• Главная
  • Semiconductor devices having merged source/drain features and methods of fabrication thereof

Semiconductor devices having merged source/drain features and methods of fabrication thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: EP3648172A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-05-06.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20200135859A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11600700B2. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230178607A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220052160A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11916108B2. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Multi-Gate Devices And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20230395679A1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Lung Cheng,Huang-Hsuan LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods For Forming Source/Drain Features

Номер патента: US20230253260A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240072114A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Multigate device having reduced contact resistivity

Номер патента: US12080771B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming epitaxial features

Номер патента: US12068318B2. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Ming-Yang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Structure and method for multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20240162331A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072136A1. Автор: Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Hsiang-Hung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming epitaxial features

Номер патента: US11855081B2. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Ming-Yang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming epitaxial features

Номер патента: US20240030220A1. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Ming-Yang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09634144B2. Автор: Gab-jin Nam,Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09660033B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Source/drain features for stacked multi-gate device

Номер патента: US20240282819A1. Автор: Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Devices and methods of improving device performance through gate cut last process

Номер патента: US09679985B1. Автор: Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Reducing parasitic capacitance in semiconductor devices

Номер патента: US20240096943A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Reducing Parasitic Capacitance in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210376072A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Reducing parasitic capacitance in semiconductor devices

Номер патента: US11881507B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230395682A1. Автор: Tai-Yuan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11854900B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210098631A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240105519A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230361114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Source/drain features

Номер патента: US11749719B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee,Kai-Di Tzeng,Ruei-Ping Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Source/drain features

Номер патента: US20230369405A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee,Kai-Di Tzeng,Ruei-Ping Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Source/drain features

Номер патента: US12034048B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee,Kai-Di Tzeng,Ruei-Ping Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Multi-Gate Devices And Method Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20220359731A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device having asymmetrical source/drain

Номер патента: US20200279919A1. Автор: Jongki Jung,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kwanheum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device having asymmetrical source/drain

Номер патента: US20240204050A1. Автор: Jongki Jung,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kwanheum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device having asymmetrical source/drain

Номер патента: US11942515B2. Автор: Jongki Jung,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kwanheum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240096892A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Well strap structures and methods of forming the same

Номер патента: US11856746B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Well Strap Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210098474A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Well Strap Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210375884A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Epitaxial Source/Drain Feature with Enlarged Lower Section Interfacing with Backside Via

Номер патента: US20210391421A1. Автор: LIN Chia-Pin,LEE Wei-Yang,Chu Feng-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09704861B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming transistors of different configurations

Номер патента: US20230369513A1. Автор: Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240113121A1. Автор: Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US11855087B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US20240096885A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Merged source drain epitaxy

Номер патента: US09437496B1. Автор: Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,Edward P. Maciejewski,Chengwen Pei,Kevin McStay,Shreesh Narasimha,Werner A. Rausch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication

Номер патента: US09741809B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Thomas A. Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Metal source/drain features

Номер патента: US11854791B2. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal source/drain features

Номер патента: US20240097001A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230012358A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Structure and Method for Semiconductor Devices

Номер патента: US20220157963A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Structure and Method for Semiconductor Devices

Номер патента: US20230378301A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Buffer epitaxial region in semiconductor devices and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230326989A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor Devices With Enhanced Carrier Mobility

Номер патента: US20220310840A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ming-Shuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230420516A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Inner spacer structure and methods of forming such

Номер патента: US11862709B2. Автор: Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Inner spacer structure and methods of forming such

Номер патента: US20240105814A1. Автор: Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240014280A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Metal source/drain features

Номер патента: US20240379807A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Source/Drain Contacts And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240021686A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Source/drain feature to contact interfaces

Номер патента: US12051730B2. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory device structures and methods

Номер патента: US12052874B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US12148836B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240379857A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor Devices with Air Gaps and the Method Thereof

Номер патента: US20240379813A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor devices having tensile and/or compressive stress and methods of manufacturing

Номер патента: US09431535B2. Автор: Haining S. Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160293703A1. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Multi-Gate Devices And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20240105806A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Multigate Device Having Reduced Contact Resistivity

Номер патента: US20210376096A1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor Devices With Modified Source/Drain Feature And Methods Thereof

Номер патента: US20220285561A1. Автор: LEE Wei-Yang,Lai Wei-Jen,CHEN DE-FANG,Shih Ting-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222449A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hao Chang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US11855143B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US20240113173A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Source/drain features of multi-gate devices

Номер патента: US12125915B2. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Source/Drain Features With Improved Strain Properties

Номер патента: US20220359752A1. Автор: Wu Zhiqiang,Hsieh Wen-Hsing,Cheng Kuan-Lun,WANG CHIH-CHING,Wu Chung-Wei,CHEN WEN-YUAN. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Source/Drain Feature Separation Structure

Номер патента: US20220367482A1. Автор: Wang Ping-Wei,HSU KUO-HSIU,HUNG LIEN JUNG,Yang Chih-Chuan,Keng Wen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09640443B2. Автор: Nae-in Lee,Jong-ho Lee,Woo-Hee Kim,Kug-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240021535A1. Автор: Chun-Hung LIAO,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

NANOWIRE TRANSISTOR STRUCTURES WITH MERGED SOURCE/DRAIN REGIONS USING AUXILIARY PILLARS

Номер патента: US20160064482A1. Автор: Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496336B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200144129A1. Автор: Young-hun Kim,Jaeseok Yang,Haewang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230223455A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210273101A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Chii-Horng Li,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11735660B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Chii-Horng Li,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11688647B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358814A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Merged Source/Drain Features

Номер патента: US20200135914A1. Автор: Yang Feng-Cheng,Lu Wei-Yuan,Lin Chun-An,LIN TZU-CHING,Su Li-Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369490A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Chii-Horng Li,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Source/Drain Features with an Etch Stop Layer

Номер патента: US20200381310A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,Chu Feng-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US10522413B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor Devices And Methods Of Fabricating The Same

Номер патента: US20230335616A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US9799567B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20160118303A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240021673A1. Автор: Po-Chin Chang,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of forming contact metal

Номер патента: US09711402B1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230402543A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US09443967B1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09711506B2. Автор: Junggil YANG,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having ferroelectric material and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123021A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110266634A1. Автор: Hae-Jung Lee,Yong-Tae Cho,Eun-Mi Kim,Kyeong-Hyo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4246592A1. Автор: Jaejin Lee,Youngjun Kim,Eun-Ok Lee,Taekyung Yoon,Hunyoung Bark,Dongju Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087846B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371977A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having shared gate electrode and fabrication thereof

Номер патента: WO2000033381A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170373146A1. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device having shared gate electrode and fabrication thereof

Номер патента: EP1142018A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-10.

Merged source/drain features

Номер патента: US20240258429A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Li-Li Su,Chun-An Lin,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Merged Source/Drain Features

Номер патента: US20200135914A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Li-Li Su,Chun-An Lin,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Merged Source/Drain Features

Номер патента: US20210202733A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Li-Li Su,Chun-An Lin,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Merged source/drain features

Номер патента: US20220302299A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Li-Li Su,Chun-An Lin,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Merged source/drain features

Номер патента: US11961912B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Li-Li Su,Chun-An Lin,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Source/Drain Features with an Etch Stop Layer

Номер патента: US20190311957A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Source/Drain Features with an Etch Stop Layer

Номер патента: US20200381310A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Source/Drain Features with an Etch Stop Layer

Номер патента: US20200126869A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Source/Drain Features with an Etch Stop Layer

Номер патента: US20190139836A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with strained channels and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240120381A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Interconnect structure for semiconductor device

Номер патента: US20230317858A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh,Pei-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230369127A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Tun-Jen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240071941A1. Автор: Ming-Fa Chen,Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Metal Source/Drain Features

Номер патента: US20220352339A1. Автор: Wang Pei-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09735271B2. Автор: Ying-Lang Wang,Lai Wan CHONG,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Chun-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of forming contact feature

Номер патента: US09620628B1. Автор: Hui-Chi Huang,Yung-Cheng Lu,Gin-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859364B1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220130678A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180301558A1. Автор: I-Sheng Chen,Chi-On CHUI,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Fin-based device having an isolation gate interfacing with a source/drain

Номер патента: US12034007B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming contact metal

Номер патента: US20230386918A1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming contact metal

Номер патента: US11791208B2. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of Forming Contact Metal

Номер патента: US20170287779A1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of Forming Contact Metal

Номер патента: US20200013674A1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US7153770B2. Автор: Chel-jong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-26.

Structure and method for FinFET device with source/drain modulation

Номер патента: US12080607B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and method for finfet device with source/drain modulation

Номер патента: US20240363435A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and method for finfet device with source/drain modulation

Номер патента: US20230307299A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Source/Drain Feature to Contact Interfaces

Номер патента: US20200135874A1. Автор: Tsai Pang-Yen,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Source/Drain Feature to Contact Interfaces

Номер патента: US20210210608A1. Автор: Tsai Pang-Yen,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Source/drain feature to contact interfaces

Номер патента: KR102270967B1. Автор: 딩캉 시,숭리 왕,팡옌 차이. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-07-02.

SOURCE / DRAIN FEATURE FOR CONTACTING INTERFACES

Номер патента: DE102019118346A1. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having buried region and method of fabricating same

Номер патента: US09761656B2. Автор: Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor chip contact structure, device assembly, and method of fabrication

Номер патента: US20210090972A1. Автор: Stefan Steinhoff. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230274948A1. Автор: Mann Ho CHO,Gi Hyeon KWON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09437697B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490351B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takatsugu Omata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09653600B2. Автор: Yang Zhou,Gangning Wang,Guangli Yang,Guohao Cao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140021490A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09564368B2. Автор: Jae-Ho Park,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Seolun Yang,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US09997599B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with strained layer

Номер патента: US09831321B2. Автор: Tomonari Yamamoto,Lun-Wei Chang,Yun-Ju Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with strained layer

Номер патента: US09368626B2. Автор: Tomonari Yamamoto,Lun-Wei Chang,Yun-Ju Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140284618A1. Автор: Makoto Mizukami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

MERGED SOURCE/DRAIN FEATURES

Номер патента: US20220302299A1. Автор: Yang Feng-Cheng,Lu Wei-Yuan,Lin Chun-An,LIN TZU-CHING,Su Li-Li. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Merged Source/Drain Features

Номер патента: US20210202733A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu,Li-Li Su,Chun-An Lin,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Source/Drain Features with an Etch Stop Layer

Номер патента: US20200126869A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,Chu Feng-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Source/Drain Features with an Etch Stop Layer

Номер патента: US20190139836A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Source/Drain Features with an Etch Stop Layer

Номер патента: US20190311957A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,Chu Feng-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Connection Between Gate Structure And Source/Drain Feature

Номер патента: US20240064953A1. Автор: Feng-Ming Chang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Schottky diode and method of fabrication thereof

Номер патента: US20230387241A1. Автор: Yu-Chi Chang,Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Schottky diode and method of fabrication thereof

Номер патента: US12107136B2. Автор: Yu-Chi Chang,Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09553159B2. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US09735016B2. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20210366931A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of forming SiOCN material layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09887080B2. Автор: Gi-gwan PARK,Kang-Hun Moon,Yong-Suk Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Devices having a transistor and a capacitor along a common horizontal level, and methods of forming devices

Номер патента: EP3682477A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20200227427A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240243015A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09461148B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09590073B2. Автор: Bo-Un Yoon,Myoung-Hwan Oh,Ho-Young Kim,Jun-Hwan YIM,Yeon-Tack RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20180315766A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20180108669A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09620518B2. Автор: Yao-Fu Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100025827A1. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09490441B2. Автор: Kaori Takimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Display device and method for producing same

Номер патента: US11616104B2. Автор: Hiroshi Kawanago,Kazufumi Watabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A STACKED NANOWIRE STRUCTURE DISPOSED OVER A BURIED WORD LINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210125995A1. Автор: YEH HUAN-YUNG. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning

Номер патента: US09748251B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081043A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: EP3443585A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2019-02-20.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: US20190237458A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: US20170294432A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: WO2017180614A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2017-10-19.

GaN semiconductor device structure and method of fabrication by substrate replacement

Номер патента: US09818692B2. Автор: John Roberts,Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and formation method of damascene structure

Номер патента: US09721836B2. Автор: Chia-Tien Wu,Jye-Yen Cheng,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US20230352413A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US20230197656A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US11942444B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US20240222300A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047294A1. Автор: Katsuhiko Kondo,Takuya SHIRATSURU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices having through-stack interconnects for facilitating connectivity testing

Номер патента: US11842985B2. Автор: Scott E. Smith,Christian N. Mohr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor devices having through-stack interconnects for facilitating connectivity testing

Номер патента: US20200303349A1. Автор: Scott E. Smith,Christian N. Mohr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354525A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359454A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200126853A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Mitsuhiro SUKEGAWA,Yoshinori Matsumuro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

MERGED SOURCE/DRAIN AND GATE CONTACTS IN SRAM BITCELL

Номер патента: US20160163644A1. Автор: Woo Youngtag,Kim Ryan Ryoung-Han. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction and methods of forming the same

Номер патента: US8748920B2. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09537045B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Joo Won Choi,Jeong Hun HEO,Su Young LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of handling test pad and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395440A1. Автор: Jun Zhou,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09685450B2. Автор: Vladimir Urazaev,Ki-yeon Park,Jae-Hyoung Choi,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Device and method for improving RF performance

Номер патента: US09478463B2. Автор: Qiang Zhou,Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Stacked semiconductor apparatus, system and method of fabrication

Номер патента: US09754921B2. Автор: Yun-sang Lee,Young-don Choi,Kang-Wook Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of fabricating semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20100270647A1. Автор: Chang-jin Kang,Sung-il Cho,Ji-Chul Shin,Seung-Young Son,Keong-Koo Chi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050062146A1. Автор: Takashi Noma,Tetsuya Miwa,Takayuki Kaida,Mitsuru Okigawa,Ryu Shimizu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210111128A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices with recessed interconnects

Номер патента: US09711457B2. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09524937B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Carrier and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09496163B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Hyungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Photovoltaic perovskite material and method of fabrication

Номер патента: US09391287B1. Автор: Qi Wang,Cheng Bi,Jinsong Huang,Rui Dong,Qingfeng Dong,Yuchuan Sao,Zhengguo Xiao. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Devices and methods of forming SADP on SRAM and SAQP on logic

Номер патента: US09761452B1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20240371706A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09978762B2. Автор: Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911644B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09520300B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Structure and method for MRAM devices

Номер патента: US12063790B2. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Liang-Wei WANG,Wen-Chiung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Structure and method for mram devices

Номер патента: US20240365564A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Liang-Wei WANG,Wen-Chiung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Authentication to a remote server from a computing device having stored credentials

Номер патента: US09584503B2. Автор: Jinshan Zhang,Qiao Huang,Yueting ZHANG,YiQun YUN,Jian MU. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

A display device having function for controlling power on/off in connected image devices and method thereof

Номер патента: KR100508596B1. Автор: 안소영. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Permeable stretchable bioelectronic devices and methods of use and fabrication thereof

Номер патента: WO2024153047A1. Автор: Zijian Zheng,Qiuna ZHUANG. Владелец: The Hong Kong Polytechnic University. Дата публикации: 2024-07-25.

Shape memory device having two-way cyclical shape memory effect due to compositional gradient and method of manufacture

Номер патента: US20060289295A1. Автор: Peter Jardine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Source/drain feature separation structure

Номер патента: US20230375785A1. Автор: Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2015157080A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of powder coating medical devices

Номер патента: WO2007103257A2. Автор: Gerald Fredrickson,Mary Jo Timm. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2007-09-13.

Knee orthosis with helicoidal axis and method of design and fabrication thereof

Номер патента: CA3084026C. Автор: Sebastien Hinse,Jacinte Bleau,Maxime LABELLE. Владелец: 2330 2029 Quebec Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Knee orthosis with helicoidal axis and method of design and fabrication thereof

Номер патента: US11944562B2. Автор: Sebastien Hinse,Jacinte Bleau,Maxime LABELLE. Владелец: 2330 2029 Quebec Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Knee orthosis with helicoidal axis and method of design and fabrication thereof

Номер патента: AU2018379418A1. Автор: Sebastien Hinse,Jacinte Bleau,Maxime LABELLE. Владелец: 2330 2029 Quebec Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Knee orthosis with helicoidal axis and method of design and fabrication thereof

Номер патента: EP3720396A1. Автор: Sebastien Hinse,Jacinte Bleau,Maxime LABELLE. Владелец: 2330 2029 Quebec Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Knee orthosis with helicoidal axis and method of design and fabrication thereof

Номер патента: WO2019109178A1. Автор: Sebastien Hinse,Jacinte Bleau,Maxime LABELLE. Владелец: 2330-2029 QUÉBEC INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

Knee orthosis with helicoidal axis and method of design and fabrication thereof

Номер патента: EP3720396C0. Автор: Sebastien Hinse,Jacinte Bleau,Maxime LABELLE. Владелец: 2330 2029 Quebec Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

TRANSPORTATION DEVICE HAVING A MONOLITHICALLY INTEGRATED MULTI-SENSOR DEVICE ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20140264659A1. Автор: GOGOI BISHNU PRASANNA. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and error correction information writing method

Номер патента: US09619319B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Signal analyzing method for electronic device having on-chip network and off-chip network

Номер патента: US20110213604A1. Автор: Tung-Yang Chen,Hsing-Chou Hsu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Multi-frame prosthetic valve apparatus and methods

Номер патента: CA2878691C. Автор: William C. Bruchman,Cody L. Hartman. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatus and method for shrinking textiles (APPARATUS AND METHOD FOR SHRINKING OF FABRICS)

Номер патента: KR20200077524A. Автор: 알레산드로 주치. Владелец: 페라로 에스.피.에이.. Дата публикации: 2020-06-30.

Apparatus and method for production of fabrics

Номер патента: US6640591B1. Автор: Eugene Haban. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-04.

KNEE ORTHOSIS WITH HELICOIDAL AXIS AND METHOD OF DESIGN AND FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20190321210A1. Автор: BLEAU Jacinte,HINSE Sébastien,LABELLE Maxime. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

KNEE ORTHOSIS WITH HELICOIDAL AXIS AND METHOD OF DESIGN AND FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20190328567A1. Автор: BLEAU Jacinte,HINSE Sébastien,LABELLE Maxime. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Power saving devices and systems, and methods of use and fabrication thereof

Номер патента: WO2010057178A1. Автор: Melvyn John Wray. Владелец: ALLIED TELESIS, INC.. Дата публикации: 2010-05-20.

Power Saving Devices and Systems, and Methods of Use and Fabrication Thereof

Номер патента: US20100123578A1. Автор: Melvyn John Wray. Владелец: Allied Telesis Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Memory device having open bit line cell structure using burn-in testing scheme and method therefor

Номер патента: US7245542B2. Автор: Ki-Won Park,Byung-sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-17.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and method for manufacture of fabric-like pile products

Номер патента: CA859686A. Автор: H. Erb George. Владелец: Velcro SA. Дата публикации: 1970-12-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.