Method for forming metal oxide film, metal oxide film, and apparatus for forming metal oxide film
Номер патента: US20120040083A1
Опубликовано: 16-02-2012
Автор(ы): Akio Yoshida, Hiroyuki Orita, Naoki Kameyama, Shizuo Fujita, Takahiro Shirahata
Принадлежит: Kyoto University NUC, Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-02-2012
Автор(ы): Akio Yoshida, Hiroyuki Orita, Naoki Kameyama, Shizuo Fujita, Takahiro Shirahata
Принадлежит: Kyoto University NUC, Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of vapor phase growth of metal oxide dielectric film and apparatus for vapor phase growth of metal oxide dielectric material
Номер патента: KR100433465B1. Автор: 다쓰미도루,야마시타아쓰시. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2004-05-31.