Semiconductor devices having merged source/drain features and methods of fabrication thereof
Номер патента: US11705371B2
Опубликовано: 18-07-2023
Автор(ы): Chih-Yu MA, Chung-Hsien Yeh, Shahaji B. More
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-07-2023
Автор(ы): Chih-Yu MA, Chung-Hsien Yeh, Shahaji B. More
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor devices having merged source/drain features and methods of fabrication thereof
Номер патента: US20230326800A1. Автор: Shahaji B. More,Chih-Yu MA,Chung-Hsien Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.