Methods for Novel Three-Dimensional Nonvolatile Memory
Номер патента: US20220392910A1
Опубликовано: 08-12-2022
Автор(ы): Sang-Yun Lee
Принадлежит: BeSang Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-12-2022
Автор(ы): Sang-Yun Lee
Принадлежит: BeSang Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for novel three-dimensional nonvolatile memory
Номер патента: US12010853B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-06-11.