Channel configuration for improving multigate device performance and method of fabrication thereof
Номер патента: US20210376163A1
Опубликовано: 02-12-2021
Автор(ы): Chih-Ching Wang, Jon-Hsu Ho, Kuan-Lun Cheng, Wen-Hsing Hsieh, Zhiqiang Wu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-12-2021
Автор(ы): Chih-Ching Wang, Jon-Hsu Ho, Kuan-Lun Cheng, Wen-Hsing Hsieh, Zhiqiang Wu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Channel Configuration for Improving Multigate Device Performance and Method of Fabrication Thereof
Номер патента: US20230327025A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.