Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Metal gates and methods of forming thereby

Номер патента: US12046519B2
Опубликовано: 23-07-2024
Автор(ы): Cheng-Lung Hung, Chi On Chui, Hsin-Yi Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Self-Aligned Metal Gate for Multigate Device

Номер патента: US20240347391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jui-Chien Huang,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09431304B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240371644A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09761684B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12080556B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Po-Yuan Wang,Tzu Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20220189776A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Po-Yuan Wang,Tzu Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Devices and methods of improving device performance through gate cut last process

Номер патента: US09679985B1. Автор: Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210125833A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

FinFET structure having a gate contact above a metal gate and straddling the boundary of an active region

Номер патента: US12148834B2. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09929245B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor component and method for fabricating the same

Номер патента: US09570568B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yu-Hsun Chen,Yung-Hsien Wu,Cheng-Chieh LAI,Shih-Kai FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09564431B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20230352306A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Po-Yuan Wang,Tzu Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Replacement metal gate including dielectric gate material

Номер патента: US09653573B2. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Soon-Cheon Seo,Sivananda K. Kanakasabapathy,Sanjay C. Mehta,Linus Jang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09595595B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates

Номер патента: US10249631B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09852952B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

High-K layer chamfering to prevent oxygen ingress in replacement metal gate (RMG) process

Номер патента: US09865703B2. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hemanth Jagannathan,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Methods of forming a ct pillar between gate structures in a semiconductor

Номер патента: US20180308759A1. Автор: Hui Zang,Josef Watts. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Method of forming contact structure of gate structure

Номер патента: US09536754B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of forming contact structure of gate structure

Номер патента: US20150380270A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20150295057A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12125886B2. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240371946A1. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturiang Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09922930B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09640438B2. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09559060B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09437546B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Replacement metal gate stack for diffusion prevention

Номер патента: US09905665B2. Автор: Takashi Ando,Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Johnathan E. Faltermeier,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Replacement metal gate stack for diffusion prevention

Номер патента: US20160197157A1. Автор: Takashi Ando,Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Johnathan E. Faltermeier,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12068162B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20230326860A1. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12094942B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Metal cap protection layer for gate and contact metallization

Номер патента: US09722038B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20230369494A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20220359743A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US12119389B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20240371974A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Metal gate structure and method of making the same

Номер патента: US9324620B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Shi-Xiong Lin,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Methods of forming a semiconductor device with a gate structure having a dielectric protection layer

Номер патента: US11749753B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11856796B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20220013364A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method

Номер патента: EP3937221A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Low-k Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20220230871A1. Автор: Li Chun Te,Hsiang-Wei Lin,Shu Ling LIAO,Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao,Wei-Ken LIN,Guan-Yao TU,Te-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US10522412B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Metal Gate Isolation Structure and Method Forming Same

Номер патента: US20180204836A1. Автор: Huang Ming-Jie,CHEN Ryan Chia-Jen,LIN Chih-Han,HSIEH Wen-Shuo. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Metal gate for robust esd protection

Номер патента: US20160071835A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Metal gate for robust ESD protection

Номер патента: US9343456B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device with varying gate dimensions and methods of forming the same

Номер патента: US12080715B2. Автор: Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Guan-Wei Huang,Yu-Bey Wu,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with varying gate dimensions and methods of forming the same

Номер патента: US20240363635A1. Автор: Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Guan-Wei Huang,Yu-Bey Wu,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US20230387199A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US11916105B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Isolation structures and methods of forming the same in field-effect transistors

Номер патента: US20230387311A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Isolation structures and methods of forming the same in field-effect transistors

Номер патента: US11817504B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Self-aligned air spacers and methods for forming

Номер патента: US12107146B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US20240363441A1. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of forming a semiconductor device having a metal gate

Номер патента: US9230864B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shi-Xiong Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US09431404B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200211908A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Large dimension metal gate field-effect transistor (fet) with metal gate dummy structures

Номер патента: US20240186397A1. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Yu-chen Chang,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Metal gate isolation structure and method forming same

Номер патента: US09917085B2. Автор: Chih-Han Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Ming-Jie Huang,Wen-Shuo Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Metal Gate Isolation Structure and Method Forming Same

Номер патента: US20170345820A1. Автор: Chih-Han Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Ming-Jie Huang,Wen-Shuo Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Metal Gate Isolation Structure and Method Forming Same

Номер патента: US20180204836A1. Автор: Chih-Han Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Ming-Jie Huang,Wen-Shuo Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Metal gate finfet device and method of fabricating thereof

Номер патента: KR101386732B1. Автор: 위린 양,츠시우 펑,치치에 예,리슈에 라이. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-04-17.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240234421A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien-Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate structures having neutral zones to minimize metal gate boundary effects and methods of fabricating thereof

Номер патента: US11908866B2. Автор: Shih-Hao Lin,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20200176447A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Forming single diffusion break and end isolation region after metal gate replacement, and related structure

Номер патента: US20190148242A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240332085A1. Автор: Meng-Chun Chang,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Hao Chiang,Hong-Jie Yang,Meng Jhe Tsai,Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12040233B2. Автор: Meng-Chun Chang,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Hao Chiang,Hong-Jie Yang,Meng Jhe Tsai,Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device including a FinFET structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12087636B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09831119B2. Автор: Dong-Kwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFET device having a high germanium content fin structure and method of making same

Номер патента: US09431514B2. Автор: Qing Liu,Bruce Doris,Gauri Karve. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266411A1. Автор: Sheng-Jier Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12080774B2. Автор: Ho Kyun AN,Su Min Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US12087860B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US20240363757A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Forming two portion spacer after metal gate and contact formation, and related ic structure

Номер патента: US20200303261A1. Автор: Hui Zang,Yanping SHEN,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107013B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240047458A1. Автор: Shih-Yao Lin,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors preliminary class

Номер патента: US12040371B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal gate cap

Номер патента: US12057486B2. Автор: Yen-Ju Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Wei-Cheng Wang,Wei Cheng Hsu,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240332391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12094877B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-Chang Hung,Jen-Chih Hsueh,Tsung Fan Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240371870A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-Chang Hung,Jen-Chih Hsueh,Tsung Fan Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor Structure with Contact Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240250134A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Kuo-Nan Yang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103441A1. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Jong-Joon Park,Kwang-Yong Jang,Jun-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

High-voltage transistor architectures, processes of forming same, and systems containing same

Номер патента: US20120043609A1. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman,Chia-Hong Jan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-23.

High-voltage transistor architectures, processes of forming same, and systems containing same

Номер патента: US09865695B2. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09786662B1. Автор: Chao-Hung Lin,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of forming a semiconductor structure with a metal gate

Номер патента: US20210035865A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of forming a semiconductor structure including laterally etching semiconductor material in fin recess region and depositing metal gate therein

Номер патента: US11355396B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09627379B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including a finfet structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220301938A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices with dielectric fins and method for forming the same

Номер патента: US11735591B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20210057285A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US20240258318A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US09406679B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Conductive spline for metal gates

Номер патента: US09548384B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Steve Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having a metal gate

Номер патента: US09508791B2. Автор: Tsung-Chieh Tsai,Juing-Yi Wu,Jyh-Kang Ting,Liang-Yao Lee,Yung-Che Albert SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device with l-shape conductive feature and methods of forming the same

Номер патента: EP3944295A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240038863A1. Автор: Ho Kyun AN,Su Min Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09947592B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Yi-Jen Chen,Jie-Cheng Deng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11824098B2. Автор: Ho Kyun AN,Su Min Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Self-Aligned Gate Hard Mask and Method Forming Same

Номер патента: US20200287042A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984483B2. Автор: Sheng-Jier Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115511A1. Автор: Ho Kyun AN,Su Min Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220416038A1. Автор: Ho Kyun AN,Su Min Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device having metal gate and poly gate

Номер патента: US20240096643A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Finfet device having a high germanium content fin structure and method of making same

Номер патента: US20160293638A1. Автор: Qing Liu,Bruce Doris,Gauri Karve. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device having metal gate and poly gate

Номер патента: US11854828B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Replacement metal gate device structure and method of manufacturing same

Номер патента: US11769669B2. Автор: Jung-Chih Tsao,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Replacement metal gate device structure and method of manufacturing same

Номер патента: EP3933933A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Low power flash memory cell and method

Номер патента: US20040140504A1. Автор: Sheng Hsu,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Dual-metal gate CMOS devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US9384986B2. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen,Zuozhen Fu. Владелец: Nsitute Of Microelectronics Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of forming gate spacer for nanowire fet device

Номер патента: US20190296128A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09698061B2. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09514998B1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Metal gate boundary for transistor scaling

Номер патента: WO2023208465A1. Автор: Dechao Guo,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-11-02.

Metal gate boundary for transistor scaling

Номер патента: US20230343650A1. Автор: Dechao Guo,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11990529B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240313082A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US20240047462A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US20050142738A1. Автор: Byeong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US7067360B2. Автор: Byeong Ryeol Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Method of concurrently forming source/drain and gate contacts and related device

Номер патента: US09837402B1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336238A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336348A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Device and methods for high-K and metal gate slacks

Номер патента: US09865510B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Metal Gate Isolation Structure and Method Forming Same

Номер патента: US20170345820A1. Автор: Huang Ming-Jie,CHEN Ryan Chia-Jen,LIN Chih-Han,HSIEH Wen-Shuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371978A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Replacement metal gate processes for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: EP3711098A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Capping Layers in Metal Gates of Transistors

Номер патента: US20220208984A1. Автор: Yi-Ting Wang,Hsien-Ming Lee,Tsung-ta Tang,Chung Ta Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Gate isolation features and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240379673A1. Автор: Chia-Ta Yu,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110024845A1. Автор: Tomohiro Hirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11916125B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20220359699A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structure to reduce soft-fail incidence and method of forming same

Номер патента: US20200013678A1. Автор: Haiting Wang,Sipeng Gu,Scott H. Beasor,Sunil K. Singh,Xinyuan Dou,Akshey Sehgal,Ravi P. Srivastava. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device structure having multi-layered insulating cap layers over metal gate

Номер патента: US09502527B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Techniques for Forming Replacement Metal Gate for VFET

Номер патента: US20210098602A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190027487A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20240008279A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190304990A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: WO2019018194A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Salicide formation on replacement metal gate finFET devices

Номер патента: US09985130B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Salicide formation on replacement metal gate finFet devices

Номер патента: US09577096B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Self-aligned metal gate for multigate device and method of forming thereof

Номер патента: US11961763B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Self-aligned metal gate for multigate device and method of forming thereof

Номер патента: US20240030066A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Chia-Hao Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09455227B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Hsien Lin,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Gate Structure Passivating Species Drive-In Method and Structure Formed Thereby

Номер патента: US20230317457A1. Автор: Hsien-Ming Lee,Chin-You Hsu,Hsin-Yun Hsu,Hsiao-Kuan Wei,Pin-Hsuan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

CMOS-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same

Номер патента: US09881927B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US09634116B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Asymmetrical Gate MOS Device and Method of Making

Номер патента: US20140048875A1. Автор: Wei Zhang,Dongping Wu,CHENG Hu,Zhiwei Zhu,Shili Zhang,Lun Zhu. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-20.

Asymmetric Gate MOS Device and Method of Making

Номер патента: US20140034956A1. Автор: Wei Zhang,Dongping Wu,CHENG Hu,Zhiwei Zhu,Shili Zhang,Lun Zhu. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-06.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

Method of forming gate-all-around (gaa) finfet and gaa finfet formed thereby

Номер патента: US20190123160A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

High-voltage transistor with thin high-k metal gate and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240206183A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Forming metal contacts on metal gates

Номер патента: US20240250139A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Asymmetric FinFET semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583597B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming a finfet structure

Номер патента: WO2022225940A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Yun Han,Hiroaki Niimi,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of forming a finfet structure

Номер патента: US20220344162A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Yun Han,Hiroaki Niimi,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230387236A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: EP3945595A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US11984488B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Structure and method for multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20240162331A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Metal gate finFET device

Номер патента: US09461041B2. Автор: Yu-Lin Yang,Chih Chieh Yeh,Li-Shyue Lai,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Contact plugs and methods forming same

Номер патента: US20240072155A1. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Jyun-Ming Lin,Je-Wei Hsu,Chen-Huang Peng,Java Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact plugs and methods forming same

Номер патента: US11862708B2. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Jyun-Ming Lin,Je-Wei Hsu,Chen-Huang Peng,Java Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: EP3371829A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20180226485A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09941376B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09871114B2. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming self-aligned split-gate memory cell array with metal gates and logic devices

Номер патента: US09721958B2. Автор: FENG Zhou,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US09608086B2. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140273495A1. Автор: Minchul Kim,Jae-Hwang Sim,Sangbin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040234B2. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332086A1. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332087A1. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US09601387B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576802B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09570579B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods and apparatus of metal gate transistors

Номер патента: US09508590B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Tzong-Sheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US12100627B2. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of forming a semiconductor device with a gate stack having tapered sidewalls

Номер патента: US09520474B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming nitride stressing layer for replacement metal gate and structures formed thereby

Номер патента: US20090085097A1. Автор: Keith E. Zawadzki,Lucian Shifren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods of forming nitride stressing layer for replacement metal gate and structures formed thereby

Номер патента: WO2009042495A3. Автор: Lucian Shifren,Keith E Zawadzki. Владелец: Keith E Zawadzki. Дата публикации: 2009-05-14.

Methods of forming nitride stressing layer for replacement metal gate and structures formed thereby

Номер патента: WO2009042495A2. Автор: Keith E. Zawadzki,Lucian Shifren. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of forming fin structure on patterned substrate that includes depositing quantum well layer over fin structure

Номер патента: US09634133B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Structure and method for replacement gate integration with self-aligned contacts

Номер патента: US09627510B1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Methods of forming contact feature

Номер патента: US09620628B1. Автор: Hui-Chi Huang,Yung-Cheng Lu,Gin-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20200098883A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20190259853A1. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US11978802B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Chung-Wei Hsu,Jia-Ni YU,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

N-type MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09934975B2. Автор: HONG Yang,Yanbo ZHANG,Huilong Zhu,Qiuxia Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Variable length multi-channel replacement metal gate including silicon hard mask

Номер патента: US20150349076A1. Автор: Michael P. Chudzik,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Work function metal gate device

Номер патента: US20240313074A1. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Work function metal gate device

Номер патента: US12021129B2. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US09741814B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US09716161B2. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Structure of metal gate structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09653300B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Chi-Yuan Sun,Nien-Ting Ho,Min-Chuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Selectively deposited spacer film for metal gate sidewall protection

Номер патента: US20170317192A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Pei-Ren Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for fabricating metal gate devices and resulting structures

Номер патента: US11764280B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Selectively deposited spacer film for metal gate sidewall protection

Номер патента: US09865709B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Pei-Ren Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Selectively deposited spacer film for metal gate sidewall protection

Номер патента: US09818846B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Pei-Ren Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10629695B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US20170162688A1. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US12132095B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Multiple patterning techniques for metal gate

Номер патента: US09960085B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Lung-Kun Chu,Hsiang-Pi Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor process of forming metal gates with different threshold voltages and semiconductor structure thereof

Номер патента: US09659937B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho,Wei-Ming Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240105795A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Jih-Sheng Yang,Jun-Ye Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09812549B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09799569B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Self-aligned contacts for replacement metal gate transistors

Номер патента: US20140327058A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Self-aligned Contacts For Replacement Metal Gate Transistors

Номер патента: US20140252427A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Bottom-up metal gate formation on replacement metal gate finfet devices

Номер патента: US20160204221A1. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Side gate assist in metal gate first process

Номер патента: US09685526B2. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Third type of metal gate stack for CMOS devices

Номер патента: US09634006B2. Автор: Viraj Y. Sardesai,Ramachandra Divakaruni,Sameer H. Jain,Keith H. Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure having common gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20140197480A1. Автор: Qiuhua Han,Xiaoying Meng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Method for Manufacturing High-Voltage Metal Gate Device

Номер патента: US20230142968A1. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of fabricating epitaxial gate dielectrics and semiconductor device of the same

Номер патента: US09853150B1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having high-k film and metal gate

Номер патента: US09640534B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9460929B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Fin-based semiconductor device including a metal gate diffusion break structure with a conformal dielectric layer

Номер патента: US09793273B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09595443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09460929B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing gate stack

Номер патента: GB2484639A. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-18.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Cut Metal Gate Processes

Номер патента: US20200350172A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Metal gate structures for cmos transistor devices having reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20140138751A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Jin Cai,Chengwen Pei,Robert R. Robison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Cut metal gate processes

Номер патента: US11990341B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Metall-Gate-Ausbildung von unten nach oben auf Finfet-Bauelementen mit einem Ersatz-Metall-Gate

Номер патента: DE112016000182T5. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Field effect transistor with electroplated metal gate

Номер патента: US20060081885A1. Автор: Emanuel Cooper,Hariklia Deligianni,Panayotis Andricacos,Caliopi Andricacos,Katherine Saenger,Philippe Vereecken,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Fet device with reduced overlap capacitance and method of manufacture

Номер патента: CA1049157A. Автор: Ronald P. Esch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Conductive cap for metal-gate transistor

Номер патента: US09698232B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Devices with cavity-defined gates and methods of making the same

Номер патента: US20140183626A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Devices with cavity-defined gates and methods of making the same

Номер патента: WO2009111225A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-09-11.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US20240047461A1. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Structure and Method for Manufacturing Device with a V-Shape Channel NMosfet

Номер патента: US20110124165A1. Автор: Huilong Zhu,Zhijiong Luo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US09496362B1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Device integrated with junction field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252537A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure with metal gate, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190189451A1. Автор: Qiuming Huang. Владелец: Shaghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US20130005128A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US8765537B2. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Methods of forming vertical memory strings, and methods of forming vertically-stacked structures

Номер патента: US09627550B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Fin field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US12087639B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Chih-Chang Hung,Chieh-Ning Feng,Chun-Liang Lai,Yih-Ann Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Fin field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240363431A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Chih-Chang Hung,Chieh-Ning Feng,Chun-Liang Lai,Yih-Ann Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10553581B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US09608065B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Metal gate transistor, integrated circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09620421B2. Автор: Chun-Hung Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Alex Kalnitsky,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240258317A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Koichi Matsuno,Dai Iwata,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046515B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347387A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490334B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Pre-Deposition Treatment for FET Technology and Devices Formed Thereby

Номер патента: US20220262685A1. Автор: Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su,Cheng-Yen Tsai,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Hung-Chin Chung,Yin-Chuan Chuang,Tai-Wei HWANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20170352657A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20200235094A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180158818A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180294263A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20230352480A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10607991B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-03-31.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10043801B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Buried metal for FinFET device and method

Номер патента: US12080588B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Buried Metal for FinFET Device and Method

Номер патента: US20240363393A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09748233B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Vnw sram with trinity cross-couple pd/pu contact and method for producing the same

Номер патента: US20190081049A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094783B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Ultra-scale gate cut pillar with overlay immunity and method for producing the same

Номер патента: US09960077B1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Josef Watts. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20160211375A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20190326436A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09685531B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Pre-deposition treatment for FET technology and devices formed thereby

Номер патента: US11302582B2. Автор: Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su,Cheng-Yen Tsai,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Hung-Chin Chung,Yin-Chuan Chuang,Tai-Wei HWANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Methods of reducing capacitance in field-effect transistors

Номер патента: US12057488B2. Автор: Chun-Han Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of reducing capacitance in field-effect transistors

Номер патента: US20240297236A1. Автор: Chun-Han Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US10522413B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Selective sin capping on metal gate for metal oxidation prevention

Номер патента: US20240304679A1. Автор: Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

FinFET device structure and methods of making same

Номер патента: US09379220B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Cheng-Han Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20200176447A1. Автор: HUNG LIEN JUNG,Pao Chia-Hao,Lin Shih-Hao,Chen Chih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09502313B1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Embedded memory and methods of forming the same

Номер патента: US09929168B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Metal gate stack structure and manufacturing method

Номер патента: US09525046B2. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20230420544A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-28.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336239A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same

Номер патента: US8461628B2. Автор: Christopher Gudeman,Joerg Rockenberger,Criswell Choi,J. Devin Mackenzie. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Embedded Memory and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160268284A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Metal Contacts on Metal Gates and Methods Thereof

Номер патента: US20200020541A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Sheng Chang,Sheng-Liang Pan,Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Fu-Kai Yang,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao,Shao-Jyun Wu,Pang-Sheng Chang,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: WO2021173186A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09911821B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices including insulating gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09755079B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Ha-Young Jeon,Do-hyoung Kim,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Seung-Seok HA,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991124B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method Of Forming A Device With FINFET Split Gate Non-volatile Memory Cells And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20210272973A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: EP4111500A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220223709A1. Автор: Xiaoyu Liu. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09941152B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09564332B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09553161B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Devices including ultra-short gates and methods of forming same

Номер патента: US09530647B2. Автор: Zoltan Ring,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Selectively forming a protective conductive cap on a metal gate electrode

Номер патента: US09379209B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xiuyu Cai,Xusheng Wu,Jiajun Mao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of making MOS VLSI semiconductor device with metal gate and clad source/drain

Номер патента: US4661374A. Автор: Robert R. DOERING. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-04-28.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Selectively deposited metal gates and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09496361B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices including an etch stop pattern and a sacrificial pattern with coplanar upper surfaces and a gate and a gap fill pattern with coplanar upper surfaces

Номер патента: US09966432B2. Автор: Boun Yoon,Sangjine Park,Jeongnam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US09613959B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Self-aligned metal gate with poly silicide for vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12034005B2. Автор: Dechao Guo,Brent A. Anderson,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123121A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11610973B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US09685521B2. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466600B2. Автор: Chang-Hwan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having metal gate and method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09490341B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220013648A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Backside via and metal gate separation

Номер патента: US20240355708A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions

Номер патента: US09601586B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130187244A1. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A3. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A2. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for fabricating semiconductor device including replacement process of forming at least one metal gate structure

Номер патента: US09812367B2. Автор: Jeong-Nam Han,Ju-youn Kim,Tae-Won Ha,Ji-Hwan An,Kwang-yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20230253263A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US20210249313A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Fully silicided gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2008014038A1. Автор: Kern Rim,William K. Henson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-31.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130105919A1. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Oxidation and Etching Post Metal Gate CMP

Номер патента: US20170125549A1. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Oxidation and etching post metal gate CMP

Номер патента: US09917173B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Oxidation and etching post metal gate CMP

Номер патента: US09564511B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US20170033105A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20180358448A1. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241107A1. Автор: Jin Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Process flow for replacement metal gate transistors

Номер патента: US20140377885A1. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Process flow for replacement metal gate transistors

Номер патента: WO2014204810A1. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-12-24.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

A dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: SG135914A1. Автор: Mei Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-10-29.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20150255294A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20160111512A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Methods of forming silicon-containing layers

Номер патента: WO2020051116A1. Автор: Abhishek Dube,Steven C.H. Hung,Benjamin Colombeau,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-03-12.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US20230326808A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09978850B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09711605B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method and device for high k metal gate transistors

Номер патента: US09570611B2. Автор: YONG Li,Xiao Na Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Schottky diodes for replacement metal gate integrated circuits

Номер патента: US09564427B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US20160172247A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240258428A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210119034A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583362B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Structure of a Trench MOS Rectifier and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140374790A1. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Structure of a trench MOS rectifier and method of forming the same

Номер патента: US9276096B2. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

LTPS TFT substrate structure and method of forming the same

Номер патента: US09947696B2. Автор: Gaiping LU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Preventing over-polishing of poly gate in metal-gate CMP

Номер патента: US09543212B2. Автор: LI Jiang,Pulei Zhu,Xiantao Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Structure of a trench MOS rectifier and method of forming the same

Номер патента: US09406788B2. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

System and method for integrating multiple metal gates for CMOS applications

Номер патента: US20040171222A1. Автор: Wei Gao,Yoshi Ono,John Conley. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US9530778B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Formation of full metal gate to suppress interficial layer growth

Номер патента: US20180204839A1. Автор: Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Paul Jamison,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060027863A1. Автор: Ryuu Saitou,Naoki Kumagai,Yoshihiro Ikura,Hiroshi Kanemaru,Yuuichi Harada. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having mixedly mounted components with common film layers and method of manufacturing the same

Номер патента: US8823112B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor Device Having Mixedly Mounted Components with Common Film Layers and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120319209A1. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: US20240243131A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US9831089B2. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-11-28.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: WO2024155358A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Unpinned oxide-compound semiconductor structures and method of forming same

Номер патента: CA1308818C. Автор: Sandip Tiwari,Steven L. Wright,John Batey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-10-13.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20180331199A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20200152757A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Multi-step process for patterning a metal gate electrode

Номер патента: US20060115972A1. Автор: Antonio Rotondaro,Trace Hurd,Deborah Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Integrated high-K/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US09601388B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200144105A1. Автор: Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Gate structure and method

Номер патента: US20050023623A1. Автор: Luigi Colombo,Mark Visokay,Antonio Rotondaro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension

Номер патента: US20070040227A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Methods of cutting metal gates and structures formed thereof

Номер патента: US11545400B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Methods of cutting metal gates and structures formed thereof

Номер патента: US11923251B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230317827A1. Автор: Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Chen-Wei Pan,Chi-Ming Huang,Chun-I Liu,Chih-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160308026A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9620622B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9685530B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Metal gate fabrication for nanoribbon-based transistors

Номер патента: US20240290788A1. Автор: Yang Zhang,Feng Zhang,Oleg Golonzka,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Biswajeet Guha,Chiao-Ti HUANG,David Towner,Orb Acton,Dax M. CRUM,Omair Saadat,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal gate fabrication for nanoribbon-based transistors

Номер патента: EP4425540A1. Автор: Yang Zhang,Feng Zhang,Oleg Golonzka,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Biswajeet Guha,Chiao-Ti HUANG,David Towner,Orb Acton,Dax M. CRUM,Omair Saadat,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Poly resistor for metal gate integrated circuits

Номер патента: US09508708B2. Автор: Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: US6475908B1. Автор: Mei-Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Semiconductor device having metal alloy gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US8815728B2. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device having low resistance buried metal gate electrode structure and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101570044B1. Автор: 최석헌,이시형,신유균,전인상,유종렬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-20.

High Dielectric Constant Metal Gate Stack k and Method of Fabrication

Номер патента: DE112011101215B4. Автор: Dechao Guo,Yanfeng Wang,Philip Oldiges,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240379451A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756834B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238381A1. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Multi-Gate Field-Effect Transistors and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240371696A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080780B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371972A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Mim capacitor and method for making the same

Номер патента: US20210083043A1. Автор: Yongji MAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Inter-level dielectric layer in replacement metal gates and resistor fabrication

Номер патента: US09685434B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Plug and recess process for dual metal gate on stacked nanoribbon devices

Номер патента: US12046652B2. Автор: Marko Radosavljevic,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,Nicole Thomas,Thoe MICHAELOS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Plug and recess process for dual metal gate on stacked nanoribbon devices

Номер патента: US20240332389A1. Автор: Marko Radosavljevic,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,Nicole Thomas,Thoe MICHAELOS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of Forming an Electrical Fuse and a Metal Gate Transistor and the Related Electrical Fuse

Номер патента: US20110147853A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120228718A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120225524A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Lateral bicmos replacement metal gate

Номер патента: US20170005085A1. Автор: Effendi Leobandung,Tak H. Ning,Jin Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Lateral BiCMOS replacement metal gate

Номер патента: US09478534B2. Автор: Effendi Leobandung,Tak H. Ning,Jin Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure having fin with all around gate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220416090A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

HIGH DIELECTRIC CONSTANT METAL GATE MOS TRANSISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20220278217A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

PMOS high-k metal gates

Номер патента: US12051734B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20230097400A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C.H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12119345B2. Автор: Chih-tang Peng,Yung-Chung Chen,Chia-Ho CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20220077298A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Metal gate structure

Номер патента: US09941373B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Sidewall metal spacers for forming metal gates in quantum devices

Номер патента: US20190044048A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Damascene metal gate and shield structure, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US20120235216A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,John J. Ellis-Monaghan,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Damascene metal gate and shield structure, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US20130175651A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,John J. Ellis-Monaghan,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuit (IC) with offset gate sidewall contacts and method of manufacture

Номер патента: US09704760B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal gate stack with etch stop layer having implanted metal species

Номер патента: US20020132415A1. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Paul Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: WO2002075791A3. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Paul R Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: EP1371088A2. Автор: Paul R. Besser,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-12-17.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: WO2002075791A2. Автор: Paul R. Besser,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Structure and method for a field effect transistor

Номер патента: US09985111B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627514B1. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09691877B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09685532B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110260255A1. Автор: Shijie Chen,Xiaolei Wang,Dapeng Chen,Kai HAN,Wenwu Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180315662A1. Автор: Soo Yeon Jeong,Kyung Yub JEON,Jae Kwang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device including a gate electrode of lower electrical resistance and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080048274A1. Автор: Hyun-Young Kim,Jin-gi Hong,Jung-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Method of making a finFET device

Номер патента: US9899496B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sung-Li Wang,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of making a finFET device

Номер патента: US09899496B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sung-Li Wang,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of forming a gate structure

Номер патента: US12027425B2. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of Forming A Gated Diode Structure for Eliminating RIE Damage From Cap Removal

Номер патента: US20140206160A1. Автор: Edward P. Maciejewski,Arvind Kumar,Dustin K. Slisher,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

A method of fabricating a cmos device with dual metal gate electrodes

Номер патента: WO2004095572A1. Автор: Byung Jin Cho,Chang Seo Park,Balasubramanian Narayanan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2004-11-04.

Method of forming a gate structure

Номер патента: US20240332089A1. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Forming gate line-end of semiconductor structures with improved metal gate height

Номер патента: US12068196B2. Автор: Kei-Wei Chen,Che-Hao Tu,Che-Liang Chung,Chih-Wen Liu,You-Shiang Lin,Yi-Ching Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09899387B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Chung-Cheng Wu,Cheng-Ting Chung,Wen-Hsing Hsieh,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US20240250155A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20110256706A1. Автор: Zhongze Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for fabricating metal gate structures

Номер патента: US20050202644A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Mark Liu,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US11908920B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor Devices and Methods of Formation

Номер патента: US20220216322A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210134982A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor Devices and Methods of Formation

Номер патента: US20210273072A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240213316A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Shi Ning Ju,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal gate and manufuacturing process thereof

Номер патента: US09577067B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09923056B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09564510B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200035680A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Jen-Yu Wang,Yan-Jou Chen,Yen-Wei Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20220367688A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210257481A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11949000B2. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods for high-k metal gate CMOS with SiC and SiGe source/drain regions

Номер патента: US09595585B2. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Metall-gate-strukturen und verfahren zum herstellen derselben in feldeffekttransistoren

Номер патента: DE102020122120A1. Автор: Ying Lu,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Pin Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and s/d contacts

Номер патента: US20180226511A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-08-09.

FinFET structures and methods of forming the same

Номер патента: US09899266B2. Автор: Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chun-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and method to form a FinFET device

Номер патента: US09525069B2. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and S/D contacts

Номер патента: US09496415B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Metal gate structure and method of manufacturing same

Номер патента: WO2009142982A3. Автор: Willy Rachmady,Jason Klaus,Soley Ozer. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-03-04.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Structure and method to suppress work function effect by patterning boundary proximity in replacement metal gate

Номер патента: US09818746B2. Автор: Kai Zhao,Unoh Kwon,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Metal gate with PVD amorphous silicon layer and barrier layer for CMOS devices and method of making with a replacement gate process

Номер патента: US6642590B1. Автор: Qi Xiang,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Semiconductor devices and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240313052A1. Автор: Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Shin-Jiun Kuang,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240063093A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Yuan Chen,Yi-Hsun CHIU,Yi-Bo Liao,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190198628A1. Автор: Wen-Yi Teng,Yi-Fan Li,Kuo-Chin Hung,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150004780A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tsun-Min Cheng,Jen-Chieh Lin,Ching-Ling Lin,Shao-Wei Wang,Min-Chuan Tsai,Pei-Ying Li,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

Method of Forming A Gate Structure

Номер патента: US20210098604A1. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of Forming a Gate Structure

Номер патента: US20220384618A1. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US11996470B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Po-Yuan Wang,Tzu Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US9985104B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Diode Structure and Method for Gate All Around Silicon Nanowire Technologies

Номер патента: US20140217509A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Differential stoichiometries by infusion thru gcib for multiple work function metal gate cmos

Номер патента: US20120037999A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Metal gate electrode stabilization by alloying

Номер патента: US20090179279A1. Автор: Hariklia Deligianni,Lubomyr T. Romankiw,Rajarao Jammy,Veeraraghavan S. Basker,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190333825A1. Автор: Soo Yeon Jeong,Kyung Yub JEON,Jae Kwang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US09837539B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Replacement Metal Gate Integration for Gate All Around Transistors

Номер патента: US20240186401A1. Автор: Effendi Leobandung,Eric Miller,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

DUAL-METAL GATE CMOS DEVICES AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150102416A1. Автор: Chen Dapeng,Yin Huaxiang,Xu Qiuxia,Fu Zuozhen. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2015-04-16.

Metal gate memory device and method

Номер патента: US20230328966A1. Автор: Hyucksoo Yang,Byung Yoon KIM,Jongpyo Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US20240337012A1. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US12054823B2. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Formation method of semiconductor device that includes performing hydrogen-containing plasma treatment on metal gate stack

Номер патента: US09558955B2. Автор: Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Fang-Wei LIN,Shin-Yeu Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US20170330947A1. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US9761657B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Strain enhanced SiC power semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US12113131B2. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Schotiky barrier tunnel transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070034951A1. Автор: Seong Lee,Chel Choi,Moon Jang,Yark Kim,Myung Jun,Byoung Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-02-15.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09698249B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: US20240096698A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: EP1449243A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: WO2003046971A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US09466676B2. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell for FinFET

Номер патента: US11856771B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Nanosheet and nanowire devices having doped internal spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773886B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming source/drain contacts in unmerged FinFETs

Номер патента: US09379025B1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

High Voltage Double-Diffused MOS (DMOS) Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20150200198A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09786779B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09601615B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

High voltage double-diffused mos ( dmos) device and method of manufacture

Номер патента: WO2015108903A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-23.

Enhanced stress memorization technique for metal gate transistors

Номер патента: US20150093871A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09698264B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

High-integration semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09515182B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09461173B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Semiconductor device exhibiting reduced parasitics and method for making same

Номер патента: US20120256277A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Metal gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220246762A1. Автор: Yingju Chen,Liyao Liu,Chanyuan Hu,Jhencyuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices

Номер патента: EP4238136A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Matt N. MCCAIN,Joe Mcpherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Metal gate double diffusion MOSFET with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: US20020084486A1. Автор: Duc Chau,Brian Mo. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Metal gate double diffusion mosfet with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: WO2000039858A8. Автор: Brian S Mo,Duc Q Chau. Владелец: Duc Q Chau. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240032279A1. Автор: Semyeong Jang,Yu-Cheng Liao,Joonsuk Moon. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Gate cut method for replacement metal gate integration

Номер патента: US09818836B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Dong-Ick Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Channel-last replacement metal-gate vertical field effect transistor

Номер патента: US09806173B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Channel-last replacement metal-gate vertical field effect transistor

Номер патента: US09525064B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Fin shape contacts and methods for forming fin shape contacts

Номер патента: US09728615B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Vertical tunneling field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190109214A1. Автор: Tae Yong Kwon,Yong Hee Park,Soo Yeon Jeong,Oh Seong Kwon,Kyung Yub JEON,Jong Ryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09876083B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Wei-Cheng Wang,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Array of capacitors, array of memory cells, methods of forming an array of capacitors, and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US12150312B2. Автор: Mark Fischer,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Mehrotra Manoj,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

Metal gate integration structure and method including metal fuse, anti-fuse and/or resistor

Номер патента: WO2009140052A2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Zhong-Xiang He,Hongwen Yan,Ping-Chuan Wang,Ephrem G. Gebreselasie,Kenneth J. Stein,Douglas Coolbaugh,Deok-kee Kim,Ebenezer E. Eshun,Dan Moy,Robert M. Rassel,Norman W. Robson,Herbert L. Ho,John M. Safran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-11-19.

Dual metal gate cmos devices and method for making the same

Номер патента: KR100529202B1. Автор: 오노요시,마얀준,수셍텡,에반스데이비드러쎌. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-11-17.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Metal gate patterning

Номер патента: US20240222196A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Jo-Chun Hung,Tefu Yeh,Cheng-Chieh TU,Hao-Hsin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal gate of gate-all-around transistor

Номер патента: US09786774B2. Автор: Chi-Wen Liu,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Replacement metal gate with borderless contact

Номер патента: WO2012066019A1. Автор: David Vaclav Horak,Theodorus Eduardus Standaert,Su Chen Fan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

Methods of forming secured metal gate antifuse structures

Номер патента: US20140103448A1. Автор: Walid M. Hafez,Kevin D. Johnson,Zhiyong Ma,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen,Kevin X. Zhang,Xianghong Tong,Matthew B. Pedersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Etch Stop Layer Formation In Metal Gate Process

Номер патента: US20130277764A1. Автор: Michael P. Chudzik,Zhengwen Li,Ramachandra Divakaruni,Unoh Kwon,Richard S. Wise,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US09735246B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Enhanced gate replacement process for high-K metal gate technology

Номер патента: US09691876B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A3. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A2. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Forming borderless contact for transistors in a replacement metal gate process

Номер патента: WO2012134619A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Charles W. Koburger Iii,David V. Horak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: WO2005067033A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: EP1700338A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09989856B2. Автор: Sang-Jin Kim,Jung-Woo Seo,Jong-Seo Hong,Jong-Hoon NAH,Choon-Ho SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Metal gate process and related structure

Номер патента: US20230386920A1. Автор: Chih-Teng Liao,Chen-Wei Pan,Chih-Lun Lu,Jih-Sheng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Structure and method to form via to backside power rail without shorting to gate tip

Номер патента: US20240204008A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Recess channel transistor for preventing deterioration of device characteristics due to misalignment of gate layers and method of forming the same

Номер патента: US7482230B2. Автор: Gyu Seog Cho,Yong Taik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US20220069091A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Metal gate structure of a CMOS semiconductor device

Номер патента: US09508721B2. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Method of forming e-fuse in replacement metal gate manufacturing process

Номер патента: WO2012071091A1. Автор: Ying Li,Henry K. Utomo,Gerald L. Leake. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

Method of fabricating a semiconductor device including metal gate electrode and electronic fuse

Номер патента: US20090163016A1. Автор: Jin-woo Kim,Min-chul Sun,Hyung-Suk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor devices having improved adhesion and methods of fabricating the same

Номер патента: EP2564420A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device with metal gate memory device and metal gate logic device

Номер патента: US10658373B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Complementary Metal Gate Dense Interconnect and Method of Manufacturing

Номер патента: US20090189223A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Complementary metal gate dense interconnect and method of manufacturing

Номер патента: US7910418B2. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Etchant, method of etching, laminate formed thereby, and device

Номер патента: KR20070000328A. Автор: 마크 필립 데블린,스티븐 알프레드 티소에,스티븐 프란시스 레보에우프,벤카트 수브라마니암 벤카타라마니,비나야크 틸라크,제프리 베르나드 포르틴,찰스 아드리안 벡커,스테펜 달레이 아써,샘히타 다스굽타,카나카사바파티 수브라마니안,로버트 존 우즈나로우스키,아바시프레케 우도 에봉. Владелец: 제너럴 일렉트릭 캄파니. Дата публикации: 2007-01-02.

Etchant, method of etching, laminate formed thereby, and device

Номер патента: US20060289386A1. Автор: Stephen Arthur,Charles Becker,Robert Wojnarowski,Steven Tysoe,Venkat Venkataramani,Steven LeBoeuf,Mark D'Evelyn,Jeffrey Fortin,Kanakasabapathi Subramanian,Vinayak Tilak,Samhita Dasgupta,Abasifreke Ebong. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-12-28.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

MOSFET with both elevated source-drain and metal gate and fabricating method

Номер патента: US20020066913A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728544B2. Автор: Jae Hyun Park,Yong Tae Kim,Tea Kwang YU,Kyong Sik YEOM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: WO2019018231A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240355920A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

MOS capacitors with head-to-head fingers and methods of forming the same

Номер патента: US09590593B2. Автор: Rien Gahlsdorf,Jianwen Bao. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Replacement metal gate semiconductor device formation using low resistivity metals

Номер патента: US20140065811A1. Автор: Chang Seo Park,Vimal K. Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Integrated assemblies containing ferroelectric transistors, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12079415B2. Автор: Pankaj Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

DAMASCENE METAL GATE AND SHIELD STRUCTURE, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURES

Номер патента: US20130175651A1. Автор: Bryant Andres,Nowak Edward J.,Clark,ANDERSON Brent A.,JR. WILLIAM F.,Ellis-Monaghan John J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor resist composition, and method and system of forming patterns using the composition

Номер патента: TW202007691A. Автор: 田桓承,文京守,金宰賢,南宮爛,蔡承龍,羅隆熙. Владелец: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-16.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: EP1687457B1. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-10.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: WO2005062752A2. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-14.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: EP1687457A2. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-09.

Semiconductor structure having gap within gate and cap and process thereof

Номер патента: US09666471B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Chun-Che Huang,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming nano-scale structures from polycrystalline materials and nano-scale structures formed thereby

Номер патента: MY120870A. Автор: Lawrence A Clevenger,Munir D Naeem. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of forming extruded structures from polycrystalline materials and devices formed thereby

Номер патента: US20020179201A1. Автор: Lawrence Clevenger,Munir Naeem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming hetero-layers with reduced surface roughness and bulk defect density of non-native surfaces and the structures formed thereby

Номер патента: US09711591B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Peter G. Tolchinsky,Niloy Mukherjee,Van H. Le,James M. Powers,Niti Goel,Matthew V. Metz,Loren Chow,Mark R. Lemay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of forming wafer level underfill materials and structures formed thereby

Номер патента: US09631065B2. Автор: Arjun Krishnan,Nisha ANANTHAKRISHNAN,Anna M. Prakash,James C. Matayabas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09466612B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Integrated Assemblies Having Body Contact Regions Proximate Transistor Body Regions; and Methods Utilizing Bowl Etches During Fabrication of Integrated Assemblies

Номер патента: US20200185390A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Metal gate transistors

Номер патента: SG161181A1. Автор: Han Jin-Ping,James Lee Yong Meng,Thean Voon-Yew. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Dual work function metal gates and methods of forming

Номер патента: US7101747B2. Автор: Yongjun J. Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-05.

Dual work function metal gates and methods of forming

Номер патента: US20050250275A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110198709A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Structure and method for 3D image sensor

Номер патента: US09525003B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO,Shu-Ting Tsai,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20070077698A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Image sensor, method of forming pixel, pixel readout circuit and calibration method

Номер патента: US20230282673A1. Автор: Jing Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005904A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20060046451A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20020187611A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20040038460A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Device for high-K and metal gate stacks

Номер патента: US09711415B2. Автор: Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Testkey structure and method for forming the same

Номер патента: US20240096718A1. Автор: Chung-Hsuan Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Integrated assemblies having voids along regions of gates, and methods of forming conductive structures

Номер патента: US11456299B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20210202489A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20210265356A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09466531B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Microelectrode array unit having liquid crystal polymer, and method of making said unit

Номер патента: RU2488914C2. Автор: Сун Джун КИМ,Сеун Воо ЛИ,Чоон Джае ЛИ,Соонкван АН. Владелец: Нуро Био-Системз Корп.. Дата публикации: 2013-07-27.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device

Номер патента: US20180233379A1. Автор: Zhidong Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Substrate mask patterns, methods of forming a structure on a substrate, methods of forming a square lattice pattern from an oblique lattice pattern, and methods of forming a pattern on a substrate

Номер патента: US09741580B2. Автор: Kevin R. Shea,William R. Brown,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Shane J. Trapp,Vishal Sipani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09589862B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09355979B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Integrated circuit device and method for making same

Номер патента: WO2014081984A1. Автор: Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-30.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Ultralow power carbon nanotube logic circuits and method of making same

Номер патента: US20170162628A1. Автор: Hyungil Kim,Weichao Xu,Mark C. Hersam,Michael L. Geier,Pradyumna L. PRABHUMIRASHI. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2017-06-08.

Ultralow power carbon nanotube logic circuits and method of making same

Номер патента: US09613879B2. Автор: Hyungil Kim,Weichao Xu,Mark C. Hersam,Michael L. Geier,Pradyumna L. PRABHUMIRASHI. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2017-04-04.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized drain

Номер патента: LU101403B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized gate

Номер патента: LU101404B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

3D semiconductor device, structure and methods with connectivity structures

Номер патента: US12029050B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20020045313A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20010001489A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Touch panel and method of forming the same

Номер патента: US09465475B2. Автор: Jium Ming Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Insert target assembly and method of making same

Номер патента: US20020134675A1. Автор: William Barnes,Melvin Holcomb,Steven Bardus. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Methods of forming biocompatible rechargable energisation elements for biomedical devices

Номер патента: RU2675797C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Superconducting wire and method for formation thereof

Номер патента: RU2597247C2. Автор: Сын-Хён МУН,Чжае Хун ЛИ,Хун-Чжу ЛИ. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-09-10.

Logic gate and a corresponding method of function

Номер патента: WO2013050983A3. Автор: Mirko Prezioso,Valentin Alek DEDIU,Alberto RIMINUCCI,Ilaria BERGENTI,Patrizio GRAZIOSI. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2013-07-18.

Logic gate and a corresponding method of function

Номер патента: EP2764514A2. Автор: Mirko Prezioso,Valentin Alek DEDIU,Alberto RIMINUCCI,Ilaria BERGENTI,Patrizio GRAZIOSI. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2014-08-13.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

LOGIC GATE AND A CORRESPONDING METHOD OF FUNCTION

Номер патента: US20150123703A1. Автор: PREZIOSO Mirko,Dediu Valentin Alek,Riminucci Alberto,Bergenti Ilaria,Graziosi Patrizio. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of forming gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: US7544564B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Device and method of implementation of image display support

Номер патента: RU2627097C2. Автор: Харальд ГРАЙНЕР,Ули ТЕССЕЛЬ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Reserve winding of yarn on a tube of a cross-wound bobbin and method and appartus of forming same

Номер патента: US4878629A. Автор: Hans Grecksch,Josef Bertrams,Rene Bucken. Владелец: W Schlafhorst AG and Co. Дата публикации: 1989-11-07.

Dispensing capsule and method and apparatus of forming same

Номер патента: US20230365322A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

DISPENSING CAPSULE AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200231370A1. Автор: Gordon Stuart,Appleford Mark. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US20160054668A1. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US09423707B2. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Woven fabric having a bulging zone and method and apparatus of forming same

Номер патента: US6000442A. Автор: Alexander Busgen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

Method for staining inhibition of donepezil-containing adhesive composition and method for reduction of formed donepezil-related compounds

Номер патента: RU2460520C2. Автор: Дзунити СЕКИЯ,Хитоси АКЕМИ,Акинори ХАНАТАНИ,Сатико ТЕРАСИ,Сумийо НИСИ,Сатоко ВАСИРО. Владелец: Нитто Денко Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-10.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE

Номер патента: US20160054668A1. Автор: KONISHI Mari,KODAMA Daisuke,YUMITA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Detecting Apparatus and Method for Signs of Form Collapse

Номер патента: KR101284752B1. Автор: 박상준,함상규,진상윤,양병혁. Владелец: (주) 희림종합건축사사무소. Дата публикации: 2013-07-17.

Combination of setter used in firing and to-be-fired body and method for firing of formed honeycomb body

Номер патента: CN102351544A. Автор: 末信宏之,中村知雄,野口康,渡边武彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝 席恩,漢瑞克 皮杜斯 瑪利亞 皮勒曼,派翠克 華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: US20180010718A1. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: EP2785446A1. Автор: Gaspar Paulo Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Methods of forming components utilizing ultra-high strength steel and components formed thereby

Номер патента: US20170102067A1. Автор: Sokol SULAJ,John Richard Sabo. Владелец: Magna Powertrain Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Complex structures in refractory bodies and methods of forming

Номер патента: US09714729B2. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Absorbing cores and methods of their formation

Номер патента: RU2680946C1. Автор: Майкл Б. ВЕНТУРИНО,Джозеф Дж. СИНА. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2019-02-28.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming an oral care implement

Номер патента: US09802347B2. Автор: Alan Sorrentino,Stephen Nelson. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Small crystal ferrierite and method of making the same

Номер патента: RU2640072C9. Автор: Хун-синь ЛИ,Антон ПЕТУШКОВ,Уильям Е. КОРМАЙЕР. Владелец: ПиКью КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-05-30.

Methods of forming sensor integrated packages and structures formed thereby

Номер патента: US09505607B2. Автор: Zheng Zhou,Feras Eid,Javier Soto Gonzalez,Sasha N. OSTER,Islam A. Salama,Kyu Oh Lee,Lay Wai Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Stack of sheets of paper, a dispenser having such a pile, and a method of forming such pile

Номер патента: RU2709394C1. Автор: Иоанн Дени,Магнус ФАЛЬК,Пол КАРЛСОН. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2019-12-17.

Ceramic element for packing and method of forming layer of packing elements

Номер патента: RU2281156C2. Автор: Томас Жимански,Хассан С. НИКНАФС,Ричард Н. РОБИНЕТТ,Стивен Л. ДАХАР,Джон РЕЙД. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2006-08-10.

Device and method for creation of shaped tobacco pieces

Номер патента: RU2540539C2. Автор: Томми К. Холланд,Шэннон БЛЭК,Эндрю Нейтан КЭРРОЛЛ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Systems and methods for sorting and molding composite material with chopped fiber filler

Номер патента: RU2722146C2. Автор: Мортеза САФАИ,Кимберли Д. МЕРЕДИТ,Сахрудин АПДАЛХАЛИЕМ,Вильям Б. АВЕРИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-05-27.

Stiffener with inclined section, device and method for its production

Номер патента: RU2498904C2. Автор: Даррен Джон ВИНТЕР. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2013-11-20.

Device, plant and method of sheet metal workpiece forming, and part, produced according to this method

Номер патента: RU2634830C2. Автор: Петер КЕНИГ,Михаэль ВОЛЬФ,Оттмар ЛЕР,Клаус ЛЯЙНМЮЛЛЕР,Дитер ВАЙДМАНН. Владелец: Алльгайер Верке Гмбх. Дата публикации: 2017-11-03.

Articles containing a water-soluble film based on polyvinyl alcohol and a mixture of plasticisers, and methods for making same

Номер патента: RU2687942C2. Автор: Регине ЛАБЕКЬЮ,Дэвид М. ЛИ,Стивен Джордж ФРИДРИХ,Флоренция Кэтрин КУРЧЕЙ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2019-05-16.

Device and method of forming and filling container structures in sterile conditions

Номер патента: RU2401780C2. Автор: Дэниел ПАЙ. Владелец: Медикал Инстилл Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element

Номер патента: US20090294403A1. Автор: Hideyuki Yatsu,Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Radius fillers for composite structures, composite structures that include radius fillers, and systems and methods of forming the same

Номер патента: US09616594B2. Автор: Robert L. Anderson,Juan C. Guzman,Douglas A. Mccarville. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Apparatus and method of forming a fibrous workpiece in the form of a body of revolution, having a profile varying in radial section

Номер патента: RU2741944C2. Автор: Юбер Жан Мари ФАБР,Жереми ЭЛЛО. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2021-01-29.

Solar cell frame construction made of carbon fiber and method of frame manufacture

Номер патента: RU2654882C1. Автор: Елена Анатольевна Гаврилова,Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Евгений Валериевич Назаров,Марина Анатольевна Денисова,Александр Вениаминович Родионов,Пётр Павлович Каштанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро "Пластик". Дата публикации: 2018-05-23.

Device leakage current model and method for extracting the same

Номер патента: US20240232468A1. Автор: Yuanyuan Wu,Qingwen Wang,Ganbing SHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized gate

Номер патента: LU101402B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Method and apparatus for forming tunnels and tunnels formed thereby

Номер патента: US09702094B2. Автор: James Crawford Thomson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Glass sheets forming device and method

Номер патента: RU2719872C2. Автор: Джеймс П. Мл. ШНАБЕЛЬ,Дин М. НИТШКЕ,Дэвид Б. НИТШКЕ. Владелец: Гласстек, Инк.. Дата публикации: 2020-04-23.

Vibration isolator "double bell" (versions) and method of manufacturing of its elastic hysteresis elements from wire material

Номер патента: RU2626787C2. Автор: Александр Иванович Ермаков,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2017-08-01.

Catalyst for photo-chemical reactions on base of titanium dioxide and method of production of such catalyst

Номер патента: RU2287365C2. Автор: Наталия Ивановна Ермохина,Владимир Георгиевич Ильин,Петр Андреевич Манорик,Натали Ивановна Ермохина,Валентина Ивановна Литвин,Степан Ярославович Кучмий,Александр Леонидович Строюк,Май Альбертовна Федоренко,Майя Альбертовна Федоренко,Анна Васильевна Коржак,ров Виктор Кимович Бухти,Виктор Кимович Бухтияров,Василий Михайлович Гранчак,Александр Васильевич Шульженко. Владелец: Александр Васильевич Шульженко. Дата публикации: 2006-11-20.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Radio frequency identification device implemented with a metal-gate semiconductor fabrication process

Номер патента: US20050263603A1. Автор: Ying Wu,Wen Lee,Che Wu. Владелец: G-Time Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of forming photo-alignment film and method of forming liquid crystal layer

Номер патента: US12124061B2. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh,Fumitake Mitobe,Katsumi SASATA,Akiko Watano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Confectionery product with filling (options) and method of its making

Номер патента: RU2647280C2. Автор: Лок Яан Амброзе ЧАН,ШоМенг ЧИН,Луис БОРДЕРА,Деннис АБАД,Венди ЛАУ. Владелец: Вм. Ригли Джр. Компани. Дата публикации: 2018-03-15.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

System and method of forming training set for machine learning algorithm

Номер патента: RU2711125C2. Автор: Александр Александрович Чигорин,Константин Викторович Лахман,Виктор Сергеевич Юрченко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2020-01-15.

Method for producing alpha-form crystal of reduced glutathione, and method for storing said crystal

Номер патента: EP4406960A2. Автор: Hiroshi Nagano,Kazunari Fukumoto,Maya IGUCHI. Владелец: Kyowa Hakko Bio Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Device and method for marking application

Номер патента: RU2715462C1. Автор: Сергей Александрович Павлов,Алексей Васильевич Лежнев,Александр Леонидович Рощин,Омар Ахмедович Омаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Флуоресцентные информационные технологии». Дата публикации: 2020-02-28.

Rounding device for food dough and method of rounding food dough

Номер патента: RU2582348C1. Автор: Митио МОРИКАВА,Кацумити ХИГУТИ,Акинори ТАКАМА,Суя САТО,Акира ТОДАТЕ. Владелец: Реон Отомэтик Машинери Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-04-27.

Three-dimensional matrixes from structured porous monetite for tissue engineering and bone regeneration and method of their obtaining

Номер патента: RU2491960C2. Автор: ПЕРЕС Хулио ФОНТ,ФЕО Мария Бегонья КАСТРО,ОЛЬМО БАСТЕРРЕЧЕА Маите ДЕЛЬ,ВАСКЕС Мария Долорес ГАРСИЯ,РЕТАМА Хорхе РУБИО,КАБАРКОС Энрике ЛОПЕС,РОДРИГЕС Кармен РУЭДА,МАРИНЬО Фале ТАМИМИ,АЛИ АЛХРАИСАТ Мохаммад ХАМДАН. Владелец: Истоселль, С.Л.. Дата публикации: 2013-09-10.

Sunscreen coatings and methods of forming sunscreen coatings

Номер патента: RU2768915C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Джеймс П. ТИЛЬ,Адам Д. ПОЛСИН,Пол А. МЕДВИК,Эндрю В. ВАГНЕР,Деннис Дж. О'ШОНЕССИ,Джеффри А. БЕНИГНИ,Дональд ЭНТОНИ. Владелец: Витро Флэт Глас ЛЛК. Дата публикации: 2022-03-25.

Droplet forming devices for liquid treatment and methods of forming droplets in liquid treatment device

Номер патента: RU2509058C2. Автор: Ричард Пол РИДЕЛЬ,Дуглас Роберт УТЩ. Владелец: Пюр Уотер Пьюрификейшн Продактс, Инк.. Дата публикации: 2014-03-10.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Short-Resistant Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor

Номер патента: US20130214289A1. Автор: Mehrotra Manoj. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-22.

DAMASCENE METAL GATE AND SHIELD STRUCTURE, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURES

Номер патента: US20120235216A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

METAL GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20130256805A1. Автор: ZHU Ming,Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,LIN Hui-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.,. Дата публикации: 2013-10-03.

METAL GATE FINFET DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20130307088A1. Автор: YEH Chih Chieh,YANG Yu-Lin,Lai Li-Shyue,Perng Tsu-Hsiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("TSMC"). Дата публикации: 2013-11-21.

Joint nail package and method and means of forming same

Номер патента: CA632681A. Автор: Ferguson Richard,Gettys D. Hoyle, Jr.. Владелец: Terrell Machine Co. Дата публикации: 1961-12-12.

Device structure to increase the coupling ratio of the source of split gate flash memory device to the floating gate and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW439298B. Автор: Ya-Fen Lin,Hung-Jeng Sung,Di-Sheng Guo,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-06-07.

Texturizing additive for formed meat products and method for obtaining of formed meat products with the use of texturizing additive

Номер патента: RU2249417C1. Автор: Т.В. Каренгина,И.Ф. Горлов. Владелец: ГУ Волгоградский научно-исследовательский технологический институт мясо-молочного скотоводства и переработки продукции животноводства РАСХН. Дата публикации: 2005-04-10.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

VALPROIC ACID, DERIVATIVES, ANALOGUES, AND COMPOSITIONS INCLUDING SAME AND METHODS FOR THEIR THERAPEUTIC USE

Номер патента: US20120003191A1. Автор: Burkin Dean J.,Gurpur Praveen B.,Kaufman Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPORATION APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20120003740A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEGRADATION RESISTANT IMPLANTABLE MATERIALS AND METHODS

Номер патента: US20120004722A1. Автор: . Владелец: ALLERGAN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Pipeline Weighting Device and Method

Номер патента: US20120003049A1. Автор: Sprague Ian,McKay Charles Frederick. Владелец: CRC-EVANS CANADA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE/SIRNA COMPLEXES AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003278A1. Автор: . Владелец: ENSYSCE BIOSCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR CONTROLLING BLOOD GLUCOSE LEVELS

Номер патента: US20120003339A1. Автор: MINACAPELLI Pompeo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SURGICAL ACCESS APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120004510A1. Автор: Brustad John R.,Hilal Nabil,Ewers Richard C.,Pingleton Edward D.,Dulak Gary R.,Adlparvar Payam,Bowes Robert R.. Владелец: APPLIED MEDICAL RESOURCES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Means and Methods for Rapid Droplet, Aerosols and Swab Infection Analysis

Номер патента: US20120002199A1. Автор: Ben-David Moshe,Eruv Tomer,Gannot Gallya. Владелец: OPTICUL DIAGNOSTICS LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MICRO-RESECTING AND EVOKED POTENTIAL MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004680A1. Автор: McFarlin Kevin,Reinker David. Владелец: Medtronic Xomed, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DISTINGUISHING INPUT OBJECTS

Номер патента: US20120001855A1. Автор: TRENT,JR. Raymond Alexander,Palsan Carmen. Владелец: SYNAPTICS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DETECTING MUTATIONS IN JAK2 NUCLEIC ACID

Номер патента: US20120003653A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INDEXING CONTENT VIEWED ON AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004575A1. Автор: Thörn Ola. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

SYSTEM AND METHOD FOR PARTICULATE MATTER FILTER REGENERATION USING A CATALYTIC CONVERTER AS A COMBUSTOR

Номер патента: US20120000180A1. Автор: JR. Michael J.,Gonze Eugene V.,Paratore,Santoso Halim G.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RAY TRACING SYSTEM ARCHITECTURES AND METHODS

Номер патента: US20120001912A1. Автор: Peterson Luke Tilman,McCombe James Alexander,Salsbury Ryan R.,Clohset Steven John. Владелец: CAUSTIC GRAPHICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Retained form assembly, method of assembly production and method of wall erection with the use of above assembly

Номер патента: RU2253719C1. Автор: С.Г. Степанюк,А.Г. Дорофеев. Владелец: Дорофеев Александр Григорьевич. Дата публикации: 2005-06-10.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Crystalline form ii of tilorone and method of obtaining thereof (versions)

Номер патента: RU2521595C2. Автор: Александр Сергеевич Семенов,Олег Александрович Игнатенко,Сергей Викторович Пирогов,Игорь Алексеевич Концевой,Александр Фуатович Габитов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Активный Компонент". Дата публикации: 2014-06-27.

Carbon-silicon carbide composite material and method for manufacturing products from thereof

Номер патента: RU2573141C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Елена Юрьевна Турбина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of forming proton images obtained by magnetic optics operating with magnification

Номер патента: RU2536103C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков,Игорь Васильевич Храмов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ", Российская Федерация. Дата публикации: 2014-12-20.

Method of forming aggregated data structure and method of searching for data through aggregated data structure in data base management system

Номер патента: RU2433467C1. Автор: Сергей Павлович Маркин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Реляционные экспертные системы". Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Cmos/soi mram memory integrated with vlsi and method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2532589C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Андрей Александрович Фраерман,Александр Павлович Ятманов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-11-10.

Device and method of forming absorbing cores which are obtained by pneumostacking

Номер патента: RU2405516C2. Автор: Хенрик КАРЛЕН,Гуннар ЭДВАРДССОН. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2010-12-10.

Acoustic horn and method of making same (versions)

Номер патента: RU2519852C1. Автор: Алексей Юрьевич Химичев. Владелец: Алексей Юрьевич Химичев. Дата публикации: 2014-06-20.

PARTICULATE FILTER REGENERATION INTERRUPTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000187A1. Автор: Darr Rebecca J.,Jasinkiewicz Paul,Shetney Justin A.,Mullins Jason Daniel,Crawford Kyle E.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of controlled change of form of frontal eye cornea surface by creation of pseudo membrane in ablation zone

Номер патента: RU2504354C1. Автор: Владимир Анатольевич Семчишен,Антон Владимирович Семчишен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

CARBURETOR AND METHODS THEREFOR

Номер патента: US20120001113A1. Автор: Hudlemeyer Aaron Aldrich,Dyess William Corey. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING VCO OUTPUT VOLTAGE SWING

Номер патента: US20120001699A1. Автор: . Владелец: QUINTIC HOLDINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001946A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Wireless Transfer of Content Between Aircraft

Номер патента: US20120003922A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Article with dimensionally stable polymeric multiple-filament yarn (versions) and method of forming yarn

Номер патента: RU2286409C2. Автор: Питер РИМ,Фаранджис КАЙАНИ. Владелец: Перформанс Файберс, Инк.. Дата публикации: 2006-10-27.

Compound bar for casting of driven elements of impeller pumps with bicurvative blades and method of its manufacturing

Номер патента: RU2359778C1. Автор: Яков Абрамович Глускин. Владелец: "Центр Разработки Нефтедобывающего Оборудования (Црно)". Дата публикации: 2009-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.