Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US20140183628A1
Опубликовано: 03-07-2014
Автор(ы): Akira Ito
Принадлежит: Broadcom Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Trenched DMOS devices and methods and processes for making same

Номер патента: US20040232482A1. Автор: Tommy Lai,Johnny Sin. Владелец: Analog Power Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Trenched dmos devices and processes for making same

Номер патента: WO2004102673A3. Автор: Kin On Johnny Sin,Mau Lam Tommy Lai. Владелец: Analog Power Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Laterally diffused metal-oxide- semiconductor structure

Номер патента: US20240072163A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Active semiconductor device on high-resistivity substrate and method therefor

Номер патента: US20190378923A1. Автор: Hernan Rueda,Xiaowei Ren,Rodney Arlan Barksdale. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for manufacturing double-diffused metal-oxide semiconductor fieldeffect transistor device and the device thereby manufactured

Номер патента: CA1306313C. Автор: Takeshi Nobe,Masahiko Suzumura,Sigeo Akiyama. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190006505A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190334025A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: WO2019005464A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20200176596A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Hybrid High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130341719A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110018071A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100078737A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with increased channel periphery

Номер патента: US09748341B2. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09685441B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: EP4340042A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061786A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

Buried shield structures for power semiconductor devices including segmented support shield structures for reduced on-resistance and related fabrication methods

Номер патента: WO2024147924A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728648B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Metal-oxide thin-film transistor, array base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240297256A1. Автор: Lizhong Wang,Dongfang Wang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Metal oxide thin film semiconductor device monolithically integrated with dissimilar device on the same wafer

Номер патента: US10930676B2. Автор: Kevin D. Leedy,Andrew J. Green,Michael L. Schuette,Gregg H. Jessen,Robert C. Fitch, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2021-02-23.

Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device

Номер патента: US20180076292A1. Автор: Hisayo Momose,Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20200135769A1. Автор: Kevin D. Leedy,Andrew J. Green,Michael L. Schuette,Gregg H. Jessen,Robert C. Fitch, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-04-30.

Oxide semiconductor, semiconductor device and method of manufacturing an oxide semiconductor

Номер патента: US20240250179A1. Автор: Hitoshi Takane,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Amorphous oxide semiconductor, semiconductor device, and thin film transistor

Номер патента: EP2150982A1. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji,Ayanori Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Oxide semiconductor material, thin-film transistor, and fabrication method thereof

Номер патента: WO2017124672A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-07-27.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853099B1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device (ldmos) and fabrication method thereof

Номер патента: US20140035034A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130313641A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-28.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307070A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20120091527A1. Автор: Budong You. Владелец: SILERGY TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-04-19.

Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09954113B2. Автор: Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Hiroaki Honda,Takuya Tsurume,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (MOS) CONTROLLED DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20190006505A1. Автор: Matocha Kevin,Nowak John,Chatty Kiran,Chowdhury Sauvik. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20200176596A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190334025A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984499B2. Автор: Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL, THIN-FILM TRANSISTOR, AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180315777A1. Автор: Wang Lei,YUAN Guangcai,YAN Liangchen,Peng Junbiao,XU Xiaoguang,LAN Linfeng. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Split-gate lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140061790A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11949010B2. Автор: Budong You,Chunxin Xia. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A3. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-08-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SNUBBER AND ASSOCIATED FABRICATION METHOD

Номер патента: US20180286857A1. Автор: WANG Ling,Braun Eric,Wang Huaifeng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: EP4235797A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11710787B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device comprising FinFET and fabricating method thereof

Номер патента: KR100618827B1. Автор: 조혜진,박동건,이충호,안영준,강희수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-08.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240234520A9. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150325570A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal oxide semiconductor devices and method of making thereof

Номер патента: EP4386852A1. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130075816A1. Автор: Jong Min Kim,Jae Hyun Yoo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Metal oxide semiconductor devices and methods of making thereof

Номер патента: US20240194783A1. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Double Diffused Drain Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Floating Poly Thereon and Methods of Manufacturing The Same

Номер патента: US20110291187A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Double diffused drain metal-oxide-semiconductor devices with floating poly thereon and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140175544A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

High voltage cmos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230197730A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-22.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US20170330947A1. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a field plate

Номер патента: US20240006529A1. Автор: Guowei Zhang,JERRY JOSEPH James,Handoko Linewih,Surya Kris AMETHYSTNA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388679A1. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20230081793A1. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US9761657B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Corrugated metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20230411452A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Brian Goodlin,Sheldon Douglas Haynie. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Composite inverse T-gate metal oxide semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US5097301A. Автор: Julian J. B. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9484422B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US9196695B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240136413A1. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US20240204102A1. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US09865733B2. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US09673326B2. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120676A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120679A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140117443A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187483A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-07-26.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8709900B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-04-29.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8728895B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-20.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8729630B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-20.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8653594B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-18.

Device and system of a silicon controlled rectifier (SCR)

Номер патента: US09882003B1. Автор: Efraim Aharoni. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Compatible vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor and lateral double diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US8530961B2. Автор: Le Wang,Lili He,Zhiyong Zhao,Linchun Gui. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Metal oxide semiconductor (MOS) device with locally thickened gate oxide

Номер патента: US8741704B2. Автор: Erwan Dornel,Denis Rideau,Pascal R. Tannhof. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Metal oxide semiconductor (MOS) device, metal oxide semiconductor (MOS) memory device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US7355248B2. Автор: Tatsushi Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Crystal, crystalline oxide semiconductor, semiconductor film containing crystalline oxide semiconductor, semiconductor device including crystal and/or semiconductor film and system including semiconductor device

Номер патента: US20210143251A1. Автор: Takahiro Sasaki,Isao Takahashi,Toshimi Hitora,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US12087825B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Metal Oxide Film And Semiconductor Device

Номер патента: US20230420522A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Lid. Дата публикации: 2023-12-28.

Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11940702B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Amorphous oxide semiconductor, semiconductor device, and thin film transistor

Номер патента: TW200849605A. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji,Ayanori Endo. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2008-12-16.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20210057454A1. Автор: Jr. Robert C.,Green Andrew J.,Schuette Michael L.,Jessen Gregg H.,Leedy Kevin D.,Fitch. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20200135769A1. Автор: Kevin D. Leedy,Andrew J. Green,Michael L. Schuette,Gregg H. Jessen,Robert C. Fitch, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-04-30.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20180254290A1. Автор: Green Andrew J.,Schuette Michael L.,Jessen Gregg H.,Leedy Kevin D.,Fitch Robert C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Oxide semiconductor material, thin-film transistor, and fabrication method thereof

Номер патента: EP3405980A4. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-09-11.

Semiconductor device comprising FinFET and fabricating method thereof

Номер патента: KR100594282B1. Автор: 김성민,박동건,윤은정,장세명,김근남,오용철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Oxide semiconductor element, method for manufacturing oxide semiconductor element, display device and image sensor

Номер патента: WO2014084051A1. Автор: 田中　淳,文彦 望月,鈴木　真之,五十田　智丈. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2014-06-05.

Oxide semiconductor element, method for manufacturing oxide semiconductor element, display device and image sensor

Номер патента: KR101713461B1. Автор: 아츠시 다나카,마사유키 스즈키,후미히코 모치즈키,도모타케 이카다. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-22.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09685563B2. Автор: Yasumasa Yamane,Masashi Oota,Toshihiko Takeuchi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09911864B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09761734B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220376076A1. Автор: Toshiki Kaneko,Fumiya Kimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09691905B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09871145B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Active device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170194501A1. Автор: Ya-Ju Lu,Chin-Tzu Kao,Jin-Chuan Guo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09768199B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220190117A1. Автор: Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09947799B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09899416B2. Автор: Yong Seok Lee,Jeong Yun Lee,Bo Soon Kim,Hyun Ji Kim,Gi Gwan PARK,Sang Duk PARK,Young Mook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Metal oxide thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240250177A1. Автор: Chen Xu,Jie Huang,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09991394B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US11862454B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20170263776A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20200144424A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20240154041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20210343870A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230411453A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Chi-Yu Chou,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20160284860A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Stable high mobility motft and fabrication at low temperature

Номер патента: EP3005420A2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong,Juergen Musolf. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Metal oxide TFT with improved stability and mobility

Номер патента: US09773918B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong,Juergen Musolf. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Gate all around complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20230207563A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09748286B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,SungKeun Lee,Yongtae SONG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240014255A1. Автор: Hojung Lee,Seung Yup Jang,Jaemoo KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Doped metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11894467B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255617A1. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: WO2018002763A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device having work function metal stack

Номер патента: US20240203738A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09917204B2. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method to optimize work function in complementary metal oxide semiconductor (cmos) structures

Номер патента: US20110269276A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230317833A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240113227A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11869943B2. Автор: Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060138560A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067614A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device, storage device, resistor circuit, display device, and electronic device

Номер патента: US09847406B2. Автор: Masami Endo,Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761736B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US11855087B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US20240096885A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230068212A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210336026A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11791394B2. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210265506A1. Автор: Sangwoo SOHN,Sangwon Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09859444B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991396B2. Автор: Takuya Hirohashi,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160118503A1. Автор: Eun-young Lee,Je-Hun Lee,Eun-Hyun Kim,Sang-won Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11742423B2. Автор: Jing Zhu,Sen Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Nailong He,Shaohong Li,Guichuang Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20140035049A1. Автор: Hui-min Huang,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110024845A1. Автор: Tomohiro Hirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Variation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Номер патента: US20130049140A1. Автор: Asen ASENOV,Gareth Roy. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20180190764A1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20230352347A1. Автор: Guang Yang,Chin-Chun Huang,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Linshan Yuan,Yuchun Guo. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Bidirectional MOS device and method for preparing the same

Номер патента: US09905682B2. Автор: Bo Zhang,Min Ren,Jingxiu Liu,Jinping Zhang,Zehong LI,Zhaoji Li. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2018-02-27.

Metal oxide semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20070267691A1. Автор: Frank Chen,Yu-Chi Chen,Jih-Wen Chou. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520470B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9704987B2. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating metal-oxide- semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20120329259A1. Автор: Wen-Han Hung,Tsai-Fu Chen,Tzyy-Ming Cheng,Ching-Sen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Apparatus of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a multi-split gate

Номер патента: US20180145139A1. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Johnatan A. Kantarovsky,David Mistele. Владелец: TowerJazz Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US11817457B2. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US20230395605A1. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

High-voltage metal-oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: US5910666A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Metal oxide semiconductor device having recess and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-07.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: US20230402541A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332429A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806198B2. Автор: Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088302A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having super junction metal oxide semiconductor structure and fabrication method for the same

Номер патента: US09755065B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09954084B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Array substrate and display device and method for making the array substrate

Номер патента: US09768204B2. Автор: Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240322018A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139873A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US12136629B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09859306B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: EP4378004A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-06-05.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: AU2022319811A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-02-15.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: WO2023006410A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-02-02.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: EP4125135A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-02-01.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: US20240363693A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US09947774B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041765B2. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120252173A1. Автор: Yuki Imoto,Yuhei Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Metal-oxide thin-film transistor and method for fabricating same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194747A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-aligned metal oxide TFT with reduced number of masks and with reduced power consumption

Номер патента: US09614102B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Source-gate region architecture in a vertical power semiconductor device

Номер патента: US09837358B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having a stacked metal oxide

Номер патента: US09722092B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20220173246A1. Автор: Yasumasa Yamane,Yuichi Yanagisawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285417A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096963A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Metal oxide semiconductor material, target material and fabrication method therefor, thin film transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230268444A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Junbiao Peng,Linfeng Lan,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-08-24.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082862B2. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench surrounding plural unit cells

Номер патента: US20080274599A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Metal Oxide Semiconductor Devices and Fabrication Methods

Номер патента: US20160211367A1. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12075633B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013008419A1. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Metal oxide tft and manufacturing method therefor, and x-ray detector and display panel

Номер патента: EP4131424A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Double self-aligned metal oxide tft

Номер патента: EP2812907A1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2014-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US9035304B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Sachiaki TEZUKA,Shinji Ohno,Tomokazu Yokoi,Yusuke SHINO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9564457B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105819A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Selective anisotropic wet etching of workfunction metal for semiconductor devices

Номер патента: US20080073723A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Brian S. Doyle,Uday Shah,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal oxide semiconductor (mos) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: WO2014159160A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-02.

Metal oxide semiconductor (mos) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: EP2973682A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20180190765A1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Source-channel junction for III-V metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

Номер патента: US11756998B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang,Sean Ma,Harold Kennel,Nicholas MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Metal oxide semiconductor (MOS) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: US09997617B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240113225A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Wu-Wei Tsai,Yan-Yi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Composite metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11984510B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-05-14.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011118509A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-09-29.

Thin film transistor and vertical non-volatile memory device including transition metal-induced polycrystalline metal oxide channel layer

Номер патента: US20240250180A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20220285554A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US12057504B2. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8062973B2. Автор: Kazuhiko Nakamura,Koji Matsuo,Takaharu Itani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20100190336A1. Автор: Kazuhiko Nakamura,Koji Matsuo,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09728641B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140235015A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12002876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09911757B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Performance-enhanced vertical device and method of forming thereof

Номер патента: US09847416B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Robert R. Robison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741794B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Self-protected metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20140015053A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

더미 게이트들에 의해 분리된 연속 액티브 영역들을 이용한 mos(metal oxide semiconductor) 절연 방식들 및 이와 관련된 방법들

Номер патента: KR20150131090A. Автор: 피알 치담바람,빈 양,시아 리. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US12062576B2. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Self-aligned contact hard mask structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12087838B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Self-Aligned Contact Hard Mask Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363713A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: US09911771B2. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US11824062B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240162234A1. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Metal oxide thin-film transistor and manufacturing method therefor, display panel and display apparatus

Номер патента: EP4345910A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140021544A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113074B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991288B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905657B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Satoru Okamoto,Yuta Endo,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728555B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140246668A1. Автор: Daigo Ito,Akihisa Shimomura,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09997545B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and display device comprising an oxide semiconductor channel region having a different crystal orientation than source/drain regions

Номер патента: US09748399B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Shigeyasu Mori,Junichi Koezuka,Takuya Matsuo,Yosuke Kanzaki,Hiroshi Matsukizono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Dielectric metal oxide cap for channel containing germanium

Номер патента: US20180374928A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Ashish Agrawal,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Metal-oxide semiconductor (mos) device with thick oxide

Номер патента: US20180342620A1. Автор: Francesco Carobolante,Fabio Alessio Marino,Qingqing Liang,Narasimhulu Kanike. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Metal-oxide semiconductor (mos) device with thick oxide

Номер патента: WO2018217288A1. Автор: Francesco Carobolante,Fabio Alessio Marino,Qingqing Liang,Narasimhulu Kanike. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-29.

Thin-film transistor having metal oxide semiconductor layers of heterojunction structure, display device comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230253504A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Hyeon Joo SEUL. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-10.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Edmos and fabricating method of the same

Номер патента: US20240234572A1. Автор: Jung Han,Chin-Chia Kuo,Chun-Lin Chen,Ming-Hua Tsai,Liang-An HUANG,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Polycrystalline Metal Oxide Nanobelt Network Based Field Effect Transistor and Fabrication Method of the same

Номер патента: KR100977189B1. Автор: 김일두,홍재민,최승훈. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2010-08-23.

Metal Oxide Film and Semiconductor Device

Номер патента: US20190051727A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,OKAZAKI Kenichi,HAMOCHI Takashi,HOSAKA Yasuharu,SHIMA Yukinori,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami,OBONAI Toshimitsu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-14.

OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20180076292A1. Автор: KANREI Nobuki,MOMOSE Hisayo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2018-03-15.

Metal Oxide Film and Semiconductor Device

Номер патента: US20200161435A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Metal Oxide Film and Semiconductor Device

Номер патента: US20170186843A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,OKAZAKI Kenichi,HAMOCHI Takashi,HOSAKA Yasuharu,SHIMA Yukinori,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami,OBONAI Toshimitsu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-06-29.

Metal Oxide Film and Semiconductor Device

Номер патента: US20210343843A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,OKAZAKI Kenichi,HAMOCHI Takashi,HOSAKA Yasuharu,SHIMA Yukinori,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami,OBONAI Toshimitsu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: CN113105213A. Автор: 山崎舜平,神长正美,肥塚纯一,黑崎大辅,冈崎健一,生内俊光,保坂泰靖,岛行德,羽持贵士. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190115474A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-18.

COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210165258A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device having the semiconductor device

Номер патента: JPWO2017168283A1. Автор: 舜平 山崎,山崎　舜平. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Oxide semiconductor material, method for manufacturing oxide semiconductor material, electronic device and field effect transistor

Номер патента: EP2219225A4. Автор: Akira Hasegawa,Noboru Fukuhara,Kenji Kohiro. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-05.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09847332B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332428A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US20240371859A1. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US12080706B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130168767A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou,Ming-Yong Jian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100090284A1. Автор: Cheng-Yu Fang,Yen-Wei Liao,sheng-yuan Yang. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09627413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: EP4350769A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Self-Protected Drain-extended metal-oxide-semiconductor Transistor

Номер патента: US20130264608A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Alain Loiseau,Junjun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Ferroelectric device and semiconductor device

Номер патента: US20230363174A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kazuaki Ohshima,Takeshi Aoki,Masashi Oota,Yasuhiro Jinbo,Kazuma Furutani,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230317834A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional (3d) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (mosfefet) system, and related methods and systems

Номер патента: EP3610499A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Three-dimensional (3D) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (MOSFeFET) system, and related methods and systems

Номер патента: US09875784B1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming metal oxide film on semiconductor wafer

Номер патента: US7713884B2. Автор: Hiromi Ito,Yuuichi Kamimuta,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Cmos devices and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2630662A1. Автор: Li Guo,Jian Yan,Guangtao Han,Hsiaochia Wu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-28.

Cmos devices and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2630662A4. Автор: Li Guo,Jian Yan,Guangtao Han,Hsiaochia Wu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Cmos devices and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2012079463A1. Автор: Li Guo,Jian Yan,Guangtao Han,Hsiaochia Wu. Владелец: Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09793412B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130230989A1. Автор: Tzu-Yu Tseng,An-Chi Liu,Chi-Heng Lin,Chih-Wen Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

ELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON COPPER NICKEL AND GALLIUM-TIN-ZINC-COPPER-TITANIUM p AND n-TYPE OXIDES, THEIR APPLICATIONS AND CORRESPONDING MANUFACTURE PROCESS

Номер патента: EP2115770A1. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato. Владелец: Universidade Nova De Lisboa. Дата публикации: 2009-11-11.

Capacitor comprising metal oxide film having high alignment

Номер патента: US09905586B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Field transistor, display element, image display device and system

Номер патента: RU2702802C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11075305B2. Автор: Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20190088795A1. Автор: Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20180151604A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US9887242B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20230387137A1. Автор: Hideo Hosono,Hideya Kumomi,Junghwan Kim. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-11-30.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451826A1. Автор: Seungho YANG,Jun Hyung LIM,Sangwoo SOHN,Yeon Keon Moon,Eun Hyun Kim,Hyunjun JEONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905516B2. Автор: Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal oxide film, semiconductor device, and display device

Номер патента: US12098458B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Metal oxide film, semiconductor device, and method for evaluating metal oxide film

Номер патента: US20240321577A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and storage device

Номер патента: US20240298435A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and storage device

Номер патента: EP4404275A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240304698A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US12107125B2. Автор: Ryohei KANNO. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09754942B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09748146B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, power control device and electronic system

Номер патента: US09866207B2. Автор: Junichi Nakamura,Yasushi Nakahara,Yoshinori Kaya,Ryo Kanda,Tetsu Toda,Tomonobu Kurihara,Kazuyuki Umezu,Takahiro Nagatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240105839A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: CA3232416A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: AU2022344995A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: EP4402722A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: WO2023043687A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: US12074226B2. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234431A1. Автор: Hyung Jun Kim,Jun Hyung LIM,Eok Su Kim,Kyung Jin JEON,Yun Yong NAM,So Young Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070238235A1. Автор: Wen-Han Hung,Tzyy-Ming Cheng,Chia-Wen Liang,Shyh-Fann Ting,Cheng-Tung Huang,Li-Shian Jeng,Kun-Hsien Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

P-type oxide semiconductor, composition for producing p-type oxide semiconductor, method for producing r-type oxide semiconductor, semiconductor element, display element, image display device and system

Номер патента: RU2660407C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2018-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254094A1. Автор: Takayuki Yoshida,Toshiyuki Fukuda,Kimihito Kuwabara,Takuma Motofuji. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Solution composition for forming oxide semiconductor, and oxide semiconductor and electronic device including the same

Номер патента: US20140291664A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Jong-baek Seon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230402548A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US12040333B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SOI MOSFET) structure

Номер патента: US12057502B1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (soi mosfet) structure

Номер патента: US20240243201A1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: CA2009067A1. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20180013003A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Oxide insulator film, electronic device and method for producing electronic device

Номер патента: US20230326624A1. Автор: Takashi Sasaki,Seiji Taguchi,Toshiyuki Takizawa,Yoshihisa Nagasaki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US12095440B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kazuaki Ohshima,Yuto Yakubo,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09978879B2. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor laminate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230245883A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of forming a semiconductor device having a metal layer

Номер патента: WO2006033746A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Voon-Yew Thean,Brian J. Goolsby,Tab A. Stevens. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-30.

Amorphous metal oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US11894429B2. Автор: Shinichi Maeda,Yoshiomi Hiroi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09773785B2. Автор: Yoon Suk Kim,Seung Hyun Song,Byoung Hak HONG,Kyu Baik CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210020781A1. Автор: Min Hee Cho,Hyun Mog Park,Woo Bin Song,Min Woo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Oxide precursor, oxide layer, semiconductor element, and electronic device, and method of producing oxide layer and method of producing semiconductor element

Номер патента: US20170335461A1. Автор: Satoshi Inoue,Masahiro Suzuki,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Kazuhiro Fukada. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230413530A1. Автор: Akifumi Gawase,Shuntaro YAMASHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: US11450708B2. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: EP3817047A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20120313084A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: US20210126047A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device including transistor with doped oxide semiconductor and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11810858B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20200303561A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuichi Ando,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911858B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10008599B1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US09972274B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20160225796A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130164899A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09899423B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

OLED display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US11957004B2. Автор: Xingyu Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: US20090065875A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-03-12.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: WO2006043243A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20210233935A1. Автор: Takayuki Oshima,Katsumi Ikegaya,Kiyotaka Kanno,Shinichirou WADA,Masato Kita,Keishi KOMORIYAMA. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US6150276A. Автор: Gary Hong,Claymens Lee. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Silicon gigabit metal-oxide-semiconductor device processing

Номер патента: CA1216374A. Автор: Ping K. Ko. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-01-06.

Semiconductor device

Номер патента: US7589373B2. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20090114975A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming integrated circuit having monos device and mixed-signal circuit

Номер патента: US20030036275A1. Автор: Erh-Kun Lai,Ying-Tso Chen,Hsin-Huei Chen,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Metal-insulator-semiconductor device manufacture

Номер патента: CA1120605A. Автор: William A. Pliskin,Joseph F. Shepard,Martin Revitz,James R. Gardiner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Ultra-High Voltage N-Type-Metal-Oxide-Semiconductor (UHV NMOS) Device and Methods of Manufacturing the same

Номер патента: US20140065781A1. Автор: Chen Chieh-Chih,Lin Cheng-Chi,Lien Shih-Chin,Wu Shyi-Yuan,Lin Chen-Yuan. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-06.

Compressive strained iii-v complementary metal oxide semiconductor (cmos) device

Номер патента: US20140191286A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355822A1. Автор: Wei-Yen Woon,Wu-Wei Tsai,Che Chi Shih,Szuya Liao,Tsung-En Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

High density selector-based non volatile memory cell and fabrication

Номер патента: US09698201B2. Автор: Sung Hyun Jo,Harry Yue Gee,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1166361A. Автор: Robert F. Pfeifer,Murray L. Trudel. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

High-k capacitor dielectric having a metal oxide area comprising boron, electrical device, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11869926B2. Автор: Jooho Lee,Narae HAN,Younsoo Kim,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Metal-oxide-metal cell semiconductor device and method

Номер патента: US20230282580A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device, cooling device, and cooilng device fabrication method

Номер патента: US20120153455A1. Автор: Taisuke Iwai,Yoshihiro Mizuno,Osamu Tsuboi,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

CRYSTAL, CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR FILM CONTAINING CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CRYSTAL AND/OR SEMICONDUCTOR FILM AND SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210143251A1. Автор: TAKAHASHI Isao,Sasaki Takahiro,Hitora Toshimi,MATSUDA Tokiyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

metal-oxide-semiconductor transistor and complementary metal-oxide-semiconductor circuit related

Номер патента: US20240304624A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220384473A1. Автор: Kazuya Takahashi,Genji Nakamura,Muneyuki Otani,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210328042A1. Автор: Chun-Shun Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240337947A1. Автор: Ching-Yu Chang,Cheng-Han Wu,Ming-Hui Weng,Yuan Chih LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

MOSFET with both elevated source-drain and metal gate and fabricating method

Номер патента: US20020066913A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Fabrication method for semiconductor structure

Номер патента: US20230299185A1. Автор: Yang Liu,Shan GUAN,Jiaxin Xiong,Junwei Luo,Shushen Li. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices having equal thickness gate spacers

Номер патента: US20190123167A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor devices having equal thickness gate spacers

Номер патента: US20180240889A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US10615028B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20150255268A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device having metal oxide film

Номер патента: US8445942B2. Автор: Ryohei BABA,Shinichi Iwakami. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated Circuit with a Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100052050A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,Douglas Dean Lopata,William W. Troutman,Tanya Nigam. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20130109199A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230014283A1. Автор: Tetsuya Shoji,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Devices and methods for enhancing insertion loss performance of an antenna switch

Номер патента: US11855012B2. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Devices and methods for enhancing insertion loss performnce of an antenna switch

Номер патента: US20240071961A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

P-type metal oxide semiconductor material and fabrication method thereof

Номер патента: US8007694B2. Автор: Shan-Haw Chiou,Kuo-Chuang Chiu,Yi-Wen Kao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-08-30.

P-type metal oxide semiconductor material and fabrication method thereof

Номер патента: US20100148133A1. Автор: Shan-Haw Chiou,Kuo-Chuang Chiu,Yi-Wen Kao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-06-17.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: EP4241312A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: WO2022098434A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-12.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: US20220140153A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and metal-oxide-semiconductor capacitor structure

Номер патента: US20220020684A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US09944514B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230326963A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Metal-oxide semiconductor (mos) standard cells employing electrically coupled source regions and supply rails to relax source-drain tip-to-tip spacing between adjacent mos standard cells

Номер патента: US20180301447A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Da YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240234591A9. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266445A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US7592658B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US20050181556A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US20080116498A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

Multi-dielectric films for semiconductor devices and methods of fabricating multi-dielectric films

Номер патента: US20080258271A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Sang-Yeol Kang,Eun-ae Chung,Hoon-Sang Choi,Ki-vin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-23.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Flexible single-crystalline semiconductor device and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831273B2. Автор: Jae-Hyun Ryou. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Selective Oxidation of Transition Metal Nitride Layers Within Compound Semiconductor Device Structures

Номер патента: US20180174833A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Daniel S. Green. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-06-21.

Selective oxidation of transition metal nitride layers within compound semiconductor device structures

Номер патента: EP3555906A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Daniel S. Green. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-23.

Process for fabricating semiconductor device and method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen,Te-Lin Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Back-end-of-line metal-oxide-semiconductor varactors

Номер патента: US20140097434A1. Автор: Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,John J. Ellis-Monaghan,Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Michael J. Hauser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Mixed metal oxide compounds and electrocatalytic compositions, devices and processes using the same

Номер патента: EP3465808A1. Автор: Hector D Abruna,Francis J. DiSalvo,Marc Murphy,Ryo H. WAKABAYASHI,R. Bruce Van Dover. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-10.

Mixed metal oxide compounds and electrocatalytic compositions, devices and processes using the same

Номер патента: US20190173097A1. Автор: Hector D. Abruna,Francis J. DiSalvo,Marc Murphy,Ryo H. WAKABAYASHI,R. Bruce Van Dover. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-06.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Display device and fabricating method

Номер патента: US09966365B2. Автор: Qi Yao,Shi Shu,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhanfeng CAO,Seong Yeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor device and method of forming the same

Номер патента: US20160204158A1. Автор: Chien-En Hsu,Chen Jie Gu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: TW200305952A. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2003-11-01.

Methods of manufacturing semiconductor devices including air gap spacers

Номер патента: US20160064270A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Nam-Gun Kim,Gyuhwan Oh,Eun-Ok Lee,Heesook Park,Kyungho JANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device, pad structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210233822A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, FINFET TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20160351591A1. Автор: ZHOU MING,XIE Xinyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

AIR GAP TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200366267A1. Автор: LIU Mengbin,DI Yunxiang,XU Situo. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device having SAC and Fabrication Method thereof

Номер патента: KR100426811B1. Автор: 서준,김명철,안태혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device, cooling device, and cooilng device fabrication method

Номер патента: US20120153455A1. Автор: Taisuke Iwai,Yoshihiro Mizuno,Osamu Tsuboi,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor device and metal line fabrication method of the same

Номер патента: US7994541B2. Автор: Jong Soon Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Semiconductor device and metal line fabrication method of the same

Номер патента: US7575998B2. Автор: Jong Soon Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Resistance memory device and apparatus, fabrication method thereof, operation method thereof, and system having the same

Номер патента: US20140365723A1. Автор: Mi Na Kim,Dong Yean Oh,Woon Ha YIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Display screen, electronic device, and display screen manufacturing method

Номер патента: EP3905226A1. Автор: Yanfeng JIA. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Display, electronic device, and display fabrication method

Номер патента: US12021070B2. Автор: Yanfeng JIA. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MIM CAPACITOR AND ASSOCIATED FABRICATING METHOD

Номер патента: US20170271434A1. Автор: Liu Shih-Chang,CHOU Chung-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

A semiconductor devices with leds and a fabricating method thereof

Номер патента: KR101006777B1. Автор: 헴 타키아르,슈레쉬 유파디야율라. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2011-01-10.

A semiconductor devices with leds and a fabricating method thereof

Номер патента: KR100955091B1. Автор: 헴 타키아르,슈레쉬 유파디야율라. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2010-04-28.

Piezoelectric Device, Ultrasound Probe, Droplet Discharge Device, And Piezoelectric Device Fabrication Method

Номер патента: US20150057540A1. Автор: MATSUO Takashi,Sameshima Kouichi. Владелец: KONICA MINOLTA, INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

Image sensor, light splitting color filter device, and image sensor fabrication method

Номер патента: WO2021136469A1. Автор: 张友明,刘闯闯,孙上. Владелец: 华为技术有限公司. Дата публикации: 2021-07-08.

Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same

Номер патента: US20010006072A1. Автор: Kazuki Kobayashi,Hitoshi Ono,Yasunobu Tagusa,Tomomi Hikida,Yuichi Maida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Image sensor, light splitting color filter device, and image sensor fabrication method

Номер патента: EP4071819A1. Автор: Youming Zhang,Shang SUN,Chuangchuang LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US09954019B2. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12046694B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240339557A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09997662B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09852991B2. Автор: JIQUAN Liu,Ming Zhou,Charles Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for integrally forming an electrical fuse device and a MOS transistor

Номер патента: US20070221966A1. Автор: Liang-Kai Han,Chiang-Ming Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230043650A1. Автор: Jihoon Chang,Yeonjin Lee,Jimin CHOI,Jung-Hoon Han,Hyeon-Woo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210305153A1. Автор: Jihoon Chang,Yeonjin Lee,Jimin CHOI,Jung-Hoon Han,Hyeon-Woo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266352A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12107024B2. Автор: Takayuki Onaka,Yuki Yano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200266168A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US20240282785A1. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method involving multilayer contact etch stop

Номер патента: US8877651B2. Автор: XINPENG WANG,Yi Huang,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Bipolar-cmos-dmos semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200066714A1. Автор: Bo Zhang,Song Pu,Ming Qiao. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230301109A1. Автор: Takeshi Shimane,Tadayoshi UECHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device, formation method thereof, and package structure

Номер патента: US20130020618A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20120214296A1. Автор: Hyosan Lee,Siyoung Choi,Kang-ill Seo,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hye-Lan Lee,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO,Jun-Woong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200249188A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Junko Izumitani,Hideaki Ooe,Masutaro Nemoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Thermoelectric composite, preparation method therefor, and thermoelectric device and semiconductor device each comprising thermoelectric composite

Номер патента: US20230189650A1. Автор: TAE JOO Park,DAE WOONG Kim,Ji Hyeon Choi,Sang Woon Lee,Tae Jun Seok,Jae Hyun Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-15.

Film forming method, method of manufacturing semiconductor device, and processing system

Номер патента: US20240297209A1. Автор: Susumu Yamauchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor probe, testing device and testing method for testing quantum battery

Номер патента: US09778284B2. Автор: Akira Nakazawa,Kiyoyasu Hiwada,Harutada Dewa. Владелец: Guala Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Dual gate mosfet devices and pre-charging techniques for dc link capacitors

Номер патента: US20240007084A1. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Groenvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: US09978682B1. Автор: Anthony Correale, Jr.,William GOODALL, III,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing oxide semiconductor

Номер патента: US20210036224A1. Автор: Joosung KIM,Dongsu Kim,Hyungkoun CHO,Youngdae YUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-04.

Process for fabricating semiconductor device including antireflective etch stop layer

Номер патента: US6313018B1. Автор: Fei Wang,Subhash Gupta,David K. Foote,Myron R. Cagan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-11-06.

Process for fabricating semiconductor device including antireflective etch stop layer

Номер патента: EP1034564A1. Автор: Fei Wang,Subhash Gupta,David K. Foote,Myron R. Cagan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-13.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors with saddle-gate source follower for imaging pixels

Номер патента: US12142620B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20130119551A1. Автор: Hung-Chang Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905759B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230089737A1. Автор: Jia Liu,Masahiko Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11990460B2. Автор: Jia Liu,Masahiko Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20220199859A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US09859323B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,zhi-yang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor depth sensor element

Номер патента: US09859313B2. Автор: Tom Chang,Kao-Pin Wu. Владелец: Eminent Electronic Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having a metallic oxide or metallic hydroxide barrier layer

Номер патента: US10964658B2. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Surface-modified-metal-oxide-particle material, composition for sealing optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: US09972757B2. Автор: Yoichi Sato,Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793291B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Young-dae Kim,Hong-suk Kim,Jung-Hwan Kim,Hun-Hyeong Lim,Hyun-Jin Shin,Yong-Seok Cho,Han-Vit YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Isolation method for a stand alone high voltage laterally-diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) transistor

Номер патента: US09666511B2. Автор: Shen-Ping Wang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Tzu-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Image sensor having stacked metal oxide films as fixed charge film

Номер патента: US12080738B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Min-Ying Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US09899371B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20210351321A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: WO2021229356A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: EP4150680A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor with insulator stack having a plurality of metal oxide layers

Номер патента: US09691839B2. Автор: André BARAN,Timothy E. Glassman,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Metal oxide semiconductor device having a common gate electrode for N and P channel MOS transistors

Номер патента: US5438214A. Автор: Yasuo Sato,Yuichi Egawa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234489A1. Автор: Dong Hyun Lee,Kyung Woong Park,Jae Hee SONG,Ki Vin Im,Cheol Hwan Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Composite sintered body, electrostatic chuck member, electrostatic chuck device, and method for producing composite sintered body

Номер патента: US12074050B2. Автор: Nobuhiro Hidaka,Naoto Kimura. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160197012A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6015726A. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210091266A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: US20200231459A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US12046624B2. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US20210327952A1. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Tin carboxylate precursors for metal oxide resist layers and related methods

Номер патента: US20240272547A1. Автор: Scott B. Clendenning,Brandon Jay Holybee,James Munro BLACKWELL,Lauren Elizabeth DOYLE,Charles Cameron Mokhtarzadeh,Sanjana Vijay Karpe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of producing an optoelectronic device and optoelectronic device

Номер патента: US20160204388A1. Автор: Uli Lemmer,Alexander Colsmann,Stefan HÖFLE,Manuel Reinhard. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2016-07-14.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor sturcture of mixed integration area and potential reading method employing the same

Номер патента: US20030107663A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

N-channel metal oxide semiconductor (nmos) driver circuit and method of making same

Номер патента: US20020089020A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Yujun Li,Rama Divakarumi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of producing an optoelectronic device and optoelectronic device

Номер патента: US09960390B2. Автор: Uli Lemmer,Alexander Colsmann,Stefan HÖFLE,Manuel Reinhard. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-05-01.

Interconnection structures for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941206B2. Автор: Minsung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Номер патента: US09905560B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL,Navienkumar Ramachandran Arumugam. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) package with an image buffer

Номер патента: US09899443B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Kazuaki Hashimoto,Hsiao-Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with silicon and silicon germanium

Номер патента: US09859325B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method for complementary TFT device and manufacturing method for OLED display panel

Номер патента: US10096656B1. Автор: Zhe Liu,Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, production method for semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20240194490A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210335800A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

El display device and method for producing same

Номер патента: US20140312337A1. Автор: Takashi Isobe. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor devices including electrically isolated patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US09881865B1. Автор: Peter Schindler,Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Hyo Jin Kim,Ki-Hyun Kim,Jinsung Kang,Stephen P. WALCH,John Provine,Youngdong Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865593B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Hsiang-Hung Peng,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing a metal-oxide-semiconductor image sensor

Номер патента: US09859328B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Indium gallium arsenide metal oxide semiconductor field effect transistor having a low contact resistance to metal electrode

Номер патента: US20200083342A1. Автор: Ning Li,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Indium gallium arsenide metal oxide semiconductor field effect transistor having a low contact resistance to metal electrode

Номер патента: US20190214475A1. Автор: Ning Li,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for making metal oxide nano particle and light emitting device having light emitting layer distributed metal oxide nano particle and fabrication method thereof

Номер патента: WO2009072780A3. Автор: Young-Ho Kim,Tae-Whan Kim,Jae-Hun Jung,Fushan Li. Владелец: Fushan Li. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device structure with fine conductive contact and method for preparing the same

Номер патента: US20230034084A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Dye-sensitized metal-oxide solar cell

Номер патента: RU2649239C1. Автор: Олег Игоревич Шевалеевский,Людмила Леонидовна Ларина,Анна Борисовна Никольская,Виктория Михайловна Иванова,Леонтий Иванович Кузнецов,Ольга Кирилловна Карягина. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2018-03-30.

Stacked semiconductor device architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220230961A1. Автор: Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: SG11201908898QA. Автор: Correale, Jr,Goodall, Iii,Philip Iles. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US09742362B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09716100B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Tandem metal oxide solar element

Номер патента: RU2626752C1. Автор: Сергей Сергеевич Козлов,Олег Игоревич Шевалеевский,Михаил Александрович Александров,Людмила Леонидовна Ларина,Александр Андреевич Пашали,Анна Борисовна Никольская,Марина Фаритовна Вильданова. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2017-07-31.

Metal oxide solar cell

Номер патента: RU2698533C1. Автор: Сергей Дмитриевич Варфоломеев,Олег Игоревич Шевалеевский,Людмила Леонидовна Ларина,Ольга Валериевна Алексеева,Виктория Михайловна Иванова,Леонтий Иванович Кузнецов,Павел Андреевич Ширяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля Российской академии наук (ИБХФ РАН). Дата публикации: 2019-08-28.

MIXED METAL OXIDE COMPOUNDS AND ELECTROCATALYTIC COMPOSITIONS, DEVICES AND PROCESSES USING THE SAME

Номер патента: US20190173097A1. Автор: DiSalvo Francis J.,Abruna Hector D.,MURPHY Marc,WAKABAYASHI Ryo H.,VAN DOVER R. Bruce. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-06.

Graphene-Metal Oxide Nanorod Composite Air Electrode for Li―Air Batteries, Fabrication Method for Preparing the Same, and Li―Air Batteries Comprising the Same

Номер патента: KR101463722B1. Автор: 김일두,박용준,전석우,송성호,류원희. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2014-11-21.

Display panel, display device and display panel fabrication method

Номер патента: EP3694011A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Dezhi Xu,Chengcheng Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Dye for photoelectric conversion device and photoelectric conversion device

Номер патента: US20150027542A1. Автор: Mitsuhiro Okada,Masahiro Shinkai,Junji Tanabe,Toru Yano,Yusuke Kubota,Atsushi Monden,Yohei Aoyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Metal oxide nano-composite magnetic material, fabrication method, and method for linkage, enrichment, and isolation of phosphorylated species

Номер патента: US20100184962A1. Автор: Wei-Yu Chen,Cheng-Tai Chen,Hong-yi LIN,Yu-Chie Chen,Chun-Yuen Lo,Chih Chi Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Zinc oxide based varistor and fabrication method

Номер патента: US09601244B2. Автор: Shuying Liu. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Alkali-metal-beta-and beta"-alumina and gallate polycrystalline ceramics and fabrication by a vapor phase method

Номер патента: US20030087752A1. Автор: Kuan-Zong Fung,Anil Virkar,Jan-Fong Jue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Alkali-metal-β- and β″-alumina and gallate polycrystalline ceramics and fabrication by a vapor phase method

Номер патента: US6537940B1. Автор: Anil Vasudeo Virkar,Kuan-Zong Fung,Jan-Fong Jue. Владелец: Materials and Systems Research Inc. Дата публикации: 2003-03-25.

Dielectric device and method of manufacturing dielectric device

Номер патента: US20100260981A1. Автор: Akira Shibue,Kenji Horino,Tomohiko Kato,Yasunobu Oikawa,Shinichiro Kakei. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-10-14.

Electrode for cell of energy-accumulating device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2444816C2. Автор: Евген КАЛИНУШКИН,Петер НОВАК. Владелец: Наноэнер Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2012-03-10.

Devices and methods related to mov having modified edge

Номер патента: EP4111476A1. Автор: Gordon L. Bourns,Che-Yi Su,Kelly C. Casey,Oscar ULLOA ESQUIVEL,Fernando ESTRADA HERNANDEZ. Владелец: Bourns Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130061923A1. Автор: Masakazu Muroyama,Kazuaki Fukushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

N-type metal oxide semiconductor spectrally sensitized with a cationic spectral sensitizer

Номер патента: WO2004025674A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Paul Callant. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-01.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US10826330B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US09685793B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: EP1540679A1. Автор: Hieronymus AGFA-GEVAERT ANDRIESSEN,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2005-06-15.

Oxidation-reduction assisted exfoliation and reassembly of transition metal oxide lithium intercalation compounds

Номер патента: US20180034054A1. Автор: QIAN Cheng,Candace Chan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-01.

Buffer layer for the crystal growth of metal oxides of perovskite type in particular on amorphous substrates

Номер патента: US20230298778A1. Автор: Adrian David,Gilles Poullain,Alexis Boileau,Christophe LABBE,Fabrice Gourbilleau,Christophe CIBERT,Arnaud FOUCHET,Ulrike LÜDERS. Владелец: Ecole Nationale Superieure dIngenieurs de Caen. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatus for depositing nanoparticles of metal oxides on a metal surface under normal conditions

Номер патента: RU2733530C1. Автор: Николай Васильевич Краснов,Марат Зарифович Мурадымов,Максим Николаевич Краснов,Екатерина Петровна Подольская,Ольга Александровна Кельциева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БиАП". Дата публикации: 2020-10-05.

Powdery Metal Oxide Mother Particles, Powdery Metal Oxide Child Particles, Process for Producing Powdery Metal Oxide Particles, Powdery Composite Particles, and Electrode for Solid Oxide Fuel Cell

Номер патента: US20080003487A1. Автор: Koichi Takizawa. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Formation of high quality titania, alumina and other metal oxide templated materials through coassembly

Номер патента: US12116287B2. Автор: Joanna Aizenberg,Tanya SHIRMAN,Katherine Reece PHILLIPS,Elijah Shirman,Theresa Kay. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-10-15.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C9. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-11-20.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C2. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-02-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

A μ-FLAP TYPE NANO/MICRO MECHANICAL DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: WO2005099087A1. Автор: Zachary James Davis. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2005-10-20.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240196631A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Piezoelectric element, multilayer piezoelectric element, fluid discharge head, fluid discharge device, ultrasonic motor, optical device and electronic device

Номер патента: RU2561601C1. Автор: Кенити ТАКЕДА,Дзумпеи ХАЯСИ,Синя КОЯМА,Кенити АКАСИ,Тацуо ФУРУТА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-08-27.

Organic electroluminescent device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050093439A1. Автор: Gaku Harada,Hisao Haku. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Voltage control unit of ring generators on complete metal-oxide-semiconductor (cmos) transistors

Номер патента: RU2763038C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Валерий Дмитриевич Байков,Николай Юрьевич Раннев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр «Электронные вычислительно-информационные системы» (АО НПЦ «ЭЛВИС»). Дата публикации: 2021-12-27.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide-semiconductor (mos) voltage divider with dynamic impedance control

Номер патента: US20140333367A1. Автор: Ricardo P. Coimbra,Edevaldo Pereira Silva, JR.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconducting metal oxide memory device using hydrogen-mediated threshold voltage modulation and methods for forming the same

Номер патента: US11942147B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Electronic device and method for producing the same, image forming method, and image forming apparatus

Номер патента: EP4034945A1. Автор: Masayuki Ishii,Ryota Inoue,Hidetoshi Kami,Tomoharu Asano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230413529A1. Автор: Hiroki Kawai,Kasumi Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Organic electroluminescence device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1244154A3. Автор: Yuji HAMADA,Morio Ogura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-09.

Metal oxide nanoparticle dispersible in non-polar solvent, electron transport layer-forming ink composition for inkjet printing including the same, preparation method thereof, and light-emitting device and display including the same

Номер патента: US20240352268A1. Автор: Kyungnam Kim,Somang Kim,Yeseul PARK,Sungmin HA,Chunrae NAM,Dohyeong Kim,Sanghyun Sohn,Jaehong NOH,Gyucheol YOON,Deahee LEE. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240251553A1. Автор: Ji Hoon Lee,Phil Ouk NAM,Young Bong SHIN,Mi Hye KANG,Jun Hee NA,Tae Gi YEH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Thin-film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080054257A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Jhih-Ping Lu,Hsuan-Ming Tsai,Kuo-Tong Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-06.

Multi-threshold complementary metal-oxide semiconductor (MTCMOS) bus circuit and method for reducing bus power consumption via pulsed standby switching

Номер патента: US20060082384A1. Автор: Rahul Rao,Kevin Nowka,Harmander Deogun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Linearity and dynamic range for complementary metal oxide semiconductor active pixel image sensors

Номер патента: US20020121589A1. Автор: Robert Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-05.

Methods and devices for matching transmission line characteristics using stacked metal oxide semiconductor (mos) transistors

Номер патента: WO2014066152A1. Автор: Yan Hu,Miao Li,Xiaoliang Bai,Jing Kang,Jingcheng Zhuang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-01.

Methods and devices for matching transmission line characteristics using stacked metal oxide semiconductor (mos) transistors

Номер патента: EP2912772A1. Автор: Yan Hu,Miao Li,Xiaoliang Bai,Jing Kang,Jingcheng Zhuang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Optical laminate, polarizer, image display device, and method for manufacturing optical laminate

Номер патента: US20240280729A1. Автор: Tetsuya Ono,Takaaki Ota,Hiroshi Sugata. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Five stage complimentary metal-oxide semiconductor rectifier with energy harvesting antenna

Номер патента: US20240266970A1. Автор: Munir A. Al-Absi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

Flip-flop implemented with metal-oxide semiconductors using a single low-voltage power supply and control method thereof

Номер патента: US20070046352A1. Автор: Hung-Yu Li,Jinn-Shyan Wang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-03-01.

Five stage complimentary metal-oxide semiconductor rectifier with energy harvesting antenna

Номер патента: US12107511B2. Автор: Munir A. Al-Absi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240049464A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Surface acoustic wave device, and its fabrication process

Номер патента: US20020047495A1. Автор: Katsuo Sato,Masahiro Nakano,Michiyuki Nakazawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Image processing device and method

Номер патента: RU2680741C2. Автор: Кадзуси САТО,Ёситомо ТАКАХАСИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-02-26.

Mobile communication device and method of managing said device

Номер патента: RU2438237C2. Автор: Тае Хун КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2011-12-27.

Method, device and system of administration communication control between account and device

Номер патента: RU2636524C2. Автор: Цзыгуан ГАО,Эньсин ХОУ,Минцзюнь ИНЬ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2017-11-27.

Image capturing device and system of video recording and video data playback

Номер патента: RU2447608C2. Автор: Ёсихико КУРОКИ,Ёсихико КУРОКИ (JP). Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2012-04-10.

Device and method for control of drive system from electric motor

Номер патента: RU2391767C2. Автор: Рёдзи САТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-06-10.

Image processing device and method

Номер патента: RU2731125C2. Автор: Одзи НАКАГАМИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-08-31.

Image processing device and method

Номер патента: RU2733096C2. Автор: Такэси ЦУКУБА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-09-29.

Image processing device and method

Номер патента: RU2737038C2. Автор: Масару ИКЕДА,Суо ЛУ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-11-24.

Device and method for image processing

Номер патента: RU2633140C2. Автор: Масару ИКЕДА,Суо ЛУ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2017-10-11.

Image processing device and method

Номер патента: RU2740164C2. Автор: Ёситака МОРИГАМИ,Кадзуси САТО,Суо ЛУ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2021-01-12.

Image processing device and method

Номер патента: RU2658793C2. Автор: Кадзуси САТО,Ёситомо ТАКАХАСИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-22.

Image processing device and method

Номер патента: RU2630385C2. Автор: Одзи НАКАГАМИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-07.

Image processing device and method

Номер патента: RU2701715C2. Автор: Кадзуси САТО. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-09-30.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11765954B2. Автор: Changhee Lee,Sungwoon KIM,JinGoo KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Fabrication method for non-volatile memory

Номер патента: US20040121535A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

User terminal, communication device and method of communication

Номер патента: RU2732994C2. Автор: Хиромаса УТИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-09-28.

Communication device and communication system

Номер патента: RU2763398C2. Автор: Юсукэ ТАНАКА,Рюйти ХИРАТА,Юйти МОРИОКА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2021-12-28.

Fabrication method for a MEMS device

Номер патента: US12017909B2. Автор: Deniz Sabuncuoglu Tezcan,Antonia MALAINOU. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-25.

Ceramic Organic-Inorganic Hybrid Coating Materials Composed of Metal Oxide Sol for Monolayer Anti-Reflective Film And Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR101094633B1. Автор: 김태현,홍정훈. Владелец: (주)디오. Дата публикации: 2011-12-20.

Low Temperature-curable Ceramic Organic-Inorganic Hybrid Hydrophilic Coating Materials Composed of Metal Oxide Nanoparticles with Ultraviolet ray cutting off And Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR101152244B1. Автор: 김태현,이경환,박원규. Владелец: (주)디오. Дата публикации: 2012-06-08.

Low temperature-curable ceramic organic-inorganic hybrid hydrophilic coating materials composed of metal oxide nanoparticles with ultraviolet ray cutting off and fabrication method thereof

Номер патента: KR20110102730A. Автор: 김태현,이경환,박원규. Владелец: (주)디오. Дата публикации: 2011-09-19.

Metal oxide sterilizing catalyst, and sterilizing device and system including the same

Номер патента: US20120093908A1. Автор: Chang Hyun Kim,Hyo Rang Kang,Hyun Seok Kim,Jae Eun Kim,Sang Min Ji,Joo Wook Lee,Ho Jung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-19.

Bi-metallic oxidation catalyst materials and appurtenant devices and systems

Номер патента: US20190257232A1. Автор: Wei Li,MING Yang,Xingcheng Xiao,Gongshin Qi,Ryan J. Day. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-08-22.

Color layer material, color filter substrate, electro-optic device and electronic device, fabrication method of color filter substrate, and manufacturing method of electro-optic device

Номер патента: US20060183038A1. Автор: Keiji Takizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

DISPLAY PANEL, ELECTRONIC DEVICE, AND DISPLAY PANEL FABRICATION METHOD

Номер патента: US20190033645A1. Автор: Zhang Weiji. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-31.

Metal nanoparticle sensor and fabrication method

Номер патента: US12077844B2. Автор: BO XIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US8529799B2. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Manufacturing method for metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US20120112137A1. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Electrochromic materials and fabrication methods

Номер патента: US09904137B1. Автор: Nelson R. Holcomb,Zhongchun Wang,Paul Phong Nguyen. Владелец: Clearist Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Catalyst for cleaning exhaust gases, method of regenerating said catalyst, as well as device and method of cleaning exhaust gases using said catalyst

Номер патента: RU2395341C1. Автор: Масахиде МИУРА,Нобуюки ТАКАГИ,Тоситака ТАНАБЕ,Ясутака НАГАИ,Казухико ДОХМАЕ,Ясуо ИКЕДА,Михо ХАТАНАКА,Тосио ЯМАМОТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-07-27.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164603A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Optical phased array structure and fabrication techniques

Номер патента: US12078911B2. Автор: Hui Wu. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal oxide gas sensor array devices, systems, and associated methods

Номер патента: EP3237896A1. Автор: Noureddine Tayebi,Pradyumna SINGH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Fingerprint sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US7400750B2. Автор: Yun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Single-electrode gas sensor based on oxidised titanium, procedure for its fabrication, sensor device and multi-sensor line based on its

Номер патента: RU2686878C1. Автор: Федор Сергеевич Федоров,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Михаил Юрьевич Васильков,Алексей Владимирович Кочетков,Андрей Витальевич Лашков,Илья Викторович Беляев,Илья Анатольевич Плугин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-05-06.

Exhaust gas purification device and method for manufacturing exhaust gas purification device

Номер патента: US20240017246A1. Автор: Nobuyuki Takagi,Takahiro Noguchi,Shogo Shirakawa,Takahiro Nishio,Hiroki NIHASHI,Tomomasa Aikawa,Hiroki Shirakawa. Владелец: Cataler Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Mixed metal oxide oxidation catalysts and oxidative ammonolysis of propane and isobutane and method of obtaining them

Номер патента: RU2356627C2. Автор: Клаус Ж. ЛАГМЭР,Джессика ЗИСК,Роберт К. ГРАССЕЛЛИ. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЛЛК. Дата публикации: 2009-05-27.

Electro-chemical reduction of metal oxides

Номер патента: RU2347015C2. Автор: Эндрю Артур ШУК,Грегори Дэвид РИГБИ,Иван РАТЧЕВ. Владелец: Би Эйч Пи БИЛЛИТОН ИННОВЕЙШН ПТИ ЛТД.. Дата публикации: 2009-02-20.

Drug-releasing compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210322566A1. Автор: Rajashekharayya A. Sanguramath,Ariel Antonio Franco. Владелец: Nsc Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Low-power, p-channel enhancement-type metal-oxide semiconductor field-effect transistor (PMOSFET) SRAM cells

Номер патента: US20060018147A1. Автор: Pramod Kolar,Hisham Massoud. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2006-01-26.

Multi-level power supply system for a complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20100201403A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Louis L. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages

Номер патента: US09852783B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and device for continuous production of metal oxide catalyst

Номер патента: RU2477653C2. Автор: Йон ЯН,Баошан ВУ,Йонван ЛИ,Хонвэй СЯН,Цзян СЮ. Владелец: Синфьюэлс Чайна Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-03-20.

Method of producing powder of simple or complex metal oxide

Номер патента: RU2723166C1. Автор: Виктор Дмитриевич Журавлев,Лариса Валерьевна Ермакова,Шамиль Минулович Халиуллин,Татьяна Александровна Патрушева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-06-09.

Lithium niobite compositions, syntheses, devices, and structures

Номер патента: US20160010221A1. Автор: William Alan Doolittle,Chloe A. M. Fabien,Brendan Patrick Gunning,Jordan Douglas Greenlee,Joshua C. Shank,Marshall B. Tellekamp, JR.. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Exhaust gas purification device and method for manufacturing exhaust gas purification device

Номер патента: US20230372917A1. Автор: Nobuyuki Takagi,Takahiro Noguchi,Shogo Shirakawa,Takahiro Nishio,Hiroki NIHASHI,Tomomasa Aikawa,Hiroki Shirakawa. Владелец: Cataler Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Metal oxides and/or their hydrates for the stabilization of aqueous preparation against growth of microorganisms

Номер патента: RU2744384C2. Автор: Анита ЦУМСТЕГ,Симон УРВИЛЕР,Йоахим ГЛАУБИЦ. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2021-03-09.

Metal oxide material reduction means

Номер патента: CA3211225A1. Автор: Ola Eriksson,Daniel MARJAVAARA,Björn Åström,Örjan Fjällborg. Владелец: Luossavaara Kiirunavaara AB LKAB. Дата публикации: 2022-08-25.

Device and method for detection of analytes

Номер патента: US09958457B2. Автор: Gary Anderson,Leah AMIR. Владелец: XCELLCURE LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Mesoporous metal oxides and processes for preparation thereof

Номер патента: US09908103B2. Автор: Steven L. Suib,Altug Suleyman POYRAZ. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal oxide nanorod arrays on monolithic substrates

Номер патента: US09855549B2. Автор: ZHENG Ren,Pu-Xian Gao,Yanbing GUO. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing layered metal oxide particles and layered metal oxide particles formed thereof

Номер патента: US09738986B2. Автор: ZHONG Chen,Yuxin Tang,Zhili Dong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Powder of metal oxide, powder of titanium oxide, method of producing metal oxide powder

Номер патента: RU2127221C1. Автор: Мохри Масахиде,Койке Хиронобу,Умеда Тецу,Танака Синитиро,Ватанабе Хисаси,Саегуса Кунио,Хасегава Акира. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани Лимитед. Дата публикации: 1999-03-10.

Synthesis of nanoparticles of composite metal oxides in supercritical water

Номер патента: RU2438982C2. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-01-10.

Metal oxide in form of particles

Номер патента: RU2271993C2. Автор: Грэхам Пол ДРЭНСФИЛД,Сьюзн КАТТЕР,Филип Лоренс ЛИТ. Владелец: Империал Кемикал Индастриз ПЛС. Дата публикации: 2006-03-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Zener diode structure in 60V high-voltage process for bipolar, complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and double diffusion metal oxide semiconductor (DMOS) (BCD) devices, and manufacturing method for Zener diode structure

Номер патента: CN102544065B. Автор: 刘建华,杨金,吴晓丽,胡景芝. Владелец: Shanghai Advanced Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor), semiconductor device integrated with same and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102097389A. Автор: 乔明,毛焜. Владелец: SHENZHEN LAND HOPE MICRO-ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

FILMS AND STRUCTURES FOR METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120146020A1. Автор: Ryu Yungryel,Lee Tae-Seok,White Henry W.. Владелец: Moxtronics, Inc.. Дата публикации: 2012-06-14.

Ultra-High Voltage N-Type-Metal-Oxide-Semiconductor (UHV NMOS) Device and Methods of Manufacturing the same

Номер патента: US20120241861A1. Автор: Chen Chieh-Chih,Lin Cheng-Chi,Lien Shih-Chin,Wu Shyi-Yuan,Lin Chen-Yuan. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-27.

Double-strain plane BiCMOS (Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) integrated device and preparation method

Номер патента: CN102820295B. Автор: 宋建军,王斌,王海栋,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor device having capacitor and fabricating method thereof

Номер патента: TWI263297B. Автор: Jung-Ching Chen,Ming-Tsung Tung,Chien-Ming Lin,Chin-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Semiconductor device having capacitor and fabricating method thereof

Номер патента: TW200725797A. Автор: Jung-Ching Chen,Ming-Tsung Tung,Chien-Ming Lin,Chin-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-01.

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120146021A1. Автор: Hayashi Ryo,Yabuta Hisato,Endo Ayanori,Kaji Nobuyuki. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-06-14.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE, MOUNTED SUBSTRATE, AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120007119A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120175778A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

Oxide semiconductor PN junction device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4164563B2. Автор: 秀雄 細野,正浩 平野,利夫 神谷,裕道 太田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Oxide semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4278405B2. Автор: 肇 齊藤,雅司 川崎. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

RAPID CRYSTALLIZATION OF HEAVILY DOPED METAL OXIDES AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20120001172A1. Автор: Li Qi,Shang Jian-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISK-SHAPED RECORDING MEDIUM, OPTICAL SPOT POSITION CONTROL DEVICE, AND OPTICAL SPOT POSITION CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002519A1. Автор: Horigome Junichi. Владелец: Sony Optiarc Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE-PROCESSING DEVICE AND IMAGE-PROCESSING METHOD, IMAGE-PICKUP DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20120002849A1. Автор: Tokuse Akira. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING MATERIAL COMPRISING ORTHOMETALATED IRIDIUM COMPLEX, LIGHT-EMITTING DEVICE, HIGH EFFICIENCY RED LIGHT-EMITTING DEVICE, AND NOVEL IRIDIUM COMPLEX

Номер патента: US20120004410A1. Автор: Igarashi Tatsuya,KIMURA Keizo,Nii Kazumi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor metal-oxide gas sensor

Номер патента: RU2206082C1. Автор: С.И. Рембеза,Е.С. Рембеза,Т.В. Свистова,Г.В. Горлова. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-06-10.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

IMAGE PROCESSING DEVICE AND IMAGE PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120002067A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEREOSCOPIC DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DRIVE CIRCUIT

Номер патента: US20120001956A1. Автор: Sato Yoshihisa. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SENSING DEVICE AND IMAGE SENSOR MODULE THEREOF

Номер патента: US20120001054A1. Автор: Wang Wei Chung,Shen Chi Chih,Li Kuo Hsiung,Chen Hui Hsuan,Chuang Jui Cheng. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-DISPERSIBLE COATED METAL OXIDE POWDER, AND PROCESS FOR PRODUCTION AND USE

Номер патента: US20120003287A1. Автор: Schlossman David,Shao Yun,Orr Carl. Владелец: KOBO PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE ULTRAFINE FIBER-BASED COMPOSITE SEPARATOR WITH HEAT RESISTANCE AND SECONDARY BATTERY USING SAME

Номер патента: US20120003524A1. Автор: Jang Sung-Yeon,KIM Dong Young,JO Seong Mu. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE NEGATIVE ELECTRODES FOR LITHIUM-ION ELECTROCHEMICAL CELLS AND BATTERIES

Номер патента: US20120003533A1. Автор: Dahn Jeffrey R.,Li Jin,Obrovac Mark N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Monolayers of organic compounds on metal oxide surfaces or metal surfaces containing oxide and component produced therewith based on organic electronics

Номер патента: US20120003485A1. Автор: Hayden Oliver,Schmid Gunter,Halik Marcus,Habich Dana Berlinde. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Mixed metal oxide-based memristor

Номер патента: RU2524415C1. Автор: Андрей Михайлович Маркеев,Андрей Владимирович Зенкевич,Константин Викторович Егоров,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-07-27.

Trigger for complementary microcircuit of metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2541894C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2015-02-20.

Measurement Device and Method Utilizing the Same

Номер патента: US20120000796A1. Автор: . Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Procedure for production of ultra-nano-disperse powder of transition metal oxide or mixture of oxides of transition metals

Номер патента: RU2400428C2. Автор: Ирина Владимировна Николаенко,Геннадий Петрович Швейкин. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2010-09-27.

Method of production of flexible nanoporous composite membrane with cellular structure of anode metal oxide or alloy

Номер патента: RU2545887C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Дмитрий Игоревич Петухов. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Фабрика новых материалов". Дата публикации: 2015-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.