Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Methods of atomic layer deposition using titanium-based precursors

Methods of atomic layer deposition using titanium-based precursors

Номер патента: US20090074983A1
Опубликовано: 19-03-2009
Автор(ы): Andrew Kingsley, Fuquan Song, Hywel Owen Davies, Paul Williams, Peter Nicholas Heys, Rajesh Odedra, Thomas Leese
Принадлежит: Sigma Aldrich Co LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of preparing titanium containing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl titanium-based precursors

Номер патента: KR101560755B1. Автор: 폴 윌리엄스,푸콴 송,피터 니콜라스 헤이스,앤드류 킹슬리,토마스 리즈,히웰 오웬 데이비스,라예쉬 오데드라. Владелец: 시그마 알드리치 컴퍼니 엘엘씨. Дата публикации: 2015-10-15.

Healing method of defect using atomic layer deposition

Номер патента: KR20150011989A. Автор: 이한보람,김관표. Владелец: 인천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-02-03.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Hard tip for scanning probe microscopy and method of its production

Номер патента: WO2012060782A1. Автор: Jan Soltys,Karol FRÖHLICH,Kristina Husekova,Goran Karapetrov,Vladmir Cambel,Alexander ŠΑΤΚΑ. Владелец: Elektrotechnicky Ustav Sav. Дата публикации: 2012-05-10.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of producing flexible organic-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2736197C2. Автор: Йюрген ФРАНК,Торбен АДЕРМАНН,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2020-11-12.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: EP2155925A1. Автор: Brian A. Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-24.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: SG183680A1. Автор: Brian A Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: US20240003003A1. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: US11932938B2. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

A corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: WO2021021822A1. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based -diketonate precursors

Номер патента: EP2281073A1. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-02-09.

Method of depositing an atomic layer

Номер патента: US09556520B2. Автор: In-Kyo Kim,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Choel-Min JANG,Sung-Hun KEY. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of atomic layer deposition using titanium-based precursors

Номер патента: US8221852B2. Автор: Paul Williams,Peter Nicholas Heys,Fuquan Song,Rajesh Odedra,Andrew Kingsley,Thomas Leese,Hywel Owen Davies. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2012-07-17.

Method and device for deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600047C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of preparing titanium containing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl titanium-based precursors

Номер патента: EP2201149A1. Автор: Paul Williams,Peter Nicholas Heys,Fuquan Song,Rajesh Odedra,Andrew Kingsley,Thomas Leese,Hywel Owen Davies. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2010-06-30.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based precursors

Номер патента: IL209379A0. Автор: . Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2011-01-31.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US09567671B2. Автор: Freddy Roozeboom,Raymond Jacobus Wilhelmus Knaapen,Jacques Cor Johan Van der Donck,Ruud Olieslagers,Diederik Jan Maas,Dennis Van Den Berg,Matijs C. Van Den Boer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of depositing an atomic layer and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20150050421A1. Автор: In-Kyo Kim,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Choel-Min JANG,Sung-Hun KEY. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

METHODS OF AREA-SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Wojtecki Rudy J.,De Silva Ekmini A.,Wallraff Gregory M.,Arellano Noel. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method of depositing atomic layer

Номер патента: US20240102160A1. Автор: Hyunjun AHN,Byounghoon Ji,Kyoungwoo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming an atomic layer and method of forming a thin film using the same

Номер патента: KR100541511B1. Автор: 김병희,최길현,최경인,강상범,이유경,박성건. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Method of producing flexible organic-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2721247C2. Автор: Йюрген ФРАНК,Торбен АДЕРМАНН,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2020-05-18.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of producing sofc cathode diffusion barrier layer and sofc

Номер патента: RU2656436C2. Автор: Микко РИТАЛА,Маркку ЛЕСКЕЛЯ,Энн ЁУНПУУ,Юхан СУББИ,Санни СЕППЯЛЯ,Яакко НИЙНИСТЕ. Владелец: Элкоген Ас. Дата публикации: 2018-06-05.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150294663A1. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marcel Mulder,Cornelius Antonius Van Den Huevel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-10-15.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2922707A2. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Cornelius Antonius Van Den Heuvel,Marcel Mulder. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-09-30.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09607606B2. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marcel Mulder,Cornelius Antonius Van Den Huevel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming moisture and oxygen barrier coatings

Номер патента: EP3914750A1. Автор: Sivapackia Ganapathiappan,Darshan THAKARE,David Britz,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Method of producing flexible organo-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2695997C2. Автор: Мён Мо СОН,Йюрген ФРАНК,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ,Феликс АЙКЕМАЙЕР,Даниель ЛЁФФЛЕР,Кван Хёк ЮН. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2019-07-30.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Laminate and method of producing the same, and gas barrier film and method of producing the same

Номер патента: US20180002804A1. Автор: Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Smoothing Surface Roughness Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20230349042A1. Автор: Tukaram Hatwar,Steven M. George,Rebecca BORRELLI,Tyler Myers,James THROCKMORTON,Malcolm O’SULLIVAN. Владелец: University of Colorado Boulder. Дата публикации: 2023-11-02.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film

Номер патента: US09589790B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,James S. Sims,Shane Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: EP2643494A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: WO2012071173A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-31.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making the same

Номер патента: EP2130942A3. Автор: Liu Yang,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Selective deposition using hydrophobic precursors

Номер патента: US12080548B2. Автор: Antti Niskanen,Eva Tois,Hidemi Suemori,Suvi P. Haukka,Raija H. MATERO,Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: EP2193220A1. Автор: Julie Baker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: US8324008B2. Автор: Julie Baker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2012-12-04.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: WO2009040499A1. Автор: Julie Baker. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of controlling film deposition using atomic layer deposition

Номер патента: US20080305561A1. Автор: Shrinivas Govindarajan. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Methods of protecting aerospace components against corrosion and oxidation

Номер патента: EP3959356A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Sukti Chatterjee,Thomas Knisley,Lance A Scudder,David A. BRITZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11942320B2. Автор: Kun Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230059262A1. Автор: Kun Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Method of making thin films of sodium fluorides and their derivatives by ALD

Номер патента: US12065738B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Donghyeon KANG,Elton Graugnard,Sara Kuraitis. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Microwave Plasma Source For Spatial Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD) Processing Tool

Номер патента: US20210050187A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (pe-ald) processing tool

Номер патента: WO2019169253A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-06.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Methods of making and deposition methods using hafnium- or zirconium-containing compounds

Номер патента: WO2011057114A2. Автор: Christian Dussarrat,Vincent M. Omarjee,Venkateswara Pallem. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-05-12.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Barrier film and method of manufacturing the same

Номер патента: US8828528B2. Автор: Hiroaki Ono,Takahiro Kawana,Andrew Chakchung Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Halogen resistant coatings and methods of making and using thereof

Номер патента: US20230279541A1. Автор: Prerna Goradia,Xiaowei Wu,Jennifer Y. Sun,Ankur Kadam,Geetika Bajaj,Atul Chaudhari. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09890458B2. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20150243499A1. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-08-27.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of forming a tantalum-containing layer on a substrate

Номер патента: EP2310551A1. Автор: Andreas Zauner,Nicolas Blasco,Audrey Pinchart,Ziyun Wang,Anthony Correia-Anacleto. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-04-20.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US11935759B2. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: WO2020223737A3. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology, LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09741556B2. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Loss prevention during atomic layer deposition

Номер патента: US20230154754A1. Автор: Jason Alexander VARNELL,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

Atomic layer deposition of strontium oxide via n-propyltetramethyl cyclopentadienyl precursor

Номер патента: WO2008100616A3. Автор: Masayuki Sugawara,Friedrich B Prinz,Timothy P Holme. Владелец: Timothy P Holme. Дата публикации: 2008-10-30.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US9803280B2. Автор: Freddy Roozeboom,Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Joop Van Deelen. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US10676822B2. Автор: Freddy Roozeboom,Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Joop Van Deelen. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2020-06-09.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: WO2011099858A1. Автор: Freddy Roozeboom,Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Joop Van Deelen. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2011-08-18.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Method of loading the substrate into aso reactor

Номер патента: RU2620230C2. Автор: Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-05-23.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for growth of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US12060642B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Device and method of atomic ply application

Номер патента: RU2541232C2. Автор: Адрианус Йоханнес Петрус Мариа ВЕРМЕР,Дидерик Ян МАС,Боб ВАН СОМЕРЕН,Аксель Себастьян ЛЕКСМОНД,Каролус Ида Мария Антониус СПЕ,Антония Эллерт ДУИСТЕРВИНКЕЛ. Владелец: Недерландсе Органисати Вор Тугепаст-Натюрветенсхаппелейк Ондерзук Тно. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of depositing thin film

Номер патента: US09689072B2. Автор: Seung Woo Choi,Dong Seok Kang,Hyung Wook NOH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-06-27.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of producing thin-film

Номер патента: US20240018654A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of making nanopowders, nanoceramic materials and nanoceramic components

Номер патента: US20220234959A1. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,Xiao Ming He. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition using halide precursors

Номер патента: US20130295708A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of stabilizing chlorosilane polymer

Номер патента: RU2722027C1. Автор: Ясутомо ТАНАКА,Юута ООЦУКА,Ватару КУБОТА,Масато ИСИЗАКИ,Кодзуе АКАДЗАКИ. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2020-05-26.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120083101A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-04-05.

Systems for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120118233A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-05-17.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Apparatus for and method of continuous hts tape buffer layer deposition using large scale ion beam assisted deposition

Номер патента: WO2005006351A3. Автор: Venkat Selvamanickam,Srinivas Sathiraju. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: WO2007117909A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Film deposition using tantalum precursors

Номер патента: US09721787B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Methods of preparing nanodevices

Номер патента: US09919921B2. Автор: Steven George,Joseph J. Brown,George Dee Skidmore,Victor M. Bright,Nathan T. Eigenfeld,Jason M. Gray. Владелец: University of Colorado Foundation Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Electron microscopy specimen and method of fabrication

Номер патента: US09721751B2. Автор: Timothy Stephen English. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of preparing corrosion resistant coatings

Номер патента: EP2938758A1. Автор: Väino SAMMELSELG,Lauri AARIK,Maido MERISALU. Владелец: Tartu Ülikool (University Of Tartu). Дата публикации: 2015-11-04.

Method of preparing corrosion resistant coatings

Номер патента: US09834849B2. Автор: Väino SAMMELSELG,Lauri AARIK,Maido MERISALU. Владелец: Tartu Ülikool (University Of Tartu). Дата публикации: 2017-12-05.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: US20240107771A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US11981996B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of making an electron stripper foil

Номер патента: US20200352019A1. Автор: Thomas Eriksson,Yong Liang,George Theodore Dalakos,Vasile Neculaes. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-11-05.

Pellicle membrane and method of forming the same

Номер патента: US20230408904A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Huan-Ling Lee,Wei-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of plasma enhanced atomic layer deposition of tac and tacn films having good adhesion to copper

Номер патента: TWI367957B. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

High conductivity graphene-metal composite and methods of manufacture

Номер патента: US09945027B2. Автор: James J. Farquhar,Choon Ming SEAH. Владелец: Fourte International Sdn Bhd. Дата публикации: 2018-04-17.

Electron microscopy specimen and method of fabrication

Номер патента: US20170069457A1. Автор: Timothy Stephen English. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-03-09.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of preparing corrosion resistant coatings

Номер патента: WO2014102758A1. Автор: Väino SAMMELSELG,Lauri AARIK,Maido MERISALU. Владелец: University of Tartu. Дата публикации: 2014-07-03.

Apparatus for and method of continuous HTS tape buffer layer deposition using large scale ion beam assisted deposition

Номер патента: US7758699B2. Автор: Venkat Selvamanickam,Srinivas Sathiraju. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Apparatus for and method of continuous hts tape buffer layer deposition using large scale ion beam assisted deposition

Номер патента: US20100248970A1. Автор: Venkat Selvamanickam,Srinivas Sathiraju. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Method of plasma-enhanced atomic layer deposition process and semiconductor device made thereof

Номер патента: TWI753633B. Автор: 蔡群賢,李庭鵑,蔡群榮,顏聰富,張光瑞. Владелец: 台灣奈米碳素股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-21.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: US20070235876A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing

Номер патента: US6204201B1. Автор: Matthew Ross. Владелец: Electron Vision Corp. Дата публикации: 2001-03-20.

Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing

Номер патента: US6548899B2. Автор: Matthew Ross. Владелец: Electron Vision Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing

Номер патента: AU5331700A. Автор: Matthew Ross. Владелец: Electron Vision Corp. Дата публикации: 2001-01-02.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods of forming and using materials containing silicon and nitrogen

Номер патента: US09978937B2. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20180254413A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20160254447A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Self-limiting chemical vapor deposition and atomic layer deposition methods

Номер патента: US09607920B2. Автор: Mary EDMONDS,Andrew C. Kummel,Atif M. NOORI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: US20230168417A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: EP4441270A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of manufacturing a magnetic film having high coercivity for use as a hot seed in a magnetic write head

Номер патента: US09805743B2. Автор: Kunliang Zhang,Min Li,Shengyuan Wang. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

Номер патента: US20150249009A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing substrate for epitaxy

Номер патента: US20170162378A1. Автор: Ying-Ru Shih,Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Huan-Yu Shih,Yuan-Chuan CHUANG. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Capacitor, method of manufacturing capacitor, capacitor manufacturing apparatus, and semiconductor memory device

Номер патента: US20090045485A1. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US12116667B2. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Aluminum-Containing Layers and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200090986A1. Автор: Ding-I Liu,Kai-Shiung Hsu,Jhy-nan Lin,Mu-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a high dielectric constant film and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP1913629A1. Автор: Christian Dussarrat,Satoshi Kamiyama,Kazutaka Yaganita. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2008-04-23.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Highly porous fine particles with coating, composition and method of production

Номер патента: RU2399432C2. Автор: Стюарт Дж. мл. БЕРЧИЛЛ. Владелец: Стюарт Дж. мл. БЕРЧИЛЛ. Дата публикации: 2010-09-20.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Deposited material and method of formation

Номер патента: US09818885B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Deposited material and method of formation

Номер патента: US09524868B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Scott Houston Meiere,James Philip Natwora, Jr.. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Transition metal dichalcogenide alloy and method of manufacturing the same

Номер патента: US09963343B2. Автор: Hyungjun Kim,Kyung Yong KO,Kyunam PARK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-08.

Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber

Номер патента: US09698009B2. Автор: Tatsuya E. Sato,Eran NEWMAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Metal fluoride coated lithium intercalation material and methods of making same and uses thereof

Номер патента: EP3335258A1. Автор: Yair Ein-Eli,Alexander Kraytsberg,Haika DREZNER. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of forming a stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: EP3649670A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods of determining process recipes and forming a semiconductor device

Номер патента: US20240363452A1. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jei Ming CHEN,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of determining process recipes and forming a semiconductor device

Номер патента: US12087644B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jei Ming CHEN,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Catalyst support structure, catalyst including the structure, reactor including a catalyst, and methods of forming same

Номер патента: US09643159B2. Автор: Alan W. Weimer,Staci A. Van Norman,Victoria J. Aston. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic layer deposition assembly, organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570714B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Dong-Seob Jeong,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method

Номер патента: US09496524B2. Автор: Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Young-Mook Choi,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Part with substrate from mono-crystal superalloy on base of nickel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2738628C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ,Жереми РАМ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-12-15.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131951A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: US09845535B2. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: WO2023101862A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-06-08.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of depositing silicon film and film deposition apparatus

Номер патента: US12080552B2. Автор: Hiroyuki Hayashi,Daisuke Suzuki,Yoshihiro Takezawa,Tatsuya Miyahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of producing coatings with an intermetallic structure

Номер патента: RU2701612C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Геращенков,Борис Владимирович Фармаковский,Алексей Филиппович Васильев,Елена Юрьевна Геращенкова,Александр Михайлович Макаров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2019-09-30.

Thin film deposition method and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20230227972A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Tae Hwan LIM,Do Han LEE,Abu Saad Aqueel Ahmed ANSARI,Ngoc le TRINH. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of depositing a pre-etch protective layer

Номер патента: US11915940B2. Автор: JIAO Yang,Heng Wang,Jon C. Farr,Alfredo Granados,Zhi Gang Wang,Rui Zhe Ren. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09777364B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09512515B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of obtaining intermetallic anti-emissive coating

Номер патента: RU2643851C2. Автор: Александр Сергеевич Киселев,Александр Аркадьевич Лисенков,Дмитрий Константинович Кострин,Ангелина Николаевна Семенова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2018-02-06.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Selective Molecular Layer Deposition Of Organic And Hybrid Organic-Inorganic Layers

Номер патента: US20180342388A1. Автор: Robert Jan Visser,Prerna Goradia,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of forming bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film on base material, bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film, and bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor component

Номер патента: US20240055253A1. Автор: Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of depositing an electrically conductive oxide buffer layer on a textured substrate and articles formed therefrom

Номер патента: US20020198112A1. Автор: Tolga Aytug,M. Paranthaman,David Christen. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2002-12-26.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Erosion resistant metal oxide coatings deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US20230286867A1. Автор: Xiaowei Wu,Michael R. Rice,Jennifer Y. Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Fiber having integral weak interface coating, method of making and composite incorporating the fiber

Номер патента: US20230304194A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Wayde R. Schmidt. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same

Номер патента: US11778890B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Dong-Kyu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Method of electroless deposition of aluminum or aluminum alloy, an electroless plating composition, and an article including the same

Номер патента: US09803283B1. Автор: John H. Martin,John J. Vajo,Jason A. Graetz,Christopher S. Roper,Joanna A. Kolodziejska. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of applying thermal-protective composite coating containing zirconium oxide, on metal surface of article

Номер патента: RU2606815C2. Автор: Сергей Георгиевич Валюхов,Владимир Викторович Черниченко,Максим Сергеевич Филатов,Олег Владимирович Стогней,Валерий Евгеньевич Бурыкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-01-10.

Laminate and method of producing the same, gas barrier film and method of producing the same, and organic light-emitting element

Номер патента: US20180323401A1. Автор: Kyoko Kuroki,Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Atomic layer deposition of metal films

Номер патента: US11970776B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Area-Selective Atomic Layer Deposition Of Passivation Layers

Номер патента: US20220130659A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacturing compound thin-film photovoltaic cell

Номер патента: US20160197217A1. Автор: Akihiko Asano. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-07-07.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of preparing tungsten and tungsten nitride thin films using tungsten chloride precursor

Номер патента: US09595470B2. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Joshua Collins,Juwen Gao,Hanna Bamnolker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing compound thin-film photovoltaic cell

Номер патента: US09472698B2. Автор: Akihiko Asano. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240052487A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu,Tobin Kaufman-Osborn,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of selective atomic layer deposition

Номер патента: US11821085B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu,Tobin Kaufman-Osborn,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

High-Crystallinity Barium Titanate Film Structure, Method of Preparation and Application Thereof

Номер патента: US20240102170A1. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of preparing positive electrode active material for secondary battery

Номер патента: US11993846B2. Автор: Wang Mo JUNG,Dong Hun Lee,Dae Jin Lee,Dong Hwi Kim,Jin Tae Hwang,Hyeong Il Kim,Seul Ki CHAE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of Preparing Positive Electrode Active Material for Secondary Battery

Номер патента: US20230002899A1. Автор: Wang Mo JUNG,Dong Hun Lee,Dae Jin Lee,Dong Hwi Kim,Jin Tae Hwang,Hyeong Il Kim,Seul Ki CHAE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Coincident surface modifications and methods of preparation thereof

Номер патента: EP3814132A1. Автор: David C. Walther,Lance R. BROCKWAY. Владелец: Nelumbo Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus

Номер патента: US09905813B2. Автор: VALERIY Prushinskiy,Minsoo Kim,Byungkook Lee,Muhyun Kim,MuGyeom Kim,Yonggu Lee,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Jaesoo HA,Jaeyoung CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: US20190284694A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: EP3768873A1. Автор: David Thompson,Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Mark Saly,David Britz,Sukti Chatterjee,Jonathan Frankel,Thomas Knisley,Kaushal Gangakhedkar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Method of deposition and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20220243330A1. Автор: Daehyun Kim,Jeong-Min Lee,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-08-04.

Passivation of silicon dioxide defects for atomic layer deposition

Номер патента: US11993844B2. Автор: Steven Wolf,Andrew Kummel,Michael Breeden,Ashay Anurag. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of deposition and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US11834742B2. Автор: Daehyun Kim,Jeong-Min Lee,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-12-05.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Synthesis of few atomic layer gold crystals

Номер патента: WO2024116131A1. Автор: Ramesh Jagannathan,Mahmoud Rasras,Sudhir Kumar Sharma,Yong-Ak Song,Ajymurat OROZALIEV,Ghada DUSHAQ,Renu Pasricha. Владелец: New York University In Abu Dhabi Corporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS

Номер патента: US9478411B2. Автор: Reza Arghavani,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Ishtak Karim,Sanjay Gopinath. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US20220235461A1. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-07-28.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Stabilizing garnet-type solid-state electrolytes through atomic layer deposition of ultra-thin layered materials and methods of making same

Номер патента: US20220271334A1. Автор: Leela Mohana Reddy ARAVA,Sathish RAJENDREN,Jeffry Kelber,Aparna Pilli. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2022-08-25.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09893322B2. Автор: Taeyong KIM,Jaeseok Park,Kyubum Kim,Jungsuk Hahn,Jonghee Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods of selectively forming a material using parylene coating

Номер патента: US8945305B2. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Coated drug compositions and methods of preparing the same

Номер патента: EP3958846A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Coated drug compositions and methods of preparing the same

Номер патента: WO2020219942A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-10-29.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing heating/cooling coil with nanometer silver coating layer

Номер патента: US20060134346A1. Автор: O-Kab Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09425075B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Naonori Akae. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Moisture-resistant electroluminescent phosphor with high initial brightness and method of making

Номер патента: WO2007087479A3. Автор: Frank Schwab,Chen-Wen Fan,Tuan Dang,Joan Coveleskie,Dale Benjamin,David Sheppeck. Владелец: David Sheppeck. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Deposited Material and Method of Formation

Номер патента: US20160155642A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of plating an automotive exhaust pipe

Номер патента: US20230417357A1. Автор: Cory Pehrsson. Владелец: Dynalfex Products. Дата публикации: 2023-12-28.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230395369A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Hee Seok Kim,Kyu Jin Choi,Yoshikazu Okuyama,Moonsig Joo,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Multilayer encapsulation stacks by atomic layer deposition

Номер патента: US11732356B2. Автор: Ning Li,Cong Trinh,Mark Saly,Keenan N. Woods,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Maribel Maldonado-Garcia,Mihaela A. Balseanu,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of depositing a film

Номер патента: US20140179104A1. Автор: Hiroko Sasaki,Hiroaki Ikegawa,Kentaro Oshimo,Masato Koakutsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Continuous process incorporating atomic layer etching

Номер патента: US09627221B1. Автор: Masaru Zaitsu,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-18.

Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US11352698B2. Автор: Sangyub IE,Gukhyon Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

Atomic layer deposition using novel oxygen-containing precursors

Номер патента: WO2023249825A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber

Номер патента: WO2016118573A1. Автор: Tatsuya E. Sato,Eran NEWMAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-07-28.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Spatial Atomic Layer Deposition Chamber With Plasma Pulsing To Prevent Charge Damage

Номер патента: US20190180985A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Keiichi Tanaka,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Atomic layer deposition using novel oxygen-containing precursors

Номер патента: US20230416915A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Hi-k dielectric layer deposition methods

Номер патента: US20060270247A1. Автор: Kenneth Stein,Douglas Coolbaugh,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of forming capacitor constructions

Номер патента: US20070134934A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of depositing atomic layer and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420248A1. Автор: Hongtaek LIM,Hyunjun AHN,Kyoungwoo Hong,Hanhim Kang,Yeongyeop Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Manufacturing method of phase difference element, phase difference element, and projection image display device

Номер патента: US20200018882A1. Автор: Junichi Sugawara,Toshiaki Sugawara,Yoshi Kanega. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Transmission electron microscopy supports and methods of making

Номер патента: US09646803B2. Автор: David A. Kidwell. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-09.

High-crystallinity barium titanate film structure, method of preparation and application thereof

Номер патента: EP4353864A3. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Durable, low loading oxygen evolution reaction catalysts and methods of forming such catalysts

Номер патента: US20240247386A1. Автор: Timothy J. Kucharski,Raffi M. Garabedian. Владелец: Electric Hydrogen Co. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of for bonding noble metal structure with a dielectric layer using an adhesive layer

Номер патента: US12027190B1. Автор: Xiaoyue Huang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Electron-enhanced atomic layer deposition (ee-ald) methods and devices prepared by same

Номер патента: US20240240317A1. Автор: Steven George,Zachary Sobell. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-07-18.

A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel

Номер патента: EP2628817A1. Автор: Jürgen Gierl,Yashar Musayev,Tim Matthias Hosenfeldt,Bertram Haag,Paul Peeters,Juhana Kostamo,Serge Kursawe,Ivan KOLEV,Roland Tap. Владелец: Schaeffler AG. Дата публикации: 2013-08-21.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: US20140355184A1. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of simultaneous silicidation on source and drain of NMOS and PMOS transistors

Номер патента: US12062579B2. Автор: Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Transmission Electron Microscopy Supports and Methods of Making

Номер патента: US20160329187A1. Автор: David A. Kidwell. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-11-10.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Ultraviolet radiation activated atomic layer deposition

Номер патента: US20210225644A1. Автор: Christine Y. OUYANG,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of forming metal film

Номер патента: US09828694B2. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of depositing tungsten layer with improved adhesion and filling behavior

Номер патента: US09589809B2. Автор: Tao Yang,Qiang Xu,Chao Zhao,Junfeng Li,Jun Luo,Guilei Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-07.

High-crystallinity barium titanate film structure, method of preparation and application thereof

Номер патента: EP4353864A2. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of Filling Gaps with Carbon and Nitrogen Doped Film

Номер патента: US20220122834A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Method of Filling Gaps with Carbon and Nitrogen Doped Film

Номер патента: US20230360907A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Thin-film forming raw material used in atomic layer deposition method, and method of producing thin-film

Номер патента: US20230349039A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Atomic layer etching method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20220375760A1. Автор: Jun Hee Cho,Joong Jin Park,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Eun Hyea Ko,Hee Yeon Jeong,Byeong IL Yang,Ji Yu Choi. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Atomic layer deposition of copper using a reducing gas and non-fluorinated copper precursors

Номер патента: WO2003044242A3. Автор: Ling Chen,Mei Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Multilayer hydrophilic coating and methods of making the same

Номер патента: US20210094069A1. Автор: Steven Poteet,Barbara M. Peyton,Iwona WROBEL. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Process of structuring an active organic layer deposited on a substrate

Номер патента: US20140235013A1. Автор: Marie Heitzmann,Simon Charlot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-08-21.

Process of structuring an active organic layer deposited on a substrate

Номер патента: US9553266B2. Автор: Marie Heitzmann,Simon Charlot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-layer borophene and method of synthesizing same

Номер патента: US20240150185A1. Автор: Mark C. Hersam,Xiaolong LIU. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-05-09.

Atomic layer junction oxide and preparing method thereof

Номер патента: US9786801B2. Автор: Jaichan Lee,Bongwook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-10.

Atomic layer junction oxide and preparing method thereof

Номер патента: US20170033246A1. Автор: Jaichan Lee,Bongwook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-02-02.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Method of producing epitaxial bismuth ferrite films by molecular layering

Номер патента: RU2718467C1. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Руслан Мурадович Эмиров,Ильмар Гюлиметович Ризванов,Фарид Фахреддинович Оруджев. Владелец: Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2020-04-08.

Laminate body, gas barrier film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09574266B2. Автор: Toshiaki Yoshihara,Mitsuru Kano,Masato Kon,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A3. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-07-24.

Crystalline strontium titanate and methods of forming the same

Номер патента: US09816203B2. Автор: Tom E. Blomberg. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of producing n-substituted carbamic acid ester and method of producing isocyanate using n-substituted carbamic acid ester

Номер патента: RU2528423C2. Автор: Масааки СИНОХАТА,Нобухиса МИЯКЕ,Ацуси ОКУБО. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2014-09-20.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and methods for predicting structure and properties of atomic substances and their alloys

Номер патента: RU2727631C1. Автор: Сумьядипта МАИТИ,Шашанк МИШРА,Баларама Сридхар ДВАДАСИ,Бина РАИ. Владелец: Тата Консалтенси Сервисес Лимитед. Дата публикации: 2020-07-22.

Method of obtaining aminohydroxydiphosphonic acids

Номер патента: RU2553822C2. Автор: Патрик НОТТЕ,Давид ЛЕМЕН,Сэмюэл Корентин КОГЕЛЬ. Владелец: Страйтмарк Холдинг Аг. Дата публикации: 2015-06-20.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of controlling an amount of soluble base content of material comprising lithium carbonate and structure, cathode, and battery formed using the method

Номер патента: WO2020257176A1. Автор: Alan W. Weimer,William MCNEARY. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2020-12-24.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Compound containing multimetal complex, metal complex and method of their production, method of producing catalyst for exgaust gas purification that uses said complexes

Номер патента: RU2403086C2. Автор: Кадзуси МАСИМА,Масато ОХАСИ,Акихиро ЯГИУ,Хирохито ХИРАТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-11-10.

Method of producing an epitaxial film of a multilayer silicen intercalated by europium

Номер патента: RU2663041C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Анастасия Федоровна Королева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-08-01.

Device and method for precision transfer of layers of atomically thin materials of any area onto planar substrates

Номер патента: RU2742761C1. Автор: Татьяна Владимировна Иванова,Никита Константинович Кулаченков,Иван Сергеевич Синев,Дмитрий Вадимович Пермяков,Екатерина Андреевна Хестанова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2021-02-10.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09957165B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09802828B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of foam floatation for separation of silicates and carbonates of alkali earth metals with application of collector, including at least one hydrophobically modified polyalkylene imine

Номер патента: RU2555687C2. Автор: Маттиас Бури,Самуэль РЕНЧ,Патрик А. К. ГЕЙН,Йорг ЗЕТЕМАНН. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of receiving of flat bar made of zirconium alloy, received by this method flat bar and reactor lattice of atomic power station, made of this bar

Номер патента: RU2351687C2. Автор: Пьер БАРБЕРИ,Клод СИМОНО. Владелец: Компани Еропеен Дю Зиркониум-Сезюс. Дата публикации: 2009-04-10.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of making membrane for extracting hydrogen atoms and ions from gas mixtures

Номер патента: RU2602104C1. Автор: Александр Иосифович Лившиц,Михаил Евсеевич Ноткин,Василий Николаевич Алимов,Андрей Олегович Буснюк,Евгений Юрьевич Передистов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2016-11-10.

Method of the functionalized diene elastomer continuous synthesis

Номер патента: RU2653851C2. Автор: Элен ПАРОЛА,Гаэль КУРБЕ,Жером ДЮССИЙОЛЬ,Орели ТРИГЮЭЛЬ. Владелец: Компани Женераль Дэз Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240145237A1. Автор: Amit Agrawal,Todd Michael KLEIN,Henri Joseph Lezec,Wenqi ZHU,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of producing roller with built-up by welding material and method of reconditioning worn-out roller by means of overlaying welding

Номер патента: RU2597474C2. Автор: Йоханн ПЕППЛЬ,Госинь ШАНЬ,Хайнрих ТЕНЕ,Франц ВИММЕР,Штефан ЛЕХНЕР,Маринко ЛЕКИЧ-НИНИЧ,Карл ТРНКА. Владелец: ПРАЙМЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ АУСТРИА ГМБХ. Дата публикации: 2016-09-10.

Chemical liquid, chemical liquid storage body, manufacturing method of chemical liquid, and manufacturing method of chemical liquid storage body

Номер патента: US10884338B2. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of producing an alcohol dispersion of tantalum oxide nanoparticles

Номер патента: RU2741024C1. Автор: Павел Васильевич Кривошапкин,Елена Федоровна Кривошапкина,Екатерина Дмитриевна Кошевая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2021-01-22.

Materials and methods for corrosion inhibition of atomically thin materials

Номер патента: US20190367743A1. Автор: Ju Li,Cong SU,Zongyou Yin. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-12-05.

Coated microfluidic devices and methods of making

Номер патента: US8834966B2. Автор: Wilhelm T. S. Huck,Martin Fischlechner,Wolfgang Andreas Bauer. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2014-09-16.

Barrier, barrier manufacturing method, display including barrier, and method of manufacturing display including barrier

Номер патента: US10886502B2. Автор: Myung Mo SUNG,Lynn Lee,Hong Ro YOON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-01-05.

Dispersoid reinforced alloy powder and method of making

Номер патента: US09833835B2. Автор: Iver E. Anderson,Robert L. Terpstra. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 2017-12-05.

Dispersoid reinforced alloy powder and method of making

Номер патента: US09782827B2. Автор: Iver E. Anderson,Robert L. Terpstra. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 2017-10-10.

Coated microfluidic devices and methods of making

Номер патента: US09707557B2. Автор: Wilhelm T. S. Huck,Martin Fischlechner,Wolfgang Andreas Bauer. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Cobalt-based catalyst on metal structure for selective production of synthetic oil via fischer-tropsch reaction, method of preparing the same, and method of selectively producing synthetic oil using the same

Номер патента: US09586198B2. Автор: Heon Jung,Ho-Tae Lee,Jung-Il Yang,Dong-Hyun Chun,Ji-Chan Park,Sung-Jun Hong. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing fluorine-containing compound

Номер патента: WO2024226893A1. Автор: Gen EGASHIRA,Kazuya ICHINOSE,Keigo Higashida. Владелец: CHEMOURS-MITSUI FLUOROPRODUCTS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-31.

Composition for fabricating organic film, organic light-emitting display apparatus manufactured using the same, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US09879035B2. Автор: DaeBeom Shin,Youngseo CHOI,Yonghyuck LEE,Seungyong Song,Taewook Kang,Changmok KIM,Jinho Kwack. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of producing iodine-doped carbon nanotubes

Номер патента: RU2687447C1. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Марина Владимировна Богдановская. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЦЕНТРА "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ" (НИЦ "Курчатовский институт - ИРЕА"). Дата публикации: 2019-05-13.

Method of producing oxide catalyst and method of producing unsaturated nitrile

Номер патента: RU2720967C1. Автор: Эри ТАТЕНО,Минору КАДОВАКИ. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-05-15.

Light transmittance optimising coated glass component of solar cell and method of making said component

Номер патента: RU2404485C2. Автор: Срикант ВАРАНАСИ,Дуглас М. НЕЛСОН,Гэри НИКОЛ,Дуглас М. НЕЛСОН (US),Гэри НИКОЛ (GB),Срикант ВАРАНАСИ (US). Владелец: Пилкингтон Норт Америка, Инк. Э Делавер Корпорейшн. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240141503A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Ceramic electronic device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220392708A1. Автор: Yoshiki Iwazaki,Minoru Ryu. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of making diamond product and diamond product

Номер патента: US20020064496A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiki Nishibayashi,Yutaka Ando,Kiichi Meguro. Владелец: Japan Fine Ceramics Center. Дата публикации: 2002-05-30.

Mixed metal oxide coatings applied using spatial atomic layer deposition and uses thereof

Номер патента: WO2024184552A1. Автор: Adriaan JEREMIASSE,Johannes Godfried VOS,Anders TREMPENAU,Nitin Puthuval PRASAD. Владелец: Magneto Special Anodes B.V.. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of producing dialkyl dicarbonates using tertiary amines as catalysts

Номер патента: RU2722826C1. Автор: Эрасмус ВОГЛЬ,Кристоф ХОФМАНН. Владелец: ЛЕНКСЕСС Дойчланд ГмбХ. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of supplying and guiding reactive gas and solid particles to melting furnace and burner for method embodiment

Номер патента: RU2198364C2. Автор: Лауно Лилья,Туомо ЙОКИНЕН,Исмо ХОЛЬМИ,Юсси Сипиля,Пекка ТУОККОЛА,Веса ТЕРЕЛЯ,Лассе ВАЛЛИ. Владелец: Оутокумпу Текнолоджи Ой. Дата публикации: 2003-02-10.

Aligned crystalline semiconducting film on a glass substrate and methods of making

Номер патента: WO2008048628A2. Автор: Alp T. Findikoglu. Владелец: Los Alamos National Security, LLC. Дата публикации: 2008-04-24.

Light transmittance optimising coated glass component of solar cell and method of making said component

Номер патента: RU2404485C9. Автор: Срикант ВАРАНАСИ,Дуглас М. НЕЛСОН,Гэри НИКОЛ. Владелец: Пилкингтон Норт Америка, Инк. Э Делавер Корпорейшн. Дата публикации: 2011-03-20.

Preparation method of aluminum nitride composite structure based on two-dimensional (2d) crystal transition layer

Номер патента: US20240141549A1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of low-temperature plasma-activated heteroepitaxy of nano-dimensional nitride metal films of the third group of mendeleev table

Номер патента: RU2658503C1. Автор: Виталий Алексеевич Тарала,Михаил Георгиевич Амбарцумов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Кавказский федеральный университет". Дата публикации: 2018-06-21.

Method of obtaining mixtures of high-differed heterogeneous powders based on boron carbide

Номер патента: RU2683107C1. Автор: Геннадий Петрович Зайцев,Сукяс Семенович Орданьян,Татьяна Викторовна Коцарь,Дмитрий Петрович Данилович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2019-03-26.

METHOD OF PRODUCING COMPLEX PRASEODYMIUM OXIDE, MOLYBDENUM AND TELLURIUM Pr2Mo2Te2O13

Номер патента: RU2687419C1. Автор: Алексей Алексеевич Сибиркин,Ирина Геннадьевна Федотова,Станислав Андреевич Гаврин,Владислав Михайлович Горяев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-05-13.

Method of cyclohexantiol electrosynthesis based on hydrogen sulfide

Номер патента: RU2634732C1. Автор: Надежда Титовна Берберова,Даниил Александрович Кудрявцев,Елена Владимировна Шинкарь,Иван Владимирович Смолянинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО "АГТУ". Дата публикации: 2017-11-03.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Multifunctional coating, method of manufacturing thereof, related coated items and uses

Номер патента: WO2023073175A1. Автор: Tom Blomberg,Jesse Kalliomäki,Ilkka MANNINEN,Riina RITASALO,Juhani TASKINEN. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Freshening compositions and methods of atomizing freshening compositions with a thermally-actuated microfluidic cartridge

Номер патента: US12036341B2. Автор: Zaiyou Liu,Judith Ann Hollingshead,Chisomaga Ugochi Nwachukwu,Andrew Joseph Buhrlage. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of layer by layer self-assembly of polyelectrolyte comprising light absorbing or stabilizing compound and articles

Номер патента: US09902869B2. Автор: James R. Miller,Daniel J. Schmidt,Timothy J. Hebrink,Richard S. Buckanin. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of purifying drinking water and station for its implementation

Номер патента: RU2629076C2. Автор: Евгений Михайлович Булыжев,Эдуард Евгеньевич Булыжев,Феликс Владимирович Кармазинов,Владимир Андреевич Гвоздев,Евгений Анатольевич Мельник,Елена Дмитриевна Нефедова. Владелец: Государственное Унитарное Предприятие "Водоканал Санкт-Петербурга". Дата публикации: 2017-08-24.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20240061219A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-02-22.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US11815668B2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20180341090A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-11-29.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-05-01.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP3380876A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-10-03.

Method of growing crystalline layers on amorphous substrates using two-dimensional and atomic layer seeds

Номер патента: US20210217617A1. Автор: Joshua A. Robinson,Natalie BRIGGS. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for preparing catalyst for production of synthesis gas from methane, catalyst prepared by this method and method of producing synthesis gas from methane with its use

Номер патента: RU2638831C1. Автор: Андрей Леонидович Тарасов,Леонид Модестович Кустов,Ольга Константиновна Лебедева,Дмитрий Юрьевич Культин,Наталья Викторовна Роот. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2017-12-18.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for atomic layer etching

Номер патента: US09881807B2. Автор: Alok Ranjan,Mingmei Wang,Sonam SHERPA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of forming graphene by graphite exfoliation

Номер патента: US09309124B2. Автор: Kian Ping Loh,Junzhong Wang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2016-04-12.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Single-crystal diamond and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240229295A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Method of extracting germanium from germanium deposit using thermal reduction process

Номер патента: US20170121790A1. Автор: Zhiguo Zhu,Wangchang Wu,Guangwen Li,Shikun PU,Wendong BAO,Decai HU,Tianmin XIE,Caiwei YAO,Kaihong BAO,Zailei YANG,Gao XIE. Владелец: Yunnan Dongchang Metal Tech Co ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Capacitors for high temperature systems, methods of forming same, and applications of same

Номер патента: US20220376120A1. Автор: Pijush Kanti Ghosh,Xiangbo Meng,Rohith Allaparthi,Mirsaeid Sarollahi,Morgan Ware. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of increasing the thickness of colloidal nanosheets and materials consisting of said nanosheets

Номер патента: US09670062B2. Автор: Benoît MAHLER. Владелец: NEXDOT. Дата публикации: 2017-06-06.

Acid anhydrides, method of preparation thereof, methods of preparation thereof, methods of preparation of taxol or taxoteran

Номер патента: RU2104274C1. Автор: Fr],Ма Жан-Манюель. Владелец: Рон-Пуленк Роре С.А.. Дата публикации: 1998-02-10.

Method of regulating nickel concentration in lead-free solder containing nickel

Номер патента: US20100307292A1. Автор: Tetsuro Nishimura. Владелец: Nihon Superior Sha Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Microelectronic contact structure, and method of making same.

Номер патента: US20010002340A1. Автор: Gary Grube,Benjamin Eldridge,Igor Khandros,Gaetan Mathieu. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

System and method of fabricating low-loss and low-noise waveguides for visible wavelength applications

Номер патента: US20240159959A1. Автор: Michael P. Buric,Benjamin T. Chorpening,Juddha Thapa. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2024-05-16.

Jet printing ink and method of ink jet printing

Номер патента: US20050219339A1. Автор: Toshiki Taguchi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-06.

Plasmonic interface and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150055924A1. Автор: Christopher Fred Keimel,Juan Jose Becerra,John Brian Hewgley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-02-26.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Preparation method of titanium alloy powders

Номер патента: US20240253122A1. Автор: Yi Xu,Hui Chen,Chengyang Zhang,Siyi HE. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2024-08-01.

A method of making an abrasion resistant coating on a solid substrate and articles produced thereby

Номер патента: WO1984000721A1. Автор: Richard A Phillips,Theodore A Haddad. Владелец: Foster Grant Corp. Дата публикации: 1984-03-01.

Preparation method of titanium alloy powders

Номер патента: US12083602B2. Автор: Yi Xu,Hui Chen,Chengyang Zhang,Siyi HE. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2024-09-10.

Atomic layer chemical patterns for block copolymer assembly

Номер патента: US09927706B2. Автор: Zhenqiang Ma,Tzu-Hsuan Chang,Michael Scott Arnold,Paul Franklin Nealey,Robert Jacobberger,Shisheng Xiong. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2018-03-27.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Plasmonic interface and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09465160B2. Автор: Christopher Fred Keimel,Juan Jose Becerra,John Brian Hewgley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-11.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Novel polymers, uses and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20090082542A1. Автор: Yu Shao,Jie Zhang,Julien Gautrot,Xiao-Xia Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

High Optical Transmission Amphiphobic Surfaces; and Methods of Forming Them

Номер патента: US20240199478A1. Автор: Manish Tiwari,Vikaramjeet SINGH. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

High optical transmission amphiphobic surfaces; and methods of forming them

Номер патента: EP4301711A1. Автор: Manish Tiwari,Vikaramjeet SINGH. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Non-vacuum method of manufacturing light-absorbing materials for solar cell application

Номер патента: US20140251435A1. Автор: Kam Piu HO,Ranshi WANG,Paul Kwok Keung Ho,Fulin ZHENG,Wing Ho CHOI,Man Wah LIU,Wai Chun LUK,Kwong Chau KWOK,Mei Mei HSU,Ivan Ka Yu LAU. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Process and technical arrangement to study nuclear fission by using single atomic layers of nuclear materials with a single crystal structure grown onto undamaged, miniature single crystal hollow body surfaces, which serve as a seeding platform

Номер патента: US20110142184A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of obtaining isocyanates with application of diarylcarbonate

Номер патента: RU2523201C2. Автор: Масааки СИНОХАТА,Нобухиса МИЯКЕ. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2014-07-20.

Method of homolytic and heterolytic cleavage in molecules of gases and liquids

Номер патента: WO2024009192A2. Автор: Gennadiy Chernov. Владелец: Dereroy & Co., A.S.. Дата публикации: 2024-01-11.

Catalyst complex for fuel cell, method of manufacturing the catalyst complex, electrolyte membrane including the catalyst complex and method of manufacturing the electrolyte membrane

Номер патента: US20210028467A1. Автор: Yong Min Kim,Min Kyung Kim,Woong Pyo Hong,Soon Hong Park,Seung Jeong OH,Byoung Su Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Catalyst complex for fuel cell, method of manufacturing the catalyst complex, electrolyte membrane including the catalyst complex and method of manufacturing the electrolyte membrane

Номер патента: US20230084103A1. Автор: Yong Min Kim,Min Kyung Kim,Woong Pyo Hong,Soon Hong Park,Seung Jeong OH,Byoung Su Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Catalyst complex for fuel cell, method of manufacturing the catalyst complex, electrolyte membrane including the catalyst complex and method of manufacturing the electrolyte membrane

Номер патента: US11545673B2. Автор: Yong Min Kim,Min Kyung Kim,Woong Pyo Hong,Soon Hong Park,Seung Jeong OH,Byoung Su Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20160099146A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180057362A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of homolytic and heterolytic cleavage in molecules of gases and liquids

Номер патента: WO2024009192A3. Автор: Gennadiy Chernov. Владелец: Dereroy & Co., A.S.. Дата публикации: 2024-02-29.

Catalyst complex for fuel cell, method of manufacturing the catalyst complex, electrolyte membrane including the catalyst complex and method of manufacturing the electrolyte membrane

Номер патента: US12009528B2. Автор: Yong Min Kim,Min Kyung Kim,Woong Pyo Hong,Soon Hong Park,Seung Jeong OH,Byoung Su Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method to stabilize base metal catalysts by overcoating via atomic layer deposition and resulting product

Номер патента: US20160361708A1. Автор: James A. Dumesic,Brandon J. O'Neill. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of preparing gelatin microcarriers

Номер патента: WO1990013625A1. Автор: Kim Jacobsen. Владелец: Danochemo A/S. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of producing catalyst and method of producing acrylonitrile

Номер патента: RU2709012C1. Автор: Сота АИКИ,Акиёси ФУКУДЗАВА. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-12-13.

Method of producing mercaptans by enzymatic hydrogenolysis of disulphides

Номер патента: RU2709486C1. Автор: Жорж ФРЕМИ,Арно МАССЛЕН. Владелец: Аркема Франс. Дата публикации: 2019-12-18.

Manufacturing method of small-sized atomic cells with vapours of atoms of alkaline metals and device for its implementation

Номер патента: RU2554358C1. Автор: Сергей Александрович Зибров,Виталий Валентинович Васильев,Владимир Леонидович Величанский,Александр Владимирович Сивак,Рафаил Ионович Фишман,Дмитрий Иванович Севостьянов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии". Дата публикации: 2015-06-27.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Method of applying atomic layer deposition coatings onto porous non-ceramic substrates

Номер патента: US8859040B2. Автор: Bill H. Dodge. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2014-10-14.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Transfuse roller tracking in selective layer deposition based additive manufacturing

Номер патента: US11975492B2. Автор: Andrew Rice. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of depositing an atomic layer, and method of depositing a thin layer and a metal layer using the same

Номер патента: KR100449782B1. Автор: 김병희,최길현,최경인,강상범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-22.

Recovery method of high-viscosity oil or bitumen deposit, using hydraulic fractures

Номер патента: RU2626482C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Арслан Валерьевич Насыбуллин. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2017-07-28.

Pressure and mechanical sensors using titanium-based superelastic alloy

Номер патента: US7437939B1. Автор: Swapan Chakraborty,David A. Broden. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2008-10-21.

METHOD OF PLASMA-ENHANCED ATOMIC LAYER ETCHING

Номер патента: US20160211147A1. Автор: Fukazawa Atsuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Ultra thin Hf-silicate film growth by atomic layer chemical vapor deposition using a new combination of precursors: metal-alkylamide and metal-alkoxide

Номер патента: KR100760962B1. Автор: 김재현,용기중. Владелец: 학교법인 포항공과대학교. Дата публикации: 2007-09-21.

PROTECTIVE SPINEL COATING FOR Ni-Mn-Co (NMC) CATHODE WITH HIGH Li CONTENT FOR LITHIUM-ION BATTERIES, METHOD OF APPLYING SAID COATING ON CATHODE AND CATHODE WITH SAID COATING

Номер патента: RU2702785C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Евгений Владимирович Дикарев,Хан Хайшанг,Андрей Олегович Шевцов. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-10-14.

Capacity transducer obtained by micromachining and method of its manufacture

Номер патента: RU2627062C2. Автор: Боут МАРСЕЛИС,Марсель МЮЛДЕР,Рюдигер МАУКЗОК,Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Корай КАРАКАЯ,Петер ДИРКСЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09828236B2. Автор: Bout Marcelis,Peter Dirksen,Koray Karakaya,Ruediger Mauczok,Marcel Mulder,Johan Klootwijk. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of making N-type semiconductor layer and method of making N-type thin film transistor

Номер патента: US09768400B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including first and second gate insulating films disposed on a semiconductor layer and manufacturing method of the same

Номер патента: US09466706B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Multilayer nanocomposite for capacitors and method of its manufacturing

Номер патента: RU2432634C1. Автор: Василий Александрович Барган,Петр Александрович Барган,Дмитрий Евгеньевич Кашин,Александр Викторович Пейсахов,Борис Дмитриевич Больщиков,Алексей Борисович Халявин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БАРГАН ТЕХНОЛОДЖИ" (ООО "БТЕХ"). Дата публикации: 2011-10-27.

Layered electroactive material and methods of forming the same

Номер патента: US20240234695A9. Автор: Anil K. Sachdev,Nicholas Paul William Pieczonka,Jeffrey David Cain. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Method of forming dielectric film and capacitor manufacturing method using the same

Номер патента: US20070173028A1. Автор: Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: US20240248391A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: WO2024155654A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming contact metal

Номер патента: US09711402B1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making a resistive random access memory device with metal-doped resistive switching layer

Номер патента: US09385164B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Vladimir Machkaoutsan,Jan Willem Maes,Michael Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Chip package, method of forming a chip package and method of forming an electrical contact

Номер патента: US12033972B2. Автор: Michael Bauer,Joachim Mahler,Francisco Javier Santos Rodriguez,Jochen Dangelmaier,Frank Hille,Heinrich Koerner,Reimund Engl,Johann Gatterbauer,Antonio Vellei,Werner Kanert,Brigitte Ruehle,Michael Huettinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Method of forming a gate structure using a dual step polysilicon deposition procedure

Номер патента: US20050095766A1. Автор: Shih-l Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon

Номер патента: US09735024B2. Автор: Masaru Zaitsu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-08-15.

Bilayer dielectric stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: US20220223608A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Bilayer stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: WO2023191981A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods of forming rutile titanium dioxide

Номер патента: US20140065301A1. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of producing a radiation-emitting component and radiation-emitting component

Номер патента: US20200287091A1. Автор: Andreas RÜCKERL. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of producing a radiation-emitting component and radiation-emitting component

Номер патента: US11075323B2. Автор: Andreas RÜCKERL. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-07-27.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: US20230197449A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-06-22.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Vertical FET with selective atomic layer deposition gate

Номер патента: US09761694B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: CA3187700A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: EP4189349A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-06-07.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: WO2022023482A1. Автор: Jerome Polesel. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2022-02-03.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Memristor device, method of fabricating the same, synaptic device including the same, and neuromorphic device including the synaptic device

Номер патента: US20230309327A1. Автор: Sung Yool Choi,Sang Su Park,Jun Hwe CHA,Jung Yeop Oh. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-28.

Surface modified sofc cathode particles and methods of making same

Номер патента: US20170018782A1. Автор: Jeffrey F. Roeder,Peter C. Van Buskirk,Anthony F. Zeberoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-19.

Method of and device for cleaning exhaust gases of internal combustion engine

Номер патента: RU2270051C2. Автор: Геран СУНДХОЛЬМ. Владелец: Мариофф Корпорейшн Ой. Дата публикации: 2006-02-20.

Method of dielectric material fill and treatment

Номер патента: US12046508B2. Автор: Nikolaos Bekiaris,He REN,Mehul Naik,Naomi Yoshida,Jingmei Liang,Martin Jay Seamons,Mei-Yee Shek,Shi YOU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US10468417B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US20190287976A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

New marking and method of its implementation

Номер патента: RU2405878C2. Автор: Туомас МУСТОНЕН,Теппо ЗАЛЬБЕРГ,Тимо КАЛЛИО. Владелец: М-реал ОИЙ. Дата публикации: 2010-12-10.

Method of making thin-film solar module with scribing layers

Номер патента: RU2715088C1. Автор: Илья Александрович Няпшаев,Виктор Сергеевич Тарасов,Федор Сергеевич Егоров,Александр Дмитриевич Дубровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хевел». Дата публикации: 2020-02-25.

Method and system for generation of atomic spin orientation

Номер патента: US12044756B2. Автор: Witold Chalupczak,Rafal Gartman,Patrick Bevington. Владелец: NPL Management Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of encapsulating an optoelectronic device and light-emitting diode chip

Номер патента: US09570662B2. Автор: Michael Huber,Karl Engl,Sebastian Taeger,Martin Welzel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Two-sided silicon solar cell and method of making same

Номер патента: RU2601732C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Валерий Константинович Борисов. Владелец: Федеральное агентство научных организаций Федеральное Государственное Бюджетное Научное Учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2016-11-10.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of making multilayer barrier structure for solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2414775C1. Автор: Карстен Агерстед НИЛЬСЕН,Сёрен ЛИНДЕРОТ,Петер Ванг ХЕНДРИКСЕН,Аса ПЕРСОН,Ларс МИКЕЛЬСЕН,Нильс КРИСТЬЯНСЕН,Йорген Гутзон ЛАРСЕН. Владелец: Топсе Фьюэл Сэл А/С. Дата публикации: 2011-03-20.

Apparatus and methods for manipulation of atomic beams

Номер патента: WO2007034174A3. Автор: Ole Steuernagel. Владелец: Ole Steuernagel. Дата публикации: 2007-08-02.

Apparatus and methods for manipulation of atomic beams

Номер патента: WO2007034174A2. Автор: Ole Steuernagel. Владелец: University of Hertfordshire. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of simulating chemical behavior of atoms of superheavy elements

Номер патента: RU2698468C1. Автор: Владимир Пантелеймонович Доманов. Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований (Оияи). Дата публикации: 2019-08-27.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Method of estimating effective atomic number and volume density of rock samples using x-ray computed tomography on two energy levels

Номер патента: RU2595646C2. Автор: Наум ДЕРЖИ. Владелец: Ингрейн, Инк.. Дата публикации: 2016-08-27.

Method of semiconductor beta-voltaic cells manufacturing based on nickel-63 radionuclide

Номер патента: RU2715735C1. Автор: Сергей Михайлович Миронов,Владислав Яковлевич Панченко,Валерий Александрович Фирсов,Антон Валерьевич Лабозин,Алексей Борисович Дьячков,Михаил Алексеевич Поликарпов,Алексей Анатольевич Горкунов,Глеб Олегович Цветков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2020-03-03.

Methods of forming biocompatible rechargable energisation elements for biomedical devices

Номер патента: RU2675797C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of conversion of nuclear energy into heat energy and device for its implementation (versions)

Номер патента: RU2557616C1. Автор: Алексей Сергеевич Богомолов,Андрей Юрьевич Быков,Вячеслав Михайлович Мосяж,Игорь Николаевич Острецов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжектор". Дата публикации: 2015-07-27.

Method of non-invasive remote temperature control of deeply located organs and tissues

Номер патента: RU2672379C1. Автор: Станислав Михайлович Иванов,Элкуно Аврумович Перельштейн,Сергей Маркович Полозов,Алексей Михайлович Фадеев. Владелец: Сергей Маркович Полозов. Дата публикации: 2018-11-14.

Method of creation of laser radiation and laser implementing this method

Номер патента: RU2653567C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Евгений Борисович Александров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-05-11.

Method of atomizing lubricant at a constant rate in lubricant atomizer and circulating type of constant-rated lubricant atomizer

Номер патента: US20020084146A1. Автор: Haruo Itoh. Владелец: Taco Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of development of oil multilayer deposit

Номер патента: RU2726664C1. Автор: Юлий Андреевич Гуторов,Ленар Гамбарович Рахмаев,Оксана Викторовна Давыдова. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-07-15.

Method of stockpiling and processing artemia cysts

Номер патента: RU2718639C1. Автор: Алексей Николаевич Туркин,Дмитрий Владимирович Яковенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «БиоРесурс». Дата публикации: 2020-04-10.

Method of producing actinium-227, thorium-228 and thorium-229 from irradiated radium-226

Номер патента: RU2716272C1. Автор: Ларион Александрович Лебедев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Научно-технический центр инноваций» (ООО "НТЦИ"). Дата публикации: 2020-03-11.

Method of making super capacitors or quantum accumulators and super capacitor or quantum accumulator

Номер патента: RU2357313C2. Автор: Рольф АЙСЕНРИНГ. Владелец: Рольф АЙСЕНРИНГ. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of vcsel crystals mounting on crystal holder

Номер патента: RU2610339C2. Автор: Раймонд Луи ДЮМОЛЭН,Михаэль МИЛЛЕР,Арманд ПРЕЙМБОМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-02-09.

Ferroelectric memory devices having improved ferroelectric properties and methods of making the same

Номер патента: US20230378354A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Po-Ting Lin,Song-Fu Liao,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a sensor device having a porous thin-film metal electrode

Номер патента: WO2014100611A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,Ashwin Samarao. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-26.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Electronic atomization device, atomization assembly thereof and manufacturing method of atomization assembly

Номер патента: EP3960011A1. Автор: Chunfeng Zhang,Hongming Zhou,Jianxin XIAO,Caiqiang ZHU,Chaoyong BIE. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Semiconductor processing method of making a hemispherical grain (HSG) polysilicon layer

Номер патента: US20010009808A1. Автор: Randhir Thakur,Er-Xang Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Electronic atomization device and atomization assembly thereof, and manufacturing method of atomization assembly

Номер патента: US12121064B2. Автор: Chunfeng Zhang,Hongming Zhou,Jianxin XIAO,Caiqiang ZHU,Chaoyong BIE. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of determining content of tungsten and molybdenum

Номер патента: RU2705750C2. Автор: Игорь Григорьевич Сковородников,Валерий Евгеньевич Петряев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный горный университет" (ФГБОУ ВО "УГГУ"). Дата публикации: 2019-11-11.

Method of atomizing a fluid composition

Номер патента: EP3999241A1. Автор: Dana Paul Gruenbacher,Stephan Gary Bush,Chisomaga Ugochi Nwachukwu,Linda Michelle VISSING. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2022-05-25.

Method of atomizing a fluid composition

Номер патента: WO2021011959A1. Автор: Dana Paul Gruenbacher,Stephan Gary Bush,Chisomaga Ugochi Nwachukwu,Linda Michelle VISSING. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures

Номер патента: WO2012109026A2. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of manufacturing a light emitting device

Номер патента: EP3662517A1. Автор: Daniel B. Roitman,Hisashi Masui,Ken T. Shimizu. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-06-10.

Efficient merging of atomic operations at computing devices

Номер патента: US20180300846A1. Автор: Balaji Vembu,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

SOFC interconnect barriers and methods of making same using masks

Номер патента: US10541429B2. Автор: Jeffrey F. Roeder,Peter C. Van Buskirk. Владелец: Sonata Scientific LLC. Дата публикации: 2020-01-21.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

Efficient merging of atomic operations at computing devices

Номер патента: US20190347759A1. Автор: Balaji Vembu,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Efficient merging of atomic operations at computing devices

Номер патента: US20210065329A1. Автор: Balaji Vembu,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Atomic layer deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing materials

Номер патента: US20240332001A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: WO2024206872A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Company, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing materials

Номер патента: WO2024206048A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: US20240325990A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Performing atomic layer etching using a silane-based chemistry

Номер патента: WO2024211411A1. Автор: James Sims,Ryan James GASVODA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of atomizing a fluid composition

Номер патента: US12121637B2. Автор: Stephan Gary Bush,Bruce David Gibson,Judith Ann Hollingshead,Chisomaga Ugochi Nwachukwu. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917092B2. Автор: Wensheng Wang,Hideki Ito,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Devices and methods of forming SADP on SRAM and SAQP on logic

Номер патента: US09761452B1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of detecting vital activity, method of controlling vital functions, and method of transmitting information relating to vital functions

Номер патента: RU2650202C2. Автор: Хидео АНДО. Владелец: Хидео АНДО. Дата публикации: 2018-04-11.

Method of improvement of manoeuvrability of atomic power plants

Номер патента: RU2529508C1. Автор: Валерий Евгеньевич Юрин. Владелец: Валерий Евгеньевич Юрин. Дата публикации: 2014-09-27.

Method of realizing a system for double magnetic sorting of hydrogen atoms

Номер патента: RU2692000C1. Автор: Игорь Юрьевич Блинов,Александр Иванович Бойко,Михаил Сергеевич Алейников. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии (РОССТАНДАРТ). Дата публикации: 2019-06-19.

Method of combustion of transuranium chemical elements and a nuclear reactor for realization of this method

Номер патента: RU2267826C2. Автор: Брюно БЕРНАНДЕН,Брюно БЕРНАНДЕН (FR). Владелец: Коммиссариат А Л`Энержи Атомик. Дата публикации: 2006-01-10.

Method of forming a patterned metal layer

Номер патента: US20030091937A1. Автор: Stephen Burgess,James O'sullivan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Robust anode materials, anode layers and methods of making and forming same

Номер патента: WO2024147842A2. Автор: Arrelaine Dameron,David M. King,Jaime DUMONT,Barbara HUGHES,Madison MARTINEZ,Brianna Boeyink,Meghan HERBERT-WALTERS. Владелец: Forge Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Case, method of manufacturing case, and electronic device

Номер патента: US09699926B2. Автор: Won-Tae Kim,Jong-Chul Choi,Chang-Youn Hwang,Hak-Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Aerosol method of disinfection of ventilation systems

Номер патента: RU2731265C1. Автор: Александр Викторович Алимов,Николай Николаевич Жуйков,Татьяна Александровна Рупышева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Екатеринбургский научно-исследовательский институт вирусных инфекций" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ЕНИИВИ" Роспотребнадзора). Дата публикации: 2020-09-01.

Method of reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20140035143A1. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US11749693B2. Автор: En-Tsung Cho,Yuming XIA,Lidan YE. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Layered electroactive material and methods of forming the same

Номер патента: US20240136507A1. Автор: Anil K. Sachdev,Nicholas Paul William Pieczonka,Jeffrey David Cain. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with inductive component and method of forming

Номер патента: US20240234481A1. Автор: Kai Tzeng,Chi-Cheng Chen,Chun Yi Wu,Yuh-Sen Chang,Chi-Chun Peng,Szu-Shu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of designing an alignment mark

Номер патента: WO2021052695A1. Автор: Hua Li,Jigang Ma. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-03-25.

Composite materials and methods of making and use thereof

Номер патента: WO2023235245A1. Автор: Chih-Hao Chang,I-Te Chen,Vijay Anirudh PREMNATH. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of three-dimensional atomic imaging

Номер патента: WO1992012527A1. Автор: David S. Y. Tong. Владелец: Board Of Regents Of The University Of Wisconsin System. Дата публикации: 1992-07-23.

Composite electrode and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2567421A1. Автор: Thomas Harvey,Timothy George Ryan. Владелец: Epigem Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Methods of manufacturing a perovskite optoelectronic device

Номер патента: US20240251573A1. Автор: Nicolas Blondiaux,Soo-Jin Moon,Gaëlle ANDREATTA,Brett KAMINO,Arnaud WALTER,Adriana PARACCHINO. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetoresistive stack/structure and method of manufacturing same

Номер патента: US09793470B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL,Chaitanya Mudivarthi. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548471B2. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09508931B2. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein,Durai Vishal Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of implantation for fragilization of substrates

Номер патента: US09425081B2. Автор: Nadia Ben Mohamed,Carole David,Camille Rigal. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming copper distribution with a thick cobalt-containing insert in the structure of devices operating based on magnetic tunnel junction

Номер патента: RU2694289C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Валентина Александровна Гайдедей. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА". Дата публикации: 2019-07-11.

Method of forming epitaxial array of monocrystalline nanoislands of silicon on sapphire substrate in vacuum

Номер патента: RU2600505C1. Автор: Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-10-20.

Method of producing biosensor structure

Номер патента: RU2644979C2. Автор: Светлана Викторовна Стецюра,Александр Валерьевич Козловский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2018-02-15.

Method of processing of artemia salina cysts

Номер патента: RU2360409C2. Автор: Галина Александровна Царева,Андрей Филиппович Кнорр,Станислав Сергеевич Ли,Зохраб Агазаманович Алиев,Сергей Васильевич Бруй. Владелец: Станислав Сергеевич Ли. Дата публикации: 2009-07-10.

V. p. rodionov's method of hydrodynamic surface cleaning

Номер патента: RU2635232C1. Автор: Виктор Петрович Родионов. Владелец: Виктор Петрович Родионов. Дата публикации: 2017-11-09.

Method of manufacturing sensitive element of cryogenic gyroscope

Номер патента: RU2678707C1. Автор: Сергей Львович Левин,Василий Васильевич Святый,Александр Григорьевич Щербак,Ольга Сергеевна Юльметова,Маргарита Алексеевна Туманова,Людмила Петровна Рябова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2019-01-31.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE (Vt) WORKFUNCTION METAL BY SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: WO2015138176A1. Автор: David Thompson,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: WO2024097774A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-10.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods and apparatuses for wide-spectrum consumption of output of atomization processes across multi-process and multi-scale additive manufacturing modalities

Номер патента: EP4392228A1. Автор: Michael Thomas Kenworthy,Prabir Chaudhury,Michael HOGANSON. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2014086742A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-06-12.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: EP2959500A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-30.

The method of non-destructive evaluation of intergranular stress corrosion cracking (igssc) in structural components made of metal alloys, and the method of lifetime evaluation of the structural components

Номер патента: EP2841917A1. Автор: Sung-Soo Kim,Young-Suk Kim,Dae-Whan Kim. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2015-03-04.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

A platform independent energy consumption estimation method of a computer program

Номер патента: EP4400973A1. Автор: Yuval Elovici,Heiko LEHMANN,Oleg BRODT,Asaf Shabtai,David Mimran,Jinsung Choi. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-07-17.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160104836A1. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Methods of manufacturing a perovskite optoelectronic device

Номер патента: EP4404712A1. Автор: Nicolas Blondiaux,Soo-Jin Moon,Gaëlle ANDREATTA,Brett KAMINO,Arnaud WALTER,Adriana PARACCHINO. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of making an integrally gated carbon nanotube field ionizer device

Номер патента: US20090224225A1. Автор: Jonathan L. Shaw,David S.Y. Hsu. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2009-09-10.

Liquid discharge head and method of manufacturing liquid discharge head

Номер патента: US20190291437A1. Автор: Yuichi Ito,Yasuo Kato,Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing a TFT array panel for a LCD

Номер патента: US20050048407A1. Автор: Chi-shen Lee,Cheng-Chung Chen,Yung-Fu Wu,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of making an electrochemical cell

Номер патента: US20210043956A1. Автор: Michael Paul HUMBERT,Tianli Zhu. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326285A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu,Elizar Andres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Manufacturing method of touch display panel

Номер патента: US09568759B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of non-destructive evaluation of intergranular stress corrosion cracking (IGSSC) in structural components made of metal alloys, and the method of lifetime evaluation of the structural components

Номер патента: US09562843B2. Автор: Sung-Soo Kim,Young-Suk Kim,Dae-Whan Kim. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2017-02-07.

Underlay film composition for imprints and method of forming pattern and pattern formation method using the same

Номер патента: US09507263B2. Автор: Kunihiko Kodama,Yuichiro Enomoto,Shinji Tarutani,Takayuki Ito,Hirotaka Kitagawa,Akiko Hattori,Tadashi OOMATSU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Charge coupled device based on atomically layered van der waals solid state film for opto-electronic memory and image capture

Номер патента: US09431565B2. Автор: Antony George,Bo Li,Pulickel M. Ajayan,Sidong Lei,Liehui Ge,Robert Vajtai. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of making 3d object

Номер патента: RU2459704C2. Автор: Йохен ФИЛИППИ. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2012-08-27.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150090947A1. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Electrochemical analyzer for measuring the concentration of atoms or molecules in a fluid and method of making same

Номер патента: WO1988008132A1. Автор: Ilan Riess. Владелец: Frantztech Ltd.. Дата публикации: 1988-10-20.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP2093800A3. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Charles M. Watkins,Kyle K. Kirkby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-31.

Method of manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor

Номер патента: US20130071555A1. Автор: Yoshihiko Yano,Yasunobu Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US9691632B2. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method of generating tem sadp image with high discernment

Номер патента: US20240234082A1. Автор: Jin Ha Jeong,Hea Yun Lee,Hyun Ji Lee,Moon Soo Ra. Владелец: Lightvision Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing mram device with enhanced etch control

Номер патента: US20240260479A1. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Meng-Yu Wu,Szu-Hua Wu,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150303071A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Method of manufacturing a vibrating structure gyroscope

Номер патента: AU1872000A. Автор: Ian Sturland,Kevin Townsend,Christopher Paul Fell. Владелец: BAE SYSTEMS plc. Дата публикации: 2000-07-31.

Injection preform having pattern on surface thereof and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120088077A1. Автор: Jung-hyeon Kim,Hoon-Soo Park,Chang-Youn Hwang,Hyun-Jung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of applying substance to intergrated circuit die and lead frames to improve adhesion to mold compound apparatus and devices

Номер патента: SG43864A1. Автор: Robert G Mckenna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-11-14.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a flexible circuit electrode array with at least one tack opening

Номер патента: US09643002B2. Автор: Robert J. Greenberg,James Singleton Little,Brian V. Mech,Jordan Matthew Neysmith,Neil Hamilton Talbot. Владелец: Second Sight Medical Products Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of fabricating transient semiconductor based on single-wall nanotube

Номер патента: US09564319B2. Автор: Sung-Hun Jin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2017-02-07.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406879B2. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of producing a thin film anode

Номер патента: RU2622905C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-06-21.

Method of eliminating the colmatation during block underground leaching

Номер патента: RU2685520C1. Автор: Валерий Васильевич Медведев,Артем Михайлович Зозуля,Василий Афанасьевич Овсейчук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Забайкальский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ЗабГУ"). Дата публикации: 2019-04-19.

Method of and device for reducing toxicity of engine exhaust gases

Номер патента: RU2178098C2. Автор: В.Ф. Русаков,В.К. Журавлев. Владелец: Журавлев Василий Кузьмич. Дата публикации: 2002-01-10.

Development method of oil and gas deposits using high-power laser radiation for their maximum extraction

Номер патента: RU2509882C1. Автор: Александр Петрович Линецкий,Владимир Михайлович Журба. Владелец: Александр Петрович Линецкий. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of alluvial deposits development using downhole leaching

Номер патента: RU2740647C1. Автор: Артур Геннадиевич Секисов,Антон Юрьевич Чебан,Анна Вадимовна Рассказова,Кирилл Васильевич Гевало. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Хабаровский Федеральный исследовательский центр Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-01-19.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of forming MIS capacitor

Номер патента: US7029985B2. Автор: Garo J. Derderian,Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-04-18.

Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape

Номер патента: US6734082B2. Автор: Jia Zhen Zheng,Soh Yun Siah,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Surface relief grating and method of making the same

Номер патента: US20230057283A1. Автор: Jay Patel,Vivek Gupta,Nihar Mohanty,Topalian Topalian. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of manufacturing a light emitting device

Номер патента: US10411171B2. Автор: Daniel B. Roitman,Hisashi Masui,Ken T. Shimizu. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-09-10.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of forming high voltage transistor and structure resulting therefrom

Номер патента: US20240234566A1. Автор: Chih-Ming Lee,Pei-Lun Wang,Chih-Hsiung Huang,Wen-Chih Chiang,Yu-Chang Jong,Cheng-Ming Wu,Yu-Hsien CHU,Ling Mei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP1763897A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP2093800B1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Charles M. Watkins,Kyle K. Kirkby. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-07-06.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: SG153876A1. Автор: Salman Akram,Kyle K Kirby,Alan G Wood,William M Hiatt,Charles M Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP1763897B1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-02.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: WO2006011897A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Low resistance monosilicide electrode for phase change memory and methods of making the same

Номер патента: US20210391006A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of manufacturing X-ray exposure mask

Номер патента: US5364717A. Автор: Yasuyuki Miyamoto,Kazuhito Furuya. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 1994-11-15.

Method of making a load resistor of a static random access memory on a semiconductor wafer

Номер патента: US6046080A. Автор: Yi-Tyng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Method of manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor

Номер патента: US20130071554A1. Автор: Yoshihiko Yano,Yasunobu Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of manufacturing an impregnated structure for abrading

Номер патента: US20150113881A1. Автор: Michel De Reynal. Владелец: Varel Europe Sas. Дата публикации: 2015-04-30.

Cu seed layer deposition for ULSI metalization

Номер патента: US20020113038A1. Автор: Ching-Han Jan,Jih-Wen Wang,Fon-Shan Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-08-22.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09818938B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing multilayer ceramic capacitor

Номер патента: US09818536B2. Автор: Shinichi Yamaguchi,Shoichiro Suzuki,Akitaka Doi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing an impregnated structure for abrading

Номер патента: US09731404B2. Автор: Michel De Reynal. Владелец: Varel Europe Sas. Дата публикации: 2017-08-15.

Devices and methods of improving device performance through gate cut last process

Номер патента: US09679985B1. Автор: Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of development of high-viscosity oil deposit using thermal methods and device for implementation thereof

Номер патента: RU2730504C1. Автор: Айрат Идрисович Каримов,Андрей Владимирович Балякин. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-08-25.

Development method of low-permeable reservoir of oil deposit

Номер патента: RU2713026C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Алина Илдусовна Арсланова. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" им. В.Д.Шашина. Дата публикации: 2020-02-03.

Ion instertion battery electrode and method of fabrication

Номер патента: WO2018007277A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek -Tno. Дата публикации: 2018-01-11.

Ion insertion battery electrode and method of fabricating same

Номер патента: US20190157657A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast-natuurweten Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-05-23.

Led device with protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024123425A1. Автор: Hans-Helmut Bechtel,Matthias Heidemann,Marcel Rene Bohmer,Ronja Missong,Sarah SOMMER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Ion insertion battery electrode and method of fabricating same

Номер патента: US10862101B2. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nedarlandse Organisatie Voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno. Дата публикации: 2020-12-08.

Ion instertion battery electrode and method of fabrication

Номер патента: EP3479426A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-05-08.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing optical member

Номер патента: US20240061159A1. Автор: Takaaki Tada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of addressing dissimilar etch rates

Номер патента: US20200328090A1. Автор: Ian FLADER. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220216141A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

FinFET Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240304725A1. Автор: Yu-Sheng Wang,Chia-Ching Lee,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Method of manufacturing a piece of interior equipment of an automotive vehicle

Номер патента: US09902128B2. Автор: Daniel BAUDET,Xavier Bathelier,Denise MEDINA. Владелец: Faurecia Automotive Industrie SAS. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of oil field development

Номер патента: RU2651851C1. Автор: Иван Алексеевич Синцов,Мария Юрьевна Романова,Владлена Александровна Полякова,Дмитрий Анатольевич Остапчук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ). Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for direct geochemical prediction of hydrocarbon deposits using biomarker compounds

Номер патента: RU2731955C1. Автор: Никита Владимирович Морозов,Дарья Юрьевна Калачева,Андрей Васильевич Гончаров,Елена Ивановна Горбенко,Фидан Гилемьянович Гайнетдинов,Оксана Александровна Захарова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпромнефть Научно-Технический Центр" (ООО "Газпромнефть НТЦ"). Дата публикации: 2020-09-09.

Nuclear fuel pellet and method of its production

Номер патента: RU2713619C1. Автор: Владимир Владимирович Новиков,Александр Владимирович Лысиков,Евгений Николаевич Михеев,Олег Александрович Бахтеев,Никита Александрович Дегтярев. Владелец: Акционерное Общество "Твэл". Дата публикации: 2020-02-05.

Electromagnetic Radiation Emitting Device and Method of Applying a Converter Layer to an Electromagnetic Radiation Emitting Device

Номер патента: US20210280748A1. Автор: Siegfried Herrmann,Sebastian Taeger,Adrian Stefan Avramescu,Alexander Behres. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220059683A1. Автор: Yasunori Tateno,Fuminori Mitsuhashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of manufacturing circuit board

Номер патента: US20200178400A1. Автор: Hsin-Chi Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of Integrating a MOSFET with a Capacitor

Номер патента: US20110059593A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Anup Bhalla,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same

Номер патента: US10763125B2. Автор: Wei He,Chris Wiebe,Hongyong Xue. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same

Номер патента: US20190385863A1. Автор: Wei He,Chris Wiebe,Hongyong Xue. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Prelithiated anode, lithium-ion battery containing same, and method of producing same

Номер патента: WO2023019275A3. Автор: Aruna Zhamu,Bor Z. Jang,Hui He. Владелец: Global Graphene Group, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Flexible inorganic microled display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230238476A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Goutham EZHILARASU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-07-27.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Nozzle plate for inkjet head and method of manufacturing the nozzle plate

Номер патента: US20080007594A1. Автор: Young-nam Kwon,Jae-Chang Lee,Tae-Woon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Prelithiated anode, lithium-ion battery containing same, and method of producing same

Номер патента: WO2023019275A2. Автор: Aruna Zhamu,Bor Z. Jang,Hui He. Владелец: Global Graphene Group, Inc.. Дата публикации: 2023-02-16.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Robust polymer electrolytes with tunable properties via molecular layer deposition

Номер патента: WO2024173554A1. Автор: Xiangbo Meng. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ARKANSAS. Дата публикации: 2024-08-22.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming a buffer layer in a solar cell, and a solar cell formed by the method

Номер патента: US09825197B2. Автор: Shih-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Hybrid electronic device protected against humidity and method of protecting a hybrid electronic device against humidity

Номер патента: US09793141B2. Автор: Francois Marion,Tony Maindron. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240072142A1. Автор: Yunsang Kim,Hae-Won Choi,Thomas Jongwan Kwon. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230369452A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chieh-Ping WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Battery separator, method of manufacturing a battery separator, battery, battery pack, and electronic apparatus

Номер патента: US20130260184A1. Автор: Takahiro Kawana,Nobuyuki Nagaoka,Chak Chung Andrew Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Battery separator, method of manufacturing a battery separator, battery, battery pack, and electronic apparatus

Номер патента: US8956742B2. Автор: Takahiro Kawana,Nobuyuki Nagaoka,Chak Chung Andrew Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Method of forming a high quality interfacial layer for a semiconductor device by performing a low temperature ald process

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Dina Triyoso,Gabriela Dilliway,Elke Erben,Rimoon Agaiby. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Metal gates and methods of forming thereby

Номер патента: US12046519B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220013466A1. Автор: Hitoshi Sumida,Masaharu Yamaji,Hideaki Itoh,Taichi KARINO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11776924B2. Автор: Ching-Hung Chang,Chiang-Lin Shih,Hsih-Yang Chiu,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Atomic Layer-Based Surface Treatments for Infrared Detectors

Номер патента: US20230129191A1. Автор: Harold Frank GREER,Cory J. Hill. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-04-27.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Metal Gates and Methods of Forming Thereby

Номер патента: US20240347392A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of making self-assembling floating gate electrodes for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09806089B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of producing a thin film cathode

Номер патента: RU2623104C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-06-22.

Method of coating application in vacuum

Номер патента: RU2654991C1. Автор: Валерий Иосифович Скоморовский,Владимир Александрович Прошин,Галина Ивановна Кушталь. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт солнечно-земной физики Сибирского отделения Российской академии наук(ИСЗФ СО РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7592272B2. Автор: Osamu Tonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Thin film coatings on transparent substrates and methods of making and using thereof

Номер патента: US11774637B1. Автор: Hulya Demiryont. Владелец: Eclipse Energy Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140209921A1. Автор: Hisao Sato,Katsuki Kusunoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of formation for quantum dots array using tilted substrate

Номер патента: US20020168835A1. Автор: Tae Kim,Eun Kim,Yong Park,Hyo Kim. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2002-11-14.

Capacitor having a tantalum lower electrode and method of forming the same

Номер патента: US20030006447A1. Автор: Derryl Allman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

High-pass radiation shield and method of radiation protection

Номер патента: US12040101B2. Автор: Valiallah Saba. Владелец: Salamatgostar Partomoj Co. Дата публикации: 2024-07-16.

Mercury detecting paper and method of using the same

Номер патента: US09995724B2. Автор: Iqbal M. I. Ismail,Liyakat Hamid Mujawar,Mohammad Soror El-Shahawi. Владелец: KING ABDULAZIZ UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978764B2. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US09705287B2. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming a catalyst with an atomic layer of platinum atoms

Номер патента: US09610566B2. Автор: Keiichi Kaneko,Minhua Shao,Michael Paul HUMBERT. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Multiple-threshold voltage devices and method of forming same

Номер патента: US09368353B2. Автор: Martin Christopher Holland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for development of permeable upper jurassic deposits using horizontal wells with multi-stage hydraulic fracturing and maintaining reservoir pressure due to high-pressure air injection

Номер патента: RU2764128C1. Автор: Валерий Борисович Карпов,Виктор Иванович Дарищев,Николай Васильевич Паршин,Варвара Дмитриевна Немова,Константин Анатольевич Бугаев,Дмитрий Александрович Метт,Ольга Владимировна Славкина,Ренат Галеевич Нургалиев,Максим Григорьевич Борисов,Константин Александрович Щеколдин,Евгений Орестович Микитин,Александра Евгеньевна Привознова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Российская инновационная топливно-энергетическая компания" (ООО "РИТЭК"). Дата публикации: 2022-01-13.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: WO2023249824A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: US20230420486A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: US20230292620A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-14.

Molecular layer deposition liner for 3d nand

Номер патента: WO2023023252A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-23.

Coated substrate and method of making same

Номер патента: US20090072713A1. Автор: Matthew Stainer,Paul Anthony Sant. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20220059497A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Band filter using film bulk acoustic resonator and method of fabricating the same

Номер патента: EP1684420A3. Автор: In-Sang Song,Kyu-Sik Kim,Seog-Woo Hong,Byeoung-ju Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of fabricating optical waveguide devices with smooth and flat dielectric interfaces

Номер патента: SG125098A1. Автор: KANG Joon Mo,Desmond R Lim,My The Doan. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2006-09-29.

A method of creating and concentrating high velocity alpha particles having two captured electrons

Номер патента: WO2000065603A1. Автор: Jerome Drexler. Владелец: Jerome Drexler. Дата публикации: 2000-11-02.

Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200013750A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang,Yun Chen Hsieh,Yi-Yang Lei,Jyun-Siang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

A method of creating and concentrating high velocity alpha particles having two captured electrons

Номер патента: WO2000065603A8. Автор: Jerome Drexler. Владелец: Jerome Drexler. Дата публикации: 2001-03-15.

Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200051949A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang,Yun Chen Hsieh,Yi-Yang Lei,Jyun-Siang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of preparing active areas

Номер патента: US12094724B2. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

See-through thin film solar cell module and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062729B2. Автор: Jeung-Hyun Jeong,Won Mok Kim,Hyunjae Lee,Hyeonggeun Yu,Gee Yeong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of making multilayer optical film comprising layer-by-layer self-assembled layers and articles

Номер патента: US09829604B2. Автор: James R. Miller,Daniel J. Schmidt,Timothy J. Hebrink,Mark B. O'Neill. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Hydrogen activated atomic layer etching

Номер патента: US09779956B1. Автор: Xin Zhang,Gerardo Delgadino,Daniel Le,Alan Jensen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Wet scrubber nozzle system and method of use for cleaning a process gas

Номер патента: US09700837B2. Автор: Dennis James Laslo. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating acoustic resonator with planarization layer

Номер патента: US09680439B2. Автор: Stefan Bader,Phil Nikkel,Robert Thalhammer. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Depolarizers and methods of making thereof

Номер патента: US09599834B2. Автор: Lichao Zhang,Sam Rubin,Cary Zhang. Владелец: Thorlabs Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US11908751B2. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US20230378000A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Treated Cellulosic Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230347547A1. Автор: Mark D. Losego,Shawn Alan GREGORY,Shannon K. Yee. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Mim capacitor with metal nitride electrode materials and method of formation

Номер патента: WO2003079417A2. Автор: Cem Basceri,Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2003-09-25.

Combined charge balance and edge termination surface passivation for a semiconductor device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240145532A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of forming metal silicide

Номер патента: US20050176227A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chih-Wei Chang,Chii-Ming Wu,Mei-Yun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Combined charge balance and edge termination surface passivation for a semiconductor device and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2024092179A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

A mean to increase the molecular size of atoms and molecules in internal combustion engine and method of installing the same in internal combustion engine (ice)

Номер патента: WO2020040692A1. Автор: Hiang Lip Nigel CHAN. Владелец: Jng Global Pte. Ltd.. Дата публикации: 2020-02-27.

Molecular layer deposition contact landing protection for 3d nand

Номер патента: WO2023023228A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-23.

Turbine blade, method of manufacturing a turbine blade and method of refurbishing a turbine blade

Номер патента: US20240229651A9. Автор: Nan Jiang,Stephen Williamson,Lieke Wang,Mehmet Gungor. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-11.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US20150024300A1. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2015-01-22.

Intelligent thread dispatch and vectorization of atomic operations

Номер патента: EP3839739A1. Автор: FENG CHEN,Balaji Vembu,Sanjeev Jahagirdar,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Prasoonkumar Surti,Ben J. Ashbaugh,Kamal SINHA,Nicolas C. Galoppo Von Borries,Vasanth Ranganathan,Narayan Srinivasa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

Method of increasing embedded 3d metal-insulator-metal (mim) capacitor capacitance density for wafer level packaging

Номер патента: WO2019032789A1. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu,Peng Suo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Integrated thermoelectric generator and related method of fabrication

Номер патента: US20190252462A1. Автор: Danilo Mascolo,Dario Narducci,Antonietta BUOSCIOLO,Italo GISON,Fabio Spaziani,Enrico IULIANELLA,Guiseppe LATESSA. Владелец: CONSORZIO DELTA TI RESEARCH. Дата публикации: 2019-08-15.

Low stress tungsten layer deposition

Номер патента: WO2024167549A1. Автор: Yang Li,Jallepally Ravi,Kai Wu,Mehran Behdjat,Xi CEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Low stress tungsten layer deposition

Номер патента: US20240266215A1. Автор: Yang Li,Jallepally Ravi,Kai Wu,Mehran Behdjat,Xi CEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetic material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150332818A1. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-19.

Molecular layer deposition contact landing protection for 3D NAND

Номер патента: US11756785B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Dynamic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271042A1. Автор: Yi-Sheng Cheng,Chien-Chang Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Production method of thermoelectric converter, production method of electronic device equipped with thermoelectric converter, and thermoelectric converter

Номер патента: US09871181B2. Автор: Toshihisa Taniguchi,Keiji Okamoto,Yoshihiko Shiraishi,Atusi Sakaida,Eijirou Miyagawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US09825315B2. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2017-11-21.

Production method of thermoelectric converter, production method of electronic device equipped with thermoelectric converter, and thermoelectric converter

Номер патента: US09680079B2. Автор: Toshihisa Taniguchi,Keiji Okamoto,Yoshihiko Shiraishi,Atusi Sakaida,Eijirou Miyagawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of making a flexible circuit electrode array

Номер патента: US09669209B2. Автор: Robert Greenberg,Dao Min Zhou,James Little,Neil Talbot,Jordan Neysmith,Brian Mech,Qingfang Yao. Владелец: Second Sight Medical Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of refurbishing rotogravure cylinders, rotogravure cylinders and their use

Номер патента: US09539844B2. Автор: Ioannis Ioannou. Владелец: Paramount International Services Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Donor mask, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same, and organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US09461099B2. Автор: Taegyun Kim,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Atomizer of valve injector for internal combustion engine and method of its assembly

Номер патента: RU2651925C1. Автор: Юрий Евгеньевич Хрящев,Олег Николаевич Соколов,Лев Леонидович Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный технический университет" ФГБОУВО "ЯГТУ". Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetoresistive random access memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11882769B2. Автор: Hui-Lin WANG,Kun-Chen Ho,Bo-Yun Huang,Wen-Wen Zhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Mim capacitor with metal nitride electrode materials and method of formation

Номер патента: WO2003079417A3. Автор: Cem Basceri,Thomas M Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

Nano-engineered coatings for anode active materials, cathode active materials, and solid-state electrolytes and methods of making batteries containing nano-engineered coatings

Номер патента: AU2022201282B2. Автор: Erik Anderson,James Trevey,Fabio Albano,David M. King,Subhash Dhar,Kevin DAHLBERG,Srinlvasan VENKATESAN,Paul R. LICHTY. Владелец: Forge Nano Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050029593A1. Автор: Osamu Ohara,Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Methods of Forming Interconnect Structures in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20210375756A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of forming lateral pn junctions in iii-nitrides using p-type and n-type co-doping and selective p-type activation and deactivation

Номер патента: US20210296449A1. Автор: Siddharth Rajan,Mohammad Wahidur Rahman,Hareesh CHANDRASEKAR. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-09-23.

Organic EL panel and method of forming the same

Номер патента: US20050285514A1. Автор: Toshinao Yuki,Kunihiko Shirahata. Владелец: Tohoku Pioneer Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor on insulator structure comprising a plasma nitride layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240258156A1. Автор: Sasha Joseph KWESKIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240304667A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Lateral gallium oxide transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321971A1. Автор: Tai Young Kang,Sin Su Kyoung,Yu Sup JUNG. Владелец: POWER CUBESEMI Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Epitaxial wafer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991386B2. Автор: Toshiaki Ono,Yumi Hoshino. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of atomic emission analysis of solutions

Номер патента: RU2706720C1. Автор: Руслан Хажсетович Хамизов,Анатолий Михайлович Долгоносов,Надежда Константиновна Колотилина,Ольга Владимировна Фокина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Ленина и Ордена Октябрьской революции Институт геохимии и аналитической химии им. В.И. Вернадского Российской академии наук (ГЕОХИ РАН). Дата публикации: 2019-11-20.

Cathode for lithium-sulfur battery and method of its preparation

Номер патента: RU2619080C1. Автор: Минчул ДЗАНГ,Биоунгкук СОН,Ю Ми КИМ,Ги Су ПАРК. Владелец: ЭлДжи КЕМ, ЛТД.. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of depositing tantalum oxide layer

Номер патента: KR100454758B1. Автор: 박문수,김명규. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-11-05.

Chip arrangement, chip package, method of forming a chip arrangement, and method of forming a chip package

Номер патента: US20230274996A1. Автор: Edward Fürgut,Stefan Schwab,Edmund Riedl,Carsten Schaeffer,Manfred Pfaffenlehner,Stefan KRIVEC,Harry Sax. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of forming isolation structure

Номер патента: US20200075397A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Cheng Tung,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen,Hsuan-Tung Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method and system for generation of atomic spin orientation

Номер патента: US20240085501A1. Автор: Witold Chalupczak,Rafal Gartman,Patrick Bevington. Владелец: NPL Management Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method and system for generation of atomic spin orientation

Номер патента: EP4022334A1. Автор: Witold Chalupczak,Rafal Gartman,Patrick Bevington. Владелец: NPL Management Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Method and system for generation of atomic spin orientation

Номер патента: WO2021069880A1. Автор: Witold Chalupczak,Rafal Gartman,Patrick Bevington. Владелец: Npl Management Limited. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20230363173A1. Автор: Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for removing COD (chemical oxygen demand) and ammonia nitrogen from wastewater by using titanium-base lead peroxide composite electrode

Номер патента: CN102774932A. Автор: 何旭斌,苏建军,陈建孟,陈飞翔,陶建国,王家德,杨初引. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2012-11-14.

Method of open-pit mining of layer deposits of mineral resources

Номер патента: SU687230A1. Автор: Эммануил Лютерович Галустьян. Владелец: Всесоюзный научно-исследовательский институт горной геомеханики и маркшейдерского дела. Дата публикации: 1979-09-25.

METHOD OF GAS PRODUCTION INTENSIFICATION FROM GAS-CONDENSATE DEPOSITS USING FOCUSED ACOUSTIC FIELD

Номер патента: RU2018121265A. Автор: Иван Александрович Федоров. Владелец: Иван Александрович Федоров. Дата публикации: 2019-12-09.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of searching for mineral deposits based on atomic forms of mercury in natural water

Номер патента: RU2444768C2. Автор: Валерий Николаевич Виноградов,Инна Валерьевна Виноградова. Владелец: Федеральное государственное унитарное научно-производственное предприятие "Геологоразведка". Дата публикации: 2012-03-10.

Method of quantitative determination of manganese, lead and nickel in bile by method of atomic-absorption analysis with atomisation in flame

Номер патента: RU2410691C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Марина Александровна Баканина,Юлия Васильевна Шардакова,Галина Ивановна Леготкина. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФГУН "ФНЦ МПТ УРЗН" РОСПОТРЕБНАДЗОРА). Дата публикации: 2011-01-27.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2506660C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-02-10.

Method of production of fullerene

Номер патента: RU2270802C2. Автор: Александр Илларионович Плугин,Юрий Николаевич Муленко,Виктор Александрович Калюжнов. Владелец: Александр Илларионович Плугин. Дата публикации: 2006-02-27.

Method of producing dispersion particles

Номер патента: RU2548225C2. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владивостокский государственный университет экономики и сервиса" (ВГУЭС). Дата публикации: 2015-04-20.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of cleaning tubing string of well from paraffin deposits

Номер патента: RU2584192C1. Автор: Ильдар Зафирович Денисламов,Александр Иосифович Пономарев,Ильфир Зуфарович Исаев. Владелец: Ильфир Зуфарович Исаев. Дата публикации: 2016-05-20.

Nanocomposite based on nitrogen-containing carbon nanotubes with encapsulated cobalt and nickel particles and method of obtaining thereof

Номер патента: RU2546154C1. Автор: Александр Владимирович Егоров,Сергей Вячеславович Савилов,Антон Сергеевич Иванов,Евгения Викторовна Суслова,Валерий Васильевич Лунин,Николай Борисович Черкасов,Петр Евгеньевич Антонов. Владелец: Валерий Васильевич Лунин. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of decontaminating toxic industrial wastes

Номер патента: RU2394659C1. Автор: Анатолий Карпович Андрианов,Анатолий Алексеевич Ефимов,Виктор Васильевич Кривобоков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский технологический институт имени А.П. Александрова". Дата публикации: 2010-07-20.

Method of measurement for control of hydrogen in solid-state material

Номер патента: RU2531081C1. Автор: Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Александр Харитонович Антоненко,Дмитрий Игоревич Кошелев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2014-10-20.

Method of making silicon-on-insulator structures

Номер патента: RU2382437C1. Автор: Владимир Павлович Попов,Ида Евгеньевна Тысченко,Нина Владимировна Дудченко. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-02-20.

Stabilising material and method of producing thereof

Номер патента: RU2362225C2. Автор: Владимир Иванович Лебедев,Леонид Михайлович Шарыгин,Николай Никифорович Давиденко,Олег Алексеевич Шарый,Мария Леонидовна Калягина,Андрей Юлианович Муромский. Владелец: ЗАО ПНФ "Термоксид". Дата публикации: 2009-07-20.

METHOD OF MAKING OHMIC CONTACT TO GaAs BASED ON THIN Ge AND Cu FILMS

Номер патента: RU2422941C2. Автор: Евгений Викторович Ерофеев,Валерий Алексеевич Кагадей. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран". Дата публикации: 2011-06-27.

Radar absorbent material and method of making radar absorbent coating

Номер патента: RU2502766C1. Автор: Владимир Петрович Кудрявцев,Иосиф Михайлович Старобинец,Сергей Васильевич Козырев,Василий Андреевич Слугин,Михаил Сергеевич Андрющенко,Леонид Владимирович Луцев,Евгений Анатольевич Штагер. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ" (ЗАО "СПЕЦХИММОНТАЖ"). Дата публикации: 2013-12-27.

Method of estimation of vaccine quality

Номер патента: RU2339036C2. Автор: Валерий Иванович Шумаков,Сергей Алексеевич Саунин,Виктор Александрович Быков,Александр Григорьевич Тоневицкий,Игорь Иванович Агапов,Наталь Валерьевна Малюченко,Наталья Валерьевна Малюченко. Владелец: ФГУ "НИИ Трансплантологии и искусственных органов". Дата публикации: 2008-11-20.

Lithium-cobalt-oxide material and method of its preparation

Номер патента: RU2473466C1. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Татьяна Викторовна Ларина,Владимир Феодосьевич Ануфриенко,Олег Петрович Криворучко,Виктор Владимирович Осколков,Сергей Алексеевич Юрков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр информационной безопасности". Дата публикации: 2013-01-27.

Walking robot-nanopositioner and method of controlling movement thereof

Номер патента: RU2540283C2. Автор: Ростислав Владимирович Лапшин. Владелец: Ростислав Владимирович Лапшин. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of contact resistance measurment

Номер патента: RU2334238C1. Автор: Андрей Сергеевич Батурин,Евгений Павлович Шешин,Максим Викторович Спиридонов,Николай Юрьевич Любовин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский физико-технический институт (государственный университет) (МФТИ). Дата публикации: 2008-09-20.

Method of measuring density of electrons in plasma by optical spectroscopy

Номер патента: RU2587468C2. Автор: Александр Сергеевич Ковалев,Сергей Михайлович Зырянов,Юрий Александрович Манкелевич,Александр Юрьевич Поройков,Александр Турсунович Рахимов,Александр Александрович Ястребов,Дмитрий Викторович Лопаев,Ольга Вячеславовна Прошина,Дмитрий Григорьевич Волошин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2016-06-20.

Method of obtaining 5-aminosubstituted 1-(1-adamantyl)-3,4-dinitro-1h-pyrazoles

Номер патента: RU2533557C1. Автор: Геннадий Михайлович Бутов,Игорь Львович Далингер,Ирина Анатольевна Вацадзе,Татьяна Константиновна Шкинева,Борис Анатольевич Лысых. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of determination of content of cadmium in bodies and muscular tissue of pigs

Номер патента: RU2342659C1. Автор: Ольга Сергеевна Короткевич,Валерий Лаврентьевич Петухов,Ольга Игоревна Себежко,Александр Исаевич Желтиков,Евгений Варисович Камалдинов,Ольга Александровна Желтикова. Владелец: Новосибирский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2008-12-27.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining of copper content in muscle tissue of fish

Номер патента: RU2555518C1. Автор: Ольга Сергеевна Короткевич,Ирина Сергеевна Миллер,Татьяна Валерьевна Коновалова,Валерий Лаврентьевич Петухов,Кирилл Николаевич Нарожных,Ольга Игоревна Себежко,Евгений Владимирович Рудой. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новосибирский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of diffusion welding of parts made from chemically active metals and alloys (versions)

Номер патента: RU2354518C2. Автор: Александр Николаевич Семенов,Юрий Владимирович Дубровский,Сергей Николаевич Новожилов,Борис Викторович Бушмин,Владимир Сергеевич Васильковский,Иолий Александрович Хазов. Владелец: ФГУП "Красная Звезда". Дата публикации: 2009-05-10.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Smelting method of metal

Номер патента: RU2355795C2. Автор: Андрей Васильевич Кириков,Юрий Витальевич Гордеев,Валерий Михайлович Игнатов. Владелец: Валерий Михайлович Игнатов. Дата публикации: 2009-05-20.

Method of treating liquid radioactive wastes of atomic power stations (versions)

Номер патента: RU2342721C1. Автор: Борис Александрович Гусев,Владимир Георгиевич Ильин,Анатолий Карпович Андрианов,Анатолий Алексеевич Ефимов,Виктор Васильевич Кривобоков,Анатолий Карпович Андрианов (RU),Анатолий Алексеевич Ефимов (RU),Борис Александрович Гусев (RU),Виктор Васильевич Кривобоков (RU),Владимир Георгиевич Ильин (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский технологический институт имени А.П. Александрова". Дата публикации: 2008-12-27.

Method of production of carbon nanotubes

Номер патента: RU2571150C2. Автор: Виктор Иванович Киселев,Магомед-Эмин Хасаевич Исакаев,Марина Борисовна Шавелкина,Равиль Хабибулович Амиров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Объединенный институт высоких температур Российской академии наук (ОИВТ РАН). Дата публикации: 2015-12-20.

Method of making ordered nanostructures

Номер патента: RU2462785C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет" "МИЭТ" (МИЭТ). Дата публикации: 2012-09-27.

Method of supply of high-pressure and extra high-pressure gaseous discharge lamps

Номер патента: RU2027325C1. Автор: Н.А. Тимофеев,О.М. Каплий,В.М. Миленин,Ю.Ф. Калязин,В.А. Чикин,Д.А. Дубнов. Владелец: Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 1995-01-20.

Method of making mould for controlling glass surface geometry

Номер патента: RU2408547C1. Автор: Александр Львович Гореловский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТЕХНОСОЮЗСЕРВИС". Дата публикации: 2011-01-10.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of electrode manufacturing to produce powder heat-resistant alloys based on titanium aluminide

Номер патента: RU2562552C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Андрей Иванович Рудской,Вадим Шамилевич Суфияров,Николай Геннадьевич Разумов,Игорь Анатольевич Полозов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2015-09-10.

Method of analysis of quantitative composition of surface of solid body

Номер патента: RU2064707C1. Автор: А.Н. Зиновьев,М.А. Синани. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН. Дата публикации: 1996-07-27.

Method of determination of composition of gas flows

Номер патента: RU2231776C1. Автор: Ф.Г. Карих,А.Ф. Карих. Владелец: Камский государственный политехнический институт. Дата публикации: 2004-06-27.

Method of alloying and alloyed material

Номер патента: RU2370464C2. Автор: Маркку РАЯЛА,Пекка СОИНИНЕН,Лаури НИИНИСТЁ,Матти ПУТКОНЕН,Джо ПИМЕНОФФ,Яни ПЯЙВЯСААРИ. Владелец: БЕНЕК ОЙ. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of making multiple-layer coating for cutting instrument

Номер патента: RU2363765C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-10.

Method of making multiple-layer coating for cutting instrument

Номер патента: RU2363766C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-10.

Method of making multiple-layer coating for cutting instrument

Номер патента: RU2363768C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-10.

Method of producing semiconductor graphene

Номер патента: RU2544266C2. Автор: Любовь Михайловна Журавлева,Владимир Георгиевич Плеханов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет путей сообщения" МГУПС (МИИТ). Дата публикации: 2015-03-20.

MELTING METHOD OF GLAZE ICE ON 6( 10 ) kV OVERHEAD TRANSMISSION LINES

Номер патента: RU2478244C2. Автор: Алексей Михайлович Чалый,Владимир Сергеевич Минаев,Сергей Сергеевич Фурин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Группа компаний "Таврида Электрик" (ЗАО "ГК "Таврида Электрик"). Дата публикации: 2013-03-27.

Method of varying of initial oxygen partial pressure and maintaining of pre-set oxygen partial pressure

Номер патента: RU2541142C1. Автор: Николай Фавстович Уваров,Юрий Сергеевич Охлупин,Павел Георгиевич Сафонов,Дмитрий Иванович Сковородин,Алексей Сергеевич Аракчеев,Иван Николаевич Сковородин. Владелец: Юрий Сергеевич Охлупин. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of depositing decorative finish coating

Номер патента: RU2543164C2. Автор: Александр Алексеевич Тихонов,Инна Владимировна Усачёва. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2015-02-27.

Development method of high-viscosity oil deposit using in-situ combustion

Номер патента: RU2494242C1. Автор: Ильшат Мухаметович Бакиров,Георгий Владимирович Александров,Лилия Рафагатовна Оснос,Айрат Ильшатович Бакиров,Рамиль Хабутдинович Низаев,Сергей Николаевич Судыкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-09-27.

Method of rendering two-micron laser radiation into visible light

Номер патента: RU2549561C1. Автор: Вячеслав Васильевич Осико,Павел Павлович Федоров,Евгений Андреевич Гарибин,Алексей Александрович Демиденко,Сергей Николаевич Ушаков,Полина Анатольевна Рябочкина,Андрей Александрович Ляпин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева. Дата публикации: 2015-04-27.

Development method of ultra-thick deposits using block and chamber system

Номер патента: RU2560734C1. Автор: Вячеслав Васильевич Сергеев,Георгий Валикоевич Пухаев,Дмитрий Валерьевич Павлиди,Михаил Валерьянович Джусоев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ ГТУ). Дата публикации: 2015-08-20.

Method of producing loose products from fluids and device to this end

Номер патента: RU2457025C1. Автор: Михаил Владимирович Петров,Вячеслав Александрович Иванов,Павел Владимирович Нестеров,Сергей Павлович Сердюк,Борис Шамильевич Воинов,Вячеслав Александрович Иванов (RU),Павел Владимирович Нестеров (RU),Сергей Павлович Сердюк (RU),Борис Шамильевич Воинов (RU),Михаил Владимирович Петров (RU). Владелец: Борис Шамильевич Воинов. Дата публикации: 2012-07-27.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of nanowires, matrix of nanowires from nitrides of group iii of periodic table (versions), and substrate (versions)

Номер патента: RU2437180C2. Автор: Синь Ван,Синьюй СУНЬ,Стивен М. ХЕРСИ. Владелец: эСТиСи.ЮэНэМ. Дата публикации: 2011-12-20.

Method of determination of oxygen concentration and device for its implementation

Номер патента: RU2067296C1. Автор: И.С. Суровцев,В.И. Кукуев,Д.М. Панина,М.В. Лесовой. Владелец: Кукуев Вячеслав Иванович. Дата публикации: 1996-09-27.

Method of generating stream of negative ions

Номер патента: RU2368977C2. Автор: Виктор Сергеевич Кленов,Виктор Сергеевич Кленов (RU). Владелец: Институт ядерных исследований РАН (ИЯИ РАН). Дата публикации: 2009-09-27.

Method of receivign of nanostructured film coatings (options)

Номер патента: RU2371513C1. Автор: Олег Иосифович Обрезков,Валентин Пантелеймонович Смирнов,Борис Аронович Вершок,Юрий Владимирович Мартыненко. Владелец: Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2009-10-27.

Method of recovering osmium for ion-exchange resin

Номер патента: RU2131939C1. Автор: В.В. Макаров,А.Г. Касиков,Е.С. Кшуманева,А.А. Кулакова,Н.С. Арешина,П.Б. Громов,А.Г. Артеменков,В.И. Тареев. Владелец: Открытое акционерное общество Комбинат "Североникель" РАО "Норильский никель". Дата публикации: 1999-06-20.

Method of disinfecting with activated aqueous preparation

Номер патента: RU2220109C2. Автор: В.И. Никитин,Г.В. Устюгова,В.В. Устюгов,С.Н. Чувашев,С.Э. Кочубей. Владелец: Никитин Владимир Ильич. Дата публикации: 2003-12-27.

Method of determination of metals in organic materials

Номер патента: RU2027183C1. Автор: Борис Арсентьевич Ревазов. Владелец: Институт геологии АН Республики Таджикистан. Дата публикации: 1995-01-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.