Trench power mosfet and manufacutring method thereof
Номер патента: US20150200294A1
Опубликовано: 16-07-2015
Автор(ы): Hsiu-wen Hsu
Принадлежит: Super Group Semiconductor Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-07-2015
Автор(ы): Hsiu-wen Hsu
Принадлежит: Super Group Semiconductor Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Trench power MOSFET and manufacturing method thereof
Номер патента: US9130035B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.