Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1
Опубликовано: 18-04-2024
Автор(ы): Jean-Sebastien Materne Lehn
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

MoS2 thin film and method for manufacturing same

Номер патента: US09863039B2. Автор: Yo-Sep Min. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6936548B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-08-30.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

METHOD FOR FORMING CARBON-CONTAINING SILICON/METAL OXIDE OR NITRIDE FILM BY ALD USING SILICON PRECURSOR AND HYDROCARBON PRECURSOR

Номер патента: US20170342559A1. Автор: Fukuda Hideaki,Fukazawa Atsuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor

Номер патента: US11453943B2. Автор: Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-09-27.

Systems, devices, and methods for forming layers comprising a group 14 element, a pnictogen, and a chalcogen

Номер патента: US20240175129A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Charles DEZELAH,Bart Vermeulen,Jerome Innocent. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods for depositing polycrystalline films with engineered grain structures

Номер патента: US20040213907A1. Автор: Michael Todd,Keith Weeks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

METHODS FOR DEPOSITING A TRANSITION METAL NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND RELATED DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20190003052A1. Автор: Li Dong,Alokozai Fred,Wang Hao,Wang Eric,Li Luping,Milligan Robert Brennan,Shero Eric James,Verbaas Melvin,Petro William George. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11306395B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-04-19.

Method for enhancing p-type conductive doping of boron nitride film by nitrogen-rich atmosphere

Номер патента: CN109518278B. Автор: 刘国振,蔡端俊,王跃锦,郝卓然. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-12-08.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050268851A1. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7276444B2. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-02.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20190368044A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20190368045A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20170002469A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US09435031B2. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Oxygen-doped amorphous carbon film and method for depositing the same

Номер патента: US20240263311A1. Автор: Nam-Seo Kim,Seung-Hwan JEON,Seong-Pyo CHO. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing metal catalyst having composite film deposited thereon by means of ald process, and metal catalyst according thereto

Номер патента: EP4230294A1. Автор: Sung Gap Im,Young Jin Cho,Myung Seok OH,Won Tae JANG,Do Heung KIM,Keonwoo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-23.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for preparing metal catalyst deposited with layer film by ald process and metal catalyst thereof

Номер патента: US20230405574A1. Автор: Sung Gap Im,Young Jin Cho,Myung Seok OH,Do Heung KIM,Wontae JANG,Keonwoo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatus and method for adjusting the uniformity of gas flow in a CVD or ALD reactor or a layer deposited therein

Номер патента: DE102016122072A1. Автор: Ki Chul Park,Gi Youl Kim,Mark Chen-Lun Lin,Gregory SIU,Jonathan David Mohn,H. William Lucas jun.. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Zinc oxide based sputtering target, method for manufacturing zinc oxide based sputtering target, zinc oxide based transparent electrically conductive film, method for manufacturing zinc oxide based transparent electrically conductive film, and electronic apparatus

Номер патента: US20100123103A1. Автор: Takahiro Nagata,Toshitaka Kawashima,Shina Kirita,Yuichi Kamori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: KR100975507B1. Автор: 끄리스띠앙 뒤사랑,쟝-마르 지라르. Владелец: 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드. Дата публикации: 2010-08-11.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003046253A1. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2003-06-05.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for synthesis of transition metal chalcogenide

Номер патента: US09644263B2. Автор: Hyungjun Kim,Youngjun Kim,Jeong-Gyu SONG,Jusang Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-05-09.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for producing a graphene film

Номер патента: US12037248B2. Автор: Xinyuan Liu,Zhen Song,Fuqiang Huang,Tongping XIU,Hui Bi,Yufeng Tang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing a graphene film

Номер патента: US11708271B2. Автор: Xinyuan Liu,Zhen Song,Fuqiang Huang,Tongping XIU,Hui Bi,Yufeng Tang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for depositing ultra fine grain polysilicon thin film

Номер патента: US20110294284A1. Автор: Sang Ho Woo,Song Hwan Park,Hai Won Kim,Sung Gil Cho,Kyung Soo Jung. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for depositing large-area graphene layer and apparatus for continuous graphene deposition

Номер патента: US20210172059A1. Автор: Chul Kyu Song,Ji Hye Han,Dong Ho YOON,Soon Gil Yoon,Ji Ho Eom. Владелец: Kuk Il Graphene Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Touch surface for an electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09598765B2. Автор: Jacques Robert,Stephen Harvey,Xiaoling Liu,Ken Delaney,Changliang LI,Zhaoyang Han,Chienchung CHEN,Jianqing HU,Wei Han LIAO,Tsu Hsien LEE,Yi Ling CAI. Владелец: Logitech Europe SA. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for operating a vacuum Coating apparatus

Номер патента: US20120288984A1. Автор: Christian Wachtendorf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-15.

Apparatus for depositing material layers on a substrate

Номер патента: WO2024132366A1. Автор: Lászlo PETHÖ,Carlos Guerra,Johann Michler. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus for depositing material layers on a substrate

Номер патента: EP4389929A1. Автор: Lászlo PETHÖ,Carlos Guerra,Johann Michler. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-06-26.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for depositing metallic iridium and iridium silicide

Номер патента: US20200131633A1. Автор: Feng Q. Liu,Hua Chung,Schubert Chu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for RF compensation in plasma assisted atomic layer deposition

Номер патента: US09624578B2. Автор: Hu Kang,Shankar Swaminathan,Tuan Nguyen,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Chloe Baldasseroni,Jennifer Petraglia,Seshasayee Varadarajan,David Charles Smith,Paul Franzen,Trung T. Le. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Process for depositing organic materials

Номер патента: EP2210270A2. Автор: Diane Carol FREEMAN,David Howard Levy,Peter Jerome Cowdery-Corvan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-07-28.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Method for producing a film of a ternary or quaternary compound by ALD

Номер патента: SE2150544A1. Автор: Henrik Pedersen,Polla ROUF. Владелец: Polla ROUF. Дата публикации: 2022-10-30.

Method for producing a film of a ternary or quaternary compound by ald

Номер патента: WO2022231494A1. Автор: Henrik Pedersen,Polla ROUF. Владелец: ROUF Polla. Дата публикации: 2022-11-03.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT

Номер патента: US09556516B2. Автор: Noboru Takamure,Tatsuhiro Okabe. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-31.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US12091748B2. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

Chamber undercoat preparation method for low temperature ALD films

Номер патента: US09745658B2. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Laminate, barrier film and method for manufacturing these

Номер патента: US09957613B2. Автор: Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

An apparatus and method for processing particulate matter

Номер патента: EP3475462A1. Автор: Markus Bosund,Risto Peltonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2019-05-01.

Particle reactor for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) processes

Номер патента: US09896763B2. Автор: Mei Cai,Gayatri V. Dadheech,Prasad Gadgil. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for forming a substrate web track in an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US09745661B2. Автор: Vaino Kilpi,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2017-08-29.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus and method for the deposition of ruthenium containing films

Номер патента: EP1969154A1. Автор: Helmuth Treichel. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Transparent conductive film

Номер патента: US09493869B2. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

System and method for depositing of a first and second layer on a substrate

Номер патента: US11761088B2. Автор: Kevin Johannes Hendrikus LAGARDE. Владелец: Innoflex Technologies BV. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for forming and utilizing antimony containing films, and related structures

Номер патента: US20240218510A1. Автор: David Kurt De Roest,Charles DEZELAH,Arpita Saha,Paul Chatelain,Daniele Piumi,Yoann Tomczak. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Method and device for deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600047C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for eliminating runout of braze filler metal during active brazing

Номер патента: US20200023454A1. Автор: Ronald S. Goeke,Charles A. Walker,Juan A. Romero. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for eliminating runout of braze filler metal during active brazing

Номер патента: US11241752B2. Автор: Ronald S. Goeke,Charles A. Walker,Juan A. Romero. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2022-02-08.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249629A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Chemical vapor deposition process for depositing zinc oxide coatings, method for forming a conductive glass article and the coated glass articles produced thereby

Номер патента: US09776914B2. Автор: Yu Wang,Srikanth Varanasi,David Alan Strickler. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods and apparatus for depositing tantalum metal films to surfaces and substrates

Номер патента: US20080050916A1. Автор: Clement R. Yonker,Dean W. Matson,John T. Bays. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Methods for obtaining hydrophilic fluoropolymers

Номер патента: EP2946028A1. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Amit Kumar Roy. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2015-11-25.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for preparing copper calcium titanate thin film, and copper calcium titanate thin film

Номер патента: EP3656889A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Methods for forming a protective coating on processing chamber surfaces or components

Номер патента: US11976357B2. Автор: Ankur Kadam,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia,Yogita Pareek. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Composition for depositing antimony-containing thin film and method for manufacturing antimony-containing thin film using the same

Номер патента: US20230203655A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Precoat method for substrate processing apparatus and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240191349A1. Автор: Atsushi Tanaka,Taichi Monden. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Deposition of flowable sicn films by plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20230335392A1. Автор: Hideaki Fukuda,Timothee Blanquart,Aurélie Kuroda,Makoto Igarashi,Shinya Yoshimoto,Takahiro Onuma,Jhoelle Roche Guhit. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for forming nitrogen containing oxide thin film by plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: KR100460841B1. Автор: 윤선진,임정욱. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for deposition of system of transparent barrier layers

Номер патента: RU2590745C2. Автор: Штеффен ГЮНТЕР,Бьерн МЕЙЕР,Штеффен ШТРАХ,Томас КЮНЕЛЬ,Себастьян БУНК,Николас ШИЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Method for vapour deposition of a film onto a substrate

Номер патента: EP1299572A2. Автор: Margreet Albertine Anne-Marie Van Wijck. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-04-09.

Method for depositing a multi-layer moisture barrier on electronic devices and electronic devices protected by a multi-layer moisture barrier

Номер патента: US09831466B2. Автор: Stephen E. Savas,Carl Galewski,Allan B. Wiesnoski. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for hydrophobization of surface of silicon-containing film by ALD

Номер патента: US09478414B2. Автор: Akiko Kobayashi,Dai Ishikawa,Akinori Nakano,Kiyohiro Matsushita. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for reducing incubation period of silicon nitride layer deposition, structure formed using the method, and system for performing the method

Номер патента: US20240318311A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Method and system for depositing boron carbon nitride

Номер патента: US20240222115A1. Автор: Antti Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Scanning mirror and production method for scanning mirror

Номер патента: EP3978987A1. Автор: Takashi Sasaki,Kazuhiro Hane,Yuki Fujita. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-04-06.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Ternary tungsten boride nitride films and methods for forming same

Номер патента: US09969622B2. Автор: Wei Lei,Juwen Gao. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

A method for depositing layers on a substrate

Номер патента: EP1248866A1. Автор: Lars-Ulrik Aaen Andersen,Paul Nicholas Egginton. Владелец: Ionas AS. Дата публикации: 2002-10-16.

Low Temperature Molecular Layer Deposition Of SiCON

Номер патента: US20160024647A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Method and an apparatus for depositing a layer onto a workpiece using plasma

Номер патента: US09915000B2. Автор: Hyunsoo Yang,Young Jun Shin,Xuepeng Qiu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-03-13.

Low temperature molecular layer deposition of SiCON

Номер патента: US09812318B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for forming high-quality film by cvd process

Номер патента: US20240200187A1. Автор: Dan Li,Tiezhu Xu. Владелец: Piotech Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

Substrate for chemical vapour deposition (cvd) of diamond and method for obtaining thereof

Номер патента: RU2577638C2. Автор: Евгений А. ЛЕВАШОВ,Екатерина В. АЗАРОВА,Виктор Г. РАЛЬЧЕНКО,Андрей БОЛЬШАКОВ,Евгений Э. АШКИНАЗИ,Хироси ИСИДЗУКА,Сатору ХОСОМИ. Владелец: Томеи Дайамонд Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-03-20.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for Depositing Zinc Oxide on a Substrate

Номер патента: US20180142349A1. Автор: Florian Huber,Anton Reiser,Manfred Madel,Klaus Thonke. Владелец: Universitaet Ulm. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249631A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Methods for preferential growth of cobalt within substrate features

Номер патента: US09637819B2. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Bhushan N. ZOPE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for depositing layers on a glass substrate by means of low-pressure PECVD

Номер патента: US09533914B2. Автор: Eric Tixhon,Stijn Mahieu,Hugues Wiame,Martin Van Stuyvenberg. Владелец: AGC Glass Europe SA. Дата публикации: 2017-01-03.

Apparatus for mass-producing sulicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107592A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD

Номер патента: US09711345B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20200303196A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10714350B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-14.

Method for producing glass substrate provided with transparent conductive film, glass substrate provided with transparent conductive film, and photoelectric conversion device using the same

Номер патента: JP4272534B2. Автор: 章 藤沢,康一郎 清原,昌宏 平田,徹 澤田,聖敬 市來. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2009-06-03.

Sputtering target, method for manufacturing such sputtering target, and transparent conducting film

Номер патента: WO2007013387A1. Автор: Koki Yano,Nobuo Tanaka,Kazuyoshi Inoue. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2007-02-01.

Sputtering target, method for manufacturing such sputtering target, and transparent conducting film

Номер патента: CN101233258A. Автор: 井上一吉,矢野公规,田中信夫. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-30.

Method for producing metal catalyst having inorganic film deposited thereon by means of ald process, and metal catalyst having improved activity according thereto

Номер патента: EP4134163A1. Автор: Sung Gap Im,Eun Ji Woo,Young Jin Cho,Won Tae JANG,Do Heung KIM,Keon Woo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-15.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for preparing highly transparent and conductive p-type cuprous iodide film

Номер патента: AU2021103357A4. Автор: Bingqiang Cao,Haoming Wei,Yangqing Wu. Владелец: Qufu Normal University. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for depositing boron nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US12049694B2. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming mixed rare earth oxynitride and aluminum oxynitride films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2011145A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-01-07.

Method of forming mixed rare earth oxynitride and aluminum oxynitride films by atomic layer deposition

Номер патента: WO2007117989A3. Автор: Robert D Clark. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of forming mixed rare earth oxynitride and aluminum oxynitride films by atomic layer deposition

Номер патента: WO2007117989A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09824881B2. Автор: SHANG Chen,Viljami Pore,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-21.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for Producing Luminescent Particles with a Protective Layer and Luminescent Particles Having a Protective Layer

Номер патента: US20190048466A1. Автор: Tim Fiedler,Frank Jermann,Sonja Tragl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-02-14.

Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials

Номер патента: WO2020005487A1. Автор: Akhil Singhal,Patrick Van Cleemput. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-02.

Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials

Номер патента: US11887846B2. Автор: Akhil Singhal,Patrick Van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20140102365A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20170121287A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Process for depositing layers having high specific electrical conductivity

Номер патента: US5395642A. Автор: Andreas Hamerich,Guenther Doellein,Joerg Mueller,Lars Lottermoser. Владелец: Solvay Deutschland GmbH. Дата публикации: 1995-03-07.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Apparatus and method for thin-film processing applications

Номер патента: WO2015124207A1. Автор: Thomas Deppisch. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same

Номер патента: US20210363630A1. Автор: Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Sukti Chatterjee,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Thin film deposition apparatus with an expanding thermal plasma source and method for depositing a thin film using the same

Номер патента: US8609556B2. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2013-12-17.

Thin film deposition apparatus and method for the same

Номер патента: EP2478128A1. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2012-07-25.

Thin film deposition apparatus and method for the same

Номер патента: WO2011034429A1. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar B.V.. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for Producing a Nanoscale Channel Structure

Номер патента: US20230074834A1. Автор: Christoph Schelling. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-09.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods for applying decorative metal films on polymeric surfaces

Номер патента: US20230304139A1. Автор: Marshall E. LEININGER,Joshua B. Soper. Владелец: Vergason Technology. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for applying decorative metal films on polymeric surfaces

Номер патента: WO2023183902A1. Автор: Marshall E. LEININGER,Joshua B. Soper. Владелец: Helios Coatings, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for deposition of noble metal nanoparticles on catalysts to promote same, and the compositions so produced

Номер патента: US09873110B2. Автор: Yadollah Mortazavi,Abbas Ali Khodadadi,Mohammad Javad Parnian,Ali Taheri Najafabadi. Владелец: Sensiran. Дата публикации: 2018-01-23.

Systems and methods for reducing backside deposition and mitigating thickness changes at substrate edges

Номер патента: US09852901B2. Автор: Sesha Varadarajan,Shankar Swaminathan,Adrien Lavoie,Saangrut Sangplung,Frank Pasquale,Ted Minshall,Mohamed Sabri,Cody Barnett. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Systems and methods for reducing backside deposition and mitigating thickness changes at substrate edges

Номер патента: US09460915B2. Автор: Sesha Varadarajan,Shankar Swaminathan,Adrien Lavoie,Saangrut Sangplung,Frank Pasquale,Ted Minshall,Mohamed Sabri,Cody Barnett. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

METHOD FOR PRODUCING AN OPTICALLY TRANSPARENT AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM PATTERN

Номер патента: DE2929589A1. Автор: Walter Dr Schmidt. Владелец: BBC Brown Boveri France SA. Дата публикации: 1981-01-22.

Conductive film precursor coating solution, method for preparing such a solution and method for preparing a coated support for a conductive film

Номер патента: US20240010851A1. Автор: Claude Labro,Laura MAZZARA,Raphaël VUILLAUME,Christian WEISSE. Владелец: Mcve Technologie. Дата публикации: 2024-01-11.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Self-limiting chemical vapor deposition and atomic layer deposition methods

Номер патента: US09607920B2. Автор: Mary EDMONDS,Andrew C. Kummel,Atif M. NOORI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US12055863B2. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US09646820B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for forming cobalt barrier layer and metal interconnection process

Номер патента: US09449872B1. Автор: TONG Lei,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane

Номер патента: US12033849B2. Автор: Hidemi Suemori,Ryu Nakano,Yuko KENGOYAMA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for hafnium nitride deposition

Номер патента: EP1613790A1. Автор: Shreyas Kher,Craig Metzner,Steven M. George,M. Noel Rocklein,Yeong Kwan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-01-11.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for depositing coatings on aerospace components

Номер патента: EP3768874A1. Автор: David Thompson,Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Mark Saly,David Britz,Sukti Chatterjee,Jonathan Frankel,Thomas Knisley,Kaushal Gangakhedkar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL HETEROSTRUCTURES EuO/Ge

Номер патента: RU2768948C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Иван Сергеевич Соколов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2022-03-25.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09875893B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for producing oxynitride film by atomic layer deposition process

Номер патента: US09809490B2. Автор: Satoshi Shibata,Miyuki Nakai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09564314B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Methods for manufacturing nano-gap and angstrom-gap articles

Номер патента: US09777372B2. Автор: Sang-Hyun Oh,Xiaoshu Chen. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for obtaining solution functional ink for the formation of films based on silver

Номер патента: RU2765126C1. Автор: Иван Александрович Волков,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко,Иван Сергеевич Власов,Татьяна Леонидовна Симоненко,Филипп Юрьевич Горобцов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2022-01-25.

Methods and Apparatus for Depositing Yttrium-Containing Films

Номер патента: US20190017171A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Lakmal C. Kalutarage,Benjamin Schmiege. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

A method for deposition of at least one electrically conducting film on a substrate

Номер патента: EP2387803A1. Автор: Konrad Wissenbach,Andres Gasser,Norbert Pirch,Holger Schwab,Edward W. A. Young,Dietrich Bertram,Johannes Krijne,Jeroen H. A. M. Van Buul,Christian Vedder,Jochen H. Stollenwerk. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-11-23.

Method for deposition of at least one electrically conducting film on a substrate

Номер патента: US20110318924A1. Автор: Konrad Wissenbach,Andres Gasser,Norbert Pirch,Holger Schwab,Edward W. A. Young,Dietrich Bertram,Johannes Krijne,Jeroen H. A. M. Van Buul,Jochen Stollenwerk,Christian Vedder. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-12-29.

Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials

Номер патента: US09537095B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Philip S. H. Chen,William Hunks. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer

Номер патента: US7494939B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20220019149A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-20.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20230259043A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-17.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Process for deposition of an outer layer, reflective optical element for the euv wavelength range and euv lithography system

Номер патента: US20240111216A1. Автор: Stefan Schmidt,Dirk Ehm,Fred Roozeboom,Alfredo Mameli. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for preventing line bending during metal fill process

Номер патента: US20200144066A1. Автор: Lawrence Schloss,Siew Neo,Michal Danek,Sanjay Gopinath,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Sema Ermez,Adam Jandl. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Atomic layer deposition of rhenium containing thin films

Номер патента: US11821084B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method to control the interfacial layer for deposition of high dielectric constant films

Номер патента: US20050070079A1. Автор: Yoshi Ono,John Conley. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-03-31.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for preparing antibacterial and dust-removal membrane

Номер патента: US09815029B2. Автор: Zhaoxiang Zhong,Xibo Wu,Zhong YAO. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for eliminating seams in atomic layer deposition of silicon dioxide film in gap fill applications

Номер патента: US09406544B1. Автор: Wei Tang,Bart van Schravendijk,Jason Daejin Park,Kaihan Ashtiani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods for thin film deposition

Номер патента: US20170032956A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Raija Matero,Jaako Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-02.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160086792A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing an interfacial lithium fluoride layer for an electrochemical cell

Номер патента: US12040505B2. Автор: Mei Cai,Meinan HE,Biqiong WANG,Andrew J. Galant,William Osad. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for etching an etch layer

Номер патента: US20240297050A1. Автор: Takumi Yanagawa,Nikhil Dole. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786495B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09777364B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09512515B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing machine parts having at least one sliding surface

Номер патента: RU2276199C2. Автор: Лех МОЧУЛЬСКИ. Владелец: Ман Б Энд В Диесель А/С. Дата публикации: 2006-05-10.

Fluorine-containing conductive films

Номер патента: US11823976B2. Автор: Tom E. Blomberg,Hannu Huotari,Linda Lindroos. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110287621A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for manufacturing and reoxidizing a tin/ta2o5/tin capacitor

Номер патента: US20120199947A1. Автор: Mickael Gros-Jean. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for manufacturing and reoxidizing a TiN/Ta2O5/TiN capacitor

Номер патента: US8709907B2. Автор: Mickael Gros-Jean. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2014-04-29.

Method for manufacturing a solar cell with a surface-passivating dielectric double layer, and corresponding solar cell

Номер патента: US09893215B2. Автор: Jan Schmidt,Bram Hoex. Владелец: Hanwha Q Cells Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for zinc deposition on the surface of embedded parts and reinforcement of reinforced concrete structures

Номер патента: RU2750671C1. Автор: Михаил Иванович Сердюк. Владелец: Михаил Иванович Сердюк. Дата публикации: 2021-06-30.

Coating system and method for coating interior fluid wetted surfaces of a component of a semiconductor substrate processing apparatus

Номер патента: US09873940B2. Автор: Tom Stevenson,LIN Xu,Hong Shih,John Daugherty,John Michael Kerns,Robert Griffith O'Neill,Nash Anderson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for depositing of coating onto sliding surface of fire-resistant member, fire-resistant member, and electrode for electric discharge treatment of surface

Номер патента: RU2320775C2. Автор: Акихиро ГОТО,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Масао АКИЙОСИ,Хироюки ОТИАЙ,Мики АРАЙ,Микия АРАЙ,Сигеру САБУРИ,Эйдзи НАКАЯМА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for deposition of gradient heat-resistant coatings y-mo-o of plasma of vacuum-arc discharge

Номер патента: RU2728117C1. Автор: Эдуард Леонидович Варданян,Алмаз Юнирович Назаров,Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Алексей Андреевич Маслов,Сергей Тихонович Милейко,Сергей Николаевич Галышев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2020-07-28.

Apparatus and method for depositing a semiconductor material

Номер патента: US6037241A. Автор: Harold A. McMaster,Steven M. Cox,Gary L. Dorer,Terence D. Kahle,Ricky C. Powell,Nicholas A. Reiter. Владелец: First Solar LLC. Дата публикации: 2000-03-14.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Solution based zirconium precursors for atomic layer deposition

Номер патента: SG176023A1. Автор: Ce Ma,Kee-Chan Kim,Graham Anthony McFarlane. Владелец: LINDE AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Device for automatic recovery of lithium target and method for automatic recovery of lithium target

Номер патента: RU2597879C2. Автор: Масару НАКАМУРА,Рио ФУДЗИИ,Йосио ИМАХОРИ,Масахару ХОСИ. Владелец: Кэнсэр Интеллидженс Кэа Системс, Инк.. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for depositing an aluminum-containing layer onto an article

Номер патента: US20070134418A1. Автор: Matthew Saylor,David Wortman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Deposition source, deposition apparatus for depositing evaporated material, and methods therefor

Номер патента: EP4237593A1. Автор: Frank Schnappenberger,Wolfgang Buschbeck,Thomas Deppisch,Susanne Wolff. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for manufacturing an organic element

Номер патента: US09887357B2. Автор: Jwo-huei Jou,Tsung-Han LI,Saulius Grigalevi{hacek over (c)}ius,Gintare Kru{hacek over (c)}aite. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-02-06.

Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film

Номер патента: EP1050600A1. Автор: Frederic Gaillard,Li-Qun Xia,Fabrice Geiger,Ellie Yieh,Tian Lim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20130267709A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20120107502A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Deposition apparatus, method for depositing, method for packaging a die in a chip package

Номер патента: EP4400625A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Fabien Jacques Bruning. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-07-17.

Deposition apparatus, method for depositing, method for packaging a die in a chip package

Номер патента: WO2024151163A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Fabien Bernard Jacques Bruning. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for determining the relevant ion and particle flows in I-PVD processes

Номер патента: US20030029727A1. Автор: Alexander Ruf,Alfred Kersch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Silicon Compounds And Methods For Depositing Films Using Same

Номер патента: US20230123377A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William R. Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Tungsten metal/tungsten nitride enhanced platinum-based ORR catalyst and method for making the same

Номер патента: US12080894B2. Автор: Alan W. Weimer,William MCNEARY. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for creating a copper coating on steel foil for the receiving plate of a tokamak divertor

Номер патента: RU2767920C1. Автор: Александр Александрович Писарев,Татьяна Владимировна Степанова,Нина Михайловна Орешникова,Степан Андреевич Крат,Григорий Михайлович Тарасюк. Владелец: Частное Учреждение По Обеспечению Научного Развития Атомной Отрасли "Наука И Инновации". Дата публикации: 2022-03-22.

Method for forming Si-containing film using two precursors by ALD

Номер патента: US8912101B2. Автор: Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Naoto Tsuji,Antti Juhani Niskanen,Noboru Takamure,Hyung Sang Park. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2014-12-16.

Method for producing lithium phosphorus oxynitride layer

Номер патента: US9920426B2. Автор: Hideyuki Koga,Taishi Shiotsuki,Maarit Karppinen,Yohei Shindo,Mikko Nisula. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for depositing a silicon germanium layer on a substrate

Номер патента: US20230326750A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for producing lithium phosphorus oxynitride layer

Номер патента: US20170067161A1. Автор: Hideyuki Koga,Taishi Shiotsuki,Maarit Karppinen,Yohei Shindo,Mikko Nisula. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for depositing film and film deposition apparatus

Номер патента: US20100078113A1. Автор: Nobutaka Ukigaya,Tomokazu Sushihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor

Номер патента: US11732364B2. Автор: Dong Mug Seong,Su Hyeon Cho,Hae Sik Kim,Sang Beum Lee,Tae Hoon Han,Hyo Won Son,Sang Yu Lee,Jong Min YUN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method For Film Deposition and Apparatus for Performing Said Method

Номер патента: US20180073126A1. Автор: Thomas Schneider,Alexander Usoskin. Владелец: BRUKER HTS GMBH. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: EP2909356A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2015-08-26.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: US10128467B2. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2018-11-13.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: WO2014060356A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: SOLMATES B.V.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for forming dielectric film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09991112B2. Автор: Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG,Sun Hye Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for depositing layer

Номер патента: US09951426B2. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for depositing layer

Номер патента: US09932660B2. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Systems and methods for thermally managing high-temperature processes on temperature sensitive substrates

Номер патента: US09634175B2. Автор: Joseph H. Armstrong,Lawrence M. Woods,Rosine Ribelin. Владелец: Ascent Solar Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for depositing a nickel-metal layer

Номер патента: US09631282B2. Автор: Stefan Koppe. Владелец: Schauenburg Ruhrkunststoff GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Hot-wire method for depositing semiconductor material on a substrate and device for performing the method

Номер патента: US09589794B2. Автор: Andreas Schmalen,Friedhelm Finger,Johannes Wolff. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Turbine airfoil with internals coated by atomic layer deposition

Номер патента: EP3540091A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Michael J Maloney,Michael N Task,Kevin W Schlichting. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-18.

Method for coating pharmaceutical substrates

Номер патента: US20240226018A1. Автор: Aimo Turunen,Pekka Hoppu,Tommi Kaariainen,Marja-Leena KAARIAINEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming thin films and apparatus therefor

Номер патента: US7445813B2. Автор: Yasushi Ohbayashi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for depositing a rare material in a thin layer on an horological or jewellery external part and external part obtained by this method

Номер патента: US20220267891A1. Автор: Michel Willemin,Simon Springer,Loïc Curchod. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for forming thin film and apparatus therefor

Номер патента: US20040191407A1. Автор: Yasushi Ohbayashi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for directional deposition using a gas cluster ion beam

Номер патента: WO2009042484A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2009-04-02.

Method for coating pharmaceutical substrates

Номер патента: US20150250731A1. Автор: Aimo Turunen,Pekka Hoppu,Tommi Kaariainen,Marja-Leena Kaarianen. Владелец: NovaldMedical Ltd Oy. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods for reducing material overhang in a feature of a substrate

Номер патента: US20150221486A1. Автор: Alan A. Ritchie,Zhenbin Ge,Sally Lou,Jenn Yue Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods for silicide deposition

Номер патента: US20200013625A1. Автор: Patricia M. Liu,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods for silicide deposition

Номер патента: WO2020009753A1. Автор: Patricia M. Liu,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for providing a thermal absorber

Номер патента: US09890972B2. Автор: Kaj A. Pischow,Martin Andritschky,Luis Manuel Fernandes Rebouta. Владелец: SAVO-SOLAR OY. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for depositing amorphous silicon

Номер патента: US09633841B2. Автор: Chi-Min Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for applying a heat-protective electrically conductive coating onto carbon fibres and fabrics

Номер патента: RU2757827C1. Автор: Владимир Петрович Панков,Вячеслав Данилович Ковалев,Денис Владимирович Панков,Сергей Васильевич Румянцев,Валерий Иванович Медведев,Анатолий Вячеславович Баженов,Владимир Иванович Табырца. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное авиационное училище летчиков имени Героя Советского Союза А.К. Серова". Дата публикации: 2021-10-21.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Apparatus and methods for photo-excitation processes

Номер патента: US20180274099A1. Автор: Stephen Moffatt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Crystalline strontium titanate (sto) and method for deposition of the sto on a substrate

Номер патента: US20240242964A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Manjunath Gangaiah,Balaji Sompalle,Purnima Sethi Josan,Subhash Kannappa Manoharan. Владелец: Superq Technologies India Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for curing low dielectric constant film using direct current bias

Номер патента: WO2004063422A2. Автор: Li-Qun Xia,Maosheng Zhao,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Lihua Li,Tzu-Fang Huang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Method for depositing metal

Номер патента: US5935396A. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Sailesh Chittipeddi,Joseph William Buckfeller. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for application of a thermal barrier coating and resultant structure thereof

Номер патента: WO2005047202A3. Автор: Haydn N G Wadley,Derek D Hass. Владелец: Derek D Hass. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods for depositing tungsten or molybdenum films

Номер патента: US11761081B2. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Robert WRIGHT, JR.,Shawn D. NGUYEN. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Plasma deposition source and method for depositing thin films

Номер патента: WO2010136464A1. Автор: NEIL Morrison,Stefan Hein,Andre HERZOG,Peter Skuk. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-12-02.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: US20210079515A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: US20220325403A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: EP4029146A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Electroless nickel alloy plating baths, a method for deposition of nickel alloys, nickel alloy deposits and uses of such formed nickel alloy deposits

Номер патента: WO2018220220A1. Автор: Sebastian Lang. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for depositing aluminum on a permanent Nd—Fe—B magnet

Номер патента: US09783883B2. Автор: Zhongjie Peng,Kunkun Yang,Daoning Jia. Владелец: Yantai Shougang Magnetic Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for depositing one or more polycrystalline silicon layers on substrate

Номер патента: US09728452B2. Автор: Jari Mäkinen,Veli Matti Airaksinen. Владелец: Okmetic Oy. Дата публикации: 2017-08-08.

Reflective mask blank for EUV lithography, substrate with funtion film for the mask blank, and methods for their production

Номер патента: US09618836B2. Автор: Kazuyuki Hayashi,Junichi Kageyama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Coating method for depositing a layer system on a substrate and substrate having a layer system

Номер патента: US09551067B2. Автор: Jürgen Müller,Jörg Vetter,Georg Erkens. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods for photo-excitation of precursors in epitaxial processes using a rotary scanning unit

Номер патента: US09499909B2. Автор: Stephen Moffatt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for line density multiplication using block copolymers and sequential infiltration synthesis

Номер патента: US09416447B2. Автор: Ricardo Ruiz,Hitesh Arora. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for producing corrosion-resistant coating

Номер патента: RU2768053C1. Автор: Анна Львовна Каменева,Наталья Владимировна Бублик. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2022-03-23.

Method for deposition of electric insulating layers

Номер патента: RU2461664C2. Автор: Юрген РАММ,Кристиан ВОЛЬРАБ,Бено ВИДРИГ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2012-09-20.

Methods of selective layer deposition

Номер патента: WO2015088899A1. Автор: LIN Zhang,David Thompson,Robert Jan Visser,Jingjing Xu,Huixiong Dai,Timothy Michaelson,Patrick M. Martin,Kadthala R. Narendrnath. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-06-18.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Compositions and methods for forming and depositing metal films on semiconductor substrates using supercritical solvents

Номер патента: WO2008094494A1. Автор: Mark Ian Wagner. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-07.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of selective layer deposition

Номер патента: US09716012B2. Автор: LIN Zhang,David Thompson,Robert Jan Visser,Jingjing Xu,Huixiong Dai,Timothy Michaelson,Patrick M. Martin,Kadthala R. Narendrnath. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for depositing a coating on a substrate

Номер патента: US20230193454A1. Автор: Simon Springer,Stéphane Lauper,Gregory Kissling,Marion Gstalter,Loïc Curchod,Loïc OBERSON,Ahmad Odeh. Владелец: Omega SA. Дата публикации: 2023-06-22.

Stress reduction of sioc low k film by addition of alkylenes to omcts based processes

Номер патента: WO2004111296A2. Автор: Hichem M'Saad,Francimar C. Schmitt. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-12-23.

Process and hardware for deposition of complex thin-film alloys over large areas

Номер патента: US20140205768A1. Автор: Walajabad S. Sampath,Pavel S. Kobyakov,Kevin E. Walters,Davis R. Hemenway. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2014-07-24.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for depositing coloured markers made from titanium oxides on medical technology products and coating system for producing coated materials

Номер патента: US09968715B2. Автор: Ralph Wilken,Andreas Keil,Jörg IHDE,Thomas LUKASCZYK,Jost Degenhardt,Dirk Salz. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatus and methods for slurry aluminide coating repair

Номер патента: US09909202B2. Автор: Liming Zhang,Jere Allen Johnson, Jr.. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for depositing extremely low resistivity tungsten

Номер патента: US09589808B2. Автор: Raashina Humayun,Deqi Wang,Hanna Bamnolker,Yan Guan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20230352556A1. Автор: Petri Raisanen,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US10615028B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20150255268A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Passivation of silicon dioxide defects for atomic layer deposition

Номер патента: US11993844B2. Автор: Steven Wolf,Andrew Kummel,Michael Breeden,Ashay Anurag. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer

Номер патента: US20230265581A1. Автор: Thomas Stettner,Martin WENGBAUER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Multi-chamber apparatus and method for ald

Номер патента: EP4244403A1. Автор: Vladimir Kuznetsov,Jacobus Hubertus Maria BEIJERSBERGEN,Simon Cornelis VAN DER LINDE. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: EP1570525A1. Автор: TSAI Wilman,Matty Caymax,Jerry Chen,Jan-Willem Maes. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2005-09-07.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: US20090079016A1. Автор: TSAI Wilman,Jan Willem Maes,Mathieu Caymax,Peijun Jerry Chen. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for retarding oxidation of an organic substrate

Номер патента: US5538766A. Автор: Bruce A. Banks,Sharon K. Rutledge. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1996-07-23.

Method for synthesis of carbon-mineral composite for producing electrode material of devices storing electric energy

Номер патента: RU2690464C1. Автор: Виктор Владимирович Рябых. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Карбон электрик" (ООО "Карбон электрик"). Дата публикации: 2019-06-03.

Method for making nanotube film

Номер патента: US09963347B2. Автор: Yang Wei,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,He MA. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: US09447287B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Eugene Joseph Karwacki, Jr.,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD

Номер патента: US09909214B2. Автор: Hidemi Suemori. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: US20230348736A1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten

Номер патента: US09601339B2. Автор: David Thompson,Srinivas Gandikota,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Steve G. Ghanayem,Xinyu Fu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Nanolaminate coating, related coated items and uses, method for improving resistance of a substrate to corrosion in essentially saline environments, medical device

Номер патента: US20240261467A1. Автор: Tom Blomberg,Riina RITASALO. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components

Номер патента: US11794382B2. Автор: David A. BRITZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten

Номер патента: US11887855B2. Автор: David Thompson,Srinivas Gandikota,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Steve G. Ghanayem,Xinyu Fu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Techniques for depositing metallic films using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition

Номер патента: WO2007092529A8. Автор: Yuri Erokhin,Peter D Nunan. Владелец: Peter D Nunan. Дата публикации: 2008-09-25.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: US8747965B2. Автор: Takayuki Mogi,Yoshinori Kuboshima,Shintaro Higashi,Kaoru KIKUKAWA. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for forming silicon-phosphorous materials

Номер патента: US20230243068A1. Автор: Schubert Chu,Mark J. Saly,Errol Antonio C. Sanchez,Abhishek Dube,Srividya Natarajan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for depositing materials containing tellurium

Номер патента: WO1987006275A1. Автор: James D. Parsons,Lawrence S. Lichtmann. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1987-10-22.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Aqueous, alkaline electrolyte for depositing zinc-containing layers onto surfaces of metal piece goods

Номер патента: US20200115814A1. Автор: Anders Skalsky,Patricia Preikschat. Владелец: Provexa Ab. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for depositing high aspect ratio molecular structures

Номер патента: US09776206B2. Автор: David Gonzales,David P. Brown,Albert G. Nasibulin,Esko I. Kauppinen. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2017-10-03.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Nanolaminate coating, related coated items and uses, method for improving resistance of a substrate to corrosion in essentially saline environments, medical device

Номер патента: EP4341462A1. Автор: Tom Blomberg,Riina RITASALO. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2024-03-27.

Nanolaminate coating, related coated items and uses, method for improving resistance of a substrate to corrosion in essentially saline environments, medical device

Номер патента: WO2022243246A1. Автор: Tom Blomberg,Riina RITASALO. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2022-11-24.

Electron-enhanced atomic layer deposition (ee-ald) methods and devices prepared by same

Номер патента: US20240240317A1. Автор: Steven George,Zachary Sobell. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-07-18.

Transparent conductive film, sintered body, and their production methods

Номер патента: US20090315000A1. Автор: Akira Hasegawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Interior material for thin film deposition device and method for manufacturing same

Номер патента: US09963772B2. Автор: Sung Jin Choi,Sung Soo JANG,Hyun Chul Ko,Kyung Ic JANG. Владелец: Komico Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for production of transparent conductive film

Номер патента: US09636877B2. Автор: Tomotake Nashiki,Motoki Haishi,Tomonori Noguchi,Yoshifumi Asahara. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method for graphene film, porous silica powder and transparent conductive layer

Номер патента: US12049692B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for production of precursor particles, precursor particle produced by this method, and method for production of active cathode particles

Номер патента: RU2749604C1. Автор: Сяо ЧЖАН,Брайан ЙОНЕМОТО,Хуэйцзе ГО,Цзяньчжао ЛЮ. Владелец: Микроваст Пауэр Системс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-16.

<sup2/>? <sub2/>?x?method for production of lisi <ns1:sub>y</ns1:sub>?o <ns2:sub>z</ns2:sub>?coatings using a single source for li and si and resultant coated products

Номер патента: EP4101017A1. Автор: Malakhi NOKED,Yitzhak Apeloig,Yosi Kratish,Dmitry Bravo-Zhivotovskii,Rosy Sharma. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Method for preparation of solution for supplementary feeding of fruit trees

Номер патента: RU2585803C1. Автор: Юрий Павлович Грабовский,Дмитрий Игнатьевич Дорофеев. Владелец: Дмитрий Игнатьевич Дорофеев. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for depositing silicon feedstock material, silicon wafer, solar cell and PV module

Номер патента: US10392725B2. Автор: Frank Asbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-27.

Lithium iron phosphate (lfp) cathode active materials and method for deposition of the same

Номер патента: US20240072257A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Aswanth Krishnan,Nawaf Alampara,Manjunath Gangaiah. Владелец: Qpivolta Technologies Private Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Manganese tin oxide based transparent conducting oxide and transparent conductive film and method for fabricating transparent conductive film using the same

Номер патента: US09704610B2. Автор: Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Won-Kook Choi,Haena Yim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-11.

Transparent conducting film and preparation method thereof

Номер патента: US20150194531A1. Автор: Dong-Ryul Kim,Chanyeup CHUNG,Dongmyung Shin. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Method for covering particles, especially a battery electrode material particles, and particles obtained with such method and a battery comprising such particle

Номер патента: US09705125B2. Автор: Erik Maria Kelder,Jan Rudolf Van Ommen,John Nijenhuis. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for covering particles, especially a battery electrode material particles, and particles obtained with such method and a battery comprising such particle

Номер патента: US09570734B2. Автор: Erik Maria Kelder,Jan Rudolf Van Ommen,John Nijenhuis. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-02-14.

Anisotropic conductive film, joined structure and method for producing the joined structure

Номер патента: US20100065303A1. Автор: Tomoyuki Ishimatsu. Владелец: Sony Chemical and Information Device Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

PRECURSOR COATING SOLUTION FOR CONDUCTIVE FILMS, METHOD FOR PREPARING SUCH A SOLUTION AND METHOD FOR PREPARING A SUPPORT COATED WITH A CONDUCTIVE FILM

Номер патента: FR3118050A1. Автор: Claude Labro,Laura MAZZARA,Raphaël VUILLAUME,Christian WEISSE. Владелец: Mcve Technologie. Дата публикации: 2022-06-24.

PRECURSOR COATING SOLUTION FOR CONDUCTIVE FILMS, METHOD FOR PREPARING SUCH A SOLUTION AND METHOD FOR PREPARING A SUPPORT COATED WITH A CONDUCTIVE FILM

Номер патента: FR3118050B1. Автор: Claude Labro,Laura MAZZARA,Raphaël VUILLAUME,Christian WEISSE. Владелец: Mcve Tech. Дата публикации: 2022-12-09.

PRODUCTION METHOD FOR COATING LIQUID FOR FORMATION OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM

Номер патента: US20150232674A1. Автор: MURAYAMA Yuki,Yukinobu Masaya,Otsuka Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Method for producing a transparent base with transparent conductive film

Номер патента: CN101477846A. Автор: 濑户康德,吉田英将,藤泽章,末吉幸雄. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-08.

Method for producing polytetrafluoroethylene composition, conductive tube, heat conductive film, and substrate for CCL

Номер патента: CN111269442A. Автор: 杨海俊,全正茂. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Method for producing a substrate having crystalline silicon nuclei for forming a polysilicon thin film

Номер патента: US5739043A. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Method for preparing adhesion-controllable PLA (polylactic acid) super-hydrophobic film by using solvent-non-solvent assisted microphase separation method

Номер патента: CN107090087B. Автор: 张丽,王永涛,陈金周,牛明军,杨会歌,刘旭影. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-21.

Method for improving water resistance and flexibility of polyvinyl alcohol film by poly(p-dioxanone) and polypeptide-polyethylene glycol

Номер патента: CN105647199A. Автор: 朱国全. Владелец: Shandong University of Technology. Дата публикации: 2016-06-08.

Method for improving water resistance and flexibility of polyvinyl alcohol film by using poly(trimethylene carbonate) and polyanhydride (P(CPP-SA))-polyvinylpyrrolidone

Номер патента: CN105566664A. Автор: 朱国全. Владелец: Shandong University of Technology. Дата публикации: 2016-05-11.

Method for improving yield and quality of bacterial cellulose dry film by optimizing watermelon juice fermentation medium

Номер патента: CN105624231A. Автор: 陈莉,卢红梅,姜晓琳,李嘉宇. Владелец: GUIZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-01.

Method for regulating and growing two-dimensional organic single crystal film by using viscous substrate and surfactant

Номер патента: CN110872730B. Автор: 胡文平,李荣金,姚佳荣. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-30.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Positive electrode for secondary battery, method for manufacturing same, and lithium secondary battery including same

Номер патента: US12040473B2. Автор: Jung Min Han,Wang Mo JUNG,Sung Bin Park,Dong Hun Lee,Hyung Man Cho,Jin Tae Hwang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Cyanide-free electrolyte composition and method for the deposition of silver or silver alloy layers on substrates

Номер патента: US09657402B2. Автор: Stefan Schäfer,Thomas B. Richardson. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing an electronic component and electronic component

Номер патента: US09647186B2. Автор: Karsten Heuser,Markus Klein,Ralph Paetzold,Christian Schmid,Tilman Schlenker,Heribert Zull. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of producing epitaxial bismuth ferrite films by molecular layering

Номер патента: RU2718467C1. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Руслан Мурадович Эмиров,Ильмар Гюлиметович Ризванов,Фарид Фахреддинович Оруджев. Владелец: Общества с ограниченной ответсвеностью &#34;СИКЛАБ&#34;. Дата публикации: 2020-04-08.

Preparation method for array substrate

Номер патента: US10504941B2. Автор: Huibin Guo,Liangliang LI,Yao Liu,Shoukun WANG,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for depositing an aluminium nitride layer

Номер патента: US09607831B2. Автор: Heinz Felzer,Bernd Heinz,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Conductive thin film, preparation method for conductive thin film and lithium ion battery

Номер патента: EP4053857A1. Автор: Wenqing Liu,Shiwei ZANG. Владелец: Chongqing Jimat New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Laminated coating layer, method for manufacturing same, and method for determining laminated structure

Номер патента: US20220018020A1. Автор: Shigeru Kubota,Masanori Miura,Fumihiko Hirose,Kazuki Yoshida,Kensaku KANOMATA. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2022-01-20.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Method for producing phosphor panel, phosphor panel, image intensifier and scanning-type electronic microscope

Номер патента: EP3929961A1. Автор: Hiroyuki Watanabe,Yasumasa Hamana,Kenshi SHIMANO,Hiroji NISHIZAWA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-12-29.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Naphtha reforming catalyst and a method for production thereof

Номер патента: RU2693018C2. Автор: Тао ВАН,Юйхун ЧЖАН,Дацин ЧЖАН,Гаошань ЦЗАН,Цзясинь ВАН. Владелец: Рисерч Инститьют Оф Петролеум Просессинг, Синопек. Дата публикации: 2019-07-01.

Method for electrodeposition of metal and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2241072C2. Автор: Дэвид БЭЙЛИ,Джон КАТМОР. Владелец: Коппер Рефайнериз Пти Лтд.. Дата публикации: 2004-11-27.

Batch-processing method for super-high aspect ratio diffractive optics

Номер патента: US20170256330A1. Автор: Nicolaie A. Moldovan. Владелец: Alcorix Co. Дата публикации: 2017-09-07.

Method for depositing a metal onto a porous carbon layer

Номер патента: US9828678B2. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for Depositing a Metal Onto A Porous Carbon Layer

Номер патента: US20120325672A1. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for depositing a metal onto a porous carbon layer

Номер патента: US09828678B2. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for electric cladding of an uncoated steel strip with a cladding layer

Номер патента: RU2743357C2. Автор: Жак Хюберт Ольга Йозеф ВЕЙЕНБЕРГ,Адрианус Якобус ВИТТЕБРОД. Владелец: Тата Стил Эймейден Б.В.. Дата публикации: 2021-02-17.

Controlled method for deposition of chrome layer or chrome alloy on at least one substrate

Номер патента: RU2764454C2. Автор: Анке ВАЛЬТЕР,Олександра ЕВТУШЕНКО,Франциска ПАУЛИГ. Владелец: Атотех Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2022-01-17.

Method for deposition of composite coating

Номер патента: RU2761573C1. Автор: Юрий Александрович Стекольников,Юлия Евгеньевна Мамонтова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина&#34;. Дата публикации: 2021-12-10.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Device and method for manufacturing a preform for optical fibres by chemical vapour deposition

Номер патента: EP1412298A1. Автор: Giacomo Stefano Roba,Franco Veronelli,Massimo Nutini,Marco Ruzzier. Владелец: Prysmian Cavi e Sistemi Energia SRL. Дата публикации: 2004-04-28.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Controlled method for depositing chromium or chromium alloy layer on at least one substrate

Номер патента: RU2758651C2. Автор: Анке ВАЛЬТЕР,Олександра ЕВТУШЕНКО,Франциска ПАУЛИГ. Владелец: Атотех Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2021-11-01.

Zeolite catalyst for propane dehydrogenation and method for producing propylene using this catalyst

Номер патента: RU2751703C1. Автор: Андрей Борисович Пономарев,Михаил Вячеславович Шостаковский,Андрей Валентинович Смирнов,Елена Витальевна Писаренко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова Российской академии наук (ИНЭОС РАН). Дата публикации: 2021-07-15.

Conductive film formation composition and method for manufacturing conductive film

Номер патента: US12012523B2. Автор: Kei Anai,Shun FUKUZATO. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for forming two thin conductive films isolated electrically from each other on a fiber

Номер патента: US6625361B2. Автор: Bun Lee,Doo-Hee Cho,Jong-Bae Kim,Kyong-Hon Kim,Sahng-gi Park,Yong-Gyu Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2003-09-23.

Method for Preparing a Sample for Transmission Electron Microscopy

Номер патента: US20210391144A1. Автор: Eric Vancoille,Patrick Carolan,Niels Bosman. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-12-16.

Metal plate for manufacturing deposition mask and manufacturing method for metal plate, and deposition mask and manufacturing method for deposition mask

Номер патента: US12117727B2. Автор: Hideyuki Okamoto,Hiroki Oka,Chikao Ikenaga,Masato Ushikusa,Sachiyo MATSUURA,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

A method for depositing a metallic material on a surface of at least one solar cell

Номер патента: WO2024197336A1. Автор: Alison Joan Lennon,Jonathan BRUCK,Storm DRURY,Peter BUGGS,Matthew EYLES,Lalith VUDATA. Владелец: Sundrive Solar Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for production of multilayer valuable product with luminescent protective element and multilayer valuable product

Номер патента: RU2632006C2. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Георгий Валентинович Корнилов,Елена Михайловна Федорова,Алексей Борисович Акинин,Сергей Никитович Гончаров,Сергей Сергеевич Моисеев. Владелец: Акционерное общество &#34;Гознак&#34; (АО &#34;Гознак&#34;). Дата публикации: 2017-10-02.

Oled translucent diffusion substrate and method for making such substrate

Номер патента: RU2693123C2. Автор: Йоунг Сеонг Ли,Дзин Воо Хан,Еуи Дзин ШИН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-07-01.

Method for extraction of gel-like concentrate in processing of hydrocarbon oils

Номер патента: RU2398007C1. Автор: Юрий Михайлович Лужков,Дмитрий Александрович Рототаев,Владимир Федорович Юдкин,Евгений Алексеевич Пантелеев,Александр Николаевич Ложаков,Федор Викторович Иванушкин,Софья Михайловна Иванушкина,Владимир Семенович Асташов,Игорь Ишеналиевич Абылгазиев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество &#34;Сежа&#34;. Дата публикации: 2010-08-27.

Low-melting extractant and method for extracting zinc (ii) from acidic aqueous solutions

Номер патента: RU2767313C1. Автор: Татьяна Ивановна Колесникова,Сергей Васильевич Темерев,Людмила Сергеевна Егорова,Игорь Викторович Индюшкин,Светлана Павловна Ганиман. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Алтайский государственный университет&#34;. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for depositing a layer optical element, and optical assembly for the duv wavelength range

Номер патента: US20240167145A1. Автор: Stephan Six. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for Producing a Gas Separation Membrane

Номер патента: US20220410077A1. Автор: Jose Manuel Serra Alfaro,Isaac HERRÁIZ CARDONA,Juan Carlos GALLART PEDRO,Francisco José FERRANDO SOLIVA,Juan USÓ VILLANUEVA. Владелец: Kerionics SL. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for depositing a bronze alloy on a printed circuit and printed circuit obtained by said method

Номер патента: AU2021402198A9. Автор: Jerome Sanson,Stéphanie COQUILLARD. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-08-01.

Device and methods for depositing materials on hard surfaces

Номер патента: US11701681B2. Автор: Gayle Marie Frankenbach,Dana Paul Gruenbacher,Thomas Elliot Rabe,Faiz Feisal Sherman,Stephan Gary Bush,Philip Andrew Sawin,Ted DE CASTRO,Kenneth Lee MORAND,Nicola John Policicchio,Jeremy Michael CARTER. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2023-07-18.

Novel electro deposited gold; electrolyte solution to obtain the same; method for producing said gold; and products

Номер патента: US3897246A. Автор: Richard Henry Zimmerman,Richard Lee Brenneman. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1975-07-29.

Oxide sintered body, production method therefor, target, and transparent conductive film

Номер патента: US09721770B2. Автор: Yoshiyuki Abe,Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

High-quality low-emission coatings, low-emission insulated glazing and methods for production thereof

Номер патента: RU2558063C2. Автор: Кари Б. МАЙЛИ,Гари Л. ПФАФФ,Грег ВАНС,Клаус ХАРТИГ. Владелец: КАРДИНАЛ СиДжи КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-07-27.

Electrical conductor cooled by phase change material and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20230369930A1. Автор: Baptiste Joël Christian Fedi,Pierre Jean Sallot,Sabrina Siham AYAT. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Nanometal-polymer composite conductive film and method for preparing the same

Номер патента: US8845931B2. Автор: Jiang-Jen Lin,Wei-Li Lin,Ying-Nan Chan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2014-09-30.

Nanometal-polymer composite conductive film and method for preparing the same

Номер патента: US20130056688A1. Автор: Jiang-Jen Lin,Wei-Li Lin,Ying-Nan Chan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for obtaining a laminated curved glazing

Номер патента: US20230286253A1. Автор: Florian FLAMARY-MESPOULIE. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2023-09-14.

Recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon and methods for their production

Номер патента: US20030148103A1. Автор: VEERASAMY Vijayen,Manfred Weiler,Eric Li. Владелец: United Module Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Mixed metal oxide coatings applied using spatial atomic layer deposition and uses thereof

Номер патента: WO2024184552A1. Автор: Adriaan JEREMIASSE,Johannes Godfried VOS,Anders TREMPENAU,Nitin Puthuval PRASAD. Владелец: Magneto Special Anodes B.V.. Дата публикации: 2024-09-12.

Bio-electrode, production method for bio-electrode, and measurement method for bio-signal

Номер патента: US20240293064A1. Автор: Osamu Watanabe,Jun Hatakeyama,Koji Hasegawa,Motoaki Iwabuchi,Shiori Nonaka,Joe Ikeda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Energy-saving and environment-friendly method for preparing nanocellulose based flexible conductive film

Номер патента: US12129361B2. Автор: Yanjun Tang,Xingfei ZHAO. Владелец: Zhejiang Sci Tech University ZSTU. Дата публикации: 2024-10-29.

Electrochemical deposition apparatus and methods for controlling the chemistry therein

Номер патента: US09988735B2. Автор: Arthur Keigler,Daniel L. Goodman,Johannes Chiu,Jonathan HANDER,Demetrius PAPAPANAYIOTOU,David G. Guarnaccia. Владелец: Tel Nexx Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Photosensitive coating composition, coating conductive film using photosensitive coating composition, and method for forming coating conductive film

Номер патента: US09977327B2. Автор: Yoonjin Kim,Jinwoo Cho,Kwonwoo SHIN,Jisun Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2018-05-22.

Electrolyte for the electrolytic deposition of silver-palladium alloys and method for deposition thereof

Номер патента: US09797056B2. Автор: Bernd Weyhmueller,Uwe Manz,Sascha Berger. Владелец: UMICORE GALVANOTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2017-10-24.

Electrochemical deposition apparatus and methods for controlling the chemistry therein

Номер патента: US09637836B2. Автор: Arthur Keigler,Daniel L. Goodman,Johannes Chiu,Jonathan HANDER,Demetrius PAPAPANAYIOTOU,David G. Guarnaccia. Владелец: Tel Nexx Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for controlling functioning of temperature mode of crystallization plant

Номер патента: RU2765556C1. Автор: Владимир Анатольевич Федоров,Владимир Владимирович Арсеньев,Владимир Михайлович Каневский,Евгений Вячеславович Антонов,Вячеслав Георгиевич Карайченцев. Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Федеральный научно-исследовательский центр &#34;Кристаллография и фотоника&#34; Российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for producing a biodegradable coating with high hydrophilicity based on a biopolymer

Номер патента: RU2746725C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский университет &#34;Московский институт электронной техники&#34;. Дата публикации: 2021-04-19.

Exhaust gas control device, exhaust gas control system and method for manufacturing exhaust gas control device

Номер патента: RU2744954C1. Автор: Хиромаса НИСИОКА,Хиротака ОРИ,Кодзи СУГИУРА,Наота МИЁСИ,Акэми САТО,Масатоси ИКЭБЭ,Рёта НАКАСИМА,Ясутака НОМУРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-03-17.

Method for the Fabrication of a Reduced Reflectance Metal Mesh

Номер патента: US20180215660A1. Автор: Zhihong Liu. Владелец: 2m Technology LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

Anisotropic conductive film, joined structure and method for producing the joined structure

Номер патента: US20120285603A1. Автор: Tomoyuki Ishimatsu. Владелец: Sony Chemical and Information Device Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Electron source and method for making same

Номер патента: WO2005008706A3. Автор: David W Boldridge,Heinz H Busta,Ronald E Myers. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for depositing an organic or hybrid organic/inorganic perovskite layer

Номер патента: US20220195580A1. Автор: Jean-Marie Verilhac,Louis Grenet,Fabrice Emieux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for manufacturing a miniaturized electrochemical cell and a miniaturized electrochemical cell

Номер патента: US10608238B2. Автор: Serge Ravaine,Stephane Reculusa,Nicolas Mano,Alexander Kuhn,Aleksandar KARAJIC. Владелец: Institut Polytechnique de Bordeaux. Дата публикации: 2020-03-31.

Polythiophene star copolymer capable of being self-doped by external stimulus, a method for producing the same, a conductive thin film using the same, and a method for producing the conductive thin film

Номер патента: US09908979B2. Автор: Hyun Ji Kim,Seung Sang Hwang,Soon Man Hong,Kyung Youl Baek,Chong Min Koo,Yun Jae Lee,Hyeon Yeol Jeon,Min Jae KO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-06.

Anisotropic conductive film, method for producing anisotropic conductive film, method for producing connection body, and connection method

Номер патента: US09960139B2. Автор: Kouichi Sato,Yasushi Akutsu. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Metal nanoplate, a method for preparing the same, a conductive ink composition, and a conductive film comprising the same

Номер патента: US09944813B2. Автор: Se-Ho Park,Won Jong Kwon,Sung-Ho Yoon,Yeo-Jin Jeon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Conductive film and method of making same

Номер патента: US09847211B2. Автор: Yu Zhu,Tianda He. Владелец: UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2017-12-19.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming a thermal protective film

Номер патента: RU2662843C1. Автор: Хидео ЯМАСИТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-07-31.

Method for production of immobilzed bilayer vesicles

Номер патента: RU2627157C2. Автор: Сергей Николаевич Чвалун,Александр Анатольевич Ярославов,Андрей Владимирович Сыбачин,Анна Александровна Ефимова,Алевтина Игоревна Кулебякина,Екатерина Владимировна Козлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова&#34;, химический факультет. Дата публикации: 2017-08-03.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Electroplating composition for depositing a chromium or chromium alloy layer on a substrate

Номер патента: US20240200219A1. Автор: Simon Pape,Anke WALTER,Oleksandra YEVTUSHENKO. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for preparing a doped polypyrrole

Номер патента: WO2012070927A1. Автор: Ahmad Mohd Rais,Alva Sagir,Abd Rashid Norazah,A Aziz Aiman Sajidah. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for preparng a doped polypyrrole

Номер патента: MY150725A. Автор: Mohd Rais Dr Ahmad,Sagir Dr Alva,Norazah Abd Rashid,Aiman Sajidah A Aziz. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-02-28.

Method for producing additively-manufactured article, and additively-manufactured article

Номер патента: US20230126443A1. Автор: Eisuke KUROSAWA. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for producing touch input sensor and photosensitve conductive film

Номер патента: US09874814B2. Автор: Takeshi Nishimura,Ryomei Omote,Tomohiro Yamaoka,Yoshitaka EMOTO,Hayato NAKAYA. Владелец: Nissha Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Device and method for measuring thickness and refractive index of multilayer thin film by using angle-resolved spectral reflectometry

Номер патента: US11906281B2. Автор: Hyug-Gyo Rhee,Young-Sik GHIM. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods for manufacturing batteries and related systems

Номер патента: US20240039008A1. Автор: Yuefeng Luo,Ii Charles James,Prabhu Ganesan. Владелец: Battelle Savannah River Alliance LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods for manufacturing batteries and related systems

Номер патента: WO2024155295A2. Автор: Yuefeng Luo,Prabhu Ganesan,Charles JAMES II. Владелец: Battelle Savannah River Alliance, Llc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming polyatomic layers

Номер патента: US6800567B2. Автор: Ho Jin Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-05.

METHODS FOR FORMING A TRANSITION METAL NIOBIUM NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180158688A1. Автор: Alokozai Fred,Chen Jerry Peijun. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Silver nanowire conductive film and method of fabricating the same

Номер патента: US09899116B2. Автор: Gi Ra Yi,Dong Jun Lee,Hyun Suk Jung,Yun Jin AN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-02-20.

Atomic layer etch and ion beam etch patterning

Номер патента: US12080562B2. Автор: YANG Pan,Girish Dixit,Samantha SiamHwa Tan,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming organic film and method for manufacturing substrate for semiconductor apparatus

Номер патента: US09984891B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Rie Kikuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for Manufacturing A Semiconductor Device and Optoelectronic Device

Номер патента: US20220254957A1. Автор: Philipp Kreuter,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US8062970B2. Автор: Tomoya Tanaka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-22.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20090081812A1. Автор: Tomoya Tanaka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

A conductive member, a conductive film, a display device including the same, a touch panel, a method for producing a wiring pattern for a conductive member, and a method for producing a wiring pattern for a conductive film

Номер патента: KR102424650B1. Автор: 마사야 나카야마,기미토 가츠야마. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-25.

Electrical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050206001A1. Автор: Hideyuki Kawai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Conductive film, display device including the same, and method for evaluating and determining wiring pattern of conductive film

Номер патента: JPWO2014168029A1. Автор: 一央 岩見,義隆 山口,山口　義隆. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for the measurement of the properties of a plastic film by means of infra-red radiation

Номер патента: US4490612A. Автор: Sauli J. Tormala. Владелец: TOPWAVE INSTRUMENTS Oy. Дата публикации: 1984-12-25.

Method for fabricating pattern, apparatus for fabricating pattern, conductive film wiring, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20050034622A1. Автор: Hironori Hasei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

METHOD FOR PRODUCING TOUCH INPUT SENSOR AND PHOTOSENSITVE CONDUCTIVE FILM

Номер патента: US20170205917A1. Автор: Nishimura Takeshi,Omote Ryomei,Yamaoka Tomohiro,Emoto Yoshitaka,NAKAYA Hayato. Владелец: NISSHA PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-20.

METHODS FOR IMPROVING ELECTRICAL ISOLATION OF PATTERNED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS

Номер патента: US20140352144A1. Автор: MONSON Robert J.,Granstrom Eric L.,Fried Andrew T.. Владелец: Carestream Health, Inc.. Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD FOR REDUCING LOCAL IMPEDANCE OF A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND PRODUCT THEREOF

Номер патента: US20190369780A1. Автор: CHEN Chiu-Wen,Pai Chih-Chiang,Lin Meng-Guei,Lin Chin-Fong. Владелец: Young Fast Optoelectronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-12-05.

Device and method for continuous large-scale preparation of transparent conductive film

Номер патента: CN106611637A. Автор: 周兵,郑国强,刘春太,代坤,蒋成杰,刘宪虎. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-03.

Method for manufacturing electronic component, electronic component and conductive film

Номер патента: EP2509400A1. Автор: Yasuhiro Suga,Hideaki Okumiya. Владелец: Sony Chemical and Information Device Corp. Дата публикации: 2012-10-10.

Method for Making a Texture on a Transparent Conductive Film of a Solar Cell

Номер патента: US20110159445A1. Автор: Hui-Yun Bor,Chao-Nan Wei,Kuan-Zong Fung,Yi-Chian Liao. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for winding a material sheet and winding device

Номер патента: US20240116730A1. Автор: Thomas RAUSCHER,Christoph Iglseder. Владелец: SML Maschinen GmbH. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for producing optical film, and optical film

Номер патента: US20180022014A1. Автор: Naoya Kamikariya. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Device and method for rapidly measuring effective diffusion coefficient of radon in film by electrostatic collection method

Номер патента: CN109655856B. Автор: 谭延亮,袁红志. Владелец: Hengyang Normal University. Дата публикации: 2022-02-18.

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING THICKNESS AND REFRACTIVE INDEX OF MULTILAYER THIN FILM BY USING ANGLE-RESOLVED SPECTRAL REFLECTOMETRY

Номер патента: US20210341283A1. Автор: Rhee Hyug-Gyo,GHIM Young-Sik. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for controlling thickness of film in apparatus for making film by blowing with extruder

Номер патента: SU995702A3. Автор: Упмайер Хартмут,Клинге Герд,Винклер Герхард. Владелец: Виндмеллер Унд Хельшер (Фирма). Дата публикации: 1983-02-07.

Method for preparing monocrystalline silicon/cuprous iodide body heterojunction thin film by using gas-solid in-situ reaction under room temperature

Номер патента: CN103779447B. Автор: 郑直,魏杰,张蕾,雷岩,程佳美,王丞相,贺迎迎. Владелец: Xuchang University. Дата публикации: 2015-05-13.

Methods for forming electrically precise capacitors on insulative substrates, and structures formed therefrom

Номер патента: US09552924B2. Автор: JIANG LI,Erik Scher,Patrick Smith,Criswell Choi,Arvind Kamath. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-01-24.

Deposition methods for uniform and conformal hybrid titanium oxide films

Номер патента: US09881787B2. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Chien-Teh Kao,Chikuang Charles Wang,Pingyan Lei,Yung-Hsin Lee,Xuesong Lu,Xinliang Lu,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju,Juno Yu-Ting Huang,Ghazal Saheli,Benjamin C. Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin-film solar cell module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634157B2. Автор: Hiroki Sugimoto,Keisuke Ishikawa,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060046421A1. Автор: Yoshitake Kato,Tomoe Yamamoto,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Masking methods for ALD processes for electrode-based devices

Номер патента: US20170025272A1. Автор: Ritwik Bhatia. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Masking methods for ALD processes for electrode-based devices

Номер патента: US09633850B2. Автор: Ritwik Bhatia. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for producing nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2747132C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method for carbon nanotube conductive film, display panel and display device

Номер патента: US20220037366A1. Автор: Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for applying a hydrophobic coating to a dry fly for fishing

Номер патента: RU2656963C1. Автор: Марат Олегович Галлямов,Игорь Владимирович Эльманович,Михаил Сергеевич Кондратенко,Дмитрий Олегович Коломыткин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Сверхкритические технологии&#34;. Дата публикации: 2018-06-07.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09564309B2. Автор: SHANG Chen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Viljami Pore,Suvi P. Haukka,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for manufacturing a memory resistor device

Номер патента: GB2589320A. Автор: Mehonic Adnan,Ng Wing,J Kenyon Anthony. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Multi-material deposition arrangement and method for deposition extrusion

Номер патента: WO2024105305A1. Автор: Tomi Kalpio,Dhayakumar PRAKASH. Владелец: Brinter Oy. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for making a perpendicular magnetic recording write head with write pole having thin side gaps and thicker leading gap

Номер патента: US09805747B2. Автор: Suping Song,Brian R. York,Ning Shi,April D. Hixson-Goldsmith,Kyusik Shin. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for encapsulating a chalcogenide material

Номер патента: US09601693B1. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bhadri N. Varadarajan,Seshasayee Varadarajan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Thin-film patterning method for magnetoresistive device

Номер патента: US20090145878A1. Автор: Naoki Ohta,Kazuki Sato,Kosuke Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Metal-insulator-metal structure and method for forming the same

Номер патента: US09728597B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Wen-Chuan Chiang,Huey-Chi Chu,Wei-Min Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-производственное предприятие &#34;Пульсар&#34;. Дата публикации: 2017-10-19.

Methods for depositing layers of materials on substrates and structures formed accordingly

Номер патента: US20240302748A1. Автор: Paul Chatelain,Kishan Ashokbhai Patel,Fatemeh Davodi,João Antunes Afonso,Steaphan Mark Wallace. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods for semiconductor passivation by nitridation

Номер патента: US09711350B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

A method for manufacturing a battery cell as well as a corresponding battery cell

Номер патента: GB2626584A. Автор: Glossmann Tobias. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Thin-layer encapsulation for an optoelectronic component, method for the production thereof, and optoelectronic component

Номер патента: US09444062B2. Автор: Thomas Dobbertin,Erwin Lang,Dirk Becker,Thilo Reusch. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for Forming an Extreme Ultraviolet Lithography Pellicle

Номер патента: US20210191255A1. Автор: Ivan Pollentier,Cedric Huyghebaert,Emily Gallagher,Marina Timmermans,Elie Schapmans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-24.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: US11982918B2. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Wuxi Clearink Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: EP3785063A1. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Concord HK International Education Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

Methods for manufacturing magnetoresistive stack devices

Номер патента: US20240306513A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin Deshpande,Santosh KARRE,Kerry NAGLE. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for increasing pattern density in self-aligned patterning schemes without using hard masks

Номер патента: US09786503B2. Автор: Akiteru Ko,Angelique D. Raley,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing hybrid moisture barrier layer

Номер патента: US11864412B2. Автор: Soon Hyung Kwon. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20220208698A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Chao-Cheng Ting,Yu-An Li. Владелец: Pure Metallica Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for manufacturing magnetoresistive stack devices

Номер патента: EP3841624A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Kerry Nagel,Sarin Deshpande,Santosh KARRE. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing device based on flexible conductor paths, device based on flexible conductor paths and neurostimulation system

Номер патента: RU2695256C2. Автор: Хоа ФАМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-07-22.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods for fabricating integrated circuits with controlled p-channel threshold voltage

Номер патента: US20130109166A1. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for making light emitting diode

Номер патента: US20150280054A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for depositing insulating film on recessed portion having high aspect ratio

Номер патента: US09818604B2. Автор: Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim,Choon-Sik JEONG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

System and Method for Maintaining a Smoothed Surface on a MEMS Device

Номер патента: US20180362338A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for manufacturing transparent thin film transistor-based photosensitive device

Номер патента: US20240234619A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Chuan Chiu,Jia-Lin Huang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for maintaining a smoothed surface on a mems device

Номер патента: EP3397587A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-07.

Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process

Номер патента: US09607837B1. Автор: Kunitoshi Namba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for fabricating multiple layers of ultra narrow silicon wires

Номер патента: US09425060B2. Автор: HAO Zhang,Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Jiewen Fan,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-23.

Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits

Номер патента: WO2021146028A1. Автор: Jed D. Whittaker,Mark H. Volkmann,Reza Molavi. Владелец: D-WAVE SYSTEMS INC.. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for manufacturing surface acoustic wave element, as well as surface acoustic wave element manufactured by the same method

Номер патента: US20050273996A1. Автор: Yuji Mitsui. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for depositing metal layers on germanium-containing films using metal chloride precursors

Номер патента: US09330936B2. Автор: Hideaki Yamasaki,Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020106816A1. Автор: Yoshihiro Mori,Yasutoshi Okuno,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film

Номер патента: US09899291B2. Автор: Akinori Nakano,Kunitoshi Namba,Yuya Nonaka,Richika Kato,Seiji Okuro. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for controlling an increase in conductivity of a polymer thin-film to provide a conductive film

Номер патента: US09825226B2. Автор: Sun Jin Yun,Changbong YEON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-11-21.

Fast method for reactor and feature scale coupling in ALD and CVD

Номер патента: US09727672B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods for etching via atomic layer deposition (ALD) cycles

Номер патента: US09595466B2. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Mei Chang,Vikash Banthia,Yixiong Yang,Xinyu Fu,Guoqiang JIAN,Jonathan BAKKE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for sample preparation of plant raw material with high oil content for electrothermal atomic absorption analysis

Номер патента: RU2645995C2. Автор: Аминет Джахфаровна Цикуниб,Юлия Александровна Дьяченко,Светлана Андреевна Гончарова,Владимир Витальевич Хирьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Адыгейский государственный университет&#34; (ФГБОУ ВО &#34;АГУ&#34;). Дата публикации: 2018-02-28.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Multi-material deposition arrangement and method for deposition extrusion

Номер патента: US20240165875A1. Автор: Tomi Kalpio,Dhayakumar Rajan Prakash. Владелец: Brinter Oy. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170154997A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150041802A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Methods for forming memory and memory

Номер патента: US20220320104A1. Автор: Xiao Zhu,Hung-I Lin,Yi-Hsiang Chen,Lihui Yang,Yun-Chieh MI,Jinfeng GONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for forming a transparent electrode film

Номер патента: US20050040135A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for forming a transparent electrode film

Номер патента: US7163638B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for fabricating a fine structure

Номер патента: US09773662B1. Автор: Chi-Wen Liu,Miin-Jang Chen,Po-Hsien Cheng. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-09-26.

Formation of a transparent conductive film by interfacial graphene assembly

Номер патента: US09685261B2. Автор: Steven Woltornist,Douglas H. Adamson,Andrey V. Dobrynin. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601591B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09553241B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US09508903B2. Автор: Martin Müller,Tilman Schlenker,Alfred Lell,Michael Fehrer,Uwe Strauβ,Sönke TAUTZ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-29.

System and method for receiving deposits in cash-dispensing automatic teller machine

Номер патента: RU2308087C2. Автор: Джеффри М. ЭНРАЙТ,Уилль м Д. БЕСКИТТ,Уилльям Д. БЕСКИТТ,Джеффри ИСТМЕН,Эдвард Л. ЛАСКОВСКИ,Мэттью ФОРС,Майк РАЙАН,Франклин М. ТЕРИО,Р. Мэттью ДАНЛЭП,Шон ХАНИ,Колин ФИТЦПАТРИК,Билл ЛАВЕЛЛЬ,Дэвид ШУЛЬТЦ. Владелец: Дайболд, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2007-10-10.

Method for determining thickness of layers of multilayer coating in process for deposition of optical elements

Номер патента: RU2671927C1. Автор: Николай Юрьевич Никаноров,Роман Сергеевич Алтухов. Владелец: Акционерное общество &#34;Новосибирский приборостроительный завод&#34;. Дата публикации: 2018-11-07.

Method for conducting quantum calculations using qudits

Номер патента: RU2761771C1. Автор: Олегович Киктенко Евгений,Константинович Федоров Алексей,Сергеевна Николаева Анастасия. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Международный центр квантовой оптики и квантовых вычислений» (ООО «МЦКТ»). Дата публикации: 2021-12-13.

Method for forming ultra-shallow boron doping regions by solid phase diffusion

Номер патента: US20120252197A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device

Номер патента: EP2748903A2. Автор: Silke Traut,Stephanie Saintenoy. Владелец: II VI Laser Enterprise GmbH. Дата публикации: 2014-07-02.

A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device

Номер патента: WO2013027041A2. Автор: Silke Traut,Stephanie Saintenoy. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Method for forming ultra-shallow boron doping regions by solid phase diffusion

Номер патента: US20140073122A1. Автор: Robert D Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for forming ultra-shallow boron doping regions by solid phase diffusion

Номер патента: US20150072510A1. Автор: Robert D Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US9620264B2. Автор: Xin Li,Xiangming Li,Jinyou SHAO,Yucheng Ding,Hongmiao TIAN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US20150170802A1. Автор: Xin Li,Xiangming Li,Jinyou SHAO,Yucheng Ding,Hongmiao TIAN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for development of oil reservoir of multi-layer oil and gas condensate deposit

Номер патента: RU2737043C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Калинин,Петр Вадимович Пятибратов. Владелец: Петр Вадимович Пятибратов. Дата публикации: 2020-11-24.

Device and method for processing banknotes

Номер патента: RU2583747C1. Автор: Акихиро ТЮГО. Владелец: Оки Электрик Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-05-10.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Metal layer deposition

Номер патента: WO2024160385A1. Автор: Beatriz Garcia,Jose Antonio Vasquez. Владелец: Wärtsilä Ibérica, S.A.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing a field emission element

Номер патента: US20010001225A1. Автор: Atsuo Hattori. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2001-05-17.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for tuning the effective work function of a metal

Номер патента: US09892923B2. Автор: Lars-Ake Ragnarsson,Tom Schram,Hendrik F. W. Dekkers. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Method for seismic monitoring of hydraulic fracturing processes in development of hydrocarbon deposits and heat impact processes in development of high-viscosity hydrocarbons

Номер патента: RU2758263C1. Автор: Сергей Александрович Михайлов,Михаил Леонидович Чернов,Мансур Эмерович Сибгатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Сигма». Дата публикации: 2021-10-27.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420299A1. Автор: Tomoyuki Kamakura,Koichi Mizugaki,Yasuke Matsuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: US20170107797A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure

Номер патента: WO2010085081A2. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O&#39;Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Palletizer, palletizing method, and transfer of a layer of objects by palletizer from a conveyor to a layer depositing tool

Номер патента: US09908721B2. Автор: Zmaj Petrovic. Владелец: Gebo Packaging Solutions Italy SRL. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing magnetic storage device, and magnetic storage device

Номер патента: US09812497B2. Автор: Akiyoshi Hatada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский Томский государственный университет&#34; (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for detecting damages in outer hull plating

Номер патента: RU2689048C1. Автор: Евгений Петрович Бураковский,Павел Евгеньевич Бураковский,Артем Владимирович Мысник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Калининградский государственный технический университет&#34;. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods for manufacturing metal gates

Номер патента: EP2842159A1. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Wei Tang,Maitreyee Mahajani,Shih Chung CHEN,Xinyu Fu,Xinliang Lu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: EP3365710A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: WO2017069860A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2017-04-27.

Electrically tunable fabry-perot interferometer, an intermediate product an electrode arrangement and a method for producing an electrically tunable fabry-perot interferometer

Номер патента: US20200026063A1. Автор: Martti Blomberg,Hannu Kattelus,Riikka Puurunen. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2020-01-23.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Microfluidic cell fabrication including atomic layer deposition (ald) of calcite layer for eior studies

Номер патента: US20240337614A1. Автор: Ali Abdallah Al-Yousef,Abdulaziz S. Al-Qasim,Subhash C. Ayirala,Ghaida Ahmed ALJUHANI,Dongkyu CHA. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for enhanced dielectric properties for electrolytic capacitors

Номер патента: US09959978B2. Автор: Michael J. Root,Gregory J. Sherwood,Mary M. Byron. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming L-shaped spacers with precise width control

Номер патента: US6664156B1. Автор: Jia Zhen Zheng,Eng Hua Lim,Wenhe Lin,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-12-16.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

Method for forming multi-component layer, method for forming multi-component dielectric layer and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130171797A1. Автор: Jae-Hyoung Koo,Ji-hoon Ahn,Kwan-Woo Do,Kee-Jeung Lee,Kyung-Woong Park,Woo-young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for depositing a conductive carbon material on a semiconductor for forming a Schottky contact and semiconductor contact device

Номер патента: US20070010094A1. Автор: Franz Kreupl,Gernot Steinlesberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-11.

Dispenser head for adhesive material and method for depositing adhesive material using said head

Номер патента: EP2078689A3. Автор: Andrea Paulotto. Владелец: Biemme Adesivi Srl. Дата публикации: 2010-01-06.

Method for manufacturing porous metal body

Номер патента: US20240082911A1. Автор: Shougo TSUMAGARI. Владелец: Toho Titanium Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US10775692B2. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

System and method for depositing material at a target location with a work vehicle

Номер патента: US20210277627A1. Автор: Natalia Lucas,Stojan Arezina,Brad Anthony Stemper,Andrea Maria Cardona Alfaro,Alex Wei. Владелец: CNH INDUSTRIAL AMERICA LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US20180059530A1. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Klemens Pruegl,Wolfgang Lehnert,Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Apparatus and method for providing an embedded structure and for providing an electro-optical device including the same

Номер патента: EP2695215A1. Автор: Eric Rubingh,Tim Johannes Van Lammeren. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2014-02-12.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: WO2020112311A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-06-04.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: EP4216683A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-07-26.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: EP3888428A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-10-06.

Electronic device and method for slot-die depositing layers of the same

Номер патента: US12069936B2. Автор: Tobias Meyer,Frank NÜESCH,David MARTINEAU,Anand Verma,Jacob HEIER. Владелец: Solaronix SA. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for stacking of timber and depositing laths and a method for using a lath

Номер патента: EP2780269A1. Автор: Jan Johansson,Gunnar Marklund,Peter Jonsson. Владелец: Renholmen AB. Дата публикации: 2014-09-24.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for forming a film of particles on a carrier liquid, with movement of an inclined ramp for compressing the particles

Номер патента: US09744557B2. Автор: Olivier Dellea,Philippe Coronel,Pascal Fugier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-29.

Device and method for reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20190252247A1. Автор: Hung-Wen Su,Yu-Hung Lin,Ya-Lien Lee,Kuei-Pin Lee,Yu-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for depositing materials on a substrate

Номер патента: WO2005048329A1. Автор: Noriaki Fukiage,Katherina Babich. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213356A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Display panel and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043959A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Anti-hacking printed circuit board having high-molecular material deposited thereon and deposition method for the same

Номер патента: US20050283794A1. Автор: Eun-lai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for fabricating vibrator

Номер патента: US20140290019A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Thin-film transistor and method for forming the same

Номер патента: US09899534B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for transversely depositing fibers

Номер патента: US09757904B2. Автор: Jaromir Ufer,Marco Göttinger. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Touch panel structure, method for manufacturing touch panel structure and method for manufacturing display apparatus

Номер патента: US09727189B2. Автор: Toru Takeguchi,Masaru Aoki,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Metal-insulator-metal stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431474B2. Автор: Mihaela Ioana Popovici. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

Device and method for formation of multicharged ion beams

Номер патента: RU2716825C1. Автор: Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Александр Борисович Толстогузов,Сергей Игоревич Гусев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Рязанский государственный радиотехнический университет&#34;. Дата публикации: 2020-03-17.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Metal-insulator-metal structure and method for forming the same

Номер патента: US20160163781A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Wen-Chuan Chiang,Huey-Chi Chu,Wei-Min Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods for manufacturing magnetoresistive stack devices

Номер патента: EP4336991A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Kerry Nagel,Sarin Deshpande,Santosh KARRE. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for forming semiconductor device structure with gate electrode layer

Номер патента: US20210183707A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for forming an extreme ultraviolet lithography pellicle

Номер патента: US11599019B2. Автор: Ivan Pollentier,Cedric Huyghebaert,Emily Gallagher,Marina Timmermans,Elie Schapmans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-03-07.

Methods for manufacturing magnetoresistive stack devices

Номер патента: US12022738B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Kerry Nagel,Sarin Deshpande,Santosh KARRE. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for manufacturing spin wave excitation/detection structure

Номер патента: EP4379813A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Mitsuteru Inoue,Taichi Goto. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for preparing lamination plan

Номер патента: US20240227051A9. Автор: Shuo Huang. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming conductive layer, and conductive structure and forming method therefor

Номер патента: US12040292B2. Автор: Ming-Teng Hsieh. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating a metal protection layer on electrically connecting pad of circuit board

Номер патента: US20070218591A1. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Low cost approach for depositing solder and adhesives in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: US20200171609A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-06-04.

Secure containers having unidirectional apparatuses for used or unused materials and methods for making and using same

Номер патента: US20110303666A1. Автор: Burton J. Kunik,James C. Berns,David G. Gossman,Al Aladwani,Claude Dance. Владелец: Sharps Compliance Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Packaging method for photovoltaic module

Номер патента: SG10201806736WA. Автор: HUO Yanyin,CAO Zhifeng. Владелец: Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Device and method for depositing a printing material on a substrate

Номер патента: EP4429417A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-11.

Device and method for depositing a printing material on a substrate

Номер патента: WO2024186206A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fixing a matrix-free electrophoretically deposited layer on a semiconductor chip for the production of a radiation-emitting semiconductor component, and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09831390B2. Автор: Sebastian Taeger,Hans-Christoph Gallmeier,Ion Stoll,Stefan Hartauer,Gudrun Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09728550B2. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for identification of pain syndrome accompanying polyneuropathy in patients with vibration disease

Номер патента: RU2604415C1. Автор: Игорь Валентинович Бухтияров,Людмила Павловна Кузьмина,Мария Михайловна Коляскина,Галина Николаевна Лагутина,Ольга Павловна Непершина,Людмила Михайловна Безрукавникова,Светлана Николаевна Рябинина,Александра Петровна Лагутина,Яна Александровна Петинати. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Научно-исследовательский институт медицины труда&#34; (ФГБНУ &#34;НИИ МТ&#34;). Дата публикации: 2016-12-10.

Method for producing ferroelectric condencer

Номер патента: RU2609591C1. Автор: Олег Михайлович Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Андрей Михайлович Маркеев,Виктор Владимирович Макеев,Анна Георгиевна Черникова,Максим Геннадьевич Козодаев,Роман Александрович Измайлов. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт молекулярной электроники&#34;. Дата публикации: 2017-02-02.

Method for cow elementoses correction

Номер патента: RU2630987C1. Автор: Олег Александрович Завьялов,Галимжан Калиханович Дускаев,Сергей Александрович Мирошников,Борис Георгиевич Рогачев,Алексей Николаевич Фролов,Лев Никитович Павлов,Марина Яковлевна Курилкина,Анатолий Васильевич Харламов,Александр Сергеевич Ушаков. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт мясного скотоводства. Дата публикации: 2017-09-15.

Method for isolating semiconductor devices with use of shallow trench isolation method

Номер патента: US7166519B2. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-23.

Apparatus and method for half-toning

Номер патента: EP3097683A1. Автор: Shahar KLINGER,Mattetyahu LITVAK,Avraham Guttman,Alon SIMAN TOV. Владелец: Landa Corp Ltd. Дата публикации: 2016-11-30.

Method for forming conductive layer, and conductive structure and forming method therefor

Номер патента: US20220013479A1. Автор: Ming-Teng Hsieh. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Solid-phase source doping method for finfet structure

Номер патента: US20210407860A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods for depositing III-alloys on substrates and compositions therefrom

Номер патента: US11721550B2. Автор: Emily Lowell Warren,Jeramy David Zimmerman,Olivia Dean Schneble. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods for Novel Three-Dimensional Nonvolatile Memory

Номер патента: US20220392910A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Methods for novel three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US12010853B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US20170062586A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Acoustic metamaterial and method for the additive manufacturing thereof

Номер патента: US20240239025A1. Автор: Daniel Therriault,Jacky Novi MARDJONO,Edith-Roland Fotsing,Annie Ross,Josué COSTA BAPTISTA,Jean Boulvert. Владелец: Le Mans Universite. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for preparing self-aligned surface channel field effect transistor and power device

Номер патента: US20200373390A1. Автор: CUI Yu,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-11-26.

Non conductive film, method for forming non conductive film, chip package structure, and method for packaging chip

Номер патента: US20230215832A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatus and methods for fiber mat deposition

Номер патента: EP4241970A1. Автор: Daniel Schlichting KIRKEGAARD. Владелец: LM Wind Power AS. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for Manufacturing Dummy Gate in Gate-Last Process and Dummy Gate in Gate-Last Process

Номер патента: US20140273426A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220029093A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Manufacturing method for lightweight parts combining porous metal substrate and functional resin

Номер патента: US20240269918A1. Автор: Do Sik SHIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Korea Maritime University. Дата публикации: 2024-08-15.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for preparing array substrate and array substrate

Номер патента: US20240297188A1. Автор: Zhen Liu,Hejing ZHANG. Владелец: Chongqing Advance Display Technology Research. Дата публикации: 2024-09-05.

Imaging panel and method for producing same

Номер патента: US20200127055A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods and systems for layered deposition modelling with reinforced interlayer connections

Номер патента: EP3843976A1. Автор: Tom Heijmans,Jakobus Josephus VAN KESSEL. Владелец: Ultimaker Bv. Дата публикации: 2021-07-07.

Methods and systems for layered deposition modelling with reinforced interlayer connections

Номер патента: WO2020046125A1. Автор: Tom Heijmans,Jakobus Josephus VAN KESSEL. Владелец: Ultimaker B.V.. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for depositing horizontal rib on unequal-height section by laser cladding

Номер патента: US11759891B2. Автор: Gang Li,Hao Su,Dongsheng Li,Tuo SHI,Weiwei JIANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for manufacturing touch panel structure, and method for manufacturing display apparatus

Номер патента: US09864474B2. Автор: Masaru Aoki,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for patterning a semiconductor substrate

Номер патента: US09698015B2. Автор: Srinivas D. Nemani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Layer deposition on III-V semiconductors

Номер патента: US09685322B2. Автор: Silvia Armini,Christoph Adelmann. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing split-gate power device

Номер патента: US09673299B2. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for forming pattern, method for manufacturing light emitting device, and light emitting device

Номер патента: US09620714B2. Автор: Gen Fujii,Erika TAKAHASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing in a semiconductor device a low resistance via without a bottom liner

Номер патента: US09559051B1. Автор: Zhigang Song,Junjing Bao,Yunsheng Song,Yongchun Xin,Jang H. Sim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Apparatus and method for providing an embedded structure and for providing an electro-optical device including the same

Номер патента: US09554473B2. Автор: Eric Rubingh,Tim Johannes Van Lammeren. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US09484390B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Apparatus and methods for spacer deposition and selective removal in an advanced patterning process

Номер патента: US09484202B1. Автор: Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Jie Zhou,Ellie Y. Yieh,Jingjing Liu,Shambhu N. Roy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Graphene/metal nanowire hybrid transparent conductive films

Номер патента: US09477128B2. Автор: RODNEY S. Ruoff,Iskandar Kholmanov. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09472656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Atsuo Isobe,Masaharu Nagai,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for producing a thin film transistor

Номер патента: US09443965B2. Автор: Ting-Chang Chang,Ming-Yen Tsai,Hua-Mao Chen,Tian-Yu Hsieh. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-09-13.

Device for forming thin films and method for using such a device

Номер патента: US09440285B2. Автор: Patrick Teulet. Владелец: PHENIX SYSTEMS. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing dummy gate in gate-last process and dummy gate in gate-last process

Номер патента: US09419095B2. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for development of multi-layer deposits of natural gases

Номер патента: RU2722190C1. Автор: Александр Иосифович Пономарев,Рустам Фадисович Ситдиков,Артур Адикович Ибатулин. Владелец: Артур Адикович Ибатулин. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238240A1. Автор: Miin-Jang Chen,Chun-Yuan Wang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-07-27.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE (Vt) WORKFUNCTION METAL BY SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: WO2015138176A1. Автор: David Thompson,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for removing a contamination layer by an atomic layer etching process

Номер патента: EP3649510A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Edwin Te Sligte,Moritz Becker,Yves Lodewijk Maria Creijghton,Fred Roozeboom,Andrea Illiberi. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2020-05-13.

System and method for dumping material

Номер патента: AU2018203324B2. Автор: Mo Wei. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Method for electrically contacting a piezoelectric ceramic

Номер патента: US10074797B2. Автор: Andre Gerlach,Guenter Gerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-09-11.

Device and method for additive casting of parts

Номер патента: EP3681721A1. Автор: Gil Lavi,Boaz Vinogradov. Владелец: Magnus Metal Ltd. Дата публикации: 2020-07-22.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US12040184B2. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt,Andrew Kretzschmar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for electrically contacting a piezoelectric ceramic

Номер патента: US20160141488A1. Автор: Andre Gerlach,Guenter Gerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-05-19.

Systems, devices and methods for glucose sensing and associated methods

Номер патента: WO2022044018A3. Автор: Ofer Yodfat,Lior STRAM. Владелец: Tingo Medical Ltd.. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems, devices and methods for glucose sensing and associated methods

Номер патента: US20230301557A1. Автор: Ofer Yodfat,Lior STRAM. Владелец: Tingo Medical Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Multi-well selenium device and method for fabrication thereof

Номер патента: US20200243696A1. Автор: Wei Zhao,Amirhossein Goldan. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2020-07-30.

Multi-well selenium device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP3400615A1. Автор: Wei Zhao,Amirhossein Goldan. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2018-11-14.

Multi-well selenium device and method for fabrication thereof

Номер патента: US20210111286A1. Автор: Wei Zhao,Amirhossein Goldan. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2021-04-15.

Device and method for additive casting of metallic parts

Номер патента: US20200206810A1. Автор: Gil Lavi,Boaz Vinogradov. Владелец: Magnus Metal Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for forming a capacitor in a memory cell in a dynamic random access memory device

Номер патента: US5897983A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kazuki Yokota,Masanobu Zenke,Tomomi Kurokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for manufacturing semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120190146A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

High voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020160572A1. Автор: Da Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for preventing photoresist poisoning in semiconductor fabrication

Номер патента: US20030040174A1. Автор: Pang Foo,Moitreyee Mukherjee-Roy,Cher Tan. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS. Дата публикации: 2003-02-27.

High voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030201510A1. Автор: Da Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Active matrix substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20210118910A1. Автор: Hidenobu Kimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for the additive manufacturing of a metal part

Номер патента: US20240189911A1. Автор: Prigent Serge. Владелец: INSTITUT DE RECHERCHE TECHNOLOGIQUE JULES VERNE. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for preparing high-resolution quantum dot (QD) pixelated light-emitting film

Номер патента: US12120941B1. Автор: YU Chen,Chengzhao Luo,Zhenwei Ren. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Display device and method for bonding the same

Номер патента: US12107073B2. Автор: Zhihua Sun,Xibin Shao,Seungmin Lee,Qiujie Su,Feng Qu,Yanping Liao,Yingmeng MIAO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing thin film solar cell

Номер патента: US09941423B2. Автор: Jeung-Hyun Jeong,Won Mok Kim,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859441B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semi-finished product for the production of a printed circuit board and method for producing the same

Номер патента: US09781845B2. Автор: Johannes Stahr,Mikael Tuominen. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing a trench metal insulator metal capacitor

Номер патента: US09741817B2. Автор: Yakov Roizin,Amos Fenigstein,Michael Lisiansky,Hironori Matsuyoshi,Toshiaki Ohmi. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Array substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09716110B2. Автор: Tiansheng Li,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09673336B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for depositing a particle film onto a substrate via a liquid conveyor, including a step of structuring the film on the substrate

Номер патента: US09636704B2. Автор: Olivier Dellea,Philippe Coronel,Pascal Fugier,Simon Frederic Desage. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583601B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Takuya Hirohashi,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for providing a perpendicular magnetic anisotropy magnetic junction usable in spin transfer torque magnetic devices using a sacrificial insertion layer

Номер патента: US09559296B2. Автор: Jangeun Lee,Xueti Tang,Dustin William Erickson. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing a flexible transparent electrode using cesium and a flexible transparent electrode produced thereby

Номер патента: US09466403B2. Автор: Jun Gu KANG,Sunho Kim,Hoojeong Lee,Sekwon NA. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing ESD device, ESD device and display panel

Номер патента: US09443884B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhaohui Hao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ&#34;. Дата публикации: 2021-08-17.

Device for depositing drops

Номер патента: RU2337828C2. Автор: Стефен ТЕМПЛ,Роберт ХАРВИ,Роберт Джонатан ЛОУ,Пол Реймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2008-11-10.

Method for bioggeochemical phytoindication of territories status

Номер патента: RU2643590C1. Автор: Александр Петрович Дегтярев,Вадим Викторович Ермаков,Сергей Федорович Тютиков,Людмила Васильевна Проскурякова,Елена Валерьевна Кречетова,Ульяна Александровна Гуляева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Ленина и Ордена Октябрьской революции Институт геохимии и аналитической химии им. В.И. Вернадского Российской академии наук (ГЕОХИ РАН). Дата публикации: 2018-02-02.

System and method for maintaining a smoothed and anti-stiction surface on a MEMS device

Номер патента: US10501314B2. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-12-10.

System and method for maintaining a smoothed and anti-stiction surface on a mems device

Номер патента: WO2017114886A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-07-06.

Designer atomic layer etching

Номер патента: WO2018118655A1. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

System and method for maintaining a smoothed and anti-stiction surface on a mems device

Номер патента: EP3397585A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-07.

System and Method for Maintaining a Smoothed and Anti-Stiction Surface on a MEMS Device

Номер патента: US20190016592A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor Wafer With A Heteroepitaxial Layer And A Method For Producing The Wafer

Номер патента: US20090236695A1. Автор: Peter Storck,Martin Vorderwestner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-09-24.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040048462A1. Автор: Masahiro Joei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for activating a photocatalytically active outer layer deposited on a composite

Номер патента: US11918979B2. Автор: Jessy Schönfelder,Uwe Vogel,Daniel Gloss,Philipp WARTENBERG,Gaby Gotzmann. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-03-05.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (cmp) process

Номер патента: US20240087907A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Transparent conductive film having improved visibility and method for manufacturing same

Номер патента: US20150279501A1. Автор: Kyung-Taek Kim,Min-Hee Lee,In-sook Kim,Jung Cho,Keun Jung. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for producing stamper for optical information recording medium

Номер патента: EP1492102B1. Автор: Eiichi Ito,Morio Tomiyama,Eiji Ohno. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Method for producing light emitting diode

Номер патента: US20050032383A1. Автор: Ray-Hua Horng,Tung-Hsing Wu,Shao-Hua Huang,Chi-Ying Chiu. Владелец: National Chung Hsing University. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for manufacturing and structure for transistors with reduced gate to contact spacing

Номер патента: US20020106875A1. Автор: Mark Rodder,Keith Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Double-sided patterned transparent conductive film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150289370A1. Автор: ZHENG Cui,Yulong Gao,Hongwei Kang. Владелец: Nanchang OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Methods for Fabricating a Low-Resistance Interconnect

Номер патента: US20200411374A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiang-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US20030092275A1. Автор: Chun Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna

Номер патента: US20210151883A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384374A1. Автор: Ju Eun Kim,Youn Joon Sung,Dong Woo Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

A method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering

Номер патента: EP1192650A2. Автор: Charles Chiun-Chieh MEMC El. Mat. Inc. YANG,Darrell D. MEMC Elec. Materials Inc. WATKINS. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and device for depositing a nano-object

Номер патента: US11854801B2. Автор: Matthieu DELBECQ,Tino CUBAYNES,José PALOMO,Matthieu DARTIAILH,Takis KONTOS,Matthieu DESJARDINS. Владелец: Université de Paris. Дата публикации: 2023-12-26.

Atomic layer etch methods and hardware for patterning applications

Номер патента: US09997371B1. Автор: Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Pulkit Agarwal. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for making a device for detecting electromagnetic radiation comprising a layer of getter material

Номер патента: US09911785B2. Автор: Jean-Jacques Yon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793416B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Kengo Akimoto,Yasuo Nakamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming interconnect structure

Номер патента: US09716034B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Mu-Yi Lin,Bor-Zen Tien,Tzong-Sheng Chang,Jhu-Ming Song,Hsuan-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing an electronic device

Номер патента: US09711707B2. Автор: Atsushi KOZUKI. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods for additive manufacturing of heterogeneous porous structures and structures made therefrom

Номер патента: US09630249B2. Автор: Yaser SHANJANI,Ehsan Toyserkani,Mihaela VLASEA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Conductive film, method for manufacturing the same, and touch screen including the same

Номер патента: US09538654B2. Автор: WEI Liu,Genchu Tang,Bin Tang,Shengcai Dong. Владелец: Shenzhen OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Double-sided patterned transparent conductive film and method for manufacturing the same

Номер патента: US09532449B2. Автор: ZHENG Cui,Yulong Gao,Hongwei Kang. Владелец: Nanchang OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Display device and manufacturing method for same

Номер патента: US09496292B2. Автор: Norihiro Uemura,Toshiki Kaneko,Takeshi Noda,Hidekazu Miyake,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing a flexible humidity sensor

Номер патента: RU2764380C1. Автор: Петр Петрович Шарин,Светлана Афанасьевна Смагулова,Захар Иванович Евсеев,Данил Валериевич Николаев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова&#34;. Дата публикации: 2022-01-17.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Atomic layer deposition

Номер патента: US20100279515A1. Автор: Chen-Hua Yu,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US9190462B2. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Method for manufacturing a display panel and a display panel

Номер патента: US20200150500A1. Автор: Haiyan Liu,Chao-Yun Cheng,Shan-Fang Chen. Владелец: AU Optronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Display device and method for producing same

Номер патента: WO2014151920A2. Автор: Kohei Takahashi,Naohisa Ando,Hiroshi Kawanago. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Method for edge sealing barrier films

Номер патента: EP2373487A1. Автор: Paul E. Burrows,Xi Chu,Peter M. Martin,Wendy D. Bennett,Gordon L. Graff,Mark E. Gross,Eric S. Mast,Charles C. Bonham,Martin Philip Rosenblum. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Semiconductor Device and Method for Low Resistive Thin Film Resistor Interconnect

Номер патента: US20120280360A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US20150008560A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for depositing a desired superalloy composition

Номер патента: EP3658323A1. Автор: Gerald J. Bruck. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Method for depositing a desired superalloy composition

Номер патента: WO2019022967A1. Автор: Gerald J. Bruck. Владелец: SIEMENS ENERGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Three-Dimensional Calibration Structures and Methods for Measuring Buried Defects on a Three-Dimensional Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180224749A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for detecting and measuring a layer deposited on a surface in contact with a liquid medium and detection and measuring sensor implementing the same

Номер патента: EP3710817A1. Автор: Marco Carminati,Andrea Turolla,Manuela ANTONELLI. Владелец: Fondazione Cassa Di Risparmio Delle Province Lombarde. Дата публикации: 2020-09-23.

Methods and systems for depositing active ingredients on substrates

Номер патента: US20230233479A1. Автор: Michael Harris,Lynne S. TAYLOR,Arun V. Giridhar,Gintaras V. Reklaitis,Zoltan K. Nagy,Elcin Icten,Frederick Fiesser,Laura Hirshfield. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for preparing high-accuracy optical broadband anti-reflection multilayer film by utilizing atomic layer deposition

Номер патента: CN102703880B. Автор: 刘旭,郝翔,范欢欢,李旸晖,沈伟东,章岳光. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2014-01-15.

Method for developing oil depositing carbonate collectors of fissure-cavity type

Номер патента: RU2073791C1. Автор: Р.Х. Муслимов,А.Ф. Закиров,Р.Г. Абдулмазитов,Ф.М. Хайретдинов. Владелец: Татарский научно-исследовательский и проектный институт нефтяной промышленности. Дата публикации: 1997-02-20.

Method for encapsulating organic devices by passivation layer prepared by electron beam evaporation and atomic layer deposition

Номер патента: CN102864417A. Автор: 陈平,赵毅,杨永强,段羽,刘式墉,谢月,臧春亮. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2013-01-09.

METAL NANOWIRES WITH HIGH LINEARITY, METHOD FOR PRODUCING THE METAL NANOWIRES AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM INCLUDING THE METAL NANOWIRES

Номер патента: US20130087363A1. Автор: OH Young-Jei,WANG Byung-yong. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-11.

Method for manufacturing sputtering target for ITO transparent conductive film

Номер патента: JPH0784654B2. Автор: 光一 中島,勝雄 桑野,進 堀内. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1995-09-13.

Method for producing aluminum-doped zinc oxide transparent conductive film containing metal nanoparticles

Номер патента: JP5469107B2. Автор: 正全 王,秀文 李,愛綱 栗,東煌 陳,坤陽 呉,松勳 江. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-09.

Method for preparing titanium-doped zinc oxide transparent conductive film on polyethylene terephthalate (PET) flexible substrate

Номер патента: CN102352484A. Автор: 刘汉法. Владелец: Shandong University of Technology. Дата публикации: 2012-02-15.

Simulative culture device and method for crop rhizosphere deposit carbon

Номер патента: CN102283037A. Автор: 乔云发. Владелец: Northeast Institute of Geography and Agroecology of CAS. Дата публикации: 2011-12-21.

Method for preparing conductive golden ball for anisotropism conductive film

Номер патента: CN102658071B. Автор: 张清华,马跃辉. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-23.

Device and method for pulse laser etching for double-faced conductive film layer on organic glass

Номер патента: CN102744521A. Автор: 张伟,赵裕兴,益凯劼,狄建科,张子国,蔡仲云,闫华. Владелец: JIANGYIN DELI LASER EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Solution for preparing water repellent and oil repellent antifouling composite film, method for preparing water repellent and oil repellent antifouling composite film by using the same, and water repellent and oil repellent antifouling composite film by using the same

Номер патента: JP2012046765A. Автор: Kazufumi Ogawa,小川　　一文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for preparing high-concentration gradient AZO monocrystalline conductive thin film by diffusion process

Номер патента: CN105132875A. Автор: 赵斌,王冰,唐立丹,彭淑静,齐锦刚. Владелец: Liaoning University of Technology. Дата публикации: 2015-12-09.

Method for preparing Tb/Cr-codoped high-remanent-polarization BiFeO3 film by sol-gel process

Номер патента: CN103058646B. Автор: 谈国强,董国华. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-12-24.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANISTER FOR DEPOSITION APPARATUS AND DEPOSITION APPARATUS USING SAME

Номер патента: US20120000986A1. Автор: LEE Dong-Hyun,CHUNG Yun-Mo,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Kil-Won,Chang Seok-Rak,PARK Byoung-Keon,YANG Tae-Hoon,Na Heung-Yeol,LEE Ki-Yong,CHOI Bo-Kyung,JEONG Min-Jae,Hong Jong-Won,Kang Eu-Gene,Soo Byung-Soo,Baek Won-Bong,Maidanchuk Ivan,Jung Jae-Wan. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICALLY EXTENSIVELY HEATABLE, TRANSPARENT OBJECT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120000896A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for deposition of heat-protective coating

Номер патента: RU2247792C2. Автор: Л.Х. Балдаев,В.А. Лупанов,Н.Г. Шестеркин,А.П. Шатов,Г.И. Зубарев,М.М. Гойхенберг. Владелец: Балдаев Лев Христофорович. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for deposition of multi-layer coating on cutting tool

Номер патента: RU2297472C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин,Александр Николаевич Тулисов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Ульяновский государственный технический университет&#34;. Дата публикации: 2007-04-20.

Method for deposition of multi-layer coating onto cutting tool

Номер патента: RU2297469C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Ульяновский государственный технический университет&#34;. Дата публикации: 2007-04-20.

Method for cleanout of tubing string cavity from asphalt, resin and paraffin deposits

Номер патента: RU2540594C1. Автор: Александр Викторович Лекомцев,Кирилл Андреевич Вяткин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Пермский национальный исследовательский политехнический университет&#34;. Дата публикации: 2015-02-10.

Method for deposition of molybdenum from aqueous solutions of electrolytes

Номер патента: RU2299279C2. Автор: Наталья Сергеевна Федотова,Игорь Владимирович Локтев,Сергей Евгеньевич Андрюшечкин,Галина Олеговна Климова,Наталь Сергеевна Федотова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова&#34; (ФГУП &#34;ВНИИА&#34;). Дата публикации: 2007-05-20.

Method for preservation and isolation anthropogenic deposits

Номер патента: RU2547869C1. Автор: Юрий Дмитриевич Смирнов,Мария Анатольевна Пашкевич,Татьяна Анатольевна Петрова,Александр Евгеньевич Исаков,Дмитрий Олегович Акименко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Национальный минерально-сырьевой университет &#34;Горный&#34;. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for depositing nickel-phosphorus coating on metal surfaces

Номер патента: RU2572914C2. Автор: Юрий Васильевич Сурин,Татьяна Владимировна Виговская,Евгений Петрович Кокин,Наталия Михайловна Львова,Дмитрий Вадимович Марусев,Виктория Сергеевна Нечипоренко. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт микроприборов-К&#34;(АО &#34;НИИМП-К&#34;). Дата публикации: 2016-01-20.

Rotating member and method for depositing of coating onto the same

Номер патента: RU2320776C2. Автор: Акихиро ГОТО,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Масао АКИЙОСИ,Хироюки ОТИАЙ,Мики АРАЙ,Микия АРАЙ,Сигеру САБУРИ,Цуйоси ЯМАКАВА,Сого ЦУГУМИ,Дзун САКАЙ,Цунао ТЕЗУКА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко.,Лтд.. Дата публикации: 2008-03-27.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Чеченский государственный университет&#34;. Дата публикации: 2018-05-23.

Method for manufacturing g.v. stepanov's therapeutic retainer

Номер патента: RU2551973C1. Автор: Григорий Викторович Степанов,Людмила Григорьевна Ульянова,Альфия Минвалиевна Хамадеева,Ирина Олеговна Аюпова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Самарский государственный медицинский университет&#34; Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-06-10.

Method for producing printhead interconnection structure incorporating thin-film resistor

Номер патента: RU2263998C2. Автор: В.А. Хрусталев,М.И. Лукасевич,А.Н. Еременко,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко,С.В. Нефедьев. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;НИИ молекулярной электроники и завод &#34;Микрон&#34;. Дата публикации: 2005-11-10.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making intraosseous carbon-nanocoated dental implant

Номер патента: RU2490032C1. Автор: Владимир Николаевич Лясников,Владимир Владимирович Перинский,Орынгали Джулдгалиевич Муктаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.&#34; (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2013-08-20.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE FILM

Номер патента: US20120001367A1. Автор: . Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CUTTING A PATCH TO BE APPLIED ONTO A CURVED SUBSTRATE

Номер патента: US20120002162A1. Автор: Ladous Agnès,Begon Cedric,Allione Pascal,Lavillonniere Nicolas. Владелец: Essilor International (Compagnie Generale D'Optique). Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INSPECTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20120002323A1. Автор: Kato Junya,Maruyama Yoshihiko. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING AQUEOUS DISPERSION OF FLUORINE-CONTAINING SEED POLYMER PARTICLES AND AQUEOUS COATING COMPOSITION AND COATED ARTICLE THEREOF

Номер патента: US20120004367A1. Автор: Imoto Katsuhiko,Nishii Shumi,Fukuhara Yoshinari. Владелец: Daikin Industries Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for support manufacture

Номер патента: RU2158332C1. Автор: И.М. Шаферман,Э.М. Гитман,В.Г. Барбин. Владелец: Барбин Владимир Георгиевич. Дата публикации: 2000-10-27.

Plasma cvd apparatus, method for manufacturing magnetic recording medium and method for depositing film

Номер патента: SG10201805811SA. Автор: Watanabe Toshiyuki,Abe Koji,Honda Yuji. Владелец: Advanced Material Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BIOLOGICAL GRAFT TRANSFERRING INSTRUMENT AND METHOD FOR TRANSFERRING BIOLOGICAL GRAFT

Номер патента: US20120000745A1. Автор: Nozaki Yusuke. Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for electrodeposition of copper

Номер патента: RU2322532C2. Автор: Анатолий Алексеевич Викарчук,Игорь Станиславович Ясников,Ольга Александровна Довженко,Максим Николаевич Тюрьков,Анатолий Алексеевич Викарчук (RU),Игорь Станиславович Ясников (RU),Максим Николаевич Тюрьков (RU),Ольга Александровна Довженко (RU). Владелец: Тольяттинский государственный университет. Дата публикации: 2008-04-20.

Method for deposition of fine aerosols

Номер патента: RU2593299C1. Автор: Владимир Александрович Лихолобов,Виктор Михайлович Шопин,Константин Викторович Супонев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем переработки углеводородов Сибирского отделения Российской академии наук (ИППУ СО РАН). Дата публикации: 2016-08-10.

Method for blood cell elasticity test

Номер патента: RU2466401C1. Автор: Марина Юрьевна Скоркина,Марина Зотовна Федорова,Никита Александрович Забиняков,Евгения Анатольевна Сладкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Белгородский государственный национальный исследовательский университет&#34;(НИУ &#34;БелГУ&#34;). Дата публикации: 2012-11-10.

Method for evaluation of heavy metal content in air by using leafy mosses

Номер патента: RU2321030C1. Автор: Наталия Николаевна Красногорская,Натали Николаевна Красногорска,Ирина Валерьевна Вдовина,Эльвира Закирь новна Баишева,Эльвира Закирьяновна Баишева,Гульназ Раисовна Минуллина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Уфимский государственный авиационный технический университет. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for automatic switching of electric circuits and device therefor

Номер патента: RU2583765C1. Автор: Александр Владимирович Грачков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии &#34;Росатом&#34; - Госкорпорация &#34;Росатом&#34;. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for depositing on titanium and its alloys zirconium -containing coating

Номер патента: RU2323278C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Татьяна Петровна Яровая,Кирилл Николаевич Килин,Тать на Петровна Ярова. Владелец: Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН). Дата публикации: 2008-04-27.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for defining form of essential arterial hypertension in children and adolescents

Номер патента: RU2533975C2. Автор: Динара Ильгизаровна Садыкова,Зульфия Рашидовна Хабибрахманова,Тамара Петровна Макарова. Владелец: Тамара Петровна Макарова. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for depositing composite coatings

Номер патента: RU2146724C1. Автор: Н.Н. Коваль,П.М. Щанин,В.С. Толкачев. Владелец: Институт сильноточной электроники СО РАН. Дата публикации: 2000-03-20.

Method for obtaining composite target for sputtering from tungsten-titanium-silicon alloy

Номер патента: RU2454481C2. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2012-06-27.

Method for obtaining composite target for sputtering from tungsten-titanium-rhenium alloy

Номер патента: RU2454482C2. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2012-06-27.

Method for predicting dental carious lesion

Номер патента: RU2296325C1. Автор: Владимир Николаевич Шабалин,Светлана Николаевна Шатохина,Светлана Николаевна Разумова. Владелец: ФГУ &#34;Российский научно-исследовательский институт геронтологии Росздрава&#34;. Дата публикации: 2007-03-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to examine materials in deformed state by atomic-force microscope method

Номер патента: RU2521267C1. Автор: Николай Викторович Шадринов. Владелец: Николай Викторович Шадринов. Дата публикации: 2014-06-27.

Apparatus for multiple factor therapeutic intervention and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2429030C2. Автор: Виталий Савельевич Григорьев,Александр Николаевич Ревенко. Владелец: Закрытое акционерное общество &#34;ОКБ &#34;РИТМ&#34;. Дата публикации: 2011-09-20.

Method for separating particles by dielectrophoresis method

Номер патента: RU2253109C1. Автор: Ю.Ю. Стойлов. Владелец: Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук. Дата публикации: 2005-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.