Dielectric metal oxide cap for channel containing germanium
Номер патента: US20180374928A1
Опубликовано: 27-12-2018
Автор(ы): Ashish Agrawal, Benjamin Chu-Kung, Gilbert Dewey, Jack T. Kavalieros, Matthew V. Metz, Rafael Rios, Van H. Le, Willy Rachmady
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-12-2018
Автор(ы): Ashish Agrawal, Benjamin Chu-Kung, Gilbert Dewey, Jack T. Kavalieros, Matthew V. Metz, Rafael Rios, Van H. Le, Willy Rachmady
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating a metal oxynitride thin film that includes a first annealing of a metal oxide film in a nitrogen-containing atmosphere to form a metal oxynitride film and a second annealing of the metal oxynitride film in an oxidizing atmosphere
Номер патента: US20090096067A1. Автор: Toshihide Nabatame,Tomoaki Nishimura,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.