Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Номер патента: US20230395601A1
Опубликовано: 07-12-2023
Автор(ы): Jhon Jhy Liaw
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Structure and Method for Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Devices With Improved Channel Configurations

Номер патента: US20220336460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Номер патента: US11830878B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: US20240371924A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Cpp-agnostic source-drain contact formation for gate-all-around devices with dielectric isolation

Номер патента: US20230420500A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Cpp-agnostic source-drain contact formation for gate-all-around devices with dielectric isolation

Номер патента: WO2024001335A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

MULTI-Vt SCHEME WITH SAME DIPOLE THICKNESS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20210210388A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Sub-Fin isolation schemes for gate-all-around transistor devices

Номер патента: US11588052B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Inner Spacers for Gate-All-Around Semiconductor Devices

Номер патента: US20220344503A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Selective silicon etch for gate all around transistors

Номер патента: US12062708B2. Автор: Sanjay Natarajan,Benjamin Colombeau,Myungsun Kim,Michael Stolfi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Selective silicon etch for gate all around transistors

Номер патента: KR20220005402A. Автор: 마이클 스톨피,명선 김,벤자민 콜롬보,산제이 나타라얀. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-01-13.

I/o device for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200279777A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20210118878A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

SUB-FIN ISOLATION SCHEMES FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200044087A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,GUHA BISWAJEET. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-02-06.

Reducing parasitic capacitance for gate-all-around device by forming extra inner spacers

Номер патента: US20200105902A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Reducing parasitic capacitance for gate-all-around device by forming extra inner spacers

Номер патента: US20230369458A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Reducing parasitic capacitance for gate-all-around device by forming extra inner spacers

Номер патента: US11764286B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Microelectronic die with two dimensional (2d) complementary metal oxide semiconductor devices in an interconnect stack thereof

Номер патента: US20230420364A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Tristan A. TRONIC,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Ande KITAMURA,Carl Hugo Naylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11843049B2. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20240055515A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Quadruple gate dielectric for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200258785A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

MULTI-Vt SCHEME WITH SAME DIPOLE THICKNESS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20210210388A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: WO2024151387A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Multilayer inner spacer for gate-all-around device

Номер патента: WO2024123430A1. Автор: LIU Jiang,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Multilayer inner spacer for gate-all-around device

Номер патента: US20240194757A1. Автор: LIU Jiang,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: US20240234531A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130168767A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou,Ming-Yong Jian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100090284A1. Автор: Cheng-Yu Fang,Yen-Wei Liao,sheng-yuan Yang. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

MODULAR INTERCONNECTS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20170005106A1. Автор: Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Gate-all-around metal-oxide-semiconductor transistors with gate oxides

Номер патента: US20150263134A1. Автор: Seung-Chang Lee,Daniel Feezell,Steven Brueck. Владелец: Steven Brueck. Дата публикации: 2015-09-17.

REDUCING PARASITIC CAPACITANCE FOR GATE-ALL-AROUND DEVICE BY FORMING EXTRA INNER SPACERS

Номер патента: US20200105902A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180082998A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180096901A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20170365529A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180033786A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Gallium nitride power amplifier integration with metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US10475889B1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-11-12.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140021544A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-01-23.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180033786A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180082998A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20170301666A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATED WITH VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20180374841A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Loiseau Alain. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method and structure for gate-all-around devices

Номер патента: US20230335586A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Chang-Miao Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Conformal oxidation for gate all around nanosheet i/o device

Номер патента: WO2022031527A1. Автор: Benjamin Colombeau,Andy Lo,Myungsun Kim,Michael Stolfi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-02-10.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Fabricating method of a high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070080398A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of fabricating high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7462532B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070128788A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7791137B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a field plate

Номер патента: US20240006529A1. Автор: Guowei Zhang,JERRY JOSEPH James,Handoko Linewih,Surya Kris AMETHYSTNA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240234520A9. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210193815A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11710787B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11742206B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110018071A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240136413A1. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100078737A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device (ldmos) and fabrication method thereof

Номер патента: US20140035034A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Graded superlattice structure for gate all around devices

Номер патента: US20230420521A1. Автор: Pierre Tomasini,Yi-Chiau Huang,Abhishek Dube. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Graded superlattice structure for gate all around devices

Номер патента: WO2024005870A1. Автор: Pierre Tomasini,Yi-Chiau Huang,Abhishek Dube. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09412743B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nano-Sheet-Based Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Asymmetric Inner Spacers

Номер патента: US20210035870A1. Автор: Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Young Bo-Feng,Yeong Sai-Hooi. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950034762A. Автор: 피터 메이 챠-쿠. Владелец: 윌리엄 이. 힐러. Дата публикации: 1995-12-28.

High Voltage Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR950034761A. Автор: 말히 새트윈더,피터 메이 챠-쿠. Владелец: 윌리엄 이. 힐러. Дата публикации: 1995-12-28.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: US09607987B2. Автор: Tahir Ghani,Martin D. Giles. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

For the method for the fin for forming metal oxide semiconductor device structure

Номер патента: CN104011841B. Автор: T·加尼,M·D·贾尔斯. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-26.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: KR101700213B1. Автор: 타히르 가니,마틴 디. 자일스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-01-26.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: TW201730982A. Автор: 馬丁 吉爾斯,塔何 甘尼. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-09-01.

Trench-gate metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130037880A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

FINS FOR METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20210210514A1. Автор: Ghani Tahir,Giles Martin D.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-08.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130075816A1. Автор: Jong Min Kim,Jae Hyun Yoo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238457A1. Автор: Zong-Han Lin,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Variable gate width for gate all-around transistors

Номер патента: US09590089B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Seung Hoon Sung,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US11430660B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20210118683A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Stepped source drain contact for gate-all-around transistor

Номер патента: US20230411477A1. Автор: Eric Miller,Yann Mignot,Tsung-Sheng KANG,Su Chen Fan,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure for gate all around nanosheet device

Номер патента: WO2023197202A1. Автор: Yijian Chen,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies CO.,Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Threshold voltage modulation for gate-all-around fet architecture

Номер патента: EP4281999A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Benjamin Colombeau,Steven C. H. Hung,Myungsun Kim,Jacqueline Samantha Wrench. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Threshold voltage modulation for gate-all-around fet architecture

Номер патента: WO2022159165A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Benjamin Colombeau,Steven C. H. Hung,Myungsun Kim,Jacqueline Samantha Wrench. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for gate-all-around I/O formation by selective epitaxy regrowth

Номер патента: JP2022552850A. Автор: ベンジャミン コロンボー，,マティアス バウアー，,ナヴェド アハメド スィディキ，,フィリップ スタウト，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Hybrid channel region for gate all around (gaa) transistor structures

Номер патента: WO2023114583A1. Автор: Anand Murthy,Prashant Majhi,Glenn Glass. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Conformal oxidation for gate all around nanosheet i/o device

Номер патента: US20220037529A1. Автор: Benjamin Colombeau,Andy Lo,Myungsun Kim,Michael Stolfi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Low-k dielectric inner spacer for gate all around transistors

Номер патента: US20190267463A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Nanosheet with single epitaxial stack forming off-set dual material channels for gate-all-around cmos

Номер патента: US20190355723A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Nanosheet with single epitaxial stack forming off-set dual material channels for gate-all-around cmos

Номер патента: US20190355723A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Inner spacers for gate-all-around transistors

Номер патента: US11855216B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Nano-sheet-based complementary metal-oxide-semiconductor devices with asymmetric inner spacers

Номер патента: US20240313119A1. Автор: Chia-Wei Chen,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Chia-Hao Pao,Chih-Yu Hsu,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Nano-sheet-based complementary metal-oxide-semiconductor devices with asymmetric inner spacers

Номер патента: US11996484B2. Автор: Chia-Wei Chen,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Chia-Hao Pao,Chih-Yu Hsu,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Nano-Sheet-Based Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Asymmetric Inner Spacers

Номер патента: US20210035870A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Nano-Sheet-Based Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Asymmetric Inner Spacers

Номер патента: US20220367728A1. Автор: Chia-Wei Chen,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Chia-Hao Pao,Chih-Yu Hsu,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Gate-grounded metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9871032B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Varactor integrated with complementary metal-oxide semiconductor devices

Номер патента: US11791342B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11742423B2. Автор: Jing Zhu,Sen Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Nailong He,Shaohong Li,Guichuang Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US11817457B2. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US20230395605A1. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11949010B2. Автор: Budong You,Chunxin Xia. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Mutliple dielectrics for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200258786A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: EP4235797A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520470B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9704987B2. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-07-11.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

SINGLE DIFFUSION BREAK ISOLATION FOR GATE-ALL-AROUND FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATED WITH VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20180096901A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Loiseau Alain. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATED WITH VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20170301590A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Loiseau Alain. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATED WITH VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20170365529A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Loiseau Alain. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Inner spacers for gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: US20240136438A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Inner spacers for gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: US11855214B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Structure and Method for Gate-All-Around Devices with Dielectric Interposer

Номер патента: US20240145566A1. Автор: Wei-Yang Lee,Huiling Shang,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Replacement Metal Gate Integration for Gate All Around Transistors

Номер патента: US20240186401A1. Автор: Effendi Leobandung,Eric Miller,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

PSEUDOMORPHIC INGAAS ON GAAS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20180158927A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Source/drain for gate-all-around devices

Номер патента: US20200350215A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US11908913B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20220254896A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: EP3676877A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Laterally difffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20140225191A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

LATERALLY-DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION APPLICATIONS

Номер патента: US20220059525A1. Автор: HWANG Kyong Jin,MAHAJAN PRANTIK,Low Elaine Xiao Mei. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

GATE-GROUNDED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170069619A1. Автор: Toh Eng Huat,Quek Kiok Boone Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

DUAL-SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170084497A1. Автор: Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,MO Renee T.,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Vertical metal-oxide semiconductor device

Номер патента: EP0504946A1. Автор: Dirk J. Barthelink. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-09-23.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Structure and Method for Gate-all-Around Device with Extended Channel

Номер патента: US20200044045A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

FORMATION OF WRAP-AROUND-CONTACT FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FET

Номер патента: US20190326395A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

ISOLATION SCHEMES FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200006559A1. Автор: Ghani Tahir,Mehandru Rishabh,Cea Stephen M.,Hsu William,GUHA BISWAJEET. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

CONFINED WORK FUNCTION MATERIAL FOR GATE-ALL AROUND TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Selective etching for gate all around architectures

Номер патента: EP3087588A1. Автор: Anand Murthy,Robert B. Turkot, Jr.,Seung Hoon Sung,Seiyon Kim,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Selective etching for gate all around architectures

Номер патента: EP3087588A4. Автор: Anand Murthy,Robert B. Turkot, Jr.,Seung Hoon Sung,Seiyon Kim,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-09.

Double Diffused Drain Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Floating Poly Thereon and Methods of Manufacturing The Same

Номер патента: US20110291187A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Double diffused drain metal-oxide-semiconductor devices with floating poly thereon and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140175544A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070111415A1. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853099B1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210193815A1. Автор: YU HUI,Wang Meng,You Budong,Peng Chuan,Du Yicheng,SONG Xunyi. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190363188A1. Автор: YU HUI,Wang Meng,You Budong,Peng Chuan,Du Yicheng,SONG Xunyi. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: TW202005092A. Автор: 王猛,喻慧,彭川,杜益成,步東 游,黃賢國. Владелец: 大陸商矽力杰半導體技術（杭州）有限公司. Дата публикации: 2020-01-16.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9048132B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Composite inverse T-gate metal oxide semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US5097301A. Автор: Julian J. B. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070228428A1. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

EXTENDED-DRAIN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH A MULTIPLE-THICKNESS BUFFER DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Singh Upinder,KOO Jeoung Mo,Mun Bong Woong. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Split-gate metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TWI325158B. Автор: Shuming Xu. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2010-05-21.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW201023274A. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Preparation method of MOS (Metal oxide semiconductor) device and MOS device

Номер патента: CN112117326A. Автор: 王雷,曾一平,孙国胜,刘兴昉,闫果果,赵万顺,申占伟. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-12-22.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8710587B2. Автор: Jong-min Kim,Jae-Hyun Yoo,Nam-Chil MOON. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Preparation method of MOS (Metal oxide semiconductor) device and MOS device

Номер патента: CN112117326B. Автор: 王雷,曾一平,孙国胜,刘兴昉,闫果果,赵万顺,申占伟. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2022-02-18.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061786A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120676A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120679A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140117443A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187483A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-07-26.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8709900B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-04-29.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8728895B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-20.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8729630B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-20.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8653594B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-18.

Double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130313641A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-28.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190115468A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN,Yu-Ting Yeh. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-04-18.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10622473B2. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN,Yu-Ting Yeh. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-04-14.

DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140117443A1. Автор: Huang Tsung-Yi,CHU Huan-Ping,Yang Ching-Yao,Su Hung-Der. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Manufacturing method of lateral double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140179079A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-26.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190348533A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-11-14.

Transverse diffusion metal oxide semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN108682690A. Автор: 王猛,喻慧,彭川,杜益成,游步东,黄贤国. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-10-19.

Lateral double-diffused metal-oxide semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN103137661B. Автор: 李钟锡,洪坰国. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-08-18.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110518056B. Автор: 张森,张志丽,赵景川. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112531026A. Автор: 张森,张志丽,赵景川. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-19.

Novel lateral double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20020079509A1. Автор: Sameer Pendharkar,Taylor Efland,Chin-Yu Tsai. Владелец: Chin-Yu Tsai. Дата публикации: 2002-06-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: WO2021135342A1. Автор: 张森,张志丽,赵景川. Владелец: 无锡华润上华科技有限公司. Дата публикации: 2021-07-08.

N type lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2011066802A1. Автор: Hsiao Chia Wu,Zehuang Luo,Guangtao Han. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2011-06-09.

Lateral double-diffusion metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN109473476B. Автор: 张森,李许超,何乃龙. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-25.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112309865A. Автор: 林峰,孙贵鹏,马春霞,许超奇. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10680059B2. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-06-09.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112309865B. Автор: 林峰,孙贵鹏,马春霞,许超奇. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9287394B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-03-15.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201519446A. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-05-16.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI451572B. Автор: Hung Der Su,Tsung Yi Huang,Ching Yao Yang,Huan Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-09-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201232777A. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-08-01.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: WO2024151386A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: US20240234544A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Inner Spacers for Gate-All-Around Semiconductor Devices

Номер патента: US20210036144A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Complementary metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543303B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated Circuit with a Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100052050A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,Douglas Dean Lopata,William W. Troutman,Tanya Nigam. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE NON-PLANAR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210082915A1. Автор: WATANABE Koji,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20200251468A1. Автор: CHANG YUAN-SHUN,TU KAO-WAY. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SEPARATE N-TYPE AND P-TYPE SOURCE/DRAINS USING A SINGLE SPACER DEPOSITION

Номер патента: US20180350812A1. Автор: Cheng Kangguo,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Fabrication of fin field effect transistors for complementary metal oxide semiconductor devices including separate n-type and p-type source/drains using a single spacer deposition

Номер патента: US10886271B2. Автор: Kangguo Cheng,Eric R. Miller,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Diode Structure and Method for Gate All Around Silicon Nanowire Technologies

Номер патента: US20140217509A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Anisotropic sige:b epitaxial film growth for gate all around transistor

Номер патента: US12068155B2. Автор: Zhiyuan Ye,Sathya Chary,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li,Saurabh Chopra,Chen-ying WU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Anisotropic sige:b epitaxial film growth for gate all around transistor

Номер патента: WO2023014458A1. Автор: Zhiyuan Ye,Sathya Chary,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li,Saurabh Chopra,Chen-ying WU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-09.

Pseudomorphic InGaAs on GaAs for gate-all-around transistors

Номер патента: TW201709408A. Автор: 吉伯特 狄威,馬修 梅茲,威利 瑞奇曼第,塔何 甘尼,傑克 卡瓦萊羅斯,錢德拉 莫哈帕拉,安拿 莫希,葛蘭 葛雷斯. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Inner spacers for gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: US10950731B1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Pseudomorphic ingaas on gaas for gate-all-around transistors

Номер патента: EP3314641A4. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

Metal-Oxide-Semiconductor Device Including an Energy Filter

Номер патента: US20090273011A1. Автор: Heinz Schmid,Siegfried F. Karg,Joachim Knoch,Heike E. Riel,Mikael T. Bjoerk,Walter H. Riess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Metal-oxide-semiconductor device including an energy filter

Номер патента: US8022447B2. Автор: Heinz Schmid,Siegfried F. Karg,Joachim Knoch,Heike E. Riel,Mikael T. Bjoerk,Walter H. Riess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH UNIFORM HYBRID CHANNELS

Номер патента: US20190035695A1. Автор: Cheng Kangguo,Yang Jie,Xu Peng,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

SEMICONDUCTOR DEVICES, TRANSISTORS, AND RELATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190067437A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Gandhi Ramanathan. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Metal-Oxide-Semiconductor Device Including an Energy Filter

Номер патента: US20090200605A1. Автор: Heinz Schmid,Siegfried F. Karg,Joachim Knoch,Heike E. Riel,Mikael T. Bjoerk,Walter H. Riess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Metal-oxide-semiconductor device formed in silicon-on-insulator

Номер патента: TWI319598B. Автор: Shuming Xu,Muhammed Ayman Shibib. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2010-01-11.

Silicon gigabit metal-oxide-semiconductor device processing

Номер патента: CA1216374A. Автор: Ping K. Ko. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-01-06.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130181211A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang,Tai-Hsiang Lai,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Modular interconnects for gate-all-around transistors

Номер патента: US20180337133A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-22.

Modular interconnects for gate-all-around transistors

Номер патента: US09997463B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-12.

VARIABLE GATE WIDTH FOR GATE ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20130341704A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Le Van H.,SUNG Seung Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Contact Structures for Gate-All-Around Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200105889A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

LONG CHANNEL OPTIMIZATION FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200035820A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

INNER SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20220367703A1. Автор: Wang Chih-hao,Chiang Kuo-Cheng,LIN Zhi-Chang,CHANG Jung-Hung,WANG Pei-Hsun,Chen Shih-Cheng,Chang Lo-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Full air-gap spacers for gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US11495668B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Leakage control for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US10797163B1. Автор: LAN Yu,Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Inner Spacers for Gate-All-Around Transistors

Номер патента: US20200381545A1. Автор: Wang Chih-hao,Chiang Kuo-Cheng,LIN Zhi-Chang,CHANG Jung-Hung,WANG Pei-Hsun,Chen Shih-Cheng,Chang Lo-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

[metal oxide semiconductor device for electrostatic discharge protection circuit]

Номер патента: US20060033162A1. Автор: Steven Sang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US20140183628A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

High voltage metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190096992A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-03-28.

Metal oxide semiconductor device with enhanced shielding structure

Номер патента: JP5111744B2. Автор: アイマン シビブ ムハメッド,シュ シュミング. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2013-01-09.

Metal oxide semiconductor devices and integration methods

Номер патента: US20240128374A1. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307070A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307070A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190096992A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150123184A1. Автор: Tang Tien-Hao,CHEN YU-CHUN,WANG Chang-Tzu,Su Kuan-Cheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-05-07.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATED WITH VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20170309616A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Loiseau Alain. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350903A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220359673A1. Автор: Zhang Sen,Zhang Zhili,ZHAO Jingchuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Metal-oxide-semiconductor device including a buried lightly-doped drain region

Номер патента: KR101099907B1. Автор: 시비브무하메드아이만,쑤슈밍. Владелец: 에이저 시스템즈 인크. Дата публикации: 2011-12-28.

Germanium-based NMOS (N-metal-oxide-semiconductor) device and preparation method thereof

Номер патента: CN102222687B. Автор: 张兴,李志强,黄如,郭岳,安霞. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-12-19.

Trench metal oxide semiconductor device

Номер патента: JP5379045B2. Автор: ウェイ スウ チン,ミン リウ チャン,チェ カオ ミン,ジン サイ ミン,ジュ クン プ. Владелец: ゼネラル セミコンダクター，インク．. Дата публикации: 2013-12-25.

Germanium-based NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102227001B. Автор: 张兴,李志强,黄如,郭岳,安霞. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-03-06.

Graded conductive structure for use in a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US7148540B2. Автор: Shuming Xu,Muhammed Ayman Shibib. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-12-12.

QUADRUPLE GATE DIELECTRIC FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200258785A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Self-limited inner spacer formation for gate-all-around field effect transistors

Номер патента: US20180212038A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Robinhsinku Chao,Heng Wu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

MUTLIPLE DIELECTRICS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200258786A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

I/O DEVICE SCHEME FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200066839A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200105896A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200111886A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190157414A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

FORMATION OF SELF-LIMITED INNER SPACER FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FET

Номер патента: US20190181224A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

SELF-LIMITED INNER SPACER FORMATION FOR GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180212039A1. Автор: Wu Heng,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Yeung Chun W.,Chao Robinhsinku. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

MODULAR INTERCONNECTS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20180337133A1. Автор: Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

FORMATION OF SELF-LIMITED INNER SPACER FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FET

Номер патента: US20190393306A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Self-limited inner spacer formation for gate-all-around field effect transistors

Номер патента: US9947767B1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Robinhsinku Chao,Heng Wu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Metal oxide, method for forming metal oxide, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2020254910A1. Автор: 山崎舜平,渡邊了介,伊藤俊一,小松良寛,澤井寛美,川口忍. Владелец: 株式会社半導体エネルギー研究所. Дата публикации: 2020-12-24.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US09583613B2. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Split-gate lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140061790A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Metal Oxide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20090294875A1. Автор: Yu Li,Haohua YE,Hok Min HO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW201023360A. Автор: Po-An Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US8138565B2. Автор: Chan Hee Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-03-20.

Metal Oxide Semiconductor Devices and Fabrication Methods

Номер патента: US20160211367A1. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220173099A1. Автор: LEE Kwanghee,Kim Sangwook,NAM Seunggeol,HEO Jinseong,LEE Yunseong,MOON Taehwan,BAE Hagyoul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-06-02.

Metal oxide semiconductor device and manufacture method thereof

Номер патента: CN100539187C. Автор: 李煜,叶好华,何学缅. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-09-09.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN112768521B. Автор: 张森,孙伟锋,时龙兴,祝靖,李少红,朱桂闯,何乃龙. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-12.

Low on-resistance lateral double-diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN106024905A. Автор: 陈欣,孙伟锋,叶然,刘斯扬,陆生礼,时龙兴,薛颖. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-12.

Transverse diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN208240687U. Автор: 王猛,喻慧,彭川,宋洵奕,杜益成,游步东. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-12-14.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US7898027B2. Автор: Chih-Nan Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device

Номер патента: US20100163990A1. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: WO2021077881A1. Автор: 张森,孙伟锋,时龙兴,祝靖,李少红,朱桂闯,何乃龙. Владелец: 无锡华润上华科技有限公司. Дата публикации: 2021-04-29.

Transverse diffusion metal oxide semiconductor devices

Номер патента: KR20220052917A. Автор: 징 주,구이추앙 주,네일롱 헤,센 장,사오홍 리,웨이펭 순,롱싱 쉬. Владелец: 씨에스엠씨 테크놀로지스 에프에이비2 코., 엘티디.. Дата публикации: 2022-04-28.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: TWI380447B. Автор: Po An Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-21.

Metal-oxide-semiconductor device having improved gate arrangement

Номер патента: TW200518334A. Автор: ZHIJIAN Xie,Peter Ledel Gammel,Shuming Xu,Muhammed Ayman Shibib. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2005-06-01.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240105839A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240120419A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US11881527B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

VARIABLE GATE WIDTH FOR GATE ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20170154960A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Le Van H.,SUNG Seung Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

LEAKAGE CONTROL FOR GATE-ALL-AROUND FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200343372A1. Автор: Guo Dechao,Wang Junli,Wu Heng,Bao Ruqiang,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

INNER SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210083091A1. Автор: Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu,Yen Fu-Ting,Chen Ting-Ting,Perng Tsu-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Inner Spacers for Gate-All-Around Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202735A1. Автор: Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu,Yen Fu-Ting,Chen Ting-Ting,Perng Tsu-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

SOI (silicon on insulator) transverse LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor) device with super junction structure and manufacturing method

Номер патента: CN111952351A. Автор: 王凡. Владелец: Ningbo Baoxinyuan Power Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Metal oxide semiconductor devices and methods of making thereof

Номер патента: US20240194783A1. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Metal oxide semiconductor devices and method of making thereof

Номер патента: EP4386852A1. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Metal oxide semiconductor devices with multiple drift regions

Номер патента: US20130256794A1. Автор: Hoon Chang,Sung-ryoul Bae,Min-Hwan Kim,Dong-Eun Jang,Jae-June Jang,Eung-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-03.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150102406A1. Автор: LEE Tsung-Hsiung,CHANG Jui-Chun. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2015-04-16.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150102407A1. Автор: LEE Tsung-Hsiung,Tu Shang-Hui,CHANG Jui-Chun. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2015-04-16.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150137231A1. Автор: LEE Tsung-Hsiung,CHANG Jui-Chun. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2015-05-21.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160155837A1. Автор: CHEN TAI-JU,CHEN TE-CHIH,Lee Kung-Hong,Tang Chun-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190363185A1. Автор: YU HUI,Wang Meng,You Budong,Peng Chuan,Huang Xianguo,Du Yicheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Metal oxide semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9337339B1. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10008599B1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI619200B. Автор: 黃宗義. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-21.

LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) device with shielding ring and preparation method thereof

Номер патента: CN104347724A. Автор: 杜寰. Владелец: SHANGHAI LIANXING ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10103265B1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Yi-Che Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Metal-oxide-semiconductor device having trenched diffusion region and method of forming same

Номер патента: US20120175702A1. Автор: Shuming Xu,Muhammed Ayman Shibib. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

METHOD FOR FORMING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160225880A1. Автор: CHEN TAI-JU,CHEN TE-CHIH,Lee Kung-Hong,Tang Chun-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hsu Wei-Lun,Shih Hung-Lin,Huang Hsin-Che,Chou Shyan-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method of lateral double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: KR100974697B1. Автор: 이용준. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-08-06.

Metal-oxide-semiconductor device having trenched diffusion region and method of forming same

Номер патента: KR101210014B1. Автор: 슈밍 수,무하메드 아이만 시비브. Владелец: 에이저 시스템즈 엘엘시. Дата публикации: 2012-12-07.

Method for improving electrical performance of PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor) device in silicon germanium CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) process

Номер патента: CN104392960A. Автор: 周建华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-04.

SOI (Silicon On Insulator) NMOS (N-channel Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method for improving ESD (Electronic Static Discharge) protection capability

Номер патента: CN104393049A. Автор: 杜宏亮,颜丙勇. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-04.

Metal-oxide-semiconductor device having trenched diffusion region and method of forming same

Номер патента: US8648445B2. Автор: Shuming Xu,Muhammed Ayman Shibib. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2014-02-11.

Metal oxide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: TW202230803A. Автор: 步東 游,夏春新. Владелец: 大陸商矽力杰半導體技術（杭州）有限公司. Дата публикации: 2022-08-01.

Metal oxide semiconductor device having recess and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-07.

Metal oxide semiconductor device capable of reducing on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200066878A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-02-27.

LATERAL-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE (LDMOS) AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140035034A1. Автор: Chen Chun-Wei,Lin An-Hung,Lin Hong-Ze,Huang Bo-Jui,Liao Wei-Shan,Yan Ting-Zhou,Chou Kun-Yi. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-02-06.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RECESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170054019A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-02-23.

LATERALLY DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180061981A1. Автор: Zhou Fei. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF REDUCING ON-RESISTANCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200066878A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

INCREASING THE BREAKDOWN VOLTAGE OF A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140167173A1. Автор: ITO Akira. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140175545A1. Автор: LEE Jian-Hsing,CHU Huan-Ping,Su Jin-Lian,Su Hung-Der,Kao Tzu-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20160099347A1. Автор: Han Guangtao,Zhang Shu,Sun Guipeng. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20140183628A1. Автор: ITO Akira. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

Multigate metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US20140191315A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

LATERAL-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150123197A1. Автор: Wu Wei-Ting,Chen Ming-Shing,CHANG Ming-Hui,Ning Chao-Chun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-05-07.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190115468A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Yeh Yu-Ting,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150137232A1. Автор: CHANG KUO-CHENG,Huang Tsung-Yi,Yang Ching-Yao,Liao Wen-Yi,Su Hung-Der. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190131390A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH A COMMON METAL GATE

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

LATERAL DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20220302305A1. Автор: HE Nailong. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MITIGATED THRESHOLD VOLTAGE ROLL-OFF AND THRESHOLD VOLTAGE ROLL-OFF MITIGATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180190773A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Lin Ying-Shiou. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RECESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180190819A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

TRENCH LATERAL DIFFUSION METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160211348A1. Автор: Yoshida Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Metal Oxide Semiconductor Devices and Fabrication Methods

Номер патента: US20160211367A1. Автор: Ponoth Shom,ITO Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20160240659A1. Автор: Zhang Sen,ZHANG Guangsheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

SINGLE POLY PLATE LOW ON RESISTANCE EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Wu Shyi-Yuan,Chan Wing-Chor. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-13.

Power metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20170263698A1. Автор: Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Tzu-Hsu Hsu. Владелец: Bright Toward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180331211A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chen Chu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20160372554A1. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

GALLIUM NITRIDE POWER AMPLIFIER INTEGRATION WITH METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190371895A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH A COMMON METAL GATE

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: CN111430460A. Автор: 周飞. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-17.

Metal oxide semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: CN105702727A. Автор: 陈德智,李昆鸿,唐俊荣,陈泰如. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-22.

Bi-directional metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2016101134A1. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,刘竞秀,李肇基. Владелец: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院. Дата публикации: 2016-06-30.

Isolated N-type LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103545346A. Автор: 刘剑,陈瑜. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Metal oxide semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: CN105702727B. Автор: 陈德智,李昆鸿,唐俊荣,陈泰如. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114695510A. Автор: 王浩,张森,张志丽,赵景川,何乃龙. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

Side diffused metal oxide semiconductor device for electrostatic discharge protection applications

Номер патента: DE102021116596A1. Автор: Prantik Mahajan,Elaine Xiao Mei Low,Kyong Jin HWANG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

PMOS (p-channel metal oxide semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104517851A. Автор: 林爱梅,吕瑞霖. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Method of making metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1026012A. Автор: Frank E. Holmes,Clement A.T. Salama. Владелец: Canadian Patents and Development Ltd. Дата публикации: 1978-02-07.

Transverse diffusion metal oxide semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104701372B. Автор: 张森,张广胜. Владелец: CSMC Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-27.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2022142229A1. Автор: 王浩,张森,张志丽,赵景川,何乃龙. Владелец: 无锡华润上华科技有限公司. Дата публикации: 2022-07-07.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device capable of reducing charge collection generated by radiation and preparation method thereof

Номер патента: CN102386186B. Автор: 张兴,杨东,黄如,黄芊芊,谭斐,安霞. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-19.

Groove of P-type LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor) device and process method

Номер патента: CN103872095A. Автор: 马彪,蔡莹,遇寒. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

Radio-frequency LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104538441A. Автор: 李娟娟,钱文生. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

High voltage metal-oxide semiconductor device

Номер патента: TW200503268A. Автор: Cheng-Fu Hsu,Tzu-Chiang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1166361A. Автор: Robert F. Pfeifer,Murray L. Trudel. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Devices and methods for enhancing insertion loss performance of an antenna switch

Номер патента: US11855012B2. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Devices and methods for enhancing insertion loss performnce of an antenna switch

Номер патента: US20240071961A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

6t sram architecture for gate-all-around nanowire devices

Номер патента: US20140312426A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Karthik Balakrishnan,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

PROCESS FOR MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: DE2500047A1. Автор: Kent F Smith,Robert J Huber,James N Fordemwalt,John W Hanson. Владелец: Arris Technology Inc. Дата публикации: 1975-07-10.

Methods of forming a nanowire device with a gate-all-around-channel configuration and the resulting nanowire device

Номер патента: CN105280709A. Автор: B·J·帕夫拉克. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A4. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: IL304357A. Автор: . Владелец: Mitsubishi Chem Corp. Дата публикации: 2023-09-01.

Metal-oxide-semiconductor device having improved performance and reliability

Номер патента: TWI325181B. Автор: Shuming Xu,Muhammed Ayman Shibib. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2010-05-21.

METHODS FOR FORMING FINS FOR METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20170200744A1. Автор: Ghani Tahir,Giles Martin D.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-07-13.

Dual-gate metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20060113601A1. Автор: Shuming Xu,Muhammed Shibib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Field plate and lateral diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN112447843A. Автор: 金华俊,陈淑娴,高桦. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-05.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW201140824A. Автор: Wei-Chieh Lin,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin,Ho-Tai Chen. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-16.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US8587056B2. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Ming-Cheng Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Transistor gate structure, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190378907A1. Автор: Shiming Wang,Zhanyuan Hu,Zhiseng HUANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method for the Same

Номер патента: US20130295728A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Selective oxidation processes for gate-all-around transistors

Номер патента: WO2024196677A1. Автор: Shawn Thomas,Christopher S. Olsen,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Edy Cardona. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Selective oxidation processes for gate-all-around transistors

Номер патента: US20240321584A1. Автор: Shawn Thomas,Christopher S. Olsen,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Edy Cardona. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

SELECTIVE ETCHING FOR GATE ALL AROUND ARCHITECTURES

Номер патента: US20170005176A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Murthy Anand S.,JR. Robert B.,SUNG Seung Hoon,TURKOT. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-05.

Metal spacer gate for metal oxide semiconductor device

Номер патента: AU2003263367A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kwong Hon Wong,Lawrence Alfred Clevenger,Cyril Cabral Jr.,Joseph Francis Shepard Jr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

LDMOS device and method for improved SOA

Номер патента: US8847312B2. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-30.

Diode Structure and Method for Gate All Around Silicon Nanowire Technologies

Номер патента: US20140217507A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

DOUBLE DIFFUSED DRAIN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH FLOATING POLY THEREON AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140175544A1. Автор: Wu Shyi-Yuan,Hu Chih-Min,Chan Wing Chor,Gong Jeng. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: US20090065875A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-03-12.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: WO2006043243A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

High Voltage Metal Oxide Semiconductor Device and Method for Making Same

Номер патента: US20110215403A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu,Hug-Der Su. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-09-08.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES WITH MULTIPLE DRIFT REGIONS

Номер патента: US20130256794A1. Автор: Jang Dong-Eun,KIM MIN-HWAN,Chang Hoon,Jang Jae-June,Lee Eung-Kyu,Bae Sung-Ryoul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES FOR RECOVERY CHARGE REMOVAL

Номер патента: US20180233561A1. Автор: Edwards Henry Litzmann. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

SOI (silicon-on-insulator) super-junction LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) device with buffer layer

Номер патента: CN102130176B. Автор: 徐大伟,夏超,程新红,俞跃辉,何大伟,王中健,宋朝瑞. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

VDMOS (Vertical Double-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor) device with non-uniform floating island structure

Номер патента: CN102420251A. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,张灵霞,邓光敏. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-04-18.

Integrated Circuit with a Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140131795A1. Автор: Lotfi Ashraf W.,Nigam Tanya,Lopata Douglas D.,Troutman William W.. Владелец: ENPIRION, INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

MANUFACTURING METHOD FOR A METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2635413A1. Автор: Kenya Sakurai,Masaharu Nishiura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-16.

III-V METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130140647A1. Автор: CHANG EDWARD YI,Lin Yueh-Chin. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-06.

SPLIT-GATE LATERAL DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140061790A1. Автор: Wu Shyi-Yuan,Chan Wing-Chor,Chu Chien-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Huang Chien-Hao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION, R.O.C.. Дата публикации: 2014-06-05.

LATERALLY DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220352369A1. Автор: Zhu Jing,Zhang Sen,Shi Longxing,Sun Weifeng,HE Nailong,Li Shaohong,ZHU GUICHUANG. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

A kind of power MOS (Metal Oxide Semiconductor) device

Номер патента: CN105070760B. Автор: 刘建平,周坤,魏杰,吴俊峰,张彦辉,马达,尹超,罗小蓉,谭桥. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-12-19.

Lateral diffusion type low on resistance MOS (metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN103280455A. Автор: 陈伟元. Владелец: Suzhou Vocational University. Дата публикации: 2013-09-04.

Transverse double-diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN107342325B. Автор: 童鑫,李胜,孙伟锋,叶然,刘斯扬,陆生礼,时龙兴,薛颖. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-31.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: JPS59198761A. Автор: Seiichi Iwamatsu,誠一 岩松. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1984-11-10.

Lateral diffused metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US9379237B1. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Manufacture of vertical metal oxide semiconductor device

Номер патента: JPS57211271A. Автор: Kenji Nishi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1982-12-25.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW200629555A. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent Charles Venezia. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2006-08-16.

Devices and methods for enhancing insertion loss performance of an antenna switch

Номер патента: US12142585B2. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

I/O DEVICE FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200279777A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US9564490B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US8633471B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US09548087B2. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20130163363A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20140293724A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: WO2011123583A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2011-10-06.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Huang Chien-Chung,Lai Chien-Ming,Wang Yu-Ping,Tsai Ya-Huei,Tseng Yu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150303114A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Methods for fabricating a metal-oxide-semiconductor device structure

Номер патента: US7951660B2. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Silicon gigabits per second metal-oxide-semiconductor device processing

Номер патента: EP0163729B1. Автор: Ping Keung Ko. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1989-08-09.

Method and apparatus for fabricating a high-performance band-edge complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US8097500B2. Автор: Takashi Ando,Bruce B. Doris,James Pan,Changhwan Choi,Vijay Narayanan,Young-Hee Kim,Eduard A. Cartier,Vamsi K. Paruchuri,Elizabeth A. Duch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

SOI (silicon on insulator) layer variable-doping BCD (Bipolar complementary Metal oxide semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN107221558B. Автор: 张波,余洋,乔明,梁龙飞,王睿迪,詹珍雅. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-07-10.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

GATE STACK QUALITY FOR GATE-ALL-AROUND FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190312120A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

N-type work function layer of NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) device, forming method thereof and MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) structure

Номер патента: CN112259449B. Автор: 徐建华,鲍宇. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Alignment monitoring structure and alignment monitoring method for semiconductor devices

Номер патента: US09589854B2. Автор: Dominik Olligs. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

GATE STACK QUALITY FOR GATE-ALL-AROUND FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20210126018A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Complementary metal oxide semiconductor device, and method for forming a metal oxide semiconductor device and a complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: KR100797138B1. Автор: 토마스 엔. 호스키,데일 씨. 제이콥슨. Владелец: 세미이큅, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-01-22.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH UNIFORM HYBRID CHANNELS

Номер патента: US20180331104A1. Автор: Cheng Kangguo,Yang Jie,Xu Peng,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Complementary metal oxide semiconductor device with an electroplated metal replacement gate

Номер патента: US20090275179A1. Автор: Hariklia Deligianni,John M. Cotte,Toshiharu Furukawa,William R. Tonti,Veeraraghavan S. Basker,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

MANUFACTURING METHODS FOR LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Khan Tahir A.,Grote Bernhard H.,Khemka Vishnu K.,Zhu Ronghua. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-05-30.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210125986A1. Автор: VELLIANITIS Georgios. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: WO2008070748A3. Автор: Darwin Gene Enicks. Владелец: Darwin Gene Enicks. Дата публикации: 2008-10-30.

FABRICATING METHOD OF TRENCH-GATE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140094013A1. Автор: LIU Kuan-Ling,UENG Shih-Yuan. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-03.

DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140120676A1. Автор: Huang Tsung-Yi,CHU Huan-Ping,Yang Ching-Yao,Su Hung-Der. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140120679A1. Автор: Huang Tsung-Yi,CHU Huan-Ping,Yang Ching-Yao,Su Hung-Der. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SEPARATE N-TYPE AND P-TYPE SOURCE/DRAINS USING A SINGLE SPACER DEPOSITION

Номер патента: US20180069003A1. Автор: Cheng Kangguo,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SEPARATE N-TYPE AND P-TYPE SOURCE/DRAINS USING A SINGLE SPACER DEPOSITION

Номер патента: US20180069004A1. Автор: Cheng Kangguo,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150079755A1. Автор: LEE Jian-Hsing,CHU Huan-Ping,Su Jin-Lian,Su Hung-Der,Kao Tzu-Cheng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION, R.O.C. Дата публикации: 2015-03-19.

SINGLE POLY PLATE LOW ON RESISTANCE EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Wu Shyi-Yuan,Chan Wing-Chor. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160155820A1. Автор: CHANG KUO-CHENG,Huang Tsung-Yi,Yang Ching-Yao,Liao Wen-Yi,Su Hung-Der. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-02.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: CN101548370A. Автор: 达尔文·吉恩·伊尼克斯. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-09-30.

Complementary metal oxide semiconductor device e.g. complementary metal oxide semiconductor transistor, has gate stacks whose second conductive layers are formed of different conductive materials

Номер патента: DE102007005328A1. Автор: Hyung-Suk Suwon Jung,Jong-ho Suwon Lee,Sung-Kee Seongnam Han,Ju-youn Suwon Kim,Jung-min Ansan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-06.

Method of manufacturing a laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20010051400A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: WO2008070748A2. Автор: Darwin Gene Enicks. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09876116B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09711646B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20170271504A1. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09425104B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Metal oxide semiconductor device, field effect transistor and method for forming metal contact therein

Номер патента: KR100754311B1. Автор: 김형준,아모스리키,부차난더글라스,캐브럴시릴주니어,칼레가리알레산드로,구하서프라틱,맥필리펜톤,나라야난비제이,로드벨케네스,유카스존. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2007-09-03.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102210325B1. Автор: 이성훈,이상문,조성호,이명재,모하메드 라킵 우딘,양문승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-01.

N-Channel Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130161750A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG,Griffoni Alessio,Thijs Steven,Linten Dimitri. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same

Номер патента: US09490325B2. Автор: Keith Doran Weeks. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Diode Structure and Method for Gate All Around Silicon Nanowire Technologies

Номер патента: US20140217509A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

6T SRAM ARCHITECTURE FOR GATE-ALL-AROUND NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20140312426A1. Автор: Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Chang Paul,Balakrishnan Karthik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

6T SRAM Architecture For Gate-All-Around Nanowire Devices

Номер патента: US20140315363A1. Автор: Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Chang Paul,Balakrishnan Karthik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

A semiconductor structure and a method of forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW200715558A. Автор: Fu-Liang Yang,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-16.

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Device Comprising Silicon and Germanium and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140008730A1. Автор: Liesbeth Witters,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-01-09.

Process for fabricating semiconductor device and method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen,Te-Lin Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

SUBSTRATE STRUCTURE, COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150115321A1. Автор: Cho Seong-ho,LEE Myoung-jae,Lee Sung-hun,LEE Sang-moon,YANG Moon-seung,Mohammad Rakib Uddin. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: TWI639221B. Автор: 李明宰,梁炆承,李商文,李成訓,穆罕默德 拉奇 武丁,趙成豪. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-21.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150069517A1. Автор: Cho Seong-ho,LEE Myoung-jae,Lee Sung-hun,LEE Sang-moon,Uddin Mohammad Rakib,YANG Moon-seung. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

METHODS FOR FORMING FINS FOR METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20140151814A1. Автор: Ghani Tahir,Giles Martin D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140191252A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-10.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: KR102104062B1. Автор: 이성훈,이상문,조성호,이명재,모하메드 라킵 우딘,양문승. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-04-23.

method for fabricvating complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: KR100252902B1. Автор: 김동선. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for forming the gate oxide of metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: EP1014432A1. Автор: Thomas Vogelsang,Wilfried Haensch,Juergen Faul. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Metal oxide semiconductor device having a common gate electrode for N and P channel MOS transistors

Номер патента: US5438214A. Автор: Yasuo Sato,Yuichi Egawa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

FORMATION OF COMMON INTERFACIAL LAYER ON Si/SiGe DUAL CHANNEL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181052A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

FORMATION OF COMMON INTERFACIAL LAYER ON Si/SiGe DUAL CHANNEL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180211885A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor integrated circuits containing complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: EP0138517B1. Автор: William Thomas Lynch,Gerald Allan Coquin,Louis Carl Parrillo. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1988-07-06.

Complementary metal-oxide semiconductor device

Номер патента: JPS6057961A. Автор: ハナフイ　エル　セイド　メレイス. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1985-04-03.

Memory device structure and method

Номер патента: US09406519B2. Автор: Kun-Tsang Chuang,Ping-Pang Hsieh,Chia Hsing Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12046694B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240339557A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09997662B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09433040B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

LIGHT-EMITTING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES AND ASSOCIATED SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS

Номер патента: US20200152823A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Schubert Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL FORMED USING LATERAL OVERGROWTH

Номер патента: US20160226222A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

LIGHT-EMITTING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES AND ASSOCIATED SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS

Номер патента: US20190371962A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Schubert Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Complementary Metal Oxide Semiconductor device, optical apparatus comprising CMOS device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102083495B1. Автор: 조영진,이상문. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-02.

Complementary metal oxide semiconductor device, optical apparatus including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9355917B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US10553745B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW201816944A. Автор: 肖德元. Владелец: 上海新昇半導體科技有限公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20120108000A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

ALIGNMENT MONITORING STRUCTURE AND ALIGNMENT MONITORING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160336240A1. Автор: OLLIGS Dominik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Machine learning-based scatterometry and feed forward techniques for gate-all-around transistors

Номер патента: US20240079254A1. Автор: Deepak Verma,Navnit Agarwal,Ayan Das. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

System and method for determining substrate doping density in metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US7512499B1. Автор: Jiankang Bu,William S. Belcher. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

LIGHT-EMITTING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES AND ASSOCIATED SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS

Номер патента: US20170047474A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Schubert Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL FORMED USING LATERAL OVERGROWTH

Номер патента: US20170075062A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIALLY FORMED MATERIAL

Номер патента: US20160103278A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL FORMED USING LATERAL OVERGROWTH

Номер патента: US20160105247A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIALLY FORMED MATERIAL

Номер патента: US20160252677A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

LIGHT-EMITTING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES AND ASSOCIATED SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS

Номер патента: US20180269350A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Schubert Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

LIGHT-EMITTING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES AND ASSOCIATED SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS

Номер патента: US20140368123A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Schubert Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Fabricating metal-oxide semiconductor device using a post-linear-anneal operation

Номер патента: US20210202300A1. Автор: Xi Zhou. Владелец: Yuncong Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

METHOD OF FORMING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307805A1. Автор: Huang Chien-Chung,Lai Chien-Ming,Wang Yu-Ping,Tsai Ya-Huei,Tseng Yu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: JPS59121969A. Автор: Koji Makita,Kazuyoshi Shinada,牧田　耕次,品田　一義. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-07-14.

Metal-oxide-semiconductor device having integrated bias circuit

Номер патента: US6956437B2. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Joel Morrison Lott. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2005-10-18.

Fabrication method of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) device

Номер патента: CN104217999A. Автор: 马斌,陈瑜,陈华伦,罗啸,郭振强. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-12-17.

Stabilisation of gate dielectric layer - in metal oxide semiconductor devices to reduce fixed oxide charge in layer

Номер патента: FR2290757A1. Автор: Martin Revitz,Stanley I Raider,Robert A Goula. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-06-04.

Method of manufacturing a complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: DE19727492A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Jae-Kap Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-02.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) devices having metal gate NFETs and poly-silicon gate PFETs

Номер патента: US8018005B2. Автор: William K. Henson,Hongwen Yan,Richard Stephen Wise,Bruce Bennett Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Manufacture of metal oxide semiconductor device

Номер патента: JPS59210659A. Автор: Satoshi Meguro,Norimasa Yasui,Kotaro Nishimura,光太郎 西村,目黒　怜,安井　徳政. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-11-29.

Monitoring NFET/PFET Skew in Complementary Metal Oxide Semiconductor Devices

Номер патента: US20100174503A1. Автор: Jeffrey H. Oppold,Bruce Balch,Anthony Wayne Fazekas,Mark C.H. Lamorey,Joseph James Oler, Jr.,Chirstopher Daniel Parkinson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Manufacturing method of NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102709195A. Автор: 徐强. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Semiconductor Structure and Preparing Method for Semiconductor Structure

Номер патента: US20220085195A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit device with a gate electrode structure and a corresponding method for the production

Номер патента: DE102007042950A1. Автор: Tim Boescke. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11876129B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Polysilicon film, the method for fabrication thereof, thin film transistor with the polysilicon film and organic light emitting display device with the thin film transistor

Номер патента: KR101050467B1. Автор: 서진욱,정윤모,최보경,이기용,이길원. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2011-07-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220315414A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chun-Wen Cheng,Shih-Wei Lin,Yi-Chuan Teng,Cheng-Yu Hsieh,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120326261A1. Автор: Chung-Yu Hung,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11895841B2. Автор: Chi-Pin Lu,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure and preparation method for semiconductor structure

Номер патента: US20220293422A1. Автор: Jun Wei,Huan Xia,Zijie Wang,Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for forming a low thermal budget spacer

Номер патента: US20050266622A1. Автор: Hichem M'Saad,Reza Arghavani,Ken MacWilliams. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Composite substrate, semiconductor structure, and manfufacturing method for composite substrate

Номер патента: US20240304675A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20140264621A1. Автор: Erh-Kun Lai,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Laminar structure and a production method for same

Номер патента: US09508995B2. Автор: Han Shin Choi,Hye Sook Joo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-11-29.

Temperature adjusting structure and temperature adjusting method for electric power storage device

Номер патента: US20160204487A1. Автор: Hirotaka WATANABE,Satoshi Morioka,Junta Katayama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor structure and method of fabricating same

Номер патента: US20230048193A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng,Zhengqing SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Structure and Method of Manufacturing for a Hermetic Housing Enclosure for a Thermal Shock Proof, Zero Thermal Gradient Imaging or Sensing Core

Номер патента: US20230140390A1. Автор: Bryan Keith Patmon,Wei Kiong Tan. Владелец: T Smart Systems LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Manufacturing method for semiconductor structure, and pixel structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120153392A1. Автор: Isaac Wing-Tak Chan,Chih-Hung Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-06-21.

Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement

Номер патента: EP4107780A1. Автор: Lori Washington,Zhiyuan Ye,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Yi-Chiau Huang,Xianzhi Tao,Chen-ying WU,John Timothy Boland,Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Structure and manufacturing method for high resolution camera module

Номер патента: US20140098287A1. Автор: Chung-Yu Yang,Chun-Lung HUANG,Hsiu-Wen Tu,Cheng-Chang Wu,Rong-Chang WANG,Jo-Wei YANG. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement

Номер патента: WO2021167752A1. Автор: Lori Washington,Zhiyuan Ye,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Yi-Chiau Huang,Xianzhi Tao,Chen-ying WU,John Timothy Boland,Papo CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement

Номер патента: US12015042B2. Автор: Errol Antonio C Sanchez,Lori Washington,Zhiyuan Ye,Schubert Chu,Yi-Chiau Huang,Xianzhi Tao,Chen-ying WU,John Timothy Boland,Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Surface treating system for a substrate having a compact structure and surface treating method for the substrate

Номер патента: KR101298220B1. Автор: 장승일,안길수. Владелец: 주식회사 엠엠테크. Дата публикации: 2013-08-22.

Nanostructured thermoelectric elements, other ultra-high aspect ratio structures and hierarchical template methods for growth thereof

Номер патента: US8932766B1. Автор: Justin J. Hill. Владелец: Mainstream Engineering Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement

Номер патента: EP4107780A4. Автор: Lori Washington,Zhiyuan Ye,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Yi-Chiau Huang,Xianzhi Tao,Chen-ying WU,John Timothy Boland,Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US11906577B2. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Wafer-level package with metal shielding structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09831197B1. Автор: Wei-Ping Wang,Tsan-Lien Yeh,Kuan-Tien Shen,Szu-Chuan Pang. Владелец: SIGURD MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor packaging structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09892988B2. Автор: Diann-Fang Lin,Yu-Shan Hu. Владелец: DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210296208A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Auxiliary electrode transfer structure and manufacturing method for display panel

Номер патента: US20210336186A1. Автор: Chunhsiung FANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220199490A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Inductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US12131863B2. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11776873B2. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in-package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: US20160372450A1. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in-package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: US09633985B2. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Epitaxial structure and epitaxial growth method for forming epitaxial layer with cavities

Номер патента: US09673353B2. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU,Jhao-Cheng YE. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Epitaxial structure and epitaxial growth method for forming epitaxial layer with cavities

Номер патента: US09601661B2. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU,Jhao-Cheng YE. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Misalignment test structure and method thereof

Номер патента: US7217581B2. Автор: Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie-Jiang Wu,Bo-Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

SOI Structure and Method for Utilizing Trenches for Signal Isolation and Linearity

Номер патента: US20130181321A1. Автор: Paul D. Hurwitz,Robert L. Zwingman. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2013-07-18.

Pixel structure based on inkjet printing technology and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190273206A1. Автор: Chun Hsiang Fang,Yuan Chun Wu,Po Yen Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210398911A1. Автор: Po-Sheng Huang,Lee-Cheng Shen,Chao-Hsuan Wang. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2021-12-23.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20230284463A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Chip structure, packaging structure and manufacturing method for chip structure

Номер патента: US11769745B2. Автор: Liye Duan,Zongmin LIU,Mengjun Hou,Jijing HUANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US20220404416A1. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Inductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220336145A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory, memory substrate structure, and preparation method for memory substrate structure

Номер патента: EP3971974A1. Автор: Zhen Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Method for manufacturing boundary acoustic wave device

Номер патента: US09466782B2. Автор: Hajime Kando,Mari SAJI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Epitaxial structure and epitaxial growth method for forming epitaxial layer with cavities

Номер патента: US20170148951A1. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU,Jhao-Cheng YE. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Junction structure and junction method for conductive projection

Номер патента: US20050056445A1. Автор: Yuji Nishitani,Hiroshi Asami,Ken Orui,Hiroko Jinno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in- package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: WO2015018174A1. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Thick wire structure and dual damascene method for forming it (dual damascene process for forming thick wire structure)

Номер патента: JP2009524257A. Автор: クールボー、ダグラス、ディー,ダウンズ、キース、イー,リンドグレン、ピーター、ジェイ,スタンパー、アンソニー、ケイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Pinboard and preparation method thereof, encapsulating structure and the bonding method for pinboard

Номер патента: CN104409364B. Автор: 王璐,王谦,刘子玉,蔡坚,魏体伟. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-01.

EPITAXIAL STRUCTURE AND EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER WITH CAVITIES

Номер патента: US20140008766A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei,Ye Jhao-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Stacked package structure and stacked packaging method for chip

Номер патента: US20170110441A1. Автор: Xiaochun Tan. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Epitaxial structure and epitaxial growth method for forming epitaxial layer with cavities

Номер патента: US20170148951A1. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU,Jhao-Cheng YE. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

EPITAXIAL STRUCTURE AND EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER WITH CAVITIES

Номер патента: US20170154769A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei,Ye Jhao-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

EPITAXIAL STRUCTURE AND EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER WITH CAVITIES

Номер патента: US20150228853A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei,Ye Jhao-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

EPITAXIAL STRUCTURE AND EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER WITH CAVITIES

Номер патента: US20150228854A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei,Ye Jhao-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

STACKED CAPACITOR STRUCTURE AND A FABRICATING METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140312460A1. Автор: LEE TZUNG-HAN. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2014-10-23.

STACKED PACKAGE STRUCTURE AND STACKED PACKAGING METHOD FOR CHIP

Номер патента: US20200328191A1. Автор: Tan Xiaochun. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Three dimensional integrated circuit structures and hybrid bonding methods for semiconductor wafers

Номер патента: KR101403110B1. Автор: 핑인 리우,씽후아 황,랜린 차오,치아시응 짜이. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-06-03.

A kind of closed structure and its manufacture method for wafer-level packaging

Номер патента: CN105600738B. Автор: 贾斌,祝明国,胡念楚. Владелец: RDA MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CORP Ltd. Дата публикации: 2018-02-02.

A semiconductor structure and a forming method for a semiconductor device

Номер патента: CN102208384B. Автор: 陈宪伟,郑心圃,林立伟,苏安治,王姿予,谢棋君. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

Porous silicon structures and laser machining methods for semiconductor wafer processing

Номер патента: WO2017136672A1. Автор: David Masayuki Ishikawa,Jonathan S. Frankel,Fatih Mert OZKESKIN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-08-10.

Magnetic screen encapsulating structure and its manufacturing method for MRAM device

Номер патента: CN109559998A. Автор: 高山,郑富阳. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-04-02.

Graphene sheet combining graphite flake structure and its manufacturing method, and slurry for manufacturing the same

Номер патента: US10066141B2. Автор: Lain-Jong Li,Feng-Yu Wu,Hsiu-Pin Chang,Jonathan Ross,Chih-Chieh CHAN,Tung Chou,Wen-Hsien LIAO. Владелец: Nitronix International Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Vehicle installation structure and vehicle installation method for fuel cell stack

Номер патента: US20210078414A1. Автор: Satoshi Ajisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Vehicle installation structure and vehicle installation method for fuel cell stack

Номер патента: US11752886B2. Автор: Satoshi Ajisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Lithium titanate crystal structure, complex of lithium titanate crystal structure and carbon, manufacturing method for same, electrode and electrochemical element using same

Номер патента: CN102884003A. Автор: 石本修一,直井胜彦,直井和子,玉光贤次. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Engagement structure and engagement method for the same

Номер патента: US20240322486A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivegrand International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Cathode active material for lithium secondary battery and method for manufacturing the same

Номер патента: US09972834B2. Автор: Min-Suk Kang,Sun-Sik Shin,Myung-Ki Lee,Wang-Mo Jung,Chi-Ho Jo,Woo-Yeon Kong,Hye-Lim Jeon,Geun-Gi Min. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Doped and coated nickel-rich cathode active materials and methods thereof

Номер патента: EP4460477A2. Автор: Vineet Haresh Mehta,Andrew Phillip ULVESTAD,Sanketh GOWDA,Jesse Steven WILSON. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2024-11-13.

Transparent and electrically conductive film having a multi-layer structure and a production method for the same

Номер патента: EP2571031A4. Автор: Dong Ryul Kim,Jang Yeon HWANG,Sang Uk Ryu,Hyeon Woo Jang,Bon Suk Koo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-11-30.

Doped and coated nickel-rich cathode active materials and methods thereof

Номер патента: WO2023133133A2. Автор: Vineet Haresh Mehta,Andrew Phillip ULVESTAD,Sanketh GOWDA,Jesse Steven WILSON. Владелец: Tesla, Inc.. Дата публикации: 2023-07-13.

Doped and coated nickel-rich cathode active materials and methods thereof

Номер патента: WO2023133133A3. Автор: Vineet Haresh Mehta,Andrew Phillip ULVESTAD,Sanketh GOWDA,Jesse Steven WILSON. Владелец: Tesla, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

WIRE CONNECTION STRUCTURE FOR THREE-PHASE SHEATH TYPE HEATER, THREE-PHASE SHEATH TYPE HEATER PROVIDED WITH THE STRUCTURE, AND WIRE CONNECTION METHOD FOR THREE-PHASE SHEATH TYPE HEATER

Номер патента: US20140110399A1. Автор: NORITAKE Kensuke,NISHIBE Norio. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

A terminal crimp connection structure and terminal crimping method for crimping a terminal on a copper alloy wire and wire harness with the terminal crimp connection structure

Номер патента: DE102008005695A1. Автор: Tetsuro Makinohara Ide,Hideto Makinohara Kumakura,Satoshi Makinohara Yagi,Shigeharu Makinohara Suzuki,Kenji Makinohara Suzuki. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

A communication system, and a radio station, a method of controlling a controllable structure and a computing method for use in such a communication system

Номер патента: KR100707294B1. Автор: 라울 브루조네,압델바헤브 마르주키,유하 라펠리. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2007-04-16.

Transparent and electrically conductive film having a multi-layer structure and a production method for the same

Номер патента: EP2571031B1. Автор: Dong Ryul Kim,Jang Yeon HWANG,Sang Uk Ryu,Hyeon Woo Jang,Bon Suk Koo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-07-04.

LAMINAR STRUCTURE AND A PRODUCTION METHOD FOR SAME

Номер патента: US20140120457A1. Автор: Choi Han Shin,Joo Hye Sook. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2014-05-01.

TEMPERATURE ADJUSTING STRUCTURE AND TEMPERATURE ADJUSTING METHOD FOR ELECTRIC POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20160204487A1. Автор: Watanabe Hirotaka,KATAYAMA Junta,MORIOKA Satoshi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-07-14.

Electrolyte injection hole structure and electrolyte injection method for lithium ion battery

Номер патента: CN103682238A. Автор: 张玉花,叶张军,吴志川. Владелец: JIANGSU HAIFU NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Electromagnetic armouring structure and its installation method for aero-engine ignition installation's power source socket seal interface

Номер патента: CN109273906A. Автор: 王晖,梁杰,李新虎. Владелец: Shaanxi Aero Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-25.

Transparent and electrically conductive film having a multi-layer structure and a production method for the same

Номер патента: WO2011142622A3. Автор: 김동렬,황장연,류상욱,장현우,구본석. Владелец: (주)Lg화학. Дата публикации: 2012-04-19.

Packaging structure and relative manufacturing method for passive component

Номер патента: TW200635002A. Автор: Han-Cheng Hsu,Xin-Hua Li. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2006-10-01.

Textile-type electronic component package and method, method for mounting the same on textile

Номер патента: KR101199483B1. Автор: 김지은,손용기,김배선. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2012-11-09.

Method for processing the signals from two or more microphones in a listening device and listening device with plural microphones

Номер патента: EP1673964A1. Автор: Kim Spetzler c/o Oticon A/S Petersen. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2006-06-28.

Method for processing the signals from two or more microphones in a listening device and listening device with plural microphones

Номер патента: US20120163641A1. Автор: Kim S. Petersen. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2012-06-28.

Threshold voltage adjusting method and device, CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) device, electronic equipment and storage medium

Номер патента: CN111240392B. Автор: 刘艳,陈晓杰,董业民,单毅. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2021-07-27.

Simulation method for extreme low-temperature characteristics of typical CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN108875192B. Автор: 万博,付桂翠,冷红艳,姜贸公. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-25.

Metal oxide semiconductor device for use in uhf electronic article surveilance systems

Номер патента: KR101723554B1. Автор: 밍-렌 리안,리차드 로이드 코페랜드. Владелец: 센소매틱 일렉트로닉스, 엘엘씨. Дата публикации: 2017-04-05.

Metal oxide semiconductor device for use in uhf electronic article surveillance systems

Номер патента: CA2745999A1. Автор: Richard Loyd Copeland,Ming-Ren Lian. Владелец: Sensormatic Electronics LLC. Дата публикации: 2010-06-17.

Metal oxide semiconductor device for use in uhf electronic article surveillance systems

Номер патента: CN102246214B. Автор: R·L·科普兰,连明仁. Владелец: Sensormatic Electronics LLC. Дата публикации: 2014-05-14.

Photosensitive resin composition, photosensitive film, rib pattern formation method, hollow structure and formation method for same, and electronic component

Номер патента: US09625814B2. Автор: Sadaaki Katou,Junichi Kamei. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Superconducting quantum chip structure and superconducting quantum chip preparation method

Номер патента: EP4227862A1. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Superconducting quantum chip structure and fabrication method for superconducting quantum chip

Номер патента: US20240037438A1. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Conductive structure, manufacturing method for conductive structure, article including conductive structure, and manufacturing method for article including conductive structure

Номер патента: US20230337331A1. Автор: Kenta Nishijima,Takashi Morioka,Tatsuki Hasegawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Network structure and service providing method for supporting multicast and broadcast service in mobile communication network

Номер патента: EP4007439A4. Автор: Youngkyo Baek,Jungje SON,Sangsoo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Multi-stage analog-to-digital converter with pipeline structure and method for coding the same

Номер патента: US20040070530A1. Автор: Seung-bin You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

Encapsulation structure and encapsulation method for flexible organic light-emitting diode device

Номер патента: US11943954B2. Автор: Wenzhi Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Cooling system and methods

Номер патента: US20230422390A1. Автор: Shuaib Badat,Justin Eugene Evans,Cody Hubman. Владелец: Evanswerks Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Grounding structure and grounding method of vacuum tube audio amplifier

Номер патента: CA3013505A1. Автор: Hsi-Hsien Chen. Владелец: Echowell Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Grounding structure and grounding method of vacuum tube audio amplifier

Номер патента: CA3013505C. Автор: Hsi-Hsien Chen. Владелец: Echowell Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

NETWORK STRUCTURE AND SERVICE PROVIDING METHOD FOR SUPPORTING MULTICAST AND BROADCAST SERVICE IN MOBILE COMMUNICATION NETWORK

Номер патента: US20220279319A1. Автор: JEONG Sangsoo,SON Jungje,BAEK Youngkyo. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Protocol structure and service providing method for cdma packet data service using wireless lan and portable internet, and mobile communication terminal therefor

Номер патента: KR100612698B1. Автор: 박성수,이상신,우대식. Владелец: 에스케이 텔레콤주식회사. Дата публикации: 2006-08-16.

Rotor structure and rotor manufacturing method for permanent magnet type rotating electrical machine

Номер патента: WO2014030547A1. Автор: 徹 仲田,浩平 室田. Владелец: 日産自動車株式会社. Дата публикации: 2014-02-27.

Coil inserting structure and coil inserting method for alternating current motor winding

Номер патента: CN113410934A. Автор: 彭飞飞,陈敬东,朱锡辉,万滨滨. Владелец: Kangfu Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

Super frame structure and beacon scheduling method for mesh networking

Номер патента: US20100085930A1. Автор: Chang Sub SHIN,Wun Cheol Jeong,Anseok Lee,So Young Hwang,Seong Soon Joo,Jong Suk Chae. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-04-08.

A kind of circuit structure and its design method for filtering power splitter

Номер патента: CN107332534A. Автор: 李伟,朱芳,彭猛. Владелец: Leihua Electronic Technology Research Institute Aviation Industry Corp of China. Дата публикации: 2017-11-07.

The optical network structure and data transport method for IPTV data transport

Номер патента: KR101029365B1. Автор: 최병화,윤경모,이선무. Владелец: 주식회사 케이티. Дата публикации: 2011-04-13.

A preamble structure and a syncronous method for frequency offset correction in ofdm-fdma/cdma/tdma system

Номер патента: KR100807719B1. Автор: 장경희,노정호,선태형. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-02-28.

Superframe structure and beacon scheduling method for mesh networking

Номер патента: KR101255535B1. Автор: 주성순,채종석,정운철,신창섭,이안석,황소영. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2013-04-16.

The electric automobile dynamic radio electric power system in parallel based on multistage composite resonance structure and use the method for supplying power to that this system realizes

Номер патента: CN104682580B. Автор: 宋凯,逯仁贵,朱春波,张剑韬,魏国,郭尧. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-02.

Layout routing structure and layout routing method for improving SI performance of signal

Номер патента: US11126777B2. Автор: Ning Wu. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Heat dissipation structure and heat dissipation method for electronic controller

Номер патента: CN114867330B. Автор: 郑学强. Владелец: Qingdao Hishing Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-06-23.

Electric motor having wire connection structure and wire connection method for the same

Номер патента: US8358041B2. Автор: Masafumi Sakuma,Ryoji Mizutani,Shigetaka Isogai. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-22.

Circuit and method for detecting frequency of a clock signal and latency signal generation circuit of semiconductor memory device with the circuit

Номер патента: KR100594278B1. Автор: 김명오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for radio transmission of service data between a radio beacon and a mobile electronic information device with a radio connection evaluates data received to facilitate access to information and services for subscribers

Номер патента: DE10056204A1. Автор: Patrick Robertson,Michael Angermann,Alexander Steingas. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2002-05-23.

Method for displaying information on a mobile device dependent on the geographical position of a mobile device with respect to a stationary device and on its physical movement

Номер патента: EP2963893A1. Автор: Nicolas Martiquet,Romain Piveteau,Christian Trotobas. Владелец: Intellicore Services. Дата публикации: 2016-01-06.

Method for charge control of nickel-cadmium and nickel-metal hydride batteries and universal power supply device with various power sources

Номер патента: DE102005036157A1. Автор: Oliver Dr. Lang. Владелец: Solarc Innovative Solarprodukte GmbH. Дата публикации: 2007-02-01.

SUCTIONED MATERIAL DETECTOR AND METHOD, METHOD FOR DETECTING ALIGNMENT ERRORS, AND CLEANING METHOD USING THIS DETECTOR

Номер патента: DE69726575T2. Автор: Katsunobu Nerima-ku FURUTA. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

SUCTIONED MATERIAL DETECTOR AND METHOD, METHOD FOR DETECTING ALIGNMENT ERRORS, AND CLEANING METHOD USING THIS DETECTOR

Номер патента: DE69726575D1. Автор: Katsunobu Furuta. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Method for radio transmission of service data between a radio beacon and a mobile electronic information device with radio connection

Номер патента: DE50103857D1. Автор: Dipl-Ing Angermann,Dipl-Ing Steingass,Dr Robertson. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2004-11-04.

Form-rolling die structure and form-rolling method for compound screw

Номер патента: US20140338412A1. Автор: Michiwaki Hiroshi. Владелец: Next Innovation GK. Дата публикации: 2014-11-20.

Alignment coating structure and alignment coating method for substrate

Номер патента: US20220050335A1. Автор: Guizhi MA,Yongkal LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

A unit-type wrapped non-destructive reinforcement structure and a construction method for stone slabs

Номер патента: LU505975B1. Автор: Yixian Wu,Jianjun Yang,Kewei HUANG,Jizhuo Huang,Wangsheng Xu,Liwang Zheng,Wuxuan Wu. Владелец: Fuzhou Architectural Science Res Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for pose estimation of an imaging device and for determining the location of a medical device with respect to a target

Номер патента: AU2019217999A1. Автор: Oren P. Weingarten,Ron Barak,Ariel Birenbaum,Guy Alexandroni. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2020-07-30.

System and method for pose estimation of an imaging device and for determining the location of a medical device with respect to a target

Номер патента: US11896414B2. Автор: Oren P. Weingarten,Ron Barak,Ariel Birenbaum,Guy Alexandroni. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2024-02-13.

Automotive window laminate structure, thermoplastic laminated sheet structure for use therein, and method for producing said automotive window laminate structure via heat pressure laminating process

Номер патента: EP4433304A1. Автор: Bartholomeus Leonardus Marinus Borcherd Driehuis. Владелец: Autoglas D&k BV. Дата публикации: 2024-09-25.

Structure and Method for Producing a Precious Metal Thin-Film Laminate

Номер патента: US20140377517A1. Автор: Paul Diffendaffer,Laurie Johansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Multi-blocks structure and method for forming a composite part from said structure

Номер патента: CA3240649A1. Автор: Serge Luquain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Cleaning apparatus for 3D printing structure and cleaning method for 3D printing structure using the same

Номер патента: US12036739B2. Автор: Hui Suk Yun,Honghyun Park. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing unidirectional textile fabric

Номер патента: RU2756286C2. Автор: Ронни ВОККАТЦ,Сюхей ЙОСИДА,Дирк ОРТМАННС,Йосуке НАКАМУРА,Хидекадзу ЙОСИКАВА. Владелец: Тейджин Карбон Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-09-29.

Method for producing micro-mesoporous zeolite y and zeolite obtained by this method

Номер патента: RU2650897C1. Автор: Ирина Игоревна Иванова,Елена Евгеньевна Князева,Ирина Вячеславовна Добрякова,Ангелина Александровна Маерле. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2018-04-18.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US10112825B2. Автор: Weng-Yi Chen,Kuan-Yu Wang,Te-Huang Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Extracorporeal circulation circuit, fluid processing device, connection structure, and processing method for fluid processing device in extracorporeal circulation circuit

Номер патента: EP4233933A1. Автор: Keisuke Inoue,Mutsumi Yamamoto,Ryohei IZUMI. Владелец: JMS Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Temperature control structure and temperature control method for transport container

Номер патента: US20240255208A1. Автор: Akio Sugimoto. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Composite nano-substance of cocoa-charcoal cladded conjugate structure and manufacturing method for yarn thereof

Номер патента: US20230093187A1. Автор: Si-Rong Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-23.

Automotive window laminate structure, thermoplastic laminated sheet structure for use therein, and method for producing said automotive window laminate structure via heat pressure laminating process

Номер патента: CA3237413A1. Автор: Bartholomeus Leonardus Marinus Borcherd Driehuis. Владелец: Autoglas D & K BV. Дата публикации: 2023-05-19.

Article of footwear having a sole structure including a fluid-filled chamber and an outsole, the sole structure, and methods for manufacturing

Номер патента: US9750307B2. Автор: Benjamin J. Monfils,Lee D. Peyton,II Fidencio CAMPOS. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Mounting structure and mounting method for hood of cab

Номер патента: MY201348A. Автор: Xing Zhang,Yangchun Min,Xihong Jin,Fengqin Liu,Xiaorong Yang. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-19.

Fastening structure and fastening method

Номер патента: US11841040B2. Автор: Kouki Tomimura,Akiyoshi Hikosaka. Владелец: Nippon Steel Nisshin Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Modular unit for filling and method

Номер патента: RU2635382C2. Автор: Даниэль ПИ. Владелец: ДР. ПИ ИНСТИТЬЮТ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-11-13.

Package structure and packaging method

Номер патента: US20130266774A1. Автор: Pinyen Lin,Yu-Fu Kang. Владелец: Touch Micro System Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for producing aluminum oxide powder by electrochemical dissolving aluminum salt

Номер патента: US20230203674A1. Автор: Yang-Kuao Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2023-06-29.

Support frame system for transportation and surface rotation of structures, and pivoting support method for lifting structures

Номер патента: WO2020044287A1. Автор: Eusebio SALAMANCA CASTIBLANCO. Владелец: Saviv Publicidad Y Cia S.A.S. Дата публикации: 2020-03-05.

Temperature control structure and temperature control method for transport container

Номер патента: EP4321825A1. Автор: Akio Sugimoto. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Cover attachment structure and cover attachment method for cover attachment structure

Номер патента: US20180325224A1. Автор: Yuko Fukuda,Wanli Zhang,Hikaru Okuyama. Владелец: YKK Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Sock structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200237022A1. Автор: Yih-Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Vehicle body front structure and shock absorption method for vehicle body front structure

Номер патента: JP6457959B2. Автор: 明 小林,健 安井,小林　明,広和 小林,安井　健,幸康 原,哲寛 有馬,靖人 佐藤,智哉 竹田,小林　広和,明洋 池谷,英生 樋口. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-23.

Method for maintaining fluid ejecting apparatus, and fluid ejecting apparatus

Номер патента: US20100289851A1. Автор: Eiichiro Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

THERMOACOUSTIC INSULATION MODULE FOR AN AIRCRAFT, COMPRISING A MAT AND A LOAD-BEARING STRUCTURE, AND THERMOACOUSTIC INSULATION METHOD FOR INSULATING AN AIRCRAFT BY MEANS OF SUCH A MODULE

Номер патента: US20180178897A1. Автор: De Kergommeaux Matthieu,GUERING Bernard. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

The auxiliary floating system of installation and/or transport for offshore structure and including the method for the system

Номер патента: CN109790823A. Автор: J·S·塞尔纳·加西亚-孔德,M·A·费尔南德斯·戈麦斯. Владелец: Esther C AG. Дата публикации: 2019-05-21.

Backlash preventing guide assembly supporting armrest movable between extention position and withdrawal position or other structure, and backlash preventing method for slide mechanism

Номер патента: JPH1182663A. Автор: Fang John,Masanori Hara,Ichiro Sasaki,一郎 佐々木,正徳 原,ファング ジョン. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-26.

Aluminium Foil with Improved Barrier Property

Номер патента: US20230323514A1. Автор: Michael Eberhard,Michael Wimmer,Stefan Holz,Gunter Schubert,Galyna LAPTYEVA,Jan Simmer,Dirk Calmer. Владелец: Speira GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

PIVOTAL ATTACHING STRUCTURE AND PIVOTAL ATTACHING METHOD FOR RELATIVELY ROTATING MEMBERS

Номер патента: US20150016869A1. Автор: SUZUKI Hiroyuki. Владелец: SHIROKI CORPORATION. Дата публикации: 2015-01-15.

VEHICLE INSTALLATION STRUCTURE AND VEHICLE INSTALLATION METHOD FOR FUEL CELL STACK

Номер патента: US20210078414A1. Автор: Ajisaka Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

FORM-ROLLING DIE STRUCTURE AND FORM-ROLLING METHOD FOR COMPOUND SCREW

Номер патента: US20140338412A1. Автор: Hiroshi Michiwaki. Владелец: NEXT INNOVATION INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

A floating offshore structure and a management method for the same

Номер патента: KR101848963B1. Автор: 이동진. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2018-04-16.

Hologram Structure and Hologram Recording Method for Vehicle's Holographic Center-Mount Stop Light System

Номер патента: KR940013999A. Автор: 티. 스미스 로날드,이. 위리드 죠,빌 거다오 마이크,우퍼 리챠드. Владелец: 원다 케이. 덴슨-로우. Дата публикации: 1994-07-16.

A floating offshore structure and a management method for the same

Номер патента: KR101848965B1. Автор: 이동진. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2018-04-16.

A floating offshore structure and a management method for the same

Номер патента: KR101848966B1. Автор: 이동진. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2018-04-16.

Method for the production of tools made of alloyed steel and tools in particular for the chip-removing machining of metals

Номер патента: CA2755067C. Автор: Devrim Caliskanoglu,Gert Kellezi,Andreas Baernthaler. Владелец: Boehler Edelstahl GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-07-18.

A kind of Wing structure and its assemble method for vehicle

Номер патента: CN106364573B. Автор: 杜伟,李红艳,汪万松. Владелец: Zhejiang Geely New Energy Commercial Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-19.

Wafer-level package structure and its packaging method for radio-frequency micro electromechanical system

Номер патента: CN106927419B. Автор: 刘泽文,龚著浩. Владелец: SIMEMS MICRO/NANO SYSTEM Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Welding process structure and welding process method for locomotive guide cylinder

Номер патента: CN113649737B. Автор: 张洋,宋爽,孙彤,胡雪婷,徐琳琳,辛淼,尹光哲,周双起,刘长灵,关立明. Владелец: CRRC Dalian Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Heat insulation structure and heat insulation method for liquid nitrogen heat exchange equipment

Номер патента: CN115371455A. Автор: 王成林,杨少康. Владелец: Ruiqi Shanghai Environmental Engineering Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Aluminum alloy material, aluminum alloy structure, and a manufacturing method for the same

Номер патента: BR112014013132A2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2018-08-21.

Structure and motion planning method for downpipe three-dimensional crossing pipeline climbing robot

Номер патента: CN111673720A. Автор: 张兴国,骆杨,胡晓彤,陆金霞. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2020-09-18.

Paper structure and the production method for being formed on its surface groove pattern

Номер патента: CN108312642A. Автор: 黄扬清. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-24.

Pleated filter structure and air filtering method for air cleaner

Номер патента: CN107148309A. Автор: 苏婧,J·玛拉. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2017-09-08.

A kind of hydraulic oil cylinder driving punching trimming mode structure and its punching method for cutting edge

Номер патента: CN106424674B. Автор: 上官文斌,黎帆. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-15.

A floating offshore structure and a management method for the same

Номер патента: KR101848964B1. Автор: 이동진. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2018-04-16.

Packing box structure and glass substrate method for packing

Номер патента: CN105366152B. Автор: 葛丹萍. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-03.

Textile thread structure and speed determining method for e.g. spinning machine, involves dividing laser beam into two beams such that beams run on top of each other at angle during emission from wedge prism to intersect beams at thread

Номер патента: DE102006015170A1. Автор: Martin Linden,Ferdinand J. Prof. Dr. Hermanns,Peter Prof. Dr. Kohns. Владелец: Vienco GmbH. Дата публикации: 2007-10-04.

Temperature control structure and temperature control method for transport container

Номер патента: WO2022254987A1. Автор: 明男 杉本. Владелец: 株式会社神戸製鋼所. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for screwing in and unscrewing a screw with the aid of a screwdriver, and screw and screwdriver with improved head for implementing the method

Номер патента: FR2585609A1. Автор: . Владелец: Tran Dinh Can. Дата публикации: 1987-02-06.

Method for automatically bending longitudinal workpieces comprises using a spacer measuring step with a spacer measuring device with slides

Номер патента: DE202004009261U1. Автор: . Владелец: MAE Maschinen und Apparatebau Goetzen GmbH. Дата публикации: 2005-12-01.

Head unit assembling device and method, method for making other devices therewith

Номер патента: CN1274496C. Автор: 中村真一,山田善昭. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for manufacture of solid monolithic aluminium structure and aluminium product manufactured by mechanical cutting from such structure

Номер патента: RU2345172C2. Автор: Кристиан Йоахим КАЙДЕЛЬ,Альфред Лудвиг ХАЙНЦ,Кристиан Йоахим КАЙДЕЛЬ (DE),Альфред Лудвиг ХАЙНЦ (DE). Владелец: Корус Алюминиум Вальцпродукте Гмбх. Дата публикации: 2009-01-27.

Method for preparing composition

Номер патента: RU2244542C2. Автор: Патрик БУССОН,Марко ШРЁДЕР. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2005-01-20.

Concrete foundation structure and construction method for same

Номер патента: AU2019439273A1. Автор: Yumiko FUNAKOSHI,Yu NAGAYAMA. Владелец: Prex Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Concrete foundation structure and construction method for same

Номер патента: AU2019439273B2. Автор: Yumiko FUNAKOSHI,Yu NAGAYAMA. Владелец: Prex Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Laminated structure, a touch display having a laminated structure, and a laminating method thereof

Номер патента: US09684397B2. Автор: Wei Wang,Jia WU,Yau-Chen Jiang,Pingping Huang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Washer and fastening structure, and fastening release method

Номер патента: EP4411153A1. Автор: Hiroshi Saeki. Владелец: Nippon Plarad Co. Дата публикации: 2024-08-07.

Nano- or micro-emulsion compositions and methods of use thereof

Номер патента: US20240335382A1. Автор: Giorgio Dell'Acqua,Pamela SCOCA,Roland Peralta. Владелец: Nutraceutical Wellness Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Pressure equalizing structure and pressure equalizing method for gasification furnace apparatus

Номер патента: US09422489B2. Автор: Osamu Shinada,Yasunari Shibata,Kenta Haari. Владелец: Mitsubishi Hitachi Power Systems Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Systems and methods for three-dimensional navigation of objects

Номер патента: US12080003B2. Автор: Eric Finley,Justin Smith,Yehiel Shilo,Nissim AVITAN. Владелец: Nuvasive Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems and methods for three-dimensional navigation of objects

Номер патента: EP4035128A1. Автор: Eric Finley,Justin Smith,Yehiel Shilo,Nissim AVITAN. Владелец: Nuvasive Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Dry ice preparation device, and air exhaust structure and air exhaust method for dry ice preparation device

Номер патента: US20240270581A1. Автор: QI Lin,Tongying SHI. Владелец: Xiamen Jin Rui Yi Industrial & Trading Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing synthetic granulated nap zeolite

Номер патента: RU2652210C1. Автор: Валерий Юрьевич Прокофьев,Наталья Евгеньевна Гордина,Екатерина Михайловна Константинова,Александра Петровна Храмцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2018-04-25.

Scaffolding, coupling device and method for erecting a scaffolding

Номер патента: US12077974B2. Автор: Ralph Gerardus Franciscus Herman Kweens,Petrus Christianus Johannus Maria Van Oers,Antonius Johannus Marinus Van Leent. Владелец: Brand Infrastructure Services BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Road structure, formwork jig, and method for constructing road structure

Номер патента: PH12021550584A1. Автор: Satoshi Matsunaga,Hitoshi Ozoe,Keisuke SHIOTA. Владелец: Jfe Civil Eng And Construction Corporation. Дата публикации: 2021-10-25.

Filter for cooling water of a primary circuit of a nuclear power station, and a method for filtering cooling water

Номер патента: US20130003909A1. Автор: Arne BROCKMÖLLER-MEINERS. Владелец: AREVA NP GMBH. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for integrated assessment of indicators determining the technical condition of pipeline systems, and a monitoring system for its implementation

Номер патента: RU2767263C1. Автор: Дмитрий Михайлович Ляпичев,Максим Михайлович Адмакин,Михаил Георгиевич Полетаев,Андрей Александрович Корниенко,Станислав Викторович Романов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газэнергоэкспертиза". Дата публикации: 2022-03-17.

Cooling structure and method for control rod drive device and atomic reactor

Номер патента: EP2246860A1. Автор: Nobuki Uda,Chikara Kurimura. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-03.

Scintillator structure and a method for emitting an output signal at a specific wavelength range

Номер патента: WO2021070175A1. Автор: Raphael Dahan,Ido KAMINER,Yaniv KURMAN,Orr BEER. Владелец: TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LTD.. Дата публикации: 2021-04-15.

Scintillator structure and a method for emitting an output signal at a specific wavelength range

Номер патента: US11828890B2. Автор: Raphael Dahan,Ido KAMINER,Yaniv KURMAN,Orr BEER. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Liquid tank puncture repair kit and method

Номер патента: US20060272723A1. Автор: Thomas Ohnstad,Russell Monk,James Jackson Henry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-07.

Stabbing system for installing offshore jacket structure and installation method of offshore jacket structure using the same

Номер патента: US20230313481A1. Автор: Jae-yong RYOO,Seung-hoon CHANG. Владелец: K Bets. Дата публикации: 2023-10-05.

Liquid tank puncture repair kit and method

Номер патента: WO2006052287A1. Автор: Thomas S. Ohnstad,Russell A. Monk,James J. M. Henry. Владелец: Henry James J M. Дата публикации: 2006-05-18.

Liquid tank puncture repair kit and method

Номер патента: EP1800050A1. Автор: Thomas S. Ohnstad,James J.M. Henry,Russell A. Monk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for preparing starch phosphate using phytate

Номер патента: US20210017298A1. Автор: Eun Young Park,Seung-Taik Lim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2021-01-21.

Photonic spectrometry device and method, method for calibrating the device, and use of the device

Номер патента: US09400336B2. Автор: Eric Berruyer. Владелец: AREVA NP SAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for producing dermal matrix

Номер патента: RU2694543C1. Автор: Наталья Николаевна Сарбаева,Марина Николаевна Милякова,Юлия Вячеславовна Пономарева. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Артбио". Дата публикации: 2019-07-16.

Circuit and method for an SRAM with two phase word line pulse

Номер патента: US7505345B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Fu-Chieh Hsu,Chia Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Sphagnum moss composition for the production of sheeted absorbent and method for evaluating the potential of sphagnum moss material for absorbing liquid

Номер патента: CA2107154C. Автор: Yvon Levesque,Sylvaine Cote,Denis Gallagher. Владелец: Johnson and Johnson Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Nano- or micro-emulsion compositions and methods of use thereof

Номер патента: EP4297715A1. Автор: Giorgio Dell'Acqua,Pamela SCOCA,Roland Peralta. Владелец: Nutraceutical Wellness Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Compact, high-speed, rotary actuator and transducer assembly with reduced moment of inertia and mass-balanced structural overlap with drive motor, and organizing method for the same

Номер патента: CA2090543A1. Автор: Stanley F. Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-08-28.

Method for measuring the length variation of a spring, and spring with associated sensor

Номер патента: US20080007254A1. Автор: Mauro Del Monte. Владелец: MD Micro Detectors SpA. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for quantifying the morphological regularity degree of the pellucid zone in embryos and oocytes

Номер патента: EP2856427A1. Автор: Stefano Bizzi,Luca Galli. Владелец: Advanced Computer Systems Acs SpA. Дата публикации: 2015-04-08.

Method for quantifying the morphological regularity degree of the pellucid zone in embryos and oocytes

Номер патента: WO2013182929A1. Автор: Stefano Bizzi,Luca Galli. Владелец: Advanced Computer Systems A.C.S. S.P.A.. Дата публикации: 2013-12-12.

Supplementary Feeding Structure and Supplementary Feeding Method for Calves

Номер патента: LU503045B1. Автор: Li Li,Xuedong Yang. Владелец: Guizhou Extension Station Of Grassland Tech. Дата публикации: 2023-05-15.

Illumination structure and light distributing method for the illumination structure

Номер патента: US20180066821A1. Автор: Yi Chen,Tzu-Tse Huang,Chuan-Kao Wei,Chih-Wei Tseng,Yi-Ren Lin. Владелец: Adi Optics. Дата публикации: 2018-03-08.

COVER ATTACHMENT STRUCTURE AND COVER ATTACHMENT METHOD FOR COVER ATTACHMENT STRUCTURE

Номер патента: US20180325224A1. Автор: Zhang Wanli,FUKUDA Yuko,Okuyama Hikaru. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Board for rolling with biaxial suspension, suspension and method of their obtaining and providing

Номер патента: RU2704943C2. Автор: Джон Р. МАРУСЯК,Джон А. СОЛЕЙМ,Эрик В. КОУЛ. Владелец: Карстен Мэньюфэкчуринг Корпорейшн. Дата публикации: 2019-10-31.

Leakage prevention structure and leakage prevention method for repairing leaks of concrete structures

Номер патента: KR102273788B1. Автор: 최상국,최동석,윤현호,구성만. Владелец: 최동석. Дата публикации: 2021-07-06.

Reinforcing structure and a reinforcing method for joints among structural members

Номер патента: KR100381443B1. Автор: 나니와 렌다로. Владелец: 후구비카가구코오교우가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-04-23.

An elastic joint equipment of one unit for jointing part of channel or structure and a successive method for constructing channel or structure utilizing it

Номер патента: KR100403389B1. Автор: 문영규. Владелец: 주식회사 화신. Дата публикации: 2003-10-30.

Crack repair primer of building structure and crack repair method for concrete structure using therefor

Номер патента: KR102226268B1. Автор: 윤영랑,윤영집. Владелец: 주식회사 세기엔지니어링. Дата публикации: 2021-03-11.

the setting apparatus for precast concrete structure and the setting method for precast concrete structure using the same

Номер патента: KR101779400B1. Автор: 김선국,홍원기,임지영,김지순. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-09-19.

State determination device for structure and state determination method for structure

Номер патента: WO2013190973A1. Автор: 茂 葛西,宗一朗 高田,三上　伸弘. Владелец: 日本電気株式会社. Дата публикации: 2013-12-27.

Illumination structure and light distributing method for the illumination structure

Номер патента: US10883691B2. Автор: Yi Chen,Tzu-Tse Huang,Chuan-Kao Wei,Chih-Wei Tseng,Yi-Ren Lin. Владелец: Adi Optics. Дата публикации: 2021-01-05.

A Joint Located Between Precast Reinforcement Concrete Structures And Reinforcement Arranging Method For Reinforcement Concrete Structure

Номер патента: SG11201913639UA. Автор: Wai Man Leung. Владелец: P&T Architects And Eng Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Trajectory generation method for drone target tracking

Номер патента: ZA202400138B. Автор: ZHU Jun,DUAN Zhizhuang,Huang Ruiyang,DONG Haoqin,Su Menglong. Владелец: Xingzhi College Zhejiang Normal Univ. Дата публикации: 2024-07-31.

STRESS DETECTION DEVICE FOR LIGHT-TRANSMISSIVE STRUCTURE AND STRESS DETECTION METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20150377722A1. Автор: LIU Fang,FENG Hongbo,DONG Ruijun,ZENG Zhihui,SU YUEFENG. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Silane-based resins that can be photochemically and/or thermally structured and single-step method for their production

Номер патента: EP1453886B1. Автор: Lothar Froehlich,Stéphane Jacob,Michael Popall,Ruth Houbertz-Krauss. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2008-07-02.

The rail fixed structure and it's method for which a spring clip and this were used

Номер патента: KR101072860B1. Автор: 권호진,황광하,박광련,유응대. Владелец: 삼표이앤씨 주식회사. Дата публикации: 2011-10-17.

POROUS MATERIAL BASED ON SILICA AND PORTLANDITIS FOR FILLING AN INSULATING BRICK WITH A CONTROLLED STRUCTURE AND AN APPROPRIATE METHOD FOR PRODUCING

Номер патента: RU2014103102A. Автор: Паскаль ДЕЛЬ-ГАЛЛО,Жером КАНТОННЕ. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2015-08-10.

A kind of flexible connecting structure and its construction method for filling wall and main body frame

Номер патента: CN108222283A. Автор: 李娜,何颖,梁清华,杜金鹏,陈培奇,周晓洁. Владелец: Tianjin Chengjian University. Дата публикации: 2018-06-29.

A polyisocyanurate foam or a with polyurethane modified polyisocyanurate foam, and also a method for preparing this foam

Номер патента: CA2010373C. Автор: Joost Monstrey,Bart Wallaeys. Владелец: Recticel NV SA. Дата публикации: 2000-12-19.

Apparatus for reinforcing blocks for recovering deteriorate in concrete structures and its construction method for recovering using it thereof

Номер патента: KR100871143B1. Автор: 정시영. Владелец: 정시영. Дата публикации: 2008-12-05.

The tie fixation structure and it's method for which the side pressure arrester and this were used

Номер патента: KR101067836B1. Автор: 권호진,박춘복,황광하,오의진. Владелец: 삼표이앤씨 주식회사. Дата публикации: 2011-09-27.

Holder for holding vibration sensor comprising neodymium magnet and STS structure and the measurement method for the amount of vibration on smelting furnace using thereof

Номер патента: KR102456095B1. Автор: 최홍준. Владелец: 주식회사 위앤아이티. Дата публикации: 2022-10-18.

Method for evaluating the potential of sphagnum moss material for absorbing liquid

Номер патента: US5661997A. Автор: Yvon Levesque,Sylvaine Cote,Denis Gallagher. Владелец: Johnson and Johnson Inc. Дата публикации: 1997-09-02.

Object i.e. stent, structure and geometry determining method for use in coordinate measuring device, involves arranging tactile, image processing and X-ray sensors in X, Y and Z directions of coordinate measuring device relative to object

Номер патента: DE102009043823A1. Автор: . Владелец: WERTH MESSTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2010-07-29.

ALIGNMENT COATING STRUCTURE AND ALIGNMENT COATING METHOD FOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220050335A1. Автор: MA Guizhi,LI Yongkal. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

LAYOUT ROUTING STRUCTURE AND LAYOUT ROUTING METHOD FOR IMPROVING SI PERFORMANCE OF SIGNAL

Номер патента: US20210224461A1. Автор: Wu Ning. Владелец: ZHENGZHOU YUNHAI INFORMATION TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-22.

FORM-ROLLING DIE STRUCTURE AND FORM-ROLLING METHOD FOR COMPOUND SCREW

Номер патента: US20140308092A1. Автор: Hiroshi Michiwaki. Владелец: NEXT INNOVATION INC.. Дата публикации: 2014-10-16.

PRESSURE EQUALIZING STRUCTURE AND PRESSURE EQUALIZING METHOD FOR GASIFICATION FURNACE APPARATUS

Номер патента: US20140345198A1. Автор: Shibata Yasunari,Shinada Osamu,HAARI Kenta. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

HEIGHT-ADJUSTABLE FAN FIXING STRUCTURE AND HEIGHT ADJUSTMENT METHOD FOR FAN MODULE

Номер патента: US20190331133A1. Автор: Yang Jie,CAO Zhencai,LI Xiaozheng. Владелец: ZHENGZHOU YUNHAI INFORMATION TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-31.

Floor sound-absorbing structure and the construction method for preventing interlayer noise

Номер патента: KR101624963B1. Автор: 강성구. Владелец: 강성구. Дата публикации: 2016-05-27.

Structure and temperature cotrol method for cold storage room of refrigerator

Номер патента: KR100301466B1. Автор: 김석노. Владелец: 구자홍. Дата публикации: 2001-09-22.

Soil-nail Structure and Soil-nailing method for slope-reinforcement-construction

Номер патента: KR100448037B1. Автор: 곽윤형,곽근우. Владелец: 함형운. Дата публикации: 2004-09-16.

Detection structure and stress detection method for internal prestressed tendons

Номер патента: CN109341923B. Автор: 林琳,张�浩,王利,王云,赵晓磊,郑琳,张鹏辉,屈娜,朱莉亚,申炎炎,贺钰钦,赵淑鹏,王中榜,王学永,徐煊紫,王星辰. Владелец: Zhengzhou Communications Planning Survey & Design Institute. Дата публикации: 2020-05-01.

A flow valve structure and flow changing method for a bidet

Номер патента: KR100585194B1. Автор: 윤순형. Владелец: 주식회사 삼홍테크. Дата публикации: 2006-05-30.

Underpinning structure and underpinning construction method for twice system conversion pile foundation

Номер патента: CN111560976A. Автор: 张宁,刘永峰,张永光,胡亮,龚妇容,王克飞,田卓伦,茹广府,曾剑,王孝胜,冯亚斌,高彦福,万巧叶. Владелец: PowerChina 11th Bureau Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-21.

Soil-nail Structure and Soilr-nailing method for slope-reinforcement-construction

Номер патента: KR100448039B1. Автор: 곽윤형. Владелец: 곽윤형. Дата публикации: 2004-09-18.

METALLIC WIRE COMPRISING A STEEL SUBSTRATE HAVING A WRINKLE - TYPE RECTANGULAR STRUCTURE AND A COATING; METHOD FOR OBTAINING THIS WIRE.

Номер патента: FR2672827A1. Автор: Arnaud Jean-Claude,Prudence Bernard,Serre Raoul. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 1992-08-21.

Unidirectional heat dissipation asphalt pavement structure and its construction method for Plateau Permafrost Areas

Номер патента: CN109338841A. Автор: 江磊,王声乐. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-15.

A structure and the manufacturing method for friction parts on concrete pump

Номер патента: CN1742159A. Автор: 韩乐洙. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-01.

Wafer structure and epitaxial growth method for growing the same

Номер патента: US20060151797A1. Автор: Sung-soo Park. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Position matching structure and position matching method for two-sided stepper

Номер патента: WO2014048211A1. Автор: 徐春云. Владелец: 无锡华润上华半导体有限公司. Дата публикации: 2014-04-03.

Floating track structure and its construction method for vibration prevention

Номер патента: KR19980081939A. Автор: 이상진. Владелец: 신종서. Дата публикации: 1998-11-25.

Reinforcing structure and reinforcing construction method for cement-soil compaction pile of ultra-shallow buried collapsible loess tunnel foundation

Номер патента: CN105951707A. Автор: 张湘,彭小兵,邵正辉,吴韩飞,周再升. Владелец: China Tiesiju Civil Engineering Group Co Ltd CTCE Group. Дата публикации: 2016-09-21.

A kind of suction barrel shape foundation structure and its installation method for silt sea bed

Номер патента: CN107724420B. Автор: 王立忠,周文杰,国振. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2019-04-12.

Processor having cache structure and Cache management method for elevating operation speed

Номер патента: KR100486259B1. Автор: 박성배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-03.

A kind of location structure and its localization method for small space steel pipe column

Номер патента: CN107227738A. Автор: 吴宝华,陈树禹. Владелец: Metro Engineering Co Ltd of China Railway 16th Bureau Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Anti-vibration pad having a reaction filler around its perimeter, structure and the construction method for anti-vibration therewith

Номер патента: KR101472050B1. Автор: 유영찬,최기선. Владелец: 한국건설기술연구원. Дата публикации: 2014-12-15.

Intersection Structure and Signal Control Method for Effective Allocation of Car Signal time

Номер патента: KR100808286B1. Автор: 이창민,김진태,김재웅,김성대,이정택,이돈주,하동익. Владелец: 주식회사 에스컨자인. Дата публикации: 2008-03-03.

Impermeable structure and impermeable construction method for sea surface disposal site

Номер патента: JP4876102B2. Автор: 望 小竹,千里 野々村,聖司 根岸,正樹 松下,良樹 北浦. Владелец: Toyo Construction Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Sealing structure and its encapsulating method for gaseous fuel

Номер патента: CN107250641B. Автор: 阿兰·M·J·图切特,尼沙·S·西里尔. Владелец: Westport Power Inc. Дата публикации: 2019-06-07.

Re-greening structure and re-greening method for mine side slope of northwest windbreak forest zone

Номер патента: CN114197499A. Автор: 王旭东,韩莉,李建勇,卢姣姣,石宇光. Владелец: Fujian Luhai Ecological Technology Center Co ltd. Дата публикации: 2022-03-18.

Rotor spindle structure and its assemble method for gas-turbine unit

Номер патента: CN108005786A. Автор: B.W.米勒,B.H.埃尔塔斯. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-05-08.

Online structure and parameter identification method for dynamic power load model

Номер патента: CN106599541A. Автор: 朱涛,王晨曦,朱建全,黄俊铭,刘明波,易江文,庄远灿. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-04-26.

Dried hanging hang structure and its application method for stone curtain wall

Номер патента: CN105604223B. Автор: 李燕丽,申利宾,李宴玲. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-25.

Surface treatment structure and surface treatment method for die-casting aluminum alloy part

Номер патента: CN104691053A. Автор: 杨光明,陆任锋. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2015-06-10.

A kind of new suction barrel shape foundation structure and its installation method for silt sea bed

Номер патента: CN107724420A. Автор: 王立忠,周文杰,国振. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2018-02-23.

Wafer structure and epitaxial growth method for growing the same

Номер патента: US20090181525A1. Автор: Sung-soo Park. Владелец: Samsung Corning Precision Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Temperature sensing structure and temperature detection method for conduction cooling high-temperature superconducting cable

Номер патента: CN112484874B. Автор: 杨勇,李晓航,师阳,吴云翼,韩晶旺. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2022-02-11.

Methods for depth sensing using candidate images selected based on an epipolar line

Номер патента: EP4252188A1. Автор: Steven John Lovegrove,Zijian Wang,James Steven Hegarty,Yongjun Kim,Rajesh Lachhmandas Chhabria. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for Managing a System of Geographical Information Adapted for Use With at Least One Pointing Device, With Creation of Associations Between Digital Objects

Номер патента: US20140176312A1. Автор: Romano Philippe,Giraudon Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Method for Managing a System of Geographical Information Adapted for Use With at Least One Pointing Device, with Creation of Purely Virtual Digital Objects

Номер патента: US20140188877A1. Автор: Romano Philippe,Giraudon Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

SYSTEM AND METHOD FOR POSE ESTIMATION OF AN IMAGING DEVICE AND FOR DETERMINING THE LOCATION OF A MEDICAL DEVICE WITH RESPECT TO A TARGET

Номер патента: US20190239837A1. Автор: Weingarten Oren P.,Barak Ron,Birenbaum Ariel,Alexandroni Guy. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

SYSTEM AND METHOD FOR POSE ESTIMATION OF AN IMAGING DEVICE AND FOR DETERMINING THE LOCATION OF A MEDICAL DEVICE WITH RESPECT TO A TARGET

Номер патента: US20190239838A1. Автор: Weingarten Oren P.,Barak Ron,Birenbaum Ariel,Alexandroni Guy. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

System and method for pose estimation of an imaging device and for determining the location of a medical device with respect to a target

Номер патента: US11712213B2. Автор: Oren P. Weingarten,Ron Barak,Ariel Birenbaum,Guy Alexandroni. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for calibrating a head-up display, control device for carrying out such a method, calibration device with such a control device, and head-up display with such a calibration device

Номер патента: DE102020005844A1. Автор: XIANG Gao,Kai Wu. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for managing a system of geographical information adapted for use with at least one pointing device, with creation of associations between digital objects

Номер патента: US10074266B2. Автор: Philippe Romano,Vincent Giraudon. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2018-09-11.

System and method for pose estimation of an imaging device and for determining the location of a medical device with respect to a target

Номер патента: CA3088277A1. Автор: Oren P. Weingarten,Ron Barak,Ariel Birenbaum,Guy Alexandroni. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for designing an abutment

Номер патента: US8077942B2. Автор: Jiun-Ren Chen,Hong-Tzong Yau,Chuan-Chu Kuo,Chine-An Chen. Владелец: Pou Yu Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-13.

Method for the contactless detection of an object in an environment of a vehicle, driver assistance device with an ultrasound sensor device and vehicle with such a driver assistance device

Номер патента: DE102011122318A1. Автор: Michael Hallek,Paul-David Rostocki. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for attaching a fiber with a fiber Bragg sensor segment to a component or storage device with such a fiber

Номер патента: DE102018214195A1. Автор: Defeng Lang,Ben Koperdraad. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD FOR MANAGING A GEOGRAPHIC INFORMATION SYSTEM ADAPTED TO BE USED WITH AT LEAST ONE POINTING DEVICE, WITH THE CREATION OF PURELY VIRTUAL DIGITAL OBJECTS.

Номер патента: FR3000241A1. Автор: Philippe Romano,Vincent Giraudon. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2014-06-27.

PHOTONIC SPECTROMETRY DEVICE AND METHOD, METHOD FOR CALIBRATING THE DEVICE, AND USE OF THE DEVICE

Номер патента: US20140003579A1. Автор: Berruyer Eric. Владелец: AREVA NP. Дата публикации: 2014-01-02.

SYSTEMS AND METHODS METHOD FOR PROVIDING AN INTERACTIVE HELP FILE FOR HOST SOFTWARE USER INTERFACES

Номер патента: US20170235582A1. Автор: Ramirez Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

DATA PROCESSING APPARATUS AND METHOD, METHOD FOR COMPILING AN APPLICATION FOR RUNNING BY A DATA PROCESSOR, AND, COMPUTER-READABLE STORAGE MEANS

Номер патента: BR112013019824B1. Автор: Alastair David Reid. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-06-15.

Gas leak determining method for e.g. convector, involves connecting distribution system or system`s part to suite or device with control unit interrupting gas supply when gas quantity is greater or equal to quantity filling buffer chamber

Номер патента: BE1017016A5. Автор: Paul Andre,Radigues Hugues De. Владелец: . Дата публикации: 2007-12-04.

Photonic spectrometry device and method, method for calibrating the device, and use of the device

Номер патента: KR101894959B1. Автор: 에릭 베뤼예. Владелец: 아레바 엔피. Дата публикации: 2018-09-04.

HAIR COMPOSITION, HAIR TREATMENT SYSTEM AND METHOD, METHODS FOR CHANGING HAIR COLOR AND HAIR SHAPE, AND, MULTICOMPARTMENT KITS

Номер патента: BR112018010344B1. Автор: Anthony Potin,Michael DeGeorge,Gerard Provot,Kimberly Christine DREHER,Dariusz DANIELSKI,Fabien Pascal BOULINEAU,Caroline Rahmouna Françoise GOGET,Allison Chin,Mara APPLEBAUM,Mary Abraam SOLIMAN,Ashley Ann FIGATNER,Megan PAUKER,Emmanuel Appiah- Amponsah. Владелец: L'oreal. Дата публикации: 2021-08-10.

High-level synthesis apparatus and method, method for producing logic circuit using the high-level synthesis method, and recording medium

Номер патента: EP1267287A2. Автор: Mitsuhisa Ohnishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-12-18.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024233059A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-14.

Double diffused drain metal-oxide-semiconductor devices with floating poly thereon and methods of manufacturing the same

Номер патента: TW201143090A. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Chih-Min Hu,yong-chu Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for manufacturing dual-layer gate of a metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW457569B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-10-01.

Metal oxide semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TW200845372A. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-11-16.

Method for fabricating lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW201021129A. Автор: Po-Chih Su. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI281727B. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-05-21.

Three-dimensional complementary metal oxide semiconductor device structure and producing method thereof

Номер патента: CN1610113A. Автор: 宋志棠,刘卫丽,封松林,陈邦明. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2005-04-27.

Method for effectively realizing MOS (Metal-Oxide Semiconductor) device with low threshold voltage

Номер патента: CN102136427A. Автор: 徐挺,江石根,谢卫国,雷红军,杜坦. Владелец: SUZHOU HUAXIN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130075816A1. Автор: KIM Jong Min,YOO JAE HYUN. Владелец: Dongbu HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130093016A1. Автор: Ko Choul Joo,CHO Cheol Ho. Владелец: Dongbu HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-04-18.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130093017A1. Автор: Ko Choul Joo. Владелец: Dongbu HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-04-18.

LATERAL DOUBLE DIFFUSION METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130126969A1. Автор: Hong Kyoung Kook,Lee Jong Seok. Владелец: HYUNDAI MOTOR COMPANY. Дата публикации: 2013-05-23.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: TWI517403B. Автор: 李琮雄,張睿鈞. Владелец: 世界先進積體電路股份有限公司. Дата публикации: 2016-01-11.

VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with shield grid and preparation method of VDMOS device

Номер патента: CN102569386A. Автор: 缪进征,李陆萍,金勤海. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Metal oxide semiconductor device with characteristics of rapid change in electric resistance against concentration for the device of reducible gases and preparation process

Номер патента: JPS5270892A. Автор: Mitsutoshi Hirata. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Metal oxide semiconductor devices having doped silicon-comprising capping layers and methods for fabricating the same

Номер патента: TW201128713A. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

HIGH VOLTAGE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW ON-STATE RESISTANCE

Номер патента: US20120267716A1. Автор: KAO Ching-Hung,Yang Sheng-Hsiong. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-10-25.

PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Wang Yu-Ren,Sun Te-Lin,Lin Chien-Liang,Yen Ying-Wei. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-03-21.

Preparation method of trench grid VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with ultra-thin source region

Номер патента: CN102832134B. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,张蒙,赵起越,张灵霞,邓光敏. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2014-12-03.

A kind of silicon carbide groove profile field oxygen power MOS (Metal Oxide Semiconductor) device with embedded heterojunction diode self-shield

Номер патента: CN109768090A. Автор: 胡盛东,安俊杰. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2019-05-17.

nLDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) device with ESD (electronic static discharge) protection function

Номер патента: CN102790087A. Автор: 张波,何川,樊航,蒋苓利,吴道训. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-11-21.

A kind of division grid-type power MOS (Metal Oxide Semiconductor) device with groove

Номер патента: CN102938417B. Автор: 王颖,胡海帆,焦文利. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2015-12-02.

High voltage metal oxide semiconductor device with low on-state resistance

Номер патента: TW201244086A. Автор: Ching-Hung Kao,Sheng-Hsiong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TWI338370B. Автор: Chih Nan Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Lateral-diffusion metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW201210018A. Автор: Chin-Lung Chen,Wei-Shan Liao,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Han-Min Huang,Chun-Yao Lee,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Manufacturing method of lateral diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW201114032A. Автор: Bo-Jui Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-16.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW200905878A. Автор: Chih-Nan Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Metal oxide semiconductor device for electrostatic discharge protective circuit

Номер патента: TWI231034B. Автор: Steven Sang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-04-11.

Metal oxide semiconductor device for electrostatic discharge protective circuit

Номер патента: TW200605314A. Автор: Steven Sang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-01.

Fabrication method of metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW392219B. Автор: Jian-Ting Lin,Wen-Guan Ye,Jin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

Formation of laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW486776B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-11.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120292698A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

Integrated Circuit With A Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20120306011A1. Автор: . Владелец: ENPIRION, INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

Formation method for VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102148164A. Автор: 楼颖颖,克里丝. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2011-08-10.

Method for making complementary type metal-oxide semiconductor device

Номер патента: CN102194749B. Автор: 赵林林. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-06-12.

Method for detecting source leakage defect of PMOS (P-channel metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102193062B. Автор: 吴浩,赵宁,龙吟,王恺,范荣伟. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Method for detecting doping defects of MOS (Metal Oxide Semiconductor) device

Номер патента: CN102054723A. Автор: 方浩,杜建,张克云,王德进,蔡建瓴. Владелец: Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-11.

Method for manufacturing complementary metal oxide semiconductor device structure

Номер патента: CN102299111B. Автор: 张力群,赵林林. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Method for detecting source leakage defect of PMOS (P-channel metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102193062A. Автор: 吴浩,赵宁,龙吟,王恺,范荣伟. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Modeling method for SOI (silicon on insulator) H-gate MOS (metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102982215A. Автор: 毕津顺,罗家俊,卜建辉,韩郑生. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-03-20.

Preparation method for grid of RFLDMOS (radio frequency laterally diffused metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102403208A. Автор: 王雷,王海军. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for making complementary type metal-oxide semiconductor device

Номер патента: CN102194749A. Автор: 赵林林. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Surface passivation method for germanium-based MOS (Metal Oxide Semiconductor) device substrate

Номер патента: CN102206799A. Автор: 张兴,李志强,黄如,郭岳,安霞,林猛. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-10-05.

Method for measuring gate-to-body current of metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW546484B. Автор: Ke-Wei Su,Jau-Kang He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

Metal oxide semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TWI341027B. Автор: Ching Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012938A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

III-V METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120032279A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

LATERAL-DIFFUSION METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120049277A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF FABRICATING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120108000A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

HIGH-VOLTAGE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120168862A1. Автор: YANG Ming-Tzong,LEE Ming-Cheng,Cheng Tao. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187483A1. Автор: Huang Tsung-Yi,CHU Huan-Ping,Yang Ching-Yao,Su Hung-Der. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120187484A1. Автор: CHO Cheol-Ho,Ko Choul-Joo. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

THREE-DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120228713A1. Автор: CHANG Yao-Jen,CHEN Kuan-Neng. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

LATERAL-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE (LDMOS) AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120286359A1. Автор: Chen Chun-Wei,Lin An-Hung,Lin Hong-Ze,Huang Bo-Jui,Liao Wei-Shan,Yan Ting-Zhou,Chou Kun-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PREDETERMINED THRESHOLD VOLTAGE AND A METHOD OF MAKING

Номер патента: US20130105915A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Wu Po-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-02.

Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130168767A1. Автор: Chen Chun-Wei,Lin An-Hung,Lin Hong-Ze,Huang Bo-Jui,Liao Wei-Shan,Yan Ting-Zhou,Chou Kun-Yi,Jian Ming-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130181211A1. Автор: LAI Tai-Hsiang,Chen Lu-An,Tang Tien-Hao,WANG Chang-Tzu. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-07-18.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Yang Ching-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130313641A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Huang Chien-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140001551A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140021544A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Huang Chien-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061786A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

High-voltage insulation type LDNMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor) device and manufacture method thereof

Номер патента: CN102136493B. Автор: 陈雄斌,陈瑜,熊涛,陈华伦,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Split-gate trench power MOS (Metal Oxide Semiconductor) device integrating schottky

Номер патента: CN103247538A. Автор: 王颖,刘云涛,邵雷,胡海帆. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2013-08-14.

Transverse-diffusion MOS (Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101924131B. Автор: 苏庆,徐向明. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Transverse diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN208385412U. Автор: 王猛,喻慧,彭川,杜益成,游步东,黄贤国. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-01-15.

Extremely-low on resistance shallow slot buried channel VDMOS (vertical double diffusion metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102097478A. Автор: 张超,张波,李婷,任敏,李泽宏,刘小龙,姜贯军,余士江,谢加雄. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-06-15.

ESD (electrostatic discharge) high-voltage DMOS (diffused metal oxide semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102130163B. Автор: 钱文生. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Manufacturing method of NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102709193A. Автор: 徐强. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Radiofrequency LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104701368A. Автор: 钱文生. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-06-10.

Manufacturing method of NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) device by stress memorization technique

Номер патента: CN102768993A. Автор: 张海洋,黄怡,李凡. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-07.

MOS (Metal Oxide Semiconductor) device for ESD (Electrostatic Discharge) protection of integrated circuit chip

Номер патента: CN103280458A. Автор: 张波,樊航,蒋苓利,盛玉荣,曲黎明. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-09-04.

Horizontal-groove metal-oxide semiconductor device

Номер патента: CN102487082A. Автор: 刘剑,陈瑜. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Three-dimensional multi-gate high-voltage P type transverse double-diffused metal-oxide semiconductor device

Номер патента: CN100369265C. Автор: 孙伟锋,陆生礼,时龙兴,易扬波,宋慧滨. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-02-13.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: TWI581430B. Автор: 黃建銘,林信光,王瓏智,楊哲青,陳俊名. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-01.

Low-power consumption bandwidth multiplication chopping stabilized operational amplifier based on MOS (metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102158181B. Автор: 许军,赵晓,王敬,梁仁荣,方华军. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-02-27.

Structure of radiation-resistant MOS (Metal Oxide Semiconductor) device based on partially-consumed type SOI (Silicon-On-Insulator) process

Номер патента: CN102347367A. Автор: 罗静,于宗光,周昕杰,薛忠杰. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2012-02-08.

Preparation method of vertical trench MOS (Metal Oxide Semiconductor) device

Номер патента: CN102130003A. Автор: 金勤海,沈今楷. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Groove MOS (Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103367437B. Автор: 朱江. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-26.

Groove schottky MOS (Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103367436A. Автор: 朱江. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-23.

Current detection LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) device integrating sampling resistor

Номер патента: CN102779821A. Автор: 张波,乔明,李肇基,周锌,何逸涛,温恒娟,向凡. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-11-14.

The manufacture method of stress metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN101593702A. Автор: 王国华,吴汉明. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2009-12-02.

Double-groove MOS (metal oxide semiconductor) device and preparation method thereof

Номер патента: CN103247677A. Автор: 刘福香. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-14.

Method of manufacturing metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN101197286A. Автор: 吴汉明. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Detecting structure for simultaneously detecting hot carriers of multiple metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: CN1716559A. Автор: 龚斌. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2006-01-04.

Power MOS (Metal Oxide Semiconductor) device structure with shielding grid and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102130169A. Автор: 缪进征,金勤海. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TWI641146B. Автор: 蘇宏德,廖文毅,黃宗義,楊清堯,張國城. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-11.

Double diffused drain metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI476925B. Автор: Tsung Yi Huang,Chien Hao Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-03-11.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101958328B. Автор: 肖德元,吴汉明,季明华. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

Structure of groove type power MOS (Metal Oxide Semiconductor) device and preparation method thereof

Номер патента: CN102103997B. Автор: 陆珏,缪进征,金勤海. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN105826373A. Автор: 宋慧芳. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Complementary metal-oxide semiconductor device

Номер патента: JPS6461942A. Автор: Narihito Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-08.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device (ldmos) and fabrication method thereof

Номер патента: TWI532166B. Автор: 林安宏,黃柏睿,林宏澤,廖偉善,顏挺洲,周昆宜,陳純偉. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-05-01.

Three-dimensional multi-gate high-voltage P type transverse double-diffused metal-oxide semiconductor device

Номер патента: CN1763972A. Автор: 孙伟锋,陆生礼,时龙兴,易扬波,宋慧滨. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-04-26.

Groove super junction MOS (Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103367433A. Автор: 朱江. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-23.

Chopping stabilized rail-to-rail amplifier with broadband and low-power consumption based on MOS (metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102176661A. Автор: 许军,赵晓,王敬,梁仁荣,方华军. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-09-07.

Super-junction VDMOS (Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102157377B. Автор: 肖胜安. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Under-gate technology CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device for inhibiting drain induction barrier lower effect and preparation method thereof

Номер патента: CN102420227B. Автор: 黄晓橹,陈玉文,谢欣云,邱慈云. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-07-09.

A manufacturing method of Metal-Oxide Semiconductor devices

Номер патента: TW396517B. Автор: Tian-Hau Jan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-01.

Asymmetric high voltage metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW515048B. Автор: Earic Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-21.

Metal oxide semiconductor device and process thereof

Номер патента: TW263616B. Автор: Chuen-Tsair Jang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR DISPLAYING FIXED-SCALE CONTENT ON MOBILE DEVICES

Номер патента: US20120001914A1. Автор: Pan Wayne,HAMOUI Omar. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

A motorcycle chassis structure and the manufacturing method for the motorcycle equipped with the same chassis structure

Номер патента: TW200724434A. Автор: Yu-Wei Chen. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

Device with hollow insert to perform monolithic lining of channel

Номер патента: RU2580360C1. Автор: Павел Алексеевич Ляшенко,Фахраддин Гасан оглы Габибов,Лейли Фахраддин кызы Габибова,Намик Мадат оглы Халафов,Ровшан Алекбер оглы Ахмедов,Азад Таир оглы Амрахов,Шафи Данял оглы Данялов,Ровшан Аллам оглы Мамедли. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

Photocatalyst air cleaner structure and the manufacture method for the purification reaction net thereof

Номер патента: TW200742821A. Автор: Shih-Yi Wen,Chih-Ming Wang,yu-cai Chen. Владелец: Headlite Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-16.

A sealing structure and the sealing method for a printhead

Номер патента: TW200714478A. Автор: Ying-Lun Chang,Hsien-Chung Tai. Владелец: Microjet Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-16.

A Touch Sensing Structure and Its Making Method for Reducing Reflectivity

Номер патента: TWI537785B. Автор: wen-kai Luo,xi-yao Wu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-11.

A sealing structure and the sealing method for a printhead

Номер патента: TWI259808B. Автор: Ying-Lun Chang,Hsien-Chung Tai. Владелец: Microjet Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-11.

Method for manufacturing of parts with improved mechanical properties from batch of billets from aluminium alloys and stainless steels by rotary extrusion by single-stage or multiple stage processing of sheet billet

Номер патента: RU2380184C2. Автор: Владимир Николаевич Борисов,Александр Викторович Бондарь,Александр Владимирович Гребенщиков,Николай Владимирович Сухоруков,Анатолий Михайлович Гордон,Василий Сергеевич Аксенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2010-01-27.

Flaking preventive concrete structure and flaking preventing method for concrete structure

Номер патента: JP2003247211A. Автор: Michio Shimizu,道雄 清水,Norihisa Hara,憲久 原,Hirotsugu Maki,洋次 牧. Владелец: DAINITTO ENGINEER KK. Дата публикации: 2003-09-05.

Reversible deformation structure and its hanging method for hyperbolic hoisting grid structure

Номер патента: CN109704196A. Автор: 高翔,郭浩,李国明,姜友荣,龚果,贺思章. Владелец: China MCC5 Group Corp Ltd. Дата публикации: 2019-05-03.

Suspended ceiling structure and seismic retrofitting method for suspended ceiling structure

Номер патента: JP6164447B2. Автор: 英雄 内本,記彦 櫻庭,美香 石井. Владелец: Shimizu Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Anti-floating pile for underground structures and anti-floating method for underground structures

Номер патента: JP5882143B2. Автор: 英一郎 佐伯. Владелец: Hinode Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Joint material for concrete structure and joint finishing method for concrete structure using the same

Номер патента: JP2651294B2. Автор: 恵三 田辺,勇次郎 菅谷. Владелец: MATETSUKUSU KK. Дата публикации: 1997-09-10.

Underwater reinforced concrete structure and reinforced anticorrosion method for underwater reinforced concrete structure

Номер патента: JP4099906B2. Автор: 裕一 渡邉,健一 赤嶺,敏光 荒木,陽一 平井. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

A thin film structure and a fabrication method for the thin film structure

Номер патента: TWI342829B. Автор: Arthur Chang,Fu Ming Chen,Tsungtang Shih. Владелец: Asustek Comp Inc. Дата публикации: 2011-06-01.

A thin film structure and a fabrication method for the thin film structure

Номер патента: TW200938370A. Автор: Arthur Chang,Fu-Ming Chen,Tsung-Tang Shih. Владелец: Asustek Comp Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

A kind of pile tube combining structure and for the method for construction of Wharf Engineering

Номер патента: CN103321237B. Автор: 刘松,刘声树. Владелец: CCCC Second Harbor Consultants Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-25.

Colour managing structure and colour managing method for panel display device, source pole driver and panel display device

Номер патента: CN100429562C. Автор: 林哲立. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-10-29.

Anticorrosion structure and anticorrosion processing method for dust deposition platform with slope and internal corner in brick lining chimney

Номер патента: CN102168501A. Автор: 张昊,杨祖洪,唐健,高荣,谢彦飞. Владелец: CHONGQING DAZHONG EROSION-PROOF Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-31.

Connection structure and a connection method for connecting a differential signal transmission cable to a circuit board

Номер патента: US20120061140A1. Автор: Sugiyama Takahiro,Nonen Hideki,Kumakura Takashi. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-03-15.

HYBRID CIRCUIT STRUCTURE AND PARTIAL BACKFILL METHOD FOR IMPROVING THERMAL CYCLING RELIABILITY OF SAME

Номер патента: US20130069192A1. Автор: Cooper Donald E.,TENNANT William E.. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

Three Dimensional Integrated Circuit Structures and Hybrid Bonding Methods for Semiconductor Wafers

Номер патента: US20130320556A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tsai Chia-Shiung,Liu Ping-Yin,Huang Xin-Hua. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Wind-resistant structure and wind-resistant method for integrally lifting arch rib of steel box arch bridge

Номер патента: CN109898421B. Автор: 周宇,何海,梁立农,魏朝柱. Владелец: Guangdong Province Communications Planning & Design Institute Co ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Intersection structure and signal control method for increasing green signal time

Номер патента: KR19990074477A. Автор: 김용덕,곽동달. Владелец: 이종수. Дата публикации: 1999-10-05.

Connecting structure and its assembling method for wall panel

Номер патента: JP2004150253A. Автор: Yoshio Takeda,Masataka Chino,正隆 千野,喜男 武田,Katsuji Miyajima,勝二 宮島. Владелец: Kotohira Kogyo KK. Дата публикации: 2004-05-27.

Body fixing structure and body fixing method for decorative panel

Номер патента: JP4703412B2. Автор: 東宣 小神野,康久 白谷. Владелец: Sanwa Shutter Corp. Дата публикации: 2011-06-15.

A kind of test structure and its manufacturing method for array substrate

Номер патента: CN103926761B. Автор: 梁艳峰. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Energy absorption structure and energy absorption method for automobile

Номер патента: JP4321250B2. Автор: 伸敏 清水. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Wear prevention structure and wear prevention method for sidewall of pallet truck

Номер патента: JP5884188B2. Автор: 英司 半田. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2016-03-15.

Reinforcement arrangement structure and reinforcement arrangement method for column

Номер патента: JP2005273321A. Автор: Kouji Maehama,光爾 前浜. Владелец: Shimizu Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Mounting structure and its mounting method for on-vehicle equipment

Номер патента: JPH11165564A. Автор: 武之 甘利,Takeshi Oshima,Takeshi Amari,毅 大島,嗣人 白川,Tsuguto Shirakawa. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Encapsulation structure and its encapsulation method for computer electric microphone

Номер патента: CN101150886B. Автор: 陈荣泰,朱俊勋. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-07-13.

Crack inducing joint structure and water stopping method for concrete wall

Номер патента: JPH1037320A. Автор: Shinichi Oeda,伸一 大枝,Yasushi Sawai,康 澤井. Владелец: Shimizu Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Seismic reinforcement structure and seismic reinforcement method for concrete frame

Номер патента: JP5594889B2. Автор: 幸弘 竹本,知幸 田村. Владелец: 株式会社ケー・エフ・シー. Дата публикации: 2014-09-24.

Fillet welding structure and fillet welding method for axle housing

Номер патента: JP4886532B2. Автор: 靖之 栗田. Владелец: Press Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Edge sealing structure and edge sealing method for multilayer board

Номер патента: CN102259375A. Автор: 何志雄,余成强. Владелец: ZHONGSHAN FOURSEAS FURNITURE Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Electrical connection structure and electrical connection method for reinforcing bar in filling type sleeve coupling

Номер патента: JP2015137518A. Автор: 直人 藤生,義包 小島,Naoto Fujio,和男 昼間,Kazuo Hiruma,Yoshikane Kojima. Владелец: Obayashi Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Fall prevention structure and fall prevention method for existing finished walls

Номер патента: JP4289627B2. Автор: 毅 大塚,威夫 末綱. Владелец: 日本樹脂施工協同組合. Дата публикации: 2009-07-01.

Water shutoff structure and water stop method for temporary closing

Номер патента: JP4604771B2. Автор: 康博 飯田,正三 加藤,浩二 上野. Владелец: Obayashi Corp. Дата публикации: 2011-01-05.

Oil supply structure and oil supply method for linear guide apparatus

Номер патента: JP2010190306A. Автор: Kazuaki Oga,和昭 大賀. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

A kind of LED encapsulation structure and realize the method for fluorescent material shape-preserving coating based on it

Номер патента: CN103117352B. Автор: 张可,罗小兵,郑怀,王立慧. Владелец: DONGGUAN CITY SHIJIE HUAZHONG ELECTRONIC TECHNOLOGY INNOVATION SERVICE Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-10.

Gas seal structure and gas seal method for rotary kiln

Номер патента: JP5708380B2. Автор: 万雄 工藤,俊彦 永倉,秋宏 田邊,敦 貝掛,将史 開田. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Online cleaning structure and online cleaning method for heat exchanger

Номер патента: CN112696972A. Автор: 苟海燕. Владелец: National Energy Group Coal Coking Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-23.

Corrosion prevention structure and corrosion prevention method for telescopic equipment

Номер патента: JP7055551B2. Автор: 大介 内田,成昭 塚本,進 井口,重信 貝沼. Владелец: 一般社団法人日本橋梁建設協会. Дата публикации: 2022-04-18.

Coprime plane array structure and array arrangement method for two-dimensional DOA estimation

Номер патента: CN114325559A. Автор: 王婷,王文钦,郑植,童文茹. Владелец: Yangtze River Delta Research Institute of UESTC Huzhou. Дата публикации: 2022-04-12.

LED packaged structure and surface roughening method for same

Номер патента: CN102820400B. Автор: 刘国旭. Владелец: Shineon Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-18.

Hybrid self - assembly molecular structure and its preparation method for reducing spore germination rate

Номер патента: TWI465343B. Автор: . Владелец: Univ Nat Formosa. Дата публикации: 2014-12-21.

Method for the production of stuffing from cured with a reduced dose of sodium nitrite mechanically separated meat with improved microbiological quality

Номер патента: PL240450B1. Автор: Danuta Kołożyn-Krajewska,Piotr SZYMAŃSKI,Beata Łaszkiewicz. Владелец: Inst Biotechnologii Przemyslu Rolno Spozywczego Im Prof Waclawa Dabrowskiego. Дата публикации: 2022-04-04.

Device and method for preparing variable-parameter coded signal before its recording on data medium; sequential-signal device and method; method for reproducing patterns from data medium

Номер патента: RU2161377C2. Автор: ФУДЗИНАМИ Ясуси,Велтман Марк. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2000-12-27.

Advertisement display system and method, method for selling advertisement display wall surface, and method for reselling advertisement display wall surface

Номер патента: JP2003263124A. Автор: 大和田　　巌,Kenji Kawahata,賢治 河畑,Iwao Owada. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

METHOD FOR PROCESSING THE SIGNALS FROM TWO OR MORE MICROPHONES IN A LISTENING DEVICE AND LISTENING DEVICE WITH PLURAL MICROPHONES

Номер патента: US20120163641A1. Автор: Petersen Kim S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NEONATAL Fc RECEPTOR (FcRn)- BINDING POLYPEPTIDE VARIANTS, DIMERIC Fc BINDING PROTEINS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003210A1. Автор: FARRINGTON Graham K.,LUGOVSKOY Alexey Alexandrovich,MEIER Werner,ELDREDGE John K.,GARBER Ellen. Владелец: BIOGEN IDEC MA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ADVERTISING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120000102A1. Автор: Bruce Shad E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERACTIVE SYSTEM AND METHOD FOR SENSING MOVEMENT

Номер патента: US20120001766A1. Автор: Van Den Broek Egidius Leon,WESTERINK Joanne Henriëtte Desirée Monique,Bialoskorski Leticia Sofia Susanna. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIRECT DRIVE ENDOSCOPY SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004502A1. Автор: Shaw William J.,Weitzner Barry,Smith Paul J.,Golden John B.,Intoccia Brian J.,Suon Naroun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE-ACQUISITION AND FASTENING DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120004677A1. Автор: Swope Bretton,Cole David,BALBIERZ DANIEL J.,Hambly Pablo R.,England Justen,Crews Samuel T.,Purdy Craig Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BONE SUPPORT DEVICE, SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004728A1. Автор: . Владелец: Hyphon Sarl. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

CARBON DIOXIDE-BASED GEOTHERMAL ENERGY GENERATION SYSTEMS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120001429A1. Автор: Saar Martin O.,Randolph Jimmy Bryan,Kuehn Thomas H.. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2012-01-05.

Multiband Antenna and Method for an Antenna to be Capable of Multiband Operation

Номер патента: US20120001815A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120000821A1. Автор: Yang Shuwu,Reynolds Bruce Edward,Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: CHEVRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE CASE HAVING ANTENNA PATTERN EMBEDDED THEREIN, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MOLD FOR MANUFACTURING ANTENNA PATTERN FRAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120001807A1. Автор: HONG Ha Ryong,Lee Dae Kyu,An Chan Gwang,Chang Ki Won,Cho Sung Eun,SUNG Jae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004091A1. Автор: Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004097A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.