Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Radical oxidation and/or nitridation during metal oxide layer deposition process

Radical oxidation and/or nitridation during metal oxide layer deposition process

Номер патента: US6884685B2
Опубликовано: 26-04-2005
Автор(ы): Hsing H. Tseng, Ricardo Garcia, Tien Ying Luo
Принадлежит: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer

Номер патента: US7494939B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of forming a metal oxide by atomic layer deposition

Номер патента: KR100781543B1. Автор: 박정민,송민우,원석준,김주연,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming metal oxide and semimetal oxide

Номер патента: US20060024881A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Hydroxyl group termination for nucleation of a dielectric metallic oxide

Номер патента: US09831084B2. Автор: Takashi Ando,Michael P. Chudzik,Martin M. Frank,Min Dai,Barry P. Linder,Rishikesh Krishnan,Joseph F. Shepard, Jr.,Claude Ortolland,David F. Hilscher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Oxide precursor, oxide layer, semiconductor element, and electronic device, and method of producing oxide layer and method of producing semiconductor element

Номер патента: US20170335461A1. Автор: Satoshi Inoue,Masahiro Suzuki,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Kazuhiro Fukada. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Atomic layer deposition using novel oxygen-containing precursors

Номер патента: WO2023249825A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Atomic layer deposition using novel oxygen-containing precursors

Номер патента: US20230416915A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having said film and semiconductor device

Номер патента: EP1355348A3. Автор: Kiwamu c/o Sony Corporation Adachi,Satoshi c/o Sony Corporation Horiuchi,Tetsuya c/o CV Research Corporation Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Atomic layer deposition of rhenium containing thin films

Номер патента: US11821084B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology

Номер патента: US6808748B2. Автор: Anchuan Wang,Bikram Kapoor,M. Ziaul Karim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-10-26.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Atomic layer deposition methods and structures thereof

Номер патента: US20170110324A1. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Material layer deposition methods, semiconductor processing systems, and related computer program products

Номер патента: US20230125884A1. Автор: Alexandros Demos,Arun Murali,Gregory Deye,Caleb Miskin,Frederick Aryeetey. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-27.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Selective deposition of metal oxide

Номер патента: US20240282572A1. Автор: Yonggyu Han,Eva Tois,Charles DEZELAH,Shaoren Deng,Glen Wilk,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Aranzazu MAESTRE CARO,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala,Nadadur Veeraraghavan Srinath,David Zanders. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US20210317573A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US20230122224A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: WO2021206792A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-10-14.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US11993842B2. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: US20230340660A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: WO2023205332A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films

Номер патента: US11776807B2. Автор: Sun Ja Kim,Oreste Madia,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Lingyun Jia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Production of metal oxynitride layers, used as a dielectric in an electronic component of a semiconductor device, comprises depositing a metal compound on a substrate and reacting with nitrogen oxide and/or dinitrogen monoxide

Номер патента: DE10357756A1. Автор: Thomas Hecht,Uwe Schroeder,Stefan Jakschik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-14.

Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials

Номер патента: WO2020005487A1. Автор: Akhil Singhal,Patrick Van Cleemput. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-02.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials

Номер патента: US11887846B2. Автор: Akhil Singhal,Patrick Van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Layered metal oxide-silicon oxide films

Номер патента: WO2024073220A1. Автор: Ravi Kumar,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Pulkit Agarwal,Pei-Chi Liu,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-04-04.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Deposition Process for Forming Semiconductor Device and System

Номер патента: US20240379348A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

High selectivity atomic later deposition process

Номер патента: US20200303183A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Conformality modulation of metal oxide films using chemical inhibition

Номер патента: US20190203354A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes

Номер патента: US12040177B2. Автор: Yoshio SUSA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Deposition apparatus and method of forming metal oxide layer using the same

Номер патента: US20220364234A1. Автор: Wen-Lung Ho,Ming-Fa Wu,Jheng-Long Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Sub-stoichiometric metal-oxide thin films

Номер патента: GB2599336A. Автор: Rozen John,Ogawa Yohei,Michael Frank Martin. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Sub-stoichiometric metal-oxide thin films

Номер патента: WO2021014266A1. Автор: Yohei Ogawa,John Rozen,Martin Michael Frank. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-01-28.

Sub-stoichiometric metal-oxide thin films

Номер патента: US20210020427A1. Автор: Yohei Ogawa,John Rozen,Martin Michael Frank. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps

Номер патента: US20040152341A1. Автор: Dongqing Li,Zhengquan Tan,Walter Zygmunt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Sub-stoichiometric metal-oxide thin films

Номер патента: US20210272796A1. Автор: Yohei Ogawa,John Rozen,Martin Michael Frank. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures

Номер патента: US11923192B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Fu Tang,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures

Номер патента: US20240186138A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Fu Tang,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-06.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Selective Molecular Layer Deposition Of Organic And Hybrid Organic-Inorganic Layers

Номер патента: US20180342388A1. Автор: Robert Jan Visser,Prerna Goradia,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Indium gallium zinc oxide layers for thin film transistors

Номер патента: US09502242B2. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Tae Kyung Won,Jung-Chi (Eric) LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Adhesion layer for solution-processed transition metal oxides on inert metal contacts

Номер патента: GB2498903A. Автор: Thomas Kugler. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Electrochemical reduction of surface metal oxides

Номер патента: US20240191353A1. Автор: Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian W. VALENCIA,Yoon Ah SHIN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Preparation of Metal Oxide Thin Film Via Cyclic CVD or ALD

Номер патента: US20100075067A1. Автор: XINJIAN LEI,Daniel P. Spence,Moo-Sung Kim,Sang-Hyun Yang. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Nucleation layer deposition method

Номер патента: US11887848B2. Автор: Christof Martin Mauder. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2024-01-30.

Low temperature silicon carbide deposition process

Номер патента: WO2012039833A3. Автор: David Thompson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-05-10.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Electrochemical reduction of surface metal oxides

Номер патента: WO2024123553A1. Автор: Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian W. VALENCIA,Yoon Ah SHIN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: US20020102418A1. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: WO2002059945A2. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2002-08-01.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for forming metal oxide film, metal oxide film, and apparatus for forming metal oxide film

Номер патента: US20120040083A1. Автор: Akio Yoshida,Shizuo Fujita,Naoki Kameyama,Takahiro Shirahata,Hiroyuki Orita. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2012-02-16.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices

Номер патента: US09613977B2. Автор: Srikanth Ranganathan,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,Sateesh KOKA,Mark JUANITAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing a metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20020094699A1. Автор: Yeong-Her Wang,Mau-Phon Houng,Zhen-Song Ya. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Process of structuring an active organic layer deposited on a substrate

Номер патента: US20140235013A1. Автор: Marie Heitzmann,Simon Charlot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-08-21.

Process of structuring an active organic layer deposited on a substrate

Номер патента: US9553266B2. Автор: Marie Heitzmann,Simon Charlot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-24.

Passivation of silicon dioxide defects for atomic layer deposition

Номер патента: US11993844B2. Автор: Steven Wolf,Andrew Kummel,Michael Breeden,Ashay Anurag. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-28.

Low-temperature sidewall image transfer process using ALD metals, metal oxides and metal nitrides

Номер патента: US09437443B2. Автор: Markus BRINK,Michael A. Guillorn,Jeffrey W. Sleight,Sebastian U. Engelmann,Hiroyuki Miyazoe,Adam M. Pyzyna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Method for preventing line bending during metal fill process

Номер патента: US20200144066A1. Автор: Lawrence Schloss,Siew Neo,Michal Danek,Sanjay Gopinath,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Sema Ermez,Adam Jandl. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Indium gallium arsenide metal oxide semiconductor field effect transistor having a low contact resistance to metal electrode

Номер патента: US20200083342A1. Автор: Ning Li,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Indium gallium arsenide metal oxide semiconductor field effect transistor having a low contact resistance to metal electrode

Номер патента: US20190214475A1. Автор: Ning Li,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Pre-treatment method to improve selectivity in a selective deposition process

Номер патента: WO2020033171A1. Автор: Dennis Hausmann,Nagraj Shankar,Elham Mohimi,Pengyi Zhang,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Alexander R. Fox,Kapu Sirish Reddy,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-13.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment

Номер патента: CA2442929A1. Автор: Mrinal Kanti Das,Lori A. Lipkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers

Номер патента: US20060292864A1. Автор: Ming Xi,Michael Yang,Toshio Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Combined self-forming barrier and seed layer by atomic layer deposition

Номер патента: US20230298936A1. Автор: Yezdi Dordi,Kyle Jordan BLAKENEY. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Coating liquid for forming metal oxide film, metal oxide film, field-effect transistor, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US09748097B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Radical Oxidation Process For Fabricating A Nonvolatile Charge Trap Memory Device

Номер патента: US20180351004A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Jeong Soo Byun,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Atomic layer deposition methods and structures thereof

Номер патента: US09972694B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Atomic layer deposition methods and structures thereof

Номер патента: US09799745B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Forming Interlayer Dielectric Material by Spin-On Metal Oxide Deposition

Номер патента: US20190131240A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Chi-Lin Teng,Kai-Fang CHENG,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

NMOS and PMOS transistor gates with hafnium oxide layers and lanthanum oxide layers

Номер патента: US12107015B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Chieh Wang,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

NMOS and PMOS Transistor Gates with Hafnium Oxide Layers and Lanthanum Oxide Layers

Номер патента: US20240363442A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Chieh Wang,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices

Номер патента: US09842857B2. Автор: Srikanth Ranganathan,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,Sateesh KOKA,Mark JUANITAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Process for producing dense metal oxide coatings on semiconductor

Номер патента: US3720542A. Автор: H Sohlbrand. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-03-13.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2016209379A1. Автор: Srikanth Ranganathan,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,Sateesh KOKA,Mark JUANITAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3314634A1. Автор: Srikanth Ranganathan,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,Sateesh KOKA,Mark JUANITAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-02.

Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices

Номер патента: US20170162597A1. Автор: Srikanth Ranganathan,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,Sateesh KOKA,Mark JUANITAS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-08.

Atomic layer deposition of iii-v compounds to form v-nand devices

Номер патента: US20220028870A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-27.

Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices

Номер патента: US11956977B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating microchips using metal oxide masks

Номер патента: US20050181557A1. Автор: Thomas Hecht,Stefan Jakschik,Matthias Goldbach,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-18.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Parasitic channel mitigation using rare-earth oxide and/or rare-earth nitride diffusion barrier regions

Номер патента: US09673281B2. Автор: John Claassen Roberts,Kevin J. Linthicum. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Parasitic channel mitigation using rare-earth oxide and/or rare-earth nitride diffusion barrier regions

Номер патента: US20180026098A1. Автор: John Claassen Roberts,Kevin J. Linthicum. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Parasitic channel mitigation using rare-earth oxide and/or rare-earth nitride diffusion barrier regions

Номер патента: US20170069717A1. Автор: John Claassen Roberts,Kevin J. Linthicum. Владелец: MA Com Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Composite substrate of gallium nitride and metal oxide

Номер патента: US09431488B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia

Номер патента: TW201120239A. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using uv curing in ammonia

Номер патента: US20140020259A1. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Atomic layer etching of metal oxide

Номер патента: US20190096690A1. Автор: Andreas Fischer,Nerissa Draeger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Atomic layer etching of metal oxide

Номер патента: WO2019067080A1. Автор: Andreas Fischer,Nerissa Draeger. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of etching a metal oxide layer

Номер патента: US20080164238A1. Автор: Jung-hyun Lee,Yeon-hee Kim,Seok-Jae Chung,Soon-won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

System and method for converting at least part of membrane into silicon oxide, and/or for improving membranous quality using ultraviolet curing in vaporous atmosphere, and for highly densifying film using ultraviolet curing in ammonic atmosphere

Номер патента: JP2011109086A. Автор: Schravendijk Bart Van,Bhadri N Varadarajan,エヌ． ヴァラダラジャン バードリ,ヴァン スラヴェンディジク バート. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Process for fabricating semiconductor device and method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen,Te-Lin Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for etching metal or metal oxide by ozone water, method for smoothing surface of metal or metal oxide by ozone water, and patterning method using ozone water

Номер патента: US09797046B2. Автор: Takatoki Yamamoto,Ryuji Hatsuki. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-10-24.

Doping solution, method of preparing a layer doped with atoms of at least one metal m selected from group 1 or 2 of the periodic table with the properties of a p-type semiconductor containing copper oxide and/or oxides in oxidation state i or ii, a doped layer, use of such a layer for construction of a photovoltaic cell, and a photovoltaic cell comprising such a layer

Номер патента: PL439040A1. Автор: Grzegorz Putynkowski,Piotr Panek,Katarzyna Gawlińska-Nęcek,Robert P. Socha,Mateusz Wlazło. Владелец: Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna. Дата публикации: 2023-04-03.

PARASITIC CHANNEL MITIGATION USING RARE-EARTH OXIDE AND/OR RARE-EARTH NITRIDE DIFFUSION BARRIER REGIONS

Номер патента: US20180026098A1. Автор: Linthicum Kevin J.,Roberts John Claassen. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Measuring individual layer thickness during multi-layer deposition semiconductor processing

Номер патента: US09953887B2. Автор: Edward Augustyniak,Boaz Kenane. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus

Номер патента: US09905813B2. Автор: VALERIY Prushinskiy,Minsoo Kim,Byungkook Lee,Muhyun Kim,MuGyeom Kim,Yonggu Lee,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Jaesoo HA,Jaeyoung CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09893322B2. Автор: Taeyong KIM,Jaeseok Park,Kyubum Kim,Jungsuk Hahn,Jonghee Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Multi-pulse deposition processes

Номер патента: US20240183033A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Chi-Chou Lin,Tianyi Huang,Elizabeth Mao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Method and apparatus for remote plasma treatment for reducing metal oxides on a metal seed layer

Номер патента: US09865501B2. Автор: David Porter,Jonathan D. Reid,George Andrew Antonelli,James E. Duncan,Tighe A. Spurlin,Natalia Doubina. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for improving corrosion resistance of neodymium-iron-boron materials by low-temperature oxidation and/or nitridation treatment

Номер патента: US12112884B2. Автор: Wang Chen,Chen Wu,MI Yan,Jiaying Jin. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for improving corrosion resistance of neodymium-iron-boron materials by low-temperature oxidation and/or nitridation treatment

Номер патента: US20230282414A1. Автор: Wang Chen,Chen Wu,MI Yan,Jiaying Jin. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-09-07.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US20160211327A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US20160211328A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US09543388B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US09466673B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Deposition process for forming semiconductor device and system

Номер патента: US12112942B2. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods and apparatuses for estimating on-wafer oxide layer reduction effectiveness via color sensing

Номер патента: US09735035B1. Автор: Shantinath Ghongadi,Cian Sweeney,Manish Ranjan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for forming pattern of metal oxide and method for producing semiconductor element

Номер патента: US20240105466A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka,Moe TANIWAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Radical oxidation process for fabricating a nonvolatile charge trap memory device

Номер патента: US20200161478A1. Автор: Jeong Soo Byun,Sagy Charel Levy,Krishnaswarmy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Steam oxidation initiation for high aspect ratio conformal radical oxidation

Номер патента: US11948791B2. Автор: Christopher S. Olsen,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Selective sin capping on metal gate for metal oxidation prevention

Номер патента: US20240304679A1. Автор: Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190006505A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190334025A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: WO2019005464A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20200176596A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Source-body self-aligned method of a vertical double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230361195A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-11-09.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: WO2023249824A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: US20230420486A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of depositing tantalum oxide layer

Номер патента: KR100454758B1. Автор: 박문수,김명규. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-11-05.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Sti loss mitigation by radical oxidation treatment

Номер патента: US20240355906A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Chia-I Lin,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Laser annealing technique for metal oxide TFT

Номер патента: US09431244B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong,Cheonhong Kim,Tze-Ching Fung. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Contact over active gate structures with metal oxide layers to inhibit shorting

Номер патента: US12080639B2. Автор: Florian Gstrein,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Manish Chandhok,Rami HOURANI,Paul A. Nyhus,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Curtis Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20240339567A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Dose reduction of patterned metal oxide photoresists

Номер патента: US20210033974A1. Автор: Tejinder Singh,Ho-Yung Hwang,Abhijit B. MALLICK,Daniel Lee Diehl,Lifan Yan,Jothilingam RAMALINGAM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Dose reduction of patterned metal oxide photoresists

Номер патента: US20230115004A1. Автор: Tejinder Singh,Ho-Yung Hwang,Abhijit B. MALLICK,Daniel Lee Diehl,Lifan Yan,Jothilingam RAMALINGAM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Dose reduction of patterned metal oxide photoresists

Номер патента: US11994800B2. Автор: Tejinder Singh,Ho-Yung Hwang,Abhijit B. MALLICK,Daniel Lee Diehl,Lifan Yan,Jothilingam RAMALINGAM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

METAL OXIDE INTERLAYER STRUCTURE FOR nFET AND pFET

Номер патента: US20210066469A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Capacitor that includes dielectric layer structure having plural metal oxides doped with different impurities

Номер патента: US8698221B2. Автор: Hanjin Lim,Kiyeon Park,Insang JEON,Yeongcheol Lee,Jun-noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-15.

Metal Oxide Interlayer Structure for NFET and PFET

Номер патента: US20230223459A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Contact over active gate structures with metal oxide layers to inhibit shorting

Номер патента: EP3796370A1. Автор: Florian Gstrein,Charles Wallace,Richard Schenker,Manish Chandhok,Rami HOURANI,Leonard GULER,Paul Nyhus,Reken Patel,Curtis Ward,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Metal oxide interlayer structure for nFET and pFET

Номер патента: US11916128B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Metal oxide interlayer structure for nfet and pfet

Номер патента: US20240194762A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Structure for metal oxide semiconductor capacitor

Номер патента: US09443767B2. Автор: David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin-film transistor having metal oxide semiconductor layers of heterojunction structure, display device comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230253504A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Hyeon Joo SEUL. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-10.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20210351321A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: WO2021229356A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: EP4150680A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

High Productivity Combinatorial Material Screening for Metal Oxide Films

Номер патента: US20150179683A1. Автор: Sang Lee,Minh Huu Le,Jeroen Van Duren. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same

Номер патента: US09476137B2. Автор: Hitoshi Morinaga,Tadahiro Ohmi,Yasuhiro Kawase,Makoto Ishikawa,Yasuyuki Shirai,Masafumi Kitano,Fumikazu Mizutani. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for wet etching oxides and/or insulators

Номер патента: EP1073105A3. Автор: Daniel Scott Marshall,Lucia R. Salem,Harland G. Thompkins. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-10.

Organic layer deposition assembly, organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570714B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Dong-Seob Jeong,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming metal oxide layer and method of manufacturing perovskite solar cell using the same

Номер патента: US20240141499A1. Автор: Changsoon Kim,Sunghoon Han. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Precursors for the production of thin oxide layers and the use thereof

Номер патента: US20160208386A1. Автор: Joerg Schneider,Klaus Bonrad,Rudolf Hoffman,Mareiki Kaloumenos. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2016-07-21.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same

Номер патента: US09748483B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Hee-Cheol Kang,Young-Mook Choi,Dong-Kyu Lee,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09777364B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09512515B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method

Номер патента: US09496524B2. Автор: Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Young-Mook Choi,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Metal oxide film, semiconductor device, and display device

Номер патента: US12098458B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of forming metal oxide coatings

Номер патента: WO1992019391A1. Автор: James C. W. Chien,Benmin Gong. Владелец: Chien James C W. Дата публикации: 1992-11-12.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Method for the direct oxidation and/or internal reforming of ethanol, solid oxide fuel cell for direct oxidation and/or internal reforming of ethanol, catalyst and multifunctional electrocatalytic anode for direct oxidation and/or internal

Номер патента: US09431663B2. Автор: Paulo Emílio Valadão DE MIRANDA,Selma Aparecida Venancio,Hugo VILELA DE MIRANDA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Tunneling oxide layer, n-type double-sided solar crystalline silicon battery, and preparation methods

Номер патента: EP4254517A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Tunneling oxide layer, n-type double-sided solar crystalline silicon battery, and preparation methods

Номер патента: AU2022424722A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor processing device, reaction chamber thereof, and film layer deposition method

Номер патента: EP4249633A1. Автор: Yunfeng LAN,Fang Zhang,Huanyu Wang,Wenqiang Zhang,Haifeng Qin,Shuaitao SHI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Attachment of graphene and metal or metal oxide-modified graphene to organic polymers used in organic fuel cells

Номер патента: US09954241B2. Автор: CHENG Pan,Miriam Rafailovich,Andrew Chen,Arthur Chen,Hongfei Li,Rebecca Isseroff,Sneha Chittabathini,Alexandra Tse,Lee Blackburn. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2018-04-24.

Extruded composite electrical conductor has core consisting of metal and/or metal nitrides, oxides and/or carbides containing an embedded carbon nano-material

Номер патента: DE102009002178A1. Автор: Siegfried Menzel. Владелец: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Ultrathin superlattice of MnO/Mn/MnN and other metal oxide/metal/metal nitride liners and caps for copper low dielectric constant interconnects

Номер патента: US09947622B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with metal-insulator-semiconductor contact structure to reduce schottky barrier

Номер патента: US09536973B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Ultrathin superlattice of MnO/Mn/MnN and other metal oxide/metal/metal nitride liners and caps for copper low dielectric constant interconnects

Номер патента: US9691705B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Ultrathin superlattice of MnO/Mn/MnN and other metal oxide/metal/metal nitride liners and caps for copper low dielectric constant interconnects

Номер патента: US9472503B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

ULTRATHIN SUPERLATTICE OF MnO/Mn/MnN AND OTHER METAL OXIDE/METAL/METAL NITRIDE LINERS AND CAPS FOR COPPER LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERCONNECTS

Номер патента: US20170005040A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

ULTRATHIN SUPERLATTICE OF MnO/Mn/MnN AND OTHER METAL OXIDE/METAL/METAL NITRIDE LINERS AND CAPS FOR COPPER LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERCONNECTS

Номер патента: US20160133576A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

ULTRATHIN SUPERLATTICE OF MnO/Mn/MnN AND OTHER METAL OXIDE/METAL/METAL NITRIDE LINERS AND CAPS FOR COPPER LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERCONNECTS

Номер патента: US20160035618A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: US20240128323A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-04-18.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Metal oxide wet etching method

Номер патента: AU2022358422A1. Автор: George Kovall,Colleen Shang FENRICH. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing metal-oxide-semiconduct or field-effect transistors

Номер патента: WO2012071990A1. Автор: Alihajy Aliyeu. Владелец: Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Ionized metal plasma deposition process having enhanced via sidewall coverage

Номер патента: US20020068445A1. Автор: Somchintana Norasetthekul,Jeffrey Klatt. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device including a transistor having a metal-rich metal oxide layer

Номер патента: US20240021696A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Process for fabricating semiconductor device without etching residue produced during etching to oxide layer

Номер патента: US20010001732A1. Автор: Akira Mitsuiki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-05-24.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Method of fabricating a metal oxynitride thin film that includes a first annealing of a metal oxide film in a nitrogen-containing atmosphere to form a metal oxynitride film and a second annealing of the metal oxynitride film in an oxidizing atmosphere

Номер патента: US20090096067A1. Автор: Toshihide Nabatame,Tomoaki Nishimura,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Reduction of metal oxide in dual frequency plasma etch chamber

Номер патента: EP1078389A1. Автор: ZHENG Xu,Vijay Parkhe,Gilbert Hausmann,Barney M. Cohen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-02-28.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: US20230280648A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20140020259A1. Автор: VAN SCHRAVENDIJK Bart,Varadarajan Bhadri N.. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

Buffer layer for the crystal growth of metal oxides of perovskite type in particular on amorphous substrates

Номер патента: US20230298778A1. Автор: Adrian David,Gilles Poullain,Alexis Boileau,Christophe LABBE,Fabrice Gourbilleau,Christophe CIBERT,Arnaud FOUCHET,Ulrike LÜDERS. Владелец: Ecole Nationale Superieure dIngenieurs de Caen. Дата публикации: 2023-09-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

A method of passivating surface effects in metal oxide layers and devices comprising thereof

Номер патента: US20240224553A1. Автор: Morten Madsen,Mehrad AHMADPOUR. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Metal oxide with low temperature fluorination

Номер патента: US20230295798A1. Автор: Eric A. Pape,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Direct-structurable formulations based on metal oxide precursors for producing oxidic layers

Номер патента: US20200234955A1. Автор: Alexey Merkulov,Jochen BRENDT,Jonas KÖHLING. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2020-07-23.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

A method of passivating surface effects in metal oxide layers and devices comprising thereof

Номер патента: EP4334487A1. Автор: Morten Madsen,Mehrad AHMADPOUR. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of forming optoelectronic device having a stabilized metal oxide layer

Номер патента: EP2791072A2. Автор: Todd R. Bryden,Peter C. LeBaron,Andrzej M. Malek. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-10-22.

Method of forming optoelectronic device having a stabilized metal oxide layer

Номер патента: US20140290738A1. Автор: Peter C Lebaron,Todd R. Bryden,Andrzej M. Malek. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of forming optoelectronic device having a stabilized metal oxide layer

Номер патента: WO2013090131A2. Автор: Todd R. Bryden,Peter C. LeBaron,Andrzej M. Malek. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2013-06-20.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Method of making a transparent metal oxide electrode

Номер патента: EP2847769A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Gerardus Johan Jozef Winands,Pieter Jan Bolt,Andrea Illiberi,Frank Theodoor Johannes Grob. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2015-03-18.

Method of making a transparent metal oxide electrode

Номер патента: WO2013169106A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Gerardus Johan Jozef Winands,Pieter Jan Bolt,Andrea Illiberi,Frank Theodoor Johannes Grob. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-11-14.

Method of forming metal oxide film, metal oxide film and optical electronic device

Номер патента: US20130078457A1. Автор: Tomohiro Okumura,Osamu Morita,Mitsuo Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Metal oxide film, semiconductor device, and method for evaluating metal oxide film

Номер патента: US20240321577A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Surface-modified metal oxide particle dispersion liquid, method for producing same, surface-modified metal oxide particle-silicone resin composite composition, surface-modified metal oxide particle-silicone resin composite body, optical member and light emitting device

Номер патента: US09856361B2. Автор: Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming metal oxide film, metal oxide film and apparatus for forming metal oxide film

Номер патента: US09574271B2. Автор: Akio Yoshida,Shizuo Fujita,Naoki Kameyama,Takahiro Shirahata,Hiroyuki Orita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-Stick Metal Product Coated by Pvd with a Hydrophobic Metal Oxide

Номер патента: US20080261029A1. Автор: Anna Andersson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Metal oxide-based electrode compositions

Номер патента: US12074300B2. Автор: Clare GREY,Kent GRIFFITH. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Metal oxide-based electrode compositions

Номер патента: AU2019283439B2. Автор: Clare GREY,Kent GRIFFITH. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods to partially reduce certain metal oxides and oxygen reduced metal oxides

Номер патента: EP1115659A1. Автор: James A. Fife. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2001-07-18.

Barrier layer useful as sealing member in fuel cell, comprises metal comprising barium oxide and strontium oxide-free semi-crystalline sealing glass, which contains silicon dioxide, boron oxide, aluminum oxide and/or magnesium oxide

Номер патента: DE102011011107A1. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Jens Suffner,Dr. Gödeke Dieter. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of manufacturing compact bodies of manganic oxide and/or iron oxide and bodies thus obtained

Номер патента: US3256210A. Автор: Kruishoop Johan Christi Willem. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1966-06-14.

Production of titanium oxide- and/or vanadium oxide-based porous materials

Номер патента: EP2720789B1. Автор: Bertram Böhringer,Sven Fichtner,Roger GLÄSER,Michael LUTECKI,Patrick WITH,Astrid HEINRICH. Владелец: Bluecher GmbH. Дата публикации: 2020-04-08.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Infrared radiation detectors using carbon nanotubes-silicon vanadium oxide and or amorphous silicon nanoparticles-CNT nanocomposites and methods of constructing the same

Номер патента: US09677946B1. Автор: Ashok K. Sood,Elwood J. Egerton. Владелец: Magnolia Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Solar Cells Having Nanowire Titanium Oxide and/or Silicon Carbide Cores and Graphene Exteriors

Номер патента: US20170054044A1. Автор: Gruen Dieter M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

SOLAR CELLS HAVING NANOWIRE TITANIUM OXIDE AND/OR SILICON CARBIDE CORES AND GRAPHENE EXTERIORS

Номер патента: US20150200316A1. Автор: Gruen Dieter M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Solar Cells Having Nanowire Titanium Oxide and/or Silicon Carbide Cores and Graphene Exteriors

Номер патента: US20170054044A1. Автор: Dieter M. Gruen. Владелец: Dimerond Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Solar cells having nanowire titanium oxide and/or si licon carbide cores and graphene exteriors

Номер патента: EP2828898A4. Автор: Dieter M Gruen. Владелец: Dimerond Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-24.

Solar cells having nanowire titanium oxide and/or si licon carbide cores and graphene exteriors

Номер патента: EP2828898A1. Автор: Dieter M. Gruen. Владелец: Dimerond Technologies LLC. Дата публикации: 2015-01-28.

Solar cells having nanowire titanium oxide and/or silicon carbide cores and graphene exteriors

Номер патента: WO2014025865A9. Автор: Dieter M. Gruen. Владелец: Dimerond Technologies, LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

Solar cells having nanowire titanium oxide and/or si licon carbide cores and graphene exteriors

Номер патента: WO2014025865A1. Автор: Dieter M. Gruen. Владелец: Dimerond Technologies, LLC. Дата публикации: 2014-02-13.

PARASITIC CHANNEL MITIGATION USING RARE-EARTH OXIDE AND/OR RARE-EARTH NITRIDE DIFFUSION BARRIER REGIONS

Номер патента: US20170069717A1. Автор: Linthicum Kevin J.,Roberts John Claassen. Владелец: M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Metal deposition process for metal lines over topography

Номер патента: US20020017726A1. Автор: Darryl Restaino,Nancy Greco,Ernest Levine,Parth DAVE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Metal oxide layered structure and methods of forming the same

Номер патента: US11854826B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal oxide layered structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240096642A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Leadframe with a metal oxide coating and method of forming the same

Номер патента: US20230402364A1. Автор: Luca Maria Carlo DI DIO. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-14.

Tunable doping of carbon nanotubes through engineered atomic layer deposition

Номер патента: US11832458B2. Автор: Christian Lau,Max SHULAKER. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-28.

METHOD FOR INCREASING AN OXIDE THICKNESS AT TRENCH CORNER OF AN U-shaped gate METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20220148923A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Yi-Ting Shih,Fang-Hsin Lu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for increasing breaking down voltage of lateral diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20100270615A1. Автор: Kwang-Ming Lin,Shih-Chan Chen,Shih-Chieh Pu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device structure with metal oxide layer and method for forming the same

Номер патента: US20240088208A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Wen-Tzu Chen,Tzu-Ting Liu,Man-Yun WU,Wen-Ling CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Metal oxide nano-composite magnetic material, fabrication method, and method for linkage, enrichment, and isolation of phosphorylated species

Номер патента: US20100184962A1. Автор: Wei-Yu Chen,Cheng-Tai Chen,Hong-yi LIN,Yu-Chie Chen,Chun-Yuen Lo,Chih Chi Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Arrays of metal and metal oxide microplasma devices with defect free oxide

Номер патента: CA2839999C. Автор: Sung-Jin Park,Seung Hoon Sung,J. Gary Eden,Jin Hoon Cho,Min Hwan Kim. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods for Forming Lithium Manganese Oxide Layers

Номер патента: US20170125789A1. Автор: Philippe Vereecken,Nouha LABYEDH,Marina Yurievna Timmermans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-05-04.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Method for manufacturing a doped metal oxide film

Номер патента: US20210123131A1. Автор: Min-Chuan Wang,Yu-Lin YEH,Ting-Kuei Tsai. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2021-04-29.

Oxidation-reduction assisted exfoliation and reassembly of transition metal oxide lithium intercalation compounds

Номер патента: US20180034054A1. Автор: QIAN Cheng,Candace Chan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-01.

Powdery Metal Oxide Mother Particles, Powdery Metal Oxide Child Particles, Process for Producing Powdery Metal Oxide Particles, Powdery Composite Particles, and Electrode for Solid Oxide Fuel Cell

Номер патента: US20080003487A1. Автор: Koichi Takizawa. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Formation of high quality titania, alumina and other metal oxide templated materials through coassembly

Номер патента: US12116287B2. Автор: Joanna Aizenberg,Tanya SHIRMAN,Katherine Reece PHILLIPS,Elijah Shirman,Theresa Kay. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-10-15.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C2. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-02-27.

Nanostructured mixed metal oxides as catalysts and method of making thereof

Номер патента: US20190169043A1. Автор: Eranda Nikolla,Bingwen Wang,Ayad Nacy. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for preparing metal oxide nanoparticle/graphene composite using supercritical fluid and metal oxide nanoparticle/graphene composite prepared by the same

Номер патента: US09899671B2. Автор: Jaehoon Kim,Wenying Li,Do Hyeon YOON,Ji Eun HWANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-02-20.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C9. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-11-20.

Niobium metal oxide

Номер патента: WO2024126839A1. Автор: Sai SHIVAREDDY,Supreeth NAGENDRAN,Clare Philomena GREY. Владелец: Nyobolt Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Low temperature reduction of metal oxides

Номер патента: EP4142971A1. Автор: Jawad Haidar,Bilal Khan,Rajan GNANARAJAN. Владелец: Kinaltek Pty Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Mesoporous metal oxides, preparation and applications thereof

Номер патента: US10822246B2. Автор: Zhu Luo,Steven L. Suib. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2020-11-03.

Mesoporous metal oxides, preparation and applications thereof

Номер патента: US20170349447A1. Автор: Steven L. Suib. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2017-12-07.

Compositions and methods for making lithium-transition metal oxide compounds including niobium

Номер патента: US20240228324A1. Автор: M. Whittingham,Fengxia XIN. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-07-11.

Sintering process of metal oxide based formulations

Номер патента: WO2012140684A1. Автор: Thomas Meredith Brown,Aldo Di Carlo,Andrea REALE,Girolamo MINCUZZI. Владелец: DYEPOWER. Дата публикации: 2012-10-18.

Sintering process of metal oxide based formulations

Номер патента: EP2697810A1. Автор: Thomas Meredith Brown,Aldo Di Carlo,Andrea REALE,Girolamo MINCUZZI. Владелец: DYEPOWER. Дата публикации: 2014-02-19.

Metal oxide mesocrystal, and method for producing same

Номер патента: US09873108B2. Автор: Takashi Tachikawa,Tetsuro Majima,Zhenfeng Bian. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2018-01-23.

Lithium—transition metal oxide powder and method of producing the same, positive electrode active material for lithium ion battery, and lithium ion secondary battery

Номер патента: US09761868B2. Автор: Akira Nagatomi. Владелец: Dowa Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Metal or metal oxide comprising a surface-bonded organic shell, and a method for preparing the same

Номер патента: US09548147B2. Автор: Boliang GUO. Владелец: Beijing Gignano Biointerface Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Mesoporous metal oxide microsphere electrode compositions and their methods of making

Номер патента: US09515318B2. Автор: Xiao-Guang Sun,Mariappan Parans Paranthaman,Gilbert M. Brown,Hansan Liu,Zhonghe BI. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Porous multi-metal oxide nanotubes and production method therefor

Номер патента: US20220195630A1. Автор: Ju Ahn PARK,Sangaraju Shanmugam. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Porous multi-metal oxide nanotubes and production method therefor

Номер патента: US20240141558A1. Автор: Ju Ahn PARK,Sangaraju Shanmugam. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Porous multi-metal oxide nanotubes and production method therefor

Номер патента: US11905624B2. Автор: Ju Ahn PARK,Sangaraju Shanmugam. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Lithium metal oxide containing batteries having improved rate capability

Номер патента: EP3198669A1. Автор: Hideaki Maeda,Ing-Feng Hu,Ting Han,Yu Hua Kao. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-02.

Low temperature reduction of metal oxides

Номер патента: AU2021262230A1. Автор: Jawad Haidar,Bilal Khan,Rajan GNANARAJAN. Владелец: Kinaltek Pty Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240304698A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Simultaneous formation of a top oxide layer in a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistor and a gate oxide in a metal oxide semiconductor (MOS)

Номер патента: US09583501B1. Автор: Jeong-Mo Hwang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetoresistive memory element having a metal oxide tunnel barrier

Номер патента: US09444037B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Dimitri Houssameddine,Jason Janesky. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Metal oxide solar cell

Номер патента: RU2698533C1. Автор: Сергей Дмитриевич Варфоломеев,Олег Игоревич Шевалеевский,Людмила Леонидовна Ларина,Ольга Валериевна Алексеева,Виктория Михайловна Иванова,Леонтий Иванович Кузнецов,Павел Андреевич Ширяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля Российской академии наук (ИБХФ РАН). Дата публикации: 2019-08-28.

Metal-oxide thin-film transistor and method for fabricating same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194747A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming metal oxide metal capacitors using multi-step rapid material thermal process and a device formed thereby

Номер патента: US20020017670A1. Автор: Pradip Roy,Sailesh Merchant,Siddhartha Bhowmik,Sidhartha Sen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Metal oxide semiconductor structure

Номер патента: US09595486B2. Автор: Chung-Chin Huang,Ted-Hong Shinn,Chin-Wen Lin,Chuan-I HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070111415A1. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (soi mosfet) structure

Номер патента: US20240243201A1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SOI MOSFET) structure

Номер патента: US12057502B1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-06.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240234591A9. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structure to enhance light-emitting efficiency

Номер патента: US20030201434A1. Автор: Ching-Fuh Lin,Ting-Wei Su,Wei-Fang Lin,Eih-Zhe Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structure to enhance light-emitting efficiency

Номер патента: US6770903B2. Автор: Ching-Fuh Lin,Ting-Wei Su,Wei-Fang Lin,Eih-Zhe Liang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2004-08-03.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US12062576B2. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Single-Electron Tunnel Junction for a Complementary Metal-Oxide Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20080054253A1. Автор: Dirk Leipold,Robert Staszewski,Renaldi Winoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor with insulator stack having a plurality of metal oxide layers

Номер патента: US09691839B2. Автор: André BARAN,Timothy E. Glassman,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Organic light emitting display device having 2 stack structure and a metal oxide

Номер патента: US09911939B2. Автор: Jeongkyun SHIN,Hyukchan GEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal oxide thin-film transistor and manufacturing method therefor, display panel and display apparatus

Номер патента: EP4345910A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Metal oxide semiconductor (MOS) transistors with increased break down voltages and methods of making the same

Номер патента: US20090184380A1. Автор: Marian Udrea Spenea,Serban Mihai Popescu,Laszlo Lipcsei. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Atomic layer deposition of chemical passivation layers and high performance anti-reflection coatings on back-illuminated detectors

Номер патента: US20110316110A1. Автор: Frank Greer,Shouleh Nikzad,Michael E. Hoenk. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-12-29.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors with saddle-gate source follower for imaging pixels

Номер патента: US12142620B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Metal oxide semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US9006730B2. Автор: Chung-Chin Huang,Chin-Wen Lin,Ted Hong Shinn,Chuan-I HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-04-14.

Top gate metal oxide thin film transistor switching device for imaging applications

Номер патента: WO2017099918A1. Автор: Jungwon Park,Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Karthik Nagarajan. Владелец: dpiX, LLC. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a metal oxide layer with a concentration gradient of oxygen and an insulating layer with excess oxygen

Номер патента: US11817508B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Nanowire-based integrated via in anodic aluminum oxide layer for cmos applications

Номер патента: US20220393328A1. Автор: Yali Zhang,Bethanie Joyce Hills Stadler,Rhonda Franklin,Joseph Um,Rashaunda Henderson. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-12-08.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070228428A1. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

High-voltage metal-oxide-semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180097104A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Chih-Chung Wang,Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Ping-Hung Chiang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

High-voltage metal-oxide-semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09985129B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Chih-Chung Wang,Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Ping-Hung Chiang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Electrically conductive metal oxide coatings

Номер патента: US4904526A. Автор: David C. Koskenmaki. Владелец: 3M Co. Дата публикации: 1990-02-27.

Method of manufacturing display panel with circuit-layer stack including metal, oxide, and capping layers, and display panel manufactured by the same

Номер патента: US11910679B2. Автор: Hongsick PARK,Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Gyungmin BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240014255A1. Автор: Hojung Lee,Seung Yup Jang,Jaemoo KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Bonded assembly containing bonding pads with metal oxide barriers and methods for forming the same

Номер патента: US20230361069A1. Автор: Kensuke Ishikawa,Fumitaka Amano,Shingo Totani,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Bonded assembly containing bonding pads with metal oxide barriers and methods for forming the same

Номер патента: WO2023219720A1. Автор: Kensuke Ishikawa,Fumitaka Amano,Lin Hou,Shingo Totani,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate fabrication method of an u-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and trench gate structure formed thereof

Номер патента: US20240105816A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Li-Tien Hsueh. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-28.

An enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: EP1586119A2. Автор: Olin L. Hartin,Nicholas Medendorp,Matthias Passlack,Marcus Ray. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-10-19.

An enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: WO2004064172A2. Автор: Olin L. Hartin,Nicholas Medendorp,Matthias Passlack,Marcus Ray. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Split-gate lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140061790A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Complementary metal oxide heterojunction memory devices and methods related thereto

Номер патента: US09634247B2. Автор: Dongmin Chen,Lee Cleveland,Seshubabu Desu,Kurt Pfluger,Jean Yang-Scharlotta. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal oxide metal capacitor with slot vias

Номер патента: US09425330B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chien-Jung Wang,Chin-Shan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240136448A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Metal-oxide-semiconductor capacitor

Номер патента: WO2024086220A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-04-25.

Organic light emitting display device having 2 stack structure and a metal oxide

Номер патента: US9634293B2. Автор: Jeongkyun SHIN,Hyukchan GEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

High density metal layers in electrode stacks for transition metal oxide dielectric capacitors

Номер патента: US20230402499A1. Автор: Kaan OGUZ,Tristan TRONIC,Neelam Prabhu Gaunkar,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Multifunctional heterojunction metal oxide gas sensor

Номер патента: US20220091060A1. Автор: Andrea Fasoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Multifunctional heterojunction metal oxide gas sensor

Номер патента: GB2613523A. Автор: Fasoli Andrea. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Multifunctional heterojunction metal oxide gas sensor

Номер патента: WO2022063018A1. Автор: Andrea Fasoli. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US20230020731A1. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method to manufacture split gate with high density plasma oxide layer as inter-polysilicon insulation layer

Номер патента: US20100099230A1. Автор: Yu Wang,Francois Hebert,Hong Chang,Yingying Lou,Sung-Shan Tai,Mengyu Pan,Yong-Zhong Hu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Improvements in or relating to plate shaped metal oxide rectifiers

Номер патента: GB345393A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1931-03-26.

Method for forming shielding polysilicon sidewall for protecting shielded gate trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US11749735B2. Автор: YI Su,Hong Chang. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Trench vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: WO2012034372A8. Автор: Genyi Wang,Tzong Shiann Wo. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a cold source

Номер патента: US20210210639A1. Автор: Jian Wang,Fei Liu,Hong Guo. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Electronic device including topological insulator and transition metal oxide

Номер патента: US20180090592A1. Автор: Taehyeon Kim,MannHo CHO,KwangSik JEONG,DaeHong KO,Donghyeok LIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-03-29.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device (ldmos) and fabrication method thereof

Номер патента: US20140035034A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

ReRAM cells with diffusion-resistant metal silicon oxide layers

Номер патента: US20160028008A1. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

High-voltage metal-oxide-semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9859417B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Chih-Chung Wang,Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Ping-Hung Chiang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

High-voltage metal-oxide-semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20170345926A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Chih-Chung Wang,Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Ping-Hung Chiang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Nitrogen heterocycle-containing monolayers on metal oxides for binding biopolymers

Номер патента: US20190137879A1. Автор: Willi Volksen,Shu-Jen Han,Hareem T. MAUNE,Hoa D. Truong,Linda K. Sundberg,Charles T. Rettner,Brian Lin,Leslie E. Thompson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Tandem metal oxide solar element

Номер патента: RU2626752C1. Автор: Сергей Сергеевич Козлов,Олег Игоревич Шевалеевский,Михаил Александрович Александров,Людмила Леонидовна Ларина,Александр Андреевич Пашали,Анна Борисовна Никольская,Марина Фаритовна Вильданова. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2017-07-31.

Dye-sensitized metal-oxide solar cell

Номер патента: RU2649239C1. Автор: Олег Игоревич Шевалеевский,Людмила Леонидовна Ларина,Анна Борисовна Никольская,Виктория Михайловна Иванова,Леонтий Иванович Кузнецов,Ольга Кирилловна Карягина. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2018-03-30.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device having a stacked metal oxide

Номер патента: US09722092B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Multifunctional Nanostructured Metal-Rich Metal Oxides

Номер патента: US20160035916A1. Автор: Andrew Wong,Jifeng Liu. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2016-02-04.

Thin layer metal oxide capacitor, electronic device including the same (dram), and method of preparing the same

Номер патента: EP4290542A3. Автор: Changsoo LEE,Jooho Lee,Cheheung KIM,Jinhong Kim,Yong-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Metal oxide thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240250177A1. Автор: Chen Xu,Jie Huang,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Image sensor having stacked metal oxide films as fixed charge film

Номер патента: US12080738B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Min-Ying Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Multifunctional nanostructured metal-rich metal oxides

Номер патента: US09954123B2. Автор: Andrew Wong,Jifeng Liu. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2018-04-24.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Resistive random access memory device with a solid electrolyte including a region made of a first metal oxide and doped by a second element distinct from the first metal

Номер патента: US09722177B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-01.

UNIFORM STABILIZATION NANOCOATINGS FOR LITHIUM RICH COMPLEX METAL OXIDES AND ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR FORMING THE COATING

Номер патента: US20180108908A1. Автор: Li Bing,Amiruddin Shabab,Dalavi Swapnil. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

UNIFORM STABILIZATION NANOCOATINGS FOR LITHIUM RICH COMPLEX METAL OXIDES AND ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR FORMING THE COATING

Номер патента: US20140302392A1. Автор: Li Bing,Amiruddin Shabab,Dalavi Swapnil. Владелец: ENVIA SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-10-09.

Improvements to thin film oxide and (or) nitride potentiometers

Номер патента: FR1215782A. Автор: . Владелец: Societe dElectronique et dAutomatisme SA. Дата публикации: 1960-04-20.

Improvements to thin film oxide and (or) nitride potentiometers

Номер патента: FR79330E. Автор: . Владелец: Societe dElectronique et dAutomatisme SA. Дата публикации: 1962-11-16.

Method for the direct oxidation and/or internal reforming of ethanol, solid oxide fuel cell for direct oxidation and/or internal reforming of ethanol, catalyst and multifunctional electrocatalytic anode for direct oxidation and/or internal reforming of ethanol

Номер патента: EP2444153A4. Автор: Selma Aparecida Venancio,Miranda Paulo Emilio Valadao De,Miranda Hugo Vilela De. Владелец: LABH2 INOVACAO DESENVOLVIMENTO E CONSULTORIA Ltda. Дата публикации: 2014-03-12.

Process for the separation of a first substance selected from sulphured, oxidized and / or carbonated minerals from a mixture comprising contacting said mixture with a hydrophobicization medium to form an adduct, contacting said adduct with a magnetic particle and separating; functionalized particle; and its use.

Номер патента: CL2011000112A1. Автор: Imme Domke,Alexej Michailovski,Norbert Mronga,Susanne Stutz,Hartmut Hibs,Jurgen Propsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-06-24.

Superalloy coating composition with oxidation and/or sulfidation resistance

Номер патента: CA1169267A. Автор: Srinivasan Shankar,Louis E. Dardi. Владелец: Howmet Turbine Components Corp. Дата публикации: 1984-06-19.

Superalloy coating composition with oxidation and/or sulfidation resistance

Номер патента: US4339509A. Автор: Srinivasan Shankar,Louis E. Dardi. Владелец: Howmet Turbine Components Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Superalloy coating composition with oxidation and/or sulfidation resistance

Номер патента: US4615864A. Автор: Srinivasan Shankar,Louis E. Dardi. Владелец: Howmet Turbine Components Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Activation method for item from passive ferrous and non-ferrous metal till carbonisation, nitridation and/or nitridation-carbonisation

Номер патента: RU2536841C2. Автор: Томас Лундин КРИСТИАНСЕН,Томас Страбо ХУММЕЛЬСХЕЙ,Марсел А.Й. СОМЕРС. Владелец: Экспаните А/С. Дата публикации: 2014-12-27.

Reducing agent composition for iron oxide and/or iron hydroxide

Номер патента: EP4293137A1. Автор: Noriaki Ushio. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Reducing agent composition for iron oxide and/or iron hydroxide

Номер патента: US20240133046A1. Автор: Noriaki Ushio. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Metal oxides and/or their hydrates for the stabilization of aqueous preparation against growth of microorganisms

Номер патента: RU2744384C2. Автор: Анита ЦУМСТЕГ,Симон УРВИЛЕР,Йоахим ГЛАУБИЦ. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2021-03-09.

Method of producing at least one product of partial oxidation and/or ammoxidation of hydrocarbon, chosen from group, containing acrolein, methacrolein, acrylic acid, methacrylic acid, acrylonitrile and methacrylonitrile

Номер патента: RU2356881C2. Автор: Йохен ПЕТЦОЛЬДТ,Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Отто Маххаммер,Клаус ХЕХЛЕР,Гетц-Петер ШИНДЛЕР,Кристоф АДАМИ,Клаус ХАРТ. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2009-05-27.

Article covered by low-emission coating including zirconium oxide and/or zirconium-silicon oxinitride

Номер патента: RU2493115C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Филип Дж. Лингл,Брент БОЙС,Цзюнюй ЛАО. Владелец: Сантр Люксамбуржуа Де Решерш Пур Ле Верр Э Ля Серамик С.А. (С.Р.В.С.). Дата публикации: 2013-09-20.

Outer coating from zirconium oxide, doped with gadolinium oxide and/or method of obtaining thereof

Номер патента: RU2570054C2. Автор: Мухаммад ИМРАН. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-12-10.

Additive for improving the oxidation and/or storage stability of motor fuels or liquid hydrocarbon-containing fuels

Номер патента: US09663736B2. Автор: Frederic Tort,Géraldine Papin,Christian Vermorel,Pauline Croc. Владелец: Total Marketing Services SA. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of obtaining, at least, one product of partial oxidation and/or ammoxidising of propylene

Номер патента: RU2347772C2. Автор: Отто Маххаммер,Клаус ХЕХЛЕР,Гетц-Петер ШИНДЛЕР,Кристоф АДАМИ,Иохен ПЕТЦОЛЬДТ,Клаус Иоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Ханс МАРТАН. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2009-02-27.

Method of producing at least one end product via partial oxidation and/or oxidation of propylene in ammonia medium

Номер патента: RU2448946C2. Автор: Мартин ДИТЕРЛЕ,Клаус ХЕХЛЕР,Кристоф АДАМИ,Армин ДИФЕНБАХЕР. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2012-04-27.

Emulsion polymerization process utilizing a specifically defined ethylenically unsaturated polymerizable water-soluble nonionic surfactant formed by the reaction of a diallylamine, ethylene oxide and propylene oxide and/or butylene oxide

Номер патента: US5478883A. Автор: Michael J. Anchor,Sridhar Gopalkrishnan. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 1995-12-26.

Use of cement-free vibration masses containing aluminium oxide and/or zirconium dioxide for the production of wearing parts

Номер патента: CA1257879A. Автор: Gunter Gelsdorf,Harald Boess. Владелец: Didier Werke AG. Дата публикации: 1989-07-25.

Improved emulsion polymerization process utilizing a specifically defined ethylenically unsaturated polymerizable water-soluble nonionic surfactant formed by the reaction of a diallylamine, ethylene oxide, and propylene oxide and/or butylene oxide

Номер патента: CA2173814C. Автор: Michael J. Anchor,Sridhar Gopalkrishnan. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2005-06-07.

N-oxide and/or di-n-oxide derivatives of dopamine receptor stabilizers/modulators displaying improved cardiovascular side-effects profiles

Номер патента: CA2683719C. Автор: Hakan V. Wikstroem. Владелец: Teva Pharmaceuticals International GmbH. Дата публикации: 2015-07-14.

Preparation of at least one partial oxidation and/or ammoxidation product of propylene

Номер патента: MY132763A. Автор: Claus Hechler Dr,Otto Machhammer Dr,Hans Martan Dr,Klaus Joachim Muller-Engel Dr,Christoph Adami Dr,Jochen Petzoldt Dr,Gotz-Peter Schindler Dr. Владелец: Basf Ag. Дата публикации: 2007-10-31.

Process for preparing at least one target product by partial oxidation and/or ammoxidation of propylene

Номер патента: MY152928A. Автор: Diefenbacher Dr Armin,Hechler Dr Claus,Adami Dr Christoph,Dieterle Dr Martin. Владелец: Basf Ag. Дата публикации: 2014-12-15.

Metal oxide lithiophilic coating on stainless steel current collector

Номер патента: US20240332480A1. Автор: Shaomao Xu,Sayed Youssef Sayed Nagy,Caleb Reese,Diptak BHATTACHARYA. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal oxide-stabilized platinum based orr catalyst (options) and method for its preparation

Номер патента: RU2674690C2. Автор: Дзун ЯН,Чуньчуань СЮЙ,Патрик ПЬЕТРА,Керри ГАТ,Бенджамин ПЕНС,Марк Джон ЯГНЕР,Джеймс ВАЛЬДЕКЕР,Синити ХИРАНО,Майкл Алан ТАМОР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-12-12.

Metal oxide electrochemical cell

Номер патента: GB2432717A. Автор: Tatsuya Shimoda,Masaya Ishida,Barry Mcgregor. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Plasma display panel with metal oxide layer on electrode

Номер патента: US6160345A. Автор: Shigeo Suzuki,Ryuichi Murai,Hideaki Yasui,Akira Shiokawa,Masaki Aoki,Hiroyoshi Tanaka,Yoshiki Sasaki,Masatoshi Kudoh,Mitsuhiro Ohtani,Koichi Kotera,Kinzou Nonomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Multicolour metal oxide electrochemical cell

Номер патента: GB2432718A. Автор: Tatsuya Shimoda,Masaya Ishida,Barry Mcgregor. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Cathode ray tube having a metal oxide film over a black matrix

Номер патента: US5602442A. Автор: Hae-Beob Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-11.

Metal oxide based hydrophilic coatings for pem fuel cell bipolar plates

Номер патента: WO2006104542A3. Автор: Gayatri Vyas,Thomas A Trabold,Richard H Blunk,Youssef M Mikhail,Keith E Newman,Elhamid Mahmoud H Abd,Reena L Datta. Владелец: Gen Motors Global Technology. Дата публикации: 2007-11-22.

Nano-capacitor arrays for energy storage using native aluminum oxide layers and other ultra-thin dielectrics

Номер патента: US9218906B1. Автор: Alfred W. Hübler. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2015-12-22.

Processes for forming metal oxide thin films on electrode interphase control

Номер патента: WO2023102107A8. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus for depositing nanoparticles of metal oxides on a metal surface under normal conditions

Номер патента: RU2733530C1. Автор: Николай Васильевич Краснов,Марат Зарифович Мурадымов,Максим Николаевич Краснов,Екатерина Петровна Подольская,Ольга Александровна Кельциева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БиАП". Дата публикации: 2020-10-05.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Processes for forming doped-metal oxides thin films on electrode for interphase control

Номер патента: US20230343935A1. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide Soclete Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-10-26.

Coated Metal Oxide Materials and Method, Process, and Apparatus For Making The Same

Номер патента: US20230335727A1. Автор: Jin-Myoung LIM,Francisco A. LOPEZ. Владелец: Hunt Energy Enterprises LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Methods for the controlled synthesis of layered lithium and sodium transition metal oxides using electrochemically assisted ion-exchange

Номер патента: US20230282800A1. Автор: YU Han,Chong Liu. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-09-07.

Composite cathode material based on layered transition metal oxides for lithium-ion batteries and its predecessor compounds

Номер патента: RU2748762C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Александра Александровна Савина,Елена Дмитриевна Орлова. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (Сколковский институт науки и технологий). Дата публикации: 2021-05-31.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Functionalized metal oxide nanoparticles and solid electrolyte comprising the same

Номер патента: EP3821487A1. Автор: Rodrigo PARIS ESCRIBANO,Elisabetta FEDELI,Idoia URDAMPILLETA GONZALEZ,Andriy Kvasha,Juan NICOLÁS AGUADO,Oihane GARCÍA CALVO. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2021-05-19.

Layered metal oxide/amine composite material and preparation method and application thereof in magnesium ion battery

Номер патента: US20240243257A1. Автор: Fengxia Geng. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Graphene-supported metal oxide monolith

Номер патента: US09543569B2. Автор: Jianchao Ye,Juergen Biener,Yinmin Wang,Marcus A. Worsley,Theodore F. Baumann,Elijah Tylski,Monika A. Biener. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Metal oxide stabilized platinum-based ORR catalyst

Номер патента: US09468909B2. Автор: Jun Yang,Michael Alan Tamor,Shinichi Hirano,Chunchuan Xu,James Waldecker,Mark John Jagner,Patrick Pietrasz,Kerrie Gath,Benjamin Pence. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Processes for forming metal oxide thin films on electrode interphase control

Номер патента: CA3239281A1. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide Pour L'etude Et L'exploitation Des Pro SA. Дата публикации: 2023-06-08.

Functionalized metal oxide nanoparticles and solid electrolyte comprising the same

Номер патента: US20210408578A1. Автор: Rodrigo PARIS ESCRIBANO,Elisabetta FEDELI,Idoia URDAMPILLETA GONZALEZ,Andriy Kvasha,Juan NICOLÁS AGUADO,Oihane GARCÍA CALVO. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2021-12-30.

Metal oxide coated with conductive polymer, electrode for electrochemical device comprising the same, and method of producing the metal oxide

Номер патента: US20200176764A1. Автор: Seokhyun Yoon,Byunggook LYU,Jongmin ROH. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Metal oxide coated with conductive polymer, electrode for electrochemical element using same, and method for producing metal oxide coated with conductive polymer

Номер патента: EP3644416A2. Автор: Seokhyun Yoon,Byunggook LYU,Jongmin ROH. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Improved adhesion of metal oxide layer

Номер патента: WO2012041853A3. Автор: Mikkel Jorgensen,Frederik Christian Krebs,Roar SØNDERGARD,Kion Norrman. Владелец: THE TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK. Дата публикации: 2012-05-31.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Physical vapor deposition of doped transition metal oxide and post-deposition treatment thereof for non-volatile memory applications

Номер патента: WO2020028343A1. Автор: Mahendra Pakala,Mehul Naik,Minrui Yu,Nicolas Breil,Anindita Sen,Michel Frei,Vibhu Jindal,Michael Chudzik. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-02-06.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US9249493B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee,Myong-Hwan Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8859043B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sang-Pil Lee,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG,Jong-Heon Kim,Dong-Kyu Lee,Yun-Mi Lee,Byung-Su Kim,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Method of producing metals and metal alloys from metal oxides and/or ores and converter

Номер патента: RU2125097C1. Автор: Винсент Кеог Джон,Джон Баттерхам Робин,Стюарт Эндрюз Барри. Владелец: Си-Ар-Эй Сервисиз Лимитед. Дата публикации: 1999-01-20.

Process and apparatus for continuously reducing and melting of metal oxides and/or pre-reduced metallic materials

Номер патента: CA1162053A. Автор: Horst Sulzbacher. Владелец: Voestalpine AG. Дата публикации: 1984-02-14.

Composite material for detecting free neutrons with an effective atomic number similar to body tissue by using beryllium oxide and/or lithium tetraborate, dosimeter, and a method for capturing or detecting free neutrons

Номер патента: US20210223421A1. Автор: Peter Georg Scheubert. Владелец: Mirion Technologies AWST GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Process for removing sulfur oxides and/or nitrogen oxides from waste gas

Номер патента: CA1062883A. Автор: Makio Kobayashi,Teizo Senjo. Владелец: Fujikasui Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1979-09-25.

New use of food compositions and products comprising oxides and/or hydroxides

Номер патента: WO2012073104A1. Автор: Alfredo Guerrato,Alessandro Farinato,Dario Brunello,Luca Tombolan. Владелец: Hf Europe S.R.L.. Дата публикации: 2012-06-07.

New use of food compositions and products comprising oxides and/or hydroxides

Номер патента: EP2645877A1. Автор: Alfredo Guerrato,Alessandro Farinato,Dario Brunello,Luca Tombolan. Владелец: Blue Zmed Sa. Дата публикации: 2013-10-09.

Passivation of metal oxide surface with metal-organic complex

Номер патента: WO2022106958A2. Автор: Stefaan DE WOLF,Michele De Bastiani,Anand Selvin SUBBIAH,Furkan Halis ISIKGOR,Shynggys ZHUMAGALI. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-05-27.

Method of preparing metal oxide composition, light-emitting device using metal oxide composition prepared thereby, and electronic apparatus including the light-emitting device

Номер патента: US20230313034A1. Автор: Jongwoo Shin,Changhee Lee,Sangyeop Lee,Jaekook HA,SeHun KIM,Dukki Kim,Wonjun PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Piezolectric material comprising tungsten bronze structure metal oxide

Номер патента: EP2483941A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Takanori Matsuda,Kaoru Miura,Jumpei Hayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Flexible metal/metal oxide and/or intermetallic reactant ribbon cutting system

Номер патента: US11976908B2. Автор: Clayton A. Thompson,Paul D. Faucheux. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-05-07.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUIM OXIDE AND/OR NITRIDE

Номер патента: US20180327907A1. Автор: VITIELLO Julien,PIALLAT Fabien,Delcarri Jean-Luc. Владелец: KOBUS SAS. Дата публикации: 2018-11-15.

Metal material coated with metal oxide and/or metal hydroxide coating film and method for production thereof

Номер патента: KR100697354B1. Автор: 쇼지히로마사,스기우라쓰토무. Владелец: 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤. Дата публикации: 2007-03-20.

Metal oxide and / or metal hydroxide-coated metal material and method for producing the same

Номер патента: JPWO2003048416A1. Автор: 杉浦　勉,勉 杉浦,浩雅 莊司. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Metal material coated with metal oxide and/or metal hydroxide coating film and method for production thereof

Номер патента: WO2003048416A1. Автор: Tsutomu Sugiura,Hiromasa Shoji. Владелец: NIPPON STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2003-06-12.

Metal material coated with metal oxide and/or metal hydroxide and method for production thereof

Номер патента: CN1306064C. Автор: 庄司浩雅,杉浦勉. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Metal oxide and / or metal hydroxide-coated metal material and method for producing the same

Номер патента: JP4757893B2. Автор: 勉 杉浦,浩雅 莊司. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Metal material coated with metal oxide and/or metal hydroxide coating film and method for production thereof

Номер патента: EP1455001A1. Автор: Hiromasa c/o Nippon Steel Corporation SHOJI,Tsutomu c/o Nippon Steel Corporation SUGIURA. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2004-09-08.

Metal oxide and / or metal hydroxide coated conductive material

Номер патента: JP4673903B2. Автор: 勉 杉浦,浩雅 莊司. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2011-04-20.

Galvanising steel workpieces - in carburising and/or nitriding atmos. to improve surface hardness

Номер патента: FR2401233A1. Автор: Pierre Guiraldenq,Daniel Treheux,Michel Baron,Denise Juve-Duc. Владелец: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR. Дата публикации: 1979-03-23.

Method of applying corrosion, oxidation and/or wear-resistant coatings

Номер патента: US20010026845A1. Автор: Richard Knight,Michel Barsoum. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2001-10-04.

Process for eliminating or reducing oxide and / or soot deposition in carbonaceous layers

Номер патента: DE102006010512A1. Автор: Eugen Dr. Unger,Georg Dr. Duesberg,Franz Dr. Kreupl,Maik Dr. Liebau. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-06-21.

COMPONENTS OF SUPER ALLOYS WITH AN OXIDATION AND / OR SULFIDATION RESISTANT COATING AND COMPOSITION OF SUCH A COATING.

Номер патента: DE3030961A1. Автор: Srinivasan Shankar,Lois E. Muskegon Mich. Dardi. Владелец: Howmet Turbine Components Corp. Дата публикации: 1981-03-12.

METHOD FOR FORMING OXIDE AND / OR ALUMINUM NITRIDE AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: FR3043699B1. Автор: Jean-Luc Delcarri,Julien VITIELLO,Fabien Piallat. Владелец: ALTATECH SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2019-06-14.

METHOD FOR FORMING OXIDE AND / OR ALUMINUM NITRIDE AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: FR3043699A1. Автор: Jean-Luc Delcarri,Julien VITIELLO,Fabien Piallat. Владелец: ALTATECH SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2017-05-19.

Chemical vapour deposition coating system including materials containing aluminium oxide and/or titanium, and method for its obtaining

Номер патента: RU2446231C2. Автор: Чарльз Дж. МАКНЕРНИ,Панкадж К. МЕХРОТРА,Альфред С. Мл. ГЕЙТС,Питер Р. ЛЯЙХТ. Владелец: Кеннаметал, Инк.. Дата публикации: 2012-03-27.

Production of a turbine blisk having an oxidation and/or corrosion protection layer

Номер патента: WO2010094273A3. Автор: Thomas Uihlein. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2011-01-20.

Abrasive grain on the basis of electrofused aluminum oxide with a surface coating comprising titanium oxide and/or carbon

Номер патента: EP3131998A1. Автор: Thomas Fuchs. Владелец: Center for Abrasives and Refractories Research and Development CARRD GmbH. Дата публикации: 2017-02-22.

Method for producing aluminum oxide and/or aluminum nitride

Номер патента: CN108603288B. Автор: 朱利安·维蒂耶洛,让-卢奇·德尔卡里,法比安·皮亚拉. Владелец: Kobs Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Superalloy coating composition with oxidation and/or sulphidation resistance

Номер патента: GB2056491A. Автор: . Владелец: Howmet Turbine Components Corp. Дата публикации: 1981-03-18.

The method for producing aluminium oxide and/or aluminium nitride

Номер патента: CN108603288A. Автор: 朱利安·维蒂耶洛,让-卢奇·德尔卡里,法比安·皮亚拉. Владелец: Kobs Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-09-28.

Method for fabricating semiconductor device by using radical oxidation

Номер патента: US20060008996A1. Автор: Jae-Geun Oh,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Hong-Seon Yang,Hyun-Chul Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Device containing metal oxide-containing layers

Номер патента: WO2018219757A1. Автор: Ralf Anselmann,Jürgen STEIGER,Gerhard Renner,Alexey Merkulov. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconducting metal oxide memory device using hydrogen-mediated threshold voltage modulation and methods for forming the same

Номер патента: US11942147B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Rram cell with nonplanar metal oxide layer

Номер патента: WO2024023596A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Xuefeng Liu,Chanro Park,Min Gyu Sung,Mary Claire Silvestre. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-02-01.

Process for controlling the acceptor strength of solution-processed transition metal oxides for oled applications

Номер патента: GB2505603A. Автор: Richard Wilson,Thomas Kugler. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2014-03-05.

Device containing metal oxide-containing layers

Номер патента: EP3631580A1. Автор: Ralf Anselmann,Jürgen STEIGER,Gerhard Renner,Alexey Merkulov. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2020-04-08.

Controlling voltage resistance through metal-oxide device

Номер патента: GB2602201A. Автор: Fompeyrine Jean,Bragaglia Valeria,Jan Offrein Bert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers

Номер патента: EP2548238A1. Автор: Deepak Chandra Sekar,Franz Kreupl,Raghuveer S. Makala. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-01-23.

Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers

Номер патента: EP2548239A1. Автор: Deepak Chandra Sekar,Franz Kreupl,Raghuveer S. Makala. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-01-23.

Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers

Номер патента: WO2011115924A1. Автор: Deepak Chandra Sekar,Franz Kreupl,Raghuveer S. Makala. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-09-22.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

Rare earth metal&metal oxide electrode interfacing of oxide memory element in resistive random access memory cell

Номер патента: EP3221892A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Process for the Production of Metal Oxides

Номер патента: US20210261427A1. Автор: Ethan NOVEK. Владелец: Innovator Energy LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Process for the production of metal oxides or citric acid

Номер патента: EP4329514A1. Автор: Ethan NOVEK. Владелец: Innovator Energy LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Process for the Production of Metal Oxides or Citric Acid

Номер патента: US20220267242A1. Автор: Ethan NOVEK. Владелец: Innovator Energy LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Process for the production of metal oxides or citric acid

Номер патента: AU2022264798A1. Автор: Ethan NOVEK. Владелец: Innovator Energy LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Process for the production of metal oxides or citric acid

Номер патента: CA3217119A1. Автор: Ethan NOVEK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-03.

Alkali metal oxide and alkaline earth metal oxide source material

Номер патента: GB1260198A. Автор: William August Mod,Donald Lee Caldwell,Robert John Moolenaar. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1972-01-12.

Method for continuously preparing metal oxides catalyst and apparatus thereof

Номер патента: CA2744601C. Автор: Yong Yang,Baoshan Wu,Yongwang Li,Hongwei Xiang,Jian Xu. Владелец: Synfuels China Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Progress for producing surface modified metal oxide compositions

Номер патента: US5928723A. Автор: Douglas M. Smith,William C. Ackerman,Stephen Wallace,David J. Kaul,Kenneth C. Koehlert. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Catalyst for sweetening a sour hydrocarbon fraction containing metal oxide solid solution and magnesium oxide

Номер патента: US5318936A. Автор: Jennifer S. Holmgren,Blaise J. Arena,Barret A. Ferm. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1994-06-07.

Catalyst for sweetening a sour hydrocarbon fraction containing metal oxide solid solution and magnesium oxide

Номер патента: US5401390A. Автор: Blaise J. Arena,Barret A. Ferm,Jennifer S. Holmgern. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1995-03-28.

Epoxy phosphonate ester as a coupling agent for transition metal and metal oxide surfaces

Номер патента: US20180094007A1. Автор: Thomas P. Schuman. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2018-04-05.

Epoxy phosphonate ester as a coupling agent for transition metal and metal oxide surfaces

Номер патента: US20170121354A1. Автор: Thomas P. Schuman. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2017-05-04.

Process for the preparation of catalysts having formally alkali metal oxides and / or alkaline earth metal oxides, aluminum oxide and silicon dioxide, catalysts of this type and processes for the preparation of isoolefins having 4 to 6 carbon atoms

Номер патента: JP5026893B2. Автор: クヴァント トーマス,ニアリッヒ フランツ,ツァントホフ ホルスト−ヴェルナー,マシュマイアー ディートリヒ,サンティアゴ フェルナンデス シルヴィア,ホウブレヒツ シュテファン,スキラス ゲオルク,ガウジュン クルト−アルフレート. Владелец: Evonik Oxeno GmbH. Дата публикации: 2012-09-19.

Ag-metal oxides electrical contact material contuining internally oxidized induim oxides and/or tin oxides

Номер патента: KR830001153B1. Автор: 아키라 시바다. Владелец: 주우가이 덴기고오교 가부시기 가이샤. Дата публикации: 1983-06-16.

Manufactured articles in silicon oxide and/or other mixed metallic oxides and process for their preparation in "final" or "almost final" dimensions

Номер патента: CA2159975A1. Автор: Paolo Chiurlo,Lorenzo Costa. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 1996-04-07.

Flow-through apparatus useful for e.g. water treatment comprises lumps of adsorbent/reactant comprising iron oxide and/or oxyhydroxide bound with metal oxides and/or (oxy)hydroxides

Номер патента: DE10047997A1. Автор: Andreas Schlegel. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 2002-04-11.

Process for the production of optical articles from silicon oxide and / or other mixed metal oxides in "end" or "almost end" dimensions

Номер патента: DE69515953T2. Автор: Paolo Chiurlo,Lorenzo Costa. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 2000-10-05.

METALLIC PICTURE PRINT WITH THE USE OF DIFFERENTIALLY OXIDIZED AND/OR NITRIDIZED LAYERS, AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20170226650A1. Автор: Zhang Xiaojiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Vacuum insulated panel with tellurium oxide and/or vanadium oxide inclusive seal

Номер патента: EP4421282A2. Автор: Scott V. Thomsen. Владелец: Luxwall Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Vacuum insulated panel with tellurium oxide and/or vanadium oxide inclusive seal

Номер патента: EP4412965A1. Автор: Scott V. Thomsen. Владелец: Luxwall Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Deep oxidation and/or hydrolysis of halogenated organics¹with porous carbonaceous materials

Номер патента: IE922068A1. Автор: Gerald GRüNEWALD,Steven Petrosius,Russell Drago,William Harry Brendley Jr. Владелец: Russell Drago. Дата публикации: 1992-12-30.

Vacuum insulated panel with tellurium oxide and/or boron and bismuth oxide inclusive seal

Номер патента: EP4421284A2. Автор: Scott V. Thomsen. Владелец: Luxwall Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Vacuum insulated panel with tellurium oxide and/or boron and bismuth oxide inclusive seal

Номер патента: EP4416111A1. Автор: Scott V. Thomsen. Владелец: Luxwall Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Producing hydrogen and hydrocarbons having two carbon atoms, comprises reacting water and carbon dioxide in presence of material comprising metal oxide and/or metal carbonate, and separating obtained gaseous product from liquid product

Номер патента: FR2973364A1. Автор: Patrick Briot,Anthony Tanguy,Annie Ducrozet. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2012-10-05.

Process for production of nickel and cobalt using metal hydroxide, metal oxide and/or metal carbonate

Номер патента: US8557019B2. Автор: Ahmed Vahed,Samuel Walton Marcuson,Geoffrey Edwin Osborne,Wanda Agnieszka Baczkowska,Emmanuel Nii Tackie. Владелец: Vale Canada Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

PROCEDURE AND DEVICE FOR THE REDUCTION AND CONTINUOUS MELTING OF METALLIC OXIDES AND / OR METALLIC MATERIALS REDUCED PREVIOUSLY

Номер патента: IT1134678B. Автор: Horst Sulzbacher. Владелец: Voest Alpine Ag. Дата публикации: 1986-08-13.

Process for production of nickel and cobalt using metal hydroxide, metal oxide and/or metal carbonate

Номер патента: US20090249921A1. Автор: Ahmed Vahed,Samuel Walton Marcuson,Geoffrey Edwin Osborne. Владелец: Vale Canada Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Process for production of nickel and cobalt using metal hydroxide, metal oxide and/or metal carbonate

Номер патента: WO2009127053A1. Автор: Ahmed Vahed,Samuel Walton Marcuson,Geoffrey Edwin Osborne. Владелец: Vale Inco Limited. Дата публикации: 2009-10-22.

Metal oxides and/or hydrates thereof for stabilizing an aqueous preparation against microbial growth

Номер патента: US20200054019A1. Автор: Joachim Glaubitz,Simon Urwyler,Anita Zumsteg. Владелец: Omya International AG. Дата публикации: 2020-02-20.

Metal oxides and/or hydrates thereof for stabilising an aqueous preparation against microbial growth

Номер патента: EP3183969A1. Автор: Joachim Glaubitz,Simon Urwyler,Anita Zumsteg. Владелец: Omya International AG. Дата публикации: 2017-06-28.

Improved stabilization of dispersions of metal oxides and/or carbon black in water

Номер патента: EP0466261A1. Автор: Nikolaas Cyriel De Jaeger,Philippe Jules Teyssié,Luc Elza Leemans,Walter Albert Verdyck. Владелец: Agfa Gevaert NV. Дата публикации: 1992-01-15.

Improved stabilization of dispersions of metal oxides and / or soot in water.

Номер патента: DE69113542D1. Автор: Philippe Jules Teyssié,Luc Elza Leemans,Walter Albert Verdyck,Jaeger Nikolaas Cyriel De. Владелец: Agfa Gevaert NV. Дата публикации: 1995-11-09.

Improved stabilization of dispersions of metal oxides and / or soot in water.

Номер патента: DE69113542T2. Автор: Philippe Jules Teyssié,Luc Elza Leemans,Walter Albert Verdyck,Jaeger Nikolaas Cyriel De. Владелец: Agfa Gevaert NV. Дата публикации: 1996-05-09.

Use of compositions comprising basic metal oxides and/or metal hydroxides for stabilizing halogen-containing organic plastic materials

Номер патента: WO2004087801A1. Автор: Peter Daute,Andreas Esser,Thomas Fleder,Ralf Picard. Владелец: Reagens Deutschland GmbH. Дата публикации: 2004-10-14.

Compatibilised polyolefin and polyphenylene oxide and/or polystyrene composition

Номер патента: EP3545036B1. Автор: Robbert Duchateau,Lidia JASINSKA-WALC,Miloud BOUYAHYI,Katrien Veerle BERNAERTS,Piotr Lorenc. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Use of methylpropane-1,3-diol-mono(meth)acrylate for producing coating materials, adhesives and sealing materials which can be hardened oxidatively and/or thermally

Номер патента: AU6342299A. Автор: Hubert Baumgart,Heinz-Peter Rink,Wilma LÖCKEN,Ulrike Rockrath. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2000-05-22.

Method for preparing random copolymers of formaldehyde and olefin oxides and/or vinyl ethers

Номер патента: CA959597A. Автор: Robert A. Setterquist. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1974-12-17.

Proppants with carbide and/or nitride phases

Номер патента: US8047288B2. Автор: John R. Loscutova,Christopher E. Coker,Robert D. Skala. Владелец: Oxane Materials Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Proppants with carbide and/or nitride phases

Номер патента: US8178477B2. Автор: John R. Loscutova,Christopher E. Coker,Robert D. Skala. Владелец: Oxane Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-15.

EXTERNAL COATING FROM ZIRCONIUM DOPED BY GADOLINIUM OXIDE AND / OR METHOD OF ITS PRODUCTION

Номер патента: RU2013121902A. Автор: Мухаммад ИМРАН. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2014-11-20.

Process for suspension smelting of finely-divided oxide and/or sulfide ores and concentrates

Номер патента: US3900310A. Автор: Olavi August Aaltonen,Tapio Kalevi Tuominen,Kauko Johannes Kaasila,Toivo Adrian Toivanen,Seppo Untamo Harkki,Toivo Isak Neimela,Simo A Makipirtti,Rolf E Malmstrom,Veikko H Noponen. Владелец: OUTOKUMPU OYJ. Дата публикации: 1975-08-19.

METHOD FOR PRODUCING, AT LEAST, ONE PRODUCT OF PARTIAL OXIDATION AND / OR AMOXIDATION OF A HYDROCARBON

Номер патента: RU2005134010A. Автор: Йохен ПЕТЦОЛЬДТ,Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Отто Маххаммер,Клаус ХЕХЛЕР,Гетц-Петер ШИНДЛЕР,Кристоф АДАМИ,Клаус ХАРТ,Гетц-Петер ШИНДЛЕР (DE),Йохен ПЕТЦОЛЬДТ (DE),Отто МАХХАММЕР (DE),Кристоф АДАМИ (DE),Клаус ХЕХЛЕР (DE),Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ (DE),Клаус ХАРТ (DE). Владелец: БАСФ Акциенгезельшафт (DE). Дата публикации: 2006-05-27.

Aluminium oxide and/or hydroxide-containing tribo-charging additive for powder coatings

Номер патента: NZ225444A. Автор: Roger Hampton Coates. Владелец: Ici Australia Operations. Дата публикации: 1990-06-26.

TORREFACTION SYSTEMS AND METHODS INCLUDING CATALYTIC OXIDATION AND/OR REUSE OF COMBUSTION GASES DIRECTLY IN A TORREFACTION REACTOR, COOLER, AND/OR DRYER/PREHEATER

Номер патента: US20140202073A1. Автор: Leonhardt Mark Alan. Владелец: Advanced Torrefaction Systems, LLC. Дата публикации: 2014-07-24.

Submicron particles, useful for the fabrication of a medicament for the treatment and/or prevention of tumor diseases such as cancer, and proliferative diseases such as arthritis, comprise an oxide and/or oxohydroxide of a rare earth

Номер патента: FR2930890A1. Автор: Pascal Perriat,Cedric Louis,Stephane Roux,Olivier Tillement,Brice Mutelet,Claire Billotey,Marc Janier,Jacqueline Taleb,Luca Maciocco. Владелец: NANOH SOC PAR ACTIONS SIMPLIFI. Дата публикации: 2009-11-13.

Preparation of highly pure fatty acid ester and glycerin, useful as fuel, comprises reaction of vegetable or animal oil with 1-18C aliphatic monoalcohol in the presence of catalyst e.g. titanium oxide and/or zinc oxide

Номер патента: FR2869613A1. Автор: Bruno Delfort,Pennec Dominique Le,Gerard Hillion,Christophe Lendresse. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2005-11-04.

Coated article for supporting a coating containing a thin film of high entropy nitride and / or oxide, and / or method for producing the same

Номер патента: JP2019524623A. Автор: ブラッシュ・ジェイソン. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Bleaching agent used for hair dyes containing oxidizing and/or direct dyes comprises an organic reducing agent where reducing agent formation and/or regeneration uses an enzyme

Номер патента: DE10108393A1. Автор: Heinz Beck. Владелец: Wella GmbH. Дата публикации: 2002-08-29.

Coated article with oxides and/or oxynitrides of antimony and/or zinc dielectric layer(s) and corresponding method

Номер патента: US7695785B2. Автор: Desaraju V. Varaprasad,Yiwei Lu,John A. Vanderploeg. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Polymer composition useful for the production of paper making filters or conveyor belts, comprises a polyarylene oxide and/or polyarylene sulfide, a polyester and a polyolefin homo- or copolymer

Номер патента: DE19948977A1. Автор: Rex Delker. Владелец: Johns Manville International Inc. Дата публикации: 2001-04-19.

PROCESS FOR SMELTING METALS FROM OXIDE AND/OR FINE-GRAINE SULFIDE NON-FERROUS METAL ORES OR -CONCENTRATES, AND EQUIPMENT FOR CARRYING OUT THIS PROCESS.

Номер патента: ATE42769T1. Автор: Horst Dipl-Ing Sulzbacher. Владелец: Voest Alpine Ind Anlagen. Дата публикации: 1989-05-15.

An aqueous fluid reactor and a method of carrying out water oxidation and/or water gasification

Номер патента: WO2023218035A1. Автор: Zhuoyan Cai. Владелец: AQUARDEN TECHNOLOGIES APS. Дата публикации: 2023-11-16.

Deep oxidation and/or hydrolysis of halogenated organics with porous carbonaceous materials

Номер патента: AU1848192A. Автор: Gerald GRüNEWALD,Steven Petrosius,Russell Drago,William Harry Brendley Jr.. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 1993-01-14.

Vacuum insulated panel with tellurium oxide and/or vanadium oxide inclusive seal

Номер патента: WO2024112483A1. Автор: Scott V. Thomsen. Владелец: LuxWall, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Vacuum insulated panel with tellurium oxide and/or boron and bismuth oxide inclusive seal

Номер патента: WO2024112499A1. Автор: Scott V. Thomsen. Владелец: LuxWall, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Vacuum insulated panel with tellurium oxide and/or vanadium oxide inclusive seal

Номер патента: US20240167324A1. Автор: Scott V. Thomsen. Владелец: Luxwall Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Process for transformation of lignocellulosic biomass or cellulose by catalysts based on tin oxide and/or antimony oxide and a metal that is selected from the groups 8 to 11

Номер патента: US20130281741A1. Автор: Emmanuelle Guillon,Catherine Pinel,Nadine Essayem,Flora Chambon,Franck Rataboul,Amandine Cabiac. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2013-10-24.

ADDITIVE FOR IMPROVING THE OXIDATION AND/OR STORAGE STABILITY OF MOTOR FUELDS OR LIQUID HYDROCARBON-CONTAINING FUELS

Номер патента: US20160068776A1. Автор: TORT Frédéric,PAPIN Géraldine,VERMOREL Christian,CROC Pauline. Владелец: TOTAL MARKETING SERVICES. Дата публикации: 2016-03-10.

ADDITIVE FOR IMPROVING THE STABILITY OF OXIDATION AND / OR STORAGE OF LIQUID HYDROCARBON FUELS OR FUELS

Номер патента: FR3005061B1. Автор: Frederic Tort,Géraldine Papin,Christian Vermorel,Pauline Croc. Владелец: Total Raffinage Marketing SA. Дата публикации: 2016-05-06.

PROCESS FOR THE TRANSFORMATION OF LIGNOCELLULOSIC BIOMASS OR CELLULOSE BY CATALYSTS BASED ON TIN OXIDE AND / OR ANTIMONY OXIDE AND A METAL SELECTED IN GROUPS 8 TO 11

Номер патента: FR2969602B1. Автор: Emmanuelle Guillon,Catherine Pinel,Nadine Essayem,Flora Chambon,Franck Rataboul,Amandine Cabiac. Владелец: Universite Claude Bernard Lyon 1 UCBL. Дата публикации: 2013-03-29.

Carbon-bonded refractory molded bodies or masses, comprises a mixture of an oxide, a non-oxide and/or carbon-containing refractory grains, a binder phase, at least one antioxidant, and a combination of at least two nanoscale powders

Номер патента: DE102011103116A1. Автор: Christos Aneziris,Vasileios Roungos. Владелец: Technische Universitaet Bergakademie Freiberg. Дата публикации: 2012-12-06.

Colloidal silica, aluminum oxide and/or titanium oxide is used in the cleaning of hard surfaces (e.g. of returnable bottles or other food containers), to prevent droplet formation

Номер патента: DE10063425A1. Автор: Birgit Winkelmann,Stefan Kuepper,Thomas Wershofen. Владелец: Ecolab GmbH and Co oHG. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for treating and sticking work pieces made of metal or a metal alloy comprising a hydrated oxide and/or hydroxide layer

Номер патента: CN101068897B. Автор: N·布兰克,D·帕尔,U·哈特曼,M·斯特格. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

process for the transformation of lignocellulosic biomass or cellulose by tin oxide and / or antimony oxide based catalysts and a metal chosen in groups 8 to 11.

Номер патента: BR112013016151A2. Автор: Essayem Nadine,Pinel Catherine,Cabiac Amandine,Guillon Emmanuelle,Chambon Flora,Rataboul Franck. Владелец: Centre Nac De La Rech Scient. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for treating and sticking work pieces made of metal or a metal alloy comprising a hydrated oxide and/or hydroxide layer

Номер патента: EP1769041B1. Автор: Norman Blank,Uwe Hartmann,Michael Stege,Dennis Pahl. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2008-09-03.

ADDITIVE FOR IMPROVING THE STABILITY OF OXIDATION AND / OR STORAGE OF LIQUID HYDROCARBON FUELS OR FUELS

Номер патента: FR3005061A1. Автор: Frederic Tort,Géraldine Papin,Christian Vermorel,Pauline Croc. Владелец: Total Raffinage Marketing SA. Дата публикации: 2014-10-31.

Method for treating and sticking work pieces made of metal or a metal alloy comprising a hydrated oxide and/or hydroxide layer

Номер патента: EP1769041A2. Автор: Norman Blank,Uwe Hartmann,Michael Stege,Dennis Pahl. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2007-04-04.

additive to improve oxidation and / or storage stability of motor fuels or liquid hydrocarbon-containing fuels

Номер патента: BR112015026918A2. Автор: TORT Frédéric,PAPIN Géraldine,VERMOREL Christian,CROC Pauline. Владелец: TOTAL MARKETING SERVICES. Дата публикации: 2017-07-25.

Vacuum insulated panel with tellurium oxide and/or vanadium oxide inclusive layered seal

Номер патента: WO2024112482A1. Автор: Scott V. Thomsen. Владелец: LuxWall, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

PROCESS AND CATALYSTS FOR THE OXIDATION AND/OR AMMOXIDATION OF OLEFIN

Номер патента: US20200254429A1. Автор: Taoufik Mostafa,Saih Youssef,Samantaray Manoja Kumar,Barman Samir,MERLE Nicolas,SZETO Kai Chung,BASSET Jean Marie,HAMMAD Edy ABOU,LE QUEMENER Frederic,DE MALLMANN Aimery. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

COMPATIBILISED POLYOLEFIN AND POLYPHENYLENE OXIDE AND/OR POLYSTYRENE COMPOSITION

Номер патента: US20190375934A1. Автор: Jasinska-Walc Lidia,Bouyahyi Miloud,Bernaerts Katrien Veerle,Duchateau Robert,Lorenc Piotr. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Composite particles including an organic polymer and an oxide and/or hydroxide

Номер патента: US6136891A. Автор: Thierry Chopin,Dominique Labarre,Dominique Dupuis,Gilles Mur. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2000-10-24.

Stopping and restarting polymerisation of alpha:mono:olefin cpds. - in presence of Ziegler-Natta catalyst, by introducing carbon mon:oxide and/or di:oxide as stopper

Номер патента: DE2841646A1. Автор: Peter Dipl Chem Dr Klaerner,Gerhard Dipl Chem Dr Staiger,Peter Dipl Chem D Hennenberger,James F R Dipl Chem Dr Jaggard. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1980-04-03.

Composite particles including organic polymer and oxide and/or hydroxide

Номер патента: CN1078896C. Автор: T·乔平,D·杜普伊斯,D·拉巴里,G·穆. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 2002-02-06.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF CATALYSTS BASED ON MOLYBDENE OXIDES AND / OR TUNGSTENE AND OXIDES OF OTHER METALS

Номер патента: FR2495015B1. Автор: . Владелец: Rhone Poulenc Chimie de Base SA. Дата публикации: 1985-07-05.

Glass article used as a substrate for a plasma display screen comprises glass substrate and a barrier film of indium oxide and/or tin oxide to prevent diffusion of metallic ions formed on the substrate surface

Номер патента: FR2803843A1. Автор: Toshiaki Mizuno,Takuji Goda,Maki Nakamura. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-20.

Reactive composition, useful in military and industrial explosives, comprises a metallic material defining a continuous phase and having an energetic material, which comprises oxidant and/or explosive of class 1.1

Номер патента: FR2867469A1. Автор: Benjamin N Ashcroft,Daniel B Nielson,Daniel W Doll. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2005-09-16.

FORMULATION OF OXIDES, ITS OBTAINING AND ITS USE AS OXYGEN CARRIER IN A PROCESS FOR OXIDATION AND / OR DEOXIDATION OF A GASEOUS FLOW

Номер патента: FR2924035B1. Автор: Sebatien Roux. Владелец: Bio3D Applications. Дата публикации: 2010-09-03.

COMPOSITE PARTICLES COMPRISING A CORE BASED ON AN ORGANIC POLYMER CONTAINING AN ACTIVE MATERIAL AND AN EXTERNAL COATING BASED ON AT LEAST ONE OXIDE AND / OR HYDROXIDE, THEIR PREPARATION METHOD AND THEIR USES

Номер патента: FR2774994A1. Автор: Dominique Dupuis,Roland Reeb. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 1999-08-20.

Use of a catalyst made from cobalt oxide and / or nickel oxide as well as molybdenum trioxide and alumina for the hydrogenative refining of petroleum hydrocarbons

Номер патента: DE2903193B2. Автор: Erich K. Dipl.-Chem. Dr. 6700 Ludwigshafen Fehr,Ewald Dipl.- Chem. Dr. 6806 Viernheim Gallei,Walter Dipl.-Chem. Dr. 6715 Lambsheim Saum. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1980-11-20.

Improved emulsion polymerization process utilizing a specifically defined ethylenically unsaturated polymerizable water-soluble nonionic surfactant formed by the reaction of a diallylamine, ethylene oxide, and propylene oxide and/or butylene oxide

Номер патента: AU5054396A. Автор: Sridhar Gopalkrishnan,Michael John Anchor. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1996-10-24.

Ferritic FeAlCr alloy with ternary Laves phases and with oxides and/or carbides for components of a gas turbine

Номер патента: EP2840158A1. Автор: Wilfried Smarsly. Владелец: MTU Aero Engines AG. Дата публикации: 2015-02-25.

Process for improving the adhesion between inorganic, oxidic and / or metallic surfaces and organic binders using organofunctional silicon compounds

Номер патента: DE2420851C2. Автор: Jürgen Dipl.-Chem. Dr. Amort,Heinz Dipl.-Chem. Dr. 5210 Troisdorf Nestler. Владелец: Dynamit Nobel AG. Дата публикации: 1982-05-19.

Process and system for preventing oxidation and / or overheating of a metal strip during heat treatment in a continuous furnace

Номер патента: DE2406029B2. Автор: William Ean Conshohocken Pa. Gildersleeve (V.St.A.). Владелец: Selas Corp Of America Dresher Pa (vsta). Дата публикации: 1978-05-18.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF A POWDER COMPRISING URANIUM OXIDE UO2, POSSIBLY PUO2 OXIDE OF PLUTONIUM AND POSSIBLY AMO2 AMERICIUM OXIDE AND / OR OXIDE OF ANOTHER MINOR ACTINIDE

Номер патента: FR3070278A1. Автор: Laure Ramond,Guillaume Bernard-Granger,Franck Doreau,Cecile Pagnoux,Florian La Lumia. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-03-01.

Tantalum oxide and/or niobium oxide and method for preparation thereof

Номер патента: CN1930087A. Автор: 桥口慎二,青木谦治,菊山裕久,胁雅秀. Владелец: Stella Chemifa Corp. Дата публикации: 2007-03-14.

Method for the recovery of zinc, copper and lead of oxidized and/or sulfurized ores and materials

Номер патента: WO1991000931A1. Автор: José Luis LIMPO GIL,J. M. Figueiredo,Sebastián AMER AMEZAGA,Angel Luis Martin. Владелец: Laboratório Nacional De Engenharia E Tecnologia Industrial. Дата публикации: 1991-01-24.

Oxidation and/or bleaching system, generates reactive oxidant and nitrogen compounds, comprises special precursor and forms oxidative radicals and other oxidative compounds

Номер патента: DE10352891A1. Автор: Hans-Peter Dr. Call. Владелец: Call, Krimhild. Дата публикации: 2005-06-09.

Coated article with low-e coating including zirconium oxide and/or zirconium silicon oxynitride and methods of making same

Номер патента: PL2303791T3. Автор: Jingyu Lao,Brent Boyce,Bernd Disteldorf,Philip J Lingle. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 2014-01-31.

Composite particles containing organic polymer and oxide and / or hydroxide

Номер патента: JP4160119B2. Автор: ショパン，ティエリ,デュプュイ，ドミニク,ラバル，ドミニク,ミュール，ジル. Владелец: ロディア シミ. Дата публикации: 2008-10-01.

Composite particles including organic polymer and oxide and/or hydroxide

Номер патента: CN1216052A. Автор: T·乔平,D·杜普伊斯,D·拉巴里,G·穆. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1999-05-05.

Use of titanium dioxide coated with magnesium phosphate and aluminum oxide and/or hydroxide as an anticorrosion white pigment, e.g. in coatings

Номер патента: DE10134272C1. Автор: Jochen Winkler,Thomas Rentschler. Владелец: SACHTLEBEN CHEMIE GMBH. Дата публикации: 2003-01-02.

Production of mixture of fillers and silyl group-containing rubber used for tire production, involves adding oxide and/or silicate filler to rubber solution and removing solvent by steam distillation

Номер патента: DE19922639A1. Автор: Thomas Scholl. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 2000-11-23.

Compatibilised polyolefin and polyphenylene oxide and/or polystyrene composition

Номер патента: US10858513B2. Автор: Robbert Duchateau,Lidia JASINSKA-WALC,Miloud BOUYAHYI,Katrien Veerle BERNAERTS,Piotr Lorenc. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2020-12-08.

Production and use of metal salts of alkyl oxide and/or aryl alkyl oxide oligomers and polymers with acid end groups in the production of polyurethane systems

Номер патента: PL2556099T3. Автор: Sarah Schmitz,Roland Hubel. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2018-09-28.

Anti-oxidation and/or anti-corrosion agent, lubricating composition containing said agent and method for preparing same

Номер патента: WO2009071857A1. Автор: Pascal Frapin,Jean-Louis Mansoux,Georges Issalatif. Владелец: NYCO SA. Дата публикации: 2009-06-11.

Improved emulsion polymerization process utilizing a specifically defined ethylenically unsaturated polymerizable water-soluble nonionic surfactant formed by the reaction of a diallylamine, ethylene oxide, and propylene oxide and/or butylene oxide

Номер патента: CA2173814A1. Автор: Michael J. Anchor,Sridhar Gopalkrishnan. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 1996-10-12.

ABRASIVE GRAIN ON THE BASIS OF ELECTROFUSED ALUMINUM OXIDE WITH A SURFACE COATING COMPRISING TITANIUM OXIDE AND/OR CARBON

Номер патента: US20170037289A1. Автор: FUCHS Thomas. Владелец: Center for Abrasives and Refractories Research and Development- C.A.R.R.D. GmbH. Дата публикации: 2017-02-09.

GRAPHITE OXIDE AND/OR GRAPHENE PREPARATION METHOD

Номер патента: US20140216944A1. Автор: WEI Kung-Hwa,DANG Van Thanh. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-07.

MIXTURES FOR REDUCING NITROUS OXIDE AND/OR AMMONIA EMISSION FROM SOILS

Номер патента: US20150148231A1. Автор: Wissemeier Alexander,Brahm Lutz,Nave Barbara,SCHMID Markus,ZERULLA Wolfram,Pasda Gregor,LOHE Daniella,Reddig Achim. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Composite Coatings of Oxidized and/or Phosphorous Copper

Номер патента: US20160174565A1. Автор: Penari Stephane. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Composite Coatings of Oxidized and/or Phosphorous Copper

Номер патента: US20190200618A1. Автор: Stephane Penari. Владелец: Metalskin Technologies Sas. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for the production of at least one partial propylene oxidation and/or ammoxidation product

Номер патента: WO2004031107A8. Автор: Klaus Joachim Mueller-Engel,Otto Machhammer,Goetz-Peter Schindler,Claus Hechler,Christoph Adami,Jochen Petzoldt,Hans Martan. Владелец: Basf Ag. Дата публикации: 2005-05-06.

Preparation of at Least One Partial Oxidation and/or Ammoxidation Product of Propylene

Номер патента: KR100977358B1. Автор: 오토 마흐함머,크리스토프 아다미,클라우스 헤흘러,클라우스 요아킴 뮐러-엥겔,한스 마르탄,괘츠-페터 쉰들러,요헨 페트졸트. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2010-08-23.

Preparation of at least one partial oxidation and/or ammoxidation product of propylene

Номер патента: CN1305817C. Автор: K·J·米勒-恩格尔,J·佩佐尔特,C·黑希勒,G-P·申德勒,H·马尔坦,C·阿达米,O·马赫哈默. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2007-03-21.

Method for the Production of at Least One Partial Propylene Oxidation and/or Ammoxidation Product

Номер патента: KR100962755B1. Автор: 오토 마흐함머,크리스토프 아다미,클라우스 헤흘러,클라우스 요아킴 뮐러-엥겔,한스 마르탄,괘츠-페터 쉰들러,요헨 페트졸트. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for the production of at least one partial propylene oxidation and/or ammoxidation product

Номер патента: CN1310855C. Автор: K·J·米勒-恩格尔,J·佩佐尔特,C·黑希勒,G-P·申德勒,H·马尔坦,C·阿达米,O·马赫哈默. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2007-04-18.

Process for preparing at least one target product by partial oxidation and/or ammoxidation of propylene

Номер патента: US7723549B2. Автор: Claus Hechler,Christoph Adami,Armin Diefenbacher,Martin Dieterle. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-05-25.

Preparation of at least one partial oxidation and/or ammoxidation product of propylene

Номер патента: US7326802B2. Автор: Klaus Joachim MÜLLER-ENGEL,Otto Machhammer,Götz-Peter SCHINDLER,Claus Hechler,Christoph Adami,Jochen Petzoldt,Hans Martan. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2008-02-05.

2-hydroxynaphthalene-3-carboxylic acid - from beta-naphthol in presen of diphenyl (oxide) and/or alkylnaphthalene

Номер патента: FR2100033A5. Автор: . Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1972-03-17.

1,1-Di:chloro-1-fluoroethane decomposition inhibition to unsatd. cpds. - by addn. of inhibitors e.g. butylene oxide and/or use of nickel@ alloy container, for foam prodn. blowing agent

Номер патента: FR2689885A1. Автор: Elsheikh Maher Yousef,Crooker Richard Mcmaster,Kelton Anthony Dale,Walker Morris Paxton,Wright Danny Warren. Владелец: Elf Atochem North America Inc. Дата публикации: 1993-10-15.

Method for the production of at least one partial propylene oxidation and/or ammoxidation product

Номер патента: EP1546073A1. Автор: Klaus Joachim MÜLLER-ENGEL,Otto Machhammer,Götz-Peter SCHINDLER,Claus Hechler,Christoph Adami,Jochen Petzoldt,Hans Martan. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2005-06-29.

A process for the removal of ethylene oxide and/or propylene oxide from surface-active derivatives

Номер патента: AU592695B2. Автор: Klaus Herrmann,Franz Buttgen,Klaus Dr. Friedrich. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 1990-01-18.

PROCEDURE FOR THE PREPARATION OF CATALYSTS BASED ON IRON OXIDE AND / OR CHROMOXIDE FOR THE PREPARATION OF 2,6-XYLENOL.

Номер патента: NO158048C. Автор: Jan Bialy,Irena Penczek,Nikuca Kopytowska,Josef Wrzyszcz,Jolanta Cmielowska,Hanna Grabowska,Wlodzimierz Kaczmarczyk,Kazimierz Mazur,Wlodzimierz Mista. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 1988-07-06.

Dye receptive polyolefin compositions containing oxides and/or hydroxides

Номер патента: US3331806A. Автор: Fior Aldo,Caldo Cornelio. Владелец: Montedison Spa. Дата публикации: 1967-07-18.

ALFA-AMYLASE VARIANT WITH INCREASED THERMOSTABILITY, STABILITY INCREASED TO OXIDATION AND / OR REDUCED CA2 + DEPENDENCY.

Номер патента: AR024280A2. Автор: . Владелец: Novozymes AS. Дата публикации: 2002-09-25.

Process for producing pure metallic indium from zinc oxide and/or solution containing the metal

Номер патента: EP2147128A4. Автор: Adelson Dias De Souza. Владелец: VOTORANTIM METAIS ZINCO SA. Дата публикации: 2012-01-25.

Process for preparing magnesium oxide and/or its hydration products

Номер патента: AT389294B. Автор: . Владелец: VYZK USTAV PETROCHEM. Дата публикации: 1989-11-10.

Novel Bacterial Strain of Dermacoccus Genus Having Skin Whitening, Collagenesis, Anti-oxidation and/or Anti-bacterial Activity

Номер патента: KR102517470B1. Автор: 김병국,김지희,허철성. Владелец: 주식회사 종근당바이오. Дата публикации: 2023-04-04.

Cement-free vibration masses containing aluminium oxide and/or zirconium dioxide

Номер патента: ZA861048B. Автор: Harald Boess,Guenter Gelsdorf. Владелец: Didier Werke AG. Дата публикации: 1986-09-24.

Process for preparing at least one target product by partial oxidation and/or ammoxidation of propylene

Номер патента: TWI464138B. Автор: Claus Hechler,Christoph Adami,Armin Diefenbacher,Martin Dieterle. Владелец: Basf Ag. Дата публикации: 2014-12-11.

Graphite oxide and/or graphene preparation method

Номер патента: US9096938B2. Автор: Kung-Hwa Wei,Van Thanh Dang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-08-04.

Composite coatings of oxidized and/or phosphorous copper

Номер патента: CN105579400A. Автор: S·佩纳利. Владелец: METO & CO. Дата публикации: 2016-05-11.

Novel catalytic activities of oxidoreductases for oxidation and or bleaching

Номер патента: US20060054290A1. Автор: Hans-Peter Call. Владелец: Hans-Peter Call. Дата публикации: 2006-03-16.

N-oxide and/or di-n-oxide derivatives of stabilisers/modulators of dopamine receptors, demonstrating improved profiles of cardio-vascular side effects

Номер патента: RU2470013C2. Автор: Хокан В. ВИКСТРЕМ. Владелец: НСАБ, Филиаль ау НьюроСёрч Свиден АБ, Сверийе. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of obtaining at least one product of partial propylene oxidation and/or ammoxidation

Номер патента: RU2346928C9. Автор: Отто Маххаммер,Клаус ХЕХЛЕР,Гетц-Петер ШИНДЛЕР,Кристоф АДАМИ,Иохен ПЕТЦОЛЬДТ,Клаус Иоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Ханс МАРТАН. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2010-03-27.

Preparation of at least one partial oxidation and/or ammoxidation product of a hydrocarbon

Номер патента: US20040199001A1. Автор: Otto Machhammer,Götz-Peter SCHINDLER,Klaus Harth,Claus Hechler,Christoph Adami,Jochen Petzoldt,klaus Muller-Engel. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2004-10-07.

Compounds useful for in vivo imaging of protein oxidation and/or cancer treatment

Номер патента: WO2020018613A1. Автор: Cristina M. FURDUI,Leslie B. Poole,S. Bruce King. Владелец: Wake Forest University Health Sciences. Дата публикации: 2020-01-23.

PROCESS FOR REMOVAL OF ETHYLENE OXIDE AND/OR PROPYLENE OXIDE FROM SURFACE ACTIVE DERIVATIVES.

Номер патента: ATE57370T1. Автор: Klaus Herrmann,Klaus Dr Friedrich,Franz Buettgen. Владелец: Henkel Kgaa. Дата публикации: 1990-10-15.

Process for producing pure metallic indium from zinc oxide and/or solution containing the metal

Номер патента: EP2147128A1. Автор: Adelson Dias De Souza. Владелец: VOTORANTIM METAIS ZINCO SA. Дата публикации: 2010-01-27.

Pharmaceutical agents containing epothilone A N-oxide and / or epothilone B N-oxide

Номер патента: DE69804448T2. Автор: Nicole Glaser,Dr Hoefle,Dr Leibold. Владелец: Helmholtz Zentrum fuer Infektionsforschung HZI GmbH. Дата публикации: 2002-11-07.

Composite coatings of oxidized and/or phosphorous copper

Номер патента: AU2014292022A1. Автор: Stephane Penari. Владелец: Meto And Co. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for producing tantalum oxide and/or niobium oxide in form of hollow particle

Номер патента: TW200533602A. Автор: Kenji Aoki,Shinji Hashiguchi,Masahide Waki,Hirohisa Kikuyama. Владелец: Stella Chemifa Corp. Дата публикации: 2005-10-16.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Plasma deposition process with removal of substrate tube

Номер патента: RU2652215C2. Автор: Игор МИЛИСЕВИЧ,Гертьян КРАБСХЕЙС,Йоханнес Антон Хартсёйкер,СТРАЛЕН Маттеус Якобус Николас ВАН. Владелец: Драка Комтек Б.В.. Дата публикации: 2018-04-25.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of obtaining metal oxide-containing layers

Номер патента: RU2553151C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Хайко ТИМ,Арне ХОППЕ,Алексей Андреевич МЕРКУЛОВ,Дуи Ву ПХАМ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2015-06-10.

Layer deposition with post-deposition agglomeration mitigation

Номер патента: US20240229233A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang,Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and formulation for preparing optical metal oxide layers

Номер патента: WO2023057401A1. Автор: Oliver Doll,Henning SEIM,Hagai Arbell,Oleg CHASHCHIKHIN. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods for creating a zinc-metal oxide layer in metal components for corrosion resistance

Номер патента: EP3368616A1. Автор: Daniel M. Wells,John Morrison RIDDLE,Carola Annemarie GREGORICH. Владелец: CSG Electric Power Research Institute. Дата публикации: 2018-09-05.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Hydrothermal deposition of thin and adherent metal oxide coatings for high temperature corrosion protection

Номер патента: EP1556175A2. Автор: Xiangyang Zhou,Digby D. Macdonald,Serguei N. Lvov,Zhuang Fei Zhou. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2005-07-27.

Hydrothermal deposition of thin and adherent metal oxide coatings for high temperature corrosion protection

Номер патента: WO2004042742A3. Автор: Xiangyang Zhou,Digby D Macdonald,Zhuang Fei Zhou,Serguei N Lvov. Владелец: Serguei N Lvov. Дата публикации: 2004-06-17.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Metal-metal oxide composites and a coating layer of calcium phosphate on the oxide layer

Номер патента: US4847163A. Автор: Takayuki Shimamune,Masashi Hosonuma. Владелец: Permelec Electrode Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Metal oxide layer having oxygen deficit tilting structure

Номер патента: US20020055005A1. Автор: Yoshio Miyasaka. Владелец: Fuji Kihan Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for producing metal oxide layers through arc vaporization

Номер патента: US09611538B2. Автор: Jürgen Ramm,Beno Widrig. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2017-04-04.

Fully open-air combustion deposition and rapid plasma treatment of metal oxides

Номер патента: US20230407475A1. Автор: Robert D. Miller,Reinhold H. Dauskardt,Nicholas Rolston,Thomas W. Colburn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-21.

Formation of a doped transparent conductive oxide layer by solution deposition

Номер патента: EP2935650A2. Автор: Ayodhya N. TIWARI,Harald HAGENDORFER,Yaroslav E. ROMANYUK. Владелец: Eidgenoessische Materialprufungs und Forschungsanstalt EMPA. Дата публикации: 2015-10-28.

Coating system having synthetic oxide layers

Номер патента: US20230151483A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Wayde R. Schmidt,John A. SHARON,Ryan M. Deacon. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Formation of a doped transparent conductive oxide layer by solution deposition

Номер патента: WO2014095347A3. Автор: Ayodhya N. TIWARI,Harald HAGENDORFER,Yaroslav E. ROMANYUK. Владелец: EMPA EIDGENOSSISCHE MATERIALPRUFUNGS- UND FORSCHUNGSANSTALT. Дата публикации: 2014-09-18.

Formation of a doped transparent conductive oxide layer by solution deposition

Номер патента: WO2014095347A9. Автор: Ayodhya N. TIWARI,Harald HAGENDORFER,Yaroslav E. ROMANYUK. Владелец: EMPA EIDGENOSSISCHE MATERIALPRUFUNGS- UND FORSCHUNGSANSTALT. Дата публикации: 2015-06-25.

Formation of a doped transparent conductive oxide layer by solution deposition

Номер патента: WO2014095347A4. Автор: Ayodhya N. TIWARI,Harald HAGENDORFER,Yaroslav E. ROMANYUK. Владелец: EMPA EIDGENOSSISCHE MATERIALPRUFUNGS- UND FORSCHUNGSANSTALT. Дата публикации: 2014-10-30.

Coating system having synthetic oxide layers

Номер патента: US20200010952A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Wayde R. Schmidt,John A. SHARON,Ryan M. Deacon. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of manufacturing a glass substrate coated with a metal oxide

Номер патента: US5905336A. Автор: Claudia Mutter,Thomas N. M. Bernards,Henricus A. M. Van Hal,Marcus J. Van Bommel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-05-18.

Polyoxometalates for the preparation of optical metal oxide layers

Номер патента: WO2023194419A1. Автор: Oliver Doll,Henning SEIM,Hagai Arbell. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-10-12.

Hydrothermal deposition of thin and adherent metal oxide coatings for high temperature corrosion protection

Номер патента: WO2004042742A2. Автор: Xiangyang Zhou,Digby D. Macdonald,Serguei N. Lvov,Zhuang Fei Zhou. Владелец: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2004-05-21.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of obtaining particles of doped metal oxides

Номер патента: RU2404119C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Харальд АЛЬФ,Андрее-Маттиас РОХНИА,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Харальд АЛЬФ (DE),Андрее-Маттиас РОХНИА (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-11-20.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Method for producing metal oxide layers through arc vaporization

Номер патента: US20090269600A1. Автор: Jürgen Ramm,Beno Widrig. Владелец: Oerlikon Trading AG Truebbach. Дата публикации: 2009-10-29.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

Thermal deposition of reactive metal oxide/aluminum layers and dispersion strengthened aluminides made therefrom

Номер патента: EP2126149A1. Автор: Timothy Langan,Michael A. Riley,W. Mark Buchta,David M. Otterson. Владелец: Surface Treatment Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Thermal deposition of reactive metal oxide/aluminum layers and dispersion strengthened aluminides made therefrom

Номер патента: WO2008101065A1. Автор: Timothy Langan,Michael A. Riley,W. Mark Buchta,David M. Otterson. Владелец: Surface Treatment Technologies, Inc.. Дата публикации: 2008-08-21.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method of forming metal oxide nanostructures on a TiN-buffered-substrate

Номер патента: US11976365B1. Автор: Faheem Ahmed,Nagih Mohammed Shaalan,Shalendra Kumar,Thamraa Alshahrani,Nishat Arshi,Ghazzai Almutairi,P. M. Z. Hasan,Naushad Ahmad,Afzal Hussain. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-05-07.

Metal oxide films and uv-curable precursor solutions for deposition of metal oxide films

Номер патента: WO2023235899A1. Автор: Douglas A Keszler,Omid Sadeghi,Cory K Perkins. Владелец: Phosio Corporation. Дата публикации: 2023-12-07.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Structurally modified nanosheets of metal oxides and related methods

Номер патента: US20240254633A1. Автор: QIAN Rong,Vinayak P. Dravid,Jingshan Du. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Coatings that contain fluorinated yttrium oxide and a metal oxide, and methods of preparing and using the coatings

Номер патента: US20240344195A1. Автор: Carlo Waldfried,Stephen Longo. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Rare earth metal oxide coatings prepared with rare earth metal nitrate or acetate solutions for improving high temperature oxidation and corrosion of stainless steels

Номер патента: US11326260B1. Автор: Frederick Alan Myers,Amanda R. GLASS,Zhuangfei Zhou. Владелец: Cleveland Cliffs Steel Properties Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for implanted-ion assisted growth of metal oxide nanowires and patterned device fabricated using the method

Номер патента: US09725801B2. Автор: Jungwook CHOI,Jongbaeg Kim,Hyungjoo NA,Kyoung Hoon Lee,Dae-Hyun BAEK,Jaesam SIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Method of preparing high density metal oxide layers and the layers produced thereby

Номер патента: CA2698368A1. Автор: Andrew B. Bocarsly,David Dowling,Brent W. Kirby. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-12.

Temperature-based method for controlling the amount of metal applied to metal oxide surfaces to reduce corrosion and stress corrosion cracking

Номер патента: US20020181644A1. Автор: Samson Hettiarachchi,Robert Law,Thomas Diaz,Robert Cowan,David Siegwarth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Process for dissolving an oxide layer

Номер патента: US09502146B2. Автор: Horst-Otto Bertholdt,Hartmut Runge,Andreas Loeb,Alexander Landner,Dieter Stanke. Владелец: NIS Ingenieur GmbH. Дата публикации: 2016-11-22.

Reduction of carbon monoxide and nitric oxide in smoking articles using nanoscale particles and/or clusters of nitrided transition metal oxides

Номер патента: WO2005039327A2. Автор: B.V. Reddy,F. Rasouli. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2005-05-06.

Oxidation catalyst containing gold, a transition metal oxide and titanium oxide optionally with molybdenum oxide on a zirconium oxide and/or cerium oxide support

Номер патента: NZ333157A. Автор: James Anthony Jude Tumilty,Bojidara Grigorova,Atanas Palazov,John Mellor,Anthony Harold Gafin. Владелец: Anglo American Res Lab Pty Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Reference electrode for galvanic cells with solid electrolytes made by applying a metal oxide and/or double oxide in liquid hydrosol or organosol form to the electrolyte to form a solid film

Номер патента: DE19841707A1. Автор: Fritz Aldinger,Stephanie Gollhofer,Helfried Naefe. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2000-03-16.

Additive for filter elements comprising metal oxides and/or metal oxide hydrates

Номер патента: AU3167477A. Автор: E. Imbert D. and Kurmann B Heim. Владелец: Rhodia AG. Дата публикации: 1979-06-21.

PREPARATION METHOD OF CARBON-SUPPORTED METAL OXIDE AND/OR ALLOY NANOPARTICLES CATALYST USING PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION

Номер патента: US20190134620A1. Автор: JANG Jong Hyun,Kim Jin Young,KIM Hyoung-Juhn,LEE So Young,PARK Hyun Seo,YOO Sung Jong,JANG Injoon. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

A method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate

Номер патента: CN101521160A. Автор: 安田章夫,B·吕泽姆,Z·卡里皮多,J·维泽尔斯. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate

Номер патента: US20090214838A1. Автор: Akio Yasuda,Björn Lüssem,Jurina Wessels,Zoi Karipidou. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

A method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate

Номер патента: CN101410754A. Автор: M·里德尔,安田章夫,Z·卡里皮多,D·迈耶,A·施赖伯,D·施瓦布,J·韦塞尔斯,A·奥芬豪瑟. Владелец: Sony International Europe GmbH. Дата публикации: 2009-04-15.

Sheet containing metal oxides and/or metal hydroxides

Номер патента: TWI614381B. Автор: Yuko Saito,Subaru Fujimura,Yasufumi Nakayama. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2018-02-11.

Sheet containing metal oxide and/or metal hydroxide

Номер патента: WO2016194284A1. Автор: 中山　靖章,昴 藤村,夕子 齋藤. Владелец: 王子ホールディングス株式会社. Дата публикации: 2016-12-08.

METHOD FOR REDUCING EMISSIONS OF NITROGEN OXIDES AND / OR SULFUR OXIDES IN GAS-PRODUCED COMBUSTION PRODUCTS OF CARBON FUEL (OPTIONS)

Номер патента: RU2002134762A. Автор: Роберт ЭШВОРТ,Роберт ЭШВОРТ (US). Владелец: Клиарстэк Комбасшен Коропорейшн (Us). Дата публикации: 2004-04-10.

Method of oxidizing and/or recollecting water- soluble and/or water-decomposable substances included in the air and apparatus for performing the same

Номер патента: US3904739A. Автор: Satoshi Arimitsu,Hiromichi Uehara,Yasuharu Ijuin. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 1975-09-09.

Device for Elemental Mercury Oxidation and/or Nigrogen Oxide removal using Ammonium chloride of Solid type and Method for Elemental Mercury Oxidation and/or Nigrogen Oxide removal using the same

Номер патента: KR102404379B1. Автор: 박중호,김문현,홍용석. Владелец: 대구대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-05-31.

Oxidn. of hydrocarbon components of lean natural gases - by passage with oxygen or air through plasma jet, forming water and carbon di:oxide and/or mon:oxide

Номер патента: FR2374260A1. Автор: Laszlo Csernavolgyi. Владелец: Energiagazdalkodasi Intezet. Дата публикации: 1978-07-13.

Nitrogen oxide and / or sulfur oxide adsorbent and method for removing nitrogen oxide and / or sulfur oxide using the adsorbent

Номер патента: JP3705933B2. Автор: 久雄 近藤,信之 正木,光一 山本. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 2005-10-12.

Oxidation and/or corrosion contingent connections loosening device for exhaust system of motor vehicle, has shaping tools that periodically and automatically act on oxidation and/or corrosion contingent screw connections

Номер патента: DE102006001139A1. Автор: Simon Sagmeister. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

COMPOSITE MATERIAL FOR DETECTING FREE NEUTRONS WITH AN EFFECTIVE ATOMIC NUMBER SIMILAR TO BODY TISSUE BY USING BERYLLIUM OXIDE AND/OR LITHIUM TETRABORATE, DOSIMETER, AND A METHOD FOR CAPTURING OR DETECTING FREE NEUTRONS

Номер патента: US20210223421A1. Автор: SCHEUBERT Peter Georg. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

COMPOSITION CONTAINING PYRAZINE DERIVATIVE AND USE FOR DIRECT DYEING OR OXIDATION AND / OR OPTICAL THINNING OF KERATIN FIBERS

Номер патента: FR2830194B1. Автор: Luc Gourlaouen. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2003-12-19.

1,5-anhydro-d-fructose substituted with a hydrophobic group for use as anti-oxidant and/or emulsifier

Номер патента: EP1163248A1. Автор: Shukun Yu,Jan Marcussen,Inge Lundt,Sören Möller ANDERSEN. Владелец: Danisco AS. Дата публикации: 2001-12-19.

1,5-anhydro-d-fructose substituted with a hydrophobic group for use as anti-oxidant and/or emulsifier

Номер патента: EP1163248B1. Автор: Shukun Yu,Jan Marcussen,Inge Lundt,Sören Möller ANDERSEN. Владелец: Danisco AS. Дата публикации: 2004-09-22.

1,5-Anhydro-D-fructose substituted with a hydrophobic group for use as anti-oxidant and/or emulsifier

Номер патента: US20020102342A1. Автор: Shukun Yu,Jan Marcussen,Søren Andersen,Inge Lundt. Владелец: Danisco AS. Дата публикации: 2002-08-01.

NEW USE OF FOOD COMPOSITIONS AND PRODUCTS COMPRISING OXIDES AND/OR HYDROXIDES

Номер патента: US20130302439A1. Автор: Farinato Alessandro,Brunello Dario,Tombolan Luca,Guerrato Alfredo. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

PROCESS AND DEVICE FOR TREATING GAS STREAMS BY OXIDATION AND / OR CATALYTIC REDUCTION

Номер патента: FR2765493B1. Автор: Daniel Gary. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1999-08-06.

Sodium oxide and/or aluminium oxide determn - in aluminate lyes and slurries

Номер патента: FR2173431A5. Автор: . Владелец: Magyar Tudomanyos Akademia. Дата публикации: 1973-10-05.

METHOD FOR COLORING OXIDATION AND / OR LIGHTENING OF KERATIN FIBERS AND CORRESPONDING MULTIPHASIC COMPOSITION

Номер патента: FR3012332B1. Автор: Arno Wahler. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2016-10-28.

Method for treating e.g. exhaust gas, of heat engine, involves simultaneously contacting gas containing sulfur oxide, nitrogen oxide and/or particles with carbon and water based solid adsorbent

Номер патента: FR2948579A1. Автор: Bernard Mouille,Patrice Harduin. Владелец: CDEM CT DEPOLLUTION ENVIRONNEMENT MOTEURS. Дата публикации: 2011-02-04.

PROCESS AND DEVICE FOR TREATING GAS STREAMS BY OXIDATION AND / OR CATALYTIC REDUCTION

Номер патента: FR2765493A1. Автор: Daniel Gary. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1999-01-08.

Composition for dyeing keratin fibers containing thiazoloazole S-oxide and / or thiazoloazole S, S-dioxide, its use in dyeing as a coupler and dyeing method

Номер патента: JP2000502720A. Автор: ヴィダル，ローラン,マル，ジェラール. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2000-03-07.

Preparations having an outer gel phase and an inner particulate phase comprising stabilized oxidation-and/or UV-sensitive active ingredients

Номер патента: AU2015258134B2. Автор: Sven Fey,Janne MOEBIUS,Dana BOELKE. Владелец: Beiersdorf AG. Дата публикации: 2020-01-16.

Non-invasive device and method for quantitative determination of oxidants and/or antioxidants in the skin

Номер патента: WO1996013193A3. Автор: Oren Tirosh,Ron Kohen,David Fanberstein. Владелец: Kohn Kenneth I. Дата публикации: 1996-06-27.

Pharmaceutical preparation for treatment of pre-eclamptic state and premature labour, compresing a combination of a progestational drug together with a substrate of synthesis of nitrogen oxide and/or a donor of nitrogen oxide, and application of this composition

Номер патента: PL177649B1. Автор: Robert E. Garfield,Kristof Chwalisz,Radoslaw Bukowski,Chandra Yallampalli. Владелец: Garfield Robert E. Дата публикации: 1999-12-31.

DEVICE FOR PROTECTION AGAINST OXIDATION AND / OR NITRURATION OF A LIQUID METAL JET AND ITS USE

Номер патента: FR2586210B1. Автор: Jean Foulard,Jacques Nicolas,Jean-Francois Mignot. Владелец: Air Liquide SA. Дата публикации: 1988-05-13.

METHOD FOR COLORING OXIDATION AND / OR LIGHTENING OF KERATIN FIBERS AND CORRESPONDING MULTIPHASIC COMPOSITION

Номер патента: FR3012332A1. Автор: Arno Wahler. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2015-05-01.

A catalyst for oxidation and/or combustion reactions, its preparation method and use

Номер патента: HK1004384A1. Автор: James Thomson,James Cairns,Andrew Hourd. Владелец: Univ Court Of The Unversity Of. Дата публикации: 1998-11-27.

Process and device for detecting oxidable and/or reducible gasses in air

Номер патента: CA2256010A1. Автор: Hanns Rump. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-11-06.

Composition for resisting oxidation and/or removing melanin, preparation method and application thereof

Номер патента: CN111481490A. Автор: 李婷婷,孙建波,曾艳波,畅文军. Владелец: Institute of Tropical Bioscience and Biotechnology Chinese Academy of Tropical Agricultural Sciences. Дата публикации: 2020-08-04.

PROCESSING UNIT FOR A WASHING MEDIUM CONTAMINATED WITH SULPHUR OXIDES AND/OR NITROGEN OXIDES

Номер патента: US20170043275A1. Автор: Hauke Stefan,Joh Ralph,Schneider Rüdiger,Kinzl Markus,Kursawe Ansgar. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2017-02-16.

METHOD FOR CONTROLLING A THERMAL ENGINE FOLLOWING APPLICATIONS FOR LIMITING THE EMISSIONS OF NITROGEN OXIDES AND / OR PARTICLES

Номер патента: FR3078746A1. Автор: Romain Boissard. Владелец: PSA Automobiles SA. Дата публикации: 2019-09-13.

Catalyst for reduction processes - contg the oxides and/or aluminates of copper/nickel/manganese

Номер патента: FR2166191A1. Автор: . Владелец: Knapsack Ag. Дата публикации: 1973-08-10.

IMPROVED PROCESS FOR ELIMINATION OF SULFUR OXIDES AND / OR NITROGEN OXIDES FROM WASTE GASES

Номер патента: FR2289231A1. Автор: . Владелец: Kubota Kasui Corp. Дата публикации: 1976-05-28.

Exhaust gas purification catalysts - for oxidation and/or reduction processes, on crystalline synthetic mullite carrier

Номер патента: FR2146293A1. Автор: . Владелец: WR Grace Ltd. Дата публикации: 1973-03-02.

Groundwater decontamination system through in situ injection of oxidant and/or riducent gases

Номер патента: EP1914016A1. Автор: Giorgio Bissolotti,Eleonora Pasinetti,Michela Peroni. Владелец: Italiana Acetile E Derivati Siad In Abbreviated Form Siad SpA Soc. Дата публикации: 2008-04-23.

Carbon oxide and/or sulfur oxide capture in a liquid environment

Номер патента: US20100104492A1. Автор: Michael P. May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Processing unit for a washing medium contaminated with sulphur oxides and/or nitrogen oxides

Номер патента: AU2015251094A1. Автор: Rüdiger Schneider,Ralph Joh,Markus Kinzl,Ansgar Kursawe,Stefan Hauke. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Catalytic redn of oxides of nitrogen in exhaust gases - using ammonia in presence of cerium oxide and/or uranium oxide

Номер патента: FR2211288A1. Автор: . Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1974-07-19.

Process for the treatment of gases with high oxygen content, with a view to controlling nitrogen oxide emissions, using a catalytic composition comprising cerium oxide and/or zirconium oxide

Номер патента: US6548032B1. Автор: Philippe Barthe,Catherine Hedouin,Thierry Seguelong. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2003-04-15.

Stabilization of oxidation- and/or UV- sensitive active agents

Номер патента: EP1129696B1. Автор: Wiebke Grundt,Heinrich Dr. Gers-Barlag,Volker Dr. Wendel. Владелец: Beiersdorf AG. Дата публикации: 2006-11-15.

STABILIZATION OF ACTIVE PRINCIPLES SENSITIVE TO OXIDATION AND / OR UV RADIATION.

Номер патента: ES2302848T3. Автор: Anja Goppel,Volker Wendel. Владелец: Beiersdorf AG. Дата публикации: 2008-08-01.

Method for the determination of oxidic and / or organic properties of a sample with a metal surface

Номер патента: DE102017217231A1. Автор: Simon Green,Jan Stiedl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-03-28.

A method of removing sulfureous in flue gas oxide and/or nitrogen oxides

Номер патента: CN109663496A. Автор: 张久顺,毛安国,侯栓弟,王巍,郭大为,武传朋,张晨昕,张春城. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2019-04-23.

Processing unit for a washing medium contaminated with sulphur oxides and/or nitrogen oxides

Номер патента: CA2946651A1. Автор: Rüdiger Schneider,Ralph Joh,Markus Kinzl,Ansgar Kursawe,Stefan Hauke. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-10-29.

OXIDATION AND / OR COMBUSTION CATALYST

Номер патента: DE69609703T2. Автор: James Thomson,James Cairns,Andrew Hourd. Владелец: UNIVERSITY OF DUNDEE. Дата публикации: 2001-04-05.

Carbon oxide and/or sulfur oxide capture in a liquid environment

Номер патента: CN101721899A. Автор: M·P·迈. Владелец: Babcock and Wilcox Power Generation Group Inc. Дата публикации: 2010-06-09.

Transparent substrate with metal oxide layers and method for producing same

Номер патента: EP4439132A1. Автор: Tetsuro Inokuchi,Akihiko Niino. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Transparent substrate with metal oxide layers and method for producing same

Номер патента: US20240329279A1. Автор: Tetsuro Inokuchi,Akihiko Niino. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing layered metal oxide particles and layered metal oxide particles formed thereof

Номер патента: US09738986B2. Автор: ZHONG Chen,Yuxin Tang,Zhili Dong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Electrophoretic core-shell particles having an organic pigment core and a shell with a thin metal oxide layer and a silane layer

Номер патента: US12025901B2. Автор: Jay William Anseth,Craig Alan BREEN,Brandon Macdonald. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Process for hydrating metal oxide layers on metal parts

Номер патента: SI1486588T1. Автор: Hans Binder,Wolfgang Schabel. Владелец: Sueddeutsche Aluminium Manufaktur GmbH. Дата публикации: 2018-03-30.

Electrophoretic core-shell particles having an organic pigment core and a shell with a thin metal oxide layer and a silane layer

Номер патента: WO2021158381A1. Автор: Jay William Anseth,Craig Alan BREEN,Brandon Macdonald. Владелец: E INK CORPORATION. Дата публикации: 2021-08-12.

Electrophoretic core-shell particles having an organic pigment core and a shell with a thin metal oxide layer and a silane layer

Номер патента: US20240272510A1. Автор: Jay William Anseth,Craig Alan BREEN,Brandon Macdonald. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Formulation for the preparation of optical metal oxide layers

Номер патента: WO2024141329A1. Автор: Henning SEIM,Amir Holtzman,Nina LIDICH,Hagai Arbell,Oleg CHASHCHIKHIN,Andreas BERKEFELD,Ira WEINSTOCK,Nitai LEFFLER,Roy SCHREIBER. Владелец: B.G. NEGEV TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS LTD.. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of producing nanodispersed metal oxides

Номер патента: RU2633582C1. Автор: Василий Дмитриевич Мушенко,Николай Владимирович Ильин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационные Технологии Синтеза". Дата публикации: 2017-10-13.

Water-repellent metal oxide film and method of forming same on glass substrate

Номер патента: US5413865A. Автор: Ichiro Nakamura,Osamu Takahashi,Hiroaki Arai,Seiji Yamazaki,Shigeo Hamaguchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-09.

Copper-containing metal pigments with a metal oxide layer and a plastic layer, method for the production thereof, coating agent and coated object

Номер патента: US9777160B2. Автор: Dirk Schumacher,Oliver Struck,Phu Qui Nguyen,Sebastian Hoefener. Владелец: ECKART GMBH. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for preparing particles comprising metal oxide coating and particles with metal oxide coating

Номер патента: CA2677185A1. Автор: Ofer Toledano,Haim Bar-Simantov,Hanan Sertchook,Leora Shapiro,Raed Abu-Reziq,Nissim Bilman,Srikanth Sriadibhatla,William T. Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-07.

Method of forming metallic oxide coatings upon support surfaces

Номер патента: GB650173A. Автор: . Владелец: Libbey Owens Ford Glass Co. Дата публикации: 1951-02-14.

Method for preparing particles comprising metal oxide coating and particles with metal oxide coating

Номер патента: CA2677185C. Автор: Ofer Toledano,Haim Bar-Simantov,Hanan Sertchook,Leora Shapiro,Raed Abu-Reziq,Nissim Bilman,Srikanth Sriadibhatla,William T. Sommer. Владелец: Sol Gel Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Calculation Method for thickness of inner oxide layer of martensitic heat-resistant steel in steam environment

Номер патента: US20230341242A1. Автор: Xue Wang,Conghao Du. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2023-10-26.

Formulation for the preparation of optical metal oxide layers

Номер патента: WO2024200186A1. Автор: Andreas BERKEFELD,Roy SCHREIBER,Odelia SAADON. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of producing valve metal electrode with valve metal oxide semiconductive coating having a chlorine discharge catalyst in said coating

Номер патента: US3846273A. Автор: G Bianchi,A Nidola,V Nora,P Gallone. Владелец: Electronor Corp. Дата публикации: 1974-11-05.

Scalable fabrication of wrinkle-free and stress-free metallic and metallic oxide films

Номер патента: US20200338861A1. Автор: Jian Sheng,Andrew R. White,Maryam Jalali-Mousavi. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of producing powder of simple or complex metal oxide

Номер патента: RU2723166C1. Автор: Виктор Дмитриевич Журавлев,Лариса Валерьевна Ермакова,Шамиль Минулович Халиуллин,Татьяна Александровна Патрушева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-06-09.

Mixed metal oxide oxidation catalysts and oxidative ammonolysis of propane and isobutane and method of obtaining them

Номер патента: RU2356627C2. Автор: Клаус Ж. ЛАГМЭР,Джессика ЗИСК,Роберт К. ГРАССЕЛЛИ. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЛЛК. Дата публикации: 2009-05-27.

Electro-chemical reduction of metal oxides

Номер патента: RU2347015C2. Автор: Эндрю Артур ШУК,Грегори Дэвид РИГБИ,Иван РАТЧЕВ. Владелец: Би Эйч Пи БИЛЛИТОН ИННОВЕЙШН ПТИ ЛТД.. Дата публикации: 2009-02-20.

Metal oxide in form of particles

Номер патента: RU2271993C2. Автор: Грэхам Пол ДРЭНСФИЛД,Сьюзн КАТТЕР,Филип Лоренс ЛИТ. Владелец: Империал Кемикал Индастриз ПЛС. Дата публикации: 2006-03-20.

Process for treating a metal oxide powder

Номер патента: USRE33243E. Автор: Bernard Francois,JEAN Michel,Joel Danroc,Camille Braun. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1990-06-26.

Powder of metal oxide, powder of titanium oxide, method of producing metal oxide powder

Номер патента: RU2127221C1. Автор: Мохри Масахиде,Койке Хиронобу,Умеда Тецу,Танака Синитиро,Ватанабе Хисаси,Саегуса Кунио,Хасегава Акира. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани Лимитед. Дата публикации: 1999-03-10.

Improved ammoxidation catalysts based on mixed metal oxides

Номер патента: RU2561084C2. Автор: Роберт А. ГУСТАФЕРРО,Марк А. ТОФТ,Чарльз Дж. БЕСЕКЕР,Майкл Дж. СИЛИ,Джеймс Ф. БРАЗДИЛ. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-20.

Metal oxide electrode for potentiometric measurements and method of its production

Номер патента: RU2691661C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Марина Сергеевна Васильева,Наталья Евгеньевна Забудская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-06-17.

Mixed oxide powder containing alkali metal oxide, and silicon rubber containing said powder

Номер патента: RU2395449C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Хельмут МАНГОЛЬД,Марио ШОЛЬЦ,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Хельмут МАНГОЛЬД (DE),Марио ШОЛЬЦ (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of preparing mixed metal oxide catalysts for oxidative ammonolysis and/or oxidation of lower alkanes

Номер патента: RU2495720C2. Автор: Бхагья Чандра СУТРАДХАР,Джеймс Ф. БРЭЗДИЛ,Марк А. ТОФТ,Чарльз Дж. БЕСЕКЕР,Майкл Дж. СИЛИ,Муин С. ХАДДАД,Кристос ПАРАРИЗОС. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-10-20.

Method and device for continuous production of metal oxide catalyst

Номер патента: RU2477653C2. Автор: Йон ЯН,Баошан ВУ,Йонван ЛИ,Хонвэй СЯН,Цзян СЮ. Владелец: Синфьюэлс Чайна Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-03-20.

Fluid separation devices capable of operating under high carbon dioxide partial pressures which utilize creep-resistant solid-state membranes formed from a mixed conducting multicomponent metallic oxide

Номер патента: US6056807A. Автор: Stephen Andrew Motika,Michael Francis Carolan,Paul Nigel Dyer,Patrick Benjamin Alba. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Metal oxide powder, and method for producing same

Номер патента: US20240182318A1. Автор: Koji Miyazaki,Takaaki Minamikawa,Hiroyuki Shiotsuki. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US8529799B2. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Metal Oxide-Stabilized Zirconium Oxide Ceramic Materials

Номер патента: US20170190643A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Franz PETZOLD,Marc K. BORN. Владелец: Clariant Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Metal oxide-stabilized zirconium oxide ceramic materials

Номер патента: EP3137434A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Marc BORN,Franz PETZOLD. Владелец: Clariant Corp. Дата публикации: 2017-03-08.

Metal oxide-stabilized zirconium oxide ceramic materials

Номер патента: WO2015167978A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Marc BORN,Franz PETZOLD. Владелец: CLARIANT CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

Metal oxide material reduction means

Номер патента: CA3211225A1. Автор: Ola Eriksson,Daniel MARJAVAARA,Björn Åström,Örjan Fjällborg. Владелец: Luossavaara Kiirunavaara AB LKAB. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for preparing particulate metal oxide materials

Номер патента: US20230278931A1. Автор: John Hryn,Yuepeng Zhang,Gregory K. Krumdick,Jungkuk LEE. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing method for metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US20120112137A1. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Antimicrobial material comprising synergistic combinations of metal oxides

Номер патента: US20210251235A1. Автор: Mechael KANOVSKY. Владелец: ARGAMAN TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of manufacturing complex metal oxide powder and amorphous complex metal oxide

Номер патента: US20080003161A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Toshihiko Kaneda,Satoshi Kimura,Hidemichi Furihata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Chiral nematic nanocrystalline metal oxides

Номер патента: EP2763938A1. Автор: Wadood Yasser Hamad,Mark John Maclachlan,Kevin Eric Shopsowitz. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2014-08-13.

Methods of producing metal oxides, a method of producing adsorption media including the same, and a precursor of an active component including the metal oxide

Номер патента: WO2011115742A1. Автор: Nicholas R. Mann,Troy Tranter. Владелец: BATTELLE ENERGY ALLIANCE, LLC. Дата публикации: 2011-09-22.

Mesoporous metal oxides and processes for preparation thereof

Номер патента: US09908103B2. Автор: Steven L. Suib,Altug Suleyman POYRAZ. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-03-06.

Forming white metal oxide films by oxide structure modification or subsurface cracking

Номер патента: US09839974B2. Автор: Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Michael S. Nashner,Daniel T. McDonald. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of producing composite metal oxide, metal oxide sintered body, and rotary kiln

Номер патента: US09598320B2. Автор: Mikio Nakashima,Naomichi Hori. Владелец: Toho Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Mesoporous metal oxides and processes for preparation thereof

Номер патента: US09452933B2. Автор: Steven L. Suib,Altug Suleyman POYRAZ. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2016-09-27.

Methods for synthesizing metal oxide nanowires

Номер патента: US09409141B2. Автор: Jeong H. Kim,Mahendra Kumar Sunkara,Vivekanand Kumar,Ezra Lee Clark. Владелец: University of Louisville Research Foundation ULRF. Дата публикации: 2016-08-09.

Plasma synthesis of nanopowdered metal oxide and related device

Номер патента: RU2351535C2. Автор: Махер И. БОУЛОС,Ежи В. ЮРЕВИЧ,Кристин А. Абдель Мессих НЕССИМ. Владелец: Текна Плазма Системз Инк.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of producing water self-dispersed metal oxide and hydroxide powder, powder and aqueous dispersion thus obtained, use thereof

Номер патента: RU2447108C2. Автор: Жан МОРО,Жан-Марк СЮО,Ив КЕНЗИХЕР. Владелец: Коатекс С.А.С.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of metals and alloy production by way of metal oxides carbo-thermal recovery

Номер патента: RU2458150C2. Автор: Виктор БЛЭК,Гари БЕРНС,Роберт ХЕРБЕРТ,Сефа ЙИЛМАЗ. Владелец: Дау Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2012-08-10.

Method of producing composite materials as polymer matrices filled with nanoparticles of metal oxides with modified surface

Номер патента: RU2638658C2. Автор: Никита Александрович Емельянов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Малое Инновационное Предприятие "Междисциплинарный Нанотехнологический Центр". Дата публикации: 2017-12-15.

Metal oxide based soil conditioner

Номер патента: EP3442339A1. Автор: Pallabi Das,Sanjay PRATIHAR,Satya Sundar BHATTACHARYA,Kasturi SARMAH. Владелец: Tezpur University. Дата публикации: 2019-02-20.

Method of fabricating metal oxide nanomaterials using a thermally decomposable solid substrate

Номер патента: US11827525B1. Автор: Babiker Yagoub Elhadi Abdulkhair,Mohamed Rahamtalla Elamin. Владелец: Imam Mohammad Ibn Saud Islamic University. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for producing porous metal oxide

Номер патента: US20230159347A1. Автор: Shogo Tsubota,Robert Hepburn. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods and systems for upgrading mixed pyrolysis oil to light aromatics over mixed metal oxide catalysts

Номер патента: US20240010934A1. Автор: Sohel K. SHAIKH,Miao SUN,Chandrasekar SUBRAMANI,Eman Z. Albaher,Wojciech Andrzej Supronowicz. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-01-11.

Supported two-component metal oxide catalyst for advanced treatment of petrochemical wastewater and method for preparing same

Номер патента: US11666892B2. Автор: Yuexi Zhou,Changyong Wu,Liya FU. Владелец: CHINESE RESEARCH ACADEMY OF ENVIRONMENTAL SCIENCES. Дата публикации: 2023-06-06.

System and method for controlling metal oxide gel particle size

Номер патента: US11774339B2. Автор: Nicholas LINNEEN. Владелец: X Energy LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Bifunctional metal oxides and paraffin isomerization therewith

Номер патента: WO2022265891A1. Автор: Jihad M. Dakka,Scott J. WEIGEL,Wesley SATTLER,Brandon M. Carcuffe,Megan E. Witzke,Ryan S. DUGAN. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Company. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacture of transition metal oxide fine particles

Номер патента: US20210229179A1. Автор: Jiyoung JUNG,Seojin Lee,Jihyun Kim,Sanghyun Hong,Yooseok Kwon,Sangeun SHIM,Sosan HWANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-07-29.

Metal oxide/hydroxide materials

Номер патента: NZ546946A. Автор: Patrick Gordon Hartley,Peter James Harbour. Владелец: Commw Scient Ind Res Org. Дата публикации: 2009-01-31.

Shaped artificial polymer articles with hybrid metal oxide particles

Номер патента: AU2023208717A1. Автор: Heinz Herbst,Michele Gerster,Lili Liu,Liangliang Qu,Rupa Hiremath Darji,Keith TASK,Michael David BURKE,Toan Van Pho,Carmen A. HENDRICKS-GUY,Edward MALITS. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing porous metal oxide

Номер патента: US12012337B2. Автор: Shogo Tsubota,Robert Hepburn. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Composite silica-metal oxide particles for magnesiothermic reduction

Номер патента: WO2015061159A1. Автор: Dimitris Elias Katsoulis,Robert Larsen,Mercouri Kanatzidis,Vasgen A. Shamamian,Kyriaki POLYCHRONOPOULOU,JR. Michael WEBERSKI. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2015-04-30.

Methods of manufacturing metal oxide nanowires

Номер патента: US20070275567A1. Автор: Yang Liu,Chunhua Xu,San-Qiang Shi,Chung Woo. Владелец: Hong Kong Polytechnic University HKPU. Дата публикации: 2007-11-29.

Silicone polymer-coated, hydrophobized metal oxides

Номер патента: AU7261096A. Автор: Mark Mitchnick,Anthony J O'lenick Jr.. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 1997-05-22.

Two-dimensional high-entropy metal oxide assembly with high thermal conductivity and preparation method thereof

Номер патента: US20220242745A1. Автор: Lingjie ZHANG,Weiwei Cai,Ningzhong Bao. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-08-04.

Composition containing spinel-type metal oxides

Номер патента: US20240262986A1. Автор: Ahmed A. AL-GHAMDI,Nikolay Todorov DISHOVSKY,Petrunka Atanasova MALINOVA,Abdullah G. Al-Sehemi,Nikolay Todorov Atanasov,Gabriela Lachezarova Atanasova,Irena Kirilova MIHAYLOVA. Владелец: Research Center For Advanced Materials Science King Khalid University Kku. Дата публикации: 2024-08-08.

Shaped artificial polymer articles with hybrid metal oxide particles

Номер патента: WO2023141089A9. Автор: Heinz Herbst,Michele Gerster,Lili Liu,Liangliang Qu,Rupa Hiremath Darji,Keith TASK,Michael David BURKE,Toan Van Pho,Carmen A. HENDRICKS-GUY,Edward MALITS. Владелец: BASF CORPORATION. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional printing with metal oxide nanoparticle fusing agents

Номер патента: US12110404B2. Автор: Krzysztof Nauka,Vladek Kasperchik. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-10-08.

Functional nanoscale metal oxides for stable metal single atom and cluster catalysts

Номер патента: US12102989B2. Автор: Xu Li,Jingyue Liu. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-10-01.

Graft polymerized metal oxide compositions and methods

Номер патента: WO1999006458A1. Автор: Charles E. Seeney,Tanna K. Watson. Владелец: Kerr-Mcgee Chemical, L.L.C.. Дата публикации: 1999-02-11.

Methods of Forming a Metal Material from a Metal Oxide Material by Electrochemical Reduction and Related Systems and Articles

Номер патента: US20240337037A1. Автор: Prabhat K. TRIPATHY. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods for processing fumed metallic oxides

Номер патента: US09969621B2. Автор: Michele Louisa Ostraat. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2018-05-15.

Nanostructured metal oxide compositions for applied photocatalysis

Номер патента: US09764959B2. Автор: Geoffrey A. Ozin,Thomas Edward Wood,Laura Brennan Hoch. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for producing metal oxide-containing particles, and method for producing aggregates of metal oxide colloidal particles

Номер патента: US09656874B2. Автор: Kazuhiro Doshita,Toshitaka Furuichi. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Metal oxide supported palladium catalyst for hydrocarbon oxidation

Номер патента: US09656257B2. Автор: Mohamed Mokhtar Mohamed Abdalla,Saleh Abdel-Mgeed Ahmed SALEH,Khalid Soliman Khalil KHAIROU. Владелец: Umm Al Qura University. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of CO and/or CO2 hydrogenation to higher hydrocarbons using doped mixed-metal oxides

Номер патента: US09598644B1. Автор: David A. Berry,James J. Spivey,Dushyant Shekhawat,Mark W. Smith,Victor Abdelsayed,Daniel J. Haynes. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2017-03-21.

Low-temperature route for precision synthesis of metal oxide nanoparticles

Номер патента: US09517945B2. Автор: Daisuke Ito,James E. Hutchison. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2016-12-13.

Solid metal hydroxide solution, solid metal oxide solution, and method of preparation thereof

Номер патента: RU2196105C2. Автор: Хирофуми Курису,Рюйчи Ишибаши,Тошиказу Кодани,Мареши Такегаки. Владелец: Татехо Кемикал Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2003-01-10.

A method for co-producing monophenols and cellulose by catalytic oxidation of biomass over a transition metal oxide

Номер патента: EP3831801A1. Автор: Jing Liu,Qi Zhang,Wei Lv,Longlong Ma,Yuting ZHU,Chenguang Wang. Владелец: Guangzhou Institute of Energy Conversion of CAS. Дата публикации: 2021-06-09.

Rare-earth doped metal oxide ceramic waveguide quantum memories and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11958780B2. Автор: Haitao Zhang,Jun Yang,Sean Matthew Garner,Bruce Gardiner Aitken,Daniel Aloysius Nolan,Thomas Dale Ketcham. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods for producing C2 to C5 paraffins using a hybrid catalyst comprising gallium metal oxide

Номер патента: US12030036B2. Автор: Andrzej Malek,Joseph F. DEWILDE,Vera P. SANTOS CASTRO,Alexey KIRILIN,Adam Chojecki,Glenn POLLEFEYT,Kyle C. ANDREWS,David F. YANCEY,Davy L. S. Nieskens. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

A-site high-entropy nanometer metal oxide with high conductivity, and preparation method thereof

Номер патента: US20220234908A1. Автор: Lingjie ZHANG,Weiwei Cai,Ningzhong Bao. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-07-28.

A-site high-entropy nanometer metal oxide with high conductivity, and preparation method thereof

Номер патента: US11866343B2. Автор: Lingjie ZHANG,Weiwei Cai,Ningzhong Bao. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of preparing a fumed metal oxide dispersion

Номер патента: US20020086909A1. Автор: Steven Brown. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of preparing a fumed metal oxide dispertion

Номер патента: EP1349809A2. Автор: Steven E. Brown. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2003-10-08.

Mixed metal oxide powder, especially antimony-tin mixed oxide powder, and preparation thereof

Номер патента: WO2010145897A1. Автор: Jürgen Meyer,Stipan Katusic,Peter Kress,Armin Wiegand,Sven Hill. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2010-12-23.

Mixed metal oxide powder, especially antimony-tin mixed oxide powder, and preparation thereof

Номер патента: EP2467331A1. Автор: Jürgen Meyer,Stipan Katusic,Peter Kress,Armin Wiegand,Sven Hill. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2012-06-27.

Rare-earth doped metal oxide ceramic waveguide quantum memories and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220033311A1. Автор: Haitao Zhang,Jun Yang,Sean Matthew Garner,Bruce Gardiner Aitken,Daniel Aloysius Nolan,Thomas Dale Ketcham. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for preparing albumin nanoparticles based on free radical oxidation

Номер патента: US20210322336A1. Автор: Xiangliang YANG,Han Luo,Jiangling Wan,Jianyong SHENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for determining free radical oxidation in model system

Номер патента: RU2627459C2. Автор: Елена Ивановна Гаврикова,Наталья Ивановна Ярован,Наталья Николаевна Полехина,Наталья Александровна Комиссарова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2017-08-08.

Metal stent with surface layer of noble metal oxide and method of fabrication

Номер патента: WO2004071548A1. Автор: Torsten Scheuermann,Lutz Stehling. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC LIMITED. Дата публикации: 2004-08-26.

Composite metal oxide particle processes and toners thereof

Номер патента: US5424129A. Автор: Richard B. Lewis,Michael J. Levy. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Composite metal oxide particle processes and toners thereof

Номер патента: CA2125427C. Автор: Richard B. Lewis,Michael J. Levy. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Ferrite magnetic head with gap spacer of silicon oxide and metal oxides

Номер патента: US3578920A. Автор: Kazuo Nozawa,Noriaki Okamoto,Teruo Wakabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1971-05-18.

Method for manufacturing a multiple level liquid crystal display using alternating metal and metal oxide layers

Номер патента: US5414543A. Автор: Nobuyuki Yamamura,In-sik Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-09.

Hydrogen sensor including pair of electrodes and metal oxide layer and method of detecting hydrogen with hydrogen sensor

Номер патента: US20170269043A1. Автор: Zhiqiang Wei,Kazunari HOMMA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Metal oxide nanorod arrays on monolithic substrates

Номер патента: US09855549B2. Автор: ZHENG Ren,Pu-Xian Gao,Yanbing GUO. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Synthesis of nanoparticles of composite metal oxides in supercritical water

Номер патента: RU2438982C2. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-01-10.

Nanostructure material with metallic oxide and method for detecting phosphorus-containing compounds

Номер патента: US7935535B2. Автор: Hong-Ping Lin,Shaw-Yi Yen,Shou-Nan Li,Bo-Jui Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-05-03.

Metal oxide catalyst for selective catalytic reduction

Номер патента: US20240375086A1. Автор: Yuejin Li,Dengsong ZHANG,Hongrui LI,Penglu WANG,Shau Lin CHEN. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Magnetic metal oxide coated polymer nanoparticles and use thereof

Номер патента: RU2472530C2. Автор: Шломо МАРДЖЕЛ,Бенни ПЕРЛШТЕЙН,Чая БРОУДИ,Том Миккелсен. Владелец: Генри Форд Хоспитал. Дата публикации: 2013-01-20.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: US20200164347A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2020-05-28.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: EP3651901A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2020-05-20.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: US11173474B2. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2021-11-16.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: WO2019011782A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2019-01-17.

Regenerable mgo promoted metal oxide oxygen carriers for chemical looping combustion

Номер патента: WO2014062241A1. Автор: Duane D. Miller,Ranjani V. Siriwardane. Владелец: United States Department of Energy. Дата публикации: 2014-04-24.

Regenerable MgO Promoted Metal Oxide Oxygen Carriers for Chemical Looping Combustion

Номер патента: US20130316292A1. Автор: Duane D. Miller,Ranjani V. Siriwardane. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2013-11-28.

Metal oxide catalysts with a laser induced hydrophobic characteristic

Номер патента: US09950318B2. Автор: Joseph Kuczynski,Brandon M. Kobilka,Jason T. Wertz,Scott B. King. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Palletizer, palletizing method, and transfer of a layer of objects by palletizer from a conveyor to a layer depositing tool

Номер патента: US09908721B2. Автор: Zmaj Petrovic. Владелец: Gebo Packaging Solutions Italy SRL. Дата публикации: 2018-03-06.

Electrochromic device containing metal oxide nanoparticles and ultraviolet blocking material

Номер патента: US09791760B2. Автор: Bonil Koo,Jason Holt,Scott Thomsen,Sourav Basu,Guillermo Garcia,Ivano Gregoratto,Evelyn Rosen. Владелец: Heliotrope Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

Particle of metal oxide carrier of catalyst and waste gas treatment catalyst

Номер патента: RU2392049C1. Автор: Масахиде МИУРА,Нобуюки ТАКАГИ,Синити МАТСУМОТО,Тоситака ТАНАБЕ,Ясутака НАГАИ,Казухико ДОХМАЕ,Ясуо ИКЕДА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-06-20.

Multi-layer deposits with hard-to-recover oil reserves development method by the compacting grid method

Номер патента: RU2678337C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Рустем Халитович Саетгараев,Владлен Борисович Подавалов,Айдар Рашитович Якупов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" им. В.Д.Шашина. Дата публикации: 2019-01-28.

Method of saturation of porous work pieces with metal oxides

Номер патента: RU2568425C1. Автор: Евгений Константинович Лысенко,Дмитрий Валерьевич Марушкин,Ирина Валентиновна Хмелевская,Леся Григорьевна Чумак,Тимур Алданович Миреев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2015-11-20.

High activity titania supported metal oxide denox catalysts

Номер патента: EP1830955A1. Автор: Guoyi Fu,Steven M. Augustine. Владелец: Millennium Inorganic Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-09-12.

Proppants With Carbide And/Or Nitride Phases

Номер патента: US20120003136A1. Автор: Skala Robert D.,Coker Christopher E.,Loscutova John R.. Владелец: Oxane Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing nanodispersed zirconium oxide powder stabilised with yttrium oxide and/or scandium oxide

Номер патента: RU2492157C2. Автор: Виктор Дмитриевич Журавлев,Михаил Юрьевич Сенников. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт химии твердого тела Уральского Отделения РАН. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of production of the reflex metal-oxide coatings (versions)

Номер патента: RU2298531C1. Автор: Виктор Васильевич Дроботенко,Михаил Игоревич Конев,Иль Владимирович Шестов,Илья Владимирович Шестов. Владелец: Илья Владимирович Шестов. Дата публикации: 2007-05-10.

Mass of metal oxides

Номер патента: RU2352390C9. Автор: Мартин ДИТЕРЛЕ,Фридер БОРГМАЙЕР,Хартмут ХИБСТ. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2010-05-20.

Process for producing metal oxide and organo-metal oxide compositions

Номер патента: WO1998045210A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1999-03-11.

Improvements in or relating to methods of manufacturing compact bodies of manganic oxide and / or iron oxide and bodies thus obtained

Номер патента: AU1384162A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1963-08-01.

Improvements in or relating to methods of manufacturing compact bodies of manganic oxide and / or iron oxide and bodies thus obtained

Номер патента: AU267127B2. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1963-08-01.

Means for preventing or minimizing the oxidation and or volatilization of the contacting parts of the vibrating devices of eletical and like apparatus

Номер патента: AU1051323A. Автор: Channon Pkrreji Frederick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1921-03-11.

Method of manufacturing compact bodies of manganic oxide and/or iron oxide and bodies thus obtained

Номер патента: CA705821A. Автор: C. W. Kruishoop Johan. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-03-16.

A method for producing lead from sulphidic and oxidic and/or sulphatic lead raw materials

Номер патента: ZA842787B. Автор: Martin Lennart Hedlund,Kurt Johnny Andreas Buren,Malkolm Severin Lundstroem,Johan Sverre Leirnes. Владелец: Boliden Ab. Дата публикации: 1984-12-24.

Method of upgrading aluminium oxide and/or hydroxide in particular for use in manufacture of electroitechnic ceramic products

Номер патента: PL291163A1. Автор: Maurycy Pyzalski,Mariusz Wojcik,Jan ADAMCZYK. Владелец: Impexmetal Centrala Importowo. Дата публикации: 1993-01-25.

Composite explosive on the basis of anorganic oxidants and/or organic nitro compounds

Номер патента: CS230325B1. Автор: Milan Dimun,Svatopluk ZEMAN,Andrej Dimun,Milan Poliecka. Владелец: Milan Poliecka. Дата публикации: 1984-08-13.

Method of reducing emission of sulfur oxides and/or improving efficiency of a boiler

Номер патента: PL292486A1. Автор: Eugeniusz Pieszka. Владелец: Energochem Zaklad Badawczo P. Дата публикации: 1993-05-31.

METHOD FOR THE DIRECT OXIDATION AND/OR INTERNAL REFORMING OF ETHANOL, SOLID OXIDE FUEL CELL FOR DIRECT OXIDATION AND/OR INTERNAL REFORMING OF ETHANOL, CATALYST AND MULTIFUNCTIONAL ELECTROCATALYTIC ANODE FOR DIRECT OXIDATION AND/OR INTERNAL

Номер патента: US20120088176A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

Torrefaction Systems and Methods Including Catalytic Oxidation and/or Reuse of Combustion Gases Directly in a Torrefaction Reactor, Cooler, and/or Dryer/Preheater

Номер патента: US20120017499A1. Автор: . Владелец: ADVANCED TORREFACTION SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20120036732A1. Автор: Varadarajan Bhadri N.,Schravendijk Bart Van. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

COATED ARTICLE WITH LOW-E COATING INCLUDING ZIRCONIUM OXIDE AND/OR ZIRCONIUM SILICON OXYNITRIDE AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120315469A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

PRODUCTION AND USE OF METAL SALTS OF ALKYL OXIDE AND/OR ARYL ALKYL OXIDE OLIGOMERS AND POLYMERS WITH ACID END GROUPS IN THE PRODUCTION OF POLYURETHANE SYSTEMS

Номер патента: US20130035412A1. Автор: HUBEL Roland,Schmitz Sarah. Владелец: EVONIK GOLDSCHMIDT GMBH. Дата публикации: 2013-02-07.

CONSTRUCTIONS COMPRISING HAFNIUM OXIDE AND/OR ZIRCONIUM OXIDE

Номер патента: US20120037902A1. Автор: Nelson Jeff,Vernon John,Srividya Cancheepuram V.,Rocklein Noel,Gealy F. Daniel,Korn David. Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-02-16.

Film covered with aluminum oxide and/or silicon carbide

Номер патента: JPS5215312A. Автор: Tsuneo Hagiwara,Aritami Yonemura. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1977-02-04.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

Monolayers of organic compounds on metal oxide surfaces or metal surfaces containing oxide and component produced therewith based on organic electronics

Номер патента: US20120003485A1. Автор: Hayden Oliver,Schmid Gunter,Halik Marcus,Habich Dana Berlinde. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of treating chronic inflammatory periodontal diseases caused by yeast-like candida fungi depending on the condition of free-radical oxidation of oral fluid (versions)

Номер патента: RU2593580C1. Автор: Миляуша Фаузиевна Кабирова,Лариса Павловна Герасимова,Ирина Николаевна Усманова,Марсель Маратович Туйгунов,Ирик Рамимович Усманов,Анна Анатольевна Герасимова,Сафия Рустамовна Каримова. Владелец: Ирина Николаевна Усманова. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of production of flexible nanoporous composite membrane with cellular structure of anode metal oxide or alloy

Номер патента: RU2545887C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Дмитрий Игоревич Петухов. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Фабрика новых материалов". Дата публикации: 2015-04-10.

RAPID CRYSTALLIZATION OF HEAVILY DOPED METAL OXIDES AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20120001172A1. Автор: Li Qi,Shang Jian-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of correcting free radical oxidation in oral fluid

Номер патента: RU2393893C1. Автор: Миляуша Фаузиевна Кабирова,Лариса Павловна Герасимова,Ирина Николаевна Усманова,Луиза Валеевна Фархутдинова,Эльвира Камилевна Сабирзянова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Федерального Агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО БГМУ РОСЗДРАВА). Дата публикации: 2010-07-10.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for correcting free radical oxidation and antioxidant protection in cows at technological stress

Номер патента: RU2314108C1. Автор: Наталья Ивановна Ярован,Наталь Ивановна Ярован. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГОУ ВПО Орел ГАУ). Дата публикации: 2008-01-10.

Method of assessment of state of free-radical oxidation in oral fluid in cases of parodontium inflammatory diseases

Номер патента: RU2140633C1. Автор: Х.М. Шайдуллина,О.Н. Федотова,Р.Р. Фархутдинов. Владелец: Шайдуллина Хамида Мухлисовна. Дата публикации: 1999-10-27.

Method of treating chronic gingivitis caused by tobacco smoking in young individuals according to value of free radical oxidation of oral fluid

Номер патента: RU2556500C1. Автор: Александр Петрович Сорокин,Миляуша Фаузиевна Кабирова,Лариса Павловна Герасимова,Ирина Николаевна Усманова,Рафагат Равильевич Фархутдинов,Мухаммед Мухаммед Али Аль-Табиб. Владелец: Ирина Николаевна Усманова. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of treating necrotic ulcers of oral mucosa in patients with multiple myeloma considering free radical oxidation in oral fluid

Номер патента: RU2472486C1. Автор: Миляуша Фаузиевна Кабирова,Лариса Павловна Герасимова,Гузель Фанзяевна Сахапова. Владелец: Гузель Фанзяевна Сахапова. Дата публикации: 2013-01-20.

SELF-DISPERSIBLE COATED METAL OXIDE POWDER, AND PROCESS FOR PRODUCTION AND USE

Номер патента: US20120003287A1. Автор: Schlossman David,Shao Yun,Orr Carl. Владелец: KOBO PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE ULTRAFINE FIBER-BASED COMPOSITE SEPARATOR WITH HEAT RESISTANCE AND SECONDARY BATTERY USING SAME

Номер патента: US20120003524A1. Автор: Jang Sung-Yeon,KIM Dong Young,JO Seong Mu. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE NEGATIVE ELECTRODES FOR LITHIUM-ION ELECTROCHEMICAL CELLS AND BATTERIES

Номер патента: US20120003533A1. Автор: Dahn Jeffrey R.,Li Jin,Obrovac Mark N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Mixture for manufacture of metal oxide nonlinear resistors

Номер патента: RU2039384C1. Автор: В.В. Александров. Владелец: Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1995-07-09.

Method of reduction of metal oxides

Номер патента: RU2317342C2. Автор: Валентин Николаевич Александров,Владимир Александрович Баранов,Владислав Владимирович Баранов,Даниил Валентинович Александров. Владелец: Даниил Валентинович Александров. Дата публикации: 2008-02-20.

Procedure for production of ultra-nano-disperse powder of transition metal oxide or mixture of oxides of transition metals

Номер патента: RU2400428C2. Автор: Ирина Владимировна Николаенко,Геннадий Петрович Швейкин. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2010-09-27.

Method for oxidative ammonolysis of propane and isobutane in presence of mixed metal oxide catalysts

Номер патента: RU2451548C2. Автор: Герри В. ЗЕЙДЖЕК,Бхагья Чандра СУТРАДХАР,Стивен Алан Коэн,Клаус Г. ЛАГМЭЙР,Алакананда БХАТТАЧАРЬЯ,Франк Ф. Джр. БРАЗДИЛ,Герри В. ЗЕЙДЖЕК (US),Бхагья Чандра СУТРАДХАР (US),Клаус Г. ЛАГМЭЙР (US),Стивен Алан КОЭН (US),Алакананда БХАТТАЧАРЬЯ (US),Франк Ф. Джр. БРАЗДИЛ (US). Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-05-27.

Procedure for application of metal oxide coatings on surface of unalloyed steel

Номер патента: RU2588962C2. Автор: Сергей Максимович Решетников,Фаат Залалутдинович Гильмутдинов,Евгений Викторович Харанжевский,Михаил Дмитриевич Кривилев,Эдуард Евгеньевич Садиоков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Удмуртский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "УдГУ"). Дата публикации: 2016-07-10.

Method of obtaining catalyst on porous metal oxide carrier for carbohydrate oxydation

Номер патента: RU2468861C1. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Николай Алексеевич Борщ,Юрий Александрович Миргород,Валентина Геннадьевна Бородина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2012-12-10.

Method of regenerating metal oxide industrial catalysts for organic synthesis

Номер патента: RU2414301C1. Автор: Виктор Яковлевич Хентов,Лидия Николаевна Великанова,Наталья Александровна Егорова,Светлана Леонидовна Рябоволова,Владимир Владимирович Семченко,Лидия Ивановна Аракелян. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2011-03-20.

Automated technological line for surface modification of polymer fibrous material by metal oxide nanoparticles

Номер патента: RU2542303C1. Автор: Геннадий Георгиевич Волокитин,Татьяна Дмитриевна Малиновская,Анатолий Сергеевич Рухов,Вячеслав Рудольфович Артюшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный архитектурно-строительный университет" (ТГАСУ). Дата публикации: 2015-02-20.

Method of removal the impurity metals oxides from aluminum at its purification

Номер патента: RU2305712C1. Автор: Алексей Иванович Гончаров. Владелец: Алексей Иванович Гончаров. Дата публикации: 2007-09-10.

Mixed metal oxide-based memristor

Номер патента: RU2524415C1. Автор: Андрей Михайлович Маркеев,Андрей Владимирович Зенкевич,Константин Викторович Егоров,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-07-27.

Metal-oxide catalyst for growing bundles of carbon nanotubes from gaseous phase

Номер патента: RU2427423C1. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Александр Васильевич Мележик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр". Дата публикации: 2011-08-27.

Method of obtaining nanosized metal oxides from organometallic precursors

Номер патента: RU2526552C1. Автор: Геннадий Ефимович Ремнев,Роман Владимирович Сазонов,Галина Евгеньевна Холодная,Денис Владимирович Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2014-08-27.

Method of fluorinating dispersed rare metal oxides and reactor for realising said method

Номер патента: RU2444474C1. Автор: Юрий Николаевич Туманов,Николай Михайлович Троценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2012-03-10.

Metal-oxide material for bursting electric contacts

Номер патента: RU2367695C1. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Виктор Михайлович Денисов,Евгений Викторович Антипов,Артем Михайлович Абакумов,Владимир Игоревич Кирко,Венчжу ШАО,Леонтий Иванович Семенов,Вадим Иванович Алещенко,Артем Михайлович Абакумов (RU),Евгений Викторович Антипов (RU),Виктор Владимирович Иванов (RU),Виктор Михайлович Денисов (RU),Венчжу ШАО (CN),Владимир Игоревич Кирко (RU),Леонтий Иванович Семенов (RU),Вадим Иванович Алещенко (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2009-09-20.

Method of producing nanostructured metal oxide coatings

Номер патента: RU2521643C1. Автор: Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН). Дата публикации: 2014-07-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.