Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1
Опубликовано: 11-11-2004
Автор(ы): Arthur Sherman
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

Reducing Autodoping of III-V Semiconductors By Atomic Layer Epitaxy (ALE)

Номер патента: US20170004969A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Atomic layer deposition using electron bombardment

Номер патента: US20050284360A1. Автор: Neal Rueger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Atomic layer deposition using electron bombardment

Номер патента: US7628855B2. Автор: Neal R. Rueger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Atomic layer deposition using photo-enhanced bond reconfiguration

Номер патента: US20050148206A1. Автор: Scott Hareland,Robert Chau,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Methods for depositing thin films comprising gallium nitride by atomic layer deposition

Номер патента: US20130012003A1. Автор: Antti Niskanen,Suvi Haukka,Viljami J. Pore. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Atomic layer deposition device and fabricating method of atomic layer using the same

Номер патента: KR20100099917A. Автор: 이동현,윤상현,김영대,서진욱,정윤모,최보경,안지수,홍종원,정민재,양태훈,이기용,강유진,박병건,이길원,나흥열,박종력,정재완,장석락. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2010-09-15.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US09512519B2. Автор: Ming-Te Chen,Hsing-Jui Lee,Chia-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2004024981A2. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Martti Sonninen,Bradley J. Aitchison. Владелец: Planar Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-25.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: GB2407586A. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Bradley J Aitchison,Tommy Turkulainen,Pekka Kuosmmanen,Marti Sonninen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Atomic layer junction oxide and preparing method thereof

Номер патента: US9786801B2. Автор: Jaichan Lee,Bongwook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-10.

Multi-atomic layered materials

Номер патента: US20190292061A1. Автор: Ihab N. Odeh,Nitin Chopra. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2019-09-26.

Multi-atomic layered materials

Номер патента: US11046585B2. Автор: Ihab N. Odeh,Nitin Chopra. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2021-06-29.

Multi-atomic layered materials

Номер патента: EP3484818A1. Автор: Ihab N. Odeh,Nitin Chopra. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2019-05-22.

Boron atomic layer sheet and laminated sheet, method for manufacturing the same, and liquid crystals

Номер патента: US11795059B2. Автор: Kimihisa Yamamoto,Aiko Watanabe,Tetsuya Kambe,Shotaro IMAOKA. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-10-24.

Atomic layer junction oxide and preparing method thereof

Номер патента: US20170033246A1. Автор: Jaichan Lee,Bongwook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-02-02.

Process and technical arrangement to study nuclear fission by using single atomic layers of nuclear materials with a single crystal structure grown onto undamaged, miniature single crystal hollow body surfaces, which serve as a seeding platform

Номер патента: US20110142184A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Rf sputtering apparatus for controlling atomic layer of thin film

Номер патента: EP4230763A1. Автор: Se Young Jeong,Sang Eon Park,You Sil LEE,Su Jae Kim,Mi Yeon CHEON. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-08-23.

Rf sputtering apparatus for controlling atomic layer of thin film

Номер патента: US20230374652A1. Автор: Se Young Jeong,Sang Eon Park,You Sil LEE,Su Jae Kim,Mi Yeon CHEON. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-11-23.

Substrate supports, semiconductor processing systems, and material layer deposition methods

Номер патента: US20230386874A1. Автор: Xing Lin,Wentao Wang,Junwei Su,Shujin Huang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-30.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: EP2155925A1. Автор: Brian A. Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-24.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: SG183680A1. Автор: Brian A Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Preparation of a coating on a substrate, e.g. metal oxides on silicon-based substrates, involves chemical atomic layer deposition using a deuterated reactant

Номер патента: FR2810791A1. Автор: Francois Martin,Pierre Mur,Thierry Baron. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2001-12-28.

Atomic layer deposition with nitrate containing precursors

Номер патента: TW477829B. Автор: Stephen McConnell Gates,Deborah Ann Neumayer. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-03-01.

Method of manufacturing P-type ZnO semiconductor layer using atomic layer deposition and thin film transistor including the P-type ZnO semiconductor layer

Номер патента: US7875559B2. Автор: Jeong Ik Lee,Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Hye Yong Chu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-01-25.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Selective deposition using hydrophobic precursors

Номер патента: US12080548B2. Автор: Antti Niskanen,Eva Tois,Hidemi Suemori,Suvi P. Haukka,Raija H. MATERO,Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Film deposition using tantalum precursors

Номер патента: US09721787B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Vacuum chamber and arrangement for atomic layer deposition

Номер патента: US20240026535A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

균일하게 가열된 복수의 충전 볼륨들 (charge volumes) 을 사용한 원자 층 증착 (atomic layer deposition)

Номер патента: KR20230122639A. Автор: 조슈아 콜린스,판야 웡세나쿰,아론 블레이크 밀러,케빈 매드리갈,슈루티 톰바레,니틴 카담,나빈 파틸,고룬 부테일,만주나스 암마나스 사티아데반. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-22.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Rapid flush purging during atomic layer deposition

Номер патента: US12060639B2. Автор: Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Novy Tjokro,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Pragna NANNAPANENI,Sema Ermez,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US20230120393A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240263309A1. Автор: Woo-Seok Jeon,Chulmin BAE,Jaehee SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Номер патента: US09972501B1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09890454B2. Автор: Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09809880B2. Автор: In Kyo KIM,Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US12123092B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09404181B2. Автор: Chien-Nan Hsiao,Da-ren LIU,Wen-Hao Cho,Chih-Chieh YU,Meng-Yen Tsai,Chi-Chung Kei,Bo-Heng Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and device for deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600047C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20210395888A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE,Chi Thang NGUYEN. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-23.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20240060179A1. Автор: Takayuki Hagiwara,Naoto Kameda,Tatsunori SHINO,Ayaka Abe,Soichiro Motoda. Владелец: Meiden Nanoprocess Innovations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US11739423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US20220106682A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106685A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: EP4314378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4321648A1. Автор: HAO WANG,Bo Zheng,Yunfeng LAN,Wenqiang Zhang,Xiaoyan Ren,Xiaoping Shi,Haifeng Qin. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20230070312A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Han-Bo-Ram LEE,Eunhyoung Cho. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)

Номер патента: KR20220042442A. Автор: 어니쉬 굽타,이안 존 커틴,텅페이 미아오,아드리안 라보이,더글러스 월터 애그뉴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-05.

Powder atomic layer deposition apparatus for blowing powders

Номер патента: US11987883B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US12000043B2. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US20240043998A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-08.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Thin-film forming raw material used in atomic layer deposition method, and method of producing thin-film

Номер патента: US20230349039A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: US11834741B2. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-05.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: US20240047196A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP2670882A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Jozef Johannes De Swart,Robert Coenraad Wit. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-12-11.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: EP3509744A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Atomic layer deposition methods

Номер патента: US8163648B2. Автор: Guy T. Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US11891694B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: EP4241299A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: WO2022119860A9. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Material Us, Llc. Дата публикации: 2023-08-24.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20240014036A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US20230203653A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ald), inhibitor plasma and etching

Номер патента: WO2020014166A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Method for growth of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US12060642B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4367709A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4225966A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Plasma enhanced low temperature atomic layer deposition of metals

Номер патента: WO2023250500A1. Автор: Jon Henri,Elham Mohimi,Ann Erickson,Kyle Jordan BLAKENEY,Chiukin Steven Lai,Alexander Ray FOX,Patrick August VAN CLEEMPUT,David Joseph Mandia. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230374658A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-23.

Atomic layer deposition of vanadium oxide for microbolometer and imager

Номер патента: WO2015195562A1. Автор: Francis J. Kub,Virginia D. Wheeler,Marko J. Tadjer,Charles R. EDDY. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2015-12-23.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Atomic layer chemical patterns for block copolymer assembly

Номер патента: US09927706B2. Автор: Zhenqiang Ma,Tzu-Hsuan Chang,Michael Scott Arnold,Paul Franklin Nealey,Robert Jacobberger,Shisheng Xiong. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2018-03-27.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

Radical source design for remote plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10316409B2. Автор: Bart J. van Schravendijk. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Method for optimizing atomic layer deposition

Номер патента: CN113005424B. Автор: 邓仕杰,黄如慧. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US8747556B2. Автор: Bo Zheng,Hua Ai,Michael Jackson,Salvador P. Umotoy,Xiaoxiong Yuan,Sang Ho Yu,Hougong Wang,Hyman W. H. Lam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) Using Radio Frequency (RF) Power Ramping

Номер патента: KR20220097974A. Автор: 제레미 데이비드 필즈,프랭크 로렌 파스콸레. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-07-08.

Showerhead and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: KR20100077694A. Автор: 박성현,이재민. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2010-07-08.

Turbine airfoil with internals coated by atomic layer deposition

Номер патента: EP3540091A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Michael J Maloney,Michael N Task,Kevin W Schlichting. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-18.

Modulated Atomic Layer Deposition

Номер патента: KR20210150606A. Автор: 풀킷 아가왈,애드리언 라보이,끌로에 발다세로니,찬 마이에 마이에 소이,시바 샤란 반다리,바트 제이. 반 슈라벤디크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-12-10.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: KR20180028016A. Автор: 제임스 사무엘 심즈,캐서린 메세드 켈츠너. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-03-15.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR101072670B1. Автор: 박성현. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2011-10-11.

Atomic Layer Deposition Coated Powder Coatings for Processing Chamber Components

Номер патента: KR20230027034A. Автор: 에릭 에이. 파페. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ald) reactors

Номер патента: KR20170031035A. Автор: 카를 에프. 리저. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-03-20.

A method to optimize atomic layer deposition

Номер патента: TW202125580A. Автор: 鄧仕傑,黃如慧. Владелец: 明基材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US11352698B2. Автор: Sangyub IE,Gukhyon Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104863A3. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto,Tsukasa Matsuda,Jr Frankm Cerio. Владелец: Jr Frankm Cerio. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US11935759B2. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Atomic layer deposition with multiple uniformly heated charge volumes

Номер патента: US20240110279A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Aaron Blake MILLER,Gorun Butail,Nitin Kadam,Naveen PATIL,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI130543B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230407474A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106684A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: EP3215652A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: WO2016072850A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2016-05-12.

Detachable atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US11767591B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11834745B2. Автор: Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: US20170167020A1. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: WO2012118955A2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Gas separation control in spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11821083B2. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Systems and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US11814727B2. Автор: Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic Layer Deposition System with Multiple Flows

Номер патента: US20140060431A1. Автор: Rwei-Ching Chang,Tsai-Cheng Li,Chen-Pei Yeh,Hsi-Ting Hou,Te-Feng Wang,Fa-Ta Tsai. Владелец: St Johns University Taiwan. Дата публикации: 2014-03-06.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US11952662B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230392256A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-07.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US20220341036A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225967A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Atomic layer deposition apparatus and film-forming method

Номер патента: US20200063260A1. Автор: Toru Mashita,Keisuke Washio. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: US20160122874A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-05-05.

Surface inhibition atomic layer deposition

Номер патента: WO2023164717A1. Автор: Tao Zhang,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104864A2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-10-05.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: WO2020223737A3. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology, LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

Powder atomic layer deposition apparatus with special cover lid

Номер патента: US20220162750A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US11976358B2. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225968A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2022079351A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-21.

Spatial Atomic Layer Deposition Chamber With Plasma Pulsing To Prevent Charge Damage

Номер патента: US20190180985A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Keiichi Tanaka,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US12006571B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240186117A1. Автор: Hsuan-Fu Wang,Ching-Chiun Wang,Fu-Ching Tung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Single-chamber atomic layer deposition apparatus with dual-lid closure system

Номер патента: WO2024104582A1. Автор: Carlos Guerra. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-05-23.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: FI20206000A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-13.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4384650A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: EP3004417A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-04-13.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: WO2014193234A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: SoLayTec B.V.. Дата публикации: 2014-12-04.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US20230272528A1. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for atomic layer etching

Номер патента: US09881807B2. Автор: Alok Ranjan,Mingmei Wang,Sonam SHERPA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Atomic layer process printer

Номер патента: US12049700B2. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: Atlant 3d Nanosystems Aps. Дата публикации: 2024-07-30.

Atomic layer etching

Номер патента: US20230268187A1. Автор: Varun Sharma,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-24.

Atomic layer etching

Номер патента: US12040195B2. Автор: Varun Sharma,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US11981996B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Atomic layer epitaxy for semiconductor gate stack layer for advanced channel devices

Номер патента: US09455143B2. Автор: Matthias BAUER,Aaron Muir Hunter,Swaminathan T. Srinivasan,Amikam Sade. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and methods for improving planarity using selective atomic layer etching (ale)

Номер патента: US20240047218A1. Автор: Masanobu Igeta,Anthony Dip,David O'Meara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Atomic layer etching method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20220375760A1. Автор: Jun Hee Cho,Joong Jin Park,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Eun Hyea Ko,Hee Yeon Jeong,Byeong IL Yang,Ji Yu Choi. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Atomic layer process printer

Номер патента: EP3980573A1. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: Centre Of Experimental Medicine Slovak Academy Of Sciences Institute Of Experimental Pharmacology. Дата публикации: 2022-04-13.

Systems and methods for improving planarity using selective atomic layer etching (ALE)

Номер патента: US11823910B2. Автор: Masanobu Igeta,Anthony Dip,David O'Meara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic layer process printer

Номер патента: WO2020245230A1. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: SLOVAK ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of depositing atomic layer and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420248A1. Автор: Hongtaek LIM,Hyunjun AHN,Kyoungwoo Hong,Hanhim Kang,Yeongyeop Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for non-isothermal wet atomic layer etching

Номер патента: WO2023239495A1. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Selective thermal atomic layer etching

Номер патента: EP4419732A1. Автор: Ravindra Kanjolia,Jean-Sébastien LEHN,Martin E. McBRIARTY,Ronald PEARLSTEIN,Jared Leith McWILLIAMS,Nguyen Minh VU. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Atomic layer etching processes

Номер патента: US12094686B2. Автор: Chiyu Zhu,Tom E. Blomberg,Varun Sharma,Suvi P. Haukka,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer etching for enhanced bottom-up feature fill

Номер патента: US09837312B1. Автор: Praveen Nalla,Samantha Tan,Artur Kolics,Jengyi Yu,Keren Jacobs Kanarik,Novy Tjokro,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US09567671B2. Автор: Freddy Roozeboom,Raymond Jacobus Wilhelmus Knaapen,Jacques Cor Johan Van der Donck,Ruud Olieslagers,Diederik Jan Maas,Dennis Van Den Berg,Matijs C. Van Den Boer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-02-14.

Method to improve precursor utilization in pulsed atomic layer processes

Номер патента: US20180023195A1. Автор: Triratna P. Muneshwar,Ken Cadien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-25.

Atomic layer film-forming device

Номер патента: EP2267183A1. Автор: Kazutoshi Murata. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Atomic layer etching using a combination of plasma and vapor treatments

Номер патента: US20190198345A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek,John Boniface. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Wet atomic layer etching using self-limiting and solubility-limited reactions

Номер патента: WO2020102655A1. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-05-22.

An atomic layer process chamber for 3d conformal processing

Номер патента: WO2016153716A1. Автор: WEI Liu,Abhilash J. Mayur,Phillip Stout. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-09-29.

Atomic layer etching using a boron-containing gas and hydrogen fluoride gas

Номер патента: US20180047577A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Low Temperature Molecular Layer Deposition Of SiCON

Номер патента: US20160024647A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Low temperature molecular layer deposition of SiCON

Номер патента: US09812318B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: WO2011099858A1. Автор: Freddy Roozeboom,Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Joop Van Deelen. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2011-08-18.

Thermal atomic layer etching processes

Номер патента: US20230374671A1. Автор: Chiyu Zhu,Tom E. Blomberg,Varun Sharma,Suvi Haukka,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-23.

Thermal atomic layer etching processes

Номер патента: US20240026548A1. Автор: Chiyu Zhu,Tom E. Blomberg,Varun Sharma,Suvi Haukka,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US9803280B2. Автор: Freddy Roozeboom,Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Joop Van Deelen. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US10676822B2. Автор: Freddy Roozeboom,Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Joop Van Deelen. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2020-06-09.

ALE (atomic layer etching) 방법들 및 장치

Номер патента: KR20190090406A. Автор: 안드레아스 피셔,데이비드 스미스,토르스텐 릴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2019-08-01.

ALE (atomic layer etching) 방법들 및 장치

Номер патента: KR102483882B1. Автор: 안드레아스 피셔,데이비드 스미스,토르스텐 릴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-12-30.

Method or apparatus for forming thin film on substrate employing atomic layer epitaxy method

Номер патента: US20210217609A1. Автор: Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Methods for wet atomic layer etching of copper

Номер патента: US11866831B2. Автор: ARKALGUD Sitaram,Paul Abel,Jacques Faguet,Christopher Netzband. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Methods for wet atomic layer etching of ruthenium

Номер патента: US11802342B2. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of depositing atomic layer

Номер патента: US20240102160A1. Автор: Hyunjun AHN,Byounghoon Ji,Kyoungwoo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same

Номер патента: US09748483B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Hee-Cheol Kang,Young-Mook Choi,Dong-Kyu Lee,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Organic layer deposition assembly, organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570714B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Dong-Seob Jeong,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus

Номер патента: US09905813B2. Автор: VALERIY Prushinskiy,Minsoo Kim,Byungkook Lee,Muhyun Kim,MuGyeom Kim,Yonggu Lee,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Jaesoo HA,Jaeyoung CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09777364B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09512515B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method

Номер патента: US09496524B2. Автор: Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Young-Mook Choi,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Measuring individual layer thickness during multi-layer deposition semiconductor processing

Номер патента: US09953887B2. Автор: Edward Augustyniak,Boaz Kenane. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Material layer deposition methods, semiconductor processing systems, and related computer program products

Номер патента: US20230125884A1. Автор: Alexandros Demos,Arun Murali,Gregory Deye,Caleb Miskin,Frederick Aryeetey. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09893322B2. Автор: Taeyong KIM,Jaeseok Park,Kyubum Kim,Jungsuk Hahn,Jonghee Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Process of structuring an active organic layer deposited on a substrate

Номер патента: US20140235013A1. Автор: Marie Heitzmann,Simon Charlot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-08-21.

Process of structuring an active organic layer deposited on a substrate

Номер патента: US9553266B2. Автор: Marie Heitzmann,Simon Charlot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-24.

Low Temperature Molecular Layer Deposition Of SiCON

Номер патента: US20180061629A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Selective Molecular Layer Deposition Of Organic And Hybrid Organic-Inorganic Layers

Номер патента: US20180342388A1. Автор: Robert Jan Visser,Prerna Goradia,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US9249493B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee,Myong-Hwan Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8859043B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sang-Pil Lee,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG,Jong-Heon Kim,Dong-Kyu Lee,Yun-Mi Lee,Byung-Su Kim,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor processing device, reaction chamber thereof, and film layer deposition method

Номер патента: EP4249633A1. Автор: Yunfeng LAN,Fang Zhang,Huanyu Wang,Wenqiang Zhang,Haifeng Qin,Shuaitao SHI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same

Номер патента: US11778890B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Dong-Kyu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Material layer deposition methods, material layer stacks, semiconductor processing systems, and related computer program products

Номер патента: US20240203733A1. Автор: Alexandros Demos,Caleb Miskin,Yanfu Lu,Omar Elleuch. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Gas supply and layer deposition apparatus including the same

Номер патента: US20210062339A1. Автор: Kyuho LEE,Seoyoung MAENG,Jongyong Bae,Minjoon Kim,Donghoon Han,Byounghoon Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method

Номер патента: US20020089677A1. Автор: Lothar Pfitzner,Heiner Ryssel,Volker Tegeder,Claus Schneider,Reinhold Waller,Jurgen Ziegler. Владелец: Infineon Technologies SC300 GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-07-11.

Cooling device, method for cooling a cooling element and layer deposition apparatus

Номер патента: EP4381115A1. Автор: Maik BURKHARDT,Joergen KOPPOLD,Jens WILLEMS. Владелец: Leybold GmbH. Дата публикации: 2024-06-12.

Cooling device, method for cooling a cooling element and layer deposition apparatus

Номер патента: WO2023012345A1. Автор: Maik BURKHARDT,Joergen KOPPOLD,Jens WILLEMS. Владелец: Leybold GmbH. Дата публикации: 2023-02-09.

Feedback for buffer layer deposition

Номер патента: US09640705B2. Автор: Jeffrey S. Britt,Scot Albright,Urs Schoop. Владелец: Global Solar Energy Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for layer-by-layer deposition of concrete

Номер патента: EP4139102A1. Автор: Geert DE SCHUTTER,Yaxin TAO,Kim VAN TITTELBOOM,Karel LESAGE. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2023-03-01.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US11840760B2. Автор: Do-Hyung Kim,In-jae Lee,Shin-Jae Kang,Jeon-Il Lee,Kyung-Wook Park,Dong-Hoon Han,Kevin BAE,Sun-Soo LEE,Chae-Mook LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for layer-by-layer deposition of concrete

Номер патента: US20230146602A1. Автор: Geert DE SCHUTTER,Yaxin TAO,Kim VAN TITTELBOOM,Karel LESAGE. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2023-05-11.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20190301016A1. Автор: Do-Hyung Kim,In-jae Lee,Shin-Jae Kang,Kyung-Wook Park,Dong-Hoon Han,Kevin BAE,Sun-Soo LEE,Chae-Mook LIM,Jeon-II LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Organic substrate having optical layers deposited by magnetron sputtering and method for preparing it

Номер патента: WO1999049097A1. Автор: Volker Kirchhoff,Gerhard Keller,Klaus Goedicke,Richard Bosmans,Pascal Comble,Jöm-Steffen Liebig. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 1999-09-30.

Method for layer-by-layer deposition of concrete using rapidly hydrating cementitious material and bicomponent cementitious binder composition therefor

Номер патента: WO2023232622A1. Автор: Geert DE SCHUTTER,Manu KURUNGOD MOHAN,Yaxin TAO,Kim VAN TITTELBOOM,Rahul ATTUPURATHU VIJAYAN. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2023-12-07.

Chamber arrangements, semiconductor processing systems having chamber arrangements, and related material layer deposition methods

Номер патента: US20240068103A1. Автор: Alexandros Demos,Arun Murali,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Chamber arrangements with laser sources, semiconductor processing systems, and material layer deposition methods

Номер патента: US20240112930A1. Автор: Han Ye,Xing Lin,Wentao Wang,Alexandros Demos,Kai Zhou,Fan GAO,Peipei Gao,Kishor Patil. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of extracting germanium from germanium deposit using thermal reduction process

Номер патента: US20170121790A1. Автор: Zhiguo Zhu,Wangchang Wu,Guangwen Li,Shikun PU,Wendong BAO,Decai HU,Tianmin XIE,Caiwei YAO,Kaihong BAO,Zailei YANG,Gao XIE. Владелец: Yunnan Dongchang Metal Tech Co ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Catalyst compositions and polyolefins for use in coatings, deposited using expedition method

Номер патента: RU2374272C2. Автор: Майкл Д. ДЖЕНСЕН,Джоэл Л. МАРТИН,Макс П. МАКДЭНИЕЛ,Цин ЯНГ,Элизабет А. БЕНХЭМ,Ашиш М. СУКХАДИА,Рэнди МЬЮНИНДЖЕР,Гэри ДЖЕРДИ,Мэттью ТОРН. Владелец: Шеврон Филлипс Кемикал Компани Лп. Дата публикации: 2009-11-27.

Method of extracting germanium from germanium deposit using thermal reduction process

Номер патента: US10156003B2. Автор: Zhiguo Zhu,Wangchang Wu,Guangwen Li,Shikun PU,Wendong BAO,Decai HU,Tianmin XIE,Caiwei YAO,Kaihong BAO,Zailei YANG,Gao XIE. Владелец: Yunnan Dongchang Metal Tech Co ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Method and device for laser electrochemical composite deposition using rifling hollow rotating electrode

Номер патента: GB2616490A. Автор: XU KUN,Guo Sheng,Wu Yucheng,YANG Shuai,ZHANG Zhaoyang,DAI Xueren,ZHAO Douyan. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-09-13.

Methods and apparatus for sputtering deposition using direct current

Номер патента: WO2009065039A2. Автор: Hendrik V. Walde,David J. Christie,Ken Nauman,Bruce Fries. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-05-22.

Method of coating deposition using dli-mocvd with repeated use of precursor compound

Номер патента: RU2699126C1. Автор: Фредерик ШУСТЕР,Франсис МОРИ,Александр МИШО,Мишель ПОН,Рафаэль БУАШО,Фернандо ЛОМЕЛЛО. Владелец: Коммиссариа А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2019-09-03.

Systems, compositions and methods for metal oxynitride deposition using high-base pressure reactive sputtering

Номер патента: WO2023163779A2. Автор: Jeffrey C. Grossman,Jatin Jayesh Patil. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems, compositions and methods for metal oxynitride deposition using high-base pressure reactive sputtering

Номер патента: WO2023163779A3. Автор: Jeffrey C. Grossman,Jatin Jayesh Patil. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-12-21.

Process for the extraction of crude oil from an underground deposit using surfactants

Номер патента: CA1314703C. Автор: Harald Luders,Dieter Balzer. Владелец: Huels AG. Дата публикации: 1993-03-23.

Self-limiting chemical vapor deposition and atomic layer deposition methods

Номер патента: US09607920B2. Автор: Mary EDMONDS,Andrew C. Kummel,Atif M. NOORI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A3. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-07-24.

Smoothing Surface Roughness Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20230349042A1. Автор: Tukaram Hatwar,Steven M. George,Rebecca BORRELLI,Tyler Myers,James THROCKMORTON,Malcolm O’SULLIVAN. Владелец: University of Colorado Boulder. Дата публикации: 2023-11-02.

Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method

Номер патента: TW201247928A. Автор: Naomasa Miyatake. Владелец: Mitsui Shipbuilding Eng. Дата публикации: 2012-12-01.

Systems and methods for eliminating seams in atomic layer deposition of silicon dioxide film in gap fill applications

Номер патента: US09406544B1. Автор: Wei Tang,Bart van Schravendijk,Jason Daejin Park,Kaihan Ashtiani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Stitching two-dimensional atomic crystals by atomic layer deposition as stable interfaces for batteries

Номер патента: US20200131638A1. Автор: Yi Cui,Jin Xie,Lei LIAO. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2020-04-30.

Stitching two-dimensional atomic crystals by atomic layer deposition as stable interfaces for batteries

Номер патента: WO2018236912A3. Автор: Yi Cui,Jin Xie,Lei LIAO. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of forming mixed rare earth oxynitride and aluminum oxynitride films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2011145A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-01-07.

Method of forming mixed rare earth oxynitride and aluminum oxynitride films by atomic layer deposition

Номер патента: WO2007117989A3. Автор: Robert D Clark. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of forming mixed rare earth oxynitride and aluminum oxynitride films by atomic layer deposition

Номер патента: WO2007117989A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, FILM-FORMING METHOD USING ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND CLEANING METHOD OF ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20190048463A1. Автор: Chiba Masaki,NAKATA Masao,WASHIO Keisuke,TORAMARU Masamitsu. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Atomic layer deposition equipment gas module, atomic layer deposition equipment, and atomic layer deposition method using same

Номер патента: WO2017222349A2. Автор: 김동원,김근식,김상훈,최영태,최학영. Владелец: 주식회사 넥서스비. Дата публикации: 2017-12-28.

Process for atomic layer deposition

Номер патента: EP2106459A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Thomas D. Pawlik,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2009-10-07.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF ATOMIC LAYER DEPOSITION USING THE SAME

Номер патента: US20150275362A1. Автор: JUNG Suk Won,HUH Myung Soo,JANG Choel Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Head for atomic layer deposition having even spray passages and atomic layer deposition using the same

Номер патента: KR102180295B1. Автор: 이재욱,김현범,최경현. Владелец: 제주대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-18.

Gas injection apparatus, atomic layer deposition apparatus and the method of atomic layer deposition using the same

Номер патента: KR101311983B1. Автор: 박진규,이재상,박태용,최동진,전형탁,전희영. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-09-30.

Atomic layer deposition apparatus and method of atomic layer deposition using the same

Номер патента: KR102268959B1. Автор: 정석원,장철민,허명수. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-06-24.

Apparatus for atomic layer deposition and method of atomic layer deposition using the same

Номер патента: US20090291211A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Byung-Wook Yoo,Kyung-seok SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Atomic layer deposition using metal amidinates

Номер патента: EP1563117A2. Автор: Roy G. Gordon,Booyong S. Lim. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2005-08-17.

Atomic layer deposition methods and structures thereof

Номер патента: US20170110324A1. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Plasma enhanced atomic layer deposition of dielectric material upon oxidizable material

Номер патента: US20240332071A1. Автор: Reken Patel,Xiaoye Qin,Sunzida Ferdous,Alireza Narimannezhad,Vladislav Kamysbayev. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of controlling film deposition using atomic layer deposition

Номер патента: US20080305561A1. Автор: Shrinivas Govindarajan. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Combined self-forming barrier and seed layer by atomic layer deposition

Номер патента: US20230298936A1. Автор: Yezdi Dordi,Kyle Jordan BLAKENEY. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Multilayer encapsulation stacks by atomic layer deposition

Номер патента: US11732356B2. Автор: Ning Li,Cong Trinh,Mark Saly,Keenan N. Woods,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Maribel Maldonado-Garcia,Mihaela A. Balseanu,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Area-Selective Atomic Layer Deposition Of Passivation Layers

Номер патента: US20220130659A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Modular injector and device for spatial atomic layer deposition

Номер патента: US20200131637A1. Автор: Wei Dan,Rong Chen,Yun Li,Xiaolei Wang,Bin SHAN,Yuchun Ma,Jilong Lin. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-04-30.

Pacing leads with ultrathin isolation layer by atomic layer deposition

Номер патента: EP2844334A1. Автор: Jan Weber,Mary M. Byron. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2015-03-11.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09957165B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09802828B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber

Номер патента: US09698009B2. Автор: Tatsuya E. Sato,Eran NEWMAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Pulsed valve manifold for atomic layer deposition

Номер патента: US09574268B1. Автор: Eric Shero,Herbert Terhorst,Carl White,Todd Dunn,Mike Halpin,Jerry Winkler. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for high-velocity and atmospheric-pressure atomic layer deposition with substrate and coating head separation distance in the millimeter range

Номер патента: US09567670B2. Автор: Roger R. Coutu,Jill Svenja Becker,Ganesh M. Sundaram,Mark J. Dalberth,Michael J. Sershen. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Gas Module for Atomic Layer Deposition Apparatus, Atomic Layer Deposition Apparatus, Deposition Method using the same

Номер патента: KR101849388B1. Автор: 김동원,김근식,김상훈,최영태,최학영. Владелец: 주식회사 넥서스비. Дата публикации: 2018-05-31.

Gas Module for Atomic Layer Deposition Apparatus, Atomic Layer Deposition Apparatus, Deposition Method using the same

Номер патента: KR101834200B1. Автор: 김동원,김근식,김상훈,최영태,최학영. Владелец: 주식회사 넥서스비. Дата публикации: 2018-04-13.

Atomic layer deposition head

Номер патента: US09783888B2. Автор: Roger R. Coutu,Jill Svenja Becker,Ganesh M. Sundaram,Mark J. Dalberth,Michael J. Sershen. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Deposition of material for making optical fiber involves depositing at least one dopant deposition layer or part of deposition layer on the surface of material to be doped and/or on the surface of with the atom layer deposition

Номер патента: FI119058B. Автор: Markku Rajala. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2008-07-15.

Ultraviolet radiation activated atomic layer deposition

Номер патента: US20210225644A1. Автор: Christine Y. OUYANG,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods and systems for atomic layer etching and atomic layer deposition

Номер патента: US11864472B2. Автор: Harold Frank GREER,Andrew D. Beyer,Matthew D. Shaw,Daniel P. Cunnane. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-01-02.

Erosion resistant metal oxide coatings deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US20230286867A1. Автор: Xiaowei Wu,Michael R. Rice,Jennifer Y. Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Atomic layer deposition of metal films

Номер патента: US11970776B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20240061219A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-02-22.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US11815668B2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20180341090A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-11-29.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-05-01.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP3380876A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-10-03.

Passivation of silicon dioxide defects for atomic layer deposition

Номер патента: US11993844B2. Автор: Steven Wolf,Andrew Kummel,Michael Breeden,Ashay Anurag. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-28.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD

Номер патента: US20130309401A1. Автор: Miyatake Naomasa. Владелец: MITSUI ENGINEERING & SHIPBUILDING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM

Номер патента: US20170009343A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI SOLUTION CO.,LTD. Дата публикации: 2017-01-12.

INTEGRATED ELECTROHYDRODYNAMIC JET PRINTING AND SPATIAL ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM FOR AREA SELECTIVE-ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Dasgupta Neil,BARTON Kira,TREJO Orlando,Rose Mattison,Ransohoff Lauren,Herman Ellis,Huber Carli,Cho Tae H.,Kazyak Erik,Pannier Christopher P.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Method of depositing an atomic layer and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20150050421A1. Автор: In-Kyo Kim,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Choel-Min JANG,Sung-Hun KEY. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD AND ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE

Номер патента: US20220090262A1. Автор: KAMEDA Naoto,MIURA Toshinori,KEKURA Mitsuru. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD

Номер патента: US20220267902A1. Автор: KAMEDA Naoto,MIURA Toshinori,KEKURA Mitsuru. Владелец: MEIDENSHA CORPORATION. Дата публикации: 2022-08-25.

APPARATUS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND EXHAUST UNIT FOR APPARATUS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20180148837A1. Автор: MATSUMOTO Tatsuya,WASHIO Keisuke. Владелец: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.. Дата публикации: 2018-05-31.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD

Номер патента: US20190177842A1. Автор: MATSUMOTO Tatsuya,WASHIO Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD

Номер патента: US20190185998A1. Автор: MATSUMOTO Tatsuya,WASHIO Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20190186013A1. Автор: JEON Hyeongtag. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

LATERAL FLOW ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Lee Jeong Ho,KIM Woo Chan,JEONG Sang-Jin,Jang Hyun Soo. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD

Номер патента: US20190211448A1. Автор: MATSUMOTO Tatsuya,WASHIO Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method

Номер патента: US20140335287A1. Автор: Tetsuro Kuwayama,Hiroyuki Nagai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Atomic layer deposition device having scan-type reactor and method of depositing atomic layer using the same

Номер патента: US20160251759A1. Автор: Choon Soo Lee,Hong Ki JEONG. Владелец: KORNIC ENC CO Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method

Номер патента: US20160258063A1. Автор: Keisuke Washio. Владелец: Jsw Afty Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD

Номер патента: US20180274101A1. Автор: KANO Mitsuru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-09-27.

DEPOSITION OF CONFORMAL FILMS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ATOMIC LAYER ETCH

Номер патента: US20160293398A1. Автор: Henri Jon,Danek Michal,Tang Shane. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Head for atomic layer deposition and atomic layer deposition device having the same

Номер патента: KR101575844B1. Автор: 최경현,알리 카므란,당현우,김고범. Владелец: 제주대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-08.

Atomic layer deposition method and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: JP6677356B1. Автор: 直人 亀田,敏徳 三浦,満 花倉. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch

Номер патента: US9502238B2. Автор: Jon Henri,Shane Tang,Michal Danek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus for atomic layer deposition and exhaust unit for apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: US10604838B2. Автор: Tatsuya Matsumoto,Keisuke Washio. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

Atomic layer deposition equipment and atomic layer deposition method using thereof

Номер патента: KR101027754B1. Автор: 이상구,민요셉,안영수,송찬주,박기수. Владелец: 에쓰대시오일 주식회사. Дата публикации: 2011-04-08.

Atomic layer deposition chamber capable of preventing parasitic plasma, and atomic layer deposition apparatus using of it

Номер патента: KR101724917B1. Автор: 박인성,최재호,정재학,김순철,황인천. Владелец: (주)씨엔원. Дата публикации: 2017-04-19.

Plasma supplying device and system for atomic layer deposition, atomic layer deposition device and controlling method thereof

Номер патента: KR20210105177A. Автор: 박종선,구준모,심준형. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-08-26.

Lateral_flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: KR101984997B1. Автор: 이정호,장현수,정상진,김우찬. Владелец: 에이에스엠케이 주식회사. Дата публикации: 2019-09-04.

Atomic layer deposition methods and atomic layer deposition tools

Номер патента: SG167668A1. Автор: Trung Tri Doan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-28.

Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch

Номер патента: CN106057637A. Автор: 乔恩·亨利,米卡尔·达内克,谢恩·唐. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method

Номер патента: TW200946714A. Автор: Hiroyuki Tachibana. Владелец: Mitsui Engineering & Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-16.

Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method

Номер патента: WO2009104379A1. Автор: 橘弘幸. Владелец: 三井造船株式会社. Дата публикации: 2009-08-27.

Atomic layer deposition equipment and atomic layer deposition spraying device

Номер патента: CN115404463B. Автор: 齐彪,邵大立,马敬忠. Владелец: Shanghai Xingyuanchi Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Method for atomic layer deposition and apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR102164707B1. Автор: 정석원,기성훈,김인교,장철민,허명수. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-10-13.

Atomic layer deposition chamber component, preparation method thereof and atomic layer deposition equipment

Номер патента: CN111364027A. Автор: 付东,李松举. Владелец: Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-03.

Atomic layer deposition apparatus using neutral beam and method of depositing atomic layer using the same

Номер патента: US20110162581A1. Автор: Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Kyeong-Joon Ahn,Do-Haing Lee. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2011-07-07.

Air inlet device of atomic layer deposition equipment and atomic layer deposition equipment

Номер патента: CN113416945B. Автор: 赵可可,纪红,赵培洋. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-21.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US9062375B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Atomic layer deposition winding film forming apparatus and atomic layer deposition method

Номер патента: JPWO2017014092A1. Автор: 康裕 佐々木. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Gas-injection apparatus, atomic layer deposition apparatus, and atomic layer deposition method using the apparatus

Номер патента: WO2012134070A3. Автор: 박진규,이재상,박태용,최동진,전형탁,전희영. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-11-29.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: WO2022207974A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US11680319B2. Автор: Toshinori Miura,Naoto Kameda,Mitsuru Kekura. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

An atomic layer deposition reactor arrangement and method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: FI20215372A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-01.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area-selective atomic layer deposition

Номер патента: EP4004255A4. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Eric KAZYAK,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-08-09.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20220267902A1. Автор: Toshinori Miura,Naoto Kameda,Mitsuru Kekura. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition using halide precursors

Номер патента: US20130295708A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-11-07.

Volatile copper(II) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US7388113B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-06-17.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: IL180764A0. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 2007-06-03.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: IL180768A0. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 2007-06-03.

Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate

Номер патента: TW577130B. Автор: Wei-Wei Zhuang,Yoshi Ono,Rajendra Solanki. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-02-21.

Precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013675A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang. Владелец: Qing Min Wang. Дата публикации: 2008-10-30.

Solution based zirconium precursors for atomic layer deposition

Номер патента: SG176023A1. Автор: Ce Ma,Kee-Chan Kim,Graham Anthony McFarlane. Владелец: LINDE AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Particle reactor for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) processes

Номер патента: US09896763B2. Автор: Mei Cai,Gayatri V. Dadheech,Prasad Gadgil. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Micro-balance sensor integrated with atomic layer deposition chamber

Номер патента: US09856563B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera,Alex B. F. Martinson,Shannon C. Riha. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and apparatus for forming a substrate web track in an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US09745661B2. Автор: Vaino Kilpi,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for RF compensation in plasma assisted atomic layer deposition

Номер патента: US09624578B2. Автор: Hu Kang,Shankar Swaminathan,Tuan Nguyen,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Chloe Baldasseroni,Jennifer Petraglia,Seshasayee Varadarajan,David Charles Smith,Paul Franzen,Trung T. Le. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of selective atomic layer deposition

Номер патента: US11821085B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu,Tobin Kaufman-Osborn,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic layer deposition of strontium oxide via n-propyltetramethyl cyclopentadienyl precursor

Номер патента: WO2008100616A3. Автор: Masayuki Sugawara,Friedrich B Prinz,Timothy P Holme. Владелец: Timothy P Holme. Дата публикации: 2008-10-30.

Synthesis of few atomic layer gold crystals

Номер патента: WO2024116131A1. Автор: Ramesh Jagannathan,Mahmoud Rasras,Sudhir Kumar Sharma,Yong-Ak Song,Ajymurat OROZALIEV,Ghada DUSHAQ,Renu Pasricha. Владелец: New York University In Abu Dhabi Corporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240052487A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu,Tobin Kaufman-Osborn,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Atomic layer deposition of copper using a reducing gas and non-fluorinated copper precursors

Номер патента: WO2003044242A3. Автор: Ling Chen,Mei Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: TW200814154A. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Atomic layer deposition apparatus and method for preparing metal oxide layer

Номер патента: TW201000670A. Автор: Hsiao-Che Wu,de-long Chen,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-01-01.

Method for forming silicon dioxide layers on substrate using atomic layer deposition

Номер патента: TW200407981A. Автор: Joo-Won Lee,Jae-Eun Park,Kang-soo Chu,Jong-Ho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-16.

Method for forming silicon dioxide layers on substrates using atomic layer deposition and semiconductor device formed by the said method

Номер патента: TWI237311B. Автор: Joo-Won Lee,Jae-Eun Park,Kang-soo Chu,Jong-Ho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-01.

INTEGRATING ATOMIC SCALE PROCESSES: ALD (ATOMIC LAYER DEPOSITION) AND ALE (ATOMIC LAYER ETCH)

Номер патента: US20180033635A1. Автор: Kanarik Keren Jacobs,Tan Samantha,LILL Thorsten,Singh Harmeet,Hausmann Dennis M.,Marks Jeffrey,Kabansky Alexander,Yang Wenbing,Kim Taeseung. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

INTEGRATING ATOMIC SCALE PROCESSES: ALD (ATOMIC LAYER DEPOSITION) AND ALE (ATOMIC LAYER ETCH)

Номер патента: US20170117159A1. Автор: Kanarik Keren Jacobs,Tan Samantha,LILL Thorsten,Singh Harmeet,Hausmann Dennis M.,Marks Jeffrey,Kabansky Alexander,Yang Wenbing,Kim Taeseung. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Integrating atomic scale processes: ald (atomic layer deposition) and ale (atomic layer etch)

Номер патента: US20190139778A1. Автор: Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Samantha SiamHwa Tan,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

INTEGRATING ATOMIC SCALE PROCESSES: ALD (ATOMIC LAYER DEPOSITION) AND ALE (ATOMIC LAYER ETCH)

Номер патента: US20200161139A1. Автор: Kanarik Keren Jacobs,Tan Samantha,LILL Thorsten,Singh Harmeet,Hausmann Dennis M.,Marks Jeffrey,Kabansky Alexander,Yang Wenbing,Kim Taeseung. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS

Номер патента: US9478411B2. Автор: Reza Arghavani,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Ishtak Karim,Sanjay Gopinath. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrating atomic scale processes: ald (atomic layer deposition) and ale (atomic layer etch)

Номер патента: SG10201600099VA. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Dennis M Hausmann,Taeseung KIM. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Atomic layer deposition of rhenium containing thin films

Номер патента: US11821084B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Stabilizing garnet-type solid-state electrolytes through atomic layer deposition of ultra-thin layered materials and methods of making same

Номер патента: US20220271334A1. Автор: Leela Mohana Reddy ARAVA,Sathish RAJENDREN,Jeffry Kelber,Aparna Pilli. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2022-08-25.

Stitching two-dimensional atomic crystals by atomic layer deposition as stable interfaces for batteries

Номер патента: US11499228B2. Автор: Yi Cui,Jin Xie,Lei LIAO. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-11-15.

Organic metal precursor compound for atomic layer deposition and ald deposition using the same

Номер патента: KR101787204B1. Автор: 박정우,임민혁,박종률,염보라. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2017-10-18.

Apparatus for atomic layer deposition comprising light source, and the method of deposition using the same

Номер патента: KR101114219B1. Автор: 황철주. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2012-03-05.

Atomic deposition apparatus and atomic layer deposition method

Номер патента: KR101111494B1. Автор: 히로유키 타치바나. Владелец: 미쯔이 죠센 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-02-23.

Deposition of flowable sicn films by plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20230335392A1. Автор: Hideaki Fukuda,Timothee Blanquart,Aurélie Kuroda,Makoto Igarashi,Shinya Yoshimoto,Takahiro Onuma,Jhoelle Roche Guhit. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-19.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: US20230340660A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: WO2023205332A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Thin film layer deposition apparatus using atomic layer deposition method

Номер патента: KR100957456B1. Автор: 이형재. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2010-05-14.

REACTOR FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD), APPLICATION TO ENCAPSULATING AN OLED DEVICE BY TRANSPARENT AL2O3 LAYER DEPOSITION.

Номер патента: FR2989691B1. Автор: Tony Maindron. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-05-23.

Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques

Номер патента: US7405158B2. Автор: PING JIAN,Srinivas Gandikota,Hongbin Fang,Hua Chung,Jeong Soo Byun,Michael X. Yang,Ming Xi,Amit Khandelwal,Ken Kaung Lai,Chao-Ming Huang,Madhu Moorthy,Ravi Rajagopalan,Joseph Castro,Averginos V. Gelatos,Cheryl Knepfler. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-29.

Protective coatings for organic electronic devices made using atomic layer deposition and molecular layer deposition techniques

Номер патента: US9660205B2. Автор: Steven M. George,Arrelaine Allen Dameron,Beau B. Burton,Markus D. Groner. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma source and apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: NL2032061B1. Автор: Poodt Paul,Tielen Viktor,Antonius Smeltink Jeroen,Henrikus Frijters Cornelis. Владелец: Sparknano B V. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP1999296A2. Автор: David Howard Levy. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-12-10.

Plasma source and apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: WO2023234780A1. Автор: Paul Poodt,Jeroen Antonius Smeltink,Cornelis Henrikus Frijters,Viktor TIELEN. Владелец: Sparknano B.V.. Дата публикации: 2023-12-07.

REACTOR FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD), APPLICATION TO ENCAPSULATING AN OLED DEVICE BY TRANSPARENT AL2O3 LAYER DEPOSITION.

Номер патента: FR2989691A1. Автор: Tony Maindron. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-10-25.

Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques

Номер патента: TWI428469B. Автор: PING JIAN,Srinivas Gandikota,Hongbin Fang,Hua Chung,Jeong Soo Byun,Ming Xi,Amit Khandelwal,Ken Kaung Lai,Madhu Moorthy,Ravi Rajagopalan,Michael X Yang,Joseph Castro,Avgerinos V Gelatos,Cheryl Knepfler,Chao Ming Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-03-01.

Deposition Of Metal Films On Diffusion Layers By Atomic Layer Deposition And Organometallic Precursor Complexes Therefor

Номер патента: US20090130466A1. Автор: Diwakar Garg,Hansong Cheng,Pablo Ordejon,Manuel Cobian. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Deposition of Metal Films on Diffusion Layers by Atomic Layer Deposition and Organometallic Precursor Complexes Therefor

Номер патента: EP2060576A1. Автор: Diwakar Garg,Hansong Cheng,Pablo Ordejon,Manuel Cobian. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2009-05-20.

Method of depositing a silicon dioxide layer on a substrate by atomic layer deposition

Номер патента: JP4422445B2. Автор: 哉彦 朴,岡秀 秋,周遠 李,鍾虎 梁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-24.

Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques

Номер патента: WO2006078779A2. Автор: PING JIAN,Srinivas Gandikota,Avgerinos V. Gelatos,Hongbin Fang,Hua Chung,Jeong Soo Byun,Michael X. Yang,Ming Xi,Amit Khandelwal,Ken Kaung Lai,Chao-Ming Huang,Madhu Moorthy,Ravi Rajagopalan,Joseph Castro,Cheryl Knepfler. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2006-07-27.

Systems and methods for homogenous intermixing of precursors in alloy atomic layer deposition

Номер патента: US11827976B2. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Patrick Van Cleemput,Shruti Thombare,Ilanit FISHER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Material for formation of thin film for use in atomic layer deposition and method for producing thin film

Номер патента: EP4130335A4. Автор: Keisuke Takeda,Masaki Enzu. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Precursors for atomic layer deposition

Номер патента: TW200813247A. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (pe-ald) processing tool

Номер патента: WO2019169253A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-06.

Method for producing metallic ruthenium thin film by atomic layer deposition

Номер патента: IL282897B2. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-01.

STRONTIUM AND BARIUM PRECURSORS FOR USE IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, ATOMIC LAYER DEPOSITION AND RAPID VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20130251918A1. Автор: Cameron Thomas M.,Xu Chongying. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

METHODS FOR DEPOSITING A TRANSITION METAL NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND RELATED DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20190003052A1. Автор: Li Dong,Alokozai Fred,Wang Hao,Wang Eric,Li Luping,Milligan Robert Brennan,Shero Eric James,Verbaas Melvin,Petro William George. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

APPARATUS FOR IN SITU DEPOSITION OF MULTILAYER STRUCTURES VIA ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ULTRA-HIGH VACUUM PHYSICAL OR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Wu Judy Z.,Lu Rongtao,HASE Allen,Elliot Alan. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11306395B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-04-19.

ATOMIC-LAYER DEPOSITION REACTOR FOR PROCESSING A PARTY OF SUBTINKS AND METHOD OF PROCESSING A PARTY OF SUBSTANTS

Номер патента: RU2014124039A. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2015-12-27.

Loss prevention during atomic layer deposition

Номер патента: US20230154754A1. Автор: Jason Alexander VARNELL,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

PACKAGING WRAP INCLUDING POLYLACTIDE FILM WITH A WATERPROOF BARRIER OBTAINED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: RU2018146574A. Автор: Андриес Дон СЕБАСТИАН,Сами Илмари СНЕК,Микко Юхани СОДЕРЛУНД. Владелец: Р.Дж. РЕЙНОЛДС ТОБАККО ПРОДАКТС. Дата публикации: 2020-08-12.

In-situ hybrid deposition of high dielectric constant films using atomic layer deposition and chemical vapor deposition

Номер патента: US20090246971A1. Автор: Anthony Dip,Kimberly G. Reid. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Component with a dual layer hermetic atomic layer deposition coatings for a semiconductor processing chamber

Номер патента: WO2024097505A1. Автор: LIN Xu,Eric A. Pape,David Joseph WETZEL. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-10.

Systems for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120118233A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-05-17.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20160099146A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180057362A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber

Номер патента: WO2016118573A1. Автор: Tatsuya E. Sato,Eran NEWMAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-07-28.

Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120083101A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-04-05.

Ruthenium pyrazolate precursor for atomic layer deposition and similar processes

Номер патента: IL293077A. Автор: . Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2022-07-01.

Film-forming method, manufacturing method of electronic device, and plasma atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20200013593A1. Автор: Tatsuya Matsumoto,Keisuke Washio,Junichi Shida,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: IL181362A0. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 2007-07-04.

Treating surface of substrate using inert gas plasma in atomic layer deposition

Номер патента: TW201209218A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: TW200808998A. Автор: David H Levy. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-02-16.

Electron-enhanced atomic layer deposition (ee-ald) methods and devices prepared by same

Номер патента: US20240240317A1. Автор: Steven George,Zachary Sobell. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-07-18.

Barrier coated granules for improved hardfacing material using atomic layer deposition

Номер патента: GB2450611B. Автор: Guodong Zhan,Gregory T Lockwood. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2010-01-06.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: TW200712227A. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: Du Pont. Дата публикации: 2007-04-01.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: TW200818273A. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2008-04-16.

Dynamic precursor dosing for atomic layer deposition

Номер патента: US20240240316A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Ishtak Karim,Purushottam Kumar,Fung Suong Ou. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: TW201243098A. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: EP4241299A4. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Ronald M Pearlstein,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

System and method for atomic layer deposition of rare-earth oxides on optical grade materials for laser gain media

Номер патента: US12031210B2. Автор: Selim Elhadj,John S. Miller,Thomas M. Spinka. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Pumping system for atomic layer deposition

Номер патента: TW200819554A. Автор: Carl Johan Galewski. Владелец: Carl Johan Galewski. Дата публикации: 2008-05-01.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A4. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Ronald M Pearlstein,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Nanolaminate gas sensor and method of fabricating a nanolaminate gas sensor using atomic layer deposition

Номер патента: EP3234573B1. Автор: Ashwin K. SAMARAO,Gary O'brien. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of plasma enhanced atomic layer deposition of tac and tacn films having good adhesion to copper

Номер патента: TWI367957B. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Source material for thin film formation for atomic layer deposition and method for producing thin film

Номер патента: EP3783130A4. Автор: Akihiro Nishida,Keisuke Takeda,Masaki Enzu. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for improving atomic layer deposition process and the device thereof

Номер патента: TW200604374A. Автор: Wen-Bin Chiou. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

High-throughput multichamber atomic layer deposition systems and methods

Номер патента: SG10201607942YA. Автор: M Hawryluk Andrew. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Atomic layer deposition systems, methods, and devices

Номер патента: US20200283895A1. Автор: Brett R. Herdendorf,Riyan Alex Mendonsa,Kevin A. Gomez,Martin Giles Blaber. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Thin-film forming material for use in atomic layer deposition, thin-film, method of producing thin-film, and ruthenium compound

Номер патента: IL312571A. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-01.

Microwave Plasma Source For Spatial Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD) Processing Tool

Номер патента: US20210050187A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Atomic layer deposition part coating chamber

Номер патента: US12074010B2. Автор: Michael R. Rice,Steven D. Marcus,Hanish Kumar PANAVALAPPIL KUMARANKUTTY,Sriharsha DHARMAPURA SATHYANARAYANAMURTHY,Kirubanandan Naina Shanmugam,Senthil Kumar NATTAMAI SUBRAMANIAN,Madhukar Krishna,Shivaprakash Padadayya Hiremath,Sankar Menon Cherubala Pathayapura. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB202016154D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-25.

System and method for atomic layer deposition of rare-earth oxides on optical grade materials for laser gain media

Номер патента: EP4172380A1. Автор: Selim Elhadj,John S. Miller,Thomas M. Spinka. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2023-05-03.

System and method for atomic layer deposition of rare-earth oxides on optical grade materials for laser gain media

Номер патента: EP4172380A4. Автор: Selim Elhadj,John S. Miller,Thomas M. Spinka. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2024-02-14.

Mixed metal oxide coatings applied using spatial atomic layer deposition and uses thereof

Номер патента: WO2024184552A1. Автор: Adriaan JEREMIASSE,Johannes Godfried VOS,Anders TREMPENAU,Nitin Puthuval PRASAD. Владелец: Magneto Special Anodes B.V.. Дата публикации: 2024-09-12.

Zirconium precursors useful in atomic layer deposition of zirconium-containing films

Номер патента: TW201038583A. Автор: Chongying Xu,Bryan C Hendrix,Thomas M Cameron,John N Gregg. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2010-11-01.

The formation of catalyst pt nanodots by pulsed/sequential cvd or atomic layer deposition

Номер патента: EP4204598A4. Автор: Takashi Ono,Nicolas Blasco,Takashi Teramoto,Quentin DEMARLY,Christian DUSSARRRAT. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-09-18.

Solution based zirconium precursors for atomic layer deposition

Номер патента: TW201100437A. Автор: Ce Ma,Kee-Chan Kim,Graham Anthony McFarlane. Владелец: LINDE AG. Дата публикации: 2011-01-01.

Methods of atomic layer deposition for selective film growth

Номер патента: EP3642385B1. Автор: Jacob Woodruff,Charles DEZELAH,Jean-S bastien LEHN. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-31.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A4. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2024-10-09.

Methods comprising an atomic layer deposition sequence

Номер патента: US20190206674A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Woohee Kim,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Raw material for forming thin film by atomic layer deposition method, method of producing thin film, and alkoxide compound

Номер патента: IL283981B1. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatus and method for spatial atomic layer deposition

Номер патента: US09873943B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Anthony Lin,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for producing oxynitride film by atomic layer deposition process

Номер патента: US09809490B2. Автор: Satoshi Shibata,Miyuki Nakai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatus for coating nanoparticles having core-shell structure using atomic layer deposition

Номер патента: US09732425B2. Автор: Sungho Park,Won-Seok Chae,Man So Han. Владелец: DAEJIN UNIVERSITY CENTER FOR EDUCATIONAL INDUSTRIAL COOPERATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods enabling low defect processing via controlled separation and delivery of chemicals during atomic layer deposition

Номер патента: US09631276B2. Автор: Shankar Swaminathan,Adrien Lavoie,Ramesh Chandrasekharan,Jennifer O'Loughlin,Saangrut Sangplung,Chloe Baldasseroni,Frank Pasquale. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming a metal layer by an atomic layer deposition and a semiconductor device with the metal layer as a barrier metal layer, an upper electrode, or a lower electrode of capacitor

Номер патента: KR100385946B1. Автор: 최길현,강상범,임현석,전인상,채윤숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-06-02.

Atomic layer deposition of stable lithium ion conductive interfacial layer for stable cathode cycling

Номер патента: US11894546B2. Автор: Yi Cui,Jin Xie. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-02-06.

Atomic Layer Deposition Using Radicals Of Gas Mixture

Номер патента: US20150020737A1. Автор: LEE Sang In. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

ADVANCED PRECURSORS FOR SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION USING SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Oh Il-Kwon,Bent Stacey F.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Surface-Selective Atomic Layer Deposition Using Hydrosilylation Passivation

Номер патента: US20180254179A1. Автор: Chan Kelvin,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Atomic Layer Deposition Using Injector Module Arrays

Номер патента: US20150275365A1. Автор: LEE Sang In,Pak Samuel S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Method for producing silicon-containing solid thin films by atomic layer deposition using hexachlorodisilane and ammonia

Номер патента: JP3602072B2. Автор: 榮 寛 金,泳 旭 朴,周 遠 李,東 燦 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-15.

Atomic layer deposition using metal amidinates

Номер патента: CN1726303B. Автор: R·G·格登,B·S·利姆. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2011-08-24.

Atomic Layer Deposition Using Metal Amidinates

Номер патента: KR101266441B1. Автор: 로이 지. 고든,부영 에스. 림. Владелец: 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지. Дата публикации: 2013-05-24.

Atomic layer deposition using alkaline earth metal beta-diketiminate precursors

Номер патента: KR101274330B1. Автор: 티모시 에이. 퀵. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2013-06-13.

Surface selective atomic layer deposition using hydrosilylation passivation

Номер патента: CN108028172B. Автор: K·陈,A·B·玛里克,陈一宏. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-29.

Methods of preparing thin films by atomic layer deposition using hafnium and zirconium-based precursors

Номер патента: KR20150139628A. Автор: 폴 윌리엄스,푸콴 송,피터 니콜라스 헤이스,앤드류 킹슬리,토마스 리즈,히웰 오웬 데이비스,라예쉬 오데드라. Владелец: 시그마 알드리치 컴퍼니 엘엘씨. Дата публикации: 2015-12-11.

Apparatus of atomic layer deposition using dispersion

Номер патента: KR101535354B1. Автор: 심준형,박석원,한권덕,최형종. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-07-10.

Methods of preparing titanium containing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl titanium-based precursors

Номер патента: KR101560755B1. Автор: 폴 윌리엄스,푸콴 송,피터 니콜라스 헤이스,앤드류 킹슬리,토마스 리즈,히웰 오웬 데이비스,라예쉬 오데드라. Владелец: 시그마 알드리치 컴퍼니 엘엘씨. Дата публикации: 2015-10-15.

Atomic Layer Deposition using a bias

Номер патента: KR101661415B1. Автор: 박주현,이주현,전형탁,함기열,신석윤. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-09-30.

Atomic layer deposition using metal amidinates

Номер патента: US20060141155A1. Автор: Roy Gordon,Booyong Lim. Владелец: Havard Univ. Дата публикации: 2006-06-29.

Methods of atomic layer deposition using titanium-based precursors

Номер патента: US20090074983A1. Автор: Paul Williams,Peter Nicholas Heys,Fuquan Song,Rajesh Odedra,Andrew Kingsley,Thomas Leese,Hywel Owen Davies. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods of preparing thin films by atomic layer deposition using hafnium and zirconium-based precursors

Номер патента: TWI464290B. Автор: Paul Williams,Peter Nicholas Heys,Fuquan Song,Rajesh Odedra,Andrew Kingsley,Thomas Leese,Hywel Owen Davies. Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2014-12-11.

Method and apparatus for atomic layer deposition using short pulse light irradiation

Номер патента: KR101570479B1. Автор: 서상준,오재응. Владелец: 주식회사 아이브이웍스. Дата публикации: 2015-11-20.

Atomic layer deposition using alkaline earth metal beta-diketiminate precursors

Номер патента: WO2007002672A2. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-01-04.

Methods of atomic layer deposition using titanium-based precursors

Номер патента: US8221852B2. Автор: Paul Williams,Peter Nicholas Heys,Fuquan Song,Rajesh Odedra,Andrew Kingsley,Thomas Leese,Hywel Owen Davies. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2012-07-17.

Methods of preparing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl trialkoxy hafnium and zirconium precursors

Номер патента: CN101815807B. Автор: 宋福全,P·威廉姆斯,R·奥德拉,P·N·黑斯,A·金斯里,T·利斯,H·O·戴维斯. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Method of atomic layer deposition using metal precursors

Номер патента: TWI551708B. Автор: 湯普森大衛,安瑟斯傑佛瑞Ｗ,達夏瑞克里斯汀,藍夏洛馬崔斯克里門. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2016-10-01.

Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma

Номер патента: WO2009031886A3. Автор: Vries Hindrik Willem De. Владелец: Vries Hindrik Willem De. Дата публикации: 2009-06-04.

Atomic layer deposition using metal amidinates

Номер патента: EP1563117B1. Автор: Roy G. Gordon,Booyong S. Lim. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2010-01-06.

Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma

Номер патента: EP2032738A1. Автор: Hindrik Willem De Vries,Mauritius Cornelius Maria Van De Sanden,W. M. M. Kessels,Mariadriana Creatore. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2009-03-11.

Methods of preparing titanium containing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl titanium-based precursors

Номер патента: EP2201149A1. Автор: Paul Williams,Peter Nicholas Heys,Fuquan Song,Rajesh Odedra,Andrew Kingsley,Thomas Leese,Hywel Owen Davies. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2010-06-30.

Atomic layer deposition using metal amidinates

Номер патента: US7557229B2. Автор: Roy G. Gordon,Booyong S. Lim. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2009-07-07.

Atomic layer deposition using novel oxygen-containing precursors

Номер патента: WO2023249825A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for preparing thin films by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: TW201139715A. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2011-11-16.

Atomic layer deposition using novel oxygen-containing precursors

Номер патента: US20230416915A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer

Номер патента: US7662729B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-16.

Method for forming high dielectric layer by atomic layer deposition and method for manufacturing capacitor having the layer

Номер патента: KR100555543B1. Автор: 임재순,김기철,이정현,김성태,김경석,김영선,김봉현,박홍배,남갑진,권종완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-03.

Ceria based bi-layer electrolyte comprising yttria-stabilized zircornia functional layer formed via atomic layer deposition, and solid oxide fuel cell comprising the same

Номер патента: KR101288375B1. Автор: 이주형,차석원,장익황,지영석. Владелец: 주식회사 엑스에프씨. Дата публикации: 2013-07-22.

Atomic Layer Deposition Method and Semiconductor Device Formed by the Same

Номер патента: US20080315293A1. Автор: Min-Hwa Chi,Fumitake Mieno,Hua Ji. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Reactor for Atomic Layer Deposition (ALD), Application to Encapsulation of an OLED Device by Deposition of a Transparent Al2O3 Film

Номер патента: US20130280833A1. Автор: Maindron Tony. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2013-10-24.

ISOLATED DEPOSITION ZONES FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20200002813A1. Автор: Liu Jinping,Zhang John H.,Shu Jiehui. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

EROSION RESISTANT METAL FLUORIDE COATINGS DEPOSITED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20200024735A1. Автор: Sun Jennifer Y.,RICE MICHAEL R.,Wu Xiaowei. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

SUB-SATURATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION

Номер патента: US20140120737A1. Автор: Swaminathan Shankar,Kang Hu,LaVoie Adrien. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Precursor and Process Design for Photo-Assisted Metal Atomic Layer Deposition (ALD) and Chemical Vapor Deposition (CVD)

Номер патента: US20170058401A1. Автор: Zimmerman Paul A.,BLACKWELL JAMES M.,Gstrein Florian,Clendenning Scott B.,BRISTOL Robert L.,Romero Patricio E.,Simka Harsono S.,Kloster Grant M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Hafnium aluminum oxide coatings deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US20210123143A1. Автор: Xiao-Ming He,Jennifer Y. Sun,David Fenwick,Cheng-Hsuan Chou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

STITCHING TWO-DIMENSIONAL ATOMIC CRYSTALS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AS STABLE INTERFACES FOR BATTERIES

Номер патента: US20200131638A1. Автор: Cui Yi,Liao Lei,Xie Jin. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-30.

APPARATUS FOR HIGH SPEED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND DEPOSITION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20170167022A1. Автор: Shin Hangbeum. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2017-06-15.

Ultra thin Hf-silicate film growth by atomic layer chemical vapor deposition using a new combination of precursors: metal-alkylamide and metal-alkoxide

Номер патента: KR100760962B1. Автор: 김재현,용기중. Владелец: 학교법인 포항공과대학교. Дата публикации: 2007-09-21.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces

Номер патента: US20200161140A1. Автор: Thomas E. Seidel,Michael Current. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Nanoscale sofc electrode architecture engineered using atomic layer deposition

Номер патента: WO2016099607A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Kirk Gerdes,Shiwoo Lee. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Performing atomic layer etching using a silane-based chemistry

Номер патента: WO2024211411A1. Автор: James Sims,Ryan James GASVODA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-10.

Euv patterning of monolayers for selective atomic layer deposition

Номер патента: US20190391494A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano,Noah F. Fine Nathel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for removing a contamination layer by an atomic layer etching process

Номер патента: EP3649510A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Edwin Te Sligte,Moritz Becker,Yves Lodewijk Maria Creijghton,Fred Roozeboom,Andrea Illiberi. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2020-05-13.

3D atomic layer gate or junction extender

Номер патента: US09318318B1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Pouya Hashemi,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition

Номер патента: US20040261850A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: US20060174945A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Atomic layer deposition for low-k trench protection during etch

Номер патента: KR102562862B1. Автор: 안젤리크 레일리,데이비드 오메라,옌-티엔 루,싱후아 선. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-08-02.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of forming a catalyst with an atomic layer of platinum atoms

Номер патента: US09610566B2. Автор: Keiichi Kaneko,Minhua Shao,Michael Paul HUMBERT. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Charge coupled device based on atomically layered van der waals solid state film for opto-electronic memory and image capture

Номер патента: US09431565B2. Автор: Antony George,Bo Li,Pulickel M. Ajayan,Sidong Lei,Liehui Ge,Robert Vajtai. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2016-08-30.

Molecular layer deposition

Номер патента: KR20070084683A. Автор: 성명모. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-27.

Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials

Номер патента: US09620382B2. Автор: Gottlieb S. Oehrlein,Dominik Metzler. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2017-04-11.

Atomic layer etch and ion beam etch patterning

Номер патента: US12080562B2. Автор: YANG Pan,Girish Dixit,Samantha SiamHwa Tan,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: WO2024147802A1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: US20240249913A1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Tunable doping of carbon nanotubes through engineered atomic layer deposition

Номер патента: US11832458B2. Автор: Christian Lau,Max SHULAKER. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-28.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Atomic layer etch methods and hardware for patterning applications

Номер патента: US09997371B1. Автор: Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Pulkit Agarwal. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Mitigation of substrate defects in reticles using multilayer buffer layers

Номер патента: AU1772001A. Автор: Daniel G. Stearns,Sasa Bajt,Paul B. Mirkarimii. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-06-12.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Atomic layer etching method

Номер патента: US11450531B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation

Номер патента: US09425041B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Fabrication of field-effect transistors with atomic layer doping

Номер патента: US20150236118A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,MIN Yang,Isaac Lauer,Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Young-Hee Kim. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

X-ray wave diffraction optics constructed by atomic layer epitaxy

Номер патента: US5458084A. Автор: Raymond T. Perkins,James M. Thorne,David D. Allred,James K. Shurtleff. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 1995-10-17.

Forming a semiconductor feature using atomic layer etch

Номер патента: US20210265164A1. Автор: Subhadeep Kal,Shan Hu,Akiteru Ko,Angelique RALEY,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Hydrogen activated atomic layer etching

Номер патента: US09779956B1. Автор: Xin Zhang,Gerardo Delgadino,Daniel Le,Alan Jensen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon

Номер патента: US09735024B2. Автор: Masaru Zaitsu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-08-15.

Forming a semiconductor feature using atomic layer etch

Номер патента: WO2021173400A1. Автор: Subhadeep Kal,Shan Hu,Akiteru Ko,Angelique RALEY,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for removing a contamination layer by an atomic layer etching process

Номер патента: US20200142327A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Edwin Te Sligte,Moritz Becker,Yves Lodewijk Maria Creijghton,Fred Roozeboom,Andrea Illiberi. Владелец: TNO SCIENCE & INDUSTRY. Дата публикации: 2020-05-07.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: SG11201907625UA. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2019-09-27.

Method for etching atomic layer

Номер патента: US20240177972A1. Автор: Chin Wook Chung,Jun Young Park,Ji Won JUNG,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,Hong Seong GIL,Hae In KWON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

High energy atomic layer etching

Номер патента: US20240274408A1. Автор: YANG Pan,Samantha Tan,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Self limiting lateral atomic layer etch

Номер патента: US09620376B2. Автор: Tom Kamp,Neema Rastgar,Michael Carl Drymon. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Atomic layer etch process using an electron beam

Номер патента: US09520294B2. Автор: Shahid Rauf,Rajinder Dhindsa,Ankur Agarwal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: US11942306B1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: US11869747B1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: US20180138054A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Atomic layer etching of metals

Номер патента: EP4032118A1. Автор: Prerna Sonthalia Goradia,Nitin Deepak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Atomic layer etching of metals

Номер патента: WO2021055166A1. Автор: Prerna Sonthalia Goradia,Nitin Deepak. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Nanogenerator comprising boron nitride atomic layer

Номер патента: US9406864B2. Автор: Sang Woo Kim,Jin Yeong Lee,Wan Chul SEUNG,Keun Young LEE,Kang Hyuck LEE,Ju Hyuck LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-02.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: WO2018157090A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-30.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US20170140937A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: WO2020223152A1. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: US11935758B2. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: US20190157105A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Designer atomic layer etching

Номер патента: WO2018118655A1. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

Atomic layer etching using an inhibitor

Номер патента: WO2023164367A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Aaron Lynn ROUTZAHN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: EP3586357A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-01-01.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: US20180366343A9. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Atomic layer etch systems for selectively etching with halogen-based compounds

Номер патента: WO2020101997A1. Автор: He Zhang,Yunsang Kim,Dong Woo Paeng. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-22.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: US20240186150A1. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Atomic layer etching (ale) apparatus and ale method based on the apparatus

Номер патента: US20240030038A1. Автор: Kijong Park,Joonyoung Kim,Sunjoong SONG,Seungmin SHIN,Seungcheol Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride thermal atomic layer etch

Номер патента: WO2024049699A1. Автор: Andreas Fischer,Aaron Lynn ROUTZAHN,Thorsten Bernd LILL. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and apparatus for atomic layer etching

Номер патента: US11784029B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON,Jong Ki An,Tian Hao HAN. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for atomic layer etching

Номер патента: US20220059325A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON,Jong Ki An,Tian Hao HAN. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Atomic layer epitaxy of compound semiconductor

Номер патента: EP1119029A3. Автор: Kunihiko Kodama,Yoshiki c/o Fujitsu Limited Sakuma,Masashi c/o Fujitsu Limited Ozeki,Nobuyuki c/o Fujitsu Limited Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-01.

Dynamically adjusted purge timing in wet atomic layer etching

Номер патента: US11915941B2. Автор: Paul Abel,Jacques Faguet,Tetsuya SAKAZAKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

ALE (atomic layer etching) 방법들 및 장치

Номер патента: KR20230006607A. Автор: 안드레아스 피셔,데이비드 스미스,토르스텐 릴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-10.

Dynamically adjusted purge timing in wet atomic layer etching

Номер патента: WO2022173591A1. Автор: Paul Abel,Jacques Faguet,Tetsuya SAKAZAKI. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

원자 층 에칭 (atomic layer etching)

Номер патента: KR102589704B1. Автор: 케렌 제이콥스 카나릭. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-10-13.

디자이너 ale (atomic layer etching)

Номер патента: KR20190089222A. Автор: 케렌 제이콥스 카나릭. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2019-07-30.

Atomic layer etching methods and apparatus

Номер патента: WO2018119446A1. Автор: David Smith,Andreas Fischer,Thorsten Lill. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

Atomic layer etching of metal oxides

Номер патента: US20220285163A1. Автор: Robert Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Atomic layer etching of metal oxides

Номер патента: WO2022192092A1. Автор: Robert Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-09-15.

Atomic layer etching methods and apparatus

Номер патента: US20200312670A1. Автор: David Smith,Andreas Fischer,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

패터닝 애플리케이션들을 위한 ale (atomic layer etch), 반응성 전구체들 및 에너제틱 소스들

Номер патента: KR102625972B1. Автор: 애드리언 라보이,펄킷 아가월,프루쇼탐 쿠마. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2024-01-16.

ALE (atomic layer etching) 에서 지향성 제어

Номер патента: KR20190115099A. Автор: 안드레아스 피셔,토르스텐 릴,리차드 자넥. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2019-10-10.

Atomic layer etching method using ligand exchange reaction

Номер патента: US20240079249A1. Автор: Dong Kyun Lee,Jooyong Kim,Jae Chul Lee,Eun Ae JUNG,Byeong IL Yang,Hyun Sik Noh,Kyoung-Mun Kim,Younghun Byun,Changhyun Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Integrated circuit chip with 2d field-effect transistors and on-chip thin film layer deposition with electrical characterization

Номер патента: WO2023164157A1. Автор: Kiana Aran,Brett Goldsmith,Jeffrey TAULBEE. Владелец: Cardea Bio, Inc.. Дата публикации: 2023-08-31.

Palletizer, palletizing method, and transfer of a layer of objects by palletizer from a conveyor to a layer depositing tool

Номер патента: US09908721B2. Автор: Zmaj Petrovic. Владелец: Gebo Packaging Solutions Italy SRL. Дата публикации: 2018-03-06.

Multi-layer deposits with hard-to-recover oil reserves development method by the compacting grid method

Номер патента: RU2678337C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Рустем Халитович Саетгараев,Владлен Борисович Подавалов,Айдар Рашитович Якупов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" им. В.Д.Шашина. Дата публикации: 2019-01-28.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Principle of generating improved sound field description or modified description of sound field using multilayer description

Номер патента: RU2740703C1. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Эмануэль ХАБЕТС. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2021-01-20.

Method of manufacturing organic light emitting display device using organic layer deposition apparatus

Номер патента: US20140370626A1. Автор: Jong-Won Hong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Simulating wireless networks using multilayer radio frequency resolution maps

Номер патента: US20230262477A1. Автор: XIONG Yang,Mourad B. Takla. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods and systems for layered deposition modelling with reinforced interlayer connections

Номер патента: WO2020046125A1. Автор: Tom Heijmans,Jakobus Josephus VAN KESSEL. Владелец: Ultimaker B.V.. Дата публикации: 2020-03-05.

Face recognition using multilayered discriminant analysis

Номер патента: US09355303B2. Автор: Muhammad Khurram Khan,Khaled Soliman Alghathbar,Muhammad Imran Razzak. Владелец: KING SAUD UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for secure device-to-device communication using multilayered cyphers

Номер патента: US20200036690A1. Автор: Ibrahim Elfadel,Shahzad Muzaffar,Owais Talaat Waheed. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2020-01-30.

Method for detecting and measuring a layer deposited on a surface in contact with a liquid medium and detection and measuring sensor implementing the same

Номер патента: EP3710817A1. Автор: Marco Carminati,Andrea Turolla,Manuela ANTONELLI. Владелец: Fondazione Cassa Di Risparmio Delle Province Lombarde. Дата публикации: 2020-09-23.

Cu seed layer deposition for ULSI metalization

Номер патента: US20020113038A1. Автор: Ching-Han Jan,Jih-Wen Wang,Fon-Shan Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-08-22.

Methods and systems for layered deposition modelling with reinforced interlayer connections

Номер патента: EP3843976A1. Автор: Tom Heijmans,Jakobus Josephus VAN KESSEL. Владелец: Ultimaker Bv. Дата публикации: 2021-07-07.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Doping by molecular layer deposition

Номер патента: US20240332014A1. Автор: John Sudijono,Mark Saly,Long Liu,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG,Jiecong Tang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Filter using multilayer ceramic technology and structure thereof

Номер патента: US7012484B2. Автор: Sheng-Fuh Chang,Yng-Huey Jeng. Владелец: Integrated System Solution Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Method for development of multi-layer deposits of natural gases

Номер патента: RU2722190C1. Автор: Александр Иосифович Пономарев,Рустам Фадисович Ситдиков,Артур Адикович Ибатулин. Владелец: Артур Адикович Ибатулин. Дата публикации: 2020-05-28.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for improving flatness of a layer deposited on polycrystalline layer

Номер патента: US20120190198A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ta-Hone Yang,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Controlled release from particles encapsulated by molecular layer deposition

Номер патента: EP3261623A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2018-01-03.

A layered structure comprising a composite thin single layer deposited over a base electrolyte layer for an electrochemical device, a process for manufacturing and uses thereof

Номер патента: WO2024017941A2. Автор: Albert TARANCÓN RUBIO,Marc TORRELL FARO,Nerea ALAYO BUENO,Judith Driscoll,Matt Wells,Federico BAIUTTI,Lucile BERNADET. Владелец: Cambridge Enterprise Ltd (Ce). Дата публикации: 2024-01-25.

A layered structure comprising a composite thin layer deposited over a base electrolyte layer in an electrochemical device, a process for manufacturing and uses thereof

Номер патента: EP4310966A1. Автор: Albert TARANCÓN RUBIO,Marc TORRELL FARO,Nerea ALAYO BUENO,Judith Driscoll,Matt Wells,Federico BAIUTTI,Lucile BERNADET. Владелец: Fundació Institut De Recerca En Energia De Catalunya. Дата публикации: 2024-01-24.

A layered structure comprising a composite thin single layer deposited over a base electrolyte layer for an electrochemical device, a process for manufacturing and uses thereof

Номер патента: WO2024017941A3. Автор: Albert TARANCÓN RUBIO,Marc TORRELL FARO,Nerea ALAYO BUENO,Judith Driscoll,Matt Wells,Federico BAIUTTI,Lucile BERNADET. Владелец: Cambridge Enterprise Ltd (Ce). Дата публикации: 2024-04-25.

Ostomy appliance having a neutralizing layer deposited on adhesive of a wafer and located inside a waste collection bag

Номер патента: US11786631B2. Автор: Henrik Olsen,Kristoffer Hansen,Simon RAVNBAK. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2023-10-17.

Method and system for precision face lookup and identification using multilayer ensembles

Номер патента: WO2023121563A9. Автор: Munirul ABEDIN,Haitao BAO,Kyle MEASNER,Varun KANSAL,Wuingiap FOO,Kevin Jefferson COLEMAN,Joshua CHAN. Владелец: GRABTAXI HOLDINGS PTE. LTD.. Дата публикации: 2023-08-31.

System and method for adaptive live video streaming based on distortion estimation using multilayer perceptron neural network

Номер патента: US11871047B2. Автор: Manh Linh Nguyen,Truong Xuan Do,Thai Binh Nguyen,Huu Tung Dang,Minh Tuan Vu. Владелец: VIETTEL GROUP. Дата публикации: 2024-01-09.

Method and system for precision face lookup and identification using multilayer ensembles

Номер патента: WO2023121563A2. Автор: Munirul ABEDIN,Haitao BAO,Kyle MEASNER,Varun KANSAL,Wuingiap FOO,Kevin Jefferson COLEMAN,Joshua CHAN. Владелец: GRABTAXI HOLDINGS PTE. LTD.. Дата публикации: 2023-06-29.

System and method for adaptive live video streaming based on distortion estimation using multilayer perceptron neural network

Номер патента: US20230171439A1. Автор: Manh Linh Nguyen,Truong Xuan Do,Thai Binh Nguyen,Huu Tung Dang,Minh Tuan Vu. Владелец: VIETTEL GROUP. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and system for precision face lookup and identification using multilayer ensembles

Номер патента: WO2023121563A3. Автор: Munirul ABEDIN,Haitao BAO,Kyle MEASNER,Varun KANSAL,Wuingiap FOO,Kevin Jefferson COLEMAN,Joshua CHAN. Владелец: GRABTAXI HOLDINGS PTE. LTD.. Дата публикации: 2023-08-03.

Development method of oil and gas deposits using high-power laser radiation for their maximum extraction

Номер патента: RU2509882C1. Автор: Александр Петрович Линецкий,Владимир Михайлович Журба. Владелец: Александр Петрович Линецкий. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for building three-dimensional objects with extrusion-based layered deposition systems

Номер патента: CA2713336C. Автор: Donald J. Holzwarth. Владелец: Stratasys Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Transfuse roller tracking in selective layer deposition based additive manufacturing

Номер патента: US11975492B2. Автор: Andrew Rice. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for electrical monitoring of reservoir-collector characteristics during development of oil deposits using steam pumping

Номер патента: RU2736446C2. Автор: Марат Инкилапович Амерханов,Данис Карлович Нургалиев,Марат Расимович Лябипов,Дамир Ирекович Хасанов,Айрат Наильевич Даутов,Борис Григорьевич Червиков,Константин Игоревич Бредников. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Methods for direct geochemical prediction of hydrocarbon deposits using biomarker compounds

Номер патента: RU2731955C1. Автор: Никита Владимирович Морозов,Дарья Юрьевна Калачева,Андрей Васильевич Гончаров,Елена Ивановна Горбенко,Фидан Гилемьянович Гайнетдинов,Оксана Александровна Захарова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпромнефть Научно-Технический Центр" (ООО "Газпромнефть НТЦ"). Дата публикации: 2020-09-09.

Method of development of high-viscosity oil deposit using thermal methods and device for implementation thereof

Номер патента: RU2730504C1. Автор: Айрат Идрисович Каримов,Андрей Владимирович Балякин. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-08-25.

Method for development of permeable upper jurassic deposits using horizontal wells with multi-stage hydraulic fracturing and maintaining reservoir pressure due to high-pressure air injection

Номер патента: RU2764128C1. Автор: Валерий Борисович Карпов,Виктор Иванович Дарищев,Николай Васильевич Паршин,Варвара Дмитриевна Немова,Константин Анатольевич Бугаев,Дмитрий Александрович Метт,Ольга Владимировна Славкина,Ренат Галеевич Нургалиев,Максим Григорьевич Борисов,Константин Александрович Щеколдин,Евгений Орестович Микитин,Александра Евгеньевна Привознова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Российская инновационная топливно-энергетическая компания" (ООО "РИТЭК"). Дата публикации: 2022-01-13.

Recovery method of high-viscosity oil or bitumen deposit, using hydraulic fractures

Номер патента: RU2626482C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Арслан Валерьевич Насыбуллин. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2017-07-28.

Method of developing low-permeable oil deposit using separate injection of water and gas

Номер патента: RU2731243C2. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Илгам Гарифзянович Газизов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-08-31.

System for inductive heating oil sands and heavy oil deposits using current conductors

Номер патента: RU2455796C2. Автор: Дирк ДИЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-07-10.

System and method of controlling development of deposit using electric submersible pumps as virtual sensors

Номер патента: RU2708303C2. Автор: Самир ВИТТАЛ,Рене ХЕ,Марк Эндрю СПОРЕР,Майкл Франклин Хьюз. Владелец: ДжиИ ОЙЛ ЭНД ГЭС ЭСП, ИНК.. Дата публикации: 2019-12-05.

Atomic layer deposition methods and structures thereof

Номер патента: US09972694B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Atomic layer deposition methods and structures thereof

Номер патента: US09799745B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical FET with selective atomic layer deposition gate

Номер патента: US09761694B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

High electron mobility transistor and method of forming the same using atomic layer deposition technique

Номер патента: US09685548B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Atomic layer deposition

Номер патента: US20100279515A1. Автор: Chen-Hua Yu,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Deposition on a nanowire using atomic layer deposition

Номер патента: US09437677B2. Автор: Dechao Guo,Zhen Zhang,Yu Zhu,Kejia Wang,Zhengwen Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Atomic layer deposition of chemical passivation layers and high performance anti-reflection coatings on back-illuminated detectors

Номер патента: US20110316110A1. Автор: Frank Greer,Shouleh Nikzad,Michael E. Hoenk. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-12-29.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE (Vt) WORKFUNCTION METAL BY SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: WO2015138176A1. Автор: David Thompson,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Atomic layer deposition inverted passivated surface acoustic wave sensor for early detection of biofilm growth

Номер патента: US09417216B2. Автор: Young Wook Kim,Reza Ghodssi,William E. Bentley,Agisilaos A. Iliadis,Mariana Tsacoumis Meyer. Владелец: University of Maryland at Baltimore. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods for etching via atomic layer deposition (ALD) cycles

Номер патента: US09595466B2. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Mei Chang,Vikash Banthia,Yixiong Yang,Xinyu Fu,Guoqiang JIAN,Jonathan BAKKE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20220254829A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: IL304229A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-09-01.

Film Deposition Using Spatial Atomic Layer Deposition Or Pulsed Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20150194298A1. Автор: Zheng Bo,Ganguli Seshadri,Gandikota Srinivas,Lei Yu,Salinas Martin Jeff,Schmiege Benjamin,JAKKARAJU Rajkumar. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Plasma module and atomic layer deposition apparatus of having it, and a atomic layer deposition method using the same

Номер патента: KR101939275B1. Автор: 김성열,이재승. Владелец: 에이피시스템 주식회사. Дата публикации: 2019-04-11.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: WO2024206872A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Company, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: US20240325990A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Microfluidic cell fabrication including atomic layer deposition (ald) of calcite layer for eior studies

Номер патента: US20240337614A1. Автор: Ali Abdallah Al-Yousef,Abdulaziz S. Al-Qasim,Subhash C. Ayirala,Ghaida Ahmed ALJUHANI,Dongkyu CHA. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for making nanosheet CMOS device integrating atomic layer deposition process and replacement gate structure

Номер патента: US09911592B2. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for making nanosheet CMOS device integrating atomic layer deposition process and replacement gate structure

Номер патента: US09812321B2. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Atomic layer deposition sealing integration for nanosheet complementary metal oxide semiconductor with replacement spacer

Номер патента: US09647139B2. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

INTEGRATING ATOMIC SCALE PROCESSES: ALD (ATOMIC LAYER DEPOSITION) AND ALE (ATOMIC LAYER ETCH)

Номер патента: US20160203995A1. Автор: Kanarik Keren Jacobs,Tan Samantha,LILL Thorsten,Singh Harmeet,Hausmann Dennis M.,Marks Jeffrey,Kabansky Alexander,Yang Wenbing,Kim Taeseung. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Organic opto-electronic component i.e. organic LED, manufacturing method, involves applying barrier layers on organic functional layer by plasma enhanced atomic layer deposition and by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: DE102008019900A1. Автор: Christian Schmid,Tilman Dr. Schlenker,Heribert Dr. Zull. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-08-06.

Technologies for atomic layer deposition for ferroelectric transistors

Номер патента: US20240120415A1. Автор: Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ian Alexander Young,Matthew V. Metz,John J. Plombon,Tristan A. TRONIC,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA,Dmitri Evgenievich Nikonov,Gauri Auluck,Rachel A. Steinhardt,Brandon Holybee,Charles C. Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

METHODS AND SYSTEMS FOR ATOMIC LAYER ETCHING AND ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20220013706A1. Автор: Greer Harold Frank,Beyer Andrew D.,Shaw Matthew D.,Cunnane Daniel P.. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2022-01-13.

Gradient atomic layer deposition

Номер патента: US20200006132A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: TW569310B. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

SELECTIVE AREA DEPOSITION OF METAL FILMS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD)

Номер патента: US20160086850A1. Автор: Gstrein Florian,Roberts Jeanette M.,Clendenning Scott B.,Romero Patricio E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SELECTIVE AREA DEPOSITION OF METAL FILMS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD)

Номер патента: US20150170961A1. Автор: Gstrein Florian,Roberts Jeanette M.,Clendenning Scott B.,Romero Patricio E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Atomic layer deposition of iii-v compounds to form v-nand devices

Номер патента: US20220028870A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for depositing doped silicon oxide and atomic layer deposition process for depositing doped silicon oxide on substrate

Номер патента: TW201627520A. Автор: 福田秀明,中野竜,高牟礼昇,深澤篤穀,尼斯卡嫩安提,賀加蘇維,難波邦年. Владелец: Ａｓｍ國際股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-01.

Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices

Номер патента: US11956977B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: WO2023249824A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: US20230420486A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition with hydroxylation pre-treatment

Номер патента: TW200424347A. Автор: Shih-Chang Chen,Yeou-Ming Lin,Ming-Fang Wang,Liang-Gi Yao,Tuo-Hung Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-11-16.

Atomic layer deposition encapsulation

Номер патента: WO2009061704A3. Автор: Arrelaine Dameron,Neil Gough. Владелец: Hcf Partners L P. Дата публикации: 2009-08-20.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP3352208B1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Atomic layer deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing materials

Номер патента: US20240332001A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing materials

Номер патента: WO2024206048A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

METHODS FOR FORMING SEMICONDUCTOR MATERIALS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION USING HALIDE PRECURSORS

Номер патента: US20130295708A1. Автор: Werkhoven Christiaan J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Atomic Layer Deposition Using A Substrate Scanning System

Номер патента: US20220068644A1. Автор: Gilchrist Glen F R. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Radical-enhanced atomic layer deposition using CF4 to enhance oxygen radical generation

Номер патента: US20160064208A1. Автор: Zafiropoulo Arthur W.,Sowa Mark J.. Владелец: Ultratech, Inc.. Дата публикации: 2016-03-03.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US20150279665A1. Автор: Zafiropoulo Arthur W.. Владелец: Ultratech, Inc.. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of removing water from semiconductor substrate and method of atomic layer deposition using the same

Номер патента: KR101552937B1. Автор: 김기철,김윤수,이종철,박기연,유차영,오세훈,임기빈,최훈상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-09-15.

Non-atomic layer deposition (ALD) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: US11651967B2. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Method of manufacturing a thin-film transistor having an active layer formed using atomic layer deposition

Номер патента: US11798498B2. Автор: Joon Seok Park,Jun Hyung LIM,Jin Seong Park,Jiazhen SHENG,Tae Hyun HONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

METHODS FOR DEPOSITING THIN FILMS COMPRISING INDIUM NITRIDE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20130109160A1. Автор: NISKANEN Antti,Pore Viljami J.,Haukka Suvi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

Textile Including Fibers Deposited with Material Using Atomic Layer Deposition for Increased Rigidity and Strength

Номер патента: US20140073212A1. Автор: LEE Sang In. Владелец: Veeco ALD Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

APPROACH TO PREVENTING ATOMIC DIFFUSION AND PRESERVING ELECTRICAL CONDUCTION USING TWO DIMENSIONAL CRYSTALS AND SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20190006468A1. Автор: Farmer Damon B.,Antunez Priscilla D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

PRE-DEPOSITION TREATMENT AND ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) PROCESS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20170032972A1. Автор: Lin Yi-Hung,Lee Da-Yuan,TSAU Hsueh Wen,Chang Weng,TSAI Ming-Hsing,Tsai Cheng-Yen,HUNG Ying-Chieh,Lee JoJo. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

ATOMIC LAYER DEPOSITION AND PHYSICAL VAPOR DEPOSITION BILAYER FOR ADDITIVE PATTERNING

Номер патента: US20200135807A1. Автор: OK Injo,Adusumilli Praneet,Brew Kevin W.,Saraf Iqbal Rashid,Saulnier Nicole. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SELF-LIMITING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHODS

Номер патента: US20150162182A1. Автор: Kummel Andrew C.,EDMONDS Mary,NOORI Atif M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

METHOD FOR TUNING A DEPOSITION RATE DURING AN ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Chang Mei,Lu Jiang,Ma Paul,AUBUCHON JOSEPH F.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-04.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

X-ray wave diffraction optics constructed by atomic layer epitaxy

Номер патента: CA1333426C. Автор: David D. Allred,James Meyers Thorne,James Kevin Shurtleff,Raymond Theodore Perkins. Владелец: BRIGHAM YOUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 1994-12-06.

Method for atomic layer growing of thin films of chemical compounds on substrates

Номер патента: RU2472870C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дарья Сергеевна Михайлова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУВПО "СГГА"). Дата публикации: 2013-01-20.

Energy-independent heating system for three storeys, using multilayer water flows to ensure circulation

Номер патента: RU2570306C2. Автор: Петр Анатольевич Прусов. Владелец: Петр Анатольевич Прусов. Дата публикации: 2015-12-10.

Heating system with energy-independent mode for four storeys using multilayered water flows for circulation

Номер патента: RU2568177C1. Автор: Петр Анатольевич Прусов. Владелец: Петр Анатольевич Прусов. Дата публикации: 2015-11-10.

Heating system with energy-independent mode for two, three, four storeys, with connection of heat-insulated floor, using multilayered water flows for circulation

Номер патента: RU2568097C1. Автор: Петр Анатольевич Прусов. Владелец: Петр Анатольевич Прусов. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of simultaneous separate operation of multi layer deposit and device for realizing said method

Номер патента: RU2594235C2. Автор: Олег Николаевич Журавлев,Марат Тохтарович Нухаев,Роман Викторович Щелушкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВОРМХОЛС Внедрение". Дата публикации: 2016-08-10.

Manufacturing device of multi-layer deposition capacitor

Номер патента: CN103093975A. Автор: 尹剑,安荣宽. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-08.

Method to develop gas hydrate deposits using focused acoustic impact on the layer

Номер патента: RU2586343C2. Автор: Иван Александрович Федоров. Владелец: Иван Александрович Федоров. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for physical reconnaissance of mineral deposits using flying vehicles

Номер патента: RU2145104C1. Автор: Р.П. Ковалев. Владелец: Ковалев Роберт Петрович. Дата публикации: 2000-01-27.

Development method of high-viscosity oil deposit using in-situ combustion

Номер патента: RU2494242C1. Автор: Ильшат Мухаметович Бакиров,Георгий Владимирович Александров,Лилия Рафагатовна Оснос,Айрат Ильшатович Бакиров,Рамиль Хабутдинович Низаев,Сергей Николаевич Судыкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-09-27.

Method and device for development of heavy oil or bitumen deposit using two-head horizontal wells

Номер патента: RU2474680C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Марат Инкилапович Амерханов,Антон Николаевич Береговой,Эдуард Петрович Васильев,Валентин Викторович Шестернин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-02-10.

Development method of ultra-thick deposits using block and chamber system

Номер патента: RU2560734C1. Автор: Вячеслав Васильевич Сергеев,Георгий Валикоевич Пухаев,Дмитрий Валерьевич Павлиди,Михаил Валерьянович Джусоев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ ГТУ). Дата публикации: 2015-08-20.

Method for development of low-permeable oil deposits using horizontal wells with transversal cracks in hydraulic fracturing

Номер патента: RU2515628C1. Автор: Виталий Анварович Байков,Константин Витальевич Торопов,Александр Валерьевич Колонских,Олег Владимирович Евсеев,Раиль Рамилевич Галеев,Михаил Анатольевич Степанов,Сергей Валерьевич Валеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2014-05-20.

Method for development of oil deposit using injection of carbon dioxide

Номер патента: RU2704660C1. Автор: Рифхат Зиннурович Сахабутдинов,Ильдар Ильясович Гирфанов,Олег Сергеевич Сотников. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of searching for mineral deposits using submarine geophysical vessel

Номер патента: RU2480793C2. Автор: Сергей Алексеевич Бахарев. Владелец: Сергей Алексеевич Бахарев. Дата публикации: 2013-04-27.

Method for extracting oil deposit using horizontal wells

Номер патента: RU2287674C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Рашад Хасанович Фаткуллин,Изиль Галимзянович Юсупов,Изиль Галимз нович Юсупов,Рафаэль Гасимович Загидуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2006-11-20.

Development method of oil-gas deposit using hydraulic fracturing of formation

Номер патента: RU2496001C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Равиль Рустамович Ибатуллин,Вячеслав Гайнанович Салимов,Арслан Валерьевич Насыбуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-10-20.

Development method of high-viscosity oil deposit using method of thermal steam action on formation

Номер патента: RU2459940C1. Автор: Марат Инкилапович Амерханов,Ильшат Мухаметович Бакиров,Валентин Викторович Шестернин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-08-27.

Development method of high-viscosity oil deposit using wells with inclined sections

Номер патента: RU2468194C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Фарид Баширович Сулейманов,Илфат Нагимович Файзуллин,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Роберт Рафаэлович Ахмадуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-11-27.

Development method of high-viscosity oil deposit using method of steam gravitational action on formation

Номер патента: RU2444617C1. Автор: Равиль Рустамович Ибатуллин,Марат Инкилапович Амерханов,Ильшат Мухаметович Бакиров,Валентин Викторович Шестернин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-03-10.

Development method of massive oil deposit using hydraulic fracturing of formation

Номер патента: RU2560022C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Равиль Рустамович Ибатуллин,Вячеслав Гайнанович Салимов,Арслан Валерьевич Насыбуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-08-20.

Development method of stratified deposits using chamber system

Номер патента: RU2479720C1. Автор: Олег Андреевич Носов,Александр Аркадьевич Романовский,Никита Сергеевич Кошурников,Михаил Владимирович Скопинов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский Научно-Исследовательский И Проектный Институт Галургии" (Оао "Галургия"). Дата публикации: 2013-04-20.

Method for open excavation of mineral deposits using crushing link and high-angle conveyors (hac)

Номер патента: RU2501951C2. Автор: Георгий Михайлович Ерёмин. Владелец: Георгий Михайлович Ерёмин. Дата публикации: 2013-12-20.

Development method of oil deposits using formation hydraulic fracturing

Номер патента: RU2496976C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Равиль Рустамович Ибатуллин,Вячеслав Гайнанович Салимов,Арслан Валерьевич Насыбуллин,Олег Геннадьевич Антонов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-10-27.

Method for open development of mineral deposits using excavator-crane line

Номер патента: RU2598609C1. Автор: Виктор Евгеньевич Кисляков,Равиль Зиннурович Нафиков,Хорагай Уран-ооловна Севик. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2016-09-27.

LATERAL FLOW ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20130045331A1. Автор: Lee Jeong Ho,JEONG Sang Jin,KIM Woo Chan,Jang Hyun Soo. Владелец: ASM GENITECH KOREA LTD.. Дата публикации: 2013-02-21.

Atomic layer deposition apparatus and film formation method for atomic layer deposition

Номер патента: JP6569406B2. Автор: 厚 笠井,清文 北和田,北和田　清文,笠井　厚. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-09-04.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: TW200808992A. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Du Pont. Дата публикации: 2008-02-16.

Method for Atomic Layer Deposition

Номер патента: AU2009905531A0. Автор: . Владелец: NANO-NOUVELLE PTY LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

ATOMIC LAYER DEPOSITION USING RADICALS OF GAS MIXTURE

Номер патента: US20120207948A1. Автор: . Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

METHODS FOR PREPARING THIN FILMS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION USING HYDRAZINES

Номер патента: US20130052368A1. Автор: Williams Paul,Rushworth Simon. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of Atomic Layer Deposition Using Metal Precursors

Номер патента: US20130059077A1. Автор: Dussarrat Christian,Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Lansalot-Matras Clement. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for Forming Dielectric Film Containing Si-C bonds by Atomic Layer Deposition Using Precursor Containing Si-C-Si bond

Номер патента: US20130224964A1. Автор: Fukazawa Atsuki,Takamure Noboru. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2013-08-29.

PRECURSOR COMPOSITIONS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TITANATE, LANTHANATE, AND TANTALATE DIELECTRIC FILMS

Номер патента: US20120141675A1. Автор: Roeder Jeffrey F.,Chen Tianniu,Cameron Thomas M.,Xu Chongying,Baum Thomas H.. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

Deposition On A Nanowire Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20120187375A1. Автор: Li Zhengwen,Zhu Yu,Guo Dechao,Zhang Zhen,Wang Kejia. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD OF DEPOSITING FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION WITH PULSE-TIME-MODULATED PLASMA

Номер патента: US20120196048A1. Автор: Ueda Shintaro. Владелец: ASM JAPAN K.K.. Дата публикации: 2012-08-02.

Deposition On A Nanowire Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20120326125A1. Автор: Li Zhengwen,Zhu Yu,Guo Dechao,Zhang Zhen,Wang Kejia. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

DEPOSITING MATERIAL WITH ANTIMICROBIAL PROPERTIES ON PERMEABLE SUBSTRATE USING ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20130022658A1. Автор: LEE Sang In. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

TEXTILE INCLUDING FIBERS DEPOSITED WITH MATERIAL USING ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR INCREASED RIGIDITY AND STRENGTH

Номер патента: US20130023172A1. Автор: LEE Sang In. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

CONFORMAL DOPING VIA PLASMA ACTIVATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION

Номер патента: US20130040447A1. Автор: SRIRAM Mandyam,VAN SCHRAVENDIJK Bart,Subramonium Pramod,Swaminathan Shankar,La Voie Adrien. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.