелец: Kunshan Aplus TecCorporation. Дата публикации: 2020-03-31.

Modem performance optimization under high frequency drift

Номер патента: WO2024137924A1. Автор: Ravinder Kumar,Tae Min Kim,Levent Aydin,Paolo Minero. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

High-frequency amplifier, feed-forward amplifier and distortion compensation amplifier

Номер патента: EP1317063A1. Автор: Masatoshi c/o MITSUBISHI DENKI K K NAKAYAMA,Kenichi c/o MITSUBISHI DENKI K K HORIGUCHI,Yukio c/o MITSUBISHI DENKI K K IKEDA,Satoshi c/o MITSUBISHI DENKI K K KUNUGI,Yuji c/o MITSUBISHI DENKI K K SAKAI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-04.

Method for preparing novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244757A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated high-frequency MOS oscillator

Номер патента: US6897736B2. Автор: Paulus Thomas Maria Van Zeijl,Jurjen Tangenberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2005-05-24.

High-frequency circuit module

Номер патента: US20140051367A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Tetsuo Saji. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-02-20.

Synchronization between low frequency and high frequency digital signals

Номер патента: US20050285640A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

High-frequency detecting elements and high-frequency heater using the same

Номер патента: US20010003370A1. Автор: Hideaki Niimi,Yuichi Takaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-14.

High-frequency clock generator with low power consumption

Номер патента: US20030021369A1. Автор: Hsiao-Chyi Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

High-frequency dielectric heating device and image forming apparatus

Номер патента: US20170066254A1. Автор: Yukie Inoue,Dan Ozasa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Electrical circuit for generating precise high frequency oscillation intermittently modulatable in frequency

Номер патента: US3736529A. Автор: Der Floe H Van,J Langendorf. Владелец: Autophon AG. Дата публикации: 1973-05-29.

Bearing structure for high-low-voltage conversion circuit

Номер патента: US12096582B2. Автор: Wen-Lung Huang,Sheng-Hua Li,Chun-Han Lin,Jui-Chien Hung. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Device for sensing a high-frequency event signal in a rotating electrical machine

Номер патента: US12135355B2. Автор: Martin Meyer,Jürgen SCHIMMER,Dirk Scheibner. Владелец: Innomotics GmbH. Дата публикации: 2024-11-05.

High-frequency heating apparatus

Номер патента: US12120805B2. Автор: Kazuki Maeda,Yoshiharu Oomori,Daisuke Hosokawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

High-frequency signal predistortion device and nonlinear distortion correcting device for power amplifier

Номер патента: US09923582B2. Автор: Seong Jin Kim,Sang Il Lee,Yong Hoon Lee,Jong Ok HA,Soon Il Hong,Min Hyun Kim,Eui Rim Jeong,Young Wook SIRL. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-20.

Fast transient power supply with a separated high frequency and low frequency path signals

Номер патента: US09831781B2. Автор: JIAN Li,Henry Jindong ZHANG. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

High-frequency signal amplifier circuit, power amplifier module, front-end circuit, and communication apparatus

Номер патента: US09780735B1. Автор: Reiji Nakajima,Hidenori OBIYA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

High-frequency dielectric heating device and image forming apparatus

Номер патента: US09770921B2. Автор: Yukie Inoue,Dan Ozasa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Image processing technique using high frequency data analysis to filter low frequency data by dynamic kernel adjustment

Номер патента: US09582861B2. Автор: Gregory Roffet. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2017-02-28.

High-frequency switching circuit

Номер патента: US09570974B2. Автор: Nikolay Ilkov,Winfried Bakalski,Hans Taddiken,Herbert Kebinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

High-frequency power supply apparatus for supplying high-frequency power

Номер патента: US09537422B2. Автор: Eizo Kawato. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

High frequency heating coil

Номер патента: US09485812B2. Автор: Hiroyuki Yamashita,Masao Saiki,Yosihide Oti. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

High frequency energy converter

Номер патента: US09443506B2. Автор: Theodore W. Denney, Iii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods and apparatus for adaptively selecting a communications mode in high frequency systems

Номер патента: US09420594B1. Автор: Hongyuan Zhang,Hui-Ling Lou,Songping Wu,Rohit U. Nabar,Arul Durai Murugan Palanivelu. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Device for generating high-frequency discharge plasma

Номер патента: RU2633707C2. Автор: Александр Олегович Павлюк,Евгений Владимирович Беспала,Вячеслав Федорович Мышкин,Иван Алексеевич Ушаков,Валерий Алексеевич Хан. Владелец: Вячеслав Федорович Мышкин. Дата публикации: 2017-10-17.

High-frequency cavity resonator and accelerator

Номер патента: RU2589739C2. Автор: Оливер ХАЙД. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-07-10.

Pulsed current generator for high-voltage electrohydraulic technologies

Номер патента: RU2666225C1. Автор: Виктор Сергеевич Ратушняк,Анатолий Васильевич Юрьев,Евгений Сергеевич Ильин,Александр Евгеньевич Гаранин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "научно-производственное предприятие "СибТрансНаука". Дата публикации: 2018-09-06.

High-frequency piezoelectric ceramic material based on sodium niobate

Номер патента: RU2751324C1. Автор: Светлана Ивановна Дудкина,Лариса Андреевна Резниченко,Илья Александрович Вербенко,Константин Петрович Андрюшин,Инна Николаевна Андрюшина,Екатерина Викторовна Глазунова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-13.

Method for manufacturing high-frequency printed circuit boards

Номер патента: RU2765105C1. Автор: Николай Владимирович Луконин,Сергей Анатольевич Толмачев,Андрей Глебович Масанов,Вадим Юрьевич Изотов,Владимир Сергеевич Катышев. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-01-25.

Electronic regulator for high-voltage discharge lamp

Номер патента: RU2339190C2. Автор: Луодинг Янг. Владелец: Лоу Фанглу. Дата публикации: 2008-11-20.

Discriminator for synchronization by delay of high frequency discrete-encoded signal

Номер патента: RU2754123C1. Автор: Сергей Николаевич Татаринов,Андрей Павлович Лось,Евгений Михайлович Свиридов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия им. Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2021-08-27.

Inverter with shared chopper function for high input power factor with restrained higher harmonies

Номер патента: CA2058207C. Автор: Minoru Maehara. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1997-04-22.

Wide band modem for high speed data transmission

Номер патента: US4384356A. Автор: Ronald H. Beerbaum. Владелец: BRITSOL BABCOCK Inc. Дата публикации: 1983-05-17.

Low capacitance surge protector for high speed data transmission

Номер патента: GB2354381A. Автор: Peter Kobsa. Владелец: Porta Systems Corp. Дата публикации: 2001-03-21.

Wiring test device and process for high speed data communications in vehicles

Номер патента: EP4325728A1. Автор: Juan Antonio MARTÍNEZ ZAMBRANA. Владелец: Emdep 2 SL. Дата публикации: 2024-02-21.

Generator assembly for high axial vibration input

Номер патента: EP2827477A3. Автор: William Scherzinger,Robert Cisneroz,Simon Waddell,Balwinder Singh Birdi,David Windish. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-04-27.

Power conditioning for high-speed machine generator

Номер патента: WO2023183647A1. Автор: Rajendra Prasad Kandula,Deepak Divan,Vikram Roy CHOWDHURY. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-28.

High-frequency circuit, front end module, and communication apparatus

Номер патента: US20190103843A1. Автор: Kiyoshi Aikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

High frequency power supply device

Номер патента: US20200119661A1. Автор: Tatsuya Hosotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

High frequency power amplifier

Номер патента: US20080088376A1. Автор: Haruhiko Koizumi,Masahiko Inamori,Kazuki Tateoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

High-frequency power amplifier circuit and electronic part for communication

Номер патента: US20060279359A1. Автор: Masahiro Tsuchiya,Takayuki Tsutsui,Tetsuaki Adachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Methods, apparatuses, systems, etc. directed to enhanced control channel and shared channel transmission at high frequencies

Номер патента: EP4229814A1. Автор: Paul Marinier,Moon Il Lee,Nazli KHAN BEIGI,Young Woo Kwak,Prasanna Herath. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Counting circuit for determining the incoming frequency or received channel in a high-frequency superhet receiver

Номер патента: US4193686A. Автор: Otto Klank. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1980-03-18.

High-frequency module

Номер патента: US20200403596A1. Автор: Yukiya Yamaguchi,Shun HARADA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

High frequency switching circuit

Номер патента: US20090160264A1. Автор: Eiichiro Otobe,Norihisa Otani. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

High-frequency switching circuit module

Номер патента: US20090243703A1. Автор: Koji Furutani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Power feedback power factor correction high frequency inverter

Номер патента: US20050146906A1. Автор: Kanghong Zhang,Yih-Fang Chiou,James Chien Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Apparatus and method for calculating the prediction value of the high frequency and low frequency components of an image

Номер патента: US20060083435A1. Автор: Fu-Chung Chi. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Radio frequency signal boosters serving as outdoor infrastructure in high frequency cellular networks

Номер патента: US12101163B2. Автор: SCOTT Terry,Hongtao Zhan. Владелец: Cellphone Mate Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Pseudo-envelope follower power management system with high frequency ripple current compensation

Номер патента: EP2649724A1. Автор: Nadim Khlat,Michael R. Kay,Philippe Gorisse. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-16.

High frequency push-push oscillator

Номер патента: US20210281217A1. Автор: Bassem Fahs,Mona Hella. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2021-09-09.

High-frequency module

Номер патента: US09948269B2. Автор: Hiromichi Kitajima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Jig structure for assembling high frequency connector

Номер патента: US20210276160A1. Автор: Chien-Chang Huang,Chang-Lin Peng. Владелец: F Time Technology Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Real-time impedance matching method for high frequency treatment device

Номер патента: EP4368245A1. Автор: Ki Hang Kim. Владелец: Tentech Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Method and apparatus for current limit test for high power switching regulator

Номер патента: US20140282349A1. Автор: Bin Shao,Roger Feng,Junxiao Chen. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-09-18.

Adapter element, high-frequency surgical instrument, adapter nozzle and system

Номер патента: RU2644264C2. Автор: Мартин ХАГГ. Владелец: Эрбе Электромедицин Гмбх. Дата публикации: 2018-02-08.

Determination of power mosfet leakage currents

Номер патента: US20200200815A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for high frequency pulse application for cosmetic improvement effect of skin and skin care device using the same

Номер патента: US12070600B2. Автор: Sun Young Kang. Владелец: Shenb Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for calculating the junction temperature of an rf power mosfet

Номер патента: EP3114446A1. Автор: Tao Wang,Keqiu Zeng,Kailas SENAN. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-11.

Electrode for high-frequency surgery and high-frequency surgery device

Номер патента: US09561072B2. Автор: Kwang Chon Ko. Владелец: Lutronic Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Polyurethane foam for high-frequency welding, laminate, and production method therefor

Номер патента: EP3725831A1. Автор: Yusuke Yamanaka. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

Systems and methods for determining parameters of a power MOSFET model

Номер патента: US09984190B1. Автор: Joachim Aurich,Sameer Kher,Shimeng Huang,Torsten Fichtner. Владелец: Ansys Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

High-efficiency pulse-width modulator for linear modulation of high-frequency key mode power amplifiers

Номер патента: RU2522881C2. Автор: Алексей Николаевич Плюснин,Павел Вячеславович Балаев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 35533". Дата публикации: 2014-07-20.

Integration of techniques for high-frequency reconstruction with reduced post-processing delay

Номер патента: RU2758199C1. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Пер ЭКСТРАНД,Кристофер ЧОЭРЛИНГ. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2021-10-26.

Active monitoring systems for high voltage bushings and methods related thereto

Номер патента: US09945896B2. Автор: Joe David Watson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-17.

Current sensing for power MOSFETs

Номер патента: US7365559B2. Автор: Roger Colbeck. Владелец: Potentia Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-29.

Overlapping bipolar electrode for high-frequency heat treatment

Номер патента: US09782213B2. Автор: Kyung Min Shin,Kyung Hoon Shin,Dong Un Kim. Владелец: STARMED Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Ignition coil apparatus for high-frequency discharge

Номер патента: US09447766B2. Автор: Kimihiko Tanaya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Improved probe card for high-frequency applications

Номер патента: SG11201907123PA. Автор: Riccardo Vettori,Stefano Felici. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2019-09-27.

Probe head for high frequency signal test and medium or low frequency signal test at the same time

Номер патента: US20210048452A1. Автор: Ching-Fang Yu,Chin-Tien Yang,Shang-Jung Hsieh,Hui-Pin Yang,Yu-Wen Chou,Huo-Kang HSU. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Frequency band table design for high frequency reconstruction algorithms

Номер патента: US09842594B2. Автор: Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-12-12.

System and method for generating a number of signals of high-frequency sub-bands

Номер патента: RU2758466C2. Автор: Кристофер ЧОЭРЛИНГ. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2021-10-28.

Multichannel hardware-software system for high-speed digital signal processing

Номер патента: RU2714493C2. Автор: Зуфар Барыевич Садыков,Давид Тимурович Лобжанидзе. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2020-02-18.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: NZ787839B2. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-03-26.

Tip for high-frequency skin treatment apparatus irradiating uniform radio frequency (rf)

Номер патента: US20240207607A1. Автор: Sun Young Kang. Владелец: Shenb Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: US20240312471A1. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-09-19.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: AU2023266360B2. Автор: Purnhagen Heiko,VILLEMOES Lars,EKSTRAND Per. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-09-12.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: US12094480B2. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-09-17.

Bipolar tumor ablation needle for high-voltage high-frequency steep pulse

Номер патента: NL2030152B1. Автор: Chen Yu,Zhang Ke,LIU CHAO,HE LEI,Liu Zhongyi,Liu Wenjie,GAO Jianhui,Fang Zhijun,Xu Shuhang. Владелец: Liu Wenjie. Дата публикации: 2024-08-22.

Bipolar tumor ablation needle for high-voltage high-frequency steep pulse

Номер патента: NL2030152A. Автор: Chen Yu,Zhang Ke,LIU CHAO,HE LEI,Liu Zhongyi,Liu Wenjie,GAO Jianhui,Fang Zhijun,Xu Shuhang. Владелец: Liu Wenjie. Дата публикации: 2022-03-21.

Tip for high-frequency skin treatment apparatus irradiating uniform radio frequency (RF)

Номер патента: US12011586B1. Автор: Sun Young Kang. Владелец: Shenb Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Liquid crystal medium and high frequency components comprising same

Номер патента: US09605204B2. Автор: Volker REIFFENRATH,Atsutaka Manabe,Dagmar Klass,Christian Jasper,Constanze Brocke,Detlef Pauluth. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and device for high speed testing of an integrated circuit

Номер патента: US20090129183A1. Автор: Michael Priel. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-21.

Test platform for high-frequency cable

Номер патента: US09874590B2. Автор: Bin Jiang,Cheng Zhang,Ying YIN,Nallian Shen,Jiangjiang Gong. Владелец: Shanghai Secri Optical & Electric Cable Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatus for high bandwidth current sensing

Номер патента: US09606147B2. Автор: Predrag Hadzibabic,Philip Henry Richard Epps,Andrew Benjamin Cole. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Surface coil for high-frequency magnetic fields for magnetic resonance examinations

Номер патента: US4775837A. Автор: Peter Röschmann. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-10-04.

Composition for high-frequency adhesive sheet for footwear

Номер патента: US20180346776A1. Автор: Heedae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for high frequency pulse application for cosmetic improvement effect of skin and skin care device using the same

Номер патента: US20240173545A1. Автор: Sun Young Kang. Владелец: Shenb Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Cooker for high-frequency heating apparatus

Номер патента: US20040217114A1. Автор: Takahiko Yamasaki,Satomi Uchiyama,Mamoru Isogai,Mineko Suehiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Cooker for high-frequency heating apparatus

Номер патента: WO2003063663A1. Автор: Takahiro Yamasaki,Satomi Uchiyama,Mamoru Isogai,Mineko Suehiro. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2003-08-07.

Method for high frequency pulse application for cosmetic improvement effect of skin and skin care device using the same

Номер патента: WO2024112081A1. Автор: Sun Young Kang. Владелец: SHENB Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and apparatus for high speed signaling

Номер патента: US20020054658A1. Автор: Venkatraman Lyer,Jeffrey Morriss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Emulating high-frequency application-consistent snapshots by forming restore point data sets based on remote site replay of I/O commands

Номер патента: US11755418B2. Автор: Parthasarathy Ramachandran,Bharat Kumar Beedu,Monoreet MUTSUDDI,Vanita Prabhu,Mayur Vijay SADAVARTE,Karthik Chandrasekaran,Balaji Janakiram. Владелец: Nutanix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Improvements in and relating to high frequency electrostatic heating of plastics, especially in connection with the moulding thereof

Номер патента: GB593901A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1947-10-29.

Systems, methods, and computer readable media for high-frequency contrast imaging and image-guided therapeutics

Номер патента: CA2773181C. Автор: Francis Stuart Foster,Marc Lukacs,Paul A. Dayton,Ryan Gessner,Hyunggyun Mike Lee. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems, methods, and computer readable media for high frequency contrast imaging and image-guided therapeutics

Номер патента: US9532769B2. Автор: Francis Stuart Foster,Marc Lukacs,Paul A. Dayton,Ryan Gessner,Hyunggyun Lee. Владелец: Sunnybrook Research Institute. Дата публикации: 2017-01-03.

스마트모바일(Smart Mobile)기를 이용하여 유선방식으로 심부발열마사지를 할 수 있도록 고주파(High frequency)기가 탈부착 가능하게 결합되는 화장품

Номер патента: KR20170108531A. Автор: 김경미,이용식. Владелец: 이용식. Дата публикации: 2017-09-27.

System and method of evaluating a cleaning process in relation to a pipeline structure for transporting milk

Номер патента: RU2732339C2. Автор: Андерс ВЕСТМАН,Йорген ЭНИККЛЬ,Ким ЛАНДХОЛМ. Владелец: ДЕЛАВАЛЬ ХОЛДИНГ АБ. Дата публикации: 2020-09-15.

High frequency alternating field charging of aerosols

Номер патента: CA1070369A. Автор: William B. Pennebaker (Jr.). Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-01-22.

Methods and systems for high definition image manipulation with neural networks

Номер патента: US11915383B2. Автор: Zhan Xu,Qiang Tang,Vishnu Sanjay Ramiya Srinivasan,Zili Yi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

스마트모바일(Smart Mobile)기를 이용하여 블루투스 무선통신모듈방식으로 심부발열마사지를 할 수 있도록 고주파(High frequency)기가 탈부착 가능하게 결합되는 화장품

Номер патента: KR20170108536A. Автор: 김경미,이용식. Владелец: 이용식. Дата публикации: 2017-09-27.

Active monitoring systems for high voltage bushings and methods related thereto

Номер патента: EP3227695A1. Автор: Joe David Watson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-11.

Method and system for high frequency trading

Номер патента: US20240070782A1. Автор: Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for active charge-balancing for high-frequency neural stimulation

Номер патента: US20200261729A1. Автор: Peng Cong,Ganesh Balachandran,You Zou. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Rotational high frequency chest wall oscillation pump

Номер патента: US12023300B2. Автор: Qingqing Koh,Daryl Zhi Wei HO. Владелец: Hill Rom Services Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Medical equipment for high frequency chest wall oscillation (hfcwo) treatment

Номер патента: US20160101014A1. Автор: Barrett Reed Mitchell,Fausto PARAZZINI. Владелец: L2rd. Дата публикации: 2016-04-14.

Medical equipment for high frequency chest wall oscillation (hfcwo) treatment

Номер патента: WO2014184304A1. Автор: Barrett Reed Mitchell,Fausto PARAZZINI. Владелец: RESPINNOVATION. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Electrode device for high frequency thermotherapy

Номер патента: WO2004073792A1. Автор: Kyong Min Shin,Hyo Keun Lim,Jeong Min Lee,Hyun Chul Rhim. Владелец: Taewoong Medical Co., Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Liquid-crystalline medium and high-frequency components comprising same

Номер патента: EP3303519A1. Автор: Michael Wittek,Dagmar Klass. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2018-04-11.

Medical vest for high frequency chest wall oscillation (hfcwo) system

Номер патента: EP2779979A1. Автор: Barrett Reed Mitchell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-24.

Liquid-crystalline medium and high-frequency components comprising same

Номер патента: EP3240861A1. Автор: Michael Wittek,Dagmar Klass. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-11-08.

Adaptive high frequency chest wall oscillation system

Номер патента: EP4057978A1. Автор: John A. Bobey,Xiaolan Zhang,Mathieu Bernard,Leonardo B. Artiaga Jr.,Yong Guan Tay,Wei BIAN,Deny D. Barilea,Qingqing Koh,Kok Boon R. ONG,Aaron A. AYU,Stacey REULAND,Mo Chuck WONG,Joo Cheng Chhua. Владелец: Hill Rom Services Pte Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

Glass bottle for high-frequency heat sealing

Номер патента: US20020051854A1. Автор: Noriyuki Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

System and method for high frequency stall design

Номер патента: US20070043931A1. Автор: Jonathan DeMent,Kurt Feiste,David Shippy,Robert Philhower. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Dielectric ceramic composition for high frequency and dielectric resonator

Номер патента: US20020115553A1. Автор: Susumu Okamoto,Yoshitaka Nagamori,Toshiaki Maeoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Electrode device for high frequency thermotherapy

Номер патента: EP1596930A1. Автор: Hyo Keun 104-905 Koorong Apt LIM,Hyun Chul 209-1201 Samick Apt RHIM,Jeong Min 103-1810 Kokdong Apt LEE,Kyong Min 103-302 Gumsong Hills Vill SHIN. Владелец: Taewoong Medical Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-23.

Electrode device for high frequency thermotherapy

Номер патента: EP1596930A4. Автор: Kyong Min Shin,Hyo Keun Lim,Jeong Min Lee,Hyun Chul Rhim. Владелец: Taewoong Medical Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-05.

Electrode device for high frequency thermotherapy

Номер патента: EP1596930B8. Автор: Kyong Min 113-1702 Hongjewon Hyundai Apt. 459 SHIN,Hyo Keun 104-905 Koorong Apt LIM,Hyun Chul 209-1201 Samick Apt RHIM,Jeong Min 103-1810 Kokdong Apt LEE. Владелец: Taewoong Medical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-09.

Glass bottle for high-frequency heat sealing

Номер патента: US6428864B1. Автор: Noriyuki Fujita. Владелец: Toyo Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-06.

High frequency chest wall oscillation pump

Номер патента: US20240315912A1. Автор: Qingqing Koh,Daryl Zhi Wei HO. Владелец: Hill Rom Services Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for controlling hardware performance for high frequency trading

Номер патента: US12118616B2. Автор: Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

High frequency weldable polyolefin composition

Номер патента: CA3240962A1. Автор: Johan DEFOER. Владелец: Borealis AG. Дата публикации: 2023-06-08.

Surgical navigation instrument having needle electrode depth adjusting structure for detecting impedance and high frequency energy control method using same

Номер патента: US12053234B2. Автор: Il-Kwon Lee,Kee-Seok Lee,Jong-Jun Yim. Владелец: CHUNGWOO MEDICAL Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Components for high-frequency technology, and liquid-crystalline media

Номер патента: US09790426B2. Автор: Atsutaka Manabe,Dagmar Klass,Detlef Pauluth,Elvira Montenegro,Mark Goebel. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-17.

Mesogenic compounds, liquid-crystalline media and components for high-frequency technology

Номер патента: US09765259B2. Автор: Volker REIFFENRATH,Atsutaka Manabe,Dagmar Klass,Christian Jasper,Detlef Pauluth,Elvira Montenegro. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-09-19.

Flexible catheter for high-frequency therapy of biological tissue and method of using same

Номер патента: US09750564B2. Автор: Wolfgang Kühne,Markus Fay. Владелец: CELON AG MEDICAL INSTRUMENTS. Дата публикации: 2017-09-05.

Liquid crystal medium and high-frequency components containing the same

Номер патента: US09657231B2. Автор: Atsutaka Manabe,Elvira Montenegro,Mark Goebel. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-05-23.

Detector for high frequency interrupts

Номер патента: US09612894B2. Автор: Alistair Paul Robertson,Rolf Dieter Schlagenhaft. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Low-cost structure for purifying and containing high clarity water that is used for direct contact recreational purposes

Номер патента: WO2023150571A8. Автор: Fernando Fischmann. Владелец: Crystal Lagoons Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Low-cost structure for purifying and containing high clarity water that is used for direct contact recreational purposes

Номер патента: AU2023216245A1. Автор: Fernando Fischmann. Владелец: Crystal Lagoons Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Computer-based device for high-speed storage-battery charging with asymmetrical current

Номер патента: RU2216087C2. Автор: А.С. Бурдюгов,Г.П. Сметанкин,Л.Н. Сорин. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения". Дата публикации: 2003-11-10.

Polyurethane foams suitable for high frequency welding and process for producing the same

Номер патента: CA1186449A. Автор: Peter Haas,Peter Seifert. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1985-04-30.

Frequency band table design for high frequency reconstruction algorithms

Номер патента: CA2920816C. Автор: Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-04-17.

Dielectric ceramic composition for high-frequency use and dielectric material

Номер патента: US5268341A. Автор: Gentaro Kaji,Nobuyoshi Fujikawa,Seiichiro Hirahara,Hidenori Miyata,Shigeji Koyasu,Djuniadi A. Sagala,Shinji Nambu. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Frequency band table design for high frequency reconstruction algorithms

Номер патента: CA2920816A1. Автор: Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for high frequency nanoscopy

Номер патента: EP3612812A1. Автор: Mona JARRAHI,Yen-Ju Lin. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-02-26.

High-efficiency cultivation method for high-frequency drip irrigation, water saving, seedling survival and strengthening, and yield increase of cotton fields in saline-alkali soil

Номер патента: US20230292682A1. Автор: YU Yu,Qiong Wang,XIN Wang,Jing Wang,Gang Wang,Bing Chen,Hai Lin,Donghai Zhang,Xiaofeng Peng,Taijie LIU,Zongming XIE,Xianhui KONG,Jianqiang CUI,Fangyong WANG,Huanyong HAN,Jihai FU. Владелец: Water Conservancy And Construction Institute Xinjiang Shihezi Vocational College. Дата публикации: 2023-09-21.

Polymeric composition for high-frequency energy absorbtion

Номер патента: RU2627401C1. Автор: Иван Иванович Зайченко,Любовь Федоровна Чувилина,Галина Владимировна Брызгалина,Анатолий Исакович Синани,Николай Борисович Медуницин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2017-08-08.

Overhead and underground traction power supply systems for high-frequency electrified transport with contactless energy transfer

Номер патента: GB657036A. Автор: . Владелец: GEORGE ILJITCH BABAT. Дата публикации: 1951-09-12.

Unit narrow board glue application device and method suitable for high-frequency hot pressing of solid wood edge glued panel

Номер патента: US11858166B2. Автор: Song Yang,QI Xu,Yun Zhang,Anqi WU,Baojin WANG,Xinqi Zhu,Sheping Wang,Peibin TIAN,Xinyu Yan,Zhibao CHEN,Nanfeng ZHU,Jintao Shen. Владелец: NANJING FORESTRY UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

High frequency epidural stimulation to control sensation

Номер патента: US20230271011A1. Автор: Chet T. MORTIZ,Abed KHORASANI,Soshi SAMEJIMA,Nicholas TOLLEY. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2023-08-31.

Unit narrow board glue application device and method suitable for high-frequency hot pressing of solid wood edge glued panel

Номер патента: US20230311361A1. Автор: Song Yang,QI Xu,Yun Zhang,Anqi WU,Baojin WANG,Xinqi Zhu,Sheping Wang,Peibin TIAN,Xinyu Yan,Zhibao CHEN,Nanfeng ZHU,Jintao Shen. Владелец: NANJING FORESTRY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-05.

Insulated, shielded partial discharge sensor device of the high-frequency current transformer (hfct) type, with high gain and low distortion, and with self-check system for high-voltage equipment and installations

Номер патента: EP4303597A1. Автор: Fernando Garnacho Vecino,Abderrahim KHAMLICHI EL KHAMLICHI. Владелец: Viesgo Distribucion Electrica SL. Дата публикации: 2024-01-10.

Isolated and shielded partial discharge sensor device of high-frequency current transformer type, hfct, high gain and low distortion with self-heating system for high voltage equipment and installations

Номер патента: US20240168078A1. Автор: Fernando Garnacho Vecino,Abderrahim KHAMLICHI EL KHAMLICHI. Владелец: Viesgo Distribucion Electrica SL. Дата публикации: 2024-05-23.

Removable devices (structures) for shovels and scrapers-movers, making easier the work of janitors at cleaning of snow, sand, mud, waste and other pollution on the cleared sites

Номер патента: RU2665077C1. Автор: Леонид Николаевич Михайлов. Владелец: Леонид Николаевич Михайлов. Дата публикации: 2018-08-28.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: CA3171733A1. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-09-27.

Material adapted for high-frequency welding and process and appa ratus for its manufacture

Номер патента: GB1306505A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-02-14.

Method and apparatus for high frequency time domain reflectometry

Номер патента: US5751149A. Автор: Arthur E. Oberg,Charles H. Wissman. Владелец: Tempo Res Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Electrical contact apparatus for high frequency welding

Номер патента: CA1124335A. Автор: Wallace C. Rudd,Humfrey N. Udall. Владелец: Thermatool Corp. Дата публикации: 1982-05-25.

High frequency pressure swing adsorption

Номер патента: CA2276362C. Автор: Bowie Gordon Keefer. Владелец: QuestAir Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-30.

Apparatus for high frequency molding of liquid plastic material

Номер патента: US4954073A. Автор: Elie Gras,Robert Oriez. Владелец: Anver SA. Дата публикации: 1990-09-04.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: NZ759800A. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Per Ekstrand. Владелец: Dolby Int Ab. Дата публикации: 2021-07-30.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: AU2023266360A1. Автор: Purnhagen Heiko,VILLEMOES Lars,EKSTRAND Per. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2023-12-07.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: US20230377589A1. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2023-11-23.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: NZ777923A. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Per Ekstrand. Владелец: Dolby Int Ab. Дата публикации: 2023-12-22.

Adhesive agent for high-frequency induction heating

Номер патента: US20230250316A1. Автор: Naoki Taya,Koji TSUCHIBUCHI. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: ZA202211731B. Автор: Purnhagen Heiko,VILLEMOES Lars,EKSTRAND Per. Владелец: Dolby Int Ab. Дата публикации: 2024-02-28.

Devices, systems, and methods for high frequency oscillation mitigation

Номер патента: GB2609301A. Автор: Bernard Johnson Ashley. Владелец: Schlumberger Technology Bv. Дата публикации: 2023-02-01.

Cantilever type probe card for high frequency signal transmission

Номер патента: US9835651B2. Автор: Hao Wei,Wei-Cheng Ku,Chih-Hao Ho,Jun-Liang Lai. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Ultrasound imaging system for high resolution wideband harmonic imaging

Номер патента: US12004908B2. Автор: Gary Cheng-How NG,Xiaowen Hu,David Hope Simpson. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-06-11.

Backward-compatible integration of harmonic transposer for high frequency reconstruction of audio signals

Номер патента: NZ777923B2. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-03-26.

Channel-specific convolution-based convolutional neural network structure for high-speed object recognition using 3d lidar

Номер патента: EP4024284A1. Автор: Tae Hyoung Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of CBNU. Дата публикации: 2022-07-06.

Crossed-loop resonator structure for spectroscopy

Номер патента: WO1997038331A1. Автор: George A. Rinard. Владелец: COLORADO SEMINARY. Дата публикации: 1997-10-16.

Emulating high-frequency application-consistent snapshots by forming restore point data sets based on remote site replay of i/o commands

Номер патента: US20190340075A1. Автор: Parthasarathy Ramachandran,Bharat Kumar Beedu,Monoreet MUTSUDDI,Vanita Prabhu,Mayur Vijay SADAVARTE,Karthik Chandrasekaran,Balaji Janakiram. Владелец: Nutanix Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Supporting structure for electronic device

Номер патента: US20130193292A1. Автор: An Szu Hsu,Chien Cheng Mai,Way Han Dai. Владелец: First Dome Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Vibration suppression bar handle structures for high-vibration handheld machines

Номер патента: US20240316742A1. Автор: Xingjian JING. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-26.

Vibration suppression bar handle structures for high-vibration handheld machines

Номер патента: US12109673B1. Автор: Xingjian JING. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-10-08.

Corrosion-resistant structure for high-temperature water system and corrosion-preventing method thereof

Номер патента: US09969889B2. Автор: Seiji Yamamoto,Kenji Yamazaki,Koji Negishi,Osamu Shibasaki,Masato Okamura,Hajime Hirasawa,Tetsuji Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Corrosion-resistant structure for high-temperature water system and corrosion-preventing method thereof

Номер патента: US09771482B2. Автор: Seiji Yamamoto,Kenji Yamazaki,Koji Negishi,Osamu Shibasaki,Masato Okamura,Hajime Hirasawa,Tetsuji Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods and device for coding and decoding of high-frequency range voice signal part

Номер патента: RU2402826C2. Автор: Анантхападманабхан А. КАНДХАДАЙ,Кон Бернард ВОС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-10-27.

High frequency rotary pressure swing adsorption apparatus

Номер патента: EP1007187A1. Автор: Christopher R. McLean,Bowie Gordon Keefer. Владелец: Questor Industries Inc. Дата публикации: 2000-06-14.

Assistive device structure for positioning and pressure relief

Номер патента: US20220378599A1. Автор: Chi-Wei Hung,Sy-Wen Horng,Long-Ying Cheng,Hsiang-Jung Hung,Li-Che Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-01.

Assistive device structure for positioning and pressure relief

Номер патента: US20240115410A1. Автор: Chi-Wei Hung,Sy-Wen Horng,Long-Ying Cheng,Hsiang-Jung Hung,Li-Che Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and apparatus for high speed signaling

Номер патента: US6542557B2. Автор: Jeffrey C. Morriss,Venkatraman Lyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

Probe head for high frequency signal test and medium or low frequency signal test at the same time

Номер патента: US20210048451A1. Автор: Chin-Tien Yang,Tsung-Yi Chen,Yu-Hao Chen,Shang-Jung Hsieh,Hui-Pin Yang,Jhin-Ying Lyu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Structure for high resolution mouse

Номер патента: US20020180702A1. Автор: Chia-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Vibration suppression split handle structures for high-vibration handheld

Номер патента: US20240316741A1. Автор: Xingjian JING. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-26.

High-frequency acoustic safety estimation method

Номер патента: RU2699740C1. Автор: Алексей Валерьевич Богомолов,Сергей Павлович Драган,Юрий Александрович Кукушкин,Алёна Александровна Замышляева,Наталья Николаевна Соловьева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)" ФГАОУ ВО "ЮУрГУ (НИУ)". Дата публикации: 2019-09-09.

Apparatus and method of generating high frequency audio signal using adaptive oversampling

Номер патента: RU2547220C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Фредерик НАГЕЛ,Саша ДИШ,Пер ЭКСТРАНД,Штефан ВИЛД. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of determining super-high-frequency parameters of material in a frequency band and a device for realizing said method

Номер патента: RU2688588C1. Автор: Максим Олегович Забежайлов,Виталий Петрович Крылов,Роман Александрович Чирков. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2019-05-21.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US12002476B2. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-06-04.

Peptide-attached pillar[5]arene for highly permeable and selective artificial water channel, and its synthesis and characterization

Номер патента: WO2019182517A1. Автор: Qing Li,Rong Wang,Choon Hong Tan. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-26.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282315A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: AU2024205260A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: AU2024205275A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282317A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282316A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Housing for high-pressure fluid applications

Номер патента: US09989053B2. Автор: Tang Jun,Bill Ladd,Wang Cheng CAI. Владелец: Serva Group LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US09911431B2. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for predicting high frequency band signal, encoding device, and decoding device

Номер патента: US09704500B2. Автор: LEI Miao,Zexin LIU,Fengyan Qi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US09640184B2. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-05-02.

Electrode device for high frequency thermotherapy apparatus

Номер патента: US4993430A. Автор: Jun Shimoyama,Akitoshi Miki. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1991-02-19.

Method and apparatus for high frequency electric surgery

Номер патента: US3675655A. Автор: Weldon Rex Sittner. Владелец: ELECTRO MEDICAL SYSTEM Inc. Дата публикации: 1972-07-11.

Method of detecting, measuring range and speed of low altitude low-speed target in pulse-doppler radar stations with high frequency of pulses repetition and inverted linear frequency modulation

Номер патента: RU2697509C2. Автор: Валерий Николаевич Коврегин,Галина Михайловна Коврегина. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2019-08-15.

Compounds for a liquid-crystalline medium, and use for high-frequency components

Номер патента: US8747695B2. Автор: Volker REIFFENRATH,Atsutaka Manabe,Christian Jasper,Detlef Pauluth,Elvira Montenegro. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2014-06-10.

Measuring tip for high-frequency measurement

Номер патента: CA2589353C. Автор: Steffen Thies,Michael Wollitzer. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-05-27.

Wireless test fixture for high frequency testing

Номер патента: US5646522A. Автор: Alan Etemadpour,Gary R. Haugh,Charles J. Lotka,Stephen Pizzica. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Improvements in or relating to work coils for high frequency heating apparatus

Номер патента: GB997005A. Автор: Walter Gordon Tait. Владелец: Radyne Ltd. Дата публикации: 1965-06-30.

Improvements in or relating to the processing of digital or digitized analog information for high density data transmission or recording

Номер патента: GB1253674A. Автор: . Владелец: General Dynamics Corp. Дата публикации: 1971-11-17.

Systems and methods for high frequency impedance spectroscopy detection of daily changes of dielectric properties of the human body to measure body composition and hydration status

Номер патента: US10987019B2. Автор: Zsolt Peter Ori. Владелец: Ori Diagnostic Instruments LLC. Дата публикации: 2021-04-27.

Medical vest for high frequency chest wall oscillation treatment

Номер патента: CA2786503C. Автор: Barrett Reed Mitchell,Fabio Lupi,Paolo Gianangeli,Giovanni Poldi,Giulio Malerba,Marco Pontesilli. Владелец: RESPINNOVATION. Дата публикации: 2018-06-19.

Medical equipment for high frequency chest wall oscillation (hfcwo) treatment

Номер патента: US20160113839A1. Автор: Barrett Reed Mitchell,Fausto PARAZZINI. Владелец: L2rd. Дата публикации: 2016-04-28.

Apparatus for high frequency trading and method of operating thereof

Номер патента: US11763386B2. Автор: Sunghyun Park,Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and system for controlling hardware performance for high frequency trading

Номер патента: US11836800B1. Автор: Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Nitrogen cooling system apparatus for impeder high-frequency welding process

Номер патента: EP4349519A1. Автор: Alfredo Malomo,Anselmo RECANATI,Gualtiero SILVETTI. Владелец: SIAD Societa Italiana Acetilene e Derivati SpA. Дата публикации: 2024-04-10.

Medical equipment for high frequency chest wall oscillation (hfcwo) treatment

Номер патента: WO2014184305A1. Автор: Barrett Reed Mitchell,Fausto PARAZZINI. Владелец: RESPINNOVATION. Дата публикации: 2014-11-20.

Medical vest for high frequency chest wall oscillation (hfcwo) system

Номер патента: WO2013072446A1. Автор: Barrett Reed Mitchell. Владелец: MITCHELL, Christine Y.P.A. Дата публикации: 2013-05-23.

Method and system for high frequency trading

Номер патента: US11836799B2. Автор: Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Electrode for high-frequency medical device and medical device

Номер патента: US20240016537A1. Автор: Yoshiyuki Ogawa,Hiroaki Kasai,Asuka TACHIKAWA,Issei MAEDA. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Medical equipment for high frequency chest wall oscillation (hfcwo) treatment

Номер патента: EP2996659A1. Автор: Barrett Reed Mitchell,Fausto PARAZZINI. Владелец: RESPINNOVATION. Дата публикации: 2016-03-23.

Method and system for high frequency trading

Номер патента: US20230325921A1. Автор: Hyunsung Kim,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus for high frequency trading and method of operating thereof

Номер патента: WO2023090705A1. Автор: Sunghyun Park,Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Apparatus for high frequency trading and method of operating thereof

Номер патента: GB2614414A. Автор: PARK Sunghyun,Oh Jinwook,Kim Hyunsung,Yoo Sungyeob. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Apparatus for high frequency trading and method of operating thereof

Номер патента: US20230394576A1. Автор: Sunghyun Park,Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus for high frequency trading and method of operating thereof

Номер патента: US20230153906A1. Автор: Sunghyun Park,Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Method and system for controlling hardware performance for high frequency trading

Номер патента: US20240054562A1. Автор: Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and system for controlling hardware performance for high frequency trading

Номер патента: US20240005404A1. Автор: Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Probe card for high-frequency testing

Номер патента: US20240168057A1. Автор: Wen-hao Cheng,Hung-Chun Huang,Yuan-Ting Tai. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

High-frequency tester for semiconductor devices

Номер патента: US20020125878A1. Автор: Mitchell Alsup,Joe Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Method and apparatus for high frequency data transmission and testability in a low voltage, differential swing design

Номер патента: US20020140692A1. Автор: Chih-Chang Lin,Bal Sandhu,Yanmei Tian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method and system for high frequency trading

Номер патента: US20230325922A1. Автор: Hyunsung Kim,Jinwook Oh,Sungyeob Yoo. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

High-frequency sensitive neural network

Номер патента: EP4348497A1. Автор: David Mendlovic,Dan Raviv,Khen COHEN,Lior GELBERG,Mor-Avi AZULAY,Menahem KOREN. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: CA3239820A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2012-01-26.

Method for determining an optimal structure of a high-frequency shield of a high-frequency antenna of a magnetic resonance arrangement

Номер патента: US20130090896A1. Автор: Volker Matschl,Jürgen NISTLER,Sebastian Martius,Dirk Diehl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-04-11.

Photonic Crystal Supporting High Frequency Sensitivity Self-collimation Phenomenon and Design Method and Use thereof

Номер патента: US20160259090A1. Автор: Wei Li,LIANG Chen,Xiaogang Zhang,Xunya Jiang,Xulin Lin. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-09-08.

High frequency suspension thermal transfer printers without pressure

Номер патента: US11173738B2. Автор: Guangfeng He. Владелец: Yiwushi Taile Mechanical Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

High frequency sensitive neural network

Номер патента: US20240281642A1. Автор: David Mendlovic,Dan Raviv,Khen COHEN,Lior GELBERG,Mor-Avi AZULAY,Menahem KOREN. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and systems for efficient recovery of high frequency audio content

Номер патента: US09984695B2. Автор: Michael Schug,Robin Thesing. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods and systems for efficient recovery of high frequency audio content

Номер патента: US09666200B2. Автор: Michael Schug,Robin Thesing. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of controlling process of high-frequency welding of pipes and device for implementation thereof

Номер патента: RU2722957C1. Автор: Иван Викторович Пейганович,Павел Петрович Степанов,Иван Васильевич Ефимов,Александр Евгеньевич Сорокин,Иван Васильевич Михеев,Александр Валерьевич Краснов. Владелец: Акционерное общество "Выксунский металлургический завод". Дата публикации: 2020-06-05.

High frequency circuit analyser

Номер патента: NZ544848A. Автор: Johannes Benedikt,Paul Juan Tasker. Владелец: Univ Cardiff. Дата публикации: 2007-06-29.

Implantable medical devices including low frequency and high frequency clocks and related methods

Номер патента: WO2021141858A9. Автор: Eiji Shirai,Dean Andersen. Владелец: PACESETTER, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Method and apparatus for analyzing high-frequency qrs-complex data

Номер патента: EP4403108A1. Автор: Xiaoqin LI,Qingxi HUANG,Qinghong HUANG. Владелец: Hyperbio Biological Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Downhole assembly to mitigate high frequency torsional oscillation, and oscillation mitigation tool suitable for use in a downhole assembly

Номер патента: GB2618515A. Автор: Brendan Crowley Daniel,Donald John Sedgeman Robert. Владелец: Rockatek Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Downhole assembly to mitigate high frequency torsional oscillation, and oscillation mitigation tool suitable for use in a downhole assembly

Номер патента: CA3210587A1. Автор: Daniel Brendan Crowley,Robert Donald John Sedgeman. Владелец: Rockatek Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for reading ultra high frequency rfid tag

Номер патента: EP3832522A1. Автор: Liqun Yu. Владелец: Wuxi Hyesoft Softwave Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Implantable medical devices including low frequency and high frequency clocks and related methods

Номер патента: US11759623B2. Автор: Eiji Shirai,Dean Andersen. Владелец: Pacesetter Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Chemical reactor operating at high frequency electric field

Номер патента: WO2000048726A1. Автор: Richard Anthony McFarlane,Jian-Yang Yuan,Ezra Eddy Isaacs,Haibo Huang,Alexander Joseph Babchin,Ross Sam Chow,Dmytro Vassily Prudkyy. Владелец: Alberta Research Council Inc.. Дата публикации: 2000-08-24.

Multilayer transmission structures for waveguide display

Номер патента: EP4416540A1. Автор: Samarth Bhargava,Kevin MESSER,Jianji Yang,David Alexander Sell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Ai method and apparatus for extracting crack length from high-frequency ae (acoustic emission)

Номер патента: US20220412926A1. Автор: Victor Giurgiutiu,Hanfei MEI,Joseph Garrett,Kimberly Cardillo. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2022-12-29.

Ultra-high frequency antenna device, ultra-high frequency antenna assembly, device method of forming such an antenna device, and support body material supply

Номер патента: WO2024147023A1. Автор: Lars Klemm. Владелец: Linxens Holding. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for analyzing high-frequency qrs-complex data

Номер патента: US20240324937A1. Автор: Xiaoqin LI,Qingxi HUANG,Qinghong HUANG. Владелец: Hyperbio Biological Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

High-frequency control unit and high-frequency treatment system

Номер патента: US09974596B2. Автор: Tsuyoshi Hayashida,Sadayoshi Takami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of constructing high-frequency vibratory stress relief device for eliminating residual stress of small work-piece

Номер патента: US12128504B2. Автор: PING Wang,Siqi Wang,Xiong HU,Zhipeng HUO,Jiayi Zhuang,Zhongshan WANG,Haoran Wu,Bangping Gu. Владелец: Shanghai Maritime University. Дата публикации: 2024-10-29.

High frequency easy melting multiple layered structure

Номер патента: US20210395573A1. Автор: Kuo Kuang Cheng,Chih Yi Lin,Chien Min Wu,Chia Ho Lin,Chien Chia Huang,Wei Chao Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-23.

High-frequency signal observations in electronic systems

Номер патента: US09804991B2. Автор: Chad Everett Winemiller,Russell Coleman Deans,Jon Raymond Boyette. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method for ultra-high frequency ultrasound treatment

Номер патента: US09700340B2. Автор: Michael H. Slayton,Peter G. Barthe. Владелец: Guided Therapy Systems LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for determining a position-dependent attenuation map of high-frequency coils of a magnetic resonance pet device

Номер патента: US09658299B2. Автор: Dominik Paul. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for indicating coronary artery disease risk based on low and high frequency bands

Номер патента: US09451921B2. Автор: Johannes Jan Struijk,Samuel Emil Schmidt. Владелец: ACARIX AS. Дата публикации: 2016-09-27.

Effective generation of ultra-high frequency sound in conductive ferromagnetic material

Номер патента: US09418648B1. Автор: Boris G. Tankhilevich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-16.

High frequency regeneration of an audio signal by copying in a circular manner

Номер патента: US09412389B1. Автор: Mark S. Vinton,Michael M. Truman. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Process and an arrangement for high-pressure liquid cutting

Номер патента: US5505729A. Автор: Horst-Gunter Rau. Владелец: Dornier Medizintechnik GmbH. Дата публикации: 1996-04-09.

Self-oriented high-pressure casing and mechanism for high pressure casing and injector connection

Номер патента: RU2709546C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кевин П. КОУЭН,Барри Л. ТАККЕР,III Артур И. УБЕР,Эдвард Дж. РАЙНХАРТ. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2019-12-18.

Device for controlling space in front of escalator and moving sidewalk with help of high-frequency sensors

Номер патента: RU2356823C2. Автор: Дирк БЛОНДИО,Герхард ШТОИБЕР. Владелец: Инвенцио Аг. Дата публикации: 2009-05-27.

Deformed high-entropy alloy for high-temperature applications

Номер патента: RU2696799C1. Автор: Геннадий Алексеевич Салищев,Сергей Валерьевич Жеребцов,Никита Дмитриевич Степанов,Никита Юрьевич Юрченко,Евгения Сергеевна Панина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2019-08-06.

Method and installation for high purity oxygen provision by means of cryogenic distillation of air

Номер патента: RU2354902C2. Автор: Ален ГИЙЯР,Ксавье ПОНТОН,Жан-Жак ШОЛЛА. Владелец: Л`Эр Ликид Сосьете Аноним А Директуар Э Консей Де Сюрвейянс Пур Л`Этюд Э Л`Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2009-05-10.

High frequency percussion hammer

Номер патента: RU2655071C2. Автор: Пер А. Ватне. Владелец: Хаммергю Ас. Дата публикации: 2018-05-23.

Method and apparatus for high yield foaming of coffee

Номер патента: CA3112925A1. Автор: Feng Zhao. Владелец: Maketube Srl. Дата публикации: 2020-03-26.

Method and Apparatus for High Yield Foaming of Coffee

Номер патента: US20210307554A1. Автор: Feng Zhao. Владелец: Maketube Srl. Дата публикации: 2021-10-07.

High-frequency energy delivery device with precise temperature tracking

Номер патента: US20240216676A1. Автор: Young Sik Kim,Jong Won Kim,Young Seok SEO,Se Jong Kim. Владелец: Won Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Extracorporeal shock wave therapy apparatus having added high-frequency and low-frequency treatment functions

Номер патента: EP4245282A1. Автор: Keun Deok Lee. Владелец: ITC Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

High-frequency dielectric heating adhesive sheet

Номер патента: US20230159795A1. Автор: YUICHI Mori,Naoki Taya. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Selective high frequency backup

Номер патента: US20230229565A1. Автор: Thomas K. Cheriyan. Владелец: OwnBackup LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Portable drive system for high masts

Номер патента: WO2022086469A1. Автор: İlker YÜCEL. Владелец: Mitas Endustri Sanayi Ticaret Anonim Sirketi. Дата публикации: 2022-04-28.

Electrode device comprising high-frequency electrode and multi-functional electrode

Номер патента: US20240252227A1. Автор: Kyung Hoon Shin,Dong Un Kim,Jeong Min Lee,Sang Pyo Hong,Jun Hyok Lee. Владелец: STARMED Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Composition and device structure for iontophoresis

Номер патента: US20120095386A9. Автор: Tetsuya Arimoto,Naruhito Higo,Hirotoshi Adachi,Noriyuki Kuzumaki. Владелец: Hisamitsu Pharmaceutical Co Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

High-frequency injection for sensorless control of a bldc stand mixer

Номер патента: US20240268605A1. Автор: Joseph Wilson Latham. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

High-frequency electrotome control system and control method thereof

Номер патента: US12082865B2. Автор: Kai Xu,Aolin TANG. Владелец: Beijing Surgerii Robot Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

High-frequency reciprocal transducer calibration

Номер патента: US11754436B2. Автор: David A. Mills,Mark Sheplak. Владелец: Interdisciplinary Consulting Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

TRANSMISSION LINE FOR HIGH PERFORMANCE RADIO FREQUENCY APPLICATIONS

Номер патента: US20130057451A1. Автор: Zhang Guohao,Modi Hardik Bhupendra,Petty-Weeks Sandra Louise. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Conveying device with surface purging structure for production of high-frequency module machine

Номер патента: CN215142486U. Автор: 王斌,曹贵旺. Владелец: Shenzhen Yongtaixing Hardware Machinery Equipment Co ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Resonant grid structure for use with high-frequency beam tubes

Номер патента: CA540312A. Автор: de Vries Gerrit,Diemer Gesinus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1957-04-30.

Package for High Power Devices

Номер патента: US20120001316A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiang Puo-Yu,Liu Ruey-Hsin,Hsu Shun-Liang,Huang Chyi-Chyuan,Chen Fu-Hsin,Huang Eric. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH FREQUENCY CIRCUIT

Номер патента: US20120001686A1. Автор: . Владелец: Icom Incorporated. Дата публикации: 2012-01-05.

Powder for high-frequency application of wear-proof coating on parts

Номер патента: RU2480317C2. Автор: Анатолий Тимофеевич Лебедев,Антон Викторович Захарин,Павел Анатольевич Лебедев,Дмитрий Иванович Макаренко,Рабазан Алиевич Магомедов,Константин Анатольевич Лебедев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-27.

Virtual electrode for high-frequency fulguration and method for making and using thereof

Номер патента: RU2400171C2. Автор: Валерий Николаевич Макаров,Юрий Александрович Хитров. Владелец: Юрий Александрович Хитров. Дата публикации: 2010-09-27.

High-frequency coaxial cable

Номер патента: RU2413318C1. Автор: Алексей Григорьевич Ионов,Тамара Николаевна Петина,Ирина Львовна Ильина,Марина Васильевна Гусева,Николай Степанович Куприянов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Особое конструкторское бюро кабельной промышленности". Дата публикации: 2011-02-27.

Method for high-intensity impact tests for instruments and equipment

Номер патента: RU2338169C1. Автор: Александр Сергеевич Орлов,Сергей Александрович Орлов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева". Дата публикации: 2008-11-10.

High frequency atomiser

Номер патента: RU2555489C2. Автор: Дмитрий Григорьевич Громаковский,Михаил Васильевич Карпухин,Александр Петрович Бураков,Евгений Павлович Кочеров,Наталья Анатольевна Карева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2015-07-10.

Protective cover for high frequency electronic boards

Номер патента: RU2298301C1. Автор: Александр Михайлович Слушков,Валерий Геннадьевич Малов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2007-04-27.

Improvements in or in connection with Generators for High Frequency Electric Currents.

Номер патента: GB190808972A. Автор: John Groeme Balsillie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-04-26.

一种改善Power MOSFET Split Gate产品漏电的方法及SGT Power MOSFET

Номер патента: CN118824854A. Автор: 吴栋华,郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Electric noise diagnostic method for high-voltage equipment

Номер патента: RU2511607C1. Автор: Вадим Анатольевич Шахнин,Олег Юрьевич Моногаров,Юлия Сергеевна Чебрякова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2014-04-10.

Device for high-frequency excitation of gas laser

Номер патента: RU2113750C1. Автор: Н.В. Архипова,В.И. Юдин. Владелец: Научно-исследовательский институт радиоэлектроники и лазерной техники МГТУ им.Н.Э.Баумана. Дата публикации: 1998-06-20.

Power MOSFET and MOSFET driver combined IC package

Номер патента: CN218939682U. Автор: 张海峰. Владелец: Shanghai Haixin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

Apparatus for high-precision positioning of mobile objects

Номер патента: RU2546665C2. Автор: Владимир Иванович Григорьевский,Владимир Петрович Садовников,Лариса Ивановна Григорьевская. Владелец: Лариса Ивановна Григорьевская. Дата публикации: 2015-04-10.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT OF DIGITAL IMAGES AND LOCAL MOTION DETECTION FOR HIGH DYNAMIC RANGE (HDR) IMAGING

Номер патента: US20120002890A1. Автор: Mathew Binu K.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for high-directivity radiation and reception of broadband hydroacoustic signals

Номер патента: RU2247409C1. Автор: С.А. Бахарев. Владелец: Бахарев Сергей Алексеевич. Дата публикации: 2005-02-27.

Method and device for high-viscosity oil heating in pipelines of high-frequency electromagnetic fields

Номер патента: RU2589741C1. Автор: Лиана Ароновна Ковалева,Расул Рашитович Зиннатуллин,Владимир Николаевич Благочиннов,Альмир Ильфирович Муллаянов,Иван Игоревич Шрубковский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2016-07-10.

Method and device for high-frequency therapy

Номер патента: RU2077350C1. Автор: Вячеслав Михайлович Давыдочкин,Леонид Георгиевич Прищеп,Александр Васильевич Маторин,Николай Николаевич Судаков,Альберт Васильевич Лебедев,Иван Алексеевич Подмогин. Владелец: Иван Алексеевич Подмогин. Дата публикации: 1997-04-20.

High-frequency structure for accelerating cluster ions

Номер патента: RU2560108C1. Автор: Владимир Иванович Турчин,Сергей Валентинович Плотников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" "Государственный научный центр Российской Федерации-Институт Теоретической и Экспериментальной Физики". Дата публикации: 2015-08-20.

Computerized device for high-speed charge of storage battery with asymmetric current

Номер патента: RU2271062C2. Автор: Георгий Павлович Сметанкин,Александр Сергеевич Бурдюгов,Сергей Семенович Матекин,Леонид Наумович Сорин. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2006-02-27.

Multi-unit Modular Stackable Switched Reluctance Motor System with Parallely Excited Low Reluctance Circumferential Magnetic Flux loops for High Torque Density Generation

Номер патента: US20120001502A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Computerized device for high-speed charge of storage batteries with asymmetric current

Номер патента: RU2319275C1. Автор: Павел Семенович Матекин,Георгий Павлович Сметанкин,Александр Сергеевич Бурдюгов,Сергей Семенович Матекин,Дмитрий Олегович Варламов. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2008-03-10.

Radar receiver with high frequency channels

Номер патента: RU2344436C1. Автор: Евгений Иванович Ильин,Дмитрий Николаевич Кривченков,Юрий Игоревич Компаниец,Валерий Дмитриевич Костромичев,Зоя Ивановна Вакарева,Виктор Артемович Дашкевич,Зо Ивановна Вакарева,Дмитрий Константинович Зайцев,Алексей Юрьевич Симаков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Рязанский Приборный Завод". Дата публикации: 2009-01-20.

High-frequency accelerating structure for ion beams extracted from laser plasma

Номер патента: RU2533194C2. Автор: Владимир Иванович Турчин,Сергей Валентинович Плотников,Александр Николаевич Балабаев,Юрий Алексеевич Сатов,Александр Викторович Шумшуров,Сергей Михайлович Савин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики". Дата публикации: 2014-11-20.

Method to manufacture piezoelements for high-frequency resonators

Номер патента: RU2458458C2. Автор: Сергей Владимирович Ермоленко,Константин Сергеевич Лысенко,Оксана Владимировна Прохоренко,Анатолий Михайлович Ярош. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения (ФГУП ОНИИП). Дата публикации: 2012-08-10.

Thyristor driver for high-voltage converters

Номер патента: RU2641661C2. Автор: Геннадий Михайлович Минаев,Николай Александрович Артаев. Владелец: Открытое акционерное общество "Электровыпрямитель". Дата публикации: 2018-01-19.

Composition of charge for high-porosity ceramic material with latticed-cellular structure

Номер патента: RU2525396C1. Автор: Владимир Николаевич Грунский,Александр Валентинович Беспалов,Микаэл Давидович Гаспарян,Евгений Степанович Лукин,Светлана Николаевна Санникова,Александр Дмитриевич Чепуренко,Неля Александровна Попова,Лиана Тагировна Павлюкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева)". Дата публикации: 2014-08-10.

Polarisation characteristic definition method for high frequency signal propagation environment

Номер патента: RU2533789C1. Автор: Олег Дмитриевич Москалец,Анна Сергеевна Вершинина,Дмитрий Олегович Москалец,Денис Андреевич Овсов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения" (ГУАП). Дата публикации: 2014-11-20.

High-frequency key power amplifier

Номер патента: RU2538346C1. Автор: Андрей Юрьевич Потапов,Вячеслав Вячеславович Воронович,Николай Владимирович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-01-10.

Combined stand for high-intensity shock testing

Номер патента: RU2335747C1. Автор: Александр Сергеевич Орлов,Сергей Александрович Орлов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева". Дата публикации: 2008-10-10.

Extremely high-frequency traveling-wave tube

Номер патента: RU2307421C1. Автор: мзина Нина Федоровна Л,Нина Федоровна Лямзина,Евгений Иоганович Каневский,Наталь Михайловна Коломийцева,Наталья Михайловна Коломийцева,Людмила Дмитриевна Смирнова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2007-09-27.

Computerized device for high-speed charge of storage battery with asymmetric current

Номер патента: RU2271061C2. Автор: Георгий Павлович Сметанкин,Александр Сергеевич Бурдюгов,Леонид Наумович Сорин,Елена Викторовна Бурдюгова. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2006-02-27.

Complex Exponential Modulated Filter Bank for High Frequency Reconstruction or Parametric Stereo

Номер патента: AU2022241538B2. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2023-11-02.

Complex Exponential Modulated Filter Bank for High Frequency Reconstruction or Parametric Stereo

Номер патента: AU2024200616A1. Автор: Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-02-22.

Compensator for high-velocity rifles

Номер патента: PH22015000175U1. Автор: Servando U Topacio. Владелец: Servando U Topacio. Дата публикации: 2015-08-19.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH FREQUENCY SWITCH CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001676A1. Автор: IRAHA Tomoyuki,Maruyama Tatsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-Frequency Coupler

Номер патента: US20120001705A1. Автор: Nozue Daisuke,Naito Takaki,Dobashi Daisuke,Takasu Shunnosuke. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488944C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Сергей Владимирович Дедов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for frequency modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483435C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-27.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488943C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Викторович Нагалин. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for amplitude and phase modulation, frequency and amplitude demodulation of high-frequency signals and multifunctional device for realising said method

Номер патента: RU2482602C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-20.

Method for amplitude-phase modulation of high-frequency signal and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2496225C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-10-20.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488946C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина,Сергей Владимирович Дедов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for generation and frequency modulation of high-frequency signals and apparatus therefor

Номер патента: RU2592463C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Владиславович Рагозин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of amplitude-phase modulation of high-frequency signal and device for its implementation

Номер патента: RU2589864C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of generating high-frequency signals and device therefor

Номер патента: RU2599348C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Виталий Николаевич Димитренко,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-10-10.

Method of generating high-frequency signals and device therefor

Номер патента: RU2568927C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Виталий Николаевич Димитренко,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of generating high-frequency signals and apparatus therefor

Номер патента: RU2568374C1. Автор: Николай Михайлович Тихомиров,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Дмитрий Николаевич Рахманин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488947C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Викторович Нагалин. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for amplitude-phase modulation of high-frequency signal and device for its implementation

Номер патента: RU2589304C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Metre of fluctuation in throughput high-frequency devices

Номер патента: RU2366963C1. Автор: Валерий Лазаревич Лосев,Владимир Юрьевич Манько. Владелец: Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный институт коммуникаций" (НОУ ВПО "ДВИК"). Дата публикации: 2009-09-10.

Method for generating and frequency modulating high-frequency signals and respective device

Номер патента: RU2595567C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Владиславович Рагозин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-08-27.

Method for generation and frequency modulation of high-frequency signals and apparatus therefor

Номер патента: RU2568380C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of generation and frequency-modulation of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2568388C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

SUPPORT DISC FOR SUPPORTING HIGH FREQUENCY (HF) COMPONENTS

Номер патента: US20120001032A1. Автор: Weiss Frank. Владелец: ROSENBERGER HOCHFREQUENZTECHNIK GMBH & CO. KG. Дата публикации: 2012-01-05.

Three-phase sine-voltage regulator with high- frequency section

Номер патента: RU2156024C1. Автор: В.С. Климаш,Р.В. Шибеко. Владелец: Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет. Дата публикации: 2000-09-10.

Computerized device for high-speed charge of storage batteries with asymmetric current

Номер патента: RU2319276C1. Автор: Георгий Павлович Сметанкин,Александр Сергеевич Бурдюгов,Сергей Семенович Матекин,Анна Дмитриевна Губа,Павел Георгиевич Сметанкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2008-03-10.

Polymer composition for high-frequency energy absorption

Номер патента: RU2343173C1. Автор: Иван Иванович Зайченко,Любовь Федоровна Чувилина,Галина Владимировна Брызгалина,Светлана Сергеевна Симунова,Александр Сергеевич Сомкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2009-01-10.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488217C2. Автор: Андрей Николаевич Киселев,Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина,Иван Сергеевич Безбородов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-20.

Method for high-frequency electrosurgical action on biologic tissues

Номер патента: RU2195226C2. Автор: В.Н. Сергеев,С.В. Белов,В.А. Меликсетов,С.Я. Миронов. Владелец: Зао "Вниимп-Вита". Дата публикации: 2002-12-27.

Method to generate high-frequency signals and device for its realisation

Номер патента: RU2494527C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-09-27.

Device for phase stabilization of voltage of transformer station with high-frequency unit

Номер патента: RU2126167C1. Автор: В.С. Климаш,Р.В. Шибеко. Владелец: Шибеко Роман Владимирович. Дата публикации: 1999-02-10.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2454790C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2012-06-27.

High-frequency striker

Номер патента: RU2310541C2. Автор: Александр Викторович Лобусов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2007-11-20.

Method of wireless transmission of electric energy of high frequency

Номер патента: RU2704602C1. Автор: Игорь Борисович Широков. Владелец: Игорь Борисович Широков. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of generating high-frequency signals and device therefor

Номер патента: RU2589407C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Extrusion vacuum-freeze ultra-high frequency dryer

Номер патента: RU2259525C1. Автор: С.В. Шахов,С.Т. Антипов,И.Т. Кретов,А.С. Белозерцев,И.С. Моисеева,С.А. Бокадаров,А.С. Кумицкий,В.Ю. Мирошниченко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2005-08-27.

Method of generating high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2496220C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-10-20.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2454789C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for generation and frequency-modulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2500066C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-11-27.

Formation method of two-dimensional linear high-frequency electric field, and device for its implementation

Номер патента: RU2497226C1. Автор: Евгений Васильевич Мамонтов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Electric high-frequency transformer

Номер патента: RU2337423C1. Автор: Василий Иванович Верютин,Дмитрий Семенович Стребков,Владимир Захарович Трубников,Алексей Иосифович Некрасов,Олег Алексеевич Рощин. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2008-10-27.

Method for amplitude-phase modulation of high-frequency signal and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2496223C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г.Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-10-20.

High-frequency multi-crystal oscillator

Номер патента: RU2498499C1. Автор: Юрий Станиславович Гуськов,Евгений Александрович Силаев. Владелец: Евгений Александрович Силаев. Дата публикации: 2013-11-10.

Generator of high-frequency emission based on discharge with hollow cathode

Номер патента: RU2462783C1. Автор: Виктор Дмитриевич Селемир,Дмитрий Викторович Вялых,Александр Евгеньевич Дубинов,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2012-09-27.

Super high frequency aerial measurement method

Номер патента: RU2284535C2. Автор: Павел Васильевич Миляев,Анатолий Павлович Миляев,Всеволод Леонидович Морев,Юрий Николаевич Калинин,ев Павел Васильевич Мил,ев Анатолий Павлович Мил. Владелец: Ооо Нпп "Трим". Дата публикации: 2006-09-27.

Device to excite high-frequency flare discharge

Номер патента: RU2499373C1. Автор: Виктор Алексеевич Власов,Вячеслав Федорович Мышкин,Дмитрий Александрович Ижойкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2013-11-20.

Generation method of chaotic super-high-frequency pulses

Номер патента: RU2421876C1. Автор: Евгений Николаевич Бегинин,Юрий Павлович Шараевский,Сергей Валерьевич Гришин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2011-06-20.

Solid-state high-frequency shock-excited generator

Номер патента: RU2523163C1. Автор: Андрей Викторович Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of generating high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2486636C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-06-27.

High-frequency signal generation method and device for its implementation

Номер патента: RU2589305C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Method to build and adjust relay protection with high-frequency exchange blocking signal along line wires

Номер патента: RU2435267C1. Автор: Алексей Федорович Прутик,Анатолий Васильевич Шмойлов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2011-11-27.

Seismic compensator of interferences of ultra high frequency of fish searching fathometer

Номер патента: RU2321023C1. Автор: Андрей Васильевич Червинко,Сергей Владимирович Мороз,Сергей Васильевич Василенко. Владелец: КАЛИНИНГРАДСКИЙ ПОГРАНИЧНЫЙ ИНСТИТУТ ФСБ РОССИИ. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488948C2. Автор: Андрей Николаевич Киселев,Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина,Иван Сергеевич Безбородов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Accelerator having high-frequency power source

Номер патента: RU2249927C2. Автор: В.И. Каминский,В.Я. Маклашевский. Владелец: Войсковая часть 75360. Дата публикации: 2005-04-10.

Method of ultra-high-frequency impact at total toxic damage

Номер патента: RU2082456C1. Автор: Александр Павлович Кузнецов,Михаил Борисович Голант. Владелец: Михаил Борисович Голант. Дата публикации: 1997-06-27.

Generation method of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2568925C1. Автор: Николай Михайлович Тихомиров,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Дмитрий Николаевич Рахманин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

MULTI-STROKE DELIVERY PUMPING MECHANISM FOR A DRUG DELIVERY DEVICE FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004639A1. Автор: Schoonmaker Ryan,Bruehwiler Michel,Rosen Melissa,Ira Spool. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPEN AND CLOSED VALVE MEDICATION DELIVERY SYSTEM FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004640A1. Автор: Spool Ira,Schoonmaker Ryan,Rosen Melissa,Michel Bruehwiler. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DUAL-CHAMBERED DRUG DELIVERY DEVICE FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004641A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer composition for absorbing high-frequency energy

Номер патента: RU2497851C1. Автор: Иван Иванович Зайченко,Любовь Федоровна Чувилина,Галина Владимировна Брызгалина,Владислав Алексеевич Трегубов,Владимир Александрович Митин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2013-11-10.

Process of measurement of high-frequency spectra of surface waves and device for its implementation

Номер патента: RU2040780C1. Автор: Г.Н. Христофоров,А.С. Запевалов,Ю.А. Мищенчук,В.Е. Смолов. Владелец: Морской гидрофизический институт. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for high-strength austenitic steel processing

Номер патента: RU2451754C1. Автор: Виктор Васильевич Русаненко,Олег Петрович Жуков,Владимир Александрович Углов,Евгений Христофорович Шахпазов,Александр Маркович Глезер,Елена Николаевна Блинова,Алексей Дмитриевич Клиппенштейн. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина" (ФГУП "ЦНИИчермет им. И.П. Бардина"). Дата публикации: 2012-05-27.

High frequency multidifferential amplifier

Номер патента: RU2374759C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Сергеевич Будяков,Даниил Николаевич Конев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2009-11-27.

Method of high-frequency sealed cable terminal manufacturing

Номер патента: RU2351030C1. Автор: Николай Сергеевич Костюков,Виктор Александрович Демчук,Борис Борисович Калиниченко,Владимир Александрович Охотников. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Амуратом". Дата публикации: 2009-03-27.

Method for high ambient temperature cumulative dose measuring in alumina-based solid-state ionising-radiation detectors

Номер патента: RU2346296C1. Автор: Сергей Владимирович Никифоров,Сергей Васильевич Соловьев,Игорь Игориевич Мильман,Евгений Витальевич Моисейкин,Иван Григорьевич Ревков,Евгений Николаевич Литовченко,Игорь Игориевич Мильман (RU),Евгений Витальевич Моисейкин (RU),Сергей Владимирович Никифоров (RU),Иван Григорьевич Ревков (RU),Евгений Николаевич Литовченко (RU),Сергей Васильевич Соловьев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет - УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2009-02-10.

Method for generation and frequency-modulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2496192C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-10-20.

Container for highly explosive loads

Номер патента: RU2524501C2. Автор: Андрей Юрьевич Швалев,Олег Анатольевич Черница,Анатолий Васильевич Анохин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2014-07-27.

High-frequency transceiving antenna system

Номер патента: RU2262783C1. Автор: А.Е. Федоров,Н.Д. Малютин,А.П. Рыбин,Н.Я. Перевалов. Владелец: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Дата публикации: 2005-10-20.

Method of generating high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483425C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Егор Владимирович Кондратьев. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-27.

Method of presowing cultivation of mustard seeds with electromagnetic field of super high frequency

Номер патента: RU2373676C1. Автор: Николай Васильевич Цугленок,Андрей Владимирович Бастрон,Галина Ивановна Цугленок,Андрей Васильевич Мещеряков,Анна Петровна Халанская. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Красноярский Государственный аграрный университет. Дата публикации: 2009-11-27.

Measuring device of scattering parameters of four-pole at ultra-high frequency

Номер патента: RU2494408C1. Автор: Александр Карпович Балыко,Александр Николаевич Королев,Виталий Юрьевич Мякиньков,Елена Олеговна Сафонова,Елена Васильевна Бувайлик. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2013-09-27.

Screening method for high-quality, high-yield and high-efficiency varieties suitable for direct seeding of double-cropping rice

Номер патента: NL2026983B1. Автор: CHEN Song,Wang Danying,Xu Chunmei,Chu Guang,Zhang Xiufu. Владелец: China Nat Rice Res Inst. Дата публикации: 2021-05-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.