Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate
Номер патента: US20110300698A1
Опубликовано: 08-12-2011
Автор(ы): HAIYANG Zhang, Qingtian Ma, Qiuhua Han
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-12-2011
Автор(ы): HAIYANG Zhang, Qingtian Ma, Qiuhua Han
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and method for fabricating the same
Номер патента: US20230290847A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.