A plasma enhanced atomic layer deposition system.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104863A3
Опубликовано: 04-10-2007
Автор(ы): Jr Frankm Cerio, Kaoru Yamamoto, Tadahiro Ishizaka, Tsukasa Matsuda
Принадлежит: Jr Frankm Cerio, Kaoru Yamamoto, Tadahiro Ishizaka, Tokyo Electron Ltd, Tsukasa Matsuda
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104864A2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-10-05.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

Plasma-enhanced atomic layer deposition system with rotary reactor tube

Номер патента: US20170062191A1. Автор: Andrew M. Hawryluk,Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

균일하게 가열된 복수의 충전 볼륨들 (charge volumes) 을 사용한 원자 층 증착 (atomic layer deposition)

Номер патента: KR20230122639A. Автор: 조슈아 콜린스,판야 웡세나쿰,아론 블레이크 밀러,케빈 매드리갈,슈루티 톰바레,니틴 카담,나빈 파틸,고룬 부테일,만주나스 암마나스 사티아데반. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240263309A1. Автор: Woo-Seok Jeon,Chulmin BAE,Jaehee SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Powder atomic layer deposition apparatus for blowing powders

Номер патента: US11987883B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Atomic layer deposition with multiple uniformly heated charge volumes

Номер патента: US20240110279A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Aaron Blake MILLER,Gorun Butail,Nitin Kadam,Naveen PATIL,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Gas separation control in spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11821083B2. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Powder atomic layer deposition apparatus with special cover lid

Номер патента: US20220162750A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)

Номер патента: KR20220042442A. Автор: 어니쉬 굽타,이안 존 커틴,텅페이 미아오,아드리안 라보이,더글러스 월터 애그뉴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-05.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Single-chamber atomic layer deposition apparatus with dual-lid closure system

Номер патента: WO2024104582A1. Автор: Carlos Guerra. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) Using Radio Frequency (RF) Power Ramping

Номер патента: KR20220097974A. Автор: 제레미 데이비드 필즈,프랭크 로렌 파스콸레. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-07-08.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09890454B2. Автор: Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

System and method for atomic layer deposition of rare-earth oxides on optical grade materials for laser gain media

Номер патента: US12031210B2. Автор: Selim Elhadj,John S. Miller,Thomas M. Spinka. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Combinatorial plasma enhanced deposition techniques

Номер патента: EP2279518A2. Автор: Tony Chiang,Sunil Shanker. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Combinatorial plasma enhanced deposition techniques

Номер патента: WO2009135182A2. Автор: Tony Chiang,Sunil Shanker. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2009-11-05.

System and method for atomic layer deposition of rare-earth oxides on optical grade materials for laser gain media

Номер патента: EP4172380A1. Автор: Selim Elhadj,John S. Miller,Thomas M. Spinka. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2023-05-03.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US09663855B2. Автор: Jung-Sik Lee,Seok-won JUNG,Myung-Su Heo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein

Номер патента: US5433786A. Автор: Ing-Feng Hu,James C. Tou. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1995-07-18.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US11739423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US20220106682A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106685A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US12000043B2. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Detachable atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US11767591B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US11935759B2. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: WO2020223737A3. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology, LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689048A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim,Moonkap Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: EP4298665A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber

Номер патента: AU3079597A. Автор: Neil Benjamin,William S. Kennedy,Joel M. Cook,Thomas E. Wicker,Robert A. Maraschin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1998-01-05.

Atomic layer deposition methods

Номер патента: US8163648B2. Автор: Guy T. Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Coating or surface treatment of solid particles by means of a plasma fluidized bed

Номер патента: US5620743A. Автор: Klaus Harth,Hartmut Hibst,Wolfgang Mattmann. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1997-04-15.

Spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11834745B2. Автор: Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US8747556B2. Автор: Bo Zheng,Hua Ai,Michael Jackson,Salvador P. Umotoy,Xiaoxiong Yuan,Sang Ho Yu,Hougong Wang,Hyman W. H. Lam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic Layer Deposition System with Multiple Flows

Номер патента: US20140060431A1. Автор: Rwei-Ching Chang,Tsai-Cheng Li,Chen-Pei Yeh,Hsi-Ting Hou,Te-Feng Wang,Fa-Ta Tsai. Владелец: St Johns University Taiwan. Дата публикации: 2014-03-06.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09809880B2. Автор: In Kyo KIM,Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4225966A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230374658A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-23.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR101072670B1. Автор: 박성현. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2011-10-11.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

Chemical vapor deposition system with a plasma chamber having separate process gas and cleaning gas injection ports

Номер патента: USRE38097E1. Автор: Felix Kozakevich,David Trussell,C. Robert Koemtzopoulos. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4321648A1. Автор: HAO WANG,Bo Zheng,Yunfeng LAN,Wenqiang Zhang,Xiaoyan Ren,Xiaoping Shi,Haifeng Qin. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20200048769A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-02-13.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190093227A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11111584B2. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2021-09-07.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP1999296A2. Автор: David Howard Levy. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-12-10.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Plasma ignition validation in a plasma-assisted wafer process background

Номер патента: US20230402270A1. Автор: BeomGyu Heo. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-14.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Plasma source and apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: WO2023234780A1. Автор: Paul Poodt,Jeroen Antonius Smeltink,Cornelis Henrikus Frijters,Viktor TIELEN. Владелец: Sparknano B.V.. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma source and apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: NL2032061B1. Автор: Poodt Paul,Tielen Viktor,Antonius Smeltink Jeroen,Henrikus Frijters Cornelis. Владелец: Sparknano B V. Дата публикации: 2023-12-14.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689049A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: KR20180028016A. Автор: 제임스 사무엘 심즈,캐서린 메세드 켈츠너. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-03-15.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US11976358B2. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US20230272528A1. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Systems for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120118233A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-05-17.

Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120083101A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-04-05.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: EP4314378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US20240043998A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition using halide precursors

Номер патента: US20130295708A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-11-07.

Radical source design for remote plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10316409B2. Автор: Bart J. van Schravendijk. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09404181B2. Автор: Chien-Nan Hsiao,Da-ren LIU,Wen-Hao Cho,Chih-Chieh YU,Meng-Yen Tsai,Chi-Chung Kei,Bo-Heng Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-08-02.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Plasma-enhanced deposition of titanium-containing films for various applications using amidinate titanium precursors

Номер патента: US20130089681A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Vincent M. Omarjee. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: US11834741B2. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-05.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20210395888A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE,Chi Thang NGUYEN. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-23.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP2670882A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Jozef Johannes De Swart,Robert Coenraad Wit. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-12-11.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: EP3509744A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI130543B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240186117A1. Автор: Hsuan-Fu Wang,Ching-Chiun Wang,Fu-Ching Tung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-06.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4384650A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (pe-ald) processing tool

Номер патента: WO2019169253A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-06.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4367709A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

RF Power Source Operation In Plasma Enhanced Processes

Номер патента: US20210125820A1. Автор: Farhad Moghadam,Hari Ponnekanti,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Plasma-enhanced CVD coating process

Номер патента: US5030475A. Автор: Volker Paquet,Ulrich Ackermann,Heinz-Werner Etzkorn,Ralf T. Kersten,Uwe Rutze. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 1991-07-09.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for optimizing atomic layer deposition

Номер патента: CN113005424B. Автор: 邓仕杰,黄如慧. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Showerhead and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: KR20100077694A. Автор: 박성현,이재민. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2010-07-08.

A method to optimize atomic layer deposition

Номер патента: TW202125580A. Автор: 鄧仕傑,黃如慧. Владелец: 明基材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: WO2012118955A2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: US20160122874A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-05-05.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: EP3004417A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-04-13.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: WO2014193234A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: SoLayTec B.V.. Дата публикации: 2014-12-04.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20050025906A1. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Method and apparatus for providing and integrating a general metal delivery source (GMDS) with atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US6863021B2. Автор: Ofer Sneh. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2005-03-08.

Device for performing atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition at low temperature

Номер патента: WO2018050758A1. Автор: Mathieu Gerard,Nicolas Boscher,Patrick Choquet,Kamal Baba,Simon Bulou,Miguel Quesada Gonzalez. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2018-03-22.

Particle contamination control in a plasma afterglow

Номер патента: WO2024091357A9. Автор: John Goree,Neeraj CHAUBEY. Владелец: UNIVERSITY OF IOWA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-08.

Particle contamination control in a plasma afterglow

Номер патента: WO2024091357A2. Автор: John Goree,Neeraj CHAUBEY. Владелец: UNIVERSITY OF IOWA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US20230120393A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US12123092B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system

Номер патента: WO2006081004B1. Автор: Andrew D Bailey Iii,Shrikant P Lohokare. Владелец: Shrikant P Lohokare. Дата публикации: 2008-10-30.

Atomic Layer Deposition Coated Powder Coatings for Processing Chamber Components

Номер патента: KR20230027034A. Автор: 에릭 에이. 파페. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

Systems and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US11814727B2. Автор: Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US11952662B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US20220341036A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Apparatus and method for carrying out a plasma deposition process

Номер патента: US09593037B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Johannes Antoon Hartsuiker,Gertjan KRABSHUIS. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2017-03-14.

tela polimérica revestida de nanofilmes ou nanopartículas de metais funcionais e/ou seu óxidos, com ou sem nanofilmes de carbono, com características bactericida, bacteriostática e biocompatibilidade, e processo de obtenção por meio de técnicas assistidas a plasmas frios

Номер патента: BR102012031197A8. Автор: ELIAS MATIELI José,Soares Da Silva Sobrinho Argemiro,Otani Choyu,Massi Marcos. Владелец: Inst Tecnologico De Aeronautica Ita. Дата публикации: 2020-08-11.

Surface inhibition atomic layer deposition

Номер патента: WO2023164717A1. Автор: Tao Zhang,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Plasma-enhanced method and system for forming a silicon oxycarbide layer and structure formed using sameplasma-enhanced method and system for forming a silicon oxycarbide layer and structure formed using same

Номер патента: US20230340663A1. Автор: Tomohiro Kubota,Takashi Yoshida,Zecheng Liu,Fanyong Ran,Kai Okabe. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Hollow cathode device and method for using the device to control the uniformity of a plasma process

Номер патента: US09455133B2. Автор: LIN Xu,Lee Chen,Kazuki Denpoh,Peter L G Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Apparatus and method for tuning a plasma profile using a tuning electrode in a processing chamber

Номер патента: US09865431B2. Автор: Jian J. Chen,Mohamad A. Ayoub,Amit Kumar BANSAL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Vacuum chamber and arrangement for atomic layer deposition

Номер патента: US20240026535A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: WO2010008439A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Mohd Aslami. Дата публикации: 2010-01-21.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: EP2318561A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-11.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US11891694B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US20230203653A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230407474A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225968A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2022079351A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-21.

Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber

Номер патента: US8097082B2. Автор: Deenesh Padhi,Karthik Janakiraman,Jianhua Zhou,Hang Yu,Siu F. Cheng,Yoganand Saripalli,Tersem Summan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-17.

Plasma confinement apparatus, and method for confining a plasma

Номер патента: US10187965B2. Автор: Ye Wang,Tuqiang Ni,Jinyuan Chen,Zhaoyang Xu,Qing Qian,Yuehong Fu,Xusheng Zhou. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2019-01-22.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Номер патента: US09972501B1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Directing plasma distribution in plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09543125B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chia-Ho Chen,Bo-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Plasma enhanced wafer soak for thin film deposition

Номер патента: US12014921B2. Автор: Ming Li,Tu Hong,Arul N. Dhas. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Plasma enhanced wafer soak for thin film deposition

Номер патента: WO2020081235A1. Автор: Ming Li,Tu Hong,Arul N. Dhas. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-23.

Electrical insulator for a plasma enhanced chemical vapor processor

Номер патента: US4761301A. Автор: Charles E. Ellenberger,Hayden K. Piper. Владелец: Pacific Western Systems Inc. Дата публикации: 1988-08-02.

Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes

Номер патента: US12040177B2. Автор: Yoshio SUSA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Pecvd deposition system for deposition on selective side of the substrate

Номер патента: US20240309507A1. Автор: Fayaz Shaikh,Nick Linebarger,Curtis Bailey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Plasma enhanced CVD with periodic high voltage bias

Номер патента: US12094707B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Simon Huang,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma enhanced deposition of silicon-containing films at low temperature

Номер патента: WO2022132524A1. Автор: Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Aykut Aydin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Plasma enhanced chemical vapour deposition apparatus; producing carbon nanotubes

Номер патента: GB2380494A. Автор: Jin Pyo Hong,Chae Ok Kim,Ho Suck Kang,Hyoung Joo Yoon. Владелец: Hanyang Hak Won Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-09.

Plasma source for a plasma CVD apparatus and a manufacturing method of an article using the plasma source

Номер патента: US09922805B2. Автор: Kazunobu Maeshige,Yuki Aoshima,Nobutaka Aomine,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma processing system, plasma processing method, plasma film deposition system, and plasma film deposition method

Номер патента: EP1515362B1. Автор: Ryuichi MATSUDA,Tadashi SHIMAZU,Masahiko Inoue. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma enhanced cvd with periodic high voltage bias

Номер патента: US20190333764A1. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Simon Huang,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Plasma enhanced cvd with periodic high voltage bias

Номер патента: US20210028012A1. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Simon Huang,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Plasma reactor and deposition or treatment of diamond-like carbon in a plasma reactor

Номер патента: WO2018175182A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Steven Lane,Yue Guo,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Lucy Chen,Gonzalo Antonio Monroy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-09-27.

PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate

Номер патента: US11851760B2. Автор: Fayaz Shaikh,Nick Linebarger,Curtis Bailey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for a dynamic control of density of neutral atoms in a plasma vacuum chamber and a device for the processing of solid materials by using this method

Номер патента: WO2012099547A1. Автор: Miran Mozetic,Gregor PRIMC. Владелец: Institut "Jožef Stefan". Дата публикации: 2012-07-26.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces

Номер патента: US11875976B2. Автор: Peter Maschwitz,Yuping Lin,John Chambers,Herb Johnson. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Bonded silicon carbide parts in a plasma reactor

Номер патента: US5910221A. Автор: Robert W. Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

Atomic layer deposition apparatus and film-forming method

Номер патента: US20200063260A1. Автор: Toru Mashita,Keisuke Washio. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of depositing uniform films of Six Ny or Six Oy in a plasma reactor

Номер патента: US4289797A. Автор: Aline Akselrad. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-09-15.

Plasma enhanced low temperature atomic layer deposition of metals

Номер патента: WO2023250500A1. Автор: Jon Henri,Elham Mohimi,Ann Erickson,Kyle Jordan BLAKENEY,Chiukin Steven Lai,Alexander Ray FOX,Patrick August VAN CLEEMPUT,David Joseph Mandia. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Unwinding of plastic film in the presence of a plasma

Номер патента: US5935662A. Автор: Harvey Rogers,Christopher P. Woolley,John Mourelators. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits

Номер патента: US5975912A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Thermal management of dielectric components in a plasma discharge device

Номер патента: WO2006044791A2. Автор: Justin Mauck,Juan Jose Gonzalez,Andrew Shabalin,Steve Dillon. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2006-04-27.

aparato para reator a plasma, processo de deposição de revestimento de filme de carbono pelo uso do referido aparato e correspondente filme obtido

Номер патента: BR102014032374A2. Автор: Homero Santiago Maciel,Marcos Massi,Argemiro Soares Da Silva Sobrinho,Leandro Lameirão Ferreira,Lucia Vieira,Polyana Alves Radi Gonçalves,Rodrigo Sávio Pessoa,Sara Fernanda Fissmer. Владелец: Univ Do Vale Do Paraíba Univap. Дата публикации: 2016-07-19.

aparato para reator a plasma, processo de deposição de revestimento de filme de carbono pelo uso do referido aparato e correspondente filme obtido

Номер патента: BR102014032374B1. Автор: Soares Da Silva Sobrinho Argemiro,Massi Marcos,Santiago Maciel Homero,Lameirão Ferreira Leandro,Vieira Lucia,Alves Radi Gonçalves Polyana,Sávio Pessoa Rodrigo,Fernanda Fissmer Sara. Владелец: Univ Do Vale Do Paraíba Univap. Дата публикации: 2019-11-12.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method and apparatus for forming a film by deposition from a plasma

Номер патента: US8859929B2. Автор: Patrick Leempoel,Thibault Kervyn De Meerendre,Pere Roca I Cabarrocas,Pavel Bulkin,Pierre Descamps,Dmitri Daineka. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

High-frequency wave applicator, associated coupler and device for producing a plasma

Номер патента: US20230137818A1. Автор: Ana Lacoste,Alexandre Bes. Владелец: Institut Polytechnique de Grenoble. Дата публикации: 2023-05-04.

Plasma spraying device and a method for introducing a liquid precursor into a plasma gas stream

Номер патента: CA2591017C. Автор: Gerard Barbezat,Arno Refke,Jean-Luc Dorier,Christoph Hollenstein. Владелец: Sulzer Metco AG. Дата публикации: 2013-12-24.

Method of treating surfaces of substrates with the aid of a plasma and a reactor for carrying out the method

Номер патента: CA1324979C. Автор: Gerardus Maria Wilhelmus Kroesen,Daniel Cornelis Schram. Владелец: Eindhoven Technical University. Дата публикации: 1993-12-07.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20240014036A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Spatial Atomic Layer Deposition Chamber With Plasma Pulsing To Prevent Charge Damage

Номер патента: US20190180985A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Keiichi Tanaka,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films

Номер патента: US11776807B2. Автор: Sun Ja Kim,Oreste Madia,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Lingyun Jia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Plasma enhanced deposited, fully oxidized PSG film

Номер патента: US20060001127A1. Автор: Jack Linn,Mark Bordelon,Katie Pentas. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2006-01-05.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

High density microwave plasma generation apparatus, and magnetron sputtering deposition system using the same

Номер патента: US09506142B2. Автор: Hirotaka TOYODA,Kensuke Sasai. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin-Film Deposition System

Номер патента: US20090090619A1. Автор: Toru Takashima,Yoshikazu Homma. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Plasma generation source including belt-type magnet and thin film deposition system using this

Номер патента: US09589772B2. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2017-03-07.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Deposition system

Номер патента: US20150128859A1. Автор: Wei-Chih Chen,Chi-Lung Chang,Pin-Hung Chen,Da-Yung Wang,Wan-Yu Wu. Владелец: MINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-14.

Magnetic configuration for a magnetron sputter deposition system

Номер патента: WO2014195517A1. Автор: Wilmert De Bosscher. Владелец: Soleras Advanced Coatings bvba. Дата публикации: 2014-12-11.

Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS

Номер патента: US9478411B2. Автор: Reza Arghavani,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Ishtak Karim,Sanjay Gopinath. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods and systems for atomic layer etching and atomic layer deposition

Номер патента: US11864472B2. Автор: Harold Frank GREER,Andrew D. Beyer,Matthew D. Shaw,Daniel P. Cunnane. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-01-02.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Sputter deposition system and method

Номер патента: WO2011051294A1. Автор: Marcus Bender,Andreas Lopp. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-05-05.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Oxidative conversion in atomic layer deposition processes

Номер патента: US20210272801A1. Автор: Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Bart Jan van Schravendijk. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming memory device with physical vapor deposition system

Номер патента: US12035538B2. Автор: Chin-Szu Lee,Yu-Jen Chien,I-Pin CHIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for transporting and sputter coating a substrate in a sputter deposition system

Номер патента: US20010030128A1. Автор: Robert Martinson,Ken Lee,Mikhail Mazur,Ke Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Layer-by-layer deposition of carbon-doped oxide films through cyclical silylation

Номер патента: US20150371846A1. Автор: Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of operating a plasma process system and a plasma process system

Номер патента: EP4442853A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of operating a plasma process system and a plasma process system

Номер патента: WO2024208908A1. Автор: Wojciech Gajewski,Anna Oniszczuk,Piotr Różański,Cezary KAMINSKI. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2024-10-10.

Generating a highly ionized plasma in a plasma chamber

Номер патента: US09840770B2. Автор: Andrzej Klimczak,Rafal Bugyi,Pawel Ozimek. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2017-12-12.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US20100323127A1. Автор: John Matthew Warakomski,Christina Ann Rhoton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Electrode active material grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition

Номер патента: GB2595877A. Автор: Paul Shashi. Владелец: De Montfort University. Дата публикации: 2021-12-15.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Method of adjusting the output power of a power supply supplying electrical power to a plasma, plasma apparatus and power supply

Номер патента: EP3987079A1. Автор: Krzysztof Ruda,Jakub SWIATNICKI,Mateusz WIOSNA,Grzegorz TOCZYLOWSKI,Jialei Chen. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2022-04-27.

Method and device for etching a substrate by means of a plasma

Номер патента: WO2008007962A1. Автор: Freddy Roozeboom,Wilhelmus Mathijs Marie Kessels,Michiel Alexander Blauw,Mauritius Cornelis Maria Van De Sanden. Владелец: Technische Universiteit Eindhoven. Дата публикации: 2008-01-17.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber

Номер патента: US09928995B2. Автор: Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Plasma treatment and plasma enhanced chemical vapor deposition onto temperature sensitive biological materials

Номер патента: US8920361B2. Автор: Tsung-Chan TSAI,David Staack. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2014-12-30.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface

Номер патента: US09449797B2. Автор: Harmeet Singh,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Low ceiling temperature process for a plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material

Номер патента: WO1999036931A2. Автор: Jian Ding. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-07-22.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and apparatus for forming a plasma resistant coating, component, and plasma processing apparatus

Номер патента: US12123089B2. Автор: Xiang Sun,Sheng Guo,Xingjian CHEN,Jiao DUAN. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Identifying components associated with a fault in a plasma system

Номер патента: US09851389B2. Автор: Seyed Jafar Jafarian-Tehrani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

System and method of improving implant quality in a plasma-based implant system

Номер патента: US09441290B2. Автор: Timothy J. Miller,Bon-Woong Koo,Yong-Tae Kim,Min-Sung Jeon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Plasma-enhanced molybdenum deposition

Номер патента: WO2024064337A1. Автор: Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Ashutosh Agarwal,Yixiong Yang,Yogesh Sharma,Tuerxun Ailihumaer. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Plasma-enhanced molybdenum deposition

Номер патента: US20240102157A1. Автор: Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Ashutosh Agarwal,Yixiong Yang,Yogesh Sharma,Tuerxun Ailihumaer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Method for monitoring process conditions of, and method for controlling, a plasma pvd process

Номер патента: WO2021206609A1. Автор: Daniel Lundin,Ulf Helmersson. Владелец: Ionautics AB. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for monitoring process conditions of, and method for controlling, a plasma pvd process

Номер патента: SE2030116A1. Автор: Daniel Lundin,Ulf Helmersson. Владелец: Ionautics AB. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for monitoring process conditions of, and method for controlling, a plasma pvd process

Номер патента: EP4133118A1. Автор: Daniel Lundin,Ulf Helmersson. Владелец: Ionautics AB. Дата публикации: 2023-02-15.

Method for monitoring process conditions of, and method for controlling, a plasma pvd process

Номер патента: US20230151476A1. Автор: Daniel Lundin,Ulf Helmersson. Владелец: Ionautics AB. Дата публикации: 2023-05-18.

Real-time control of temperature in a plasma chamber

Номер патента: WO2020018683A1. Автор: Changyou Jing. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-23.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Plasma-enhanced method of depositing molybdenum

Номер патента: US20240213027A1. Автор: YoungChol Byun,Holger Saare,Sukanya Datta. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Rapid flush purging during atomic layer deposition

Номер патента: US12060639B2. Автор: Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Novy Tjokro,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Pragna NANNAPANENI,Sema Ermez,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US09512519B2. Автор: Ming-Te Chen,Hsing-Jui Lee,Chia-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Abrasion Resistant Coatings by Plasma Enhanced Chemical Vapor Diposition

Номер патента: US20070264508A1. Автор: John Warakomski,Aaron Gabelnick,Christina Lambert,Ludo Aerts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20240060179A1. Автор: Takayuki Hagiwara,Naoto Kameda,Tatsunori SHINO,Ayaka Abe,Soichiro Motoda. Владелец: Meiden Nanoprocess Innovations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: US20240047196A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20230070312A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Han-Bo-Ram LEE,Eunhyoung Cho. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: EP4241299A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: WO2022119860A9. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Material Us, Llc. Дата публикации: 2023-08-24.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Procedure and apparatus for improving a plasma accelerator plating apparatus used for diamond plating

Номер патента: AU3161493A. Автор: Jari Koskinen,Asko Anttila. Владелец: Suomen Itsenäisyyden Juhlarahasto Sitra. Дата публикации: 1993-08-03.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ald), inhibitor plasma and etching

Номер патента: WO2020014166A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process

Номер патента: US09580808B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Johannes Antoon Hartsuiker. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of and apparatus providing oxide reduction in a plasma environment

Номер патента: CA1324109C. Автор: Erich Muehlberger. Владелец: Electro Plasma Inc. Дата публикации: 1993-11-09.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Translational target assembly for thin film deposition system

Номер патента: US6090207A. Автор: Steven M. Green,Lee A. Knauss. Владелец: Neocera Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

Method of adjusting the output power of a power supply supplying electrical power to a plasma, plasma apparatus and power supply

Номер патента: US11929233B2. Автор: Krzysztof Ruda,Jakub SWIATNICKI,Mateusz WIOSNA,Grzegorz TOCZYLOWSKI,Jialei Chen. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2024-03-12.

Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process

Номер патента: WO2012061277A2. Автор: Theo Panagopoulos. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

Organic layer deposition assembly, organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570714B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Dong-Seob Jeong,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Turbine airfoil with internals coated by atomic layer deposition

Номер патента: EP3540091A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Michael J Maloney,Michael N Task,Kevin W Schlichting. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-18.

Modulated Atomic Layer Deposition

Номер патента: KR20210150606A. Автор: 풀킷 아가왈,애드리언 라보이,끌로에 발다세로니,찬 마이에 마이에 소이,시바 샤란 반다리,바트 제이. 반 슈라벤디크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-12-10.

Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ald) reactors

Номер патента: KR20170031035A. Автор: 카를 에프. 리저. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-03-20.

Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US11352698B2. Автор: Sangyub IE,Gukhyon Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106684A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: EP3215652A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: WO2016072850A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2016-05-12.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Identifying components associated with a fault in a plasma system

Номер патента: US10690727B2. Автор: Seyed Jafar Jafarian-Tehrani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: US20170167020A1. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230392256A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225967A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US12006571B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Identifying Components Associated With A Fault In A Plasma System

Номер патента: US20180100885A1. Автор: Seyed Jafar Jafarian-Tehrani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: FI20206000A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-13.

Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus

Номер патента: US09905813B2. Автор: VALERIY Prushinskiy,Minsoo Kim,Byungkook Lee,Muhyun Kim,MuGyeom Kim,Yonggu Lee,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Jaesoo HA,Jaeyoung CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same

Номер патента: US09748483B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Hee-Cheol Kang,Young-Mook Choi,Dong-Kyu Lee,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Filter for a Plasma Plume

Номер патента: US20210252441A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jeroen Aaldert Heuver,Willem Cornelis Lambert Hopman,Kristiaan Hendrikus Aloysius Bohm,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2021-08-19.

Techniques for controlling ion/neutral ratio of a plasma source

Номер патента: WO2017112352A1. Автор: Joseph Olson,Tsung-Liang Chen,John Hautala,Shurong Liang. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2017-06-29.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers

Номер патента: US20060292864A1. Автор: Ming Xi,Michael Yang,Toshio Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: WO2022173543A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor processing device, reaction chamber thereof, and film layer deposition method

Номер патента: EP4249633A1. Автор: Yunfeng LAN,Fang Zhang,Huanyu Wang,Wenqiang Zhang,Haifeng Qin,Shuaitao SHI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Atomic layer etching using a combination of plasma and vapor treatments

Номер патента: US20190198345A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek,John Boniface. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Atomic layer etching

Номер патента: US20230268187A1. Автор: Varun Sharma,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-24.

Atomic layer etching

Номер патента: US12040195B2. Автор: Varun Sharma,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20220025515A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US4851367A. Автор: David J. Wolf. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-07-25.

A deposition system and method

Номер патента: WO2006101619A2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Audunn Ludviksson. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-09-28.

Atomic layer etching processes

Номер патента: US12094686B2. Автор: Chiyu Zhu,Tom E. Blomberg,Varun Sharma,Suvi P. Haukka,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: EP4292124A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2004024981A2. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Martti Sonninen,Bradley J. Aitchison. Владелец: Planar Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-25.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: GB2407586A. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Bradley J Aitchison,Tommy Turkulainen,Pekka Kuosmmanen,Marti Sonninen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

A plasma generating apparatus and an alignment process for liquid crystal displays using the apparatus

Номер патента: WO2005029538A3. Автор: Seok Kyun Song. Владелец: Seok Kyun Song. Дата публикации: 2005-06-09.

Thermal atomic layer etching processes

Номер патента: US20230374671A1. Автор: Chiyu Zhu,Tom E. Blomberg,Varun Sharma,Suvi Haukka,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-23.

Thermal atomic layer etching processes

Номер патента: US20240026548A1. Автор: Chiyu Zhu,Tom E. Blomberg,Varun Sharma,Suvi Haukka,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods and material deposition systems for forming semiconductor layers

Номер патента: US20210074541A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Thin-film forming raw material used in atomic layer deposition method, and method of producing thin-film

Номер патента: US20230349039A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods and material deposition systems for forming semiconductor layers

Номер патента: EP3803960A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Methods and material deposition systems for forming semiconductor layers

Номер патента: US20210074542A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for atomic layer etching

Номер патента: US09881807B2. Автор: Alok Ranjan,Mingmei Wang,Sonam SHERPA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

System and process for high-density, low-energy plasma enhanced vapor phase epitaxy

Номер патента: US09466479B2. Автор: Hans Von Känel. Владелец: OERLIKON METCO AG. Дата публикации: 2016-10-11.

Systems and methods for plasma-enhanced hydrocarbon cracking

Номер патента: WO2024129682A2. Автор: David S. Soane. Владелец: Soane Labs, LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Systems and methods for plasma-enhanced hydrocarbon cracking

Номер патента: WO2024129682A3. Автор: David S. Soane. Владелец: Soane Labs, LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for operation of a plasma torch in a chemical reactor

Номер патента: WO2022219342A1. Автор: Ate WIEKAMP. Владелец: HiiROC-X Developments Limited. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

A polypeptide complex whose antigen-binding activity varies depending on the concentration of a plasma protein

Номер патента: WO2024135812A1. Автор: Tomoyuki Igawa,Kazuki Sato,Shinya Ishii,Naoka Hironiwa,Shun Shimizu,Shu Feng,Yuki Noguchi,Kumiko MURAOKA. Владелец: Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha. Дата публикации: 2024-06-27.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: US09984896B2. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods and devices for graphene formation on flexible substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11823895B2. Автор: Chyi-Ming Leu,Chih-Cheng Lin,Nai-Chang Yeh,Chi-Fu Tseng,Chen-Hsuan LU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-11-21.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Apparatus for Treating Water using a Plasma Source that is Protected from Water

Номер патента: US20240199451A1. Автор: Benjamin Wang,Mark A. Cappelli,David B. Rogers. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-06-20.

Reactor comprising a plasma source and a catalyst comprising a mesoporous support material for the preparation of ethene from methane

Номер патента: US09770700B2. Автор: Abduljelil ILIYAS,Mohamed Sabri Abdelghani. Владелец: Saudi Basic Industries Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Treatment of a composition with a plasma

Номер патента: US20240117464A1. Автор: Frederic Rousseau,Daniel Morvan,Frederic Prima,Jonathan Cramer. Владелец: Ecole Nationale Superieure de Chimie de Paris ENSCP. Дата публикации: 2024-04-11.

Treatment of a composition with a plasma

Номер патента: WO2021074432A1. Автор: Frederic Rousseau,Daniel Morvan,Frederic Prima,Jonathan Cramer. Владелец: Ecole Nationale Superieure De Chimie De Paris. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Methods of using a plasma-generated stream of no-containing gas for treatment of a spectrum of medical conditions

Номер патента: US20240277757A1. Автор: Howard Nelson,Kirill Gutsol,Alexander Dolgopolsky,Victor N. Vasilets,Michael D. Preston. Владелец: Origin Life Sciences Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for reacting flowing liquid and gas in a plasma discharge reactor

Номер патента: US09861950B2. Автор: Stefan Bresch,Kevin Hsieh,Bruce R. Locke,Robert WANDELL,Igor Alabugin. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Dense oxide coated component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof

Номер патента: US09546432B2. Автор: Tom Stevenson,LIN Xu,Hong Shih,Sivakami Ramanathan,John Daugherty,Robert G. O'Neill,John Michael Kerns,William Charles,Russell Ormond. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Solid dosage forms of a plasma kallikrein inhibitor

Номер патента: US20240182427A1. Автор: Michael Burke,Randy Wald,Jeffrey Breit,William STEINHAUFF. Владелец: Rezolute Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Process for making a functionalized hollow body, having a layer of glass, including a superposition of one or more siloxanes and contacting with a plasma

Номер патента: US20190329936A1. Автор: Andrea Anton,Eveline Rudigier-Voigt,Stephanie Mangold,Thorsten Schneider,Jovana Djordjevic-Reiss. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2019-10-31.

Obtaining ozone in a plasma plant with direct cooling

Номер патента: RU2696471C1. Автор: Райнер ФИТЦЕК,Ральф ФИКЕНС,Манфред САЛЬВЕРМОЗЕР,Николь БРЮГГЕМАНН. Владелец: Ксилем Ай Пи Менеджмент С.А Р.Л.. Дата публикации: 2019-08-01.

Device for joining elements to components with a plasma gas cleaning device

Номер патента: EP4279557A2. Автор: Gerson Meschut,Christian Reis,Bah EISSARA. Владелец: NEWFREY LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Dosage forms comprising a plasma kallikrein inhibitor

Номер патента: NZ764460B2. Автор: Richard Simon Todd,John Herman COLLETT,Gary Paul COOK,Jamie Joseph FARRAR,Michael John Frodsham,Michael Bryan Roe,Robert Neil Ward. Владелец: Kalvista Pharmaceuticals Limited. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and an installation for treatment of a solid powder fluoropolymer and a used in them sonde for a plasma reactor switching off

Номер патента: RU2262501C2. Автор: Клаус ХИНТЦЕР,ДЕР ВАЛЬТ Айзек Якобус ВАН,Гернот ЛЁХР. Владелец: Сауф Эфрикан Нуклеа Энерджи Корпорейшн Лимитед. Дата публикации: 2005-10-20.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Processing of waste using a plasma processing unit

Номер патента: WO2009156761A3. Автор: Leonid Rusnac. Владелец: Horizon Ventures Limited. Дата публикации: 2010-04-01.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: EP3948927A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: AU2020245142A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: CA3134268A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: WO2020197702A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: RECARBON, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: AU2020245142B2. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Universal power timing controller for a plasma display panel

Номер патента: US20050225503A1. Автор: Carlos Correa,Sebastien Weitbruch,Cedric Thebault. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2005-10-13.

Dosage forms comprising a plasma kallikrein inhibitor

Номер патента: NZ764460A. Автор: Richard Simon Todd,John Herman COLLETT,Gary Paul COOK,Jamie Joseph FARRAR,Michael John Frodsham,Michael Bryan Roe,Robert Neil Ward. Владелец: Kalvista Pharmaceuticals Ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

Method of producing a plasma modified curing system for cement

Номер патента: RU2695212C1. Автор: Михаил Герасимович Бруяко,Наталья Васильевна Иващенко,Анна Андреевна Локтионова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2019-07-22.

Chemical heat augmentation of a plasma process

Номер патента: CA2811707A1. Автор: James Charles Juranitch,Thomas Robert Juranitch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for preparing a powder in a plasma arc and device for carrying out said method

Номер патента: US5723027A. Автор: Bernard Serole. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 1998-03-03.

Method for constructing a plasma dna sequencing library

Номер патента: US20190062731A9. Автор: Yang Gao,Feng Tian,Di Chen,Jianguang Zhang,Yanbin Shi. Владелец: Berry Genomics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Atomic layer deposition of vanadium oxide for microbolometer and imager

Номер патента: WO2015195562A1. Автор: Francis J. Kub,Virginia D. Wheeler,Marko J. Tadjer,Charles R. EDDY. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2015-12-23.

Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current and method of producing a plasma

Номер патента: SG11201804129YA. Автор: Peter Maschwitz,John Chambers. Владелец: Agc Flat Glass Na Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Dispositif d'amenee pour fours de fusion notamment pour four de fusion a plasma

Номер патента: FR2524626A1. Автор: Peter Papsdorf,Klaus-Peter Trautmann,Primke Konrad,Gunther Pohle. Владелец: MANSFELD KOMBINAT WILHELM PIECK VEB. Дата публикации: 1983-10-07.

Crystal structure of a plasma membrane proton pump

Номер патента: EP2235171A1. Автор: Poul Nissen,Michael G. Palmgren,Morten Buch-Pedersen,Bjørn Pañella PEDERSEN. Владелец: KOBENHAVNS UNIVERSITET. Дата публикации: 2010-10-06.

Crystal structure of a plasma membrane proton pump

Номер патента: US20100296963A1. Автор: Poul Nissen,Michael G. Palmgren,Morten Buch-Pedersen,Bjørn Pañella PEDERSEN. Владелец: KOBENHAVNS UNIVERSITET. Дата публикации: 2010-11-25.

Method and apparatus for feeding municipal solid waste to a plasma gasifier reactor

Номер патента: US09656863B2. Автор: Francis Peter Petrocelli,Alan Donald Anderson,Frank Stephen Winger. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods and apparatus for correcting for non-uniformity in a plasma processing system

Номер патента: WO2013142173A1. Автор: Sang Ki Nam. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for operation of a plasma torch in a chemical reactor

Номер патента: CA3216464A1. Автор: Ate WIEKAMP. Владелец: Hiiroc X Developments Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

A plasma reactor

Номер патента: EP3365103A1. Автор: Robert BARCZYK. Владелец: Bartczak Pawel Dawid. Дата публикации: 2018-08-29.

A plasma reactor

Номер патента: US20180312413A1. Автор: Robert BARCZYK. Владелец: Slupski Waldemar Bernard. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for operation of a plasma torch in a chemical reactor

Номер патента: US20240208810A1. Автор: Ate WIEKAMP. Владелец: Hiiroc X Developments Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Conversion of carbon or carbon-containing compounds in a plasma

Номер патента: CA2154482C. Автор: Yvan Schwob,Francis Fischer,Laurent Fulcheri,Pierre Willemez. Владелец: Imerys Graphite and Carbon Switzerland SA. Дата публикации: 2005-05-03.

Apparatus and methods for defining a plasma

Номер патента: GB2510389A. Автор: David Anthony,John Topping. Владелец: Camvac Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Methods and apparatus for optimal temperature control in a plasma processing system

Номер патента: WO2006012021A2. Автор: Miguel A. Saldana,John E. Daugherty,Leonard J. Sharpless. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials

Номер патента: US09620382B2. Автор: Gottlieb S. Oehrlein,Dominik Metzler. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2017-04-11.

Self-assembled monolayers as an etchant in atomic layer etching

Номер патента: US20190189462A1. Автор: Eric Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Self-assembled monolayers as an etchant in atomic layer etching

Номер патента: WO2019125721A1. Автор: Eric Hudson. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-27.

Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system

Номер патента: US09418859B2. Автор: Andrew D. Bailey, III,Rajinder Dhindsa,Eric A. Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Non-ambipolar plasma enhanced DC/VHF phasor

Номер патента: US09966239B2. Автор: Lee Chen,Zhiying Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Atomic Layer Etch Process Using Plasma In Conjunction With A Rapid Thermal Activation Process

Номер патента: US20210343541A1. Автор: Shawming Ma. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Hydrogen activated atomic layer etching

Номер патента: US09779956B1. Автор: Xin Zhang,Gerardo Delgadino,Daniel Le,Alan Jensen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Selective atomic layer etching

Номер патента: WO2020005486A1. Автор: Eric Hudson,Nerissa Draeger,Andrew Clark SERINO,Chia-Chun Wang,Zhonghao Zhang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor on insulator structure comprising a plasma nitride layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240258156A1. Автор: Sasha Joseph KWESKIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Atomic layer etch methods and hardware for patterning applications

Номер патента: US09997371B1. Автор: Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Pulkit Agarwal. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma enhancement member, and plasma supplying apparatus and medical instrument including the same

Номер патента: US20180366298A1. Автор: Youngmin Kim,Jeonghae CHOI,Seeun YUN. Владелец: Feagle Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing

Номер патента: US20170294292A1. Автор: Lara Hawrylchak,Norman L. Tam,Matthew Spuller,Matthew D. Scotney-Castle,Kong Lung Samuel Chan,Dongming IU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Gradient atomic layer deposition

Номер патента: US20200006132A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Plasma enhanced nitride layer

Номер патента: WO2006039028A1. Автор: Jian Chen,Tab A. Stephens,Stanley M. Filipiak,Yongjoo Jeon. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma enhanced tungsten nucleation for low resistivity

Номер патента: WO2024005892A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Wenting Hou,Junyeong YUN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Preparation method for double-layer working medium target tape with plasma-enhanced interfacial bonding force for micro laser thruster

Номер патента: US20240033778A1. Автор: Yanji HONG,Sibo WANG,Jifei YE,Baoyu XING,Nanlei LI. Владелец: Aerospace Engineering University Of People's Liberation Army Pla Strategic Support Force. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Structurally-Complex Substrates

Номер патента: US20230420219A1. Автор: Austin Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Plasma-enhanced vacuum drying

Номер патента: CA2160208A1. Автор: Robert M. Spencer,Tralance O. Addy. Владелец: Johnson & Johnson Medical, Inc.. Дата публикации: 1996-04-12.

Plasma enhanced polymer ultra-thin multi-layer packaging

Номер патента: CA2770610C. Автор: Juergen Burger,Herbert Keppner,Andreas Hogg,Thierry Aellen. Владелец: INTEGRA LIFESCIENCES SWITZERLAND SÀRL. Дата публикации: 2018-12-11.

Plasma-enhanced vacuum drying

Номер патента: US6060019A. Автор: Robert M. Spencer,Tralance O. Addy. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Preparation method for double-layer working medium target tape with plasma-enhanced interfacial bonding force for micro laser thruster

Номер патента: US11925956B2. Автор: Yanji HONG,Sibo WANG,Jifei YE,Baoyu XING,Nanlei LI. Владелец: Space Engineering University. Дата публикации: 2024-03-12.

Plasma enhanced rapidly expanded gas turbine engine transition duct

Номер патента: CA2605525C. Автор: Ching-Pang Lee,Scott Michael Carson,Aspi Rustom Wadia,David Glenn Cherry. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-03-17.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Plasma-generating device, plasma surgical device, use of a plasma-generating device and method of generating a plasma

Номер патента: EP1905284A2. Автор: Nikolay Suslov. Владелец: PLASMA SURGICAL AB. Дата публикации: 2008-04-02.

Method for plasma-cutting a workpiece by means of a plasma-cutting system and pulsating current

Номер патента: US09731375B2. Автор: Volker KRINK,Gerhard Irrgang,Jens Friedel,Jens Ollmann. Владелец: Kjellberg Finsterwalde Plasma Und Maschinen GMBH. Дата публикации: 2017-08-15.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) source

Номер патента: US09406487B2. Автор: William A. Meredith, Jr.,Patrick Lawrence Morse,Daniel Theodore CROWLEY,John Robert GERMAN,Michelle Lynn Neal. Владелец: Sputtering Components Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: SG11201907625UA. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2019-09-27.

Method and device for the reduction of contaminants in a plasma reactor, especially contamination by lubricants

Номер патента: US20210183640A1. Автор: Edward Reszke,Grzegorz Binkiewicz,Ihar Yelkin. Владелец: Plasma Investment Sp Z OO. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and device for the reduction of contaminants in a plasma reactor, especially contamination by lubricants

Номер патента: EP3841604A1. Автор: Edward Reszke,Grzegorz Binkiewicz,Ihar Yelkin. Владелец: Plasma Investment Sp Z OO. Дата публикации: 2021-06-30.

Gas control system for a plasma arc torch

Номер патента: WO2014209974A1. Автор: Christopher J. Conway,Brandon Hebert. Владелец: Thermal Dynamics Corporation. Дата публикации: 2014-12-31.

Topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement

Номер патента: US5714031A. Автор: Randall S. Mundt,David R. Kerr,Eric Howard Lenz. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Methods for operating a plasma torch

Номер патента: AU2020416708A1. Автор: Ryan T. Lynaugh,Christopher Vincent BRAUDIS Sr.,Geoffrey PUTNAM. Владелец: ESAB Group Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Plasma Generation Device Assembly, Arc Mitigation Device, and Method of Assembling a Plasma Generation Device Assembly

Номер патента: US20140118879A1. Автор: Ravi Kumar,Srinivas Naga Palvadi,Sudhakar Sambaiah Pachunoori. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-05-01.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Method and apparatus for preventing the formation of a plasma-inhibiting substance

Номер патента: US20080127893A1. Автор: Justin Mauck,Denis Shaw,Fernando Gustavo Tomasel,Juan Jose Gonzalez,Andrew Shabalin. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Method and apparatus for preventing the formation of a plasma inhibiting substance

Номер патента: WO2008070631A2. Автор: Justin Mauck,Denis M. Shaw,Juan Jose Gonzalez,Andrew Shabalin,Femando Gustavo Tomasel. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2008-06-12.

Gas control system for a plasma arc torch

Номер патента: EP3014958A1. Автор: Christopher J. Conway,Brandon Hebert. Владелец: Victor Equipment Corp. Дата публикации: 2016-05-04.

Magnetic confinement of a plasma

Номер патента: SG143212A1. Автор: Ying Xiao,Steven C Shannon,Ying Rui,Imad Yousif,Masao Drexel,Roger A Lindley,James A Stinnett. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-06-27.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Plasma-generating device, plasma surgical device and use of a plasma surgical device

Номер патента: US09913358B2. Автор: Nikolay Suslov,Igor Rubiner. Владелец: Plasma Surgical Investments Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for stabilizing a plasma and an improved ionization chamber

Номер патента: US09601320B2. Автор: Marc Mestres,Paul Ceccato. Владелец: Laser Systems and Solutions of Europe SAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Gas control system for a plasma ARC torch

Номер патента: US09510435B2. Автор: Christopher J. Conway,Brandon Hebert. Владелец: Victor Equipment Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Plasma generation device assembly, arc mitigation device, and method of assembling a plasma generation device assembly

Номер патента: US09468084B2. Автор: Ravi Kumar,Srinivas Naga Palvadi,Sudhakar Sambaiah Pachunoori. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma enhanced film formation method

Номер патента: WO2023081435A1. Автор: Toshihiko Iwao,Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-11.

Pet treatment comb with a plasma generator

Номер патента: EP4212014A1. Автор: Kangyin Qin. Владелец: Shenzhen Petsmile Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: IL167491A. Автор: Robert J Steger. Владелец: Robert J Steger. Дата публикации: 2009-08-03.

A method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: EP1540695B1. Автор: Robert J. Steger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-03-03.

A method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: EP1540695A2. Автор: Robert J. Steger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-06-15.

Plasma-generating device, plasma surgical device and use of a plasma surgical device

Номер патента: US12075552B2. Автор: Nikolay Suslov,Igor Rubiner. Владелец: Plasma Surgical Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Angled cut height control system for a plasma arch torch

Номер патента: US20120298633A1. Автор: Jeffrey Lawrence Riemann,Paul L. Riemann,Nicholas Lee Riemann. Владелец: Retro Systems LLC. Дата публикации: 2012-11-29.

Method and apparatus for preventing arcing at ports exposed to a plasma in plasma processing chambers

Номер патента: SG144071A1. Автор: Daniel John Hoffman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-29.

System and method for spectrometry of a sample in a plasma

Номер патента: EP4453988A1. Автор: Sean Kellogg,Hans-Juergen Schlueter,Patrick LANCUBA. Владелец: Thermo Fisher Scientific Ecublens SARL. Дата публикации: 2024-10-30.

Methods for shielding a plasma etcher electrode

Номер патента: US09905484B2. Автор: Elena Becerra Woodard,Daniel Kwadwo Amponsah Berkoh,Dean G. Scott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

System, method and apparatus for ion milling in a plasma etch chamber

Номер патента: US09899227B2. Автор: Joydeep Guha,Aaron Eppler,Jun Hee Han,Butsurin JINNAI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Systems and methods for stabilizing plasma gas flow in a plasma arc torch

Номер патента: US09820371B1. Автор: Adam CHEVALIER. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Determining a malfunctioning device in a plasma system

Номер патента: US09620337B2. Автор: Arthur Sato,John C. Valcore, JR.,Bradford J. Lyndaker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Closed loop cooling of a plasma gun to improve hardware life

Номер патента: US09591736B2. Автор: Ronald J. Molz. Владелец: Oerlikon Metco US Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and device for generating a plasma jet

Номер патента: US09532440B2. Автор: Florian Silbermayr,Daniel PLÄTZER,Thomas STEHRER,Robert NIMMERVOLL. Владелец: FRONIUS INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2016-12-27.

Apparatus and methods for shielding a plasma etcher electrode

Номер патента: US09478428B2. Автор: Elena B. Woodard,Daniel K. Berkoh,Dean G. Scott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Plasma generation device assembly, arc mitigation device, and method of assembling a plasma generation device assembly

Номер патента: US09468083B2. Автор: Ravi Kumar,Srinivas Naga Palvadi,Dharamveer Surya Parkash Bathla. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and apparatus for tuning an rf matching network in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system

Номер патента: WO2003090351A2. Автор: John Holland,Nicolas Gani,Valentin Todorow. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-10-30.

Atomic Layer Etch Process Using Plasma In Conjunction With A Rapid Thermal Activation Process

Номер патента: US20200203175A1. Автор: Shawming Ma. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Modifying work function of a metal film with a plasma process

Номер патента: US20180218911A1. Автор: WEI Liu,Johanes S. Swenberg,Houda Graoui,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for machine learning a detection of at least one irregularity in a plasma system

Номер патента: EP4242904A2. Автор: Thomas Fink,Nikolai Schwerg,André Grede,Daniel Gruner,Anton Labanc,Manuel vor dem Brocke,Roland Schlierf. Владелец: Comet AG. Дата публикации: 2023-09-13.

Automotive coating surface enhancement using a plasma treatment technique

Номер патента: EP2349592A2. Автор: Donald H. Campbell,John E. Boisseau,Patrick J. Mormile,Paul Deskovitz. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2011-08-03.

Automotive coating surface enhancement using a plasma treatment technique

Номер патента: WO2010048367A2. Автор: Donald H. Campbell,John E. Boisseau,Patrick J. Mormile,Paul Deskovitz. Владелец: BASF CORPORATION. Дата публикации: 2010-04-29.

Improved process and apparatus for reducing electrode wear in a plasma arc torch

Номер патента: WO1991016165A1. Автор: Lifeng Luo,Nicholas A. Sanders,Richard W. Couch, Jr.. Владелец: Hypertherm, Inc.. Дата публикации: 1991-10-31.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma doping in a plasma-based optical emission gas detector

Номер патента: EP4435393A2. Автор: Yves Gamache. Владелец: MÉCANIQUE ANALYTIQUE INC. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for Machine Learning a Detection of at Least One Irregularity in a Plasma System

Номер патента: US20240355598A1. Автор: Thomas Fink,Nikolai Schwerg,André Grede,Daniel Gruner,Anton Labanc,Manuel vor dem Brocke,Roland Schlierf. Владелец: Comet AG. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and control unit for operating a plasma generation apparatus

Номер патента: US09756713B2. Автор: Florian LIECHTI,Albert FRIEDERY,Hartmut KOSCHNITZKE,Rene GROEBER. Владелец: OERLIKON METCO AG. Дата публикации: 2017-09-05.

System, method and apparatus for RF power compensation in a plasma processing system

Номер патента: US09508529B2. Автор: Henry Povolny,John C. Valcore, JR.. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Consumables for a plasma arc torch for bevel cutting

Номер патента: US09497845B2. Автор: Carey Chen,Peter Twarog. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of advanced lubricant for thin film storage medium

Номер патента: US20090263592A1. Автор: Lei Li,Michael Joseph Stirniman,Jing Gui,Jianwei Liu,Yiao-Tee Hsia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-10-22.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor on insulator structure comprising a plasma nitride layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US11984348B2. Автор: Sasha Joseph KWESKIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Focus ring for a plasma-based semiconductor processing tool

Номер патента: US20230386799A1. Автор: Jr-Sheng Chen,Sheng-Chieh Huang,Chih-Hsien Hsu,Chung-Hsiu Cheng,Chun Yan Chen,Chang Kuang TSO,Chou Feng LEE,Chin-Tai HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Apparatus for monitoring a plasma process

Номер патента: US20230317439A1. Автор: Minsung Kim,Sungyeol KIM,Hosun Yoo,Taekjin Kim,Meehyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Process for manufacturing a plasma source, and plasma source obtained from this manufacturing process

Номер патента: WO2012101472A1. Автор: Peter Choi. Владелец: Nano-Uv. Дата публикации: 2012-08-02.

Compensation of impedance modulation in a plasma generator by frequency sweep

Номер патента: WO2024137944A1. Автор: Masahiro Watanabe. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma filter facility, electrode facility and method for operating a plasma filter facility

Номер патента: US20240173667A1. Автор: Lambert Feher,Martin Seifert,Volker MODEL,Philipp Hoecht,Florian Meise. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2024-05-30.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for feeding material into a plasma

Номер патента: EP4218369A1. Автор: Makhlouf Redjdal,Michael Kozlowski,Pawel MATYS,Zongren Shang,Joseph Robert Caruso. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of driving a plasma display panel

Номер патента: US20050073481A1. Автор: Young Kim,Moon Chung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-04-07.

Method of driving a plasma display panel

Номер патента: EP1522987A3. Автор: Moon Shick Chung,Young Dae PDP Development Section PDP Dept. Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-08-23.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Mold for applying a liquid onto a plasma-based or cryoprecipitate-based film and method for coating a plasma-based or cryoprecipitate-based film

Номер патента: EP4436720A1. Автор: Klaus Tschetschkowitsch,Dominik STAUBER. Владелец: Octapharma AG. Дата публикации: 2024-10-02.

Connector in a plasma arc torch system

Номер патента: US12114413B2. Автор: Jing Wu,Jesse A. Roberts. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

System and method for distributing RF power to a plasma source

Номер патента: US09721759B1. Автор: Stephen Edward Savas,Richard Keith Karlquist,Robert Eugene Weisse. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2017-08-01.

Adjustment of VUV emission of a plasma via collisional resonant energy transfer to an energy absorber gas

Номер патента: US09609730B2. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for determining coating thickness during a plasma-electrolytic oxidation process

Номер патента: RU2692120C1. Автор: Евгений Владимирович Парфенов,Рузиль Галиевич Фаррахов,Денис Михайлович Лазарев,Азамат Раисович Фаткуллин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2019-06-21.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Frame for a cartridge for a plasma arc cutting system, method of cooling the plasma arc cutting system and method of manufacturing the frame

Номер патента: EP4351280A3. Автор: Yu Zhang,Nicholas A Sanders,Peter J Twarog,E Michael Shipulski. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator

Номер патента: SG173883A1. Автор: XING Chen,Jesse E Ambrosina,Ali Shajii,Souheil Benzerrouk,Andrew Cowe,Ken Tran,Siddharth P Nagarkatti. Владелец: Mks Instr Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Method and apparatus for monitoring a plasma in a material processing system

Номер патента: EP1579470A2. Автор: James E. Klekotka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-09-28.

Atomic layer etching of a semiconductor, a metal, or a metal oxide with selectivity to a dielectric

Номер патента: US20230274939A1. Автор: Andreas Fischer,Aaron Lynn ROUTZAHN,Thorsten Bernd LILL. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Cost effective cartridge for a plasma arc torch

Номер патента: US11770891B2. Автор: Yu Zhang,Zheng Duan,Mahyar Esmaili,Garrett QUILLIA,Brett Hansen,Mike Kornprobst. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor

Номер патента: EP1399944A1. Автор: Andreas Fischer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-03-24.

Reaction enhancing gas feed for injecting gas into a plasma chamber

Номер патента: WO2004070744A3. Автор: Fernando Gustavo Tomasel,Juan Jose Gonzalez,Andrew Shabalin. Владелец: Advanced Energy Ind Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Reaction enhancing gas feed for injecting gas into a plasma chamber

Номер патента: WO2004070744A2. Автор: Fernando Gustavo Tomasel,Juan Jose Gonzalez,Andrew Shabalin. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2004-08-19.

Plasma display device, plasma display system, and method of driving a plasma display panel

Номер патента: US20130113846A1. Автор: Mitsuhiro Ishizuka,Kazuaki Sakata,Takahiko Origuchi,Naoyuki Tomioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Method and apparatus for proportional valve actuation in a plasma cutter

Номер патента: US20130220980A1. Автор: David P. Marcusen,Brian J. Bornemann,Anthony V. Salsich,Nick William Buettner. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2013-08-29.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Movable grounding arrangements in a plasma processing chamber and methods therefor

Номер патента: WO2013081844A2. Автор: Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov,Anthony de la Llera,Michael C. KELLOG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

Failure event detection in a plasma arc torch

Номер патента: EP2594119A1. Автор: Zhang Yu,Zheng Duan,Qinghua Liu. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Nozzle for a plasma generation device

Номер патента: US9686847B2. Автор: Thomas Bickford Holbeche. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Biasing system for a plasma processing apparatus

Номер патента: US20140106571A1. Автор: Richard M. White,Bon-Woong Koo. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

A nozzle for a plasma generation device

Номер патента: EP3097749A1. Автор: Thomas Bickford Holbeche. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2016-11-30.

Wafer bias drive for a plasma source

Номер патента: WO2002099839A3. Автор: Richard Parsons,Maolin Long,Wayne L Johnson. Владелец: Wayne L Johnson. Дата публикации: 2003-05-22.

A driving method of a plasma display apparatus

Номер патента: EP1727117A3. Автор: Sonic Kim,An Soo Kim,Jung Gwan 203-1402 Youngnam Neovil Han. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-05-09.

A method of forming a controllable cut by a plasma arc torch

Номер патента: WO2011109257A1. Автор: Joseph V. Warren,Robert L. Smallwood. Владелец: THE ESAB GROUP, INC.. Дата публикации: 2011-09-09.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

bico para tocha de arco voltaico a plasma

Номер патента: BR112017016526A2. Автор: Krink Volker,Laurisch Frank,GRUNDKE Timo. Владелец: KJELLBERG-STIFTUNG. Дата публикации: 2018-04-10.

Ring structures and systems for use in a plasma chamber

Номер патента: US20240266151A1. Автор: Alexei Marakhtanov,John Holland,Alexander Matyushkin,Zhigang Chen,Felix Kozakevich,Michael C. Kellogg,Adam Mace. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

A method of addressing a plasma display panel

Номер патента: WO2003009270A3. Автор: Velzen Jeroen Van. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-11-27.

Cathode seated liquid coolant tube for a plasma arc cutting system

Номер патента: US20240351129A1. Автор: Oliver Murphy,Harshawardhan Jogdand,Jeremy Beliveau,Girish Kamath,Stephen M. Dunbar. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Cathode seated liquid coolant tube for a plasma arc cutting system

Номер патента: US11986900B2. Автор: Oliver Murphy,Harshawardhan Jogdand,Jeremy Beliveau,Girish Kamath,Stephen M. Dunbar. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Cooling mechanism utlized in a plasma reactor with enhanced temperature regulation

Номер патента: US20150279634A1. Автор: Aniruddha Pal,Valentin N. Todorow,Martin Jeffrey Salinas,Victor Calderon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Connector assembly for a plasma arc torch

Номер патента: US09742140B2. Автор: George Arthur CROWE. Владелец: Thermacut Ks. Дата публикации: 2017-08-22.

Systems and methods for obtaining information about a plasma load

Номер патента: US09578731B2. Автор: Gideon van Zyl. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Abatement system having a plasma source

Номер патента: US09552967B2. Автор: Colin John Dickinson,Roger M. Johnson,Rongping Wang,Michael S. Cox,Brian T. West. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Power supply assembly for a plasma arc torch system

Номер патента: US09550251B2. Автор: Justin Gullotta. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Nozzle for a plasma arc torch

Номер патента: US20180020533A1. Автор: Frank LAURISCH,Timo GRUNDKE,Volker KRINK. Владелец: Kjellberg Stiftung. Дата публикации: 2018-01-18.

Nozzle for a plasma arc torch

Номер патента: CA3194415A1. Автор: Frank LAURISCH,Timo GRUNDKE,Volker KRINK. Владелец: Kjellberg Stiftung. Дата публикации: 2016-08-11.

Apparatus for controlling a composition of a plasma

Номер патента: GB2627800A. Автор: Walsh James,Dickenson Aaron. Владелец: University of Liverpool. Дата публикации: 2024-09-04.

Medical device and method for producing a plasma-activated liquid

Номер патента: AU2021224972B2. Автор: Martin Weiss. Владелец: Universitaetsklinikum Tuebingen. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-range voltage sensor and method for a voltage controlled interface of a plasma processing system

Номер патента: US09741543B2. Автор: Gary M. Lemson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma arc torch and method for assembling and disassembling a plasma arc torch

Номер патента: US09609733B2. Автор: Wayne Stanley Severance, Jr.. Владелец: ESAB Group Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: WO2018157090A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-30.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: US20190157105A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: EP3586357A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-01-01.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: US20180366343A9. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

A controller for a matching unit of a plasma processing system

Номер патента: US20220404785A1. Автор: Peter Daly,Paul Scullin,David Gahan,Jj Lennon,Ian OLIVIERI. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Control of power supplied to a plasma torch to compensate for changes at an electrode

Номер патента: WO2017021694A1. Автор: Simone Magni,Jiyoung Son,Jerome BOEGNER,MinKyeong NOH,JinOk LEE. Владелец: EDWARDS LIMITED. Дата публикации: 2017-02-09.

Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system

Номер патента: WO2002009141A2. Автор: John E. Cronin,Murray D. Sirkis,Eric J. Strang,Yu Wang Bibby. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2002-01-31.

Electrode for a plasma gun

Номер патента: CA3121550A1. Автор: Toshiyuki Yamane,Ronald J. Molz,Junya Kitamura. Владелец: Oerlikon Metco US Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system

Номер патента: WO2002009141A3. Автор: John E Cronin,Yu Wang Bibby,Eric J Strang,Murray D Sirkis. Владелец: Murray D Sirkis. Дата публикации: 2002-06-20.

Device for generating a voltage ramp in a control circuit for a plasma display

Номер патента: US20050029959A1. Автор: Philippe Marchand,Gerard Morizot,Jean-Raphael Bezal. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for driving a plasma display panel and a plasma display apparatus therefor

Номер патента: US6674418B2. Автор: Mitsushi Kitagawa,Tsutomu Tokunaga. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Cost effective cartridge for a plasma arc torch

Номер патента: US20230271268A1. Автор: Yu Zhang,Zheng Duan,Brett Hansen,Stephen T. Eickhoff,Garrett K. Quillia. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Consumable cartridge for a plasma arc torch, method of assembling such consumable cartridge, and method of installing a consummable cartridge into a plasma arc torch

Номер патента: EP4236633A2. Автор: Yu Zhang,Zheng Duan,Mahyar Esmaili,Michael F. Kornprobst,Garrett QUILLIA,Brett Hansen. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Lamp apparatus with reflective ceramic sleeve holding a plasma that emits light

Номер патента: IL130156A. Автор: . Владелец: Fusion Lighting Inc. Дата публикации: 2002-12-01.

Lamp apparatus with reflective ceramic sleeve holding a plasma that emits light

Номер патента: WO1998028766A1. Автор: Dale S. Walker. Владелец: Fusion Lighting, Inc.. Дата публикации: 1998-07-02.

Method and apparatus for control of deposit build-up on an inner surface of a plasma processing chamber

Номер патента: WO1998044535A1. Автор: William S. Kennedy,Thomas E. Wicker,Robert A. Maraschin,Albert J. Lamm. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-10-08.

Forward flow, high acces consumables for a plasma arc cutting torch

Номер патента: EP4234145A2. Автор: Jonathan Mather,Peter J. Twarog,Nicholas A. Sanders,Michael E. Shipulski,Jay L JASON. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Method and Arrangement for the Adjustment of Characteristics of a Beam Bundle of High-Energy Radiation Emitted from a Plasma

Номер патента: US20120248327A1. Автор: Juergen Kleinschmidt,Imtiaz Ahmad,Max Christian Schuermann,Guido Schriever,Denis Bolshukhin,Alexander Christian Keller. Владелец: XTREME technologies GmbH. Дата публикации: 2012-10-04.

Energy recovery apparatus and method of a plasma display panel

Номер патента: US20060066606A1. Автор: Ji Yoo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-03-30.

Structure variable type of a plasma source coil and a method for controlling the same

Номер патента: US20210335583A1. Автор: Sang Woo Lee,Woo Hyung CHOI. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Assembly for a plasma arc torch and method of operation of the assembly for a plasma arc torch

Номер патента: US20230363077A1. Автор: Tomas KUSAK,Zdenek LAPCIK. Владелец: Thermacut Ks. Дата публикации: 2023-11-09.

Apparatus for controlling a composition of a plasma

Номер патента: WO2024180347A1. Автор: James Walsh,Aaron DICKENSON. Владелец: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL. Дата публикации: 2024-09-06.

Driving a plasma display panel

Номер патента: WO2007133010A1. Автор: Won Jae Kim,Sung Im Lee,Won Soon Kim,Choon Sub Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2007-11-22.

Sustain driver for a plasma display

Номер патента: EP1887545A3. Автор: Sunghwan Kim,Janghwan Cho,Hyunil Park,Changjoon Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-08-05.

Apparatus for producing a plasma and hand-held device having the apparatus

Номер патента: US09788404B2. Автор: Stefan Nettesheim,Dariusz Korzec,Dominik Burger,Georg Kuegerl,Markus Puff,Florian Hoppenthaler. Владелец: Reylon Plasma GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition for structurally- complex substrates

Номер патента: WO2024006229A1. Автор: Austin Lo. Владелец: Austin Lo. Дата публикации: 2024-01-04.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Circuit arrangement for the ac power supply of a plasma display panel

Номер патента: EP1472673A1. Автор: H. Philips Int. Prop. & Stand. GmbH V.D. BROECK,M. Philips Int. Prop. & Stand. GmbH WENDT. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Method of generating and using a plasma processing control program

Номер патента: EP1877878A1. Автор: Andrew Leonard Goodyear,Philip Douglas Rossbrook. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Apparatus and Method for Controlling a Plasma Fusion Reactor

Номер патента: US20180114603A1. Автор: Joel Guild Rogers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-26.

A plasma device and a method for generating a plasma

Номер патента: WO2021058720A1. Автор: Sebastian Dahle,Janez Kovac,Jure ŽIGON,Marko PETRIC,Giuseppe DA CORTÀ. Владелец: Certottica Scrl. Дата публикации: 2021-04-01.

Method to control starting and stopping a plasma arc welding keyhole

Номер патента: WO1999015301A1. Автор: John M. Sanders,Patrick M. Ryan. Владелец: Mcdermott Technology, Inc.. Дата публикации: 1999-04-01.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

A plasma device and a method for generating a plasma

Номер патента: EP4035506A1. Автор: Sebastian Dahle,Janez Kovac,Marko PETRIC,Giuseppe DA CORTÀ,Jure IGON. Владелец: Certottica Scrl. Дата публикации: 2022-08-03.

A method and an apparatus for excitation of a plasma

Номер патента: WO2002035895A2. Автор: Bjørn Winther-Jensen. Владелец: Nkt Research A/S. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of recycling a plasma display panel and the product thereof

Номер патента: US20060125393A1. Автор: Shu-Ming Chen,Tain-E Chen,Wen-Shiow Chiang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of recycling a plasma display panel and the product thereof

Номер патента: US7052349B1. Автор: Shu-Ming Chen,Tain-E Chen,Wen-Shiow Chiang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2006-05-30.

Chamber bottom for a plasma thruster

Номер патента: US12066014B2. Автор: Tiphaine De Tinguy,Julien Pierre Alain Vaudolon,Dominique Jean Etienne Indersie,Laurent Alexandre René Godard,Fabrice François Julien Mayeul,Romain Vallat. Владелец: Safran Spacecraft Propulsion. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and apparatus for sputtering with a plasma lens

Номер патента: US09455057B2. Автор: Andre Anders. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-09-27.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Plasma enhanced tungsten nucleation for low resistivity

Номер патента: US20240006236A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Wenting Hou,Junyeong YUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces

Номер патента: US20200161140A1. Автор: Thomas E. Seidel,Michael Current. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Molecular layer deposition

Номер патента: KR20070084683A. Автор: 성명모. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-27.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: US20060174945A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

Nanoscale sofc electrode architecture engineered using atomic layer deposition

Номер патента: WO2016099607A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Kirk Gerdes,Shiwoo Lee. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Components for a plasma processing apparatus

Номер патента: SG175637A1. Автор: La Llera Anthony De,Saurabh J Ullal. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-11-28.

Protective device for a tube on a plasma display panel

Номер патента: US20020047553A1. Автор: Chien-Hsing Li,Jiun-Han Wu,Po-Cheng Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-04-25.

A plasma system and measurement method

Номер патента: IE85236B1. Автор: LAWLER Justin,Daniels Stephen,John Law Victor. Владелец: DUBLIN CITY UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-05-13.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: WO2005091974A9. Автор: Jisoo Kim,Bi-Ming Yen,Peter K Loewenhardt,Binet Worsham. Владелец: Binet Worsham. Дата публикации: 2005-11-24.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: WO2005091974A2. Автор: Jisoo Kim,Peter K. Loewenhardt,Bi-Ming Yen,Binet Worsham. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2005-10-06.

Protective device for a tube on a plasma display panel

Номер патента: US6417628B1. Автор: Chien-Hsing Li,Jiun-Han Wu,Po-Cheng Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-07-09.

Method for forming ribs in a plasma display panel

Номер патента: US20020132550A1. Автор: Kuo-Pin Hsu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of an apparatus for driving a plasma display panel

Номер патента: WO2003063123A1. Автор: Petrus M. De Greef. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-07-31.

Apparatus for driving the address electrode of a plasma display panel and the method thereof

Номер патента: US20020175630A1. Автор: Kun-Ming Lee,Yi-Min Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-11-28.

Power supply apparatus for a plasma display device

Номер патента: EP1990904A3. Автор: Kyong-Pil Jin,Bong-Eun Yoon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Power supply apparatus for a plasma display device

Номер патента: US20080174586A1. Автор: Kyong-Pil Jin,Bong-Eun Yoon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Computer-implemented data presentation techniques for a plasma processing system

Номер патента: WO2006036893B1. Автор: Andrew D Bailey Iii,Puneet Yadav. Владелец: Puneet Yadav. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of driving a plasma display panel and driver therefor

Номер патента: US20100020047A1. Автор: Seung-Yong Lee,Dae-Hwan Kim,Hak-cheol Yang,Kyung-Sub Shim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Circuit for driving a plasma display panel

Номер патента: EP2149869A3. Автор: Yoo-Jin Song. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Apparatus for driving the address electrode of a plasma display panel and the method thereof

Номер патента: US6597122B2. Автор: Kun-Ming Lee,Yi-Min Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2003-07-22.

Improved electrode for a plasma arc cutting system and operational method

Номер патента: EP4358652A3. Автор: John Peters,Soumya Mitra,Adam CHEVALIER,Harshawardhan Jogdand,Stephen M Liebold,Madhura S Mitra. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Multi-stage compressor in a plasma cutter

Номер патента: US20150028024A1. Автор: Troy A. Sommerfeld. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2015-01-29.

Consumable cartridge for a plasma arc cutting system

Номер патента: EP4415485A2. Автор: Nicholas A. Sanders,Michael E. Shipulski. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Systems and methods for controlling a supply of multiple gases to a plasma chamber

Номер патента: WO2024206029A1. Автор: Butch Berney,Gerome Michel Dominique MELAET,Andrew Stratton Bravo,Julien Augustin MONBEIG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Consumable cartridge for a plasma arc cutting system

Номер патента: US09981335B2. Автор: Yu Zhang,E. Michael Shipulski,Peter J. Twarog,Nicholas A. Sanders. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Cooling tube for a plasma arc torch and spacer

Номер патента: US09661731B2. Автор: Manfred Hollberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and apparatus for controlling a magnetic field in a plasma chamber

Номер патента: US09613783B2. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Joseph F. Aubuchon,Tza-Jing Gung,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Arrangement for cooling a plasma-based radiation source with a metal cooling liquid and method for starting up a cooling arrangement of this type

Номер патента: US09581392B2. Автор: Dominik Marcel Vaudrevange,Ralf Gordon Conrads,Gota Niimi,Maghiel Jan KOLE. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-02-28.

High access consumables for a plasma arc cutting system

Номер патента: US09560732B2. Автор: E. Michael Shipulski,Peter J. Twarog,Nicholas A. Sanders,Clifford Glenn Darrow,Jonathan P. Mather,Jay Jason. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Controlling ion energy within a plasma chamber

Номер патента: US09460894B2. Автор: Alex Paterson,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Gowri Kamarthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Device for obtaining a plasma jet

Номер патента: RU2764165C1. Автор: Виктор Александрович Панарин,Виктор Семенович Скакун,Дмитрий Алексеевич Сорокин,Эдуард Анатольевич Соснин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2022-01-13.

A plasma polymerisation method for coating a substrate with a polymer

Номер патента: CA3124024A1. Автор: Samir LOULIDI,Marc Sercu. Владелец: EUROPLASMA NV. Дата публикации: 2020-07-16.

A plasma polymerisation method for coating a substrate with a polymer

Номер патента: EP4234106A2. Автор: Samir LOULIDI,Marc Sercu. Владелец: EUROPLASMA NV. Дата публикации: 2023-08-30.

A plasma polymerisation method for coating a substrate with a polymer

Номер патента: EP3908412A1. Автор: Samir LOULIDI,Marc Sercu. Владелец: EUROPLASMA NV. Дата публикации: 2021-11-17.

A plasma polymerisation method for coating a substrate with a polymer

Номер патента: EP4234106A3. Автор: Samir LOULIDI,Marc Sercu. Владелец: EUROPLASMA NV. Дата публикации: 2023-09-20.

A plasma polymerisation method for coating a substrate with a polymer

Номер патента: MY197871A. Автор: Samir LOULIDI,Marc Sercu. Владелец: EUROPLASMA NV. Дата публикации: 2023-07-21.

A plasma polymerisation method for coating a substrate with a polymer

Номер патента: CA3124024C. Автор: Samir LOULIDI,Marc Sercu. Владелец: EUROPLASMA NV. Дата публикации: 2023-08-01.

A plasma polymerisation method for coating a substrate with a polymer

Номер патента: US20220072585A1. Автор: Samir LOULIDI,Marc Sercu. Владелец: EUROPLASMA NV. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for generating a plasma flame and plasma flame generating apparatus

Номер патента: CA3229088A1. Автор: Jens Hofmann,Moritz Johann Gorath,Markus REICHMANN. Владелец: MUEGGE GMBH. Дата публикации: 2023-02-16.

Tool for a plasma medical treatment device, and corresponding device

Номер патента: US20240198121A1. Автор: Thierry Dufour,Laura FOUASSIER,Marine CAMUS,Henri DECAUCHY. Владелец: Assistance Publique Hopitaux de Paris APHP. Дата публикации: 2024-06-20.

Improved nozzle for a plasma arc torch

Номер патента: CA2065431A1. Автор: Nicholas A. Sanders. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-04-21.

Improved nozzle for a plasma arc torch

Номер патента: WO1991005629A1. Автор: Nicholas A. Sanders. Владелец: Hypertherm, Inc.. Дата публикации: 1991-05-02.

Process for developing fine openings in a flexible electronic component with a plasma-etching technique

Номер патента: US20240071824A1. Автор: Gurinder S. Saini,David J. Crary. Владелец: Tech Etch Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Apparatus and method for driving a plasma display panel

Номер патента: US20090040143A1. Автор: Eun-Young Jung. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Link Device of a Plasma Torch

Номер патента: US20180376576A1. Автор: Giorgio Bassi. Владелец: Tecmo SRL. Дата публикации: 2018-12-27.

Method and arrangement for generating a jet of fluid, method and system for transforming the jet into a plasma, and uses of said system

Номер патента: US09642233B2. Автор: Alessandro Federico Flacco,Mina Ivanova Veltcheva,Subhendu Kahaly,Victor Armand Malka,Soriba Franciszek (François) Sylla. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2017-05-02.

Translational torch height controller for a plasma arc torch

Номер патента: US09555497B2. Автор: Nakhleh Hussary,Daniel Wayne Barnett,Christopher V. Braudis, Sr.,Dirk Ott. Владелец: Victor Equipment Co. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of detecting arc discharge in a plasma process

Номер патента: US09484189B2. Автор: Markus Winterhalter,Peter Wiedemuth. Владелец: Trumpf Huettinger GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and apparatus for processing a workpiece with a plasma

Номер патента: US20040219737A1. Автор: Bill Quon. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-04.

Scanning means and method for a plasma-sac-type gas-discharge image display panel

Номер патента: US4130777A. Автор: Michael C. De Jule. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1978-12-19.

Nozzle for a plasma arc torch head, laser cutting head and plasma laser cutting head, assemblies, plasma arc torch head and plasma arc torch comprising same, laser cutting head comprising same, and plasma laser cutting head comprising same

Номер патента: US11856684B2. Автор: Frank LAURISCH,Timo GRUNDKE,Volker KRINK,Vadim Gunther. Владелец: Kjellberg Stiftung. Дата публикации: 2023-12-26.

A plasma generating device

Номер патента: EP3129230A1. Автор: Guido G. Willems,Hermanus M. KUYPERS. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2017-02-15.

Pressure control and plasma confinement in a plasma processing chamber

Номер патента: WO2005119735A1. Автор: Steven T. Fink. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-12-15.

Method and apparatus of coordinating operational feedback in a plasma cutter

Номер патента: EP1513378A3. Автор: Tim A. Matus. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2007-07-04.

Construction of a chamber casing in a plasma etching system

Номер патента: US5720846A. Автор: Whikun Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-24.

Methods and apparatus for the optimization of etch resistance in a plasma processing system

Номер патента: WO2006011996A2. Автор: George Stojakovic,Yoko Yamaguchi Adams,Alan Miller. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-02.

Methods for operating a plasma torch

Номер патента: AU2020416708B2. Автор: Ryan T. Lynaugh,Christopher Vincent BRAUDIS Sr.,Geoffrey PUTNAM. Владелец: ESAB Group Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for operating a plasma torch

Номер патента: WO2021138044A1. Автор: Ryan T. Lynaugh,Geoffrey PUTNAM. Владелец: The Esab Group Inc.. Дата публикации: 2021-07-08.

Euv patterning of monolayers for selective atomic layer deposition

Номер патента: US20190391494A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano,Noah F. Fine Nathel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

máquina de corte a plasma/oxicorte com quatro eixos de movimento sincronizados controlados por computador

Номер патента: BR102014004350A2. Автор: Gustavo Roberto Vieira Bittencourt. Владелец: Gustavo Roberto Vieira Bittencourt. Дата публикации: 2015-12-01.

Methods and apparatus for integrating and controlling a plasma processing system

Номер патента: US20120138085A1. Автор: Chung-Ho Huang,Cheng-Chieh Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-07.

Apparatus and method of driving a plasma display panel

Номер патента: US20050068263A1. Автор: Hee Yang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for determining the direct thrombin inhibitor concentration in a plasma sample

Номер патента: WO2014044703A1. Автор: Lieselotte Wagner. Владелец: Technoclone GmbH. Дата публикации: 2014-03-27.

Electrical contact point device for use in a plasma arc cutting torch

Номер патента: US20110240608A1. Автор: Matt Merrill,Jeffrey Walters, SR.. Владелец: American Torch Tip Co. Дата публикации: 2011-10-06.

Electrode for a plasma arc cutting torch

Номер патента: US09949356B2. Автор: Praveen Krishna Namburu,Jackie Laverne Winn,Jessie Michael WILSON. Владелец: Lincoln Global Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Multi-component electrode for a plasma cutting torch and torch including the same

Номер патента: US09730307B2. Автор: Praveen K. NAMBURU. Владелец: Lincoln Global Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Sterilization system employing a switching module adapted to pulsate the low frequency power applied to a plasma

Номер патента: US6852277B2. Автор: Mitch Agamohamadi,Alfredo M. Choperena,Robert C. Platt, Jr.,Anthony Lemus. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

A method for element-selective detection, a micro plasma mass spectrometer for use in the method and a plasma ion source, together with applications thereof

Номер патента: CA2278807A1. Автор: Cato Brede,Stig Pedersen-Bjergaard,Elsa Lundanes,Tyge Greibrokk. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-08-20.

Plasma addressed electro-optical device having a plasma discharge chamber

Номер патента: US5684362A. Автор: Takahiro Togawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-11-04.

Multistage method and apparatus for separating substances of different atomic weights using a plasma centrifuge

Номер патента: CA1204228A. Автор: Mahadevan Krishnan,Jay L. Hirshfield. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 1986-05-06.

Device and method for processing a plasma to alter the surface of a substrate using neutrals

Номер патента: US5868897A. Автор: Tihiro Ohkawa. Владелец: Toyo Technologies Inc. Дата публикации: 1999-02-09.

Composite electrode for a plasma arc torch

Номер патента: US20020125224A1. Автор: Yong Yang,David Cook,Richard Couch,Zhipeng Lu,Kirk Ferland,Charles Hackett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

System and method for managing a plasma process and method for manufacturing an electronic device

Номер патента: US20070062802A1. Автор: Takashi Shimizu,Shinji Mori,Katsuyuki Sekine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Plasma impedance matching for supplying RF power to a plasma load

Номер патента: US10410835B2. Автор: Rafal Bugyi,Wojciech Glazek. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2019-09-10.

Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma

Номер патента: MY142150A. Автор: Marakhtanov Alexei,Hudson Eric,Kimball Christopher,KEIL DOUGLAS. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Method of manufacturing a plasma addressed liquid crystal display device

Номер патента: US5810634A. Автор: Shigeki Miyazaki,Takahiro Togawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Tunable uniformity in a plasma processing system

Номер патента: US8635971B2. Автор: Eric Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-01-28.

Plasma generator with a plasma generation tip and with an activation switch

Номер патента: EP3533378A1. Автор: Ming J. Cheng. Владелец: Gyrus ACMI Inc. Дата публикации: 2019-09-04.

Plasma-generating device, plasma surgical device and use of a plasma surgical device

Номер патента: WO2007006517A2. Автор: Nickolay Suslov,Igor Rubiner. Владелец: PLASMA SURGICAL AB. Дата публикации: 2007-01-18.

Plasma generator for an electrothermal-chemical weapons system comprising ceramic, method of fixing the ceramic in the plasma generator and ammunition round comprising such a plasma generator

Номер патента: US20110056402A1. Автор: Lennart Gustavsson,Ola Stark. Владелец: BAE Systems Bofors AB. Дата публикации: 2011-03-10.

Composite electrode for a plasma arc torch

Номер патента: US7659488B2. Автор: Yong Yang,Richard W. Couch, Jr.,Zhipeng Lu,Charles M. Hackett,David J. Cook,Kirk H. Ferland. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

A nozzle for conveying a plasma stream for plasma abatment and related method

Номер патента: EP3692770A1. Автор: Simone Magni,Yun Soo Choi,Chan Kyoo Ko. Владелец: Edwards Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

System and method for operating a plasma jet configuration

Номер патента: US20240050760A1. Автор: Klaus-Dieter Weltmann,Stefan Horn,Philipp Turski,Norbert Lembke,Torsten Gerling,Rayk KOHLS,Laura VILARDELL SCHOLTEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and apparatus for realtime wafer potential measurement in a plasma processing chamber

Номер патента: WO2023096730A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-06-01.

Systems and methods for determining characteristics of a workpiece in a plasma arc processing system

Номер патента: US11890693B2. Автор: John Peters,Brett A. Hansen,Norman LeBlanc,Jeff Ortakales,Mirko Milaneschi,Dana Labrecque,Richard Glen Robinson,Georgios E. Gkatzimas. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Tunable doping of carbon nanotubes through engineered atomic layer deposition

Номер патента: US11832458B2. Автор: Christian Lau,Max SHULAKER. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-28.

Water injection and venting of a plasma arc torch

Номер патента: EP3231259A1. Автор: Soumya Mitra,Stephen LIEBOLD,Madhura MITRA. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2017-10-18.

Methods for operating a plasma torch

Номер патента: WO2023150451A1. Автор: Geoffrey H. Putnam,Christopher Vincent BRAUDIS,Ryan LYNAUGH. Владелец: The Esab Group Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Bico para uma tocha de arco voltaico a plasma arrefecida por líquido, disposição de um suporte para bico e um bico, cabeça de tocha de arco voltaico a plasma arrefecida por líquido e tocha de arco voltaico a plasma arrefecida por líquido

Номер патента: BR112017016526B1. Автор: Frank LAURISCH,Timo GRUNDKE,Volker KRINK. Владелец: KJELLBERG-STIFTUNG. Дата публикации: 2023-11-14.

Pulsed power system including a plasma opening switch

Номер патента: EP1743351A4. Автор: Richard Auchterlonie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-09.

Plasma generator for an electrothermal-chemical weapons system comprising ceramic, method of fixing the ceramic in the plasma generator and ammunition round comprising such a plasma generator

Номер патента: WO2009123525A1. Автор: Lennart Gustavsson,Ola Stark. Владелец: Bae System Bofors Ab. Дата публикации: 2009-10-08.

A plasma chamber for an optical emission spectroscopy instrument

Номер патента: EP4361610A1. Автор: Andre Peters. Владелец: Hitachi High Tech Analytical Science GmbH. Дата публикации: 2024-05-01.

Water Injection and Venting of a Plasma Arc Torch

Номер патента: US20190075643A1. Автор: Soumya Mitra,Stephen LIEBOLD,Madhura MITRA. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for Stabilizing a Plasma and an Improved Ionization Chamber

Номер патента: US20150063547A1. Автор: Marc Mestres,Paul Ceccato. Владелец: Laser Systems and Solutions of Europe SAS. Дата публикации: 2015-03-05.

A method for stabilizing a plasma and an improved ionization chamber

Номер патента: EP2835039A1. Автор: Marc Mestres,Paul Ceccato. Владелец: EXCICO FRANCE. Дата публикации: 2015-02-11.

A method for stabilizing a plasma and an improved ionization chamber

Номер патента: WO2013149953A1. Автор: Marc Mestres,Paul Ceccato. Владелец: EXCICO FRANCE. Дата публикации: 2013-10-10.

Thermal management for instruments including a plasma source

Номер патента: CA3172375C. Автор: Brian Chan,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Andrew Icasiano. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Canada Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Pulsed power system including a plasma opening switch

Номер патента: EP1743351A2. Автор: Richard Auchterlonie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-17.

Sistema de corte a plasma e método de corte a plasma

Номер патента: BR102022014055A2. Автор: Christopher J. Williams. Владелец: LINCOLN GLOBAL, INC.. Дата публикации: 2023-01-24.

Endpoint detection algorithm for atomic layer etching (ale)

Номер патента: SG11201901731WA. Автор: Yan Chen,Jason Ferns,Xinkang Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for driving a plasma display panel

Номер патента: US20120120032A1. Автор: Tadayoshi Kosaka,Kazushige Takagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Method to generate a plasma stream for performing electrosurgery

Номер патента: US8057468B2. Автор: Gregory A. Konesky. Владелец: Bovie Medical Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor

Номер патента: US5779849A. Автор: Guy Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Closed loop cooling of a plasma gun to improve hardware life

Номер патента: CA2860787C. Автор: Ronald J. Molz. Владелец: Oerlikon Metco US Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Blood analysis system including a plasma separator

Номер патента: US3880592A. Автор: Thomas F Kelley,Allan G Dennison,Anthony J Waraksa. Владелец: Instrumentation Laboratory Co. Дата публикации: 1975-04-29.

Hand disinfection device having a plasma and aerosol generator

Номер патента: CA2923337A1. Автор: Klaus-Dieter Weltmann,Manfred Stieber,Thomas Von Woedtke,Wilfried Kromker. Владелец: Leibniz Institut fuer Plasmaforschung und Technologie eV. Дата публикации: 2015-03-12.

Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor

Номер патента: US5514246A. Автор: Guy Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-07.

Method of detecting an arc occurring during the power supply of a plasma process, control unit for a plasma power supply, and plasma power supply

Номер патента: WO2016096900A1. Автор: Adam Grabowski,Cezary GAPIÑSKI,Andrzej Gieraltowski,Piotr Lach,Marcin Zelechowski. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2016-06-23.

Adjustable dc bias control in a plasma reactor

Номер патента: US5605637A. Автор: Evans Lee,Robert Wu,Hongching Shan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-02-25.

Method for detecting the end point of a plasma etching reaction

Номер патента: US4340456A. Автор: Clarence J. Tracy,Frederick J. Robinson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-07-20.

Method of detecting an arc occurring during the power supply of a plasma process, control unit for a plasma power supply, and plasma power supply

Номер патента: EP3234980A1. Автор: Adam Grabowski,Cezary GAPIÑSKI,Andrzej Gieraltowski,Piotr Lach,Marcin Zelechowski. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2017-10-25.

Methods and apparatus for generating a plasma torch

Номер патента: US6329628B1. Автор: Spencer P. Kuo,Edward Koretzky,Lester Orlick. Владелец: Polytechnic Institute of NYU. Дата публикации: 2001-12-11.

Device for bending a plasma flame

Номер патента: US3588594A. Автор: Seiichi Murayama,Hiromitsu Matsuno,Manabu Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-06-28.

Method and device for electrically testing fuels and combustibles by generating a plasma

Номер патента: US20070172959A1. Автор: Roman Koch,Jorg Fullemann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

Apparatus for producing a plasma source of high- intensity radiation in the x-ray region

Номер патента: CA1229683A. Автор: Willi Neff,Gerd Herziger. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 1987-11-24.

Asymetric consumables for a plasma arc torch

Номер патента: EP4319491A2. Автор: E. Michael Shipulski,Clifford G. Darrow,Martin Higgens,David Agan,Steven Moody,Shreyansh Patel. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Method and assembly for detecting a leak in a plasma system

Номер патента: WO2004042339A1. Автор: Michael Lane Smith, Jr.,Joel O'Don Stevenson,Pamela Peardon Denise Ward. Владелец: Peak Sensor Systems Llc. Дата публикации: 2004-05-21.

Apparatus and method for ignition of a plasma system and for monitoring health of the plasma system

Номер патента: US20190089135A1. Автор: Colin Sanford,Kevin Wenzel,Atul Gupta,Joshua Lamontagne. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

System and method for remote sensing a plasma

Номер патента: US20230230821A1. Автор: Sean Kelly,Patrick J. McNally. Владелец: DUBLIN CITY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for machine learning a detection of at least one irregularity in a plasma system

Номер патента: EP4242904A3. Автор: Thomas Fink,Nikolai Schwerg,André Grede,Daniel Gruner,Anton Labanc,Manuel vor dem Brocke,Roland Schlierf. Владелец: Comet AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Device and method for generating a plasma

Номер патента: US8963427B2. Автор: Silvio Kühn. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2015-02-24.

Device and method for generating a plasma

Номер патента: US20130249398A1. Автор: Silvio Kühn. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2013-09-26.

System and method for supplying fluids to a plasma arc torch

Номер патента: EP2633740A1. Автор: David C. Griffin. Владелец: ESAB Group Inc. Дата публикации: 2013-09-04.

Method for operation of a plasma torch in a chemical reactor

Номер патента: AU2022258905A1. Автор: Ate WIEKAMP. Владелец: Hiiroc X Developments Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for operation of a plasma torch in a chemical reactor

Номер патента: EP4323096A1. Автор: Ate WIEKAMP. Владелец: Hiiroc X Developments Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Device for producing a plasma comprising a plasma ignition unit

Номер патента: US20240130031A1. Автор: Louis Latrasse,Fadi ZOUBIAN,Nicolas RENAUT. Владелец: SAIREM POUR L'APPLICATION INDUSTRIELLE de la RECHERCHE EN ELECTRONIQUE ET MICRO ONDES STE. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods for operating a plasma torch

Номер патента: WO2023154635A1. Автор: Geoffrey H. Putnam,Christopher Vincent BRAUDIS Sr.. Владелец: The Esab Group Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for mixing fluids for a plasma cutting torch

Номер патента: US20240130030A1. Автор: Erik Anthony LEGER. Владелец: ESAB AB. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus and method for ignition of a plasma system and for monitoring health of the plasma system

Номер патента: WO2019055193A1. Автор: Colin Sanford,Kevin Wenzel,Atul Gupta,Joshua Lamontagne. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2019-03-21.

Eletrodo com corpo de cobre da tocha de corte a plasma conectando a ponta cortadora emissora para tochas de corte a plasma com corpo do eletrodo com corpo de cobre

Номер патента: BR112023021907A2. Автор: Ahmet Yildirim. Владелец: Ahmet Yildirim. Дата публикации: 2023-12-19.

Connection Between a Plasma Torch Wearing Part and a Plasma Torch Wearing Part Holder, Plasma Torch Wearing Part and Plasma Torch Wearing Part Holder

Номер патента: US20100044351A1. Автор: Frank LAURISCH,Timo GRUNDKE,Ralf-Peter REINKE,Volker KRINK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

Apparatus and methods for removing contaminant particles in a plasma process

Номер патента: US11120976B2. Автор: Ganesh Balasubramanian,Sidharth Bhatia,Anup Kumar Singh,Bhaskar Kumar,Vivek Bharat SHAH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Asymetric consumables for a plasma arc torch

Номер патента: EP4319490A2. Автор: Patel Shreyansh,E. Michael Shipulski,Clifford G. Darrow,Martin Higgens,David Agan,Steven Moody. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Asymetric consumables for a plasma arc torch

Номер патента: EP4319491A3. Автор: E. Michael Shipulski,Clifford G. Darrow,Martin Higgens,David Agan,Steven Moody,Shreyansh Patel. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Apparatus and method for ignition of a plasma system and for monitoring health of the plasma system

Номер патента: EP3682462A1. Автор: Colin Sanford,Kevin Wenzel,Atul Gupta,Joshua Lamontagne. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Apparatus and method for ignition of a plasma system and for monitoring health of the plasma system

Номер патента: US20200099199A1. Автор: Colin Sanford,Kevin Wenzel,Atul Gupta,Joshua Lamontagne. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for mixing fluids for a plasma cutting torch

Номер патента: WO2024084317A1. Автор: Erik Anthony LEGER. Владелец: ESAB AB. Дата публикации: 2024-04-25.

Apparatus and methods for removing contaminant particles in a plasma process

Номер патента: US20200350146A1. Автор: Ganesh Balasubramanian,Sidharth Bhatia,Anup Kumar Singh,Bhaskar Kumar,Vivek Bharat SHAH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Asymetric consumables for a plasma arc torch

Номер патента: EP4319490A3. Автор: Patel Shreyansh,E. Michael Shipulski,Clifford G. Darrow,Martin Higgens,David Agan,Steven Moody. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Components for a plasma processing apparatus

Номер патента: WO2008063324A2. Автор: Anthony de la Llera,Saurabh J. Ullal. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-05-29.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Arrangement, method and electrode for generating a plasma

Номер патента: US7533629B2. Автор: Jan Bastiaan Bouwstra,Eugen Aldea,Mauritius Cornelius Maria Van De Sanden,Hindrik Willem DeVries. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2009-05-19.

Energy recovery driving circuit for driving a plasma display unit

Номер патента: US6150999A. Автор: Song-Yi Lin,Chern-Lin Chen. Владелец: Acer Display Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-21.

Automated cartridge detection for a plasma arc cutting system

Номер патента: CA2929936C. Автор: E. Michael Shipulski,Michael Hoffa,Peter J. Twarog,Brett A. Hansen,Stephen M. Liebold,Jesse A. Roberts,Junsong Mao,Erik Brine,Clayton Gould. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Method and apparatus for avoiding overheating of drivers of a plasma display panel

Номер патента: EP1821278A1. Автор: Carlos Correa,Sebastien Weitbruch,Cedric Thebault. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2007-08-22.

Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition

Номер патента: US20040261850A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method and system for controlling center-to-edge distribution of species within a plasma

Номер патента: US20090218315A1. Автор: Steven Shannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Atomic layer deposition for low-k trench protection during etch

Номер патента: KR102562862B1. Автор: 안젤리크 레일리,데이비드 오메라,옌-티엔 루,싱후아 선. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-08-02.

Consumable cartridge for a plasma arc cutting system and associated method

Номер патента: EP4299228A2. Автор: E. Michael Shipulski,Michael Hoffa,Peter J. Twarog,Brett A. Hansen,Stephen M. Liebold,Jesse A. Roberts,Junsong Mao,Erik Brine,Clayton Gould. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Confinement ring for use in a plasma processing system

Номер патента: US11791140B2. Автор: Akira Koshiishi,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhatanov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Mold for applying a liquid onto a plasma-based or cryoprecipitate-based film and method for coating a plasma-based or cryoprecipitate-based film

Номер патента: WO2023170163A1. Автор: Klaus Tschetschkowitsch,Dominik STAUBER. Владелец: Octapharma AG. Дата публикации: 2023-09-14.

A plasma reactor

Номер патента: US20240010363A1. Автор: Scott Hughan Rennie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-11.

Oxide-based resistive memory having a plasma-exposed bottom electrode

Номер патента: US20230263077A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Babar Khan,Hiroyuki Miyazoe,Dexin Kong,Joel P. de Souza,Youngseok Kim,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

System and method for supplying fluids to a plasma arc torch

Номер патента: WO2012061070A1. Автор: David C. Griffin. Владелец: THE ESAB GROUP, INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

A plasma reactor

Номер патента: EP4248090A1. Автор: Scott Hughan Rennie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-27.

Air purifiers including a plasma reactor capable of producing one or more reaction products from ambient air

Номер патента: AU2021236734A1. Автор: Pravansu S. Mohanty,Tejasvi CHUNDURI,Volodymyr GOLOTA,Raj Siman SWAMY NAIDU UGAPATHY,Ruslan Joseph MENEZES,Sujeet Shyamsunder SHINDE,Abhishek Nagesh KUMBHAR. Владелец: Somnio Global Holdings LLC. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems and methods for fast control of impedance associated with an output of a plasma source

Номер патента: WO2024091857A1. Автор: Sanghyeon PARK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Consumable cartridge for a plasma arc cutting system and associated method

Номер патента: EP4299228A3. Автор: E. Michael Shipulski,Michael Hoffa,Peter J. Twarog,Brett A. Hansen,Stephen M. Liebold,Jesse A. Roberts,Junsong Mao,Erik Brine,Clayton Gould. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Method and apparatus for feeding material into a plasma

Номер патента: US20230347410A1. Автор: Makhlouf Redjdal,Michael Kozlowski,Pawel MATYS,Zongren Shang,Joseph Robert Caruso. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method and system for modifying a substrate using a plasma

Номер патента: EP3017457A1. Автор: Cormac Patrick BYRNE,Brian Joseph MEENAN,Kyle George DOHERTY. Владелец: Innovation Ulster Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Sterilizing system with a plasma generator, the plasma generator having an electrode assembly having an array of capillaries in which the plasma is generated and into which fluid is introduced to generate sterilant

Номер патента: WO2007067924A3. Автор: Edward J Houston. Владелец: Edward J Houston. Дата публикации: 2008-04-10.

Energy recovery apparatus and method for a plasma display panel

Номер патента: EP1550996A3. Автор: Jin Young Kim,Bong Koo Kang,Won Tae Kim,Joong Seo Park,Sung Gon Shin,Yun Kwon Samsung Jangmi Apt. 2-705 Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-12-14.

Method and apparatus for recycling shield gas in a plasma arc torch

Номер патента: WO2012109300A1. Автор: Christopher J. Conway,Brandon Hebert. Владелец: Thermal Dynamics Corporation. Дата публикации: 2012-08-16.

Method and apparatus for recycling shield gas in a plasma arc torch

Номер патента: EP2674016A1. Автор: Christopher J. Conway,Brandon Hebert. Владелец: Thermal Dynamics Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Method and apparatus for inspecting process performance for use in a plasma processing apparatus

Номер патента: US20080174324A1. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Connection system suited to connect a plasma cutting torch to a generator

Номер патента: EP3331660A1. Автор: Ugo Simioni,Attilio Imi,Claudio CARLETTI. Владелец: Trafimet Group SpA. Дата публикации: 2018-06-13.

Connection system suited to connect a plasma cutting torch to a generator

Номер патента: WO2017021849A1. Автор: Ugo Simioni,Attilio Imi,Claudio CARLETTI. Владелец: TRAFIMET GROUP S.P.A.. Дата публикации: 2017-02-09.

Method and apparatus for feeding material into a plasma

Номер патента: CA3193640A1. Автор: Makhlouf Redjdal,Michael Kozlowski,Pawel MATYS,Zongren Shang,Joseph Robert Caruso. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Method and system for modifying a substrate using a plasma

Номер патента: WO2015001025A1. Автор: Cormac Patrick BYRNE,Brian Joseph MEENAN,Kyle George DOHERTY. Владелец: INNOVATION ULSTER LIMITED. Дата публикации: 2015-01-08.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Compensation of impedance modulation in a plasma generator by frequency sweep

Номер патента: US20240212983A1. Автор: Masahiro Watanabe. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Components for a plasma processing apparatus

Номер патента: WO2008063324A3. Автор: La Llera Anthony De,Saurabh J Ullal. Владелец: Saurabh J Ullal. Дата публикации: 2008-07-31.

Connecting part for a machining head for heat processing of materials, in particular, for a plasma torch head, a laser head, a plasma laser head, wear part, and holder for the wear part, and method for assembly thereof

Номер патента: RU2770169C1. Автор: Франк ЛАУРИШ,Фолькер КРИНК,Тимо ГРУНДКЕ,Вадим ГЮНТЕР. Владелец: Кьельберг-Штифтунг. Дата публикации: 2022-04-14.

Frame for a cartridge for a plasma arc cutting system, method of cooling the plasma arc cutting system and method of manufacturing the frame

Номер патента: EP4351280A2. Автор: Yu Zhang,Nicholas A Sanders,Peter J Twarog,E Michael Shipulski. Владелец: Hypertherm Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты