Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
Номер патента: US11453943B2
Опубликовано: 27-09-2022
Автор(ы): Atsuki Fukazawa, Hideaki Fukuda
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-09-2022
Автор(ы): Atsuki Fukazawa, Hideaki Fukuda
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
METHOD FOR FORMING CARBON-CONTAINING SILICON/METAL OXIDE OR NITRIDE FILM BY ALD USING SILICON PRECURSOR AND HYDROCARBON PRECURSOR
Номер патента: US20170342559A1. Автор: Fukuda Hideaki,Fukazawa Atsuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.