Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09957165B2
Опубликовано: 01-05-2018
Автор(ы): Mark Saly
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180057362A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180057362A1. Автор: Saly Mark. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20160099146A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20160099146A1. Автор: Saly Mark. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Methods For Making Silicon Containing Films That Have High Carbon Content

Номер патента: US20220145453A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Methods for making silicon containing films that have high carbon content

Номер патента: SG10201907962WA. Автор: Lei Xinjian,Chandra Haripin,Kim Moo-Sung. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-03-30.

Methods for making silicon containing films that have high carbon content

Номер патента: EP3620550B1. Автор: Chandra Haripin,XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Precursors for high-temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2021158633A2. Автор: Adrien Lavoie,Douglas Walter Agnew. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for forming silicon-containing film, and silicon-containing film formed thereby

Номер патента: US20240318305A1. Автор: Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Da Som YU. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4367709A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: US12049695B2. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,William Robert Entley,Robert Gordon Ridgeway,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Precursors and methods for preparing silicon-containing films

Номер патента: US12071688B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Sangjin Lee,Soojin Lee,Sungsil CHO,Seobong CHANG,Jae Eon Park,Dahye Kim. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Plasma enhanced deposition of silicon-containing films at low temperature

Номер патента: WO2022132524A1. Автор: Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Aykut Aydin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: US12057310B2. Автор: Manchao Xiao,Matthew R Macdonald. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3802913A1. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: WO2019241183A1. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Silicon precursor compounds and method for forming silicon-containing films

Номер патента: WO2022226174A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Soojin Lee,Sungsil CHO,Dahye Kim,HwanSoo KIM. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2022-10-27.

Silicon precursor compounds and method for forming silicon-containing films

Номер патента: EP4326921A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Soojin Lee,Sungsil CHO,Dahye Kim,HwanSoo KIM. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Carbon bridged aminosilane compounds for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: SG11201903005SA. Автор: XINJIAN LEI,Suresh Rajaraman,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Method and apparatus for depositing a silicon-containing film

Номер патента: US20160379868A1. Автор: Jun Sato,Masahiro Murata,Hiroyuki Kikuchi,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film

Номер патента: US11821078B2. Автор: Eiichiro Shiba,Yoshinori Ota,Toshikazu Hamada,Takeru Kuwano. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Impurity reduction in silicon-containing films

Номер патента: US20230317449A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Jason Alexander VARNELL,Joseph R. Abel,Awnish GUPTA,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming silicon-containing film and film forming apparatus

Номер патента: US20240087883A1. Автор: Nobuo Matsuki,Yoshinori Morisada,Daisuke Oba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming silicon-containing film and method for decreasing number of particles

Номер патента: US20070197007A1. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-An Lin,Che-Hung Liu,Hwei-Lin Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: EP4253597A2. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-10-04.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: WO2023220650A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven Gerard Mayorga. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: EP4253597A3. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-06.

Composition and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: US20230377874A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Deposition of amorphous silicon-containing films

Номер патента: WO2004017365A2. Автор: Michael A. Todd. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2004-02-26.

Compositions and methods using same for non-conformal deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2021050368A1. Автор: XINJIAN LEI,Tingmin Wang,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Precursor for high temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: JP2023512681A. Автор: ラボア・エイドリアン,アグニュー・ダグラス・ウォルター. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

COMPOSITIONS AND METHODS USING SAME FOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20170338109A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Kim Moo-Sung,MacDonald Matthew R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

COMPOSITIONS AND METHODS USING SAME FOR CARBON DOPED SILICON CONTAINING FILMS

Номер патента: US20180023192A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Mallikarjunan Anupama,Chandra Haripin,RAO Madhukar Bhaskara,Cuthill Kirk Scott,MacDonald Matthew R.,Li Jianheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

High Temperature Atomic Layer Deposition of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20170207082A1. Автор: Lei Xinjian,Mallikarjunan Anupama,Han Bing,Chandra Haripin,Wang Meiliang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2017-07-20.

High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: CN106992114B. Автор: 韩冰,雷新建,H·钱德拉,A·麦利卡尔珠南,王美良. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-02-19.

High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP3196336A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Bing Han,Anupama Mallikarjunan,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2017-07-26.

High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: TW201736633A. Автор: 新建 雷,王美良,哈里賓 錢德拉,艾紐帕馬 馬里卡裘南,韓冰. Владелец: 慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2017-10-16.

SELECTIVE INHIBITION IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20170117134A1. Автор: Leeser Karl F.,Henri Jon,Hausmann Dennis M.,van Schravendijk Bart J.,Tang Shane. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

SELECTIVE INHIBITION IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20180138028A1. Автор: Leeser Karl F.,Henri Jon,Hausmann Dennis M.,van Schravendijk Bart J.,Tang Shane. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

SELECTIVE INHIBITION IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20160148800A1. Автор: Leeser Karl F.,Henri Jon,Hausmann Dennis M.,van Schravendijk Bart J.,Tang Shane. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US9564312B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: TW201629253A. Автор: 強 亨利,丹尼斯 Ｍ 豪斯曼恩,史貴凡迪 巴頓 Ｊ 凡,沙恩 唐,卡爾 Ｆ 里瑟. Владелец: 蘭姆研究公司. Дата публикации: 2016-08-16.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP1967609B1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Hareesh Thridandam,Thomas Richard Gaffney,Jr. Eugene Joseph Karwacki. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-07-15.

Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: US12018040B2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: IL261283B1. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2024-10-01.

COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS INCLUDING SILICON CARBONITRIDE AND SILICON OXYCARBONITRIDE FILMS

Номер патента: US20140329011A1. Автор: Chen Tianniu,Xu Chongying,Baum Thomas H.,Wang Ziyun,Hendrix Bryan,Roeder Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS INCLUDING SILICON CARBONITRIDE AND SILICON OXYCARBONITRIDE FILMS

Номер патента: US20150315215A1. Автор: Chen Tianniu,Xu Chongying,Baum Thomas H.,Wang Ziyun,Hendrix Bryan,Roeder Jeffrey. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films

Номер патента: TWI386414B. Автор: Chen Tianniu,Xu Chongying,Wang Ziyun,Hendrix Bryan,Roeder Jeffrey,H Baum Thomas. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2013-02-21.

Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films

Номер патента: TW200606169A. Автор: Jeffrey Roeder,Tianniu Chen,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan Hendrix,H Baum Thomas. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2006-02-16.

Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films

Номер патента: US9783558B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey Roeder,Tianniu Chen,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Film deposition method of silicon-containing film

Номер патента: KR20160104562A. Автор: 준 사토,시게히로 미우라. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-09-05.

Compositions and Methods Using Same for Deposition of Silicon-Containing Film

Номер патента: US20190017167A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Ridgeway Robert Gordon,VRTIS Raymond Nicholas,ENTLEY William Robert,Lehmann John Francis. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-01-17.

Substituted Silacyclopropane Precursors And Their Use For The Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20150162191A1. Автор: Thompson David,Saly Mark. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Compositions and Methods Using Same for Deposition of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20190271075A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Kim Moo-Sung,MacDonald Matthew R.. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

COMPOSITIONS AND METHODS USING SAME FOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20170335449A1. Автор: Lei Xinjian,Ridgeway Robert Gordon,Li Jianheng,VRTIS Raymond Nicholas,ENTLEY William Robert,Lehmann John Francis. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: KR102482618B1. Автор: 레이몬드 니콜라스 브르티스,신지안 레이,지안헹 리,만차오 샤오,로버트 고든 리쥐웨이,디노 시나토어. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2022-12-28.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing films

Номер патента: JP7139475B2. Автор: リー チエンホン,レイ シンチエン,ゴードン リッジウェイ ロバート,ニコラス バーティス レイモンド,シアォ マンチャオ,ホー リチャード. Владелец: バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー. Дата публикации: 2022-09-20.

Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20080207007A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki,Hareesh Thridandam,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon-containing films

Номер патента: US8828505B2. Автор: XINJIAN LEI,Eugene Joseph Karwacki, Jr.,Manchao Xiao,Hareesh Thridandam,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2014-09-09.

Plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP1967609A2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Hareesh Thridandam,Thomas Richard Gaffney,Jr. Eugene Joseph Karwacki. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2008-09-10.

Compositions for the deposition of silicon-containing films and methods for using them

Номер патента: KR20180087450A. Автор: 레이몬드 니콜라스 브르티스,신지안 레이,만차오 시아오,지안헹 리,로버트 고든 릿지웨이,리차드 호. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2018-08-01.

Plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon-containing films

Номер патента: KR100988096B1. Автор: 진지앙 레이,하레쉬 쓰리단담,만차오 지아오,토마스 리챠드 가프네이,유진 조셉 주니어 칼왁키. Владелец: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드. Дата публикации: 2010-10-18.

Substituted silacyclopropane precursors and their use for the deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2015088901A1. Автор: David Thompson,Mark Saly. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-06-18.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: TWI744957B. Автор: 雷蒙尼克勞斯 孟提,羅伯特戈登 瑞吉威. Владелец: 美商慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2021-11-01.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing films

Номер патента: KR102188751B1. Автор: 무성 김,신지안 레이,매튜 알. 맥도날드,만차오 시아오. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2020-12-08.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: TW201723213A. Автор: 李建恒,新建 雷,羅伯特 戈登 瑞吉威,雷蒙 尼克勞斯 孟提,滿超 蕭,理查 何. Владелец: 慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2017-07-01.

Plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon-containing films

Номер патента: TW200837213A. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki,Hareesh Thridandam,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2008-09-16.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: WO2020257550A1. Автор: Raymond Nicholas Vrtis,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon-containing films

Номер патента: CN105369215A. Автор: 萧满超,雷新建,H.思里丹达姆,T.R.加夫尼,E.J.小卡瓦克基. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-03-02.

Vapor deposition of silicon-containing films using penta-substituted disilanes

Номер патента: US9633838B2. Автор: Kazutaka Yanagita,Jean-Marc Girard,Julien Gatineau,Shingo OKUBO,Changhee Ko,Ivan OSHCHEPKOV,Naoto Noda. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-04-25.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: TW201615886A. Автор: 李建恒,新建 雷,雷蒙 尼克勞斯 孟提,約翰 法蘭西斯 雷曼,羅伯特 戈登 瑞吉,威廉 羅伯特 恩特利. Владелец: 氣體產品及化學品股份公司. Дата публикации: 2016-05-01.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: KR20230006032A. Автор: 레이몬드 니콜라스 브르티스,신지안 레이,지안헹 리,만차오 샤오,로버트 고든 릿지웨이,리차드 호. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2023-01-10.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3420117A1. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,Dino Sinatore,Manchao Xiao,Jianheng LI,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Periodic plasma chemical vapor deposition of silicon-containing films

Номер патента: JP4960276B2. Автор: ジョセフ カーワッキ，ジュニア ユージーン,シャオ マンチャオ,リチャード ガフニー トーマス,スリダンダム ハリーシュ,レイ シンジアン. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: IL305582A. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2023-10-01.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: IL260069B2. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2024-02-01.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: IL260069B1. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2023-10-01.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3420117B1. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,Dino Sinatore,Manchao Xiao,Jianheng LI,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-24.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3802913A4. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-02-16.

Compositions and methods using same for non-conformal deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4013903A4. Автор: XINJIAN LEI,Tingmin Wang,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: SG11202011890XA. Автор: Robert G Ridgeway,Raymond N Vrtis,Madhukar B Rao. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

VAPOR DISPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS USING PENTA-SUBSTITUTED DISILANES

Номер патента: US20190027357A1. Автор: Gatineau Julien,Ko Changhee,Yanagita Kazutaka,Girard Jean-Marc,Okubo Shingo,Oshchepkov Ivan,Noda Naoto,Martelat Yann. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

The composition of silicon-containing film is adulterated for carbon and using the method for the composition

Номер патента: CN109689928A. Автор: 雷新建,H·钱德拉,金武性,A·马力卡琼南. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-04-26.

Method for forming carbon rich silicon-containing films

Номер патента: US12037681B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Sungsil CHO,Seobong CHANG,Jae Eon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Carbon bridged aminosilane compounds for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: EP3526366A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Suresh Kalpatu Rajaraman,Meiliand WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-08-21.

Carbon Bridged Aminosilane Compounds for High Growth Rate Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180105541A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Meiliang WANG,Suresh Kalpatu Rajaraman. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Carbon bridged aminosilane compounds for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: WO2018071832A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Suresh Kalpatu Rajaraman,Meiliand WANG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials

Номер патента: US20080115726A1. Автор: Nitin K. Ingle,Won B. Bang,Vikash Banthia,Xinyun Xia,Shan Wong,Yen-Kun V. Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Forming method of silicon-containing thin film

Номер патента: KR20140059155A. Автор: 한원석,고원용. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2014-05-15.

Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials

Номер патента: US20070212850A1. Автор: ZHENG Yuan,Ellie Yieh,Nitin Ingle,Sidharth Bhatia,Won Bang,Shankar Venkatraman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Improved gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials

Номер патента: TW200845147A. Автор: ZHENG Yuan,Ellie Yieh,Nitin K Ingle,Sidharth Bhatia,Shankar Venkatraman,Won B Bang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-16.

FUNCTIONALIZED CYCLOSILAZANES AS PRECURSORS FOR HIGH GROWTH RATE SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20220044929A1. Автор: Xiao Manchao,MacDonald Matthew R.. Владелец: VERSUM PATENTS US, LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Silyl Substituted Organoamines as Precursors for High Growth Rate Silicon-Containing Films

Номер патента: US20190088474A1. Автор: Xiao Manchao,MacDonald Matthew R.. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-03-21.

Carbon Bridged Aminosilane Compounds for High Growth Rate Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180105541A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Meiliang WANG,Suresh Kalpatu Rajaraman. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Functionalized Cyclosilazanes as Precursors For High Growth Rate Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180342390A1. Автор: Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: KR102430845B1. Автор: 매튜 알. 맥도날드,만차오 샤오. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2022-08-08.

Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: TWI680982B. Автор: 滿超 蕭,馬修Ｒ 麥當勞. Владелец: 美商慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2020-01-01.

Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: WO2018217877A1. Автор: Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Carbon bridged aminosilane compounds for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: EP3526366A4. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Suresh Kalpatu Rajaraman,Meiliand WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-05-27.

Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide

Номер патента: EP1248865A1. Автор: Suvi Haukka,Marko Tuominen,Eva Aro. Владелец: ASM Microchemistry Oy. Дата публикации: 2002-10-16.

Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide

Номер патента: EP1248865B1. Автор: Suvi Haukka,Marko Tuominen,Eva Aro. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-10-05.

Siloxane compositions and methods for using the compositions to deposit silicon containing films

Номер патента: TWI710659B. Автор: 李建恒,新建 雷,雷蒙Ｎ 孟提,羅伯特Ｇ 瑞吉威. Владелец: 美商慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2020-11-21.

Silacycloalkane Compounds And Methods For Depositing Silicon Containing Films Using Same

Номер патента: US20200075323A1. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods for making silicon containing films on thin film transistor devices

Номер патента: EP2823083B1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Raymond Nicholas Vrtis,Bing Han,Andrew David Johnson,Anupama Mallikarjunan,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-10-04.

Deposition of flowable silicon-containing films

Номер патента: US11515149B2. Автор: David Thompson,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Tejasvi Ashok. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Deposition of flowable silicon-containing films

Номер патента: KR20190010736A. Автор: 데이비드 톰슨,프라밋 만나,아브히지트 바수 말릭,마크 살리,락말 칼루타라게,테자스비 아쇽. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-01-30.

Methods for making silicon containing films on thin film transistor devices

Номер патента: KR101996942B1. Автор: 레이몬드 니콜라스 브르티스,신지안 레이,빙 한,메일리앙 왕,앤드류 데이비드 존슨,아누파마 말리카르주난,마크 레오나드 오'넬. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2019-07-05.

The deposition of flowable silicon-containing film

Номер патента: CN109477214A. Автор: D·汤普森,A·B·玛里克,M·萨利,P·曼纳,L·卡鲁塔拉格,T·阿肖克. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-03-15.

Method for forming silicon-containing film, and silicon-containing film formed thereby

Номер патента: WO2023003398A1. Автор: 김병관,김진식,유다솜. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2023-01-26.

Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide

Номер патента: AU2374301A. Автор: Suvi Haukka,Marko Tuominen,Eva Aro. Владелец: ASM Microchemistry Oy. Дата публикации: 2001-06-12.

COMPOSITION AND METHODS USING SAME FOR CARBON DOPED SILICON CONTAINING FILMS

Номер патента: US20220037151A1. Автор: Lei Xinjian,Mallikarjunan Anupama,Chandra Haripin,Kim Moo-Sung. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-02-03.

Compositions and Methods Using Same for Carbon Doped Silicon Containing Films

Номер патента: US20180033614A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

METHOD OF FORMING SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20190096664A1. Автор: TONEGAWA Yamato,WATANABE Tsubasa. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

AMINO(IODO)SILANE PRECURSORS FOR ALD/CVD SILICON-CONTAINING FILM APPLICATIONS AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20160115593A1. Автор: Kuchenbeiser Glenn,LEFEVRE Bastien. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD OF FORMING SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20180144931A1. Автор: TONEGAWA Yamato,WATANABE Tsubasa. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

METHODS FOR DEPOSITING FLOWABLE SILICON CONTAINING FILMS USING HOT WIRE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20180148833A1. Автор: Narwankar Pravin K.,Chatterjee Sukti,Scudder Lance,Manna Pramit,Liu Eric H.,Mallick Abhijit. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Compositions And Methods Using Same For Carbon Doped Silicon Containing Films

Номер патента: US20200203155A1. Автор: Lei Xinjian,Mallikarjunan Anupama,Chandra Haripin,Kim Moo-Sung. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Compositions and Processes for Depositing Carbon-Doped Silicon-Containing Films

Номер патента: US20160351389A1. Автор: Karwacki,Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,"ONeill Mark Leonard",Han Bing,Chandra Haripin,JR. Eugene Jospeh. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2016-12-01.

METHOD FOR FORMING CARBON RICH SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20200354830A1. Автор: Hendrix Bryan C.,Baum Thomas H.,Chang Seobong,PARK Jae Eon,CHO Sungsil. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING A SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20160379868A1. Автор: Sato Jun,Miura Shigehiro,Kikuchi Hiroyuki,MURATA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

METHOD FOR FORMING CARBON RICH SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20220364225A1. Автор: Hendrix Bryan C.,Baum Thomas H.,Chang Seobong,PARK Jae Eon,CHO Sungsil. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Composition for carbon doping silicon-containing film and the method using the composition

Номер патента: CN107406978A. Автор: M·R·麦克唐纳,萧满超,雷新建,H·钱德拉,M·B·拉奥,李建恒,K·S·卡西尔,A·马利卡朱南. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

New Cyclodisilazane derivative, preparation method and use its silicon-containing film

Номер патента: CN106029679B. Автор: 李相益,金铭云,张世珍,杨炳日,金成基,金宗炫,金度延,李相道,昔壮衒. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-19.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: KR102345918B1. Автор: 무성 김,신지안 레이,하리핀 찬드라,아누파마 말리카주난. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2022-01-03.

Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof

Номер патента: US20040146644A1. Автор: Manchao Xiao,Arthur Hochberg,Kirk Cuthill. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Precursors for depositing silicon containing films

Номер патента: US20070004931A1. Автор: Manchao Xiao,Arthur Hochberg,Kirk Cuthill. Владелец: Cuthill Kirk S. Дата публикации: 2007-01-04.

Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof

Номер патента: US7122222B2. Автор: Manchao Xiao,Arthur Kenneth Hochberg,Kirk Scott Cuthill. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2006-10-17.

Precursors for depositing silicon containing films

Номер патента: US7288145B2. Автор: Manchao Xiao,Arthur Kenneth Hochberg,Kirk Scott Cuthill. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-10-30.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: KR102456373B1. Автор: 무성 김,신지안 레이,하리핀 찬드라,아누파마 말리카주난. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2022-10-18.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: KR102510722B1. Автор: 무성 김,신지안 레이,하리핀 찬드라,아누파마 말리카주난. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2023-03-15.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: KR20220000992A. Автор: 무성 김,신지안 레이,하리핀 찬드라,아누파마 말리카주난. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2022-01-04.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: EP3460827B1. Автор: XINJIAN LEI,Madhukar Bhaskara Rao,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan,Matthew R. Macdonald,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-05-25.

Smooth Silicon-Containing Films

Номер патента: US20110236600A1. Автор: Dong Niu,Mandyam Sriram,Bart van Schravendijk,George Andrew Antonelli,Jennifer O'Loughlin,Keith Fox,Joe Womack. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Silicon precursor compound and method of forming silicon-containing film

Номер патента: CN115867689A. Автор: B·C·亨德里克斯,朴哉彦,金多慧,赵诚实,李铢眞,P·S·H·陈,S·D·阮. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Method for forming carbon rich silicon-containing films

Номер патента: WO2020227505A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Sungsil CHO,Seobong CHANG,Jae Eon Park. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for forming silicon-containing film

Номер патента: JP6456185B2. Автор: 佐藤　潤,潤 佐藤,繁博 三浦. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-01-23.

Smooth silicon-containing films

Номер патента: WO2012036808A2. Автор: Dong Niu,Mandyam Sriram,Bart van Schravendijk,George Andrew Antonelli,Jennifer O'Loughlin,Keith Fox,Joe Womack. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: WO2016126911A3. Автор: XINJIAN LEI,Madhukar Bhaskara Rao,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan,Matthew R. Macdonald,Jianheng LI. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2016-11-24.

Compositions for depositing silicon-containing films and methods of using the same

Номер патента: CN108603287B. Автор: 萧满超,雷新建,李建恒,R·G·里德格韦,R·N·弗蒂斯,R·何. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-02.

New trimethylsilane yl amine derivatives, preparation method and the silicon-containing film using it

Номер патента: CN106029680B. Автор: 李相益,金铭云,张世珍,杨炳日,金成基,金宗炫,金度延,李相道,昔壮衒. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-22.

Precursors and methods for preparing silicon-containing films

Номер патента: JP2023520781A. Автор: トーマス エイチ． バウム，,サンジン リー，,ダヘ キム，,スンシル チョ，,ソポン チャン，,ジェオン パク，,ブライアン シー． ヘンドリックス，,スジン リー，. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-05-19.

Low temperature silicon containing films

Номер патента: TWI502645B. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Raymond Nicholas Vrtis,Bing Han,Andrew David Johnson,Anupama Mallikarjunan. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2015-10-01.

Precursor and process for depositing silicon-containing films

Номер патента: JP3954577B2. Автор: シャオ マンチャオ,ケネス ホックバーグ アーサー,スコット カシル カーク. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Compositions and methods for depositing silicon-containing films using the same

Номер патента: CN113025992A. Автор: M·R·麦克唐纳,萧满超,雷新建,金武性. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-06-25.

Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films

Номер патента: IL291934B2. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2024-01-01.

Precursors and methods for preparing silicon-containing films

Номер патента: EP4126886A4. Автор: Thomas H Baum,Bryan C Hendrix,Sangjin Lee,Soojin Lee,Sungsil CHO,Seobong CHANG,Jae Eon Park,Dahye Kim. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Deposition and etch of silicon-containing layer

Номер патента: WO2024006211A1. Автор: Bo Gong,Ching-Yun Chang,Nuoya YANG,Andrew John McKerrow,Yuxi Wang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-01-04.

Silicon-containing film, resin composition, and pattern formation method

Номер патента: US8791020B2. Автор: Yoshikazu Yamaguchi,Masato Tanaka,Yukio Nishimura,Takashi Mori. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Method for etching silicon-containing film and semiconductor device manufacturing method comprising same

Номер патента: US20230420261A1. Автор: Jung Hun KWAK,Yong Jun Cho,Woo Jae Kim,Gi Chung Kwon,Byung Hyang KWON. Владелец: Sk Specialty Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of etching silicon-containing film, computer-readable storage medium, and apparatus for etching silicon-containing film

Номер патента: US20190355589A1. Автор: Shinji Irie,Takehiko Orii,Yasuo Asada,Jun Lin,Ayano Hagiwara,Kenji TANOUCHI,Kakeru WADA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of etching silicon-containing film, computer-readable storage medium, and apparatus for etching silicon-containing film

Номер патента: US11189498B2. Автор: Shinji Irie,Takehiko Orii,Yasuo Asada,Jun Lin,Ayano Hagiwara,Kenji TANOUCHI,Kakeru WADA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Atomic layer deposition of silicon and silicon-containing films.

Номер патента: JP5986066B2. Автор: ジョー，レイモンド,ガンジー，ミーナクシサンダラム. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Deposition of silicon-containing films from hexachlorodisilane

Номер патента: CN101094732A. Автор: 安东尼·迪朴,艾伦·约翰·利思,吴昇昊. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-26.

Inhibitors for selective deposition of silicon containing films

Номер патента: US20090111246A1. Автор: Matthias BAUER,Pierre Tomasini. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Deposition of silicon-containing films from hexachlorodisilane

Номер патента: WO2005036593A3. Автор: Anthony Dip,Seungho Oh,Allen John Leith. Владелец: Allen John Leith. Дата публикации: 2006-11-09.

High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology

Номер патента: US20180076023A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Trinh Cong,Saly Mark,Yan Wenbo. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology

Номер патента: US9875888B2. Автор: Victor Nguyen,Ning Li,Li-Qun Xia,Mihaela Balseanu,Wenbo YAN,Cong Trinh,Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology

Номер патента: US10170298B2. Автор: Victor Nguyen,Ning Li,Li-Qun Xia,Mihaela Balseanu,Wenbo YAN,Cong Trinh,Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-01.

High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology

Номер патента: KR20170069239A. Автор: 리-쿤 시아,닝 리,마크 샐리,콩 트린,웬보 얀,빅터 응구옌,미하엘라 밸시뉴. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-06-20.

Low temperature epitaxial growth of silicon-containing films using uv radiation

Номер патента: EP1754251A1. Автор: David Carlson,Kaushal K. Singh,Satheesh Kuppurao,Randhir Thakur,Manish Hemkar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-02-21.

Low temperature epitaxial growth of silicon-containing films using UV radiation

Номер патента: CN1930662A. Автор: 考施·K·辛格,戴维·卡尔森,马尼施·赫姆卡,萨瑟施·库珀奥,兰德尔·撒克. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-14.

Silicon precursor and fabrication method of silicon-containing thin film using the same

Номер патента: KR102157137B1. Автор: 박정우,임민혁,석장현,박종률,안재석. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2020-09-17.

Plasma deposition of amorphous semiconductors at microwave frequencies

Номер патента: US20120040493A1. Автор: David Strand,Stanford R. Ovshinsky,Boil Pashmakov,Patrick Klersy. Владелец: Ovshinsky Innovation LLC. Дата публикации: 2012-02-16.

Metal organic precursor for deposition of silicon containing thin film

Номер патента: KR101308572B1. Автор: 김호섭,최정현,염호영. Владелец: 주식회사 유엠티. Дата публикации: 2013-09-13.

SYNTHESIS OF SILICON CONTAINING MATERIALS USING LIQUID HYDROSILANE COMPOSITIONS THROUGH DIRECT INJECTION

Номер патента: US20160068954A1. Автор: Srinivasan Guruvenket,Hoey Justin,Sailer Robert A.. Владелец: NDSU RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-03-10.

Sputtering target material, silicon-containing film forming method, and photomask blank

Номер патента: US20120100467A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yokio INAZUKI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of manufacturing silicon-containing film and method of manufacturing photovoltaic device

Номер патента: US20140342489A1. Автор: Yoshiyuki Nasuno,Atsushi Tomyo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Sputtering target material, silicon-containing film forming method, and photomask blank

Номер патента: KR102059722B1. Автор: 히데오 가네꼬,히로끼 요시까와,유끼오 이나즈끼. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2019-12-26.

Use ultraviolet radiation to make the method for silicon-containing film low-temperature epitaxy growth

Номер патента: CN100539021C. Автор: 考施·K·辛格,戴维·卡尔森,马尼施·赫姆卡,萨瑟施·库珀奥,兰德尔·撒克. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-09-09.

Silicon precursor and method for manufacturing silicon-containing film using the same

Номер патента: CN111511752A. Автор: 昔壮衒,朴正佑,安宰奭,朴钟律,任民赫. Владелец: Hansong Chemical Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Sputtering target material, silicon-containing film forming method, and photomask blank

Номер патента: TWI568863B. Автор: 稻月判臣,金子英雄,吉川博樹. Владелец: 信越化學工業股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-01.

Method and etching gas for etching silicon-containing films

Номер патента: KR102048959B1. Автор: 크리스티앙 뒤사라,라훌 굽타,커티스 앤더슨,뱅상 엠 오마르지,네이슨 스태포드. Владелец: 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드. Дата публикации: 2019-11-27.

Composition for forming silicon-containing film and pattern forming method using said composition

Номер патента: WO2016111210A1. Автор: 真義 石川,博允 田中,準人 生井,智昭 瀬古,酒井　達也,智晴 河津,準也 鈴木. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods of selectively depositing silicon-containing films

Номер патента: US20090117717A1. Автор: Pierre Tomasini,Nyles Cody. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Halidosilane compounds and compositions and processes for depositing silicon-containing films using same

Номер патента: US20240191346A1. Автор: XINJIAN LEI,Alan Charles Cooper,Jianheng LI,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Processes for depositing silicon-containing films using halidosilane compounds and compositions

Номер патента: US11913112B2. Автор: XINJIAN LEI,Alan Charles Cooper,Jianheng LI,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Capacitors for high temperature systems, methods of forming same, and applications of same

Номер патента: US20220376120A1. Автор: Pijush Kanti Ghosh,Xiangbo Meng,Rohith Allaparthi,Mirsaeid Sarollahi,Morgan Ware. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2022-11-24.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09824881B2. Автор: SHANG Chen,Viljami Pore,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-21.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Selective deposition of SiOC thin films

Номер патента: US12068156B2. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Deposition of boron nitride films using hydrazido-based precursors

Номер патента: US20230098689A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Method to control the interfacial layer for deposition of high dielectric constant films

Номер патента: US20050070079A1. Автор: Yoshi Ono,John Conley. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-03-31.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Loss prevention during atomic layer deposition

Номер патента: US20230154754A1. Автор: Jason Alexander VARNELL,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Radical oxidation and/or nitridation during metal oxide layer deposition process

Номер патента: US6884685B2. Автор: Ricardo Garcia,Hsing H. Tseng,Tien Ying Luo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-26.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Silyl pseudohalides for silicon containing films

Номер патента: US11932940B2. Автор: Cong Trinh,Mark Saly,Keenan N. Woods,Maribel Maldonado-Garcia,Mihaela A. Balseanu,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Area-Selective Atomic Layer Deposition Of Passivation Layers

Номер патента: US20220130659A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Selective Molecular Layer Deposition Of Organic And Hybrid Organic-Inorganic Layers

Номер патента: US20180342388A1. Автор: Robert Jan Visser,Prerna Goradia,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB2618996A. Автор: Andersson Markus,Medrano Catalan Jose. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: WO2023203352A1. Автор: Markus Andersson,Jose MEDRANO CATALAN. Владелец: Nexeon Limited. Дата публикации: 2023-10-26.

VAPOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS USING PENTA-SUBSTITUTED DISILANES

Номер патента: US20160111272A1. Автор: Gatineau Julien,Ko Changhee,Yanagita Kazutaka,Girard Jean-Marc,Okubo Shingo,Oshchepkov Ivan,Noda Naoto. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

VAPOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS USING PENTA-SUBSTITUTED DISILANES

Номер патента: US20170186597A1. Автор: Gatineau Julien,Ko Changhee,Yanagita Kazutaka,Girard Jean-Marc,Okubo Shingo,Oshchepkov Ivan,Noda Naoto. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Method for Hydrophobization of Surface of Silicon-Containing Film by ALD

Номер патента: US20160093485A1. Автор: Matsushita Kiyohiro,ISHIKAWA Dai,Nakano Akinori,Kobayashi Akiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

FORMATION OF SILICON-CONTAINING THIN FILMS

Номер патента: US20180151355A1. Автор: Fukazawa Atsuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Formation of silicon-containing thin films

Номер патента: US10186420B2. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-01-22.

Pulsed chemical vapor deposition of metal-silicon-containing films

Номер патента: KR101696957B1. Автор: 코리 와즈다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-16.

Methods to Prepare Silicon-Containing Films

Номер патента: US20150249007A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,"ONeill Mark Leonard",Han Bing. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

METHOD OF DEPOSITING A SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20160254136A1. Автор: Sato Jun,Miura Shigehiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

CYCLIC ORGANOAMINOSILANE PRECURSORS FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILMS AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20160314962A1. Автор: Dussarrat Christian,Higashino Katsuko,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming silicon-containing films

Номер патента: KR101542267B1. Автор: 크리스티앙 두사랏. Владелец: 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드. Дата публикации: 2015-08-06.

Method of forming silicon-containing films

Номер патента: TW200931520A. Автор: Christian Dussarrat. Владелец: Air Liquide. Дата публикации: 2009-07-16.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Compositions comprising silacycloalkanes and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3990676A1. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-05-04.

Organoamino-polysiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: SG11201907213XA. Автор: XINJIAN LEI,Suresh Rajaraman,Manchao Xiao,Matthew MACDONALD,Meiliang WANG,Daniel Spence. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-09-27.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: US20230348736A1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom

Номер патента: US20060154036A1. Автор: Klaus Kunze,Scott Haubrich,Joerg Rockenberger,Brent Ridley,Fabio Zurcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications

Номер патента: US09938303B2. Автор: Christian Dussarrat,Venkateswara R. Pallem,Glenn KUCHENBEISER. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method

Номер патента: EP1845132A3. Автор: Tsutomu c/o New Functional Materials Res. Ctr. Ogihara,Takafumi c/o New Functional Materials Research Ctr. Ueda,Motoaki c/o New Functional Materials Res. Ctr. Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-26.

Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications

Номер патента: WO2014015232A1. Автор: Christian Dussarrat,Venkateswara R. Pallem,Glenn KUCHENBEISER. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2014-01-23.

Process of forming silicon-containing film and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20230407051A1. Автор: Younjoung CHO,Jihyun Lee,Sunggi Kim,Seung Son,Byungkeun Hwang,Sunhye HWANG,Yujin Cho,Gyunsang LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Molecular layer deposition carbon masks for direct selective deposition of silicon-containing materials

Номер патента: US20240105499A1. Автор: XIANG Ji,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praket Prakash JHA,Zeqing Shen,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Molecular layer deposition carbon masks for direct selective deposition of silicon-containing materials

Номер патента: WO2024073272A1. Автор: XIANG Ji,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praket Prakash JHA,Zeqing Shen,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Carbon replenishment of silicon-containing material

Номер патента: US20240120193A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Shankar Venkataraman,Zeqing Shen,Benjamin Colombeau,Lakmal C. Kalutarage,Sai Hooi YEONG,Jongbeom SEO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Carbon replenishment of silicon-containing material

Номер патента: WO2024076860A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Shankar Venkataraman,Zeqing Shen,Benjamin Colombeau,Lakmal C. Kalutarage,Sai Hooi YEONG,Jongbeom SEO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Low Temperature Deposition of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20130189853A1. Автор: Karwacki,JR. Eugene Joseph,Xiao Manchao,Lei Xinjian,HASEBE Kazuhide,Han Bing,Cheng Hansong,Yang Liu,YONEZAWA Masato,MATSUNAGA Masanobu. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology

Номер патента: US20160099143A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Trinh Cong,Saly Mark,Yan Wenbo. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Deposition Of Flowable Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180025907A1. Автор: Thompson David,Mallick Abhijit Basu,Saly Mark,Kalutarage Lakmal C.,Manna Pramit,Ashok Tejasvi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MAKING SILICON CONTAINING FILMS

Номер патента: US20150014823A1. Автор: Lei Xinjian,Mallikarjunan Anupama,"ONeill Mark Leonard",Han Bing,Wang Meiliang,VRTIS Raymond Nicholas,Jihnson Andrew David. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Silacycloalkane Compounds And Methods For Depositing Silicon Containing Films Using Same

Номер патента: US20200075323A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Ridgeway Robert Gordon,Spence Daniel P.,VRTIS Raymond Nicholas. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-03-05.

METHOD OF ETCHING SILICON CONTAINING FILMS SELECTIVELY AGAINST EACH OTHER

Номер патента: US20210104413A1. Автор: GOHIRA Taku,Tominaga Sho. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

METHOD OF ETCHING SILICON CONTAINING FILMS SELECTIVELY AGAINST EACH OTHER

Номер патента: US20190244829A1. Автор: GOHIRA Taku,Tominaga Sho. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Silicon-containing film, resin composition, and pattern formation method

Номер патента: KR20110118697A. Автор: 마사토 다나카,다카시 모리,유키오 니시무라,요시카즈 야마구치. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-10-31.

Synthesis of silicon containing materials using liquid hydrosilane compositions through direct injection

Номер патента: US09914998B2. Автор: Justin Hoey,Robert A. Sailer,Guruvenket Srinivasan. Владелец: NORTH DAKOTA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-03-13.

Selective etching of silicon-containing material relative to metal-doped boron films

Номер патента: US20240266185A1. Автор: Yu Yang,Han Wang,Jing Zhang,Abhijit Basu Mallick,Guoqing Li,Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Aykut Aydin,Gene H. Lee,Guangyan Zhong,Sinae Heo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Selective etching of silicon-containing material relative to metal-doped boron films

Номер патента: WO2024167661A1. Автор: Yu Yang,Han Wang,Jing Zhang,Abhijit Basu Mallick,Guoqing Li,Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Aykut Aydin,Gene H. Lee,Guangyan Zhong,Sinae Heo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma Doping Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20140273524A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Nguyen Victor,HILKENE MARTIN A.,SCOTNEY-CASTLE MATTHEW D.,Balseanu Mihaela. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe

Номер патента: US7517775B2. Автор: Yihwan Kim,Arkadii V. Samoilov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-04-14.

Method of plasma etching of silicon-containing organic film using sulfur-based chemistry

Номер патента: US10529589B2. Автор: LI Wang,Alok Ranjan,Andrew Nolan,Hiroto Ohtake,Erdinc Karakas,Christopher Talone,Shyam Sridhar. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces

Номер патента: US20070224830A1. Автор: Arkadii Samoilov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-09-27.

Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces

Номер патента: US8492284B2. Автор: Arkadii Samoilov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film-forming substrate, and pattern forming method using the same

Номер патента: JP5399347B2. Автор: 勤 荻原,貴史 上田,俊治 矢野,幸士 長谷川. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

ORGANOSILANE PRECURSORS FOR ALD/CVD SILICON-CONTAINING FILM APPLICATIONS

Номер патента: US20150004317A1. Автор: Dussarrat Christian,Pallem Venkateswara R.,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Method for forming a silicon-containing film

Номер патента: US20060198966A1. Автор: Takahiro Kamei,Yuriko Kaino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates

Номер патента: US20110028000A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Elena Rogojina,Eric Rosenfeld. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Processes for depositing silicon-containing films using same

Номер патента: EP4092154A1. Автор: XINJIAN LEI,Alan Charles Cooper,Jianheng LI,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-11-23.

Halaidosilane Compounds and Compositions and Processes for Depositing Silicon-Containing Films Using the Same

Номер патента: KR102307983B1. Автор: 신지안 레이,지안헹 리,존 프란시스 레만,알란 찰스 쿠퍼. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch

Номер патента: US09997372B2. Автор: Eric A. Hudson,Joseph Scott Briggs. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for high-temperature annealing a multilayer wafer

Номер патента: US20070298363A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Christophe Malleville,Vivien Renauld. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2007-12-27.

Systems and methods for performing in-situ deposition of sidewall image transfer spacers

Номер патента: US09972502B2. Автор: Stefan Schmitz,Jae Ho Lee,Changwoo Lee,Michael Goss,Noel Sun,Phil Friddle,Naveed Ansari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Continuous process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: WO2023194754A1. Автор: Jose MEDRANO CATALAN. Владелец: Nexeon Limited. Дата публикации: 2023-10-12.

Synthesis of silicon-containing products

Номер патента: CA3183335A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB2618996B. Автор: Andersson Markus,Medrano Catalan Jose. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB202205891D0. Автор: . Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2022-06-08.

Continuous process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB2617396A. Автор: Medrano Catalan Jose. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Method of Fabricating CIGS By Selenization At High Temperature

Номер патента: US20130122642A1. Автор: Haifan Liang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Installation for high-temperature vacuum annealing of thin films with possibility of in situ optical observation with high resolution

Номер патента: RU2755405C1. Автор: Евгений Александрович Баранов,Александр Олегович Замчий,Алексей Иванович САФОНОВ,Виктор Олегович Константинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-09-15.

Self aligned structure and method for high-k metal gate work function tuning

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Methods for depositing silicon-containing films

Номер патента: US11851756B2. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Manchao Xiao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Compositions and methods for depositing silicon-containing films

Номер патента: US20240093366A1. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Manchao Xiao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Compositions and methods for depositing silicon-containing films

Номер патента: EP3682041A1. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Manchao Xiao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-07-22.

COMPOSITION FOR FORMING A COATING TYPE SILICON-CONTAINING FILM, SUBSTRATE, AND PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20160096977A1. Автор: Tachibana Seiichiro,OGIHARA Tsutomu,TANEDA Yoshinori,Kikuchi Rie. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Silyl Pseudohalides For Silicon Containing Films

Номер патента: US20210140046A1. Автор: Trinh Cong,Saly Mark,Balseanu Mihaela A.,Maldonado-Garcia Maribel,Woods Keenan N.,Enman Lisa J.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-05-13.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DEPOSITING SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20200270749A1. Автор: Li Ming,Xiao Manchao,Lei Xinjian,RIDGEWAY ROBERT G.,VRTIS RAYMOND N.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Method for processing a substrate and method for forming a silicon-containing film

Номер патента: KR101238152B1. Автор: 앤소니 딥,앨런 존 리스,승호 오. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-02-28.

Precursors for depositing silicon-containing films and methods of using same

Номер патента: EP2644609B1. Автор: Cheng Hansong,Gauri Sankar Lal,Manchao Xiao,Thomas Richard Gaffney,Chenggang Zhou,Jingping Wu. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Method of depositing a silicon-containing material, computer readable medium, processing tool for depositing a silicon-containing film, and system for processing a substrate

Номер патента: KR101133349B1. Автор: 앤소니 딥,앨렌 레이스,성호 오. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-04-06.

Decomposition of silicon-containing precursors on porous scaffold materials

Номер патента: US20230327087A1. Автор: Henry R. Costantino,Aaron M. Feaver,Avery J. Sakshaug,Christopher Timmons. Владелец: Group14 Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Decomposition of silicon-containing precursors on porous support materials

Номер патента: CN110582823A. Автор: 亨利·R·克斯坦蒂诺,艾弗里·J·萨克斯豪格,亚伦·M·费沃尔,克里斯托弗·蒂蒙斯. Владелец: Group14 Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Degradation of Silicon-Containing Precursors on Porous Scaffold Materials

Номер патента: KR20190122805A. Автор: 헨리 알. 코스탄티노,에이버리 제이. 사크사우지,아론 엠. 피버,크리스토퍼 티몬스. Владелец: 그룹14 테크놀로지스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-10-30.

Silicon-containing compound, sintered body of silicon-containing compound, and producing method thereof, and completely solid type capacitor element using same

Номер патента: US20040190225A1. Автор: Takeshi Oka,Masashi Ohata,Ayako Maruta,Kouichi Yamaguchi,Hiroshi Tsushima,Emi Watanabe,Akiji Higuchi. Владелец: Nippon Paint Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Organoamino-polysiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2018148201A1. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG,Suresh Kalpatu Rajaraman,Xijian LEI. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-08-16.

Organoamino-polysiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP3580370A1. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG,Suresh Kalpatu Rajaraman,Xijian LEI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-12-18.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US20040096582A1. Автор: Jeffrey Roeder,Thomas Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu,Ravi Laxman,Bryan Hendrix. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-20.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US20100285663A1. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Compositions comprising silacycloalkanes and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: US20220267642A1. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Manchao Xiao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20040138489A1. Автор: Jeffrey Roeder,Thomas Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan Hendrix. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20100221914A1. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan Hendrix. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Method for deposition of silicon-containing film

Номер патента: JP2015233153A. Автор: XINJIAN LEI,Ronald Martin Pearlstein,マーク　レオナルド　オニール,レオナルド オニール マーク,O'neal Leonard Marc,Bing Han,Manchao Xiao,ジョセフ カーワッキ，ジュニア ユージーン,シャオ マンチャオ,レイ シンチャン,マーティン パールステイン ロナルド,チャンドラ ハリピン,ビン ハン,マンチャオ　シャオ,マーティン パールステイン ロナルド,Chandra Hairpin,ユージーン　ジョセフ　カーワッキ，ジュニア,Eugene Joseph Karwacki Jr. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: US7713346B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2004044958A3. Автор: Jeffrey Roeder,Thomas H Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan Hendrix,Ravi K Laxman. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2004-08-26.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20110136343A1. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan Hendrix. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Organoamino-polysiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP3580370A4. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG,Suresh Kalpatu Rajaraman,Xijian LEI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-11-18.

Silicon-containing curable composition, cured product of silicon-containing curable composition, and lead frame substrate formed from silicon-containing curable composition

Номер патента: JPWO2011155459A1. Автор: 一郎 平塚,真廣 和田,雅子 斎藤,修 吉岡,順子 戸田,塚本　健人,健人 塚本,平塚　一郎,亮太 知場,拓哉 金沢,吉岡　修. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Silicon precursor and manufacturing method of silicon-containing thin film using thereof

Номер патента: KR101770718B1. Автор: 이상익,김명운,김성룡,정인경,권용희,변태석,손승. Владелец: (주)디엔에프. Дата публикации: 2017-08-24.

Silicon precursor and manufacturing method of silicon-containing thin film using thereof

Номер патента: KR20160072011A. Автор: 이상익,김명운,김성룡,정인경,권용희,변태석,손승. Владелец: (주)디엔에프. Дата публикации: 2016-06-22.

Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method

Номер патента: TW200806746A. Автор: Tsutomu Ogihara,Motoaki Iwabuchi,Takafumi Ueda. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-02-01.

Compositions for controlled assembly and improved ordering of silicon-containing block copolymers

Номер патента: TWI645254B. Автор: 戴米恩 蒙塔納爾,克雷格Ｊ 霍克,艾德華Ｊ 克拉默,格林Ｈ 佛瑞德瑞克森. Владелец: 美國加利福尼亞大學董事會. Дата публикации: 2018-12-21.

Compositions for controlled assembly and improved ordering of silicon-containing block copolymers

Номер патента: KR102153112B1. Автор: 다미엔 몽타날,크레이그 제이. 호커,에드워드 제이. 크라이머,글렌 에이치. 프레드릭슨. Владелец: 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아. Дата публикации: 2020-09-07.

Compositions for controlled assembly and improved ordering of silicon-containing block copolymers

Номер патента: KR20140092265A. Автор: 다미엔 몽타날,크레이그 제이. 호커,에드워드 제이. 크라이머,글렌 에이치. 프레드릭슨. Владелец: 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아. Дата публикации: 2014-07-23.

Material for forming silicon-containing film, and silicon-containing insulating film and method for forming the same

Номер патента: TW200900414A. Автор: Hisashi Nakagawa,Kenji Ishizuki,Hitoshi Katou,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Thermosetting silicon-containing compound, composition for forming a silicon-containing film, and patterning process

Номер патента: EP3680275A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Kazunori Maeda,Seiichiro Tachibana,Toshiharu Yano,Ryo Mitsui. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-15.

Aminosilane, precursor for forming silicon-containing film, composition for forming silicon-containing film

Номер патента: JP4824823B2. Автор: シャオ マンチャオ,ケネス ホッホバーグ アーサー. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Film-forming composition for semiconductor lithography process, silicon-containing film, and method for forming resist pattern

Номер патента: WO2019151153A1. Автор: 博允 田中,智昭 瀬古,智也 田路,酒井　達也,希美 佐藤. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2019-08-08.

Material for forming silicon-containing film, and silicon-containing insulating film and method for forming the same

Номер патента: KR20090119903A. Автор: 요헤이 노베,히사시 나까가와,데루까즈 고꾸보,히또시 가또,겐지 이시즈끼. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-11-20.

Thermosetting silicon-containing compound, composition for forming a silicon-containing film, and patterning process

Номер патента: US20200216670A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Kazunori Maeda,Seiichiro Tachibana,Toshiharu Yano,Ryo Mitsui. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

COMPOSITION, SILICON-CONTAINING FILM, METHOD OF FORMING SILICON-CONTAINING FILM, AND METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220146940A1. Автор: Sakai Tatsuya,ANNO Yusuke,SEKO Tomoaki,MATSUKI Tomohiro,KASAI Tatsuya. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2022-05-12.

COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM FOR EUV LITHOGRAPHY, SILICON-CONTAINING FILM FOR EUV LITHOGRAPHY, AND PATTERN-FORMING METHOD

Номер патента: US20180292753A1. Автор: Tanaka Hiromitsu,SUZUKI Junya,SERIZAWA Ryuichi,OOTSUBO Yuusuke. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2018-10-11.

Composition, silicon-containing film, method for forming silicon-containing film and method for processing semiconductor substrate

Номер патента: WO2021020091A1. Автор: 祐亮 庵野,智裕 松木,智昭 瀬古,達也 ▲葛▼西,酒井　達也. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2021-02-04.

Composition for depositing silicon-containing films and the method using its manufacture silicon-containing film

Номер патента: CN110431192A. Автор: 李相益,金铭云,张世珍,杨炳日,金成基,李相道,朴重进,朴廷主,李三东. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-08.

Silicyl amine compounds, the composition for depositing silicon-containing films containing it and the method using composition manufacture silicon-containing film

Номер патента: CN110461953A. Автор: 李相益,金铭云,张世珍,杨炳日,金成基,李相道,朴重进,朴廷主,李三东. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-15.

Silicon-containing film deposition composition including disilazane compound and method of preparing silicon-containing film using the same

Номер патента: CN110546210B. Автор: 李相益,金铭云,张世珍,杨炳日,金成基,李相道,朴重进,朴廷主,李三东,朴建柱. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Silicon-containing film and silicon-containing film forming method

Номер патента: CN104160062B. Автор: 藤元高佳,山下雅充,岩出卓. Владелец: Toray Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR DEPOSITING CARBON-DOPED SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20220041870A1. Автор: Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,"ONeill Mark Leonard",Han Bing,Chandra Haripin,KARWACKI EUGENE JOSEPH. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Silacyclic Compounds and Methods for Depositing Silicon-Containing Films Using Same

Номер патента: US20190134663A1. Автор: Lei Xinjian,Ridgeway Robert Gordon,VRTIS Raymond Nicholas. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-05-09.

Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications

Номер патента: US20150166577A1. Автор: Christian Dussarrat,Venkateswara R. Pallem,Glenn KUCHENBEISER. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Compositions and Processes for Depositing Carbon-Doped Silicon-Containing Films

Номер патента: US20190287798A1. Автор: Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,"ONeill Mark Leonard",Han Bing,Chandra Haripin,KARWACKI EUGENE JOSEPH. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-09-19.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: KR20160093093A. Автор: 마크 레오나르드 오네일,신지안 레이,하리핀 찬드라,만차오 시아오,빙 한,로날드 마르틴 펄스타인,유진 요셉 카르와치. Владелец: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드. Дата публикации: 2016-08-05.

Compositions and methods for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: CN106048557B. Автор: M·L·奥尼尔,R·M·佩尔斯泰恩,韩冰,萧满超,雷新建,H·钱德拉,E·J·小卡瓦基. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-01-29.

Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications

Номер патента: KR20150034123A. Автор: 벤카테스와라 알 팔렘,크리스티앙 뒤사랏,글렌 쿠첸바이저. Владелец: 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드. Дата публикации: 2015-04-02.

Silacyclic compounds and methods for depositing silicon-containing films using same

Номер патента: KR102232769B1. Автор: 레이몬드 니콜라스 브르티스,신지안 레이,로버트 고든 리지웨이. Владелец: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨. Дата публикации: 2021-03-25.

Compositions and methods for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: JP2014523638A. Автор: レオナルド オニール マーク,ジョセフ カーワッキ，ジュニア ユージーン,シャオ マンチャオ,レイ シンチャン,マーティン パールステイン ロナルド,チャンドラ ハリピン,ビン ハン. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Silicon-containing film, forming material, making method, and semiconductor device

Номер патента: US20080274627A1. Автор: Yoshitaka Hamada,Jun Kawahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications

Номер патента: TWI620751B. Автор: 克里斯均 杜薩拉特,葛藍 庫亨拜瑟爾,凡卡特斯瓦拉Ｒ 帕雷姆. Владелец: 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-11.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: WO2012167060A3. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods to prepare silicon-containing films

Номер патента: US8703625B2. Автор: Liu Yang,Bing Han,Manchao Xiao,Kirk S. Cuthill,Mark L. O'Neill. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications and methods of using the same

Номер патента: KR20170109530A. Автор: 글렌 쿠첸베이저,클로디아 파파드. Владелец: 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드. Дата публикации: 2017-09-29.

Pattern forming method and composition for forming silicon-containing film for euv lithography

Номер патента: WO2018230671A1. Автор: 智昭 瀬古,智也 田路,酒井　達也,希美 佐藤. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2018-12-20.

Composition for forming a coating type silicon-containing film, substrate, and patterning process

Номер патента: US9880470B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Rie Kikuchi,Seiichiro Tachibana,Yoshinori Taneda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: EP2714960A2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications

Номер патента: TWI631129B. Автор: 克里斯均 杜薩拉特,葛藍 庫亨拜瑟爾,凡卡特斯瓦拉Ｒ 帕雷姆. Владелец: 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司. Дата публикации: 2018-08-01.

Method for preparing a silicon-containing film

Номер патента: JP6480527B2. Автор: シャオ マンチャオ,ビン ハン,マンチャオ　シャオ,ヤン リュ,エス．カットヒル カーク,エル．オーニール マーク. Владелец: バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー. Дата публикации: 2019-03-13.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: KR20140031964A. Автор: 마크 레오나르드 오네일,신지안 레이,하리핀 찬드라,만차오 시아오,빙 한,로날드 마르틴 펄스타인,유진 요셉 카르와치. Владелец: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드. Дата публикации: 2014-03-13.

Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications

Номер патента: WO2014015241A1. Автор: Christian Dussarrat,Venkateswara R. Pallem,Glenn KUCHENBEISER. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods to prepare silicon-containing films

Номер патента: CN102191479B. Автор: 杨柳,M·L·奥尼尔,韩冰,萧满超,K·S·卡瑟尔. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-09-18.

Silacyclic compounds and methods for depositing silicon-containing films using same

Номер патента: TW201923135A. Автор: 新建 雷,雷蒙尼克勞斯 孟提,羅伯特戈登 瑞吉威. Владелец: 美商慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2019-06-16.

Thermosetting silicon-containing compound, composition for forming a silicon-containing film, and patterning process

Номер патента: EP3680275B1. Автор: Tsutomu Ogihara,Kazunori Maeda,Seiichiro Tachibana,Toshiharu Yano,Ryo Mitsui. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: WO2023102063A8. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-23.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: EP4441059A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-10-09.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: CA3239265A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide Pour L'etude Et L'exploitation Des Pro SA. Дата публикации: 2023-06-08.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Plasma enhanced low temperature atomic layer deposition of metals

Номер патента: WO2023250500A1. Автор: Jon Henri,Elham Mohimi,Ann Erickson,Kyle Jordan BLAKENEY,Chiukin Steven Lai,Alexander Ray FOX,Patrick August VAN CLEEMPUT,David Joseph Mandia. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Atomic layer deposition of metal films

Номер патента: US11970776B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for production of silicon-containing biomimetic calcium-phosphate coating on titanium alloys from human interstitial fluid model solutions

Номер патента: RU2626604C1. Автор: Ольга Александровна Голованова,Альберт Викторович Зайц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2017-07-28.

Solid source and method for the synthesis of silicon-containing precursors for chemical vapor deposition

Номер патента: US09944532B2. Автор: Mihai Scarlete,Cetin Aktik. Владелец: SOCPRA Sciences et Genie SEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Silicon-containing film forming composition and method for manufacturing silicon-containing film using the same

Номер патента: US20240262697A1. Автор: Takashi Fujiwara,Atsuhiko Sato,Naoko Nakamoto,Hideyuki TAKAGISHI. Владелец: Merck Electronics Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon precursor materials, silicon-containing films, and related methods

Номер патента: EP4396393A1. Автор: Sungsil CHO,HwanSoo KIM,Yoonhae Kim,KieJin Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Silicon precursor materials, silicon-containing films, and related methods

Номер патента: US20240308856A1. Автор: Sungsil CHO,HwanSoo KIM,Yoonhae Kim,KieJin Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition of silicon-containing copolymer, solvent-soluble crosslinked silicon-containing copolymer, and cured articles obtained thereform

Номер патента: US20050123774A1. Автор: Yuji Tashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Continuous process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB2617396B. Автор: Medrano Catalan Jose. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Plasma Deposition of Amorphous Semiconductors at Microwave Frequencies

Номер патента: US20120040518A1. Автор: David Strand,Stanford R. Ovshinsky,Boil Pashmakov,Patrick Klersy. Владелец: Patrick Klersy. Дата публикации: 2012-02-16.

DECOMPOSITION OF SILICON-CONTAINING PRECURSORS ON POROUS SCAFFOLD MATERIALS

Номер патента: US20200020935A1. Автор: Feaver Aaron M.,Costantino Henry R.,Sakshaug Avery J.,Timmons Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Use of silicon containing drying agent for polyolefin composition comprising crosslinkable polyolefin with silane groups and silanol condensation catalyst

Номер патента: EP2388294A1. Автор: Roger Carlsson. Владелец: BOREALIS TECHNOLOGY OY. Дата публикации: 2011-11-23.

Switching magnet made of silicon-containing iron powder, manufactured in a pressing and sintering process

Номер патента: DE2122977C3. Автор: Herbert Dr.Phil. 2000 Hamburg Hoffmann,Herbert Dr.-Ing. 2350 Neumuenster Meyer. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-06-19.

Continuous process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB202205192D0. Автор: . Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Fluorine reduction is silicon-containing films

Номер патента: WO2024091844A1. Автор: Tao Zhang,Pulkit Agarwal,Douglas Walter Agnew,Mamoru Imade,Shiva Sharan Bhandari,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Lead-free solder alloy for printed circuit board assemblies for high-temperature environments

Номер патента: US20150328723A1. Автор: Andrew Albert Hrametz,Alex Duncan. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Lead-free solder alloy for printed circuit board assemblies for high-temperature environments

Номер патента: US20160249462A1. Автор: Andrew Albert Hrametz,Alexander T. Duncan. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Lead-free solder alloy for high-temperature environments

Номер патента: CA2641812A1. Автор: Alex Duncan,Andy Hrametz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

A thermo-laminated multilayered zircon based high temperature co-fired ceramic (htcc) tape and the process thereof

Номер патента: WO2017125947A4. Автор: Kuzhichalil Peethambharan SURENDRAN,Mailadil Thomas SEBASTIAN,Jobin VARGHESE. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2017-09-08.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Overlay shift correction for the deposition of epitaxial silicon layer and post-epitaxial silicon layers in a semiconductor device

Номер патента: US20030032256A1. Автор: Hung-Chih Chen,Tai-Yuan Wu,Ren-Jyh Leu,Kun-I Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

Low temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: KR101266135B1. Автор: 신지안 레이,만차오 시아오,빙 한,한송 쳉,카즈히데 하세베,리우 양,마사노부 마츠나가,마사토 요네자와,유진 죠셉 주니어 카왁키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-05-27.

Wet Etching of Silicon Containing Antireflective Coatings

Номер патента: US20150187596A1. Автор: John Fitzsimmons,Gregory Nowling. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

For the smooth siconi etch of silicon-containing film

Номер патента: CN102687249B. Автор: D·杨,J·唐,N·英格尔. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Reduction of threshold voltage variation in transistors comprises forming layer of silicon-containing semiconductor alloy on silicon-containing crystalline semiconductor regions, and forming two gate electrode structures

Номер патента: DE102008064796B3. Автор: Andreas Ott,Stephan Kronholz. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-11-28.

Improved anisotropy for polysilicon and polycide plasma etch applications by use of silicon-containing compounds

Номер патента: TW316996B. Автор: A Olson Dale,Qian Xue-Yu,Hui-Ing Tsai Patty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-10-01.

High temperature fine grain aluminum heater

Номер патента: US09917001B2. Автор: Robert T. Hirahara,Calvin Augason,Abhi Desai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Low Temperature Deposition of Silicon Containing Layers in Superconducting Circuits

Номер патента: US20170186935A1. Автор: Greer Frank,Bonetti Joseph Anthony,Zhu Wenxian. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2017-06-29.

NON-HALOGEN ETCHING OF SILICON-CONTAINING MATERIALS

Номер патента: US20190019690A1. Автор: Ingle Nitin K.,Pandit Mandar B.,Ling Mang-Mang,Choi Tom. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-17.

Wet Etching of Silicon Containing Antireflective Coatings

Номер патента: US20150187596A1. Автор: Nowling Gregory,Fitzsimmons John. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2015-07-02.

SELECTIVE REMOVAL OF SILICON-CONTAINING MATERIALS

Номер патента: US20200168463A1. Автор: KIM Kwang-Soo,Ingle Nitin,Choi Tom,KO Jungmin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-05-28.

METHOD OF PLASMA ETCHING OF SILICON-CONTAINING ORGANIC FILM USING SULFUR-BASED CHEMISTRY

Номер патента: US20180358233A1. Автор: WANG LI,OHTAKE Hiroto,RANJAN ALOK,Sridhar Shyam,Nolan Andrew,Talone Christopher,Karakas Erdinc. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Selective removal of silicon-containing materials

Номер патента: US11437242B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Nitin Ingle,Jungmin Ko,Thomas Choi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Electrical passivation of silicon-containing surfaces using organic layers

Номер патента: EP1307919A1. Автор: Nathan S. Lewis,William Royea. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2003-05-07.

Electrical passivation of silicon-containing surfaces using organic layers

Номер патента: US20020139975A1. Автор: Nathan Lewis,William Royea. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2002-10-03.

SILICON-CONTAINING FILM ETCHING METHOD, COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM, AND SILICON-CONTAINING FILM ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190181056A1. Автор: TAKAHASHI Nobuhiro,TAKEYA Koji,TANOUCHI Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Etching method for silicon-containing film, computer storage medium, and etching device for silicon-containing film

Номер патента: JP6971823B2. Автор: 信博 高橋,啓士 田内,考司 竹谷. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Method and apparatus for etching silicon-containing film

Номер патента: TW201013775A. Автор: Takashi Satoh,Shunsuke Kunugi. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

METHOD OF ETCHING SILICON-CONTAINING FILM, COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM, AND APPARATUS FOR ETCHING SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20190355589A1. Автор: Orii Takehiko,LIN Jun,ASADA Yasuo,Irie Shinji,HAGIWARA Ayano,TANOUCHI Kenji,WADA Kakeru. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Smooth siconi etch for silicon-containing films

Номер патента: KR101425629B1. Автор: 동칭 양,징 탕,니틴 잉글. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-07-31.

Composition for forming silicon-containing film, method for forming impurity-diffused layer, and solar cell

Номер патента: TW201245285A. Автор: Yasuhiro Yoshii,Takaaki Hirai,Motoki Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-16.

Etching method for silicon-containing film

Номер патента: JP5002073B2. Автор: 聡 真弓,崇 佐藤,俊介 功刀. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Method and apparatus for etching silicon-containing films

Номер патента: KR101209351B1. Автор: ?스께 구누기. Владелец: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-12-07.

Method for etching silicon-containing film

Номер патента: KR101200139B1. Автор: 다까시 사또,?스께 구누기,사또시 마유미. Владелец: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-11-13.

SILICON-CONTAINING FILM AND METHOD FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20150027531A1. Автор: Yamashita Masamichi,Iwade Takashi,Fujimoto Takayoshi. Владелец: TORAY ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Hybrid silicone composite for high temperature applications

Номер патента: US12077706B2. Автор: Lei Wang,Dejie Tao,Yiliang Wu,Ting Gao,Andre Martin Dressel,Frank Schabert,Lananh Pham. Владелец: TE Connectivity Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of obtaining polymer composition for high-frequency energy absorbing

Номер патента: RU2633903C1. Автор: Иван Иванович Зайченко,Любовь Федоровна Чувилина,Галина Владимировна Брызгалина,Александр Сергеевич Сомкин,Анатолий Исакович Синани,Николай Борисович Медуницин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2017-10-19.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: US20120156894A1. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: WO2005038871A2. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for controlling the amount of silicon contained as an impurity in high carbon ferrochromium

Номер патента: US3765871A. Автор: K Yamagishi,K Nakagawa,S Eda,H Iwabuchi. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1973-10-16.

Protective layer catalyst for hydrofining of silicon-containing hydrocarbon material

Номер патента: RU2692082C1. Автор: Олег Владимирович Климов,Ксения Александровна Надеина,Александр Степанович Носков,Максим Олегович Казаков,Владимир Владимирович Данилевич,Юрий Александрович Чесалов,Анастасия Андреевна Ковальская,Лариса Степановна Довлитова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Федеральный исследовательский центр "Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук" (ИК СО РАН, Институт катализа СО РАН). Дата публикации: 2019-06-21.

Method for catalytic hydrofining of silicon-containing hydrocarbon material

Номер патента: RU2459858C2. Автор: Расмус БРЕЙВИК,Ким Грен КНУДСЕН,Ким Грен КНУДСЕН (DK),Расмус БРЕЙВИК (DK). Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2012-08-27.

Mixtures of silicon-containing coupling reagents

Номер патента: US20110034584A1. Автор: Philipp Albert,Andre Hasse,Oliver Klockmann,Karsten Korth,Manuel Friedel. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2011-02-10.

Polycarbosilazane, and composition comprising the same, and method for producing silicon-containing film using the same

Номер патента: US20230174724A1. Автор: Tetsuo Okayasu,Toshiya Okamura,Thorsten vom Stein. Владелец: Merck Electronics Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Polycarbosilazane, and composition comprising the same, and method for producing silicon-containing film using the same

Номер патента: US11999827B2. Автор: Tetsuo Okayasu,Toshiya Okamura,Thorsten vom Stein. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-06-04.

Compositions and methods using same for silicon containing films

Номер патента: EP3902938A1. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-03.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Chromium refractory metal alloys conductors for use in high temperature integrated circuits

Номер патента: WO1997030476A1. Автор: George Gabriel Goetz,Warren Michael Dawson. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1997-08-21.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Apparatus for an electric feedthrough for high temperature, high pressure, and highly corrosive environments

Номер патента: US12009650B1. Автор: II James L. Wall. Владелец: First Ammonia Motors Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: US20200381709A1. Автор: Benjamin Yong Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: US20210367226A1. Автор: Benjamin Yong Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: US12126011B2. Автор: Benjamin Yong Park,Frederic Bonhomme,Heidi Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: WO2020247522A1. Автор: Benjamin Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2020-12-10.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: EP3977553A1. Автор: Benjamin Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-04-06.

Methods for prelithiation of silicon containing electrodes

Номер патента: US20210104737A1. Автор: Xiaohua Liu,David J. Lee,Benjamin Yong Park,Frederic Bonhomme,Tracy Ho,Shiang Jen Teng,Mai Vietnam. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

The manufacture method of silicon-containing particle, negative electrode material for nonaqueous electrode secondary battery, rechargeable nonaqueous electrolytic battery and silicon-containing particle

Номер патента: CN103579592B. Автор: 中西铁雄,谷口行,谷口一行,山田佳益,山田素行. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: EP3977553A4. Автор: Benjamin Park,Frederic C Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

METHODS FOR PRELITHIATION OF SILICON CONTAINING ELECTRODES

Номер патента: US20210104737A1. Автор: Liu Xiaohua,Lee David J.,Teng Shiang Jen,PARK BENJAMIN YONG,Bonhomme Frederic,Ho Tracy,Vietnam Mai. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

METHODS FOR PRELITHIATION OF SILICON CONTAINING ELECTRODES

Номер патента: US20220278316A1. Автор: Liu Xiaohua,Lee David J.,Teng Shiang Jen,PARK BENJAMIN YONG,Bonhomme Frederic,Ho Tracy,Vietnam Mai. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

SURFACE MODIFICATION OF SILICON-CONTAINING ELECTRODES USING CARBON DIOXIDE

Номер патента: US20200381709A1. Автор: Bonhomme Frederic C.,PARK BENJAMIN YONG,Anderson Heidi Leighette. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

SURFACE MODIFICATION AND ENGINEERING OF SILICON-CONTAINING ELECTRODES

Номер патента: US20200381710A1. Автор: Ji Liwen,PARK BENJAMIN YONG. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

The negative material and rechargeable nonaqueous electrolytic battery of silicon-containing particle, rechargeable nonaqueous electrolytic battery

Номер патента: CN104078662B. Автор: 中西铁雄,谷口行,谷口一行. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: US11450845B2. Автор: Benjamin Yong Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

High temperature laminated stator cores and methods for the manufacture thereof

Номер патента: US20190020229A1. Автор: Jimmy Wiggins,James Piascik,Paul Chipko,Reza Oboodi,Martin Carlin Baker,Leroy Allen Fizer. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

High temperature hot conductors

Номер патента: US4010120A. Автор: Horst Walch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1977-03-01.

The processing method of silicon-containing wastewater and the Application way of silicon-containing wastewater and molecular sieve preparation method

Номер патента: CN105540943B. Автор: 舒兴田,罗一斌,罗斌,周丽娜,刘中清. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2018-03-20.

Preparation of moelcular sieve and treatment of silicon-containing wastewater therefrom

Номер патента: US20180312415A1. Автор: Xingtian Shu,Yibin Luo,Zhongqing LIU,Lina ZHOU. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2018-11-01.

Methods For Making Silicon Containing Films That Have High Carbon Content

Номер патента: US20200071819A1. Автор: Lei Xinjian,Chandra Haripin,Kim Moo-Sung. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-03-05.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

High temperature interconnect assemblies for high temperature electronics utilizing transition pads

Номер патента: US8704356B2. Автор: Alex A. Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Electronic device interconnections for high temperature operability

Номер патента: US09917067B1. Автор: Sorin Stefanescu. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

High-temperature circuit structures

Номер патента: RU2248538C2. Автор: Джеймс Д. ПАРСОНЗ. Владелец: Хитроникс. Дата публикации: 2005-03-20.

Low-resistance connection body for high-temperature superconducting wire material and connection method

Номер патента: US9941032B2. Автор: Hideaki Maeda,Yoshinori Yanagisawa,Xinzhe Jin. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for reducing transition metal, and method for treating surface of silicon-containing polymer, method for preparing fine transition metal particles and method for producing article and wiring board, using the reducing method

Номер патента: EP1867752A1. Автор: Masaki Mitsui Chemicals Inc. TAKAHASHI,Kenji Mitsui Chemicals Inc. IWATA,Hiroshi Mitsui Chemicals Inc. WATANABE,Kenichi Mitsui Chemicals Inc. GOTO,Jun Mitsui Chemicals Inc. KAMADA. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-12-19.

Silicon precursors and method for low temperature cvd of silicon-containing films

Номер патента: EP2074129A1. Автор: Ashutosh Misra,Ziyun Wang,Ravi Laxman. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-07-01.

Silicon precursors and method for low temperature cvd of silicon-containing films

Номер патента: US20080081106A1. Автор: Ashutosh Misra,Ziyun Wang,Ravi Laxman. Владелец: AIR LIQUIDE ELECTRONICS US LP. Дата публикации: 2008-04-03.

Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials

Номер патента: US7456116B2. Автор: ZHENG Yuan,Nitin K. Ingle,Won B. Bang,Vikash Banthia,Xinyun Xia,Shan Wong,Yen-Kun V. Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-25.

Silicon precursor compound, silicon-containing film formation composition comprising same, and method for forming film by using silicon-containing film formation composition

Номер патента: WO2023287196A1. Автор: 김병관,김진식,유다솜. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2023-01-19.

Purification of silicon-containing materials

Номер патента: US20050054211A1. Автор: Jean-Marc Girard,Mindi Xu,Tay Sayasane. Владелец: Tay Sayasane. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for upgrading of silicon-containing residues obtained after leaching of copper-containing residues from chlorosilane synthesis

Номер патента: CA2162041C. Автор: Inger Johanne Eikeland,Roald Gundersen,Ragnhild Jensen. Владелец: ELKEM ASA. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for upgrading of silicon-containing residues obtained after leaching of copper-containing residues from chlorosilane synthesis

Номер патента: WO1995026926A1. Автор: Inger Johanne Eikeland,Roald Gundersen,Ragnhild Jensen. Владелец: Elkem A/S. Дата публикации: 1995-10-12.

Process for the production of silicon-containing and carbon-containing raw material mouldings and the use of such mouldings

Номер патента: GB2088840A. Автор: . Владелец: COC Luxembourg SA. Дата публикации: 1982-06-16.

Preparation method of silicon-containing layered double hydroxide

Номер патента: CN113023730B. Автор: 李海平,田震,侯万国,杜娜,宋淑娥. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2022-04-05.

Process for the production of silicon-containing and carboncontaining raw material mouldings and the use of such mouldings

Номер патента: ZA811436B. Автор: G Lask. Владелец: COC Luxembourg SA. Дата публикации: 1982-03-31.

Deposition of low-k films

Номер патента: US20220325412A1. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Deposition of low-k films

Номер патента: US11970777B2. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Deposition of low-k films

Номер патента: US20220154337A1. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Organosilicon precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20220234903A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Richard Ho,Ronald M. Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-07-28.

Processes for the Preparation of Silicon Containing Intermetallic Compounds and Intermetallic Compounds Prepared Thereby

Номер патента: US20150005156A1. Автор: Aswini DASH,Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

SOLID SOURCE AND METHOD FOR THE SYNTHESIS OF SILICON-CONTAINING PRECURSORS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20160347620A1. Автор: SCARLETE Mihai,AKTIK Cetin. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Use of silicon-containing particles for protection from uv radiation, process for production thereof and formulations comprising them

Номер патента: CA2913545A1. Автор: Michael KRÖLL,Jurgen Erwin Lang,Goswin Uehlenbruck. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2016-05-28.

Use of silicon-containing particles for protection of industrial materials from uv radiation

Номер патента: CA2913546A1. Автор: Michael KRÖLL,Jurgen Erwin Lang,Goswin Uehlenbruck. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2016-05-28.

BISAMINOALKOXYSILANE COMPOUNDS AND METHODS FOR USING SAME TO DEPOSIT SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20160237100A1. Автор: Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,Spence Daniel P.,Li Jianheng. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2016-08-18.

Zinc-oxide surge arrester for high-temperature operation

Номер патента: EP2426678A3. Автор: Ching-Hohn Lien,Jie-An Zhu,Xing-Xiang Huang,Zhi-Xian Xu,Ting-Yi Fang. Владелец: SFI Electronics Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-05.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

A wireless telemetry electronic circuit package for high temperature environments

Номер патента: EP2329227A2. Автор: Ramesh Subramanian,Anand A. Kulkarni,David J. Mitchell,Rod Waits,Edward R. Roesch,Brice Mcpherson,Alexander B. Lostetter,John R. Fraley,Roberto Schupbach,Bryon Western. Владелец: Arkansas Power Electronics International Inc. Дата публикации: 2011-06-08.

Architecture for high temperature radio frequency smart node

Номер патента: EP4432569A1. Автор: Joseph V. Mantese,Joseph Zacchio,Andre M. AJAMI,Gurkan Gok,Sharbel Elias Azzi,Jonathan J. GILSON,Coy B. Wood,William Richard SHAW. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Architecture for high temperature radio frequency smart node

Номер патента: US20240313811A1. Автор: Joseph V. Mantese,Joseph Zacchio,Andre M. AJAMI,Gurkan Gok,Sharbel Elias Azzi,Jonathan J. GILSON,Coy B. Wood,William Richard SHAW. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Superconducting bulk cooling apparatus and cooling method for high-temperature superconducting magnetic levitation vehicle

Номер патента: US20220093300A1. Автор: Jun Zheng,Zigang Deng,Yanzhi LIU,Shaolei SUN. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2022-03-24.

Battery cell and module battery for high-temperature operating secondary battery

Номер патента: US20240088470A1. Автор: Motohiro FUKUHARA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Current lead for high-temperature superconducting (hts) cable and design method thereof

Номер патента: AU2021355610B2. Автор: Jian Zheng,Zhiyong Zhang,Jianping Yang,Honglei LI,Qiqi ZHANG,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Current lead for high-temperature superconducting (hts) cable and design method thereof

Номер патента: AU2021355610A1. Автор: Jian Zheng,Zhiyong Zhang,Jianping Yang,Honglei LI,Qiqi ZHANG,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

High-vacuum multi-layer flexible heat-insulated pipe for high-temperature superconducting cable and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2021338587B2. Автор: Jian Zheng,Jianping Yang,Wei Xie,Xiang Tian,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for producing electrode for high temperature polymer electrolyte membrane fuel cell and membrane electrode assembly using electrode produced by the method

Номер патента: US20200152996A1. Автор: Jin Young Kim,So Young Lee,Min Jae Lee,Hee-Young Park,Ju Sung LEE,Hyun Seo Park,Hyoung-Juhn Kim,Jong Hyun Jang,Sung Jong Yoo,Katie Heeyum Lim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-05-14.

High-vacuum multi-layer flexible heat-insulated pipe for high-temperature superconducting cable and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2021338587A1. Автор: Jian Zheng,Jianping Yang,Wei Xie,Xiang Tian,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Low-Resistance Connection Body for High-Temperature Superconducting Wire Material and Connection Method

Номер патента: US20170011823A1. Автор: Hideaki Maeda,Yoshinori Yanagisawa,Xinzhe Jin. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2017-01-12.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of manufacturing continuous disk winding for high-voltage superconducting transformers

Номер патента: US20070152786A1. Автор: Seung Lee,Woo Kim,Young Hwang,Kyeong Choi. Владелец: Korea Polytechnic University. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for attachment of silicon-containing compounds to a surface and for the synthesis of hypervalent silicon-compounds

Номер патента: CA2622087C. Автор: Jeffrey Owens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-28.

Method for attachment of silicon-containing compounds to a surface and for the synthesis of hypervalent silicon-compounds

Номер патента: KR20080059211A. Автор: 제프리 오웬즈. Владелец: 알렉시움 리미티드. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for attachment of silicon-containing compounds to a surface and for the synthesis of hypervalent silicon-compounds

Номер патента: CA2622087A1. Автор: Jeffrey Owens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for attachment of silicon-containing compounds to a surface and for synthesis of hypervalent silicon-compounds

Номер патента: SG2014004998A. Автор: Jeffery Owens. Владелец: Alexium Ltd. Дата публикации: 2014-04-28.

Method for Attachment of Silicon-Containing Compounds to a Surface and for Synthesis of Hypervalent Silicon-Compounds

Номер патента: CN102341188A. Автор: 杰弗里·欧文斯. Владелец: Alexium Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for attachment of silicon-containing compounds to a surface and for the synthesis of hypervalent silicon-compounds

Номер патента: AU2006290509A1. Автор: Jeffrey Owens. Владелец: Alexium Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for attachment of silicon-containing compounds to a surface and for synthesis of hypervalent silicon-compounds

Номер патента: AU2010209527A1. Автор: Jeffery Owens. Владелец: Alexium Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for Attachment of Silicon-Containing Compounds to a Surface and for Synthesis of Hypervalent Silicon-Compounds

Номер патента: US20090176424A1. Автор: Jeffery R. Owens. Владелец: Owens Jeffery R. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for attachment of silicon-containing compounds to a surface and for synthesis of hypervalent silicon-compounds

Номер патента: US8815351B2. Автор: Jeffrey R. Owens. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2014-08-26.

Use of silicon-containing polymers for improved flocculation of solids in processes for the production of alumina from bauxite

Номер патента: US20120103916A1. Автор: Matthew Taylor,Haunn-Lin Tony Chen,Matthew J. Davis,Qi Dai. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-05-03.

THE USE OF SILICON-CONTAINING POLYMERS FOR THE INTENSIFICATION OF FLOCCULATION OF SOLID PARTICLES IN THE PROCESSES OF PRODUCING ALUMINUM FROM BOXITES

Номер патента: RU2011119615A. Автор: Хаунн-Линь Тони Чэнь,Мэттью Тэйлор,Мэттью Дж. Дэвис,Ци ДАЙ. Владелец: Сайтек Текнолоджи Корп.. Дата публикации: 2012-11-27.

Use of silicon-containing polymers for improved flocculation of solids in processes for the production of alumina from bauxite

Номер патента: CA2740842A1. Автор: Matthew Taylor,Haunn-Lin Tony Chen,Matthew J. Davis,Qi Dai. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2010-04-22.

Use of silicon-containing polymers to improve red mud flocculation in the bayer process

Номер патента: EP3486216A1. Автор: Howard I. Heitner,Donald Paul Spitzer,Qi Dai,H-L Tony Chen. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-05-22.

Use of silicon-containing polymers to improve red mud flocculation in the bayer process

Номер патента: CN102515228A. Автор: 霍华德·I·海特纳,戴奇,唐纳德·保罗·斯皮策,H·L·托尼·陈. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-06-27.

Use of silicon-containing polymers for improved solids aggregation in the production process of alumina from bauxite

Номер патента: JP5464718B2. Автор: デイビス，マシユー・ジエイ,ダイ，キー,チエン，ハウン−リン・トニー,テイラー，マシユー. Владелец: サイテク・テクノロジー・コーポレーシヨン. Дата публикации: 2014-04-09.

Use of silicon-containing polymers to improve red mud flocculation in the bayer process

Номер патента: CA2684493A1. Автор: Howard I. Heitner,Donald Paul Spitzer,Qi Dai,H-L Tony Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Use of silicon-containing polymers to improve red mud flocculation in the bayer process

Номер патента: CA2893223A1. Автор: Howard I. Heitner,Donald Paul Spitzer,Qi Dai,H-L Tony Chen. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2008-10-30.

Use of silicon-containing polymers to improve red mud flocculation in the bayer process

Номер патента: AP2009004994A0. Автор: Donald P Spitzer,Qi Dai,H-L Tony Chen. Владелец: Cytec Tech Corp. Дата публикации: 2009-10-31.

Use of silicon-containing polymers to improve red mud flocculation in bayer process

Номер патента: JP2013241596A. Автор: Donald Paul Spitzer,Howard I Heitner,Qi Dai,H-L Tony Chen,キー・ダイ,ドナルド・ポール・スピツツアー,ハワード・アイ・ハイトナー,エイチ−エル・トニー・チエン. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-12-05.

Bisaminoalkoxysilane Compounds And Methods For Using Same To Deposit Silicon-Containing Films

Номер патента: US20190359637A1. Автор: Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,Spence Daniel P.,Li Jianheng. Владелец: Versum Materials US, LLC.. Дата публикации: 2019-11-28.

Bisaminoalkoxysilane compounds and methods for using same to deposit silicon-containing films

Номер патента: US11142658B2. Автор: XINJIAN LEI,Ronald Martin Pearlstein,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-10-12.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for producing high-temperature ceramic thermoelectric converters for high-temperature thermometry from nitrides of elements of titanium and vanadium subgroups using method for oxidative engineering

Номер патента: RU2759827C1. Автор: Константин Александрович Солнцев,Герман Петрович Кочанов,Иван Александрович Ковалев,Андрей Станиславович Чернявский,Иван Дмитриевич Рубцов,Александр Владимирович Шокодько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-11-18.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Laser-assisted method for high-quality, high conductivity graphene deposition for smart textile and flexible electronics

Номер патента: WO2023166325A1. Автор: Anastasios Iliopoulos,Spyros N. YANNOPOULOS,Aspasia ANTONELOU,Antonios VAVOULIOTIS,Athanasios BALTOPOULOS,Despoina BATSOULI,Grigorios KOUTSOUKIS. Владелец: Adamant Composites. Дата публикации: 2023-09-07.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Organoamino-Functionalized Linear and Cyclic Oligosiloxanes for Deposition of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20240287257A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

THERMAL ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20220275510A1. Автор: LaVoie Adrien,Agnew Douglas Walter,Curtin Ian John,GUPTA Awnish,MIAO Tengfei. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-09-01.

Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2021201910A1. Автор: Matthew R. Macdonald,John J. LEHMANN. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Organoamino-functionalized linear and cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: US11952465B2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4223903A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-09.

Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: US11912730B2. Автор: Matthew R. Macdonald,John F. Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Organoamino-Functionalized Linear And Cyclic Oligosiloxanes For Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20210017339A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2020206295A1. Автор: Matthew R. Macdonald,John F. Lehmann. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20230365601A1. Автор: Matthew R. Macdonald,John F. Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Organoamino-functionalized linear and cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: IL257372B. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2022-01-01.

Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4110968A4. Автор: Matthew R. Macdonald,John J. LEHMANN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: IL314388A. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2024-09-01.

STEEL FOR HIGH-STRENGTH DETAILS FROM BANDS, SHEETS OR PIPES WITH EXCELLENT DEFORMABILITY AND PARTICULARLY SUITABLE FOR METHODS OF HIGH-TEMPERATURE COATING

Номер патента: RU2010127341A. Автор: Йоахим ШЁТТЛЕР,Фолькер ФЛАКСА,Йоахим ШЕТТЛЕР (DE),Фолькер ФЛАКСА (DE). Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх (De). Дата публикации: 2012-01-10.

Organosilane precursors for ald/cvd/sod of silicon-containing film applications

Номер патента: US20220220132A1. Автор: Guillaume Husson,Claudia Fafard. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Magnesium alloy suitable to be used at high temperature, and method for its obtaining

Номер патента: RU2549040C2. Автор: Шае К. КИМ,Йюн Хо СЕО. Владелец: Корейский Институт Промышленных Технологий. Дата публикации: 2015-04-20.

Bulk polymerization of silicone-containing copolymers

Номер патента: WO2010077487A3. Автор: Jeffrey O. Emslander,Audrey A. Sherman,Ramesh C. Kumar,Sonja S. Mackey,Mark F. Ellis,Richard L. Peloquin. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2010-08-26.

Regenerative Adsorption Process for Removal of Silicon-Containing Contaminants from Process Gas Using a Neutral Adsorbent Media

Номер патента: US20140366726A1. Автор: Michael J. Mitariten,Wayne Ballantyne,Roy Brown,Joseph Rossin,Michael Knapke. Владелец: Guild Associates Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Trisilylamine derivatives as precursors for high growth rate silicon-containing films

Номер патента: US20210340673A1. Автор: XINJIAN LEI,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Organoamino-Functionalized Cyclic Oligosiloxanes For Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20210017198A1. Автор: MacDonald Matthew R.,Lehmann John F.. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Organoamino-Functionalized Linear And Cyclic Oligosiloxanes For Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20210017339A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Substituted Silacyclopropane Precursors And Their Use For The Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20160031916A1. Автор: Thompson David,Saly Mark. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

COMPOSITIONS AND METHODS USING SAME FOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20190055645A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Ridgeway Robert Gordon,Li Jianheng,VRTIS Raymond Nicholas,Sinatore Dino. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

ORGANOAMINO-FUNCTIONALIZED CYCLIC OLIGOSILOXANES FOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20220081453A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

COMPOSITIONS AND METHODS USING SAME FOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20210140040A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Ho Richard,Li Jianheng,RIDGEWAY ROBERT G.,VRTIS RAYMOND N.. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Organoamino-Functionalized Linear And Cyclic Oligosiloxanes For Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180223047A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

Organoamino-Polysiloxanes For Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180223428A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Spence Daniel P.,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang,Rajaraman Suresh Kalpatu. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

Organoamino-Functionalized Cyclic Oligosiloxanes for Deposition of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20190233446A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

COMPOSITIONS AND METHODS USING SAME FOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20190292658A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Ridgeway Robert Gordon,Ho Richard,Li Jianheng,VRTIS Raymond Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Organoamino Functionalized Cyclic Oligosiloxanes For Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20200317702A1. Автор: MacDonald Matthew R.,Lehmann John F.. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Compositions and Methods Using Same for Deposition of Silicon-Containing Film

Номер патента: US20190376178A1. Автор: RIDGEWAY ROBERT G.,VRTIS RAYMOND N.,Rao Madhukar B.. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride

Номер патента: EP0367004A1. Автор: Douglas A. Webb,Andrew P. Lane,Gene R. Frederick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-05-09.

Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride.

Номер патента: DE68911478D1. Автор: Douglas A Webb,Andrew P Lane,Gene R Frederick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-01-27.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: US7579496B2. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-25.

Controlled deposition of silicon-containing coatings adhered by an oxide layer

Номер патента: TWI293339B. Автор: Boris Kobrin,Jeffrey D Chinn,Romuald Nowak,Richard C Yi. Владелец: Applied Microstructures Inc. Дата публикации: 2008-02-11.

METHOD FOR HIGH-VELOCITY AND ATMOSPHERIC-PRESSURE ATOMIC LAYER DEPOSITION WITH SUBSTRATE AND COATING HEAD SEPARATION DISTANCE IN THE MILLIMETER RANGE

Номер патента: US20150275363A1. Автор: Coutu Roger R.,Sershen Michael J.,Sundaram Ganesh M.,Becker Jill Svenja,Dalberth Mark J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Thermal barrier coating/environmental barrier coating system for a ceramic-matrix composite (CMC) article to improve high temperature capability

Номер патента: US7364807B2. Автор: YAN Gao,Mark Daniel Gorman,Curtis Alan Johnson,Irene Spitsberg,Ramgopal Darolia,Brett Allen Rohrer Boutwell,Christine Govern,Bangalore A. Nagaraj,Brian Thomas Hazel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-04-29.

Polyol compositions containing high levels of silicone containing surfactant polymer to improve flame retardance and aged k-factors of polyurethane foams.

Номер патента: MX9604872A. Автор: Thomas L Fishback. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 1997-04-30.

Silicon-containing hydrated alumina composition, molded body, preparation method and application of silicon-containing hydrated alumina composition, catalyst and preparation method of catalyst

Номер патента: CN107999049B. Автор: 施瑢,杨清河,聂红,胡大为,刘滨,曾双亲,赵新强,贾燕子. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for controlling the amount of silicon contained as an impurity in high carbon ferrochromium

Номер патента: ZA721603B. Автор: K Yamagishi,K Nakagawa,S Eda,H Iwabuchi. Владелец: Nippon Kokan Kk. Дата публикации: 1972-11-29.

Dehydrocoupling treatment and hydrosilylation of silicon-containing polymers, and compounds and articles produced thereby

Номер патента: US5750643A. Автор: Yigal Blum,Gregory A. McDermott. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 1998-05-12.

Wear resistant sliding layer of silicon-containing aluminum alloy, e.g. for crankshaft bearings, is formed by gas phase deposition and heat treated to form macrocrystalline silicon deposits

Номер патента: DE102005050374A1. Автор: Erwin Dipl.-Ing. Schmidt,Ping Dr. Wang,Johann Dr. Krämer,Karl Dr.Rer.Nat. Holdik. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2007-02-22.

Controlled deposition of silicon-containing coatings adhered by an oxide layer

Номер патента: WO2005121396A2. Автор: Boris Kobrin,Romuald Nowak,Jeffrey D. Chinn,Richard C. Yi. Владелец: Applied Microstructures, Inc.. Дата публикации: 2005-12-22.

CUREABLE FORMULATIONS FOR FORMING LOW-k DIELECTRIC SILICON-CONTAINING FILMS USING POLYCARBOSILAZANE

Номер патента: US20210198429A1. Автор: Jean-Marc Girard,Peng Zhang,Yumin Liu,Fabrizio MARCHEGIANI,Gennadiy Itov,Fan QIN,Thomas J. LARRABEE. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Film-forming composition, silicon-containing film, and resist pattern-forming method

Номер патента: US12098282B2. Автор: Tatsuya Sakai,Hiromitsu Tanaka,Tomoaki Seko,Nozomi SATOU,Tomoya TAJI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Thermal insulation materials suitable for use at high temperatures, and process for making said materials

Номер патента: GB2591249B. Автор: Toda Marcin,Bartlett Ian. Владелец: Mersen Scotland Holytown Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Lead-free solder alloy composition suitable for use in high-temperature and vibration environments and preparation method thereof

Номер патента: US12103114B2. Автор: Jun Tae Kim,Bum Gyu Baek,Heung Rak SOHN,Song Hee YIM. Владелец: Kyung Dong Mtec Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

USE OF SILICON-CONTAINING POLYMERS TO IMPROVE RED MUD FLOCCULATION IN THE BAYER PROCESS

Номер патента: US20160052807A1. Автор: Dai Qi,Spitzer Donald Paul,Heitner Howard I.,Chen Huann-Lin Tony. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2016-02-25.

COMPOSITIONS FOR CONTROLLED ASSEMBLY AND IMPROVED ORDERING OF SILICON-CONTAINING BLOCK COPOLYMERS

Номер патента: US20140197133A1. Автор: Montarnal Damien,Hawker Craig J.,FREDRICKSON Glenn H.,Kramer Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

USE OF SILICON-CONTAINING PARTICLES FOR PROTECTION OF INDUSTRIAL MATERIALS FROM UV RADIATION

Номер патента: US20160152836A1. Автор: Lang Juergen Erwin,Kroell Michael,UEHLENBRUCK Goswin. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2016-06-02.

REMOVAL OF SILICON-CONTAINING CHEMICALS FROM HYDROCARBON STREAMS

Номер патента: US20190144763A1. Автор: Al-Sabawi Mustafa,Mitchell Lindsay A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Bulk Polymerization of Silicone-Containing Copolymers

Номер патента: US20180148517A1. Автор: Ellis Mark F.,Sherman Audrey A.,Kumar Ramesh C.,Emslander Jeffrey O.,Peloquin Richard L.,Mackey Sonja S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Bulk Polymerization of Silicone-Containing Copolymers

Номер патента: US20180148518A1. Автор: Ellis Mark F.,Sherman Audrey A.,Kumar Ramesh C.,Emslander Jeffrey O.,Peloquin Richard L.,Mackey Sonja S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

COMPOSITIONS FOR CONTROLLED ASSEMBLY AND IMPROVED ORDERING OF SILICON-CONTAINING BLOCK COPOLYMERS

Номер патента: US20150376455A1. Автор: Montarnal Damien,Hawker Craig J.,FREDRICKSON Glenn H.,Kramer Edward J.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2015-12-31.

Use of silicon containing and phosphorous-free glass for the treatment of e.g. autoimmune inflammatory diseases, infections, allergies, arthritis, dermatosis, stomach/gastric diseases and memory disorders

Номер патента: DE102004023732A1. Автор: Sean Dr. Lee,José Dr. Zimmer,Coni Carlsbad Rosati. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2005-12-08.

Corrosion resistant sealant for EBC of silicon-containing substrate and processes for preparing same

Номер патента: US20060280955A1. Автор: Irene Spitsberg,Brian Hazel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-12-14.

Corrosion resistant sealant for outer EBL of silicon-containing substrate and processes for preparing same

Номер патента: US20060280954A1. Автор: Irene Spitsberg,Brian Hazel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-12-14.

Manufacture of silicon-containing modified polyvinyl alcohol

Номер патента: JPS63196603A. Автор: Takashi Nakajima,Toshio Tamura,隆 中島,敏雄 田村. Владелец: Unitika Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-15.

Use of silicon-containing precursor compounds of an organic acid as a catalyst for crosslinking filled and unfilled polymer compounds

Номер патента: DE102008041919A1. Автор: Aristidis Ioannidis,Bastian Bielawski,Kerstin Dr. Weißenbach. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2010-03-11.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF SILICON-CONTAINING ISOCYANATE COMPOUNDS

Номер патента: FR2574796B1. Автор: Goichi Yamaguchi,Akira Kurashima,Akira Machiya. Владелец: Kaseihin Cy Inc C S. Дата публикации: 1990-11-02.

Applications of silicon-containing organic compound in prolonging of stability of grinding particles in chemical mechanical polishing liquid

Номер патента: CN104371552A. Автор: 王晨,何华锋,周文婷,高嫄. Владелец: Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

ORGANIC COMPOUNDS OF SILICON CONTAINING FLUORINE

Номер патента: IT981296B. Автор: . Владелец: Ici Ltd. Дата публикации: 1974-10-10.

Purification of silicone containing compounds by supercritical fluid extraction

Номер патента: US7368589B2. Автор: Shivkumar Mahadevan,Yuan Tian,Frank Molock,Robert S. Ward,Shanger Wang,James M. Serpilio, Jr.. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2008-05-06.

Process for the catalytic hydrotreating of silicon containing hydrocarbon feedstock

Номер патента: EP1925654A1. Автор: Kim Grøn Knudsen,Rasmus Breivik. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of molding of silicon-containing contact lenses

Номер патента: HK1006555A1. Автор: Yu-Chin Lai. Владелец: Bausch & Lomb. Дата публикации: 1999-03-05.

Use of silicon-containing terpolymers for stuffing leather

Номер патента: WO1997020953A1. Автор: Wolfgang Ritter,Arno Behr,Fredi Wolter,Rudolf Zauns-Huber,Oliver Pietsch,Rainer MÖCKEL. Владелец: Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien. Дата публикации: 1997-06-12.

Synthetic method of silicon-containing polycarboxylic acid water reducing agent and product thereof

Номер патента: CN107200819B. Автор: 朱伟亮. Владелец: SHANGHAI TAIJIE CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Ultrathin solid membrane composed of silicon-containing copolymer, process for producing said membrane and use thereof for concentrating a gas

Номер патента: EP0041839A1. Автор: Kiyoshi Sugie,Teizo Yamaji,Takeyoshi Yamada. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1981-12-16.

A kind of Silicon-containing Polyester 3D printing material and preparation method thereof

Номер патента: CN106750417B. Автор: 刘志鹏,陈登龙,杜鹏飞,刘金玲. Владелец: Quangang Petrochemical Research Institute of Fujian Normal University. Дата публикации: 2019-05-17.

Application of isovanillin epoxy resin monomer in preparation of silicon-containing polymer

Номер патента: CN114456128B. Автор: 杨锐,李春雨,郭凯,李智勇,孟晶晶,管浩. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-19.

A kind of silicon-containing wastewater processing system and process process thereof

Номер патента: CN106277588A. Автор: 王开江. Владелец: Shanghai Jiangzhe Environment Engineering Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

Production of silicon-containing porous carbonaceous material

Номер патента: JPH11240779A. Автор: Mitsuo Enomoto,三男 榎本. Владелец: Tokai Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-07.

Use of silicon-containing polymers as structural adhesives

Номер патента: KR20080009149A. Автор: 알렉산더 센트너,호르스트 자이베르트,크리스토퍼 아리산디,디터 플리크,마르쿠스 루크파울. Владелец: 바스프 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2008-01-24.

Preparation of silicone-containing polyimide prepolymer and cured polyimides obtained therefrom.

Номер патента: DE68917952D1. Автор: Kouichi Kunimune,Yoshiya Kutsuzawa. Владелец: Chisso Corp. Дата публикации: 1994-10-13.

Process for the catalytic hydrotreating of silicon containing hydrocarbon feedstock

Номер патента: CN101186844A. Автор: R·布赖维克,K·G·努德森. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2008-05-28.

Process for the catalytic hydrotreating of silicon containing hydrocarbon feed stock.

Номер патента: MX2007014402A. Автор: Kim Groen Knudsen,Rasmus Breivik. Владелец: Topsoe Haldor As. Дата публикации: 2009-02-17.

HYDROGEN PEROXIDE SURFACES OF SILICONE-CONTAINING ELECTRIC RADIANT QUALITIES

Номер патента: DE60207225T2. Автор: N. Vijay MADI,W. Jerald LEEKER,A. Clayton VANSCOY. Владелец: AK Steel Properties Inc. Дата публикации: 2006-07-27.

Use of silicon-containing precursor compounds of an organic acid as a catalyst for cross-linking filled and unfilled polymer compounds

Номер патента: EP2331627A1. Автор: Kerstin Weissenbach,Aristidis Ioannidis,Bastian Bielawski. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2011-06-15.

USE OF SILICON-CONTAINING TERPOLYMERS FOR THE GREASING EQUIPMENT OF LEATHER

Номер патента: DE59609545D1. Автор: Wolfgang Ritter,Arno Behr,Fredi Wolter,Rudolf Zauns-Huber,Oliver Pietsch,Rainer Moeckel. Владелец: Cognis Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-09-12.

Enhancement of silicon-containing particulate material removal using supercritical fluid-based compositions

Номер патента: CN1938415A. Автор: 托马斯·H·鲍姆,迈克尔·B·科岑斯基. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Process for the catalytic hydrotreating of silicon containing naphtha

Номер патента: EP1188811B1. Автор: Per Zeuthen,Lars Pleth Nielsen,Joachim Jacobsen,Steffen Vissing Christensen. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2004-07-07.

Preparation method of silicon-containing high vinyl polybutadiene

Номер патента: CN108610457B. Автор: 华静,耿洁婷,刘金慧,马玉. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2020-11-06.

Preparation method of silicon-containing vinyl chloride copolymer

Номер патента: CN108148160B. Автор: 邓敏,文仕敏,缑可贞,佘国华. Владелец: Yibin Tianyuan Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Purification of silicone containing compounds by supercritical fluid extraction

Номер патента: EP1680433A1. Автор: Shivkumar Mahadevan,Yuan Tian,Frank F. Molock,Robert S. Ward,Shanger Wang,James M. Serpilio, Jr.. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2006-07-19.

Composites of silicon-containing polymers that encapsulate functional materials

Номер патента: KR100851811B1. Автор: 유승범,김영백,베로니카 김. Владелец: 베로니카 김. Дата публикации: 2008-08-13.

Treatment method of silicon-containing micro powder organic waste liquid

Номер патента: CN115367845A. Автор: 戴国辉,虞恺,姚昌文. Владелец: WUXI ZHONGTIAN SOLID WASTE DISPOSAL CO Ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

SURFACE TREATMENT OF SILICONE-CONTAINING MEDICAL DEVICES

Номер патента: DE60115218T2. Автор: A. Joseph McGEE,L. Paul VALINT,A. James BONAFINI. Владелец: Bausch and Lomb Inc. Дата публикации: 2006-04-13.

A kind of preparation method of silicone-containing diamines

Номер патента: CN106496261B. Автор: 李晓敏,朱勇,袁萍,王建英,黄渝鸿,吴菊英,程四龙,钟吉彬,钟逸康,姚曾. Владелец: Chengdu Zhengwei New Material R&d Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-05.

Process for the catalytic hydrotreating of silicon containing hydrocarbon feedstock

Номер патента: ZA200710053B. Автор: Breivik Rasmus,Knudsen Kim Groen. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2008-11-26.

Deposition Of Carbon Doped Silicon Oxide

Номер патента: US20200248309A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-08-06.

High temperature composite honeycomb

Номер патента: EP4003723A1. Автор: Robert Charles LOESCH,Merid Minasse HAILE,Earl Frederick AYLE,Clark Russell SMITH. Владелец: Hexcel Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Deposition of carbon doped silicon oxide

Номер патента: EP3902939A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-03.

High temperature composite honeycomb

Номер патента: US20210024711A1. Автор: Robert Charles LOESCH,Merid Minasse HAILE,Earl Frederick AYLE,Clark Russell SMITH. Владелец: Hexcel Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Trisilylamine Derivatives as Precursors for High Growth Rate Silicon-Containing Films

Номер патента: US20190085452A1. Автор: Lei Xinjian,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-03-21.

Silicon precursor compound, preparation method therefor, and silicon-containing film formation method using same

Номер патента: US11905305B2. Автор: Mi Hee Lee,Myeong Ho KIM,Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Sungwoo AHN,Yun Gyeong YI,Jun Hwan CHOI. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

High temperature lubricant composition

Номер патента: CA2449778C. Автор: Michael A. Mchenry,Dale D. Carr,Jeffrey A. Hutter. Владелец: Royal Lubricants Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method

Номер патента: EP2011830A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Koji Hasegawa,Toshiharu Yano. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-07.

Silicon-Containing Film-Forming Composition, Silicon-Containing Film, Silicon-Containing Film-Bearing Substrate, and Patterning Method

Номер патента: KR101233905B1. Автор: 도시하루 야노,고지 하세가와,츠또무 오기하라. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-02-15.

Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method

Номер патента: TW200807157A. Автор: Tsutomu Ogihara,Takeshi Asano,Motoaki Iwabuchi,Takafumi Ueda. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-02-01.

Composition for forming silicon-containing film and silicon-containing film and process for forming pattern

Номер патента: KR101677289B1. Автор: 가즈노리 다카나시,마사토 다나카,다카시 모리,도모하루 가와즈,교유 야스다. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2016-11-17.

Silicon precursor compound, composition for forming silicon-containing film containing the same, and method for forming silicon-containing film

Номер патента: JP2023512674A. Автор: シック キム，ジン,グァン キム，ビョン,ファン チェ，ジュン,ソム ユ，ダ. Владелец: ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド. Дата публикации: 2023-03-28.

Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, and pattern forming method

Номер патента: US20100233632A1. Автор: Masato Tanaka,Takashi Mori,Kazunori Takanashi,Tomoharu KAWAZU,Kyoyu Yasuda. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Polycarbosilazane, and composition comprising the same, and method for producing silicon-containing film using the same

Номер патента: EP4232504A1. Автор: Tetsuo Okayasu,Toshiya Okamura,Thorsten vom Stein,Katsuchika Suzuki. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-08-30.

Process for the generation of thin silicon-containing films

Номер патента: US20190309417A1. Автор: David Dominique Schweinfurth,Lukas Mayr,Maraike Ahlf,Kinga Izabela LESZCZYNSKA,David Scheschkewitz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-10-10.

Polycarbosilazane, and composition comprising the same, and method for producing silicon-containing film using the same

Номер патента: US11866554B2. Автор: Tetsuo Okayasu,Toshiya Okamura,Thorsten vom Stein,Katsuchika Suzuki. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-01-09.

Lead-Free Solder Alloy Composition Suitable for Use in High-Temperature and Vibration Environments and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20200238443A1. Автор: Jun Tae Kim,Bum Gyu Baek,Heung Rak SOHN,Song Hee YIM. Владелец: Kyung Dong Mtec Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

FILM-FORMING COMPOSITION, SILICON-CONTAINING FILM, AND RESIST PATTERN-FORMING METHOD

Номер патента: US20200354575A1. Автор: Sakai Tatsuya,Tanaka Hiromitsu,SEKO Tomoaki,SATOU Nozomi,TAJI Tomoya. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2020-11-12.

NICKEL-BASED ALLOYS SUITABLE FOR USE AT HIGH TEMPERATURES

Номер патента: FR2391286B1. Автор: . Владелец: Huntington Alloys Corp. Дата публикации: 1985-09-27.

Thermal insulation materials suitable for use at high temperatures, and process for making said materials

Номер патента: GB202000898D0. Автор: . Владелец: Mersen Scotland Holytown Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Cyclic chemical vapor deposition of metal-silicon containing films

Номер патента: CN102517561B. Автор: 萧满超,雷新建,T·R·加夫尼,H·R·博文,H·思里丹达姆. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2014-11-05.

Cyclic chemical vapor deposition of metal-silicon containing films

Номер патента: KR100975687B1. Автор: 만차오 지아오,토마스 리챠드 가프네이,진지안 레이,하레시 쓰리단담,헤터 레지나 보웬. Владелец: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드. Дата публикации: 2010-08-12.

Polycarbosilazane, and composition comprising the same, and method for producing silicon-containing film using the same

Номер патента: US20230303775A1. Автор: Tetsuo Okayasu,Toshiya Okamura,Thorsten vom Stein,Katsuchika Suzuki. Владелец: Merck Electronics KGaA. Дата публикации: 2023-09-28.

Composition for forming silicon-containing film, silicon-containing film-formed substrate and patterning process

Номер патента: TW201030096A. Автор: Tsutomu Ogihara,Takafumi Ueda,Toshiharu Yano. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2010-08-16.

SPUTTERING TARGET MATERIAL, SILICON-CONTAINING FILM FORMING METHOD, AND PHOTOMASK BLANK

Номер патента: US20140110256A1. Автор: YOSHIKAWA Hiroki,Kaneko Hideo,INAZUKI Yukio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

HALIDOSILANE COMPOUNDS AND COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR DEPOSITING SILICON-CONTAINING FILMS USING SAME

Номер патента: US20200032389A1. Автор: Lei Xinjian,Li Jianheng,Lehmann John Francis,Cooper Alan Charles. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-CONTAINING FILM

Номер патента: US20140154415A1. Автор: Nasuno Yoshiyuki,TOMYO Atsushi. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-06-05.

AMINO(BROMO)SILANE PRECURSORS FOR ALD/CVD SILICON-CONTAINING FILM APPLICATIONS AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20160108064A1. Автор: Girard Jean-Marc,Pallem Venkateswara R.,Blasco Nicolas,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

PATTERN-FORMING METHOD, AND SILICON-CONTAINING FILM-FORMING COMPOSITION

Номер патента: US20200117091A1. Автор: SEKO Tomoaki,SAKAI Tetsuya,SATOU Nozomi,TAJI Tomoya. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2020-04-16.

HEXACOORDINATE SILICON-CONTAINING PRECURSORS FOR ALD/CVD SILICON-CONTAINING FILM APPLICATIONS

Номер патента: US20160152640A1. Автор: Dussarrat Christian,Pallem Venkateswara R.,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

ORGANOSILANE PRECURSORS FOR ALD/CVD SILICON-CONTAINING FILM APPLICATIONS

Номер патента: US20150166576A1. Автор: Dussarrat Christian,Pallem Venkateswara R.,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

CUREABLE FORMULATIONS FOR FORMING LOW-k DIELECTRIC SILICON-CONTAINING FILMS USING POLYCARBOSILAZANE

Номер патента: US20210198429A1. Автор: Zhang Peng,Girard Jean-Marc,Liu Yumin,ITOV Gennadiy,Marchegiani Fabrizio,QIN Fan,LARRABEE Thomas J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR DEPOSITING CARBON-DOPED SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20140287164A1. Автор: Karwacki,JR. Eugene Joseph,Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,"ONeill Mark Leonard",Han Bing,Chandra Haripin. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

THERMOSETTING SILICON-CONTAINING COMPOUND, COMPOSITION FOR FORMING A SILICON-CONTAINING FILM, AND PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20200216670A1. Автор: Tachibana Seiichiro,OGIHARA Tsutomu,YANO Toshiharu,MAEDA Kazunori,MITSUI Ryo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-09.

Compositions And Methods Using Same for Silicon Containing Films

Номер патента: US20200247830A1. Автор: Li Ming,Xiao Manchao,Lei Xinjian,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-08-06.

ORGANODISILANE PRECURSORS FOR ALD/CVD SILICON-CONTAINING FILM APPLICATIONS

Номер патента: US20170298510A1. Автор: Pallem Venkateswara R.,HUSSON Guillaume,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN SILICON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20190309417A1. Автор: Ahlf Maraike,Mayr Lukas,Schweinfurth David Dominique,SCHESCHKEWITZ David,LESZCZYNSKA Kinga Izabela. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-10-10.

COMPOSITION FOR SILICON-CONTAINING FILM FORMATION, PATTERN-FORMING METHOD, AND POLYSILOXANE COMPOUND

Номер патента: US20150355546A1. Автор: DEI Satoshi,SUZUKI Junya,SEKO Tomoaki. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2015-12-10.

ORGANOSILANE PRECURSORS FOR ALD/CVD SILICON-CONTAINING FILM APPLICATIONS AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20180355483A1. Автор: Kuchenbeiser Glenn,FAFARD Claudia. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Aminosilane compound, composition for forming a silicon-containing film containing the aminosilane compound

Номер патента: JP6651663B1. Автор: 川上　純一,元輝 平,純一 川上. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-19.

Organodisilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications

Номер патента: KR102461078B1. Автор: 기욤 허손,글렌 쿠첸베이저,벤카테스웨어 알. 팔렘. Владелец: 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드. Дата публикации: 2022-10-28.

Compositions and methods using same for thermal deposition silicon-containing films

Номер патента: TW202043542A. Автор: 新建 雷,哈里賓 錢德拉. Владелец: 美商慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2020-12-01.

Organoamino-functional cyclic oligosiloxanes for depositing silicon-containing films

Номер патента: CN115443347A. Автор: M·R·麦克唐纳,J·J·莱曼. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-12-06.

Process for the generation of thin silicon-containing films

Номер патента: WO2018108628A1. Автор: Sabine Weiguny,David Dominique Schweinfurth,Kerstin Schierle-Arndt,Maraike Ahlf,Torben ADERMANN,Daniel Loeffler,Kinga Izabela LESZCZYNSKA,David Scheschkewitz. Владелец: UNIVERSITAET DES SAARLANDES. Дата публикации: 2018-06-21.

Patterning process and composition for forming silicon-containing film usable therefor

Номер патента: US8835102B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Takafumi Ueda,Toshiharu Yano. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

A method of depositing a silicon-containing film on the surface of a metal substrate and an anti-corrosion treatment process

Номер патента: FR2692598A1. Автор: Slootman Frank,Bouard Pascal. Владелец: Air Liquide SA. Дата публикации: 1993-12-24.

Aminosilane compound, silicon-containing film forming composition containing the same

Номер патента: TWI789503B. Автор: 川上純一,平元輝. Владелец: 日商住友精化股份有限公司. Дата публикации: 2023-01-11.

Methods to prepare silicon-containing films

Номер патента: EP2363512A1. Автор: Liu Yang,Bing Han,Manchao Xiao,Kirk S. Cuthill,Mark L. O'Neill. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2011-09-07.

Compositions and methods using same for thermal deposition silicon-containing films

Номер патента: TWI792947B. Автор: 新建 雷,哈里賓 錢德拉. Владелец: 美商慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

Dislanyl amine compounds, preparation method, and the silicon-containing film deposition composition including it

Номер патента: CN110536893A. Автор: 李相益,金铭云,张世珍,杨炳日,金成基,李相道,朴重进,朴廷主,李三东,朴建柱. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

Cureable formulations for forming low-k dielectric silicon-containing films using polycarbosilazane

Номер патента: US11499014B2. Автор: Jean-Marc Girard,Peng Zhang,Yumin Liu,Fabrizio MARCHEGIANI,Gennadiy Itov,Fan QIN,Thomas J. LARRABEE. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Curable formulations for forming low-k dielectric silicon-containing films using polycarbosilazanes

Номер патента: JP2023508367A. Автор: チン、ファン,イトフ、ジェナディ,リウ、ユイミン,ジラール、ジャン－マルク,チャン、ポン,マルケジャーニ、ファブリツィオ,ララビー、トーマス、ジェイ．. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-03-02.

Method and apparatus for forming silicon containing films

Номер патента: WO2003060184A3. Автор: Lee Luo,Paul Meissner,Shulin Wang,Ramaseshan Suryanarayanan Iyer,Aihau Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Process for the generation of thin silicon-containing films

Номер патента: WO2018077684A1. Автор: David Dominique Schweinfurth,Lukas Mayr,Maraike Ahlf,Kinga Izabela LESZCZYNSKA,David Scheschkewitz. Владелец: UNIVERSITAET DES SAARLANDES. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for depositing silicon-containing films

Номер патента: TW200715376A. Автор: Helmuth Treichel,Yoshikazu Okuyama,Jon S Owyang. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2007-04-16.

Polycarbosilazane, and composition comprising the same, and method for producing silicon-containing film using the same

Номер патента: TW202225281A. Автор: 鈴木勝力,岡村聰也,岡安哲雄,托斯坦 方姆史坦. Владелец: 德商默克專利有限公司. Дата публикации: 2022-07-01.

Compositions and methods using same for silicon containing films

Номер патента: SG11202108234QA. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Manchao Xiao,Meiliang WANG,Matthew R Macdonald. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-08-30.

Curable formulations for forming low-k dielectric silicon-containing films using polycarbosilazane

Номер патента: EP4085091A4. Автор: Jean-Marc Girard,Peng Zhang,Yumin Liu,Fabrizio MARCHEGIANI,Gennadiy Itov,Fan QIN,Thomas J Larrabee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-01-24.

Polycarbosilazane, and composition comprising the same, and method for producing silicon-containing film using the same

Номер патента: EP4146725B1. Автор: Tetsuo Okayasu,Toshiya Okamura,Thorsten vom Stein. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-22.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Multicomponent feed apparatus with preheater and mixer for a high temperature chemical reactor

Номер патента: WO1998030500A1. Автор: Michael J. Stephenson,Paul A. Haas,David A. Everitt. Владелец: Molten Metal Technology, Inc.. Дата публикации: 1998-07-16.

High-temperature thermochemical energy storage materials using doped magnesium-transition metal spinel oxides

Номер патента: US20240263063A1. Автор: Daniel Rivera,Christopher Muhich,Jayni Hashimoto,Harsheen Rajput. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-08-08.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Anti-static spacer for high temperature curing process of flexible printed circuit board

Номер патента: EP1839467A4. Автор: Tae Young Kim,Jong Eun Kim,Kwang Suck Suh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-29.

Anti-static spacer for high temperature curing process of flexible printed circuit board

Номер патента: WO2006073295A1. Автор: Tae Young Kim,Jong Eun Kim,Kwang Suck Suh. Владелец: Kwang Suck Suh. Дата публикации: 2006-07-13.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Asymmetric bending moment sensor for high-temperature vortex flow meters

Номер патента: RU2688876C2. Автор: Михаил Валерьевич Богуш,Геннадий Владимирович Булдаков,Эдуард Михайлович Пикалев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Пьезоэлектрик". Дата публикации: 2019-05-22.

Special pattern of paths diagram of the heater that covers a thin heating plate for high temperature uniformity

Номер патента: RU2658622C1. Автор: Нури Гокхан КОРКУСУЗ,БОЯДЖЫ Бирдже ГУЛЕДЖ. Владелец: Аселсан Электроник Санайи Ве Тиджарет Аноним Ширкети. Дата публикации: 2018-06-22.

Device for evaluating performance of superconductive coil for high-temperature superconductive rotary machine and method for evaluating performance of superconductive coil thereby

Номер патента: US20200081053A1. Автор: Ho-Min Kim,Ji-Hyung Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Jeju National University. Дата публикации: 2020-03-12.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Nickel-based alloy with high melting range suitable for brazing super austenitic steel

Номер патента: RU2716966C2. Автор: Ульрика ПЕРССОН,Ове МОРС. Владелец: Хеганес Аб (Пабл). Дата публикации: 2020-03-17.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Deposition of ultra-thin functional coatings on flexible materials

Номер патента: EP4437159A1. Автор: Chee Hau TEOH,Jhi Yong LOKE,Kevin Musselman. Владелец: Nfinite Nanotechnology Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Deposition of ultra-thin functional coatings on flexible materials

Номер патента: CA3239134A1. Автор: Chee Hau TEOH,Jhi Yong LOKE,Kevin Musselman. Владелец: Nfinite Nanotechnology Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Nickel-based alloy composition for high thermal resistance elements, in particular for hot deformation process tools and for high temperature working

Номер патента: EP1339886A1. Автор: Pietro Centro Sviluppo Materiali S.p.A. GIMONDO,Andrea Centro Sviluppo Materiali S.p.A. CAROSI. Владелец: Centro Sviluppo Materiali SpA. Дата публикации: 2003-09-03.

Nickel-based alloy composition for high thermal resistance elements, in particular for hot deformation process tools and for high temperature working

Номер патента: EP1339886B1. Автор: Pietro Centro Sviluppo Materiali S.p.A. GIMONDO,Andrea Centro Sviluppo Materiali S.p.A. CAROSI. Владелец: Centro Sviluppo Materiali SpA. Дата публикации: 2004-06-30.

Nickel-based alloy composition for high thermal resistance elements, in particular for hot deformation process tools and for high temperature working

Номер патента: AU2002217436A1. Автор: Pietro Gimondo,Andrea Carosi. Владелец: Centro Sviluppo Materiali SpA. Дата публикации: 2002-06-18.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

High-temperature device for removal and filtration of dust, high-temperature system for removal and filtration of dust and method for continuous removal and filtration of dust

Номер патента: RU2707026C1. Автор: Шучэн Чжу. Владелец: Хэнань Дрэгон Инто Коул Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-21.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

A hybrid multilayer solar selective coating for high temperature solar thermal applications and a process for the preparation thereof

Номер патента: EP2954265A1. Автор: Harish Barshilia CHANDRA,Jyothi Bharathibai BASU,Lakshmi Ramachandrappa VARA. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2015-12-16.

Method for vapour deposition of a film onto a substrate

Номер патента: EP1299572A2. Автор: Margreet Albertine Anne-Marie Van Wijck. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-04-09.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing details of high-temperature tantalum carbide heater for vacuum resistance electrical furnace

Номер патента: RU2677824C2. Автор: Олег Борисович Минков,Андрей Васильевич Свиридов,Николай Тимофеевич Комков,Надежда Александровна Минаева,Антон Олегович Минков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ ВакЭТО" (ООО НПП ВакЭТО). Дата публикации: 2019-01-21.

High Damage Threshold and Highly Reliable Broad-band Mid-IR Coatings for High Power Fluoride Fiber Laser

Номер патента: US20230287557A1. Автор: Wei Lu,Feng Niu,Yimin Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

High damage threshold and highly reliable broad-band mid-IR coatings for high power fluoride fiber laser

Номер патента: US11959164B2. Автор: Wei Lu,Feng Niu,Yimin Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-16.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Grouting polymer composition for high temperatures

Номер патента: RU2754527C1. Автор: Андрей Николаевич Утробин,Ильдар Робертович Арсланов,Алсу Венеровна Фахреева,Ольга Владимировна Балакирева,Наталья Анатольевна Сергеева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Уфимский научно-технический центр" (ООО "Уфимский НТЦ"). Дата публикации: 2021-09-03.

Aluminium sheet for high temperature soldering with high strength and excellent corrosion characteristics

Номер патента: RU2553133C2. Автор: Линда АХЛЬ,Стефан НОРГРЕН. Владелец: Сапа Хит Трансфер Аб. Дата публикации: 2015-06-10.

Deformed high-entropy alloy for high-temperature applications

Номер патента: RU2696799C1. Автор: Геннадий Алексеевич Салищев,Сергей Валерьевич Жеребцов,Никита Дмитриевич Степанов,Никита Юрьевич Юрченко,Евгения Сергеевна Панина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2019-08-06.

Enhanced deposition of layer on substrate using radicals

Номер патента: WO2012112795A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

High-melting-point conductive oxide, method of manufacturing the same, and high-temperature electrically conductive material based on the oxide

Номер патента: US20010050355A1. Автор: Shinichi Ikeda,Hiroshi Bando,Naoki Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Steel for high-temperature carburized gear shaft and manufacturing method for steel

Номер патента: US20240360538A1. Автор: Sixin Zhao,Zongze Huang,Jiaqiang GAO. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Mixture for high-temperature finishing concrete with glass coating

Номер патента: RU2394797C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2010-07-20.

New concept of high-temperature soldering

Номер патента: RU2585886C2. Автор: Пер ШЁДИН,Кристиан ВАЛЬТЕР. Владелец: Альфа Лаваль Корпорейт Аб. Дата публикации: 2016-06-10.

Chromium(iii) silicate catalysts suitable for pe synthesis

Номер патента: EP3022232A1. Автор: Christophe Coperet,Matthew Conley,Murielle Delley. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2016-05-25.

Process for deposition of an outer layer, reflective optical element for the euv wavelength range and euv lithography system

Номер патента: US20240111216A1. Автор: Stefan Schmidt,Dirk Ehm,Fred Roozeboom,Alfredo Mameli. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-04-04.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

600 c/1 gpa high-temperature ultra-high strength ti alloy and preparation method therefor

Номер патента: US20240052459A1. Автор: Qing Wang,Shuang Zhang,Xiaona Li,Zhihao ZHU,Chuang DONG. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-02-15.

Stability of refractory materials in high temperature steam

Номер патента: US11753717B2. Автор: Alan W. Weimer,Amanda HOSKINS,Charles Musgrove. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2023-09-12.

Stability of refractory materials in high temperature steam

Номер патента: US20240043996A1. Автор: Alan W. Weimer,Amanda HOSKINS,Charles Musgrave. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-02-08.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Hot-rolled steel plate for low-cost high temperature enameling, and manufacturing method theefor

Номер патента: US20240309481A1. Автор: Shuangcheng WANG,Quanshe SUN. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Key material for high-temperature applications

Номер патента: RU2663146C1. Автор: Дмитрий Николаевич Борисенко,Сергей Константинович Брантов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2018-08-01.

Process for high temperature removal of trace chloride contaminants in catalytic dehydrogenation process

Номер патента: RU2666365C2. Автор: Чарльз П. ЛЮБКЕ,Джаянт К. ГОРАВАРА,Владислав И. КАНАЗИРЕВ. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2018-09-07.

Deposition of beta-gallium oxide thin films

Номер патента: US20220325409A1. Автор: Elham RAFIE BORUJENY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Corrosion-resistant structure for high-temperature water system and corrosion-preventing method thereof

Номер патента: US09969889B2. Автор: Seiji Yamamoto,Kenji Yamazaki,Koji Negishi,Osamu Shibasaki,Masato Okamura,Hajime Hirasawa,Tetsuji Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Steel for high-strength parts from strips, plates or pipes with excellent deformability, which is especially useful for methods of high-temperature application of coatings

Номер патента: RU2472868C2. Автор: Йоахим ШЁТТЛЕР,Фолькер ФЛАКСА. Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх. Дата публикации: 2013-01-20.

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for high-temperature distillation of residual oil in a limited time

Номер патента: AU2003250003A1. Автор: Helmut Heurich,Udo Zentner,Hans-Jurgen Weiss. Владелец: LURGI GMBH. Дата публикации: 2004-07-14.

Method for high-temperature distillation of residual oil in a limited time

Номер патента: US20060138030A1. Автор: Helmut Heurich,Udo Zentner,Hans-Jurgen Weiss. Владелец: Lurgi Lentjes AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for high-temperature distillation of residual oil in a limited time

Номер патента: AU2003250003B2. Автор: Helmut Heurich,Udo Zentner,Hans-Jurgen Weiss. Владелец: Lurgi Lentjes AG. Дата публикации: 2006-12-21.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Refractory monitoring system for high-voltage and high-temperature environment applications

Номер патента: WO2024158427A1. Автор: Yakup Bayram,Alexander RUEGE,John DONAHOO. Владелец: PANERATECH, INC.. Дата публикации: 2024-08-02.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Iron Material For High-Temperature-Resistant Bearing Bushings, Bearing Bushing Made Of Said Material, And Turbocharger Having Such A Bearing Bushing

Номер патента: US20190218935A1. Автор: Martin Thomas,Alexander Waas,Guenter Muench. Владелец: CPT Group GmbH. Дата публикации: 2019-07-18.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Conformal deposition for high voltage isolation

Номер патента: US20230160927A1. Автор: Tim VANGERVEN,Brecht Put. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2023-05-25.

Explosive composition for high temperature applications

Номер патента: US4076563A. Автор: Peter D. Zavitsanos,Martin M. West,William G. Browne. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1978-02-28.

Weld metal excellent in low temperature toughness and SR cracking resistance used for high-strength Cr-Mo steel

Номер патента: US20060179974A1. Автор: Hitoshi Hatano,Ken Yamashita. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Spiral wound membrane element for high temperature filtration

Номер патента: US20230191333A1. Автор: David Olson,Hua Wang,Paul Michael Smigelski, Jr.,David Moore,Rachel GETTINGS,Deborah De La Cruz,Jack HOWSON,Joel CARAHER. Владелец: Bl Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

USE OF SILICON-CONTAINING PARTICLES FOR PROTECTION FROM UV RADIATION, PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF AND FORMULATIONS COMPRISING THEM

Номер патента: US20160151254A1. Автор: Lang Juergen Erwin,Kroell Michael,UEHLENBRUCK Goswin. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2016-06-02.

Regenerative Adsorption Process for Removal of Silicon-Containing Contaminants from Process Gas Using a Neutral Adsorbent Media

Номер патента: US20140366726A1. Автор: Ballantyne Wayne,Mitariten Michael J.,Brown Roy,Rossin Joseph,Knapke Michael. Владелец: Guild Associates, Inc.. Дата публикации: 2014-12-18.

The graft copolymer adhesive of a kind of silicone-containing group and its application and the secondary cell based on it

Номер патента: CN109950542A. Автор: 张莉,宋江选. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2019-06-28.

High temperature well packer

Номер патента: CA1237657A. Автор: Phillip H. Manderscheid. Владелец: Hughes Tool Co. Дата публикации: 1988-06-07.

Carbon dioxide adsorbents containing magnesium oxide suitable for use at high temperatures

Номер патента: CA2315831C. Автор: Scott Jeffrey Weigel,Jeffrey Richard Brzozowski,Thomas Richard Gaffney,Steven Gerard Mayorga. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Silicon-Containing Film Forming Compsition, Silicon-Containing Film Serving as Etching Mask, Substrate Processing Intermediate, and Substrate Processing Method

Номер патента: KR101134190B1. Автор: 즈또무 오기하라,다께시 아사노,모또아끼 이와부찌,다까후미 우에다. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-04-09.

Carbon dioxide adsorbents containing magnesium oxide suitable for use at high temperatures

Номер патента: SG109955A1. Автор: Gerard Mayorga Steven,Richard Gaffney Thomas,Richard Brzozowski Jeffrey,Jeffrey Weigel Scott. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2005-04-28.

Well-completion wellbore simulation experimental device and method suitable for deep well high-temperature fluid slug

Номер патента: CN105464645A. Автор: 徐小峰,李皋,李永杰,徐吉,孟英峰,魏纳. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-06.

Modified mechanical structure logging instrument suitable for detection of high-temperature high-pressure slim-hole oil and gas wells

Номер патента: CN104420863A. Автор: 于昊,谢昱北,袁彩华. Владелец: CNPC Great Wall Drilling Co. Дата публикации: 2015-03-18.

Starter feed suitable for lambs in high-temperature high-humidity areas

Номер патента: CN104642801A. Автор: 马涛,柴建民,屠焰,刁其玉,张乃锋. Владелец: Feed Research Institute of Chinese Academy of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2015-05-27.

Carbon dioxide adsorbents containing magnesium oxide suitable for use at high temperatures

Номер патента: CA2315831A1. Автор: Scott Jeffrey Weigel,Jeffrey Richard Brzozowski,Thomas Richard Gaffney,Steven Gerard Mayorga. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2001-02-06.

PATTERNING PROCESS AND COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM USABLE THEREFOR

Номер патента: US20140342289A1. Автор: OGIHARA Tsutomu,UEDA Takafumi,YANO Toshiharu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

Coated-type silicon-containing film stripping process

Номер патента: EP2196858B1. Автор: Tsutomu Ogihara,Takafumi Ueda,Toshiharu Yano,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Coated-type silicon-containing film stripping process

Номер патента: TW201035701A. Автор: Tsutomu Ogihara,Takafumi Ueda,Toshiharu Yano,Shozo Shirai. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2010-10-01.

Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition

Номер патента: US20040261850A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Lipid-based food filling suitable for high-temperature, high-pressure cooking co-extrusion

Номер патента: WO2021007050A1. Автор: Joshua Smith,Yeong-Ching Albert Hong,Liyi Yang,Asya BAKHTINA,Michelle BEAVER,Kelly CHRISTIANSEN. Владелец: Intercontinental Great Brands LLC. Дата публикации: 2021-01-14.

Cross dual tensile comprehensive test platform and method suitable for high-temperature conditions

Номер патента: NL2026662A. Автор: Chen Liang. Владелец: Univ Shandong. Дата публикации: 2021-06-07.

Device for measuring the temperature of high-temperature gas flows

Номер патента: RU209848U1. Автор: Станислав Мечиславович Пиотух,Ирина Сергеевна Козлякова. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Одк-Сатурн". Дата публикации: 2022-03-23.

High-temperature fan air heater, capable of accumulating energy and generating heat

Номер патента: RU2723539C1. Автор: Цзюньхао ЛИНЬ. Владелец: Яньтай Тун Тянь Да Фань Мэньюфэкчуринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-06-15.

Method and unit for high-temperature gas mixture separation

Номер патента: RU2642559C2. Автор: . Владелец: Благодаров Юрий Петрович. Дата публикации: 2018-01-25.

Burner device for high-temperature air combustion

Номер патента: US09869468B2. Автор: Masato Tamura,Takahiro Kozaki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Heat hydro insulation pipeline products for high-temperature thermal networks, heat and technological pipelines and the method of its manufacture

Номер патента: RU2669218C1. Автор: . Владелец: Закрытое акционерное общество "ПЕТЕРПАЙП". Дата публикации: 2018-10-09.

Apparatus for high-temperature mechanical tests of cylindrical objects

Номер патента: RU2582270C1. Автор: Виктор Владимирович Байрак,Нина Николаевна Скобелева,Алексей Владимирович Колосветов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2016-04-20.

Electrical connectivity to high temperature film sensor devices

Номер патента: EP4375632A1. Автор: Otto Gregory,Paul F. Croteau,Kevin RIVERA,Andrew A. Consiglio. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Maintenance management device and method for high-temperature furnace equipment

Номер патента: US20170284740A1. Автор: Shigeki Ishii,Satoshi Kadoya,Katsumi Morikawa,Yuichi Kumazawa. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Device for high-temperature surfaces thermal and noise shielding

Номер патента: RU2650009C1. Автор: Александр Петрович Старостин,Ирина Евгеньевна Карпова,Юрий Михайлович Патраков,Александр Юрьевич Андреев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр". Дата публикации: 2018-04-06.

Method of high-temperature soldering of metal substrate surface

Номер патента: RU2568545C2. Автор: Себастьян ПИГЕРТ,Инго РАЙНКЕНСМАЙЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-11-20.

Non-invasive process fluid temperature indication for high temperature applications

Номер патента: EP3857192A1. Автор: Jason H. Rud. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2021-08-04.

Non-invasive process fluid temperature indication for high temperature applications

Номер патента: WO2020068551A1. Автор: Jason H. Rud. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Method and device for high-temperature combustion using fuel and aqueous solution of organic compound

Номер патента: US20120308941A1. Автор: Yukio Ishii,Kazutoshi Mitake,Saburo Ishiguro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Material for high-temperature electrochemical equipment and process of its production

Номер патента: RU2050642C1. Автор: . Владелец: Груздев Александр Иванович. Дата публикации: 1995-12-20.

Silica-alumina filter for high-temperature chemical adsorption of caesium isotope vapours

Номер патента: RU2498430C2. Автор: Павел Владимирович Сизов,Сергей Васильевич Баранов,Альберт Семенович Алой,Александр Васильевич Стрельников,Вячеслав Ильич Соколов,Александр Дмитриевич Максименко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2013-11-10.

Industrial 3d printer for high temperature printing

Номер патента: RU2770997C1. Автор: Артем Александрович Соломников,Дмитрий Евгеньевич Марченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компания ИМПРИНТА". Дата публикации: 2022-04-25.

Pass-through furnace for high-temperature treatment of carbon-fiber materials with induction heating of working zone

Номер патента: RU2710176C1. Автор: Владимир Михайлович Луганцев. Владелец: Акционерное Общество "НПК "Химпроминжиниринг". Дата публикации: 2019-12-24.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Temperature sensor for high temperature

Номер патента: US09927303B2. Автор: Takashi Mihara,Mitsuaki Mochizuki. Владелец: Okazaki Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Method for emergency cooling and shutdown of a high-temperature gas-cooled nuclear reactor of a space unit and apparatus for implementation thereof (variants)

Номер патента: RU2771224C1. Автор: Владимир Владимирович Кудинов,Михаил Александрович Петрушин. Владелец: Акционерное Общество "Ордена Ленина Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Энерготехники Имени Н.А. Доллежаля". Дата публикации: 2022-04-28.

Soft graphite seal in metal envelope for high temperatures

Номер патента: RU2314447C2. Автор: Филипп КАПЛЭН,Мишель ЛЕФРАНСУА,Кристиан РУО,ГАЛЛО Патрик ЛЕ,ГИАДЕК Фабьенн ЛЕ,Жан-Мари ЖАНЦБИТТЕЛЬ,Ришар ЛЕВОЙ. Владелец: Гарлок Франс Сас. Дата публикации: 2008-01-10.

Composite dynamic valve seal assembly for high temperature control valves

Номер патента: RU2664052C2. Автор: Тед Деннис ГРАБО. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2018-08-14.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Multistage parallel cooling device for high-temperature calcined cokes in a retort calciner

Номер патента: LU501498B1. Автор: Jian Meng,Bin Zheng,Peng Sun,Chengyu Li,Xiangjun Dai,Yuanjin Dong,Youtang Wang,Xiangjin Kong,Chenglu Qi. Владелец: Univ Shandong Technology. Дата публикации: 2022-08-16.

Rock Damage mechanics test system for high temperature and high pressure deep earth environment

Номер патента: US20190331569A1. Автор: LU Wang,Fei Wu,Jianfeng Liu,Zhide WU,Heping XIE,Jianliang PEI,Huining XU,Wenxi FU,Jianhui Deng. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2019-10-31.

Performance-based multi-mode task dispatching in a multi-processor core system for high temperature avoidance

Номер патента: US20180107512A1. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Trung N. NGUYEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Piston with keystone second ring groove for high temperature internal combustion engines

Номер патента: WO2015179278A1. Автор: Norbert G. SCHNEIDER. Владелец: FEDERAL-MOGUL CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

Piston with keystone second ring groove for high temperature internal combustion engines

Номер патента: EP3146188A1. Автор: Norbert G. SCHNEIDER. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2017-03-29.

Non-slip mat for high temperature early warning

Номер патента: LU100013B1. Автор: Guihua Lin. Владелец: Nanan Datai Bathrooms Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-07.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Electronic circuitry for high-temperature environments

Номер патента: EP2867636A1. Автор: Jie Yang,David J. Mitchell,Cora Schillig,John R. Fraley,Bryon Western,Roberto Marcelo SCHUPPACH. Владелец: Arkansas Power Electronics International Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Electronic circuitry for high-temperature environments

Номер патента: WO2014004055A1. Автор: Jie Yang,David J. Mitchell,Cora Schillig,John R. Fraley,Bryon Western,Roberto Marcelo Schupbach. Владелец: Arkansas Power Electronics International, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Nox removal catalyst for high-temperature flue gas, manufacturing method thereof, and nox removal method for high-temperature flue gas

Номер патента: CA2729953C. Автор: Katsumi Nochi,Masanao Yonemura,Toshinobu Yasutake. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2015-02-17.

Method for development of high deposits of high viscosity oil with water consistent zones

Номер патента: RU2663521C1. Автор: Марат Инкилапович Амерханов,Антон Николаевич Береговой,Фаниль Муктасимович Ахметзянов,Наиль Мунирович Ахметшин,Роберт Рафаэлович Ахмадуллин. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2018-08-07.

Shaft-Seal Device for High-Temperature Fluid

Номер патента: US20120326394A1. Автор: TAO Hu,Taiji Hashimoto,Masanobu Ninomiya,Eiji Okumachi. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for high throughput screening of antioxidants at near ambient temperatures

Номер патента: US20050239208A1. Автор: Clifford Adams,Tom Verleyen,Stefaan Dyck,Waut Dooghe. Владелец: Kemin Industries Inc. Дата публикации: 2005-10-27.

Automatic leveling type maintenance platform for high-temperature gas cooled reactor

Номер патента: US20240355494A1. Автор: Ying Luo,Yiwei Jiang,Shuhua Chen,Hua Du,Hongxing Yu,Dapeng Yan,Hang PENG,Dailin DONG. Владелец: Nuclear Power Institute of China. Дата публикации: 2024-10-24.

Bottom cylinder for high-temperature and high-pressure environment simulator

Номер патента: US12085100B2. Автор: Li Ren,Kun Xiao,Zhilong Zhang,Ru Zhang,Zetian Zhang,Chendi LOU,Anlin Zhang,Qijun HAO,Lanbin ZHANG. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2024-09-10.

Strip high-temperature superconductors

Номер патента: RU2518505C1. Автор: Валерий Андреевич Дробышев,Виктор Иванович Панцырный,Наталья Евгеньевна Хлебова,Сергей Владимирович Судьев,Николай Серафимович Грязнов,Николай Анатольевич Беляков,Сергей Геннадиевич Сергеев,Ольга Дмитриевна Кукина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "НАНОЭЛЕКТРО". Дата публикации: 2014-06-10.

Metal seat for high-temperature liquid valves

Номер патента: RU2499173C2. Автор: Вальтер РИККАРДИ. Владелец: Тайко Вэлвз Энд Контроулз Италия С.Р.Л.. Дата публикации: 2013-11-20.

Processing method of silicon-containing alloys of platinum and noble metals

Номер патента: RU2385960C1. Автор: Анатолий Прокопьевич Коробейников,Александр Николаевич Филин,Денис Анатольевич Коробейников,Анатолий Прокопьевич Коробейников (RU),Александр Николаевич Филин (RU),Денис Анатольевич Коробейников (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2010-04-10.

Method of obtaining material for high-temperature erosion-resistant protective coating

Номер патента: RU2522552C2. Автор: Алексей Николаевич Астапов,Валентина Сергеевна Терентьева,Анна Ивановна Еремина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)"(МАИ). Дата публикации: 2014-07-20.

COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS SUCH AS FILMS INCLUDING SILICON, SILICON NITRIDE, SILICON DIOXIDE AND/OR SILICON-OXYNITRIDE

Номер патента: US20120178267A1. Автор: . Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

MONOSILANE OR DISILANE DERIVATIVES AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS USING THE SAME

Номер патента: US20120156894A1. Автор: Xu Chongying,Baum Thomas H.,Wang Ziyun. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon- Containing Films

Номер патента: US20120171874A1. Автор: . Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2012-07-05.

REMOTE HYDROGEN PLASMA SOURCE OF SILICON CONTAINING FILM DEPOSITION

Номер патента: US20120171852A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

The formation method of silicon-containing film and the method that reduces granule amount

Номер патента: CN100567565C. Автор: 刘哲宏,林俊安,庄慧伶,郑博伦. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-12-09.

High-temperature steel

Номер патента: RU2139951C1. Автор: В.И. Бабаев,В.Н. Колганов,В.А. Коровин,Р.Н. Палавин,А.А. Колпаков,М.Ш. Рошкован. Владелец: Открытое акционерное общество "ГАЗ". Дата публикации: 1999-10-20.

METHOD FOR PRODUCING MULTI-LAYERED BUILDING MATERIAL BASED ON HIGH-CONCENTRATED SUSPENSION OF SILICON-CONTAINING RAW MATERIALS (OPTIONS), METHOD FOR PRODUCING FORMED MIXING FOR SMALL INEFULOUS SILICOUS SILICO

Номер патента: RU2006122044A. Автор: Алла Васильевна Череватова,Николай Афанасьевич Шаповалов,Эльвира Олеговна Гащенко,Алла Васильевна Череватова (RU),Николай Афанасьевич Шаповалов (RU),Эльвира Олеговна Гащенко (RU). Владелец: Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова) (RU). Дата публикации: 2008-01-10.

Silicon-containing polyimide coating adhesive with high adhesion and preparation method of silicon-containing polyimide coating adhesive

Номер патента: CN104194618A. Автор: 徐勇,张晶晶,杨艳,李宣,曾皓,李林霜,薛绘. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2014-12-10.

Procedure for production of silicon containing element for preparation of silicon containing alloys

Номер патента: RU2393259C1. Автор: Александр Александрович Кузнецов,Михаил Дмитриевич Николаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Торговый дом "Байкальский алюминий" (ООО Тд "Байкальский алюминий"). Дата публикации: 2010-06-27.

Processes for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB202406457D0. Автор: . Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

PRocess for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB202218883D0. Автор: . Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Continuous process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB202205892D0. Автор: . Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2022-06-08.

Process forthe arylation of silicon-containing aromatic compounds

Номер патента: AU2315262A. Автор: BRYSON McCALL and BRIAN BEARD MILLWARD ERNEST. Владелец: Monsanto Chemicals Ltd. Дата публикации: 1964-04-16.

Halogenation of silicon-containing materials

Номер патента: AU253332B2. Автор: Arkless and Colin Francis Cole Kenneth. Владелец: British Titan Products Co Ltd. Дата публикации: 1963-06-27.

Coloring by use of silicon-containing azo complex dye

Номер патента: JPS56125456A. Автор: Ichiro Kijima,Takahisa Misonoo,Yoshikami Abe. Владелец: Nippon Kayaku Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-01.

Halogenation of silicon-containing materials

Номер патента: CA665688A. Автор: Arkless Kenneth,F. Cole Colin. Владелец: British Titan Products Co Ltd. Дата публикации: 1963-06-25.

Halogenation of silicon-containing materials

Номер патента: AU1267961A. Автор: Arkless and Colin Francis Cole Kenneth. Владелец: British Titan Products Co Ltd. Дата публикации: 1963-06-27.

Process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB202411355D0. Автор: . Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for Attachment of Silicon-Containing Compounds to a Surface and for Synthesis of Hypervalent Silicon-Compounds

Номер патента: US20120128930A1. Автор: Owens Jeffery R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD FOR PRODUCING CHLOROSILANES, METHOD FOR CHLORINATION OF SILICON CONTAINING SILICON DIOXIDE, AND METHOD FOR CONVERSION OF TETRACHLOROSILANE TO TRICHLOROSILAN

Номер патента: RU2008107222A. Автор: Александр Владимирович Щепелев,Александр Владимирович Щепелев (RU). Владелец: Александр Владимирович Щепелев (RU). Дата публикации: 2009-09-10.

LOW TEMPERATURE ETCHANT FOR TREATMENT OF SILICON-CONTAINING SURFACES

Номер патента: US20120070961A1. Автор: . Владелец: Applied Materials. Дата публикации: 2012-03-22.

USE OF SILICON-CONTAINING POLYMERS TO IMPROVE RED MUD FLOCCULATION IN THE BAYER PROCESS

Номер патента: US20120125862A1. Автор: Dai Qi,Spitzer Donald Paul,Heitner Howard I.,Chen H-L Tony. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of modification of silicon-containing sorbent for removing ammonia from waste water

Номер патента: SU1555292A1. Автор: Евгений Петрович Петряев,Вера Ивановна Власова,Надежда Николаевна Цодова,Наталья Ивановна Островская. Владелец: Белорусский государственный университет им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1990-04-07.

Method for recycling fluorides in preparation process of silicon-containing compound

Номер патента: CN103738968A. Автор: 刘瑞,李丹阳,章林,杨先金,龚亚云,林乐洪. Владелец: GUIZHOU WANFANG ALUMINUM SCIENCE AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-23.

Production of silicon-containing cast iron

Номер патента: JPS63274710A. Автор: Shigetaka Uchida,Hirohisa Nakajima,Osamu Yamase,Masabumi Ikeda,正文 池田,治 山瀬,内田　繁孝,中島　廣久. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1988-11-11.

Method of preparing a-oxides of silicon-containing olefins

Номер патента: SU596590A1. Автор: Валерий Петрович Юрьев,Ирина Мухаметовна Салимгареева,Игорь Александрович Гайлюнас,Елена Марковна Цырлина,Олег Желялетдинович Жебаров,Рамиль Рашитович Ахметов,Наталья Ивановна Соловьева. Владелец: Институт Химии Башкирского Филиала Ан Ссср. Дата публикации: 1978-03-05.

Production of silicon containing high tensile gulvanized plate

Номер патента: JPS5484821A. Автор: Masashi Hasegawa,Takashi Matsukura,Fumishiro Koubun,Takehiko Itou. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1979-07-06.

A kind of silicon-containing alloy target and preparation method thereof

Номер патента: CN105331939B. Автор: 姚伟,缪磊,郝权,张路长,孙继洲,穆健刚,张凤戈,何向晖. Владелец: Advanced Technology and Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

Desilication method of silicon-containing cryolite

Номер патента: CN103011222A. Автор: 郭慧,罗文斌,刘善军,旷戈,谢文菊,臧运凯. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-03.

Production of silicon-containing polymer

Номер патента: JPH1045857A. Автор: Tadahiro Yoneda,大成 富久,成史 倉本,Shigefumi Kuramoto,忠弘 米田,Taisei Fuku. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

The preparation method of silicon-containing alumina dry glue

Номер патента: CN103769069B. Автор: 刘杰,杨光,孙素华,朱慧红,金浩,刘立军. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2016-12-21.

Production of silicon-containing cast iron

Номер патента: JPS6447805A. Автор: Shigetaka Uchida,Hirohisa Nakajima,Osamu Yamase,Masabumi Ikeda. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1989-02-22.

Preparation method and application of silicon-containing dendritic-linear greasing agent

Номер патента: CN104829842B. Автор: 王海军,张婷,王学川,孙思薇. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-04-19.

Removing method of silicon-containing compound in waste steel pickling liquid

Номер патента: JPS60106580A. Автор: Genji Kosho,古庄　源治. Владелец: KEMIRAITO KOGYO KK. Дата публикации: 1985-06-12.

Prepare the method for the dry glue of silicon-containing alumina

Номер патента: CN103769071B. Автор: 刘杰,杨光,孙素华,朱慧红,金浩,刘立军. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2016-01-06.

The aryl oxide aryne resin of silicon containing aminomethyl phenyl and its composite material, preparation method

Номер патента: CN109851797A. Автор: 李传,袁荞龙,刘晓天,黄发荣,牛奇,唐均坤,骆佳伟. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-07.

Method for detection of silicon-containing biological structures

Номер патента: RU2009490C1. Автор: Е.П. Алешин,Э.Р. Авакян,Н.Е. Алешин,Е.М. Сорочинская,Н.Г. Туманьян. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Риса. Дата публикации: 1994-03-15.

Production of silicon-containing isocyanic acid ester

Номер патента: JPS63250391A. Автор: Koichi Yamaguchi,Yasushi Yamamoto,Toshio Takaai,靖 山本,浩一 山口,鷹合　俊雄. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-18.

Process forthe arylation of silicon-containing aromatic compounds

Номер патента: AU269145B2. Автор: BRYSON McCALL and BRIAN BEARD MILLWARD ERNEST. Владелец: Monsanto Chemicals Ltd. Дата публикации: 1964-04-16.

Production of silicon-containing resins

Номер патента: CA507921A. Автор: H. Bunnell Raymond. Владелец: Allied Chemical and Dye Corp. Дата публикации: 1954-12-07.

Process for the preparation of silicon-containing composite particles

Номер патента: GB202319648D0. Автор: . Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

One kind is suitable for special-shaped high temperature sensor and calibrates constant temperature source

Номер патента: CN207408022U. Автор: 刘浩,张奇,王文革,张俊祺,黄赜,赵化业,崔文德,罗兆明. Владелец: Beijing Aerospace Institute for Metrology and Measurement Technology. Дата публикации: 2018-05-25.

SILICON-CONTAINING FILM-FORMING COMPOSITION, SILICON-CONTAINING FILM-FORMED SUBSTRATE, AND PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20120052685A1. Автор: OGIHARA Tsutomu,Hasegawa Koji,UEDA Takafumi,YANO Toshiharu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Silicon-containing film forming composition for etching mask, silicon-containing film for etching mask, substrate processing intermediate using the same, and processing method of substrate to be processed

Номер патента: JP4780323B2. Автор: 元亮 岩淵,勤 荻原,健 浅野,貴史 上田. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-28.

A kind of turning clamp suitable for large-sized high-temperature alloy circular thin-wall workpiece

Номер патента: CN209190267U. Автор: 黄涛,杨韬,严萍,金源勇,何明杭. Владелец: Guizhou Liyang International Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

Novel insulating paint suitable for anti-shearing high-temperature water resisting polyurethane composite insulating tube

Номер патента: CN103173053A. Автор: 张建兴,郑中胜,张景志,王保文. Владелец: HEBEI HAOTIAN PIPE INDUSTRY Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

SILICON-CONTAINING FILM, RESIN COMPOSITION, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20120129352A1. Автор: . Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2012-05-24.

PATTERNING PROCESS AND COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM USABLE THEREFOR

Номер патента: US20120238095A1. Автор: . Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

METHOD AND APPARATUS FOR REMOTE PLASMA SOURCE ASSISTED SILICON-CONTAINING FILM DEPOSITION

Номер патента: US20130012030A1. Автор: Ponnekanti Hari K.,Lakshmanan Annamalai,Tang Jianshe,Yuan Zheng,CHO Tom K.,Tso Alan,Schmitt Francimar C.,Eberspacher Chris,HO Dustin W.,Shieh Brian Sy-Yuan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Silicon-containing film forming composition and pattern forming method

Номер патента: JP6503630B2. Автор: 真義 石川,博允 田中. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2019-04-24.

Bis(alkylamino)disilazane compound, bis(alkylamino)disilazane compound-containing composition for forming silicon-containing film

Номер патента: WO2020116386A1. Автор: 晃徳 小林,有輝 稲荷森,達徳 山根. Владелец: 住友精化株式会社. Дата публикации: 2020-06-11.

Coating liquid for forming silicon-containing film

Номер патента: JPH1067967A. Автор: Yuji Yoshida,祐司 吉田,Hideaki Nezu,Satoshi Taguchi,敏 田口,秀明 根津. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-10.

Organosilicon compound, solution raw material thereof and method for forming silicon-containing film by using the compound

Номер патента: JP2005170869A. Автор: Atsushi Sai,篤 齋. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Method and apparatus for etching silicon-containing film

Номер патента: JP2010062433A. Автор: 俊介 功刀,Shunsuke Kunugi. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR HIGH EFFICIENCY, LOW POLLUTION FUEL CONVERSION

Номер патента: US20120000403A1. Автор: Taplin,JR. Harry R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

High-temperature carbon-graphite heat-insulating material and production method thereof

Номер патента: RU2398738C1. Автор: Игорь Андреевич Годунов,Виктор Васильевич Авдеев,Сергей Геннадьевич Ионов,Анатолий Николаевич Селезнев,Андрей Трофимович Матвеев,Наталья Евгеньевна Сорокина,Александр Афанасьевич Свиридов. Владелец: Институт новых углеродных материалов и технологий (Закрытое акционерное общество) (ИНУМиТ (ЗАО)). Дата публикации: 2010-09-10.

Permanent magnet with low or no dysprosium for high temperature performance

Номер патента: US20120001711A1. Автор: Tang Wei,McCallum Ralph W.,Anderson Iver E.,Xu Youwen,Kramer Matthew J.,Dennis Kevin W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

A vacuum isothermal forging process and device suitable for high temperature titanium-based materials

Номер патента: ZA202311551B. Автор: Feng Hong,Liu Dong,Zhang Changjiang,Luo Kun,Peng Fan,Liang Xiaojian. Владелец: Univ Taiyuan Technology. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for high ambient temperature cumulative dose measuring in alumina-based solid-state ionising-radiation detectors

Номер патента: RU2346296C1. Автор: Сергей Владимирович Никифоров,Сергей Васильевич Соловьев,Игорь Игориевич Мильман,Евгений Витальевич Моисейкин,Иван Григорьевич Ревков,Евгений Николаевич Литовченко,Игорь Игориевич Мильман (RU),Евгений Витальевич Моисейкин (RU),Сергей Владимирович Никифоров (RU),Иван Григорьевич Ревков (RU),Евгений Николаевич Литовченко (RU),Сергей Васильевич Соловьев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет - УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2009-02-10.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for high-strength austenitic steel processing

Номер патента: RU2451754C1. Автор: Виктор Васильевич Русаненко,Олег Петрович Жуков,Владимир Александрович Углов,Евгений Христофорович Шахпазов,Александр Маркович Глезер,Елена Николаевна Блинова,Алексей Дмитриевич Клиппенштейн. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина" (ФГУП "ЦНИИчермет им. И.П. Бардина"). Дата публикации: 2012-05-27.

Device for high-temperature treatment of carbon materials (electro-calcinator)

Номер патента: RU2396498C1. Автор: Валерий Александрович Лебедев,Юрий Федорович Фролов. Владелец: Юрий Федорович Фролов. Дата публикации: 2010-08-10.

Polymeric composition for highly mineralised water-based weighted drilling fluids

Номер патента: RU2525537C1. Автор: Владимир Николаевич Кошелев,Виктор Николаевич Гнибидин,Борис Александрович Растегаев,Ринат Басырович Гарифуллин,Салык Хаирович Беркутов,Владимир Алексеевич Капитонов,Ольга Владимировна Ножкина. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2014-08-20.

Lock gasket for high pressure and high temperature multiple punch device

Номер патента: RU2557612C1. Автор: Николай Иванович Полушин,Александр Иванович Лаптев,Андрей Анатольевич Поздняков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-07-27.

Method for high-temperature non-catalytic removal of nitrogen oxides from combustion products with multi-zone input of reducing agent

Номер патента: RU2550864C2. Автор: Марина Николаевна Орлова,Екатерина Владимировна Иванова,Александр Максимович Зыков,Илья Шулимович Глейзер,Ольга Николаевна Кулиш,Сергей Александрович Кужеватов,Сергей Николаевич Аничков,Ольга Назаровна Брагина,Сергей Федорович Торхунов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный университет нефти и газа им. И.М. Губкина (РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина). Дата публикации: 2015-05-20.

HIGH TEMPERATURE HEAP BIOLEACHING PROCESS

Номер патента: US20120000318A1. Автор: KOHR William J.,SHRADER Vandy,JOHANSSON Chris. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Wear-resistant alloy for high-temperature applications

Номер патента: RU2479658C2. Автор: Селсу Антониу БАРБОЗА,Дэвид Делагостини ЖАРРЭТА,Александр СОКОЛОВСКИ. Владелец: Вилларэс Металс С/А. Дата публикации: 2013-04-20.

Device for high-temperature test of metals and alloys

Номер патента: RU2521744C2. Автор: Алексей Павлович Никифоров,Владимир Иосифович Гернер,Амиран Георгиевич Георгадзе,Владимир Вениаминович Обрезков,Алексей Николаевич Плетнев,Сергей Адольфович Смирнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Торговый дом "СХМ". Дата публикации: 2014-07-10.

High-temperature induction furnace

Номер патента: RU2363902C1. Автор: Андрей Николаевич Ульянов,Юрий Николаевич Шаповалов,Владимир Петрович Комаров,Эмма Николаевна Куфа,Олег Николаевич Гусаров. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2009-08-10.

Method for accelerated test of aluminide coating for high- temperature corrosive durability

Номер патента: RU2247359C1. Автор: А.М. Смыслов,Р.Р. Невьянцева,Е.В. Парфенов,А.А. Быбин,нцева Р.Р. Невь,И.П. Семенова,О.Г. Смольникова. Владелец: Уфимский государственный авиационный технический университет. Дата публикации: 2005-02-27.

Induction gas plant for high temperature processing of solid wastes

Номер патента: RU2374558C1. Автор: Андрей Николаевич Ульянов,Юрий Николаевич Шаповалов,Владимир Петрович Комаров,Эмма Николаевна Куфа,Олег Николаевич Гусаров. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2009-11-27.

Driving centrifugal breather for high-temperature gas-turbine engine

Номер патента: RU2547539C1. Автор: Александр Николаевич Голубов,Вадим Георгиевич Семенов,Евгений Ювенальевич Марчуков. Владелец: Открытое акционерное общество "Уфимское моторостроительное производственное объединение" ОАО "УМПО". Дата публикации: 2015-04-10.

ALIGNMENT OF DIGITAL IMAGES AND LOCAL MOTION DETECTION FOR HIGH DYNAMIC RANGE (HDR) IMAGING

Номер патента: US20120002890A1. Автор: Mathew Binu K.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Unit for high temperature erosion testing

Номер патента: RU2570117C1. Автор: Юрий Станиславович Коробов,Станислав Владимирович Невежин,Артур Миннахматович Кашфуллин,Григорий Андреевич Ример. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2015-12-10.

Method to manufacture thin-film high-temperature superconductive material

Номер патента: RU2481673C1. Автор: Сергей Владимирович Самойленков,Андрей Рафаилович Кауль,Артём Михайлович Макаревич,Вадим Анатольевич Амеличев,Алексей Сергеевич Манкевич,Андрей Викторович Бледнов,Всеволод Николаевич Чепиков,Антон Викторович Маркелов. Владелец: Закрытое акционерное общество "СуперОкс". Дата публикации: 2013-05-10.

SYSTEM FOR THE INJECTION MOULDING OF PLASTIC MATERIAL, PARTICULARLY SUITABLE FOR BEING ASSOCIATED WITH A BLOWING UNIT OF THE MOULDED PLASTIC MATERIAL

Номер патента: US20120003350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Mixture of ceramic material for high-temperature use in oxidative media

Номер патента: RU2498963C1. Автор: Нелля Александровна Попова,Евгений Степанович Лукин,Петр Георгиевич Лапин,Светлана Николаевна Санникова,Лиана Тагировна Шайдуллина,Александр Дмитриевич Чепуренко. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2013-11-20.

High-temperature semiconductor device and process of its manufacture

Номер патента: RU2166221C1. Автор: В.А. Ильин,А.А. Петров,А.В. Афанасьев. Владелец: Центр Технологий Микроэлектроники (Цтм). Дата публикации: 2001-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.