Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2
Опубликовано: 28-03-2017
Автор(ы): C. Jeffrey Brinker, Joseph L. Cecchi, Yaqin Fu, Ying-Bing JIANG
Принадлежит: STC UNM
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

APPARATUS AND PROCESS FOR ATOMIC OR MOLECULAR LAYER DEPOSITION ONTO PARTICLES DURING PNEUMATIC TRANSPORT

Номер патента: US20180073138A1. Автор: VAN OMMEN Jan Rudolf. Владелец: Delft University of Technology. Дата публикации: 2018-03-15.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20210102288A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2021-04-08.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

The method for depositing a atomic layer on the large substrate

Номер патента: KR20150081590A. Автор: 신웅철,최규정,백민. Владелец: 주식회사 엔씨디. Дата публикации: 2015-07-15.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Methods for depositing metallic iridium and iridium silicide

Номер патента: US20200131633A1. Автор: Feng Q. Liu,Hua Chung,Schubert Chu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

Laminate, barrier film and method for manufacturing these

Номер патента: US09957613B2. Автор: Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR101072670B1. Автор: 박성현. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2011-10-11.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Method for manufacturing laminate and method for manufacturing liquid discharge head

Номер патента: US20180312971A1. Автор: Yoshiyuki Fukumoto,Ryoji Kanri,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: WO2022207974A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

METHOD FOR DEPOSITION OF ATOMIC LAYER AND DEVICE CONTAINING A PHOTON SOURCE

Номер патента: RU2017124606A. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

APPARATUS AND METHOD FOR HIGH-THROUGHPUT ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20160102399A1. Автор: Granneman Ernst H.A.,van Nooten Sebastiaan E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition

Номер патента: US20030106490A1. Автор: Ravi Jallepally,Jun Zhao,Liang-Yuh Chen,Alain Duboust,Daniel Carl,Shih-Hung Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition

Номер патента: US6773507B2. Автор: Ravi Jallepally,Jun Zhao,Liang-Yuh Chen,Alain Duboust,Daniel A. Carl,Shih-Hung Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-08-10.

Method for energy-assisted atomic layer deposition and removal

Номер патента: US20050175789A1. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Kerem Kapkin,Aubrey Helms Jr. Владелец: Helms Jr Aubrey L.. Дата публикации: 2005-08-11.

Method for energy-assisted atomic layer deposition and removal

Номер патента: TW200500491A. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Kerem Kapkin,Aubrey L Helms. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2005-01-01.

System and method for plasma enhanced atomic layer deposition with protective grid

Номер патента: CN115747765A. Автор: 李信昌,李伟豪,许倍诚. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Particle reactor for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) processes

Номер патента: US09896763B2. Автор: Mei Cai,Gayatri V. Dadheech,Prasad Gadgil. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

MoS2 thin film and method for manufacturing same

Номер патента: US09863039B2. Автор: Yo-Sep Min. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Chamber undercoat preparation method for low temperature ALD films

Номер патента: US09745658B2. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US8747556B2. Автор: Bo Zheng,Hua Ai,Michael Jackson,Salvador P. Umotoy,Xiaoxiong Yuan,Sang Ho Yu,Hougong Wang,Hyman W. H. Lam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for RF compensation in plasma assisted atomic layer deposition

Номер патента: US09624578B2. Автор: Hu Kang,Shankar Swaminathan,Tuan Nguyen,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Chloe Baldasseroni,Jennifer Petraglia,Seshasayee Varadarajan,David Charles Smith,Paul Franzen,Trung T. Le. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

An apparatus and method for processing particulate matter

Номер патента: EP3475462A1. Автор: Markus Bosund,Risto Peltonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2019-05-01.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for producing a film of a ternary or quaternary compound by ALD

Номер патента: SE2150544A1. Автор: Henrik Pedersen,Polla ROUF. Владелец: Polla ROUF. Дата публикации: 2022-10-30.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for producing a film of a ternary or quaternary compound by ald

Номер патента: WO2022231494A1. Автор: Henrik Pedersen,Polla ROUF. Владелец: ROUF Polla. Дата публикации: 2022-11-03.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Methods for obtaining hydrophilic fluoropolymers

Номер патента: EP2946028A1. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Amit Kumar Roy. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2015-11-25.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Methods For Atomic Layer Deposition Of SiCO(N) Using Halogenated Silylamides

Номер патента: US20200010954A1. Автор: Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for producing metal catalyst having composite film deposited thereon by means of ald process, and metal catalyst according thereto

Номер патента: EP4230294A1. Автор: Sung Gap Im,Young Jin Cho,Myung Seok OH,Won Tae JANG,Do Heung KIM,Keonwoo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Methods for forming a protective coating on processing chamber surfaces or components

Номер патента: US11976357B2. Автор: Ankur Kadam,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia,Yogita Pareek. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for producing a gallium oxide layer on a substrate

Номер патента: US20240309552A1. Автор: Andreas Popp,Walter Haeckl,Ta-Shun Chou. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

균일하게 가열된 복수의 충전 볼륨들 (charge volumes) 을 사용한 원자 층 증착 (atomic layer deposition)

Номер патента: KR20230122639A. Автор: 조슈아 콜린스,판야 웡세나쿰,아론 블레이크 밀러,케빈 매드리갈,슈루티 톰바레,니틴 카담,나빈 파틸,고룬 부테일,만주나스 암마나스 사티아데반. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240263309A1. Автор: Woo-Seok Jeon,Chulmin BAE,Jaehee SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09890454B2. Автор: Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

Gas separation control in spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11821083B2. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic layer or chemical vapor deposition process for nitride or oxide films

Номер патента: WO2023150265A1. Автор: PRASAD NARHAR GADGIL,Peter Joseph DUSZA. Владелец: PRASAD NARHAR GADGIL. Дата публикации: 2023-08-10.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US11739423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US20220106682A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106685A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)

Номер патента: KR20220042442A. Автор: 어니쉬 굽타,이안 존 커틴,텅페이 미아오,아드리안 라보이,더글러스 월터 애그뉴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-05.

Powder atomic layer deposition apparatus for blowing powders

Номер патента: US11987883B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US12000043B2. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Systems, devices, and methods for forming layers comprising a group 14 element, a pnictogen, and a chalcogen

Номер патента: US20240175129A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Charles DEZELAH,Bart Vermeulen,Jerome Innocent. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for hydrophobization of surface of silicon-containing film by ALD

Номер патента: US09478414B2. Автор: Akiko Kobayashi,Dai Ishikawa,Akinori Nakano,Kiyohiro Matsushita. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-25.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Scanning mirror and production method for scanning mirror

Номер патента: EP3978987A1. Автор: Takashi Sasaki,Kazuhiro Hane,Yuki Fujita. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-04-06.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and apparatus for forming a substrate web track in an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US09745661B2. Автор: Vaino Kilpi,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT

Номер патента: US09556516B2. Автор: Noboru Takamure,Tatsuhiro Okabe. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-31.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: WO2012118955A2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: US20160122874A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-05-05.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: EP3004417A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-04-13.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: WO2014193234A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: SoLayTec B.V.. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US12091748B2. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for forming and utilizing antimony containing films, and related structures

Номер патента: US20240218510A1. Автор: David Kurt De Roest,Charles DEZELAH,Arpita Saha,Paul Chatelain,Daniele Piumi,Yoann Tomczak. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Organometallic compound, precursor composition comprising same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230257406A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11952658B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11814715B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11492703B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-11-08.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

Low Temperature Molecular Layer Deposition Of SiCON

Номер патента: US20160024647A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Low temperature molecular layer deposition of SiCON

Номер патента: US09812318B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09809880B2. Автор: In Kyo KIM,Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09404181B2. Автор: Chien-Nan Hsiao,Da-ren LIU,Wen-Hao Cho,Chih-Chieh YU,Meng-Yen Tsai,Chi-Chung Kei,Bo-Heng Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-08-02.

Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces

Номер патента: US20050039686A1. Автор: Er-Xuan Ping,Trung Doan,Cem Basceri,Kevin Beaman,Lyle Breiner,Ronald Weimer,David Kubista,Lingyi Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for optimizing atomic layer deposition

Номер патента: CN113005424B. Автор: 邓仕杰,黄如慧. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Scanning mirror and manufacturing method for scanning mirror

Номер патента: US20220066198A1. Автор: Takashi Sasaki,Kazuhiro Hane,Yuki Fujita. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-03-03.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Atomic layer process printer

Номер патента: US12049700B2. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: Atlant 3d Nanosystems Aps. Дата публикации: 2024-07-30.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: US11834741B2. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-05.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: EP3509744A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20210395888A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE,Chi Thang NGUYEN. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-23.

Atomic layer deposition methods

Номер патента: US8163648B2. Автор: Guy T. Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: EP4314378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US20240043998A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for growth of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US12060642B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP2670882A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Jozef Johannes De Swart,Robert Coenraad Wit. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-12-11.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI130543B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4384650A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

An atomic layer deposition reactor arrangement and method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: FI20215372A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-01.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for producing metal catalyst having inorganic film deposited thereon by means of ald process, and metal catalyst having improved activity according thereto

Номер патента: EP4134163A1. Автор: Sung Gap Im,Eun Ji Woo,Young Jin Cho,Won Tae JANG,Do Heung KIM,Keon Woo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-15.

Vacuum chamber and arrangement for atomic layer deposition

Номер патента: US20240026535A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Cooling device, method for cooling a cooling element and layer deposition apparatus

Номер патента: EP4381115A1. Автор: Maik BURKHARDT,Joergen KOPPOLD,Jens WILLEMS. Владелец: Leybold GmbH. Дата публикации: 2024-06-12.

Cooling device, method for cooling a cooling element and layer deposition apparatus

Номер патента: WO2023012345A1. Автор: Maik BURKHARDT,Joergen KOPPOLD,Jens WILLEMS. Владелец: Leybold GmbH. Дата публикации: 2023-02-09.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230407474A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225968A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2022079351A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-21.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US11891694B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US20230203653A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for vapour deposition of a film onto a substrate

Номер патента: EP1299572A2. Автор: Margreet Albertine Anne-Marie Van Wijck. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-04-09.

Systems and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US11814727B2. Автор: Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249631A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Pvd-coated cutting tools and method for making the same

Номер патента: US20160265106A1. Автор: Yixiong Liu,Vineet Kumar,Mark S. Greenfield,Ronald M. Penich,Peter R. Leicht. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US20230120393A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US12123092B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4321648A1. Автор: HAO WANG,Bo Zheng,Yunfeng LAN,Wenqiang Zhang,Xiaoyan Ren,Xiaoping Shi,Haifeng Qin. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

SYSTEMS AND METHODS FOR REMOTE PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20140272185A1. Автор: Gopinath Sanjay,Na Jeong-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR GROWTH OF ATOMIC LAYER RIBBONS AND NANORIBBONS OF TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES

Номер патента: US20210324522A1. Автор: HARUTYUNYAN Avetik R.,LI Xufan. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

Method for Producing Luminescent Particles with a Protective Layer and Luminescent Particles Having a Protective Layer

Номер патента: US20190048466A1. Автор: Tim Fiedler,Frank Jermann,Sonja Tragl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for enabling optimized material deposition

Номер патента: EP3696294A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-08-19.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Touch surface for an electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09598765B2. Автор: Jacques Robert,Stephen Harvey,Xiaoling Liu,Ken Delaney,Changliang LI,Zhaoyang Han,Chienchung CHEN,Jianqing HU,Wei Han LIAO,Tsu Hsien LEE,Yi Ling CAI. Владелец: Logitech Europe SA. Дата публикации: 2017-03-21.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for Producing a Nanoscale Channel Structure

Номер патента: US20230074834A1. Автор: Christoph Schelling. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-09.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods for applying decorative metal films on polymeric surfaces

Номер патента: WO2023183902A1. Автор: Marshall E. LEININGER,Joshua B. Soper. Владелец: Helios Coatings, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for applying decorative metal films on polymeric surfaces

Номер патента: US20230304139A1. Автор: Marshall E. LEININGER,Joshua B. Soper. Владелец: Vergason Technology. Дата публикации: 2023-09-28.

Prototyping station for atomic force microscope-assisted deposition of nanostructures

Номер патента: US20090241232A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Wonyoung Lee,James F. Mack,Andrei Iancu,Neil Dasgupta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials

Номер патента: WO2020005487A1. Автор: Akhil Singhal,Patrick Van Cleemput. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials

Номер патента: US11887846B2. Автор: Akhil Singhal,Patrick Van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Pvd-coated cutting tools and method for making the same

Номер патента: US20170218511A1. Автор: Yixiong Liu,Vineet Kumar,Mark S. Greenfield,Ronald M. Penich,Peter R. Leicht. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

PVD-coated cutting tools and method for making the same

Номер патента: US09650713B2. Автор: Yixiong Liu,Vineet Kumar,Mark S. Greenfield,Ronald M. Penich,Peter R. Leicht. Владелец: Kennamtetal Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Номер патента: US09972501B1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for preparing graphene nanoribbon on insulating substrate

Номер патента: US09328413B2. Автор: Chen Wang,Ji Chen,Xiaoming Xie,Shujie Tang,Guqiao Ding,Mianheng Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for deposition of system of transparent barrier layers

Номер патента: RU2590745C2. Автор: Штеффен ГЮНТЕР,Бьерн МЕЙЕР,Штеффен ШТРАХ,Томас КЮНЕЛЬ,Себастьян БУНК,Николас ШИЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20140102365A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20170121287A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Methods For Spatial Metal Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20180312966A1. Автор: Yihong Chen,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Methods for spatial metal atomic layer deposition

Номер патента: WO2017070634A1. Автор: Yihong Chen,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-04-27.

Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition

Номер патента: EP3061846A2. Автор: Ernst H.A. Granneman,Sebastiaan E. Van Nooten. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-08-31.

Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition

Номер патента: KR101616904B1. Автор: 언스트 에이치.에이. 그라네만,세바스찬 이. 반 누텐. Владелец: 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이.. Дата публикации: 2016-04-29.

System and method for plasma accelerated atomic layer deposition

Номер патента: JP5253149B2. Автор: 司 松田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

An atomic layer process chamber for 3d conformal processing

Номер патента: WO2016153716A1. Автор: WEI Liu,Abhilash J. Mayur,Phillip Stout. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-09-29.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL HETEROSTRUCTURES EuO/Ge

Номер патента: RU2768948C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Иван Сергеевич Соколов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2022-03-25.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for forming cobalt barrier layer and metal interconnection process

Номер патента: US09449872B1. Автор: TONG Lei,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Self-limiting chemical vapor deposition and atomic layer deposition methods

Номер патента: US09607920B2. Автор: Mary EDMONDS,Andrew C. Kummel,Atif M. NOORI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US12055863B2. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for hafnium nitride deposition

Номер патента: EP1613790A1. Автор: Shreyas Kher,Craig Metzner,Steven M. George,M. Noel Rocklein,Yeong Kwan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-01-11.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for preparing antibacterial and dust-removal membrane

Номер патента: US09815029B2. Автор: Zhaoxiang Zhong,Xibo Wu,Zhong YAO. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for eliminating seams in atomic layer deposition of silicon dioxide film in gap fill applications

Номер патента: US09406544B1. Автор: Wei Tang,Bart van Schravendijk,Jason Daejin Park,Kaihan Ashtiani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for manufacturing an interfacial lithium fluoride layer for an electrochemical cell

Номер патента: US12040505B2. Автор: Mei Cai,Meinan HE,Biqiong WANG,Andrew J. Galant,William Osad. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for etching an etch layer

Номер патента: US20240297050A1. Автор: Takumi Yanagawa,Nikhil Dole. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US09646820B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods and systems for atomic layer etching and atomic layer deposition

Номер патента: US11864472B2. Автор: Harold Frank GREER,Andrew D. Beyer,Matthew D. Shaw,Daniel P. Cunnane. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-01-02.

Passivation of silicon dioxide defects for atomic layer deposition

Номер патента: US11993844B2. Автор: Steven Wolf,Andrew Kummel,Michael Breeden,Ashay Anurag. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane

Номер патента: US12033849B2. Автор: Hidemi Suemori,Ryu Nakano,Yuko KENGOYAMA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for manufacturing and reoxidizing a tin/ta2o5/tin capacitor

Номер патента: US20120199947A1. Автор: Mickael Gros-Jean. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for manufacturing and reoxidizing a TiN/Ta2O5/TiN capacitor

Номер патента: US8709907B2. Автор: Mickael Gros-Jean. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2014-04-29.

Method for manufacturing a solar cell with a surface-passivating dielectric double layer, and corresponding solar cell

Номер патента: US09893215B2. Автор: Jan Schmidt,Bram Hoex. Владелец: Hanwha Q Cells Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Coating system and method for coating interior fluid wetted surfaces of a component of a semiconductor substrate processing apparatus

Номер патента: US09873940B2. Автор: Tom Stevenson,LIN Xu,Hong Shih,John Daugherty,John Michael Kerns,Robert Griffith O'Neill,Nash Anderson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for manufacturing nano-gap and angstrom-gap articles

Номер патента: US09777372B2. Автор: Sang-Hyun Oh,Xiaoshu Chen. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2017-10-03.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for liquid precursor atomization

Номер патента: US20130064976A1. Автор: Benjamin Y.H. Liu. Владелец: MSP Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Direct liquid injection system and method for forming multi-component dielectric films

Номер патента: WO2006023501A3. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method for obtaining functionalised sensor tips for atomic force microscopy by means of activated vapour silanisation and tips obtained using said method

Номер патента: US20210293851A1. Автор: José PÉREZ RIGUEIRO,Gustavo Víctor GUINEA TORTUERO,Rafael DAZA GARCÍA,Luis Colchero Paetz. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Дата публикации: 2021-09-23.

Tungsten metal/tungsten nitride enhanced platinum-based ORR catalyst and method for making the same

Номер патента: US12080894B2. Автор: Alan W. Weimer,William MCNEARY. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods for depositing coatings on aerospace components

Номер патента: EP3768874A1. Автор: David Thompson,Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Mark Saly,David Britz,Sukti Chatterjee,Jonathan Frankel,Thomas Knisley,Kaushal Gangakhedkar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for determining the relevant ion and particle flows in I-PVD processes

Номер патента: US20030029727A1. Автор: Alexander Ruf,Alfred Kersch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for creating a copper coating on steel foil for the receiving plate of a tokamak divertor

Номер патента: RU2767920C1. Автор: Александр Александрович Писарев,Татьяна Владимировна Степанова,Нина Михайловна Орешникова,Степан Андреевич Крат,Григорий Михайлович Тарасюк. Владелец: Частное Учреждение По Обеспечению Научного Развития Атомной Отрасли "Наука И Инновации". Дата публикации: 2022-03-22.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing a graphene film

Номер патента: US12037248B2. Автор: Xinyuan Liu,Zhen Song,Fuqiang Huang,Tongping XIU,Hui Bi,Yufeng Tang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for producing a graphene film

Номер патента: US11708271B2. Автор: Xinyuan Liu,Zhen Song,Fuqiang Huang,Tongping XIU,Hui Bi,Yufeng Tang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for forming dielectric film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09991112B2. Автор: Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG,Sun Hye Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for coating pharmaceutical substrates

Номер патента: US20240226018A1. Автор: Aimo Turunen,Pekka Hoppu,Tommi Kaariainen,Marja-Leena KAARIAINEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for coating pharmaceutical substrates

Номер патента: US20150250731A1. Автор: Aimo Turunen,Pekka Hoppu,Tommi Kaariainen,Marja-Leena Kaarianen. Владелец: NovaldMedical Ltd Oy. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for providing a thermal absorber

Номер патента: US09890972B2. Автор: Kaj A. Pischow,Martin Andritschky,Luis Manuel Fernandes Rebouta. Владелец: SAVO-SOLAR OY. Дата публикации: 2018-02-13.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09875893B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09564314B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer

Номер патента: US7494939B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for producing oxynitride film by atomic layer deposition process

Номер патента: US09809490B2. Автор: Satoshi Shibata,Miyuki Nakai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD

Номер патента: US09711345B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for synthesis of transition metal chalcogenide

Номер патента: US09644263B2. Автор: Hyungjun Kim,Youngjun Kim,Jeong-Gyu SONG,Jusang Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for line density multiplication using block copolymers and sequential infiltration synthesis

Номер патента: US09416447B2. Автор: Ricardo Ruiz,Hitesh Arora. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-08-16.

Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition

Номер патента: US8668776B2. Автор: Ling Chen,Vincent Ku,Hua Chung,Norman Nakashima,Dien-Yeh Wu,Alan Ouye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Methods of selective layer deposition

Номер патента: WO2015088899A1. Автор: LIN Zhang,David Thompson,Robert Jan Visser,Jingjing Xu,Huixiong Dai,Timothy Michaelson,Patrick M. Martin,Kadthala R. Narendrnath. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-06-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249629A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of selective layer deposition

Номер патента: US09716012B2. Автор: LIN Zhang,David Thompson,Robert Jan Visser,Jingjing Xu,Huixiong Dai,Timothy Michaelson,Patrick M. Martin,Kadthala R. Narendrnath. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Gas delivery apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: US7780788B2. Автор: Ling Chen,Vincent Ku,Hua Chung,Norman Nakashima,Dien-Yeh Wu,Alan Ouye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20220019149A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-20.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20230259043A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for preparing copper calcium titanate thin film, and copper calcium titanate thin film

Номер патента: EP3656889A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US10615028B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20150255268A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Multi-chamber apparatus and method for ald

Номер патента: EP4244403A1. Автор: Vladimir Kuznetsov,Jacobus Hubertus Maria BEIJERSBERGEN,Simon Cornelis VAN DER LINDE. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for producing GaN-based crystal and semiconductor device

Номер патента: US09595632B2. Автор: Kazutaka Terashima,Suzuka Nishimura,Muneyuki HIRAI. Владелец: SOLARTES LAB Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: EP1570525A1. Автор: TSAI Wilman,Matty Caymax,Jerry Chen,Jan-Willem Maes. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2005-09-07.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: US20090079016A1. Автор: TSAI Wilman,Jan Willem Maes,Mathieu Caymax,Peijun Jerry Chen. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-03-26.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US20240337012A1. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US12054823B2. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20130109199A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for coating a workpiece

Номер патента: US20150340224A1. Автор: Markus Kahn,Helmut Schoenherr,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Method for coating a workpiece

Номер патента: US09478409B2. Автор: Markus Kahn,Helmut Schoenherr,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for Preparing Antibacterial and Dust-removal Membrane

Номер патента: US20170259213A1. Автор: Zhaoxiang Zhong,Xibo Wu,Zhong YAO. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for preventing line bending during metal fill process

Номер патента: US20200144066A1. Автор: Lawrence Schloss,Siew Neo,Michal Danek,Sanjay Gopinath,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Sema Ermez,Adam Jandl. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for etching an etch layer

Номер патента: US12020944B2. Автор: Takumi Yanagawa,Nikhil Dole. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Systems and methods for integrated resputtering in a physical vapor deposition chamber

Номер патента: US09887072B2. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Ching-Hua Hsieh,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Atomic layer deposition of rhenium containing thin films

Номер патента: US11821084B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ald), inhibitor plasma and etching

Номер патента: WO2020014166A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method for semiconductor silicon wafer

Номер патента: US12046469B2. Автор: Takeshi Senda,Shingo Narimatsu. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11830738B2. Автор: Ryu Nakano. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Methods for thin film deposition

Номер патента: US20170032956A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Raija Matero,Jaako Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-02.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for forming copper metal line and semiconductor device including the same

Номер патента: KR100657165B1. Автор: 백인철,이한춘. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-13.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for manufacturing an interfacial lithium fluoride layer for an electrochemical cell

Номер патента: US20240047821A1. Автор: Mei Cai,Meinan HE,Biqiong WANG,Andrew J. Galant,William Osad. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for manufacturing semiconductor structure with material in monocrystalline phase

Номер патента: US20240038528A1. Автор: Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor processing tool and method for passivation layer formation and removal

Номер патента: US20230042277A1. Автор: Chih-Chien Chi,Chia-Pang Kuo,Yao-Min Liu,Shu-Cheng Chin,Cheng-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for producing lithium phosphorus oxynitride layer

Номер патента: US9920426B2. Автор: Hideyuki Koga,Taishi Shiotsuki,Maarit Karppinen,Yohei Shindo,Mikko Nisula. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for producing lithium phosphorus oxynitride layer

Номер патента: US20170067161A1. Автор: Hideyuki Koga,Taishi Shiotsuki,Maarit Karppinen,Yohei Shindo,Mikko Nisula. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Rapid flush purging during atomic layer deposition

Номер патента: US12060639B2. Автор: Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Novy Tjokro,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Pragna NANNAPANENI,Sema Ermez,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US09512519B2. Автор: Ming-Te Chen,Hsing-Jui Lee,Chia-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for forming Si-containing film using two precursors by ALD

Номер патента: US8912101B2. Автор: Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Naoto Tsuji,Antti Juhani Niskanen,Noboru Takamure,Hyung Sang Park. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2014-12-16.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods for non-isothermal wet atomic layer etching

Номер патента: WO2023239495A1. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: EP3215652A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: WO2016072850A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2016-05-12.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: US20170167020A1. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: US20240047196A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20230070312A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Han-Bo-Ram LEE,Eunhyoung Cho. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: EP4241299A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: WO2022119860A9. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Material Us, Llc. Дата публикации: 2023-08-24.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20240014036A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Article and method for manufacturing article

Номер патента: US20120171513A1. Автор: Cong Li,Cheng-Shi Chen,Huann-Wu Chiang,Hsin-Pei Chang,Wen-Rong Chen,Shyan-Juh Liu. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20240060179A1. Автор: Takayuki Hagiwara,Naoto Kameda,Tatsunori SHINO,Ayaka Abe,Soichiro Motoda. Владелец: Meiden Nanoprocess Innovations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Systems and methods for controlling etch selectivity of various materials

Номер патента: WO2013003676A2. Автор: Raashina Humayun,Ronald Powell,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Esther Jeng. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20130267709A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20120107502A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Tungsten metal/tungsten nitride enhanced platinum-based orr catalyst and method for making the same

Номер патента: WO2020087036A1. Автор: Alan W. Weimer,William MCNEARY. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF COLORADO. Дата публикации: 2020-04-30.

Tungsten metal/tungsten nitride enhanced platinum-based orr catalyst and method for making the same

Номер патента: EP3870541A1. Автор: Alan W. Weimer,William MCNEARY. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2021-09-01.

Method for producing a substrate with stacked deposition layers

Номер патента: EP2834391A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Roger Mathias Wilhelm GÖRTZEN,Sebastiaan Antonius Fransiskus DIELISSEN,Joseph Adrianus Maria De Swart. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2015-02-11.

Compositions and methods for thermal spraying a hermetic rare earth environmental barrier coating

Номер патента: US09890089B2. Автор: Glen Harold Kirby,Luc Stephane Leblanc,Nicholas Edward Antolino. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-13.

Nanolaminate coating, related coated items and uses, method for improving resistance of a substrate to corrosion in essentially saline environments, medical device

Номер патента: US20240261467A1. Автор: Tom Blomberg,Riina RITASALO. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD

Номер патента: US09909214B2. Автор: Hidemi Suemori. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods and apparatuses for atomic layer cleaning of contacts and vias

Номер патента: US09362163B2. Автор: Michal Danek,Juwen Gao,Aaron Fellis,Chiukin Steven Lai,Francisco Juarez. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten

Номер патента: US09601339B2. Автор: David Thompson,Srinivas Gandikota,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Steve G. Ghanayem,Xinyu Fu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Ternary tungsten boride nitride films and methods for forming same

Номер патента: US09969622B2. Автор: Wei Lei,Juwen Gao. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2004024981A2. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Martti Sonninen,Bradley J. Aitchison. Владелец: Planar Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-25.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: GB2407586A. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Bradley J Aitchison,Tommy Turkulainen,Pekka Kuosmmanen,Marti Sonninen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Nanolaminate coating, related coated items and uses, method for improving resistance of a substrate to corrosion in essentially saline environments, medical device

Номер патента: EP4341462A1. Автор: Tom Blomberg,Riina RITASALO. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2024-03-27.

Nanolaminate coating, related coated items and uses, method for improving resistance of a substrate to corrosion in essentially saline environments, medical device

Номер патента: WO2022243246A1. Автор: Tom Blomberg,Riina RITASALO. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2022-11-24.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: US8747965B2. Автор: Takayuki Mogi,Yoshinori Kuboshima,Shintaro Higashi,Kaoru KIKUKAWA. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for residue-free anisotropic etching of aluminum and its alloys

Номер патента: WO2000029640A9. Автор: Jeffrey Stokes,Timothy R Webb,Savitha Nanjangud,Marlene Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-09.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components

Номер патента: US11794382B2. Автор: David A. BRITZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten

Номер патента: US11887855B2. Автор: David Thompson,Srinivas Gandikota,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Steve G. Ghanayem,Xinyu Fu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for fabricating articles by sequential layer deposition

Номер патента: US4323756A. Автор: Bernard H. Kear,Clyde O. Brown,Edward M. Breinan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1982-04-06.

Boron atomic layer sheet and laminated sheet, method for manufacturing the same, and liquid crystals

Номер патента: US11795059B2. Автор: Kimihisa Yamamoto,Aiko Watanabe,Tetsuya Kambe,Shotaro IMAOKA. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods for etching via atomic layer deposition (ALD) cycles

Номер патента: US09595466B2. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Mei Chang,Vikash Banthia,Yixiong Yang,Xinyu Fu,Guoqiang JIAN,Jonathan BAKKE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for detecting and measuring a layer deposited on a surface in contact with a liquid medium and detection and measuring sensor implementing the same

Номер патента: EP3710817A1. Автор: Marco Carminati,Andrea Turolla,Manuela ANTONELLI. Владелец: Fondazione Cassa Di Risparmio Delle Province Lombarde. Дата публикации: 2020-09-23.

Method for improving flatness of a layer deposited on polycrystalline layer

Номер патента: US20120190198A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ta-Hone Yang,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for atomic layer etching

Номер патента: US09881807B2. Автор: Alok Ranjan,Mingmei Wang,Sonam SHERPA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for producing an electronic component and electronic component

Номер патента: US09647186B2. Автор: Karsten Heuser,Markus Klein,Ralph Paetzold,Christian Schmid,Tilman Schlenker,Heribert Zull. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-05-09.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Positive electrode for secondary battery, method for manufacturing same, and lithium secondary battery including same

Номер патента: US12040473B2. Автор: Jung Min Han,Wang Mo JUNG,Sung Bin Park,Dong Hun Lee,Hyung Man Cho,Jin Tae Hwang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Laminated coating layer, method for manufacturing same, and method for determining laminated structure

Номер патента: US20220018020A1. Автор: Shigeru Kubota,Masanori Miura,Fumihiko Hirose,Kazuki Yoshida,Kensaku KANOMATA. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2022-01-20.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Manufacturing method for graphene film, porous silica powder and transparent conductive layer

Номер патента: US12049692B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for joint determination of the mass content of cationic impurity elements in compounds of plutonium, neptunium, americium and curium by the atomic emission spectrometry method

Номер патента: RU2764779C1. Автор: Евгений Александрович Ерин,Марс Ильгизерович Хамдеев. Владелец: Акционерное Общество "Наука И Инновации". Дата публикации: 2022-01-21.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

<sup2/>? <sub2/>?x?method for production of lisi <ns1:sub>y</ns1:sub>?o <ns2:sub>z</ns2:sub>?coatings using a single source for li and si and resultant coated products

Номер патента: EP4101017A1. Автор: Malakhi NOKED,Yitzhak Apeloig,Yosi Kratish,Dmitry Bravo-Zhivotovskii,Rosy Sharma. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Materials and methods for corrosion inhibition of atomically thin materials

Номер патента: US20190367743A1. Автор: Ju Li,Cong SU,Zongyou Yin. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for covering particles, especially a battery electrode material particles, and particles obtained with such method and a battery comprising such particle

Номер патента: US09705125B2. Автор: Erik Maria Kelder,Jan Rudolf Van Ommen,John Nijenhuis. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for covering particles, especially a battery electrode material particles, and particles obtained with such method and a battery comprising such particle

Номер патента: US09570734B2. Автор: Erik Maria Kelder,Jan Rudolf Van Ommen,John Nijenhuis. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for Preparing a Sample for Transmission Electron Microscopy

Номер патента: US20210391144A1. Автор: Eric Vancoille,Patrick Carolan,Niels Bosman. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for making nanotube film

Номер патента: US09963347B2. Автор: Yang Wei,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,He MA. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for production of multilayer valuable product with luminescent protective element and multilayer valuable product

Номер патента: RU2632006C2. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Георгий Валентинович Корнилов,Елена Михайловна Федорова,Алексей Борисович Акинин,Сергей Никитович Гончаров,Сергей Сергеевич Моисеев. Владелец: Акционерное общество &#34;Гознак&#34; (АО &#34;Гознак&#34;). Дата публикации: 2017-10-02.

Cyanide-free electrolyte composition and method for the deposition of silver or silver alloy layers on substrates

Номер патента: US09657402B2. Автор: Stefan Schäfer,Thomas B. Richardson. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Oled translucent diffusion substrate and method for making such substrate

Номер патента: RU2693123C2. Автор: Йоунг Сеонг Ли,Дзин Воо Хан,Еуи Дзин ШИН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-07-01.

Method for Producing a Gas Separation Membrane

Номер патента: US20220410077A1. Автор: Jose Manuel Serra Alfaro,Isaac HERRÁIZ CARDONA,Juan Carlos GALLART PEDRO,Francisco José FERRANDO SOLIVA,Juan USÓ VILLANUEVA. Владелец: Kerionics SL. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for obtaining a laminated curved glazing

Номер патента: US20230286253A1. Автор: Florian FLAMARY-MESPOULIE. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2023-09-14.

Mixed metal oxide coatings applied using spatial atomic layer deposition and uses thereof

Номер патента: WO2024184552A1. Автор: Adriaan JEREMIASSE,Johannes Godfried VOS,Anders TREMPENAU,Nitin Puthuval PRASAD. Владелец: Magneto Special Anodes B.V.. Дата публикации: 2024-09-12.

Exhaust gas control device, exhaust gas control system and method for manufacturing exhaust gas control device

Номер патента: RU2744954C1. Автор: Хиромаса НИСИОКА,Хиротака ОРИ,Кодзи СУГИУРА,Наота МИЁСИ,Акэми САТО,Масатоси ИКЭБЭ,Рёта НАКАСИМА,Ясутака НОМУРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-03-17.

Method for the Fabrication of a Reduced Reflectance Metal Mesh

Номер патента: US20180215660A1. Автор: Zhihong Liu. Владелец: 2m Technology LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for manufacturing a miniaturized electrochemical cell and a miniaturized electrochemical cell

Номер патента: US10608238B2. Автор: Serge Ravaine,Stephane Reculusa,Nicolas Mano,Alexander Kuhn,Aleksandar KARAJIC. Владелец: Institut Polytechnique de Bordeaux. Дата публикации: 2020-03-31.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for preparing a doped polypyrrole

Номер патента: WO2012070927A1. Автор: Ahmad Mohd Rais,Alva Sagir,Abd Rashid Norazah,A Aziz Aiman Sajidah. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for preparng a doped polypyrrole

Номер патента: MY150725A. Автор: Mohd Rais Dr Ahmad,Sagir Dr Alva,Norazah Abd Rashid,Aiman Sajidah A Aziz. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-02-28.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Product release system for atomizing compositions containing hair-keratin-reducing or oxidative active ingredients

Номер патента: WO2007002044A1. Автор: Thorsten Cassier,Wilfried Burg,Karin Steinbrecht. Владелец: Wella Aktien Gesellschaft. Дата публикации: 2007-01-04.

Device and method for producing metal powder using an induction coil and an intermediate coil

Номер патента: US20240261857A1. Автор: Sergejs SPITANS,Henrik Franz,Christian Lehnert,Markus WINTON. Владелец: ALD VACUUM TECHNOLOGIES GMBH. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing a curved laminated glazing

Номер патента: US12054421B2. Автор: Juliette JAMART,Florian FLAMARY-MESPOULIE. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-08-06.

Devices and methods for conveying neuron signals to a processing device

Номер патента: US20240257992A1. Автор: Andrew B. Schwartz,May Yoon PWINT. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for processing polyethylene terephthalate waste

Номер патента: RU2754972C1. Автор: Юрий Павлович Сучков,Валентин Николаевич Сапунов,Михаил Сергеевич Воронов,Елена Михайловна Макарова,Георгий Викторович Джабаров,Виолетта Валериевна Шадрина,Павел Алексеевич Орел,Татьяна Андреевна Курнешова,Наталья Сергеевна Коровина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева&#34; (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2021-09-08.

Method for preparing catalyst having conductive oxide protective layer and catalyst prepared thereby

Номер патента: US20200298221A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2020-09-24.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Method for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography having graphene defect healing layer

Номер патента: US11789359B2. Автор: Hyeong Keun Kim,Seul Gi Kim,Hyun Mi Kim,Jin Woo Cho,Jun Hyeok JEON. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for producing a green paper for producing a gas diffusion layer for a fuel cell

Номер патента: US20230317974A1. Автор: Karlheinz Mayer,Alexander TANTSCHER. Владелец: Giesecke and Devrient Currency Technology GmbH. Дата публикации: 2023-10-05.

Atomic layer etching using a boron-containing gas and hydrogen fluoride gas

Номер патента: US20180047577A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method

Номер патента: US20020089677A1. Автор: Lothar Pfitzner,Heiner Ryssel,Volker Tegeder,Claus Schneider,Reinhold Waller,Jurgen Ziegler. Владелец: Infineon Technologies SC300 GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-07-11.

Batch-processing method for super-high aspect ratio diffractive optics

Номер патента: US20170256330A1. Автор: Nicolaie A. Moldovan. Владелец: Alcorix Co. Дата публикации: 2017-09-07.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of growing crystalline layers on amorphous substrates using two-dimensional and atomic layer seeds

Номер патента: US20210217617A1. Автор: Joshua A. Robinson,Natalie BRIGGS. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US5480818A. Автор: Yuji Murata,Junichi Watanabe,Kenichi Oki,Masahiro Okabe,Jun Inoue,Teruhiko Ichimura,Tomotaka Matsumoto,Mari Hodate,Yoshio Nagahiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

Method for recovering latent heat from a heat transfer medium

Номер патента: US4928752A. Автор: Magnus H. Von Platen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-05-29.

Method for recovering latent heat from a heat transfer medium

Номер патента: WO1988007161A1. Автор: Magnus Von Platen. Владелец: Platen M Von. Дата публикации: 1988-09-22.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: WO2000034999A9. Автор: Charles C Yang,Gregory M Wilson,Jon A Rossi. Владелец: Jon A Rossi. Дата публикации: 2001-04-19.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: WO2000034999A3. Автор: Charles C Yang,Gregory M Wilson,Jon A Rossi. Владелец: Jon A Rossi. Дата публикации: 2000-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for Production of LixSiyOz Coatings Using a Single Source for Li And Si and Resultant Coated Products

Номер патента: US20230343934A1. Автор: Malakhi NOKED,Yitzhak Apeloig,Yosi Kratish,Dmitry Bravo-Zhivotovskii,Rosy Sharma. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for production of lixsiyoz coatings using a single source for li and si and resultant coated products

Номер патента: WO2021156867A1. Автор: Malakhi NOKED,Yitzhak Apeloig,Yosi Kratish,Dmitry Bravo-Zhivotovskii,Rosy Sharma. Владелец: BAR-ILAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for via plating with seed layer

Номер патента: US09640431B2. Автор: Ming-Han Lee,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Tz-Jun Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods for increasing the refractive index of high-index nanoimprint lithography films

Номер патента: EP4139745A1. Автор: Amita Joshi,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Rami HOURANI,Andrew Ceballos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Method to stabilize base metal catalysts by overcoating via atomic layer deposition and resulting product

Номер патента: US20160361708A1. Автор: James A. Dumesic,Brandon J. O&#39;Neill. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-12-15.

Light emitting diodes with zinc oxide current spreading and light extraction layers deposited from low temperature aqueous solution

Номер патента: US09653655B2. Автор: Steven P. DenBaars,Daniel B. Thompson,Jacob J. Richardson,Frederick F. Lange,Jin Hyeok Kim. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-16.

Design and methods for measuring analytes using nanofabricated device

Номер патента: EP3317423A1. Автор: Steven Henck. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2018-05-09.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for manufacturing a preform for optical fibers

Номер патента: US11780762B2. Автор: Cedric Gonnet,Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Franco Cocchini,Antonio Schiaffo,Gertjan KRABSHUIS,Antonio Adigrat. Владелец: Prysmian SpA. Дата публикации: 2023-10-10.

Design and methods for measuring analytes using nanofabricated device

Номер патента: US20240060956A1. Автор: Steven Henck. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods for increasing the refractive index of high-index nanoimprint lithography films

Номер патента: WO2021216181A1. Автор: Amita Joshi,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Andrew Ceballos,Ami HOURANI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

And methods for measuring analytes using nanofabricated device

Номер патента: US11754549B2. Автор: Steven Henck. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Surface Emitting Laser, Method For Producing Surface Emitting Laser, Optical Signal Transmission Device, Robot, And Atomic Oscillator

Номер патента: US20190393677A1. Автор: Hiroto TOMIOKA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for producing phosphor panel, phosphor panel, image intensifier and scanning-type electronic microscope

Номер патента: EP3929961A1. Автор: Hiroyuki Watanabe,Yasumasa Hamana,Kenshi SHIMANO,Hiroji NISHIZAWA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-12-29.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

METHODS FOR ETCHING VIA ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) CYCLES

Номер патента: US20160276214A1. Автор: Chang Mei,Ganguli Seshadri,Gandikota Srinivas,Fu Xinyu,Yang Yixiong,Banthia Vikash,JIAN Guoqiang,Bakke Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Method for etching atomic layer

Номер патента: US20240177972A1. Автор: Chin Wook Chung,Jun Young Park,Ji Won JUNG,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,Hong Seong GIL,Hae In KWON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and Method for cleaning object including a layer deposited by organic materials using ionic liquid

Номер патента: KR101520290B1. Автор: 박용석. Владелец: 주식회사 디엠에스. Дата публикации: 2015-05-18.

METHOD FOR STRUCTURING AN ORGANIC ACTIVE LAYER DEPOSITED ON A SUBSTRATE

Номер патента: FR2980913B1. Автор: Marie Heitzmann,Simon Charlot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-04-18.

Method for detecting and measuring a layer deposited on a surface in contact with a liquid medium and detection and measuring sensor implementing the same

Номер патента: WO2019097333A1. Автор: Marco Carminati,Andrea Turolla,Manuela ANTONELLI. Владелец: Fondazione Cassa Di Risparmio Delle Province Lombarde. Дата публикации: 2019-05-23.

Masking methods for ALD processes for electrode-based devices

Номер патента: US20170025272A1. Автор: Ritwik Bhatia. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Masking methods for ALD processes for electrode-based devices

Номер патента: US09633850B2. Автор: Ritwik Bhatia. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal-insulator-metal structure and method for forming the same

Номер патента: US09728597B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Wen-Chuan Chiang,Huey-Chi Chu,Wei-Min Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-производственное предприятие &#34;Пульсар&#34;. Дата публикации: 2017-10-19.

Methods for forming electrically precise capacitors on insulative substrates, and structures formed therefrom

Номер патента: US09552924B2. Автор: JIANG LI,Erik Scher,Patrick Smith,Criswell Choi,Arvind Kamath. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-01-24.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for producing nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2747132C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-28.

A method for manufacturing a battery cell as well as a corresponding battery cell

Номер патента: GB2626584A. Автор: Glossmann Tobias. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for tuning the effective work function of a metal

Номер патента: US09892923B2. Автор: Lars-Ake Ragnarsson,Tom Schram,Hendrik F. W. Dekkers. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Thin-layer encapsulation for an optoelectronic component, method for the production thereof, and optoelectronic component

Номер патента: US09444062B2. Автор: Thomas Dobbertin,Erwin Lang,Dirk Becker,Thilo Reusch. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2016-09-13.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060046421A1. Автор: Yoshitake Kato,Tomoe Yamamoto,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for increasing pattern density in self-aligned patterning schemes without using hard masks

Номер патента: US09786503B2. Автор: Akiteru Ko,Angelique D. Raley,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: US11982918B2. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Wuxi Clearink Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing a memory resistor device

Номер патента: GB2589320A. Автор: Mehonic Adnan,Ng Wing,J Kenyon Anthony. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: EP3785063A1. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Concord HK International Education Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for manufacturing device based on flexible conductor paths, device based on flexible conductor paths and neurostimulation system

Номер патента: RU2695256C2. Автор: Хоа ФАМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-07-22.

Methods for fabricating integrated circuits with controlled p-channel threshold voltage

Номер патента: US20130109166A1. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

System and Method for Maintaining a Smoothed Surface on a MEMS Device

Номер патента: US20180362338A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for manufacturing transparent thin film transistor-based photosensitive device

Номер патента: US20240234619A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Chuan Chiu,Jia-Lin Huang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for maintaining a smoothed surface on a mems device

Номер патента: EP3397587A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-07.

Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process

Номер патента: US09607837B1. Автор: Kunitoshi Namba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for fabricating multiple layers of ultra narrow silicon wires

Номер патента: US09425060B2. Автор: HAO Zhang,Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Jiewen Fan,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for applying a hydrophobic coating to a dry fly for fishing

Номер патента: RU2656963C1. Автор: Марат Олегович Галлямов,Игорь Владимирович Эльманович,Михаил Сергеевич Кондратенко,Дмитрий Олегович Коломыткин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Сверхкритические технологии&#34;. Дата публикации: 2018-06-07.

Deposition methods for uniform and conformal hybrid titanium oxide films

Номер патента: US09881787B2. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Chien-Teh Kao,Chikuang Charles Wang,Pingyan Lei,Yung-Hsin Lee,Xuesong Lu,Xinliang Lu,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju,Juno Yu-Ting Huang,Ghazal Saheli,Benjamin C. Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for composing and executing real-time task-sequencing plan

Номер патента: RU2678469C1. Автор: Венсан ДАВИД,Адриэн БАРБО. Владелец: Кроно-Сейф. Дата публикации: 2019-01-29.

Method for making a perpendicular magnetic recording write head with write pole having thin side gaps and thicker leading gap

Номер патента: US09805747B2. Автор: Suping Song,Brian R. York,Ning Shi,April D. Hixson-Goldsmith,Kyusik Shin. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for encapsulating a chalcogenide material

Номер патента: US09601693B1. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bhadri N. Varadarajan,Seshasayee Varadarajan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Thin-film patterning method for magnetoresistive device

Номер патента: US20090145878A1. Автор: Naoki Ohta,Kazuki Sato,Kosuke Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film

Номер патента: US09899291B2. Автор: Akinori Nakano,Kunitoshi Namba,Yuya Nonaka,Richika Kato,Seiji Okuro. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Fast method for reactor and feature scale coupling in ALD and CVD

Номер патента: US09727672B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09553241B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170154997A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150041802A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for fabricating a fine structure

Номер патента: US09773662B1. Автор: Chi-Wen Liu,Miin-Jang Chen,Po-Hsien Cheng. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601591B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods for semiconductor passivation by nitridation

Номер патента: US09711350B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for making light emitting diode

Номер патента: US20150280054A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for development of oil reservoir of multi-layer oil and gas condensate deposit

Номер патента: RU2737043C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Калинин,Петр Вадимович Пятибратов. Владелец: Петр Вадимович Пятибратов. Дата публикации: 2020-11-24.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for Forming an Extreme Ultraviolet Lithography Pellicle

Номер патента: US20210191255A1. Автор: Ivan Pollentier,Cedric Huyghebaert,Emily Gallagher,Marina Timmermans,Elie Schapmans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-24.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O&#39;Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Method for seismic monitoring of hydraulic fracturing processes in development of hydrocarbon deposits and heat impact processes in development of high-viscosity hydrocarbons

Номер патента: RU2758263C1. Автор: Сергей Александрович Михайлов,Михаил Леонидович Чернов,Мансур Эмерович Сибгатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Сигма». Дата публикации: 2021-10-27.

Apparatus and methods for manipulation of atomic beams

Номер патента: WO2007034174A3. Автор: Ole Steuernagel. Владелец: Ole Steuernagel. Дата публикации: 2007-08-02.

Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure

Номер патента: WO2010085081A2. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

Apparatus and methods for manipulation of atomic beams

Номер патента: WO2007034174A2. Автор: Ole Steuernagel. Владелец: University of Hertfordshire. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods for manufacturing metal gates

Номер патента: EP2842159A1. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Wei Tang,Maitreyee Mahajani,Shih Chung CHEN,Xinyu Fu,Xinliang Lu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Electrically tunable fabry-perot interferometer, an intermediate product an electrode arrangement and a method for producing an electrically tunable fabry-perot interferometer

Номер патента: US20200026063A1. Автор: Martti Blomberg,Hannu Kattelus,Riikka Puurunen. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2020-01-23.

Atomic vapor cell, an integrated atomic/photonic device and apparatus comprising the atomic vapor cell, and a method for fabricating an atomic vapor cell

Номер патента: US20230273278A1. Автор: Roberto Osellame,Andrea ZANONI,Morgan Mitchell,Vito Giovanni Lucivero,Giacomo CORRIELLI. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2023-08-31.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Microfluidic cell fabrication including atomic layer deposition (ald) of calcite layer for eior studies

Номер патента: US20240337614A1. Автор: Ali Abdallah Al-Yousef,Abdulaziz S. Al-Qasim,Subhash C. Ayirala,Ghaida Ahmed ALJUHANI,Dongkyu CHA. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-10-10.

An atomic vapor cell, an integrated atomic/photonic device and apparatus comprising the atomic vapor cell, and a method for fabricating an atomic vapor cell

Номер патента: EP4231032A1. Автор: Roberto Osellame,Andrea ZANONI,Morgan Mitchell,Vito Giovanni Lucivero,Giacomo CORRIELLI. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2023-08-23.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Methods for manufacturing magnetoresistive stack devices

Номер патента: US20240306513A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin Deshpande,Santosh KARRE,Kerry NAGLE. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Systems and methods for enhanced dielectric properties for electrolytic capacitors

Номер патента: US09959978B2. Автор: Michael J. Root,Gregory J. Sherwood,Mary M. Byron. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic cigarette and method for assembling same

Номер патента: US09907340B2. Автор: Qiuming Liu. Владелец: Kimree Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20220208698A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Chao-Cheng Ting,Yu-An Li. Владелец: Pure Metallica Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Klemens Pruegl,Wolfgang Lehnert,Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Methods for manufacturing magnetoresistive stack devices

Номер патента: EP3841624A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Kerry Nagel,Sarin Deshpande,Santosh KARRE. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Method and apparatus for stacking of timber and depositing laths and a method for using a lath

Номер патента: EP2780269A1. Автор: Jan Johansson,Gunnar Marklund,Peter Jonsson. Владелец: Renholmen AB. Дата публикации: 2014-09-24.

Thin-film solar cell module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634157B2. Автор: Hiroki Sugimoto,Keisuke Ishikawa,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-04-25.

Electronic state splitter for atoms, atom interferometer atomic transition frequency measurement device, atomic oscillator, optical lattice clock, quatum computer and method for generating superposition of electronic states of atoms

Номер патента: US20240068872A1. Автор: Hidetoshi Katori. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-02-29.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Device and method for reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20190252247A1. Автор: Hung-Wen Su,Yu-Hung Lin,Ya-Lien Lee,Kuei-Pin Lee,Yu-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Methods for manufacturing batteries and related systems

Номер патента: US20240039008A1. Автор: Yuefeng Luo,Ii Charles James,Prabhu Ganesan. Владелец: Battelle Savannah River Alliance LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Device for atomizing a fluid

Номер патента: WO2017097365A1. Автор: Karin Bauer,Markus BLECHSCHMIDT,Sebastian Schwarz. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods for manufacturing batteries and related systems

Номер патента: WO2024155295A2. Автор: Yuefeng Luo,Prabhu Ganesan,Charles JAMES II. Владелец: Battelle Savannah River Alliance, Llc. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin-film transistor and method for forming the same

Номер патента: US09899534B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Inertial sensor, atomic interferometer, method for adjusting speed and course of atomic beam, and apparatus for adjusting speed and course of atomic beam

Номер патента: AU2021357884B2. Автор: Atsushi Tanaka,Ryotaro INOUE,Mikio KOZUMA,Kento TANIGUCHI. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-06-06.

Inertia sensor, atom interferometer, method for adjusting speed of atom, and device for adjusting speed of atom

Номер патента: EP4206686A1. Автор: Atsushi Tanaka,Ryotaro INOUE,Mikio KOZUMA,Kento TANIGUCHI. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-07-05.

Metal-insulator-metal stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431474B2. Автор: Mihaela Ioana Popovici. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fixing a matrix-free electrophoretically deposited layer on a semiconductor chip for the production of a radiation-emitting semiconductor component, and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09831390B2. Автор: Sebastian Taeger,Hans-Christoph Gallmeier,Ion Stoll,Stefan Hartauer,Gudrun Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits

Номер патента: WO2021146028A1. Автор: Jed D. Whittaker,Mark H. Volkmann,Reza Molavi. Владелец: D-WAVE SYSTEMS INC.. Дата публикации: 2021-07-22.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: US20060174945A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for manufacturing hybrid moisture barrier layer

Номер патента: US11864412B2. Автор: Soon Hyung Kwon. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-01-02.

Metal-insulator-metal structure and method for forming the same

Номер патента: US20160163781A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Wen-Chuan Chiang,Huey-Chi Chu,Wei-Min Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for forming semiconductor device structure with gate electrode layer

Номер патента: US20210183707A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for preparing lamination plan

Номер патента: US20240227051A9. Автор: Shuo Huang. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-material deposition arrangement and method for deposition extrusion

Номер патента: WO2024105305A1. Автор: Tomi Kalpio,Dhayakumar PRAKASH. Владелец: Brinter Oy. Дата публикации: 2024-05-23.

Spray gun with high transfer efficiency and method for use thereof

Номер патента: EP3265237A1. Автор: Bert DELSARD. Владелец: Coatings Foreign Ip Co Llc. Дата публикации: 2018-01-10.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Methods for depositing layers of materials on substrates and structures formed accordingly

Номер патента: US20240302748A1. Автор: Paul Chatelain,Kishan Ashokbhai Patel,Fatemeh Davodi,João Antunes Afonso,Steaphan Mark Wallace. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for forming polyatomic layers

Номер патента: US6800567B2. Автор: Ho Jin Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-05.

Method for isolating semiconductor devices with use of shallow trench isolation method

Номер патента: US7166519B2. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-23.

Surface Treatment Method for Atomically Flattening a Silicon Wafer and Heat Treatment Apparatus

Номер патента: US20160276171A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto,Tomoyuki Suwa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for preparing self-aligned surface channel field effect transistor and power device

Номер патента: US20200373390A1. Автор: CUI Yu,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-11-26.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

A reconstruction method for atom probe tomography

Номер патента: US20230307207A1. Автор: Wilfried Vandervorst,Jan Sijbers,Jan DE BEENHOUWER,Yu-ting LING. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-28.

Systems and methods for facilitating atomic delivery of bundled data sets to applications within distributed systems

Номер патента: US09858132B1. Автор: David Katz,Srinath Bayareddy,Aditya Thakur,Vijay PAUL. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing dummy gate in gate-last process and dummy gate in gate-last process

Номер патента: US09419095B2. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for producing ferroelectric condencer

Номер патента: RU2609591C1. Автор: Олег Михайлович Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Андрей Михайлович Маркеев,Виктор Владимирович Макеев,Анна Георгиевна Черникова,Максим Геннадьевич Козодаев,Роман Александрович Измайлов. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт молекулярной электроники&#34;. Дата публикации: 2017-02-02.

Manufacturing method for carbon nanotube conductive film, display panel and display device

Номер патента: US20220037366A1. Автор: Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Solid-phase source doping method for finfet structure

Номер патента: US20210407860A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Acoustic metamaterial and method for the additive manufacturing thereof

Номер патента: US20240239025A1. Автор: Daniel Therriault,Jacky Novi MARDJONO,Edith-Roland Fotsing,Annie Ross,Josué COSTA BAPTISTA,Jean Boulvert. Владелец: Le Mans Universite. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for Manufacturing Dummy Gate in Gate-Last Process and Dummy Gate in Gate-Last Process

Номер патента: US20140273426A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220029093A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Manufacturing method for lightweight parts combining porous metal substrate and functional resin

Номер патента: US20240269918A1. Автор: Do Sik SHIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Korea Maritime University. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for preparing array substrate and array substrate

Номер патента: US20240297188A1. Автор: Zhen Liu,Hejing ZHANG. Владелец: Chongqing Advance Display Technology Research. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods and systems for layered deposition modelling with reinforced interlayer connections

Номер патента: EP3843976A1. Автор: Tom Heijmans,Jakobus Josephus VAN KESSEL. Владелец: Ultimaker Bv. Дата публикации: 2021-07-07.

Methods and systems for layered deposition modelling with reinforced interlayer connections

Номер патента: WO2020046125A1. Автор: Tom Heijmans,Jakobus Josephus VAN KESSEL. Владелец: Ultimaker B.V.. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for patterning a semiconductor substrate

Номер патента: US09698015B2. Автор: Srinivas D. Nemani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for development of multi-layer deposits of natural gases

Номер патента: RU2722190C1. Автор: Александр Иосифович Пономарев,Рустам Фадисович Ситдиков,Артур Адикович Ибатулин. Владелец: Артур Адикович Ибатулин. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238240A1. Автор: Miin-Jang Chen,Chun-Yuan Wang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-07-27.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE (Vt) WORKFUNCTION METAL BY SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: WO2015138176A1. Автор: David Thompson,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for removing a contamination layer by an atomic layer etching process

Номер патента: EP3649510A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Edwin Te Sligte,Moritz Becker,Yves Lodewijk Maria Creijghton,Fred Roozeboom,Andrea Illiberi. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2020-05-13.

Device and method for additive casting of parts

Номер патента: EP3681721A1. Автор: Gil Lavi,Boaz Vinogradov. Владелец: Magnus Metal Ltd. Дата публикации: 2020-07-22.

Multi-well selenium device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP3400615A1. Автор: Wei Zhao,Amirhossein Goldan. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2018-11-14.

Multi-well selenium device and method for fabrication thereof

Номер патента: US20210111286A1. Автор: Wei Zhao,Amirhossein Goldan. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2021-04-15.

Device and method for additive casting of metallic parts

Номер патента: US20200206810A1. Автор: Gil Lavi,Boaz Vinogradov. Владелец: Magnus Metal Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

System and method for scheduling jobs in a multi-core processor

Номер патента: US20140245308A1. Автор: Olivier Paviot,Filip Moerman,Raphael Defosseux. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for executing atomic memory operations when contested

Номер патента: US12066941B2. Автор: Henry Cook,Wesley Waylon Terpstra,Leigang Kou,John Ingalls. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for executing atomic memory operations when contested

Номер патента: EP4208793A1. Автор: Henry Cook,Wesley Waylon Terpstra,Leigang Kou,John Ingalls. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Method for preventing photoresist poisoning in semiconductor fabrication

Номер патента: US20030040174A1. Автор: Pang Foo,Moitreyee Mukherjee-Roy,Cher Tan. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US12040184B2. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt,Andrew Kretzschmar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems, devices and methods for glucose sensing and associated methods

Номер патента: WO2022044018A3. Автор: Ofer Yodfat,Lior STRAM. Владелец: Tingo Medical Ltd.. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems, devices and methods for glucose sensing and associated methods

Номер патента: US20230301557A1. Автор: Ofer Yodfat,Lior STRAM. Владелец: Tingo Medical Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Multi-well selenium device and method for fabrication thereof

Номер патента: US20200243696A1. Автор: Wei Zhao,Amirhossein Goldan. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2020-07-30.

Liquid for atomization and production method for same

Номер патента: EP4413873A1. Автор: Takuma Nakano,Hirofumi Matsumoto,Hirofumi Fujikura,Mai SUGIURA. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Liquid for atomization and production method for same

Номер патента: US20240245094A1. Автор: Takuma Nakano,Hirofumi Matsumoto,Hirofumi Fujikura,Mai SUGIURA. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for executing atomic memory operations when contested

Номер патента: US20220066936A1. Автор: Henry Cook,Wesley Waylon Terpstra,Leigang Kou,John Ingalls. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for the additive manufacturing of a metal part

Номер патента: US20240189911A1. Автор: Prigent Serge. Владелец: INSTITUT DE RECHERCHE TECHNOLOGIQUE JULES VERNE. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for preparing high-resolution quantum dot (QD) pixelated light-emitting film

Номер патента: US12120941B1. Автор: YU Chen,Chengzhao Luo,Zhenwei Ren. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing thin film solar cell

Номер патента: US09941423B2. Автор: Jeung-Hyun Jeong,Won Mok Kim,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing a trench metal insulator metal capacitor

Номер патента: US09741817B2. Автор: Yakov Roizin,Amos Fenigstein,Michael Lisiansky,Hironori Matsuyoshi,Toshiaki Ohmi. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for providing a perpendicular magnetic anisotropy magnetic junction usable in spin transfer torque magnetic devices using a sacrificial insertion layer

Номер патента: US09559296B2. Автор: Jangeun Lee,Xueti Tang,Dustin William Erickson. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for activating a photocatalytically active outer layer deposited on a composite

Номер патента: US11918979B2. Автор: Jessy Schönfelder,Uwe Vogel,Daniel Gloss,Philipp WARTENBERG,Gaby Gotzmann. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-03-05.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for providing a probe device for scanning probe microscopy

Номер патента: US11480588B2. Автор: Bernd Irmer. Владелец: Nanotools GmbH. Дата публикации: 2022-10-25.

Method for manufacturing and structure for transistors with reduced gate to contact spacing

Номер патента: US20020106875A1. Автор: Mark Rodder,Keith Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for providing a probe device for scanning probe microscopy

Номер патента: US20210318351A9. Автор: Bernd Irmer. Владелец: Nanotools GmbH. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for providing a probe device for scanning probe microscopy

Номер патента: US20200341028A1. Автор: Bernd Irmer. Владелец: Nanotools GmbH. Дата публикации: 2020-10-29.

Systems and methods for producing fine particles

Номер патента: WO2008039647A3. Автор: John Scattergood. Владелец: John Scattergood. Дата публикации: 2008-09-18.

Methods for Fabricating a Low-Resistance Interconnect

Номер патента: US20200411374A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiang-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for making a device for detecting electromagnetic radiation comprising a layer of getter material

Номер патента: US09911785B2. Автор: Jean-Jacques Yon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for maintaining a smoothed and anti-stiction surface on a MEMS device

Номер патента: US10501314B2. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-12-10.

System and method for maintaining a smoothed and anti-stiction surface on a mems device

Номер патента: WO2017114886A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-07-06.

Designer atomic layer etching

Номер патента: WO2018118655A1. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

System and method for maintaining a smoothed and anti-stiction surface on a mems device

Номер патента: EP3397585A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-07.

System and Method for Maintaining a Smoothed and Anti-Stiction Surface on a MEMS Device

Номер патента: US20190016592A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor Wafer With A Heteroepitaxial Layer And A Method For Producing The Wafer

Номер патента: US20090236695A1. Автор: Peter Storck,Martin Vorderwestner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-09-24.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (cmp) process

Номер патента: US20240087907A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for determining the shape of a sample tip for atom probe tomography

Номер патента: US20190277881A1. Автор: Wilfried Vandervorst,Kristof Paredis,Claudia Fleischmann. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-12.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US20030092275A1. Автор: Chun Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384374A1. Автор: Ju Eun Kim,Youn Joon Sung,Dong Woo Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

A method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering

Номер патента: EP1192650A2. Автор: Charles Chiun-Chieh MEMC El. Mat. Inc. YANG,Darrell D. MEMC Elec. Materials Inc. WATKINS. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming interconnect structure

Номер патента: US09716034B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Mu-Yi Lin,Bor-Zen Tien,Tzong-Sheng Chang,Jhu-Ming Song,Hsuan-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Spraying method and nozzle for atomization of a liquid

Номер патента: US09421508B2. Автор: Gianfranco Bedetti. Владелец: Casale SA. Дата публикации: 2016-08-23.

A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device

Номер патента: EP2748903A2. Автор: Silke Traut,Stephanie Saintenoy. Владелец: II VI Laser Enterprise GmbH. Дата публикации: 2014-07-02.

A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device

Номер патента: WO2013027041A2. Автор: Silke Traut,Stephanie Saintenoy. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

Atomic layer deposition

Номер патента: US20100279515A1. Автор: Chen-Hua Yu,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for creating part with localized magnetic properties using material extrusion additive manufacturing

Номер патента: US20240217174A1. Автор: Qigui Wang,Jeffrey Harris,Stanley Tong,Rachel Nederhoed. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating a patterned fd-soi wafer

Номер патента: US20240170325A1. Автор: Bomy Chen,Steve Nagel. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US12100598B2. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fabricating a patterned fd-soi wafer

Номер патента: WO2024107824A1. Автор: Bomy Chen,Steve Nagel. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for chemically etching a target layer

Номер патента: US20240363358A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH,René Henricus Jozef Vervuurt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for creating part with localized magnetic properties using material extrusion additive manufacturing

Номер патента: US12042990B1. Автор: Qigui Wang,Jeffrey Harris,Stanley Tong,Rachel Nederhoed. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Separated parallel beam generation for atom interferometry

Номер патента: US09952154B2. Автор: Adam Kelsey,Matthew A. SINCLAIR,Richard E. Stoner. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus and method for atomic force probing/SEM nano-probing/scanning probe microscopy and collimated ion milling

Номер патента: US09470712B1. Автор: Terence L. Kane,Jochonia N. Nxumalo,Matthew F. Stanton,Robert P. Marsin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods for fabricating a memory device with an enlarged space between neighboring bottom electrodes

Номер патента: US09349952B1. Автор: Jun Okuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for forming ultra-shallow boron doping regions by solid phase diffusion

Номер патента: US20120252197A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for forming ultra-shallow boron doping regions by solid phase diffusion

Номер патента: US20140073122A1. Автор: Robert D Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US9190462B2. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Method for edge sealing barrier films

Номер патента: EP2373487A1. Автор: Paul E. Burrows,Xi Chu,Peter M. Martin,Wendy D. Bennett,Gordon L. Graff,Mark E. Gross,Eric S. Mast,Charles C. Bonham,Martin Philip Rosenblum. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Semiconductor Device and Method for Low Resistive Thin Film Resistor Interconnect

Номер патента: US20120280360A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US20150008560A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Three-Dimensional Calibration Structures and Methods for Measuring Buried Defects on a Three-Dimensional Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180224749A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Systems and methods for performing in-situ deposition of sidewall image transfer spacers

Номер патента: US09972502B2. Автор: Stefan Schmitz,Jae Ho Lee,Changwoo Lee,Michael Goss,Noel Sun,Phil Friddle,Naveed Ansari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for forming 2-dimensional self-aligned vias

Номер патента: US09847252B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul Naik,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for fabricating nanoantenna array, nanoantenna array chip and structure for lithography

Номер патента: US09726788B2. Автор: Inho Kim,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Doo Seok Jeong,Kyeong Seok Lee,Wook Seong LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-08-08.

Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same

Номер патента: US09557636B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for forming interconnection structures

Номер патента: US09496172B2. Автор: HUI Wang,Jian Wang,Zhaowei Jia. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for forming ultra-shallow boron doping regions by solid phase diffusion

Номер патента: US20150072510A1. Автор: Robert D Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Electrostatic Coating Device for Resin Molded Articles and Electrostatic Coating Method for Resin Molded Articles

Номер патента: MY195863A. Автор: Koji Umeki,Takahiro Yamato. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for producing compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8513118B2. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Three-dimensional calibration structures and methods for measuring buried defects on a three-dimensional semiconductor wafer

Номер патента: WO2018144956A1. Автор: Robert M. Danen,Philip Measor. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-09.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Wafer-level methods for making apertured lenses involving sequential layering of biplanar transparent film, opaque layer, spacer wafer, and lens wafer

Номер патента: US09921393B2. Автор: Chia-Yang Chang,Min Ching Kao. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method and apparatus for atomic layer etching

Номер патента: US11784029B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON,Jong Ki An,Tian Hao HAN. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for atomic layer etching

Номер патента: US20220059325A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON,Jong Ki An,Tian Hao HAN. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: WO2020223152A1. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: US11935758B2. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: US20240186150A1. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Atomic layer deposition encapsulation

Номер патента: WO2009061704A3. Автор: Arrelaine Dameron,Neil Gough. Владелец: Hcf Partners L P. Дата публикации: 2009-08-20.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US09508903B2. Автор: Martin Müller,Tilman Schlenker,Alfred Lell,Michael Fehrer,Uwe Strauβ,Sönke TAUTZ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for improving the echogenic properties of needles for targeted puncture and aspiration biopsy

Номер патента: RU2763819C1. Автор: Разин Мирзекеримович Рагимов,Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Наида Муртазалиевна Абдуллаева,Алексей Алексеевич Донских,Патимат Абдурахмановна Каландарова. Владелец: Разин Мирзекеримович Рагимов. Дата публикации: 2022-01-11.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120018817A1. Автор: Ouyang Hui,Yi-Chen Huang,Matt Yeh,Fan-yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for producing a semiconductor device with surrounding gate transistor

Номер патента: US20150140755A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Device and method for preparing a spray-dried product

Номер патента: AU684420B2. Автор: Antonius Johannes Maria Bouman,Antonius Cornelis Boersen. Владелец: Stork Friesland BV. Дата публикации: 1997-12-11.

Device and method for preparing a spray-dried product

Номер патента: AU5592696A. Автор: Antonius Johannes Maria Bouman,Antonius Cornelis Boersen. Владелец: Stork Friesland BV. Дата публикации: 1997-01-09.

Method for forming stack capacitor

Номер патента: US20080261364A1. Автор: Chien-Li Cheng,Chih-Chiang Kuo,Tsung-Shin Wu,Shian-Hau Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for improving height difference between gates

Номер патента: US20240021434A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for reducing morphological difference between n-doped and undoped polysilicon gates after etching

Номер патента: US20130316539A1. Автор: Chao FANG,Hsusheng CHANG,Zaifeng TANG,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Device and methods for writing and erasing analog information in small memory units via voltage pulses

Номер патента: US09947379B1. Автор: Albert Alec Talin,Farid El Gabaly Marquez. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods for stiction reduction in MEMS sensors

Номер патента: US09926192B2. Автор: Cerina Zhang,Nim Tea. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing thin-film support beam

Номер патента: US09862595B2. Автор: Errong JING. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for depositing insulating film on recessed portion having high aspect ratio

Номер патента: US09818604B2. Автор: Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim,Choon-Sik JEONG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for fabricating self-aligned resistive/magnetic memory cell

Номер патента: US09711714B2. Автор: Makoto Nagashima. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods for post-epitaxial warp prediction and control

Номер патента: US09601395B2. Автор: Sumeet S. Bhagavat,Roland R. Vandamme. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Monolayer touch screen and method for manufacturing the same

Номер патента: US09483147B2. Автор: WEI Liu,Genchu Tang,Bin Tang,Shengcai Dong. Владелец: Shenzhen OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for qualitative and quantitative determination of tetracycline and penicillin antibiotics in milk and milk products

Номер патента: RU2739074C1. Автор: Александр Викторович Долганов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Тестер-М&#34;. Дата публикации: 2020-12-21.

Method for manufacture of three-layer frame for bile duct prosthetics

Номер патента: RU2630061C1. Автор: Тимофей Евгеньевич Григорьев,Сергей Николаевич Чвалун,Сергей Владимирович Крашенинников,Михаил Евгеньевич Крашенинников,Алексей Валерьевич Люндуп,Татьяна Геннадьевна Дюжева,Илья Дмитриевич Клабуков,Алексей Дмитриевич Шепелев,Виссарион Георгиевич Мамагулашвили,Тимур Хасянович Тенчурин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Первый Московский государственный медицинский университет имени И.М. Сеченова Министерства здравоохранения Российской Федерации (Сеченовский университет). Дата публикации: 2017-09-05.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Video rate-enabling probes for atomic force microscopy

Номер патента: EP2108118A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Lee Chung Hoon. Дата публикации: 2009-10-14.

Video rate-enabling probes for atomic force microscopy

Номер патента: WO2008094688A9. Автор: . Владелец: Lee Chung Hoon. Дата публикации: 2008-12-24.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US6649526B2. Автор: Chun Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for producing a particle protection element, in particular a particle filter, for a membrane of a pressure sensor, particle protection element, method for producing a pressure sensor, and pressure sensor

Номер патента: US20240359975A1. Автор: Heribert Weber,Peter Schmollngruber,Franziska Rohlfing,Sophielouise Mach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-31.

Device and method for making photomask assembly and photodetector device having light-collecting optical microstructure

Номер патента: US09547231B2. Автор: Tak Kui Wang,Laura M. Giovane,Ramana M. V. Murty. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation

Номер патента: US09425041B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily,Dina H. Triyoso,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: WO2022035618A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara Tapily,Dina H. Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: US11270912B2. Автор: Christopher Wilson,Martin O&#39;Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-08.

Method for improving size of contact holes of FDSOI device

Номер патента: US11271012B1. Автор: Tonghui Wang,Changfeng Wang,Duanquan LIAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Method for Forming a Via Hole Self-aligned with a Metal Block on a Substrate

Номер патента: US20210183698A1. Автор: Christopher Wilson,Martin O&#39;Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Performing atomic layer etching using a silane-based chemistry

Номер патента: WO2024211411A1. Автор: James Sims,Ryan James GASVODA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220102194A1. Автор: SHANG Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12014950B2. Автор: SHANG Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Multi-silicide structure for a semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US12040375B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

3D atomic layer gate or junction extender

Номер патента: US09318318B1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Pouya Hashemi,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for forming L-shaped spacers with precise width control

Номер патента: US6664156B1. Автор: Jia Zhen Zheng,Eng Hua Lim,Wenhe Lin,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-12-16.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US11942546B2. Автор: Kuan-Ting Chen,Min-Hung Lee,Shu-Tong Chang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2024-03-26.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Method for forming multi-component layer, method for forming multi-component dielectric layer and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130171797A1. Автор: Jae-Hyoung Koo,Ji-hoon Ahn,Kwan-Woo Do,Kee-Jeung Lee,Kyung-Woong Park,Woo-young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Methods for preparing a titanium oxide film and a composite film comprising the same

Номер патента: US20160118243A1. Автор: Feng-Yu Tsai,Yuan-Yu Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-04-28.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for producing a green paper for producing a gas diffusion layer for a fuel cell

Номер патента: US20230411632A1. Автор: Karlheinz Mayer,Mario Keller,Alexander TANTSCHER. Владелец: Giesecke and Devrient Currency Technology GmbH. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240153873A1. Автор: Yu-Hsin Wu,Hui Tzu CHAN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220216049A1. Автор: LU Gan,Wenguang Zhang,Weiwei Wu,Chunsheng Zheng,Lanfang SHI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Endpoint detection algorithm for atomic layer etching (ale)

Номер патента: SG11201901731WA. Автор: Yan Chen,Jason Ferns,Xinkang Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Apparatus and method for measuring intermolecular interactions by atomic force microscopy

Номер патента: EP1076803A1. Автор: Gil U. Lee,John-Bruce Devault Green. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2001-02-21.

Apparatus and method for measuring intermolecular interactions by atomic force microscopy

Номер патента: AU3970199A. Автор: Gil U. Lee,John-Bruce Devault Green. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1999-11-29.

Apparatus and method for measuring intermolecular interactions by atomic force microscopy

Номер патента: EP1076803A4. Автор: Green John-Bruce Devault,Gil U Lee. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2001-07-25.

Sensor device capable of measuring electric field intensity and method for measuring external electric field

Номер патента: EP4400837A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Takeshi Maruyama,Takeshi Kudo,Manoharan MURUGANATHAN,Afsal KNAREEKUNNAN. Владелец: Otowa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Single junction type cigs thin film solar cell and method for manufacturing the thin film solar cell

Номер патента: US20120103418A1. Автор: Won Seok Han,Yong-Duck Chung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-05-03.

A sensor device capable of measuring electric field strength of an external electric field and method for measuring external electric field

Номер патента: US20240295596A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Takeshi Maruyama,Takeshi Kudo,Manoharan MURUGANATHAN,Afsal KNAREEKUNNAN. Владелец: Otowa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Photoresist stripping solution, stripping solution recycling system and operating method, and method for recycling stripping solution

Номер патента: SG194145A1. Автор: Koji Shimizu,Norio Yamaguchi,Masahiko Aikou,Shinichirou Fuchigami,Hiroyoshi Takezawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-11-29.

Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source

Номер патента: US09558939B1. Автор: Nyles Cody,Robert Stephenson. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Atomic layer deposition of iii-v compounds to form v-nand devices

Номер патента: US20220028870A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-27.

Fluid-ejection devices and a deposition method for layers thereof

Номер патента: US7025894B2. Автор: Arjang Fartash,Samson Berhane,Ulrich E. Hess. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-11.

Method for Fabricating Multiple Layers of Ultra Narrow Silicon Wires

Номер патента: US20160181114A1. Автор: HAO Zhang,Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Jiewen Fan,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Fast method for reactor and feature scale coupling in ald and cvd

Номер патента: US20160253441A1. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for implementing an efficient and economical cathode process

Номер патента: WO2003030185A9. Автор: Kazuo Kikuchi,Jueng-gil Lee,Hidenori Kemmotsu,Matthew A Bonn. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for implementing an efficient and economical cathode process

Номер патента: WO2003030185A1. Автор: Kazuo Kikuchi,Jueng-gil Lee,Hidenori Kemmotsu,Matthew A. Bonn. Владелец: Candescent Intellectual Property Services, Inc.. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for fabricating an asymmetric sot-mram memory cell unit, and memory cell unit obtained by implementing this method

Номер патента: US20240260478A1. Автор: Gilles Gaudin,Ioan Mihai Miron,Olivier Boulle,Dafine Ravelosona. Владелец: Universite Paris Saclay. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method for determining a temperature of an object

Номер патента: US20210394448A1. Автор: Erwin Ruiz,Linn C. Hoover,Douglas K. Herrmann,David M. Kerxhalli,Derek A. Bryl,Ali R. Dergham,Christopher Douglas Atwood. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Selective atomic layer etching

Номер патента: WO2020005486A1. Автор: Eric Hudson,Nerissa Draeger,Andrew Clark SERINO,Chia-Chun Wang,Zhonghao Zhang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-02.

Apparatus and method for a diamond substrate for a multi-layered dielectric diffraction grating

Номер патента: US09835778B1. Автор: Eric C. Honea,Andrew Xing. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices

Номер патента: US11956977B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11778922B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403946A1. Автор: Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li,Kun-Yuan Laio. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure

Номер патента: EP2389689A2. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

System and method for an improved personal vaporization device

Номер патента: US20190272359A1. Автор: Andrew Stewart,Peter Popplewell,Steven Penney. Владелец: Canopy Growth Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method for manufacturing microfabrication apparatus

Номер патента: US6387713B2. Автор: Masaki Hara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-14.

System and method for etching organic anti-reflective coating from a substrate

Номер патента: WO1999030360A1. Автор: YAN Ye,Chun Yan,Diana Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-06-17.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

Vapor cell and method for making same

Номер патента: US09948314B2. Автор: Terrence Edward Dyer,Nathan Luke Brockie. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Vapor cell and method for making same

Номер патента: US09639062B2. Автор: Terrence Edward Dyer,Nathan Luke Brockie. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Orbital mixer machine learning method for predicting an electronic structure of an atomic system

Номер патента: US20230359929A1. Автор: Jonathan MAILOA,Mordechai Kornbluth,Jeremy KOLTER,Devin Willmott,Ivan BATALOV,Kirill SHMILOVICH. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Sample, method for manufacturing sample, and method for measuring infrared absorption spectrum

Номер патента: US20230236221A1. Автор: Yuji Yamada,Takehiro Nakai,Machiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Systems and methods for controlling a high-density automated storage and retrieval system having pseudo-continuous motion

Номер патента: WO2024112565A1. Автор: Herman Herman,Gabriel GOLDMAN,Ryan Sarver,Nishant POL. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for coating lenses with lenslets with an improved control on power shift

Номер патента: US20240286368A1. Автор: Hélène GUILLOU,Olivier DUC. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2024-08-29.

Oscillator and method of making for atomic force microscope and other applications

Номер патента: US20080128385A1. Автор: Frederick Sachs,Arthur Beyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor structure for providing strained crystalline layer on insulator and method for fabricating same

Номер патента: US20060088979A1. Автор: Frederic Dupont,Cecile Aulnette,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for fabrication of floating gate in semiconductor device

Номер патента: US20090176320A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for etching a silicon containing surface

Номер патента: WO2019048693A1. Автор: Maxim Kelman,Clement Merckling,M. Ziaul Karim,Elie Schapmans,Francesco BUTTITTA,Sergej PASKO. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same

Номер патента: US09520578B2. Автор: Dohyung Kim,Taro Hasumi,Sangmoo Song,Jino Lee,Jungchul Kim,Sehwan NA. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Pressure releasing method for atomic power station, pressure releasing system for atomic power station and respective atomic power station

Номер патента: RU2548170C2. Автор: Бернд ЭККАРДТ,Норберт ЛОШ,Карстен ПАСЛЕР. Владелец: Арефа Гмбх. Дата публикации: 2015-04-20.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Gradient atomic layer deposition

Номер патента: US20200006132A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces

Номер патента: US20200161140A1. Автор: Thomas E. Seidel,Michael Current. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Two-dimensional material printer and transfer system and method for atomically layered materials

Номер патента: US11999146B2. Автор: Rohit Anil HEMNANI,Volker J. Sorger. Владелец: George Washington University. Дата публикации: 2024-06-04.

Methods for the synthesis of arrays of thin crystal grains of layered semiconductors SnS2 and SnS at designed locations

Номер патента: US09761446B2. Автор: Haibing Peng,Guoxiong Su,Debtanu De. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O&#39;Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods for manufacturing magnetoresistive stack devices

Номер патента: EP4336991A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Kerry Nagel,Sarin Deshpande,Santosh KARRE. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Method for forming an extreme ultraviolet lithography pellicle

Номер патента: US11599019B2. Автор: Ivan Pollentier,Cedric Huyghebaert,Emily Gallagher,Marina Timmermans,Elie Schapmans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-03-07.

Methods for manufacturing magnetoresistive stack devices

Номер патента: US12022738B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Kerry Nagel,Sarin Deshpande,Santosh KARRE. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

System and method for forming aluminum fuse for compatibility with copper beol interconnect scheme

Номер патента: US20130320488A1. Автор: Thomas L. McDevitt,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Timothy H. Daubenspeck,Felix P. Anderson,Timothy S. Hayes,Donald R. Letourneau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20150295057A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Sram cell having improved polysilicon resistor structures and method for forming the same

Номер патента: WO1997022148A1. Автор: Kuang-Yeh Chang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-19.

Patterning method for semiconductor device and structures resulting therefrom

Номер патента: US20200006082A1. Автор: Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods for forming polycrystalline channel on dielectric films with controlled grain boundaries

Номер патента: US12057321B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for making solid-state lithium-ion batteries

Номер патента: WO2024173383A2. Автор: John C. Brewer,Terrence R. O&#39;Toole,Robert G. ANSTEY,Alexander J. WARREN. Владелец: Graphenix Development, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for making quantitative analysis of nickel

Номер патента: US20030123607A1. Автор: Binn Kim,Kyu Park,Hyun Kwon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Micro-electro-mechanical-system device with particles blocking function and method for making same

Номер патента: US20110108934A1. Автор: Chuan Wei WANG,Sheng Ta Lee. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Micro-Electro-Mechanical-System Device with Particles Blocking Function and Method for Making Same

Номер патента: US20100148321A1. Автор: Chuan Wei WANG,Sheng Ta Lee. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Methods for making solid-state lithium-ion batteries

Номер патента: WO2024173383A3. Автор: John C. Brewer,Terrence R. O&#39;Toole,Robert G. ANSTEY,Alexander J. WARREN. Владелец: Graphenix Development, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for making quantitative analysis of nickel

Номер патента: US6829328B2. Автор: Binn Kim,Kyu Ho Park,Hyun Ja Kwon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-07.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing

Номер патента: US09865572B2. Автор: Byungjoon Rhee,Kyoungtae WI,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for producing surrounding gate semiconductor device

Номер патента: US09842902B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

EMI package and method for making same

Номер патента: US09818698B2. Автор: Der-Chyang Yeh,Chuei-Tang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Molecular layer deposition

Номер патента: KR20070084683A. Автор: 성명모. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-27.

Method for manufacturing high performance multi layer ceramic capacitors

Номер патента: WO2012093081A1. Автор: Robert Mamazza Jr.,Glyn Jeremy Reynolds. Владелец: OC OERLIKON BALZERS AG. Дата публикации: 2012-07-12.

Nanoscale sofc electrode architecture engineered using atomic layer deposition

Номер патента: WO2016099607A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Kirk Gerdes,Shiwoo Lee. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Flavor-generating device, power supply unit, method for controlling flavor-generating device, and program

Номер патента: US12029254B2. Автор: Hajime Fujita,Takuma Nakano,Keiji MARUBASHI. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods for fabricating artificial neural networks (ANN) based on doped semiconductor resistive random access memory (RRAM) elements

Номер патента: US11024803B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Flavor-generating device, power supply unit, method for controlling flavor-generating device, and program

Номер патента: US20240315352A1. Автор: Hajime Fujita,Takuma Nakano,Keiji MARUBASHI. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Atomic layer etch and ion beam etch patterning

Номер патента: US12080562B2. Автор: YANG Pan,Girish Dixit,Samantha SiamHwa Tan,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Experimentation method for coal-methanol wells using optical fiber

Номер патента: RU2667531C1. Автор: Станислав Станиславович Золотых,Олег Анатольевич Швалов,Артем Павлович Коровицын,Артур Винерович Альмухаметов,Евгений Владимирович Кудинов,Кирилл Викторович Поршнев,Кирилл Геннадьевич Дятлов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Газпром добыча Кузнецк&#34;. Дата публикации: 2018-09-21.

Method for strengthening 3d-printed structures

Номер патента: RU2750426C1. Автор: Юлия Александровна Лопатина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ&#34; (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2021-06-28.

Apparatus and method for viewing an industrial process such as a molten metal atomization process

Номер патента: US5520371A. Автор: Russell S. Miller,Steven A. Miller. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-05-28.

Smoking device and method for aerosol-generation

Номер патента: CA3013531C. Автор: Oleg Mironov,Jerome Christian Courbat. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-05-28.

Aerosol generation device, method for controlling aerosol generation device, and program

Номер патента: EP4331403A1. Автор: Ryo Yoshida,Takashi Fujiki,Hiroshi Kawanago,Tatsunari AOYAMA,Toru NAGAHAMA. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Methods for Fabricating Artificial Neural Networks (ANN) Based on Doped Semiconductor Elements

Номер патента: US20180294410A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Micromechanical component, intermediate product produced by a manufacturing method, and manufacturing method for a micromechanical component

Номер патента: US20130044363A1. Автор: Jochen Reinmuth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-21.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4322203A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Conservation System and Method for Cleaning Produce through Mist Immersion in an Atomized Aqueous Medium

Номер патента: US20190262873A1. Автор: Gene HSU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-29.

Atomic electron state splitter, atomic interferometer, atomic transition frequency measurement device, atomic oscillator, optical lattice clock, quantum computer, and method for generating superposition states of electron states of atom

Номер патента: EP4300727A1. Автор: Hidetoshi Katori. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-01-03.

Self-assembled monolayers as an etchant in atomic layer etching

Номер патента: US20190189462A1. Автор: Eric Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Self-assembled monolayers as an etchant in atomic layer etching

Номер патента: WO2019125721A1. Автор: Eric Hudson. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-27.

Hydrogen activated atomic layer etching

Номер патента: US09779956B1. Автор: Xin Zhang,Gerardo Delgadino,Daniel Le,Alan Jensen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ&#34;. Дата публикации: 2021-08-17.

Inertial sensor, atomic interferometer, method for adjusting speed and course of atomic beam, and apparatus for adjusting speed and course of atomic beam

Номер патента: US20230332893A1. Автор: Atsushi Tanaka,Ryotaro INOUE,Mikio KOZUMA,Kento TANIGUCHI. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for reducing ALD (atom layer deposition) process pipeline particles

Номер патента: CN102703882A. Автор: 江润峰. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

APPARATUS AND PROCESS FOR ATOMIC OR MOLECULAR LAYER DEPOSITION ONTO PARTICLES DURING PNEUMATIC TRANSPORT

Номер патента: US20120009343A1. Автор: VAN OMMEN Jan Rudolf. Владелец: Delft University of Technology. Дата публикации: 2012-01-12.

METHOD FOR IMPROVING FLATNESS OF A LAYER DEPOSITED ON POLYCRYSTALLINE LAYER

Номер патента: US20120190198A1. Автор: Luoh Tuung,Chen Kuang-Chao,Yang Ta-Hone,Yang Ling-Wu. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-26.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for preservation and isolation anthropogenic deposits

Номер патента: RU2547869C1. Автор: Юрий Дмитриевич Смирнов,Мария Анатольевна Пашкевич,Татьяна Анатольевна Петрова,Александр Евгеньевич Исаков,Дмитрий Олегович Акименко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Национальный минерально-сырьевой университет &#34;Горный&#34;. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for producing printhead interconnection structure incorporating thin-film resistor

Номер патента: RU2263998C2. Автор: В.А. Хрусталев,М.И. Лукасевич,А.Н. Еременко,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко,С.В. Нефедьев. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;НИИ молекулярной электроники и завод &#34;Микрон&#34;. Дата публикации: 2005-11-10.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making intraosseous carbon-nanocoated dental implant

Номер патента: RU2490032C1. Автор: Владимир Николаевич Лясников,Владимир Владимирович Перинский,Орынгали Джулдгалиевич Муктаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.&#34; (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2013-08-20.

Method for automatic switching of electric circuits and device therefor

Номер патента: RU2583765C1. Автор: Александр Владимирович Грачков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии &#34;Росатом&#34; - Госкорпорация &#34;Росатом&#34;. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for atomic layer growing of thin films of chemical compounds on substrates

Номер патента: RU2472870C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дарья Сергеевна Михайлова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Сибирская государственная геодезическая академия&#34; (ГОУВПО &#34;СГГА&#34;). Дата публикации: 2013-01-20.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for deposition of heat-protective coating

Номер патента: RU2247792C2. Автор: Л.Х. Балдаев,В.А. Лупанов,Н.Г. Шестеркин,А.П. Шатов,Г.И. Зубарев,М.М. Гойхенберг. Владелец: Балдаев Лев Христофорович. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for making bioactive coated endosseous implant

Номер патента: RU2530573C1. Автор: Александра Владимировна Лясникова,Олеся Александровна Дударева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.&#34; (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2014-10-10.

Method for producing heteroepitaxial structures insb/gaas

Номер патента: RU2063094C1. Автор: А.А. Величко,В.А. Илюшин. Владелец: Илюшин Владимир Александрович. Дата публикации: 1996-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.