Method of addressing dissimilar etch rates
Номер патента: US20200328090A1
Опубликовано: 15-10-2020
Автор(ы): Ian FLADER
Принадлежит: InvenSense Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-10-2020
Автор(ы): Ian FLADER
Принадлежит: InvenSense Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of patterning semiconductor structure
Номер патента: US20240363360A1. Автор: Hsing Ou Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-31.